CN1991555B - 显示基板、其制造方法以及包括其的显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种经改进的显示基板以降低在有机薄膜晶体管的绝缘层上的表面缺陷。还提供了制造的相关方法。在一个实施例中，显示基板包括底板、多条数据线、多条栅极线、由所述数据线和栅极线限定的像素、有机薄膜晶体管、以及像素电极。所述数据线在所述底板上并以第一方向定向。所述栅极线以与所述第一方向交叉的第二方向定向。所述有机薄膜晶体管包括电连接至数据线之一的源电极、电连接至栅极线之一的栅电极、以及有机半导体层。所述像素电极设置在所述像素内并电连接至有机薄膜晶体管。所述像素电极包括透明的氧氮化物。

Description

显示基板、其制造方法以及包括其的显示面板
技术领域
本发明总体上涉及显示基板、其制造方法以及具有该显示基板的显示面板。更具体地说，本发明涉及用于液晶显示器(LCD)的显示基板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是一种最广泛使用的平板显示器。LCD包括两个设置有场形成电极的基板和放于两个基板之间的液晶(LC)层。LCD通过将电压施加到场发生电极而显示图像，施加电压是为了在LC层中提供电场，其决定LC层中LC分子的定向，以影响经过其中的光的极化。
典型的，一个基板包括多条栅极线、多条与栅极线交叉的数据线、由栅极线和数据线限定的像素。每一像素包括像素电极和薄膜晶体管，以控制施加到像素电极的电压。在制造过程中，薄膜晶体管阵列基板通常被暴露在约250℃至约400℃范围内的高温下。例如，为了通过等离子化学气相沉积工艺将传统的栅极绝缘层和传统的半导体层沉积到阵列基板上，阵列基板可以暴露在大于250℃的温度下。
最近，已经开发了由有机材料形成的薄膜晶体管阵列基板。这些基板可以在低温下形成并且可以包括由有机绝缘材料形成的栅极绝缘层和由有机半导体材料形成的信道层。
然而，栅极绝缘层的表面在其上形成像素电极过程中可能被损坏。这种表面损坏可以引起在栅极绝缘层上形成的有机半导体的缺陷，导致像素电极透射率的降低。因此，需要有机薄膜晶体管的改进方法，该方法降低与目前设计相关的栅极绝缘层的可能的表面损坏。
发明内容
在根据本发明一个具体实施方式的示例性显示基板中，该显示基板包括底板、多条数据线、多条栅极线、像素、有机薄膜晶体管、以及像素电极。该数据线在该底板上并且以第一方向定向。该栅极线以与第一方向交叉的第二方向定向。该像素由该数据线和栅极线限定。该有机薄膜晶体管包括电连接至该数据线之一的源电极、电连接至该栅极线之一的栅电极、和有机半导体层。该像素电极设置在该像素内并电连接至该有机薄膜晶体管。该像素电极包括透明的氧氮化物。
在根据本发明另一个具体实施方式的用于制造显示基板的示例性方法中，该方法包括在底板上形成数据线，其中该数据线以第一方向定向；形成栅极线和电连接至该栅极线的栅电极，其中该栅极线以与第一方向交叉的第二方向定向；在该栅极线和栅电极上形成第一绝缘层；在该绝缘层上形成透明导体，其中该透明导体包含氧氮化物；以及图案化该透明导体以形成电连接至该数据线的源电极、像素电极、以及与该像素电极一体形成的漏电极。
在根据本发明另一个具体实施方式的示例性的显示面板中，该显示面板包括阵列基板、彩色滤光片基板、和置于该阵列基板和该彩色滤光片基板之间的液晶层。该阵列基板包括像素、有机薄膜晶体管、以及像素电极。该像素由多条数据线和多条栅极线限定。该数据线以第一方向定向，而该栅极线以与第一方向交叉的第二方向定向。该有机薄膜晶体管形成在该像素中并且包括电连接至该数据线之一的源电极、漏电极、以及电连接至该栅极线之一的栅电极。该像素电极电连接至该漏电极并且包括透明的氧氮化物。
附图说明
参照以下详细说明和附图，对于本领域的技术人员来说，本发明的特征将变得更显而易见，在附图中：
图1是根据本发明一个具体实施方式的显示基板的平面图。
图2是根据本发明一个具体实施方式的图1的显示基板沿线1-1’的显示面板的截面图。
图3A至图3E是示出了用于制造根据本发明一个具体实施方式的图1的显示基板的各种工序步骤的截面图。
图4A至4B是示出了用于制造根据本发明的另一个具体实施方式的显示基板的各种工序步骤的截面图。
图5A至5F是根据本发明的具体实施方式在多个测试条件下显示基板的有机绝缘层的图片。
图6是展示根据本发明的具体实施方式相应于图5A至5F的测量结果的图。
图7A至7F是用于根据本发明具体实施方式的另外多个测试条件的显示基板的有机绝缘层的图片。
图8是展示根据本发明的具体实施方式相应于图7A至7F的测量结果的图
在不同图中使用的相同参考标记表示类似或相同的含义。
具体实施方式
图1是根据本发明一个具体实施方式的显示基板的平面图。该显示基板包括多条呈纵向的数据线DLm和DLm+1，和呈横向并与纵向交叉的多条栅极线GLn-1和GLn。数据线DLm和DLm+1和栅极线GLn-1和GLn限定像素P。每一像素P包括像素电极155、有机薄膜晶体管OTFT、以及存储电容器电极135。
数据线DLm和DLm+1的末端部分包括用于接受施加的数据信号的数据焊盘区域。栅极线GLn-1和GLn的末端部分包括用于接收施加的栅极信号的栅极焊盘区域。例如，数据焊盘DPm形成在数据线DLm的末端，而栅极焊盘GPn形成在栅极线GLn的末端。
