DE10153211A1 - Electronic component comprises a semiconductor chip and a wiring plate connected to the active surface of the chip using a double-sided adhering film - Google Patents

Electronic component comprises a semiconductor chip and a wiring plate connected to the active surface of the chip using a double-sided adhering film

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DE10153211A1
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DE
Germany
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system carrier
bond
bonding
rewiring
solder
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DE10153211A
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German (de)
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Christian Hauser
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Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Publication date
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    • H01L2924/3651—Formation of intermetallics

Abstract

Electronic component comprises a semiconductor chip (2) and a wiring plate (3). The surface of the wiring plate is connected to the active surface (5) of the chip using a double-sided adhering film (6). Electronic component comprises a semiconductor chip (2) and a wiring plate (3). The surface of the wiring plate is connected to the active surface (5) of the chip using a double-sided adhering film (6). The wiring plate has a metal layer (9) structured in wiring lines (8) on its lower side (7). Each wiring line has a bond end (10) and an outer contact surface (11). Each wiring line has a solder stop surface (12) on its transition to the bond end and/or on its transition to the outer contact surface. Independent claims are also included for the following: (1) a system support for several electronic components; a process for the production of the system support; and (2) a process for the production of the electronic component.

Description

Elektronisches Bauteil und Systemträger sowie Verfahren zur Herstellung derselben. Electronic component and system carrier as well as method for Making the same.

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil und einen Systemträger sowie Verfahren zu deren Herstellung gemäß der Gattung der unabhängigen Ansprüche. The invention relates to an electronic component and a System carrier and method for their production according to the Genre of independent claims.

Elektronische Bauteile, die im wesentlichen aus einem Halbleiterchip mit darauf angeordneter Umverdrahtungsplatte bestehen, werden auch als Bauteile mit einem BOC-Gehäuse (board-on-chip-Gehäuse) bezeichnet, wie sie aus US 6,048,755 bekannt sind. Diese elektronischen Bauteile zeigen häufig Ausfallerscheinungen in Form von Verwölbungen der Umverdrahtungsplatte gegenüber der Oberseite des Halbleiterchips bei den verschiedenen Temperaturprozessen, die zur Herstellung derartiger elektronischer Bauteile erforderlich sind. Derartige Verwölbungen können zum vollständigen Versagen des elektronischen Bauteils führen. Um derartige Verwölbungen zu vermeiden, werden im Stand der Technik die Umverdrahtungsplatten sowohl auf der Oberseite als auch auf der Unterseite durch ein Lötstopppolymer beschichtet. Dabei erfüllt das Lötstopppolymer auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte eine Funktion, indem es die Umverdrahtungsleitungen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte vor einem Benetzen mit Lötmaterial der Außenkontakte schützt. Electronic components that essentially consist of one Semiconductor chip with rewiring plate arranged on it exist also as components with a BOC housing (board-on-chip package) referred to as from US 6,048,755 are known. These electronic components often show Failure symptoms in the form of warping Rewiring board opposite the top of the semiconductor chip the various temperature processes used to manufacture such electronic components are required. Such warping can lead to the complete failure of the lead electronic component. To such warping too Avoid the rewiring plates in the prior art both on the top and on the bottom coated with a solder stop polymer. This fulfills that Solder stop polymer on the underside of the rewiring plate Function by placing the rewiring lines on the Underside of the rewiring plate before wetting Protects the soldering material of the external contacts.

Auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte, die über eine doppelseitig klebende Folie mit der aktiven Oberseite des Halbleiterchips verbunden ist, hat die Lötstoppschicht keine Schutzfunktion, da die Oberseite der Umverdrahtungsplatte keine zu schützende strukturierte Metallschichtung aufweist. Somit dient die Lötstoppschicht auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte lediglich der Kompensation der thermischen Spannungen, die von der Lötstoppschicht auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte ausgehen und vergrößert nachteilig die Höhe und den Raumbedarf für das elektronische Bauteil. Außerdem wird durch das Erfordernis einer Lötstoppschicht auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte die Herstellung von derartigen elektronischen Bauteilen und den zugehörigen Systemträgern, aus denen die Umverdrahtungsplatten gesägt werden, äußerst kostenintensiv. On the top of the rewiring plate, which has a double-sided adhesive film with the active top of the Semiconductor chips is connected, the solder stop layer has none Protective function because the top of the rewiring plate has no structured metal layer to be protected. Thus, the solder stop layer on the top of the Rewiring board only to compensate for the thermal Tensions from the solder stop layer on the bottom run out of the rewiring plate and enlarged disadvantageously the height and the space required for the electronic component. In addition, due to the need for a solder stop layer the bottom of the rewiring plate making such electronic components and the associated System carriers from which the rewiring boards are sawn become extremely expensive.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verwölben der Umverdrahtungsplatte bei den verschiedenen Temperaturprozessen weitgehend zu vermeiden und die Ausfallrate der elektronischen Bauteile herabzusetzen sowie insgesamt die Herstellung derartiger Bauteile zu verbilligen. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, die Bauteilhöhe zu reduzieren. The object of the invention is to warp the Rewiring board for the various temperature processes largely avoid and the failure rate of electronic Reduce components and overall manufacturing to make such components cheaper. It is also the task of Invention to reduce the component height.

Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. This task is subject to the independent Claims resolved. Advantageous developments of the invention result from the dependent claims.

Zur Lösung der obigen Aufgabe wird ein elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte vorgeschlagen, wobei die Oberseite der Umverdrahtungsplatte mit der aktiven Oberseite des Halbleiterchips durch eine doppelseitig klebende Folie verbunden ist. Die Umverdrahtungsplatte weist auf ihrer Unterseite eine in Umverdrahtungsleitungen strukturierte Metallschicht auf. Jede Umverdrahtungsleitung weist ihrerseits ein Bondende und eine Außenkontaktfläche auf. Dabei weist jede Umverdrahtungsleitung an ihrem Übergang zu dem Bondende und/oder an ihrem Übergang zu der Außenkontaktfläche eine Lötstoppfläche auf. An electronic component is used to solve the above problem with a semiconductor chip and a rewiring plate proposed, with the top of the rewiring plate with the active top of the semiconductor chip by a double-sided adhesive film is connected. The rewiring plate has on its underside one in rewiring lines structured metal layer. Every rewiring line in turn has a bond end and an external contact surface on. Each rewiring line points at its transition to the bond end and / or at its transition to the External contact surface on a solder stop surface.

Die Lötstoppflächen dieser Erfindung stehen jedoch nicht untereinander in Verbindung und bilden damit keine geschlossene Lötstoppschicht, da sie nur an den Übergängen der Umverdrahtungsleitungen zu Außenkontaktflächen und oder zu Bondenden angeordnet sind. Dieses hat den Vorteil, dass eine, das Ausdehnungsverhalten der Lötstoppschicht kompensierende Lötstoppschicht auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte nicht mehr erforderlich ist. Damit wird in vorteilhafter Weise einmal die Gesamthöhe des Bauteils vermindert und zum anderen treten keine Verwölbungen der Umverdrahtungsplatte auf, obgleich nun nur noch einseitig Lötstoppflächen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte vorhanden sind. However, the solder stop surfaces of this invention are not with each other and do not form a closed one Soldering layer, since it only on the transitions of the Rewiring cables to external contact areas and or to bond ends are arranged. This has the advantage that one that Expansion behavior of the solder stop layer compensating Solder stop layer on the top of the rewiring board not more is needed. This is advantageous the overall height of the component is reduced and the other there are no warping of the rewiring plate, although now only one-sided soldering pads on the Underside of the rewiring plate are present.

Ein weiterer Vorteil ist, dass die isolierten einzelnen Lötstoppflächen an den Übergängen der Umverdrahtungsleitungen zu ihren Bondenden und/oder zu ihren Außenkontaktflächen mit einem Schritt zum Freilegen der Außenkontaktflächen und der Bondenden der Umverdrahtungsleitungen strukturiert werden können. Das bedeutet, es bedarf nicht eines zusätzlichen Verfahrensschrittes, um isolierte Lötstoppflächen an den Übergängen zu den Bondenden und/oder an den Übergängen zu den Außenkontaktflächen der Umverdrahtungsleitungen anzuordnen. Außerdem entfällt der Verfahrensschritt, die Oberseite der Umverdrahtungsplatte mit einer entsprechenden Lötstoppschicht zu versehen. Das Weglassen der Lötstoppschicht auf der den Außenkontakten gegenüberliegenden Seite bringt weitere Vorteile, nämlich:

  • - Verringerung der Gehäusedicke,
  • - erhöhte Zuverlässigkeit des Gehäuses, da die hygroskopischen Eigenschaften der Lötstoppschicht nicht mehr den Halbleiterchip und die Halbleiterstruktur gefährden können,
  • - erhöhte Haftung der doppelseitig klebenden Folie auf dem Kernmaterial der Umverdrahtungsplatte anstelle der verminderten Haftung durch eine Lötstoppschicht auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte,
  • - geringere Gefahr von Delamination durch eine geringere Anzahl von Schichten im Gesamtaufbau des elektronischen Bauteils,
  • - verbesserte Wärmeableitung durch Weglassen der Lötstoppschicht zwischen Umverdrahtungsplatte und doppelseitig klebender Folie.
A further advantage is that the isolated individual solder stop areas at the transitions of the rewiring lines to their bonding ends and / or to their external contact areas can be structured with a step to expose the external contact areas and the bonding ends of the redistribution lines. This means that there is no need for an additional method step in order to arrange insulated solder stop areas at the transitions to the bond ends and / or at the transitions to the external contact areas of the rewiring lines. In addition, the process step to provide the top of the rewiring board with a corresponding solder stop layer is omitted. The omission of the solder stop layer on the side opposite the external contacts brings further advantages, namely:
  • - reduction of the housing thickness,
  • increased reliability of the housing, since the hygroscopic properties of the solder stop layer can no longer endanger the semiconductor chip and the semiconductor structure,
  • increased adhesion of the double-sided adhesive film to the core material of the rewiring plate instead of the reduced adhesion due to a solder stop layer on the top of the rewiring plate,
  • - lower risk of delamination due to a smaller number of layers in the overall structure of the electronic component,
  • - Improved heat dissipation by omitting the solder stop layer between the rewiring plate and the double-sided adhesive film.

