CN1974373B

CN1974373B - 微结构、其制造方法、以及微电子机械系统

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Publication number: CN1974373B
Application number: CN200610163096.9A
Authority: CN
Inventors: 山口真弓; 泉小波; 白石康次郎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-11-30
Filing date: 2006-11-30
Publication date: 2012-09-05
Anticipated expiration: 2026-11-30
Also published as: US20070238213A1; CN1974373A; US7732241B2

Abstract

微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明的目的在于提供提高结构层的剪切应力的微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成金属膜；对于金属膜照射激光；减少或除去金属膜的针形结晶；对所述金属膜进行蚀刻加工成规定的形状来形成金属层；其后除去牺牲层。通过以上操作，可以提供微结构的可移动部分的耐破断性高且可靠性高的微电子机械系统。

Description

微结构、其制造方法、以及微电子机械系统

技术领域

本发明涉及被激光照射的微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。

背景技术

近年来，使用微电子机械系统的装置在各种领域中被应用，所述微电子机械系统被称作所谓的微机电系统(Micro Electro MechanicalSystem：MEMS)如微开关、致动器(actuator)、压力传感器、加速度传感器等。

MEMS是通过在牺牲层上形成结构层之后，在由蚀刻除去牺牲层而成的空间中立体地形成结构层来驱动的。

作为用于这种MEMS的工作部分的结构层，使用金属如钨(W)、钼(Mo)等(例如，参照专利文献1)。钨和钼都是6族元素，并且具有高熔点(W：熔点3430℃、Mo：熔点2620℃)、高机械强度的性质。

在专利文献1中，例如通过CVD法、溅射法、真空蒸镀法等气相合成法形成金属如钨、钼等作为与压电膜的上下接触的电极。考虑到在MEMS的商品化中的成本、简便、成品率等，优选使用溅射法形成这些钨膜、钼膜。

[专利文献1]特开2005-210614号公报

但是，当通过溅射法形成钨膜或钼膜等金属膜时，这种金属的结晶容易向垂直于衬底的方向生长为针形。

图12A和12B示出了观察了通过溅射法在衬底上形成400nm厚的钼膜、钨膜的层的破断面而得到的扫描电子显微镜(SEM：ScanningElectron Microscope)照片。图12A是钼膜，图12B是钨膜。可以观察到在图12A中小的宽度大约为30nm左右的结晶，而在图12B中小的宽度大约为50nm左右的结晶都生长为针形的状态。

钼膜和钨膜的晶粒界面脆弱，并且这种针形结晶对于该结晶取向的方向的剪切应力很弱。因此，如果直接使用由通过溅射法形成的钨膜或钼膜构成的结构体作为MEMS开关等的可移动部分，该结构体就立即破断，所以不合适于结构体。

尤其是，在以如玻璃衬底和塑料衬底不会熔化这样比较低的温度，通过溅射法在上述衬底上形成钼膜和钨膜等金属层的情况下，金属层容易生长为针形。因此，在通过溅射法在玻璃衬底和塑料衬底上形成金属层的情况下，由于必须要以比较低的温度形成金属层，所以如果将这种金属层用于结构体，结构体的破断问题将更为明显了。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于改善用于微电子机械系统的微结构的金属层如钼膜和钨膜等对于破断的强度。

在本发明中，使用金属层如钼膜和钨膜等作为用于微结构的结构层，并且对于上述金属层照射激光。

本发明包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成金属膜；对于所述金属膜照射激光；将所述金属膜加工为预定形状来形成金属层；除去所述牺牲层。

通过这样处理，可以获得具有片状结晶的金属层。换言之，可以获得使针形结晶减少或除去了的金属层。因此，通过使用所述金属层作为微结构的结构层，可以获得具有高抗破断性的微电子机械系统。

在本发明中，除了W、Mo之外还可以使用选自Ti、Ta、Pt、Ag中的金属材料或以所述金属材料为主要成分的合金作为金属膜。

在本发明中，通过溅射法形成金属膜。

本发明包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成第一层；对于所述第一层照射激光来将此成为第二层；将所述第二层加工为预定形状；除去所述牺牲层。

本发明包括以下步骤：在衬底上形成下部电极；覆盖所述下部电极地形成牺牲层；覆盖所述牺牲层地形成第一导电膜；对于所述第一导电膜照射激光；在所述第一导电膜上形成第二导电膜；将所述第一导电膜及所述第二导电膜分别加工为预定形状，来形成成为上部电极的第一导电层及第二导电层；除去所述牺牲层。

本发明包括以下步骤：在衬底上形成下部电极；覆盖所述下部电极地形成牺牲层；覆盖所述牺牲层地形成第一导电膜；对于所述第一导电膜照射激光；在所述第一导电膜上形成第二导电膜；对于所述第二导电膜照射激光；将所述第一导电膜及所述第二导电膜分别加工为预定形状，来形成成为上部电极的第一导电层及第二导电层；除去所述牺牲层。

通过这样处理，可以获得由结晶生长为片状，即使针形结晶减少或除去了的第一导电膜构成的上部电极。因此，通过使用所述上部电极作为微结构的结构层，可以获得具有高抗破断性的微电子机械系统。

本发明包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层；覆盖所述牺牲层地形成第一导电膜；对于所述第一导电膜照射激光；在所述第一导电膜上形成压电薄膜；在所述压电薄膜上形成第二导电膜；将所述压电薄膜及第二导电膜分别加工为预定形状；除去所述牺牲层。

本发明包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层；覆盖所述牺牲层地形成第一导电膜；对于所述第一导电膜照射激光；在所述第一导电膜上形成压电薄膜；在所述压电薄膜上形成第二导电膜；对于所述第二导电膜照射激光；将所述压电薄膜及第二导电膜分别加工为预定形状；除去所述牺牲层。

通过这样处理，可以获得具有片状结晶的第一导电膜。换言之，可以减少或除去第一导电膜的针形结晶。因此，通过使用所述第一导电膜作为微结构的结构层，可以获得具有高抗破断性的FBAR滤波器。

在本发明中，可以使用选自W、Mo、Ti、Ta、Pt、Ag中的金属材料或以所述金属材料为主要成分的合金作为第一导电膜。

在本发明中，通过溅射法形成第一导电膜。

在本发明中，可以使用选自W、Mo、Ti、Ta、Pt、Ag中的金属材料或以所述金属材料为主要成分的合金作为第二导电膜。

在本发明中，通过溅射法形成第二导电膜。

在本发明中，使用选自氧化锌、氮化铝、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡、氧化钽中的任一个作为压电薄膜。

