DE10013067A1

DE10013067A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen von dieser durch Chipvereinzelung

Info

Publication number: DE10013067A1
Application number: DE10013067A
Authority: DE
Inventors: Tetsuo Fujii; Tsuyoshi Fukada; Hiroshi Muto; Kenichi Ao; Shinji Yoshihara; Sumitomo Inomata
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1999-03-19
Filing date: 2000-03-17
Publication date: 2000-09-21
Anticipated expiration: 2020-03-18
Also published as: JP4151164B2; US20040259330A1; JP2000340526A; US20050156309A1; US20020093076A1; US6787866B2; US7298022B2; DE10013067B4; US6429506B1; US7091109B2

Abstract

Eine Schutzlage wird an einer Montagevorrichtung befestigt und Bereiche der Schutzlage, die Bereichen entsprechen, an denen ein Zerteilen durch Chipvereinzelung durchzuführen ist, werden entfernt, um Rillen auszubilden. Dann wird ein Halbleiterwafer an einer der Montagevorrichtung gegenüberliegenden Seite mit der Schutzlage verbunden und wird die Montagevorrichtung von der Schutzlage und dem Halbleiterwafer gelöst, die miteinander verbunden sind. Danach wird der Halbleiterwafer durch Chipvereinzelung entlang den Rillen der Schutzlage in Halbleiterchips zerteilt. Da die Schutzlage nicht durch die Chipvereinzelung zerteilt wird, werden keine Bruckstücke der Schutzlage erzeugt, was eine Verunreinigung an den Chips verhindert.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Her stellen einer Halbleitervorrichtung durch Chipvereinzelung bzw. Dicen eines mit einer Schutzlage bedeckten Halbleiterwa fers entlang von Ritzlinien, eine durch das Verfahren herge stellte Halbleitervorrichtung und eine für das Verfahren ver wendbare Wafer-Lösevorrichtung.

Wie es in vielen Druckschriften, wie zum Beispiel der JP-A-10-242253, der JP-A-7-99172, der US-A-5 824 177 und der US-A-5 362 681 offenbart ist, ist, wenn ein Halbleiterwafer, der mehrere bewegliche Abschnitte aufweist, in mehrere Chips zerteilt wird, eine Schutzlage an dem Halbleiterwafer ange bracht, um die beweglichen Abschnitte zu schützen. In diesem Zustand wird der Halbleiterwafer in einem Waferschneide schritt zusammen mit der Schutzlage in die Chips vereinzelt.

Bei dem zuvor beschriebenen Verfahren im Stand der Tech nik werden jedoch, da die Schutzlage zusammen mit dem Halb leiterwafer vereinzelt wird, Bruchstücke der Schutzlage, wie zum Beispiel organische Klebstoffpartikel durch das Zerteilen erzeugt und haften als Verunreinigungen an den Chips. Die Bruchstücke können derart an auf den Chips ausgebildeten Elektroden haften, daß die Elektroden hinsichtlich einer elektrischen und mechanischen Verbindung nachteilig beein trächtigt werden.

Weiterhin muß bei dem Verfahren im Stand der Technik die Schutzlage von den Chips entfernt werden, nachdem der Wafer schneideschritt ausgeführt worden ist.

Wenn die Schutzlage fest mit dem Halbleiterwafer verbun den ist, ist das Entfernen der Schutzlage schwierig und kann durch eine Belastung Beschädigungen an den Chips verursachen. Deshalb ist die Schutzlage mit einer verhältnismäßig kleinen Haftkraft mit dem Halbleiterwafer verbunden. Aufgrund dessen wird die Schutzlage während des Waferschneideschritts leicht von dem Halbleiterwafer getrennt. Als Ergebnis kann die Schutzlage die beweglichen Abschnitte nicht ausreichend schützen.

Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf die vorher gehenden Probleme geschaffen worden.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, zu verhindern, daß eine Halbleitervorrichtung durch Bruchstücke einer Schutzlage verunreinigt wird, die erzeugt werden, wenn ein mit der Schutzlage bedeckter Halbleiterwafer durch Chip vereinzelung zerteilt wird, um die Halbleitervorrichtung aus zubilden. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung be steht darin, eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung zu schaffen, die im stande sind, ein Abtrennen der Schutzlage zu verhindern.

Diese Aufgabe wird mit den in den Ansprüchen 1, 8, 12 14, 15 und 16 angegebenen Maßnahmen gelöst.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Er findung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, nachdem eine Schutzlage an einer Montagevorrichtung befestigt worden ist, ein Waferschneidebereich der Schutzlage entfernt. Dann wird ein Halbleiterwafer mit der Schutzlage verbunden und wird die Montagevorrichtung von der Schutzlage und der Halbleitervorrichtung gelöst, wodurch der Halbleiterwafer aus dem Waferschneidebereich der Schutzlage freiliegt. Dann wird der Halbleiterwafer durch Chipvereinzelung entlang des Wafer schneidebereichs zerteilt, um die Halbleitervorrichtung aus zubilden.

Bei dem zuvor beschriebenen Verfahren werden, da der Wa ferschneidebereich der Schutzlage entfernt wird und die Schutzlage nicht durch die Chipvereinzelung wird, keinerlei Bruchstücke der Schutzlage durch die Chipvereinzelung er zeugt. Als Ergebnis wird die Halbleitervorrichtung nicht durch die Bruchstücke verunreinigt. Da eine Waferschneide klinge die Schutzlage nicht berühren muß, wird das Abtrennen der Schutzlage nicht durch die Waferschneideklinge verur sacht.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Halbleitervorrichtung einen Halbleiterchip, der durch Zerteilen eines Halbleiterwafers durch Chipvereinzelung vorgesehen wird, und eine Schutzlage auf, die auf dem Halb leiterchip angeordnet ist. Ein Umfangsrandabschnitt der Schutzlage ist an einer Innenseite eines Umfangsrandab schnitts des Halbleiterchip vorgesehen. Da der Umfangsrandab schnitt der Schutzlage an der Innenseite des Umfangrandab schnitts des Halbleiterchip vorgesehen ist, berührt eine Wa ferschneideklinge nicht die Schutzlage, wenn der Halbleiter wafer zerteilt wird. Deshalb kann ein Erzeugen von Bruchstüc ken und ein Abtrennen der Schutzlage verhindert werden.

Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben das Verfah ren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung weiter unter sucht und geprüft und festgestellt, daß, wenn eine Haftkraft zwischen der Schutzlage und der Montagevorrichtung stark war, der Halbleiterwafer einfach bricht, wenn die Schutzlage und der Halbleiterwafer von der Montagevorrichtung gelöst werden.

Um das zuvor beschriebene Problem zu lösen, werden gemäß der vorliegenden Erfindung die Schutzlage und der Halbleiter wafer durch einen Druck, der von der Seite der Montagevor richtung auf die Schutzlage ausgeübt wird, von der Montage vorrichtung gelöst. Demgemäß kann der Halbleiterwafer, ohne beschädigt zu werden, zusammen mit der Schutzlage gelöst wer den. Eine Bearbeitbarkeit und ein Durchsatz zum Lösen des Halbleiterwafers von der Montagevorrichtung werden ebenso verbessert.

Weiterhin wird, um das zuvor beschriebene Problem zu lö sen, gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Wafer-Lösevorrichtung zum Lösen des Halbleiterwafers und der Schutzlage von der Montagevorrichtung verwendet. Die Wa fer-Lösevorrichtung weist die Montagevorrichtung zum festen Halten der Schutzlage und eine Druckausübungseinrichtung zum Ausüben eines Drucks auf die Schutzlage auf. Demgemäß wird die Schutzlage durch den Druck zusammen mit der Halbleiter vorrichtung einfach von der Montagevorrichtung gelöst.

Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1A bis 2C Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ge mäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenar tige Weise;

Fig. 3A bis 4B Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ge mäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenar tige Weise;

Fig. 5 eine Querschnittsansicht der Halbleitervor richtung gemäß dem zweiten Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 6 eine schematische Draufsicht der Halblei tervorrichtung gemäß dem zweiten Ausfüh rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 7A eine schematische Querschnittsansicht einer abgewandelten Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorlie genden Erfindung;

Fig. 7B eine schematische Draufsicht der abgewan delten Halbleitervorrichtung in Fig. 7A;

Fig. 8A bis 8F Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ge mäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenar tige Weise;

Fig. 9 eine Querschnittsansicht einer abgewandel ten Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin dung;

Fig. 10 eine Querschnittsansicht eines Falls, in dem eine flache Schutzlage verwendet wird;

Fig. 11A bis 11E Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ge mäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenar tige Weise;

Fig. 12 eine Querschnittsansicht einer abgewandel ten Halbleitervorrichtung gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin dung;

Fig. 13A bis 13E Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ge mäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenar tige Weise;

Fig. 14A bis 16C Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ge mäß einem sechsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenar tige Weise; und

Fig. 17A und 17B Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer abgewandelten Verstär kungsplatte gemäß dem sechsten Ausführungs beispiel der vorliegenden Erfindung.

