DE10050601A1 - Haltevorrichtung für elektronische Bauteile, Halteverfahren für solche Bauteile und Herstellungsverfahren für elektronische Bauteile - Google Patents

Haltevorrichtung für elektronische Bauteile, Halteverfahren für solche Bauteile und Herstellungsverfahren für elektronische Bauteile

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Hideo Nakagoshi
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

Ein elastisches Material, bei dem zumindest die Oberfläche desselben Hafteigenschaften aufweist und leitfähig ist, ist auf einer Platte vorgesehen. Während ein Substrat, das Bestandteil einer Komponente eines elektronischen Bauteils ist, auf der Oberfläche des elastischen Materials durch die Haftkraft des elastischen Materials gehalten wird, kann ein Element, wie z. B. ein Halbleiterchip, an einer festen Position auf dem Substrat befestigt werden.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Haltevor­ richtung zum Halten von elektronischen Bauteilen, wie z. B. integrierten Halbleiterschaltungen und dergleichen, wenn die elektronischen Bauteile hergestellt werden, auf ein Halte­ verfahren für dieselben und auf ein Herstellungsverfahren für die elektronischen Bauteile.
Allgemein existieren beim Handhaben von elektronischen Bau­ teilen oder Komponenten, welche elektronische Bauteile bil­ den, während der Herstellungsverfahren für elektronische Bauteile Möglichkeiten, um eine Mehrzahl von Bauteilen zu­ sammen zu handhaben, und Möglichkeiten, um jedes Bauteil ge­ trennt zu handhaben. Wenn elektronische Bauteile auf letzte­ re Art und Weise hergestellt werden, wird bisher eine Halte­ vorrichtung zum Halten von elektronischen Bauteilen und Kom­ ponenten derselben verwendet, wie es beispielsweise in Fig. 7 gezeigt ist, um jedes Bauteil der Bauteile gemeinsam zu handhaben. In Fig. 7 ist ein Metallbehälter 11 gezeigt. Da­ rüberhinaus sind Hohlräume 12 gezeigt, um eine Mehrzahl von Bauteilen anzuordnen. Die Hohlräume werden durch Druckformen oder dergleichen vorgefertigt. Wenn Halbleiterchips bei­ spielsweise unter Verwendung einer solchen Haltevorrichtung Draht-gebondet werden, werden Substrate in dem Behälter 11 angeordnet. Dann werden die Halbleiterchips auf jedem der Substrate Chip-gebondet. Dann werden die Chips Draht-gebon­ det. Bei diesen Verfahren wird jedoch aufgrund der Tatsache, daß die Substrate in dem Behälter 11 befestigt sein müssen, die obere Oberfläche des Behälters durch eine Druckvorrich­ tung 13 bedeckt, wobei Öffnungen 14 gemäß der Anordnung der Substrate und eine Druckblattfeder 15 zum Befestigen von je­ dem der Substrate vorhanden sind. Wenn die Substrate inner­ halb der konkaven Hohlräume angeordnet werden, muß ein Spielraum zwischen dem Hohlraum und dem Substrat sein, um ein leichtes Einfügen und Entfernen von Substraten zu errei­ chen, und um Dimensionstoleranzgrenzen berücksichtigen zu können. Daher kann die Position des Substrats innerhalb des Hohlraums variieren. Da ferner das Substrat verschoben wird, wenn es zwischen den Verfahren übertragen wird, wird die Ko­ ordinatenposition des Substrats innerhalb des Hohlraums ab­ hängig von den Verfahren unterschiedlich. Wenn jedes Verfah­ ren automatisiert ist, treten als Ergebnis sehr wahrschein­ lich Fehler bei der Positionserkennung auf, und es wird ein zusätzliches Verfahren zum Korrigieren der Fehler benötigt.
Wenn das Substrat ferner durch die Druckblattfeder 15, die in Fig. 7 gezeigt ist, niedergehalten wird, wird ein Extra­ raum für die Druckblattfeder 15 an dem Substrat benötigt. Daher ist es schwierig, die elektronischen Bauteile klein zu machen. Wenn insbesondere die Druckblattfeder zu klein ge­ macht wird, ist es schwierig, das Substrat festzuhalten, wo­ bei mit kleiner werdender Größe des Substrats das Verhältnis des Raums, der durch die Druckblattfeder eingenommen wird, zu der Größe des Substrats größer wird, weshalb eine Minia­ turisierung des Substrats nicht ohne weiteres möglich ist.
Da ferner der oben erwähnte Hohlraum durch die Größe des Substrats und die Anordnungsstruktur einer Mehrzahl von Substraten bestimmt ist, wird ein spezieller Behälter für elektronische Bauteile einer Art verwendet. Dieser Behälter ist nicht für eine allgemeinere Verwendung geeignet. Daher sind die Kosten, wie z. B. die Herstellungskosten, die Mate­ rialkosten, die Form-Kosten und dergleichen zum Einstellen des Behälters hoch.
Dementsprechend hat die Anmelderin der vorliegenden Anmel­ dung in der japanischen geprüften Patentanmeldungsveröffent­ lichung mit der Nummer 7-93247 eine Haltevorrichtung für kleine Teile und ein Halteverfahren für dieselben angemel­ det, die die verschiedenen oben erwähnten Probleme lösen können.
Bei einer solchen Haltevorrichtung wird ein elastisches Gum­ mimaterial, von dem zumindest die Oberfläche Hafteigenschaf­ ten hat, verwendet, wobei kleine Bauteile auf der Oberfläche gehalten werden, auf der die Bauteile haften.
Gemäß einer solchen Haltevorrichtung und einem solchen Hal­ teverfahren werden Vorteile möglich, wie beispielsweise die Fähigkeit des Befestigens von Teilen an Ort und Stelle, die Fähigkeit für eine allgemeine Verwendung und die Fähigkeit für eine Miniaturisierung.
Allgemeine Charakteristika von Gummimaterialien bestehen je­ doch darin, daß die Volumenresistivität außerordentlich hoch ist und Isolationscharakteristika vorhanden sind. Dement­ sprechend werden elektrostatische Ladungen beim Einfügen und Entfernen, beim Transport und bei den Herstellungsverfahren für elektronische Teile oder ihre Komponenten sehr wahr­ scheinlich erzeugt. Daher besteht die Tendenz, daß folgende Probleme auftreten.