本发明包括以下步骤：在衬底上形成半导体膜；将所述半导体膜加工为预定形状来形成第一半导体层及第二半导体层；覆盖所述第一半导体层地形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜及所述第二半导体层上形成第一导电膜；对于所述第一导电膜照射激光；将所述第一导电膜加工为预定形状，夹着所述栅极绝缘膜与所述第一半导体层上重叠地形成栅电极，并且在所述第二半导体层上形成第一导电层；在所述第一半导体层、所述栅极绝缘膜及所述栅电极上形成层间绝缘膜；在所述第一导电层上形成压电薄膜；在所述层间绝缘膜中达到所述第一半导体层地形成接触孔；在所述层间绝缘膜及所述压电薄膜上形成第二导电膜；将所述第二导电膜及所述压电薄膜分别加工为预定形状，在所述层间绝缘膜上与所述第一半导体层电连接地形成源电极及漏电极，在所述第一导电层上形成第二导电层及压电薄膜图案；通过除去所述第二半导体层，来形成半导体元件及微结构。

在本发明中，使用选自玻璃衬底、塑料衬底、石英衬底、硅衬底中任一个作为衬底。

在本发明中，使用YAG激光作为激光照射。

本发明是根据上述制造方法制造的微结构。

本发明是具有根据上述制造方法制造的微结构的微电子机械系统。

再者，在本发明中，微电子机械系统是指利用MEMS的全部器件。此外，微结构是指在微电子机械系统中利用空间区域可移动的立体结构体。此外，结构层是指用于微结构的可移动部分的部件。

在本发明中，通过照射激光来减少或除去结构层中的针形结晶，可以获得具有高抗破断性的微结构。例如，当对于向上下震动的结构层照射激光时，在与施加应力的方向相同的方向上存在的晶粒界面被减少或除去，来成为片状结晶，由此不容易产生结构层的破断。通过使用具有所述结构层的微结构，可以提供耐久性好、可靠性高的微电子机械系统。再者，涉及本发明的微结构可以应用于与MEMS有关的各种领域，例如可以用于如声波传感器、位置传感器、磁传感器、化学传感器、气体传感器、湿度传感器等传感器。除此之外，还可以适用于共振器、微齿轮、发电器等。

附图说明

图1A至1D为描述本发明的微结构的制造步骤的图；

图2为描述涉及本发明的发光器件的一个方式的图；

图3A至3F为描述本发明的微结构的制造步骤的图；

图4A和4B为描述本发明的微结构的图；

图5A至5D为描述本发明的微结构的制造步骤的图；

图6为描述具有本发明的微结构的半导体器件的图；

图7A至7F为描述本发明的微结构的制造步骤的图；

图8A至8D为描述本发明的微结构的制造步骤的图；

图9A和9B为描述本发明的微电子机械系统的一个方式的图；

图10A和10B为描述本发明的微电子机械系统的一个方式的图；

图11A和11B为用于通过溅射法形成的微结构的结构层的截面SIM像；

图12A和12B为用于通过溅射法形成的微结构的结构层的截面SEM照片。

具体实施方式

下面，参照附图对于本发明的实施方式进行说明。注意，本发明可以通过多种不同的方式来实施，所属领域的普通人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式，而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下将说明的实施方式所记载的内容中。此外，在用于说明实施方式的全部附图中，相同部分或具有相同功能的部分由相同附图标记来表示，并且省略其重复说明。

实施方式1

在本实施方式中，描述通过激光照射来改变结构层的结晶状态的微结构的制造方法。

如图1A所示，准备衬底100。其中，在图1A至1D中的左边示出的截面图分别对应于其右边示出的俯视图的虚线A-A’。

作为衬底100，可以利用石英衬底、玻璃衬底、塑料衬底、硅衬底等。例如，通过在塑料衬底上形成微结构，可以形成具有轻量且柔性良好的薄型微结构的系统。此外，也可以通过对于石英衬底、玻璃衬底及硅衬底进行研磨来薄化，形成薄型微结构。

接下来，在衬底100上形成牺牲层101。其中，牺牲层是指在之后的步骤中被选择性地除去的层。牺牲层只要可以被除去即可，从而也可以为导电层或绝缘层。通过除去这样的牺牲层，在衬底100和在之后的步骤中将形成在牺牲层上的结构层之间产生空间。就是说，可以形成具有立体形状的结构层。

例如，通过CVD法、溅射法可以形成牺牲层101。作为牺牲层101，可以使用具有硅如非晶硅、多晶硅等的半导体层；具有金属如铝(Al)等的材料；有机层如聚酰亚胺、抗蚀剂等；或绝缘层如氧化硅、氮化硅等来形成。其中，牺牲层101既可以为单层结构也可以为叠层结构。在采用叠层结构的情况下，适当地组合上述材料而层叠即可。

可以使用光刻法形成光致抗蚀剂掩模，通过干式蚀刻法来加工牺牲层101。此外，也可以通过以喷墨法为代表的液滴喷射法来形成。在采用液滴喷射法的情况下，可以选择性地形成牺牲层101。因此，不需要牺牲层101的光刻步骤和蚀刻步骤。结果，可以减少抗蚀剂材料的浪费和工序时间。在任何情况下，作为牺牲层，使用对于结构体可以选择性地蚀刻除去的材料即可。

在本实施方式中，通过CVD法层叠氧化硅，然后通过光刻法将此加工为直方体形状来形成牺牲层101。

接下来，通过溅射法在牺牲层101上形成第一金属膜102a。作为第一金属膜102a，可以使用选自钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、银(Ag)的金属材料或以上述金属材料为主要成分的合金。另外，合金优选处于两种或更多种的元素彼此熔合，为整体均匀的固相的状态。此时，容易进行第一金属膜102a的蚀刻。另外，第一金属膜102a既可以为单层结构也可以为叠层结构。在叠层结构中，可以层叠从上述材料中适当选择出的材料。

接下来，对于第一金属膜102a进行激光照射(图1A)。第一金属膜102a为包含很多生长为针形的结晶的结构。由此，通过进行激光照射将结晶一旦熔化并重新结晶，来使针形的结晶变为片状的结晶。箭头130表示激光扫描方向。

