DE03716012T1 - An feststoff gebundener radikalbildender aktivator und verwendung zur verbesserung von formulierungen für das chemisch-mechanische polieren - Google Patents

An feststoff gebundener radikalbildender aktivator und verwendung zur verbesserung von formulierungen für das chemisch-mechanische polieren Download PDF

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Abstract

Zusammensetzung zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleiter- oder Speicherelement-Substrats, enthaltend:
ein Fluid, enthaltend mindestens eine Verbindung, die freie Radikale erzeugt, wobei die mindestens eine Verbindung beim Kontakt mit mindestens einem Aktivator freie Radikale erzeugt, und wobei der pH-Wert des Fluids zwischen etwa 1 und etwa 11 beträgt; und
eine Vielzahl von Partikeln mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche der Partikel assoziierten Aktivator, wobei der mindestens eine Aktivator ein anderes Metall als ein Metall der Gruppe IV(B), Gruppe V(B), oder Gruppe VI(B) enthält, und wobei das Metall multiple Oxidationsstufen aufweist,
wobei die Zusammensetzung bei der Verwendung in einem chemisch-mechanischen Polierverfahren das gewünschte Metall entfernt, aber keine Defekte oder Ungleichmäßigkeiten hervorruft, aufgrund derer das Substrat keine weiteren Fabri kationsschritte zur Fertigstellung eines funktionsfähigen Halbleiter- oder Speicherelements durchlaufen kann.

Claims (74)

  1. Zusammensetzung zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleiter- oder Speicherelement-Substrats, enthaltend: ein Fluid, enthaltend mindestens eine Verbindung, die freie Radikale erzeugt, wobei die mindestens eine Verbindung beim Kontakt mit mindestens einem Aktivator freie Radikale erzeugt, und wobei der pH-Wert des Fluids zwischen etwa 1 und etwa 11 beträgt; und eine Vielzahl von Partikeln mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche der Partikel assoziierten Aktivator, wobei der mindestens eine Aktivator ein anderes Metall als ein Metall der Gruppe IV(B), Gruppe V(B), oder Gruppe VI(B) enthält, und wobei das Metall multiple Oxidationsstufen aufweist, wobei die Zusammensetzung bei der Verwendung in einem chemisch-mechanischen Polierverfahren das gewünschte Metall entfernt, aber keine Defekte oder Ungleichmäßigkeiten hervorruft, aufgrund derer das Substrat keine weiteren Fabri kationsschritte zur Fertigstellung eines funktionsfähigen Halbleiter- oder Speicherelements durchlaufen kann.
  2. Zusammensetzung zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleiter- oder Speicherelement-Substrats, enthaltend: ein Fluid, enthaltend mindestens eine Verbindung, die freie Radikale erzeugt, wobei das Fluid weniger als 500 ppm gelöste Metallionen mit multiplen Oxidationsstufen enthält und der pH-Wert des Fluids zwischen etwa 1 und etwa 11 liegt, und wobei die mindestens eine Verbindung beim Kontakt mit mindestens einem Aktivator freie Radikale erzeugt; und eine Vielzahl von Partikeln mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche der Partikel assoziierten Aktivator, wobei der mit der Oberfläche assoziierte Aktivator ein dissoziierbares Salz eines Metalls darstellt und in einer Menge zwischen 5 und 10.000 ppm, bezogen auf das Gewicht der Zusammensetzung, enthalten ist, wobei die Zusammensetzung bei der Benutzung in einem chemisch-mechanischen Polierverfahren das gewünschte Material entfernt, aber keine Defekte oder Unleichmäßigkeiten hervorruft, aufgrund derer das Substrat keine weiteren Fabrikationsschritte zur Fertigstellung eines funktionsfähigen Halbleiter- oder Speicherelements durchlaufen kann.