In einer Ausführungsform der Erfindung sind die Lötstoppflächen auf der Unterseite der Umverdrahtungsplatte und auf der Metallschicht lediglich Lötstoppflecken, welchen die Umverdrahtungsleitung an ihrem Übergang zu den Bondenden und/oder an ihrem Übergang zu den Außenkontaktflächen abdecken. Durch diese Lötstoppflecken wird ein Minimum an Lötstopp-Polymer auf die Unterseite und auf die strukturierte Metallschicht des elektronischen Bauteils aufgebracht. Da die Lötstoppflecken untereinander keine geschlossene Schicht bilden, wird weiterhin vorteilhaft keine Verwölbung der Umverdrahtungsplatte auftreten. Somit eine Delamination unterbunden und eine Gefährdung des elektronischen Bauteils vermindert. In one embodiment of the invention Soldering pads on the underside of the rewiring plate and on the Metal layer only solder pads, which the Rewiring line at its transition to the bond ends and / or cover at their transition to the external contact surfaces. By this solder pad will have a minimum of solder polymer on the bottom and on the structured metal layer of the electronic component applied. Since the Soldering spots do not form a closed layer with one another furthermore advantageously no warping of the Rewiring plate occur. This prevents delamination and a risk to the electronic component is reduced.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die Lötstoppflächen Lötstoppringe, die mindestens um jede Außenkontaktfläche ringförmig angeordnet sind. Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass die Außenkontaktflächen, die später Außenkontakte in Form von Lötbällen aufnehmen sollen, auf ihrer gesamten Umfangsflächen von einem Lötstopp-Polymer umgeben sind, und damit können die Lötbälle ihre Form beim Einlöten beibehalten. In a further embodiment of the invention, the Soldering stop rings, at least around each External contact surface are arranged in a ring. This embodiment has the advantage that the external contact surfaces that later Should take up external contacts in the form of solder balls on their entire circumferential surfaces surrounded by a solder-stop polymer and the solder balls can change their shape when soldering maintained.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist im Bereich eines zentralen Bondkanals der Umverdrahtungsplatte ein den Bondkanal umgebender Ring aus einem Lötstopp-Polymer angeordnet, der eine Kunststoffabdeckmasse des Bondkanals örtlich begrenzt. Mit diesem den Bondkanal umgebenden Ring aus einem Lötstopp-Polymer wird gewährleistet, dass beim Herstellen der Kunststoffabdeckung des Bondkanals dieses Polymer auf den vorbestimmten Innenraum des Ringes begrenzt bleibt und somit die Außenkontaktflächen der strukturierten Metallschicht vor der Kunststoffabdeckmasse geschützt sind, da die Ausbreitung der Kunststoffabdeckmasse durch den Ring aus Lötstopp-Polymer begrenzt und behindert wird. In a further embodiment of the invention Area of a central bond channel of the redistribution board the ring around the bond channel made of a solder stop polymer arranged of a plastic covering compound of the bond channel localized. With this ring surrounding the bond channel a solder stop polymer ensures that when Establish the plastic cover of the bond channel on this polymer the predetermined interior space of the ring remains limited and thus the external contact surfaces of the structured Metal layer are protected from the plastic masking compound, since the Spread the plastic masking compound through the ring Soldering polymer is limited and hindered.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umgeben drei Lötstoppflecken jede der Außenkontaktflächen. Dieses hat ähnlich wie ein Ring den Vorteil, dass der Lötball beim Einschmelzen und Anlöten in seiner Form stabil bleibt und nicht auseinanderfließt. Gegenüber dem Ring haben die drei Lötstoppflecken den Vorteil, dass der Anteil an Lötstoppschicht auf der Unterseite der Lötstopp-Platte vermindert wird. In a further embodiment of the invention, three surround Soldering pads stain each of the external contact areas. This one has Similar to a ring the advantage that the solder ball when Melting and soldering remains stable in its shape and not apart flows. The three have opposite the ring Soldering pads have the advantage that the proportion of solder stop layer is reduced on the underside of the solder stop plate.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Umverdrahtungsplatte Leiterbahnbrücken über einer Bondkanalöffnung aufweist, die auf Kontaktflächen des Halbleiterchips gebonded sind. Eine derartige Bondtechnik hat den Vorteil, dass keine Bonddrähte einzusetzen sind und somit die Bondenden unmittelbar in die Leiterbahnbrücken übergehen. Damit kann die Höhe des Bauteils weiter vermindert werden, da in dem Bereich des Bondkanals die Höhe der Kunststoffabdeckmasse minimiert werden kann. Another embodiment of the invention provides that the rewiring plate conductor bridge over a Has bond channel opening that on contact surfaces of the Semiconductor chips are bonded. Such a bonding technique has the Advantage that no bond wires are used and thus the Merge directly into the conductor bridges. The height of the component can thus be reduced further, since in the area of the bond channel the height of the Plastic masking compound can be minimized.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Umverdrahtungsplatte Bonddrähte aufweist, die zwischen den Bondenden der Umverdrahtungsleitungen und Kontaktflächen auf dem Halbleiterchip in einem Bondkanal angeordnet sind und elektrisch die Außenkontaktflächen mit der elektronischen Schaltung auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips verbinden. Bei dieser Technik kann mit normalen Bondanlagen die Verbindung zwischen den Kontaktflächen auf der Oberseite des Halbleiterchips und den Außenkontaktflächen über Bonddrähte und Umverdrahtungsleitungen geschaffen werden. Ein weiterer Vorteil dieser Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass der Bondkanal aus der Umverdrahtungsplatte unmittelbar ausgestanzt werden kann, ohne Rücksicht auf Leiterbahnbrücken, die den Bondkanal in der obenerwähnten alternativen Technologie überspannen. Another embodiment of the invention provides that the redistribution board has bond wires between the bond ends of the rewiring lines and contact areas are arranged on the semiconductor chip in a bond channel and electrical the external contact surfaces with the electronic Circuit on the active top of the semiconductor chip connect. This technique can be used with normal bond systems Connection between the contact surfaces on the top of the Semiconductor chips and the external contact areas via bond wires and rewiring lines are created. Another The advantage of this embodiment of the invention is that that the bond channel from the rewiring board immediately can be punched out regardless of Conductor bridges covering the bond channel in the alternative mentioned above Extend technology.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Umverdrahtungsplatte eine Kernplatte aus einem glasfaserverstärkten, duroplastischen Kunststoff auf. Durch die Glasfaser kann der duroplastische Kunststoff in seinem Ausdehnungsverhalten eingestellt werden. Es kann das duroplastische Kunststoffmaterial bis zu 80 Vol.% an Glasfasermaterial enthalten. Mit einem derartigen Füllgrad des duroplastischen Kunststoffes ist es möglich, das Ausdehnungsverhaltung der Kernplatt an den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips anzunähern. In a further embodiment of the invention, the Rewiring plate a core plate from a glass fiber reinforced, thermosetting plastic. Through the glass fiber can the thermosetting plastic in his Expansion behavior can be set. It can be the thermoset Contain plastic material up to 80 vol.% Of glass fiber material. With such a degree of filling of the thermoset Plastic, it is possible to maintain the expansion of the core plate to the thermal expansion coefficient of the To approximate semiconductor chips.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die doppelseitig klebende Folie ein Kernmaterial aus einem Polytetrafluorethylengewebe auf, das beidseitig von einem Klebstoff auf Epoxidharzbasis beschichtet ist. Eine derartige doppelseitig klebende Folie ist mit ihren Klebstoffschichten zähviskos und kann somit verbleibende Fehlanpassungen zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Umverdrahtungsplatte und dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips ausgleichen. Damit wird gleichzeitig die Ausfallrate für elektronische Bauteile bei thermischer Belastung vermindert. In a further embodiment of the invention, the double-sided adhesive film a core material from a Polytetrafluorethylene fabric on both sides of one Epoxy-based adhesive is coated. Such double-sided adhesive film with its adhesive layers viscous and can therefore leave mismatches between the coefficient of thermal expansion of the Rewiring plate and the thermal expansion coefficient of the Compensate semiconductor chips. With that, the Failure rate for electronic components under thermal stress reduced.

Die Bondenden und/oder die Außenkontaktflächen sind mit einem kupferdiffusionshemmenden Metall und mit einem Edelmetall in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung beschichtet. Diese Materialkombination verhindert, dass Kupfer insbesondere zu den Bondverbindungen diffundieren kann und damit die Bondverbindung verspröden könnte, so dass ein derartiges Bauelement mit derartig veredelten Bondflächen eine größere Lebensdauer erwarten läßt. In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist das kupferdiffusionshemmende Metall Nickel oder eine Legierung desselben auf, während die Edelmetallbeschichtung aus Gold oder Silber oder Legierungen derselben bestehen kann. The bond ends and / or the external contact surfaces are with a copper diffusion inhibiting metal and with a precious metal in coated another embodiment of the invention. This combination of materials prevents copper can diffuse in particular to the bond connections and thus the Bond connection could become brittle, so that such Component with such refined bond areas a larger one Life expectancy. In another embodiment The invention has the copper diffusion-inhibiting metal Nickel or an alloy of the same while the Precious metal coating made of gold or silver or alloys the same can exist.

Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft einen Systemträger für mehrere elektronische Bauteile. Dazu weist der Systemträger auf seiner Oberseite mehrere Bauteilpositionen zum Positionieren einer doppelseitig klebenden Folie und zum Anbringen jeweils eines Halbleiterchips in jeder Bauteilposition auf. Auf der Unterseite weist der Systemträger auf einer Kernplatte eine strukturierte Metallbeschichtung auf, die in jeder Bauteilposition Umverdrahtungsleitungen mit jeweils einem Bondende und einer Außenkontaktfläche aufweist. Jede Umverdrahtungsleitung ihrerseits weist an ihrem Übergang zu dem Bondende und/oder an ihrem Übergang zu der Außenkontaktfläche jeweils eine Lötstoppfläche auf. Another aspect of the invention relates to a system carrier for several electronic components. The System carrier on its top several component positions Position a double-sided adhesive film and to Attach a semiconductor chip in each component position on. On the underside, the system carrier points to one Core plate on a structured metal coating, which in rewiring lines with each component position has a bond end and an external contact surface. each The rewiring line, in turn, points to its transition to the Bonding and / or at their transition to the external contact surface one solder stop area each.

Der Vorteil dieses Systemträgers ist es, dass er nur noch einseitig und nur noch partiell Lötstoppflächen aufweist. Er hat weder auf seiner Oberseite eine geschlossene Lötstoppschicht, noch auf seiner Unterseite und damit auf den Umverdrahtungsleitungen eine in sich geschlossene Lötstoppschicht. Somit wird das Ausdehnungsverhalten nur von der Kernplatte aus glasfaserverstärkter Kunststoffmasse bestimmt, die im wesentlichen auf das Ausdehnungsverhalten des Halbleiterchips abgestimmt ist. The advantage of this system carrier is that it only has one-sided and only partially has solder stop surfaces. He has neither a closed one on its top Soldering layer, still on its underside and thus on the Rewiring cables a self-contained solder stop layer. Thus, the expansion behavior is only from the core plate determined from glass fiber reinforced plastic mass, which in essentially on the expansion behavior of the semiconductor chip is coordinated.

Eine Verwölbung des Systemträgers ist somit nicht mehr möglich. Auch Maßnahmen durch Mehrschichtigkeit und Symmetrie, um eine Verwölbung zu vermeiden, sind nicht mehr erforderlich. Dieser Systemträger kann folglich mit weniger Verfahrensschritten und mit geringerer Dicke hergestellt werden. Aufgrund der isolierten Lötstoppflächen bleibt der Systemträger formstabil und eben und wird nicht während des Herstellungsverfahrens verbogen oder verwölbt, so dass Halbleiterchips auf ihm zuverlässig plaziert werden können. Die Ausfallwahrscheinlichkeit eines derartig strukturierten Systemträgers ist somit vermindert. Die Produktivität des Herstellungsverfahrens mit einem derartigen Systemträger für elektronische Bauteile wird damit gleichzeitig erhöht. Warping of the system carrier is therefore no longer an issue possible. Measures through multilayer and symmetry, to avoid warping are no longer required. This lead frame can therefore do less Process steps and are made with a smaller thickness. Due to the insulated solder stop areas, the System carrier dimensionally stable and flat and is not during the Manufacturing process bent or warped so that Semiconductor chips can be reliably placed on it. The Failure probability of such a structured System carrier is thus reduced. The productivity of the Manufacturing process with such a system carrier for electronic components are increased at the same time.

In einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers weisen die Lötstoppflächen lediglich Lötstoppflächen auf, welche die Umverdrahtungsleitung an ihrem Übergang zu den Bondenden und an ihrem Übergang zu den Außenkontaktflächen abdecken. Damit wird sichergestellt, dass beim Einlöten der Lötbälle, das heißt der Außenkontakte auf den Außenkontaktflächen, die Umverdrahtungsleitungen geschützt bleiben. Gleichzeitig kann sich das Lot nicht auf den Umverdrahtungsleitungen ausdehnen und damit die Höhe der Außenkontakte vermindern. In a further embodiment of the system carrier the soldering pads only on the soldering pads, which the Rewiring line at its transition to the bond ends and cover at their transition to the external contact surfaces. In order to it is ensured that when soldering the solder balls, the is the name of the external contacts on the external contact surfaces Rewiring cables remain protected. At the same time the solder does not expand on the rewiring lines and thus reduce the height of the external contacts.

In einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers sind die Lötstoppflächen Lötstoppringe, die mindestens jede Außenkontaktfläche ringförmig umgeben. Mit diesem Systemträger wird sichergestellt, dass eine Vielzahl von Lötbällen auf den Außenkontaktflächen gleichzeitig verteilt werden können, ohne dass sich das Lot über die Lötstoppringe hinaus ausbreiten kann. In a further embodiment of the system carrier, the Soldering pads Soldering rings, at least each External contact area surrounded in a ring. With this system carrier ensures that a variety of solder balls on the External contact areas can be distributed simultaneously without that the solder spread beyond the solder stop rings can.

In einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers ist im Bereich eines zentralen Bondkanals einer jeden Bauteilposition ein den Bondkanal umgebender Ring aus einem Lötstopp- Polymer angeordnet. Diese Anordnung eines Ringes aus einem Lötstopp-Polymer um den Bondkanal herum hat den Vorteil, dass beim Abdecken des Bondkanals mit einer Kunststoffabdeckmasse, diese Kunststoffabdeckmasse auf den Bereich des Bondkanals beschränkt werden kann, da der den. Bondkanal umgebende Ring aus einem Lötstopp-Polymer ein Ausbreiten der Kunststoffabdeckmass~ in Richtung auf die Außenkontaktflächen des Systemträgers verhindert. In a further embodiment of the system carrier is in Area of a central bond channel of each Component position a ring surrounding the bond channel from a solder stop Polymer arranged. This arrangement of a ring from one Solder-stop polymer around the bond channel has the advantage that when covering the bond channel with a plastic covering compound, this plastic masking compound on the area of the bond channel can be limited because of the. Ring surrounding the bond channel spreading out of a solder stop polymer Plastic covering dimension ~ in the direction of the external contact surfaces of the System carrier prevented.

In einer weiteren Ausführungsform des Systemträgers ist jede Außenkontaktfläche von mindestens drei Lötstoppflecken umgeben. Derartige Lötstoppflecken, die gleichmäßig auf den Umfang der Außenkontaktfläche verteilt sind, erfüllen eine ähnliche Funktion wie die Lötstoppringe, haben jedoch den Vorteil, dass die Unterseite der Umverdrahtungsplatte mit weniger Lötstopp-Polymer bedeckt ist. In a further embodiment of the system carrier, each is External contact area of at least three solder patches surround. Such solder patches that evenly on the Circumference of the external contact area are distributed, meet one Similar function as the solder stop rings, but have the Advantage that the bottom of the rewiring plate with less solder stop polymer is covered.

Sobald die Außenkontaktflächen und die Bondenden frei zugänglich sind, kann ein kupferdiffusionshemmendes Metall und ein Edelmetall auf den Außenkontaktflächen und auf den Bondenden abgeschieden werden. Damit werden diese Flächen veredelt, vor Oxidation geschützt und eine Diffusion von Kupfer, beispielsweise in dem empfindlichen Bondbereich, wird verhindert. Gleichzeitig wird durch die Veredelung der Oberseite, beispielsweise durch eine Gold- oder Silberlegierungsbeschichtung, die Zwischenlagerfähigkeit eines derartigen Systemträgers verlängert. As soon as the external contact surfaces and the bond ends are free are accessible, a copper diffusion-inhibiting metal and a Precious metal on the external contact surfaces and on the bond ends be deposited. With this, these surfaces are refined, before Oxidation protected and copper diffusion, for example in the sensitive bond area, is prevented. At the same time, by refining the top, for example by a gold or Silver alloy coating, the interim storage life of such System carrier extended.

Zur Herstellung eines Systemträgers wird zunächst eine Kernplatte aus glasfaserverstärktem Kunststoff mit einer strukturierten Metallschicht auf der Unterseite bereitgestellt. Diese Kernplatte weist auf ihrer Unterseite Umverdrahtungsleitungen mit Bondenden und mit Außenkontaktflächen in mehreren Bauteilpositionen auf. Auf die Unterseite der Kernplatte wird eine in Lötstoppflächen strukturierte Lötstopp-Polymerschicht aufgebracht, wobei gleichzeitig die Bondenden und die Außenkontaktflächen freigelegt werden. Danach wird mindestens eine Durchgangsöffnung in jeder Bauteilposition als Bondkanal eingebracht. To manufacture a leadframe, a Core plate made of glass fiber reinforced plastic with a structured metal layer provided on the bottom. This core plate has on its underside Rewiring cables with bond ends and with external contact areas in several Component positions. On the bottom of the core plate a solder-stop polymer layer structured in solder-stop areas applied, the bond ends and the External contact areas are exposed. After that, at least one Through hole in each component position as a bond channel brought in.

Mit einem derartigen Verfahren wird die Herstellung des Systemträgers vereinfacht, zumal auf thermischen kompensierende Schichten auf der Oberseite des Systemträgers verzichtet wird und lediglich die Lötstoppschicht auf der Unterseite des Systemträgers stärker als bisher strukturiert wird. Als weiterer Schritt nach dem Freilegen der Bondenden und/oder der Außenkontaktflächen kann sich eine Veredelung dieser Oberflächen durch Aufbringen einer kupferdiffusionshemmenden Metallschicht und einer Edelmetallschicht anschließen. Für das Anbringen der Außenkontakte auf den Außenkontaktflächen kann ein Flussmittel auf die Außenkontaktflächen nach Freilegen dieser Außenkontaktflächen aufgebracht werden. With such a method, the manufacture of the System carrier simplified, especially on thermal compensating Layers on the top of the system carrier is dispensed with and just the solder stop layer on the bottom of the System carrier is structured more than before. As further step after the exposure of the bondholders and / or the External contact surfaces can have a refinement of these Surfaces by applying a copper diffusion-inhibiting Connect metal layer and a precious metal layer. For the Attaching the external contacts to the external contact surfaces can a flux on the external contact areas after exposure of these external contact surfaces are applied.

Sofern für das Herstellen des elektronischen Bauteils eine Bonddrahtverbindung im Bondkanal vorgesehen ist, kann durch einfaches Stanzen das Einbringen einer Bondkanalöffnung in jeder Bauteilposition erfolgen. Soll jedoch eine Bondverbindung mit Hilfe von Leitungsbrücken über der Bondkanalöffnung durchgeführt werden, so erfolgt das Einbringen einer Bondkanalöffnung in jeder Bauteilposition des Systemträgers mittels einer Laserabtragtechnik. Diese Technik hat den Vorteil, dass sie die Strukturierung der Metallbeschichtung auf dem Kernmaterial schont und lediglich das Kernmaterial im Bereich der Bondkanalöffnung abträgt. If a for the manufacture of the electronic component Bond wire connection is provided in the bond channel can by simple punching the insertion of a bond channel opening in every component position. But should one Bond connection using cable bridges over the bond channel opening be carried out, so is introduced Bond channel opening in each component position of the system carrier by means of a laser ablation technique. This technique has the advantage that the structuring of the metal coating on the Protects core material and only the core material in the area of Removing bond channel opening.

Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils weist außer den obenerwähnten Verfahrensschritten zur Herstellung eines Systemträgers zusätzliche Verfahrensschritte auf. Nach dem Bereitstellen eines Systemträgers wird als nächstes eine strukturierte, doppelseitig klebende Folie mit Bondkanalöffnungen in jeder Bauteilposition auf die Oberseite des Systemträgers aufgebracht. Anschließend werden Halbleiterchips mit ihren aktiven Oberseiten auf die doppelseitig klebende Folie in jeder Bauteilposition aufgebracht. Danach werden Bondverbindungen zwischen den Umverdrahtungsleitungen auf der Unterseite des Systemträgers und Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips im Bereich des Bondkanals in jeder Bauteilposition des Systemträgers hergestellt. A method of manufacturing an electronic component assigns in addition to the process steps mentioned above Production of a system carrier additional process steps on. After the provision of a system carrier is considered next a structured, double-sided adhesive film with Bond channel openings in each component position on the top of the system carrier applied. Then be Semiconductor chips with their active tops on the double-sided adhesive film applied in every component position. After that become bond connections between the rewiring lines on the underside of the system carrier and contact surfaces the active top of the semiconductor chip in the area of Bond channel in every component position of the leadframe manufactured.

Nach dem Herstellen der Bondverbindung wird der Bondkanal mit einer Kunststoffabdeckmasse in jeder Bauteilposition des Systemträgers aufgefüllt. Nach diesem Schritt kann das Auftrennen des Systemträgers mit mehreren Halbleiterchips in einzelne elektronische Bauteile erfolgen. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass preiswert elektronische Bauteile hergestellt werden können, die einerseits weniger Funktionsfehler zeigen, da ein Systemträger eingesetzt wird, der vor Verwölbungen bei thermischer Belastung geschützt ist, und zum anderen hat dieses Verfahren den Vorteil, dass hiermit elektronische Bauteile hergestellt werden können, die lediglich aus dem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte bestehen, wobei der Halbleiterchip die Umverdrahtungsplatte trägt. After the bond connection has been established, the bond channel is connected a plastic masking compound in each component position of the System carrier filled. After this step you can Unraveling the system carrier with several semiconductor chips in individual electronic components are made. This procedure has the Advantage that inexpensive electronic components are manufactured which, on the one hand, show fewer malfunctions, since a system carrier is used that prevents warping is protected from thermal stress, and on the other has This method has the advantage that it is electronic Components can be made that only from the Semiconductor chip and a redistribution board exist, the Semiconductor chip carries the rewiring plate.

