DE10013067B4

DE10013067B4 - Verfahren zum Herstellen von einer Halbleitervorrichtung durch Chipvereinzelung und Wafer-Lösevorrichtung

Info

Publication number: DE10013067B4
Application number: DE10013067A
Authority: DE
Inventors: Tetsuo Kariya Fujii; Tsuyoshi Kariya Fukada; Hiroshi Kariya Muto; Kenichi Kariya Ao; Shinji Kariya Yoshihara; Sumitomo Kariya Inomata
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1999-03-19
Filing date: 2000-03-17
Publication date: 2008-10-16
Anticipated expiration: 2020-03-18
Also published as: JP2000340526A; US20020093076A1; US7298022B2; JP4151164B2; DE10013067A1; US20040259330A1; US7091109B2; US6787866B2; US6429506B1; US20050156309A1

Abstract

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist:
derartiges Befestigen einer Schutzlage (1) an einer Montagevorrichtung (4) durch Vakuumabsorption, daß die Schutzlage (1) deformiert wird;
derartiges Entfernen eines Waferschneidebereichs der an der Montagevorrichtung (4) befestigten Schutzlage (1), daß die Schutzlage (1) in eine Mehrzahl von Bereichen geteilt wird;
Halten der geteilten Schutzlage (1) auf der Montagevorrichtung (4) durch die Vakuumabsorption;
Verbinden eines Halbleiterwafers (11) mit der geteilten Schutzlage (1) an einer der Montagevorrichtung (4) gegenüberliegenden Seite, wobei die geteilte Schutzlage (1) an der Montagevorrichtung (4) befestigt ist;
Lösen der Schutzlage (1) und des Halbleiterwafers (11) von der Montagevorrichtung (4), wodurch der Halbleiterwafer (11) aus dem Waferschneidebereich freiliegt, an dem die Schutzlage (1) entfernt ist; und
Zerteilen des Halbleiterwafers (11) entlang des Waferschneidebereichs durch Chipvereinzelung nach dem Lösen.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Chipvereinzelung bzw. Dicen eines mit einer Schutzlage bedeckten Halbleiterwafers entlang von Ritzlinien und eine für das Verfahren verwendbare Wafer-Lösevorrichtung.
Wie es in vielen Druckschriften, wie zum Beispiel der JP-A-10-242253 , der JP-A-7-99172 , der US-A-5 824 177 und der US-A-5 362 681 offenbart ist, ist, wenn ein Halbleiterwafer, der mehrere bewegliche Abschnitte aufweist, in mehrere Chips zerteilt wird, eine Schutzlage an dem Halbleiterwafer angebracht, um die beweglichen Abschnitte zu schützen. In diesem Zustand wird der Halbleiterwafer in einem Waferschneideschritt zusammen mit der Schutzlage in die Chips vereinzelt.
Bei dem zuvor beschriebenen Verfahren im Stand der Technik werden jedoch, da die Schutzlage zusammen mit dem Halbleiterwafer vereinzelt wird, Bruchstücke der Schutzlage, wie zum Beispiel organische Klebstoffpartikel durch das Zerteilen erzeugt und haften als Verunreinigungen an den Chips. Die Bruchstücke können derart an auf den Chips ausgebildeten Elektroden haften, daß die Elektroden hinsichtlich einer elektrischen und mechanischen Verbindung nachteilig beeinträchtigt werden.
Weiterhin muß bei dem Verfahren im Stand der Technik die Schutzlage von den Chips entfernt werden, nachdem der Waferschneideschritt ausgeführt worden ist.
Wenn die Schutzlage fest mit dem Halbleiterwafer verbunden ist, ist das Entfernen der Schutzlage schwierig und kann durch eine Belastung Beschädigungen an den Chips verursachen. Deshalb ist die Schutzlage mit einer verhältnismäßig kleinen Haftkraft mit dem Halbleiterwafer verbunden. Aufgrund dessen wird die Schutzlage während des Waferschneideschritts leicht von dem Halbleiterwafer getrennt. Als Ergebnis kann die Schutzlage die beweglichen Abschnitte nicht ausreichend schützen.
Die US 5668 033 A offenbart das Verkappen von Beschleunigungssensoren und ein Verfahren mit Montagevorrichtung, Schutzlage und Wafer mit Sägelinien, wobei in den Sägelinien das Material der Schutzlage bereits entfernt wurde, wobei auch Kontaktierungsflecken bereits freiliegen. Die Schutzlage kann außer aus Silizium auch aus Glas oder einem Harz bestehen und der Wafer kann Drucksensoren aufweisen.
Die US 5 831 369 A offenbart das Verkappen von SAW-Bauelementen. Eine Folie wird mittels "Thermoforming2 BZW: Tiefziehen hergestellt und als Folie auf das SAW-Substrat aufgebracht. Alternativ wird eine Kappe sukzessive auf dem SAW-Substrat aufgebaut und dann das Substrat mit Sägen vereinzelt. Ferner wird eine Anregung gegeben, die Sägelinien frei von Kappenmaterial zu halten, und wird ein Schrumpfen des Kappenmaterials erwähnt.
Die EP 0 794 616 A2 offenbart das Verkappen von SAW-Bauelementen. Als Alternative zu einem Drahtbonden wird eine Flip-Montage beschrieben.
Die DE 25 35 173 A1 offenbart das Umhüllen von Halbleiterbauteilen auf einem Halterahmen mittels Tiefziehen einer Folie und, dass zum Abheben der tiefgezogenen Folie in die Öffnungen ein Überdruck angelegt werden kann. Weiterhin erfordert eine Suagplatte an den Rändern Dichtungen.
Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf die vorhergehenden Probleme geschaffen worden.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung zu schaffen, das imstande ist, zu verhindern, daß eine Halbleitervorrichtung durch Bruchstücke einer Schutzlage verunreinigt wird, die erzeugt werden, wenn ein mit der Schutzlage bedeckter Halbleiterwafer durch Chipvereinzelung zerteilt wird, um die Halbleitervorrichtung auszubilden, sowie darin, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und eine Wafer-Lösevorrichtung zu schaffen, die imstande sind, ein Abtrennen der Schutzlage zu verhindern.
Diese Aufgabe wird hinsichtlich des Verfahrens mit den in den Ansprüchen 1, 7 und 11 angegebenen Maßnahmen gelöst und hinsichtlich der Wafer-Lösevorrichtung mit den in Anspruch 13 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Bei dem Verfahren gemäß Anspruch 1 werden, da der Waferschneidebereich der Schutzlage entfernt wird und die Schutzlage nicht durch die Chipvereinzelung geschnitten wird, keinerlei Bruchstücke der Schutzlage durch die Chipvereinzelung erzeugt. Als Ergebnis wird die Halbleitervorrichtung nicht durch die Bruchstücke verunreinigt. Da eine Waferschneideklinge die Schutzlage nicht berühren muß, wird das Abtrennen der Schutzlage nicht durch die Waferschneideklinge verursacht.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung weiter untersucht und geprüft und festgestellt, daß, wenn eine Haftkraft zwischen der Schutzlage und der Montagevorrichtung stark war, der Halbleiterwafer einfach bricht, wenn die Schutzlage und der Halbleiterwafer von der Montagevorrichtung gelöst werden.
Um das zuvor beschriebene Problem zu lösen, werden gemäß der vorliegenden Erfindung die Schutzlage und der Halbleiterwafer durch einen Druck, der von der Seite der Montagevorrichtung auf die Schutzlage ausgeübt wird, von der Montagevorrichtung gelöst. Demgemäß kann der Halbleiterwafer, ohne beschädigt zu werden, zusammen mit der Schutzlage gelöst werden. Eine Bearbeitbarkeit und ein Durchsatz zum Lösen des Halbleiterwafers von der Montagevorrichtung werden ebenso verbessert.
Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen:
1A bis 2C Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenartige Weise;
3A bis 4B Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenartige Weise;
5 eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
6 eine schematische Draufsicht der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
7A eine schematische Querschnittsansicht einer abgewandelten Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
7B eine schematische Draufsicht der abgewandelten Halbleitervorrichtung in 7A;
8A bis 8F Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenartige Weise;
9 eine Querschnittsansicht einer abgewandelten Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
10 eine Querschnittsansicht eines Falls, in dem eine flache Schutzlage verwendet wird;
11A bis 11E Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung auf eine stufenartige Weise;
12 eine Querschnittsansicht einer abgewandelten Halbleitervorrichtung;
13A bis 13E Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung auf eine stufenartige Weise;
14A bis 16C Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung auf eine stufenartige Weise; und
17A und 17B Querschnittsansichten eines Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer abgewandelten Verstärkungsplatte.