  3. Zusammensetzung zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleiter- oder Speicherelement-Substrats, enthaltend: ein Fluid, enthaltend mindestens eine Verbindung, die freie Radikale erzeugt, wobei die Verbindung ein Oxidationsmittel ist, das beim Kontakt mit einem Aktivator reaktive Sauerstoff-enthaltende freie Radikale erzeugt, und eine Vielzahl von Partikeln mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche der Partikel assoziierten Aktivator, enthaltend mindestens ein Ion, ausgewählt aus Eisen, Kupfer, Mangan, Kobalt, Cer und Nickel, wobei der/die mit der Oberfläche assoziierte(n) Aktivator(en) in einer Gesamtmenge von etwa 5 ppm bis etwa 30.000 ppm, bezogen auf das Gewicht der Zusammensetzung, enthalten ist/sind, wobei die Zusammensetzung bei der Benutzung in einem chemisch-mechanischen Polierverfahren das gewünschte Material entfernt, aber keine Defekte oder Unleichmäßigkeiten hervorruft, aufgrund derer das Substrat keine weiteren Fabrikationsschritte zur Fertigstellung eines funktionsfähigen Halbleiter- oder Speicherelements durchlaufen kann.
  4. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die mindestens eine Verbindung eine Per-Verbindung enthält, die in einer Menge von etwa 0,01 bis etwa 30 Gew.-% in der Zusammensetzung enthalten ist.
  5. Zusammensetzung nach Anspruch 4, wobei die Per-Verbindung mindestens ein Peroxid enthält.
  6. Zusammensetzung nach Anspruch 5, wobei die Per-Verbindung Wasserstoffperoxid enthält und in der Zusammensetzung in einer Menge von etwa 0,01 bis etwa 10 Gew.-% enthalten ist.
  7. Zusammensetzung nach Anspruch 5, wobei die Per-Verbindung Peressigsäure enthält und in der Zusammensetzung in einer Menge von etwa 0,01 bis etwa 10 Gew.-% enthalten ist.
  8. Zusammensetzung nach Anspruch 4, wobei die Per-Verbindung mindestens ein Persulfat enthält.
  9. Zusammensetzung nach Anspruch 4, wobei die Per-Verbindung mindestens ein Perphosphat enthält.
  10. Zusammensetzung nach Anspruch 4, wobei die Per-Verbindung mindestens ein Periodat enthält.
  11. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die mindestens eine Verbindung mindestens eine Hydroxylamin-Verbindung enthält, die in einer Menge von etwa 0,01 bis etwa 30 Gew.-% in der Zusammensetzung enthalten ist.
  12. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Verbindung, die freie Radikale erzeugt, mindestens zwei Verbindungen, ausgewählt aus einem Peroxid, einem Persulfat, einem Perphosphat, einem Periodat, Ozon und einer Hydroxylamin-Verbindung enthält, und die in der Zusammensetzung enthaltene Gesamtmenge zwischen etwa 0,01 und etwa 0,30 Gew.-% beträgt, und wobei der Aktivator Cer, Eisen, Kupfer oder eine Mischung davon enthält, und wobei das Fluid weniger als etwa 100 ppm gelöste Metalle mit multiplen Oxidationsstufen enthält.
  13. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei mindestens eine Verbindung Ozon enthält.
  14. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung ein Oxidationsmittel enthält, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem Metallsalz, einem Metallkomplex und einer Kombination davon.
  15. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator ein Metalloxid-Poliermittel (abrasive) aufweisen.
  16. Zusammensetzung nach Anspruch 15, wobei das Metalloxid Aluminiumoxid, Silica, Ceroxid oder Mischungen davon enthält, und wobei der/die mit der Oberfläche assoziierte(n) Aktivator(en) in der Zusammensetzung in einer Gesamtmenge von etwa 10 ppm bis etwa 1.000 ppm, bezogen auf das Gewicht der Zusammensetzung, enthalten ist/sind.
  17. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator ein im Wesentlichen sphärisches keramisches Partikel mit einer mittleren Partikelgröße von etwa 0,001 bis etwa 1 μm und mit einer Partikelgrößenverteilung aufweisen, so dass: mindestens etwa 95 Gew.-% der keramischen Partikel eine Partikelgröße aufweisen, die innerhalb etwa 30% der gewichtsgemittelten Partikelgröße liegt, wobei die keramischen Partikel mindestens ein Metalloxid, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Zinkoxid, Bismutoxid, Ceroxid, Germaniumoxid, Silica, Aluminiumoxid, ein metallisches Sulfid, ein metallisches Titanat, ein metallisches Tantalat, ein metallisches Zirkonat, ein metallisches Silikat, ein metallisches Germaniumoxid, ein metallisches Niobat, ein metallisches Borid, ein metallisches Nitrid, ein metallisches Carbid, ein metallisches Tellurid, ein metallisches Arsenid, ein metallisches Silicid, ein metallisches Selenid und Mischungen oder Kombinationen davon, enthält.