在进行激光照射的情况下，可以使用连续振荡型激光束(以下称作CW激光束)或脉冲振荡型激光束(以下称作脉冲激光束)。作为激光束，可以使用由Ar激光器、Kr激光器、受激准分子激光器、YAG激光器、Y₂O₃激光器、YVO₄激光器、YLF激光器、YAlO₃激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、紫绿宝石激光器、Ti：兰宝石激光器、铜蒸汽激光器、和金蒸汽激光器中的一种或多种进行振荡的激光束。通过照射这种激光束的基波及该基波的二次到四次谐波的激光束，可以减少或消灭向垂直于衬底的方向形成的晶粒界面。并且，可以获得由片状结晶构成的金属膜，所述片状结晶向照射激光并扫描的方向延伸。

另外，既可照射基波CW激光束和高次谐波CW激光束，又可照射基波CW激光束和高次谐波脉冲激光束。通过这样照射多个激光束，可以补充能量。

此外，也可以使用如下脉冲激光，其中该脉冲激光是以金属膜由激光熔化到固化之间可以照射下一个脉冲的激光的振荡频率来振荡激光的激光。通过以这样的频率照射激光束，可以减少或消灭在结构体中向垂直于衬底的方向形成的晶粒界面，并且获得向激光的扫描方向生长的晶粒。激光束的具体振荡频率为10MHz或更高，即使用比通常使用的几十Hz至几百Hz的频带高许多的频带。

在本实施方式中，例如在石英衬底上形成大约400nm的钨膜作为第一金属膜102a，然后以输出功率150W、扫描速度100mm/sec的条件照射YAG激光(λ＝1064nm)。

通过进行激光照射，使第一金属膜102a重新结晶，可以获得针形结晶被减少或消灭了的片状或块状(bulk-like)的第二金属膜102b(图1B)。

图2示出了观察了在以上述条件照射激光之后的钨膜的断面的扫描电子显微镜(SEM)照片。与照射激光之前(图12B)相比，宽度大约为50nm左右的针形结晶消灭了，而获得了宽度大约为150至350nm左右的片状结晶。

再者，也可以照射从灯发射的光(也称作灯退火、灯加热)而代替照射激光。例如，由于卤素灯光的波长大约在1000nm处具有发射光谱的峰值，所以不容易被玻璃衬底吸收。因此，可以对于金属层选择性地给予能量并加热。其中，作为用于灯加热的灯光，可以使用选自卤素灯、金属卤化物灯、氙弧灯、炭弧灯、高压钠灯、以及高压汞灯中的一种或多种，可由这些灯的辐射光进行加热。

接下来，使用形成在第二金属膜102b上的掩模(未图示)将第二金属膜102b加工为预定形状，来形成用作微结构的结构层的金属层102c(图1C)。可以使用湿式蚀刻法或干式蚀刻法作为加工的方法。可以使用例如有机材料、无机材料作为掩模。

然后，可通过除去掩模，并除去牺牲层101，来获得微结构(图1D)。

可以使用湿式蚀刻法或干式蚀刻法来除去牺牲层101。

在将氧化硅(SiO₂)用于牺牲层101的情况下，可以通过使用氢氟酸缓冲液(BHF：Buffered Hydrogen Fluoride)的湿式蚀刻除去牺牲层，所述氢氟酸缓冲液是以氟酸49％水溶液∶氟化氨为1∶7的比率混合而成的。此外，在使用聚酰亚胺或永久抗蚀剂作为牺牲层101的情况下，通过灰化来可以除去牺牲层。

在湿式蚀刻之后，优选使用粘性低的有机溶剂(例如环己烷)冲洗进行干燥，或在低温低压的条件下进行干燥，或者进行将该二者组合后的处理，以便防止微结构的弯曲等变形。

此外，在如大气等高压条件下使用O₂、F₂、XeF₂中的至少一个通过干式蚀刻法可以除去牺牲层101。优选进行使微结构表面具有防水性的等离子体处理，以便防止上述的微结构的弯曲等变形。

像这样，除去牺牲层101就产生空间103。由空间103可以将成为结构层的金属层102c向上下、左右移动。通过金属层102c的可移动的尖端和其他电极接触，可以使其用作开关。将具有这样形状的微结构称为悬臂型微结构，通过将该微结构应用于开关，可以进行低损失、低功率的动作。

再者，如果牺牲层101的厚度过厚，产生在衬底100和金属层102c之间的空间103的间隔就变大，从而不容易驱动微结构。另一方面，如果其厚度过薄，蚀刻剂就不容易扩散，从而牺牲层101将不被蚀刻为所希望的形状。此外，结构层仅仅以稍微弯曲或变形而就接触到设置在下方的对象。因此，牺牲层101的厚度优选为0.5至5μm(包括0.5μm和5μm)。

此外，在本实施方式中所示的微结构可以用作开关，然而除了开关以外，还可以用作扫描型隧道显微镜(STM)或扫描型原子力显微镜(AFM)的探头(probe)(探针)、加速度传感器、角速度传感器。

如上那样，在通过本实施方式所示的制造方法来制造的微结构中，由于使用针形结晶减少或消灭且具有生长为片状的结晶的结构层，所以具有高抗破断性和高耐久性。因此，具有所述微结构的微电子机械系统其可靠性优良。

实施方式2

在本实施方式中，将参照图3A至3F描述使用涉及本发明的制造方法的桥型微结构开关。其中，在本实施方式中，用静电引力可以使微结构移动。另外，在图3A至3F中左边的截面图对应于其右边的俯视图的虚线A-A’。

首先，在衬底200上形成用作下部电极的第一导电层201。作为第一导电层201，例如通过溅射法形成选自W、Mo、Ti、Ta、Pt、Ag中的金属材料或以上述金属材料为主要成分的合金、具有导电性的材料，然后将此蚀刻为预定形状而得到。第一导电层201可以用作共同电极或控制电极等。

通过光刻法将牺牲层202加工为预定形状地形成在第一导电层201上(图3B)。

通过溅射法在牺牲层202上形成将成为上部电极的一部分的第一导电膜203a。作为第一导电膜203a，例如可以使用由选自W、Mo、Ti、Ta、Pt、Ag中的金属材料或以上述金属材料为主要成分的合金构成的金属膜。第一导电膜203a的膜厚度为200nm至3μm(包括200nm和3μm)，优选为400nm至1μm(包括400nm和1μm)。所形成的第一导电膜203a如图12A和12B所示，成为向垂直于衬底的方向生长的针形结晶。