  • 1. Wenn eine solche Haltevorrichtung und ein solches Halte­ verfahren auf elektronische Bauteile mit einer niedrigen elektrostatischen Grenzspannung angewendet werden, be­ steht ein Risiko dahingehend, daß die elektronischen Bauteile eine Beschädigung aufgrund einer elektrostati­ schen Entladung während der Herstellung erleiden.
  • 2. Wenn mit kleinen, dünnen und leichten elektronischen Bauteilen oder Komponenten derselben umgegangen wird, ist die Wahrscheinlichkeit groß, daß ein Haltefehler auftritt, und zwar aufgrund der elektrostatischen Anzie­ hung oder Abstoßung aufgrund der oben erwähnten elektro­ statischen Ladungen. Es besteht ferner ein Risiko dahin­ gehend, daß die elektronischen Bauteile zerstört werden und verloren gehen, und daß die Haltevorrichtung beschä­ digt wird.
  • 3. Selbst wenn eine solche Haltevorrichtung und ein solches Halteverfahren auf elektronische Bauteile angewendet werden, die sich von denen in 1) und 2) erwähnten unter­ scheiden, besteht eine Wahrscheinlichkeit der Beschädi­ gung der elektronischen Bauteile, wenn elektrostatische Ladungen nicht vor der Verwendung oder während der Ver­ wendung der Haltevorrichtung beseitigt werden.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Haltevorrichtung, ein Verfahren zum Halten eines elektroni­ schen Bauteils sowie ein Verfahren zum Herstellen von elek­ tronischen Bauteilen zu schaffen, bei denen Beschädigung oder Verlust von elektronischen Bauteilen während der Her­ stellung minimiert sind.
Diese Aufgabe wird durch eine Haltevorrichtung nach Patent­ anspruch 1, durch ein Verfahren zum Halten eines elektroni­ schen Bauteils nach Patentanspruch 5 und durch ein Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauteilen nach Patentan­ spruch 6 oder 7 gelöst.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß durch das erfindungsgemäße Konzept elektrostatische Ladungen beseitigt werden.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht dar­ in, daß die Produktivität und Zuverlässigkeit von elektroni­ schen Bauteilen erhöht werden, und daß die Herstellungsko­ sten reduziert werden können.
Bei der vorliegenden Erfindung wird ein elastisches Material bereitgestellt, wobei zumindest eine Oberfläche desselben Hafteigenschaften hat und elektrisch leitfähig ist. Aufgrund der Haftstärke bzw. Haftkraft an der Oberfläche des elasti­ schen Materials werden elektronische Bauteile oder Komponen­ ten, welche die elektronischen Bauteile bilden, auf der Oberfläche des elastischen Materials gehalten. Somit wird die Erzeugung von elektrostatischen Ladungen aufgrund des elastischen Materials verhindert, wobei elektrostatische La­ dungen von anderswo schnell entladen werden, derart, daß das Anlegen einer hohen Spannung an elektronische Bauteile oder Komponenten derselben oder der Fluß eines elektrischen Stroms bei einer elektrischen Entladung nicht auftreten.
Ferner wird bei der vorliegenden Erfindung durch Hinzufügen eines leitfähigen Materials zu dem elastischen Material die Oberfläche des elastischen Materials leitfähig gemacht. So­ mit erhält das gesamte elastische Material eine vorbestimmte Leitfähigkeit, wobei entsprechend eine elektrische Leitfä­ higkeit für das elastische Material sogar für außerordent­ lich kleine Bauteile vom Chip-Typ sichergestellt wird.
Ferner wird bei der vorliegenden Erfindung durch Einbauen einer Verdrahtung unter Verwendung eines elektrisch leitfä­ higen Materials auf der Oberfläche des elastischen Materials die Oberfläche des elastischen Materials leitfähig gemacht.
Ferner wird gemäß der vorliegenden Erfindung durch Einbauen einer Verdrahtung unter Verwendung eines elektrisch leitfä­ higen Materials innerhalb des elastischen Materials, welche auf der Oberfläche des elastischen Materials freiliegend ist, die Oberfläche des elastischen Materials leitfähig ge­ macht. Somit wird die elektrische Leitfähigkeit des elasti­ schen Materials weiter erhöht, und das Ziel des Kurz­ schließens von Stromwegen erreicht.
Ferner kann bei der vorliegenden Erfindung, während ein Sub­ strat auf der Oberfläche einer Haltevorrichtung mit einem elastischen Material gehalten wird, wobei zumindest die Oberfläche desselben Hafteigenschaften zeigt und elektrisch leitfähig ist, aufgrund der Haftstärke der Oberfläche ein Element an dem Substrat angebracht und mit demselben elek­ trisch verbunden werden. Somit wird das Element auf dem Sub­ strat angebracht, ohne daß das Element eine Beschädigung aufgrund einer elektrostatischen Entladung auszusetzen.
Bei der vorliegenden Erfindung wird eine Haltevorrichtung mit einem elastischen Material, wobei zumindest die Oberflä­ che desselben Hafteigenschaften aufweist, verwendet, und während ein Substrat auf der Oberfläche des elastischen Ma­ terials durch die Haftstärke der Oberfläche gehalten wird, wird ein Element auf dem Substrat angebracht und mit demsel­ ben elektrisch verbunden.
Ferner werden bei der vorliegenden Erfindung während des An­ bringungsverfahrens Ultraschallwellen auf dem Verbindungsab­ schnitt angewendet, an dem eine elektrische Verbindung durchgeführt wird. Somit haben selbst kleine elektronische Bauteile eine feste Verbindungsstärke bzw. Bondstärke.
Ferner wird bei der vorliegenden Erfindung die Härte des elastischen Materials auf einen Gummihärtegrad von A30 oder darüber eingestellt. Somit wird die Verschiebung eines Sub­ strats, welches durch Haftung hält, unterdrückt. Ferner wird die Absorption von Ultraschallwellenenergie unterdrückt.
