CN1909250A - 具有氮化硅－氧化硅介电层的非挥发性记忆元件 - Google Patents
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 43
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 40
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 26
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 73
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 51
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 11
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 124
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 description 1
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N pyriproxyfen Chemical compound C=1C=CC=NC=1OC(C)COC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
- H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
一种非挥发性记忆胞包括半导体基底、位于部分半导体基底中的源极区、位于部分半导体基底中的汲极区以及位于部分半导体基底中的井区。非挥发性记忆胞还包括位于半导体基底上的第一载子穿隧层、位于第一载子穿隧层上的电荷储存层、位于电荷储存层上的第二载子穿隧层以及位于第二载子穿隧层上的导体控制闸极。特别的是，源极区与汲极区之间具有一间隔，井区则至少围绕部分源极区与汲极区。在一实施例中，第二载子穿隧层在抹除操作时提供电洞穿隧，且其包括至少一介电层。
Description
技术领域
本发明是有关于一种非挥发性记忆元件及其制造方法，且特别是有关于一种具有氮化硅-氧化硅介电层的非挥发性记忆半导体元件及具有氮化硅顶介电层的非挥发记忆元件的制造方法。
背景技术
非挥发性记忆体(non-volatile memory，NVM)是一种即使将供应给具有非挥发记忆体的元件的电源移除后，仍可以储存程式化资料或讯息的半导体记忆元件。非挥发性记忆体的实例包括遮罩式唯读记忆体(maskread-only memory，MROM)、可程式唯读记忆体(programmable read-onlymemory，PROM)，可抹除可程式唯读记忆体(erasable programmableread-only memory，EPROM)以及电性可抹除可程式唯读记忆体(electrically-erasable programmable read-only memory，EEPROM)。一般来说，非挥发性记忆体可被程式化入一些资料、读取与/或抹除，而程式化的资料在延长时间内，例如是十年，若未被抹除皆可被储存。
非挥发性记忆体例如氮化硅唯读记忆体(nitride read-only memory)是一种电性可抹除可程式唯读记忆体，其利用氮化硅层作为电荷捕捉层以储存资料。其他电荷捕捉材料亦可被用来形成非挥发性记忆元件。氮化硅唯读记忆胞的一设计实例包括一个具有配置于闸极与源极/汲极的半导体材料之间的氧化硅-氮化硅-氧化硅层(oxide-nitride-oxide，ONO)的金氧半导场效应电晶体(MOSFET)。当元件在程式化时氧化硅-氮化硅-氧化硅层中的氮化硅层可以”捕捉(trap)”电荷(电子)。氮化硅材料具有电荷区域化(charge localization)的能力，以在没有显著地遍布于氮化硅层中的电荷横向迁移情况下储存电荷。氮化硅唯读记忆体利用相对较厚的穿隧氧化层，一般会对抹除一个记忆胞所费的时间有负面的影响。氮化硅唯读记忆体可与传统的浮置闸极记忆胞作对比，其中浮置闸极是导电的，而电荷则横向遍布于整个浮置闸极，且电荷迁移穿越了穿隧氧化层。另外，氮化硅唯读记忆体可被已知的电压应用技术重复地程式化、读取、抹除与/或再程式化。
提供一种非挥发性记忆元件，重要的是提出一种具有比传统非挥发性记忆体，例如某些氮化硅唯读记忆体，更佳的电荷保留能力或减少电荷流失的非挥发性记忆半导体元件。另外，提供具有理想的抹除旧讯息或程式化新讯息的操作速度的非挥发记忆体也很重要。
本申请案与美国专利申请第11/197,668号有关，该案中请于2005年8月4日，标题为“具有氧化硅-氮化硅-氧化硅顶介电层的非挥发性记忆半导体元件”
发明内容
