DE10156272A1 - Multi-Chip-Speichervorrichtungen, Module und Steuerverfahren mit einer unabhängigen Steuerung der Speicherchips - Google Patents
Multi-Chip-Speichervorrichtungen, Module und Steuerverfahren mit einer unabhängigen Steuerung der SpeicherchipsInfo
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Abstract
Multi-Chip-Speichervorrichtungen enthalten wenigstens zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung, von denen jeder entsprechende Adressenkontaktflecke, Datenkontaktflecke und Steuersignalkontaktflecke aufweist, und ein gemeinsames Gehäuse vorgesehen ist, welches die wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung einkapselt und welches externe Anschlüsse enthält. Eine interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse ist derart konfiguriert, um wenigstens einen der entsprechenden Steuersignalkontaktecke von jedem Speicherchip der integrierten Schaltung mit getrennten Anschlüssen der externen Anschlüsse zu verbinden, um dadurch eine unabhängige externe Steuerung von jedem Speicherchip der integrierten Schaltung zu ermöglichen, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind. Die Multi-Chip-Speichervorrichtungen können kombiniert werden, um Speichermodule zu bilden. Die Speichermodule enthalten ein Speichermodulsubstrat mit einer ersten und einer dieser gegenüberliegenden zweiten Oberfläche. Es ist wenigstens eine Multi-Chip-Speichervorrichtung, wie sie zuvor beschrieben wurde, an der ersten Oberfläche und an der zweiten Oberfläche vorgesehen.
Description
Diese Anmeldung beansprucht den Nutzen oder Vorteil der koreanischen Pa
tentanmeldung Nr. 2001-1019, eingereicht am 8. Januar 2001, deren Offenbarungsge
halt hier unter Bezugnahme in vollem Umfang mit einbezogen wird, wie aus dem fol
genden hervorgeht.
Die vorliegende Erfindung betrifft Speichervorrichtungen, und insbesondere Mul
ti-Chip-Speichervorrichtungen, die wenigstens zwei Chips in einem Gehäuse (package)
enthalten, Speichermodule, welche die Multi-Chip-Speichervorrichtungen enthalten,
und Steuerverfahren für die Multi-Chip-Speichervorrichtungen und die Speichermodule.
Speicherchips gemäß einer integrierten Schaltung werden weit verbreitet von Ver
brauchern und für Anwendungen im Handel verwendet. Es kann bei diesen Anwendun
gen wünschenswert sein, das Ausmaß oder die Größe des Speichers zu erhöhen, der in
einem gegebenen Bereich oder Volumen gepackt werden kann. Demzufolge wurden
Multi-Chip-Speichervorrichtungen verwendet, bei denen wenigstens zwei Speicherchips
in Form einer integrierten Schaltung in einer gemeinsamen Packung eingekapselt sind,
die eine Vielzahl an externen Anschlüssen aufweist. Es ist auch bekannt, eine Vielzahl
an Multi-Chip-Speichervorrichtungen auf ersten und zweiten sich gegenüberliegenden
Flächen eines Speichermodulsubstrats zu montieren, um einen Speichermodul zu bilden.
Beispielsweise kann ein 144-pin/200-pin-Speichermodul, der auf einem Main
board eines Notebook-Computers montiert ist, einen kleinen Outline-Dual-in-Line-
Speichermodul (SODIMM) mit einer Breite von 3,175 cm (1,25 Inches), einer Höhe
von 6,756 cm (2,66 Inches) und einer Dicke von 0,381 cm (0,15 Inches) und einen Mi
kro-Dual-in-Line-Speichermodul (µ-DIMM) mit einer Breite von 2,997 cm (1,18 In
ches), einer Höhe von 3,81 cm (1,5 Inches) und einer Dicke von 0,381 cm (0,15 Inches)
enthalten. Die Größe des Speichermoduls wird in Einklang mit dem Ingenieur Council
Standard (JEDEC) für verbundene elektronische Vorrichtungen (joint electronic devi
ces) bestimmt. Auf einem solchen Speichermodul können bis hin zu vier synchrone dy
namische Speicher (SDRAM) mit wahlfreiem Zugriff in Form einer 54-pin dünnen und
kleinen Outline-Packung (TSOP) sowohl an dessen Frontfläche als auch an dessen
rückwärtiger Fläche jeweils montiert werden.
Die Fig. 1A und 1B zeigen jeweils Draufsichten von Konfigurationen einer Front
fläche und einer Rückfläche eines herkömmlichen 144-pin/200-pin-Speichermoduls.
Wie in den Fig. 1A und 1B gezeigt ist, enthält die Frontfläche 10 des Moduls vier Spei
chervorrichtungen 12-1 bis 12-4 und die rückwärtige Fläche 20 enthält vier Speicher
vorrichtungen 22-1 bis 22-4. Auf beiden Flächen entsprechend der Frontfläche und der
rückwärtigen Fläche 10 und 20 des Speichermoduls sind Signalleitungen angeordnet,
um die Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4 und 22-1 bis 22-4 mit den Anschlußstiften
14-1, 14-2, 24-1 und 24-2 zu verbinden. Die Anschlußstifte 14-1 und 14-2 der Frontflä
che 10 und die Anschlußstifte 24-1 und 24-2 der rückwärtigen Fläche 20 sind mit Si
gnalleitungen eines Mainboards oder eines Motherboards über Schlitze des Mainboards
verbunden. Eine Stiftkonfiguration des Speichermoduls enthält 12 Eingangsstifte, zwei
blanke oder leere Signalwählstifte, 64 Dateneingangs-/-ausgangsstifte, einen Reihena
dressenstrobestift, einen Spaltenadressenstrobestift, einen Schreibfreigabesignalstift, 8
Daten Eingangs-/Ausgangsmaskenstifte und eine vorbestimmte Anzahl an nicht ange
schlossenen Stiften.
Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht eines SDRAM vom TSOP-Typ zur Montage
des Moduls, der in Fig. 1 gezeigt ist. Wie in Fig. 2 dargestellt ist, enthält eine Speicher
vorrichtung eine Kapselungspackung oder Kapselungsgehäuse 30, einen Chip 32, Lei
terrahmen 34-1 und 34-2, Anschlußflecke 36-1 und 36-2, Isoliermaterialien 38-1 und
38-2 und Bindedrähte 40-1 und 40-2. Der Chip 32 und die Leiterrahmen 34-1 und 34-2
sind jeweils mit Hilfe der Isoliermaterialien 38-1 und 38-2 isoliert und es sind die Lei
terrahmen 34-1 und 34-2 und die Anschlußflecke 36-1 und 36-2 jeweils miteinander
verbunden, und zwar über die Bindedrähte 40-1 und 40-2. Die Leiterrahmen 34-1 und
34-2 werden als Signaleingangs-/-ausgangsstifte verwendet.
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht, die eine Stiftkonfiguration eines SDRAM vom 54-
pin-TSOP-Typ veranschaulicht. Die Stiftzahlen 1, 14 und 27 bezeichnen einen Strom
versorgungsstift (VDD). Die Stiftzahlen 28, 41 und 54 bezeichnen einen Stromversor
gungserdungsstift. Die Stiftzahlen 3, 9, 43 und 49 bezeichnen Datenausgabeleistungs
stifte. Die Stiftzahlen 6, 12, 46 und 52 bezeichnen Datenausgangsstromversorgungser
dungsstifte. Die Stiftzahl 16 bezeichnet einen ein Lesefreigabesignal (WEB) anlegenden
Stift. Die Stiftzahl 17 bezeichnet einen ein Spaltenadressenstrobesignal (CASB) anle
genden Stift. Die Stiftzahl 18 bezeichnet einen ein Reihenadressenstrobesignal (CASB)
anlegenden Stift. Die Stiftzahl 19 bezeichnet einen ein Chipwählsignal (CSB) anlegen
den Stift. Die Stiftzahlen 20 und 21 bezeichnen Bankwähladressen (BA0, BA1) anle
gende Stifte. Die Stiftzahlen 22 bis 26 und 29 bis 36 bezeichnen Adressen (A0 bis A12)
anlegende Stifte. Die Stiftzahl 37 bezeichnet einen ein Taktfreigabesignal (CKE) anle
genden Stift. Die Stiftzahl 38 bezeichnet einen ein Systemtaktsignal (CLK) anlegenden
Stift. Die Stiftzahlen 15 und 39 bezeichnen Dateneingangs-/-ausgangsmaskensignal
(LDQM, UDQM) anlegende Stifte. Die Stiftzahlen 2, 4, 5, 7, 8, 10, 11, 13, 42, 44, 45,
47, 48, 50, 51 und 53 bezeichnen Datenchipausgangssignalstifte (DQ0 bis DQ15). Die
Stiftzahl 40 bezeichnet einen nicht angeschlossenen Stift.
