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Patentes

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Número de publicaciónDE10164913 B8
Tipo de publicaciónConcesión
Número de solicitudDE2001164913
Fecha de publicación2 Oct 2008
Fecha de presentación15 Mar 2001
Fecha de prioridad29 Mar 2000
También publicado comoDE10113110A1, DE10113110B4, DE10164913B4, DE10165028B4, US6613834, US6958525, US7235866, US20010033026, US20030207131, US20060022357
Número de publicación01164913, 2001164913, DE 10164913 B8, DE 10164913B8, DE-B8-10164913, DE01164913, DE10164913 B8, DE10164913B8, DE2001164913
InventoresShun-ichi Kawasaki Fukuyama, Yoshihiro Kawasaki Nakata, Tamotsu Kawasaki Owada, Iwao Kawasaki Sugiura, Katsumi Kawasaki Suzuki, Ei Kawasaki Yano
SolicitanteFujitsu Ltd., Kawasaki
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Enlaces externos: DPMA, Espacenet
Halbleitervorrichtungen mit Filmmaterial mit niedriger Dielektrizitätskonstante und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE 10164913 B8
Resumen  disponible en
Descripción  disponible en
Reclamaciones  disponible en
Citas de patentes
Patente citada Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
EP1120822A1 *1 Sep 19991 Ago 2001Tokyo Electron LimitedMethod of manufacturing semiconductor device
JP2000049137A * Título no disponible
JPS6080844A * Título no disponible
US6127258 *25 Jun 19983 Oct 2000Motorola Inc.Method for forming a semiconductor device
WO2001015214A1 *23 Ago 20001 Mar 2001Alliedsignal Inc.Nanoporous silica treated with siloxane polymers for ulsi applications
Otras citas
Referencia
1 *JP 60080844 A (PAJ sowie CAPLUS-Abstract 1985: 532420, in STN recherchiert am 13.06.2007)
Clasificaciones
Clasificación internacionalC09D183/16, H01L21/768, C08G77/12, C08G77/44, C08G77/50, H01L23/532, C09D183/04, H01L21/312, C08L83/04, C08K5/13, C08L83/16, H01L21/316, H01L23/522, B32B7/02, B32B27/00
Clasificación cooperativaY10T428/31663, H01L21/3122, H01L23/53295, H01L21/02304, C09D183/16, H01L23/5222, H01L2924/0002, H01L21/02362, H01L21/02282, H01L21/02211, H01L21/76801, H01L21/76837, H01L21/312, H01L21/76834, H01L23/53238, H01L21/02216, H01L21/76835, C09D183/04, H01L21/02126, H01L23/5329, H01L21/3121, H01L21/76807
Clasificación europeaC09D183/16, H01L21/02K2C7C4B, H01L21/02K2E3L, H01L21/768B14, H01L21/02K2C7C2, H01L21/02K2T8U, H01L21/02K2T2F, H01L21/312, H01L23/532N4, H01L21/02K2C1L1, C09D183/04, H01L21/768B2D, H01L21/768B12, H01L21/312B2, H01L21/768B, H01L23/532N, H01L23/522C, H01L21/312B
Eventos legales
FechaCódigoEventoDescripción
23 Jun 2005OP8Request for examination as to paragraph 44 patent law
23 Jun 2005Q172Divided out of (supplement):
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30 Jun 20058110Request for examination paragraph 44
27 Dic 2007Q171Divided out to:
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27 Dic 20078172Supplementary division/partition in:
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12 Jun 2008ACDivided out of
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12 Jun 2008AHDivision in
Ref document number: 10165028
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2 Oct 2008AHDivision in
Ref document number: 10165028
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2 Oct 2008ACDivided out of
Ref document number: 10113110
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2 Oct 20088396Reprint of erroneous front page
11 Dic 20088364No opposition during term of opposition
16 Abr 20098327Change in the person/name/address of the patent owner
Owner name: FUJITSU MICROELECTRONICS LTD., TOKYO, JP
25 Nov 20108327Change in the person/name/address of the patent owner
Owner name: FUJITSU SEMICONDUCTOR LTD., YOKOHAMA, KANAGAWA, JP
10 Feb 20118328Change in the person/name/address of the agent
Representative=s name: SEEGER SEEGER LINDNER PARTNERSCHAFT PATENTANWAELTE