DE102004020816A1 - Method and circuit for load modulation in a connection of a transmitting oscillating circuit and a receiving resonant circuit - Google Patents

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Abstract

Vorgestellt wird eine Schaltung zur Lastmodulation in einem Empfangsschwingkreis (22), der transformatorisch mit einem Sendeschwingkreis koppelbar ist, mit wenigstens einer Induktivität (24), einer Kapazität (26) und einer steuerbaren Impedanz. Die Schaltung zeichnet sich dadurch aus, dass die steuerbare Impedanz wenigstens ein Sperrschichtbauteil (36, 38, 72, 74) und einen Ohmschen Widerstand (76, 78) aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Lastmodulation vorgestellt.Disclosed is a circuit for load modulation in a receiving resonant circuit (22), which is transformer coupled to a transmitting oscillating circuit, with at least one inductor (24), a capacitor (26) and a controllable impedance. The circuit is characterized in that the controllable impedance has at least one barrier layer component (36, 38, 72, 74) and an ohmic resistance (76, 78). Furthermore, a method for load modulation is presented.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Lastmodulation in einer Verbindung aus einem Sendeschwingkreis und einem Empfangsschwingkreis, bei dem eine Spannung an einem Sendeschwingkreis durch Rückwirkung einer Änderung einer Spannung in einem Empfangsschwingkreis moduliert wird.The The invention relates to a method for load modulation in a connection from a transmitting oscillating circuit and a receiving resonant circuit, in which a voltage at a transmitter oscillation circuit due to the effect of a change a voltage in a receiving resonant circuit is modulated.

Darüber hinaus betrifft die Erfindung eine Schaltung zur Lastmodulation in einem Empfangsschwingkreis, der transformatorisch mit einem Sendeschwingkreis koppelbar ist, mit wenigstens einer Induktivität, einer Kapazität und einer steuerbaren Impedanz.Furthermore The invention relates to a circuit for load modulation in one Receiving resonant circuit, the transformer with a transmitting oscillatory circuit can be coupled, with at least one inductor, a capacitor and a controllable impedance.

Ein solches Verfahren und eine solche Schaltung sind per se und insbesondere durch RFID- Anwendungen (RFID = Radio Frequency Identification) bekannt. Unter einer RFID-Anwendung wird hier jede Anwendung verstanden, bei der ein Sendeschwingkreis einen induktiv gekoppelten Empfangsschwingkreis mit Energie versorgt und ggf. über den Empfangsschwingkreis Daten ausliest. Solche Verbindungen werden zum Beispiel zur Objektidentifikation verwendet, wobei ein Sendeschwingkreis eines Lesegeräts (reader) über einen Empfangsschwingkreis ein mit einer Marke (einem sogenannten tag) ausgezeichnetes Objekt anspricht und Informationen abruft.One such method and circuit are per se and in particular through RFID applications (RFID = Radio Frequency Identification) known. Under an RFID application will be here understood any application in which a transmitter swing an inductive coupled receiving resonant circuit with energy and possibly on the Receiving circuit reads out data. Such connections will be used for example for object identification, wherein a transmitting oscillating circuit a reader (reader) over a receiving resonant circuit with a mark (a so-called day) appeals to an excellent object and retrieves information.

Für die Kontaktaufnahme erzeugt der Sendeschwingkreis des Lesegeräts ein hochfrequentes Magnetfeld, das in einer Induktivität eines Empfangsschwingkreises, der sich in der Nähe des Lesegeräts befindet, eine Wechselspannung induziert. Die in den Empfangsschwingkreis induzierte Wechselspannung wird gleichgerichtet und dient zum Beispiel zur Energieversorgung einer an den Empfangsschwingkreis angeschlossenen integrierten Schaltung. Darüber hinaus wird aus der induzierten Wechselspannung eine Taktfrequenz abgeleitet, die der integrierten Schaltung, also zum Beispiel einem Mikroprozessor und/oder einem Speicherelement als Systemtakt zur Verfügung steht. Durch die Ergänzung der Induktivität des Sendeschwingkreises und/oder des Empfangsschwingkreises mit Kapazitäten, insbesondere mit parallel liegenden Kapazitäten, zu Schwingkreisen werden Resonanzeffekte erzielt, die den Wirkungsgrad der Energieübertragung erheblich verbessern.For the contact the transmitter's oscillating circuit generates a high-frequency magnetic field that in an inductance a receiving resonant circuit located near the reader, induced an alternating voltage. The in the receiving resonant circuit induced AC voltage is rectified and used for example for supplying energy to a connected to the receiving resonant circuit integrated circuit. About that In addition, the induced AC voltage becomes a clock frequency derived from that of the integrated circuit, so for example a Microprocessor and / or a memory element is available as a system clock. By the addition the inductance the Sendeschwingkreises and / or the receiving resonant circuit with Capacities, especially with parallel capacitances, to resonant circuits Resonance effects achieved, the energy transfer efficiency significantly improve.

Eine Übertragung von Daten vom Lesegerät zum Empfangsschwingkreis (downlink) kann zum Beispiel durch Einschalten und Ausschalten des Magnetfeldes erfolgen. Für einen Datentransport in umgekehrter Richtung vom Empfangsschwingkreis zum Lesegerät wird die sogenannte Lastmodulation verwendet, die eine hinreichende Nähe (Abstand kleiner 0,16 Wellenlänge) von Sendeschwingkreis und Empfangsschwingkreis voraussetzt. Bei hinreichender Nähe kommt es zur sogenannten transformatorischen Kopplung, bei der sich die Energieaufnahme der Empfangsspule durch eine Rückwirkung auf den Sendeschwingkreis in Spannungsänderungen am Sendeschwingkreis abbildet. Gesteuerte Modulationen der Last, also der Impedanz des Empfangsschwingkreises, rufen daher Spannungsänderungen im Sendeschwingkreis hervor, die für eine Datenübertragung auswertbar sind.A transmission from data from the reader to Receiving circuit (downlink), for example, by switching and turn off the magnetic field. For a data transport in reverse Direction from the receiving resonant circuit to the reader is the so-called load modulation used, which is a sufficient proximity (distance less than 0.16 wavelength) of Transmitting oscillating circuit and receiving resonant circuit requires. With sufficient proximity comes to the so-called transformer coupling, in which the Energy absorption of the receiver coil by a reaction to the transmitter oscillation circuit in voltage changes at the transmitter oscillation circuit. Controlled modulations of the load, Thus, the impedance of the receiving resonant circuit, therefore call voltage changes in Sendwing loop, which for a data transfer are evaluable.