Derartige Bauteile sind insbesondere dann vorteilhaft, wenn die erforderliche Halbleiterfläche für eine entsprechende Schaltung, wie einer Logikschaltung oder einer Speicherschaltung oder für entsprechende Sensorschaltungen, eine Größe erreicht, bei welcher der Halbleiterchip die maßgebende Flächenausdehnung für das Gehäuse des elektronischen Bauteils darstellt. Such components are particularly advantageous if the required semiconductor area for a corresponding Circuit, such as a logic circuit or one Memory circuit or for corresponding sensor circuits, one size reached, at which the semiconductor chip is the decisive one Area expansion for the housing of the electronic component represents.

In einem Ausführungsbeispiel der des erfindungsgemäßen Verfahrens können zum Herstellen von Bondverbindungen zwischen den Bondenden auf der Unterseite des Systemträgers und den Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips Leitungsbrücken, die den Bondkanal in jeder Bauteilposition überbrücken, auf die Kontaktflächen gebonded werden. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass keine Bonddrähte einzusetzen sind. Diese Bauteile können im Bereich des Bondkanals äußerst flach ausgebildet werden, da die Leiterbahnbrücken verlängerte Umverdrahtungsleitungen sind, die über den Bondkanal geführt werden und eine Sollbruchstelle aufweisen, die beim Bonden durchbrochen wird. Somit ist die Höhe der Bondverbindungsschleifen nicht höher als die Ebene der Metallschicht für die Umverdrahtungsleitungen. In one embodiment, that of the invention Methods can be used to make bond connections between the bond ends on the underside of the leadframe and the Contact areas on the active top of the semiconductor chip Line bridges that connect the bond channel in every component position bridge, are bonded to the contact areas. This The method has the advantage that no bond wires are used are. These components can be extremely in the area of the bond channel be formed flat, since the conductor track bridges are extended rewiring lines that go over the bond channel be performed and have a predetermined breaking point, which at Bonding is broken. Hence the amount of Bond connection loops no higher than the level of the metal layer for the rewiring lines.

Ein weiteres Durchführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor, dass zum Herstellen von Bondverbindungen zwischen den Bondenden auf der Unterseite des Systemträgers und Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips Bonddrähte durch ein Thermosonicbonden, ein Ultraschallbonden oder ein Thermokompressionsbonden aufgebracht werden. Diese Bondtechniken haben sich bewährt und führen zu einer zuverlässigen Bondverbindung zwischen den Bondenden der Umverdrahtungsleitungen und den Kontaktflächen des Halbleiterchips. Another example of implementation of the method provides that to make bonds between the Bond ends on the underside of the lead frame and contact areas on the active top of the semiconductor chip bond wires by thermosonic bonding, ultrasonic bonding or a Thermocompression bonding can be applied. This Bonding techniques have proven themselves and lead to a reliable one Bond connection between the bond ends of the Rewiring lines and the contact areas of the semiconductor chip.

Zum Auffüllen des mit Bondverbindungen ausgestatteten Bondkanals mit einer Kunststoffabdeckmasse in jeder Bauteilposition wird in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung eine Schablonendrucktechnik eingesetzt. Bei der Schablonendrucktechnik werden Schablonen über den. Systemträger gelegt, welche die Durchgangsöffnungen in den Bereichen aufweisen, in denen die Bondkanäle positioniert sind. Durch Rakeln der Druckmasse beziehungsweise der Kunststoffabdeckmasse kann von der Schablone aus jeder Bondkanal mit der Kunststoffabdeckmasse gefüllt werden. Der Vorteil dieses Verfahrens ist, dass die Schablone als Maske mehrfach eingesetzt werden kann und keine verlorene Maske ist, wie bei Photolacktechniken herzustellen ist. To fill up the one equipped with bond connections Bond channel with a plastic covering compound in every component position is in a further embodiment of the invention Stencil printing technology used. In the Stencil printing technology becomes stencils over the. System carrier laid, which have the through openings in the areas in where the bond channels are positioned. By squeegee the Printing compound or the plastic covering compound can from the template from each bond channel with the Plastic masking compound can be filled. The advantage of this procedure is that the stencil can be used several times as a mask and is not a lost mask, like with photoresist techniques is to be produced.

Bei einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens kann auf der Oberseite des Systemträgers eine Kunststoffgehäusemasse aufgebracht werden, die entweder die Ränder der Halbleiterchips umgibt oder die gesamte Rückseite der Halbleiterchips mit abdeckt. Das Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse kann mit Hilfe eines Spritzgußverfahrens erfolgen, bei dem eine einfache Spritzgußform aus lediglich einer Kavität die gesamte Oberseite des Systemträgers mit den Halbleiterchips abdeckt. Nach Herstellung einer solchen geschlossenen Schicht aus Kunststoffgehäusemasse kann dann der Systemträger in Einzelbauteile getrennt werden. In a further implementation example of the method can one on the top of the system carrier Plastic housing compound are applied to either the edges of the Semiconductor chips surrounds or the entire back of the Semiconductor chips with covers. The application of the plastic housing compound can be done using an injection molding process in which a simple injection mold from just one cavity entire top of the leadframe with the semiconductor chips covers. After creating such a closed layer The system carrier can then be made of plastic housing compound Individual components can be separated.

Eine andere Möglichkeit besteht darin, dass lediglich die Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips mit Kunststoffgehäusemasse aufgefüllt werden, so dass beim Zertrennen des Systemträgers in einzelne elektronische Bauteile die jeweiligen Halbleiterchips einen Kantenschutz aufweisen. Anstelle einer Hochdruck-Spritzgusstechnik zum Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse kann auch ein Vakuumsdruckverfahren eingesetzt werden, bei dem unter Vakuum die Kunststoffgehäusemasse auf die mit Halbleiterchips bestückte Oberseite des Substratträgers gedruckt wird. Another possibility is that only the Spaces between the semiconductor chips with Plastic housing compound are filled so that when the System carrier into individual electronic components the respective Semiconductor chips have edge protection. Instead of one High pressure injection molding technology to apply the Plastic housing compound can also use a vacuum pressure process be, with the plastic housing compound under vacuum the top of the semiconductor chip Substrate carrier is printed.

Noch vor dem Auftrennen des Systemträgers in einzelne Bauteile können Außenkontakte in Form von Lotbällen auf die Außenkontaktflächen aufgelötet werden. Diese Verfahrensvariante hat den Vorteil, dass für einen gesamten Systemträger sämtliche elektronische Bauteile in den einzelnen Bauteilpositionen in einem Verfahrensschritt mit Außenkontakten versehen werden können. Even before the system carrier is separated into individual ones Components can be in the form of solder balls on the external contacts External contact surfaces are soldered. This process variant has the advantage that for an entire system carrier all electronic components in the individual component positions be provided with external contacts in one process step can.

Zusammenfassend ist festzustellen, dass der Schichtaufbau von BOC-Gehäusen mit einem Laminat als Umverdrahtungsplatte im allgemeinen aus folgendem Schichtaufbau von der Unterseite beginnend besteht. Zunächst eine Lötstoppschicht oder Lötstoppmaske, danach eine strukturierte Metallschicht aus Kupfer und schließlich eine Kernplatte aus glasfaserverstärktem Kunststoff und zum Abschluß erneut auf der Oberseite eine der Kernplatte eine Lötstoppschicht. Die Lötstoppschicht auf der Oberseite Kernplatte hat jedoch keine Lötstoppfunktion, sondern weist lediglich die gleichen Materialeigenschaften wie die Lötstoppschicht auf der Unterseite in bezug auf das thermische Ausdehnungsverhalten auf, um eine thermische Fehlanpassung zwischen Kernplatte und Lätstoppschicht zu kompensieren. Mit einem derartigen symmetrischen Aufbau wird ein Verwölben des Schichtaufbaus oder Laminatstreifens aufgrund der unterschiedlichen thermischen Bearbeitungsschritte, bei denen Temperatureinflüsse auftreten, vermindert. In summary it can be stated that the layer structure of BOC housings with a laminate as a rewiring plate in the general from the following layer structure from the bottom beginning exists. First a solder layer or Solder mask, then a structured metal layer Copper and finally a core plate made of glass fiber reinforced Plastic and finally one of the top Core plate a solder stop layer. The solder stop layer on the However, the top of the core plate has no solder stop function, but only has the same material properties as the solder stop layer on the bottom with respect to the thermal expansion behavior to a thermal Mismatch between the core plate and the lating layer too compensate. With such a symmetrical structure, a Warping of the layer structure or laminate strip due to the different thermal processing steps in which Influences of temperature occur, reduced.

Um eine vollständige Symmetrie herzustellen, müßte auch eine Umverdrahtungsstruktur auf der Oberseite der Kernplatte vorgesehen werden, die jedoch ebenfalls keine Funktion hätte und lediglich für eine perfekte thermische Symmetrie vorzusehen ist. Jedoch ist die Dicke der Metallschicht für die Umverdrahtungsleitungen und die Flächendichte aus Umverdrahtungsleitung derart gering, dass auf eine gegenüberliegende Kupferschicht verzichtet werden kann. To create complete symmetry, one would also have to Rewiring structure on top of the core plate be provided, but which would also have no function and to be provided only for perfect thermal symmetry is. However, the thickness of the metal layer is for that Rewiring lines and area density Rewiring line so low that on an opposite Copper layer can be dispensed with.

Während die Kernplatte das eigentliche Trägermaterial darstellt, bildet die strukturierte Metallschicht Kupferleiterbahnen und die Lötstoppschicht bildet eine Maske, um sicherzustellen, dass die Außenkontakte in Form von Lötbällen definiert auf die Kupferleiterbahnen aufbringbar sind. Durch die erfindungsgemäße Lösung wird auf der Lotballseite nur eine sehr geringe Menge an Lötstopp-Polymer aufgetragen. Auf der gegenüberliegenden Seite kann deshalb auf eine kompensierende Schicht wegen der nur sehr geringen Menge, die erfindungsgemäß nötig ist, verzichtet werden. While the core plate is the actual substrate represents, the structured metal layer Copper conductor tracks and the solder stop layer forms a mask to ensure that the external contacts are in the form of solder balls defined can be applied to the copper conductor tracks. Through the solution according to the invention is only one on the solder ball side very small amount of solder stop polymer applied. On the opposite side can therefore be compensated Layer because of the very small amount that is necessary according to the invention.