Ferner enthält die Haltevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ein wärmewiderstandsfähiges Material mit einer Wärmewiderstandstemperatur von 250°C. Somit kann ein Element auf einem Substrat durch Draht-Bonden oder Höcker-Bonden bzw. Bump-Bonden unter Verwendung von Wärme angebracht wer­ den, während die Haltevorrichtung verwendet wird. Dement­ sprechend wird die Zeit, die zum Bonden benötigt wird, ver­ ringert. Darüberhinaus wird die Bondstärke erhöht.
Ferner ist bei der vorliegenden Erfindung die Haltevorrich­ tung eine laminierte Struktur, die aus einer harten Platte und einem elastischen Material besteht. Somit ist die Flach­ heit der Oberfläche des elastischen Materials erhöht.
Ferner ist bei der vorliegenden Erfindung das Primärmaterial des elastischen Materials Silikonharz. Somit wird eine Ver­ schlechterung des elastischen Materials mit fortschreitender Zeit verhindert. Die Stabilität wird ferner erhöht.
Darüberhinaus wird bei der vorliegenden Erfindung während eines Drahtbondverfahrens ein Element typischerweise mit der Oberfläche verbunden. Somit wird das Element, auf dessen oberer Oberfläche eine Anschlußfläche enthalten ist, mit ei­ ner Elektrode auf dem Substrat elektrisch verbunden.
Ferner wird gemäß der vorliegenden Erfindung während eines Höcker-Bond-Verfahrens ein Element mit dem Substrat elek­ trisch verbunden. Somit wird ein Element, auf dessen unterer Oberfläche eine Elektrode zur Verbindung enthalten ist, mit einer Elektrode auf dem Substrat über den Höcker elektrisch verbunden.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen detailliert erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A und 1B eine perspektivische Ansicht und eine Schnittansicht, welche die Struktur einer Halte­ vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel zeigen, welche bei einem Herstellungsverfahren für elektronische Bauteile eingesetzt werden kann;
Fig. 2A und 2B eine perspektivische Ansicht und eine Schnittansicht, welche die Struktur einer Haltevor­ richtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel zeigen, welche bei einem Herstellungsverfahren für elektronische Bauteile verwendet werden kann;
Fig. 3A und 3B eine perspektivische Ansicht und eine Schnittansicht, welche die Struktur einer Haltevor­ richtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel zeigen, welche bei einem Herstellungsverfahren für elektronische Bauteile verwendet werden kann;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht, die ein Halteverfah­ ren für elektronische Bauteile zeigt;
Fig. 5A, 5B und 5C Schnittansichten, die Schritte bei jedem Prozeß eines Herstellungsverfahrens für elektroni­ sche Bauteile zeigen;
Fig. 6A und 6B Schnittansichten, die Schritte bei jedem Prozeß bei einem anderen Herstellungsverfahren für elektronische Bauteile zeigen;
Fig. 7 eine perspektivische Ansicht, die den Zustand einer Haltevorrichtung zeigt, welche bei einem herkömmli­ chen Herstellungsverfahren für elektronische Bau­ teile verwendet wird;
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht, die die Struktur ei­ ner Haltevorrichtung gemäß einem vierten Ausfüh­ rungsbeispiel zeigt, welche bei einem Herstellungs­ verfahren für elektronische Bauteile verwendet wer­ den kann;
Fig. 9A, 9B und 9C Schnittansichten, die Schritte in jedem Prozeß bei dem Herstellungsverfahren für elektroni­ sche Bauteile zeigen, welches bezugnehmend auf Fig. 8 gezeigt ist;
Fig. 10 die Beziehung zwischen der Gummihärte von elasti­ schen Materialien und der Verbindungsstärke des Draht-Bondens;
Fig. 11 die Beziehung zwischen der Dicke von elastischen Materialien und der Gummihärte; und
Fig. 12A und 12B Schnittansichten, die Schritte bei jedem Prozeß bei einem Herstellungsverfahren für elektro­ nische Bauteile gemäß einem fünften Ausführungsbei­ spiel zeigen.
Eine Haltevorrichtung für ein elektronisches Bauteil gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel wird bezugnehmend auf die Fig. 1A und 1B beschrieben.
Die Fig. 1A und 1B umfassen eine perspektivische Ansicht und eine Schnittansicht für eine Haltevorrichtung zum Halten eines elektronischen Bauteils oder einer Komponente dessel­ ben, welche herzustellen sind. In den Fig. 1A und 1B sind eine harte Platte 1, die aus einem Metall besteht, und ein elastisches Material 2, das auf die Oberfläche der harten Platte 1 laminiert ist, gezeigt. Es ist wünschenswert, daß die Härte des elastischen Material 2 einen Gummihärtegrad von A30 oder darüber gemäß einem Typ-A-Durometer-Härtetest hat, welcher in dem japanischen Industriestandard JIS K 6253, Härtetestverfahren für vulkanisierten Gummi, spezifi­ ziert ist. Darüberhinaus wird das elastische Material 2 durch die Platte 1 als Basis abhängig von der Dicke des ela­ stischen Materials 2 beeinflußt, wobei die Gummihärte jedoch eingestellt ist, um im wesentlichen einen Gummihärtegrad von A30 oder darüber zu haben. Beispielsweise wird ein Hochtem­ peratur-widerstandsfähiger Gummi, der ein Silikonharz als Hauptkomponente des Gummis enthält, verwendet.
In den Fig. 1A und 1B wird das elastische Material 2 ins­ gesamt leitfähig gemacht, indem leitfähige Partikel, wie z. B. Kohlenstoffpulver dem Silikonharz als Hauptkomponente hinzugefügt werden, und indem das Pulver verteilt wird.
Wenn ein Gummimaterial mit einem niedrigen Elastizitätsmodul für das elastische Material 2 verwendet wird, wird die Rück­ schlagelastizität verringert, wobei gleichzeitig die Visko­ elastizität erhöht wird. Diese Viskoelastizität führt dazu, daß ein Substrat 3 an der Oberfläche des elastischen Mate­ rials haftet. Weichsilikongummi zeigt beispielsweise eine Haftstärke in dem Bereich von 1 bis 10 g/mm2. Da die Haft­ stärke von der Partikelgröße und der Verteilungsdichte des oben erwähnten leitfähigen Pulvers abhängt, werden die Her­ stellungsbedingungen des elastischen Materials so einge­ stellt, daß die Haftstärke bzw. die elektrische Leitfähig­ keit in einem festen Bereich sind.
