DE102005016564A1 - Bildsensor mit integrierter elektrischer optischer Vorrichtung und diesbezügliches Verfahren - Google Patents
Bildsensor mit integrierter elektrischer optischer Vorrichtung und diesbezügliches Verfahren Download PDFInfo
- Publication number
- DE102005016564A1 DE102005016564A1 DE102005016564A DE102005016564A DE102005016564A1 DE 102005016564 A1 DE102005016564 A1 DE 102005016564A1 DE 102005016564 A DE102005016564 A DE 102005016564A DE 102005016564 A DE102005016564 A DE 102005016564A DE 102005016564 A1 DE102005016564 A1 DE 102005016564A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- array
- substrate
- image
- dye
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 15
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 claims 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract description 6
- 241000219739 Lens Species 0.000 description 27
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229920002972 Acrylic fiber Polymers 0.000 description 1
- 238000006424 Flood reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000004904 UV filter Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
Abstract
Eine Bilderfassungsvorrichtung ist offenbart, die einen Chip, der mit einem Array von Photoerfassungsstellen gebildet ist, und eine Struktur eines optischen Materials aufweist, das Infrarot-absorbierende Charakteristika aufweist, die über den Photoerfassungsstellen gebildet ist. Ein Ausführungsbeispiel ist offenbart, bei dem die Struktur des optischen Materials, das Infrarot-absorbierende Charakteristika aufweist, als ein Array von Mikrolinsen gebildet ist zum Richten von sichtbarem Bildlicht auf die Photoerfassungsstellen und zum gleichzeitigen Herausfiltern von Infrarotwellenlängen, die die Bilderfassung stören. Alternativ dazu kann die Struktur konzipiert sein, um andere Wellenbereiche außerhalb des sichtbaren Spektrums herauszufiltern.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf Bilderfassungssysteme und insbesondere auf ein Filtern von ausgewählten Wellenlängen, wie zum Beispiel Infrarotenergie, aus Licht, das auf Sensorvorrichtungen in einer integrierten elektrischen optischen Vorrichtung abgebildet wird.
- Bilderfassungsvorrichtungen, die einfarbige oder Farbbilder durch Veränderungen der elektrischen Eigenschaften von Photoerfassungspixeln auf Integrierte-Schaltung-Halbleiterstücken (Dies) oder -Chips erfassen, haben eine Alternative zur herkömmlichen Filmtechnologie geliefert. Bekannte Sensortypen umfassen Feldeffekttransistor-(FET) oder Diodenvorrichtungen, die mit Komplementärmetalloxidhalbleiter-(CMOS) oder Ladungsgekoppelte-Vorrichtung-(CCD)Technologie hergestellt sind.
- CMOS- und CCD-Bildsensoren haben jeweils ihre Vor- und Nachteile. Die CMOS-Technologie bietet eine einfache Schnittstellenbildung mit anderer CMOS-basierter Hardware und kann eine Leistungsaufnahme bei tragbaren Vorrichtungen, wie zum Beispiel Digitalkameras, Videotelefonen, Personaldigitalassistenten und anderen Geräten und vor allem batteriebetriebenen Einheiten, verringern. Bei einer CCD-Ausrüstung handelt es sich um eine ältere Technologie, und dieselbe kann in vielen Fällen einfacher mit höheren Pixeldichten hergestellt werden. Diese beiden und andere Sensoren erfordern normalerweise ein Abblocken von Infrarot-(TR-) Lichtenergie von dem Bilderfassungslicht, das das gewünschte sichtbare Bild enthält. Auch kann es erwünscht sein, Ultraviolett- (UV-) Energie aus dem Bilderfassungslicht herauszufiltern.
- Dies erklärt sich daraus, dass die gängigsten halbleiterbasierten Bilderfassungsvorrichtungen, wie zum Beispiel die im Vorhergehenden genannten, auf Silizium basieren und nicht nur auf sichtbares Licht (etwa 380 bis 780 Nanometer), sondern auch auf Infrarotlicht in dem Bereich von etwa 780 bis 1.100 Nanometer ansprechen. Eine Qualitätsfarberfassung ohne ein Sperrfilter für diese Wellenlängen ist praktisch unmöglich, da das IR normalerweise die Sensorleistung überschwemmt und dadurch die Ausgabepegel verfälscht. Auf ähnliche Weise stützt sich eine einfarbige Erfassung auf ein Bewahren der Luminanz bei dem erfassten sichtbaren Licht, was ohne ein IR-Filtern schwierig ist.