本发明提出一种非挥发性记忆胞，包括半导体基底、位于部分半导体基底中的源极区、位于部分半导体基底中的汲极区、位于部分半导体基底中的井区、位于半导体基底上的第一载子穿隧层、位于第一载子穿隧层上的电荷储存层、位于电荷储存层上的第二载子穿隧层以及位于第二载子穿隧层上的导体控制闸极。其中，源极区与汲极区之间具有一间隔，井区则至少围绕部分源极区与汲极区。
本发明另提出一种非挥发性记忆胞，包括半导体基底、形成于部分半导体基底中的源极区、形成于部分半导体基底中且与源极区相邻的汲极区、形成于部分半导体基底中且与源极区和汲极区相邻的井区、形成于半导体基底上的电子穿隧层、形成于电子穿隧层上的电荷储存层以及位于电荷储存层上的p型掺杂多晶硅层。
本发明再提出一种非挥发性记忆胞的形成方法，适用于半导体基底上。其方法包括，先于部分半导体基底中形成源极区。然后，于部分半导体基底中形成汲极区，且汲极区与源极区之间具有一间隔。接着，于部分半导体基底中形成井区，井区至少围绕部分源极区与汲极区。之后，于半导体基底上形成第一载子穿隧层。继之，于第一载子穿隧层上形成电荷储存层。而后，于电荷储存层上形成第二载子穿隧层。随后，于第二载子穿隧层上形成导体控制闸极。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为依照本发明的一实施例所绘示的具有单层电洞穿隧层的非挥发性记忆胞。
图2为依照本发明的一实施例所绘示的具有双层电洞穿隧层的非挥发性记忆胞。
图3为依照本发明的一实施例所绘示的具有三层电洞穿隧层的非挥发性记忆胞。
图4为依照本发明的一实施例的非挥发性记忆体的不同端点的符号命名。
图5与图6为依照本发明的一实施例所绘示的非挥发性记忆体的程式化操作。
图7为依照本发明的一实施例所绘示的非挥发性记忆体的抹除操作。
图8A为本发明的非挥发性记忆体于低电场时的能带图。
图8B为本发明的非挥发性记忆体于高电场时的能带图。
100：非挥发性记忆胞 102：半导体基底
104：源极区 106：汲极区
108：井区 110：第一载子穿隧层
112：电荷储存层 114：第二载子穿隧层
114a、114c：氧化硅层 114b：氮化硅层
116：导体控制闸极
具体实施方式
以下将以非挥发性记忆元件为例，对其电荷储存能力的提高与电荷流失的降低作详细的说明。
请参照图1，非挥发性记忆胞100的一实施例包括半导体基底102、位于部分半导体基底102中的源极区104与位于部分半导体基底102中的汲极区106。源极区104与汲极区106之间具有一间隔。非挥发性记忆胞100还包括位于部分半导体基底102中的井区108，井区108至少围绕部分源极区104与汲极区106。举例来说，井区108至少围绕源极区104与汲极区106之间的区域以及源极区104与汲极区106下方的区域。
更进一步来说，非挥发性记忆胞100包括形成于半导体基底102上的第一载子穿隧层110，且至少覆盖部分部分源极区104与汲极区106之间的区域。电荷储存层112形成于电子穿隧层110上，而第二载子穿隧层114则形成于电荷储存层112上。导体控制闸极116形成于第二载子穿隧层114上。在图1的实施例中，非挥发性记忆胞100是一种n型通道元件，其具有被p型区域的井区108环绕的n型或n+型区域的源极区104与汲极区106。电子穿隧层110于程式化操作期间提供电子穿隧，且其直接在至少部分源极区104与汲极区106之间的区域之上。第二载子穿隧层114包括至少一介电层，并于抹除操作期间提供电洞穿隧。在一实施例中，记忆元件可例如是没有第二载子穿隧层114，但有p型掺杂多晶硅，也就是具有p型掺质的多晶硅，作为导体控制闸极116。
因此，半导体基底102可例如是p型基底，如p型硅基底，并可以自行提供p型井区108，还可以于预定形成源极/汲极区的区域掺杂或植入n型材料。在其他技术中，如沟渠形成技术，可以被用来提供任何井区108、源极区104与汲极区106，且井区108也可以利用掺杂/植入制程在非p型基底中提供p井。此外，也可以利用n型井搭配p型源极/汲极区，将非挥发性记忆胞100修饰成p型通道元件。
请参照图1，电子穿隧层110例如是介电层，并至少于非挥发性记忆胞100执行程式化操作时允许电子穿隧。举例来说，第一载子穿隧层110例如是氧化硅层，其厚度例如是介于30至90埃之间。除了氧化硅，第一载子穿隧层110的材料还可例如是氧化铝。在一些实施例中，厚度大于30埃的氧化硅层在非挥发性记忆胞100被程式化之后，可以预防电荷从电荷储存层112直接穿隧而流失(即有意储存于电荷储存层112中的电荷)。换句话说，第一载子穿隧层110亦与当非挥发性记忆胞100在电荷保留/非程式化阶段可阻碍电荷流失的绝缘层有相同的功能。