Da das elastische Material auf diese Art und Weise leitfähig gemacht worden ist, werden ein elektronisches Bauteil und eine Komponente desselben, die auf der Oberfläche des ela­ stischen Materials gehalten werden, keiner Beschädigung auf­ grund einer elektrostatischen Entladung oder einer Anziehung oder Abstoßung aufgrund der elektrostatischen Ladung unter­ zogen, wodurch ein Verfahren und eine Ausrüstung zum Ent­ fernen von elektrostatischen Ladungen nicht mehr benötigt wird.
Anschließend wird die Struktur für eine Haltevorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel bezugnehmend auf die Fig. 2A und 2B beschrieben.
In den Fig. 2A und 2B sind eine Halteplatte 1, die aus Me­ tall besteht, und ein elastisches Material 2, das auf die Oberfläche der harten Platte 1 laminiert ist, gezeigt. Auf der Oberfläche dieses elastischen Materials 2 ist eine Struktur unter Verwendung eines leitfähigen Films 9 gebil­ det, wobei der Endabschnitt der Struktur zu der Platte 1 hin leitfähig gemacht ist. Dieser leitfähige Film 9 ist struk­ turiert, so daß, während eine Mehrzahl von elektronischen Bauteilen oder Komponenten derselben auf der Oberfläche des elastischen Materials 1 gehalten werden, jedes der elektro­ nischen Bauteile oder Komponenten, die in Kontakt mit einem Teil des leitfähigen Films sind, elektrisch leitfähig wird. Bei diesem Beispiel ist eine Gitterstruktur ausgebildet, welche einen schmäleren Zwischenraum hinsichtlich der Länge und Breite hat als die Breite der Bauteile beträgt. Eine solche Struktur bzw. ein solches Muster ist nicht auf die Gitterstruktur begrenzt und kann frei kombiniert werden, beispielsweise mit einer konzentrischen Struktur oder einer strahlenartigen Struktur. Es wird jedoch eine Struktur bevorzugt, bei der eine Mehrzahl von leitfähigen Wegen von dem Umfang (der Endoberfläche) des elastischen Materials 2 nach außen, wie z. B. zu der Platte 1, angeordnet sind, um den Oberflächenwiderstand zu reduzieren, und bei der die elektrische Leitung durch einen anderen Weg sichergestellt wird, selbst wenn ein Teil der Verdrahtung aufgetrennt ist.
Der oben erwähnte leitfähige Film wird durch ein Verfahren zum Bedrucken eines Harzmaterials mit hinzugefügten leitfä­ higen Materialien (einer leitfähigen Paste), durch ein Ver­ fahren zum Herstellen eines Films durch Plattieren, durch ein Verfahren zum Herstellen eines Films durch Trockenverar­ beitung, wie z. B. eine Vakuumverdampfung oder ein Sputter- Verfahren, ein Verfahren zum Anbringen eines Metalldrahts und einer Metallfolie oder dergleichen hergestellt.
Nachfolgend wird die Struktur einer Haltevorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel bezugnehmend auf die Fig. 3A und 3B beschrieben.
In den Fig. 3A und 3B sind eine harte Platte 1, die aus Me­ tall besteht, und ein elastisches Material 2, das auf die Oberfläche der Halteplatte 1 laminiert ist, gezeigt. Bei diesem Beispiel ist eine Verdrahtung unter Verwendung eines leitfähigen Materials 10 in das elastische Material 2 einge­ baut, wobei der obere Abschnitt des leitfähigen Materials 2 über der Oberfläche des elastischen Materials 2 freiliegend ist, während der untere Abschnitt zu der Platte 1 hin leit­ fähig gemacht ist. Die Verdrahtung unter Verwendung des leitfähigen Materials 10 wird durch ein Verfahren zum For­ men des leitfähigen Materials 10 gleichzeitig mit dem Formen des elastischen Materials 2, durch ein Verfahren zum Einbet­ ten des leitfähigen Materials 10 nach dem Formen des elasti­ schen Materials 2 oder dergleichen hergestellt.
Anschließend wird ein Verfahren zum Halten von elektroni­ schen Bauteilen und ein Herstellungsverfahren für elektroni­ sche Bauteile bezugnehmend auf die Fig. 4, 5A, 5B, 5C, 6A und 6B beschrieben.
Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht, die die Struktur einer Haltevorrichtung zum Halten von Substraten zeigt. Fig. 5A, Fig. 5B und Fig. 5C zeigen Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauteil, bei dem ein Element auf einem Sub­ strat durch Chip-Bonden und Draht-Bonden angebracht ist.
In Fig. 4 sind eine harte Platte 1 aus Metall und ein ela­ stisches Material 2, das auf die Oberfläche der Platte 1 laminiert ist, gezeigt. Das elastische Material 2 ist leit­ fähig, und zwar auf eine hinsichtlich der Struktur ähnliche Art und Weise wie sie im zweiten Ausführungsbeispiel ge­ zeigt ist. Wie es nachfolgend beschrieben ist, werden bei einem Substratanbringungsverfahren eine Mehrzahl von Sub­ straten, von denen jedes eine Komponente eines elektroni­ schen Bauteils umfaßt, auf der Oberfläche des elastischen Materials 2 angeordnet. Das Substrat 3 kann beispielsweise ein Harzsubstrat aus einer Glas-Epoxid-Gruppe, ein Keramik­ substrat aus Aluminiumoxid und dergleichen umfassen. Es kann auch ein Laminat der genannten Elemente verwendet werden. Ferner kann jedes elektronische Bauteil, wie z. B. eine pas­ sive Komponente, beispielsweise an einer festen Position des Substrats 3 bereits im voraus geladen werden.
Wie es in Fig. 5A gezeigt ist, werden bei einem Substratan­ bringungsverfahren eine Mehrzahl von Substraten 3 an feste Positionen auf der Oberfläche eines elastischen Materials 2 unter Verwendung einer Anbringungsvorrichtung angeordnet. Diese Anbringungsvorrichtung ist eine Allzweckmaschine, die derart arbeitet, daß sie ein Arbeitsstück, wie z. B. ein Sub­ strat, an einer festen Position aufnimmt, dasselbe bewegt, dasselbe je nach Bedarf dreht, und dasselbe an einer festen Position plaziert. In der Zeichnung ist eine Düse 16 für ei­ ne Vakuumansaugfunktion gezeigt. Dies bedeutet, daß die An­ bringungseinrichtung die Operation zum Entfernen eines Sub­ strats nach dem anderen von einer Kassette, die eine Mehr­ zahl von Substraten enthält, durch Vakuumansaugen und eine Operation zum Plazieren des Substrats an einer festen Posi­ tion auf dem elastischen Material 2 wiederholt durchführt.