Die Lötstoppmaske befindet sich somit nur noch in derartigen Bereichen, in denen die Lotbälle angebracht werden, indem sie beispielsweise ringförmig oder mit drei Lötstoppflecken begrenzt werden. Damit ist gewährleistet, dass eine problemlose Montage der Lotbälle und auch kein Verlaufen auf Leiterbahnen durch die klar definierten Grenzen in den Übergängen zur Umverdrahtungsleitung und auch keine Kurzschlüsse der Leiterbahnen untereinander durch Verlaufen des Lotes der Lötbälle auftreten kann. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass nun die doppelseitig klebende Folie direkt auf der Kernplatte aufgebracht werden kann. Durch das Verringern der Anteile der Lötstoppschicht auf der Umverdrahtungsplatte und durch das Weglassen der gegenüberliegenden Lötstoppschicht auf der Oberseite der Kernplatte ergeben sich zusammenfassend folgende Vorteile:

  • 1. Das Herstellen der Umverdrahtungsplatte und des Systemträgers kann unter Einsparung eines Verfahrensschrittes, nämlich der Beschichtung der Oberseite mit einer Lötstoppschicht, schneller und damit kostensparender erfolgen.
  • 2. Die Haftung zwischen Umverdrahtungsplatte und doppelseitig klebender Folie kann verbessert werden, da die doppelseitig klebende Folie nun unmittelbar auf die Kernplatte aufgebracht werden kann und keine Lötstoppschicht, die schlechtere Hafteigenschaften aufweist, dazwischenliegt.
  • 3. Die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit des elektronischen Bauteils wird erhöht, da eine hygroskopisch wirkende Lötstoppschicht auf der dem Halbleiterchip zugewandten Seite nicht mehr vorhanden ist.
  • 4. Durch die Verringerung der Anzahl der aufeinander laminierten Schichten wird die Gefahr der Delamination verhindert.
  • 5. Aufgrund der geringeren Anzahl der wärmeisolierenden Schichten wird eine verbesserte Wärmeableitung erreicht.
The solder mask is therefore only in those areas in which the solder balls are attached, for example, by limiting them in a ring shape or with three solder spots. This ensures that problem-free assembly of the solder balls and also no running on conductor tracks can occur due to the clearly defined limits in the transitions to the rewiring line, and also no short circuits of the conductor tracks with one another due to the solder solder of the solder balls running. Another advantage is that the double-sided adhesive film can now be applied directly to the core plate. By reducing the proportions of the solder stop layer on the rewiring plate and by omitting the opposite solder stop layer on the upper side of the core plate, the following advantages result in summary:
  • 1. The rewiring board and the system carrier can be produced more quickly and thus more economically while saving one process step, namely coating the top with a solder stop layer.
  • 2. The adhesion between the rewiring plate and the double-sided adhesive film can be improved, since the double-sided adhesive film can now be applied directly to the core plate and there is no solder stop layer that has poorer adhesive properties in between.
  • 3. The reliability and longevity of the electronic component is increased since a hygroscopic soldering stop layer is no longer present on the side facing the semiconductor chip.
  • 4. The risk of delamination is prevented by reducing the number of layers laminated on top of one another.
  • 5. Because of the smaller number of heat-insulating layers, improved heat dissipation is achieved.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. The invention will now be described with reference to embodiments explained in more detail on the accompanying drawings.

Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Bereich eines elektronischen Bauteils einer ersten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 1 shows a schematic cross section of a portion of an electronic component to a first embodiment of the invention,

Fig. 2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing a portion of an electronic component to a second embodiment of the invention,

Fig. 3 zeigt eine schematische Unteransicht eines elektronischen Bauteils der zweiten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 3 is a schematic bottom view showing an electronic component of the second embodiment of the invention,

Fig. 4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils einer dritten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 4 is a schematic cross-sectional view showing a portion of an electronic component of a third embodiment of the invention,

Fig. 5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils einer vierten Ausführungsform der Erfindung, Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing a portion of an electronic component of a fourth embodiment of the invention,

Fig. 6 zeigt eine schematische Unteransicht eines elektronischen Bauteils einer fünften Ausführungsform der Erfindung, Fig. 6 is a schematic bottom view showing an electronic component of a fifth embodiment of the invention,

Fig. 7 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils aus dem Stand der Technik. Fig. 7 is a schematic cross-sectional view showing a portion of an electronic component of the prior art.

Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Das Bezugszeichen 2 kennzeichnet einen Halbleiterchip, auf dem eine Umverdrahtungsplatte 3 angeordnet ist. Diese Umverdrahtungsplatte 3 ist ein Laminat aus mehreren Schichten. Das Bezugszeichen 21 kennzeichnet eine Kernplatte des Laminats, die aus einem glasfaserverstärkten Kunststoff aufgebaut ist. Auf dieser Kernplatte 21 ist eine strukturierte Metallschicht 9 aufgebracht, die in Umverdrahtungsleitungen 8 strukturiert ist. Von den Umverdrahtungsleitungen 8 ist jeweils ein Bondende 10 im Randbereich eines Bondkanals 15 angeordnet und jeweils eine Außenkontaktfläche an dem anderen Ende der Umverdrahtungsleitungen 8 angeordnet. Die in Fig. 1 gezeigte Ausführungsform der Erfindung weist sechzig Außenkontaktflächen auf, die auf der Umverdrahtungsplatte 3 in Zeilen und Spalten verteilt sind. Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing a portion of an electronic component 1 of a first embodiment of the invention. The reference symbol 2 denotes a semiconductor chip on which a rewiring plate 3 is arranged. This rewiring board 3 is a laminate of several layers. The reference numeral 21 denotes a core plate of the laminate, which is made of a glass fiber reinforced plastic. A structured metal layer 9 , which is structured in rewiring lines 8 , is applied to this core plate 21 . Of the rewiring lines 8 , one bonding end 10 is arranged in the edge region of a bonding channel 15 , and one external contact surface is arranged at the other end of the rewiring lines 8 . The embodiment of the invention shown in FIG. 1 has sixty external contact areas which are distributed on the rewiring plate 3 in rows and columns.

Das Bezugszeichen 5 kennzeichnet die aktive Oberseite des Halbleiterchips 2, die mit einer elektronischen Schaltung versehen ist, deren Kontaktflächen 19 im Bondkanal 15 angeordnet sind. Von den Kontaktflächen 19 führt ein Bonddraht 20 in dieser ersten Ausführungsform der Erfindung zu dem Bondende 10 einer Umverdrahtungsleitung 8. Dieses Bondende 10 ist mit einer bondbaren Beschichtung 36 versehen, die in dieser Ausführungsform der Erfindung aus einer kupferdiffusionshemmenden Metallschicht 22 und einer darauf befindlichen Edelmetallbeschichtung 23 besteht. Reference number 5 denotes the active top side of the semiconductor chip 2 , which is provided with an electronic circuit, the contact surfaces 19 of which are arranged in the bond channel 15 . In this first embodiment of the invention, a bonding wire 20 leads from the contact areas 19 to the bonding end 10 of a rewiring line 8 . This bonding end 10 is provided with a bondable coating 36 , which in this embodiment of the invention consists of a copper diffusion-inhibiting metal layer 22 and a noble metal coating 23 located thereon.

Die kupferdiffusionshemmende Schicht 22 weist in dieser Ausführungsform eine Nickellegierung auf, die dafür sorgt, dass keine Kupferatome zu der Bondverbindung 29 diffundieren können, so dass die Bondverbindung elastisch bleibt und nicht durch Bildung intermetallischer Phasen versprödet. In this embodiment, the copper diffusion-inhibiting layer 22 has a nickel alloy, which ensures that no copper atoms can diffuse to the bond connection 29 , so that the bond connection remains elastic and does not become brittle due to the formation of intermetallic phases.

Über die Umverdrahtungsleitung 8 ist die Kontaktfläche 19 des Halbleiterchips 2 mit der Außenkontaktfläche 11 und dem auf ihr positionierten Außenkontakt 30 verbunden. Somit können eine Vielzahl von mikroskopisch kleinen Kontaktflächen 19 im Bondkanal 15 zu makroskopisch großen Außenkontaktflächen 11 und Außenkontakten 30 mit Hilfe der Umverdrahtungsplatte 3 geführt werden. In diesem Zusammenhang ist unter mikroskopisch klein eine Dimension zu verstehen, die im Mikrometerbereich liegt und nur unter einem Lichtmikroskop meßbar ist. Via the rewiring line 8 , the contact area 19 of the semiconductor chip 2 is connected to the external contact area 11 and the external contact 30 positioned thereon. A large number of microscopic contact areas 19 in the bond channel 15 can thus be guided to macroscopically large external contact areas 11 and external contacts 30 with the aid of the rewiring plate 3 . In this context, microscopic is understood to mean a dimension that is in the micrometer range and can only be measured under a light microscope.

Unter makroskopisch groß werden Komponenten verstanden, die mit bloßem Auge sichtbar und meßbar sind. Macroscopically large are understood to mean components that are visible and measurable with the naked eye.

Jeder Außenkontakt 30 auf der Außenkontaktfläche 11 ist von einem Ring aus einer Lötstoppschicht 28 umgeben. Ein derartiger Lötstoppring 14 wirkt als Lötstoppmaske für den Außenkontakt 30, der aus einem Lotball besteht. Der Lötstoppring 14 verhindert, dass sich beim Einlöten der Außenkontakte 30 auf der Außenkontaktfläche 11 das Lot auf die Umverdrahtungsleitung 8 verteilt und teilweise zwischen den Umverdrahtungsleitungen 8 Kurzschlüsse verursacht. Each external contact 30 on the external contact surface 11 is surrounded by a ring made of a solder stop layer 28 . Such a solder stop ring 14 acts as a solder mask for the external contact 30 , which consists of a solder ball. The solder stop ring 14 prevents the solder from spreading onto the rewiring line 8 and partially causing short circuits between the rewiring lines 8 when the outer contacts 30 are soldered onto the outer contact surface 11 .

Die Außenkontakte 30 sind gleichzeitig mit den Bondenden 10 nach dem Aufbringen der Lötstoppringe 14 auf ihren Oberseiten durch eine Kombination aus kupferdiffusionshemmender Metallschicht 22 und Edelmetallschicht 23 veredelt. Um ein sicheres Auflöten auf einer derartig veredelten Oberfläche zu gewährleisten, wird in den Bereichen der Außenkontaktflächen 11 eine Beschichtung 31 aus einem Fluss des einführen sind Sie mich mittel aufgebracht. The outer contacts 30 are simultaneously finished with the bonding ends 10 after the application of the solder stop rings 14 on their upper sides by a combination of a copper diffusion-inhibiting metal layer 22 and a noble metal layer 23 . In order to ensure a secure soldering on a surface refined in this way, a coating 31 from a flow of the insert is applied in the areas of the outer contact surfaces 11 by me.

Das Bezugszeichen 17 kennzeichnet eine Kunststoffabdeckmasse, die im Bondkanal 15 angeordnet ist und die Bondverbindung 29 in Kunststoff einbettet. Diese Kunststoffabdeckmasse 17 kann noch vor dem Aufbringen und Einlöten der Außenkontakte 30 mittels Schablonendruck in den Bondkanal 15 eingebracht werden. Dabei muß die Kunststoffabdeckmasse 17 auf den Bereich des Bondkanals 15 begrenzt werden und darf nicht die Außenkontaktflächen 11 benetzen, da sonst ein Aufbringen der Außenkontakte 30 erschwert wird. The reference number 17 denotes a plastic covering compound which is arranged in the bond channel 15 and embeds the bond connection 29 in plastic. This plastic covering compound 17 can be introduced into the bonding channel 15 by means of stencil printing before the external contacts 30 are applied and soldered on. The plastic covering compound 17 must be limited to the area of the bonding channel 15 and must not wet the external contact surfaces 11 , since otherwise the external contacts 30 are difficult to apply.

