CN1942304A - 用于设备处理系统的高温高强度可着色材料 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于处理电子元件的防静电放电危害设备，例如矩阵托盘、芯片托盘、以及基片载体，其由高温高强度聚合物与至少一种金属氧化物以及任选的至少一种颜料的混合物制成。使用金属氧化物作为导电性材料有利于制造出浅色的防静电放电材料。这类材料可以用颜料染色而不损害材料的性能规格。

Description

用于设备处理系统的高温高强度可着色材料
相关申请的交叉引用
本申请要求2002年10月9日提交的序列号为60/417150的美国临时专利申请的优先权，因而在此引入其作为参考。本申请与2003年9月3日提交的序列号为10/654584，名为“用在电子处理应用中的高温、高强度可着色材料”的美国申请相关。
技术领域
本申请包括用于计算机和电子元件处理过程中的有色制品的公开说明，这些制品例如，基片载体、半导体托盘、矩阵托盘、以及磁盘处理盒之类。
背景技术
利用小元件制造电子设备的装配线通常很复杂。因此需要载体设备例如读/写头托盘，磁盘处理载体，芯片托盘，以及矩阵托盘来容纳这些小元件作为装配过程的一部分。该载体设备在装备过程中很有用，在储存和运输这些小元件过程中也一样。许多载体必须防止任何静电放电(ESD)对元件的损害。载体是通过将容纳元件的表面制成导电性表面而制成防ESD危害的。导电性表面使静电耗散掉以便静电荷不会堆积在元件表面上。
元件通常都很小而且颜色深，因此如果载体是深色的话就难以看清。深颜色造成难以判断元件在载体上的存在并将他们从载体中移出，尤其当机器视觉处于使用中时。
常规的载体装置是由聚合物与不锈钢材料或者诸如炭黑或碳纤维的碳化合物混合得到的材料制成的。不锈钢或者碳有时被称为填料，因为它通过将聚合物制成导电的防ESD材料而填补了聚合物的电性能。不锈钢材料具有导电性，高温下表现优良，并且会生成深灰色。而且，不锈钢难以与聚合物混合得到均匀分布的不锈钢。没有均匀分布的话，材料更容易具有小绝缘点危及材料的防ESD性能。此外，不锈钢具有的磁性性质有可能会损害一些种类的元件。而且不锈钢制材料需要高浓度的颜料使他们颜色变浅或染以不同的颜色，这样该材料的其它性质也许会受到损害。碳填料的使用会使载体颜色很深或呈黑色，因为有效量的碳将该塑料混合物浸染成深色。
发明简述
解决这些问题可通过使用少量使用或者不用不锈钢和/或碳填料的载体。可以使用金属氧化物填料作为这些填料的替代物。载体优选由高温高强度的聚合物与金属氧化物制得的材料制成。有利的是，该材料具有可着色性。
本发明的一个优选实施方案为一种载体，至少部分该载体包括用来容纳元件的防静电放电危害表面，该表面由至少一种高温高强度聚合物和至少一种金属氧化物的混合物制成。载体例子有读/写头托盘，磁盘处理盒，芯片托盘，以及矩阵托盘。材料的颜色明度可以在CIEL*a*b*坐标中测量并赋以L值(见以下讨论)，例如大于大约40。
另一个实施方案是一种用于容纳电子元件的制品，其具有接触并支持电子元件的结构，该结构具有至少一个防静电放电危害表面。该表面具有至少一种高温高强度聚合物和至少一种金属氧化物的混合物，并且L值大于大约40或大约55。该制品可以是，例如磁盘处理盒，矩阵托盘，芯片托盘，或者基片载体。
另一个实施方案是一套用于电子元件处理过程的着色载体套件，该套件包括：至少两小套着色载体，其中每个着色载体包括防静电放电危害的表面。每个小套的小套颜色与其它小套的颜色相区分开。其表面由高温高强度聚合物与金属氧化物以及任选的颜料制成。该载体可以为，例如磁盘处理盒，矩阵托盘，芯片托盘，或者基片载体。
另一个实施方案是一种用于处理电子元件的方法，该方法包括将电子元件放置在着色载体的防静电放电危害表面上，该表面包括至少一种高温高强度聚合物，至少一种金属氧化物，以及任选的至少一种颜料的混合物。该载体可以为，例如磁盘处理盒，矩阵托盘，芯片托盘，或者基片载体。
另一个实施方案是一种用于制造电子处理用的制品的方法，该方法包括模制具有防静电放电危害表面的载体，该表面包含高温高强度聚合物和导电性填料，L值至少为大约40或大约55，电阻率范围在103至1014欧姆每平方，其中该表面比小于大约0.03英寸每英寸的平均值更平。该载体可以为，例如磁盘处理盒，矩阵托盘，芯片托盘，或者基片载体。
另一个实施方案是一种用于容纳电子元件的载体，该制品包括：用于接触并支持电子元件例如基片的结构，该结构包含至少一个防静电放电危害表面，其包含至少一种高温高强度的聚合物和至少一种金属氧化物的混合物，其中该表面的L值大于大约40或大约55，并且其中该载体不含有非金属氧化物颜料。该载体可以为，例如磁盘处理盒，矩阵托盘，芯片托盘，或者基片载体。
附图简述
图1描绘了对于特定实施方案的1976年版CIE L*a*b*空间和L值的坐标系统；
图2描绘了用于容纳电气元件的多格子托盘；
图3描绘了从图2的3-3线观察到的图2中的横截面；以及
图4描绘了堆叠结构的多个图2的托盘。
图5标绘了磁盘处理盒的顶视图；
图6描绘了图5的磁盘处理盒的侧视图；
图7描绘了芯片托盘的透视图；
图8描绘了图7的芯片托盘的顶视图；
图9描绘了沿图8的芯片托盘A-A线的截面图；
图10描绘了图8的芯片托盘的侧视图；
图11描绘了芯片托盘的透视图。
优选实施方案详述
本发明的优选实施方案为一种浅色的防ESD危害载体，其由高温高强度聚合物制成，并含有金属氧化物填料。在一些实施方案中，该金属氧化物填料包括陶瓷。