Auf diese Art und Weise werden, wie es in Fig. 4 gezeigt ist, eine Mehrzahl von Substraten 3 auf der Oberfläche des elastischen Materials 2 angeordnet. Da die Oberfläche des elastischen Materials 2 Hafteigenschaften hat, kann eine Mehrzahl von Substraten lediglich dadurch angeordnet und fixiert werden, daß die Anbringungseinrichtung die Substrate in einer Reihenfolge auf der Oberfläche des elastischen Ma­ terials 2 plaziert.
Bei einem anschließenden Chipanbringungsverfahren, wie es in Fig. 5B gezeigt ist, wird ein Element 4, wie z. B. ein Halb­ leiterchip, auf dem Substrat 3 Chip-gebondet. In der Zeich­ nung ist eine Düse 17 der Anbringungseinrichtung zum Aufneh­ men des Elements 4 von einer festen Position und zum Plazie­ ren des Elements 4 auf dem Substrat gezeigt. Bei diesem Chip-Bond-Verfahren wird ein Wärmeprozeß zum Härten eines Haftstoffs, um das Element 4 an einer festen Position auf das Substrat zu kleben, verwendet.
Im nachfolgenden Drahtbondprozeß, wie er in Fig. 5C gezeigt ist, werden eine Bondanschlußfläche, die auf der Oberfläche des Elements 4 freiliegend ist, und eine Elektrode, die auf dem Substrat 3 gebildet ist, durch einen Bonddraht 5 verbun­ den. In der Zeichnung ist eine Kapillare 18 des Drahtbonders gezeigt.
Das Element 4 stellt beispielsweise ein Halbleiterelement, ein piezoelektrisches Element, ein dielektrisches Element oder ein Glaselement dar. Dasselbe kann jegliches Element darstellen, das auf dem Substrat angebracht werden kann und elektrisch verbunden wird.
Ferner können verschiedene Verfahren zum Drahtbonden, wie z. B. beispielsweise ein Verfahren zum Kugel-Bonden, ein Ver­ fahren zum Keil-Bonden und dergleichen verwendet werden. Bei diesen Drahtbondverfahren ist ein Prozeß zum Anlegen von Ul­ traschallwellen an den Verbindungsabschnitt des Drahts ent­ halten.
Die Fig. 6A und 6B zeigen die Sequenz eines Herstellungsver­ fahrens für ein elektronisches Bauteil, wobei ein Element auf einem Substrat mittels Höcker-Bonden angebracht wird.
Zunächst wird in einem Substratanbringungsverfahren, wie es in Fig. 6A gezeigt ist, eine Mehrzahl von Substraten 3 an festen Positionen auf der Oberfläche eines elastischen Mate­ rials 2 unter Verwendung einer Anbringungseinrichtung ange­ ordnet. In der Zeichnung ist eine Düse 4 für eine Vakuumauf­ nahme der Anbringungseinrichtung gezeigt.
Als nächstes wird, wie es in Fig. 6B gezeigt ist, ein Ele­ ment 4, das im voraus mit einem Höcker 6 versehen ist, an einer festen Position auf dem Substrat 3 durch eine Höcker- Verbindung verbunden. Das heißt, daß ein Flip-Chip-Bonden durchgeführt wird. In der Zeichnung ist eine Hülse 19 zum Positionieren des Elements und zum Anlegen von Ultraschall­ wellen gezeigt.
Als Höckerelektrode kann beispielsweise entweder ein Höcker aus Gold (Au), ein Lötmittelhöcker oder ein Harzhöcker ver­ wendet werden.
Die oben erwähnte Herstellungsverarbeitung kann ebenfalls auf einen Prozeß angewendet werden, bei dem Höcker an Halb­ leiterchips befestigt werden, einen Anbringungsprozeß, bei dem Deckel auf elektronische Bauteile geklebt werden und dergleichen, jedoch mit Ausnahme des Chip-Bond-Prozesses und des Draht-Bond-Prozesses. Ferner kann die Herstellungsverar­ beitung auf einen Charakteristikameßprozeß für halb-fertig­ gestellte und fertiggestellte Produkte, auf einen Einstel­ lungsprozeß zum Trimmen und auf verschieden Prozesse ange­ wendet werden, wie z. B. auf einen einfachen Lagerungs-Pro­ zeß, einen Übertragungs-Prozeß und dergleichen.
Da, wie es oben beschrieben wurde, bewirkt wird, daß ein Substrat 3 durch die Haftstärke der Oberfläche des elasti­ schen Materials 2 gehalten wird, werden Positionsvariationen und eine Bewegung zwischen den Prozessen des Substrats 3 verhindert. Ferner wird insbesondere durch Verwendung einer Anbringungsvorrichtung bei dem Substratanbringungsprozeß die Ausrichtung (beispielsweise Stabilität des Abstands, der Drehposition) des Substrats 3 verbessert, und Erkennungsfeh­ ler werden bei einer Automatisierung jedes Prozesses unter­ drückt. Ferner wird aufgrund der Tatsache, daß das elasti­ sche Material 2 leitfähig ist, eine Aufladung des elasti­ schen Materials 2 und des Substrats 3 aufgrund von elektro­ statischen Ladungen verhindert, wodurch verhindert wird, daß ein Entladungsstrom, der durch die statische Elektrizität bewirkt wird, durch das Element, das auf dem Substrat ange­ bracht ist, fließt.
Da ferner ein Zwischenraum zum Belasten des Substrats 3 mit einer Druckblattfeder nicht benötigt wird, wird die Miniatu­ risierung von elektronischen Bauteilen erleichtert.
Selbst wenn ferner die Größe und die Anordnungsstruktur des Substrats 3 unterschiedlich sind, können die Herstellungs­ kosten reduziert werden, da eine gemeinsame Haltevorrichtung verwendet werden kann.