Ein Chipwählsignal (CSB), welches an den ein Chipwählsignal (CSB) anlegenden
Stift angelegt wird, ermöglicht die Eingabe von Signalen, die an alle Stifte eingegeben
werden, die oben beschrieben sind, ausgenommen der das Systemtaktsignal (CLK) an
legende Stift, der das Taktfreigabesignal (CKE) anlegende Stift und die das Datenein
gangs-/-ausgangsmaskensignal (LDQM, UDQM) anlegenden Stifte, so daß eine Opera
tion der Speichervorrichtung ermöglicht wird. Der das Systemtaktsignal (CLK) anle
gende Stift besteht aus einem Stift für die Eingabe des Taktsignals, welches von einem
Controller des Mainboards angelegt wird. Speziell kann der das Taktfreigabesignal
(CKE) anlegende Stift als ein ein Steuersignal anlegender Stift für einen Stromab
schaltmodus des Notebook-Computers verwendet werden.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht, die Speichervorrichtungen wiedergibt, die an dem
Speichermodul von Fig. 1 montiert sind, und zeigt Steuersignalleitungen. Der Spei
chermodul von Fig. 4 besteht aus einem 256M Byte Speichermodul, an welchem 8
Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4 und 22-1 bis 22-4 von 16M × 16 Bits montiert
sind. In den Fig. 1 und 4 bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Teile.
Die Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4, die in Abschnitt 10' mit strichlierter Li
nie angeordnet sind, sind Speichervorrichtungen, die an der Frontfläche des Speicher
moduls montiert sind. Eine Operation der Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4 wird im
Ansprechen auf das Chipwählsignal (CSB0) in Bereitschaft gesetzt und es wird das Sy
stemtaktsignal (CLK0) im Ansprechen auf das Taktwählsignal (CKE0) in Bereitschaft
gesetzt, so daß Daten im Ansprechen auf das Systemtaktsignal (CLK0) eingespeist oder
ausgegeben werden. Die Daten gemäß 16 Bits werden in die Speichervorrichtungen 12-
1 bis 12-4 eingespeist oder ausgegeben und daher betragen die gesamten Daten, die in
die Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4 eingespeist oder aus diesen ausgegeben wer
den, gleich 64 Bits.
Die in dem Abschnitt 20' mit strichlierter Linie angeordneten Speichervorrichtun
gen 22-1 bis 22-4 sind Speichervorrichtungen, die auf der rückwärtigen Fläche 20 des
Speichermoduls montiert sind. Eine Operation der Speichervorrichtungen 22-1 bis 22-4
wird im Ansprechen auf ein Chipwählsignal (CSB1) in Bereitschaft gesetzt und es wird
das Systemtaktsignal (CLK1) im Ansprechen auf das Taktfreigabesignal (CKE1) in
Bereitschaft gesetzt oder freigegeben, so daß Daten im Ansprechen auf das Systemtakt
signal (CLK1) eingespeist oder ausgegeben werden. Es werden Daten mit 16 Bits in
jede der Speichervorrichtungen 22-1 bis 22-4 eingegeben oder aus diesen ausgegeben
und daher beträgt die Gesamtzahl der Daten, die in die Speichervorrichtungen 22-1 bis
22-4 eingespeist oder aus diesen ausgegeben werden, gleich 64 Bits.
Es sind andere Signalleitungen, die in Fig. 4 nicht gezeigt sind, über gemeinsame
Signalleitungen miteinander verbunden. Das heißt, wie in Fig. 4 gezeigt ist, sind in dem
256M Byte Speichermodul 4 Speichervorrichtungen mit 16M × 16 Bits jeweils sowohl
auf der Frontfläche 10 als auch auf der rückwärtigen Fläche 20 montiert. Die vier Spei
chervorrichtungen, die auf der Frontfläche 10 montiert sind, und die vier Speichervor
richtungen, die auf der rückwärtigen Fläche 20 montiert sind, können unabhängig von
einander betrieben werden, um Daten mit 64 Bits in dem 256M Byte Speichermodul
einzuspeisen, auszugeben. Wie in Fig. 4 gezeigt ist, kann es im Falle der vier Speicher
vorrichtungen, die auf der Frontfläche und der rückwärtigen Fläche 10 und 20 getrennt
betrieben werden und dort montiert sind, um die Kapazität des Speichermoduls zu erhö
hen, wünschenswert sein, die Kapazität der Speichervorrichtungen zu erhöhen. Um bei
spielsweise einen 512M Byte Speichermodul zu konfigurieren, können vier Speicher
vorrichtungen mit 16M × 16 Bits jeweils sowohl auf der Frontfläche als auch der rück
wärtigen Fläche des Speichermoduls montiert sein. Jedoch sind diese Speichermodule
mit dieser hohen Kapazität sehr schwierig herzustellen. Auch kann es dann, wenn die
Speichervorrichtungen So, wie dies in Fig. 4 gezeigt ist, betrieben werden, schwierig
sein, einen Speichermodul mit einer hohen Kapazität zu konfigurieren, und zwar unter
Verwendung der Speichervorrichtungen, die eine kleine Kapazität haben.
Bei dem Bestreben, diese und/oder andere potentielle Probleme zu beseitigen,
werden vier Speichervorrichtungen, die derart konfiguriert sind, daß zwei TSOP-Pakete
von 32M × 8 Bits gestapelt sind, sowohl auf der Frontfläche 10 als auch auf der rück
wärtigen Fläche 20 montiert, so daß der Speichermodul eine Kapazität von 512M Byte
besitzt. Da jedoch der Speichermodul in einer solchen Weise konfiguriert ist, daß zwei
Pakete gestapelt sind, wird die Speichervorrichtung insgesamt zu dick.
Bei dem Bestreben, diese und/oder andere potentielle Probleme zu überwinden,
wurde ein Speichermodul eingeführt, der zwei Chips in einer Packung zusammenpackt.
Fig. 5 zeigt eine Querschnittsansicht einer Multi-Chip-Speichervorrichtung, bei der zwei
Chips in einer Packung oder einem Gehäuse eingekapselt sind. Wie in Fig. 5 gezeigt ist,
enthält die Multi-Chip-Speichervorrichtung obere und untere Chips 52-1 und 52-2, die
einander gegenüberliegend angeordnet sind, und eine gemeinsame Packung 50, welche
die oberen und unteren Chips 52-1 und 52-2 einkapselt. Der obere Chip 52-1 enthält
erste und zweite Leiterrahmen 54-1 und 54-2, erste und zweite Isoliermaterialien 56-1
und 56-2, erste und zweite Lötanschlüsse oder Lötflecken 58-1 und 58-2 und erste und
zweite Bindedrähte 60-1 und 60-2 (bonding wires). Der untere Chip 52-2 enthält erste
und zweite Leiterrahmen 54-3 und 54-4, erste und zweite Isoliermaterialien 56-3 und
56-4, erste und zweite Lötflecken 58-3 und 58-4 und erste und zweite Bindedrähte 60-3
und 60-4.
Bei der in Fig. 5 gezeigten Multi-Chip-Speichervorrichtung sind der erste Leiter
rahmen 54-1 des oberen Chips 52-1 und der erste Leiterrahmen 54-2 des unteren Chips
52-2 miteinander verbunden, und der zweite Leiterrahmen 54-2 des oberen Chips 52-1
und der zweite Leiterrahmen 54-4 des unteren Chips 52-2 sind ebenfalls miteinander
verbunden. Die Leiterrahmen (lead frames) 54-1 bis 54-4 sind mit einer Vielzahl von
Steuersignalanlegestiften von jeweils dem oberen und dem unteren Chip 52-1 und 52-2
verbunden. Die Leiterrahmen, die mit einer Vielzahl von Dateneingangs-/
-ausgangsstiften der Chips 52-1 und 52-2 verbunden sind, sind nicht miteinander ver
bunden und sind voneinander unabhängig konfiguriert. Mit anderen Worten sind alle
ersten und zweiten Leiterrahmen der Chips 52-1 und 52-2, ausgenommen den Leiter
rahmen, die mit den Dateneingangs-/-ausgangsstiften der Chips 52-1 und 52-2 der 32M
x 8 Bits verbunden sind, jeweils miteinander verbunden. Als ein Ergebnis besitzt die
Multi-Chip-Speichervorrichtung die gleiche Stiftkonfiguration, wie sie in Fig. 3 gezeigt
ist. Der erste und der zweite Leiterrahmen 54-1 und 54-2 von Fig. 5 werden als Si
gnaleingabe-/-ausgabestifte verwendet.