In den Ausführungsbeispielen ist mit einem Halbleiterwa fer ein Wafer gemeint, bevor und nachdem ein Waferschneide schritt ausgeführt wird, vorausgesetzt, daß der Wafer eine Kontur seines Anfangszustands aufweist.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines ersten Ausfüh rungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

In dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin dung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervor richtung gemäß der vorliegenden Erfindung an verschiedenen Halbleitervorrichtungen angewendet, die bewegliche Abschnitte beinhalten, wie zum Beispiel ein an der Oberfläche mikrover arbeiteter Beschleunigungssensor, ein Drehwinkelsensor und eine reflektierende digitale Mikrospiegel-Projektionsvorrich tung bzw. DMD. Das Verfahren in dem ersten Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Fig. 1A bis 2C erläutert.

Zuerst wird, wie es in Fig. 1A gezeigt ist, eine Schutz lage 1 vorbereitet. Die Schutzlage 1 ist aus einer UV-härtenden Schutzlage ausgebildet, wobei eine Basis von ihr zum Beispiel aus Polyolefin besteht. Die Schutzlage weist eine Klebstoffoberfläche 1a zum Bedecken eines Halbleiterwa fers 11 und eine Oberfläche 1b an einer der Klebstoffoberflä che 1a gegenüberliegenden Seite auf. Weiterhin ist eine Mon tagevorrichtung 4, wie sie in Fig. 1B gezeigt ist, auf einem Erwärmungsvorrichtungsblock (nicht gezeigt) angeordnet. Die Montagevorrichtung 4 weist Vertiefungen 2 und Löcher 3 für eine Vakuumabsorption auf. Der Erwärmungsvorrichtungsblock führt die Vakuumabsorption zusammenwirkend mit den Löchern 3 der Montagevorrichtung 4 durch.

Als nächstes wird in einem Montagevorrichtungs-Befesti gungsschritt, der in Fig. 1C gezeigt ist, die Schutzlage 1 auf der Montagevorrichtung 4 angeordnet, wobei die Oberfläche 1b die Montagevorrichtung 4 berührt und die Klebstoffoberflä che 1a nach oben freiliegt. Dann wird die Schutzlage 1 durch Vakuumabsorption, die durch die Löcher 3 durchgeführt wird, entlang der Vertiefungen 2 eingebeult. Da die Montagevorrich tung 4 auf eine Temperatur in einem Bereich von 40 bis 200°C erwärmt ist, werden Schutzkappenabschnitte 5 auf der Schutz lage 1 mit Formen ausgebildet, die den Vertiefungen 2 ent sprechen. Die Schutzlage 1 wird durch Anziehung durch die Lö cher 3 an der Montagevorrichtung 4 befestigt.

In einem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt, der in Fig. 1D gezeigt ist, wird die Montagevorrichtung 4 zusammen mit der Schutzlage 1, die an der Montagevorrichtung 4 befe stigt ist, von dem Erwärmungsvorrichtungsblock gelöst. Die Montagevorrichtung 4 wird dann auf einem Träger (nicht ge zeigt) angeordnet, welcher wie der Erwärmungsvorrichtungs block unter Vakuum absorbieren kann. Dann werden Bereiche der Schutzlage 1, an denen in einem nachstehend beschriebenen Wa ferschneideschritt ein Waferschneiden durchzuführen ist, durch Abtrennen entfernt, um dadurch Rillen 6 an den entfern ten Bereichen bzw. Waferschneidebereichen auszubilden. Als Ergebnis ist die Schutzlage 1 in Bereiche geteilt, die Abmes sungen aufweisen, die ungefähr die gleichen wie diejenigen von Halbleiterchips sind, die auszubilden sind. In diesem Schritt wird die Schutzlage 1, da die Schutzlage 1 durch Va kuumabsorption an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist, nicht in Stücken gelöst, nachdem der Schutzlagenbereich-Ent fernungsschritt ausgeführt worden ist.

Als nächstes wird in einem Waferverbindungsschritt, der in Fig. 1E gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11, der bewegli che Abschnitte 10 aufweist und zum Beispiel aus Silizium be steht, durch Klebstoffe derart mit der Schutzlage 1 verbun den, daß die beweglichen Abschnitte 10 den Kappenabschnitten 5 gegenüberliegen. Die Schutzlage 1 kann eine druckempfindli che Klebstofflage sein, so daß der Halbleiterwafer 11 damit verbunden wird. Das Positionieren zwischen der Schutzlage 1 und dem Halbleiterwafer 11 wird durch Ausrichtungsmarkierun gen, die auf der Schutzlage 1 und dem Halbleiterwafer 11 aus gebildet sind, oder durch eine CCD-Kamera durchgeführt. Ein Roller kann bei einem Erwärmen des Halbleiterwafers 11 auf dem Halbleiterwafer 11 gerollt werden, so daß der Halbleiter wafer 11 mit der Schutzlage 1 verbunden werden kann, ohne Einschlüsse in den Klebstoffen zu erzeugen und eine Haftkraft der Klebstoffe zu verschlechtern.

Dann wird eine Chipvereinzelungslage 12 an der anderen Oberfläche des Halbleiterwafers 11 an einer den beweglichen Abschnitten 10 gegenüberliegenden Seite angebracht. Die Chip vereinzelungslage 12 kann an dem Halbleiterwafer 11 ange bracht werden, bevor der Halbleiterwafer 11 mit der Schutz lage 1 verbunden wird. Durch das Durchführen des zuvor be schriebenen Waferverbindungsschritts, wie er in Fig. 1E ge zeigt ist, wird der Halbleiterwafer 11 an einer Oberfläche an Schutzteilen bzw. Schutzkappen 14 angebracht und wird er an der anderen Oberfläche an der Chipvereinzelungslage 12 ange bracht. Jedes der Schutzteile 14 weist einen entsprechenden der Kappenabschnitte 5 und eine Abmessung auf, die die glei che wie die jedes Halbleiterchip ist, und wird es an dem Halbleiterwafer 11 angebracht, während dieser an der Montage vorrichtung 4 befestigt ist. In Fig. 1E sind, obgleich ledig lich ein beweglicher Abschnitt 10 in jedem Chipbereich darge stellt ist, im allgemeinen mehrere bewegliche Abschnitte 10 in jedem Chipbereich vorgesehen.

Nachfolgend wird in dem Waferschneideschritt, der in Fig. 2A gezeigt ist, nachdem die Montagevorrichtung 4 von der Schutzlage 1 bzw. den Schutzteilen 14 gelöst worden ist, der Halbleiterwafer 11 durch Vakuumabsorption an einem Chip vereinzelungsträger 13 befestigt. In Fig. 2A ist eine detail lierte Struktur des Chipvereinzelungsträgers 13 weggelassen. Dann wird das Waferschneiden entlang den Rillen 6 durchge führt, an denen die Schutzlage 1 entfernt ist, wodurch der Halbleiterwafer 11 in die Halbleiterchips geteilt wird. Zu diesem Zeitpunkt wird die Chipvereinzelungslage 12 nicht vollständig getrennt. Die Halbleiterchips werden durch die jeweiligen Schutzteile 14 geschützt.

Bei diesem Waferschneideschritt wird die Schutzlage 1 nicht getrennt. Deshalb werden keinerlei Bruchstücke der Schutzlage 1 erzeugt, um auf den Halbleiterchips zu verblei ben, wodurch eine Verunreinigung der Chips verhindert wird. Außerdem wird, da eine Waferschneideklinge in dem Wafer schneideschritt kaum die Schutzteile 14 berührt, kein Abtren nen der Halbleiterteile 14 durch die Waferschneideklinge ver ursacht.

Da die Schutzlage 1 nicht so fest an dem Halbleiterwafer 11 angebracht werden muß, ist das Entfernen der Schutzteile 14 einfach. Bei einem Schutzteil-Entfernungsschritt, wie er in Fig. 2B gezeigt ist, wird eine Quarzglas-Montagevorrich tung 15, die imstande ist, ähnlich der Montagevorrichtung 14 eine Vakuumabsorption durchzuführen, auf den Schutzteilen 14 angeordnet, die den Halbleiterwafer 11 bedecken. Dann wird eine UV-Bestrahlung durch die Quarzglas-Montagevorrichtung 15 derart durchgeführt, daß der Klebstoff gehärtet wird, um eine verringerte Haftkraft aufzuweisen, und werden die Schutzteile 14 durch die Vakuumabsorption entfernt. Demgemäß wird der Zu stand geschaffen, der in Fig. 2C gezeigt ist.

Die Quarzglas-Montagevorrichtung 15 kann wie die Montage vorrichtung 4, die zuvor beschrieben worden ist, Vertiefungen aufweisen. Ansonsten kann die Quarzglas-Montagevorrichtung 15 lediglich Löcher für eine Vakuumabsorption an Positionen auf weisen, die flachen Flächen der Schutzteile 14 entsprechen. Jeder Halbleiterchip bzw. jede Halbleitervorrichtung 100, die durch Entfernen der Schutzteile 14 ausgebildet wird, kann als ein herkömmlicher IC-Chip gehandhabt werden. Obgleich die Quarzglas-Montagevorrichtung 15 in dem vorliegenden Ausfüh rungsbeispiel verwendet wird, um die Schutzteile 14 zu ent fernen, sind andere Materialien als die Montagevorrichtung 15 verwendbar, vorausgesetzt, daß das Material UV durchlassen kann. Die UV-Bestrahlung kann unter Verwendung eines Spiegels oder einer optischen Faser durchgeführt werden, vorausge setzt, daß die gesamte Waferoberfläche mit UV bestrahlt wird.

