DE102004057804A1 - Gehäusekörper für einen Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Gehäusekörper (1) für einen Halbleiterchip (11) beschrieben, der ein gegossenes Keramikmaterial enthält. In diesen Gehäusekörper (1) ist ein Leiterrahmen (2) teilweise eingebettet.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Gehäusekörper für einen Halbleiterchip sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • In der Druckschrift DE 195 36 454 A1 wird ein Gehäusekörper für einen Halbleiterchip beschrieben, der durch Umspritzen eines metallischen Leiterrahmens mit einem Kunststoff hergestellt wird.
  • Ferner ist aus der Druckschrift Patent Abstracts of Japan Nr. JP 09-045965 ein Gehäusekörper aus Keramikmaterial für eine LED bekannt, der aus einem Green-sheet hergestellt wird.
    •
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Gehäusekörper, der sich möglichst einfach herstellen lässt, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden durch einen Gehäusekörper mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 17 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Ein Gehäusekörper für einen Halbleiterchip, beispielsweise eine Lichtemissionsdiode, weist Keramikmaterial auf.
  • In einem Gieß-Verfahren, beispielsweise einem Spritzguss- oder Spritzpressverfahren, wird ein Leiterrahmen mit diesem Keramikmaterial umgossen, so dass ein Gehäusekörper entsteht, der gegossenes Keramikmaterial enthält und außerdem einen Leiterrahmen, der teilweise eingebettet ist. Die teilweise Einbettung des Leiterrahmens ermöglicht beispielsweise eine Kontaktierung des Leiterrahmens von außen, so dass ein Halbleiterchip in Betrieb genommen werden kann.
  • Ein Gehäusekörper, der Keramikmaterial, bevorzugt mit Al2O3 oder ZrO2 oder einer Mischung aus beiden, enthält, kann sich beispielsweise als verschleißfest, korrosionsbeständig, W-stabil und vor allem sehr gut wärmeleitend erweisen, wodurch eventuell auf eine Wärmesenke verzichtet werden kann. Dadurch kann möglicherweise ein Herstellungsschritt, nämlich die Einbringung einer zusätzlichen Wärmesenke, im Herstellungsverfahren eingespart werden.
  • In einer bevorzugten Ausführung weist der Gehäusekörper eine Ausnehmung auf, die zur Aufnahme eines Halbleiterchips, beispielsweise einer Lichtemissionsdiode, vorgesehen ist. Durch ein Gieß-Verfahren, wie beispielsweise Spritzgießen bzw. Spritzpressen, sind komplexe Gehäusegeometrien realisierbar. Besonders bevorzugt weist der Gehäusekörper allerdings eine symmetrische Form auf, ebenso die Ausnehmung. Vorzugsweise ist diese im Bezug auf den Gehäusekörper zentriert angeordnet und rotationssymmetrisch ausgebildet.
  • Bei einer besonders bevorzugten Verwendung des Gehäusekörpers für einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, weist die Ausnehmung ein Strahlungsaustrittsfenster auf. Die Innenfläche der Ausnehmung dient hierbei vorzugsweise als Reflektor.
  • Der Reflexionsgrad des Reflektors kann durch Partikel, beispielweise aus TiO2, gesteigert werden, die vorzugsweise im gesamten Gehäusekörper verteilt sind. Dadurch kann die gerichtete Lichtemission erhöht werden.
  • Um den Chip vor äußeren Einwirkungen zu schützen, erweist es sich als günstig, diesen mit einem Verguss zu umhüllen. Dieser Verguss kann zugleich als Füllmaterial für die gesamte Ausnehmung dienen. Als Vergussmaterialien eignen sich Reaktionsharze wie beispielweise Epoxidharze, Acrylharze, Silikonharze und Polyurethanharze. Um eine besonders gute Haftung zwischen den Flächen der Ausnehmung und dem Vergussmaterial zu erzielen, kann vorzugsweise Silikon verwendet werden.
  • Ferner können sich Hybridmaterialien wie z. B. Mischungen aus Epoxidharzen und Silikon als besonders geeignet herausstellen, da sie gegenüber Silikon die Vorteile kürzerer Aushärtezeiten und besserer Entformbarkeit aufweisen und gegenüber Epoxidharzen den Vorteil gesteigerter UV-Stabilität.
