CN1892361A - 背光装置的光源引导结构及具有该结构的背光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有作为光源的LED的光源引导结构以及具有该光源引导结构的背光装置。该光源引导结构包括:导光板,在其外围部分中形成槽;光源,具有适于导光板的槽的透明封装,LED芯片位于透明封装内。该结构还包括:引线基底,用于放置LED芯片并将来自LED芯片的光反射到导光板;反射层,附于光源和导光板的上表面上。由于光源位于导光板中,所以在增加来自LED的光的水平光束角的同时,将光的损失最小化,从而将外围区最小化。
Description
本申请要求于2005年7月6日在韩国知识产权局提交的第2005-60782号韩国专利申请的权益,其公开通过引用被包含于此。
技术领域
本发明涉及一种具有作为光源的发光二极管(LED)的背光装置。更具体地讲,本发明涉及一种背光装置的光源引导结构以及包括该光源引导结构的背光装置,其中,光源位于导光板中,以将从LED入射到导光板中的光的损失最小化,增加从LED发射的光的水平光束角的同时增加入射光的量,从而将外围区最小化。
背景技术
由于液晶显示器(LCD)自身没有光源,所以需要通常为背光装置的外部照明。背光装置从后面照亮LCD并且使用冷阴极荧光灯(CCFL)和LED作为光源。
图1中示出了根据现有技术的背光装置的例子。
如图1中所示,背光装置1包括LED封装10、导光板20、反射板24、漫射板26和一对棱镜片28。背光装置向上面的LCD面板30发送从LED封装10入射到导光板20的光,从而向LCD提供照明。
更具体地,LED封装包括:LED芯片12;引线框14,用于放置LED芯片12并供电;封装体16,用于密封这些组件;透明树脂18,填充在封装体16的凹部中。
LED芯片12产生的光L1-L3进入导光板20并且几乎在导光板20内部传播。当这些光遇到点图案22时,这些光被反射板24向上反射穿过漫射板26和棱镜片28,到达LCD面板30。
此时,LED封装10以距离导光板20预定间隔G设置。因此,当光从LED封装10进入导光板20时,部分光会露出导光板20,减小了光的量。另外,在背光装置1的LED封装10的后端不发生对LCD面板30的照明,即,在从透明树脂18的相对侧到导光板20的区域不发生对LCD面板30的照明。因此,当整个LCD装置中围绕LCD面板30的外围区即Bezel区(外围区)增加时,LCD装置的尺寸相应地增加。
另外,尽管在图中未示出,但是由于LED封装10具有一定的水平光束角,所以当多个LED封装10位于导光板20的侧面时,在来自相邻LED封装的光彼此相遇的点之前存在一定的距离。换而言之,在来自相邻LED封装10的光彼此相遇的点之前的区域中不发生对LCD面板30的照明,这也是增加上述Bezel区的因素。
发明内容
本发明已经解决了现有技术中的上述问题,因此,本发明特定实施例的目的是提供一种背光装置的光源引导结构以及具有该光源引导结构的背光装置,其中,光源位于导光板中,将从LED入射到导光板中的光的损失最小化,从而在增加从LED发射的光的水平光束角的同时,增加光入射的量,以将外围区最小化。
本发明特定实施例的另一个目的是提供一种光源引导结构和具有该光源引导结构的背光装置,其中,光源封装由透明树脂形成,反射层和可选的导光板下部的反射板起到光源侧壁的功能,由于不需要用于侧壁的空间,从而显著地减小该结构的厚度。
根据实现所述目的的一个方面,提供了一种背光装置的光源引导结构,包括:导光板,具有在其外侧形成的槽,槽穿过导光板的厚度延伸;光源,包括适于导光板的槽的透明封装、位于透明封装内的发光二极管、用于放置发光二极管芯片并且将来自发光二极管芯片的光反射向导光板的引线基底;反射层,附于光源的上表面和导光板的发光二极管光源适于的部分的上表面上。
在上面的光源引导结构中,光源的封装和导光板的槽用粘合剂结合。
在上面的光源引导结构中,附于透明封装和导光板的所述部分的反射层以这样的宽度形成,即,从发光二极管芯片入射的不符合全内反射条件的光不直接通过透明封装或者导光板的上表面溢出。
同样在上面的光源引导结构中,反射层形成在光源的下表面上以及导光板的发光二极管适于的部分的下表面上。同时,优选地,在光源和导光板的上表面上形成的反射层具有比在发光二极管光源和导光板的下表面上形成的反射层大的宽度。