In den Ausführungsbeispielen ist mit einem Halbleiterwafer ein Wafer gemeint, bevor und nachdem ein Waferschneideschritt ausgeführt wird, vorausgesetzt, daß der Wafer eine Kontur seines Anfangszustands aufweist.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
In dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung an verschiedenen Halbleitervorrichtungen angewendet, die bewegliche Abschnitte beinhalten, wie zum Beispiel ein an der Oberfläche mikroverarbeiteter Beschleunigungssensor, ein Drehwinkelsensor und eine reflektierende digitale Mikrospiegel-Projektionsvorrichtung bzw. DMD. Das Verfahren in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die 1A bis 2C erläutert.
Zuerst wird, wie es in 1A gezeigt ist, eine Schutzlage 1 vorbereitet. Die Schutzlage 1 ist aus einer UV-härtenden Schutzlage ausgebildet, wobei eine Basis von ihr zum Beispiel aus Polyolefin besteht. Die Schutzlage weist eine Klebstoffoberfläche 1a zum Bedecken eines Halbleiterwafers 11 und eine Oberfläche 1b an einer der Klebstoffoberfläche 1a gegenüberliegenden Seite auf. Weiterhin ist eine Montagevorrichtung 4, wie sie in 1B gezeigt ist, auf einem Erwärmungsvorrichtungsblock (nicht gezeigt) angeordnet. Die Montagevorrichtung 4 weist Vertiefungen 2 und Löcher 3 für eine Vakuumabsorption auf. Der Erwärmungsvorrichtungsblock führt die Vakuumabsorption zusammenwirkend mit den Löchern 3 der Montagevorrichtung 4 durch.
Als nächstes wird in einem Montagevorrichtungs-Befestigungsschritt, der in 1C gezeigt ist, die Schutzlage 1 auf der Montagevorrichtung 4 angeordnet, wobei die Oberfläche 1b die Montagevorrichtung 4 berührt und die Klebstoffoberfläche 1a nach oben freiliegt. Dann wird die Schutzlage 1 durch Vakuumabsorption, die durch die Löcher 3 durchgeführt wird, entlang den Vertiefungen 2 eingebeult. Da die Montagevorrichtung 4 auf eine Temperatur in einem Bereich von 40 bis 200°C erwärmt ist, werden Schutzkappenabschnitte 5 auf der Schutzlage 1 mit Formen ausgebildet, die den Vertiefungen 2 entsprechen. Die Schutzlage 1 wird durch Anziehung durch die Löcher 3 an der Montagevorrichtung 4 befestigt.
In einem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt, der in 1D gezeigt ist, wird die Montagevorrichtung 4 zusammen mit der Schutzlage 1, die an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist, von dem Erwärmungsvorrichtungsblock gelöst. Die Montagevorrichtung 4 wird dann auf einem Träger (nicht gezeigt) angeordnet, welcher wie der Erwärmungsvorrichtungsblock unter Vakuum absorbieren kann. Dann werden Bereiche der Schutzlage 1, an denen in einem nachstehend beschriebenen Waferschneideschritt ein Waferschneiden durchzuführen ist, durch Abtrennen entfernt, um dadurch Rillen 6 an den entfernten Bereichen bzw. Waferschneidebereichen auszubilden. Als Ergebnis ist die Schutzlage 1 in Bereiche geteilt, die Abmessungen aufweisen, die ungefähr die gleichen wie diejenigen von Halbleiterchips sind, die auszubilden sind. In diesem Schritt wird die Schutzlage 1, da die Schutzlage 1 durch Vakuumabsorption an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist, nicht in Stücken gelöst, nachdem der Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt ausgeführt worden ist.
Als nächstes wird in einem Waferverbindungsschritt, der in 1E gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11, der bewegliche Abschnitte 10 aufweist und zum Beispiel aus Silizium besteht, durch Klebstoffe derart mit der Schutzlage 1 verbunden, daß die beweglichen Abschnitte 10 den Kappenabschnitten 5 gegenüberliegen. Die Schutzlage 1 kann eine druckempfindliche Klebstofflage sein, so daß der Halbleiterwafer 11 damit verbunden wird. Das Positionieren zwischen der Schutzlage 1 und dem Halbleiterwafer 11 wird durch Ausrichtungsmarkierungen, die auf der Schutzlage 1 und dem Halbleiterwafer 11 ausgebildet sind, oder durch eine CCD-Kamera durchgeführt. Ein Roller kann bei einem Erwärmen des Halbleiterwafers 11 auf dem Halbleiterwafer 11 gerollt werden, so daß der Halbleiterwafer 11 mit der Schutzlage 1 verbunden werden kann, ohne Einschlüsse in den Klebstoffen zu erzeugen und eine Haftkraft der Klebstoffe zu verschlechtern.
Dann wird eine Chipvereinzelungslage 12 an der anderen Oberfläche des Halbleiterwafers 11 an einer den beweglichen Abschnitten 10 gegenüberliegenden Seite angebracht. Die Chipvereinzelungslage 12 kann an dem Halbleiterwafer 11 angebracht werden, bevor der Halbleiterwafer 11 mit der Schutzlage 1 verbunden wird. Durch das Durchführen des zuvor beschriebenen Waferverbindungsschritts, wie er in 1E gezeigt ist, wird der Halbleiterwafer 11 an einer Oberfläche an Schutzteilen bzw. Schutzkappen 14 angebracht und wird er an der anderen Oberfläche an der Chipvereinzelungslage 12 angebracht. Jedes der Schutzteile 14 weist einen entsprechenden der Kappenabschnitte 5 und eine Abmessung auf, die die gleiche wie die jedes Halbleiterchip ist, und wird an dem Halbleiterwafer 11 angebracht, während dieser an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist. In 1E sind, obgleich lediglich ein beweglicher Abschnitt 10 in jedem Chipbereich dargestellt ist, im allgemeinen mehrere bewegliche Abschnitte 10 in jedem Chipbereich vorgesehen.
Nachfolgend wird in dem Waferschneideschritt, der in 2A gezeigt ist, nachdem die Montagevorrichtung 4 von der Schutzlage 1 bzw. den Schutzteilen 14 gelöst worden ist, der Halbleiterwafer 11 durch Vakuumabsorption an einem Chipvereinzelungsträger 13 befestigt. In 2A ist eine detaillierte Struktur des Chipvereinzelungsträgers 13 weggelassen. Dann wird das Waferschneiden entlang den Rillen 6 durchgeführt, an denen die Schutzlage 1 entfernt ist, wodurch der Halbleiterwafer 11 in die Halbleiterchips geteilt wird. Zu diesem Zeitpunkt wird die Chipvereinzelungslage 12 nicht vollständig getrennt. Die Halbleiterchips werden durch die jeweiligen Schutzteile 14 geschützt.
Bei diesem Waferschneideschritt wird die Schutzlage 1 nicht getrennt. Deshalb werden keinerlei Bruchstücke der Schutzlage 1 erzeugt, um auf den Halbleiterchips zu verbleiben, wodurch eine Verunreinigung der Chips verhindert wird. Außerdem wird, da eine Waferschneideklinge in dem Waferschneideschritt kaum die Schutzteile 14 berührt, kein Abtrennen der Halbleiterteile 14 durch die Waferschneideklinge verursacht.
Da die Schutzlage 1 nicht so fest an dem Halbleiterwafer 11 angebracht werden muß, ist das Entfernen der Schutzteile 14 einfach. Bei einem Schutzteil-Entfernungsschritt, wie er in 2B gezeigt ist, wird eine Quarzglas-Montagevorrichtung 15, die imstande ist, ähnlich der Montagevorrichtung 14 eine Vakuumabsorption durchzuführen, auf den Schutzteilen 14 angeordnet, die den Halbleiterwafer 11 bedecken. Dann wird eine UV-Bestrahlung durch die Quarzglas-Montagevorrichtung 15 derart durchgeführt, daß der Klebstoff gehärtet wird, um eine verringerte Haftkraft aufzuweisen, und werden die Schutzteile 14 durch die Vakuumabsorption entfernt. Demgemäß wird der Zustand geschaffen, der in 2C gezeigt ist.