  18. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator Aluminiumoxid enthält.
  19. Zusammensetzung nach Anspruch 18, wobei die Partikel eine BET-Oberfläche zwischen etwa 5 und 430 m2/g aufweisen und die gewichtsgemittelte Partikelgröße kleiner als etwa 0,4 μm ist.
  20. Zusammensetzung nach Anspruch 18, wobei die Partikel eine mittlere Partikelgröße von etwa 0,001 bis etwa 0,2 μm aufweisen.
  21. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator Silica enthält.
  22. Zusammensetzung nach Anspruch 21, wobei die Partikel eine BET-Oberfläche zwischen etwa 5 und 1.000 m2/g, eine mittlere Partikelgröße kleiner als etwa 1 μm und eine Partikelgrößenverteilung aufweisen, so dass mindestens etwa 95 Gew.-% der Silica-Partikel eine Partikelgröße innerhalb von etwa 30 Gew.-% der gewichtsgemittelten Partikelgröße aufweisen.
  23. Zusammensetzung nach Anspruch 21, wobei die Partikel eine mittlere Partikelgröße von etwa 0,002 bis etwa 0,6 μm aufweisen.
  24. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator Aggregate aus gerauchtem Silica (fumed silica) enthält.
  25. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator Ceroxid enthält.
  26. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator Germaniumoxid, Spinel, Titanoxid, ein Wolframoxid, ein Wolframnitrid, Zirkonoxid, ein Vanadiumoxid oder eine Kombination davon enthält.
  27. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1,2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator polymere Partikel enthält.
  28. Zusammensetzung nach Anspruch 27, wobei die polymeren Partikel zusammengesetzte Partikel sind, die weiterhin ein Metalloxid enthalten.
  29. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung weiterhin mindestens ein zweites Partikel enthält, das von der Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator unterschiedlich ist.
  30. Zusammensetzung nach Anspruch 29, wobei das mindestens eine zweite Partikel keinen mit seiner Oberfläche assoziierten Aktivator aufweist.
  31. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die mindestens eine Verbindung ein erstes Oxidationsmittel enthält, und wobei die Zusammensetzung weiterhin ein zweites Oxidationsmittel enthält.
  32. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung weiterhin mindestens einen Stabilisator in einer Menge enthält, die ausreichend ist, um die Zusammensetzung zu stabilisieren.
  33. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung weiterhin mindestens einen Promotor in einer Menge zwischen 10 ppm und 5.000 ppm enthält.
  34. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung weiterhin mindestens einen Chelatbildner enthält.
  35. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung weiterhin mindestens einen löslichen Aktivator enthält.
  36. Zusammensetzung nach Anspruch 35, wobei der lösliche Aktivator Iod ist.
  37. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung weiterhin mindestens ein Anti-Korrosionsmittel, mindestens ein Dispergierbarkeitsmittel, oder beides enthält.
  38. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung weiterhin mindestens ein Mittel zum Einstellen des pH-Wertes enthält, und wobei der pH-Wert des Fluids zwischen etwa 2 und etwa 8 liegt.
  39. Zusammensetzung nach Anspruch 38, wobei der pH-Wert zwischen etwa 3 und etwa 7 liegt.
  40. Zusammensetzung nach Anspruch 38, wobei der pH-Wert zwischen etwa 3,5 und etwa 4,5 liegt.
  41. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung weiterhin mindestens ein Polierverbesserungsmittel enthält, das unterschiedlich von der mindestens einen Verbindung ist.
  42. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Zusammensetzung weiterhin Glykol, Glycin, ein Gylcinderivat oder eine Mischung davon enthält.
  43. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator ein Metalloxidpartikel aufweist, umfassend Silica, Aluminiumoxid, Ceroxid oder Mischungen oder Kombinationen davon, und wobei die Metalloxidpartikel eine Partikelgrößenverteilung aufweisen, so dass die Ein-Sigma-Abweichung nicht mehr als 20% der mittleren Partikelgröße beträgt, und wobei der Aktivator Kupferoxid, Eisenoxid oder eine Mischung davon enthält.
  44. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator ein Metalloxid, ein Polymer oder beides enthält, und wobei der mit der Oberfläche assoziierte Aktivator ein dissoziierbares Cersalz enthält.