Fig. 6 zeigt eine Draufsicht, die eine Stiftkonfiguration des SDRAM eines 54-
Stift-TSOP-Typs mit 32M × 8 Bits veranschaulicht. In Fig. 6 bezeichnen die Stiftnum
mern 4, 7, 10, 15, 40, 42, 45, 48 und 51 Nicht-Anschlußstifte (NC). Im Falle einer Mul
ti-Chip-Speichervorrichtung, bei der zwei Chips 52-1 und 52-2 in eine Packung oder
Gehäuse zusammengepackt sind, können die Nicht-Anschlußleiter oder Einführrahmen
des Chips 52-1 mit den Dateneingangs-/-ausgangsleiterrahmen (DQ0 bis DQ7) des
Chips 52-2 verbunden sein. Daher kann die Speichervorrichtung die gleiche Stiftkonfi
guration haben, wie sie in Fig. 3 gezeigt ist, und wird zu einem SDRAM mit 32M × 8
Bits × 2.
Bei der Speichervorrichtung von Fig. 5 werden zwei Chips 52-1 und 52-2 gleich
zeitig im Ansprechen auf das Chipwählsignal in Bereitschaft gesetzt (enabled) und es
wird das Systemtaktsignal im Ansprechen auf das Taktfreigabesignal in Bereitschaft
gesetzt (enabled), so daß Daten mit 8 Bits in jeden der zwei Chips 52-1 und 52-2 im
Ansprechen auf das Systemtaktsignal eingespeist oder aus diesem ausgegeben werden.
Da jedoch die zwei Chips eine Eingabe/Ausgabe von Daten zur gleichen Zeit durchfüh
ren, kann eine übermäßige Wärmeentwicklung stattfinden, wodurch die Performance
der Speichervorrichtung reduziert wird.
Fig. 7 zeigte eine Draufsicht, die Speichervorrichtungen von Fig. 5 veranschau
licht, die an dem Speichermodul von Fig. 2 montiert sind, und veranschaulicht Steuersi
gnalleitungen auf dem Mainboard. Der Speichermodul von Fig. 7 enthält 8 Speichervor
richtungen 12-1 bis 12-4 und 22-1 bis 22-4 mit 32M × 8 Bits × 2 und besitzt somit eine
Kapazität von 512M Bytes. In den Fig. 1 und 7 sind gleiche Bezugszeichen für gleiche
Teile verwendet.
Die Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4, die in dem Abschnitt 10' mit strichlier
ter Linie angeordnet sind, sind an der Frontfläche 10 des Speichermoduls montiert. Die
Operation der Speichervorrichtungen 12-3 und 12-4 wird im Ansprechen auf das Chip
wählsignal (CSB0) in Bereitschaft gesetzt oder freigegeben und es wird das Systemtakt
signal (CLK0) im Ansprechen auf das Taktfreigabesignal (CKE0) freigesetzt oder frei
gegeben, so daß Daten mit 32 Bits im Ansprechen auf das Systemtaktsignal (CLK0)
eingespeist oder ausgegeben werden. Auch wird die Operation der Speichervorrichtun
gen 12-1 und 12-2 im Ansprechen auf das Chipwählsignal (CSB 1) freigegeben oder in
Bereitschaft gesetzt und es wird das Systemtaktsignal (CLK1) im Ansprechen auf das
Taktfreigabesignal (CKE1) freigegeben, so daß Daten mit 32 Bits im Ansprechen auf
das Systemtaktsignal (CLK1) eingespeist oder ausgegeben werden. Das heißt, es werden
die Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4 im Ansprechen auf das Chipwählsignal (CSB0)
und das Taktfreigabesignal (CKE0) in Bereitschaft gesetzt oder freigegeben und es wer
den Daten mit 64 Bits im Ansprechen auf das Systemtaktsignal (CLK0, CLK1) einge
speist oder ausgegeben.
Die Speichervorrichtungen 22-1 bis 22-4, die in dem Abschnitt 20' mit strichlier
ter Linie angeordnet sind, sind auf der rückwärtigen Oberfläche 20 des Speichermoduls
montiert. Die Operation der Speichervorrichtungen 22-1 und 22-2 wird im Ansprechen
auf das Chipwählsignal (CSB1) freigegeben oder in Bereitschaft gesetzt und es wird das
Systemtaktsignal (CLK0) im Ansprechen auf das Taktfreigabesignal (CKE1) freigege
ben, so daß Daten mit 32 Bits im Ansprechen auf das Systemtaktsignal (CLK0) einge
speist oder ausgegeben werden. Auch wird der Betrieb bzw. Operation der Speichervor
richtungen 22-3 und 22-4 im Ansprechen auf das Chipwählsignal (CSB1) freigegeben
oder in Bereitschaft gesetzt und es wird das Systemtaktsignal (CLK1) im Ansprechen
auf das Taktfreigabesignal (CKE1) freigegeben oder freigesetzt, so daß Daten mit 32
Bits im Ansprechen auf das Systemtaktsignal (CLK1) eingespeist oder ausgegeben wer
den. Das heißt, die Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4 werden im Ansprechen auf das
Chipwählsignal (CSB1) und das Taktfreigabesignal (CKE1) in Bereitschaft gesetzt oder
freigegeben und es werden Daten mit 64 Bits im Ansprechen auf das Systemtaktsignal
(CLK0, CLK1) eingespeist oder ausgegeben.
Jedoch können herkömmliche Speichervorrichtungen, wie oben dargelegt wurde,
eine verschlechterte Performance haben, und zwar auf Grund der Wärme, die erzeugt
werden kann, wenn zwei Chips eine Eingabe/Ausgabe von Daten zur gleichen Zeit
durchführen.
Gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden Multi-Chip-
Speichervorrichtungen geschaffen, die wenigstens zwei Speicherchips gemäß einer in
tegrierten Schaltung enthalten, von denen jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adres
senpads, Datenpads und Steuersignalpads (Lötflecke) und ein gemeinsames Gehäuse
oder Packung aufweisen, welches wenigstens zwei Speicherchips gemäß einer inte
grierten Schaltung einkapselt und welche eine Vielzahl von externen Anschlüssen auf
weist. Eine interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse oder Packung
ist so konfiguriert, um wenigstens einen der entsprechenden Steuersignalanschlußflecke
von jedem der Speicherchips gemäß einer integrierten Schaltung zu getrennten An
schlüssen der Vielzahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um eine unabhängige
externe Steuerung von jedem der Speicherchips gemäß einer integrierten Schaltung zu
zulassen, die in dem gemeinsamen Gehäuse oder Packung eingekapselt sind. Indem eine
unabhängige externe Steuerung zugelassen wird, können die wenigstens zwei Speicher
chips gemäß einer integrierten Schaltung auch nicht gleichzeitig betrieben werden.
Demzufolge können die Ausführungsformen der internen Verbindungsschaltung in dem
gemeinsamen Gehäuse oder Packung ein Mittel liefern, um unabhängig jeden Speicher
chip der integrierten Schaltung zu steuern, die in dem gemeinsamen Gehäuse oder Pak
kung eingekapselt sind, was über wenigstens einen der Vielzahl der externen Anschlüs
se erfolgt. Die Entwicklung von Wärme in der Multi-Chip-Speicherpackung wird daher
reduziert.