请继续参照图1，电荷储存层112例如是氮化硅层，其厚度例如是介于50至150埃之间。除了氮化硅层(Si3N4)，电荷储存层112的材料还可例如是氮氧化硅(SiOxNx)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)或其他适合材料。换句话说，任何可以提供类似电荷捕捉特性的材料都可以作为电荷储存层112或部分电荷储存层112。在此实施例中，电荷储存层112提供非挥发性记忆胞100的可程式化记忆储存部分。因此，电荷储存层112例如是在程式化操作后有效地捕捉或储存电荷的材料层，而程式化操作需对导体控制闸极116或源极区104与汲极区106其中之一施加一程式化电压，以将电荷引导或传导入电荷储存层112。
请参照图1，第二载子穿隧层114例如是包括一层或多层介电层，以至少在抹除操作时提供电洞穿隧，而于抹除操作例如是包括电洞由导体控制闸极116穿隧至电荷储存层112。在图1的实施例中，第二载子穿隧层114包括单层氧化硅层，其厚度例如是介于15至25埃之间。在另一实施例中，如图2所示，第二载子穿隧层114包括堆叠于氧化硅层114a上的氮化硅层114b。在又一实施例中，如图3所示，第二载子穿隧层114包括氧化硅层114c、氮化硅层114b与氧化硅层114a的堆叠结构。上述实施例与其他电洞穿隧层的实施例，例如带隙操纵(band-gap-engineered)穿隧介电层，例如是能对来自导体控制闸极116的电洞注入作有效的穿隧障碍，并避免或减少产生穿隧漏损(tunneling leakage)，即于预定电荷保留期间，如读取操作、程式化操作或上述两者皆是，产生电子流失。在一些实施例中，第二载子穿隧层114中的每一介电层的厚度例如是介于10至30埃之间。在图3的实施例中，三层结构中的氧化硅层114c的厚度例如是介于15至25埃之间，氮化硅层114b的厚度例如是介于30至60埃之间，而氧化硅层114a的厚度例如是介于15至25埃之间。
在一些实施例中，第二载子穿隧层114至少包括氮化硅层或其他绝缘或介电材料层，且其具有低电洞障碍高度，例如是低于3电子伏特(eV)的一材料。在一实施例中，氮化硅具有相对较低的电洞障碍，约1.9电子伏特，因此其在相对较高的电场下，如对导体控制闸极116施加一大于0的电压时，氮化硅层可成为让电洞穿隧的穿透层”transparent”。第二载子穿隧层114的设计使其于抹除操作期间，对来自导体控制闸极116的电洞穿隧有穿隧介电质的功能。于记忆体程式化与电荷保留操作期间，可忽略薄的电洞穿隧层114层中的电荷捕捉。
导体控制闸极116例如是由未掺杂的多晶硅、掺杂多晶硅或金属层形成。举例来说，导体控制闸极116例如是轻度或重度n型掺杂多晶硅、轻度或重度p型掺杂多晶硅、铂、氮化钽或其他适合材料。在一些实施例中，p型掺杂多晶硅可以促进电洞的穿隧，并提供好的抹除特性。如上述实施例的说明，记忆元件例如是可以不具有第二载子穿隧层114，但具有p型掺杂多晶硅作为导体控制闸极116。
以下以非挥发性记忆胞100的示意图，如图2，说明非挥发性记忆胞100的一操作实施例。非挥发性记忆胞100的操作包括将讯息程式化入记忆胞、读取已储存于记忆胞的讯息以及在读取或程式化新讯息之前抹除储存于记忆胞的讯息。这些操作可以由对非挥发性记忆胞100中的不同端点施加适当的电压达成。图4为说明符号的命名的一实施例。请参照图4，闸极电压Vg施加于导体控制闸极116、源极电压Vs施加于源极104、汲极电压Vd施加于汲极106以及基底电压Vsub施加于半导体基底102。
图5与图6为程式化操作的一实施例。在图例中，非挥发性记忆胞100以电子注入法程式化，如通道热电子(channel hot electron，CHE)注入。另外，还有许多其他程式化方法可以使用。对n型通道元件而言，可以利用通道热电子注入、源极侧注入(source-side injection，SSI)、通道起始第二电子(channel initiated secondary electron，CHISEL)注入以及其他适合方法。对p型通道元件而言，可以利用带对带穿隧感应热电子(band-to-band tunneling hot electron，BBHE)注入、通道热电洞起始热电子注入、负富尔诺汗(negative Fowler-Nordheim，-FN)闸极注入电子以及其他适合方法。当具有至少一对源极/汲极区时，每一非挥发性记忆胞100可被2位元程式化，其中第一(左)位元位于电荷储存层112中靠近源极104处，而第二(右)位元位于电荷储存层112中靠近汲极106处。
请参照图5，利用通道热电子注入的右位元或汲极侧位元的程式化操作，例如是需要对导体控制闸极116施加如+10伏特的闸极程式化电压Vg、0伏特的程式化源极电压Vs以及+5伏特的程式化汲极电压Vd。基底电压Vsub例如是0伏特。同样的，请参照图6，利用通道热电子注入的左位元或源极侧位元的程式化操作例如是需要对导体控制闸极116施加如+10伏特的闸极程式化电压Vg、+5伏特的程式化源极电压V、以及0伏特的程式化汲极电压Vd。基底电压Vsub例如是0伏特。图5与图6只不过是说明一个可能的实施例，而为了在电荷储存层112中储存资讯，可利用不同电压的组合以分配电子在电荷储存层112中的位置。