Die Quarzglas-Montagevorrichtung 15 kann wie die Montagevorrichtung 4, die zuvor beschrieben worden ist, Vertiefungen aufweisen. Ansonsten kann die Quarzglas-Montagevorrichtung 15 lediglich Löcher für eine Vakuumabsorption an Positionen aufweisen, die flachen Flächen der Schutzteile 14 entsprechen. Jeder Halbleiterchip bzw. jede Halbleitervorrichtung 100, die durch Entfernen der Schutzteile 14 ausgebildet wird, kann als ein herkömmlicher IC-Chip gehandhabt werden. Obgleich die Quarzglas-Montagevorrichtung 15 in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel verwendet wird, um die Schutzteile 14 zu entfernen, sind andere Materialien als die Montagevorrichtung 15 verwendbar, vorausgesetzt, daß das Material UV durchlassen kann. Die UV-Bestrahlung kann unter Verwendung eines Spiegels oder einer optischen Faser durchgeführt werden, vorausgesetzt, daß die gesamte Waferoberfläche mit UV bestrahlt wird.
Wenn die Schutzlage 1 aus einem sich bei Wärme zusammenziehenden Kunststoffilm besteht, werden die Rillen 6 aufgrund eines Zusammenziehens der Schutzlage 1 bei Wärme aufgeweitet, nachdem der Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt ausgeführt worden ist. Deshalb können die entfernten Bereiche der Schutzlage 1 verringert werden. Ebenso kann, da es schwierig ist, daß die Waferschneideklinge die Schutzlage 1 in dem Waferschneideschritt berührt, der Waferschneideschritt einfacher durchgeführt werden. Vorzugsweise wird der sich bei Wärme zusammenziehende Kunststoffilm aus Filmen der Polyolefinfamilie, wie zum Beispiel einem Polyethylenfilm und einem Polypropylenfilm, und Filmen ausgewählt, die durch Ziehen verarbeitet werden, wie zum Beispiel ein Polyvinylchloridfilm und ein Polyesterfilm.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Schutzlage 1 durch Vakuumabsorption an der Montagevorrichtung 4 befestigt. Deshalb kann die Schutzlage 1 einfach an der Montagevorrichtung 4 befestigt werden und von der Montagevorrichtung 4 gelöst werden, ohne beschädigt zu werden. Ebenso wird, da die Schutzlage 1 nicht in dem Waferschneideschritt zerteilt wird, die Lebensdauer der Waferschneideklinge verlängert.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
In dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden die Schutzteile bzw. Schutzkappen 14 ähnlich dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausgebildet. Unterschiede zu dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sind, daß der Halbleiterwafer 11 Anschlußflächenabschnitte 21 aufweist, die durch Drahtkontaktierung elektrisch mit externen Schaltungen zu verbinden sind (siehe 3E), und daß die Schutzteile 14 nicht entfernt werden und in Erzeugnissen verbleiben. Deshalb müssen die Schutzteile 14 teilweise an Abschnitten entfernt werden, die den Anschlußflächenabschnitten 21 entsprechen. Die Hauptunterschiede zu dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden nachstehend detaillierter beschrieben. Es ist anzumerken, daß die gleichen Teile wie diejenigen in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und dem später beschriebenen dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind.
Die 3A bis 4B zeigen schematisch das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenartige Weise. Die Schritte, die in den 3A bis 3C gezeigt sind, werden im wesentlichen auf die gleiche Weise durchgeführt, wie diejenigen, die in den 1A bis 1C gezeigt sind. In einem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt, der in 3D gezeigt ist, werden Bereiche der Schutzlage 1, an denen das Waferschneiden durchzuführen ist, und Bereiche der Schutzlage 1, die den Anschlußflächenabschnitten 21 entsprechen, wie in dem Schritt, der in 1D gezeigt ist, entfernt, um Öffnungsabschnitte 23 auszubilden. Die Bereiche, die den Anschlußflächenabschnitten 21 entsprechen, können in einem Lagenzustand durch Pressen oder dergleichen von der Schutzlage 1 entfernt werden, bevor der Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt ausgeführt wird.
Als nächstes wird in einem Waferverbindungsschritt, der in 3E gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11 derart mit der Schutzlage 1 verbunden, daß die Anschlußflächenabschnitte 21 an den Öffnungsabschnitten 23 freiliegen. Demgemäß liegen sowohl die Anschlußflächenabschnitte 21 als auch die Waferschneideabschnitte 22 an den jeweiligen Öffnungsabschnitten 23 frei. Die andere Vorgehensweise in dem Waferverbindungsschritt ist im wesentlichen die gleiche wie die in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann, da die Schutzteile 14 nicht entfernt werden müssen, die Schutzlage 1 fest befestigt werden. Dies ist bevorzugt, um das Abtrennen der Schutzlage 1 zu verhindern. Es ist nicht immer notwendig, die Anschlußflächenabschnitte 21 vollkommen freizulegen. Die Anschlußflächenabschnitte 21 können aus jeweiligen Fenstern zur Drahtkontaktierung teilweise freigelegt werden.
Als nächstes wird, wie es in 4A gezeigt ist, der Waferschneideschritt im wesentlichen auf die gleiche Weise wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausgeführt, um dadurch den Halbleiterwafer 11 in Halbleiterchips bzw. -vorrichtungen 200 zu schneiden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hält, wie es in 4B gezeigt ist, jeder Halbleiterchip 200 jedes Schutzteil 14. Nachdem der Waferschneideschritt ausgeführt worden ist, werden die Halbleiterchips 200 von der Chipvereinzelungslage 12 gelöst. Dann wird ein Drahtkontaktierungsschritt an jedem Halbleiterchip 200 derart durchgeführt, daß Drähte mit den Anschlußflächenabschnitten 21 verbunden werden, die aus dem Öffnungsabschnitt 23 des Schutzteils 14 freiliegen. Die Anschlußflächenabschnitte 21 werden vorzugsweise vor dem Drahtkontaktierungsschritt gereinigt.
5 zeigt eine Halbleitervorrichtung, an welcher der Drahtkontaktierungsschritt durchgeführt wird, als ein Beispiel. Ein Halbleiterbeschleunigungssensor 31, der als einer der Halbleiterchips 200 ausgebildet ist, wird auf einem Substrat 30 (zum Beispiel einem Keramiksubstrat, einer gedruckten Leiterplatte oder einem Leiterrahmen) durch einen Klebstoff bzw. eine Klebstofflage 32, eine Silberpaste oder dergleichen durch Bedienen eines Roboterarms oder dergleichen angeordnet. Als nächstes wird ein Draht, der aus Gold, Aluminium oder dergleichen besteht, auf einem Anschlußflächenabschnitt 21 und einem Anschluß 34 befestigt, der auf dem Substrat 30 vorgesehen ist. Daher wird der Drahtkontaktierungsschritt ausgeführt.
6 zeigt den Beschleunigungssensor 31 bzw. den Halbleiterchip 200 von einer Seite des Schutzteils 14. Wie es in 6 gezeigt ist, bedeckt das Schutzteil 14 den Beschleunigungssensor 31 ausgenommen des Waferschneideabschnitts 22 und der Anschlußflächenabschnitte 21. Der Öffnungsabschnitt 23 ist ein Abschnitt, der nicht mit dem Schutzteil 14 bedeckt ist. Weiterhin zeigen die 7A und 7B einen Fall, in dem die Anschlußflächenabschnitte 21 teilweise aus dem Schutzteil 14 freiliegen, das heißt, die Öffnungsabschnitte 23 sind derart ausgebildet, daß sie teilweise die Anschlußflächenabschnitte 21 freilegen.
Daher kann gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel zusätzlich zu den gleichen Effekten wie denjenigen in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, der Drahtkontaktierungsschritt ohne ein Entfernen der Schutzlage 1 bzw. des Schutzteils 14 von dem Halbleiterchip 200 durchgeführt werden. Da es nicht notwendig ist, das Schutzteil 14 nach dem Waferschneideschritt zu entfernen, kann die Schutzlage 1 fest mit dem Wafer verbunden werden. Als Ergebnis kann das Abtrennen der Schutzlage 1 zweckmäßiger verhindert werden.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
Die 8A bis 8F zeigen ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung auf eine stufenartige Weise. In den ersten und zweiten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung wird der Halbleiterwafer 11 von einer seiner Oberflächen verarbeitet. Im Gegensatz dazu wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Halbleiterwafer 11 von seinen vorderen und hinteren Oberflächen verarbeitet. Das heißt, wie es in 8A gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11 in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel weist von der hinteren Oberfläche verarbeitete Abschnitte 41 auf, die durch Ätzen oder dergleichen, das von der hinteren Oberfläche durchgeführt wird, als Öffnungsabschnitte ausgebildet werden. Die beweglichen Abschnitte 10 liegen sowohl aus der vorderen als auch hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 11 frei.