材料颜色的明度可以用国际照明委员会(CommissionInternationale d’Eclairage)的L*a*b*颜色体系(CIELab，见K.McLaren的The Development of the CIE 1976(L*a*b*)Uniform Colour-Spaceand Colour-Difference Formula， J.Society of Dyers and Colourists， 92：338-341(1976)和G.A.Agoston，Color Theory and Its Applicationin Art and Design， Hedelberg，1979)来客观地定量。如图1所示，1976年版的CIE L*a*b*体系赋予了每种颜色在三坐标轴上的位置。L为明度衡量值，取值范围从0(黑)至100(白)。在此“L”用于1976年版的CIE L*a*b*体系：在其它地方可用L*代表与此处的“L”同样的值。a*轴表示红或绿色彩的量，b*轴表示黄或蓝色彩的量。因而“a*”和“b*”取值都为0表示为一种均衡的灰色。由于CIELab体系不依赖于设备，所以其对于计算机成像应用来说是一种通用的选择。使用标准化的测试来测量CIELab值对本领域技术人员来说是常用的，例如利用反射计。例如，由MN州Minneapolis的Photovolt Instruments，Inc.生产的(Photovolt 577型)和NJ州Ramsey的Minolta公司生产的(Minolta CM 2002型)反射计。这样L成为一个客观的可定量的并且可以再现的任意颜色的明度横量值。
参见图1，此处给出了具有的L值范围在基本为0至大约100的材料的特定实施方案。例如通过混合聚合物与炭黑以得到接近于0的L值可获得一种非常深，以至接近于黑色的颜色。而可以加入白色颜料，例如钛氧化物，来获得一种接近于100的近乎白色。具有浅颜色适于用作电子元件处理过程支持物的防静电放电危害材料的一个实例为，将聚醚醚酮与大约为54重量％的掺杂锑的氧化锡导电性材料混合，其L值为64.9，见图1中的“65”处，是采用输出程序为CIELab体系的反射分光光度计测得的。下表A表示了用同样技术测得的多种组合物的L值。出于一致性而测量含有聚醚醚酮的样品。也可以使用诸如此处所描述的其它聚合物。
表A：含常规填料或非常规填料的组合物的L值
  聚合物   不锈钢％w/w   炭黑％w/w   陶瓷％w/w   L值
  聚醚醚酮   0   0   掺杂锑的氧化锡，54％   65
  聚醚醚酮   0   18   0   32
  聚醚醚酮   25   0   0   37
  聚醚醚酮   30   0   0   38
与相关技术领域的常规处理方法相比，在此给出的特定实施方案提供了具有较高的L值的材料，同时保持了适当的机械和防静电放电危害的导电特性。而且，特定实施方案保留了可塑性的特征，例如平整性。这些特定实施方案的一个方面在于使用了金属氧化物或陶瓷来达到防静电放电危害和着色特性。这些特定实施方案的另一个方面在于使用了高温高强度的聚合物。这些特定实施方案的另一个方面在于使用了各向同性的流动颗粒。所有L值预计在大约0至大约100的连续范围内。特定实施方案获得的色彩的L值为至少大约33，至少大约40，至少大约55，至少大约66，或者至少大约80。一些实施方案的色彩值落在从大约38到大约100，大约40到大约99，以及大约40到大约70的L值范围之内。例如，L值大于大约55的材料意味着该材料在CIELab刻度中比L值小于大约55的材料更接近于白色。如这里所述，在预期的应用中，可调节导电性、聚合性、以及导电材料的浓度直到达到所希望的机械性、颜色或导电性特性的组合。本领域普通技术人员在阅读了这份公开说明之后可容易地实现这种调节。
高温高强度聚合物优选是一种具有高度耐热和耐化学腐蚀性的物质。该聚合物优选耐化学溶剂N-甲基吡咯烷酮、丙酮、己酮、以及其它腐蚀性极性溶剂。高温高强度聚合物的玻璃化转变温度和/或熔点高于大约150℃。而且，该高强度高温聚合物优选具有至少2Gpa的刚度。
高温高强度聚合物的实例有聚苯醚、离聚物树脂、尼龙6树脂、尼龙6，6树脂、芳香聚酰胺树脂、聚碳酸酯、聚缩醛、聚苯硫醚(PPS)、三甲基戊烯树脂(TMPR)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮(PEK)、聚砜(PSF)、四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚物(PFA)、聚醚砜(PES，也被称为聚芳砜(PASF))、高温无定型树脂(HTA)、聚醚酰亚胺(PEI)、液晶聚合物(LCP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、乙烯/四氟乙烯共聚物(ETFE)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯/六氟丙烯/全氟烷氧基乙烯三元共聚物(EPE)，等等。也可以使用包括这里所描述的聚合物的混合物、共混物以及共聚物。特别优选的是PEK、PEEK、PES、PEI、PSF、PASF、PFA、FEP、HTA、LCP等等。高温高强度聚合物的例子还在例如，美国专利5240753，4757126，4816556，5767198中和专利申请EP1178082以及PCT/US99/24295(WO00/34381)中给出了，因而在此引入作为参考。
金属氧化物填料是一种包含金属氧化物的导电性材料，可以加入高温高强度聚合物中制成浅色的并具有足够机械性质的防ESD危害材料用作载体。金属氧化物优选与陶瓷混合或者涂覆于陶瓷上，例如掺杂金属氧化物的陶瓷。这种填料通常具有较浅的颜色，使它们能用于制造浅色材料。由于它们具有较浅的颜色，就可以加入其它的颜料以赋予该材料特定的颜色。另外，陶瓷耐用，而金属氧化物/陶瓷组合材料通常具有不依赖于湿度的导电特性。陶瓷是一种由金属与非金属元素组合的化合物构成的材料。陶瓷包括金属氧化物。
适合的金属氧化物的例子如硼酸铝、氧化锌、碱性硫酸镁、氧化镁、钛酸钾、硼酸镁、二硼化钛、氧化锡、以及硫酸钙。这些列出的氧化物只作为举例而非意在限制本发明的范围。美国专利6413489，6329058，5525556，5599511，5447708，6413489，5338334和5240753中给出了填料的其它例子，将其在此引入作为参考。一般来说，金属氧化物可以根据需要用另一种金属掺杂或者涂覆以赋予或者提高导电性。
一种优选的填料是氧化锡，特别是掺锑的氧化锡，例如，由MillikenChemical公司提供的商品名为Zelec的产品家族。这些产品是小的、大致球状和浅蓝灰到浅绿灰色的。这些颜色使得可制造出各式各样的浅色材料，包括白色。另外，掺锑的氧化锡材料可用于制造透明膜，并且具有大多数陶瓷的优点，例如，不腐蚀，耐酸、碱、氧化剂、高温和许多溶剂。