Wenn die Schutzlage 1 aus einem sich bei Wärme zusammen ziehenden Kunststoffilm besteht, werden die Rillen 6 aufgrund eines Zusammenziehens der Schutzlage 1 bei Wärme aufgeweitet, nachdem der Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt ausgeführt worden ist. Deshalb können die entfernten Bereiche der Schutzlage 1 verringert werden. Ebenso kann, da es schwierig ist, daß die Waferschneideklinge die Schutzlage 1 in dem Wa ferschneideschritt berührt, der Waferschneideschritt einfa cher durchgeführt werden. Vorzugsweise wird der sich bei Wärme zusammenziehende Kunststoffilm aus Filmen der Polyole finfamilie, wie zum Beispiel einem Polyethylenfilm und einem Polypropylenfilm, und Filmen ausgewählt, die durch Ziehen verarbeitet werden, wie zum Beispiel ein Polyvinylchloridfilm und ein Polyesterfilm.

In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Schutz lage 1 durch Vakuumabsorption an der Montagevorrichtung 4 be festigt. Deshalb kann die Schutzlage 1 einfach an der Monta gevorrichtung 4 befestigt werden und von der Montagevorrich tung 4 gelöst werden, ohne beschädigt zu werden. Ebenso wird, da die Schutzlage 1 nicht in dem Waferschneideschritt zer teilt wird, die Lebensdauer der Waferschneideklinge verlän gert.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines zweiten Aus führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

In dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung werden die Schutzteile bzw. Schutzkappen 14 ähnlich dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausgebildet. Unterschiede zu dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sind, daß der Halbleiterwafer 11 Anschlußflächenabschnitte 21 aufweist, die durch Drahtkontak tierung elektrisch mit externen Schaltungen zu verbinden sind (siehe Fig. 3E), und daß die Schutzteile 14 nicht entfernt werden und in Erzeugnissen verbleiben. Deshalb müssen die Schutzteile 14 teilweise an Abschnitten entfernt werden, die den Anschlußflächenabschnitten 21 entsprechen. Die Hauptun terschiede zu dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden nachstehend detaillierter beschrieben. Es ist anzumerken, daß die gleichen Teile wie diejenigen in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und später beschriebenen anderen Ausführungsbeispielen der vor liegenden Erfindung mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind.

Die Fig. 3A bis 4B zeigen schematisch das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stu fenartige Weise. Die Schritte, die in den Fig. 3A bis 3C gezeigt sind, werden im wesentlichen auf die gleiche Weise durchgeführt, wie diejenigen, die in den Fig. 1A bis 1C gezeigt sind. In einem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt, der in Fig. 3D gezeigt ist, werden Bereiche der Schutzlage 1, an denen das Waferschneiden durchzuführen ist, und Bereiche der Schutzlage 1, die den Anschlußflächenabschnitten 21 ent sprechen, wie in dem Schritt, der in Fig. 1D gezeigt ist, entfernt, um Öffnungsabschnitte 23 auszubilden. Die Bereiche, die den Anschlußflächenabschnitten 21 entsprechen, können in einem Lagenzustand durch Pressen oder dergleichen von der Schutzlage 1 entfernt werden, bevor der Schutzlagenbereich- Entfernungsschritt ausgeführt wird.

Als nächstes wird in einem Waferverbindungsschritt, der in Fig. 3E gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11 derart mit der Schutzlage 1 verbunden, daß die Anschlußflächenabschnitte 21 an den Öffnungsabschnitten 23 freiliegen. Demgemäß liegen so wohl die Anschlußflächenabschnitte 21 als auch die Wafer schneideabschnitte 22 an den jeweiligen Öffnungsabschnitten 23 frei. Die andere Vorgehensweise in dem Waferverbindungs schritt ist im wesentlichen die gleiche wie die in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In dem vor liegenden Ausführungsbeispiel kann, da die Schutzteile 14 nicht entfernt werden müssen, die Schutzlage 1 fest befestigt werden. Dies ist bevorzugt, um das Abtrennen der Schutzlage 1 zu verhindern. Es ist nicht immer notwendig, die Anschluß flächenabschnitte 21 vollkommen freizulegen. Die Anschluß flächenabschnitte 21 können aus jeweiligen Fenstern zur Drahtkontaktierung teilweise freigelegt werden.

Als nächstes wird, wie es in Fig. 4A gezeigt ist, der Wa ferschneideschritt im wesentlichen auf die gleiche Weise wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausgeführt, um dadurch den Halbleiterwafer 11 in Halbleiter chips bzw. -vorrichtungen 200 zu schneiden. In dem vorliegen den Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hält, wie es in Fig. 4B gezeigt ist, jeder Halbleiterchip 200 jedes Schutzteil 14. Nachdem der Waferschneideschritt ausgeführt worden ist, werden die Halbleiterchips 200 von der Chip vereinzelungslage 12 gelöst. Dann wird ein Drahtkontaktie rungsschritt an jedem Halbleiterchip 200 derart durchgeführt, daß Drähte mit den Anschlußflächenabschnitten 21 verbunden werden, die aus dem Öffnungsabschnitt 23 des Schutzteils 14 freiliegen. Die Anschlußflächenabschnitte 21 werden vorzugs weise vor dem Drahtkontaktierungsschritt gereinigt.

Fig. 5 zeigt eine Halbleitervorrichtung, an welcher der Drahtkontaktierungsschritt durchgeführt wird, als ein Bei spiel. Ein Halbleiterbeschleunigungssensor 31, der als einer der Halbleiterchips 200 ausgebildet ist, wird auf einem Substrat 30 (zum Beispiel einem Keramiksubstrat, einer ge druckten Leiterplatte oder einem Leiterrahmen) durch einen Klebstoff bzw. eine Klebstofflage 32, eine Silberpaste oder dergleichen durch Bedienen eines Roboterarms oder dergleichen angeordnet. Als nächstes wird ein Draht, der aus Gold, Alumi nium oder dergleichen besteht, auf einem Anschlußflächenab schnitt 21 und einem Anschluß 34 befestigt, der auf dem Substrat 30 vorgesehen ist. Daher wird der Drahtkontaktie rungsschritt ausgeführt.

Fig. 6 zeigt den Beschleunigungssensor 31 bzw. den Halb leiterchip 200 von einer Seite des Schutzteils 14. Wie es in Fig. 6 gezeigt ist, bedeckt das Schutzteil 14 den Beschleuni gungssensor 31 ausgenommen des Waferschneideabschnitts 22 und der Anschlußflächenabschnitte 21. Der Öffnungsabschnitt 23 ist ein Abschnitt, der nicht mit dem Schutzteil 14 bedeckt ist. Weiterhin zeigen die Fig. 7A und 7B einen Fall, in dem die Anschlußflächenabschnitte 21 teilweise aus dem Schutzteil 14 freiliegen, das heißt, die Öffnungsabschnitte 23 sind derart ausgebildet, daß sie teilweise die Anschluß flächenabschnitte 21 freilegen.

Daher kann gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel zu sätzlich zu den gleichen Effekten wie denjenigen in dem er sten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, der Drahtkontaktierungsschritt ohne ein Entfernen der Schutzlage 1 bzw. des Schutzteils 14 von dem Halbleiterchip 200 durchge führt werden. Da es nicht notwendig ist, das Schutzteil 14 nach dem Waferschneideschritt zu entfernen, kann die Schutz lage 1 fest mit dem Wafer verbunden werden. Als Ergebnis kann das Abtrennen der Schutzlage 1 zweckmäßiger verhindert wer den.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines dritten Aus führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Die Fig. 8A bis 8F zeigen ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenartige Weise. In den ersten und zweiten Ausführungsbeispielen der vorlie genden Erfindung wird der Halbleiterwafer 11 von einer seiner Oberflächen verarbeitet. Im Gegensatz dazu wird in dem vor liegenden Ausführungsbeispiel der Halbleiterwafer 11 von sei nen vorderen und hinteren Oberflächen verarbeitet. Das heißt, wie es in Fig. 8A gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11 in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel weist von der hinteren Ober fläche verarbeitete Abschnitte 41 auf, die durch Ätzen oder dergleichen, das von der hinteren Oberfläche durchgeführt wird, als Öffnungsabschnitte ausgebildet werden. Die bewegli chen Abschnitte 10 liegen sowohl aus der vorderen als auch hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 11 frei.