- Es gibt zwei Typen von gängigen IR-Filtern, die Energie in dem Infrarotbereich des elektromagnetischen Spektrums herausfiltern. Bei der ersten Art handelt es sich um blau gefärbtes Glas, wie es zum Beispiel durch Ionenfärbung hergestellt wird. Ein derartiges gefärbtes Glas ist relativ teuer, etwa 20 Mal teurer als klares Glas . Ein weiterer Filterelementtyp verwendet ein klares Glasstück, das eine Dünnfilmbeschichtung auf einer Oberfläche aufweist, um eine Aufhebung durch Interferenz derjenigen ankommenden Wellenlängen, wie zum Beispiel IR, die außerhalb des sichtbaren Spektrums liegen, zu bewirken. Dieser Filtertyp verwendet mehrschichtige Dünnfilmstapel mit konzipierten Dicken, normalerweise im Nanometer-(nm-)Bereich, um eine ausgewählte Wellenlänge durchzulassen und zu reflektieren. Um IR zu filtern, beträgt die Grenzwellenlänge etwa 630 nm, wobei die Transmission bei 650 nm auf etwa 50 % abfällt und bei 680 nm auf einige wenige Prozent abfällt. Ein Problem bei diesem Lösungsansatz besteht jedoch darin, dass die Dünnfilmbeschichtung normalerweise für bestimmte Wellenlängen und für Lichtstrahlen, die zu der Dünnfilmoberfläche normal sind, optimiert ist. Deshalb werden die Infrarotlichtstrahlen in der Nähe der Ränder des Pixelarrays, die die Feldlinse normalerweise in einem Winkel verlassen, weniger wirksam gefiltert. Dieser Randeffekt verschiebt die 50%-Transmissionswellenlänge normalerweise von 650 nm auf weni ger als 630 nm, wodurch die Farbe des abgebildeten Lichtes in den roten Teil des Spektrums verschoben wird. Dies kann ein visuelles Artefakt an den Rändern des Bildes bewirken, das als eine Farbdiskontinuität bekannt ist. In einigen Fällen kann eine Bildverarbeitung verwendet werden, um die Farbverschiebung zu entfernen, was jedoch mit zusätzlichen Kosten und Komplexität verbunden ist.
- Obwohl Anstrengungen unternommen worden sind, um ein IR- und UV-Blockieren ohne ein Aufgeben der Bildintegrität oder ein Hinzufügen von übermäßigen Kosten und Komplexität zu der Bilderfassungsoptikeinrichtung zu liefern, sind diese Lösungsansätze bislang in ein oder mehr Hinsichten erfolglos geblieben. Zum Beispiel umfassen bestimmte Digitalbilderfassungssysteme ein getrenntes Filter, normalerweise aus Glas oder Kunststoff, als einen Teil des Strahlenganges, d.h. irgendwo in dem optischen System, entweder vor oder zwischen der Feldlinse und dem Sensorgehäuse. Die Feldlinse oder die Feldlinsenanordnung ist normalerweise durch Luft oder ein anderes Füllgas von dem Sensor getrennt, und diese offene Kammer kann in einem Baustein, manchmal Schalengehäuse genannt, abgedichtet sein. Ein Befestigen des Filters in der Gehäusekammer kann dazu führen, dass Staub oder andere Verunreinigungsstoffe sich auf den Sensorpixeln niederlassen und die Bildstrahlen blockieren. Ein weiterer bekannter Lösungsansatz platziert ein IR-Filterelement über oder an einem Fenster des Sensorbausteins über dem Sensorchip.