接下来，对第一导电膜203a照射激光(图3C)。在此，箭头230表示激光扫描方向。关于激光种类及照射条件等可以使用在实施方式1中所举出的种类及条件。

通过照射激光，第一导电膜203a一旦熔化，其针形结晶将减少或消灭，以成为结晶粒径粗大了的片状或块状结晶的第二导电膜203b。

接下来，在第二导电膜203b上层叠并形成第三导电膜204a(图3D)。然后，使用形成在第三导电膜204a上的掩模(未图示)，将第二导电膜203b及第三导电膜204a加工为预定形状，以形成成为上部电极的第二导电层203c及第三导电层204b(图3E)。作为第三导电层204b，可以使用由选自W、Mo、Ti、Ta、Pt、Ag等中的金属材料或以上述金属材料为主要成分的合金形成的金属层。当然，也可以对第三导电膜204a照射激光。另外，也可以代替第三导电膜204a地或在第三导电膜204a上形成绝缘膜。

接下来，如图3F所示，通过利用湿式蚀刻法或干式蚀刻法除去牺牲层202，来形成微结构。在将氧化硅(SiO₂)用于牺牲层202的情况下，可以通过使用氢氟酸缓冲液(BHF：Buffered HydrogenFluoride)的湿式蚀刻除去牺牲层，所述氢氟酸缓冲液是以氟酸49％水溶液∶氟化氨为1∶7的比率混合而成的。此外，在使用聚酰亚胺或永久抗蚀剂作为牺牲层的情况下，可以通过灰化来除去牺牲层。

在湿式蚀刻之后，优选使用粘性低的有机溶剂(例如环己烷)冲洗进行干燥，或在低温低压的条件下进行干燥，或者进行将该两者组合的处理，以便防止微结构的压弯、弯曲等变形。

此外，在如大气等高压条件下使用O₂、F₂、XeF₂中的至少一个通过干式蚀刻法可以除去牺牲层202。优选进行使微结构表面具有防水性等离子体处理，以便防止上述的微结构的压弯、弯曲等变形。

像这样除去牺牲层202就产生空间205。结果，可以形成用作桥型开关的微结构，其中该桥型开关是用作上部电极的第二导电层203c及第三导电层204b由空间205可以向上下移动的开关。在本实施方式中，上部电极起到结构层的作用。

另外，在本发明的开关中，在牺牲层202上也可以形成由导电率比用于第二导电层203c的材料高的材料构成的膜，并且在其上形成第二导电层203c及第三导电层204b。与此相同，也可以在将成为下部电极的第一导电层201上设置导电率比用于第一导电层201的材料高的膜。这种导电膜不仅降低上部电极和下部电极的接触电阻，而且可以减少微结构的电极的磨损。作为设置在第一导电层201上的膜，可以使用Au、Ru或以这些材料为主要成分的合金。此外，作为在形成第二导电层203c之前设置在牺牲层202上的膜，也可以使用Au、Ru或以这些材料为主要成分的合金。另外，也可以只在第一导电层201和第二导电层203c接触的部分设置Au、Ru或以这些材料为主要成分的合金。Au、Ru或以这些材料为主要成分的合金由于导电性好，并且是柔软的金属，因此有利于抑制接触不良。

如上那样，在涉及本实施方式的微结构中，由于形成有针形结晶减少或消灭且具有片状结晶的第二导电层203c和第三导电层204b层叠了的结构层作为上部电极，所以具有高抗破断性和高耐久性。因此，具有所述微结构的微电子机械系统其可靠性优良。

此外，图4A和4B表示在用作桥型开关的微结构上进一步形成用于控制的电极的例子。其中，在图4A和4B中左边的截面图分别对应于其右边的俯视图的虚线A-A’。

在图4A中，以围绕形成在支撑微结构的层400上且将成为下部电极的第一导电层401的周边的方式形成控制电极402。在此情况下，与下部电极连接的终端电极通过形成在层400中的接触孔被设置在下部电极的下方。在图4B中，与将成为下部电极的第一导电层403的至少两边或更多(在此表示覆盖周围三边的例子)相邻接形成控制电极404。在此情况下，与将成为下部电极的第一导电层403连接的终端电极可以设置在控制电极404没围绕第一导电层403的区域上。其中，如图4A那样，通过形成在层400中的接触孔设置在下部电极的下方。

向控制用电极402、404输入是否选择作为上部电极的第二导电层203c及第三导电层204b的选择信号。选择信号一被输入，在上部电极和控制用电极402、404之间就产生静电引力，由此上部电极下降而接触到下部电极，从而可以用作开关。由于控制电极402、404设置为与下部电极的至少两边或更多邻接，所以可以扩大控制电极402、404的面积。因此，可以在上部电极和控制用电极402、404之间使用比较低的电压产生静电引力。此外，还可以提高开关功能的可靠性。

在本实施方式中，只要电极及导电层的结构、材料、制造条件等可满足，就可与上述实施方式适当地自由组合。

实施方式3

在本实施方式中，将参照图5A至5D描述使用涉及本发明的制造方法的薄膜体声波谐振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator)滤波器。

FBAR是一种利用半导体工艺技术制造的RF-MENS器件。滤波器本身由压电薄膜和设置在该压电薄膜上下的电极构成。根据所述部分的机械振动确定频率。在涉及本实施方式的FBAR滤波器中，可以在超过10GHz的高频带中工作，因此能够应用于便携电话中。

如图5A所示，在衬底300上形成牺牲层301。作为衬底300，可以使用石英衬底、玻璃衬底、塑料衬底、硅衬底等。例如，通过在塑料衬底上形成微结构，可以形成轻且柔性良好的薄型FBAR滤波器。此外，也可以通过对于石英衬底、玻璃衬底及硅衬底进行研磨来使其变薄，从而形成FBAR滤波器。

例如，通过CVD法、溅射法可以形成牺牲层301。作为牺牲层301，可以使用具有硅如非晶硅、多晶硅等的半导体层；具有金属如铝(Al)等的材料、聚酰亚胺、抗蚀剂等的有机层；或如氧化硅、氮化硅等的绝缘层。其中，牺牲层301既可以为单层结构也可以为叠层结构。在采用叠层结构的情况下，可适当地组合上述材料来层叠。