非挥发性记忆胞100可被数种读取方法读取。举例来说，可对导体控制闸极116施加闸极读取电压，以及对源极104与汲极106其中之一施加源极/汲极读取电压而另一端则接地。基底电压Vsub例如是0伏特。在一实施例中，闸极读取电压与源极/汲极读取电压皆例如介于1至2伏特之间。
图7为抹除操作的一实施例。请参照图7，抹除操作需要对导体控制闸极116施加闸极抹除电压Vg，如+14伏特，以及对源极104与汲极106其中之一或两者施加源极/汲极抹除电压Vs/d，如0伏特。基底电压Vsub例如是0伏特。如此图示的电压差会诱导电荷进入电荷储存层112。在一实施例中，导体控制闸极116中的正直流电压会使电洞从导体控制闸极116穿隧至电荷储存层112。在一些实施例中，闸极抹除电压Vg例如是介于+10至+18之间。此外，可以对源极104与汲极106其中之一或两者皆施加源极/汲极抹除电压Vs/d，例如是小于或等于0伏特。在一实施例中，使用来自闸极的电洞穿隧抹除可避免需要利用带对带热电洞抹除(BTBHHE)，因此减少或消除热电洞传导损害。
图8A为第二载子穿隧层114，例如图中标示为氮化硅-氧化硅层的能带图。当电场低时，如一些实施例中的电荷保留状态(Vg≈0)或读取状态(Vg≈+1-+2伏特)期间，电洞穿隧层114不会发生能带偏差(bandoffset)。因此，可以抑制穿越电洞穿隧层114的穿隧，其可避免电荷从电荷储存层112流失，如图8A中标示为氮化硅层的区域。图8B为电洞穿隧层114，例如图中标示氮化硅-氧化硅层，的能带图。当施加于导体控制闸极116的闸极电压Vg不为0伏特时，如14伏特，电场相对来说是高的。在高电场下，第二载子穿隧层114将会产生能带偏差，因此会产生电洞从导体控制闸极116穿隧至电荷储存层112，如图8B中标示为氮化硅层的捕捉区。
本发明更包括于半导体基底上形成非挥发性记忆胞的方法。以图1至图3的记忆胞为一实施例，此方法包括于部分半导体基底102中形成源极区104、于部分半导体基底102中形成汲极区106，且汲极区106与源极区104之间具有一间隔，以及于部分半导体基底102中形成井区108，井区108至少围绕部分源极区104与汲极区106。在一些实施例中，源极、汲极与井区皆为掺杂区，且可以掺杂、植入或扩散技术或上述技术的组合方式形成。
该方法还包括于半导体基底102上形成第一载子穿隧层110、于第一载子穿隧层110上形成第二载子储存层112、于电荷储存层112上形成第二载子穿隧层114以及于第二载子穿隧层114上形成导体控制闸极116。上述膜层例如是利用沉积技术形成。此外，如氮化硅或氧化硅等材料的形成例如是利用沉积法或结合硅沉积法与氮化或氧化法。另外，上述每一膜层的形状、面积与位置例如是利用一次或一次以上的微影制程所定义，并利用罩幕来定义主动区，以及利用蚀刻制程移除不需要的区域。
在此实施例中，电子穿隧层110在程式化操作期间提供电子穿隧，且其例如是直接位于部分源极区104与汲极区106之间的区域之上。第二载子穿隧层114包括至少一介电层，并于抹除操作期间提供电洞穿隧。如上所述，第二载子穿隧层114例如是至少在读取操作与程式化操作其中之一期间作为电子障碍层。在此实施例中形成的膜层，其结构配置、位置与材料皆例如与其对应于图1至图3的实施例中所述的相同，且在一些实施例中也例如是使用相仿的厚度。此外，以上述方法所形成的元件也可被先前所描述的程式化、读取与抹除操作的方法所操作。
在一些实施例中，一个非挥发性记忆胞可以被应用于各种形式的记忆体中，包括NOR与NAND记忆体。非挥发性记忆胞110也可被运用于虚拟接地阵列(virtual ground array)结构。此外，电洞穿隧层114可包括氧化硅、氮化硅或其他材料的额外膜层。
虽然本发明的具有电洞穿隧层的非挥发性记忆半导体元件及其制造方法已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。
Claims (25)
1、一种非挥发性记忆胞，其特征在于其包括：
一半导体基底；
一源极区，形成于部分该半导体基底中；
一汲极区，形成于部分该半导体基底中，且与该源极区相邻；
一井区，形成于部分该半导体基底中，且与该源极区与该汲极区相邻；
一第一载子穿隧层，形成于该半导体基底上；
一电荷储存层，形成于该第一载子穿隧层上；
一第二载子穿隧层，形成于该电荷储存层上；以及
一导体控制闸极，形成于该第二载子穿隧层上。
2、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第二载子穿隧层包括一电洞穿隧层，该电洞穿隧层至少在一抹除操作期间提供电洞穿隧。