  • In der Ausnehmung ist für den Chip vorzugsweise eine Montagefläche vorgesehen, die sich bei einem beispielsweise einteiligen Leiterrahmen, der an die Ausnehmung grenzt, besonders bevorzugt auf dem Leiterrahmen befindet. Vorteilhafterweise ist der Leiterrahmen mit einer Kontaktschicht, beispielsweise aus Silber, Gold oder Nickel-Palladium versehen. Denkbar ist ferner, dass an die Ausnehmung eine Wärmesenke grenzt, die wahlweise zum Leiterrahmen als Montagefläche verwendet werden kann.
  • Außerdem lassen sich bekannte und herkömmlich eingesetzte Methoden zur Montage und zur elektrischen Kontaktierung von Chips anwenden.
  • In einer bevorzugten Ausführung ist der Leiterrahmen einteilig und selbsttragend ausgebildet. Diese mögliche Ausbildung des Leiterrahmens als ein zusammenhängendes, vorzugsweise streifenförmiges Teil erweist sich als vorteilhaft für die Gesamtstabilität des Gehäusekörpers, in den der Leiterrahmen eingebettet ist.
  • Auch erweisen sich Vertiefungen, die in den Leiterrahmen eingebracht und beim Umspritzen des Leiterrahmens mit Keramikmaterial gefüllt werden, als vorteilhaft für die Gesamtstabilität. Sie verringern die Gefahr einer Relativbewegung zwischen Gehäusekörper und Leiterrahmen. Besonders bevorzugt wird der Leiterrahmen vor dem Umspritzen mit Keramikmaterial separat vorgeformt, wobei die Vertiefungen erzeugt werden können. Hierbei stellt es sich als besonders günstig heraus, den Leiterrahmen mit einer endlichen Dicke zu formen.
  • Die Dicke des Leiterrahmens kann durch partielles Ausdünnen zwischen dessen beiden Enden variiert werden, was ebenfalls den Vorteil einer verbesserten Haftung hat.
  • In einer möglichen Ausführung werden durch das Stanzen des Leiterrahmens hakenförmige Stanzgraten erzeugt, die eine allzu leichte Ablösung des Keramikmaterials vom Leiterrahmen erschweren.
  • Um die Haftung weiter zu verbessern, können auf dem Leiterrahmen Haftvermittler, beispielsweise Silikate, aufgetragen sein.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäusekörpers angegeben, bei dem zunächst ein Leiterrahmen bereitgestellt und in eine Spritzform eingelegt wird. Vorzugsweise wird der Leiterrahmen vorgeheizt, bevor er in die Spritzform eingelegt wird. Dadurch kann beispielsweise einem Nachstellen bzw. Anpassen des Gusswerkzeugs vorgebeugt werden, wenn sich der Leiterrahmen aufgrund einer Temperaturerhöhung beim Einfüllen des Keramikmaterials ausdehnt. Ferner kann dadurch verhindert werden, dass aufgrund der kontinuierlichen Erwärmung des Leiterrahmens beim Einfüllen der Gussmasse Wärmeunterschiede entstehen, die ein unterschiedliches Fließverhalten des Keramikmaterials bewirken.
  • Der Leiterrahmen kann vor Beginn oder nach Abschluss des Keramikspritzgießens (bzw. -pressens) mit einer bondfähigen Schicht, beispielsweise aus Silber, Gold oder Nickel-Palladium, versehen werden.
  • Die Spritzform bildet um den Leiterrahmen vorzugsweise eine Kavität zur Ausbildung des Gehäusekörpers. Mit Hilfe einer Spritzdüse wird eine Spritzmasse eingefüllt und die Kavität der Spritzform gefüllt. Es entsteht ein „premolded Leadframe", was bedeutet, dass der Leiterrahmen vor der Montage eines Chips mit einem Gehäusekörper umspritzt wird.
  • Durch den Verfahrensschritt des Aussinters (s.u.) entweichen thermische Binder (z. B. Wachse), was einen Materialschwund zur Folge hat, wodurch das Keramikmaterial auf den Leiterrahmen aufschrumpft und besser haftet.
  • Der Gehäusekörper wird entformt, sobald das Gießmaterial auf ausreichende Entformfestigkeit abgekühlt ist, was vorteilhafter Weise ohne wesentliche Wartezeit nach der Herstellung erfolgen kann. Dadurch ergeben sich kurze Prozesszeiten, die zu Kostenvorteilen führen.
  • Des weiteren ergeben sich Kostenvorteile, weil sich das Keramik-Spritzguss(bzw. -press-)verfahren als Produktionstechnik für die Massenfertigung eignet, beispielsweise in „Reel to Reel" (Endlosband)- Prozessen. Aber auch „Batch" prozesse (Nutzenfertigung) sind möglich.