又在上面的光源引导结构中,反射层形成在导光板的发光二极管适于的部分的侧表面上。
在上面的光源引导结构中,反射层由金属或者反射涂覆层制成。
此时,反射层可包含金属沉积物,优选地,金属沉积物包含从由Ag、Al、Au、Cu、Pd、Pt、Rd及其合金组成的组中选择的至少一种。
此外,光源引导结构还可包括形成在反射层的下部上的透明绝缘层。
此时,优选地,透明绝缘层包含从由Al2O3、SiNX和SiO2组成的组中选择的至少一种的沉积物。
另外,优选地,透明绝缘层形成在反射层的整个下部分上或者形成在引线基底附近。
同时,反射层可包含反射涂覆层,并且优选地反射涂覆层包含从由TiO2、ZnO、CaCO3及其混合物组成的组中选择的至少一种。
另外,光源引导结构还可包括在反射层的上表面上形成的金属沉积层,并且金属沉积层可包含从由Ag、Al、Au、Cu、Pd、Pt、Rd及其合金组成的组中选择的至少一种。
另外,光源引导结构还可包括在导光板的底表面上形成的点图案以及位于点图案下面的反射板。
在光源引导结构中,透明封装紧密地适于导光板的槽,并且具有与导光板的槽的形状相同的形状。
此外,在光源引导结构中,反射板覆盖发光二极管封装和导光板的整个下表面。
根据实现上述目的的又一方面,本发明还提供了一种背光装置,包括:上述光源引导结构;漫射板,位于光源引导结构上方;棱镜片,位于漫射板上方。
附图说明
从结合附图进行的下面的详细描述中,本发明的上面和其它目的、特征及其它优点将变得更容易理解,附图中:
图1是根据现有技术的背光装置的剖视图;
图2是根据本发明第一实施例的光源引导结构的透视图;
图3是示出部分去除了反射层的图2中的光源引导结构的透视图;
图4是示出图2中的光源引导结构的分解透视图;
图5是示出图2中的光源引导结构的平面图;
图6是沿着图5中的线6-6截取的剖视图,示出了根据本发明的光源引导结构的操作;
图7是沿着图5中的线7-7截取的剖视图;
图8是与图6的剖视图对应的剖视图,示出了根据第一实施例的光源引导结构的变型;
图9是与图6的剖视图对应的剖视图,示出了根据第一实施例的光源引导结构的又一变型;
图10是示出根据本发明的光源引导结构的操作的平面图;
图11是与图6的剖视图对应的剖视图,示出了根据本发明第二实施例的光源引导结构;
图12是示出图11中的光源引导结构的第一实例的剖视图;
图13是示出图11中的光源引导结构的第二实例的剖视图;
图14是图13中的光源引导结构的变型。
具体实施方式
现在,将参照附图来详细描述本发明的优选实施例。
首先,参照图2至图7解释根据本发明第一实施例的光源引导结构。在这些图中,图2是根据本发明第一实施例的光源引导结构的透视图,图3是部分去除了反射层的图2中的光源引导结构的透视图,图4是示出图2中的光源引导结构中的光源和导光板的透视图。图5是图2中的光源引导结构的平面图,图6是沿着图5中的线6-6截取的剖视图,图7是沿着图5中的线7-7截取的剖视图。
如图2至图7中所示,根据本发明第一实施例的光源引导结构100包括导光板110、发光二极管(LED)组件130和反射层140。
导光板110是具有预定厚度的平面构件并且由透明的丙烯(acryl)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、塑料或玻璃制成。导光板110由平面体112和形成在平面体的外侧的三个槽114组成。这些槽114以预定尺寸垂直延伸穿过平面体112的侧部。
在导光板的平面体112的底表面上,形成由多个墨点或微小压痕组成的点图案116,反射板120置于点图案116的顶部。反射板120通常采用薄膜或片的形式,反射板120优选地由Lambertian表面组成。此时,与图中示出的不同,由于点图案116可以非常薄,所以在导光板的平面体112和反射板120之间基本上没有间隔,其间仅存在光学界面。
LED组件130包括:引线基底132,例如金属基底;三个LED芯片134,安装在引线基底132上;透明封装136,均密封各自的LED芯片134。
在引线基底132的表面上,优选地通过涂覆或覆层(clad)形成用于向LED芯片134供电的引线(未示出)。此时,期望在引线基底132的表面上广泛地形成引线,从而增加来自LED芯片134的光被向前反射的反射效率。