- Eine derartige Platzierung ist beispielhaft in den
1A und1B , die als Stand der Technik gekennzeichnet sind, gezeigt, wobei ein Baustein oder ein Gehäuse15 einen Bildsensorchip17 enthält. Ein Fenster an dem Gehäuse ist durch ein Filterelement25 bedeckt, das aus beschichtetem Glas oder einem Kunststoffmaterial hergestellt sein kann, das einen Farbstoff zum Absorbieren von IR-Wellenlängen enthält. - Das getrennte selektive IR- und/oder UV-Filterelement
25 fügt dem Gesamtsystemzählwert, d.h. dem Stückteilzählwert, eine zusätzliche Komponente hinzu und steigert die Komplexität und die Herstellungskosten des Bilderfassungssystems. Ferner kann es abhängig davon, wo das selektive Filter25 platziert ist, zu einer Steigerung der Systemgröße kommen, die die Leistungskosten unterschiedlich beeinflusst. Außerdem wird das getrennte Filter oft entweder auf dotiertes Glas dünnfilmbeschichtet oder aus dotiertem Glas hergestellt und dann in kleine Stücke geschnitten und befestigt. Der resultierende Staub und die resultierenden Partikel aus diesen Operationen können den Kamerasensor verunreinigen und aktive Sensorpixel blockieren. - Sensorpixel, die das gefilterte Licht empfangen, sind zum Beispiel an einem Sensorchip
17' gemäß dem Stand der Technik und einer Mikrolinse30 in1B gezeigt. Der Chip17' ist einer von vielen identischen Chips, die normalerweise gleichzeitig in einem Halbleiterwafer hergestellt werden. Die Chips werden oft Schicht um Schicht gebildet und ergeben ein Gitter oder Array von Photoerfassungsstellen20 . Andere Integrierte-Schaltung-Elemente (nicht gezeigt), wie zum Beispiel Transistoren, die mit den Photoerfassungsstellen zusammenarbeiten, liefern ein Bildsignal, wie es in dieser Technik bekannt ist. Die Photoerfassungselemente und die anderen Schaltungselemente sind unter Verwendung von ein oder mehr Metallschichten (nicht gezeigt) verbunden. Ein Farbfiltermaterial (nicht gezeigt) kann dann in Wannen über den gesamten Wafer, normalerweise über einer Passivierungsschicht (nicht gezeigt), aufgebracht werden. Dieses Material wird wiederholt aufgebracht und strukturiert, so dass mehrere unterschiedliche Farbfilter angeordnet sind, um Licht einer spezifischen Farbe auf ein Empfangssensorelement zu leiten. Um die Effizienz zu verbessern, mit der die Photoerfassungsstellen20 auf das einfallende Licht ansprechen, wird eine Mikrolinsenstruktur30 an dem Chip17' angebracht oder an demselben gebildet, und dieselbe fokussiert das einfallende Licht auf die Photoerfassungsstellen20 . - Der Sensorchip oder das -halbleiterstück
17' können unter Verwendung von CMOS- oder CCD-Technologie hergestellt werden. Jahrelang haben CCDs den Markt im Hinblick auf Geschwindigkeit, Empfindlichkeit, Zuverlässigkeit, Häusen und Preis dominiert. CMOS-Vorrichtungen bieten jedoch die im Vorhergehenden genannten Vorteile, und es werden in der CMOS-Technologie Anstrengungen unternommen, alle kritischen Preis- und Leistungscharakteristika von CCDs zu erreichen oder zu übertreffen und Produktentwicklern Vorteile zu liefern, die CCDs nicht bieten. Ein Entwurfsfaktor bei diesen Anstrengungen besteht darin, ein Arrayformat zu verwenden, das die im Vorhergehenden beschriebene Mikrolinsenstruktur umfasst. Da CMOS-basierte Sensoren mit CCD-Vorrichtungen in Konkurrenz stehen, wird die Bereitstellung von Mikrolinsenarrays über den Photoerfassungsstellen wichtig. Mikrolinsen ermöglichen die Verwendung kleinerer Transistorstellen, was wiederum eine gesteigerte Sensordichte und einen verbesserten Füllfaktor liefert. - Die Mikrolinsenstruktur, bei der es sich um ein Array von halbkugelförmigen, zylindrischen oder anders geformten Linsenelementen handelt, ist oft aus einem optisch klaren Polymerharzmaterial, wie zum Beispiel einem langlebigen Acryl, gebildet, das in die Form des gewünschten Linsenarrays geformt oder gegossen wird und haftend an dem Sensorchip angebracht wird. Bei anderen Herstellungen wird das Harz auf den gesamten Wafer aufgeschleudert und durch Photoresist und ein Ätzen in die Mikrolinsenformen verarbeitet. Die sich ergebende Mikrolinsenschicht kann zum Beispiel eine Dicke von 1-3 μm aufweisen. Geeignete Materialien für eine Mikrolinsenstruktur umfassen Materialien wie zum Beispiel Acrylkunststoffe und thermisch oder durch UV-Licht härtbares Epoxid, die eine hohe Durchlässigkeit (mehr als 90 %) über das gesamte sichtbare Lichtspektrum (380–780 nm) aufweisen und gegenüber Alterungseffekten (zum Beispiel Oxidierung, Zersetzung), Umgebungseffekten (zum Beispiel Feuchtigkeitsaufnahme, Hitzebeständigkeit) und physischen Effekten (zum Beispiel Belastung, Verformung) beständig sind.