另一类优选的填料为晶须，尤其是钛酸盐晶须，更优选是钛酸钾和硼酸铝晶须，其在例如美国专利5942205和5240753中有所描述，将其在此引入作为参考。术语晶须指横截面积最高达8×10-5平方英寸、长度大约至少是平均直径的10倍的单根晶体纤维。晶须通常没有缺陷因而比具有类似组成的多晶体更加坚韧。因此特定的晶须填料能够提高复合材料的强度以及赋予其别的特性，例如提高的刚度、抗磨损性和静电消除性。一类优选的晶须是由日本Otsuma Chemical公司提供的商品名为DENTALL的产品，这些是涂覆了氧化锡薄层的陶瓷晶须。
填料的尺寸和形状没有限制，可以是例如，晶须、球体、颗粒、纤维或其它形状。填料的尺寸没有限制，但优选为小颗粒例如晶须或类似尺寸的球体，或者十分小的尺寸。可以采用制造非常小颗粒的技术，例如采用纳米技术。
适合的金属氧化物填料可以设置成各种结构。例如惰性核心颗粒可以以金属氧化物涂覆。该金属氧化物涂层因而通过该惰性颗粒得以增量，使得产品比较便宜。另一选择，可使用中空核心代替惰性颗粒。或者，颗粒的尺寸可以通过省去核心而做的更小一些。或者，可以用金属氧化物掺杂陶瓷。掺杂材料具有导电性，并且保留了陶瓷的机械和着色特性。
金属氧化物导体应当分散在材料中以便形成导体的三维交联网络。该网络用作静电荷导出的通路。金属氧化物导体的浓度与材料的ESD特性相关。非常低浓度的金属氧化物导体产生高表面电阻率。该电阻率随着金属氧化物导体浓度的增加而下降缓慢，直到当金属氧化物导体开始彼此接触而达到“突增界限”时，再进一步增加金属氧化物导体的浓度会使电阻率迅速下降。最终，达到这样一种陶瓷浓度，当进一步提高金属氧化物导体浓度时不再使电阻率有显著的降低，因为金属氧化物导体已经形成了最优数目的网络。典型的是，所添加材料具有的导电性小于所述金属氧化物导体时会导致表面电阻率的增加。因而，颜料的添加会影响表面电阻率，但通过调节颜料和导体填料的含量可以制造出具有预期电阻率的组合物。
对于载体处理设备来说，例如芯片托盘、矩阵托盘、或者磁盘处理盒，采用浅色材料具有许多优点。一个优点在于可容易看见该处理设备中的元件。机器视觉系统对颜色对比度很敏感，因此能够控制处理设备的颜色是一个重要的优点，其可以有助于机器视觉的使用。另一个优点在于该处理设备具有可着色性。这样就可以对颜色进行优化使元件更容易被看见。或者不同类型的处理装置可以用不同的颜色制作，使用户可以容易地识别出不同型号和应用的处理设备。或者不同类型或尺寸的元件可以存放于不用颜色的处理设备中使这些元件的装运和使用更高效。
通过加入对本领域技术人员来说是公知的颜料来实现着色过程。颜料的例子包括，二氧化钛、氧化铁、氧化铬绿、铁蓝、铬绿、硫硅酸铝、铝酸钴、锰酸钡、铬酸铅、硫化镉以及硒化物。如果希望成黑色的话，或者如果使所用炭黑的浓度不造成深色或黑色时，可以使用炭黑。通过使用颜料获得的颜色可横跨可见光的光谱，包括白色。
特定实施方案还加入了颜料从而不但获得了预期的L值，而且获得了特定的颜色，例如，红、绿、蓝、黄或其组合。颜料以适当的浓度加入以达到预期的颜色。实现该预期的着色过程可通过加入本领域技术人员已知的颜料，并将它们同在此所描述的导电材料和聚合物混合以达到预期的颜色、导电性以及机械性能。颜料的例子包括，二氧化钛、氧化铁、氧化铬绿、铁蓝、铬绿、硫硅酸铝、铝酸钴、锰酸钡、铬酸铅、硫化镉以及硒化物。如果希望成黑色的话，或者如果使所用炭黑的浓度不造成深色或黑色时，可以使用炭黑。通过使用颜料获得的颜色可横跨可见光的光谱，包括白色。
填料(们)存在的量优选足够使载体具有的表面电阻率范围在大约103到1014欧姆每平方，该范围使所述表面具有防ESD危害特性；表面电阻率范围更优选在104到小于大约107欧姆每平方。不过，最佳电阻率范围可取决于特定的应用。另外，合格的芯片托盘的表面电阻率范围通常至少在大约107至108每平方。不同的是，其它元件并不必要求同样的电阻率。例如，合格的读/写头托盘的表面电阻率范围通常在大约104至小于大约107欧姆平方。由于必需将导电性材料加入聚合物以制成防ESD危害材料，所以电阻率例如在108欧姆每平方的材料比电阻率例如在104欧姆每平方的材料中的填料要更少。因而读/写头托盘通常需要比芯片托盘更多的导电性填料。并且，该填料优选均匀地遍布在材料中，以避免存在损害其防ESD危害特性的小绝缘点。此外，填料存在的浓度优选能避免在材料中形成黑颜色，更优选能避免在材料中形成深的颜色。常规需要用来制造防ESD危害材料的炭黑浓度会造成材料呈黑色。
常规的微芯片托盘由炭黑制成。常规需要用来制造防ESD危害材料的炭黑浓度会造成材料呈深色，而且基本上呈黑色。因而通常微芯片托盘并不优选用作许多元件的载体，因为该微芯片托盘由于炭黑填料的存在而颜色非常深。此外，非常深的颜色对采用机器视觉的系统的性能优化来说是个难题，因为元件小而且通常呈深颜色，而微芯片托盘也是深色的缘故。
合格的芯片托盘的表面电阻率范围通常在至少大约107至108每平方。不同的是，合格的读/写头托盘的表面电阻率范围通常在大约104至小于大约107欧姆每平方。由于必需将导电性材料加入聚合物以制成防ESD危害的材料，所以电阻率例如在108欧姆每平方的材料比电阻率例如在104欧姆每平方的材料中的填料要更多。由于将填料提高到较高的水平存在不确定性，制造用于计算机芯片托盘的防ESD危害材料的方法并不能推定能转用于读/写头托盘。而且，用于与计算机芯片处理过程一起使用的材料，例如基片载体，必须具有非常低水平的可析出金属离子，但这对读/写头托盘材料来说并不是主要关注的问题。因而用于制造微芯片托盘的技术和方法并不适用于制造读/写头托盘。
出于这些原因，制作读/写头托盘的科学家已开发出与制作计算机芯片托盘的技术不同的技术。读/写头托盘通常由金属填料例如不锈钢制成，而不是炭黑填料。不锈钢具有导电性，高温下性能优良，并且在材料中不会造成深颜色。由于该材料的颜色不深，所以读/写头可以很容易地被看到。
发明者出乎意料地发现了一个令人惊讶的结果，高温高强度的聚合物可以与大于约40重量％的陶瓷混合从而获得一种防ESD危害材料，而不会丢失所希望的处理特性例如可塑性和流动性，也不会丢失所希望的机械特性例如抗压强度和抗拉强度以及适当的刚度。该结果令人惊讶是因为，尽管聚合物可以与适度量的非聚合物材料混合而在最终产物中不丢失聚合物所希望的特性，但添加大量，即大于约40重量％的非聚合物材料，预计会导致最终产物的性质不再与聚合物的性质类似。金属氧化物处理过的或掺杂了金属氧化物的陶瓷优选用于制造防ESD危害的材料。然而，通常需要大量的这种陶瓷，以在材料中达到所希望的导电性。陶瓷的优选浓度范围为大约40％到大约75％，更优选的浓度范围为大约45％到大约70％，还更优选的范围为大约50％到大约60％。