Darüberhinaus war bei den Ausführungsbeispielen die harte Platte 1 auf der unteren Oberfläche des elastischen Mate­ rials 2 vorgesehen. Die Bereitstellung dieser Platte ist je­ doch nicht unbedingt nötig.
Ein Herstellungsverfahren für elektronische Bauteile gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel wird bezugnehmend auf die Fig. 8 bis 11 beschrieben.
Fig. 8 ist eine perspektivische Ansicht, die die Struktur einer Haltevorrichtung zum Halten von Substraten zeigt. In Fig. 8 sind eine harte Platte 1, die aus Metall besteht, und ein elastisches Material 2, das auf die oberen Oberfläche des Platte 1 laminiert ist, gezeigt. Es ist wünschenswert, daß die Härte des elastischen Materials 2 einen Gummihärte­ grad von A30 oder darüber hat, und zwar gemäß einem Typ-A- Durometerhärtetest, der in dem japanischen Industriestandard JIS K 6253, Härtetestverfahren für vulkanisierten Gummi, spezifiziert ist. Darüberhinaus wird, wie es später be­ schrieben wird, das elastische Material 2 durch die Platte 1 als Basis beeinflußt, und zwar abhängig von der Dicke des elastischen Materials 2, wobei die Gummihärte so eingestellt ist, daß sie im wesentlichen einen Gummihärtegrad von A30 oder darüber hat.
Spezieller wird ein Gummi, der Silikonharz als seinen Haupt­ bestandteil enthält, und der eine Wärmewiderstandstemperatur von 250°C hat, verwendet.
In Fig. 8 sind Substrate 3, von denen jedes eine Komponente eines elektronischen Bauteils umfaßt auf dem elastischen Ma­ terial 2 angeordnet gezeigt. Wenn ein Gummimaterial 1 mit einer niedrigen Elastizität, wie z. B. ein Silikongummi, ver­ wendet wird, wird die Rückstellkraft verringert, während gleichzeitig die Viskoelastizität erhöht wird. Aufgrund die­ ser Viskoelastizität können die Substrate 3 an der Oberflä­ che des elastischen Materials haften. Im Falle von Weichsi­ likongummi ist beispielsweise eine Haftstärke in dem Bereich von 1 bis 10 g/mm2 gezeigt. Die Anordnung der Substrate 3 auf dem elastischen Material 2 kann manuell durchgeführt werden. Es ist jedoch wünschenswert, die Anordnung durchzu­ führen, indem eine Anbringungseinrichtung verwendet wird, um die Verarbeitungszeit zu verkürzen, wenn die Position und Richtung des Substrats beispielsweise über eine Bildverar­ beitung automatisch erhalten werden, wodurch die Anzahl der manuellen Prozesse reduziert wird.
Die Substrate 3 können beispielsweise entweder ein Harzsub­ strat aus der Glas-Epoxid-Gruppe oder ein Keramiksubstrat aus Aluminiumoxid umfassen. Ferner kann auch ein Laminat der genannten Elemente eingesetzt werden. Ferner kann ein belie­ biges elektronisches Bauteil, wie z. B. eine passive Kompo­ nente, an eine feste Position des Substrats 3 bereits im vo­ raus geladen werden.
Da somit ein elastisches Material auf die obere Oberfläche einer harten flachen Platte 1 laminiert ist, wird die Flach­ heit der Oberfläche des elastischen Materials erhöht, wobei die Positionsgenauigkeit eines Substrats, das auf dem ela­ stischen Material anzuordnen ist, und die Positionsgenauig­ keit des Elements, das auf dem Substrat anzuordnen ist, nicht verschlechtert werden.
Die Fig. 9A, 9B und 9C zeigen das Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauteil, bei dem ein Element auf einem Substrat durch Chip-Bonden und Draht-Bonden angebracht wird.
Zunächst wird bei einem Substratanbringungsverfahren, wie es in Fig. 9A gezeigt ist, eine Mehrzahl von Substraten an fe­ sten Positionen auf der Oberfläche eines elastischen Mate­ rials 2 unter Verwendung einer Anbringungseinrichtung ange­ ordnet. Diese Anbringungseinrichtung ist eine Allzweckma­ schine, die wirksam ist, um ein Arbeitsstück, wie z. B. ein Substrat, an einer festen Position aufzunehmen, zu bewegen, nach Bedarf zu drehen, und an einer festen Position zu pla­ zieren. In der Zeichnung ist eine Düse 16 für eine Vakuum­ aufnahme gezeigt. Das heißt, daß die Befestigungseinrichtung eine Operation zum Entfernen eines Substrats nach dem ande­ ren von einer Kassette, die eine Mehrzahl von Substraten enthält, durch ein Vakuumaufnahme und eine Operation zum Plazieren des Substrats an einer festen Position auf dem elastischen Material 2 wiederholt. Auf diese Art und Weise werden, wie es in Fig. 8 gezeigt ist, eine Mehrzahl von Sub­ straten auf der Oberfläche des elastischen Materials 2 ange­ ordnet. Da die Oberfläche des elastischen Materials 2 Haft­ eigenschaften hat, kann eine Mehrzahl von Substraten ledig­ lich dadurch angeordnet und befestigt werden, daß die An­ bringungseinrichtung die Substrate in einer Reihenfolge auf der Oberfläche des elastischen Materials 2 plaziert.
Da ferner die Gummihärte des elastischen Materials einen Gummihärtegrad von A30 oder darüber hat, wird das Substrat auf dem elastischen Material in der Richtung des Substrats aus dem elastischen Material oder in der Vertikalrichtung zu der Oberfläche kaum verschoben, so daß eine hohe Positions­ genauigkeit des Substrats beibehalten wird.
In dem folgenden Chipbondprozeß bzw. Chipverbindungsprozeß, wie er in Fig. 9B gezeigt ist, wird ein Element 4, wie z. B. ein Halbleiterchip, auf das Substrat 3 Chip-gebondet. In der Zeichnung ist eine Düse 17 der Anbringungseinrichtung zum Aufnehmen des Elements 4 von einer festen Position und zum Plazieren des Elements 4 auf dem Substrat gezeigt. Bei die­ sem Chip-Bond-Prozeß ist ein Wärmeprozeß zum Härten eines Haftstoffs enthalten, um das Element 4 an einer festen Posi­ tion auf das Substrat 3 zu kleben. Für diesen Zweck wird ein wärmewiderstandsfähiges Material mit einer Wärmewiderstands­ temperatur von 250°C verwendet, so daß die Wärmewiderstands­ temperatur des elastischen Materials 2 höher ist als die Heiztemperatur von 100 bis 200°C bei dem Chip-Bond-Prozeß.