  45. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator ein Metalloxid, ein Polymer oder beides enthält, und wobei der mit der Oberfläche assoziierte Aktivator ein dissoziierbares Kupfersalz enthält.
  46. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator ein Metalloxid, ein Polymer oder beides enthält, und wobei der mit der Oberfläche assoziierte Aktivator ein dissoziierbares Eisensalz enthält.
  47. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator ein Metalloxid, ein Polymer oder beides aufweist, und wobei der mit der Oberfläche assoziierte Aktivator ein dissoziierbares Mangansalz, ein dissoziierbares Kobaltsalz, ein dissoziierbares Nickelsalz oder eine Mischung davon enthält.
  48. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator ein Metalloxid aufweist, welches mit einem Metall, ausgewählt aus Eisen, Kupfer, Mangan, Kobalt, Cer, und Nickel dotiert ist.
  49. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei der Aktivator auf etwa 5 bis etwa 80% der verbundenen äußeren Oberfläche der Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator assoziiert ist.
  50. Zusammensetzung nach Anspruch 49, wobei der Aktivator auf etwa 25 bis etwa 50% der äußeren Oberfläche der Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator assoziiert ist.
  51. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Menge des mit der Oberfläche der Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivators etwa 0,01 bis etwa 3 Gew.-% der Vielzahl der Partikel beträgt.
  52. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei das Fluid weniger als etwa 10 ppm gelöste Metallionen mit multiplen Oxidationsstufen enthält.
  53. Zusammensetzung nach Anspruch 52, wobei das Fluid weniger als etwa 2 ppm gelöste Metallionen mit multiplen Oxidationsstufen enthält.
  54. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator Silica, Aluminiumoxid, Ceroxid oder Mischungen davon enthält, wobei der mindestens eine mit der Oberfläche assoziierte Aktivator Eisen enthält, wobei die Menge an Aktivator-Eisen etwa 0,01 bis etwa 3 Gew.-% der Vielzahl der Partikel beträgt.
  55. Zusammensetzung nach Anspruch 54, wobei das Fluid weniger als etwa 10 ppm gelöstes Eisen enthält.
  56. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei die Vielzahl der Partikel mit einer Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator Silica, Aluminiumoxid, Ceroxid oder Mischungen davon enthält, wobei der mindestens eine mit der Oberfläche assoziierte Aktivator Cer enthält, wobei die Menge an Aktivator-Cer etwa 0,01 bis etwa 3 Gew.-% der Vielzahl der Partikel beträgt.
  57. Zusammensetzung zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleiter- oder Speicherelement-Substrats, enthaltend: ein Fluid, enthaltend mindestens eine Verbindung, die freie Radikale erzeugt; und einen Aktivator im Fluid in einer Menge, ausreichend für die gewünschte Aktivität der freien Radikale, wobei der Aktivator beim Kontakt mit der mindestens einen Verbindung freie Radikale erzeugt, und wobei der Aktivator keinen Promotor darstellt, so dass das Halbleiter- oder Speicherscheiben-Substrat unbeschädigt bleibt und das Substrat weiteren Fabrikationsschritten unterzogen werden kann.
  58. Zusammensetzung nach Anspruch 57, wobei der Aktivator Iod enthält und die freie Radikale erzeugende Verbindung eine Per-Verbindung ist.
  59. Zusammensetzung nach Anspruch 57, wobei der Aktivator Cer in einer Menge zwischen etwa 10 ppm und etwa 1.000 ppm enthält.
  60. Zusammensetzung nach Anspruch 57, wobei der Aktivator einen Metallglycin-Komplex enthält, wobei das Metall im Wesentlichen aus Cer, Eisen, Mangan, Kobalt oder einer Mischung davon besteht, und wobei das freie Radikal ein Hydroxidradikal ist.
  61. Zusammensetzung nach Anspruch 57, wobei der Aktivator aktinische Strahlung umfasst und wobei die mindestens eine freie Radikale erzeugende Verbindung einen Alkohol enthält.
  62. Zusammensetzung nach Anspruch 57, wobei der Aktivator aktinische Strahlung umfasst und wobei die mindestens eine freie Radikale erzeugende Verbindung ein Keton enthält.