Wie die schematische Querschnittsansicht der Fig. 1 zeigt, ist dieser Gehäuseaufbau eines elektronischen Bauteils 1äußerst kompakt, da unmittelbar auf der aktiven Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 die Kernplatte 21 der Umverdrahtungsplatte 3 über eine doppelt klebende Folie 6 angeordnet ist. Ferner wird die Kompaktheit dieses Aufbaus dadurch erreicht, dass die Umverdrahtungsplatte 3 lediglich aus drei Schichten besteht, nämlich der Kernplatte 21, der Metallschicht 9 und den Lötstoppflächen 12. Dabei sind die Lötstoppflächen 12 auf die notwendigen Bereiche als Lötstopplackflecken 13 oder Lötstopplackringe 14 um jede Außenkontaktfläche 11 begrenzt. As the schematic cross-sectional view of Fig. 1 shows, this housing structure is an electronic component 1 extremely compact, since the semiconductor chip 2, the core plate 21 of the rewiring plate 3 is disposed via a double-adhering foil 6 directly on the active top side 5. Furthermore, the compactness of this structure is achieved in that the rewiring plate 3 consists of only three layers, namely the core plate 21 , the metal layer 9 and the soldering stop surfaces 12 . The solder stop surfaces 12 are limited to the necessary areas as solder mask spots 13 or solder mask rings 14 around each external contact surface 11 .

Eine Verwölbung der Kernplatte 21 und damit eine Verwölbung der Umverdrahtungsplatte 3 ist aufgrund der Strukturierung sowohl der Metallschicht als auch der Lötstoppflächen 12 unterbunden. Dies hat besondere Vorteile für die Zuverlässigkeit des elektronischen Bauteils 1, für die Lebensdauer des elektronischen Bauteils 1 und insbesondere für die Bereitstellung der Umverdrahtungsplatte 3, die ein Teil eines Systemträgers 24 für mehrere elektronische Bauteile 1 ist. Dieser Systemträger 24 kann aufgrund dieser erfindungsgemäßen Stukturierung sowohl der Metallschicht 9 als auch der Lötstoppflächen 12 vollständig eben hergestellt werden, so dass eine parallele Herstellung von mehreren elektronischen Bauteilen 1 gleichzeitig möglich wird. Warping of the core plate 21 and thus warping of the rewiring plate 3 is prevented due to the structuring of both the metal layer and the soldering stop surfaces 12 . This has particular advantages for the reliability of the electronic component 1 , for the lifespan of the electronic component 1 and in particular for the provision of the rewiring plate 3 , which is part of a system carrier 24 for several electronic components 1 . This system carrier 24 can be made completely flat due to this structuring according to the invention of both the metal layer 9 and the soldering stop surfaces 12 , so that a parallel production of several electronic components 1 is possible at the same time.

Fig. 2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in Fig. 1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of a partial area of an electronic component 1 of a second embodiment of the invention. Components with the same functions as in FIG. 1 are identified by the same reference symbols and are not discussed separately.

Ein Unterschied zwischen der ersten Ausführungsform nach Fig. 1 und der zweiten Ausführungsform nach Fig. 2 besteht im wesentlichen darin, dass die Ausbreitung der Kunststoffabdeckmasse 17 für den Bondkanal 15 durch einen Ring 16, der den Bondkanal 15 umgibt, begrenzt wird. Damit wird gewährleistet, dass beim Schablonendruck der Kunststoffabdeckmasse 17 für den Bondkanal 15 das Ausbreiten der Kunststoffabdeckung definiert begrenzt wird und somit die Außenkontaktflächen 11 vor der Kunststoffabdeckmasse 17 für den Bondkanal 15 geschützt bleiben. A difference between the first embodiment according to FIG. 1 and the second embodiment according to FIG. 2 essentially consists in the fact that the spread of the plastic covering compound 17 for the bond channel 15 is limited by a ring 16 which surrounds the bond channel 15 . This ensures that when the plastic covering compound 17 for the bonding channel 15 is stenciled, the spreading out of the plastic covering is limited in a defined manner and thus the external contact surfaces 11 remain protected from the plastic covering compound 17 for the bonding channel 15 .

Fig. 3 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils 1 der zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Fig. 3 is a schematic bottom view showing an electronic component 1 of the second embodiment of the invention. Components with the same functions as in the previous figures are identified by the same reference symbols and are not discussed separately.

Auf der schematischen Untersicht eines elektronischen Bauteils 1 nach der zweiten Ausführungsform der Erfindung sind einerseits die Lötstoppringe 14 um jede der Außenkontaktflächen 11 zu sehen. Ferner wird ein Ring 16 aus Lötstopp- Polymer um den Bondkanal 15 gezeigt. Die Außenkontakte 30 aus Lötbällen 33 sind in zehn Zeilen 37 und sechs Spalten 38 auf der Unterseite des elektronischen Bauteils 1 angeordnet. Jeder Außenkontakt 30 ist über Umverdrahtungsleitungen 9, den Bondenden 10 der Umverdrahtungsleitungen und über die Bonddrähte 20 mit Kontaktflächen 19 auf der Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 verbunden. Der Umriß des Halbleiterchips 2 ist durch eine strichpunktierte Linie 39 markiert. Aufgrund der Kunststoffabdeckmasse 17 in der Bondkanalöffnung 18 sind die dort skizzierten Kontaktflächen 19 und die Bondverbindungen 29 nicht sichtbar, es sei denn die Kunststoffabdeckung ist transparent. The schematic bottom view of an electronic component 1 according to the second embodiment of the invention shows on the one hand the solder stop rings 14 around each of the external contact surfaces 11 . Furthermore, a ring 16 made of solder-stop polymer around the bonding channel 15 is shown. The external contacts 30 made of solder balls 33 are arranged in ten rows 37 and six columns 38 on the underside of the electronic component 1 . Each external contact 30 is connected via rewiring lines 9 , the bonding ends 10 of the rewiring lines and via the bonding wires 20 to contact areas 19 on the top side 5 of the semiconductor chip 2 . The outline of the semiconductor chip 2 is marked by a dash-dotted line 39 . Because of the plastic covering compound 17 in the bond channel opening 18 , the contact areas 19 outlined there and the bond connections 29 are not visible unless the plastic cover is transparent.

Fig. 4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of a partial area of an electronic component 1 of a third embodiment of the invention. Components with the same functions as in the previous figures are identified by the same reference symbols and are not discussed separately.

Ein Unterschied der dritten Ausführungsform der Erfindung nach Fig. 4 gegenüber der zweiten Ausführungsform der Erfindung, wie sie in den Fig. 2 und 3 gezeigt wird, besteht darin, dass die Kanten 40 vom Außenrand 41 des Halbleiterchips 2 durch eine Kunststoffgehäusemasse 32 geschützt sind. Diese Kunststoffgehäusemasse kann noch vor dem Zersägen eines Systemträgers 24 in einzelne elektronische Bauteile 1 in die Zwischenräume zwischen den Halbleiterchips 2 auf der Oberseite 4 des Systemträgers 24 aufgebracht werden. Die Phase 42 zum Brechen der Kunststoffkante kann durch Profilsägen beim Trennen des Systemträgers 24 in einzelne elektronische Bauteile 1 erreicht werden. A difference between the third embodiment of the invention according to FIG. 4 and the second embodiment of the invention, as shown in FIGS. 2 and 3, is that the edges 40 are protected from the outer edge 41 of the semiconductor chip 2 by a plastic housing compound 32 . This plastic housing compound can be applied to the intermediate spaces between the semiconductor chips 2 on the upper side 4 of the system carrier 24 before a system carrier 24 is sawn into individual electronic components 1 . The phase 42 for breaking the plastic edge can be achieved by profile saws when the system carrier 24 is separated into individual electronic components 1 .

Fig. 5 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 einer vierten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing a portion of an electronic component 1 of a fourth embodiment of the invention. Components with the same functions as in the previous figures are identified by the same reference symbols and are not discussed separately.

Ein Unterschied zwischen der vierten Ausführungsform der Erfindung und der dritten Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass nicht nur ein Kantenschutz durch eine Kunststoffgehäusemasse 32 bei diesem elektronischen Bauteil 1 gewährleistet wird, sondern auch die Rückseite des Halbleiterchips 2 durch die Kunststoffgehäusemasse 32 geschützt wird. Diese Kunststoffgehäusemasse 32 kann zunächst auf den Systemträger 24 als geschlossene Schicht auf die Oberseite des Systemträgers und die Rückseite 43 der Halbleiterchips 2 aufgebracht werden, so dass eine einfache Spritzgußform mit nur einer einzigen Kavität für alle elektronischen Bauteile erforderlich ist. A difference between the fourth embodiment of the invention and the third embodiment of the invention is that not only is edge protection provided by a plastic housing compound 32 in this electronic component 1 , but also the back of the semiconductor chip 2 is protected by the plastic housing compound 32 . This plastic housing compound 32 can first be applied to the system carrier 24 as a closed layer on the top of the system carrier and the back 43 of the semiconductor chips 2 , so that a simple injection mold with only a single cavity is required for all electronic components.

Fig. 6 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils 1 einer fünften Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Fig. 6 is a schematic bottom view showing an electronic component 1 of a fifth embodiment of the invention. Components with the same functions as in the previous figures are identified by the same reference symbols and are not discussed separately.

Ein Unterschied zu den vorhergehenden Ausführungsformen besteht darin, dass bei der fünften Ausführungsform der Erfindung lediglich der Übergang von den Außenkontaktflächen 11 auf die Umverdrahtungsleitungen 8 mit einem Lötstoppflecken 13 als Lötstoppfläche 12 bedeckt ist. Diese minimale Aufbringung eines Lötstoppfleckens am Übergang von der Außenkontaktfläche 11 zu den Umverdrahtungsleitungen 8 reicht aus, um das Lot des Lotballs auf die Außenkontaktflächen 11 zu beschränken. Insbesondere reicht es dann aus, wenn das Material der Kernplatte 21 kein Benetzen durch Lotmaterial zuläßt. Darüber hinaus weist die fünfte Ausführungsform, ähnlich wie die zweite, dritte und vierte Ausführungsform, einen Ring 16 aus Lötstopp-Polymer auf, der den Bondkanal 15 umgibt, um die Kunststoffabdeckmasse 17 für den Bondkanal 15 auf diesen zu beschränken. A difference from the previous embodiments is that in the fifth embodiment of the invention, only the transition from the outer contact areas 11 to the rewiring lines 8 is covered with a solder pad 13 as the solder stop area 12 . This minimal application of a solder stop at the transition from the external contact area 11 to the rewiring lines 8 is sufficient to restrict the solder of the solder ball to the external contact areas 11 . In particular, it is sufficient if the material of the core plate 21 does not permit wetting by solder material. In addition, the fifth embodiment, similar to the second, third and fourth embodiment, a ring 16 made of solder resist polymer, which surrounds the bonding channel 15 to the Kunststoffabdeckmasse 17 for the bonding channel this to restrict 15th

Fig. 7 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Teilbereichs eines elektronischen Bauteils 1 aus dem Stand der Technik. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. FIG. 7 shows a schematic cross-sectional view of a partial area of an electronic component 1 from the prior art. Components with the same functions as in the previous figures are identified by the same reference symbols and are not discussed separately.