In einem anschließenden Draht-Bond-Prozeß werden, wie es in Fig. 9C gezeigt ist, eine Bondanschlußfläche, die auf der Oberfläche des Elements 4 freiliegend ist, und eine Elektro­ de, die auf dem Substrat 3 gebildet ist, durch einen Bond­ draht 5 verbunden. In der Zeichnung ist eine Kapillare 18 des Drahtbonders gezeigt. Bei diesem Drahtbondprozeß liegt die Heiztemperatur ebenfalls in dem Bereich von 100 bis 200°C, weshalb die Wärmewiderstandstemperatur des elasti­ schen Materials 2 höher als diese Temperatur ist.
Das Element 4 stellt beispielsweise ein Halbleiterelement, ein piezoelektrisches Element, ein dielektrisches Element oder ein Glaselement dar. Das Element 4 ist allgemein jedes Element, das auf dem Substrat angebracht wird und mit dem­ selben elektrisch verbunden wird.
Ferner können verschiedene Verfahren zum Drahtbonden, wie beispielsweise ein Verfahren zum Kugel-Bonden oder ein Ver­ fahren zum Keil-Bonden, verwendet werden. Bei diesen Draht­ bondverfahren ist ein Prozeß zum Anlegen von Ultraschallwel­ len an dem Bondabschnitt des Drahts enthalten.
Fig. 10 zeigt die Beziehung zwischen der Gummihärte und der Verbindungsstärke eines Drahts. Als Meßbedingungen wurde ein gemeinsames Drahtbondverfahren, bei dem Ultraschallwellen verwendet werden, zum Drahtbonden verwendet, wobei hinsicht­ lich einer Mehrzahl von Proben, bei denen die elastischen Materialien eine Mehrzahl von Gummihärtegraden hatten, ihre Drahtbondzugstärke (die Stärke gemessen durch einen Draht­ bondzugtest) gemessen wurde. Ferner wurde die Drahtbondzug­ stärke gemessen und als Referenzwert gezeigt, und zwar in dem Fall, bei dem das Drahtbonden unter Verwendung eines herkömmlichen Behälters, der aus Metall besteht, der jedoch nicht das elastische Material 2 und die Platte aufwies, durchgeführt wird.
Basierend auf dem in Fig. 10 gezeigten Ergebnis verschlech­ tert sich die Bondstärke des Drahts, wenn die Gummihärte des elastischen Materials einen Gummihärtegrad von A28 oder we­ niger hat, es sei jedoch darauf hingewiesen, daß, wenn die Gummihärte einen Gummihärtegrad von A30 oder mehr hat, eine Stärke äquivalent zu dem Referenzwert erhalten werden kann. Daher ist es wünschenswert, die Gummihärte mit einem Gummi­ härtegrad von A30 oder darüber zu wählen.
Fig. 11 zeigt die Beziehung zwischen der Gummidicke und der Gummihärte der oben erwähnten elastischen Materialien. Die Gummihärte gemäß dem japanischen Industriestandard JIS K 6253 ist konstant, wenn die Gummidicke 6 mm oder darüber be­ trägt. Wenn die Gummidicke kleiner als 6 mm ist, wird die Gummihärte durch die Basis beeinflußt, wobei, wenn die Gum­ midicke abnimmt, die Gummihärte die Tendenz hat, stark zu­ zunehmen. Hier ist die Härte des elastischen Materials selbst nicht wichtig, da die Gummihärte wichtig wird. Daher werden bei den in Fig. 11 gezeigten Beispielen Gummis A, B und C verwendet, wenn ein elastisches Material mit einer Gummidicke von 6 mm oder darüber verwendet wird. Wenn jedoch ein elastisches Material mit einer Gummidicke kleiner als 3 mm verwendet wird, kann der Gummi D ebenfalls verwendet wer­ den. Auf dieselbe Art und Weise kann auch der Gummi E ver­ wendet werden, wenn die Gummidicke kleiner als 1,8 mm ist.
Wie es oben beschrieben worden ist, werden Positionsvaria­ tionen und eine Bewegung zwischen Prozessen bezüglich des Substrats 3 verhindert, da das Substrat 3 durch die Haft­ eigenschaften der Oberfläche eines elastischen Materials 2 gehalten wird. Insbesondere wird durch Verwendung einer An­ bringungseinrichtung in einem Substratanbringungsprozeß die Ausrichtung (beispielsweise die Stabilität des Abstands, der Drehposition) des Substrats 3 verbessert, und durch eine Au­ tomatisierung werden Erkennungsfehler in jedem Prozeß un­ terdrückt.
Da ferner der Raum zum Belasten eines Substrats 3 mit einer Druckblattfeder nicht benötigt wird, wird dieser verschwen­ dete Raum entfernt, wodurch eine Miniaturisierung elektro­ nischer Bauteile möglich wird.
Selbst wenn ferner die Größe und Anordnung der Substrate unterschiedlich sind, können die Herstellungskosten redu­ ziert werden, da eine gemeinsame Haltevorrichtung verwendet werden kann. Da ferner die Gummihärte des elastischen Mate­ rials auf einen Gummihärtegrad von A30 oder darüber einge­ stellt wird, wird die Bondenergie, die durch Ultraschall­ wellen beim Drahtbonden erzeugt wird, durch das elastische Material kaum absorbiert, wodurch eine Bondstärke äquivalent zu der in dem Fall, in dem ein herkömmlicher Metallbehälter verwendet wird, erhalten werden kann. Wenn ferner das Pri­ märmaterial eines elastischen Materials 2 Silikonharz ist und die Haltevorrichtung wärmewiderstandsfähig ist, kann dieselbe an das Wärmeverfahren bei einem existierenden Chip-Bond-Prozeß und Draht-Bond-Prozeß angepaßt werden.