- Wie es jedoch im Vorhergehenden erörtert ist, besteht ein Problem bei dem im Vorhergehenden beschriebenen Bilderfassungssystem darin, dass das IR-Filterelement
25 die Größe und den Teilzählwert und somit die Kosten des Systems erhöhen kann und eine Verunreinigung einführen kann, die die Leistung des Systems verringert. Außerdem kann das Filterelement, wo das Filterelement25 mit einem Dünnfilm beschichtet ist, eine Farbdiskontinuität in das erfasste Bild einbringen. - Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Bilderfassungsvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Bilderfassungsvorrichtung mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
- Diese Aufgabe wird durch eine Bilderfassungsvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 10 sowie durch ein Verfahren gemäß Anspruch 21 oder 25 gelöst.
- Eine Bilderfassungsvorrichtung ist offenbart, die einen Chip, der mit einem Array von Photoerfassungsstellen gebildet ist, und eine Struktur eines optischen Materials aufweist, die Lichtenergie außerhalb des sichtbaren Spektrums absorbiert und über den Photoerfassungsstellen angeordnet ist. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist offenbart, bei dem die Struktur ein optisches Material ist, das Infrarot-absorbierende Charakteristika aufweist, und in der Form eines Arrays von Mikrolinsen gebildet ist, zum Richten von sichtbarem Bildlicht auf die Photoerfassungsstellen, während gleichzeitig Infrarot herausgefiltert wird.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1A eine isometrische Darstellung einer Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem Entwurf gemäß dem Stand der Technik; -
1B eine isometrische Darstellung eines Sensorchips, der ein Mikrolinsenarray umfasst, gemäß einem Entwurf gemäß dem Stand der Technik; -
2 eine planare Seitenansicht, die teilweise zu Zwecken der Übersichtlichkeit geschnitten ist, die ein Ausführungsbeispiel der Bilderfassungsvorrichtung gemäß der Erfindung zeigt; -
3A eine fragmentarische schematische Seitenansicht eines stark vergrößerten Abschnitts des Mikrolinsenarrays und des Arrays von elektrischen Sensoren eines Chips, der in der Vorrichtung von2 enthalten ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; -
3B eine fragmentarische Draufsicht des Mikrolinsenarrays von3A gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; -
4 eine Schnittseitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels der Bilderfassungsvorrichtung gemäß der Erfindung; -
5 ein Flussdiagramm, das ein Ausführungsbeispiel des Herstellungsprozesses zum Herstellen des Ausführungsbeispiels der Bilderfassungsvorrichtung von4 veranschaulicht; und -
6 ein Blockdiagramm eines Bilderfassungssystems, das eine oder beide der Bilderfassungsvorrichtungen von2 –3A und4 umfasst, gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. - Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung besteht darin, einen Farbstoff zu verwenden, der Lichtenergie einer Wellenlänge absorbiert, die außerhalb des sichtbaren Spektrums liegt, wie zum Beispiel IR, und einen derartigen Farbstoff in einen Kunststoff zu mischen, der dann in eine optische Struktur gebildet wird, die an dem Sensor angeordnet wird. Ein absorbierender Farbstoff weist oft eine bessere Leistung auf als eine Dünnfilmbeschichtung, da die Filtration des unerwünschten Lichtes normalerweise unabhängig von dem Einfallswinkel des ankommenden Lichtes erfolgt, und auch weil die IR-Absorption durch den Farbstoff normalerweise keine Farbverschiebung um die Ränder des Bildes bewirkt. Bei einem bestimmten Ausführungsbeispiel der Erfindung, wie es hier offenbart ist, wird das IR-absorbierende Material in ein Polymerharz gemischt. Während eines erhitzten fluiden Zustands wird die Mischung zu der Sensormikrolinse gebildet. Die Mikrolinsenstruktur, die aus dem Farbstoff und dem Polymerharz hergestellt ist, liegt über den Photoerfassungstellen und filtert unerwünschte Wellenlängen, wie zum Beispiel IR, heraus, und fokussiert das gewünschte sichtbare Licht auf die Stellen. Durch ein Liefern der selektiven Filtration und des Linsenfokus mit der gleichen optischen Struktur werden der Herstellungsprozess, die Produktgröße und der Teilzählwert normalerweise verbessert, und die Kosten werden normalerweise verringert.