Bei einigen Ausführungsformen umfassen die wenigstens zwei Speicherchips der
integrierten Schaltung wenigstens zwei identische Speicherchips einer integrierten
Schaltung. Bei anderen Ausführungsformen umfaßt wenigstens einer der entsprechen
den Steuerschaltungspads ein Chipwählsignalpad (Anschlußfleck) und es ist die interne
Verbindungsschaltung der gemeinsamen Packung oder des gemeinsamen Gehäuses so
konfiguriert, um den Chipwählsignalpad der Speicherchips der integrierten Schaltung
mit getrennten Anschlüssen der Vielzahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um eine
externe Chipauswahl von jedem der Speicherchips der integrierten Schaltung zu ermög
lichen, die in der gemeinsamen Packung oder Gehäuse eingekapselt sind. Bei anderen
Ausführungsformen umfaßt wenigstens einer der entsprechenden Steuerschaltungspads
ein Taktfreigabesignalpad, und die interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen
Gehäuse oder Packung ist so konfiguriert, um das Taktfreigabesignalpad von jedem der
Speicherchips der integrierten Schaltung mit getrennten Anschlüssen der Vielzahl der
externen Anschlüsse zu verbinden, um dadurch eine unabhängige externe Taktung von
jedem der Speicherchips der integrierten Schaltung zu ermöglichen, die in der gemein
samen Packung oder Gehäuse eingekapselt sind. Bei noch anderen Ausführungsformen
ist die interne Verbindungsschaltung ferner so konfiguriert, um die entsprechenden Da
tenpads der Speicherchips der integrierten Schaltung in gemeinsamer Form mit einer
Vielzahl von entsprechenden externen Anschlüssen zu verbinden. Bei noch anderen
Ausführungsformen ist die interne Verbindungsschaltung so konfiguriert, um entspre
chende Datenpads der Speicherchips der integrierten Schaltung mit getrennten An
schlüssen der externen Anschlüsse zu verbinden.
Die Multi-Chip-Speichervorrichtungen gemäß irgendeiner der Ausführungsfor
men, die oben beschrieben sind, können kombiniert werden, um Speichermodule gemäß
den Ausführungsformen der Erfindung herzustellen. Die Speichermodule enthalten ein
Speichermodulsubstrat mit ersten und zweiten sich gegenüberliegenden Flächen. Es ist
wenigstens eine Multi-Chip-Speichervorrichtung, wie sie oben beschrieben ist, auf der
ersten Oberfläche und auf der zweiten Oberfläche vorgesehen.
Bei einigen Ausführungsformen der Speichermodule enthält das Speichermodul
substrat ferner eine externe Verbindungsschaltung, die derart konfiguriert ist, um
gleichzeitig lediglich einen der wenigstens zwei integrierten Speicherchips in jeder der
wenigstens einen Multi-Chip-Speichervorrichtung auf der ersten Oberfläche und auf der
zweiten Oberfläche in Bereitschaft zu setzen. Bei anderen Ausführungsformen ist die
externe Verbindungsschaltung ferner so konfiguriert, um gleichzeitig lediglich einen
entsprechenden einen der wenigstens zwei integrierten Schaltungschips in jeder der
Multi-Chip-Speichervorrichtung, die wenigstens einmal vorhanden ist, auf der ersten
Oberfläche und auf der zweiten Oberfläche in Bereitschaft zu setzen oder freizugeben.
Bei noch anderen Ausführungsformen ist die externe Verbindungsschaltung ferner so
konfiguriert, um gleichzeitig lediglich einen ersten der wenigstens zwei integrierten
Schaltungschips der wenigstens einen Multi-Chip-Speichervorrichtung auf der ersten
Oberfläche in Bereitschaft zu setzen, und um gleichzeitig wenigstens einen zweiten der
wenigstens zwei integrierten Schaltungschips in jeder der bzw. in der wenigstens einen
Multi-Chip-Speichervorrichtung auf der zweiten Oberfläche in Bereitschaft zu setzen
oder freizugeben. Bei noch anderen Ausführungsformen ist die externe Verbindungs
schaltung ferner so konfiguriert, um lediglich einen ersten der wenigstens zwei inte
grierten Schaltungschips in jeder der Speichervorrichtungen gemäß der wenigstens ei
nen Multi-Chip-Speichervorrichtungen an einem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche
und an einem entsprechenden ersten Abschnitt der zweiten Oberfläche in Bereitschaft zu
setzen, und um gleichzeitig lediglich einen zweiten der wenigstens zwei integrierten
Schaltungschips in jeder der Speichervorrichtungen gemäß der wenigstens einen Multi-
Chip-Speichervorrichtung an einem zweiten Abschnitt der ersten Oberfläche und an
einem entsprechenden zweiten Abschnitt der zweiten Oberfläche in Bereitschaft zu set
zen.
Bei anderen Ausführungsformen umfaßt die externe Verbindungsschaltung ferner
eine erste externe Systemtaktschaltung, die derart konfiguriert ist, um einen ersten ex
ternen Systemtakt den wenigstens zwei integrierten Schaltungsspeicherchips in jeder der
Speichervorrichtungen der wenigstens einen Multi-Chip-Speichervorrichtung auf der
ersten Oberfläche zu liefern und um einen zweiten externen Systemtakt bzw. Taktsignal
zu den wenigstens zwei integrierten Schaltungsspeicherchips in jeder der Speichervor
richtungen gemäß der wenigstens einen Multi-Chip-Speichervorrichtung auf der zweiten
Oberfläche zu liefern. Bei noch anderen Ausführungsformen enthält die externe Verbin
dungsschaltung ferner eine erste externe Systemtaktschaltung, die so konfiguriert ist,
um ein erstes externes Systemtaktsignal zu den wenigstens zwei integrierten Schal
tungsspeicherchips in jeder der Speichervorrichtungen gemäß der wenigstens einen
Multi-Chip-Speichervorrichtung an einem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und an
einem entsprechenden ersten Abschnitt der zweiten Oberfläche zuzuführen, und um ein
zweites externes Systemtaktsignal den wenigstens zwei integrierten Schaltungsspeicher
chips in jeder der Speichervorrichtungen gemäß der wenigstens einen Multi-Chip-
Speichervorrichtung an einem zweiten Abschnitt der ersten Oberfläche und an einem
entsprechenden zweiten Abschnitt der zweiten Oberfläche zuzuführen.
Gemäß Ausführungsformen eines Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung
wird eine Multi-Chip-Modulvorrichtung, die wenigstens zwei integrierte Schaltungs
speicherchips und eine gemeinsame Packung oder Gehäuse aufweist, welches die we
nigstens zwei integrierten Schaltungsspeicherchips einkapselt und die eine Vielzahl von
externen Anschlüssen aufweist, dadurch gesteuert, indem jeder der integrierten Schal
tungsspeicherchips unabhängig gesteuert wird, der in der gemeinsamen Packung oder
Gehäuse eingekapselt ist, und zwar von außerhalb des gemeinsamen Gehäuses oder
Packung. Eine unabhängige Steuerung kann dadurch realisiert werden, indem gemäß
den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unabhängig jeder der integrierten
Schaltungsspeicherchips ausgewählt wird, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekap
selt sind, und/oder indem unabhängig ein Taktsignal freigegeben wird, und zwar für
jeden der integrierten Schaltungsspeicherchips, die in der gemeinsamen Packung oder
Gehäuse eingekapselt sind.
Gemäß anderen Ausführungsformen des Verfahrens wird ein Speichermodul, der
ein Speichermodulsubstrat und wenigstens eine Multi-Chip-Speichervorrichtung auf
einer Oberfläche und auf einer zweiten Oberfläche desselben aufweist, dadurch gesteu
ert, indem gleichzeitig lediglich einer der wenigstens zwei integrierten Schaltungsspei
cherchips in jeder der Speichervorrichtungen gemäß der wenigstens einen Multi-Chip-
Speichervorrichtung auf der ersten Oberfläche und auf der zweiten Oberfläche freigege
ben wird.
Fig. 1A und 1B sind Draufsichten, die jeweils Konfigurationen einer Frontfläche und
einer rückwärtigen Fläche eines herkömmlichen 144-pin/200-pin-
Speichermoduls zeigen;
Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht eines SDRAM vom TSOP-Typ;
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht, die eine Stiftkonfiguration des SDRAM des 54-
Stift-TSOP-Typs zeigt;
Fig. 4 ist eine Draufsicht, die Speichervorrichtungen veranschaulicht, welche
an dem Speichermodul montiert sind, der in den Fig. 1A und 1B ge
zeigt ist;
Fig. 5 zeigt eine Querschnittsansicht einer Speichervorrichtung, wobei zwei
Chips in eine Packung oder Gehäuse eingepackt sind;
Fig. 6 zeigt eine Draufsicht, die eine Stiftkonfiguration eines SDRAM eines
54-Pin-TSOP-Typs mit 32M × 8 Bits veranschaulicht;
Fig. 7 ist eine Draufsicht, die Speichervorrichtungen von Fig. 5 veranschau
licht, die an dem Speichermodul von Fig. 1 montiert sind;
Fig. 8 ist eine Draufsicht, die eine Stiftkonfiguration der Multi-Chip-
Speichervorrichtungen gemäß den Ausführungsformen der vorliegen
den Erfindung veranschaulicht;
Fig. 9 ist eine Draufsicht, die Multi-Chip-Speichervorrichtungen gemäß Aus
führungsformen der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, welche
an einem Speichermodul montiert sind, entsprechend Ausführungs
formen der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 10 zeigt eine Draufsicht, die Multi-Chip-Speichervorrichtungen gemäß
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, die
an einem Speichermodul gemäß anderen Ausführungsformen der vor
liegenden Erfindung montiert sind.