数据线DLm和DLm+1和栅极线GLn-1和GLn可以包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、钼(Mo)、钼合金、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、或其它材料。
数据焊盘DPm包括数据线DLm的末端部分113和与末端部分113电连接的接触助件157。栅极焊盘GPn包括栅极线GLn的末端部分133和与末端部分133电连接的接触助件159。在一个具体实施方式中，像素电极155和接触助件157和159包括相同的导电材料。
有机薄膜晶体管OTFT包括电连接至数据线DLm的源电极151、用栅极线GLn形成的栅电极131、以及与像素电极155一体形成的漏电极153。在一个具体实施方式中，源电极151和漏电极153包括与像素电极155相同的导电材料。源电极151通过第一接触孔181连接至数据线DLm。有机薄膜晶体管OTFT的信道160包括有机半导体层。在不同的具体实施方式中，该有机半导体层可以包括并五苯、聚噻吩、或线性多环芳烃例如萘、蒽、或并四苯。栅极绝缘层形成在栅电极131上。
像素电极155形成在栅极绝缘层上并且可包括透明导电材料例如含有铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、铝(Al)、或镓(Ga)的氧氮化物。该透明导电材料可以包括无定形铟锡氧氮化物(a-ITON)或铟锌氧氮化物(IZON)。
在一个具体实施方式中，存储电容器电极135用栅极线GLn-1一体形成并与栅极线电连接。因此，存储电容器电极135可以与栅极线GLn-1共用断开电压(gate-off voltage)。在另一具体实施方式中，存储电容器电极135可以与栅极线GLn-1分开形成，并使用单独施加在存储线上的电压。
图2是根据本发明一个具体实施方式的图1中的显示基板沿线1-1’获取的显示面板的截面图。参照图1和图2，该显示面板包括阵列基板100(即显示基板)、彩色过滤片基板200、以及插入到它们之间的液晶层300。阵列基板100包括其上形成有数据线DLm和DLm+1的第一底板(base)101，包括数据焊盘DPm的末端部分113。底板绝缘层120形成在数据线DLm和DLm+1和第一底板101上。底板绝缘层120可以包括无机材料例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)、或有机材料。栅极线GLn-1和GLn、栅电极131、以及存储电容器电极135形成在底板绝缘层120上。
栅极绝缘层140形成在栅电极131和底板绝缘层120的部分上。栅极绝缘层140可以包括具有高介电常数的介电材料并且可以包括引发剂(initiator)例如聚合物(例如聚乙烯醇缩丁醛(PVB))、有机-无机混合物(例如有机硅烷)，或有机金属材料(例如钛酸有机酯)。该介电材料可以包括铁电材料例如BaxSr1-xTiO3(钛酸锶钡)、Ta2O5、Y2O3、TiO2、PbZrxTi1-xO3(PZT)、Bi4Ti3O12、BaMgF4、SrBi2(Ta1-xNBx)2O9、Ba(Zr1-xTix)O3(BZT)、BaTiO3、SrTiO3、Bi4Ti3O12、或其它材料。
透明导体被沉积并图案化(patterned)以形成像素电极155、漏电极153、源电极151、以及接触助件157和159。接触助件157和159分别通过第二接触孔183和第三接触孔185电连接至数据线DLm和栅极线GLn的末端部分113和133。该透明导体可以包括透明导电材料，例如通过将氮加入到含In、Sn、Zn、Al、或Ga的氧化物而形成的氧氮化物。在一个具体的实施方式中，该透明导体包括a-ITON或IZON。
如果该透明导体包括无定形的铟锡氧化物(a-ITO)或无定形的铟锌氧化物(a-IZO)，栅极绝缘层140的表面在透明导体的沉积和蚀刻期间可以被损坏。具体地说，可能会在栅极绝缘层140的表面上产生突起，从而导致在其上形成的有机半导体层161的缺陷。这可以降低有机薄膜晶体管OTFT的等级并降低像素电极155的透光率。
根据本发明的不同具体实施方式，可以用氧氮化物来形成该透明导体，以便减少这种突起并降低与此相关的影响，这一点将会结合在下文进一步描述的实例加以解释。
有机半导体层161和阻挡层163按次序沉积并图案化在漏电极153和源电极151之上以形成信道160。形成钝化层170，以保护和隔离有机薄膜晶体管OTFT。
彩色滤光片基板200包括第二底板201、遮光图案210(例如黑底(black matrixes))、彩色滤光片220、以及共用电极230。遮光图案210形成在第二底板201上以防止漏光并描绘出像素P相应的区域。彩色滤光片220形成在遮光图案(模型)210和第二底板201的部分上并代表至少一种原色：红、绿、和/或蓝。可以在彩色滤光片220和遮光图案210上形成覆盖层(overcoat)(未示出)，以使第二底板201的上表面更平坦。
共用电极230形成在彩色滤光片220上。像素电极155、共用电极230、以及在它们之间的液晶层300形成液晶电容器(CLC)。在像素电极155和共用电极230之间施加的电压确定液晶层300的液晶分子的方向。