    •
  • Weitere Merkmale, Vorteile und Weiterbildungen eines Gehäusekörpers ergeben sich aus den nachfolgend in Verbindung mit den 1 bis 6 erläuterten Ausführungsbeispielen.
  • Es zeigen
  • 1a und 1b eine Schnittansicht bzw. eine schematische Draufsicht eines ersten und zweiten Ausführungsbeispiels eines Gehäusekörpers,
  • 2 eine schematische, perspektivische Schnittansicht eines dritten Ausführungsbeispiels eines Gehäusekörpers,
  • 3 eine schematische, perspektivische Ansicht eines vierten Ausführungsbeispiels eines Gehäusekörpers,
  • 4 eine schematische, perspektivische Ansicht eines fünften Ausführungsbeispiels eines Gehäusekörpers,
  • 5 einen schematischen Querschnitt eines sechsten Ausführungsbeispiels eines Gehäusekörpers, und
  • 6 eine schematische Seitenansicht eines siebten Ausführungsbeispiels eines Gehäusekörpers.
  • Der in 1a und 1b dargestellte Leiterrahmen 2 ist in einen Gehäusekörper 1 teilweise eingebettet. Dieser Gehäusekörper kann in einem Spritzguss- oder Spritzpressverfahren entstehen, wobei der Leiterrahmen vorzugsweise mit einem Keramikmaterial umspritzt wird.
  • In dem Ausführungsbeispiel ist der Leiterrahmen einteilig und weist Verbiegungen 3 auf, die so gestaltet sein können, dass die Leiterrahmenenden eine Auflagefläche berühren, während der Leiterrahmen um die Mittellinie A-A gegenüber der Auflagefläche erhöht ist. Besonders bevorzugt hat der Leiterrahmen eine Dicke 25, 26 zwischen 40 und 400 μm.
  • Die Verbiegungen können zu einer verbesserten Haftung zwischen dem Leiterrahmen und dem Gehäusekörper beitragen und erschweren eine mögliche Relativbewegung zwischen Leiterrahmen und Gehäusekörper.
  • Ebenso können mechanische Verankerungen 5, dargestellt in 1b, bzw. Vertiefungen, die der Leiterrahmen aufweist und die beim Umhüllen des Leiterrahmens mit Gussmaterial gefüllt werden, zur besseren Haftung zwischen Leiterrahmen und Gehäusekörper beitragen.
  • In 1a zeigt der Gehäusekörper eine zentrische Einsenkung 6, die rotationssymmetrisch ausgebildet sein kann. Die Seitenflächen 7 der Einsenkung können als Reflektorflächen dienen. Der Gehäusekörper enthält vorzugsweise Partikel 8 aus TiO2, die eine reflexionssteigernde Wirkung haben. Auf der Bodenfläche der Ausnehmung 6 ist eine Chipmontagefläche 10 zur Aufnahme eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 11 vorgesehen, die Teil des Leiterrahmens 2 sein kann.
  • Vorteilhafterweise wird der Halbleiterchip 11 mit einem Vergussmaterial, vorzugsweise einem Reaktionsharz, umhüllt. Dieses Vergussmaterial kann die gesamte Ausnehmung ausfüllen. Ferner ist es möglich, in der Ausnehmung ein Konversionselement anzuordnen, so dass im Bauelement Lichtstrahlen von mindestens zwei verschiedenen Wellenlängen entstehen können.
  • In 2 ist perspektivisch ein Längsschnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines Gehäusekörpers dargestellt. Der Gehäusekörper 1 enthält Keramikmaterial und wird mittels eines Spritzguss- oder Spritzpressverfahrens hergestellt.
  • In den Gehäusekörper 1 ist ein Leiterrahmen 2 mit zwei elektrischen Anschlussteilen 12a, b und einem darin befindlichen thermischen Anschlussteil 13 (Wärmesenke), sowie Lötanschlussstreifen 17a, b eingebettet, wobei letztere aus dem Gehäusekörper herausragen. Auf der Seite des Chipanschlussbereichs 10 ist die Wärmesenke 13 weitgehend plan ausgebildet.
  • Die Wärmesenke 13 ist dabei so innerhalb des Gehäusekörpers 1 angeordnet, dass die Bodenfläche 14 der Wärmesenke 13 einen Teil der Gehäusekörperauflagefläche 4 bildet. Zur mechanisch stabilen Verankerung in dem Gehäusekörper ist die Wärmesenke mit umfangsseitig angeordneten Vorsprüngen 15 versehen.