In einem Klebstofflagen-Verbindungsschritt an der hinte ren Oberfläche wird eine Klebstofflage bzw. rückseitige Schutzlage 42 mit der hinteren Oberfläche des Halbleiterwa fers 11 verbunden, um die hintere Oberfläche zu schützen. Weiterhin wird in dem Waferverbindungsschritt die Schutzlage 1, welche wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorlie genden Erfindung derart verarbeitet wird, daß sie die Rillen 6 aufweist, mit der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 11 verbunden, während sie an der Montagevorrichtung 4 befe stigt ist. Dieser Zustand ist in Fig. 8B gezeigt.

Dann wird, wie es in Fig. 8C gezeigt ist, die Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 gelöst. Danach wird, wie es in Fig. 8D gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11 durch Vakuumab sorption mittels eines Waferschneidestreifens 12a an der Seite des Klebstoffilms 42 an dem Waferschneideträger (in Fig. 8D nicht gezeigt) befestigt. Dann wird der Waferschnei deschritt wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorlie genden Erfindung ausgeführt. Der Waferschneidestreifen 12a weist die gleiche Funktion wie die der Chipvereinzelungslage 12 auf und wird nicht vollständig zerteilt.

Demgemäß wird der Halbleiterwafer 11 in Chips geteilt. Wie es in Fig. 8E gezeigt ist, ist jeder Chip durch das Schutzteil 14 an seiner Seite der vorderen Oberfläche und durch den Klebstoffilm 42 an seiner Seite der hinteren Ober fläche geschützt. Dann wird wie in dem ersten Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung das Schutzteil 14 entfernt, um dadurch einen Halbleiterchip bzw. eine Halbleitervorrich tung 300 vorzusehen, die in Fig. 8F gezeigt ist. Der Halblei terchip 300 kann wie ein herkömmlicher IC-Chip gehandhabt werden.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel kann mit dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung bei dem Aus bilden des Schutzteils 14 kombiniert werden. Fig. 9 zeigt die Abwandlung. Das Schutzteil 14, das die vordere Oberfläche des Halbleiterchip 300 schützt, wird derart ausgebildet, daß die Anschlußflächenabschnitte 21 und der Waferschneideabschnitt 22 aus einem Öffnungsabschnitt 23 freiliegen. Demgemäß kann der Drahtkontaktierungsschritt an dem Halbleiterchip 300 ähn lich zu dem Beschleunigungssensor 31 durchgeführt werden, der in Fig. 5 gezeigt ist.

Daher können gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die gleichen Effekte wie diejenigen in den ersten und zweiten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung erzielt wer den. Zusätzlich können auch dann, wenn die beweglichen Ab schnitte 10 aus beiden Oberflächen des Halbleiterwafers 11 freiliegen, die beweglichen Abschnitte 10 zweckmäßig ge schützt werden.

In dem Waferschneideschritt können zwei Arten von Wafer schneideklingen in Übereinstimmung mit den Eigenschaften der Klebstofflage 42 verwendet werden, um die Lebensdauer der Wa ferschneideklingen zu verlängern. Genauer gesagt, zerteilt eine erste Klinge den Halbleiterwafer 11 etwas, wie es durch einen Pfeil C1 in Fig. 8D gezeigt ist, und schneidet dann eine zweite Klinge den verbleibenden Halbleiterwafer 11, den Klebstoffilm 42 und den Waferschneidestreifen 12a, wie es durch einen Pfeil C2 in Fig. 8D gezeigt ist. Die zweite Klinge ist dicker als die erste Klinge und besteht aus einem Material, das sich von dem der ersten Klinge unterscheidet. Daher kann ein zweistufiges Zerteilen ausgeführt werden. Wenn die Dicke der Schutzlage 1 bzw. des Schutzteils 14 auf zum Beispiel 50 µm erhöht wird, kann der Halbleiterwafer 11 von seiner hinteren Oberfläche zerteilt werden.

Das Schutzteil 14 weist den Kappenabschnitt 5 auf, um in den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen keinen bewegli chen Abschnitt 10 zu berühren. Der Kappenabschnitt 5 wird durch die Montagevorrichtung 4 ausgebildet, die die Vertie fungen 2 aufweist. Jedoch kann, wie es in Fig. 10 gezeigt ist, ein Klebstoff 52 auf einem flachen Schutzteil 51 dort angeordnet werden, wo die beweglichen Abschnitte 10 des Halb leiterwafers 11 keinen Konflikt verursachen. Demgemäß kann durch den Klebstoff 52 verhindert werden, daß das Schutzteil die beweglichen Abschnitte 10 berührt. Das Schutzteil 51 wird durch Anordnen des Klebstoffs 52 auf der flachen Schutzlage 1 und durch Ausbilden der Vertiefungen 6 oder der Öffnungsab schnitte 23 in der Schutzlage 1 ausgebildet. In diesem Fall können die Vertiefungen 2 der Montagevorrichtung 4 weggelas sen werden, was zu niedrigen Kosten führt.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines vierten Aus führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Die Fig. 11A bis 11E zeigen ein Verfahren zum Herstel len einer Halbleitervorrichtung gemäß dem vierten Ausfüh rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenar tige Weise. In dem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegen den Erfindung werden, wie es in Fig. 11A gezeigt ist, beweg liche Abschnitte 61 in dem Halbleiterwafer 11 mit einer Tiefe in einem Bereich von ungefähr 0,5 bis 100 µm von einer Ober fläche des Wafers 11 ausgebildet. In dem vorliegenden Ausfüh rungsbeispiel wird insbesondere eine Vertiefung 62, die durch jeden beweglichen Abschnitt 61 und die Oberfläche 60 defi niert ist, auf ungefähr 3 µm eingestellt. In diesem Fall kann ein Schutzteil bzw. eine Schutzkappe 63 flach sein. Deshalb werden in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Montage vorrichtungs-Befestigungsschritt, der Schutzlagenbereich-Ent fernungsschritt, der Waferverbindungsschritt und der Schutz lagen-Verbindungsschritt an der hinteren Oberfläche durchge führt, wie es zuvor beschrieben worden ist, während der Schutzfilm 1 flach bleibt, ohne die Kappenabschnitte 5 auszu bilden, um dadurch den Zustand auszubilden, der in Fig. 11B gezeigt ist.

Als nächstes werden, wie es in Fig. 11C und 11D gezeigt ist, der Waferschneideschritt und der Schutzteil-Entfernungs schritt wie in dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegen den Erfindung ausgeführt, um dadurch einen Halbleiterchip bzw. eine Halbleitervorrichtung 400 auszubilden, die in Fig. 11E gezeigt ist. Das Schutzteil 63 kann wie in dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausgebildet werden. Fig. 12 zeigt den Halbleiterchip 400, der demgemäß derart ausgebildet ist, daß er das Schutzteil 63 aufweist, aus dem die Anschlußflächenabschnitte 21 freiliegen. Der Halbleiterchip 400, der in Fig. 12 gezeigt ist, kann dem Drahtkontaktierungsschritt unterzogen werden, während das Schutzteil 63 wie in dem zweiten Ausführungsbeispiel der vor liegenden Erfindung gehalten wird.

Obgleich die beweglichen Abschnitte 10 in dem vorliegen den Ausführungsbeispiel aus sowohl vorderen als auch hinteren Oberflächen des Halbleiterwafers 11 freiliegen, können die beweglichen Abschnitte 10 wie in den ersten und zweiten Aus führungsbeispielen der vorliegenden Erfindung lediglich aus der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 11 freiliegen, vorausgesetzt, daß die beweglichen Abschnitte 10 mit einer Tiefe in einem Bereich von ungefähr 0,5 bis 100 µm von der vorderen Oberfläche des Wafers in dem Wafer ausgebildet wer den. Daher können gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die gleichen Effekte wie diejenigen in den ersten bis dritten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung durch Anwen den der flachen Schutzlage 1 bzw. des flachen Schutzteils 63 an den Halbleiterwafer 11 vorgesehen werden, der die zuvor beschriebene Struktur aufweist.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines fünften Aus führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

In dem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung weist ein Halbleiterchip 500, der durch Chipvereinze lung eines Halbleiterwafers 11 ausgebildet wird, Kontaktie rungsflecken auf, die von diesem freiliegen, um elektrisch mit externen Abschnitten verbunden zu werden. Die Fig. 13A bis 13E zeigen ein Verfahren zum Herstellen des Halbleiter chip 500 gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegen den Erfindung auf eine stufenartige Weise.

Zuerst werden in einem Kontaktierungsflecken-Ausbildungs schritt, der in Fig. 13A gezeigt ist, Kontaktierungsflecken 70 auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 11 ausge bildet, um elektrisch mit den Anschlußflächenabschnitten 21 verbunden zu werden. Die Kontaktierungsflecken 70 werden aus zum Beispiel einem eutektischen Lot oder einem Lot ausgebil det, das In beinhaltet. Steh-Kontaktierungsflecken bzw. Drahtkontaktierungsflecken, die aus Goldkugeln bestehen, wel che durch Drahtkontaktierung von Golddrähten ausgebildet wer den, können als die Kontaktierungsflecken 70 angewendet wer den.