另外,上面的示例介绍了单一引线基底132,三个LED芯片134和封装136安装在该引线基底132上,但是可存在多个引线基底,LED芯片134和封装136的每个分别安装在多个引线基底上。
优选地,LED芯片134的每个位于导光板110的每个槽114的相应位置中,透明封装的每个以适于(fit to)槽114的每个的尺寸形成。从而,当LED组件130与导光板110结合时,透明封装136可适于槽114而没有任何间隙。结果,当来自LED芯片134的光进入导光板110时,可防止通过间隙损失光。
同时,优选地,用透明粘合剂结合封装136和槽114。另外,优选地,封装136和粘合剂由具有与导光板110的折射率基本相同的折射率的材料制成。
反射层140以薄膜形式设置在导光板110形成槽114的外侧上。即,反射层140覆盖LED封装136以及导光板的平面体112与LED封装136交替的部分,以防止来自LED芯片134的光泄漏到导光板110的外部。
此时,形成反射层140来覆盖LED封装136的上下表面以及导光板的平面体112的相邻部分的上表面、下表面和侧表面。即,如图2中所示,反射层140沿着LED封装136的上表面以及导光板的平面体112的上表面和侧表面形成。同样,如图6中所示,反射层140形成在LED封装136的下表面上,而且如图7中所示,反射层140形成在导光板的平面体112与LED封装136交替的部分的下表面上。在图6中,为了方便起见,用标号140a表示上反射层,用标号140b表示下反射层。
形成上反射层140a来覆盖封装136的上表面以及导光板的平面体112的相邻部分。这样防止来自LED芯片的光通过导光板110的上表面泄漏而不碰撞点图案116。换而言之,上反射层140a具有这样的宽度,该宽度能够防止光直接穿过封装136和/或导光板110的上表面泄漏。参照图6,当从LED芯片134发射的光以预定值的角度或更小的角度碰撞到封装136或者导光板110时,所述光通过全内反射被向下反射。然而,如果所述光以大于特定值的角碰撞在封装136或者导光板110的上表面上,则所述光穿过上表面向上溢出。因此,优选地,上反射层140a具有能够防止这种可能性的宽度。如果必要,上反射层140a的宽度能被调节为使部分光直接穿过封装136和/或导光板110的上表面向上溢出,而不碰撞导光板110的底表面上的点图案。此时,封装136可具有足够大的宽度,以使上反射层140a的宽度可小于封装136的宽度。
另一方面,由于通过导光板110的底表面溢出的光被下面的反射板120反射回导光板110中,所以下反射层140b的宽度小于上反射层140a的宽度是没有问题的。此外,下反射层140b和反射层140的侧部也可以以与上反射层140a的宽度相同的宽度形成。
可选地,下反射层140b可被(薄表面的)反射板所代替,当点图案116和反射板120具有大的厚度时,这种代替是尤其优选的。
通过使用高反射率的材料将反射层140制成膜的形式。能在这种情况下使用的材料包括金属和反射涂料。
对于金属,具有高反射率例如90%或更高的金属例如Ag、Al、Au、Cu、Pd、Pt、Rd及其合金可被单独使用或者组合使用。优选地,反射层具有至少1,000的厚度,更加优选的为3,000至1μm的厚度。另外,反射层优选地通过沉积形成。
对于沉积,可使用溅射和电子束法。
溅射使溅射气体流入真空室中,溅射气体碰撞靶,从而由靶材料形成等离子体,从而等离子体以薄膜的形式涂覆在基底上。通常,溅射气体使用惰性气体例如Ar。
简要描述溅射工艺,当对作为阴极的靶和作为阳极的基底施加电压时,通过与从阳极发射的电子碰撞,溅射气体被激发为Ar+离子。接着,Ar+离子被吸引向作为阳极的靶并且与靶碰撞。由于被激发的Ar+离子均具有预定的能量hγ,所以在碰撞过程中,该能量被传递到靶。当所述能量超过靶元素的结合力和电子的功函数时,从靶发射等离子体。等离子体扩展到电子自由路径的范围,当基底与靶在该自由路径内分开时,在基底上形成薄膜。
使用DC电压的溅射类型被称作DC溅射,这种溅射通常用于导体的溅射。在非导体例如绝缘体的情况下,薄膜通过使用AC电压的AC溅射形成。由于AC溅射使用频率通常为13.56MHz的AC电压,所以这种AC溅射也被称作射频(RF)溅射。