Es wird nun die vorliegende Erfindung vollständiger unter Hinweis auf die beige
fügten Zeichnungen beschrieben, in denen Ausführungsformen der Erfindung gezeigt
sind. Die Erfindung kann jedoch in sehr unterschiedlichen Arten realisiert werden und
ist nicht auf die hier dargestellten Ausführungsformen beschränkt. Vielmehr dienen die
se Ausführungsformen dazu, um die Offenbarung für Fachleute vollständiger und klarer
darzustellen, wobei der Rahmen der Erfindung für Fachleute erkenntlich ist. Ähnliche
Bezugszeichen bezeichnen ähnliche Elemente. Es sei darauf hingewiesen, daß dann,
wenn ein Element, wie beispielsweise eine Schicht, eine Zone oder ein Substrat, so an
gesprochen wird, daß "auf" einem anderen Element angeführt wird, diese Schicht, Zone
oder Substrat direkt auf einem anderen Element vorgesehen sein kann oder unter Zwi
schenfügung von Elementen ebenso vorgesehen sein kann. Wenn im Gegensatz dazu ein
Element so bezeichnet wird, daß es "direkt auf" einem anderen Element vorhanden ist,
so sind keine dazwischen liegenden Elemente vorhanden. Es sei auch darauf hingewie
sen, daß dann, wenn ein Element als "verbunden" oder als "gekoppelt" mit einem ande
ren Element beschrieben wird, es direkt angeschlossen sein kann oder auch an das ande
re Element unter Zwischenfügung von Elementen gekoppelt sein kann. Wenn im Ge
gensatz dazu ein Element als "direkt angeschlossen" oder "direkt gekoppelt" mit einem
anderen Element bezeichnet wird, so sind keine dazwischen liegenden Elemente vor
handen.
Fig. 8 zeigt eine Draufsicht, die eine Stiftkonfiguration von Multi-Chip-
Speichervorrichtungen gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung veran
schaulicht. Die Stiftzahl 15 bezeichnet einen ein Chipwählsignal (CSB1) anlegenden
Stift. Die Stiftzahl 40 bezeichnet ein Taktfreigabesignal (CKE1). Die Stiftzahl 19 be
zeichnet einen ein Chipwählsignal (CSB0) anlegenden Stift. Die Stiftzahl 37 bezeichnet
einen ein Taktfreigabesignal (CKE0) anlegenden Stift. Die anderen Stiftkonfigurationen
sind ähnlich denjenigen von Fig. 6.
Bei herkömmlichen Multi-Chip-Speichervorrichtungen sind die ein Chipwählsi
gnal anlegenden Leiterrahmen und die ein Taktfreigabesignal anlegenden Leiterrahmen
der zwei Chips miteinander verbunden. Jedoch sind bei der Multi-Chip-
Speichervorrichtung von Fig. 8 die ein Chipwählsignal anlegenden Leiterrahmen
und/oder die ein Taktfreigabesignal anlegenden Leiterrahmen der zwei Chips nicht mit
einander verbunden, sondern sind voneinander unabhängig konfiguriert. Somit bilden
die Leiterrahmen (lead frames) eine Ausführungsform einer internen Verbindungs
schaltung in dem gemeinsamen Gehäuse oder Packung, die so konfiguriert ist, um we
nigstens einen der entsprechenden Steuersignalanschlußflecke (pads) von jedem der
integrierten Schaltungsspeicherchips mit einem getrennten einen der Vielzahl der exter
nen Anschlüsse zu verbinden, um eine unabhängige externe Steuerung von jedem der
integrierten Schaltungsspeicherchips zu ermöglichen, die in dem gemeinsamen Gehäuse
oder Packung eingekapselt sind. Andere Ausführungsformen von Leiterrahmen
und/oder anderen internen Verbindungsschaltungen können ebenso realisiert werden.
Auch sind bei den herkömmlichen Speichervorrichtungen acht Dateneingangs
/-ausgangsleiterrahmen der zwei Chips nicht miteinander verbunden, sondern sind von
einander unabhängig konfiguriert. Jedoch sind bei der Stiftkonfiguration der Ausfüh
rungsformen der Multi-Chip-Speichervorrichtung von Fig. 8 acht Dateneingangs-/
-ausgangsleiterrahmen der zwei Chips miteinander verbunden. Daher wird ein Betrieb
der Speichervorrichtungen von Fig. 8 im Ansprechen auf das Chipwählsignal (CSB0)
freigegeben und es wird das Systemtaktsignal (CLK) im Ansprechen auf das Taktfrei
gabesignal (CKE0) freigegeben, so daß Daten in lediglich einen der zwei Chips einge
speist oder aus lediglich einem der Chips ausgegeben werden. Auch wird eine Operation
der Speichervorrichtungen im Ansprechen auf das Chipwählsignal (CSB1) freigegeben
oder ermöglicht, und es wird das Systemtaktsignal (CLK) im Ansprechen auf das Takt
freigabesignal (CKE1) freigegeben, so daß Daten in den anderen der zwei Chips einge
speist werden kann oder von dem anderen der zwei Chips ausgegeben werden. Daher
können bei den Ausführungsformen der Multi-Chip-Speichervorrichtungen von Fig. 8
die zwei Chips in der Packung im Ansprechen auf unterschiedliche Steuersignale unab
hängig voneinander betrieben werden.
Bei den Ausführungsformen von Fig. 8 sind Dateneingabe-/-ausgabeleiterrahmen
der zwei Chips intern miteinander verbunden und es sind Dateneingabe-/-ausgabestifte
(DQ0 bis DQ7) von 8 Bits extern konfiguriert. Da jedoch die Speichervorrichtung von
Fig. 8 keine Nicht-Anschlußstifte (NC) besitzt, können die Nicht-Anschlußstifte von
Fig. 8 mit den Dateneingabe-/-ausgabepads des anderen Chips verbunden werden, um
extern die Dateneingabe-/-ausgabestifte (DQ0 bis DQ15) der 16 Bits zu konfigurieren.
Auch wenn die Speichervorrichtung nicht mit niedriger Energie betrieben werden muß,
können Anlegestifte für das Taktfreigabesignal (CKE0, CKE1) miteinander verbunden
werden.
Fig. 9 zeigt eine Draufsicht, die Multi-Chip-Speichervorrichtungen gemäß Aus
führungsformen der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, die auf einem Speicher
modulsubstrat gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung montiert
sind. Der Speichermodul besitzt 8 Multi-Chip-Speichervorrichtungen gemäß 32M × 8
Bits × 2 und hat somit eine Kapazität von 512M Bytes. In den Fig. 1 und 9 sind gleiche
Bezugszeichen für gleiche Teile verwendet.
Die Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4, die in dem Abschnitt 10' mit strichlier
ter Linie angeordnet sind, sind auf der Frontfläche 10 des Speichermodulsubstrats mon
tiert. Eine Operation von einem Chip von jeder Speichervorrichtung 12-1 bis 12-4 wird
im Ansprechen auf das Chipwählsignal (CSB0) freigegeben und es wird das System
taktsignal (CLK0) im Ansprechen auf das Taktfreigabesignal (CKE0) in Bereitschaft
gesetzt oder freigegeben, so daß Daten mit 8 Bits im Ansprechen auf das Systemtaktsi
gnal (CLK0) eingespeist oder ausgegeben werden. Auch wird eine Operation von jeder
der Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4 im Ansprechen auf das Chipwählsignal
(CSB1) freigegeben oder in Bereitschaft gesetzt, und es wird das Systemtaktsignal
(CLK1) im Ansprechen auf das Taktfreigabesignal (CKE1) freigegeben, so daß Daten
mit 8 Bits im Ansprechen auf das Systemtaktsignal (CLK1) eingespeist oder ausgege
ben werden.