In einem Klebstofflagen-Verbindungsschritt an der hinteren Oberfläche wird eine Klebstofflage bzw. rückseitige Schutzlage 42 mit der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 11 verbunden, um die hintere Oberfläche zu schützen. Weiterhin wird in dem Waferverbindungsschritt die Schutzlage 1, welche wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung derart verarbeitet wird, daß sie die Rillen 6 aufweist, mit der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 11 verbunden, während sie an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist. Dieser Zustand ist in 8B gezeigt.
Dann wird, wie es in 8C gezeigt ist, die Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 gelöst. Danach wird, wie es in 8D gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11 durch Vakuumabsorption mittels eines Waferschneidestreifens 12a an der Seite des Klebstoffilms 42 an dem Waferschneideträger (in 8D nicht gezeigt) befestigt. Dann wird der Waferschneideschritt wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausgeführt. Der Waferschneidestreifen 12a weist die gleiche Funktion wie die der Chipvereinzelungslage 12 auf und wird nicht vollständig zerteilt.
Demgemäß wird der Halbleiterwafer 11 in Chips geteilt. Wie es in 8E gezeigt ist, ist jeder Chip durch das Schutzteil 14 an seiner Seite der vorderen Oberfläche und durch den Klebstoffilm 42 an seiner Seite der hinteren Oberfläche geschützt. Dann wird wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung das Schutzteil 14 entfernt, um dadurch einen Halbleiterchip bzw. eine Halbleitervorrichtung 300 vorzusehen, die in 8F gezeigt ist. Der Halbleiterchip 300 kann wie ein herkömmlicher IC-Chip gehandhabt werden.
Das vorliegende Ausführungsbeispiel kann mit dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung bei dem Ausbilden des Schutzteils 14 kombiniert werden. 9 zeigt die Abwandlung. Das Schutzteil 14, das die vordere Oberfläche des Halbleiterchip 300 schützt, wird derart ausgebildet, daß die Anschlußflächenabschnitte 21 und der Waferschneideabschnitt 22 aus einem Öffnungsabschnitt 23 freiliegen. Demgemäß kann der Drahtkontaktierungsschritt an dem Halbleiterchip 300 ähnlich zu dem Beschleunigungssensor 31 durchgeführt werden, der in 5 gezeigt ist.
Daher können gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die gleichen Effekte wie diejenigen in den ersten und zweiten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung erzielt werden. Zusätzlich können auch dann, wenn die beweglichen Abschnitte 10 aus beiden Oberflächen des Halbleiterwafers 11 freiliegen, die beweglichen Abschnitte 10 zweckmäßig geschützt werden.
In dem Waferschneideschritt können zwei Arten von Waferschneideklingen in Übereinstimmung mit den Eigenschaften der Klebstofflage 42 verwendet werden, um die Lebensdauer der Waferschneideklingen zu verlängern. Genauer gesagt, zerteilt eine erste Klinge den Halbleiterwafer 11 etwas, wie es durch einen Pfeil C1 in 8D gezeigt ist, und schneidet dann eine zweite Klinge den verbleibenden Halbleiterwafer 11, den Klebstoffilm 42 und den Waferschneidestreifen 12a, wie es durch einen Pfeil C2 in 8D gezeigt ist. Die zweite Klinge ist dicker als die erste Klinge und besteht aus einem Material, das sich von dem der ersten Klinge unterscheidet. Daher kann ein zweistufiges Zerteilen ausgeführt werden. Wenn die Dicke der Schutzlage 1 bzw. des Schutzteils 14 auf zum Beispiel 50 μm erhöht wird, kann der Halbleiterwafer 11 von seiner hinteren Oberfläche zerteilt werden.
Das Schutzteil 14 weist den Kappenabschnitt 5 auf, um in den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen keinen beweglichen Abschnitt 10 zu berühren. Der Kappenabschnitt 5 wird durch die Montagevorrichtung 4 ausgebildet, die die Vertiefungen 2 aufweist. Jedoch kann, wie es in 10 gezeigt ist, ein Klebstoff 52 auf einem flachen Schutzteil 51 dort angeordnet werden, wo die beweglichen Abschnitte 10 des Halbleiterwafers 11 keinen Konflikt verursachen. Demgemäß kann durch den Klebstoff 52 verhindert werden, daß das Schutzteil die beweglichen Abschnitte 10 berührt. Das Schutzteil 51 wird durch Anordnen des Klebstoffs 52 auf der flachen Schutzlage 1 und durch Ausbilden der Vertiefungen 6 oder der Öffnungsabschnitte 23 in der Schutzlage 1 ausgebildet. In diesem Fall können die Vertiefungen 2 der Montagevorrichtung 4 weggelassen werden, was zu niedrigen Kosten führt.
Die 11A bis 11E zeigen ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung auf eine stufenartige Weise. Bei diesem Verfahren werden, wie es in 11A gezeigt ist, bewegliche Abschnitte 61 in dem Halbleiterwafer 11 mit einer Tiefe in einem Bereich von ungefähr 0,5 bis 100 μm von einer Oberfläche des Wafers 11 ausgebildet. Bei diesem Verfahren wird insbesondere eine Vertiefung 62, die durch jeden beweglichen Abschnitt 61 und die Oberfläche 60 definiert ist, auf ungefähr 3 μm eingestellt. In diesem Fall kann ein Schutzteil bzw. eine Schutzkappe 63 flach sein. Deshalb werden der Montagevorrichtungs-Befestigungsschritt, der Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt, der Waferverbindungsschritt und der Schutzlagen-Verbindungsschritt an der hinteren Oberfläche durchgeführt, wie es zuvor beschrieben worden ist, während der Schutzfilm 1 flach bleibt, ohne die Kappenabschnitte 5 auszubilden, um dadurch den Zustand auszubilden, der in 11B gezeigt ist.
Als nächstes werden, wie es in 11C und 11D gezeigt ist, der Waferschneideschritt und der Schutzteil-Entfernungsschritt wie in dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausgeführt, um dadurch einen Halbleiterchip bzw. eine Halbleitervorrichtung 400 auszubilden, die in 11E gezeigt ist. Das Schutzteil 63 kann wie in dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ausgebildet werden. 12 zeigt den Halbleiterchip 400, der demgemäß derart ausgebildet ist, daß er das Schutzteil 63 aufweist, aus dem die Anschlußflächenabschnitte 21 freiliegen. Der Halbleiterchip 400, der in 12 gezeigt ist, kann dem Drahtkontaktierungsschritt unterzogen werden, während das Schutzteil 63 wie in dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gehalten wird.
Obgleich die beweglichen Abschnitte 10 aus sowohl vorderen als auch hinteren Oberflächen des Halbleiterwafers 11 freiliegen, können die beweglichen Abschnitte 10 wie in den ersten und zweiten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung lediglich aus der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 11 freiliegen, vorausgesetzt, daß die beweglichen Abschnitte 10 mit einer Tiefe in einem Bereich von ungefähr 0,5 bis 100 μm von der vorderen Oberfläche des Wafers in dem Wafer ausgebildet werden. Daher können die gleichen Effekte wie diejenigen in den ersten bis dritten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung durch Anwenden der flachen Schutzlage 1 bzw. des flachen Schutzteils 63 an den Halbleiterwafer 11 vorgesehen werden, der die zuvor beschriebene Struktur aufweist.
Bei dem nachstehend beschriebenen Verfahren weist ein Halbleiterchip 500, der durch Chipvereinzelung eines Halbleiterwafers 11 ausgebildet wird, Kontaktierungsflecken auf, die von diesem freiliegen, um elektrisch mit externen Abschnitten verbunden zu werden. Die 13A bis 13E zeigen ein Verfahren zum Herstellen des Halbleiterchip 500 auf eine stufenartige Weise.
Zuerst werden in einem Kontaktierungsflecken-Ausbildungsschritt, der in 13A gezeigt ist, Kontaktierungsflecken 70 auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 11 ausgebildet, um elektrisch mit den Anschlußflächenabschnitten 21 verbunden zu werden. Die Kontaktierungsflecken 70 werden aus zum Beispiel einem eutektischen Lot oder einem Lot ausgebildet, das In beinhaltet. Steh-Kontaktierungsflecken bzw. Drahtkontaktierungsflecken, die aus Goldkugeln bestehen, welche durch Drahtkontaktierung von Golddrähten ausgebildet werden, können als die Kontaktierungsflecken 70 angewendet werden.