Wie Fig. 7 zeigt, weist das elektronische Bauteil 1 zwei nahezu geschlossene Lötstoppschichten 34 und 35 auf, nämlich eine geschlossene obere Lätstoppschicht 34, die zwischen der doppelseitig klebenden Folie 6 auf der Kernplatte 21 angeordnet ist und eine nahezu geschlossene Lötstoppschicht 35 auf der Unterseite der Kernplatte 21 auf. Durch diese zusätzlichen geschlossenen großflächigen Lötstoppschichten ist einerseits die Zuverlässigkeit des elektronischen Bauteils 1 gefährdet, da die Lötstoppschichten hygroskopisch sind. Zum anderen ist das elektronische Bauteil 1 dicker, und zum weiteren sind zur Herstellung des elektronischen Bauteils 1 mehr Verfahrensschritte erforderlich als bei dem erfindungsgemäßen elektronischen Bauteil 1. Bezugszeichenliste 1 elektronisches Bauteil
2 Halbleiterchip
3 Umverdrahtungsplatte
4 Oberseite der Umverdrahtungsplatte
5 aktive Oberseite des Halbleiterchips
6 doppelseitig klebende Folie
7 Unterseite der Umverdrahtungsplatte
8 Umverdrahtungsleitungen
9 Metallschicht
10 Bondende
11 Außenkontaktfläche
12 Lötstoppfläche
13 Lötstoppflecken
14 Lötstoppringe
15 Bondkanal
16 Ring um den Bondkanal
17 Kunststoffabdeckmasse
18 Bondkanalöffnung
19 Kontaktflächen des Halbleiterchips
20 Bonddrähte
21 Kernplatte
22 kupferdiffusionshemmendes Metall(schicht)
23 Edelmetall(schicht)
24 Systemträger
25 Oberseite des Systemträgers
26 Bauteilpositionen
27 Unterseite des Systemträgers
28 Lötstopp-Polymerschicht
29 Bondverbindungen
30 Außenkontakte
31 Beschichtung aus Flußmittel
32 Kunststoffgehäusemasse
33 Lotbälle
34 obere Lötstoppschicht
35 untere Lötstoppschicht
36 bondbare Beschichtung
37 Zeilen
38 Spalten
39 strichpunktierte Linie
40 Kante
41 Außenrand
42 Phase
43 Rückseite des Halbleiterchips
As shown in FIG. 7, the electronic component 1 has two almost closed solder stop layers 34 and 35 , namely a closed upper solder stop layer 34 , which is arranged between the double-sided adhesive film 6 on the core plate 21 and an almost closed solder stop layer 35 on the underside of the Core plate 21 on. On the one hand, the reliability of the electronic component 1 is jeopardized by these additional closed, large-area solder stop layers, since the solder stop layers are hygroscopic. On the other hand, the electronic component 1 is thicker, and on the other hand, more process steps are required to produce the electronic component 1 than in the electronic component 1 according to the invention. Reference Signs List 1 electronic component
2 semiconductor chips
3 rewiring plate
4 Top of the rewiring plate
5 active top of the semiconductor chip
6 double-sided adhesive film
7 Bottom of the rewiring plate
8 rewiring lines
9 metal layer
10 bond ends
11 external contact surface
12 solder stop surface
13 solder pads
14 solder stop rings
15 bond channel
16 ring around the bond channel
17 plastic masking compound
18 bond channel opening
19 contact surfaces of the semiconductor chip
20 bond wires
21 core plate
22 copper diffusion-inhibiting metal (layer)
23 precious metal (layer)
24 system carriers
25 Top of the leadframe
26 component positions
27 Underside of the system carrier
28 solder stop polymer layer
29 bond connections
30 external contacts
31 Flux coating
32 plastic housing compound
33 solder balls
34 upper solder stop layer
35 lower solder stop layer
36 bondable coating
37 lines
38 columns
39 dash-dotted line
40 edge
41 outer edge
42 phase
43 Back of the semiconductor chip

Claims (32)

1. Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip (2) und einer Umverdrahtungsplatte (3), wobei die Oberseite (4) der Umverdrahtungsplatte (3) mit der aktiven Oberseite (5) des Halbleiterchips (2) durch eine doppelseitig klebende Folie (6) verbunden ist, und wobei die Umverdrahtungsplatte (3) auf ihrer Unterseite (7) eine in Umverdrahtungsleitungen (8) strukturierte Metallschicht (9) aufweist, wobei jede Umverdrahtungsleitung (8) ein Bondende (10) und eine Außenkontaktfläche (11) aufweist, und wobei jede Umverdrahtungsleitung (8) an ihrem Übergang zu dem Bondende (10) und/oder an einem Übergang zu der Außenkontaktfläche (11) jeweils eine Lötstoppfläche (12) aufweist. 1. Electronic component with a semiconductor chip ( 2 ) and a rewiring plate ( 3 ), the top side ( 4 ) of the rewiring plate ( 3 ) being connected to the active top side ( 5 ) of the semiconductor chip ( 2 ) by a double-sided adhesive film ( 6 ) , and wherein the redistribution plate ( 3 ) has on its underside ( 7 ) a metal layer ( 9 ) structured in redistribution lines ( 8 ), each redistribution line ( 8 ) having a bonding end ( 10 ) and an external contact area ( 11 ), and wherein each redistribution line (8) each having at its transition to the bonding end (10) and / or at a transition to the outer contact surface (11) has a Lötstoppfläche (12). 2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppflächen (12) Lötstoppflecken (13) sind, welche die Umverdrahtungsleitung (8) an ihrem Übergang zu den Bondenden (10) und/oder an ihrem Übergang zu den Außenkontaktflächen (11) abdecken. 2. Electronic component according to claim 1, characterized in that the solder stop surfaces ( 12 ) are solder patches ( 13 ) which the rewiring line ( 8 ) at its transition to the bond ends ( 10 ) and / or at its transition to the external contact surfaces ( 11 ) cover. 3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppflächen (12) Lötstoppringe (14) sind, die mindestens jede Außenkontaktfläche (11) ringförmig umgeben. 3. Electronic component according to claim 1 or claim 2, characterized in that the solder stop surfaces ( 12 ) are solder stop rings ( 14 ) which surround at least each outer contact surface ( 11 ) in a ring. 4. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich eines zentralen Bondkanals (15) der Umverdrahtungsplatte (3) ein den Bondkanal (15) umgebender Ring (16) aus einem Lötstopp-Polymer angeordnet ist, der eine Kunststoffabdeckmasse (17) des Bondkanals (15) örtlich begrenzt. 4. Electronic component according to claim 1 or claim 2, characterized in that in the region of a central bonding channel ( 15 ) of the rewiring plate ( 3 ) is arranged a ring ( 16 ) surrounding the bonding channel ( 15 ) made of a solder-stop polymer, which has a plastic covering compound ( 17 ) of the bond channel ( 15 ) locally limited. 5. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass jede Außenkontaktfläche (11) von mindestens drei Lötstoppflecken (13) umgeben ist. 5. Electronic component according to claim 4, characterized in that each external contact surface ( 11 ) is surrounded by at least three solder patches ( 13 ). 6. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte (13) Leiterbahnbrücken über einer Bondkanalöffnung (18) aufweist, die auf Kontaktflächen (19) des Halbleiterchips (2) gebonded sind. 6. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the rewiring plate ( 13 ) has conductor track bridges over a bond channel opening ( 18 ) which are bonded to contact surfaces ( 19 ) of the semiconductor chip ( 2 ). 7. Elektronisches Bauteil einem der Anspruche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte (3) Bonddrähte (20) aufweist, die zwischen den Bondenden (10) der Umverdrahtungsleitungen (8) und Kontaktflächen (19) auf dem Halbleiterchip (2) in einem Bondkanal (15) angeordnet sind und die Außenkontaktflächen (11) mit der elektronischen Schaltung auf der aktiven Oberseite (5) des Halbleiterchips (2) elektrisch verbinden. 7. Electronic component according to one of claims 1 to 5, characterized in that the rewiring plate ( 3 ) has bonding wires ( 20 ) between the bonding ends ( 10 ) of the rewiring lines ( 8 ) and contact areas ( 19 ) on the semiconductor chip ( 2 ) in a bonding channel ( 15 ) are arranged and electrically connect the external contact surfaces ( 11 ) to the electronic circuit on the active top side ( 5 ) of the semiconductor chip ( 2 ). 8. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umverdrahtungsplatte (3) eine Kernplatte (21) aus einem glasfaserverstärkten duroplastischen Kunststoff aufweist. 8. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the rewiring plate ( 3 ) has a core plate ( 21 ) made of a glass fiber reinforced thermosetting plastic. 9. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die doppelseitig klebende Folie (6) ein Kernmaterial aus einem Polytetrafluorethylengewebe aufweist, das beidseitig von einem Klebstoff auf Epoxidharzbasis beschichtet ist. 9. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the double-sided adhesive film ( 6 ) has a core material made of a polytetrafluoroethylene fabric, which is coated on both sides by an adhesive based on epoxy resin. 10. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondenden (10) und/oder die Außenkontaktflächen (11) mit einem kupferdiffusionshemmenden Metall (22) und mit einem Edelmetall (23) beschichtet sind. 10. The electronic component according to any one of the preceding claims, characterized in that the bonding member (10) and / or the outer contact surfaces (11) are coated with a diffusion-inhibiting copper metal (22) and with a noble metal (23). 11. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das kupferdiffusionshemmende Metall (22) Nickel oder eine Legierung desselben aufweist. 11. Electronic component according to claim 10, characterized in that the copper diffusion-inhibiting metal ( 22 ) has nickel or an alloy thereof. 12. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 10 oder Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondenden und/oder die Außenkontaktflächen als Edelmetallbeschichtung (23) Gold oder Silber oder Legierungen derselben aufweisen. 12. Electronic component according to claim 10 or claim 11, characterized in that the bonding ends and / or the external contact surfaces have a noble metal coating ( 23 ) gold or silver or alloys thereof. 13. Systemträger für mehrere elektronische Bauteile (1), wobei der Systemträger (24) auf seiner Oberseite (25) mehrere Bauteilpositionen (26) zum Positionieren einer doppelseitig klebenden Folie (6) und zum Anbringen jeweils eines Halbleiterchips (2) in jeder Bauteilposition (26) aufweist, und wobei der Systemträger (24) auf seiner Unterseite (27) auf einer Kernplatte (21) eine strukturierte Metallschicht (9) aufweist, die in jeder Bauteilposition (26) Umverdrahtungsleitungen (8) mit jeweils einem Bondende (10) und einer Außenkontaktfläche (11) aufweist, und wobei jede Umverdrahtungsleitung (8) an ihrem Übergang zu dem Bondende (10) und an ihrem Übergang zu der Außenkontaktfläche (11) jeweils eine Lötstoppfläche (12) aufweist. 13. System carrier for several electronic components ( 1 ), the system carrier ( 24 ) on its upper side ( 25 ) having a plurality of component positions ( 26 ) for positioning a double-sided adhesive film ( 6 ) and for attaching a semiconductor chip ( 2 ) in each component position ( 26 ), and wherein the system carrier ( 24 ) on its underside ( 27 ) on a core plate ( 21 ) has a structured metal layer ( 9 ) which in each component position ( 26 ) has rewiring lines ( 8 ) each with a bonding end ( 10 ) and has an external contact area ( 11 ), and each rewiring line ( 8 ) has a solder stop area ( 12 ) at its transition to the bonding end ( 10 ) and at its transition to the external contact area ( 11 ). 14. Systemträger nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppflächen (12) Lötstoppflecken (13) sind, welche die Umverdrahtungsleitung (8) an ihrem Übergang zu dem Bondende (10) und/oder an ihrem Übergang zu der Außenkontaktfläche (11) abdecken. 14. System carrier according to claim 13, characterized in that the solder stop surfaces ( 12 ) are solder patches ( 13 ) which cover the rewiring line ( 8 ) at its transition to the bonding end ( 10 ) and / or at its transition to the external contact surface ( 11 ) , 15. Systemträger nach Anspruch 13 oder Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppflächen (12) Lötstoppringe (13) sind, die mindestens jede Außenkontaktfläche (11) ringförmig umgeben. 15. System carrier according to claim 13 or claim 14, characterized in that the soldering stop surfaces ( 12 ) are solder stop rings ( 13 ) which surround at least each external contact surface ( 11 ) in a ring. 16. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich eines zentralen Bondkanals (15) einer jeden Bauteilposition (26) ein den Bondkanal (15) umgebender Ring (16) aus einem Lötstopp-Polymer angeordnet ist. 16. System carrier according to one of claims 13 to 15, characterized in that in the region of a central bonding channel ( 15 ) of each component position ( 26 ) a ring ( 16 ) surrounding the bonding channel ( 15 ) made of a solder stop polymer is arranged. 17. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass jede Außenkontaktfläche (11) von mindestens drei Lötstoppflecken (13) umgeben ist. 17. System carrier according to one of claims 13 to 16, characterized in that each external contact surface ( 11 ) is surrounded by at least three soldering pad ( 13 ). 18. Systemträger nach einem der Ansprüche die 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondenden (10) und/oder die Außenkontaktflächen (11) mit einem kupferdiffusionshemmenden Metall (22) und mit einem Edelmetall (23) beschichtet sind. 18. The system carrier according to any one of claims 13 to 17, characterized in that the bonding member (10) and / or the outer contact surfaces (11) are coated with a copper diffusion preventive metal (22) and with a noble metal (23). 19. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das kupferdiffusionshemmende Metall (22) Nickel oder eine Legierung desselben aufweist. 19. System carrier according to one of claims 13 to 18, characterized in that the copper diffusion-inhibiting metal ( 22 ) has nickel or an alloy thereof. 20. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondenden (10) und/oder die Außenkontaktflächen (11) als Edelmetallbeschichtung (23) Gold oder Silber oder Legierungen derselben aufweisen. 20. System carrier according to one of claims 13 to 19, characterized in that the bonding ends ( 10 ) and / or the external contact surfaces ( 11 ) have a noble metal coating ( 23 ) gold or silver or alloys thereof. 21. Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers, das folgende Verfahrensschritte aufweist: - Bereitstellen einer Kernplatte (21) aus glasfaserverstärktem Kunststoff mit einer strukturierten Metallschicht (9), die Umverdrahtungsleitungen (8) mit Bondenden (10) und mit Außenkontaktflächen (11) in mehreren Bauteilpositionen (26) auf der Unterseite der Kernplatte (21) aufweist, - Aufbringen einer in Lötstoppflächen (12) strukturierten Lötstopp-Polymerschicht (28) auf der Unterseite der Kernplatte (21) unter Freilassen der Bondenden (10) und der Außenkontaktflächen (11) für Bondverbindungen (29) bzw. für Außenkontakte (30) auf Enden der Umverdrahtungsleitungen (8), wobei die Lötstopplackflächen (12) mindestens die Übergänge von den Umverdrahtungsleitungen (8) zu den Außenkontaktflächen (11) bedecken, - Einbringen mindestens einer Durchgangsöffnung in jeder Bauteilposition (26) als Bondkanal (15). 21. Method for producing a system carrier, which has the following method steps: - Providing a core plate ( 21 ) made of glass fiber reinforced plastic with a structured metal layer ( 9 ), which has rewiring lines ( 8 ) with bond ends ( 10 ) and with external contact surfaces ( 11 ) in several component positions ( 26 ) on the underside of the core plate ( 21 ), - Applying a solder stop polymer layer ( 28 ) structured in solder stop surfaces ( 12 ) to the underside of the core plate ( 21 ) while leaving the bond ends ( 10 ) and the external contact surfaces ( 11 ) for bond connections ( 29 ) or for external contacts ( 30 ) on ends the rewiring lines ( 8 ), the solder resist surfaces ( 12 ) covering at least the transitions from the rewiring lines ( 8 ) to the external contact surfaces ( 11 ), - Introducing at least one through opening in each component position ( 26 ) as a bond channel ( 15 ). 22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Freilegen der Bondenden (10) und/oder der Außenkontaktflächen (11) auf diese eine kupferdiffusionshemmende Metallschicht (22) und eine Edelmetallschicht (23) aufgebracht wird. 22. The method according to claim 21, characterized in that after the exposure of the bonding ends ( 10 ) and / or the external contact surfaces ( 11 ), a copper diffusion-inhibiting metal layer ( 22 ) and a noble metal layer ( 23 ) are applied to them. 23. Verfahren nach Anspruch 21 oder Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass eine Beschichtung (31) aus Flussmittel auf die Außenkontaktflächen (11) nach dem Freilegen der Außenkontaktflächen (11) aufgebracht wird. 23. The method according to claim 21 or claim 22, characterized in that a coating ( 31 ) of flux is applied to the outer contact surfaces ( 11 ) after the exposure of the outer contact surfaces ( 11 ). 24. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen einer Bondkanalöffnung (18) in jeder Bauteilposition (26) des Systemträgers (24) mittels Stanztechnik erfolgt. 24. The method according to any one of claims 21 to 23, characterized in that the introduction of a bond channel opening ( 18 ) in each component position ( 26 ) of the system carrier ( 24 ) takes place by means of stamping technology. 25. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen einer Bondkanalöffnung (18) in jeder Bauteilposition (26) des Systemträgers (24) mittels Laserabtrag erfolgt. 25. The method according to any one of claims 21 to 24, characterized in that the introduction of a bond channel opening ( 18 ) in each component position ( 26 ) of the system carrier ( 24 ) is carried out by laser ablation. 26. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, das folgende Verfahrensschritte aufweist, 26. Method for producing an electronic component, which has the following process steps, - Herstellen eines Systemträgers (24) nach einem der Ansprüche 21 bis 25, - Aufbringen einer strukturierten doppelseitig klebenden Folie (6) mit Bondkanalöffnungen (18) in jeder Bauteilposition (26) auf die Oberseite des Systemträgers (24), - Aufbringen eines Halbleiterchips (2) mit seiner aktiven Oberseite (5) auf die doppelseitig klebende Folie (6) in jeder Bauteilposition (26), - Herstellen von Bondverbindungen (29) zwischen den Umverdrahtungsleitungen (8) auf der Unterseite (27) des Systemträgers (24) und Kontaktflächen (19) auf der aktiven Oberseite (5) des Halbleiterchips (2) im Bereich des Bondkanals (15) in jeder Bauteilposition (26) des Systemträgers (24), - Auffüllen des Bondkanals (15) mit einer Kunststoffabdeckmasse (17) in jeder Bauteilposition (26) des Systemträgers (24), - Auftrennen des Systemträgers (24) mit mehreren Halbleiterchips (2) in einzelne elektronische Bauteile (1). - Manufacture of a system carrier ( 24 ) according to one of claims 21 to 25, Applying a structured double-sided adhesive film ( 6 ) with bond channel openings ( 18 ) in each component position ( 26 ) to the top of the system carrier ( 24 ), - applying a semiconductor chip ( 2 ) with its active top side ( 5 ) to the double-sided adhesive film ( 6 ) in each component position ( 26 ), - Establishing bond connections ( 29 ) between the rewiring lines ( 8 ) on the underside ( 27 ) of the system carrier ( 24 ) and contact areas ( 19 ) on the active top side ( 5 ) of the semiconductor chip ( 2 ) in the region of the bond channel ( 15 ) in each Component position ( 26 ) of the system carrier ( 24 ), - Filling the bonding channel ( 15 ) with a plastic covering compound ( 17 ) in each component position ( 26 ) of the system carrier ( 24 ), - Disconnecting the system carrier ( 24 ) with several semiconductor chips ( 2 ) into individual electronic components ( 1 ). 27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen von Bondverbindungen (29) zwischen den Bondenden (10) auf der Unterseite (27) des Systemträgers (24) und Kontaktflächen (19) auf der aktiven Oberseite (5) des Halbleiterchips (2) Leitungsbrücken, die den Bondkanal (15) in jeder Bauteilposition (26) überbrücken, auf die Kontaktflächen (19) gebondet werden. 27. The method according to claim 26, characterized in that for producing bond connections ( 29 ) between the bond ends ( 10 ) on the underside ( 27 ) of the system carrier ( 24 ) and contact surfaces ( 19 ) on the active top side ( 5 ) of the semiconductor chip ( 2 ) Conductor bridges, which bridge the bonding channel ( 15 ) in each component position ( 26 ), are bonded to the contact surfaces ( 19 ). 28. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen von Bondverbindungen (29) zwischen den Bondenden (10) auf der Unterseite (27) des Systemträgers (24) und Kontaktflächen (19) auf der aktiven Oberseite (5) des Halbleiterchips (2) aus Bonddrähten (20) ein Thermosonicbonden, ein Ultraschallbonden oder ein Thermokompressionsbonden eingesetzt wird. 28. The method according to claim 26, characterized in that for producing bond connections ( 29 ) between the bond ends ( 10 ) on the underside ( 27 ) of the system carrier ( 24 ) and contact surfaces ( 19 ) on the active top side ( 5 ) of the semiconductor chip ( 2 ) thermosonic bonding, ultrasound bonding or thermocompression bonding is used from bond wires ( 20 ). 29. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass das Auffüllen des Bondkanals (15) mit einer Kunststoffabdeckmasse (17) in jeder Bauteilposition (26) des Systemträgers (24) mittels einer Schablonendrucktechnik erfolgt. 29. The method according to any one of claims 26 to 28, characterized in that the filling of the bonding channel ( 15 ) with a plastic covering compound ( 17 ) takes place in each component position ( 26 ) of the system carrier ( 24 ) by means of a stencil printing technique. 30. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass der Systemträger (24) vor dem Auftrennen in einzelne Bauteile (1) auf der Seite der Halbleiterchips (2) mit einer Kunststoffgehäusemasse (32) versehen wird. 30. The method according to any one of claims 26 to 29, characterized in that the system carrier ( 24 ) before the separation into individual components ( 1 ) on the side of the semiconductor chips ( 2 ) is provided with a plastic housing compound ( 32 ). 31. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufbringen von Außenkontakten (30) auf die freiliegenden Außenkontaktflächen (11) Lotbälle (33) auf die Unterseite (27) des Systemträgers (24) aufgebracht und gelötet werden. 31. The method according to any one of claims 26 to 30, characterized in that for the application of external contacts ( 30 ) on the exposed external contact surfaces ( 11 ) solder balls ( 33 ) on the underside ( 27 ) of the system carrier ( 24 ) are applied and soldered.
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