在高真空气氛(例如,5×10-5至1×10-7托)中,电子束沉积使用电子束来加热支架。在这种情况下,支架上的金属被熔化并蒸发,从而金属蒸气被凝聚在相对冷的晶片表面上。电子束沉积主要用于半导体晶片上薄膜的制造。
在通过高反射率金属形成反射层的情况下,在反射层140和引线基底(未示出)之间可存在电连接,因此,优选地以这样的方式形成引线,即该引线不延伸到引线基底132的外围。即,引线被形成为保持与引线基底132的外围的预定距离,从而能防止引线和金属反射层140之间的电连接。
对于反射涂覆层,包含反射率为80%至90%的TiO2、ZnO或CaCO3的反射材料可被单独使用或者组合使用。
为了形成反射层140,这种反射材料用溶剂中的粘合剂稀释,以被涂覆到封装136的上下表面以及相邻导光板的平面体12的相应部分上。此时,反射材料可以以10-50wt%的浓度被冲淡,优选的以20-30wt%的浓度被冲淡,并且使用喷涂和辊子涂覆。反射材料可以以1,000至10μm的厚度被涂覆,优选地,以3,000至1μm的厚度涂覆。
如上所述,LED封装136位于导光板110的槽114中,从而来自LED芯片134的光能进入导光板110而没有任何损失。另外,反射层140能通过简便的工艺以精细、厚度小的膜的形式形成。
本发明的这种反射层140具有与围绕边射式LED 10的透明树脂的封装体16的部分基本相同的功能,即与如图1中所示的边射式LED 10的侧壁(sidewall)的功能基本相同。即,在用于LCD的典型的小背光装置中采用的现有技术的边射式LED 10具有这样的侧壁,该侧壁被设计为在竖直光束角的预定范围内将来自LED芯片12的光发射到导光板20中。此时,该侧壁与封装体16注入成型,从而需要特定或更大的厚度。因此,侧壁成为减小边射式LED 10和背光装置1的厚度的障碍。
在本发明中,当反射层140起到现有技术的边射式LED 10的侧壁的功能时,透明封装136的厚度可被显著地减小。即,透明封装136需要这样的厚度,该厚度仅足以密封其内部的LED芯片。另外,当通过沉积形成反射层140时,反射层140的厚度在光源引导结构100的整个尺寸中成为可以忽略不计的部分。因此,光源引导结构100的厚度主要受透明封装136或LED芯片的影响。
考虑到上面的因素,本发明的光源引导结构100在显著减小厚度的同时提高了光效率。
根据本发明的上述光源引导结构100与图1中所示的漫射板26和棱镜片28一起构成背光装置。上述光源引导结构100的优点也适于具有该光源引导结构的背光。
同时,如图8中所示,反射板和反射层能在形式上修改。图8是与图6对应的剖视图,示出了根据第一实施例的光源引导结构的变型。
根据图8中的结构,下反射层140b以与上反射层140a相同的宽度形成。剩余结构与根据上述第一实施例的光源引导结构100的结构基本相同,因此省略其描述。
另外,如图9中所示,反射板和反射层能在它们的形式上作修改。图9是与图6对应的剖视图,示出了根据第一实施例的光源引导结构的另一变型。
根据图9中的结构,反射板120a也覆盖透明封装136的下表面。即,反射板120a能延伸到透明封装136的下表面,代替形成下反射层。无疑,反射板120a也覆盖导光板的平面体112与封装136交替的下表面。
此时,封装136可具有比导光板的平面体112的厚度稍大的厚度。然而,如上所述,当点图案116用墨水点形成得非常薄时,点图案16基本上不增加厚度,因此,封装136不需要具有比导光板的平面体112大的厚度。
反射层140、反射板120a以及包括该反射层和该反射板的光源引导结构的特征和优点与上述第一实施例的特征和优点基本相同。
以下,参照前述的图6来解释根据本发明的光源引导结构的操作。
当LED芯片134发光时,部分光L1被覆盖封装136的上反射层140a反射到导光板110中。这束光L1几乎在导光板110中传播,当这束光遇到散射图案116时,被反射板120向上反射,穿过导光板110的上表面溢出。接着,这束光向上穿过漫射板26和棱镜片28,从背后照亮LCD面板30。
此时,通过封装136和导光板110入射的其它部分光L2被上反射层140a反射向导光板110的底表面。光L2后面的路径与上述光L1的上述路径相同。
另外,又一部分光L3碰撞到导光板110的底表面的点图案116上并且被反射板120反射,穿过导光板110的上表面溢出,从后面照亮LCD面板30(图1)。