图3A至图3E示例性说明了用于制造图1中的阵列基板的不同工序。参照图1和图3A，在第一底板101上沉积金属层并图案化以形成数据线DLm和DLm+1以及末端部分113。如所示出的，数据线DLm和DLm+1取向为纵向，末端部分113显示相当大的宽度。底板绝缘层120形成在数据线DLm和DLm+1上。
参照图1和图3B，在底板绝缘层120上形成栅极线GLn-1和GLn、栅电极131、栅极线GLn的末端部分133、以及存储电极135。栅极绝缘层140形成在栅极线GLn和底板绝缘层120的一部分上。
参照图1和图3C，第一、第二、和第三接触孔181、183和185分别通过光刻技术形成在栅极绝缘层140上。第一接触孔181暴露数据线DLm的一部分以使数据线DLm电连接至源电极151。第二接触孔183暴露数据线DLm的末端部分113的一部分以形成数据焊盘DPm。第三接触孔185暴露栅极线GLn的末端部分133的一部分以形成栅极焊盘GPn。
透明导体150形成在第一、第二、和第三接触孔181、183和185以及栅极绝缘层140上。透明导体150可以通过溅射工艺由例如a-ITON或IZON形成。在一个具体实施方式中，透明导体150可以通过将3.7kW施加到包括氩、水蒸汽、氧、和/或氮的流入气体而沉积。在这点上，可以以30标准立方厘米/分钟(sccm)的流速提供氩，用于等离子体放电。可以分别以30sccm、1.5sccm和0sccm的流速加入氮、水蒸汽、和氧。
如果用来形成透明导体150的氮的用量增加，栅极绝缘层140的表面缺陷降低，但是栅极绝缘层140的电阻增加。在一个具体实施方式中，氮可以在约20sccm至约40sccm的范围内的流速下提供，以便降低表面缺陷而不显著增加栅极绝缘层140的电阻。
参照图1和图3D，透明导体150通过光刻工艺图案化，以形成源电极151、漏电极153、像素电极155、以及接触助件157和159。源电极151通过第一接触孔181电连接至数据线DLm。接触助件157通过第二接触孔183电连接至数据线DLm的末端部分113上以形成数据焊盘DPm。接触助件159通过第三接触孔185电连接至栅极线GLn的末端部分133以形成栅极焊盘GPn。
参照图1和图3E，有机半导体层161和阻挡层163按次序形成在源电极151、漏电极153、以及栅极绝缘层140之上，并利用光刻工艺加以蚀刻以形成信道160。阻挡层163在后续工序中保护有机半导体层161。钝化层170形成在栅极绝缘层140、源电极151、漏电极153、以及阻挡层163上，以保护有机薄膜晶体管OTFT。
图4A至4B示例性说明了根据本发明的另一个具体实施方式制造阵列基板的不同工序步骤。将可以看出，图4A至4B的阵列基板包括了类似于这些前述的图3A至图3E中有关阵列基板的各种结构。
参照1和图4A，金属层沉积在第一底板401上被图案化以形成数据线DLm和DLm+1和末端部分413。如所示出的，数据线DLm和DLm+1呈纵向，而末端部分413显示相当大的宽度。底板绝缘层420形成在数据线DLm和DLm+1上。
栅极线GLn-1和GLn、栅电极431、和栅极线GLn的末端部分433、以及存储电极135形成在底板绝缘层420上。栅极绝缘层440形成在栅极线GLn和底板绝缘层420的一部分上。
第一、第二、和第三接触孔481、483、和485分别通过光刻工艺形成在栅极绝缘层440上。第一接触孔481暴露数据线DLm的一部分以使数据线DLm电连接至源电极151。第二接触孔483暴露数据线DLm的末端部分413的一部分以形成数据焊盘DPm。第三接触孔485暴露栅极线GLn的末端部分433的一部分以形成栅极焊盘GPn。
透明导体450形成在第一接触孔481、第二接触孔483、和第三接触孔485、以及栅极绝缘层440上。透明导体450可以通过例如溅射工艺而形成。透明导体450包括下层导体450a和上层导体450b。将可以看出，与图3A至3E中的透明导体150相比，透明导体450显示双层结构。
下层导体450a降低由后续工序引起的栅极绝缘层440的表面缺陷。上层导体450b增加透明导体450的透明度，从而改善了像素P的透光率。
在一个具体实施方式中，下层导体450a包括含In、Sn、Zn、Al、或Ga的氧氮化物。如果需要，下层导体450a可以包括a-ITON或IZON。例如，下层导体450a可以通过施加3.7kW输入功率到包括氩、水蒸汽、氧、和/或氮的流入气体而沉积。在这点上，可以以70sccm的流速提供氩，用于等离子体放电。可以分别以1.5sccm、0sccm和30sccm的流速加入水蒸汽、氧、和氮。
在一个具体实施方式中，上层导体450b包括含In、Sn、Zn、Al、或Ga的氧化物。如果需要，上层导体450b可以包括a-ITO或IZO。例如，上层导体450b可以通过施加3.7kW输入功率到包括氩、水蒸汽、和/或氧的流入气体而沉积。在这点上，可以以100sccm的流速提供氩用于等离子体放电。可以分别以1.5sccm和0.5sccm的流速加入水蒸汽和氧。
参照图1和图4B，利用光刻工艺图案化透明导体450，以形成源电极451、漏电极453、像素电极455、以及接触助件457和459。源电极451通过第一接触孔481电连接至数据线DLm。漏电极453和像素电极455一体形成。接触助件457通过第二接触孔483电连接至数据线DLm的末端部分413，以形成数据焊盘DPm。接触助件459通过第三接触孔485电连接至栅极线GLn的末端部分433，以形成栅极焊盘GPn。