- Die Mikrolinse wird zum Beispiel durch einen Füllprozess in einer Form gebildet, um dieselbe über dem Bildsensorchip in die richtige Form zu bringen. Durch ein einfaches Hinzufügen des IR-absorbierenden Materials in das Rohpolymer vor dem Bilden der Mikrolinse wird das IR-Filter bei dem Mikrolinsenbildungsprozess bei kaum oder keiner zusätzlichen Komplexität wirksam mit der Mikrolinse integriert. Außerdem spart dies Kosten, da das Glas- oder ein anderes getrenntes Filter nicht mehr benötigt wird. Dies verringert auch die Komplexität der Anordnung. Dies zeigt sich besonders dort, wo der Bildsensor einen Baustein umfasst, der die Mikrolinse zusammen mit dem Integrierte-Schaltung-Chip in einer Kammer versiegelt, die das Pixelarray enthält. Da dieses Häusen außerdem bereits in einem Reinraum stattfindet, kann dasselbe die Möglichkeit, dass Staub während der Herstellung in die Kammer eindringt, beseitigen, da nun kein getrenntes IR-Filter in die Kammer eingeführt werden muss. Da außerdem ein absorbierender Farbstoff verwendet wird, kann Licht aus einem beliebigen Winkel gefiltert werden, und eine Farbverschiebung um die Bildränder erfolgt normalerweise nicht.
-
2 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem ein Bildsensorchip100 , der eine Struktur von in einem Array angeordneten Mikrolinsen130 an einem Chipsubstrat110 aufweist, an einer Schaltungsplatine112 befestigt ist. Der Chip100 wird schichtweise hergestellt, um Photoerfassungsstellen120 (siehe3A ) und andere integrierte Schaltungsanordnungen, wie es in dieser Technik bekannt ist, an dem Substrat110 zu umfassen. Die Mikrolinsen130 werden aus der Mischung eines Polymerharzes und einem IR-absorbierenden Farbstoff geformt, zum Beispiel durch einen Prozess eines Spritzeinfüllens unter Verwendung der Wärmefluidität des Mikrolinsenmaterials. Der Formprozess kann zum Beispiel das IR-Filter und das Linsenmaterial auf einer Oberfläche des Substrats110 , wie gezeigt, so bilden, dass die Linsen des Arrays in optischer Ausrichtung mit entsprechenden Pixelstellen120 angebracht sind. Alternativ dazu können die Mikrolinsen getrennt geformt, gegossen oder durch Mikrobearbeitung hergestellt werden und dann durch ein Haftmittel an dem Chip100 angebracht werden. Ein weiterer Prozess kann verwendet werden, der die Mikrolinsen130 an dem Chip100 durch ein sequentielles Aufbringen und Strukturätzen des Kunststoffs unter Verwendung bekannter Linsenherstellungstechniken bildet. - Metallanschlussflächen oder Metallschichten (nicht gezeigt) an dem Chip
100 werden mit der Schaltungsplatine112 , wie es bei114 gezeigt ist, in einer bekannten Assemblierungsprozedur drahtverbunden, um eine elektrische Verbindung mit der integrierten Schaltungsanordnung des Chips110 herzustellen. Ein haftendes organisches Harz in der Form eines Kleckses116 , bisweilen „Glob Top" genannt, befestigt den Chip100 auf bekannte Weise an der Schaltungsplatine112 . Um die Ausrichtung zwischen den Mikrolinsen130 und einer Feldlinse124 aufrechtzuerhalten, wird eine Seitenwand118 einer Feldlinsenhaltevorrichtung119 ebenfalls durch haftende Harzkleckse116 in Position gehalten. Eine Haltevorrichtungsummantelung122 , die zum Beispiel aus Kunststoff oder einem anderen geeignet starren Material gebildet ist, hält die Feldlinse124 in optischer Ausrichtung mit dem Chip100 . Ein optischer Weg, der durch einen gestrichelten Weg126 angezeigt ist, bildet ein Objekt auf die Oberfläche des Chips100 und die in einem Array angeordneten Mikrolinsen130 ab. Die Feldlinsenhaltevorrichtung119 kann ein umschlossenes Gehäuse sein, das den Raum zwischen der Linse124 und den Mikrolinsen130 abdichtet, um den Chip100 vor Staub zu schützen. - Die