In dem Montagevorrichtungs-Befestigungsschritt wird die Schutzlage 1 an der Montagevorrichtung 4 befestigt. Dann wird in dem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt die Schutzlage 1 mittels eines Excimerlasers oder dergleichen derart teilweise entfernt, daß sie an Bereichen, die beweglichen Abschnitten 61 des Halbleiterwafers 11 entsprechen, Vertiefungen 71 aufweist. Die Vertiefungen 71 weisen die gleiche Funktion wie diejenige der Kappenabschnitte 5 auf, die zuvor beschrieben worden sind. Wenn die beweglichen Abschnitte 61 in dem Wafer 11 mit einer Tiefe in einem Bereich von ungefähr 0,5 bis 100 μm von der Waferoberfläche 60 vorgesehen werden, ist es nicht immer notwendig, die Vertiefungen 71 auszubilden.
In dem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt werden die Rillen 6 weiterhin in der Schutzlage 1, die an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist, an Bereichen bzw. Ritzbereichen ausgebildet, an denen das Waferschneiden durchzuführen ist, um dadurch die Schutzlage 1 in Stücke zu teilen, von denen jedes eine Abmessung aufweist, die jedem Halbleiterchip entspricht. Zu diesem Zeitpunkt werden ebenso Bereiche der Schutzlage 1, die den Kontaktierungsflecken 70 entsprechen, entfernt, um Öffnungsabschnitte 72 auszubilden.
Als nächstes wird der Klebstoffilm 42 mit der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 11 verbunden. In dem Waferverbindungsschritt werden Schutzteile 73, die durch Teilen der Schutzlage 1 ausgebildet werden, mit der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 11 verbunden, um die Kontaktierungsflecken 70 aus den Öffnungsabschnitten 72 freizulegen, während er an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist. Als Ergebnis wird der Zustand, der in 13B gezeigt ist, geschaffen.
Nachdem die Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 gelöst worden ist, wird der Waferschneideschritt entlang den Rillen 6 ausgeführt, um den Halbleiterwafer 11 in Chips zu teilen (siehe 13C).
Demgemäß wird ein Halbleiterchip 500 erzielt, der in 13D gezeigt ist. Der Halbleiterchip 500 ist mit dem Schutzteil 73 bedeckt, das die Öffnungsabschnitte 72 aufweist, und die Kontaktierungsflecken 70 liegen aus den Öffnungsabschnitten 72 frei.
Weiterhin wird ein Substrat 80 vorbereitet, das auf sich eine leitende Schicht 81 aufweist. Das Substrat 80 ist vorzugsweise ein Keramik-, Glas-, Glas/Keramik- oder Siliziumsubstrat oder eine gedruckte Leiterplatte. Die leitende Schicht 81 ist mit einer isolierenden Schicht 82 bedeckt, die derart Öffnungsabschnitte aufweist, daß die leitende Schicht 81 teilweise aus den Öffnungsabschnitten freiliegt.
Dann wird, wie es in 13E gezeigt ist, der Halbleiterchip 500 derart auf dem Substrat 80 angeordnet, daß die Kontaktierungsflecken 70 die leitende Schicht 80 berühren, die aus den Öffnungsabschnitten freiliegt. Die Kontaktierungsflecken 70 und die leitende Schicht 81 werden durch Reflow- oder Thermokompressionskontaktierung elektrisch miteinander verbunden. Daher kann eine seitenrichtige Kontaktierung, das heißt, eine Flipchip-Befestigung, ausgeführt werden.
Wenn die Kontaktierungsflecken 70 aus einem eutektischen Lot bestehen, beträgt der Schmelzpunkt des eutektischen Lots ungefähr 180°C. In diesem Fall besteht die Basis, die das Schutzteil 73 bildet, aus einem wärmebeständigen Harz, wie zum Beispiel Polyimid, und wird ein Silikonklebstoff als der zuvor beschriebene Klebstoff verwendet. Die Kontaktierungsflecken 70 können aus einem Lot bestehen, das In beinhaltet, dessen Schmelzpunkt niedriger als der eines eutektischen Lots ist. Die Kontaktierungsflecken 70 und die leitende Schicht 80 können in einer festen Phase durch Thermokompressionskontaktierung bei einer niedrigeren Temperatur miteinander verbunden werden. Ansonsten können die Kontaktierungsflecken 70 durch eine Silberpaste verbunden werden, welche im allgemeinen zum Befestigen von Chips auf einem Substrat verwendet wird.
Daher werden kaum Bruchstücke des Schutzteils 73 erzeugt, da das Waferschneiden entlang den Rillen 6 durchgeführt wird. Da das Schutzteil 73 nicht von dem Halbleiterchip 500 entfernt werden muß, kann das Schutzteil 73 fest mit dem Halbleiterchip 500 verbunden werden. Als Ergebnis wird das Abtrennen des Schutzteils 73 verhindert. Der Halbleiterchip 500 kann durch die Kontaktierungsflecken 70, die aus den Öffnungsabschnitten 72 freiliegen, während das Schutzteil 73 darauf gehalten wird, elektrisch mit dem externen Substrat 80 verbunden werden.
In dem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt ist es schwierig, lediglich die Öffnungsabschnitte 72 auszubilden, die den Kontaktierungsflecken 70 entsprechen. Die Rillen 6 müssen nicht ausgebildet werden. In diesem Fall wird die Schutzlage 1 zusammen mit dem Wafer 11 in dem Waferschneideschritt geschnitten. Auch in diesem Fall können, da das Schutzteil nicht von dem Halbleiterchip entfernt werden muß und die Schutzlage 1 fest mit dem Halbleiterwafer 11 verbunden werden kann, Bruchstücke und ein Abtrennen der Schutzlage 1 verhindert werden.
Die Schutzlage 1 kann die Kappenabschnitte 5 aufweisen, wie sie in 1 gezeigt sind, oder flach sein, wie es in den 10 und 11 gezeigt ist. Die beweglichen Abschnitte müssen nicht aus beiden Oberflächen des Halbleiterwafers freiliegen, sondern können aus lediglich einer Oberfläche des Wafers freiliegen, wie es in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dargestellt ist.
Im übrigen ist in den zuvor Verfahren, wie es in den 5 bis 7, 9, 12 und 13D gezeigt ist, der Halbleiterchip 200, 300, 400 oder 500 mit den Schutzteilen 14, 15, 63 oder 73 bedeckt und ist ein Umfangsrandabschnitt S1 jedes Schutzteils an einer Innenseite eines Umfangrandabschnitts S2 jedes Halbleiterchip angeordnet. Dies ist so, da der Bereich der Schutzlage 1, an dem das Waferschneiden durchgeführt wird, in dem Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt entfernt wird, um die Rillen 6 oder die Öffnungsabschnitte 3 auszubilden. Da der Umfangsrandabschnitt S1 des Schutzteils an der Innenseite des Umfangsrandabschnitts S2 des Halbleiterchip angeordnet ist, ist es schwierig, daß die Waferschneideklinge das Schutzteil berührt. Als Ergebnis werden kaum Bruchstücke der Schutzlage erzeugt und tritt das Abtrennen des Schutzteils nicht auf.
Wenn die Umfangsrandabschnitte des Schutzteils und des Halbleiterchips an der gleichen Position vorgesehen sind, ist es wahrscheinlich, daß das Schutzteil von dem Chip abgetrennt wird, wenn die Seitenflächen, die oberen Winkelabschnitte, der Randabschnitt oder dergleichen des Chip gehandhabt oder geklemmt werden. Im Gegensatz dazu tritt bei den Halbleiterchips 200 bis 500, da der Umfangsrandabschnitt S1 des Schutzteils an der Innenseite des Umfangsrandabschnitts S2 des Chip angeordnet ist, um andere Teile nicht zu berühren, das Abtrennen des Schutzteils während der Handhabung kaum auf.
Die 14A bis 16C zeigen ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung auf eine stufenartige Weise. Dieses Verfahren verwendet einen Halbleiterwafer 11, von dem beide Oberflächen wie in dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verarbeitet werden. Die Halbleitervorrichtung wird für einen eine Kapazität erfassenden Beschleunigungssensor verwendet. Der Halbleiterwafer 11 weist von der hinteren Oberfläche verarbeitete Abschnitte 41 als Öffnungsabschnitte derart auf, daß Erfassungsabschnitte 10a von vorderen und hinteren Oberflächen des Wafers 11 freiliegen. Jeder der Erfassungsabschnitte 10a besteht aus einer beweglichen Elektrode und einer festen Elektrode.