接下来，通过溅射法在牺牲层301上形成第一导电膜302a。作为第一导电膜302a，可以使用选自钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、银(Ag)等中的一种或多种、或以上述金属为主要成分的合金等金属膜。

接下来，对于第一导电膜302a照射激光(图5A)。在此，箭头330表示激光扫描方向。第一导电膜302a为包含很多生长为针形的结晶的结构。由此，通过进行激光照射将结晶熔化并重新结晶，来使针形的结晶变为片状的结晶。其中，在使用熔点比较低的衬底如塑料衬底作为衬底300的情况下，也可以通过照射激光仅仅使第一导电膜302a的表面附近熔化并重新结晶。此外，也可以通过在衬底300上形成绝缘膜，以使热不传到衬底300上。

另外，既可照射基波CW激光束和高次谐波CW激光束，又可照射基波CW激光束和高次谐波脉冲激光束。像这样，通过照射多个激光束，可以补充能量。

此外，也可以使用如下脉冲激光，其中该脉激光是以第一导电膜302a由激光熔化到固化之间可以照射下一个脉冲的激光的振荡频率来振荡激光的激光。通过以这样的频率照射激光束，可以减少或消灭在结构体中向垂直于衬底的方向形成的晶粒界面，并且获得向激光的扫描方向生长的片状或块状(bulk-like)晶粒。激光束的具体振荡频率为10MHz或更高，即使用比通常使用的几十Hz至几百Hz的频率高许多的频率。

在本实施方式中，形成400nm厚的钼膜作为第一导电膜302a，然后以输出功率150W、扫描速度500mm/sec的条件照射YAG激光(λ＝1064nm)。

通过进行激光照射，可以不需要将衬底加热到衬底的熔点附近就能使第一导电膜302a重新结晶，减少或消灭针形结晶，以获得具有片状结晶的第一电极302b。

接下来，在第一电极302b上形成压电薄膜303a。压电薄膜303a由具有压电性的膜如氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡(BaTiO₃)、氧化钽(Ta₂O₅)等构成，例如以0.1至1μm(包括0.1μm和1μm)的膜厚度形成。其中，ZnO、AlN等可以例如通过溅射法被形成，而PZT例如在通过溶胶-凝胶法形成膜之后，进行烧结，然后进行极化处理来被形成。例如在200至300℃下施加直流电场来进行极化处理。

接下来，通过溅射法在压电薄膜303a上形成第二导电膜304a(图5B)。作为第二导电膜304a，可以使用与第一导电膜302a相同的材料。

接下来，将压电薄膜303a及第二导电膜304a加工为预定形状，以形成压电薄膜303b及第二电极304b(图5C)。其中，在图5C中，压电薄膜303b和第二电极304b为相同的形状，然而也可以分别为不同的形状。

然后，通过蚀刻除去牺牲层301(图5D)。可使用实施方式1所示的方法来除去牺牲层301。

像这样除去牺牲层301就产生空间305。通过设置空间305，可以自由地使由第一电极302b、压电薄膜303b及第二电极304b构成的FBAR滤波器振动。其中，在此省略与第一电极302b、第二电极304b分别连接的布线。

在本实施方式中，对于第一导电膜302a照射激光，然而当然也可以对于第二导电膜304a同样照射激光。在此情况下，第一电极302b及第二电极304b具有高抗破断性，可以提高FBAR滤波器的耐久性。

另外，在本实施方式中，也可以只对第二导电膜304a照射激光。在此情况下，由于第一导电膜302a具有垂直于衬底的方向的针形结晶，所以形成在第一导电膜302a上的压电薄膜303a延承第一导电膜302a的结晶性，以向垂直于衬底的方向(z轴方向)取向。通过使用所述具有高取向性的压电薄膜303b，可以制造低损耗、带域宽度及频率温度特性良好且高性能的FBAR滤波器。

如上那样，在通过本实施方式所示的制造方法来制造的微结构(FBAR滤波器)中，由于使用通过激光照射将结晶生长为片状且针形结晶减少或消灭的结构层(第一电极302b、第二电极304b中的任何一个或两个)，所以具有高抗破断性和高耐久性。因此，具有所述FBAR滤波器的微电子机械系统其可靠性优良。

实施方式4

在本实施方式中，将描述具有涉及本发明的微结构且能够无线通信的微电子机械系统。

图6示出了微电子机械系统601具有的电气电路604的详细结构。首先，电气电路604具有如下功能：接收从外界(在此相当于读写器)发射的电磁波以产生驱动微电子机械系统601的电力，并且与外界进行无线通信。因此，电气电路604包括电源电路611、时钟产生电路612、解调电路613、调制电路614、解码电路615、编码电路616、以及信息判断电路617等为无线通信而必要的电路。此外，根据用于无线通信的电磁波的频率或通信方法，有可能具有不同的电路结构。

电气电路604具有控制微结构603、处理来自读写器的信息等功能。因此，电气电路604具有存储器、存储器控制电路、算术电路等。在示于附图中的例子中，电气电路604具有存储器621、存储器控制电路622、算术电路623、结构体控制电路624、A/D转换电路625、以及信号放大电路626。

电源电路611具有二极管及电容器，可以通过对于产生在天线602处的交流电压进行整流来保持恒定电压，并且向每个电路提供该恒定电压。时钟产生电路612具有滤波器元件和分频电路，并且可以基于产生在天线602处的交流电压产生具有所需频率的时钟，将该时钟提供给每个电路。

在此，时钟产生电路612产生的时钟的频率大小基本上为读写器和微电子机械系统601用来通信的电磁波的频率或更低。此外，时钟产生电路612具有环形震荡器，并且可以通过由电源电路611输入电压来产生任意频率的时钟。

解调电路613具有滤波器元件和放大电路，可以解调产生在天线602处的交流电压中包含的信号。解调电路613根据用于无线通信的调制方式具有不同结构的电路。解码电路615解码由解调电路613解调了的信号。所述被解调了的信号是从读写器发送的信号。信息判断电路617具有比较电路等，并且可以判断被解调了的信号是否从读写器发送的正确信号。当信号被判断为正确信息时，信息判断电路617向每个电路(例如，存储器控制电路622、算术电路623或结构体控制电路624等)发送表示是正确的信号。收到所述信号的电路可以进行预定工作。