3、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第二载子穿隧层至少在该非挥发性记忆胞的一读取操作与一程式化操作其中之一期间具有电子阻碍效应(electron blocking effects)。
4、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第二载子穿隧层包括厚度介于15埃至25埃之间的一氧化硅层。
5、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第二载子穿隧层包括堆叠于一氧化硅层上的一氮化硅层。
6、根据权利要求5所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该氮化硅层的厚度介于30埃至60埃之间，以及该氧化硅层的厚度介于15埃至25埃之间。
7、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第二载子穿隧层包括一第一氧化硅层、一氮化硅层与一第二氧化硅层，其中该第二氧化硅层位于该氮化硅层上，该氮化硅层位于该第一氧化硅层上。
8、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该电荷储存层的材料至少包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝与氧化铪其中之一。
9、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该导体控制闸极的材料至少包括p型掺杂多晶硅、n型掺杂多晶硅与金属其中之一。
10、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该非挥发性记忆胞以来自该半导体基底的热电子注入(hot electron injection)程式化，以及以来自该导体控制闸极的电洞注入(hole injection)抹除，而且对该导体控制闸极施加一正电压时该非挥发性记忆胞会被抹除，以提供电洞由该导体控制闸极穿隧至该电荷储存层。
11、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第一载子穿隧层包括至少在一程式化操作期间提供电子穿隧的一电子穿隧层。
12、根据权利要求1所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该电荷储存层至少储存二分离可读位元，该二分离可读位元包括靠近该源极区的一第一位元与靠近该汲极区的一第二位元。
13、一种非挥发性记忆胞，其特征在于其包括：
一半导体基底；
一源极区，形成于部分该半导体基底中；
一汲极区，形成于部分该半导体基底中，且与该源极区相邻；
一井区，形成于部分该半导体基底中，且与该源极区及该汲极区相邻；
一电子穿隧层，形成于该半导体基底上；
一电荷储存层，形成于该电子穿隧层上；以及
一p型掺杂多晶硅层，形成于该电荷储存层上。
14、一种非挥发性记忆胞的形成方法，其特征在于其适用于一半导体基底上，该方法包括以下步骤：
于部分该半导体基底中形成一源极区；
于部分该半导体基底中形成一汲极区，且该汲极区与该源极区之间具有一间隔；
于部分该半导体基底中形成一井区，该井区至少围绕部分该源极区与该汲极区邻；
于该半导体基底上形成一第一载子穿隧层；
于该第一载子穿隧层上形成一电荷储存层；
于该电荷储存层上形成一第二载子穿隧层；以及
于该第二载子穿隧层上形成一导体控制闸极。
15、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞的形成方法，其特征在于其中该第二载子穿隧层包括至少于一抹除操作期间提供电洞穿隧的一电洞穿隧层。
16、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞的形成方法，其特征在于其中该第二载子穿隧层至少在该非挥发性记忆胞的一读取操作与一程式化操作其中之一期间具有电子阻碍效应。
17、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞的形成方法，其特征在于其中该第二载子穿隧层包括厚度介于15埃至25埃之间的一氧化硅层。
18、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞的形成方法，其特征在于其中该第二载子穿隧层的形成方法包括：
于该电荷储存层上形成一氧化硅层；以及
于该氧化硅层上形成一氮化硅层。
19、根据权利要求18所述的非挥发性记忆胞的形成方法，其特征在于其中该氮化硅层的厚度介于30埃至60埃之间，该氧化硅层的厚度介于15埃至25埃之间。
20、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞的形成方法，其特征在于其中该第二载子穿隧层的形成方法包括：