Die Speichervorrichtungen 22-1 bis 22-4, die in dem Abschnitt 20' mit strichlier
ter Linie angeordnet sind, sind an der rückwärtigen Fläche 20 des Speichermodulsub
strats montiert. Eine Operation von lediglich einem Chip von jeder Speichervorrichtung
22-1 bis 22-4 wird im Ansprechen auf das Chipwählsignal (CSB0) freigegeben oder in
Bereitschaft gesetzt, und es wird das Systemtaktsignal (CLK0) im Ansprechen auf das
Taktfreigabesignal (CKE0) freigegeben, so daß Daten mit 8 Bits im Ansprechen auf das
Systemtaktsignal (CLK0) eingespeist oder ausgegeben werden. Auch wird eine Operati
on des anderen Chips von jeder Speichervorrichtung 22-1 bis 22-4 im Ansprechen auf
das Chipwählsignal (CSB 1) freigegeben, und es wird das Systemtaktsignal (CLK1) im
Ansprechen auf das Taktfreigabesignal (CKE1) freigegeben, so daß Daten mit 8 Bits im
Ansprechen auf das Systemtaktsignal (CLK1) eingespeist oder ausgegeben werden.
Mit anderen Worten werden die oberen (oder unteren Chips) der Speichervor
richtungen 12-1 bis 12-4 und 22-1 bis 22-4 gleichzeitig durch das Chipwählsignal
(CSB0) und das Taktfreigabesignal (CKE0) in Betrieb genommen und es werden die
unteren (oder oberen) Chips der Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4 und 22-1 bis 22-4
gleichzeitig durch das Chipwählsignal (CSB1) und das Taktfreigabesignal (CKE1) in
Betrieb gesetzt. Es werden demzufolge Daten mit 8 Bits in jede der Speichervorrichtun
gen 12-1 bis 12-4 und 22-1 bis 22-4 eingespeist oder aus diesen ausgegeben, und es
werden auf diese Weise Daten mit einer Gesamtheit von 64 Bits in den Speichermodul
eingespeist oder aus diesem ausgegeben.
Bei den Ausführungsformen von Fig. 9 werden die oberen Chips und die unteren
Chips der Speichervorrichtungen 12-1 bis 12-4 und 22-1 bis 22-4 nicht gleichzeitig be
trieben. Da die oberen Chips und die unteren Chips der vorderen Oberfläche und der
rückwärtigen Oberfläche abwechselnd in Betrieb genommen werden, kann die Wärme,
die dabei erzeugt wird, reduziert werden, und zwar verglichen mit dem Fall, wenn die
oberen und die unteren Chips gleichzeitig betrieben werden.
Fig. 10 zeigt eine Draufsicht, die Multi-Chip-Speichervorrichtungen gemäß Aus
führungsformen nach der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, die auf einem Spei
chermodulsubstrat gemäß anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung
montiert sind. Bei dem Speichermodul nach Fig. 10 wird das Systemtaktsignal (CLK0)
an die Speichervorrichtungen 12-1 und 12-2, die in dem Abschnitt 10' mit der
strichlierten Linie angeordnet sind, und an die Speichervorrichtungen 22-1 und 22-2, die
in dem Abschnitt 20' mit der strichlierten Linie angeordnet sind, angelegt, und es wird
das Systemtaktsignal (CLK1) an die Speichervorrichtungen 12-3 und 12-4, die in dem
Abschnitt 10' mit der strichlierten Linie angeordnet sind, und an die Speichervorrich
tungen 22-3 und 22-4 angelegt, die in dem Abschnitt 20' mit der strichlierten Linie an
geordnet sind. Da somit die Systemtaktsignale (CLK0, CLK1) geteilt sind und an einige
der Speichervorrichtungen an der Frontfläche angelegt werden und an einige der Spei
chervorrichtungen auf der rückwärtigen Fläche angelegt werden, kann die Last der Sy
stemtaktsignalleitung reduziert werden, was dann zu einer erhöhten Signalübertra
gungsgeschwindigkeit führt. Da ferner auch die oberen und die unteren Chips der Spei
chervorrichtungen nicht gleichzeitig betrieben werden, kann die Performance verbessert
werden.
Bei den oben erläuterten Ausführungsformen besitzen die Multi-Chip-
Speichervorrichtungen wenigstens zwei Chips in einer Packung oder Gehäuse. Wenn
eine Multi-Chip-Speichervorrichtung drei Chips in einer Packung oder Gehäuse auf
weist, so können die Multi-Chip-Speichervorrichtungen gemäß den Ausführungsformen
der Erfindung in einer solchen Weise konfiguriert werden, daß die ein Chipwählsignal
anlegenden oder zuführenden Stifte der zwei Chips und zwei ein Taktsignal freigeben
des Signal anlegende Stifte miteinander verbunden werden und die Dateneingabe-/-
ausgabestifte der drei Chips miteinander verbunden werden. Alternativ können Ausfüh
rungsformen der Multi-Chip-Speichervorrichtungen auch in solcher Weise konfiguriert
werden, daß drei ein Chipwählsignal anlegende Stifte der drei Chips und drei ein Takt
freigabesignal anlegende Stifte externe konfiguriert werden und Dateneingabe-/-
ausgabestifte der drei Chips miteinander verbunden werden.
In ähnlicher Weise können bei den Speichermodulen gemäß den Ausführungsfor
men der vorliegenden Erfindung, bei denen jede einer Vielzahl von Multi-Chip-
Speichervorrichtungen drei Chips enthält, die montiert sind, die Speichermodule in ei
ner solchen Weise konfiguriert werden, daß Daten in einen oder mehrere der drei Chips
eingespeist oder aus diesen ausgegeben werden, und zwar von jeder der Vielzahl der
Speichervorrichtungen und im Ansprechen auf zwei Chipwählsignale und zwei Takt
freigabesignale, oder im Ansprechen auf drei Taktwählsignale und drei Taktfreigabesi
gnale.
Wie oben beschreiben ist, kann bei den Multi-Chip-Speichervorrichtungen gemäß
den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, da die Chips in den Multi-Chip-
Speichervorrichtungen individuell oder einzeln betrieben werden, die Wärmeentwick
lung reduziert werden und es wird daher die Performance der Speichervorrichtungen
verbessert. Da ferner bei den Speichermodulen gemäß einigen Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung die Chips der Speichervorrichtung einzeln oder individuell be
trieben werden, kann die Wärmeentwicklung reduziert werden und es kann daher die
Performance der Speichermodule verbessert werden. Zusätzlich können die Speicher
module und die Steuerverfahren gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Er
findung die Zuverlässigkeit der Betriebsweise eines Moduls verbessern, die Chips in der
Speichervorrichtung unabhängig voneinander betrieben werden können. Somit kann
eine Überhitzung reduziert oder ausgeschlossen werden.
Es sind in den Zeichnungen und in der Beschreibung typische bevorzugte Ausfüh
rungsformen der Erfindung dargestellt bzw. beschrieben und, obwohl spezifische Aus
drücke verwendet wurden, sind sie lediglich in einem gattungsmäßigen und beschrei
benden Sinn verwendet worden und haben nicht den Zweck, den Rahmen der Erfindung
einzuschränken, wie er sich aus den nachfolgenden Ansprüchen ergibt.
Claims (28)
1. Multi-Chip-Speichervorrichtung, mit:
wenigstens zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung, von denen jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontaktflecken und Steuersignalkontaktflecken aufweist;
ein gemeinsames Gehäuse (package), welches wenigstens zwei Speicherchips als integrierte Schaltung einkapselt und welches eine Vielzahl von externen An schlüssen aufweist; und
einer internen Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse, die so kon figuriert ist, um wenigstens einen der entsprechenden Steuersignalkontaktflecke von jedem der Speicherchips in der integrierten Schaltung mit getrennten An schlüssen der externen Anschlüsse zu verbinden, um eine unabhängige externe Steuerung von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung zu ermöglichen, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
wenigstens zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung, von denen jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontaktflecken und Steuersignalkontaktflecken aufweist;
ein gemeinsames Gehäuse (package), welches wenigstens zwei Speicherchips als integrierte Schaltung einkapselt und welches eine Vielzahl von externen An schlüssen aufweist; und
einer internen Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse, die so kon figuriert ist, um wenigstens einen der entsprechenden Steuersignalkontaktflecke von jedem der Speicherchips in der integrierten Schaltung mit getrennten An schlüssen der externen Anschlüsse zu verbinden, um eine unabhängige externe Steuerung von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung zu ermöglichen, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
2. Multi-Chip-Speichervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die wenigstens zwei
Speicherchips in der integrierten Schaltung wenigstens zwei identische Spei
cherchips der integrierten Schaltung aufweisen.