其余部分的光碰撞到导光板110的上表面或下表面上以被反射,并以与光L1相同的方式,几乎在导光板110中传播。接着,当所述光遇到点图案116时,所述光被反射板120向上反射,穿过导光板110的上表面溢出。
因此,来自LED芯片134的光进入导光板110(除了光在封装中被吸收之外)而没有损失,增加了光效率。另外,上反射层140a的宽度能被适当地调节,从而可调节向上溢出而没有碰撞到点图案上的光的量。
以下,参照平面图图10来解释根据本发明光源引导结构的操作。
如上所述,由于根据本发明的LED封装136由透明树脂制成,如图10中所示,来自LED芯片134的光能通过封装136的侧表面进入导光板110。因此,用本发明的光源引导结构可实现更宽的水平光束角α。
结果,导光板110能够用单一LED芯片134照亮更大的区域,从而需要较少数量的LED芯片134。
另外,在更宽的光束角α的情况下,从相邻LED芯片134发射的光彼此混合的距离l变短。混合光的这个距离l与Bezel区的宽度成比例,因此,Bezel区的宽度能根据混合光的距离l减小而减小。
从而,采用本发明光源引导结构的LCD和包括本发明光源引导结构的背光装置能显著地减小尺寸。换而言之,给定相同尺寸的LCD,采用本发明背光装置的LCD能具有比现有技术LCD更大的液晶面板。
图11是与图6对应的剖视图,示出了根据本发明第二实施例的光源引导结构。
除了具有由内层240a、240b和外层242a、242b组成的双反射层结构之外,该实施例中的光源引导结构200与根据第一实施例的光源引导结构基本相同。因此,用以2开头的标号表示这些组件,省略另外的解释。
现在,参照图12和图13来详细解释图11的双反射层结构。
参照图12,内层240a和240b用反射涂覆形成,外层242a和242b用金属形成。因此,从LED芯片234发射的光L在到达外层242a和242b之前被内层240a和240b反射。
反射涂覆层的优选例子包括单独或组合使用TiO2、ZnO和CaCO3。
反射层即内层240a、240b的结构和形成工艺如第一实施例中所述。
此时,形成外层242a和242b来保护内层240a和240b不受外部环境的影响,并且外层242a和242b优选地通过沉积形成。外层242a和242b可采用适于沉积的任何金属。
另外,外层242a和242b可用高反射率的金属形成,以另外反射未被反射而透过内层240a和240b的部分光。这种高反射率的金属Ag、Al、Au、Cu、Pd、Pt、Rd及其合金可单独使用或结合使用。此时,优选地,外层242a和242b可具有至少1,000的厚度,更优选地,可具有3,000至1μm的厚度。
参照图13,在双反射层结构中,内层240a和240b用透明介电材料形成,外层242a和242b由高反射率金属形成。因此,从LED芯片234发射的光L透过内层240a或240b并且被外层242a或242b反射。
透明介电材料的例子包括Al2O3、SiNX和SiO2,这些材料能单独或组合沉积从而以薄膜的形式形成透明内层240a、240b。为了防止引线或引线基底232的导电图案(未示出)和为金属反射层的外层242a、242b之间的电连接,沉积介电材料来形成电绝缘层或钝化层。内层240a和240b也通过沉积形成,从而具有高稳定性。
高反射率为例如90%或更高的金属,例如Ag、Al、Au、Cu、Pd、Pt、Rd及其合金可单独或组合使用,用于外层242a和242b的金属,。外层242a和242b可具有至少1,000的厚度,优选地,可具有3,000至1μm的厚度。另外,外层优选地通过沉积形成,这样需要与上述第一实施例的反射层140的工艺基本相同的工艺。
以上述结构,向前反射来自LED芯片234的光的导电图案(未示出)能延伸到引线基底232的外围,从而增加引线基底232的反射效率。
同时,图14示出了图13中的光源引导结构的变型。
可仅在图11中所示的引线基底232的上表面和封装236的相邻上表面的外围形成钝化区或绝缘区240a,代替形成与外层242a和242b的宽度相同的内层240a和240b。
上述结构给出的效果与图13中结构的效果相同。另外,绝缘区240a形成在窄部分中,不透明材料可能用来形成绝缘区240a。
图12至图14中的上述光源引导结构和漫射板26及棱镜片28一起构成了根据本发明的背光装置。