在源电极451、漏电极453、以及栅极绝缘层440上按次序形成有机半导体层461和阻挡层463。在一个具体实施方式中，有机半导体层461包括并五苯、聚噻吩、或线性多环芳烃例如萘、蒽、或并四苯。阻挡层463在后续工序期间保护有机半导体层461。在栅极绝缘层440、源电极451、漏电极453、以及阻挡层463上形成钝化层470，以保护和隔离有机薄膜晶体管OTFT。
下面实施例确证了在根据本发明不同具体实施方式的透明导体中包括氧氮化物的效果。表1示出了实施例1至6，其中在不同实验条件下利用磁控管DC溅射将a-ITO沉积在栅极绝缘层上。图5A至5F分别是在相应于实施例1至6的实验条件下的有机绝缘层的图片。图6是展示相应于图5A至5F的测量结果的图。
表1
                                     实施例                                      功率(kw)                                      扫描数                                      H2O(sccm)                                      O2(sccm)                                      Ar(sccm)
                                     1                                      3.4                                      4                                      1.5                                      0.5                                      100
                                     2                                      1.85                                      8                                      1.5                                      0.5                                      100
                                     3                                      3.7                                      4                                      1.5                                      0                                      100
                                     4                                      3.7                                      4                                      1.5                                      1.5                                      100
                                     5                                      3.7                                      4                                      1.5                                      2.5                                      100
                                     6                                      3.7                                      4                                      3                                      0.5                                      100
在表1的实施例中，将氩用于等离子体放电，而用不同量的输入功率、水蒸汽、和氧气来沉积a-ITO，如表1所示。通过湿法蚀刻去除沉积的a-ITO后分析栅极绝缘层的表面。