3. Multi-Chip-Speichervorrichtung nach Anspruch 1, bei der wenigstens einer der
entsprechenden Steuerschaltungskontaktflecke einen Chipwählsignalkontakt
fleck aufweist und bei der die interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsa
men Gehäuse so konfiguriert ist, um den Chipwählsignalkontaktfleck von jedem
Speicherchip in der integrierten Schaltung mit einem getrennten Anschluß der
Vielzahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um eine unabhängige externe
Chipauswahl von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung zu ermögli
chen, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
4. Multi-Chip-Speichervorrichtung nach Anspruch 1, bei der wenigstens ein ent
sprechender Steuerschaltungskontaktfleck einen Taktfreigabesignalkontaktfleck
umfaßt, und bei der die interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Ge
häuse so konfiguriert ist, um den Taktfreigabesignalkontaktfleck von jedem
Speicherchip in der integrierten Schaltung mit getrennten Anschlüssen der Viel
zahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um eine unabhängige externe Tak
tung von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung zu ermöglichen, die
in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
5. Multi-Chip-Speichervorrichtung nach Anspruch 3, bei der wenigstens einer der
entsprechenden Steuerschaltungskontaktflecke ein Taktfreigabesignalkontakt
fleck ist, und bei der die interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen
Gehäuse oder gemeinsamen Packung so konfiguriert ist, um den Taktfreigabesi
gnalkontaktfleck von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung mit ge
trennten Anschlüssen der Vielzahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um ei
ne unabhängige externe Taktung von jedem Speicherchip in der integrierten
Schaltung zu ermöglichen, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
6. Multi-Chip-Speichervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die interne Verbin
dungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse ferner derart konfiguriert ist, um
entsprechende Datenkontaktflecke von jedem Speicherchip in der integrierten
Schaltung gemeinsam mit einer Vielzahl der entsprechenden externen Anschlüs
se zu verbinden.
7. Multi-Chip-Speichervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die interne Verbin
dungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse ferner derart konfiguriert ist, um
getrennte entsprechende Datenkontaktflecke von jedem der Speicherchips in der
integrierten Schaltung mit getrennten Anschlüssen der externen Anschlüsse zu
verbinden.
8. Multi-Chip-Speichervorrichtung nach Anspruch 1 in einer Kombination mit ei
nem Speichermodulsubstrat, welches eine erste und eine zweite gegenüberlie
gende Fläche aufweist, wobei die Multi-Chip-Speichervorrichtung eine erste
Multi-Chip-Speichervorrichtung umfaßt, die auf der ersten Oberfläche vorgese
hen ist, und ferner in einer Kombination mit einer zweiten Multi-Chip-
Speichervorrichtung, die auf der zweiten Oberfläche vorgesehen ist, wobei die
zweite Multi-Chip-Speichervorrichtung folgendes aufweist:
wenigstens zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung, von denen jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontaktflecken und Steuersignalkontaktflecken enthält;
ein gemeinsames Gehäuse, welches die wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung einkapselt und welches eine Vielzahl an externen An schlüssen aufweist; und
eine interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse oder Packung, die derart konfiguriert ist, um wenigstens einen der entsprechenden Steuersi gnalkontaktflecke von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung mit ge trennten Anschlüssen der Vielzahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um ei ne unabhängige externe Steuerung von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung zu realisieren, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
wenigstens zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung, von denen jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontaktflecken und Steuersignalkontaktflecken enthält;
ein gemeinsames Gehäuse, welches die wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung einkapselt und welches eine Vielzahl an externen An schlüssen aufweist; und
eine interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse oder Packung, die derart konfiguriert ist, um wenigstens einen der entsprechenden Steuersi gnalkontaktflecke von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung mit ge trennten Anschlüssen der Vielzahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um ei ne unabhängige externe Steuerung von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung zu realisieren, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
9. Multi-Chip-Speichervorrichtung, mit:
wenigstens zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung, von denen jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontaktflecken und Steuersignalkontaktflecken enthält;
einem gemeinsamen Gehäuse, welches die wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung einkapselt und welches eine Vielzahl an externen An schlüssen aufweist; und
einer Einrichtung, um jeden der Speicherchips in der integrierten Schaltung un abhängig zu steuern, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind, und zwar über wenigstens einen der Vielzahl der externen Anschlüsse.
wenigstens zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung, von denen jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontaktflecken und Steuersignalkontaktflecken enthält;
einem gemeinsamen Gehäuse, welches die wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung einkapselt und welches eine Vielzahl an externen An schlüssen aufweist; und
einer Einrichtung, um jeden der Speicherchips in der integrierten Schaltung un abhängig zu steuern, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind, und zwar über wenigstens einen der Vielzahl der externen Anschlüsse.
10. Multi-Chip-Speichervorrichtung nach Anspruch 9, bei der die Einrichtung für
eine unabhängige Steuerung eine interne Verbindungsschaltung enthält, die in
dem gemeinsamen Gehäuse vorgesehen ist und die derart konfiguriert ist, um
wenigstens einen der entsprechenden Steuersignalkontaktflecke von jedem Spei
cherchip in der integrierten Schaltung mit getrennten Anschlüssen der Vielzahl
der externen Anschlüsse zu verbinden, um dadurch eine unabhängige externe
Steuerung der Speicherchips in der integrierten Schaltung zu ermöglichen, die in
dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
11. Speichermodul, mit:
einem Speichermodulsubstrat, welches eine erste und eine dieser gegenüberlie gende zweite Oberfläche besitzt;
wenigstens einer Multi-Chip-Speichervorrichtung an der ersten Oberfläche und an der zweiten Oberfläche, wobei jede der Multi-Chip-Speichervorrichtungen folgendes aufweist:
wenigstens zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung, von denen jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontaktflecken und Steuersignalkontaktflecken enthält;
ein gemeinsames Gehäuse, welches die wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung einkapselt und welches eine Vielzahl an externen An schlüssen aufweist; und
eine interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse, die derart konfiguriert ist, um wenigstens einen der entsprechenden Steuersignalkontakt flecke von jedem der Speicherchips in der integrierten Schaltung mit getrennten Anschlüssen der Vielzahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um eine unab hängige externe Steuerung von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung zuzulassen, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
einem Speichermodulsubstrat, welches eine erste und eine dieser gegenüberlie gende zweite Oberfläche besitzt;
wenigstens einer Multi-Chip-Speichervorrichtung an der ersten Oberfläche und an der zweiten Oberfläche, wobei jede der Multi-Chip-Speichervorrichtungen folgendes aufweist:
wenigstens zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung, von denen jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontaktflecken und Steuersignalkontaktflecken enthält;
ein gemeinsames Gehäuse, welches die wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung einkapselt und welches eine Vielzahl an externen An schlüssen aufweist; und
eine interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse, die derart konfiguriert ist, um wenigstens einen der entsprechenden Steuersignalkontakt flecke von jedem der Speicherchips in der integrierten Schaltung mit getrennten Anschlüssen der Vielzahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um eine unab hängige externe Steuerung von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung zuzulassen, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
12. Speichermodul nach Anspruch 11, bei dem die wenigstens zwei Speicherchips in
der integrierten Schaltung wenigstens zwei identische Speicherchips in der inte
grierten Schaltung umfassen.
13. Speichermodul nach Anspruch 11, bei dem wenigstens einer der entsprechenden
Steuerschaltungskontaktflecke ein Chipwählsignalkontaktfleck ist und bei dem
die interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Gehäuse derart konfigu
riert ist, um den Chipwählsignalkontaktfleck von jedem Speicherchip in der in
tegrierten Schaltung mit einem getrennten Anschluß der Vielzahl der externen
Anschlüsse zu verbinden, um eine unabhängige externe Chipauswahl von jedem
Speicherchip in der integrierten Schaltung zuzulassen, die in dem gemeinsamen
Gehäuse eingekapselt sind.
14. Speichermodul nach Anspruch 11, bei dem der wenigstens eine der entsprechen
den Steuerschaltungskontaktflecke aus einem Taktfreigabesignalkontaktfleck be
steht und bei dem die interne Verbindungsschaltung in dem gemeinsamen Ge
häuse derart konfiguriert ist, um den Taktfreigabesignalkontaktfleck von jedem
der Speicherchips in der integrierten Schaltung mit getrennten Anschlüssen der
Vielzahl der externen Anschlüsse zu verbinden, um eine unabhängige externe
Taktung von jedem der Speicherchips in der integrierten Schaltung zuzulassen,
die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind.