In dem Montagevorrichtungs-Befestigungsschritt wird die Schutzlage 1 an der Montagevorrichtung 4 befestigt. Dann wird in dem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt die Schutzlage 1 mittels eines Excimerlasers oder dergleichen derart teilweise entfernt, daß sie an Bereichen, die beweglichen Abschnitten 61 des Halbleiterwafers 11 entsprechen, Vertiefungen 71 auf weist. Die Vertiefungen 71 weisen die gleiche Funktion wie diejenige der Kappenabschnitte 5 auf, die zuvor beschrieben worden sind. Wenn die beweglichen Abschnitte 61 in dem Wafer 11 mit einer Tiefe in einem Bereich von ungefähr 0,5 bis 100 µm von der Waferoberfläche 60 vorgesehen werden, ist es nicht immer notwendig, die Vertiefungen 71 auszubilden.

In dem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt werden die Rillen 6 weiterhin in der Schutzlage 1, die an der Montage vorrichtung 4 befestigt ist, an Bereichen bzw. Ritzbereichen ausgebildet, an denen das Waferschneiden durchzuführen ist, um dadurch die Schutzlage 1 in Stücke zu teilen, von denen jedes eine Abmessung aufweist, die jedem Halbleiterchip ent spricht. Zu diesem Zeitpunkt werden ebenso Bereiche der Schutzlage 1, die den Kontaktierungsflecken 70 entsprechen, entfernt, um Öffnungsabschnitte 72 auszubilden.

Als nächstes wird der Klebstoffilm 42 mit der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 11 verbunden. In dem Wafer verbindungsschritt in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden Schutzteile 73, die durch Teilen der Schutzlage 1 aus gebildet werden, mit der hinteren Oberfläche des Halbleiter wafers 11 verbunden, um die Kontaktierungsflecken 70 aus den Öffnungsabschnitten 72 freizulegen, während er an der Monta gevorrichtung 4 befestigt ist. Als Ergebnis wird der Zustand, der in Fig. 13B gezeigt ist, geschaffen.

Nachdem die Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 ge löst worden ist, wird der Waferschneideschritt entlang den Rillen 6 ausgeführt, um den Halbleiterwafer 11 in Chips zu teilen (siehe Fig. 13C).

Demgemäß wird ein Halbleiterchip 500 erzielt, der in Fig. 13D gezeigt ist. Der Halbleiterchip 500 ist mit dem Schutz teil 73 bedeckt, das die Öffnungsabschnitte 72 aufweist, und die Kontaktierungsflecken 70 liegen aus den Öffnungsabschnit ten 72 frei.

Weiterhin wird ein Substrat 80 vorbereitet, das auf sich eine leitende Schicht 81 aufweist. Das Substrat 80 ist vor zugsweise ein Keramik-, Glas-, Glas/Keramik- oder Silizium substrat oder eine gedruckte Leiterplatte. Die leitende Schicht 81 ist mit einer isolierenden Schicht 82 bedeckt, die derart Öffnungsabschnitte aufweist, daß die leitende Schicht 81 teilweise aus den Öffnungsabschnitten freiliegt.

Dann wird, wie es in Fig. 13E gezeigt ist, der Halblei terchip 500 derart auf dem Substrat 80 angeordnet, daß die Kontaktierungsflecken 70 die leitende Schicht 80 berühren, die aus den Öffnungsabschnitten freiliegt. Die Kontaktie rungsflecken 70 und die leitende Schicht 81 werden durch Re flow- oder Thermokompressionskontaktierung elektrisch mit einander verbunden. Daher kann eine seitenrichtige Kontaktie rung, das heißt, eine Flipchip-Befestigung, ausgeführt wer den.

Wenn die Kontaktierungsflecken 70 aus einem eutektischen Lot bestehen, beträgt der Schmelzpunkt des eutektischen Lots ungefähr 180°C. In diesem Fall besteht die Basis, die das Schutzteil 73 bildet, aus einem wärmebeständigen Harz, wie zum Beispiel Polyimid, und wird ein Silikonklebstoff als der zuvor beschriebene Klebstoff verwendet. Die Kontaktierungs flecken 70 können aus einem Lot bestehen, das In beinhaltet, dessen Schmelzpunkt niedriger als der eines eutektischen Lots ist. Die Kontaktierungsflecken 70 und die leitende Schicht 80 können in einer festen Phase durch Thermokompressionskontak tierung bei einer niedrigeren Temperatur miteinander verbun den werden. Ansonsten können die Kontaktierungsflecken 70 durch eine Silberpaste verbunden werden, welche im allgemei nen zum Befestigen von Chips auf einem Substrat verwendet wird.

Daher werden gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kaum Bruchstücke des Schutzteils 73 erzeugt, da das Wafer schneiden entlang den Rillen 6 durchgeführt wird. Da das Schutzteil 73 nicht von dem Halbleiterchip 500 entfernt wer den muß, kann das Schutzteil 73 fest mit dem Halbleiterchip 500 verbunden werden. Als Ergebnis wird das Abtrennen des Schutzteils 73 verhindert. Der Halbleiterchip 500 kann durch die Kontaktierungsflecken 70, die aus den Öffnungsabschnitten 72 freiliegen, während das Schutzteil 73 darauf gehalten wird, elektrisch mit dem externen Substrat 80 verbunden wer den.

In dem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt in dem vor liegenden Ausführungsbeispiel ist es schwierig, lediglich die Öffnungsabschnitte 72 auszubilden, die den Kontaktierungs flecken 70 entsprechen. Die Rillen 6 müssen nicht ausgebildet werden. In diesem Fall wird die Schutzlage 1 zusammen mit dem Wafer 11 in dem Waferschneideschritt geschnitten. Auch in diesem Fall können, da das Schutzteil nicht von dem Halblei terchip entfernt werden muß und die Schutzlage 1 fest mit dem Halbleiterwafer 11 verbunden werden kann, Bruchstücke und ein Abtrennen der Schutzlage 1 verhindert werden.

Die Schutzlage 1 in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann die Kappenabschnitte 5 aufweisen, wie sie in Fig. 1 ge zeigt sind, oder flach sein, wie es in den Fig. 10 und 11 gezeigt ist. Die beweglichen Abschnitte müssen nicht aus bei den Oberflächen des Halbleiterwafers freiliegen, sondern kön nen aus lediglich einer Oberfläche des Wafers freiliegen, wie es in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin dung dargestellt ist.

Im übrigen ist in den zuvor beschriebenen Ausführungsbei spielen, wie es in den Fig. 5 bis 7, 9, 12 und 13D gezeigt ist, der Halbleiterchip 200, 300, 400 oder 500 mit den Schutzteilen 14, 15, 63 oder 73 bedeckt und ist ein Umfangs randabschnitt 51 jedes Schutzteils an einer Innenseite eines Umfangrandabschnitts 52 jedes Halbleiterchip angeordnet. Dies ist so, da der Bereich der Schutzlage 1, an dem das Wafer schneiden durchgeführt wird, in dem Schutzlagenbereich-Ent fernungsschritt entfernt wird, um die Rillen 6 oder die Öff nungsabschnitte 3 auszubilden. Da der Umfangsrandabschnitt 51 des Schutzteils an der Innenseite des Umfangsrandabschnitts 52 des Halbleiterchip angeordnet ist, ist es schwierig, daß die Waferschneideklinge das Schutzteil berührt. Als Ergebnis werden kaum Bruchstücke der Schutzlage erzeugt und tritt das Abtrennen des Schutzteils nicht auf.

Wenn die Umfangsrandabschnitte des Schutzteils und des Halbleiterchip an der gleichen Position vorgesehen sind, ist es wahrscheinlich, daß das Schutzteil von dem Chip abgetrennt wird, wenn die Seitenflächen, die oberen Winkelabschnitte, der Randabschnitt oder dergleichen des Chip gehandhabt oder geklemmt werden. Im Gegensatz dazu tritt bei den Halbleiter chips 200 bis 500, da der Umfangsrandabschnitt 51 des Schutz teils an der Innenseite des Umfangsrandabschnitts 52 des Chip angeordnet ist, um andere Teile nicht zu berühren, das Ab trennen des Schutzteils während der Handhabung kaum auf.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines sechsten Aus führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Die Fig. 14A bis 16C zeigen ein Verfahren zum Herstel len einer Halbleitervorrichtung gemäß dem sechsten Ausfüh rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenar tige Weise. Das sechste Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet einen Halbleiterwafer 11, von dem beide Oberflächen wie in dem dritten Ausführungsbeispiel der vor liegenden Erfindung verarbeitet werden. Die Halbleitervor richtung in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird für ei nen eine Kapazität erfassenden Beschleunigungssensor verwen det. Der Halbleiterwafer 11 weist von der hinteren Oberfläche verarbeitete Abschnitte 41 als Öffnungsabschnitte derart auf, daß Erfassungsabschnitte 10a von vorderen und hinteren Ober flächen des Wafers 11 freiliegen. Jeder der Erfassungsab schnitte 10a besteht aus einer beweglichen Elektrode und ei ner festen Elektrode.