  • Der Auflagefläche 4 gegenüberliegend ist als Strahlungsaustrittsfenster eine Ausnehmung 6 in dem Gehäusekörper geformt, die zu der Chipmontagefläche 10 auf der Wärmesenke 13 führt, so dass ein darauf zu befestigender strahlungsemittierender Halbleiterchip sich innerhalb des Strahlungsaustrittsfensters 6 befindet. Die Seitenflächen 7 des Strahlungsaustrittsfensters 6 sind angeschrägt und dienen als Reflektor für die von einem solchen Chip im Betrieb erzeugte Strahlung.
  • 3 zeigt eine perspektivische Ansicht auf die Auflagefläche eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Gehäusekörpers. Wie bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die Bodenfläche 14 der Wärmesenke 13 aus dem Gehäusekörper 1 herausgeführt. Dabei steht die Bodenfläche 14 der Wärmesenke 13 etwas aus dem Gehäusekörper 1 vor, so dass im eingebauten Zustand eine sichere Auflage und ein guter Wärmeübergang zwischen der Wärmesenke 13 und einem entsprechenden Träger wie beispielsweise einer Leiterplatte oder einem Kühlkörper gewährleistet ist.
  • Im Unterschied zu dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel weist der Gehäusekörper 1 eine seitliche, von der Wärmesenke 13 zu einer Seitenfläche des Gehäusekörpers 1 verlaufende Nut 16 auf. Ist das Gehäuse auf einen Träger montiert, so erlaubt diese Nut 16 auch im eingebauten Zustand eine Kontrolle der Verbindung zwischen dem Gehäuse und dem Träger. Insbesondere kann damit eine Lötverbindung zwischen dem Träger und der Wärmesenke überprüft werden.
  • In 4 ist eine schematische, perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels eines strahlungsemittierenden Bauelements dargestellt, das als eine bevorzugte Weiterbildung des Gehäusekörpers gilt.
  • Wie bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel ist ein Leiterrahmen 2 mit einer eingeknüpften Wärmesenke 13 weitgehend in den Gehäusekörper 1 eingebettet, so dass lediglich die Lötanschlussstreifen 17a, b seitlich aus dem Gehäusekörper 1 herausragen. Die Wärmesenke 13 bildet in nicht dargestellter Weise einen Teil der Auflagefläche 4 des Gehäusekörpers und ist so von außen thermisch anschließbar.
  • Auf der Chipmontagefläche 10 der Wärmesenke 13 ist ein strahlungsemittierender Halbleiterchip 11 wie zum Beispiel eine Lichtemissionsdiode befestigt. Vorzugsweise ist dies ein Halbleiterchip, beispielsweise ein LED-Chip oder ein Laserchip, der mittels eines Hartlots auf der Wärmesenke 13 aufgelötet ist. Alternativ kann der Chip mit einem Haftmittel, das eine ausreichende Wärmeleitfähigkeit aufweist und vorzugsweise auch elektrisch leitfähig ist, auf der Chipmontagefläche 10 aufgeklebt sein. Beispielsweise kann dazu ein Ag- oder Au-haltiger Leitkleber verwendet. Im Falle eines Saphir-Chips, der Kontaktsockel aufweisen kann, die auf einem Leiterrahmen aufsitzen, wird vorzugsweise ein transparenter, nicht leitender Kleber verwendet.
  • Der Gehäusekörper des Bauelements entspricht im wesentlichen dem in 2 beziehungsweise 3 dargestellten Gehäusekörper. Im Unterschied hierzu weist die Wärmesenke 13 eine den Halbleiterchip 11 umgebende Reflektorwanne 18 auf. Deren Reflektorflächen gehen im wesentlichen nahtlos in die Seitenflächen 7 des Strahlungsaustrittsfensters 6 über, so dass ein Gesamtreflektor entsteht, der sich aus einem von der Wärmesenke 13 gebildeten Teilbereich und einem von den Seitenflächen 7 des Strahlungsaustrittsfensters 6 gebildeten Teilbereich zusammensetzt.
  • Weiterhin ist das Strahlungsaustrittsfenster 6 in der Längsrichtung des Bauelements etwas erweitert und umfasst einen Bonddrahtanschlussbereich 19 auf dem nicht mit dem thermischen Anschlussteil verbundenen elektrischen Anschlussteil 12b des Leiterrahmens 2. Von diesem Bonddrahtanschlussbereich 19 ist eine Drahtverbindung 20 zu einer auf dem Halbleiterchip 11 aufgebrachten Kontaktfläche geführt.