而且，令人惊讶的是，添加大于约40重量％的金属氧化物和/或陶瓷到一种高强度高温聚合物中可使得材料具有平整的表面，甚至更令人惊讶的是，会比用不锈钢获得的表面更平整。然而实际上，将金属氧化物与高强度高温聚合物一起使用会使读/写头托盘比用不锈钢制成的托盘更平整。术语光滑(smooth)有时候被用于指没有翘曲，但是为了更清楚说明，在此采用术语平整(flat)来表示没有翘曲。翘曲是在成型或其它处理步骤中有时候出于无意引入到表面的弯曲度。因此术语平整不要与粗糙度的度量混淆。平整是一种载体包括读/写头托盘所希望的特征。获得出乎意料的平整度的一个原因可能是用于平整表面的金属氧化物具有各向同性的流动形状。各向同性的流动形状是一种能避免流动流体产生的力造成其沿任何特定方向取向的形状，换句话说颗粒的流动特性在所有方向上都大致相同。因此球状的颗粒具有各向同性的流动形状，因为当该颗粒混合在流动流体中时该颗粒不会变得沿任何特定的方向取向。相反，杆状颗粒就不具有各向同性的流动形状，因为它有使其长轴与流动方向平行对齐的趋势。
使用各向同性的流动形状的另一个优点在于这种形状促进了在所有方向上的一致性收缩。模制制品通常会在模具中随着其从液态硬化到固态而收缩。各向异性的流动形状有产生不一致收缩的趋势，因为该各向异性的流动形状会优选趋于沿一个方向对齐并且在一个方向上具有不同的收缩特性。例如，由具有沿一个主要方向对齐的杆状填料的材料模制的制品，其收缩方向沿平行于对齐方向的轴和垂直于对齐方向的轴上有所差别。当制造必需精确设计来容纳尺寸上只有微小不同的制品时，一致性收缩很有益处。
而且，各向同性的流动形状促进了非磨损材料的制造。设置在材料表面的各向同性流动形状很光滑。与此相反，各向异性的流动形状可能会突出于表面并呈现磨损点。例如，存在于表面上的球体形状提供了圆的非磨损表面。但是突出于表面的杆状纤维可能会磨损与该表面接触的制品。因此，例如，放置在含有各向同性流动形状组分的材料上的读/写头托盘，相对于具有各向异性组分的材料来说，可以接触磨损性低的材料。
还可以降低加入了金属氧化物和/或金属氧化物陶瓷的材料的比重。比重的降低可以通过向该材料加入附加聚合物或者填料。一种填料可以是低比重的填料，例如中空玻璃球体(3M ScotchlightTM玻璃泡)。另一选择，形成低比重材料的轻质聚合物可以混入该材料中。这种聚合物优选选择使金属氧化物填料被隔离到连续的相中，这样不会损害最终材料的电学特性。适合的轻质聚合物的例子有苯乙烯和无定型聚烯烃，例如ZeonoxTM、ZeonexTM和TopazTM。
这里就读/写头托盘描述了许多实施方案，因为其是一种优选的实施方案。然而，应当明白这些说明也可以更普遍地应用在所有类型的用于电子处理过程的托盘上。托盘用于，例如，微芯片、计算机元件以及音频元件处理过程，也可参见美国专利6079565以及2002年9月11日提交的序列号为10/241815的美国专利，将其在此引入作为参考。电子处理过程包括那些涉及组装用于电子工业的元件的生产过程。托盘对于这些过程来说十分有用，因为元件必须以方便而且能保护该元件不受污染和静电放电损害的方式转移和/或存放。托盘包括防静电放电危害表面，其容纳和接触着电子元件从而支持着它。托盘具有多个格子，例如如图2和3所示。元件被该托盘格子装盛着，托盘格子可以是，例如，凹口、被隔壁环绕的空间、柱托、或者凸起、凹槽、或其它的能限制处于该托盘上元件的移动性的结构，这样该托盘能够被顺利转移而不用从该托盘中移出所述元件。例如，格子可以是由凹槽限定的空间。托盘优选为可重叠的(图4)并且所述重叠物优选也为可重叠的，例如在集运架上，以便有助于处理过程。
微电子工业中托盘用于存放、运输、制造以及通常用于容纳小元件，例如，半导体芯片、铁氧体磁头、磁共振读出磁头、薄膜磁头、裸模具、冲击模具、基板、光学装置、激光二极管、预制坯、以及各式各样的机械制品例如弹簧和透镜。
为了有助于大规模处理芯片，开发出专门载体称为矩阵托盘。这些托盘设计成在排列成矩阵或者格栅的单个处理小室或小穴中容纳多个芯片。矩阵或者格栅的大小范围可以从两个至几百个，取决于所要处理的芯片的尺寸。矩阵托盘的例子在例如，美国专利5794783，6079565，6105749，6349832，以及6474477中有所提供。
另一种类型的托盘被称为芯片托盘，其用于容纳集成半导体芯片或者有关零件，例如裸模具或者被切割成单个元件并且没有封装起来的加工基片。芯片托盘的例子在例如，美国专利5375710，5551572，以及5791486中有所提供。
磁盘处理盒用于处理磁盘，例如，高硬度储存磁盘。磁盘处理盒的例子在例如，美国专利5348151和5921397中有所提及。
基片载体用于处理半导体工业中的硅片，所用的材料和设计能在基片储存或处理过程中保护它们。基片载体的例子在例如，美国专利(或公开)20030146218，20030132232，20030132136，6248177，5788082，5788082，以5749469中有所描述。
表面可以包括一种材料，通过将该材料模制形成为该表面。因而如果模制成表面的材料是已知的，则表面上的材料就是已知的。因而可以假设表面和材料的主体成份类似，尽管可估计到表面的最上面部分可具有与该主体材料不同的组成。另外，可以确定表面具有的平均平整度以英寸每英寸来衡量。可使用常规的平整度测量或L值比色测量法，其提供了该表面的重要部分的平均值。因而这些测量可以区别于那些为非常小部分的表面提供平均值的测量法，例如，原子力显微镜法。
参见图2-4，描绘了具有多个格子180的托盘100。该格子180具有底表面120，构成侧面102，在底表面120上包含有目标物。托盘100的顶表面132为连续的，并且在格子180之间限定了隔断物。顶表面132的外边缘116与上托盘侧面122相连续并且彼此垂直。托盘侧面122与唇缘112垂直。唇缘112与下托盘侧面114垂直。参见图4，托盘100可以以重叠的结构101的形式放置而不用使底部托盘表面126接在例如208所标出的电气元件上。唇缘112用作为底部托盘表面126的挡块。