Wie es in Fig. 14A gezeigt ist, ist ein Klebstoffilm bzw. eine Klebstofflage 42 an der hinteren Oberfläche des Halblei terwafers 11 angebracht. Fig. 14B zeigt eine Montagevorrich tung 4 zum Ausbilden von Schutzkappenabschnitten 5. Die Mon tagevorrichtung 4 ist eine Scheibe und weist mehrere Vertie fungen auf einer Oberfläche von ihr zum Ausbilden der Kappen abschnitte 5 und mehrere Löcher bzw. Durchgangslöcher 3 auf, die mit den Vertiefungen 2 in Verbindung stehen und sich an der anderen Oberfläche von ihr zur Vakuumanziehung öffnen.

Als nächstes wird, wie es in Fig. 14C gezeigt ist, eine Vakuumeinspannstufe 600 in Kontakt zu der Montagevorrichtung 4 an einer den Vertiefungen 2 gegenüberliegenden Seite ange ordnet. Die Vakuumeinspannstufe 600 weist in sich ein Druck leitloch 601 auf. Das Druckleitloch 601 steht an einem Ende von ihm mit den jeweiligen Löchern 3 und mit einem anderen Ende von ihm mit einer Vakuumpumpe bzw. Dekompressionspumpe in Verbindung. Die Montagevorrichtung 4 und die Vakuumein spannstufe 600 sind durch einen O-Ring 602 abgedichtet. Die Vakuumanziehung kann durch das Druckleitloch 601 in einer Richtung durchgeführt werden, die in Fig. 14C durch einen Pfeil P dargestellt ist.

Als nächstes werden, wie es in Fig. 14D gezeigt ist, die Montagevorrichtung 4 und die Vakuumeinspannstufe 600 auf eine Temperatur (zum Beispiel ungefähr 70°C) erwärmt, die imstande ist, die Schutzlage 1 zu deformieren. Danach wird in dem Mon tagevorrichtungs-Befestigungsschritt die Schutzlage 1 an der Oberfläche der Montagevorrichtung 4 befestigt, während die Vakuumpumpe betrieben wird, um die Vakuumanziehung durchzu führen. Demgemäß wird, wie es in dem ersten Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung beschrieben worden ist, die Schutzlage 1 derart deformiert, daß sie die Kappenabschnitte 5 aufweist, die sich von einer Seite einer Klebstoffoberflä che 1a zu einer Oberfläche 1b entlang den Vertiefungen 2 hin durch eine Anziehungskraft einbeulen, die von den Löchern 3 ausgeübt wird. Zu diesem Zeitpunkt wird ein Chipvereinze lungsrahmen 603 an einem Außenumfangsabschnitt der Schutzlage 1 angeordnet, um eine Flachheit der Schutzlage 1 zu erhalten.

Als nächstes werden in dem Waferverbindungsschritt, der in Fig. 15A gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11 und die Schutzlage 1 im wesentlichen auf die gleiche Weise wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung derart zueinander positioniert, daß die Erfassungsabschnitte 10a den jeweiligen Kappenabschnitten 5 gegenüberliegen. Dann werden die vordere Oberfläche des Halbleiterwafers 11 und die Kleb stoffoberfläche 1a der Schutzlage 1 miteinander verbunden und werden diese dann auf Raumtemperatur abgekühlt, während ihr Zustand erhalten wird.

Nach einem Abkühlen wird in einem Verstärkungsplatten-In stallationsschritt, der in Fig. 15B gezeigt ist, ein Verstär kungswafer 604, der im Durchmesser größer als der Halbleiter wafer 11 ist, auf der hinteren Oberfläche des Klebstoffilms 42 als eine Verstärkungsplatte angeordnet. Die Schutzlage 1 wird mit dem Verstärkungswafer 604 an dem Außenumfangsab schnitt der Klebstoffoberfläche 1a von diesem verbunden, wo durch die Schutzlage 1 und der Halbleiterwafer 11 an dem Ver stärkungswafer 604 befestigt werden. Als Ergebnis wird der Verstärkungswafer 604 derart angeordnet, daß er der Oberflä che der Montagevorrichtung 4, an der die Vertiefungen 2 aus gebildet sind, über den Wafer 11 und die Schutzlage 1, die sich dazwischen befinden, gegenüberliegt.

Als nächstes wird die Montagevorrichtung 4 von der Schutzlage 1 gelöst. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird ein Druck über die Montagevorrichtung 4 in einer Rich tung, die durch einen Pfeil P in Fig. 15B dargestellt ist, auf die Schutzlage 1 ausgeübt (Druckausübungs-Löseschritt). Genauer gesagt wird die Verbindung des Endes des Druckleit lochs 601 von der Vakuumpumpe zu einer Druckzufuhrvorrichtung (nicht gezeigt, zum Beispiel ein Kompressor) umgeschaltet. Das Umschalten der Verbindung kann durch Umschalten eines Leitungssystems (wie zum Beispiel eines Schlauchsystems) der Vakuumpumpe zu einem Leitungssystem der Druckzufuhrvorrich tung durch einen Schaltkolben oder dergleichen durchgeführt werden.

Die Druckzufuhrvorrichtung liefert Gas, wie zum Beispiel komprimierte Luft oder komprimierten Stickstoff (N₂) über das Druckleitloch 601 in die Löcher 3, um dadurch die Druckaus übung mit einem Druck von ungefähr 0,03 MPa durchzuführen. Die Kappenabschnitte 5 werden durch die Größe des Drucks nicht deformiert. In diesem unter Druck gesetzten Zustand wird der Verstärkungswafer 604 zusammen mit dem Halbleiterwa fer 11 und der Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 ge löst. Zu diesem Zeitpunkt wird, da der Halbleiterwafer 11 von dem Verstärkungswafer 604 an der hinteren Oberfläche von ihm getragen wird, der Halbleiterwafer 11 während des Lösens nicht deformiert (gewölbt) und beschädigt. Fig. 15C zeigt den Zustand, nachdem das Lösen ausgeführt worden ist.

Als nächstes wird in einem Verstärkungsplatten-Entfer nungsschritt, der in Fig. 16A gezeigt ist, der Außenumfangs abschnitt der Schutzlage 1 durch Abtrennen entfernt und wird demgemäß der Verstärkungswafer 60 von dem Halbleiterwafer 11 entfernt. Da der Verstärkungswafer 604 lediglich den Kleb stoffilm 42 berührt, kann dessen Abtrennen einfach durchge führt werden. Als nächstes wird, wie es in Fig. 16B gezeigt ist, eine Chipvereinzelungslage 12 an der hinteren Oberfläche des Klebstoffilms 42 angebracht und wird der Waferschneide schritt unter Verwendung einer Waferschneideklinge 605 ausge führt. Danach wird, wie es in Fig. 16C gezeigt ist, die Schutzlage 1 entfernt, um dadurch den Halbleiterwafer 11 in Chips zu teilen. Im übrigen dienen die Montagevorrichtung 4, der Verstärkungswafer bzw. die Verstärkungsplatte 604, das Druckleitloch 601 und die Druckzufuhrvorrichtung bzw. Druck ausübungsvorrichtung in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zusammenwirkend als eine Wafer-Lö sevorrichtung.

Gemäß dem Verfahren des vorliegenden Ausführungsbeispiels wird, nachdem der Halbleiterwafer 11 mit der Klebstoffober fläche 1a der Schutzlage 1 verbunden worden ist, die fest an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist, die Schutzlage 1 zu sammen mit dem Halbleiterwafer 11 von der Montagevorrichtung 4 gelöst. Wenn die Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 gelöst wird, wird ein Druck über die Montagevorrichtung 4 in einer Richtung, in welcher die Schutzlage 1 gelöst wird, auf die Schutzlage 1 ausgeübt.

Demgemäß kann der Halbleiterwafer 11, der mit der Schutz lage 1 verbunden ist, einfach unter einem Druck abgenommen werden, ohne irgendwelche Beschädigungen aufzuweisen. Daher kann das Lösen des Wafers gemäß dem Verfahren der vorliegen den Erfindung mit einer hohen Bearbeitbarkeit und einem hohen Durchsatz durchgeführt werden. Der Verstärkungswafer 604 muß nicht immer angewendet werden, ist aber wirkungsvoll, um die Beschädigungen an dem Halbleiterwafer 11 zweckmäßiger zu ver hindern.

Die Montagevorrichtung 4 in dem vorliegenden Ausführungs beispiel weist die Vertiefungen 2 und die Löcher 3 auf, die mit den Vertiefungen 2 in Verbindung stehen, und die Schutz lage 1 wird entlang den Vertiefungen 2 derart deformiert, daß sie die Kappenabschnitte 5 aufweist. Die Kappenabschnitte 5 schützen die beweglichen Abschnitte des Halbleiterwafers vor einer Oberflächenspannung und einem Wasserdruck während des Waferschneideschritts. Andererseits wird die Abmessung jedes Halbleiterchips Jahr für Jahr verringert, so daß die Anzahl der Chips, die durch einen Wafer ausgebildet werden, auf zum Beispiel 2000 bis 3000 erhöht wird.