  • Der Bonddrahtanschlussbereich 19 ist höhenversetzt zum abstrahlungsseitigen Rand der Reflektorwanne 18 der Wärmesenke 13 angeordnet. Dies ermöglicht eine kurze und damit mechanisch stabile Drahtverbindung zwischen Halbleiterchip 11 und Bonddrahtanschlussbereich 19, da letzterer nahe an den Halbleiterchip 11 herangeführt werden kann. Weiterhin wird dadurch die Höhe des entstehenden Drahtbogens gering gehalten und so die Gefahr eines Kurzschlusses, der beispielsweise bei einer Abdeckung des Chips mit einem Verguss durch seitliches Umklappen der Drahtverbindung auf die Wärmesenke entstehen könnte, reduziert.
  • In 5 ist der Querschnitt eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Bauelements dargestellt, das als eine bevorzugte Weiterbildung des Gehäusekörpers gilt. Der Schnittverlauf entspricht der in 4 eingezeichneten Linie B-B.
  • Wie bei dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Wärmesenke auf der Montageseite für den Halbleiterchip 11 mittig eingesenkt, so dass eine Reflektorwanne 18 für die von dem Halbleiterchip 11 erzeugte Strahlung entsteht, an die sich die Reflektorseitenwände 7 des Strahlungsaustrittsfensters 6 anschließen.
  • Im Unterschied zu dem vorigen Ausführungsbeispiel weist der so gebildete Gesamtreflektor 21 an der Übergangsstelle zwischen den Teilreflektoren 7, 18 einen Knick auf. Durch diese Formgebung wird eine verbesserte Annäherung des Gesamtreflektors 21 an ein Rotationsparaboloid und somit eine vorteilhafte Abstrahlcharakteristik erreicht. Das vom Chip in einem steileren Winkel zur Bodenfläche der Wanne abgestrahlte Licht wird stärker zur Hauptstrahlrichtung 22 des Bauelements hin umgelenkt.
  • Zum Schutz des Halbleiterchips ist das Strahlungsaustrittsfenster 6 mit einem Verguss 23, beispielsweise einem Reaktionsharz wie Epoxidharz oder Acrylharz, gefüllt. Zur Bündelung der erzeugten Strahlung kann der Verguss 23 nach Art einer Linse mit einer leicht gewölbten Oberfläche 24 geformt sein.
  • Zur Herstellung eines solchen Bauelements wird zunächst für den Leiterrahmen 2 ein Trägerteil, das beispielsweise aus einem Trägerband ausgestanzt wird, mit einer Öffnung bereitgestellt. Nachfolgend wird die Wärmesenke 13 in die Öffnung des Trägerteils eingesetzt und mit dem Trägerteil verquetscht.
  • Im nächsten Schritt wird auf der Wärmesenke 13 der strahlungsemittierende Halbleiterchip aufgebracht, beispielsweise aufgelötet oder aufgeklebt. Zur Ausbildung des Gehäusekörpers 1 wird der aus dem Trägerteil und der Wärmesenke gebildete Leiterrahmen 2 mit dem vormontierten Halbleiterchip 11 von einer Formmasse umhüllt, wobei der den Halbleiterchip 11 umgebende Bereich sowie der Bonddrahtanschlussbereich 19 ausgespart wird. Dies kann beispielsweise in einem Spritzguss- oder Spritzpressverfahren erfolgen. Von dem Bonddrahtanschlussbereich 19 wird abschließend eine Drahtverbindung 20 zu einer Kontaktfläche des Halbleiterchips 11 geführt.
  • Alternativ kann nach der Verbindung von Trägerteil und Wärmesenke 13 der so gebildete Leiterrahmen 2 zuerst von der Formmasse umhüllt und der Halbleiterchip 11 danach auf dem Chipanschlussbereich 10 befestigt, vorzugsweise aufgeklebt, und kontaktiert werden.
  • In 6 ist die Seitenansicht eines beispielhaften Gehäusekörpers mit einem teilweise eingebetteten Leiterrahmen 2 schematisch dargestellt. Der Leiterrahmen 2 ist zweiteilig in Form zweier Anschlussstreifen 12a, b ausgebildet. Der Anschlussstreifen 12a weist eine Chipmontagefläche 10 auf, worauf sich ein strahlungsemittierender Halbleiterchip 11 befindet. Mit dem Anschlussstreifen 12b ist der Halbleiterchip 11 über eine Drahtverbindung 20 leitend verbunden.