在实施例1中，使用了3.4kw输入功率、4磁扫描、1.5sccm的水蒸汽和0.5sccm的氧以形成a-ITO。这种条件是常用的标准。参照图5A和图6，实施例1的栅极绝缘层表面显示高度在约1.9nm至约2.7nm范围的突起a1。
在实施例2中，使用了1.85kw输入功率、8磁扫描、1.5sccm的水蒸汽和0.5sccm的氧以形成a-ITO。将可以看出，实施例2的输入功率小于实施例1的输入功率。参照图5B和图6，实施例2的栅极绝缘层表面显示高度在约1.6nm至约1.7nm范围的突起a2。在这点上，将可以看出，由于输入功率从3.7kw降低到1.85kw，在栅极绝缘层表面上的突起a2的高度降低了。
在实施例3至5中，调整了氧的流速。具体地说，在实施例3、4和5的a-ITO沉积中分别使用了0sccm、1.5sccm、和2.5sccm的氧流速。参照图5C-E和图6，将可以看出，随着氧流速增加，在栅极绝缘层表面上的突起a3-a5的高度也增加了。在这点上，实施例5的突起a5(其在实施例3-5中使用最多的氧)显示在约3.4nm至约3.5nm范围内的最大高度。
在实施例6中，使用了3.7kw输入功率、4磁扫描、3sccm的水蒸汽和0.5sccm的氧以沉积a-ITO。在这点上，将可以看出，实施例6使用了比实施例1更多的水蒸汽量。参照图5F和图6，实施例6的栅极绝缘层表面显示高度在约1.65nm至约1.75nm范围内的突起a6。因此，将可以看出，随着水蒸汽(水汽，water vapor)用量从1.5sccm增加到3sccm，突起的高度降低了。
根据上面的结果，随着输入功率降低或水蒸汽量的增加，栅极绝缘层的表面粗糙度(即，在其上形成的突起的高度)降低了。然而，在制造显示基板过程中控制输入功率和加入的水蒸汽的量会额外增加制造工艺的复杂性。
表2示出了实施例7至12，其中，在不同实验条件下利用磁控管DC溅射将a-ITON沉积在有机绝缘层上。图7A至7F分别是在相应于实施例7至12的实验条件下的栅极绝缘层的图片。图8是展示相应于图7A至7F的测量结果的图表。
表2
                                     实施例                                      功率(kw)                                      扫描数                                      H2O(sccm)                                      O2(sccm)                                      Ar(sccm)                                      N2(sccm)
                                     7                                      3.7                                      4                                      1.5                                      0                                      90                                      10
                                     8                                      3.7                                      4                                      1.5                                      0                                      80                                      20
                                     9                                      3.7                                      4                                      1.5                                      0                                      70                                      30
                                     10                                      1.85                                      8                                      1.5                                      0                                      90                                      10