  63. Verfahren zum Polieren einer Substratoberfläche mit mindestens einem Metall-enthaltenden Merkmal darauf, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen der Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1, 2, oder 3; und chemisch-mechanisches Polieren des Merkmals durch Kontaktieren des Merkmals mit der Zusammensetzung, wobei das Ausführen des Polierverfahrens keine Defekte oder Unregelmäßigkeiten erzeugt, aufgrund derer das Substrat nicht zu einem fertigen funktionsfähigen Produkt weiterverarbeitet werden kann.
  64. Verfahren nach Anspruch 63, wobei die Vielzahl der abrasiven Partikel mit einer in Kontakt mit dem Fluid stehenden Oberfläche und mindestens einem mit der Oberfläche assoziierten Aktivator ein Poliermittel enthält, das in einer Menge von etwa 0,01 bis etwa 20 Gew.-% in der Zusammensetzung vorliegt, und wobei die mindestens eine freie Radikale erzeugende Verbindung mindestens ein Oxidationsmittel enthält, das freie Radikale erzeugt, und in einer Menge zwischen etwa 0,01 und etwa 30% in der Zusammensetzung vorliegt.
  65. Verfahren nach Anspruch 64, wobei das Substrat ein Halbleiter ist und das Metall-Merkmal Aluminium, Kupfer, Titan, Wolfram, Tantal, eine beliebige Legierung davon, ein beliebiges Metallnitrid davon, eine beliebige Metall-Silicon-Legierung davon oder eine beliebige Kombination davon darstellt.
  66. Verfahren nach Anspruch 65, wobei das Merkmal benachbart zu einem Material, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Tantal, Tantalnitrid, Titan, Titannitrid, Titan-Wolfram, Wolfram oder einer beliebigen Kombination davon ist, und wobei das Material des Metall-Merkmals unterschiedlich zu dem dazu benachbarten Material ist.
  67. Verfahren nach Anspruch 65, wobei das Verfahren ausreichend ist, eine chemisch-mechanisch polierte Substratoberfläche mit einer Ungleichmäßigkeit innerhalb des Wafers (within-wafer nonuniformity) von etwa 0 bis etwa 12% bereitzustellen.
  68. Verfahren nach Anspruch 65, wobei das Verfahren ausreichend ist, eine chemisch-mechanisch polierte Halbleiter-Substratoberfläche bereitzustellen, wobei alle während des chemisch-mechanischen Polierens erzeugten Mikrokratzer weniger als etwa 20 Angström tief sind.
  69. Verfahren nach Anspruch 64, wobei das Substrat ein Speicherelement ist und das Metall-Merkmal Aluminium, Kupfer, Titan, Wolfram, Tantal, Nickel, Nickel-Eisen, oder eine beliebige Legierung davon, Sendust, und Cadmium-Zink-Tellurid, und eine beliebige Kombination davon ist.
  70. Verfahren nach Anspruch 69, wobei das Verfahren ausreichend ist, eine chemisch-mechanisch polierte Halbleiter-Substratoberfläche bereitzustellen, wobei alle während des chemisch-mechanischen Polierens erzeugten Mikrokratzer weniger als 20 Angström tief sind.
  71. Verfahren nach Anspruch 64, wobei das Substrat ein Siliciumsubstrat, ein Gallium-Arsenid- (GaAs-)Substrat, ein Dünnfilm-Transistor-Flüssigkristalldisplay-Glassubstrat, oder eine Mikro-Elektro-Mechanische Systemstruktur (Micro Electro Mechanical System Structure) darstellt, wobei das Verfahren ausreichend ist, eine chemisch-mechanisch polierte Substratoberfläche bereitzustellen, wobei alle während des chemisch-mechanischen Polierens erzeugten Mikrokratzer weniger als 20 Angström tief sind.
  72. Verfahren nach Anspruch 64, wobei mindestens ein Teil der Partikel der Zusammensetzung aus gebrauchten CMP- (chemisch-mechanischen Polier-) Slurrys nach dem Polieren rückgewonnen und wiederbenutzt wird, um eine weitere Substratoberfläche zu polieren.
  73. Verfahren nach Anspruch 72, wobei mindestens ein Teil der rückgewonnenen Partikel durch Filtration, Zentrifugation oder eine Kombination davon rückgewonnen wird.
  74. Verfahren nach Anspruch 63, wobei das Polieren das bewegliche Kontaktieren des Merkmals oder der Zusammensetzung mit einem Polierkissen umfasst, wobei das Polierkissen eine Oberfläche aufweist und einen mit der Oberfläche des Polierkissens assoziierten Aktivator enthält.
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