Wie es in 14A gezeigt ist, ist ein Klebstoffilm bzw. eine Klebstofflage 42 an der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 11 angebracht. 14B zeigt eine Montagevorrichtung 4 zum Ausbilden von Schutzkappenabschnitten 5. Die Montagevorrichtung 4 ist eine Scheibe und weist mehrere Vertiefungen auf einer Oberfläche von ihr zum Ausbilden der Kappenabschnitte 5 und mehrere Löcher bzw. Durchgangslöcher 3 auf, die mit den Vertiefungen 2 in Verbindung stehen und sich an der anderen Oberfläche von ihr zur Vakuumanziehung öffnen.
Als nächstes wird, wie es in 14C gezeigt ist, eine Vakuumeinspannstufe 600 in Kontakt zu der Montagevorrichtung 4 an einer den Vertiefungen 2 gegenüberliegenden Seite angeordnet. Die Vakuumeinspannstufe 600 weist in sich ein Druckleitloch 601 auf. Das Druckleitloch 601 steht an einem Ende von ihm mit den jeweiligen Löchern 3 und mit einem anderen Ende von ihm mit einer Vakuumpumpe bzw. Dekompressionspumpe in Verbindung. Die Montagevorrichtung 4 und die Vakuumeinspannstufe 600 sind durch einen O-Ring 602 abgedichtet. Die Vakuumanziehung kann durch das Druckleitloch 601 in einer Richtung durchgeführt werden, die in 14C durch einen Pfeil P dargestellt ist.
Als nächstes werden, wie es in 14D gezeigt ist, die Montagevorrichtung 4 und die Vakuumeinspannstufe 600 auf eine Temperatur (zum Beispiel ungefähr 70°C) erwärmt, die imstande ist, die Schutzlage 1 zu deformieren. Danach wird in dem Montagevorrichtungs-Befestigungsschritt die Schutzlage 1 an der Oberfläche der Montagevorrichtung 4 befestigt, während die Vakuumpumpe betrieben wird, um die Vakuumanziehung durchzuführen. Demgemäß wird, wie es in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben worden ist, die Schutzlage 1 derart deformiert, daß sie die Kappenabschnitte 5 aufweist, die sich von einer Seite einer Klebstoffoberfläche 1a zu einer Oberfläche 1b entlang den Vertiefungen 2 hin durch eine Anziehungskraft einbeulen, die von den Löchern 3 ausgeübt wird. Zu diesem Zeitpunkt wird ein Chipvereinzelungsrahmen 603 an einem Außenumfangsabschnitt der Schutzlage 1 angeordnet, um eine Flachheit der Schutzlage 1 zu erhalten.
Als nächstes werden in dem Waferverbindungsschritt, der in 15A gezeigt ist, der Halbleiterwafer 11 und die Schutzlage 1 im wesentlichen auf die gleiche Weise wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung derart zueinander positioniert, daß die Erfassungsabschnitte 10a den jeweiligen Kappenabschnitten 5 gegenüberliegen. Dann werden die vordere Oberfläche des Halbleiterwafers 11 und die Klebstoffoberfläche 1a der Schutzlage 1 miteinander verbunden und werden diese dann auf Raumtemperatur abgekühlt, während ihr Zustand erhalten wird.
Nach einem Abkühlen wird in einem Verstärkungsplatten-Installationsschritt, der in 15B gezeigt ist, ein Verstärkungswafer 604, der im Durchmesser größer als der Halbleiterwafer 11 ist, auf der hinteren Oberfläche des Klebstoffilms 42 als eine Verstärkungsplatte angeordnet. Die Schutzlage 1 wird mit dem Verstärkungswafer 604 an dem Außenumfangsabschnitt der Klebstoffoberfläche 1a von diesem verbunden, wodurch die Schutzlage 1 und der Halbleiterwafer 11 an dem Verstärkungswafer 604 befestigt werden. Als Ergebnis wird der Verstärkungswafer 604 derart angeordnet, daß er der Oberfläche der Montagevorrichtung 4, an der die Vertiefungen 2 ausgebildet sind, über den Wafer 11 und die Schutzlage 1, die sich dazwischen befinden, gegenüberliegt.
Als nächstes wird die Montagevorrichtung 4 von der Schutzlage 1 gelöst. Ein Druck wird über die Montagevorrichtung 4 in einer Richtung, die durch einen Pfeil P in 15B dargestellt ist, auf die Schutzlage 1 ausgeübt (Druckausübungs-Löseschritt).
Genauer gesagt wird die Verbindung des Endes des Druckleitlochs 601 von der Vakuumpumpe zu einer Druckzufuhrvorrichtung (nicht gezeigt, zum Beispiel ein Kompressor) umgeschaltet. Das Umschalten der Verbindung kann durch Umschalten eines Leitungssystems (wie zum Beispiel eines Schlauchsystems) der Vakuumpumpe zu einem Leitungssystem der Druckzufuhrvorrichtung durch einen Schaltkolben oder dergleichen durchgeführt werden.
Die Druckzufuhrvorrichtung liefert Gas, wie zum Beispiel komprimierte Luft oder komprimierten Stickstoff (N₂) über das Druckleitloch 601 in die Löcher 3, um dadurch die Druckausübung mit einem Druck von ungefähr 0,03 MPa durchzuführen. Die Kappenabschnitte 5 werden durch die Größe des Drucks nicht deformiert. In diesem unter Druck gesetzten Zustand wird der Verstärkungswafer 604 zusammen mit dem Halbleiterwafer 11 und der Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 gelöst. Zu diesem Zeitpunkt wird, da der Halbleiterwafer 11 von dem Verstärkungswafer 604 an der hinteren Oberfläche von ihm getragen wird, der Halbleiterwafer 11 während des Lösens nicht deformiert (gewölbt) und beschädigt. 15C zeigt den Zustand, nachdem das Lösen ausgeführt worden ist.
Als nächstes wird in einem Verstärkungsplatten-Entfernungsschritt, der in 16A gezeigt ist, der Außenumfangsabschnitt der Schutzlage 1 durch Abtrennen entfernt und wird demgemäß der Verstärkungswafer 60 von dem Halbleiterwafer 11 entfernt. Da der Verstärkungswafer 604 lediglich den Klebstoffilm 42 berührt, kann dessen Abtrennen einfach durchgeführt werden. Als nächstes wird, wie es in 16B gezeigt ist, eine Chipvereinzelungslage 12 an der hinteren Oberfläche des Klebstoffilms 42 angebracht und wird der Waferschneideschritt unter Verwendung einer Waferschneideklinge 605 ausgeführt. Danach wird, wie es in 16C gezeigt ist, die Schutzlage 1 entfernt, um dadurch den Halbleiterwafer 11 in Chips zu teilen. Im übrigen dienen die Montagevorrichtung 4, der Verstärkungswafer bzw. die Verstärkungsplatte 604, das Druckleitloch 601 und die Druckzufuhrvorrichtung bzw. Druckausübungsvorrichtung zusammenwirkend als eine Wafer-Lösevorrichtung.
Gemäß dem Verfahren des vorliegenden Ausführungsbeispiels wird, nachdem der Halbleiterwafer 11 mit der Klebstoffoberfläche 1a der Schutzlage 1 verbunden worden ist, die fest an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist, die Schutzlage 1 zusammen mit dem Halbleiterwafer 11 von der Montagevorrichtung 4 gelöst. Wenn die Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 gelöst wird, wird ein Druck über die Montagevorrichtung 4 in einer Richtung, in welcher die Schutzlage 1 gelöst wird, auf die Schutzlage 1 ausgeübt.
Demgemäß kann der Halbleiterwafer 11, der mit der Schutzlage 1 verbunden ist, einfach unter einem Druck abgenommen werden, ohne irgendwelche Beschädigungen aufzuweisen. Daher kann das Lösen des Wafers mit einer hohen Bearbeitbarkeit und einem hohen Durchsatz durchgeführt werden. Der Verstärkungswafer 604 muß nicht immer angewendet werden, ist aber wirkungsvoll, um die Beschädigungen an dem Halbleiterwafer 11 zweckmäßiger zu verhindern.
Die Montagevorrichtung 4 weist die Vertiefungen 2 und die Löcher 3 auf, die mit den Vertiefungen 2 in Verbindung stehen, und die Schutzlage 1 wird entlang den Vertiefungen 2 derart deformiert, daß sie die Kappenabschnitte 5 aufweist. Die Kappenabschnitte 5 schützen die beweglichen Abschnitte des Halbleiterwafers vor einer Oberflächenspannung und einem Wasserdruck während des Waferschneideschritts. Andererseits wird die Abmessung jedes Halbleiterchip Jahr für Jahr verringert, so daß die Anzahl der Chips, die durch einen Wafer ausgebildet werden, auf zum Beispiel 2000 bis 3000 erhöht wird.