In einem derartigen Fall erfordert die große Anzahl von Chips mindestens die gleiche Anzahl von Kappenabschnitten. Demgemäß ist es erforderlich, daß die Montagevorrichtung zum Ausbilden der Kappenabschnitte 2000 bis 3000 Vertiefungen auf sich aufweist. In diesem Fall ist es sehr schwierig, die Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 lösen, da die Schutzlage 1 entlang den Vertiefungen eingebeult ist. Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann jedoch die Schutz lage auch in einem derartigen Fall einfach gelöst werden, um dadurch das zuvor beschriebene Problem zu lösen.

Die Montagevorrichtung 4 kann lediglich flach sein, ohne die Vertiefungen 2 aufzuweisen, und lediglich Löcher 3 können in der Montagevorrichtung 4 ausgebildet sein. In diesem Fall werden die Kappenabschnitte 5 nicht an der Schutzlage 1 aus gebildet. Diese Änderung beeinträchtigt überhaupt nicht den Effekt eines einfachen Lösens der Schutzlage 1 von der Monta gevorrichtung 4 durch Druckausübung. Obgleich sowohl eine Va kuumanziehung als auch eine Druckausübung durch die Löcher 3 durchgeführt werden, kann die Montagevorrichtung 4 andere Lö cher lediglich für eine Druckausübung aufweisen.

Das Verfahren der vorliegenden Erfindung, das zuvor be schrieben worden ist, beinhaltet keinen Schutzlagenbereich- Entfernungsschritt, der in den ersten bis fünften Ausfüh rungsbeispielen der vorliegenden Erfindung beschrieben worden ist. Jedoch kann auch dann, wenn der Schutzlagen-Entfernungs schritt ausgeführt wird, der Effekt des vorliegenden Ausfüh rungsbeispiels ebenso hervorgebracht werden. Zum Beispiel können die Bereiche der Schutzlage 1, die den Ritzbereichen entsprechen, zwischen dem Schritt, der in Fig. 14D gezeigt ist, und dem Schritt, der in Fig. 15A gezeigt ist, entfernt werden. Auch wenn die Schutzlage 1 demgemäß geteilt wird, wird, da die Schutzlage 1 durch Vakuumabsorption an der Mon tagevorrichtung 4 befestigt ist, die geteilte Schutzlage 1 nicht gelockert, um voneinander getrennt zu werden.

Die Verstärkungsplatte der Wafer-Lösevorrichtung ist nicht auf den Verstärkungswafer, wie zum Beispiel einen Sili ziumwafer, beschränkt, sondern kann eine Druckvorrichtungs platte 606 sein, die in den Fig. 17A und 17B gezeigt ist. In einem abgewandelten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das in den Fig. 17A und 17B gezeigt ist, be steht die Druckvorrichtungsplatte 606 aus Aluminium und weist eine Oberfläche 607 und Vorsprungsabschnitte 608 auf, die von dem Außenumfangsabschnitt der Oberfläche 607 zu der Montage vorrichtung 4 hin hervorstehen. Die Fläche der Oberfläche 607 ist größer als die des Halbleiterwafers 11.

In einem Verstärkungsplatten-Installationsschritt, der die Druckvorrichtungsplatte 606 verwendet, werden, nachdem die Vakuumanziehung gestoppt worden ist, wie es in Fig. 17 gezeigt ist, die Druckvorrichtungsplatte 606 und die Montage vorrichtung 4 durch Befestigungsschrauben 609 miteinander be festigt, die in Schraubenlöcher der Druckvorrichtungsplatte 606 und der Montagevorrichtung 4 eingebracht werden. Demgemäß weist die Oberfläche 607 der Platte 6 einen bestimmten Spalt zu dem Klebstoffilm 42 auf, der mit dem Halbleiterwafer 11 verbunden ist. Die vorderen Enden der Vorsprungsabschnitte 608 werden von der Oberfläche der Montagevorrichtung 4 über den Außenumfangsabschnitt der Schutzlage 1 gehalten.

Als nächstes wird bei einem Druckausübungs-Löseschritt, der die Druckvorrichtungsplatte 606 verwendet, wie sie zuvor beschrieben worden ist, der Druck über die Montagevorrichtung 4 in einer Richtung, in welcher die Schutzlage 1 zu lösen ist, auf die Schutzlage 1 ausgeübt. Demgemäß wird die Schutz lage 1 leicht von der Montagevorrichtung 4 getrennt, wie es in Fig. 17B gezeigt ist. Die hintere Oberfläche des Halblei terwafers 11 grenzt über den Klebstoffilm 42 an die Oberflä che 607 der Druckvorrichtungsplatte 606 an und wird von der Oberfläche 607 gehalten. Folglich kann zweckmäßiger verhin dert werden, daß der Halbleiterwafer 11 beschädigt wird. Da nach werden die Befestigungsschrauben 609 gelöst, so daß die Druckvorrichtungsplatte 606 von dem Halbleiterwafer 11 gelöst wird.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, wird der Verstär kungswafer 604 durch die Klebstoffoberfläche 1a der Schutz lage 1 an dem Halbleiterwafer 11 und der Schutzlage 1 befe stigt, die an dem Außenumfangsabschnitt des Verstärkungswa fers 604 klebt. Deshalb verbleiben Klebstoffe auf dem Ver stärkungswafer 604 nach dessen Verwendung. Wenn der Verstär kungswafer 604 erneut als eine Verstärkungsplatte verwendet wird, ist es notwendig, zu verhindern, daß der Halbleiterwa fer 11 durch die Klebstoffe verunreinigt wird, die auf dem Verstärkungswafer 604 verbleiben. Da das Positionieren zwi schen dem Verstärkungswafer 604 und dem Halbleiterwafer 11 nicht einfach ist, muß der Verstärkungswafer 604 gereinigt werden, bevor er erneut verwendet wird, um die Verunreinigung des Halbleiterwafers 11 zu verhindern.

Andererseits weist die Druckvorrichtungsplatte 606, die zuvor beschrieben worden ist, die Vorsprungsabschnitte 608 an ihrem Außenumfangsabschnitt auf, und halten die Vorsprungsab schnitte 608 den Halbleiterwafer 11. Das Positionieren zwi schen dem Halbleiterwafer 11 und der Druckvorrichtungsplatte 606 kann unter Verwendung der Vorsprungsabschnitte 608 als Bezug einfach ausgeführt werden. Da kein Klebstoff an der Druckvorrichtungsplatte 606 klebt, gibt es keine Möglichkeit, den Halbleiterwafer 11 durch den Klebstoff zu verunreinigen.

Die Druckvorrichtungsplatte 606 muß nicht gereinigt werden, wenn sie erneut verwendet wird, was zu einer Vereinfachung des Herstellungsverfahrens führt.

Obgleich die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die vorhergehenden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Er findung gezeigt und beschrieben worden ist, ist es für Fach leute offensichtlich, daß Änderungen in der Form und im De tail durchgeführt werden können, ohne den Umfang der vorlie genden Erfindung zu verlassen, wie er in den beiliegenden An sprüchen definiert ist.

Zum Beispiel kann die Halbleitervorrichtung bei der vor liegenden Erfindung aus einem Halbleiterchip bestehen, der mit Harz verkapselt ist. In den zuvor beschriebenen Ausfüh rungsbeispielen der vorliegenden Erfindung weisen die Schutz teile verschiedene Strukturen, wie zum Beispiel einen Kappen abschnitt, einen Spalt, der durch Klebstoffe definiert ist, und eine Vertiefung auf, die durch einen Excimerlaser ausge bildet wird, um dadurch eine Berührung mit den beweglichen Abschnitten des Halbleiterwafers zu verhindern. Jedoch ist die Struktur des Schutzteils nicht auf diese beschränkt. In den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen der vorliegen den Erfindung können, obgleich mehrere Schutzteile aus einer Schutzlage ausgebildet werden, die an der Montagevorrichtung befestigt ist, die Schutzteile einzeln ausgebildet und fest auf der Montagevorrichtung angebracht werden. Die zuvor be schriebenen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung können ausgewählt und zweckmäßig miteinander kombiniert wer den. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf eine Halbleiter vorrichtung beschränkt, die einen beweglichen Abschnitt auf weist, sondern kann an anderen Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen der Vorrichtungen durch Zerteilen eines Halbleiterwafers, der mit einer Schutzlage bedeckt ist, in Chips durch Chipvereinzelung angewendet werden.