参见图5和6，描绘了磁盘处理盒的实施方案。用于处理高硬度存储磁盘的磁盘处理盒300包括多个开放式支持的相向磁盘间隔302，用于通过该盒的间隔来支持多个磁盘对齐放置。间隔302由两对水平支持物支持，该支持物的末端固定在304上。每个间隔302，从上部和下部横截面看去，其几何结构用于形成最大化的通道并易于处理过程中流体的进入。
参见图7-11，芯片托盘400在基座404内具有多个格子402。基座404具有狭槽406。芯片托盘400’具有表面408，其中存在多个格子410。格子404，410用于容纳处理过程中的或者用于存放的芯片。该托盘可以重叠放置并形成与自动处理装置协同工作的结构。
实施例1
用如表1所示的金属氧化物陶瓷与PEEK的混和物模制成标准读/写头托盘。该模制过程与加载了不锈钢的PEEK处理过程基本上相同，尽管该模制的温度要稍微下调一些。这些试验的结果表明ZelecECP 1410T是一种制造浅色读/写头托盘的优选金属氧化物陶瓷。而且，该高温高强度聚合物可以加载大于百分之40的填料而不会损害读/写头托盘所需要的机械特性。另外，令人惊讶的是发现用于容纳读/写头的表面很平整，其平整度已超过了用不锈钢填料所达到的平整度。这些试验表明适当的材料可用于制造矩阵托盘、芯片托盘、基片载体、以及磁盘处理盒。
表1：金属氧化物颗粒与高温高强度聚合物的混和物。
  金属氧化物填料   加载量(wt％)   颜色   表面电阻率(欧姆/平方)
  ZelecECP 1410T   40   浅灰   1013
  ZelecECP 1410T   60   浅灰   105
  ZelecECP 1410M   40   深灰   105
  ZelecECP 1410M   60   无效   --
  ZelecECP 1410XC   40   无效   --
  ZelecECP 1410XC   60   无效   --
实施例2
用如表2所示的金属氧化物陶瓷与PEEK的混和物进行模制制备标准读/写头托盘。该模制过程与加载了不锈钢的PEEK处理过程基本上相同，尽管该模制的温度要稍微下调一些。这些试验的结果表明金属氧化物陶瓷可用于制造浅色防ESD危害的读/写头托盘。而且，该高温高强度聚合物可以加载大于百分之40的填料而不会损害读/写头托盘所需要的机械特性。这些试验表明适当的材料可用于制造矩阵托盘、芯片托盘、基片载体、以及磁盘处理盒。
表2：金属氧化物颗粒与高温高强度聚合物混和物的ESD特性
  加载量(百分比％)   表面电阻率(欧姆/平方)   静电消散(秒)
  404752546060   10131013107105105105   1001200.030.030.030.03
实施例3
比较PEEK与金属氧化物陶瓷混和的各种组合物的特性，如表3所示，用碳纤维组合物(18％wt.)和PEEK的纯混和物作为对照物。用ZelecECP 1410T(52％)作为金属氧化物陶瓷。该模制过程与加载了不锈钢的PEEK处理过程基本上相同，尽管对大部分组合物来说该模制的温度要稍微下调一些。标准头托盘的收缩范围为0.008至0.013in/in，大小可以接受。另外，该标准托盘相当平整。第一个标准头托盘模型具有的用于容纳读/写头的表面的平均平整度为0.004+/-0.001in/in，最大值为0.007in/in。第二个标准头托盘模型具有的用于容纳读/写头的表面的平均平整度为0.013+/-0.010in/in，最大值为0.017in/in。
这些试验结果表明金属氧化物可以用于制造浅色防ESD危害的读/写头托盘，其具有大于40重量％的金属氧化物填料，而不会损害所述头托盘所需要的机械特性。另外，这些试验表明通过使用与金属氧化物，例如金属氧化物陶瓷结合的高温高强度聚合物可以获得出乎意料的平整表面，这些试验表明适当的材料可用于制造矩阵托盘、芯片托盘、基片载体、以及磁盘处理盒。
表3：金属氧化物与PEEK的各种复合物的特性。
  纯   碳纤维(18％)   金属氧化物陶瓷(52％)
  比重   1.3   1.4   2.1
  熔化温度(℃)   349   344   344
  模量(Modulus)(GPa)   3.9   11   6.5
  断裂应力(MPa)   80   110   90
  断裂形变(％)   50   1.8   1.8
实施例4
比较PEEK与金属氧化物陶瓷混和的各种组合物的树脂纯度特性，如表4所示，用碳纤维组合物(18％wt.)和PEEK的纯混和物作为对照物。用ZelecECP 1410T(52wt％)作为金属氧化物陶瓷。气体释放量的测量是通过保持样品30分钟和一个10Tenax管在100℃下并用自动热解吸单位气体色谱/质谱来分析所释放的气体。分析金属是通过将该材料板放置在85℃的稀硝酸中一小时，并用与ICP/MS感应耦联的等离子/质谱法分析所析出的金属。阴离子的分析是通过将该材料暴露于85℃下的淡水中一个小时，接着用离子色谱法分析该水样。表5表示了所回收的金属。表6表示了所回收的阴离子。
这些试验的结果表明金属氧化物陶瓷相对于用碳纤维制成的比较材料具有明显更多的析出金属。然而，所析出的金属量足够用于读/写头托盘中。这些试验表明适当的材料可用于制造矩阵托盘、芯片托盘、基片载体、以及磁盘处理盒。
表4：含有金属氧化物的各种高温高强度复合物的树脂纯度。
  纯PEEK   碳纤维(18％)   金属氧化物陶瓷(52％)
  气体释放量(μg/克)   0.60   0.62   0.50
  金属(ng/g)   6658   1057   2278
  阴离子(ng/g)   464   1104   419
表5：表4中的组合物的金属水平
 所含金属
  纯  Al、Ca、Co、Fe、K、Na、Ni、Pb、Sn、Ti
  碳纤维(18％)  B、Ca、Co、Fe、K、Mg、Na、Ni、Zn
  金属氧化物陶瓷(52％)  Al、B、Ba、Ca、Co、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Sb、Sn、Ti、Zn
图6：表4中的各种PEEK复合物的阴离子
  阴离子(ng/g)   纯   碳纤维(18％)   金属氧化物(52％)
  氟化物   410   34   56
  氯化物   BDL   400   280