                                     11                                      1.85                                      8                                      1.5                                      0                                      80                                      20
                                     12                                      1.85                                      8                                      3                                      0                                      100                                      0
在表2的实施例中，氩用于等离子体放电而a-ITO用各种量的输入功率和氮沉积，如表2所示。通过湿法蚀刻去除沉积的a-ITON后分析栅极绝缘层的表面。
在实施例7至9中，调整氮的用量。在实施例7中，使用了3.7kw输入功率、4磁扫描、1.5sccm的水蒸汽、0sccm的氧、90sccm的氩、以及10sccm的氮以沉积a-ITON。参照图7A和图8，实施例7的栅极绝缘层表面显示高度在约1.5nm至约2.5nm范围的突起b1。将可以看出，突起b1的高度小于实施例1中的突起a1的高度。
在实施例8和9中，氮的用量分别变成20sccm和30sccm。参照图7B、7C和图8，实施例8的突起b2在约1.5nm至约1.8nm的高度内变化，并且实施例9的突起b3显示小于约1nm的高度。因此，从实施例7至9将看出，随着氮用量的增加，栅极绝缘层的表面粗糙度(即，在其上形成的突起的高度)降低。
在实施例10中，使用了1.8kw输入功率、8磁扫描、1.5sccm的水蒸汽、0sccm的氧、90sccm的氩、以及10sccm的氮以沉积a-ITON。输入功率从实施例7的3.7kw降低到1.8kw。参照图7D和图8，实施例10的突起b4显示约2nm的高度。
在实施例11中，使用了1.85kw输入功率、8磁扫描、1.5sccm的水蒸汽、0sccm的氧、80sccm的氩、以及20sccm的氮以沉积a-ITON。参照图7E和图8，实施例11的突起b5显示约1.5nm的高度。
根据上面的实施例可以看出，实施例10中的输入功率(即1.85kw)小于实施例7的输入功率(即，3.7kw)。然而，实施例7和10的突起b1和b4显示类似的高度。还将看到，实施例11中的输入功率(即1.85kw)小于实施例8的输入功率(即，3.7kw)。然而，实施例8和11的突起b2和b5显示类似的高度。
因此，将可以看出，随着氮用量增加，栅极绝缘层的表面粗糙度(即，在其上形成的突起的高度)降低并且不依赖于输入功率。尤其是，当如实施例9中使用30sccm的氮时，栅极绝缘层的粗糙度显著改善了。
在实施例12中，使用了1.85kw输入功率、8磁扫描、3sccm的水蒸汽、0sccm的氧、0sccm的氮、以及100sccm的氩以沉积a-ITON。在这点上，将看到，在实施例12中使用的水蒸汽量高于实施例7～11，并且在实施例12中不加入氮。参照图7F和图8，实施例12的突起b6显示的高度在约1.5nm至约2nm的范围内。因此，将可以看到，当增加水蒸汽量而不加入任何的氮时，与实施例9使用30sccm的氮相比，栅极绝缘层的表面粗糙度没有改善。然而，如在上面实施例中所示例说明的，由于增加了氮用量，因而改善了栅极绝缘层的表面粗糙度。
根据本文描述的本发明的各种具体实施方式，包括氧氮化物的透明导体可以降低栅极绝缘层上的表面缺陷，从而降低形成在栅极绝缘层上的有机半导体层内的缺陷。因此可以改善相关的有机薄膜晶体管的工作性能。此外，通过降低栅极绝缘层的表面粗糙度，可以改善在栅极绝缘层上形成的透明导体的透射率。
本领域技术人员将可以看出，在不背离本发明的精神和范围的条件下，可以对本发明的材料、装置、结构、以及方法进行各种变化、替换和改变。据此，本发明的范围并不限制为本文所说明和描述的具体实施方式，因为它们仅仅是示例性的，本发明的范围应当与所附的权利要求的范围充分等同。

Claims (20)

1.一种显示基板，包括：
底板；
在所述底板上的多条数据线，其中，所述数据线以第一方向定向；
多条栅极线，其以与所述第一方向交叉的第二方向定向；
像素，其由所述数据线和所述栅极线限定；
有机薄膜晶体管，包括：
源电极，其电连接至所述数据线之一；
栅电极，其电连接至所述栅极线之一；以及
有机半导体层；
像素电极，其设置在所述像素内并电连接至所述有机薄膜晶体管，其中所述像素电极包括透明的氧氮化物；以及
栅极绝缘层，其设置在所述像素电极的下面，