In einem derartigen Fall erfordert die große Anzahl von Chips mindestens die gleiche Anzahl von Kappenabschnitten. Demgemäß ist es erforderlich, daß die Montagevorrichtung zum Ausbilden der Kappenabschnitte 2000 bis 3000 Vertiefungen auf sich aufweist. In diesem Fall ist es sehr schwierig, die Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 lösen, da die Schutzlage 1 entlang den Vertiefungen eingebeult ist. Die Schutzlage kann jedoch auch in einem derartigen Fall einfach gelöst werden, um dadurch das zuvor beschriebene Problem zu lösen.
Die Montagevorrichtung 4 kann lediglich flach sein, ohne die Vertiefungen 2 aufzuweisen, und lediglich Löcher 3 können in der Montagevorrichtung 4 ausgebildet sein. In diesem Fall werden die Kappenabschnitte 5 nicht an der Schutzlage 1 aus gebildet. Diese Änderung beeinträchtigt überhaupt nicht den Effekt eines einfachen Lösens der Schutzlage 1 von der Montagevorrichtung 4 durch Druckausübung. Obgleich sowohl eine Vakuumanziehung als auch eine Druckausübung durch die Löcher 3 durchgeführt werden, kann die Montagevorrichtung 4 andere Löcher lediglich für eine Druckausübung aufweisen.
Das Verfahren, das zuvor beschrieben worden ist, beinhaltet keinen Schutzlagenbereich-Entfernungsschritt, der in den zuvor beschriebenen Verfahren beschrieben worden ist. Jedoch kann auch dann, wenn der Schutzlagen-Entfernungsschritt ausgeführt wird, der Effektdes zuvor beschriebenen Verfahrens ebenso hervorgebracht werden. Zum Beispiel können die Bereiche der Schutzlage 1, die den Ritzbereichen entsprechen, zwischen dem Schritt, der in 14D gezeigt ist, und dem Schritt, der in 15A gezeigt ist, entfernt werden. Auch wenn die Schutzlage 1 demgemäß geteilt wird, wird, da die Schutzlage 1 durch Vakuumabsorption an der Montagevorrichtung 4 befestigt ist, die geteilte Schutzlage 1 nicht gelockert, um voneinander getrennt zu werden.
Die Verstärkungsplatte der Wafer-Lösevorrichtung ist nicht auf den Verstärkungswafer, wie zum Beispiel einen Siliziumwafer, beschränkt, sondern kann eine Druckvorrichtungsplatte 606 sein, die in den 17A und 17B gezeigt ist. In dieser abgewandelten Form, die in den 17A und 17B gezeigt ist, besteht die Druckvorrichtungsplatte 606 aus Aluminium und weist eine Oberfläche 607 und Vorsprungsabschnitte 608 auf, die von dem Außenumfangsabschnitt der Oberfläche 607 zu der Montagevorrichtung 4 hin hervorstehen. Die Fläche der Oberfläche 607 ist größer als die des Halbleiterwafers 11.
In einem Verstärkungsplatten-Installationsschritt, der die Druckvorrichtungsplatte 606 verwendet, werden, nachdem die Vakuumanziehung gestoppt worden ist, wie es in 17 gezeigt ist, die Druckvorrichtungsplatte 606 und die Montagevorrichtung 4 durch Befestigungsschrauben 609 miteinander befestigt, die in Schraubenlöcher der Druckvorrichtungsplatte 606 und der Montagevorrichtung 4 eingebracht werden. Demgemäß weist die Oberfläche 607 der Platte 6 einen bestimmten Spalt zu dem Klebstoffilm 42 auf, der mit dem Halbleiterwafer 11 verbunden ist. Die vorderen Enden der Vorsprungsabschnitte 608 werden von der Oberfläche der Montagevorrichtung 4 über den Außenumfangsabschnitt der Schutzlage 1 gehalten.
Als nächstes wird bei einem Druckausübungs-Löseschritt, der die Druckvorrichtungsplatte 606 verwendet, wie sie zuvor beschrieben worden ist, der Druck über die Montagevorrichtung 4 in einer Richtung, in welcher die Schutzlage 1 zu lösen ist, auf die Schutzlage 1 ausgeübt. Demgemäß wird die Schutzlage 1 leicht von der Montagevorrichtung 4 getrennt, wie es in 17B gezeigt ist. Die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers 11 grenzt über den Klebstoffilm 42 an die Oberfläche 607 der Druckvorrichtungsplatte 606 an und wird von der Oberfläche 607 gehalten. Folglich kann zweckmäßiger verhindert werden, daß der Halbleiterwafer 11 beschädigt wird. Danach werden die Befestigungsschrauben 609 gelöst, so daß die Druckvorrichtungsplatte 606 von dem Halbleiterwafer 11 gelöst wird.
Wie es zuvor beschrieben worden ist, wird der Verstärkungswafer 604 durch die Klebstoffoberfläche 1a der Schutzlage 1 an dem Halbleiterwafer 11 und der Schutzlage 1 befestigt, die an dem Außenumfangsabschnitt des Verstärkungswafers 604 klebt. Deshalb verbleiben Klebstoffe auf dem Verstärkungswafer 604 nach dessen Verwendung. Wenn der Verstärkungswafer 604 erneut als eine Verstärkungsplatte verwendet wird, ist es notwendig, zu verhindern, daß der Halbleiterwafer 11 durch die Klebstoffe verunreinigt wird, die auf dem Verstärkungswafer 604 verbleiben. Da das Positionieren zwischen dem Verstärkungswafer 604 und dem Halbleiterwafer 11 nicht einfach ist, muß der Verstärkungswafer 604 gereinigt werden, bevor er erneut verwendet wird, um die Verunreinigung des Halbleiterwafers 11 zu verhindern.
Andererseits weist die Druckvorrichtungsplatte 606, die zuvor beschrieben worden ist, die Vorsprungsabschnitte 608 an ihrem Außenumfangsabschnitt auf, und halten die Vorsprungsabschnitte 608 den Halbleiterwafer 11. Das Positionieren zwischen dem Halbleiterwafer 11 und der Druckvorrichtungsplatte 606 kann unter Verwendung der Vorsprungsabschnitte 608 als Bezug einfach ausgeführt werden. Da kein Klebstoff an der Druckvorrichtungsplatte 606 klebt, gibt es keine Möglichkeit, den Halbleiterwafer 11 durch den Klebstoff zu verunreinigen. Die Druckvorrichtungsplatte 606 muß nicht gereinigt werden, wenn sie erneut verwendet wird, was zu einer Vereinfachung des Herstellungsverfahrens führt.
Obgleich die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die vorhergehenden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung gezeigt und beschrieben worden ist, ist es für Fachleute offensichtlich, daß Änderungen in der Form und im Detail durchgeführt werden können, ohne den Umfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen, wie er in den beiliegenden Ansprüchen definiert ist.
Zum Beispiel kann die Halbleitervorrichtung bei der vorliegenden Erfindung aus einem Halbleiterchip bestehen, der mit Harz verkapselt ist. In den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung weisen die Schutzteile verschiedene Strukturen, wie zum Beispiel einen Kappenabschnitt, einen Spalt, der durch Klebstoffe definiert ist, und eine Vertiefung auf, die durch einen Excimerlaser ausgebildet wird, um dadurch eine Berührung mit den beweglichen Abschnitten des Halbleiterwafers zu verhindern. Jedoch ist die Struktur des Schutzteils nicht auf diese beschränkt. In den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung können, obgleich mehrere Schutzteile aus einer Schutzlage ausgebildet werden, die an der Montagevorrichtung befestigt ist, die Schutzteile einzeln ausgebildet und fest auf der Montagevorrichtung angebracht werden. Die zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung können ausgewählt und zweckmäßig miteinander kombiniert werden. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung beschränkt, die einen beweglichen Abschnitt aufweist, sondern kann an anderen Verfahren zum Herstellen der Vorrichtungen durch Zerteilen eines Halbleiterwafers, der mit einer Schutzlage bedeckt ist, in Chips durch Chipvereinzelung angewendet werden.
Wie es zuvor beschrieben worden ist, wird eine Schutzlage an einer Montagevorrichtung befestigt und werden Bereiche der Schutzlage entfernt, die Bereichen entsprechen, an denen ein Zerteilen durch Chipvereinzelung durchzuführen ist, um Rillen auszubilden. Dann wird ein Halbleiterwafer an einer der Montagevorrichtung gegenüberliegenden Seite mit der Schutzlage verbunden und wird die Montagevorrichtung von der Schutzlage und dem Halbleiterwafer gelöst, die miteinander verbunden sind. Danach wird der Halbleiterwafer durch Chipvereinzelung entlang den Rillen der Schutzlage in Halbleiterchips zerteilt. Da die Schutzlage nicht durch die Chipvereinzelung zerteilt wird, werden keine Bruchstücke der Schutzlage erzeugt, was eine Verunreinigung an den Chips verhindert.