根据光源引导装置和包括前述本发明的光源引导装置的背光装置,光源设置在导光板中,以将来自LED的进入导光板的光的损失最小化,增加光入射的量的同时增加从LED发射的光的水平光束角,以将外围区最小化。另外,反射层被涂覆或者沉积在光源的上下表面上以及导光板与光源交替的上表面上,防止光泄漏到外面。另外,采用也形成在导光板与光源相邻的部分上的反射层,可防止来自光源的光向上漏出在液晶面板上形成亮线。另外,根据本发明,光源封装用透明树脂形成,反射层和可选的导光板的下部的反射板用作光源侧壁的功能。因此,不需要现有技术中边射式LED的侧壁,结果,能显著地减小光源引导结构及采用该光源引导结构的背光装置的厚度。
尽管已经结合优选实施例示出和描述了本发明,但是本领域技术人员将清楚,在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可作修改和变型。
Claims (20)
1、一种背光装置的光源引导结构,包括:
导光板,具有在其外侧形成的槽,所述槽穿过所述导光板的厚度延伸;
光源,包括适于所述导光板的所述槽的透明封装、位于所述透明封装内的发光二极管芯片、用于放置所述发光二极管芯片并且将来自所述发光二极管芯片的光反射向所述导光板的引线基底;
反射层,附于所述光源的上表面和所述导光板的所述发光二极管光源适于的部分的上表面上。
2、如权利要求1所述的背光的光源引导结构,其中,所述光源的所述封装和所述导光板的所述槽用粘合剂结合。
3、如权利要求1所述的背光的光源引导结构,其中,附于所述透明封装和所述导光板的所述部分上的所述反射层以这样的宽度形成,即,从所述发光二极管芯片入射的不符合全内反射条件的光不直接通过所述透明封装的所述上表面或者所述导光板的上表面溢出。
4、如权利要求1所述的背光的光源引导结构,其中,所述反射层形成在所述光源的下表面上以及所述导光板的所述发光二极管光源适于的所述部分的下表面上。
5、如权利要求4所述的背光的光源引导结构,其中,在所述光源和所述导光板的上表面上形成的反射层具有比在所述发光二极管光源和所述导光板的下表面上的反射层大的宽度。
6、如权利要求1所述的背光的光源引导结构,其中,所述反射层形成在所述导光板的所述发光二极管光源适于的所述部分的侧表面上。
7、如权利要求1所述的背光的光源引导结构,其中,所述反射层由金属或者反射涂覆层制成。
8、如权利要求7所述的背光的光源引导结构,其中,所述反射层包含金属沉积物。
9、如权利要求8所述的背光的光源引导结构,其中,所述金属沉积物包含从由Ag、Al、Au、Cu、Pd、Pt、Rd及其合金组成的组中选择的至少一种。
10、如权利要求8所述的背光的光源引导结构,还包括形成在所述反射层的下部上的透明绝缘层。
11、如权利要求10所述的背光的光源引导结构,其中,所述透明绝缘层包含从由Al2O3、SiNX和SiO2组成的组中选择的至少一种的沉积物。
12、如权利要求10所述的背光的光源引导结构,其中,所述透明绝缘层形成在所述反射层的整个下部分上或者形成在所述引线基底附近。
13、如权利要求7所述的背光的光源引导结构,其中,所述反射层包含反射涂覆层。
14、如权利要求13所述的背光的光源引导结构,其中,所述反射涂覆层包含从由TiO2、ZnO、CaCO3及其混合物组成的组中选择的至少一种。
15、如权利要求13所述的背光的光源引导结构,还包括在所述反射层的上表面上形成的金属沉积层。
16、如权利要求15所述的背光的光源引导结构,其中,所述金属沉积层包含从由Ag、Al、Au、Cu、Pd、Pt、Rd及其合金组成的组中选择的至少一种。
17、如权利要求1所述的背光的光源引导结构,其中,所述透明封装紧密地适于所述导光板的所述槽,并且具有与所述导光板的所述槽的形状相同的形状。
18、如权利要求1至权利要求17中的任何一个权利要求所述的背光的光源引导结构,还包括在所述导光板的底表面上形成的点图案以及位于所述点图案下面的反射板。
19、如权利要求18所述的背光的光源引导结构,其中,所述反射板覆盖所述发光二极管封装和所述导光板的整个下表面。
20、一种背光装置,包括:
如权利要求18中所述的光源引导结构;
漫射板,位于所述光源引导结构上方;
棱镜片,位于所述漫射板上方。
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