  硝酸盐   BDL   130   14
  硫酸盐   10   达70   60
  磷酸盐   44   BDL   900
BDL表示低于检测极限
*        *        *
这里所描述的实施方案只提供作本发明的实例，而并不意在限制本发明的范围和实质。本申请中所列出的所有专利和公开物，包括申请，在此引入作为参考。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.一种用于容纳电子元件的制品，该制品包括：
包括至少一个防静电放电危害表面用于接触并支持电子元件的结构，其中所述表面包括至少一种高温高强度聚合物和至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物的混合物，该金属氧化物存在的浓度提供了103至1014欧姆每平方的防静电放电危害电阻率，其中所述表面具有的L值大于大约40，并且其中该制品选自磁盘处理盒、矩阵托盘、基片托盘以及芯片托盘。
2.如权利要求1所述的制品，其中所述表面包括格子的底部。
3.如权利要求1所述的制品，其中所述表面具有的L值大于大约55。
4.如权利要求1所述的制品，其中所述表面具有的L值大于大约65。
5.如权利要求1所述的制品，其中所述聚合物的刚度至少大约1Gpa，并且玻璃化转变温度或者熔点高于大约150℃。
6.如权利要求1所述的制品，其中所述金属氧化物存在的浓度为大约40重量％至大约75重量％。
7.如权利要求1所述的制品，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物选自硼酸铝、氧化锌、碱性硫酸镁、氧化镁、石墨、钛酸钾、硼酸镁、二硼化钛、氧化锡、硫酸钙、以及掺锑的氧化锡。
8.如权利要求1所述的制品，其中所述高温高强度聚合物选自聚苯硫醚、聚醚酰亚胺、多芳基酮、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚砜。
9.如权利要求1所述的制品，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物存在的浓度为大约50重量％至大约60重量％。
10.如权利要求1所述的制品，其中至少部分所述表面包括格子底部，所述底部的平整度好于大约0.03英寸每英寸的平均值。
11.如权利要求1所述的制品，其中至少部分所述表面包括格子底部，所述底部的平整度好于大约0.015英寸每英寸的平均值。
12.如权利要求1所述的制品，其中所述高温高强度聚合物选自聚苯醚、离聚物树脂、尼龙6树脂、尼龙6，6树脂、芳香聚酰胺树脂、聚碳酸酯、聚缩醛、三甲基戊烯树脂、聚砜、四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚物、高温无定型树脂、聚丙烯砜液晶聚合物、聚偏二氟乙烯、乙烯/四氟乙烯共聚物、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、以及四氟乙烯/六氟丙烯/全氟烷氧基乙烯三元共聚物。
13.如权利要求1所述的制品，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物设置成多个颗粒。
14.如权利要求13所述的制品，其中所述颗粒包括各向同性的流动形状。
15.如权利要求1所述的制品，进一步包括颜料，选自二氧化钛、氧化铁、氧化铬绿、铁蓝、铬绿、硫硅酸铝、铝酸钴、锰酸钡、铬酸铅、硫化镉以及硒化物。
16.删除。
17.删除。
18.一套用于电子元件处理过程的着色载体套件，该套件包括：
至少两小套着色载体，其中每个着色载体包括防静电放电危害表面，每个小套包含的小套颜色与其它小套的颜色不同，其中所述表面包括高温高强度聚合物，为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物，其存在的浓度提供了103至1014欧姆每平方的防静电放电危害电阻率，以及有助于使所述小套的颜色与所述其它小套的颜色相区别的颜料，其中所述载体选自磁盘处理盒，矩阵托盘，芯片托盘，以及基片载体。
19.如权利要求18所述的托盘套件，其中每个小套载体对应一个不同型号的载体。
20.如权利要求18所述的托盘套件，其中每个小套载体对应所述载体中的一类元件。
21.如权利要求18所述的套件，其中所述格子的平整度好于大约0.03英寸每英寸的平均值。
22.如权利要求18所述的套件，其中所述载体包括多个格子，其中所述格子的平整度好于大约0.015英寸每英寸的平均值。
23.如权利要求18所述的套件，其中所述表面具有的L值至少为大约40。
24.如权利要求18所述的套件，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物选自硼酸铝、氧化锌、碱性硫酸镁、氧化镁、石墨、钛酸钾、硼酸镁、二硼化钛、氧化锡、硫酸钙、以及掺锑的氧化锡。
25.如权利要求18所述的套件，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物存在的浓度为50重量％至70重量％。
26.如权利要求18所述的制品，其中所述颜料选自二氧化钛、氧化铁、氧化铬绿、铁蓝、铬绿、硫硅酸铝、铝酸钴、锰酸钡、铬酸铅、硫化镉以及硒化物。
27.一种用于处理电子元件的方法，该方法包括将电子元件放置在着色载体的防静电放电危害表面上，所述表面包括至少一种高温高强度聚合物、至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物、以及至少一种颜料的混合物，该金属氧化物存在的浓度提供了103至1014欧姆每平方的防静电放电危害电阻率，其中所述表面具有的L值大于大约40，并且所述该载体选自磁盘处理盒，矩阵托盘，基片载体，以及芯片托盘。
28.如权利要求27所述的方法，其中所述至少一种高温高强度聚合物选自聚苯硫醚、聚醚酰亚胺、多芳基酮、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚砜。
29.如权利要求27所述的方法，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物存在的浓度为大约40重量％至大约75重量％。