  • Beide Anschlussstreifen weisen Streifenstärken auf, die sich von der Mitte bis zum Rand des Gehäusekörpers ändern. Der Übergang zwischen verschiedenen Streifenstärken kann wie in diesem Ausführungsbeispiel „parabelförmig" verlaufen. Denkbar ist aber auch ein stufenförmiger Übergang.
  • Die unterschiedlichen Metallstärken des Leiterrahmens können beispielsweise durch Anwendung eines mechanischen Drucks in einer Phase des Herstellungsprozesses erfolgen, in der das Leiterrahmenmaterial noch formbar ist.
  • Mittels dieser partiellen Ausdünnung des Leiterrahmens kann dessen Oberfläche vergrößert werden, wodurch eine bessere Haftung zwischen dem Leiterrahmen und dem Gehäusekörper zustande kommt. Ferner kann die Gefahr einer Relativbewegung zwischen Gehäusekörper und Leiterrahmen durch formschlüssiges „Einrasten" der Vergussmasse vermindert werden.
  • Die Erläuterung des Gehäusekörpers anhand der beschriebenen Ausführungsbeispiele stellt selbstverständlich keine Einschränkung des Gehäusekörpers auf diese Ausführungsbeispiele dar.
  • Es wird ein Verfahrensablauf skizziert, der sich in folgende Schritte gliedert:
    • – Das Keramikpulver wird mit einem thermoplastischen Kunststoff oder mit einem Wachs und verschiedenen Hilfsstoffen zu einem fließfähigen Compound vermischt,
    • – in die Kavität der Spritzform wird ein vorzugsweise vorgeheizter Leiterrahmen eingebracht und das Compound eingefüllt,
    • – der nur zur Formgebung benötigte Polymerbinder wird entweder durch Extraktion oder durch Pyrolyse oder eine Kombination beider Verfahren entfernt,
    • – der entstandene Bräunling wird bei Temperaturen zwischen 300°C und 2000°C zum fertigen Gehäusekörper gesintert. Dabei kann ein thermisch zersetzbarer Binder (z. B. Wachs) verflüchtigt werden,
    • – der Leiterrahmen wird mit einer Kontaktschicht versehen z. B. mit Silber, Gold oder Nickel-Palladium. Alternativ kann der Leiterrahmen bereits beschichtet in die Kavität der Spritzform eingebracht werden.

Claims (18)

  1. Gehäusekörper für einen Halbleiterchip, der ein gegossenes Keramikmaterial enthält, in dem ein Leiterrahmen (2) teilweise eingebettet ist.
  2. Gehäusekörper nach Anspruch 1, der Aluminiumoxid oder Zirkondioxid enthält.
  3. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, der Partikel (8) mit reflektierender Wirkung enthält.
  4. Gehäusekörper nach Anspruch 3, der Partikel aus Titandioxid enthält.
  5. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, der eine Ausnehmung (6) aufweist, in der ein Halbleiterchip (11) angeordnet ist.
  6. Gehäusekörper nach Anspruch 5, in dessen Ausnehmung (6) ein Material (23) angeordnet ist, das den Halbleiterchip (11) teilweise umgibt.
  7. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Leiterrahmen (2) separat vorgeformt ist.
  8. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Leiterrahmen (2) selbsttragend ist.
  9. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Leiterrahmen (2) Verbiegungen (3) aufweist.
  10. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Leiterrahmen (2) eine Chipmontagefläche (10) aufweist.
  11. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Leiterrahmen (2) aus der Chipmontageebene herausgebogen ist.
  12. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf dem Leiterrahmen (2) ein Haftvermittler aufgetragen ist.
  13. Gehäusekörper nach Anspruch 12, bei dem auf dem Leiterrahmen (2) ein Silikat als Haftvermittler aufgetragen ist.
  14. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Leiterrahmen (2) Vertiefungen enthält, die mit Keramikmaterial gefüllt sind.
  15. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Leiterrahmen (2) partiell ausgedünnt (25, 26) ist.
  16. Gehäusekörper nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Leiterrahmen (2) hakenförmige Stanzgraten enthält.
  17. Verfahren zur Herstellung eines Gehäusekörpers, wobei der Gehäusekörper durch Einspritzen eines Keramikmaterials in eine Spritzform entsteht, in der sich bereits ein Leiterrahmen befindet.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei der Gehäusekörper ohne wesentliche Wartezeit nach der Herstellung entformt wird.
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