编码电路616编码从微电子机械系统601向读写器发送的数据。调制电路614调制编码了的数据，并且通过天线602发送到读写器。

发送给读写器的数据是存储在存储器621中的微电子机械系统固有的数据，或是通过微电子机械系统具有的功能获得的数据。微电子机械系统固有的数据例如是固体识别信息等数据，所述固体识别信息等在微电子机械系统具有非易失性存储器的情形中，存储在该非易失性存储器中。通过微电子机械系统具有的功能获得的数据例如是由微结构获得的数据、以及基于该数据进行了某种运算的数据等。

存储器621可以具有易失性存储器和非易失性存储器，并且存储微电子机械系统601固有的数据、由微结构603获得的信息等。尽管图中仅示出了一个存储器621，但可以根据存储的信息类型和微电子机械系统601的功能具有多种存储器。存储器控制电路622在读取存储在存储器621中的信息且将信息写入到存储器621中的情况下，控制存储器621。具体而言，存储器控制电路622能够产生写入信号、读取信号、存储器选择信号等、以及指定地址等动作。

结构体控制电路624可以产生用来控制微结构603的信号。例如，在根据来自读写器的指令控制微结构603的情况下，基于由解码电路615解码的信号产生用于控制微结构603的信号。此外，在存储器621中存储有数据如用于控制微结构603的工作的程序等的情况下，基于从存储器621中读取的数据产生用于控制微结构603的信号。除此之外，结构体控制电路624可以具有如下反馈功能：基于存储器621中的数据、来自读写器的数据、以及从微结构603获得的数据，产生用于控制微结构603的信号。

算术电路623例如可以处理从微结构603获得的数据。此外，在上述结构体控制电路624具有反馈功能的情况下，算术电路623可以进行信息处理等。A/D转换电路625是用来转换模拟数据和数字数据的电路，并且可以向微结构603传送控制信号，或者转换来自微结构603的数据并将该数据传送给每个电路。信号放大电路626可以放大从微结构603获得的弱信号，并将此传送给A/D转换电路625。

再者，涉及实施方式3的FBAR滤波器可以用作涉及本实施方式的微结构603。此外，涉及实施方式1、2的微结构可以用作包括在解调电路613内的开关。通过将涉及本发明的微结构用于解调电路613的开关，可以缩小电路结构。当然，也可以适当地使用实施方式1、2所示的微结构作为其他所示的电路的开关。

由这种微电子机械系统可以进行无线通信。在微电子机械系统具有的微结构中，对于用于可移动部分的结构层照射激光并将结晶生长为片状，以减少或除去针形结晶，从而耐久性优良。因此，具有所述微结构的微电子机械系统具有高可靠性。

实施方式5

在本实施方式中，将描述在平面上形成涉及本发明的微结构、以及用于驱动该微结构的半导体元件的微电子机械系统的制造方法。另外，在此，将参照图7A至7F和图8A至8D描述制造顶部栅极型薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)作为半导体元件的情况。其中，在图7A至7F和图8A至8D中的左边形成半导体元件而在其右边形成微结构，从而以附图中的左边为第一区域500a，并且以其右边为第二区域500b。

首先，在衬底501上形成基底膜502。作为衬底501，可以使用玻璃衬底、硅衬底、塑料衬底等。作为基底膜502，可以使用氧化硅、氮化硅、含有氧的氮化硅(氮氧化硅)、含有氮的氧化硅(氧氮化硅)等。再者，基底膜502可以为用上述所举出的材料作成叠层结构。在本实施方式中，作为基底膜502可以通过等离子体CVD法以膜厚度为50至200nm(包括50nm和200nm)(优选为100至150nm(包括100nm和150nm))形成含有氮的氧化硅。

在基底膜502上形成半导体膜，将此加工为预定形状而形成半导体层503a、503b、504(图7A)。作为半导体膜，可以使用非晶或多晶的硅或锗硅。此外，也可以使用具有透光性的ZnO。在本实施方式中，形成非晶硅膜，然后使用以Ni为代表的催化金属元素使该非晶硅膜结晶而形成多晶硅膜。这样的多晶硅膜由于具有高迁移率，所以适合于半导体元件。另外，在第二区域500b中的半导体层504成为在之后的步骤中被除去的牺牲层。

由于可以在同一步骤中制造半导体元件的半导体层和微结构的牺牲层，所以可以简略步骤。

接下来，在第一区域500a的半导体层503a、503b上形成栅极绝缘膜505(图7B)。作为栅极绝缘膜505，例如可以使用氧化硅、氮化硅、或氧氮化硅等。另外，栅极绝缘膜505既可以为单层也可以为叠层。在叠层结构中，层叠选自上述的材料即可。另外，为了仅在第一区域500a中形成栅极绝缘膜505，在第二区域500b中预先形成掩模506。

在除去掩模506之后，形成第一导电膜507。然后，在第二区域500b中对于第一导电膜507照射激光(图7C)。第一导电膜507为具有很多生长为针形的结晶的结构。因此，通过对于第一导电膜507照射激光，并将此一旦熔化而重新结晶，来使针形结晶变成为非晶或多晶的片状或块状的结晶。在图7C中，箭头530表示激光扫描方向。

在照射激光之后，通过光刻法将第一导电膜507加工为所希望的形状，来形成半导体元件的栅电极508a、508b、以及成为微结构的下部电极的第一导电层509(图7D)。关于激光照射，可以使用实施方式1的条件。

另外，作为第一导电膜507，可以例如使用选自钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)等中的一种或多种或以上述材料为主要成分的合金等导电材料。在本实施方式中，使用钼膜形成第一导电膜507。

另外，在本实施方式中，对于半导体元件的栅电极508a、508b照射激光。在不照射激光而形成亚微米宽度的微细栅电极的情况下，由于在栅电极具有的多个针形结晶之间的晶粒界面中，由于金属结晶的周期混乱，且金属结晶的密度又降低，因而导致优先地被蚀刻，所以在栅电极侧面的方向中产生蚀刻率的不均匀。就是说，栅电极的宽度根据位置而不同，所以在TFT的沟道宽度方向中沟道长度将不同。随着TFT的微细化，所述问题进一步明显。因此，通过进行涉及本发明的激光照射，可以减少栅电极侧面的粗糙，并且抑制TFT的电气特性、阈值电压、开通电流等不均匀性。