Mit zunehmender Güte der im Empfangsschwingkreis verwendeten Induktivitäten, also mit zunehmendem Verhältnis von Blindwiderstand zu Wirkwiderstand, verringert sich die Dämpfung des Schwingkreises und die Breite der Resonanzkurve. Die Verwendung von Spulen höherer Güte bewirkt also eine höhere Frequenzselektivität und, bei gleicher Spannung auf der reader-Seite, eine höhere Spannung auf der tag-Seite, was die Reichweite der Kommunikationsverbindung vergrößert.With increasing quality the inductors used in the receiving resonant circuit, ie with increasing ratio From reactance to effective resistance, the damping of the resonant circuit is reduced and the width of the resonance curve. The use of higher quality coils thus causes a higher one frequency selectivity and, at the same voltage on the reader side, a higher voltage on the tag page, what the range of the communication link increased.

In diesem Zusammenhang ist es per se bekannt, die Spannung am Empfangsschwingkreis auf bestimmte Werte zu reduzieren oder zu begrenzen (Klemmspannungen), wobei im Rahmen der Modulation zwischen zwei Spannungen umgesteuert oder umgeschaltet wird. Dazu werden Sperrschichtbauelemente zwischen Schwingkreisanschlüsse und ein Bezugs- oder Massepotential geschaltet. Eine untere Klemmspannung wird zum Beispiel dadurch realisiert, dass über den Sperrschichtbauelementen deren Durchlassspannung abfällt, wobei der Spannungsabfall wegen der exponentiellen Abhängigkeit des Stroms von der Spannung in erster Näherung stromunabhängig ist. Mit anderen Worten: Anders als bei einem Ohm'schen Widerstand vergrößert sich der Spannungsabfall nicht linear mit dem Stromdurchfluss sondern bleibt auch bei höheren Stromstärken in etwa in der Höhe der Durchlassspannung.In In this context, it is known per se, the voltage at the receiving resonant circuit to reduce or limit certain values (clamping voltages), wherein in the context of the modulation between two voltages reversed or is switched. These are barrier layer between Resonant circuit connections and a reference or ground potential connected. A lower clamping voltage For example, it is realized by having over the junction devices whose forward voltage drops, the voltage drop due to the exponential dependence of the Current from the voltage in the first approximation is independent of current. In other words, unlike ohmic resistance, it increases the voltage drop is not linear with the current flow but stays with higher ones Amperages in about in height the forward voltage.

Als Folge wirken die Sperrschichtbauelemente auch bei hohen Spulenströmen wie eine zuverlässige Begrenzung der Schwingkreisspannung auf einen zugehörigen Wert. Dies ist insbesondere bei Systemen mit Induktivitäten hoher Güte von Bedeutung, die bei räumlicher Nähe von Sendeschwingkreis und Empfangsschwingkreis sonst unerwünschte hohe Spannungen verursachen könnten.When As a result, the junction devices also act at high coil currents such as a reliable one Limitation of the resonant circuit voltage to an associated value. This is especially high in systems with inductors Goodness of Meaning, spatial near Transmitting oscillating circuit and receiving resonant circuit otherwise undesirable high Could cause tension.

Die zweite, obere, Klemmspannung kann durch eine in Reihe mit umgekehrter Durchlassrichtung geschaltete Zenerdiode realisiert sein, die gesteuert oder geschaltet kurzzuschließen ist. Im kurzgeschlossenen Zustand erfolgt die beschriebene Begrenzung auf die untere Klemmspannung, während im nicht kurzgeschlossenen Zustand die Durchbruchspannung der Zenerdiode für einen additiven Spannungsversatz sorgt, der in der Summe mit den genannten Durchlassspannungen eine obere Klemmspannung definiert. Im Zustand mit kurzgeschlossener Zenerdiode fließt ein vergleichsweise großer Strom aus dem Empfangsschwingkreis heraus, was dem belasteten Zustand des Schwingkreises entspricht. Entsprechend wird die Stromentnahme aus dem Schwingkreis sowie die Belastung des Schwingkreises durch Öffnen des Kurzschlusses über der Zenerdiode verringert.The second, upper, clamping voltage can be realized by a Zener diode connected in series with the reverse conducting direction, which is to be controlled or switched short-circuited. In the shorted state, the described limitation to the lower clamping voltage, while in the non-shorted state, the breakdown voltage of the Zener diode for an additive chip voltage offset, which defines an upper clamping voltage in the sum with the said forward voltages. In the state with a short-circuited zener diode, a comparatively large current flows out of the receiving resonant circuit, which corresponds to the loaded state of the resonant circuit. Accordingly, the current drain from the resonant circuit and the load on the resonant circuit is reduced by opening the short circuit across the zener diode.

Bei dieser bekannten Lastmodulation ist das folgende Problem beobachtet worden: Wenn beim Einschalten der Modulation, also beim Begrenzen der Schwingkreisspannung auf die untere Klemmspannung, gerade ein hoher Spulenstrom induziert wird, so fließt dieser unter Umständen über die Überbrückung der Zenerdiode und die in Durchlassrichtung geschalteten übrigen Sperrschichtbauteile ab, wobei die Schwingkreisspannung unter den Klemmspannung und auch unter einen Schwellenwert fallen kann, der zur Detektion von Schwingungen (Pulsen) der Schwingkreisspannung dient. Es kann also bei ungünstigen Phasenbedingungen beim Einschalten der Last vorkommen, dass die Spannung am Sendeschwingkreis aufgrund der Rückwirkung für eine oder mehrere Perioden unter eine Detektionsschwelle sinkt, was die Informationsübertragung verfälscht. Dadurch kann es zu einem Datenverlust bei der Informationsübertragung zum Lesegerät kommen.at This known load modulation, the following problem is observed If: when switching on the modulation, ie when limiting the Oscillating circuit voltage to the lower clamping voltage, just a high Coil current is induced, it flows under certain circumstances, the bridging of the Zener diode and the other barrier layer components connected in the forward direction from, where the resonant circuit voltage below the terminal voltage and also can fall below a threshold for detecting vibrations (Pulse) of the resonant circuit voltage is used. So it can be unfavorable Phase conditions when switching on the load occur that the Voltage at the transmitter oscillation circuit due to the reaction for one or more periods below a detection threshold, which reduces the information transfer falsified. Thereby there can be a loss of data in the transmission of information to the reader come.

Wird nämlich bei einem hohen induzierten Spulenstrom die Modulation eingeschaltet, so sorgen die Sperrschichtbauteile für eine Begrenzung der Schwingkreisspannung auf einen durch die Sperrschichtbauteile vorbestimmten Wert. Die Dioden wirken in dieser Phase wie eine Gleichspannungsquelle und setzen somit dem Spulenstrom keine ausreichende Dämpfung entgegen, so dass die induzierte Schwingung verändert wird. Die Folge ist eine Verbreiterung der gerade anliegenden Taktphase (Pulsverbreiterung), die zumindest zur teilweisen Auslöschung der Folgeschwingung führt. Sie tritt dadurch in Erscheinung, dass mindestens eine Schwingung in der Amplitude zu klein für eine vorgegebene Detektionsschwelle ist.Becomes namely at a high induced coil current the modulation is switched on, Thus, the barrier layer components provide for limiting the resonant circuit voltage to a predetermined value by the barrier layer components. The Diodes act in this phase as a DC voltage source and thus do not provide sufficient damping to the coil current, so that the induced vibration is changed. The result is one Broadening of the currently applied clock phase (pulse broadening), at least partially extinguishing the subsequent vibration leads. It appears in that at least one vibration in the amplitude too small for is a predetermined detection threshold.

Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der Erfindung in der Angabe eines Verfahrens und einer Schaltung, die diesen Nachteil zumindest verringert.In front In this background, the object of the invention in the specification a method and a circuit that at least mitigates this disadvantage reduced.

Diese Aufgabe wird sowohl bei einem Verfahren als auch bei einer Schaltung der eingangs genannten Art jeweils dadurch gelöst, dass die Lastmodulation durch gesteuertes Ändern einer Schwingkreis-Impedanz erfolgt, die wenigstens ein Sperrschichtbauteil und einen Ohm'schen Widerstand aufweist.These Task is both a method and a circuit of the type mentioned in each case solved by the load modulation by controlled changing a resonant circuit impedance takes place, the at least one barrier layer component and an ohm Has resistance.

Durch die lineare Strom/Spannungsabhängigkeit fällt bei einem Stromfluss eine endliche, stromabhängige Spannung über einem Ohm'schen Widerstand ab. Im Gegensatz dazu begrenzt das Sperrschichtbauteil tendenziell den Spannungsabfall auch bei höheren Stromstärken stromunabhängig in etwa auf die Höhe der Durchlassspannung, so dass es ähnlich wie eine Gleichspannungsquelle wirkt. Es hat sich gezeigt, dass gerade diese Kombination von Sperrschichtbauteilen und Ohm'schen Widerständen den Vorteil einer zuverlässigen Spannungsbegrenzung ohne den beschriebenen Nachteil eines Informationsverlustes bei ungünstigen Einschaltbedingungen der Lastmodulation liefert.By the linear current / voltage dependence falls by a current flow a finite, current-dependent voltage across a Ohmic resistance from. In contrast, the barrier member tends to be limited the voltage drop even at higher currents current sensitive in about the same height the forward voltage, making it much like a DC source acts. It has been shown that it is precisely this combination of barrier components and Ohm's resistances Advantage of a reliable Voltage limitation without the described disadvantage of information loss at unfavorable Switch-on conditions of the load modulation supplies.

Im Rahmen einer Ausgestaltung des Verfahrens ist bevorzugt, dass das Ändern der Schwingkreisimpedanz durch gesteuertes Überbrücken von wenigstens einem Sperrschichtbauteil und/oder des Ohm'schen Widerstands erfolgt.in the Within the scope of an embodiment of the method, it is preferred that changing the Oscillating circuit impedance by controlled bridging of at least one barrier layer component and / or Ohm's Resistance occurs.

Beide Möglichkeiten ergeben eine definierte Impedanzänderung, die sich durch eine transformatorisch induktive Rückwirkung auf den Sendeschwingkreis überträgt und daher zur Datenübertragung vom tag zum reader genutzt werden kann.Both options give a defined impedance change, which is characterized by a transformative inductive reaction transmits to the Sendeschwingkreis and therefore for data transmission from day to reader can be used.

Mit Blick auf Ausgestaltungen der Schaltung ist bevorzugt, dass die steuerbare Impedanz zwischen einem ersten Schwingkreisanschluss und einem Bezugspotential liegt.With Looking at embodiments of the circuit is preferred that the controllable impedance between a first resonant circuit connection and a reference potential.

Durch diese Ausgestaltung wird das Potential am Schwingkreisanschluss über die steuerbare Impedanz mit dem Bezugspotential verknüpft und damit gewissermaßen auf definierte, vom Wert der Impedanz abhängige Werte beschränkt, was eine reproduzierbar zuverlässige Datenübertragung durch Lastmodulation erlaubt.By This embodiment is the potential at the resonant circuit via the controllable impedance linked to the reference potential and thus so to speak limited to defined, dependent on the value of the impedance values, what a reproducible reliable data transfer allowed by load modulation.

Bevorzugt ist auch, dass die steuerbare Impedanz eine erste steuerbare Impedanz zwischen dem ersten Schwingkreisanschluss und dem Bezugspotential und eine zweite steuerbare Impedanz zwischen einem zweiten Schwingkreisanschluss und dem Bezugspotential aufweist.Prefers Also, the controllable impedance is a first controllable impedance between the first resonant circuit terminal and the reference potential and a second controllable impedance between a second resonant circuit terminal and the reference potential.

Dieser Aufbau einer Schaltung zur Klemmung der Schwingkreispotentiale auf vorbestimmte Werte liefert die genannten Vorteile in verstärktem Maße, da er für eine vorbestimmte Begrenzung der positiven und der negativen Abweichungen der Schwingkreispotentiale von dem Bezugspotential sorgt.This Structure of a circuit for clamping the resonant circuit potentials predetermined values provides the advantages mentioned to a greater extent, since he for one predetermined limitation of positive and negative deviations the resonant circuit potentials of the reference potential provides.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich durch eine zum Bezugspotential symmetrische Anordnung und Struktur der ersten steuerbaren Impedanz und der zweiten steuerbaren Impedanz aus.A further preferred embodiment is characterized by a symmetrical arrangement relative to the reference arrangement and structure of the first tax baren impedance and the second controllable impedance.

Dieser symmetrische Aufbau bewirkt, dass Schwingungen Vorzeichen-unabhängig gleich beeinflusst und auf betragsmäßig gleiche Abweichungen von dem Bezugspotential begrenzt werden. Auch dies erhöht die Zuverlässigkeit der Datenübertragung.This symmetrical construction causes vibrations to be sign-independent equal influenced and in amount same Deviations from the reference potential are limited. This too elevated the reliability the data transmission.

Bevorzugt ist auch, dass die steuerbare Impedanz ferner eine schaltbare Überbrückung von wenigstens einem Sperrschichtbauteil und/oder des Ohm'schen Widerstands aufweist.Prefers is also that the controllable impedance further comprises a switchable bridging of at least one barrier layer component and / or the ohmic resistor having.

Durch die schaltbare Überbrückung wird eine Lastmodulation mit geringem Aufwand realisiert.By the switchable bypass becomes one Load modulation realized with little effort.

Ferner ist bevorzugt, dass die schaltbare Überbrückung eine Arbeitsstromstrecke eines Transistors aufweist.Further It is preferred that the switchable bridging a working current path a transistor.

Diese Ausgestaltung liefert eine besonders einfach steuerbare und monolithisch integrierbare Möglichkeit einer Lastmodulation.These Design provides a particularly easily controllable and monolithic integrable possibility a load modulation.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich dadurch aus, dass die steuerbare Impedanz wenigstens eine Reihenschaltung eines ersten Sperrschichtbauteils und eines Ohm'schen Widerstands aufweist.A Another preferred embodiment is characterized in that the controllable impedance at least one series connection of a first barrier layer component and an ohmic Has resistance.

Schaltet man zu den Sperrschichtbauteilen einen Ohm'schen Widerstand in Reihe, so dämpft der Widerstand den Spulenstrom bei geeigneter Dimensionierung in dem Maße, daß die erwähnte Pulsverbreiterung und damit auch die teilweise Auslöschung zumindest verringert wird. Infolgedessen sind alle Schwingungen in der Amplitude ausreichend hoch, so dass sie die vorgegebene Detektionsschwelle überschreiten können.switches one to the junction components an ohmic resistance in series, so dampens the resistance the coil current with suitable dimensioning to the extent that the mentioned pulse broadening and thus at least partially extinguished becomes. As a result, all the oscillations in the amplitude are sufficient high, so that they exceed the predetermined detection threshold can.

Bevorzugt ist auch, dass die Reihenschaltung zusätzlich zu dem ersten Sperrschichtbauteil wenigstens ein zweites Sperrschichtbauteil aufweist, das mit dem ersten Sperrschichtbauteil in Reihe liegt und das eine Durchlassrichtung besitzt, die einer Durchlassrichtung des ersten Sperrschichtbauteils entgegengesetzt ist.Prefers is also that the series connection in addition to the first barrier layer component at least a second barrier member associated with the first barrier member is in series and has a forward direction, the one passage direction of the first barrier layer component is opposite.

Durch diese Ausgestaltung lässt sich die Schwingkreisspannung bei der Lastmodulation in beiden Schaltzuständen auf definierte Werte begrenzen. Solange beide Sperrschichtbauteile nicht überbrückt sind, tritt ein Stromfluss bei Überschreiten der Summe aus Durchbruchspannung des einen und Durchlassspannung des anderen Sperrschichtbauteils ein. Wird dagegen das sperrende Bauteil überbrückt, tritt der Stromfluss bei Überschreiten der Durchlassspannung ein. Der Unterschied zwischen der Durchlassspannung und der Summe aus Durchlassspannung und Durchbruchspannung definiert damit den Modulationshub der Lastmodulation im Empfangsschwingkreis.By this configuration leaves the resonant circuit voltage in the load modulation in both switching states limit defined values. As long as both barrier layer components are not bridged, occurs a current flow when exceeding the Sum of breakdown voltage of the one and forward voltage of the another barrier layer component. If, however, the blocking component is bridged, occurs the current flow when exceeded the forward voltage on. The difference between the forward voltage and the sum of forward voltage and breakdown voltage so that the modulation of the load modulation in the receiving resonant circuit.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich durch eine Zenerdiode als erstes oder als zweites Sperrschichtbauteil aus.A Another preferred embodiment is characterized by a Zener diode as the first or as a second barrier layer component.

Zenerdioden besitzen den Vorteil, dass sie dauerhaft im Durchbruchspannungsbereich betrieben werden können.Zener diodes have the advantage of being durable in the breakdown voltage range can be operated.

Bevorzugt ist auch, dass die steuerbare Impedanz eine Parallelschaltung aus wenigstens einem Halbleiterbauteil und einem Ohm'schen Widerstand aufweist.Prefers is also that the controllable impedance is a parallel circuit has at least one semiconductor device and an ohmic resistor.

Durch eine solche Anordnung werden die gewünschten Eigenschaften weiter optimiert. Der Nachteil, dass bei großen Strömen über den Widerstand unerwünscht große Spannungen auftreten, werden durch das parallel liegende Sperrschichtbauteil vermieden, das die auftretende Spannung auf den Wert seiner Durchlassspannung begrenzt.By such an arrangement will further the desired properties optimized. The disadvantage that at high currents across the resistor undesirably large voltages occur through the parallel barrier member avoided that the voltage occurring on the value of its forward voltage limited.

Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung zeichnet sich durch eine Diode als drittes Sperrschichtbauteil aus.A Another preferred embodiment is characterized by a diode as the third barrier layer component.

Alternativ wird ein Transistor als drittes Sperrschichtbauteil benutzt, der von einem Spannungsabfall an dem Ohm'schen Widerstand gesteuert wird und dessen Arbeitsstromstrecke wenigstens den Ohm'schen Widerstand überbrückt.alternative For example, a transistor is used as the third junction device is controlled by a voltage drop across the ohmic resistor, and whose working current path bridges at least the ohmic resistance.

Dabei ist bevorzugt, dass die Arbeitsstromstrecke des Transistors zwischen einem Schwingkreisanschluss und einem Bezugspotential liegt.there is preferred that the working current path of the transistor between a resonant circuit connection and a reference potential is located.

Diese Alternative besitzt den besonderen Vorteil, dass der Strom über die Arbeitsstromstrecke direkt zum Bezugspotential, also zum Beispiel zu einem Substratanschluss, fließt. Er fließt dann nicht mehr in die Kette weiterer Bauelemente aus ersten und zweiten Sperrschichtbauelementen hinein, die daher kleiner dimensioniert werden können.These Alternative has the particular advantage that the electricity over the Working current distance directly to the reference potential, so for example to a substrate connection, flows. He does not flow into the chain anymore further components of first and second junction devices into it, which can therefore be dimensioned smaller.

Weitere Vorteile ergeben sich aus der Beschreibung und den beigefügten Figuren.Further Advantages will be apparent from the description and the attached figures.

Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.It it is understood that the above and the following yet to be explained features not only in the specified combination, but also in other combinations or alone, without to leave the scope of the present invention.

Zeichnungendrawings

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen, jeweils in schematischer Form:embodiments The invention are illustrated in the drawings and in the following description explained. In each case, in schematic form:

1 ein Gesamtsystem aus einem Lesegerät und einer Schaltung mit einem Empfangsschwingkreis; 1 an overall system comprising a reading device and a circuit with a receiving resonant circuit;

2 einen bekannten Empfangsschwingkreis mit Elementen zur Lastmodulation; 2 a known receiving resonant circuit with elements for load modulation;

3 ein gewünschtes Modulationsverhalten; 3 a desired modulation behavior;

4 ein problematisches Modulationsverhalten, wie es bei bekannten Schaltungen in Verbindung mit Empfangsinduktivitäten hoher Güte beobachtet wurde; 4 a problematic modulation behavior, as has been observed in known circuits in connection with high-quality receiving inductors;

5 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Schaltungsteils; und 5 a first embodiment of a circuit part according to the invention; and

6 ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Schaltungsteils. 6 A second embodiment of a circuit part according to the invention.

1 zeigt ein Gesamtsystem 10 aus einem Lesegerät (reader) 12 und einem Empfangsteil 14, bspw. einer Objektmarke (tag). Das Lesegerät 12 weist einen Sendeschwingkreis 16 auf, der in der schematischen Darstellung der 1 induktive Elemente 18 und kapazitive Elemente 20 besitzt. Das Empfangsteil 14 weist einen Empfangsschwingkreis 22 auf, der ebenfalls wenigstens eine Induktivität 24 und eine Kapazität 26 besitzt. Weiter weist das Empfangsteil 14 eine Schnittstelle 28 und optional eine Steuerschaltung 30 und/oder einen Speicher 32 auf. 1 shows a complete system 10 from a reader 12 and a receiving part 14 , for example, an object tag. The reader 12 has a transmitter swing 16 in the schematic diagram of the 1 inductive elements 18 and capacitive elements 20 has. The reception part 14 has a receiving resonant circuit 22 on, which also has at least one inductance 24 and a capacity 26 has. Next, the receiving part 14 an interface 28 and optionally a control circuit 30 and / or a memory 32 on.

2 zeigt den Empfangsschwingkreis 22 zusammen mit Einzelheiten einer bekannten Schnittstelle 28. Parallel zu dem Parallelschwingkreis 22 aus Induktivität 24 und Kapazität 26 liegt eine Reihenschaltung aus oberen ersten Dioden 34, einer Zenerdiode 36, einer weiteren Zenerdiode 38 und unteren ersten Dioden 40. Zwischen den Zenerdioden 36, 38 liegt ein Bezugspotentialanschluss 42, der zum Beispiel ein Massepotential für die Schaltung bereitstellt. Die Zenerdioden 36, 38 können durch Schalter 44, 46 überbrückt werden, die von der Steuerschaltung 30 betätigt werden. Die Schalter 44, 46 werden bevorzugt Transistoren, insbesondere als MOS-Transistoren realisiert. 2 shows the receiving resonant circuit 22 along with details of a known interface 28 , Parallel to the parallel resonant circuit 22 from inductance 24 and capacity 26 is a series circuit of upper first diodes 34 , a zener diode 36 , another Zener diode 38 and lower first diodes 40 , Between the zener diodes 36 . 38 is a reference potential connection 42 which provides, for example, a ground potential for the circuit. The zener diodes 36 . 38 can by switch 44 . 46 be bridged by the control circuit 30 be operated. The switches 44 . 46 Preferably, transistors, in particular realized as MOS transistors.

Die oberen ersten Dioden 34 und die unteren ersten Dioden 40 dienen zur alleinigen Begrenzung der Schwingkreisspannung zwischen Anschlüssen 48, 50 des Empfangsschwingkreises 22 bei geschlossenen Schaltern 44 und 46 und definieren die untere Begrenzungsspannung. In diesem Zustand begrenzen die Dioden 34, 40 jeweils dann, wenn der Potentialunterschied zwischen dem Bezugspotentialanschluss 42 und einem der Anschlüsse 48, 50 die Summe der Durchlassspannungen der Dioden 34 oder 40 überschreitet. Daher wird die Schwingkreisspannung bei überbrückten Zenerdioden 36, 38 durch diese Summe der Durchlassspannungen begrenzt, so dass sich typischerweise ein Wert von 3·0,7 = 2,1 Volt für jeweils drei Dioden 34, 40 einstellt.The upper first diodes 34 and the lower first diodes 40 serve for the sole limitation of the resonant circuit voltage between terminals 48 . 50 of the receiving resonant circuit 22 with closed switches 44 and 46 and define the lower bounding voltage. In this state, the diodes limit 34 . 40 in each case when the potential difference between the reference potential terminal 42 and one of the connections 48 . 50 the sum of the forward voltages of the diodes 34 or 40 exceeds. Therefore, the resonant circuit voltage at bridged zener diodes 36 . 38 limited by this sum of the forward voltages, so that typically a value of 3 · 0.7 = 2.1 volts for every three diodes 34 . 40 established.

Bei geöffneten Schaltern 44, 46 muss der Potentialunterschied zwischen dem Anschluss 42 und jeweils einem der Anschlüsse 48, 50 dagegen zusätzlich noch die Durchbruchspannung der Zenerdioden 36, 38 überschreiten, bevor die Schwingkreisspannung auf ein höheres Niveau begrenzt wird. Bei geöffneten Schaltern 44,46 liegt diese Begrenzung unter Annahme einer Durchbruchspannung von 7 V bei 2,1 V + 7 V = 9,1 V. Dieser Wert definiert die obere Begrenzungsspannung.With opened switches 44 . 46 must the potential difference between the connection 42 and one of each of the connections 48 . 50 in contrast, the breakdown voltage of the Zener diodes 36 . 38 exceed before the resonant circuit voltage is limited to a higher level. With opened switches 44 . 46 this limit is assuming a breakdown voltage of 7 V at 2.1 V + 7 V = 9.1 V. This value defines the upper limit voltage.

Durch Öffnen und Schließen der Schalter 44, 46 moduliert die Steuerschaltung 30 den Wert der maximalen Schwingkreisspannung und damit die Impedanz des Empfangsschwingkreises 22. Wie bereits erwähnt, bildet sich diese Modulation der Impedanz des Empfangsschwingkreises als Modulation der Last des Sendeschwingkreises 16 unter der Voraussetzung einer transformatorischen Kopplung (Abstand kleiner 0,16-fache Wellenlänge) in der Klemmenspannung des Sendeschwingkreises 16 ab, was zum Auslesen von Daten aus dem Empfangsteil 14 genutzt werden kann.By opening and closing the switch 44 . 46 modulates the control circuit 30 the value of the maximum resonant circuit voltage and thus the impedance of the receiving resonant circuit 22 , As already mentioned, this modulation of the impedance of the receiving resonant circuit forms as a modulation of the load of the transmitting oscillating circuit 16 with the assumption of a transformer coupling (distance less than 0.16-fold wavelength) in the terminal voltage of the transmitter oscillation circuit 16 off, resulting in reading out data from the receiving part 14 can be used.

3 zeigt einen erwünschten Verlauf 52 der resultierenden Schwingkreisspannung U_E im Empfangsschwingkreis 22 unter dem Einfluss einer solchen gesteuerten Lastmodulation über der Zeit t. Die großen Amplituden 54 stellen sich bei offenen Schaltern 44, 46 aus 2 ein und die kleinen Amplituden 56 stellen sich bei geschlossen Schaltern 44, 46 ein, mit denen sperrende Zenerdioden 36, 38 aus 2 überbrückt werden. Mit den im Zusammenhang mit der 2 genannten Werten beträgt der Wert der kleinen Amplitude 56 2,1 Volt, und der Wert der großen Amplitude 54 beträgt ca. 9,1 Volt. 3 shows a desired course 52 the resulting resonant circuit voltage U_E in the receiving resonant circuit 22 under the influence of such controlled load modulation over time t. The big amplitudes 54 occur with open switches 44 . 46 out 2 one and the small amplitudes 56 stand at closed switches 44 . 46 one with which blocking zener diodes 36 . 38 out 2 be bridged. With the in connection with the 2 mentioned values is the value of the small amplitude 56 2.1 volts, and the value of the large amplitude 54 is about 9.1 volts.

In der Realität zeigt sich aber unter ungünstigen Bedingungen ein unerwünschter Effekt, wie er in der 4 dargestellt ist. Wenn beim Einschalten der Last-Modulation, also beim Begrenzen der Schwingkreisspannung U_E auf den unteren Klemmpegel gerade ein hoher Spulenstrom induziert wird, so fließt dieser unter Umständen über die Überbrückung der Zenerdiode 36 oder 38 und die in Durchlassrichtung geschalteten übrigen Sperrschichtbauteile 34, 40 ab, wobei die Schwingkreisspannung U_E vorübergehend unter den Klemmpegel und auch unter einen Schwellenwert 58 fallen kann, der zur Detektion von Schwingungen (Pulsen) der Schwingkreisspannung U_E dient. In der Darstellung der 4 sind solche unzureichend hohen Pulse mit Bezugszeichen 60, 62 im U_E-Verlauf 64 gekennzeichnet.In reality, however, unfavorable conditions show an undesirable effect, as in the 4 is shown. If when switching on the load modulation, ie when limiting the resonant circuit voltage U_E to the lower clamping level just a high coil current is induced, it may flow via the bridging of the zener diode 36 or 38 and the other barrier layer components connected in the forward direction 34 . 40 from, wherein the resonant circuit voltage U_E vorbege below the clamping level and below a threshold 58 can fall, which is used for the detection of vibrations (pulses) of the resonant circuit voltage U_E. In the presentation of the 4 are such insufficiently high pulses with reference numerals 60 . 62 in the U_E history 64 characterized.

Üblicherweise zählt die Steuerschaltung 30 des Empfangsteils 14 die Pulse und kodiert die Information für das Lesegerät 12 durch eine Variation der Länge von High-Perioden 66 und/oder Low-Perioden 68 der Hüllkurve 70 des U_E-Verlaufs 64. Dabei bezieht sich „high" oder „low" hier jeweils auf den Absolutbetrag der Signalhöhe. Das Lesegerät 12 registriert die Länge dieser Perioden 66, 68 und rekonstruiert daraus die auszulesende Information. Das fehlerhafte Nicht-Registrieren von Pulsen durch das Empfangsteil 14 führt damit zu einer Verfälschung der zu übertragenden Information.Usually, the control circuit counts 30 of the receiving part 14 the pulses and encodes the information for the reader 12 by a variation of the length of high periods 66 and / or low periods 68 the envelope 70 of the U_E history 64 , In this case, "high" or "low" in each case refers to the absolute value of the signal height. The reader 12 registers the length of these periods 66 . 68 and reconstructed from this the information to be read. The erroneous non-registration of pulses by the receiving part 14 thus leads to a distortion of the information to be transmitted.

5 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Schaltungsteils, mit dem diese Verfälschung zumindest verringert werden kann. Dabei basiert der Gegenstand der 5 auf dem Gegenstand der 3. Neu ist, dass zusätzlich zu ersten Sperrschichtbauelementen 72, 74 wenigstens ein Ohm'scher Widerstand 76 oder 78 zwischen einen Schwingkreisanschluss 48, 50 und dem Bezugspotentialanschluss 42 liegt. Ein Stromfluss über einen der Ohm'schen Widerstände 76, 78 ist zwangsläufig mit einem Spannungsabfall über dem betreffenden Widerstand 76, 78 verknüpft. Als Folge wird auch unter den genannten ungünstigen Bedingungen beim Einschalten der Modulation immer zumindest der Spannungsabfall über diesem Widerstand 76 und/oder 78 aufgebaut, was zu einer zuverlässigen Überschreitung von Detektionsschwellen 58 in 4 auch beim parallelen Anschwingen und Einschalten einer Lastmodulation führt. Die Sperrschichtbauelemente 72, 74 können den Dioden 34, 40 aus 3 entsprechen und/oder zum Beispiel als Basis-Emitter-Dioden von Transistoren mit kurzgeschlossenen Kollektor-Basis-Übergängen realisiert sein. 5 shows a first embodiment of a circuit part according to the invention, with which this distortion can be at least reduced. The object of the 5 on the object of 3 , What is new is that in addition to first junction devices 72 . 74 at least one ohmic resistance 76 or 78 between a resonant circuit connection 48 . 50 and the reference potential terminal 42 lies. A current flow via one of the ohmic resistors 76 . 78 is inevitably with a voltage drop across the resistor in question 76 . 78 connected. As a result, even under the aforementioned unfavorable conditions when switching on the modulation always at least the voltage drop across this resistor 76 and or 78 resulting in a reliable overshoot of detection thresholds 58 in 4 also leads to the parallel oscillation and switching on a load modulation. The junction devices 72 . 74 can the diodes 34 . 40 out 3 correspond and / or be implemented, for example, as base-emitter diodes of transistors with shorted collector-base junctions.

6 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Schaltungsteils. Der Gegenstand der 6a unterscheidet sich vom Gegenstand der 5 unter anderem durch Halbleiterbauteile 80, 81, die Spannungsabfälle an den Widerständen 76, 78 begrenzen. Wie bereits erwähnt, sorgen die Widerstände 76, 78 auch bei dem kritischen Einschalten einer Lastmodulation beim Anschwingen für eine auswertbare Schwingkreisspannungsamplitude. Nachteilig ist, dass große Schwingkreisströme, wie sie zum Beispiel im eingeschwungenen Zustand auftreten können, unerwünscht große Spannungsabfälle über den Widerständen 76, 78 hervorrufen könnten. Um auch dies zu verhindern, begrenzen die Halbleiterbauelemente 80, 81 den Spannungsabfall an den Widerständen 76, 78. 6 shows a second embodiment of a circuit part according to the invention. The object of 6a differs from the subject of 5 among other things by semiconductor devices 80 . 81 , the voltage drops across the resistors 76 . 78 limit. As mentioned earlier, the resistors provide 76 . 78 also during the critical switching on of a load modulation during oscillation for an evaluable resonant circuit voltage amplitude. The disadvantage is that large resonant circuit currents, as they can occur, for example, in the steady state, undesirably large voltage drops across the resistors 76 . 78 could cause. To prevent this too, limit the semiconductor devices 80 . 81 the voltage drop across the resistors 76 . 78 ,

Bei dem Halbleiterbauelement kann es sich zum Beispiel um eine Diode 82 handeln, die parallel zu dem Widerstand 76 zwischen einem Schwingkreisanschluss 48 und den übrigen Elementen der Reihenschaltung, also den ersten Sperrschichtbauelementen 72 und den zweiten Sperrschichtbauelementen (Zenerdioden) 36 aus 5 liegt. Dies ist für das Halbleiterbauelement 80 in der 6a dargestellt.The semiconductor device may be, for example, a diode 82 act in parallel with the resistance 76 between a resonant circuit connection 48 and the remaining elements of the series connection, that is to say the first barrier layer components 72 and the second junction devices (zener diodes) 36 out 5 lies. This is for the semiconductor device 80 in the 6a shown.

Alternativ kann das Halbleiterbauelement 80 als Zenerdiode 84 realisiert sein, wie sie in 6b dargestellt ist.Alternatively, the semiconductor device 80 as zener diode 84 be realized as they are in 6b is shown.

Weiter alternativ kann das Halbleiterbauelement auch als Transistor 86 realisiert sein, wie es in der 6a in Verbindung mit dem Widerstand 78 für den Fall des Halbleiterbauelements 81 dargestellt ist. Bei einer Ausführung als Transistor 86 wird die Arbeitsstromstrecke vorteilhafterweise zwischen jeweils einen der Schwingkreisanschlüsse 48, 50 und den Bezugspotentialanschluss 42 geschaltet und ein Steueranschluss 88 des Transistors 86 mit dem Widerstand 76, 78 verbunden. In der 6 ist eine Ausführung mit einer Diode 82 über dem Widerstand 76 und einem Transistor 86 über dem Widerstand 78 dargestellt. Es versteht sich aber, dass die Ausführung auch symmetrisch erfolgen kann, wobei beide Widerstände 76, 78 dann um gleichartige Halbleiterbauelemente 80 oder 81 ergänzt werden.Further alternatively, the semiconductor device may also be a transistor 86 be realized, as it is in the 6a in connection with the resistance 78 in the case of the semiconductor device 81 is shown. In one embodiment as a transistor 86 the working flow path is advantageously between each one of the resonant circuit connections 48 . 50 and the reference potential terminal 42 switched and a control terminal 88 of the transistor 86 with the resistance 76 . 78 connected. In the 6 is a version with a diode 82 above the resistance 76 and a transistor 86 above the resistance 78 shown. However, it is understood that the execution can also be symmetrical, with both resistors 76 . 78 then around similar semiconductor devices 80 or 81 be supplemented.

Ein hinreichend großer Spannungsabfall über dem Widerstand 78 steuert dann die Arbeitsstromstrecke des Transistors 86 leitend, was einen Stromanstieg über den Widerstand 78 und damit den Spannungsabfall über dem Widerstand 78 wirkungsvoll begrenzt.A sufficiently large voltage drop across the resistor 78 then controls the working current path of the transistor 86 conductive, causing a current increase across the resistor 78 and thus the voltage drop across the resistor 78 effectively limited.

Dadurch, dass die Arbeitsstromstrecke direkt auf den Bezugspotentialanschluss 42 geführt wird, fließt der am Widerstand 78 vorbeigeführte Strom nicht mehr in die verbleibende Kette aus ersten und zweiten Sperrschichtbaulementen 74, 38 hinein, die als erwünschte Folge kleiner dimensioniert werden können. Es versteht sich, dass der Transistor 86 sowohl als MOS-Transistor als auch als Bipolartransistor ausgeführt sein kann.Characterized in that the working current section directly to the reference potential connection 42 is guided, the flows at the resistor 78 Passed stream no longer in the remaining chain of first and second junction construction elements 74 . 38 into it, which can be dimensioned smaller as a desired result. It is understood that the transistor 86 can be designed both as a MOS transistor and as a bipolar transistor.