Wie es zuvor beschrieben worden ist, wird eine Schutzlage an einer Montagevorrichtung befestigt und werden Bereiche der Schutzlage entfernt, die Bereichen entsprechen, an denen ein Zerteilen durch Chipvereinzelung durchzuführen ist, um Rillen auszubilden. Dann wird ein Halbleiterwafer an einer der Mon tagevorrichtung gegenüberliegenden Seite mit der Schutzlage verbunden und wird die Montagevorrichtung von der Schutzlage und dem Halbleiterwafer gelöst, die miteinander verbunden sind. Danach wird der Halbleiterwafer durch Chipvereinzelung entlang den Rillen der Schutzlage in Halbleiterchips zer teilt. Da die Schutzlage nicht durch die Chipvereinzelung zerteilt wird, werden keine Bruchstücke der Schutzlage er zeugt, was eine Verunreinigung an den Chips verhindert.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist:
Befestigen einer Schutzlage (1) an einer Montagevor richtung (4);
Entfernen eines Waferschneidebereichs der an der Monta gevorrichtung (4) befestigten Schutzlage (1);
Verbinden eines Halbleiterwafers (11) mit der Schutz lage (1) an einer der Montagevorrichtung (4) gegenüber liegenden Seite, wobei die Schutzlage (1) an der Monta gevorrichtung (4) befestigt ist;
Lösen der Schutzlage (1) und des Halbleiterwafers (11) von der Montagevorrichtung (4), wodurch der Halbleiter wafer (11) aus dem Waferschneidebereich freiliegt, an dem die Schutzlage (1) entfernt ist; und
Zerteilen des Halbleiterwafers (11) entlang des Wafer schneidebereichs durch Chipvereinzelung.

2. Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin die folgenden Schritte aufweist:
Ausbilden eines Anschlußflächenabschnitts (21) auf ei ner Oberfläche des Halbleiterwafers (11), die mit der Schutzlage (1) zu verbinden ist;
derartiges Entfernen eines Anschlußflächenabschnitts der Schutzlage (1) zusammen mit dem Waferschneidebe reich, daß ein Öffnungsabschnitt (23) zum Freilegen des Anschlußflächenabschnitts (21) aus diesem ausgebildet wird, wenn der Halbleiterwafer (11) und die Schutzlage (1) miteinander verbunden sind; und
Verbinden eines Drahts (33) mit dem Anschlußflächenab schnitt (21), der aus dem Öffnungsabschnitt (23) der Schutzlage (1) freiliegt, nach einem Zerteilen des Halbleiterwafers (11) entlang des Waferschneidebereichs durch Chipvereinzelung.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Entfernen des Waferschneidebereichs der Schutzlage (1) durch der artiges Abtrennen des Waferschneidebereichs ausgeführt wird, daß eine Rille (6) ausgebildet wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Schutzlage (1) aus einem sich bei Wärme zusammenziehen den Kunststoffilm besteht.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, das weiter hin einen Schritt eines Anbringens einer rückseitigen Lage (42) an dem Halbleiterwafer (11) an einer der Schutzlage (1) gegenüberliegenden Seite vor einem Zer teilen des Halbleiterwafers (11) aufweist.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Schutzlage (1) durch Vakuumabsorption an der Montage vorrichtung (4) befestigt wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das Lösen der Schutzlage (1) und des Halbleiterwafers (11) von der Montagevorrichtung (4) ein Ausüben eines Drucks auf die Schutzlage (1) von der Seite der Montagevor richtung (4) beinhaltet.

8. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist:
Vorbereiten eines Halbleiterwafers (11) und einer Schutzlage (1);
Ausbilden eines Kontaktierungsfleckens (70) auf einer Hauptfläche des Halbleiterwafers (11);
Ausbilden eines Öffnungsabschnitts (72) in der Schutz lage (1);
derartiges Verbinden der Hauptfläche des Halbleiterwa fers (11) mit der Schutzlage (1), daß der Kontaktie rungsflecken (70) aus dem Öffnungsabschnitt (72) frei liegt; und
derartiges Zerteilen des Halbleiterwafers (11) durch Chipvereinzelung, daß eine Halbleitervorrichtung ausge bildet wird, die mit der Schutzlage (1) bedeckt ist und den Kontaktierungsflecken (70) aufweist, der aus dem Öffnungsabschnitt (72) freiliegt.

9. Verfahren nach Anspruch 8, das weiterhin die folgenden Schritte aufweist:
Vorbereiten eines Substrats (80), das einen leitenden Abschnitt (81) auf sich aufweist;
Anordnen der Halbleitervorrichtung auf dem Substrat (80), wobei der Kontaktierungsflecken (70) den leiten den Abschnitt (81) berührt; und
elektriscries Verbinden des Kontaktierungstleckens (70) mit dem leitenden Abschnitt (81).

10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, das weiterhin die folgenden Schritte aufweist:
Befestigen der Schutzlage (1) an einer Montagevorrich tung (4) durch Vakuumabsorption, bevor der Öffnungsab schnitt (72) in der Schutzlage (1) ausgebildet wird; und
Lösen der Montagevorrichtung (4) von der Schutzlage (1) nach dem Verbinden des Halbleiterwafers (11) mit der Schutzlage (1).

11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das Lösen der Mon tagevorrichtung (4) von der Schutzlage (1) ein Ausüben eines Drucks auf die Schutzlage (1) durch ein Loch (3) beinhaltet, das in der Montagevorrichtung (4) vorgese hen ist.

12. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist:
Befestigen einer Schutzlage (1) an einer Montagevor richtung (4);
Verbinden eines Halbleiterwafers (11) mit der Schutz lage (1) an einer der Montagevorrichtung (4) gegenüber liegenden Seite; und
Lösen der Schutzlage (1) und des Halbleiterwafers (11) von der Montagevorrichtung (4) durch einen Druck, der von der Seite der Montagevorrichtung (4) auf die Schutzlage (1) ausgeübt wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der Druck auf die Schutzlage (1) durch ein Loch (3) ausgeübt wird, das in der Montagevorrichtung (4) vorgesehen ist.

14. Halbleitervorrichtung, die aufweist:
einen Halbleiterchip (200; 300; 400; 500), der durch Zerteilen eines Halbleiterwafers (11) durch Chipverein zelung vorgesehen ist; und
ein Schutzteil (14; 51; 63; 73), das auf dem Halblei terchip (200; 300; 400; 500) angeordnet ist, wobei das Schutzteil (14; 51; 63; 73) zum Schützen des Halblei terchip (200; 300; 400; 500) dient, wenn der Halblei terwafer (11) durch Chipvereinzelung zerteilt wird, wo bei ein Umfangsrandabschnitt (51) des Schutzteils (14; 51; 63; 73) an einer Innenseite eines Umfangsrandabschnitts (52) des Halbleiterchip (200; 300; 400; 500) vorgesehen ist.

15. Halbleitervorrichtung, die aufweist:
einen Halbleiterchip (500), der durch Zerteilen eines Halbleiterwafers (11) durch Chipvereinzelung vorgesehen ist;
einen Kontaktierungsflecken (70), der auf einer Ober fläche des Halbleiterchip (500) angeordnet ist; und
ein Schutzteil (73), das auf der Oberfläche des Halb leiterctnp (500) angeoranet ist und einen Öffnungsab schnitt (72) aufweist, aus welchem der Kontaktierungs flecken (70) freiliegt, wobei das Schutzteil (73) zum Schützen des Halbleiterchip (500) dient, wenn der Halb leiterwafer (11) durch Chipvereinzelung zerteilt wird.

16. Wafer-Lösevorrichtung, die aufweist:
eine Montagevorrichtung (4) zum festen Halten einer Schutzlage (1) auf sich, wobei die Schutzlage (1) zum Schützen eines Halbleiterwafers (11) durch Bedecken des Halbleiterwafers (11) dient; und
eine Druckausübungseinrichtung zum derartigen Ausüben eines Drucks auf die Schutzlage (1), daß die Schutzlage (1) durch den Druck zusammen mit dem Halbleiterwafer (11), welcher an einer der Montagevorrichtung (4) ge genüberliegenden Seite mit der Schutzlage (1) verbunden ist, von der Montagevorrichtung (4) gelöst wird.

17. Wafer-Lösevorrichtung nach Anspruch 16, bei der die Druckausübungseinrichtung den Druck durch ein in der Montagevorrichtung (4) vorgesehenes Durchgangsloch (3) ausübt.

18. Wafer-Lösevorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, bei der:
die Montagevorrichtung (4) eine Mehrzahl von Vertiefun gen (2) auf einer Oberfläche von ihr zum festen Halten der Schutzlage (1) und eine Mehrzahl von Löchern (3) aufweist, die mit jeweiligen der Mehrzahl von Vertie fungen (2) verbunden sind; und
die Montagevorrichtung (4), die auf sich befestigte Schutzlage (1) entlang der Mehrzahl von Vertiefungen (2) durch Absorption deformiert, die durch die Mehrzahl der Löcher (3) durchgeführt wird.

19. Wafer-Lösevorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 18, die weiterhin eine Verstärkungsplatte (604; 606) zum Tragen des Halbleiterwafers (11) an einer der Schutzlage (1) gegenüberliegenden Seite aufweist, wenn die Schutzlage (1) und der Halbleiterwafer (11) von der Montagevorrichtung (4) gelöst werden.

20. Wafer-Lösevorrichtung nach Anspruch 19, bei der die Verstärkungsplatte (604; 606) eine Trägeroberfläche (607) zum Tragen das Halbleiterwafers (11) und einen Vorsprungsabschnitt (608) aufweist, der von einem Außenumfangsabschnitt der Trägeroberfläche (607) zu der Montagevorrichtung (4) hin hervorsteht.