接下来，在第二区域500b中设置掩模510，对于半导体元件的半导体层503a、503b掺杂带有n型或p型导电性的杂质元素，来形成杂质区域511a、511b(图7E)。

接下来，在除去掩模510之后，在第一区域500a及第二区域500b中形成绝缘膜。然后，通过在第二区域500b中蚀刻并除去绝缘膜，在第一区域500a中形成层间绝缘膜512(图7F)。作为层间绝缘膜512，可以使用选自SiN、SiO₂、SiON、SiNO中的一个或多个。

接下来，在第一区域500a及第二区域500b中形成具有压电性的膜，然后在第一区域500a中蚀刻并除去具有压电性的膜，在第二区域500b形成压电薄膜513a(图8A)。作为压电薄膜513a，可以使用具有压电性的膜如ZnO、AlN、PZT、BaTiO₃、Ta₂O₅等，令膜厚度为0.3至3μm(包括0.3μm和3μm)，优选为1至2μm(包括1μm和2μm)。

在层间绝缘膜512中分别形成贯通达到成为半导体层503a、503b的源区及漏区的杂质区域511a、511b的接触孔514(图8B)。然后，通过溅射法形成第二导电膜，并利用蚀刻加工为预定形状，从而在第一区域500a中形成与半导体元件的源区或漏区相连接的源电极或漏电极515，而在第二区域500b中形成成为微结构的上部电极的第二导电层516。作为第二导电膜，可以使用应用于第一导电膜507的导电材料。当加工第二导电膜时，同时还加工压电薄膜513a，来形成预定形状的压电薄膜513b(图8C)。

接下来，除去作为牺牲层的半导体层504。在除去牺牲层中可以使用湿式蚀刻法或干式蚀刻法。

通过上述步骤，可以在同一工序中形成半导体元件517和微结构518(在实施方式中，是指FBAR滤波器)(图8D)。结果，可以简略微电子机械系统的制造步骤。在微结构518中成为第一导电层509的第一导电膜507为具有多个针形结晶的结构，所以通过进行涉及本发明的激光照射，可以减少或消灭针形结晶并结晶生长为片状。因此，可以获得具有结晶取向的方向的剪切应力大、耐久性良好的微结构的微电子机械系统。

另外，在本实施方式中，对于第一导电膜507照射激光，当然也可以对第二导电膜照射激光。

本实施方式可以与其他实施方式适当地自由组合。

实施方式6

在本实施方式中，将参照图9A和9B说明实施方式4所描述的具有无线通信技术的微电子机械系统的具体结构及使用例子。

在图9A所示的微电子机械系统704中，由保护层涂布的封壳705内设置有具有涉及本发明的微结构的区域700。此外，在具有微结构的区域700设置有喷出口706。封壳705和具有微结构的区域700之间可以填充填充材料707。

设置在封壳705表面上的保护层优选含有类金刚石碳(DLC)、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、或氮化碳。作为封壳705或填充材料707使用已知的材料。通过将保护层设置在封壳705中，可以防止微电子机械系统在体内溶解或变性。

另外，通过使封壳最外表面具有圆形形状如椭圆形，可以安全地使用封壳而不会损伤人体。

涉及本实施方式的微电子机械系统704可以被投入到人体中并将医用制剂注入到疾病的患部。此外，通过微电子机械系统704具有附加功能如通过测定物理量或化学量来检出生物体的功能数据的传感器、采样患部细胞的采样器等，可以由电气电路将获得了的信息进行信号转换、信息处理，并且通过无线通信传送给读写器。根据微电子机械系统所具有的电气电路的结构，可以提供复杂的功能，如基于由微结构获得了的信息移动寻找疾病的患部，并观察患部来判断是否注入医用制剂等。

如图9B所示，被检查者708吞下微电子机械系统704，并且使其在人体内腔709移动到应该投入医用制剂的预定位置。由读写器710进行微电子机械系统704的控制、无线通信，并且喷出医用制剂。

涉及本实施方式的微电子机械系统704可以不局限于医疗目的地广泛地利用为可以遥控的喷出器件。例如，当调配药品时，在工作者会受到危险的工作如产生有害气体、有可能爆发等中，通过使包括在具有涉及本实施方式的微电子机械系统704的微结构的区域700内的桶中填充所述医用制剂，进行遥控，可以进行医用制剂的调配。由此，对于工作者产生的危险大幅度地降低。

通过使用涉及本发明的微结构，可以提供即使在人体内腔709移动时，也不容易被破坏、耐久性良好且可靠性高的微电子机械系统。

实施方式7

在本实施方式中，将参照图10A和10B说明上述实施方式中所描述的具有无线通信技术的微电子机械系统的具体结构及另一个使用例子。

在此，将描述将微电子机械系统用作压力传感器的例子。在用作压力传感器的情况下，在微结构的隔膜(diaphragm)设置应力检测器，通过改变隔膜的尺寸及厚度，可以设计各种感度的压力传感器。

当汽车的轮胎806的压力降低时，轮胎806的变形量扩大并阻力增加，结果导致既增加燃料消耗率又产生事故等。在涉及本实施方式的微电子机械系统中，可以比较简便且平常地提供监视轮胎806的压力的系统。

如图10A所示，在轮胎806的车轮808部分设置由保护层涂布涉及本发明的微结构而成的微电子机械系统807。

然后，通过将读写器809接近到微电子机械系统807并进行无线通信，可以获得轮胎806的压力信息。无线通信技术等与上述实施方式4是相同的。

图10B示出了微电子机械系统807的结构。涉及本实施方式的微电子机械系统807包括为了与读写器809无接触地输入输出数据而用作天线的导电膜811、与用作天线的导电膜811连接的电子电路部分812。其中，电子电路部分812具备如薄膜晶体管等半导体元件和涉及本发明的微结构。

用作天线的导电膜811通过使用CVD法、溅射法、液滴喷射法、丝网印刷法等印刷法，由选自铝(Al)、钛(Ti)、银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)等中的元素、或以这些元素为主要成分的合金材料或化合物材料以单层或叠层来形成。例如，通过丝网印刷法使用含有银的膏来形成，然后进行50至350℃的加热处理来形成。或者，通过溅射法形成铝膜，图案加工该铝膜来形成。对于铝膜的图案加工优选使用湿式蚀刻加工，在进行湿式蚀刻加工之后，优选进行200至300℃的加热处理。