30.如权利要求27所述的方法，其中所述表面具有的L值至少为大约40。
31.如权利要求27所述的方法，其中至少部分所述表面的平整度好于大约0.03英寸每英寸的平均值。
32.如权利要求27所述的方法，其中至少部分所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物包括晶须。
33.如权利要求27所述的方法，其中至少部分所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物包括晶须。
34.如权利要求27所述的方法，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物包括包含各向同性流动形状的颗粒。
35.删除。
36.删除。
37.如权利要求27所述的方法，其中所述着色托盘为矩阵托盘。
38.如权利要求27所述的方法，其中所述至少一种颜料选自二氧化钛、氧化铁、氧化铬绿、铁蓝、铬绿、硫硅酸铝、铝酸钴、锰酸钡、铬酸铅、硫化镉以及硒化物。
39.一种制造用于电子处理过程的制品的方法，该方法包括：
模制包括防静电放电危害表面的载体，该表面由高温高强度聚合物和导电性填料组成，L值至少为大约40，电阻率为103至1014欧姆每平方，其中所述载体选自矩阵托盘和芯片托盘。
40.如权利要求39所述的方法，其中所述聚合物具有的玻璃化转变温度或者熔点高于大约150℃，并且刚度至少为大约1Gpa。
41.如权利要求39所述的方法，其中所述导电性填料是存在浓度为大约40重量％至大约75重量％的金属氧化物。
42.一种用于容纳电子元件的载体，包括：
包含至少一个防静电放电危害表面用于接触并支持元件的载体，其中所述表面包括至少一种高温高强度聚合物和至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂涂覆的金属氧化物的混合物，该金属氧化物存在的浓度大于大约40重量％，并提供了103至1014欧姆每平方的防静电放电危害电阻率，其中所述表面具有的L值大于大约40，其中所述载体选自矩阵托盘、芯片托盘、基片载体以及磁盘处理盒。
43.如权利要求42所述的制品，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物存在的浓度为大约40重量％至大约75重量％。
44.如权利要求42所述的制品，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物存在的浓度为至少大约50重量％。
45.如权利要求42所述的制品，其中所述至少一种为了赋予或提高导电性而用另一种金属掺杂或涂覆的金属氧化物选自硼酸铝、氧化锌、碱性硫酸镁、氧化镁、石墨、钛酸钾、硼酸镁、二硼化钛、氧化锡、硫酸钙、以及掺锑的氧化锡。
46.如权利要求42所述的制品，其中所述聚合物的刚度至少大约1Gpa，并且玻璃化转变温度或者熔点高于大约150℃。
47.如权利要求42所述的制品，进一步包括颜料。
48.如权利要求47所述的制品，其中所述颜料选自二氧化钛、氧化铁和氧化铬绿。
49.如权利要求47所述的制品，其中所述颜料不是氧化物。
50.如权利要求42所述的制品，其中所述高温高强度聚合物选自聚苯硫醚、聚醚酰亚胺、多芳基酮、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚砜。
51.如权利要求42所述的方法，其中所述至少一种金属氧化物包括具有各向同性流动形状颗粒。
52.一种制造用于电子处理过程的制品的方法，该方法包括：
模制包括防静电放电危害表面的载体，该表面包含高温高强度聚合物和导电性填料，L值至少为大约40，电阻率为103至1014欧姆每平方，其中所述载体选自基片载体和磁盘处理盒。
53.如权利要求52所述的方法，进一步包括用颜料染色所述载体的过程。
54.如权利要求52所述的方法，其中所述导电性填料包括存在浓度为大约40重量％至大约75重量％的金属氧化物。
55.如权利要求54所述的方法，其中所述金属氧化物包括具有各向同性流动形状的颗粒。
56.如权利要求52所述的方法，其中所述填料包括具有各向同性流动形状的颗粒。

Claims (56)

1.一种用于容纳电子元件的制品，该制品包括：
用于接触并支持电子元件的结构，该结构包括至少一个防静电放电危害表面，该表面包括至少一种高温高强度聚合物和至少一种金属氧化物的混合物，其中所述表面具有的L值大于大约40，并且其中该制品选自矩阵托盘和基片托盘。
2.如权利要求1所述的制品，其中所述表面包括格子的底部。
3.如权利要求1所述的制品，其中所述表面具有的L值大于大约55。
4.如权利要求1所述的制品，其中所述表面具有的L值大于大约65。
5.如权利要求1所述的制品，其中所述聚合物的刚度至少大约1Gpa，并且玻璃化转变温度或者熔点高于大约150℃。
6.如权利要求1所述的制品，其中所述金属氧化物存在的浓度为大约40重量％至大约75重量％。
7.如权利要求1所述的制品，其中所述至少一种金属氧化物选自硼酸铝、氧化锌、碱性硫酸镁、氧化镁、石墨、钛酸钾、硼酸镁、二硼化钛、氧化锡、硫酸钙、以及掺锑的氧化锡。
8.如权利要求1所述的制品，其中所述高温高强度聚合物选自聚苯硫醚、聚醚酰亚胺、多芳基酮、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚砜。
9.如权利要求1所述的制品，其中所述至少一种金属氧化物存在的浓度为大约50重量％至大约60重量％。
10.如权利要求1所述的制品，其中至少部分所述表面包括格子底部，所述底部的平整度好于大约0.03英寸每英寸的平均值。
11.如权利要求1所述的制品，其中至少部分所述表面包括格子底部，所述底部的平整度好于大约0.015英寸每英寸的平均值。
12.如权利要求1所述的制品，其中所述高温高强度聚合物包括选自聚苯醚、离聚物树脂、尼龙6树脂、尼龙6，6树脂、芳香聚酰胺树脂、聚碳酸酯、聚缩醛、三甲基戊烯树脂、聚砜、四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚物、高温无定型树脂、聚丙烯砜液晶聚合物、聚偏二氟乙烯、乙烯/四氟乙烯共聚物、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、以及四氟乙烯/六氟丙烯/全氟烷氧基乙烯三元共聚物。