其中，所述像素电极直接形成在所述栅极绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述透明的氧氮化物包括选自由铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、铝(Al)、以及镓(Ga)组成的组中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述像素电极包括：
下层导体，其在所述栅极绝缘层上并且包括所述透明的氧氮化物；以及
上层导体，其在所述下层导体上并且包括透明的氧化物。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述透明氧化物包括选自由铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、铝(Al)、以及镓(Ga)组成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述源电极通过接触孔电连接至所述数据线之一，并且其中所述源电极和像素电极由所述透明氧氮化物的层形成。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述薄膜晶体管进一步包括与所述像素电极一体形成的漏电极。
7.根据权利要求1所述的显示基板，进一步包括在所述有机半导体层上的阻挡层。
8.一种用于制造显示基板的方法，包括：
在底板上形成数据线，其中所述数据线以第一方向定向；
形成栅极线和电连接至所述栅极线的栅电极，其中所述栅极线以与所述第一方向交叉的第二方向定向；
在所述栅极线和栅电极上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上直接形成透明导体，其中所述透明导体包括氧氮化物；以及
图案化所述透明导体以形成电连接至所述数据线的源电极、像素电极、以及与所述像素电极一体形成的漏电极。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在所述数据线和底板上形成第二绝缘层。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第一绝缘层包括形成接触孔以暴露所述数据线的一部分。
11.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在所述源电极和漏电极上、以及在所述栅电极之上形成有机半导体层。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在所述有机半导体层、所述源电极、以及所述漏电极上形成钝化层。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述形成透明导体包括以约20标准立方厘米/分钟至约40标准立方厘米/分钟的范围内的流速向所述第一绝缘层提供氮气。
14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述氧氮化物包括选自由铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、铝(Al)、以及镓(Ga)组成的组中的至少一种。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述透明导体包括：
通过在所述第一绝缘层上沉积透明氧氮化物而形成下层导体；以及
通过在所述下层导体上沉积透明氧化物而形成上层导体。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述透明氧化物包括选自由铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、铝(Al)、以及镓(Ga)组成的组中的至少一种。
17.一种显示面板，包括：
阵列基板，其包括：
像素，由多条数据线和多条栅极线限定，其中，所述数据线以第一方向定向，而所述栅极线以与所述第一方向交叉的第二方向定向；
形成在所述像素中的有机薄膜晶体管，其中所述有机薄膜晶体管包括：
源电极，其电连接至所述数据线之一；
漏电极；以及
栅电极，其电连接至所述栅极线之一；
像素电极，其电连接至所述漏电极，其中所述像素电极包括透明氧氮化物；以及
栅极绝缘层，其设置在所述像素电极的下面；
彩色滤光片基板，其在所述阵列基板之上；以及
液晶层，其置于所述阵列基板和彩色滤光片基板之间，其中，所述像素电极直接形成在所述栅极绝缘层上。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述透明氧氮化物包括选自由In、Sn、Zn、Al和Ga组成的组中的至少一种。
19.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述像素电极包括包括所述透明氧氮化物的下层导体，和包括所述透明氧化物的上层导体。
20.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述源电极和所述漏电极包括所述透明氧氮化物。
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