另外，作为可以无接触地输入输出数据的微电子机械系统的信号传送方法，可以使用电磁耦合方法、电磁感应方法或微波方法等。实施者既可考虑到使用用途适当地选择传送方法，也可根据传送方法设置最合适的天线。

例如，在使用电磁耦合方法或电磁感应方法(例如13.56MHz频带)作为微电子机械系统的信号传送方法的情况下，由于利用磁场密度的改变引起的电磁感应，因此，将用作天线的导电膜形成为环形(例如环形天线)、螺旋形(例如螺旋天线)。

此外，在使用微波方法(例如UHF频带(860至960MHz频带)、2.45GHz频带等)作为微电子机械系统的信号传送方法的情况下，考虑到用于传送信号的电磁波的波长，适当地设定用作天线的导电膜的长度等形状。例如，可将用作天线的导电膜形成为线形(例如，偶极天线)、平坦形状(例如贴片天线)、或扁形形状等。此外，用作天线的导电膜的形状不局限于线形，考虑到电磁波的波长还可以形成为曲线形状、回折形状、或其组合的形状。

根据本实施方式，通过在微电子机械系统中设置天线，可以不需要去汽车配备工厂如街头汽油加油站等而比较简便且平常地监视轮胎806的气压。

本实施方式可以与其他实施方式适当地自由组合。

实施例1

在本实施例中，将参照图11A和11B描述对于用于本发明的微结构的钼的金属层照射激光的前后状态。

图11A示出了对于通过溅射法在石英衬底上大约形成为400nm厚的钼膜进行FIB(聚焦离子束：Focused Ion Beam)加工而获得了的截面SIM(Scanning Ion Microscope)像。如箭头所示，向垂直于衬底的方向形成有多个针形结晶。这种针形结晶对于结晶生长的方向的振动弱，由于比较小的应力而容易从晶粒界面被破坏。

图11B示出了在以扫描速度500mm/sec、输出功率200W的条件照射YAG激光之后的钼膜的截面SIM像。可以看到宽度为400至700nm左右的块状的晶粒。钼膜由激光照射一旦熔化，由于沿着激光的扫描方向重新结晶，因此可以获得向扫描方向生长的晶粒。因此，因为微结构其耐久性优良，因此使用涉及本发明的微结构的微电子机械系统具有高可靠性。

本说明书根据2005年11月30日在日本专利局受理的日本专利申请号2005-345088而制作，通过参考所述申请内容均包括在本说明书中。

Claims

1.一种微结构的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成包括针形的结晶的金属膜；

对于所述金属膜照射激光或从灯发射的光，以使所述针形的结晶变为片状的结晶；

蚀刻所述金属膜的一部分，以使所述牺牲层的一部分露出；以及

在蚀刻所述金属膜的一部分之后除去所述牺牲层。

2.根据权利要求1所述的微结构的制造方法，其中所述金属膜通过溅射法形成。

3.根据权利要求1所述的微结构的制造方法，其中所述金属膜包括选自包含W、Mo、Ti、Ta、Pt和Ag的组中的金属材料。

4.根据权利要求1所述的微结构的制造方法，其中所述衬底为选自包含玻璃衬底、塑料衬底、石英衬底和硅衬底的组中的一种衬底。

5.根据权利要求1所述的微结构的制造方法，其中所述激光为选自包含Ar激光、Kr激光、受激准分子激光、YAG激光、Y₂O₃激光、YVO₄激光、YLF激光、YAlO₃激光、玻璃激光、红宝石激光、紫绿宝石激光、Ti：兰宝石激光、铜蒸汽激光和金蒸汽激光的组中的一种或多种激光。

6.一种通过如权利要求1所述的制造方法而形成的微结构。

7.一种包括如权利要求6所述的微结构的微电子机械系统。

8.一种微结构的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成牺牲层；

形成包括针形的结晶的第一导电膜以覆盖所述牺牲层；

对于所述第一导电膜照射激光或从灯发射的光，以形成具有片状的结晶的第一电极；

在所述第一电极上形成压电薄膜；

在所述压电薄膜上形成第二导电膜；

加工所述压电薄膜和第二导电膜，以形成第二压电薄膜和第二电极；

蚀刻所述第二压电薄膜的一部分和所述第二电极的一部分，以使所述牺牲层的一部分露出；以及

在蚀刻所述第二压电薄膜的一部分和所述第二电极的一部分之后，除去所述牺牲层。

9.根据权利要求8所述的微结构的制造方法，其中所述第一导电膜通过溅射法形成。

10.根据权利要求8所述的微结构的制造方法，其中所述第一导电膜包括选自包含W、Mo、Ti、Ta、Pt和Ag的组中的金属材料。

11.根据权利要求8所述的微结构的制造方法，其中所述第二导电膜通过溅射法形成。

12.根据权利要求8所述的微结构的制造方法，其中所述第二导电膜包括晶体。

13.根据权利要求12所述的微结构的制造方法，还包括以下步骤：

对于所述第二导电膜照射激光。

14.根据权利要求8所述的微结构的制造方法，其中所述第二导电膜包括选自包含W、Mo、Ti、Ta、Pt和Ag的组中的金属材料。

15.根据权利要求8所述的微结构的制造方法，其中所述压电薄膜为选自包含氧化锌、氮化铝、锆钛酸铅、钛酸钡、以及氧化钽的组中的一种材料。

16.根据权利要求8所述的微结构的制造方法，其中所述衬底为选自包含玻璃衬底、塑料衬底、石英衬底和硅衬底的组中的一种衬底。

17.根据权利要求8所述的微结构的制造方法，其中所述激光为选自包含Ar激光、Kr激光、受激准分子激光、YAG激光、Y₂O₃激光、YVO₄激光、YLF激光、YAlO₃激光、玻璃激光、红宝石激光、紫绿宝石激光、Ti：兰宝石激光、铜蒸汽激光和金蒸汽激光的组中的一种或多种激光。

18.根据权利要求13所述的微结构的制造方法，其中所述激光为选自包含Ar激光、Kr激光、受激准分子激光、YAG激光、Y₂O₃激光、YVO₄激光、YLF激光、YAlO₃激光、玻璃激光、红宝石激光、紫绿宝石激光、Ti：兰宝石激光、铜蒸汽激光、和金蒸汽激光的组中的一种或多种激光。

19.一种通过如权利要求8所述的制造方法来形成的微结构。

20.一种包括如权利要求19所述的微结构的微电子机械系统。