15. Speichermodul nach Anspruch 11, bei dem die interne Verbindungsschaltung in
dem gemeinsamen Gehäuse ferner derart konfiguriert ist, um die entsprechenden
Datenkontaktflecke von jedem der Speicherchips in der integrierten Schaltung
gemeinsam mit einer Vielzahl der entsprechenden externen Anschlüsse zu ver
binden.
16. Speichermodul nach Anspruch 11, bei dem das Speichermodulsubstrat ferner
eine externe Verbindungsschaltung aufweist, die derart konfiguriert ist, um
gleichzeitig lediglich einen der wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten
Schaltung in Bereitschaft zu setzen, und zwar in jeder der Speichervorrichtungen
gemäß der wenigstens einen Multi-Chip-Speichervorrichtung an der ersten Ober
fläche und an der zweiten Oberfläche.
17. Speichermodul nach Anspruch 16, bei dem die externe Verbindungsschaltung
ferner derart konfiguriert ist, um gleichzeitig lediglich einen entsprechenden ei
nen der wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in Bereit
schaft zu setzen, und zwar in jeder Speichervorrichtung der wenigstens einen
Multi-Chip-Speichervorrichtung an der ersten Oberfläche und an der zweiten
Oberfläche.
18. Speichermodul nach Anspruch 16, bei dem die externe Verbindungsschaltung
ferner derart konfiguriert ist, um gleichzeitig lediglich einen ersten der wenig
stens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in jeder der wenigstens
einen Multi-Chip-Speichervorrichtung an der ersten Oberfläche in Bereitschaft
zu setzen und um gleichzeitig lediglich einen zweiten der wenigstens zwei Spei
cherchips in der integrierten Schaltung in jeder Speichervorrichtung der wenig
stens einen Multi-Chip-Speichervorrichtung an der zweiten Oberfläche in Be
reitschaft zu setzen.
19. Speichermodul nach Anspruch 16, bei dem die externe Verbindungsschaltung
ferner so konfiguriert ist, um gleichzeitig lediglich einen ersten der wenigstens
zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in jeder der wenigstens einen
Multi-Chip-Speichervorrichtung an einem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche
in Bereitschaft zu setzen und auch an einem entsprechenden ersten Abschnitt der
zweiten Oberfläche in Bereitschaft zu setzen und um gleichzeitig lediglich einen
zweiten der wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in der
wenigstens einen Multi-Chip-Speichervorrichtung an einem zweiten Abschnitt
der ersten Oberfläche und an einem entsprechenden zweiten Abschnitt der
zweiten Oberfläche in Bereitschaft zu setzen.
20. Speichermodul nach Anspruch 16, bei dem die externe Verbindungsschaltung
ferner eine erste externe Systemtaktschaltung aufweist, die derart konfiguriert
ist, um ein erstes externes Systemtaktsignal zu den wenigstens zwei Speicher
chips in der integrierten Schaltung in jeder Speichervorrichtung der wenigstens
einen Multi-Chip-Speichervorrichtung an der ersten Oberfläche zu liefern, und
um ein zweites externes Systemtaktsignal den wenigstens zwei Speicherchips in
der integrierten Schaltung in jeder der wenigstens einen Multi-Chip-
Speichervorrichtung an der zweiten Oberfläche zuzuführen.
21. Speichermodul nach Anspruch 16, bei dem die externe Verbindungsschaltung
ferner eine erste externe Systemtaktschaltung enthält, die derart konfiguriert ist,
um ein erstes externes Systemtaktsignal den wenigstens zwei Speicherchips in
der integrierten Schaltung in jeder der wenigstens einen Multi-Chip-
Speichervorrichtung an einem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und an ei
nem entsprechenden ersten Abschnitt der zweiten Oberfläche zuzuführen, und
um ein zweites externes Systemtaktsignal den wenigstens zwei Speicherchips
der integrierten Schaltung in jeder der wenigstens einen Multi-Chip-
Speichervorrichtung an einem zweiten Abschnitt der ersten Oberfläche und an
einem entsprechenden zweiten der zweiten Oberfläche zuzuführen.
22. Verfahren zum Steuern einer Multi-Chip-Speichervorrichtung, die wenigstens
zwei Speicherchips in einer integrierten Schaltung enthält, von denen jeder eine
Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontaktflecken und
Steuersignalkontaktflecken und ein gemeinsames Gehäuse aufweist, welches die
wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung einkapselt und wel
ches eine Vielzahl an externen Anschlüssen aufweist, wobei das Verfahren die
folgenden Schritte umfaßt:
unabhängiges Steuern von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung, die in dem gemeinsamen Gehäuse oder Packung eingekapselt sind, und zwar von außerhalb des gemeinsamen Gehäuses oder Packung.
unabhängiges Steuern von jedem Speicherchip in der integrierten Schaltung, die in dem gemeinsamen Gehäuse oder Packung eingekapselt sind, und zwar von außerhalb des gemeinsamen Gehäuses oder Packung.
23. Verfahren nach Anspruch 22, bei dem das unabhängige Steuern ein unabhängi
ges Auswählen von jedem der Speicherchips in der integrierten Schaltung um
faßt, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind, und zwar von außer
halb des gemeinsamen Gehäuses her.
24. Verfahren nach Anspruch 22, bei dem die unabhängige Steuerung das unabhän
gige Freigeben eines Taktsignals für jeden Speicherchip in der integrierten
Schaltung umfaßt, die in dem gemeinsamen Gehäuse eingekapselt sind, und
zwar von außerhalb des gemeinsamen Gehäuses.
25. Verfahren zum Steuern eines Speichermoduls, der ein Speichermodulsubstrat
enthält, mit einer ersten und mit einer zweiten gegenüberliegenden Oberfläche
und mit wenigstens einer Multi-Chip-Speichervorrichtung an der ersten Oberflä
che und an der zweiten Oberfläche, wobei jede Multi-Chip-Speichervorrichtung
wenigstens zwei Speicherchips einer integrierten Schaltung enthält, von denen
jeder eine Vielzahl an entsprechenden Adressenkontaktflecken, Datenkontakt
flecken und Steuersignalkontaktflecken enthält, und mit einem gemeinsamen
Gehäuse, welches die wenigstens zwei Speicherchips der integrierten Schaltung
einkapselt und welches eine Vielzahl an externen Anschlüssen aufweist, wobei
das Verfahren folgendes umfaßt:
gleichzeitiges Inbereitschaftsetzen von lediglich einem der wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in jeder der wenigstens einen Multi- Chip-Speichervorrichtungen an der ersten Oberfläche und an der zweiten Ober fläche.
gleichzeitiges Inbereitschaftsetzen von lediglich einem der wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in jeder der wenigstens einen Multi- Chip-Speichervorrichtungen an der ersten Oberfläche und an der zweiten Ober fläche.
26. Verfahren nach Anspruch 25, bei dem das gleichzeitige Inbereitschaftsetzen das
gleichzeitige Inbereitschaftsetzen von lediglich einem entsprechenden einen der
wenigstens zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in jeder der wenig
stens einen Multi-Chip-Speichervorrichtungen auf der ersten Oberfläche und auf
der zweiten Oberfläche umfaßt.
27. Verfahren nach Anspruch 25, bei dem das gleichzeitige Inbereitschaftsetzen ein
gleichzeitiges Inbereitschaftsetzen von lediglich einem ersten der wenigstens
zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in jedem der wenigstens einen
Multi-Chip-Speichervorrichtung an der ersten Oberfläche umfaßt, und ein
gleichzeitiges Inbereitschaftsetzen von lediglich einem zweiten der wenigstens
zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in jeder der wenigstens einen
Multi-Chip-Speichervorrichtung an der zweiten Oberfläche umfaßt.
28. Verfahren nach Anspruch 25, bei dem das gleichzeitige Inbereitschaftsetzen ein
gleichzeitiges Inbereitschaftsetzen von lediglich einem ersten der wenigstens zwei
Speicherchips in der integrierten Schaltung in jeder der wenigstens einen Multi-
Chip-Speichervorrichtung an einem ersten Abschnitt der ersten Oberfläche und
einem entsprechenden ersten Abschnitt der zweiten Oberfläche umfaßt, und ein
gleichzeitiges Inbereitschaftsetzen von lediglich einem zweiten der wenigstens
zwei Speicherchips in der integrierten Schaltung in jeder wenigstens einen Multi-
Chip-Speichervorrichtung an einem zweiten Abschnitt der ersten Oberfläche und
an einem entsprechenden zweiten Abschnitt der zweiten Oberfläche umfaßt.
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