于该电荷储存层上形成一第一氧化硅层；
于该第一氧化硅层上形成一氮化硅层；以及
于该氮化硅层上形成一第二氧化硅层。
21、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该电荷储存层的材料至少包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝与氧化铪其中之一。
22、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该导体控制闸极的材料至少包括p型掺杂多晶硅、n型掺杂多晶硅与金属其中之一。
23、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该非挥发性记忆胞以来自该半导体基底的热电子注入程式化，以及以来自该导体控制闸极的电洞注入抹除，而且对该导体控制闸极施加一正电压时该非挥发性记忆胞会被抹除，以提供电洞由该导体控制闸极穿隧至该电荷储存层。
24、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该电荷储存层至少储存二分离可读位元，该二分离可读位元包括靠近该源极区的一第一位元与靠近该汲极区的一第二位元。
25、根据权利要求14所述的非挥发性记忆胞，其特征在于其中该第一载子穿隧层包括至少在一程式化操作期间提供电子穿隧的一电子穿隧层。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/197,668 | 2005-08-04 | ||
| US11/197,668 US7576386B2 (en) | 2005-08-04 | 2005-08-04 | Non-volatile memory semiconductor device having an oxide-nitride-oxide (ONO) top dielectric layer |
| US11/300,813 | 2005-12-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1909250A true CN1909250A (zh) | 2007-02-07 |
| CN100463227C CN100463227C (zh) | 2009-02-18 |
Family
ID=37700286
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006100872956A Active CN100463227C (zh) | 2005-08-04 | 2006-06-14 | 具有氮化硅-氧化硅介电层的非易失性存储装置 |
| CN200810186701.3A Active CN101452964B (zh) | 2005-08-04 | 2006-06-16 | 有着一ono上介电层的非易失性存储器半导体元件 |
| CNB2006100937467A Active CN100481517C (zh) | 2005-08-04 | 2006-06-16 | 有着一ono上介电层的非易失性存储器半导体元件 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810186701.3A Active CN101452964B (zh) | 2005-08-04 | 2006-06-16 | 有着一ono上介电层的非易失性存储器半导体元件 |
| CNB2006100937467A Active CN100481517C (zh) | 2005-08-04 | 2006-06-16 | 有着一ono上介电层的非易失性存储器半导体元件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7576386B2 (zh) |
| CN (3) | CN100463227C (zh) |
| TW (1) | TWI282142B (zh) |
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| TW200707763A (en) | 2007-02-16 |
| US20090280611A1 (en) | 2009-11-12 |
| US20070029625A1 (en) | 2007-02-08 |
| CN1909251A (zh) | 2007-02-07 |
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| US7576386B2 (en) | 2009-08-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |