Die
Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodulsystem mit einem
Leistungshalbleitermodul. Derartige Leistungshalbleitermodule enthalten üblicherweise
ein oder mehrere Leistungshalbleiterbauelemente, beispielsweise
IGBTs, Dioden, usw., die auf einem Träger angeordnet und elektrisch
miteinander verschaltet sind. Dadurch entsteht eine Leistungshalbleiter-Baugruppe, die bei
bestimmten Schaltungsanwendungen mit einer oder mehreren gleichartigen
Leistungshalbleiter-Baugruppen elektrisch verschaltet werden muss.
Die elektrische Verschaltung erfolgt dabei üblicherweise mittels Schraubklemmen.The
The invention relates to a power semiconductor module system having a
The power semiconductor module. Such power semiconductor modules usually contain
one or more power semiconductor devices, for example
IGBTs, diodes, etc., which are arranged on a support and electrically
interconnected with each other. This creates a power semiconductor assembly that is at
certain circuit applications with one or more similar
Power semiconductor modules must be connected electrically.
The electrical connection is usually done by means of screw terminals.
Des
weiteren weisen derartige Leistungshalbleiter-Baugruppen eine relative
hohe Wärmeentwicklung
auf, so dass entsprechende Maßnahmen zur
Wärmeabfuhr
erforderlich sind. In der Regel wird dazu ein Kühlkörper verwendet, der mit der
Leistungshalbleiter-Baugruppe in thermischen Kontakt gebracht wird.Of
Further, such power semiconductor modules have a relative
high heat development
on, so that appropriate measures to
heat dissipation
required are. In general, a heat sink is used with the
Power semiconductor assembly is brought into thermal contact.
Ist
im Servicefall ein Austausch einer derartigen Leistungshalbleiter-Baugruppe
erforderlich, so müssen
hierzu die elektrischen Verbindungen gelöst und der Kühlkörper entfernt
werden. Nach dem Austausch der Leistungshalbleiter-Baugruppe müssen die
entsprechenden elektrischen Verbindungen wiederhergestellt und der
Kühlkörper montiert
werden, was entsprechend viel Zeit erfordert, sich dementsprechend
also in Kosten für
Ausfallzeiten der Leistungshalbleiter-Baugruppe sowie in den Servicekosten
niederschlägt.is
in the case of service, an exchange of such a power semiconductor module
necessary, so must
To do this, disconnect the electrical connections and remove the heat sink
become. After replacing the power semiconductor module, the
corresponding electrical connections restored and the
Heatsink mounted
which takes a corresponding amount of time accordingly
so in costs for
Downtime of the power semiconductor module as well as in service costs
reflected.
Aus
der DE 100 38 161
A1 ist eine Anordnung mit mehreren Speichermodulen bekannt,
von denen jedes eine zweiseitig mit Speicherbauteilen bestückte Leiterplatte
aufweist, die in einen separaten Sockel eingeschoben ist und dort
elektrisch kontaktiert wird. Außerdem
ist auf jedes Speichermodul eine klammerartige Kühlvorrichtung aufgesetzt, die zwei
gegenüberliegende
Kühlplatten
aufweist, zwischen denen das betreffende Speichermodul angeordnet
ist.From the DE 100 38 161 A1 An arrangement with several memory modules is known, each of which has a two-sided populated with memory components printed circuit board, which is inserted into a separate socket and is contacted there electrically. In addition, a staple-type cooling device is mounted on each memory module, which has two opposite cooling plates, between which the respective memory module is arranged.
Es
ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Leistungshalbleitermodulsystem
bereitzustellen, bei dem ein Leistungshalbleitermodul auf einfache
Weise schnell und kostengünstig
montiert bzw. ausgetauscht werden kann.It
It is therefore an object of the present invention to provide a power semiconductor module system
to provide a power semiconductor module to simple
Way quickly and inexpensively
can be mounted or replaced.
Diese
Aufgabe wird durch ein Leistungshalbleitermodulsystem gemäß Anspruch
1 gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen
und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.These
The object is achieved by a power semiconductor module system according to claim
1 solved.
Advantageous embodiments
and further developments of the invention are the subject of dependent claims.
Das
erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodulsystem
umfasst einen Baugruppenträger
mit einem Gehäuse,
sowie mit mehreren Steckplätzen, in
die jeweils ein Leistungshalbleitermodul eingesteckt werden kann.
Das Leistungshalbleitermodulsystem weist weiterhin ein Leistungshalbleitermodul mit
einer Leistungshalbleiter-Baugruppe und einem Kühlkörper auf, wobei die Leistungshalbleiter-Baugruppe
einen Träger
mit zwei einander gegenüberliegenden,
jeweils eine Metallisierung aufweisende Seiten umfasst, auf denen
jeweils wenigstens ein Leistungshalbleiterbauelement angeordnet
ist. Des weiteren weist die Leistungshalbleiter-Baugruppe zu ihrer
elektrischen Kontaktierung steckbare Anschlusskontakte auf, mit
welchen das Leistungshalbleitermodul in den Baugruppenträger einschiebbar
ist. Der Kühlkörper umfasst
einen ersten Kühlkörperabschnitt und
einen zweiten Kühlkörperabschnitt,
sowie einen zwischen diesen Kühlkörperabschnitten
angeordneten Raumbereich auf. In diesen Raumbereich ist die Leistungshalbleiter-Baugruppe
zumindest teilweise einführbar,
so dass zumindest eines der Leistungshalbleiterbauelemente (10a–e, 20a–e, 30a–e, 40a–e) mit
dem Kühlkörper (90)
in thermischem Kontakt steht. Der Kühlkörper weist einen Teil einer Rastvorrichtung
auf, dessen korrespondierender Teil ein Bestandteil des Gehäuses des
Baugruppenträgers
ist.The power semiconductor module system according to the invention comprises a rack with a housing, as well as with multiple slots, in each of which a power semiconductor module can be plugged. The power semiconductor module system further comprises a power semiconductor module having a power semiconductor module and a heat sink, wherein the power semiconductor module comprises a carrier having two opposite, each having a metallization sides, on each of which at least one power semiconductor device is arranged. Furthermore, the power semiconductor module has plug-in connection contacts for its electrical contacting, with which the power semiconductor module can be inserted into the module carrier. The heat sink comprises a first heat sink section and a second heat sink section, and a space region arranged between these heat sink sections. In this space region, the power semiconductor module is at least partially insertable, so that at least one of the power semiconductor components ( 10a -e, 20a -e, 30a -e, 40a -E) with the heat sink ( 90 ) is in thermal contact. The heat sink has a part of a latching device, whose corresponding part is a part of the housing of the rack.
Die
Leistungshalbleiter-Baugruppe und ein auf diese aufgesteckter Kühlkörper bilden
somit eine Einheit und können
daher auf einfache Weise gemeinsam montiert bzw. demontiert werden.The
Power semiconductor module and form a plugged on this heat sink
thus a unity and can
Therefore, be easily mounted or dismounted together.
Ein
Ausführungsbeispiel
eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls
und eines Baugruppenträgers
wird nachfolgend anhand der beigefügten Figuren näher erläutert. Es
zeigen:One
embodiment
a power semiconductor module according to the invention
and a subrack
will be explained in more detail with reference to the accompanying figures. It
demonstrate:
1 das
Schaltbild eines erfindungsgemäßen Halbleitermoduls, 1 the circuit diagram of a semiconductor module according to the invention,
2a eine
Draufsicht auf eine erste Seite einer Leistungshalbleiter-Baugruppe
eines erfindungsgemäßen Halbleitermoduls, 2a a top view of a first side of a power semiconductor module of a semiconductor module according to the invention,
2b einen
Querschnitt durch die Leistungshalbleiter-Baugruppe gemäß 2a, 2 B a cross section through the power semiconductor assembly according to 2a .
2c eine
Draufsicht auf eine der ersten Seite der Leistungshalbleiter-Baugruppe
gemäß den 2a und 2b gegenüberliegende
zweite Seite, 2c a plan view of one of the first side of the power semiconductor assembly according to the 2a and 2 B opposite second side,
3 ein
erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul
mit einer in den Hohlraum eines Kühlkörpers eingesteckten Leistungshalbleiter-Baugruppe,
das in einen Baugruppenträger
eingesteckt ist, im Querschnitt, 3 an inventive power semiconductor module with a plugged into the cavity of a heat sink power semiconductor module, which is plugged into a rack, in cross-section,
4 eine
Anzahl von Leistungshalbleitermodulen gemäß 3, die in
demselben Baugruppenträger
eingesteckt sind im Querschnitt, 4 a number of power semiconductor modules according to 3 , which are plugged into the same rack in cross-section,
5 eine
Seitenansicht auf eine Anzahl in einem Baugruppenträger eingesteckter
Leistungshalbleitermodule, 5 a side view of a number in a rack inserted power semiconductor modules,
5b eine Rastvorrichtung, mittels der ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul
mit dem Gehäuse
eines Baugruppenträgers
einrastbar ist, im Querschnitt, 5b a latching device, by means of which a power semiconductor module according to the invention can be latched to the housing of a module carrier, in cross-section,
6 einen
Ausschnitt eines in ein Gehäuse eingeschobener
Leistungshalbleitermoduls, das an seinem offenen Ende mit einer
Klammer versehen ist, im Querschnitt, 6 a section of a power semiconductor module pushed into a housing, which is provided with a clamp at its open end, in cross-section,
7a eine
Draufsicht auf das mit einer Klammer versehene Leistungshalbleitermodul
gemäß 6, 7a a plan view of the clamped power semiconductor module according to 6 .
7b eine
Seitenansicht des mit einer Klammer versehenen Leistungshalbleitermoduls
gemäß 7a, 7b a side view of the parenthesized power semiconductor module according to 7a .
7c eine
Rastvorrichtung, mittels der ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul
mit dem Gehäuse
eines Baugruppenträgers
verrastbar ist, im Querschnitt, und 7c a latching device by means of a power semiconductor module according to the invention with the housing of a rack is latched, in cross-section, and
8 eine
Seitenansicht eines in einem Gehäuse
angeordneten Baugruppenträgers
mit einer Anzahl von Sammelleitern. 8th a side view of a housing arranged in a rack with a number of bus bars.
1 zeigt
ein Schaltbild einer Halbbrücke, wie
sie gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform in
einem erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodul
realisiert ist. Sämtliche
in dem Schaltbild dargestellten Komponenten sind in einer Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 eines
erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls
enthalten. 1 shows a circuit diagram of a half-bridge, as it is realized according to a preferred embodiment in a power semiconductor module according to the invention. All components shown in the diagram are in a power semiconductor module 100 contain a power semiconductor module according to the invention.
Die
Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 umfasst einen ersten
und einen zweiten IGBT 10 bzw. 20. Zur Laststrecke
des ersten IGBTs 10 ist eine erste Diode 30 parallel
geschaltet. Entsprechend ist zur Laststrecke des zweiten IGBTs 20 eine
zweite Diode 40 parallel geschaltet. Zu ihrer äußeren elektrischen Kontaktierung
weist die Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 eine Anzahl
von Anschlusskontakten 101, 102, 103, 111, 113, 121 und 123 auf.The power semiconductor module 100 includes a first and a second IGBT 10 respectively. 20 , To the load path of the first IGBT 10 is a first diode 30 connected in parallel. Corresponding to the load path of the second IGBT 20 a second diode 40 connected in parallel. The power semiconductor module has its external electrical contact 100 a number of connection contacts 101 . 102 . 103 . 111 . 113 . 121 and 123 on.
Der
Kollektor 12 des ersten IGBTs 10 und die Kathode 32 der
ersten Diode 30 sind miteinander sowie mit dem ersten Anschlusskontakt 101,
der dem Eingang für
die positive Spannungsversorgung entspricht, elektrisch verbunden.
Der Emitter 21 des zweiten IGBTs 20 ist mit der
Anode 41 der zweiten Diode 40 sowie mit dem zweiten
Anschlusskontakt 102 der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100,
der den Eingang für
die negative Versorgungsspannung der Halbbrücke darstellt, elektrisch verbunden.
Des weiteren sind der Emitter 11 des ersten IGBT 10,
der Kollektor 22 des zweiten IGBT 20, die Anode 31 der
ersten Diode 30 und die Kathode 42 der zweiten
Diode 40 untereinander sowie mit einem dritten Anschlusskontakt 103 der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 verbunden.
Der dritte Anschlusskontakt 103 stellt den Ausgang der
Halbbrücke,
d. h. deren Lastanschluss dar.The collector 12 of the first IGBT 10 and the cathode 32 the first diode 30 are together and with the first connection contact 101 , which corresponds to the input for the positive voltage supply, electrically connected. The emitter 21 of the second IGBT 20 is with the anode 41 the second diode 40 as well as with the second connection contact 102 the power semiconductor module 100 , which represents the input for the negative supply voltage of the half-bridge, electrically connected. Furthermore, the emitter 11 of the first IGBT 10 , the collector 22 of the second IGBT 20 , the anode 31 the first diode 30 and the cathode 42 the second diode 40 with each other and with a third connection contact 103 the power semiconductor module 100 connected. The third connection contact 103 represents the output of the half-bridge, ie its load connection.
Die
gezeigte Halbbrücke
weist einen oberen Halbbrückenzweig
und einen unteren Halbbrückenzweig
auf. Der obere Halbbrückenzweig
umfasst den ersten IGBT 10 und die erste Diode 30,
sowie einen ersten Gate-Widerstand 61. Entsprechend umfasst
der untere Halbbrückenzweig
den zweiten IGBT 20, die zweite Diode 40 sowie
einen zweiten Gate-Widerstand 62. Der Emitter 11 des
ersten IGBT 10 ist mit einem vierten Anschlusskontakt 111 der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 verbunden.
Des weiteren ist ein Gate 13 des ersten IBGTs 10 über den
ersten Gate-Widerstand 61 mit einem fünften Anschlusskontakt 113 der
Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 verbunden. Der Emitter 21 des
zweiten IGBT 20 ist mit einem sechsten Anschlusskontakt 123 der Leistungshalbleiter-Baugruppe
verbunden. Ein Gate 23 des zweiten IGBT 20 ist über den
zweiten Gate-Widerstand 62 mit einem siebten Anschlusskontakt 123 der
Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 verbunden. Der fünfte Anschlusskontakt 113 stellt den
Steueranschluss des oberen Halbbrückenzweigs dar. Entsprechend
stellt der siebte Anschlusskontakt 123 den Steueranschluss
des unteren Halbbrückenzweigs
dar.The half-bridge shown has an upper half-bridge branch and a lower half-bridge branch. The upper half bridge branch comprises the first IGBT 10 and the first diode 30 , as well as a first gate resistor 61 , Accordingly, the lower half-bridge branch comprises the second IGBT 20 , the second diode 40 and a second gate resistor 62 , The emitter 11 of the first IGBT 10 is with a fourth connection contact 111 the power semiconductor module 100 connected. Furthermore, there is a gate 13 of the first IBGT 10 over the first gate resistor 61 with a fifth connection contact 113 the power semiconductor module 100 connected. The emitter 21 of the second IGBT 20 is with a sixth connection contact 123 connected to the power semiconductor module. A gate 23 of the second IGBT 20 is about the second gate resistance 62 with a seventh connection contact 123 the power semiconductor module 100 connected. The fifth connection contact 113 represents the control terminal of the upper half-bridge branch. Accordingly, the seventh terminal contact 123 the control terminal of the lower half-bridge branch.
2a zeigt
eine Leistungshalbleiter-Baugruppe eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls
in Draufsicht. Die Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 umfasst
einen Träger 50,
der vorzugsweise plattenartig ausgebildet ist und der eine beliebige,
vorzugsweise rechteckige Form aufweist. Der Träger 50 ist bevorzugt
aus keramischem Material oder aus Kunststoff gebildet. Der Träger kann
jedoch ebenso aus Metall, beispielsweise aus Kupfer, Aluminium oder
Legierungen dieser sowie anderer Metalle, gebildet und als Stranggussprofil
hergestellt sein. 2a shows a power semiconductor module of a power semiconductor module according to the invention in plan view. The power semiconductor module 100 includes a carrier 50 , which is preferably plate-like and has any, preferably rectangular shape. The carrier 50 is preferably formed of ceramic material or plastic. However, the carrier may also be formed of metal, such as copper, aluminum or alloys of these and other metals, and manufactured as a continuous casting profile.
Die
in 2a gezeigte Ansicht zeigt eine erste Seite 51 des
Trägers 50,
die eine strukturierte Metallisierung 53 mit Abschnitten 101a, 101b, 101c, 103a, 103b und 113 aufweist.
Die Abschnitte 101a, 101b und 101c sind
elektrisch leitend miteinander verbunden und entsprechen dem in 1 gezeigten Anschluss 101.
Ebenso sind die Abschnitte 103a und 103b elektrisch
leitend miteinander verbunden und entsprechen dem in 1 gezeigten
Anschluss 103.In the 2a shown view shows a first page 51 of the carrier 50 that a structured metallization 53 with sections 101 . 101b . 101c . 103a . 103b and 113 having. The sections 101 . 101b and 101c are electrically connected to each other and correspond to the in 1 shown connection 101 , Likewise, the sections 103a and 103b electrically connected to each other and correspond to the in 1 shown connection 103 ,
Auf
der ersten Seite 51 des Trägers 50 ist eine Anzahl
von IGBT-Chips 10a–10e angeordnet. Die
IGBT-Chips 10a–10e sind
zueinander parallel geschaltet und bilden zusammen den in 1 dargestellten
ersten IGBT 10. Die Kollektor-Anschlüsse der IGBT-Chips 10a–10e der
strukturierten Metallisierung 53 zugewandt und elektrisch
leitend mit dem Abschnitt 101c der Metallisierung 53 verbunden,
bevorzugt mit diesem verlötet.On the first page 51 of the carrier 50 is a number of IGBT chips 10a - 10e arranged. The IGBT chips 10a - 10e are connected in parallel to each other and together form the in 1 presented first IGBT 10 , The collector connections of the IGBT chips 10a - 10e the structured metallization 53 facing and electrically conductive with the section 101c the metallization 53 connected, preferably soldered to this.
Auf
ihrer der Metallisierung 53 abgewandten Seite weisen die
IGBT-Chips 10a–10e jeweils
einen Gate-Anschluss 13a–13e sowie Emitter-Anschlüsse 11a–11e auf.
Die elektrische Verschaltung dieser der Metallisierung 53 abgewandten
Seite der IGBT-Chips 10a–10e erfolgt mittels
einer Folientechnik, wie dies in 2a beispielhaft
anhand der Gate-Anschlüsse 13a–13e veranschaulicht
ist. Die Gate-Anschlüsse 13a–13e sind
mittels Verbindungsleitungen 73 elektrisch leitend miteinander
verbunden. Die miteinander verbunden Gate-Anschlüsse 13a–13e sind
des weiteren über
den ersten Gate-Widerstand 61 leitend mit einem Abschnitt 113 der
strukturierten Metallisierung 53 verbunden. Der Abschnitt 113 stellt
den fünften
Anschlusskontakt 113 der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100,
als deren Steueranschluss für den
oberen Halbbrückenzweig,
dar.On her the metallization 53 remote side have the IGBT chips 10a - 10e one gate each 13a - 13e as well as emitter connections 11a - 11e on. The electrical interconnection of this metallization 53 opposite side of the IGBT chips 10a - 10e takes place by means of a foil technique, as in 2a exemplified by the gate connections 13a - 13e is illustrated. The gate connections 13a - 13e are by means of connecting lines 73 electrically connected to each other. The interconnected gate connections 13a - 13e are also beyond the first gate resistance 61 conductive with a section 113 the structured metallization 53 connected. The section 113 represents the fifth connection contact 113 the power semiconductor module 100 , as its control terminal for the upper half-bridge branch, dar.
Die
Verbindungsleitungen 73 sind vorzugsweise als flache, elektrisch
leitende, beispielsweise metallische Leiterbahnen ausgeführt. Die
Verbindungsleitungen 73 sowie eine Verbindungsleitung 75,
die den ersten Gate-Widerstand 61 mit dem Abschnitt 113 der
strukturierten Metallisierung 53 verbindet, sind Bestandteil
der erwähnten
Folientechnik. Im Rahmen die ser Folientechnik kann der erste Gate-Widerstand 61 als
Schichtwiderstand ausgeführt
sein.The connection lines 73 are preferably designed as flat, electrically conductive, such as metallic conductor tracks. The connection lines 73 as well as a connecting line 75 that the first gate resistance 61 with the section 113 the structured metallization 53 are part of the mentioned film technology. In the context of this film technology, the first gate resistance 61 be designed as a sheet resistance.
Um
die Verbindungsleitungen 73, 75 bzw. den ersten
Gate-Widerstand 61 gegenüber anderen Komponenten
der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 elektrisch zu isolieren,
ist in 2a beispielhaft eine erste Isolierfolie 71 dargestellt,
die insbesondere zwischen den Verbindungsleitungen 73, 75 bzw.
dem ersten Gate-Widerstand 61 und den Abschnitten 101a, 103b, 103a und 101b der
strukturierten Metallisierung 53 sowie den Emitter-Anschlüssen 11a–11e angeordnet
ist. Auch die erste Isolierfolie 71 ist Bestandteil der
erwähnten
Folientechnik.To the connecting lines 73 . 75 or the first gate resistance 61 over other components of the power semiconductor module 100 electrically isolate is in 2a by way of example a first insulating film 71 shown in particular between the connecting lines 73 . 75 or the first gate resistor 61 and the sections 101 . 103b . 103a and 101b the structured metallization 53 and the emitter terminals 11a - 11e is arranged. Also the first insulating foil 71 is part of the mentioned film technology.
Die
Emitteranschlüsse 11a–11e sind
in entsprechender Weise, was in 2a nicht
dargestellt ist, mit dem Abschnitt 103a der strukturierten
Metallisierung 53 elektrisch leitend verbunden.The emitter connections 11a - 11e are in a similar way to what's in 2a not shown, with the section 103a the structured metallization 53 electrically connected.
Auf
der ersten Seite 51 des Trägers 50 sind außerdem Dioden-Chips 30a–30e angeordnet,
deren Kathoden-Anschlüsse
dem Abschnitt 101c der strukturierten Metallisierung 53 zugewandt
und elektrisch leitend mit diesem verbunden sind. Die der strukturierten
Metallisierung 53 abgewandten Anodenanschlüsse 31a–31e der
Dioden-Chips 30a–30e sind, was
in 2a nicht dargestellt ist, mittels der Folientechnik
elektrisch leitend mit dem Abschnitt 103a der strukturierten
Metallisierung 53 verbunden. Die Dioden-Chips 30a–30e bilden
zusammen die in 1 dargestellte erste Diode 30.On the first page 51 of the carrier 50 are also diode chips 30a - 30e arranged, whose cathode connections the section 101c the structured metallization 53 facing and electrically connected to this are connected. The structured metallization 53 remote anode connections 31a - 31e the diode chips 30a - 30e are what's in 2a is not shown, by means of the film technology electrically conductive with the section 103a the structured metallization 53 connected. The diode chips 30a - 30e together form the in 1 illustrated first diode 30 ,
Um
die in der beschriebenen Weise auf der ersten Seite 51 des
Trägers 50 angeordneten
Komponenten elektrisch voneinander zu isolieren und die Möglichkeit
zur Kontaktierung mit einem Kühlkörper zu
schaffen, kann auf der ersten Seite 51 des Trägers 50 noch
ein elastischer, wärmeleitender
Isolator angeordnet sein, der beispielsweise aus einem mit wärmeleitenden
Füllstoffen
angereicherten Elastomer gebildet sein kann. Mit tels eines derartigen
elastischen, wärmeleitenden
Isolators ist es möglich,
eine bevorzugt ebene, gleichmäßige Oberfläche zu schaffen,
die sich zur thermischen Kontaktierung mit einem Kühlkörper eignet.To the in the manner described on the first page 51 of the carrier 50 can electrically isolate arranged components from each other and to provide the opportunity for contacting with a heat sink, can on the first page 51 of the carrier 50 nor an elastic, heat-conducting insulator may be arranged, which may be formed for example from an enriched with thermally conductive fillers elastomer. By means of such an elastic, heat-conducting insulator, it is possible to provide a preferably flat, uniform surface, which is suitable for thermal contacting with a heat sink.
Eine
Ansicht der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 von einer
der ersten Seite 51 gegenüberliegenden zweiten Seite 52 des
Trägers 50 ist
in 2c dargestellt.A view of the power semiconductor assembly 100 from one of the first page 51 opposite second side 52 of the carrier 50 is in 2c shown.
Die
zweite Seite 52 weist eine strukturierte Metallisierung 54 mit
Abschnitten 102a, 102b, 102c, 103c, 103d und 123 auf.
Die Abschnitte 102a, 102b und 102c sind
elektrisch leitend miteinander verbunden und entsprechen dem in 1 gezeigten
Anschluss 102. Ebenso sind die Abschnitte 103c und 103c elektrisch
leitend miteinander sowie mittels nicht dargestellter Durchkontaktierungen
mit den in 2a dargestellten, auf der ersten
Seite 51 des Trägers 50 angeordneten
Abschnitten 103a und 103b elektrisch verbunden
und entsprechen elektrisch dem in 1 gezeigten
Anschluss 103.The second page 52 has a structured metallization 54 with sections 102 . 102b . 102c . 103c . 103d and 123 on. The sections 102 . 102b and 102c are electrically connected to each other and correspond to the in 1 shown connection 102 , Likewise, the sections 103c and 103c electrically conductive with each other and by means not shown through holes with in 2a shown on the first page 51 of the carrier 50 arranged sections 103a and 103b electrically connected and correspond electrically to the in 1 shown connection 103 ,
Des
weiteren ist auf der zweiten Seite 52 eine Anzahl IGBT-Chips 20a–20e angeordnet,
die parallel zueinander geschaltet sind und die zusammen den in 1 dargestellten
zweiten IGBT 20 bilden. Entsprechend ist auf der zweiten
Seite 52 des Trägers 50 eine
Anzahl Dioden-Chips 40a–40e angeordnet, die
ebenfalls parallel zueinander geschaltet sind und die zusammen die
in ebenfalls in 1 dargestellte zweite Diode 40 bilden.Further, on the second page 52 a number of IGBT chips 20a - 20e arranged, which are connected in parallel to each other and together in 1 illustrated second IGBT 20 form. Accordingly, on the second page 52 of the carrier 50 a number of diode chips 40a - 40e arranged, which are also connected in parallel to each other and together in the also in 1 illustrated second diode 40 form.
Die
Kollektoren der IGBT-Chips 20a–20e sind auf deren
dem Abschnitt 103d der strukturierten Metallisierung 54 zugewandten
Seite angeordnet und elektrisch leitend mit diesem Abschnitt 103b elektrisch
verbunden, bevorzugt mit diesem Abschnitt 103b verlötet. Entsprechend
sind die Kathoden-Anschlüsse
der Dioden-Chips 40a–40e auf
deren dem Abschnitt 103d zugewandten Seite angeordnet und
elektrisch leitend mit diesem Abschnitt 103d verbunden.The collectors of IGBT chips 20a - 20e are on theirs the section 103d the structured metallization 54 facing side and electrically conductive with this section 103b electrically connected, preferably with this section 103b soldered. Accordingly, the cathode terminals of the diode chips 40a - 40e on whose the section 103d facing side and electrically conductive with this section 103d connected.
Auf
der der Metallisierung 54 des Trägers 50 abgewandten
Seite der IGBT-Chips 20a–20e bzw. der Dioden-Chips 40a–40e sind
deren Gate-Anschlüsse
der 23a–23e,
deren Emitteranschlüsse 21a–21e bzw.
deren Anoden-Anschlüsse 41a–41e angeordnet
und mittels einer Folientechnik, wie anhand von 2a erläutert, elektrisch
verschaltet. Diese Verschaltung ist in 2c beispielhaft
für die Gate-Anschlüsse 23a–23e der
IGBT-Chips 20a–20e gezeigt.
Die Verschaltung erfolgt mittels Verbindungsleitungen 74, 76 bzw.
mittels eines bevorzugt als Schicht-Widerstand ausgebildeten zweiten Gate-Widerstands 62.
Die Verbindungsleitungen 74, 76 und der zweite
Gate-Widerstand 62 entsprechen den auf der ersten Seite 51 angeordneten
Verbindungsleitungen 73, 75 bzw. dem ersten Gate-Widerstand 61.
Zur elektrischen Isolierung der Verbindungsleitungen 74, 76 bzw.
des zweiten Gate-Widerstands 62 ist eine zweite Isolierfolie 72 vorgesehen.On the metallization 54 of the carrier 50 opposite side of the IGBT chips 20a - 20e or the diode chips 40a - 40e are their gate-on conclusions of the 23a - 23e , their emitter terminals 21a - 21e or their anode connections 41a - 41e arranged and by means of a foil technique, as based on 2a explained, electrically interconnected. This interconnection is in 2c exemplified for the gate connections 23a - 23e the IGBT chips 20a - 20e shown. The connection is made by means of connecting cables 74 . 76 or by means of a second gate resistor, which is preferably designed as a layer resistor 62 , The connection lines 74 . 76 and the second gate resistor 62 match those on the first page 51 arranged connecting lines 73 . 75 or the first gate resistor 61 , For electrical insulation of the connecting cables 74 . 76 or the second gate resistance 62 is a second insulating film 72 intended.
Die
Abschnitte 101a, 113, 103b, 103a und 101b der
strukturierten Metallisierung 53 der ersten Seite 51 des
Trägers 50 sowie
die Abschnitte 102a, 103c, 123, 102c und 102b der
strukturierten Metallisierung 54 der zweiten Seite 52 des
Trägers
sind, wie aus den 2a bzw. 2c ersichtlich,
entlang eines ersten Randes 50a des Trägers 50 angeordnet und
bilden Anschlusskontakte der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100.
Diese Anschlusskontakte sind als Abschnitte der strukturierten Metallisierungen 53, 54 des
Trägers
und daher bevorzugt flächig
ausgebildet, so dass der am Rand 50a angeordnete und mit den
Anschlusskontakten versehene Abschnitt des Trägers 50 eine Kontaktleiste 50b bildet,
mittels der die das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul 1 steckbar
kontaktiert werden kann. Bei einer derartigen Kontaktleiste 50b können alle
oder einzelne Anschlusskontakte 101a, 113, 103b, 103a, 101b, 102a, 103c, 123, 102c und 102b,
wie in den 2a und 2b dargestellt,
vom Rand 50a beabstandet sein. Ebenso können sich jedoch alle oder
einzelne Anschlusskontakte 101a, 113, 103b, 103a, 101b, 102a, 103c, 123, 102c und 102b bis
zum Rand 50a hin erstrecken.The sections 101 . 113 . 103b . 103a and 101b the structured metallization 53 the first page 51 of the carrier 50 as well as the sections 102 . 103c . 123 . 102c and 102b the structured metallization 54 the second page 52 of the vehicle are as out of the 2a respectively. 2c seen along a first edge 50a of the carrier 50 arranged and form terminal contacts of the power semiconductor module 100 , These terminal contacts are considered as sections of the structured metallizations 53 . 54 the carrier and therefore preferably flat, so that the edge 50a arranged and provided with the connection contacts portion of the carrier 50 a contact strip 50b forms, by means of which the power semiconductor module according to the invention 1 can be contacted pluggable. In such a contact strip 50b can all or individual connection contacts 101 . 113 . 103b . 103a . 101b . 102 . 103c . 123 . 102c and 102b as in the 2a and 2 B represented, from the edge 50a be spaced. Likewise, however, all or individual connection contacts 101 . 113 . 103b . 103a . 101b . 102 . 103c . 123 . 102c and 102b to the edge 50a extend.
2b zeigt
einen Querschnitt durch die Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 in
der in den 2a und 2c dargestellten
Ebene A-A'. 2 B shows a cross section through the power semiconductor assembly 100 in the in the 2a and 2c represented level A-A '.
Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform der
Erfindung sind, wie in 2b dargestellt, Halbleiterchips,
bevorzugt einander entsprechende Halbleiter-Chips 10a–10e und 20a–20e,
in Bezug auf den Träger 50 einander
gegenüberliegend
angeordnet. Hieraus ergibt sich ein Vorteil bezüglich der Kräfteverteilung,
wenn an die einander gegenüberliegenden
Seiten 51, 52 der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 beispielsweise
ein Kühlkörper angepresst
wird.According to a preferred embodiment of the invention, as in 2 B shown, semiconductor chips, preferably corresponding semiconductor chips 10a - 10e and 20a - 20e , in relation to the wearer 50 arranged opposite each other. This results in an advantage with respect to the distribution of forces when on the opposite sides 51 . 52 the power semiconductor module 100 For example, a heat sink is pressed.
In 2b sind
des weiteren die in den 2a bzw. 2c nicht
dargestellten elastischen, wärmeleitenden
Isolatoren 81, 82 gezeigt. Die elastischen, wärmeleitenden
Isolatoren 81, 82 isolieren die auf den ersten
bzw. zweiten Seiten 51 bzw. 52 des Trägers 50 angeordneten
elektrischen Komponenten. Des weiteren füllen die elastischen, wärmeleitenden
Isolatoren 81, 82 gegebenenfalls vorhandene Hohlräume auf
und schaffen eine gleichmäßige, bevorzugt
ebene Oberfläche,
die sich zur thermischen Kontaktierung mit einem Kühlkörper eignet.In 2 B are also the in the 2a respectively. 2c not shown elastic, heat-conducting insulators 81 . 82 shown. The elastic, heat-conducting insulators 81 . 82 isolate those on the first or second pages 51 respectively. 52 of the carrier 50 arranged electrical components. Furthermore, fill the elastic, heat-conducting insulators 81 . 82 possibly existing cavities and create a uniform, preferably flat surface, which is suitable for thermal contacting with a heat sink.
3 zeigt
ein erfindungsgemäßes steckbares
Leistungshalbleitermodul 1. Das Leistungshalbleitermodul 1 umfasst
eine Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 gemäß den 2a–2c und
ist in einer in den 2a–2c eingezeichneten
Schnittebene B-B' dargestellt. 3 shows a plug-in power semiconductor module according to the invention 1 , The power semiconductor module 1 includes a power semiconductor assembly 100 according to the 2a - 2c and is in one of the 2a - 2c drawn cutting plane BB 'shown.
Die
Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 ist teilweise durch eine Öffnung eines
Kühlkörpers in
einen Hohlraum 91 des Kühlkörpers 90 eingeschoben. Zwischen
der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 und
dem Kühlkörper 90 ist
optional eine bevorzugt wärmeleitende
Isolierschicht 80 angeordnet, um die e lektrische Isolierung
zwischen dem Kühlkörper 90 und
der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 zu gewährleisten,
ohne den Wärmeübergang
zwischen diesen Komponenten wesentlich zu beeinträchtigen.The power semiconductor module 100 is partially through an opening of a heat sink in a cavity 91 of the heat sink 90 inserted. Between the power semiconductor module 100 and the heat sink 90 is optionally a preferably thermally conductive insulating layer 80 Arranged to the e lectric insulation between the heat sink 90 and the power semiconductor assembly 100 without significantly affecting the heat transfer between these components.
Der
Kühlkörper 90 umfasst
zwei Kühlkörperabschnitte 90a, 90b,
die bevorzugt als zwei zueinander symmetrischen Hälften ausgebildet
sind, und die über
einen Verbindungssteg 96 des Kühlkörpers 90 miteinander
verbunden sind. Der Kühlkörper 90 ist bevorzugt
einstückig
ausgebildet, kann jedoch auch aus zwei oder mehreren miteinander
verbundenen, beispielsweise verschraubten, vernieteten oder verklammerten
Komponenten bestehen. Im Hohlraum 91 des Kühlkörpers 90 sind
einander zugewandt, jedoch durch einen Spalt 93 voneinander
beabstandet, zwei Anschläge 92 angeordnet.
Jeweils einer der Anschläge 92 ist
mit einem der einander gegenüberliegenden
Kühlkörperabschnitte 90a, 90b und
bevorzugt einstückig
mit dem betreffenden Kühlkörperabschnitt 90a bzw. 90b ausgebildet.
Der Kühlkörper 90 ist
vorzugsweise so ausgestaltet, dass seine beiden Kühlkörperabschnitte 90a, 90b in
einem gewissen Winkelbereich elastisch um eine Ruhelage aufeinander
zu und voneinander weg biegbar sind. Die Dimensionierung der entsprechenden
Kräfte
ist dabei so gewählt,
dass der auf die eingeschobene Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 angepasste
Kühlkörper 90 einen
Anpressdruck auf die Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 ausübt, so dass
ein guter Wärmeübergang
zwischen der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 und dem
Kühlkörper 90 gewährleistet
ist.The heat sink 90 includes two heat sink sections 90a . 90b , which are preferably formed as two mutually symmetrical halves, and via a connecting web 96 of the heat sink 90 connected to each other. The heat sink 90 is preferably formed in one piece, but may also consist of two or more interconnected, for example, screwed, riveted or clamped components. In the cavity 91 of the heat sink 90 are facing each other, but through a gap 93 spaced apart, two stops 92 arranged. One each of the attacks 92 is with one of the opposing heat sink sections 90a . 90b and preferably in one piece with the respective heat sink section 90a respectively. 90b educated. The heat sink 90 is preferably designed so that its two heat sink sections 90a . 90b in a certain angular range elastically about a rest position towards each other and away from each other are bendable. The dimensioning of the corresponding forces is chosen so that the on the inserted power semiconductor module 100 adapted heatsink 90 a contact pressure on the power semiconductor module 100 exerts, so that a good heat transfer between the power semiconductor assembly 100 and the heat sink 90 is guaranteed.
Die
maximale Einschubtiefe der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 ist
durch die Position der an den Kühlkörperabschnitte 90a, 90b angeordneten Anschläge 92 vorgegeben.The maximum insertion depth of the power semiconductor module 100 is by the position of the heat sink sections 90a . 90b arranged attacks 92 specified.
Der
nach dem Einschieben der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 zwischen
den Anschlägen 92 und
dem Verbindungssteg 96 verbleibende Abschnitt des Hohlraums 91 kann
beim Betrieb des Leistungshalbleitermoduls 1 von einem
kühlenden Medium,
bei spielsweise von Luft, durchströmt werden. Der Kühlkörper ist
bevorzugt aus einem gut wärmeleitenden
Material, beispielsweise Aluminium, Kupfer oder einer Legierung
dieser Metalle gebildet und kann sowohl eine glatte Oberfläche als
auch eine oberflächenvergrößernde Struktur
wie z. B. Kühlrippen
aufweisen.The after inserting the power semiconductor package 100 between the attacks 92 and the connecting bridge 96 remaining portion of the cavity 91 can during operation of the power semiconductor module 1 be traversed by a cooling medium, for example, of air. The heat sink is preferably formed of a highly thermally conductive material, such as aluminum, copper or an alloy of these metals and may have both a smooth surface and a surface-enlarging structure such. B. have cooling fins.
Der
Kühlkörper 90 weist
verallgemeinert, anstelle eines durch eine Öffnung zugänglichen Hohlraumes 91,
einen Raumbereich auf, der zwischen den Kühlkörperabschnitten 90a und 90b angeordnet ist
und in den eine Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 zumindest
teilweise einführbar
ist.The heat sink 90 indicates in general, instead of a cavity accessible through an opening 91 , a space area located between the heat sink sections 90a and 90b is arranged and in the a power semiconductor module 100 is at least partially insertable.
Ein
Abschnitt des mit den strukturierten Metallisierungen 53, 54 versehenen
Trägers 50 ragt
aus dem Hohlraum 91 des Kühlkörpers 90 über diesen
hinaus, so dass die Metallisierungen 53, 54 zur
elektrischen Kontaktierung des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls 1 genutzt
werden können.A section of the textured metallizations 53 . 54 provided vehicle 50 protrudes from the cavity 91 of the heat sink 90 beyond this, leaving the metallizations 53 . 54 for electrical contacting of the power semiconductor module according to the invention 1 can be used.
Die
elektrische Kontaktierung kann beispielsweise mittels eines im oberen
Bereich von 3 gezeigten Anschlusssystems
erfolgen. Das Anschlusssystem weist zwei einander gegenüberliegende
Anschlusskontakte 205, 206 mit jeweils einer Kontaktfeder 207 bzw. 208 auf,
wobei der Abstand der Kontaktfedern 207 und 208 so
gewählt
ist, dass sie nach dem Einschieben des Leistungshalbleitermoduls 1 in
das Anschlusssystem auseinandergedrückt werden und infolgedessen
einen Anpressdruck auf die Metallisierungen 53 bzw. 54 des
Trägers 50 ausüben, so
dass zwischen den Kontaktfedern 207, 208 und den
mit diesen kontaktierten strukturierten Metallisierungen 53 bzw. 54 der
Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 ein niedriger elektrischer Übergangswiderstand
vorliegt.The electrical contact can, for example, by means of a in the upper part of 3 done connection system. The connection system has two opposing connection contacts 205 . 206 each with a contact spring 207 respectively. 208 on, with the distance of the contact springs 207 and 208 is chosen so that it after insertion of the power semiconductor module 1 be pressed apart in the connection system and consequently a contact pressure on the metallizations 53 respectively. 54 of the carrier 50 exercise, so that between the contact springs 207 . 208 and the contacted with these structured metallizations 53 respectively. 54 the power semiconductor module 100 there is a low electrical contact resistance.
Die
Kontaktfedern 207, 208 sind Bestandteile der Anschlusskontakte 205 bzw. 206,
die elektrisch leitend mit Metallisierungen 203, 204 eines
Baugruppenträgers 200 verbunden
sind. Der Baugruppenträger 200 kann
entsprechend wie eine mit Lei terbahnen versehende elektrische Leiterplatte
ausgebildet sein. Der Baugruppenträger 200 ist bevorzugt
auf zwei einander gegenüberliegenden
Seiten mit strukturierten Metallisierungen 203, 204 versehen.
Weist der Baugruppenträger 200 zwei
oder mehr strukturierte Metallisierungen 203, 204 auf,
so können
einander gegenüberliegende,
voneinander beabstandete Metallisierungen 203, 204 mittels
Durchkontaktierungen 209 elektrisch miteinander verbunden
werden.The contact springs 207 . 208 are components of the connection contacts 205 respectively. 206 , which are electrically conductive with metallizations 203 . 204 a subrack 200 are connected. The rack 200 may be formed as a terbahnen with Lei-providing electrical circuit board accordingly. The rack 200 is preferred on two opposite sides with structured metallizations 203 . 204 Mistake. Indicates the rack 200 two or more structured metallizations 203 . 204 on, so may opposing, spaced-apart metallizations 203 . 204 by means of vias 209 electrically connected to each other.
Die
Kontaktfedern 207, 208 kontaktieren die Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 bevorzugt
voneinander gegenüberliegenden
Seiten. Optional kann jedoch auch nur eine Kontaktfeder 207 oder 208 vorgesehen
sein. Ebenso können
zwar zwei Kontaktfedern 207 und 208 vorgesehen
sein, von denen jedoch nur eine eine Metallisierung 53 oder 54 des
Trägers 50 kontaktiert.The contact springs 207 . 208 Contact the power semiconductor module 100 preferably opposite sides. Optionally, however, only one contact spring 207 or 208 be provided. Similarly, although two contact springs 207 and 208 be provided, of which, however, only one a metallization 53 or 54 of the carrier 50 contacted.
4 zeigt
einen Baugruppenträger 200,
in den mehrere Leistungshalbleitermodule 1, wie in 3 gezeigt,
eingeschoben sind. Die einzelnen Leistungshalbleitermodule 1 sind
durch die strukturierten Metallisierungen 203, 204 elektrisch
miteinander verschaltet. Die Verschaltung kann in prinzipiell beliebiger
Weise erfolgen, wie dies auch bei der Verschaltung von auf herkömmlichen
Leiterplatten miteinander verschalteten Bauelementen bekannt ist. 4 shows a rack 200 , in the several power semiconductor modules 1 , as in 3 shown, are inserted. The individual power semiconductor modules 1 are due to the structured metallizations 203 . 204 electrically interconnected. The interconnection can be done in principle any way, as is also known in the interconnection of interconnected on conventional circuit boards components.
Bei
der in der 4 gezeigten Schnittansicht ist
erkennbar, dass der Baugruppenträger 200 in
einem Gehäuse 300 angeordnet
ist. Die Leistungshalbleitermodule 1 ragen aus dem Gehäuse 300 hervor,
wodurch deren Kühlung
durch ein umströmendes
Medium, beispielsweise Luft, ermöglicht
wird.When in the 4 shown sectional view is that the rack 200 in a housing 300 is arranged. The power semiconductor modules 1 stick out of the case 300 resulting in their cooling by a flowing medium, such as air, is made possible.
5 zeigt
eine Seitenansicht der Anordnung gemäß 4 mit Blick
auf die Verbindungsstege 96 der Kühlkörper 90. Die Leistungshalbleitermodule 1 sind
mittels eines Nut-Federsystems 301, 94 in das
Gehäuse 300 des
Baugruppenträgers 200 eingeschoben
und dort mit einer nicht näher
dargestellten Rastvorrichtung verrastet. Das Nut-Feder-System 301, 94 um fasst
Nute 301, die bevorzugt am Gehäuse 300 angeordnet
sind, sowie Federn 94, die bevorzugt mit dem Leistungshalbleitermodul 1,
besonders bevorzugt mit dessen Kühlkörper 90,
befestigt sind und in die Nute 301 eingreifen. 5 shows a side view of the arrangement according to 4 overlooking the connecting bridges 96 the heat sink 90 , The power semiconductor modules 1 are by means of a tongue and groove system 301 . 94 in the case 300 of the subrack 200 pushed and locked there with a locking device not shown. The tongue and groove system 301 . 94 sums up Nute 301 , which prefers the housing 300 are arranged, as well as springs 94 preferred with the power semiconductor module 1 , particularly preferably with the heat sink 90 , are fastened and in the groove 301 intervention.
Ein
gestrichelter, kreisförmiger
Ausschnitt des Nut-Feder-Systems 301, 94 ist
in 6 vergrößert und
im Querschnitt dargestellt. Der Kühlkörper 90 weist an seinem
oberen Ende zwei voneinander beabstandete Fortsätze auf, die die Federn 94 des Nut-Feder-Systems 301, 94 bilden.
Die Federn 94 greifen in zwei entsprechend zueinander beabstandeten
Aussparungen des Gehäuses 300 ein,
die die Nute 301 bilden. Wie in 5 dargestellt,
ist ein entsprechendes Nut-Feder-System 94, 301 auch
am unteren Ende des Leistungshalbleitermoduls 1 angeordnet.A dashed, circular section of the tongue and groove system 301 . 94 is in 6 enlarged and shown in cross section. The heat sink 90 has at its upper end two spaced-apart extensions, which are the springs 94 of the tongue and groove system 301 . 94 form. The feathers 94 engage in two correspondingly spaced recesses of the housing 300 one, the groove 301 form. As in 5 shown, is a corresponding tongue and groove system 94 . 301 also at the lower end of the power semiconductor module 1 arranged.
Bei
dem Nut-Feder-System 94, 301 können die Nute jedoch auch am
Leistungshalbleitermodul 1 und die Stege 94 entsprechend
umgekehrt auch am Gehäuse 300 angeordnet
sein. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
weist das Leistungshalbleitermodul 1 an seinem oberen und
seinem unteren Ende jeweils zwei Nut-Feder-Paare 301, 94 auf.
Jedoch ist es ebenso möglich,
dass eine Seite des Leistungshalbleitermoduls 1 nur ein
oder gar kein solches Nut-Feder-Paar 301, 94 aufweist.In the tongue and groove system 94 . 301 However, the grooves can also on the power semiconductor module 1 and the footbridges 94 Correspondingly reversed on the housing 300 be arranged. In the present embodiment, the power semiconductor module 1 at its upper and its lower end two tongue and groove pairs 301 . 94 on. However, it is also possible that one side of the power semiconductor module 1 only one or none at all Tongue and groove pair 301 . 94 having.
Neben
dem Nut-Federsystem 301, 94 zeigt 6 noch
ein weiteres Detail einer bevorzugten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls 1.In addition to the tongue and groove system 301 . 94 shows 6 Yet another detail of a preferred embodiment of a power semiconductor module according to the invention 1 ,
Dabei
werden die Kühlkörperabschnitte 90a, 90b mittels
einer Federklammer 95 an die in dessen Hohlraum 91 eingeschobene
und in dieser Ansicht nicht erkennbare Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 gedrückt, um
einen guten thermischen Kontakt zwischen dem Kühlkörper 90 und der Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 herzustellen.
Um ein Abrutschen der Federklammer 95 in Richtung des Verbindungsstegs 96 zu
verhindern, kann der Kühlkörper 90 Aussparungen 97 aufweisen.
Des weite ren kann der Kühlkörper 90,
um ein Abrutschen der Federklammer 95 entgegen der Aufsteckrichtung
zu verhindern, mit Rastmulden 98 versehen sein, in die
die Federklammer 95 einrastet.This will be the heat sink sections 90a . 90b by means of a spring clip 95 to those in its cavity 91 inserted and not visible in this view power semiconductor module 100 pressed to a good thermal contact between the heat sink 90 and the power semiconductor assembly 100 manufacture. To slipping off the spring clip 95 in the direction of the connecting bridge 96 can prevent the heat sink 90 recesses 97 exhibit. The wide ren can the heat sink 90 to prevent the spring clip from slipping off 95 to prevent against the mounting direction, with locking recesses 98 Be provided in the spring clip 95 locks.
7a zeigt
eine Draufsicht auf das Leistungshalbleitermodul 1 auf
die Seite, von der die Federklammer 95 aufgesteckt ist.
Die Ansicht entspricht im Wesentlichen dem in 3 gezeigten
Leistungshalbleitermodul 1, wobei im Unterschied zu diesem das
Leistungshalbleitermodul 1 gemäß 7a mit
einer Federklammer 95 versehen ist. 7a shows a plan view of the power semiconductor module 1 to the side from which the spring clip 95 is plugged. The view is essentially the same as in 3 shown power semiconductor module 1 , wherein, in contrast to this, the power semiconductor module 1 according to 7a with a spring clip 95 is provided.
Bei
dem Leistungshalbleitermodul 1 gemäß 7a ist
darüber
hinaus noch eine weitere Funktion der Anschläge 92 erkennbar.In the power semiconductor module 1 according to 7a is also another function of the attacks 92 recognizable.
Durch
das Aufschieben der Federklammer 95 auf den Kühlkörper 90 werden
die Kühlkörperabschnitte 90a, 90b aufeinander
zu gedrückt
und an die in den Hohlraum 91 eingeschobene Leistunghalbleiter-Baugruppe 100 angedrückt. Durch
dieses Aneinanderdrücken
der Kühlkörperabschnitte 90a, 90b verkleinert
sich der Abstand zwischen den Anschläge 92. Im Extremfall
stoßen
die beiden Anschläge 92 aneinander
an, so dass der in 3 dargestellte Spalt 93 geschlossen
wird. Auf diese Weise lässt
sich die von der Federklammer 95 auf die Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 ausgeübte Anpresskraft
begrenzen. Die maximale Stärke
der Anpresskraft lässt
sich dabei durch die Größe des Spaltes 93 bei
nicht vorgespannten Kühlkörperabschnitten 90a, 90b,
d. h. in der Ruhelage des Kühlkörpers 90,
einstellen.By pushing the spring clip 95 on the heat sink 90 become the heat sink sections 90a . 90b pressed against each other and into the cavity 91 inserted power semiconductor module 100 pressed. By this pressing together the heat sink sections 90a . 90b decreases the distance between the stops 92 , In extreme cases, the two attacks 92 to each other, so that in 3 illustrated gap 93 is closed. This is how the spring clip can be adjusted 95 on the power semiconductor module 100 limit applied contact force. The maximum strength of the contact force can be determined by the size of the gap 93 for non-prestressed heat sink sections 90a . 90b , ie in the rest position of the heat sink 90 , to adjust.
7b zeigt
einen Abschnitt des Leistungshalbleitermoduls 1 gemäß 7a in
Seitenansicht. 7b shows a portion of the power semiconductor module 1 according to 7a in side view.
Der
Kühlkörper 90 ist
in dem für
die Federklammer 95 vorgesehenen Montagebereich ausgespart,
so dass Seitenflächen 99 am
Kühlkörper 90 entstehen,
die die montierte Federklammer 95 gegen Verrutschen sichern.The heat sink 90 is in the for the spring clip 95 provided mounting area recessed, so that side surfaces 99 on the heat sink 90 emerge that the mounted spring clip 95 secure against slipping.
7c zeigt
einen Querschnitt durch eine Rastvorrichtung, mittels der ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul 1 mit
dem Gehäuse
eines Baugruppenträgers
verrastbar ist. 7c shows a cross section through a locking device, by means of which a power semiconductor module according to the invention 1 can be locked with the housing of a subrack.
Das
Gehäuse 300 weist
auf seiner Oberseite 302 ein elastisches Gehäuseelement 303 auf,
das mit einem Rasthaken 304 versehen ist. Beim Einschieben
des Leistungshalbleitermoduls 1 in den nicht dargestellten
Baugruppenträger
rastet wird das Gehäuseelement 303 in
Pfeilrichtung gebogen, so dass dessen Rasthaken 304 in
eine im Kühlkörper 90,
beispielsweise in dessen Feder 94 ausgebildete Rastmulde 94a einrasten
kann.The housing 300 points to its top 302 an elastic housing element 303 on, that with a latching hook 304 is provided. When inserting the power semiconductor module 1 snapped into the subrack, not shown, the housing element 303 bent in the direction of the arrow, so that its latch hook 304 in one in the heat sink 90 For example, in the spring 94 trained resting recess 94a can engage.
Um
das Leistungshalbleitermodul 1 zu demontieren, muss lediglich
das elastische Gehäuseelement 303 in
Pfeilrichtung nach oben gezogen werden, um die Rastverbindung zu
lösen.To the power semiconductor module 1 To dismantle, only the elastic housing element 303 in the direction of the arrow are pulled up to release the locking connection.
Die
Rastmulde 94 kann an einer beliebigen geeigneten Stelle
des Kühlkörpers ausgebildet
sein. Ebenso ist es möglich,
eine entsprechende Rastvorrichtung derart auszugestalten, dass der
Rasthaken an einem elastischen, am Kühlkörper befestigten Element angebracht
ist, während
eine Rastmulde am Gehäuse 300 oder
am Baugruppenträger
angeordnet ist.The resting recess 94 may be formed at any suitable location of the heat sink. It is also possible to design a corresponding locking device such that the latching hook is attached to an elastic, attached to the heat sink element, while a detent recess on the housing 300 or is arranged on the rack.
8 zeigt
eine bevorzugte Ausführungsform
eines zur Aufnahme mehrere Leistungshalbleitermodule 1 vorgesehenen
Baugruppenträgers.
Die Anordnung ist derart ausgestaltet, dass mehrere gleichartige
Leistungshalbleitermodule 1 zueinander parallel geschaltet
werden können. 8th shows a preferred embodiment of a recording for receiving multiple power semiconductor modules 1 provided subrack. The arrangement is designed such that a plurality of identical power semiconductor modules 1 can be switched parallel to each other.
Der
Baugruppenträger
umfasst erste 311a, zweite 312a, dritte 343,
vierte 325, fünfte 323,
sechste 324, siebte 333, achte 311b und
neunte 312b Sammelleiter. Steckt man ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul 1,
dessen Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 gemäß den 2a–2c ausgebildet
ist, in den Baugruppenträger
gemäß 8, so
kommt es jeweils paar weise zu elektrischen Kontaktierungen zwischen
den Abschnitten 101b, 103a, 103b, 113 und 101a und
den Sammelleitern 311a, 323, 324, 333 und 311b,
d. h. A 101b mit S 311a, A 103a mit S 323,
A 103b mit S 324, A 113 mit S 333 und
A 101a mit S 311b, wobei ”A” für Abschnitt und ”S” für Sammelleiter
steht.The rack includes first 311 , second 312a third 343 , fourth 325 , fifth 323 , sixth 324 , seventh 333 , eighth 311b and ninth 312b Busbars. Inserting a power semiconductor module according to the invention 1 , its power semiconductor module 100 according to the 2a - 2c is formed in the rack according to 8th , so it comes in pairs to electrical contacts between the sections 101b . 103a . 103b . 113 and 101 and the Collectors 311 . 323 . 324 . 333 and 311b , ie A 101b with S 311 , A 103a with S 323 , A 103b with S 324 , A 113 with S 333 and A 101 with S 311b , where "A" stands for section and "S" stands for bus bar.
Entsprechend
kommt es bei den Abschnitten 102b, 102c, 123, 103c und 102a der
strukturierten Metallisierung 54 gemäß 2c und
den Sammelleitern 312a, 343, 325, 323 und 311b jeweils
paarweise zu elektrischen Kontaktierungen, d. h. A 102b mit
S 312a, A 102c mit S 343, A 123 mit
S 325, A 103c mit S 323 und A 102a mit
S 311b.The same applies to the sections 102b . 102c . 123 . 103c and 102 the structured metallization 54 according to 2c and the Collectors 312a . 343 . 325 . 323 and 311b in pairs for electrical contacts, ie A 102b with S 312a , A 102c with S 343 , A 123 with S 325 , A 103c with S 323 and A 102 with S 311b ,
An
den betreffenden Kontaktstellen sind jeweils Anschlusskontakte mit
nicht dargestellten Kontaktfedern angeordnet, wie sie anhand von 3 beschrieben
sind. Dabei weisen die ersten Sammelleiter 311a bzw. die
zweiten Sammelleiter 312a bzw. die achten Sammelleiter 311b und
die neunten Sammelleiter 312b mit Kontaktfedern versehene
Anschlusskontakte 313 bzw. 314 auf. Entsprechende
Anschlusskontakte der Sammelleiter 343, 325, 323, 324 und 333 sind
allgemein mit dem Bezugszeichen 350 versehen. Der Aufbau
aller Anschlusskontakte 313, 314, 350 entspricht
dem Aufbau der in 3 dargestellten Anschlusskontakte 205 bzw. 206 mit
ihren Kontaktfedern 207 bzw. 208.At the relevant contact points are ever Weil arranged terminal contacts with contact springs, not shown, as they are based on 3 are described. Here are the first busbars 311 or the second busbars 312a or the eighth multi-conductor 311b and the ninth busiest 312b contact pins provided with contact springs 313 respectively. 314 on. Corresponding connection contacts of the bus bars 343 . 325 . 323 . 324 and 333 are generally indicated by the reference numeral 350 Mistake. The structure of all connection contacts 313 . 314 . 350 corresponds to the structure of in 3 illustrated connection contacts 205 respectively. 206 with their contact springs 207 respectively. 208 ,
Während die
einander gegenüberliegenden Anschlusskontakt-Paare aus den Anschlusskontakten 313 und 314 elektrisch
voneinander getrennt sind, sind einander gegenüberliegende Anschlusskontakte 350,
die ein Paar bilden, dessen Kontaktfedern einander zugewandt sind,
elektrisch leitend miteinander verbunden.While the opposing terminal contact pairs from the terminal contacts 313 and 314 are electrically isolated from each other, are opposing terminal contacts 350 which form a pair whose contact springs face each other, electrically conductively connected to each other.
Die
ersten 311a, zweiten 312a, dritten 343, vierten 325,
fünften 323,
sechsten 324, siebten 333, achten 311b und
neunten 312b Sammelleiter können beispielsweise als stabile
me tallische Stromschienen ausgebildet sein, die mit den entsprechenden
Anschlusskontakten und Kontaktfedern versehen sind. In diesem Fall
besteht der Baugruppenträger
im wesentlichen aus den ersten 311a, zweiten 312a,
dritten 343, vierten 325, fünften 323, sechsten 324,
siebten 333, achten 311b und neunten 312b Sammelleitern.The first 311 second 312a , third 343 fourth 325 , fifth 323 sixth 324 , seventh 333 , respect, think highly of 311b and ninth 312b Busbars may be formed, for example, as stable me tallische busbars, which are provided with the corresponding terminal contacts and contact springs. In this case, the subrack consists essentially of the first 311 second 312a , third 343 fourth 325 , fifth 323 sixth 324 , seventh 333 , respect, think highly of 311b and ninth 312b Busbars.
Ebenso
ist es jedoch möglich,
dass diese Sammelleiter als Metallisierungen einer Leiterplatte entsprechend
dem in 3 dargestellten Anschluss-System ausgebildet sind.
Der Baugruppenträger
besteht in diesem Fall aus der die Metallisierungen 203, 304 aufweisenden
Leiterplatte 200.However, it is also possible that these bus bars as metallizations of a printed circuit board according to the in 3 illustrated connection system are formed. The rack consists in this case of the metallizations 203 . 304 having printed circuit board 200 ,
Bei
den ersten und zweiten bzw. achten und neunten in 8 dargestellten
Sammelleitern 311a und 312a bzw. 311b und 312b ist
zu beachten, dass der zweite Sammelleiter 312a in der vorliegenden Ansicht
hinter dem ersten Sammelleiter 311a angeordnet ist und
von diesem teilweise verdeckt wird. Entsprechend ist der neunte
Sammelleiter 312b hinter dem achten Sammelleiter 311b angeordnet
und wird teilweise von diesem verdeckt.In the first and second or eighth and ninth in 8th illustrated busbars 311 and 312a respectively. 311b and 312b It should be noted that the second busbar 312a in the present view behind the first bus bar 311 is arranged and is partially obscured by this. Accordingly, the ninth general is 312b behind the eighth busbar 311b arranged and is partially obscured by this.
Der
erste und zweite Sammelleiter 311a, 312a sowie
der achte und der neunte Sammelleiter 311b und 312b sind
jeweils voneinander beabstandet, bevorzugt ist zwischen den jeweils
voneinander beabstandteten Sammelleitern 311a und 312a bzw. 311b und 312b ein
Träger
angeordnet, auf dem alle in 8 dargestellten
Sammelleiter befestigt sind.The first and second busbar 311 . 312a as well as the eighth and the ninth general ladder 311b and 312b are each spaced from each other, is preferred between each spaced apart bus bars 311 and 312a respectively. 311b and 312b a carrier arranged on which all in 8th fixed bus bars are attached.
Die
Steckplätze
für die
erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodule 1 sind
in 8 gestrichelt angedeutet.The slots for the power semiconductor modules according to the invention 1 are in 8th indicated by dashed lines.
Die
erfindungsgemäßen, steckbaren
Leistungshalbleitermodule 1 können in beliebiger Weise abgewandelt
werden. Deren Leistungshalbleiter-Baugruppen 100 sind dabei
nicht auf die in den 2a–2c dargelegte
Ausführungsform
beschränkt.