Claims (15)

Verfahren zur Lastmodulation in einer Verbindung aus einem Sendeschwingkreis (16) und einem Empfangsschwingkreis (22), bei dem eine Spannung an dem Sendeschwingkreis (16) durch Rückwirkung einer Änderung einer Spannung (U_E) in dem Empfangsschwingkreis (22) moduliert wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Lastmodulation durch gesteuertes Ändern einer Empfangsschwingkreis-Impedanz erfolgt, die wenigstens ein Sperrschichtbauteil (34, 36, 38, 40; 72, 74; 80, 81, 82, 84, 86) und einen Ohm'schen Widerstand (76, 78) aufweist.Method for load modulation in a connection from a transmitting oscillating circuit ( 16 ) and a receiving resonant circuit ( 22 ), in which a voltage at the transmitter ( 16 ) by reacting a change in a voltage (U_E) in the receiving resonant circuit ( 22 ) is modulated, characterized in that the load modulation is effected by controlled changing of a receiving resonant circuit impedance, the at least one barrier layer component ( 34 . 36 . 38 . 40 ; 72 . 74 ; 80 . 81 . 82 . 84 . 86 ) and egg ohmic resistance ( 76 . 78 ) having. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Ändern der Empfangsschwingkreisimpedanz durch gesteuertes Überbrücken von wenigstens einem Sperrschichtbauteil (34, 36, 38, 40; 72, 74; 80, 81, 82, 84, 86) und/oder des Ohm'schen Widerstands (76, 78) erfolgt.A method according to claim 1, characterized in that changing the receiving resonant circuit impedance by controlled bridging of at least one barrier layer component ( 34 . 36 . 38 . 40 ; 72 . 74 ; 80 . 81 . 82 . 84 . 86 ) and / or the ohmic resistance ( 76 . 78 ) he follows. Schaltung zur Lastmodulation in einem Empfangsschwingkreis (22), der transformatorisch mit einem Sendeschwingkreis (16) koppelbar ist, mit wenigstens einer Induktivität (24), einer Kapazität (26) und einer steuerbaren Impedanz, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbare Impedanz wenigstens ein Sperrschichtbauteil (34, 36, 38, 40; 72, 74; 80, 81, 82, 84, 86) und einen Ohm'schen Widerstand (76, 78) aufweist.Circuit for load modulation in a receiving resonant circuit ( 22 ), the transformer with a transmitter oscillation ( 16 ) can be coupled, with at least one inductance ( 24 ), a capacity ( 26 ) and a controllable impedance, characterized in that the controllable impedance at least one barrier layer component ( 34 . 36 . 38 . 40 ; 72 . 74 ; 80 . 81 . 82 . 84 . 86 ) and an ohmic resistor ( 76 . 78 ) having. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbare Impedanz zwischen einem ersten Schwingkreisanschluss (48) und einem Bezugspotentialanschluss (42) liegt.Circuit according to Claim 3, characterized in that the controllable impedance between a first resonant circuit connection ( 48 ) and a reference potential terminal ( 42 ) lies. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbare Impedanz eine erste steuerbare Impedanz zwischen dem ersten Schwingkreisanschluss (48) und dem Bezugspotentialanschluss (42) und eine zweite steuerbare Impedanz zwischen einem zweiten Schwingkreisanschluss (50) und dem Bezugspotentialanschluss (42) aufweist.Circuit according to Claim 4, characterized in that the controllable impedance has a first controllable impedance between the first resonant circuit connection ( 48 ) and the reference potential terminal ( 42 ) and a second controllable impedance between a second resonant circuit connection ( 50 ) and the reference potential terminal ( 42 ) having. Schaltung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine zum Bezugspotentialanschluss (42) symmetrische Anordnung und Struktur der ersten steuerbaren Impedanz und der zweiten steuerbaren Impedanz.Circuit according to Claim 5, characterized by a reference potential terminal ( 42 ) symmetrical arrangement and structure of the first controllable impedance and the second controllable impedance. Schaltung nach wenigstens einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbare Impedanz ferner eine schaltbare Überbrückung von wenigstens einem Sperrschichtbauteil (36, 38) und/oder des Ohm'schen Widerstands (76, 78) aufweist.Circuit according to at least one of claims 3 to 6, characterized in that the controllable impedance further comprises a switchable bridging of at least one barrier layer component ( 36 . 38 ) and / or the ohmic resistance ( 76 . 78 ) having. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die schaltbare Überbrückung eine Arbeitsstromstrecke eines Transistors aufweist.Circuit according to Claim 7, characterized that the switchable bypass a Working current path of a transistor has. Schaltung nach wenigstens einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbare Impedanz wenigstens eine Reihenschaltung eines ersten Sperrschichtbauteils (72, 74) und eines Ohm'schen Widerstands (76, 78) aufweist.Circuit according to at least one of claims 3 to 8, characterized in that the controllable impedance at least one series connection of a first barrier layer component ( 72 . 74 ) and an ohmic resistor ( 76 . 78 ) having. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihenschaltung zusätzlich zu dem ersten Sperrschichtbauteil (72, 74) wenigstens ein zweites Sperrschichtbauteil (36, 38) aufweist, das mit dem ersten Sperrschichtbauteil (72, 74) in Reihe liegt und das eine Durchlassrichtung besitzt, die einer Durchlassrichtung des ersten Sperrschichtbauteils (72, 74) entgegengesetzt ist.Circuit according to claim 9, characterized in that the series connection in addition to the first barrier layer component ( 72 . 74 ) at least one second barrier layer component ( 36 . 38 ), which is connected to the first barrier layer component ( 72 . 74 ) is in series and has a forward direction, the one passage direction of the first barrier member ( 72 . 74 ) is opposite. Schaltung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Zenerdiode als zweites Sperrschichtbauteil (36, 38).Circuit according to Claim 10, characterized by a zener diode as second barrier layer component ( 36 . 38 ). Schaltung nach wenigstens einem der Ansprüche 3 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbare Impedanz eine Parallelschaltung aus wenigstens einem Halbleiterbauteil (80, 81) und einem Ohm'schen Widerstand (76, 78) aufweist.Circuit according to at least one of Claims 3 to 11, characterized in that the controllable impedance is a parallel connection of at least one semiconductor component ( 80 . 81 ) and an ohmic resistor ( 76 . 78 ) having. Schaltung nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch eine Diode (82) als Halbleiterbauteil (80, 81).Circuit according to Claim 12, characterized by a diode ( 82 ) as a semiconductor device ( 80 . 81 ). Schaltung nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch einen Transistor (86) als Halbleiterbauteil (80, 81), der von einem Spannungsabfall an dem Ohm'schen Widerstand (76, 78) gesteuert wird und dessen Arbeitsstromstrecke wenigstens den Ohm'schen Widerstand (76, 78) überbrückt.Circuit according to Claim 12, characterized by a transistor ( 86 ) as a semiconductor device ( 80 . 81 ) caused by a voltage drop across the ohmic resistor ( 76 . 78 ) is controlled and its working current path at least the ohmic resistance ( 76 . 78 ) bridged. Schaltung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Arbeitsstromstrecke des Transistors (86) zwischen einem Schwingkreisanschluss (48, 50) und einem Bezugspotentialanschluss (42) liegt.Circuit according to Claim 14, characterized in that the working current path of the transistor ( 86 ) between a resonant circuit connection ( 48 . 50 ) and a reference potential terminal ( 42 ) lies.
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