Claims

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: derartiges Befestigen einer Schutzlage (1) an einer Montagevorrichtung (4) durch Vakuumabsorption, daß die Schutzlage (1) deformiert wird; derartiges Entfernen eines Waferschneidebereichs der an der Montagevorrichtung (4) befestigten Schutzlage (1), daß die Schutzlage (1) in eine Mehrzahl von Bereichen geteilt wird; Halten der geteilten Schutzlage (1) auf der Montagevorrichtung (4) durch die Vakuumabsorption; Verbinden eines Halbleiterwafers (11) mit der geteilten Schutzlage (1) an einer der Montagevorrichtung (4) gegenüberliegenden Seite, wobei die geteilte Schutzlage (1) an der Montagevorrichtung (4) befestigt ist; Lösen der Schutzlage (1) und des Halbleiterwafers (11) von der Montagevorrichtung (4), wodurch der Halbleiterwafer (11) aus dem Waferschneidebereich freiliegt, an dem die Schutzlage (1) entfernt ist; und Zerteilen des Halbleiterwafers (11) entlang des Waferschneidebereichs durch Chipvereinzelung nach dem Lösen.
Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin die folgenden Schritte aufweist: Ausbilden eines Anschlußflächenabschnitts (21) auf einer Oberfläche des Halbleiterwafers (11), die mit der Schutzlage (1) zu verbinden ist; derartiges Entfernen eines Anschlußflächenabschnitts der Schutzlage (1) zusammen mit dem Waferschneidebereich, daß ein Öffnungsabschnitt (23) zum Freilegen des Anschlußflächenabschnitts (21) aus diesem ausgebildet wird, wenn der Halbleiterwafer (11) und die Schutzlage (1) miteinander verbunden sind; und Verbinden eines Drahts (33) mit dem Anschlußflächenabschnitt (21), der aus dem Öffnungsabschnitt (23) der Schutzlage (1) freiliegt, nach einem Zerteilen des Halbleiterwafers (11) entlang des Waferschneidebereichs durch Chipvereinzelung.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Entfernen des Waferschneidebereichs der Schutzlage (1) durch derartiges Abtrennen des Waferschneidebereichs ausgeführt wird, daß eine Rille (6) ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Schutzlage (1) aus einem sich bei Wärme zusammenziehenden Kunststoffilm besteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, das weiterhin einen Schritt eines Anbringens einer rückseitigen Lage (42) an dem Halbleiterwafer (11) an einer der Schutzlage (1) gegenüberliegenden Seite vor einem Zerteilen des Halbleiterwafers (11) aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Lösen der Schutzlage (1) und des Halbleiterwafers (11) von der Montagevorrichtung (4) ein Ausüben eines Drucks auf die Schutzlage (1) von der Seite der Montagevorrichtung (4) beinhaltet.
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: Vorbereiten eines Halbleiterwafers (11) und einer Schutzlage (1); Ausbilden eines Kontaktierungsfleckens (70) auf einer Hauptfläche des Halbleiterwafers (11); Befestigen der Schutzlage (1) an einer Montagevorrichtung (4) durch Vakuumabsorption; derartiges Entfernen eines Waferschneidebereichs der an der Montagevorrichtung (4) befestigten Schutzlage (1), daß die Schutzlage (1) in eine Mehrzahl von Bereichen geteilt wird; Ausbilden eines Öffnungsabschnitts (72) in der an der Montagevorrichtung (4) befestigten Schutzlage (1); derartiges Verbinden der Hauptfläche des Halbleiterwafers (11) mit der geteilten Schutzlage (1), daß der Kontaktierungsflecken (70) aus dem Öffnungsabschnitt (72) freiliegt; und derartiges Zerteilen des Halbleiterwafers (11) durch Chipvereinzelung, daß eine Halbleitervorrichtung ausgebildet wird, die mit der Schutzlage (1) bedeckt ist und den Kontaktierungsflecken (70) aufweist, der aus dem Öffnungsabschnitt (72) freiliegt.
Verfahren nach Anspruch 7, das weiterhin die folgenden Schritte aufweist: Vorbereiten eines Substrats (80), das einen leitenden Abschnitt (81) auf sich aufweist; Anordnen der Halbleitervorrichtung auf dem Substrat (80), wobei der Kontaktierungsflecken (70) den leitenden Abschnitt (81) berührt; und elektrisches Verbinden des Kontaktierungsfleckens (70) mit dem leitenden Abschnitt (81).
Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, das weiterhin ein Lösen der Montagevorrichtung (4) von der Schutzlage (1) nach dem Verbinden des Halbleiterwafers (11) mit der Schutzlage (1), vorgesehen ist.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das Lösen der Montagevorrichtung (4) von der Schutzlage (1) ein Ausüben eines Drucks auf die Schutzlage (1) durch ein Loch (3) beinhaltet, das in der Montagevorrichtung (4) vorgesehen ist.
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: Befestigen einer Schutzlage (1) an einer Montagevorrichtung (4); Verbinden eines Halbleiterwafers (11) mit der Schutzlage (1) an einer der Montagevorrichtung (4) gegenüberliegenden Seite; und Lösen der Schutzlage (1) und des Halbleiterwafers (11) von der Montagevorrichtung (4) durch einen Druck, der von der Seite der Montagevorrichtung (4) auf die Schutzlage (1) ausgeübt wird, unter Verwendung einer Druckplatte (606), wobei die Druckplatte (606) eine Oberfläche (607) und einen Vorsprungsabschnitt (608) aufweist, der Vorsprungsabschnitt (608) derart von einem Außenumfangsabschnitt der Oberfläche (607) hervorsteht, dass ein Außenumfangsabschnitt der Schutzlage (1) an dem Vorsprungsabschnitt (608) befestigt ist, und bei dem Lösen die Schutzlage (1) zusammen mit dem Halbleiterwafer (11) derart geringfügig von der Montagevorrichtung (4) getrennt wird, daß der Halbleiterwafer (11) an die Oberfläche (607) der Druckplatte (606) angrenzt und von dieser gehalten wird.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem der Druck auf die Schutzlage (1) durch ein Loch (3) ausgeübt wird, das in der Montagevorrichtung (4) vorgesehen ist.
Wafer-Lösevorrichtung, die aufweist: eine Montagevorrichtung (4) zum festen Halten einer Schutzlage (1) auf sich, wobei die Schutzlage (1) zum Schützen eines Halbleiterwafers (11) durch Bedecken des Halbleiterwafers (11) dient; eine Druckausübungseinrichtung zum derartigen Ausüben eines Drucks auf die Schutzlage (1), daß die Schutzlage (1) durch den Druck zusammen mit dem Halbleiterwafer (11), welcher an einer der Montagevorrichtung (4) gegenüberliegenden Seite mit der Schutzlage (1) verbunden ist, von der Montagevorrichtung (4) gelöst wird; und eine Verstärkungsplatte (604, 606) zum Halten des Halbleiterwafers (11) an einer entgegengesetzten Seite der Schutzlage (1), wenn die Schutzlage (1) und der Halbleiterwafer (11) von der Montagevorrichtung (4) gelöst werden, wobei die Verstärkungsplatte (604, 606) eine Halteoberfläche (607) zum Halten des Halbleiterwafers (11) und einen Vorsprungsabschnitt (608) aufweist, der von einem Außenumfangsabschnitt des Halteabschnitts (607) zu der Montagevorrichtung (4) hervorsteht.
Wafer-Lösevorrichtung nach Anspruch 13, bei der die Druckausübungseinrichtung den Druck durch ein in der Montagevorrichtung (4) vorgesehenes Durchgangsloch (3) ausübt.
Wafer-Lösevorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, bei der: die Montagevorrichtung (4) eine Mehrzahl von Vertiefungen (2) auf einer Oberfläche von ihr zum festen Halten der Schutzlage (1) und eine Mehrzahl von Löchern (3) aufweist, die mit jeweiligen der Mehrzahl von Vertiefungen (2) verbunden sind; und die Montagevorrichtung (4) die auf sich befestigte Schutzlage (1) entlang der Mehrzahl von Vertiefungen (2) durch Absorption deformiert, die durch die Mehrzahl der Löcher (3) durchgeführt wird.