Generell ist es jedoch vorteilhaft, wenn die mit einem An schluss-System
gemäß 3 zu
kontaktierenden Abschnitte 101a, 113, 103b, 103a und 101b der
strukturierten ersten Metallisierung 53 der in 2a dargestellten
Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 sowie die ebenfalls mit
dem Anschluss-System
gemäß 3 zu
kontaktierenden Abschnitte 102a, 103b, 123, 102c und 102b der
strukturierten zweiten Metallisierung 54 der in 2c dargestellten Leistungshalbleiter-Baugruppe 100 im
Randbereich, d. h. nahe eines Randes 50a des Trägers 50 einander
gegenüberliegend
angeordnet sind. Diese Anordnung der betreffenden Abschnitte 101a, 113, 103b, 103a,
und 101b bzw. 102a, 103b, 123, 102c und 102b der
Metallisierungen 53 bzw. 54 erleichtert die elektrische
Kontaktierung mit dem beschriebenen Anschlusssystem.The plug-in power semiconductor modules according to the invention 1 can be modified in any way. Their power semiconductor modules 100 are not on the in the 2a - 2c limited embodiment. In general, however, it is advantageous if the connection system with a con nection 3 to be contacted sections 101 . 113 . 103b . 103a and 101b the structured first metallization 53 the in 2a shown power semiconductor module 100 as well as with the connection system according to 3 to be contacted sections 102 . 103b . 123 . 102c and 102b the structured second metallization 54 the in 2c shown power semiconductor module 100 in the edge area, ie near an edge 50a of the carrier 50 are arranged opposite one another. This arrangement of the relevant sections 101 . 113 . 103b . 103a , and 101b respectively. 102 . 103b . 123 . 102c and 102b the metallizations 53 respectively. 54 facilitates the electrical contact with the described connection system.
Die
in einem Baugruppenträger
miteinander verschalteten, erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodule 1 müssen nicht
notwendigerweise parallel verschaltet werden. Ihre Verschaltung
ist prinzipiell beliebig und kann insbesondere mittels Leiterbahnen,
wie sie die Metallisierungen 203, 204 der ersten bzw.
zweiten Seite 201 bzw. 202 des in 7a dargestellten
Baugruppenträgers
darstellen, in beliebiger Weise erfolgen. Insbesondere ist es auch
möglich,
entsprechend der beschriebenen Weise unterschiedliche Leistungshalbleitermodule 1 auf
einem gemeinsamen Baugruppenträger
miteinander zu verschalten.The interconnected in a rack, power semiconductor modules according to the invention 1 do not necessarily have to be connected in parallel. Their interconnection is in principle arbitrary and can in particular by means of conductor tracks, like the metallizations 203 . 204 the first or second page 201 respectively. 202 of in 7a represent subrack shown done in any way. In particular, it is also possible, according to the manner described, different power semiconductor modules 1 to interconnect on a common rack.
-
11
-
LeistungshalbleitermodulThe power semiconductor module
-
1010
-
Erster
IGBTfirst
IGBT
-
10a–e10a-e
-
IGBT-Chip
des ersten IGBTIGBT chip
of the first IGBT
-
1111
-
Emitter
des ersten IGBTemitter
of the first IGBT
-
11a–e11a-e
-
Emitter-AnschlüsseEmitter terminals
-
1212
-
Kollektor
des ersten IGBTcollector
of the first IGBT
-
1313
-
Gate
des ersten IGBTgate
of the first IGBT
-
13a–e13a-e
-
Gate-AnschlüsseGate terminals
-
2020
-
Zweiter
IGBTsecond
IGBT
-
20a–e20a-e
-
IGBT-Chip
des zweiten IGBTIGBT chip
of the second IGBT
-
2121
-
Emitter
des zweiten IGBTemitter
of the second IGBT
-
21a–e21a-e
-
Emitter-AnschlüsseEmitter terminals
-
2222
-
Kollektor
des zweiten IGBTcollector
of the second IGBT
-
2323
-
Gate
des zweiten IGBTgate
of the second IGBT
-
23a–e23a-e
-
Gate-AnschlüsseGate terminals
-
3030
-
Erste
DiodeFirst
diode
-
30a–e30a-e
-
Dioden-ChipsDiode Chips
-
3131
-
Andode
der ersten Diodeanode of
the first diode
-
31a–e31a-e
-
Anoden-AnschlüsseAnode connections
-
3232
-
Kathode
der ersten Diodecathode
the first diode
-
4040
-
Zweite
DiodeSecond
diode
-
40a–e40a-e
-
Dioden-ChipsDiode Chips
-
4141
-
Andode
der zweiten Diodeanode of
the second diode
-
41a–e41a-e
-
Anoden-AnschlüsseAnode connections
-
4242
-
Kathode
der zweiten Diodecathode
the second diode
-
5050
-
Trägercarrier
-
50a50a
-
Erster
Rand des Trägersfirst
Edge of the carrier
-
50b50b
-
Kontaktleistecontact strip
-
5151
-
Erste
Seite des TrägersFirst
Side of the carrier
-
5252
-
Zweite
Seite des TrägersSecond
Side of the carrier
-
5353
-
Metallisierung
auf der ersten Seite des Trägersmetallization
on the first side of the carrier
-
5454
-
Metallisierung
auf der zweiten Seite des Trägersmetallization
on the second side of the carrier
-
6161
-
erster
Gate-Widerstandfirst
Gate resistance
-
6262
-
zweiter
Gate-Widerstandsecond
Gate resistance
-
7171
-
erste
Isolierfoliefirst
insulation
-
7272
-
zweite
Isolierfoliesecond
insulation
-
73–7673-76
-
Verbindungsleitungconnecting line
-
8080
-
wärmeleitende
Isolierschichtthermally conductive
insulating
-
81,
8281,
82
-
elastischer,
wärmeleitender
Isolatorelastic
thermally conductive
insulator
-
9090
-
Kühlkörperheatsink
-
90a,
90b90a,
90b
-
KühlkörperabschnitteHeatsink sections
-
9191
-
Hohlraum
des Kühlkörperscavity
of the heat sink
-
9292
-
Anschlagattack
-
9393
-
Spaltgap
-
9494
-
Federfeather
-
94a94a
-
Rastmuldecatch recess
-
9595
-
Federklammerspring clip
-
9696
-
Verbindungsstegconnecting web
-
9797
-
Aussparungrecess
-
9898
-
Rastmuldecatch recess
-
9999
-
Seitenflächeside surface
-
100100
-
Leistungshalbleiter-BaugruppeThe power semiconductor module
-
101101
-
erster
Anschlusskontakt (Eingang positive Brückenspannung)first
Connection contact (input positive bridge voltage)
-
101a–c101a-c
-
Abschnitt
des ersten Anschlusskontaktessection
of the first connection contact
-
102102
-
zweiter
Anschlusskontakt (Eingang negative Brückenspannung)second
Connection contact (input negative bridge voltage)
-
102a–c102a-c
-
Abschnitt
des zweiten Anschlusskontaktessection
of the second connection contact
-
103103
-
dritter
Anschlusskontakt (Lastanschluss)third
Connection contact (load connection)
-
103a–e103a-e
-
Abschnitt
des dritten Anschlusskontaktessection
of the third connection contact
-
111111
-
vierter
Anschlusskontakt (Emitteranschluss oberer Halbbrückenzweig)fourth
Connection contact (emitter connection upper half-bridge branch)
-
113113
-
fünfter Anschlusskontakt
(Steueranschluss oberer Halbbrückenzweig)fifth connection contact
(Control connection upper half-bridge branch)
-
121121
-
sechster
Anschlusskontakt (Emitteranschluss unterer Halbbrückenzweig)sixth
Connection contact (emitter connection lower half-bridge branch)
-
123123
-
siebter
Anschlusskontakt (Steueranschluss unterer Halbbrückenzweig)seventh
Connection contact (control connection lower half-bridge branch)
-
200200
-
Baugruppenträgerrack
-
201201
-
Erste
Seite des BaugruppenträgersFirst
Side of the subrack
-
202202
-
Zweite
Seite des BaugruppenträgersSecond
Side of the subrack
-
203203
-
Metallisierung
der ersten Seite des Baugruppenträgersmetallization
the first page of the rack
-
204204
-
Metallisierung
der zweiten Seite des Baugruppenträgersmetallization
the second side of the subrack
-
205205
-
Anschlusskontaktconnection contact
-
206206
-
Anschlusskontaktconnection contact
-
207207
-
Kontaktfedercontact spring
-
208208
-
Kontaktfedercontact spring
-
209209
-
Durchkontaktierungvia
-
300300
-
Gehäusecasing
-
301301
-
Nutgroove
-
302302
-
Oberseite
des Gehäusestop
of the housing
-
303303
-
Elastisches
Gehäuseelementelastic
housing element
-
304304
-
Rasthakenlatch hook
-
311a311
-
erster
Sammelleiterfirst
busbars
-
311b311b
-
achter
Sammelleitereight
busbars
-
312a312a
-
zweiter
Sammelleitersecond
busbars
-
312b312b
-
neunter
Sammelleiterninth
busbars
-
313313
-
Anschlusskontakt
mit Kontaktfeder von erstem Sammelleiterconnection contact
with contact spring from first busbar
-
314314
-
Anschlusskontakt
mit Kontaktfeder von zweitem Sammelleiterconnection contact
with contact spring from second busbar
-
323323
-
fünfter Sammelleiterfifth bus conductor
-
324324
-
sechster
Sammelleitersixth
busbars
-
325325
-
vierter
Sammelleiterfourth
busbars
-
333333
-
siebter
Sammelleiterseventh
busbars
-
343343
-
dritter
Sammelleiterthird
busbars
-
350350
-
Anschlusskontakte
mit Kontaktfedernterminals
with contact springs