13.如权利要求1所述的制品，其中至少一种所述金属氧化物设置成多个颗粒。
14.如权利要求13所述的制品，其中所述颗粒包括各向同性的流动形状。
15.如权利要求1所述的制品，其中所述颜料选自二氧化钛、氧化铁、氧化铬绿、铁蓝、铬绿、硫硅酸铝、铝酸钴、锰酸钡、铬酸铅、硫化镉以及硒化物。
16.如权利要求1所述的制品，其中所述至少一种金属氧化物为所述至少一种颜料。
17.如权利要求1所述的制品，其中所述表面包括的电阻率为103至1014欧姆每平方。
18.一套用于电子元件处理过程的着色载体套件，该套件包括：
至少两小套着色载体，其中每个着色载体包括防静电放电危害表面，每个小套含有的小套颜色与其它小套的颜色不同，其中所述表面包含高温高强度聚合物、金属氧化物以及颜料，其中所述载体选自磁盘处理盒，矩阵托盘，芯片托盘，以及基片载体。
19.如权利要求18所述的托盘套件，其中每个小套载体对应一个不同型号的载体。
20.如权利要求18所述的托盘套件，其中每个小套载体对应所述载体中的一类元件。
21.如权利要求18所述的套件，其中所述格子的平整度好于大约0.03英寸每英寸的平均值。
22.如权利要求18所述的套件，其中所述载体包括多个格子，其中所述格子的平整度好于大约0.015英寸每英寸的平均值。
23.如权利要求18所述的套件，其中所述表面具有的L值至少为大约40。
24.如权利要求18所述的套件，其中所述至少一种金属氧化物选自硼酸铝、氧化锌、碱性硫酸镁、氧化镁、石墨、钛酸钾、硼酸镁、二硼化钛、氧化锡、硫酸钙、以及掺锑的氧化锡。
25.如权利要求18所述的套，其中所述至少一种金属氧化物存在的浓度为大约50重量％至70重量％。
26.如权利要求18所述的制品，其中所述表面进一步包括颜料。
27.一种用于处理电子元件的方法，该方法包括将电子元件放置在着色载体的防静电放电危害表面上，所述表面包括至少一种高温高强度聚合物，至少一种金属氧化物，以及至少一种颜料的混合物；其中所述该载体选自磁盘处理盒，矩阵托盘，以及芯片托盘。
28.如权利要求27所述的方法，其中所述至少一种高温高强度聚合物选自聚苯硫醚、聚醚酰亚胺、多芳基酮、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚砜。
29.如权利要求27所述的方法，其中所述至少一种金属氧化物存在的浓度为大约40重量％至大约75重量％。
30.如权利要求27所述的方法，其中所述表面具有的L值至少为大约40。
31.如权利要求27所述的方法，其中至少部分所述表面的平整度好于大约0.03英寸每英寸的平均值。
32.如权利要求27所述的方法，其中包括颗粒的所述至少一种金属氧化物以至少大约40重量％的浓度存在于混合物中。
33.如权利要求27所述的方法，其中至少部分所述至少一种金属氧化物包括晶须。
34.如权利要求27所述的方法，其中所述至少一种金属氧化物包括包含各向同性流动形状的颗粒。
35.如权利要求27所述的方法，其中所述至少一种颜料为所述至少一种金属氧化物。
36.如权利要求27所述的方法，其中所述表面包括的电阻率为103至1014欧姆每平方。
37.如权利要求27所述的方法，其中所述着色托盘为矩阵托盘。
38.如权利要求27所述的方法，其中所述至少一种颜料选自二氧化钛、氧化铁、氧化铬绿、铁蓝、铬绿、硫硅酸铝、铝酸钴、锰酸钡、铬酸铅、硫化镉以及硒化物。
39.一种制造用于电子处理过程的制品的方法，该方法包括：
模制包括防静电放电危害表面的载体，该表面包含高温高强度聚合物和导电性填料，L值至少为大约40，电阻率为103至1014欧姆每平方，其中所述载体选自矩阵托盘和芯片托盘。
40.如权利要求39所述的方法，其中所述聚合物具有的玻璃化转变温度或者熔点高于大约150℃，并且刚度至少为大约1Gpa。
41.如权利要求39所述的方法，其中所述导电性填料是存在浓度为大约40重量％至大约75重量％的金属氧化物。
42.一种用于容纳电子元件的载体，包括：
具有用于接触并支持电子元件的结构的载体，所述结构包含至少一个防静电放电危害表面，其包含至少一种高温高强度的聚合物和至少一种金属氧化物的混合物，其中所述表面具有的L值大于大约40，其中所述载体选自基片载体和磁盘处理盒。
43.如权利要求42所述的制品，其中所述至少一种金属氧化物存在的浓度为大约40重量％至大约75重量％。
44.如权利要求42所述的制品，其中所述至少一种金属氧化物存在的浓度为至少大约50重量％。
45.如权利要求42所述的制品，其中所述至少一种金属氧化物选自硼酸铝、氧化锌、碱性硫酸镁、氧化镁、石墨、钛酸钾、硼酸镁、二硼化钛、氧化锡、硫酸钙、以及掺锑的氧化锡。
46.如权利要求42所述的制品，其中所述聚合物的刚度至少大约1Gpa，并且玻璃化转变温度或者熔点高于大约150℃。
47.如权利要求42所述的制品，进一步包括颜料。
48.如权利要求47所述的制品，其中所述颜料选自二氧化钛、氧化铁、和氧化铬绿。
49.如权利要求47所述的制品，其中所述颜料不是氧化物。
50.如权利要求42所述的制品，其中所述高温高强度聚合物选自聚苯硫醚、聚醚酰亚胺、多芳基酮、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚砜。
51.如权利要求42所述的方法，其中所述至少一种金属氧化物包括具有各向同性流动形状的颗粒。
52.一种制造用于电子处理过程的制品的方法，该方法包括：
模制包括防静电放电危害表面的载体，该表面包括高温高强度聚合物和导电性填料，L值至少为大约40，电阻率为103至1014欧姆每平方，其中所述载体选自基片载体和磁盘处理盒。
53.如权利要求52所述的方法，进一步包括用颜料染色所述载体。
54.如权利要求52所述的方法，其中所述导电性填料包括存在浓度为大约40重量％至大约75重量％的金属氧化物
55.如权利要求54所述的方法，其中所述金属氧化物包括具有各向同性流动形状的颗粒。
56.如权利要求52所述的方法，其中所述填料包括具有各向同性流动形状的颗粒。
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