Anschließend wird ein Herstellungsverfahren für elektroni­ sche Bauteile gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel bezug­ nehmend auf Fig. 12 beschrieben. Fig. 12 zeigt die Prozedur eines Herstellungsverfahrens für elektronische Bauteile, bei dem ein Element auf einem Substrat durch ein Höcker-Bonden bzw. eine Höcker-Verbindung angebracht wird.
Zunächst werden, wie es in Fig. 12A gezeigt ist, mehrere Substrate 3 in einem Substratanbringungsprozeß an festen Positionen auf der Oberfläche eines elastischen Materials unter Verwendung einer Anbringungseinrichtung angeordnet. In der Zeichnung ist eine Düse 4 für eine Vakuumaufnahme der Anbringungseinrichtung gezeigt.
Anschließend wird, wie es in Fig. 12B gezeigt ist, ein Ele­ ment 4, das im voraus mit einem Höcker 6 versehen ist, an einer festen Position auf dem Substrat 3 durch eine Höcker- Verbindung angebracht. Das heißt, daß ein Flip-Chip-Bonden durchgeführt wird. In der Zeichnung ist eine Hülse 19 zum Positionieren des Elements 4 und zum Anbringen von Ultra­ schallwellen gezeigt. Bei diesem Höcker-Bond-Prozeß wird das Substrat 3 auf 100 bis 200°C aufgewärmt. Da zu diesem Zeit­ punkt die Wärmewiderstandstemperatur des elastischen Mate­ rials 2 250°C beträgt, wird das elastische Material nicht negativ beeinflußt.
Als Höckerelektrode kann ein Höcker bzw. Bump aus Gold (Au), ein Höcker aus Lötmittel oder beispielsweise ein Höcker aus Harz verwendet werden.
Bezüglich der Bondenergie, die von den Ultraschallwellen er­ zeugt wird, wird die Absorption der Bondenergie durch Ein­ stellen der Gummihärte des elastischen Materials 2 auf einen Gummihärtegrad von 30 oder darüber unterdrückt. Auf die gleiche Weise wie beim Drahtbonden, das in Fig. 11 gezeigt ist, kann eine Bondstärke, die gleich der in dem Fall ist, bei dem ein herkömmlicher Metallbehälter verwendet wird, er­ halten werden.
Ferner ist bei den Ausführungsbeispielen eine harte Platte 1 auf der unteren Oberfläche des elastischen Materials 2 ange­ ordnet. Diese Platte wird jedoch nicht unbedingt benötigt.
Schließlich sei darauf hingewiesen, daß sämtliche in der Anmeldung erwähnten Dokumente hierin in ihrer Gesamtheit durch Bezugnahme aufgenommen sind.

Claims (14)

1. Haltevorrichtung mit folgenden Merkmalen: einem elastischen Material (2), wobei zumindest die Oberfläche desselben Hafteigenschaften aufweist und leitfähig ist, und wobei ein elektronisches Bauteil oder eine Komponente, die das elektronische Bauteil bildet, durch die Haftstärke der Oberfläche des ela­ stischen Materials (2) gehalten werden kann.
2. Haltevorrichtung nach Anspruch 1, bei der das elasti­ sche Material (2) durch Hinzufügen eines leitfähigen Materials zu dem elastischen Material (2) leitfähig ge­ macht ist.
3. Haltevorrichtung nach Anspruch 1, bei der das elasti­ sche Material (2) durch Einbauen einer Verdrahtung un­ ter Verwendung eines leitfähigen Materials auf der Oberfläche des elastischen Materials leitfähig gemacht ist.
4. Haltevorrichtung nach Anspruch 1, bei der das elasti­ sche Material durch Einbauen einer Verdrahtung (9) un­ ter Verwendung eines leitfähigen Materials innerhalb des elastischen Materials leitfähig gemacht ist, wobei die Verdrahtung auf der Oberfläche des elastischen Ma­ terials freiliegend ist.
5. Verfahren zum Halten eines elektronischen Bauteils oder einer Komponente, die Bestandteil des elektronischen Bauteils ist, mit folgenden Merkmalen: Halten des elektronischen Bauteils oder einer Kompo­ nente, die Bestandteil des elektronischen Bauteils ist, auf einer Oberfläche eines elastischen Materials (2), wobei zumindest die Oberfläche des elastischen Mate­ rials (2) Hafteigenschaften aufweist und leitfähig ist, durch die Haftstärke der Oberfläche.
6. Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauteilen, mit folgenden Merkmalen:
Halten eines Substrats (3) auf einer Oberfläche eines elastischen Materials (2) durch die Haftstärke der Oberfläche, wobei zumindest die Oberfläche des elasti­ schen Materials (2) Hafteigenschaften aufweist und leitfähig ist; und
Anbringen und elektrisches Verbinden eines Elements (4) auf dem Substrat (3), während das Substrat (3) auf der Oberfläche des elastischen Materials (2) gehalten wird.
7. Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauteilen, mit folgenden Schritten:
Halten eines Substrats (3) auf einer Oberfläche eines elastischen Materials (2), wobei zumindest die Ober­ fläche des elastischen Materials (2) Hafteigenschaften aufweist, durch die Haftstärke der Oberfläche; und
Anbringen und elektrisches Verbinden eines Elements (4) auf dem Substrat (3) wobei das Substrat (3) auf der Oberfläche des elastischen Materials (2) gehalten wird.
8. Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauteilen nach Anspruch 7, das ferner einen Schritt des Anwendens von Ultraschallwellen an einem Bondabschnitt aufweist, an dem die elektronische Verbindung durchgeführt wird.
9. Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauteilen nach Anspruch 7 oder 8, bei dem die Härte des elasti­ schen Materials (2) einen Gummihärtegrad von zumindest A30 hat.
10. Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauteilen nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem die Haltevor­ richtung ein wärmewiderstandsfähiges Material mit einer Wärmewiderstandstemperatur von etwa 250°C aufweist.
11. Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauteilen nach einem der Ansprüche 7 bis 10, bei dem die Halte­ vorrichtung eine Laminatstruktur aus einer harten Plat­ te (1) und dem elastischen Material (2) aufweist.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, bei dem das elastische Material Silikonharz aufweist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, bei dem der Schritt des Anbringens einen Drahtbondprozeß um­ faßt.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, bei dem der Schritt des Anbringens einen Höcker-Bond-Prozeß umfaßt.
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