3A und3B zeigen in einer vergrößerten Querschnittsansicht und einer vergrößerten Grundrissdraufsicht, dass sich die Mikrolinsen130 des Arrays wie auch die Photoerfassungsstellen120 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung in einem x-y-Array befinden. Bildlicht von der Feldlinse124 wird durch den Farbstoff in den Kunststoffmikrolinsen130 gefiltert, wodurch das IR absorbiert wird, und die Formen der Mikrolinsen richten die Bildlichtstrahlen in dem sichtbaren Spektrum um, um auf die jeweiligen Erfassungsstellen120 fokussiert zu sein. - Insbesondere sind die Photoerfassungsstellen
120 und die Mikrolinsen130 in einem zweidimensionalen Array angeordnet, wobei jede derartige Stelle einem Erfassungspixel ent spricht. Derartige Stellen120 können aus p- und n-dotierten Regionen in einem Material wie zum Beispiel massivem Silizium oder amorphem Silizium oder Verarmungsregionen unter Polysilizium- oder Metallgates hergestellt sein. Diese Stellen120 verhalten sich wie ein Kondensator, wenn eine elektrische Ladung gegeben ist, geben jedoch bei Photonenauftreffen Elektronen ab. Die Entladungsgeschwindigkeit nimmt proportional zu der Intensität des einfallenden Lichtes zu. Eine Schaltungsanordnung (nicht gezeigt), zum Beispiel CMOS-Gates, zwischen und um die photoempfindlichen Stellen120 misst für jedes Pixel über einen bekannten Zeitraum die Ladungsveränderung und erzeugt Signale, die ein Bild darstellen, das auf der Oberfläche des Bildsensorsubstrats110 gebildet ist. - Die Mikrolinsen
130 richten Licht von einem breiteren Sichtfeld auf die jeweiligen darunter liegenden photoempfindlichen Stellen120 um. Bei einer Konfiguration entspricht jede Mikrolinse130 einer einzelnen Photoerfassungspixelstelle120 und weist eine halbkugelförmige oder im Allgemeinen konvexe Form auf, die Licht auf die entsprechende Stelle120 fokussiert. Andere Mikrolinsenkonfigurationen werden in Betracht gezogen, wie zum Beispiel ein Bilden der Mikrolinse mit dem IR-absorbierenden Farbstoff zu einem Halbzylinder (d.h. in der allgemeinen Form eines großen Flugzeughangars), der über einer Zeile oder Spalte von photoempfindlichen Stellen120 liegt. Die Halbzylinderform fokussiert das gefilterte Licht auf die Zeile oder Spalte der Erfassungsstellen120 . - Wie es im Vorhergehenden beschrieben ist, wird die Mischung aus Farbstoff und Polymerharz aufgebracht und UV-gehärtet oder wird in einem bekannten Füllprozess spritzgegossen, um die Mikrolinsen
130 an dem Substrat110 zu bilden. Andere Linsenbildungsprozesse können verwendet werden. Eine Technik zum Bilden des Arrays von Mikrolinsen130 beginnt mit einem Beschichten des Substrats110 mit einer Schicht eines transparenten Photoresist. Der Photoresist wird dann struk turiert, um kleine Regionen zu bilden, die den Mikrolinsen130 entsprechen. Nach dem Strukturieren verflüssigt ein Erwärmen den Photoresist, und die Oberflächenspannung des verflüssigten Photoresist bewirkt, dass jede Region eine konvexe Form annimmt, die bestehen bleibt, wenn der Photoresist fest wird. Unter den Mikrolinsen130 werden dann Farbfilterschichtstrukturen in dem Lichtweg, der zu den Stellen120 führt, in einer bekannten Weise an dem Substrat110 gebildet, um einen Farbgehalt in dem sichtbaren Lichtspektrum zu erfassen. - Ein weiteres Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung ist in
4 gezeigt, um eine Glasplatte240 oder eine andere transparente Abdeckung zu umfassen, die an einer Seitenwand218 eines Schalengehäusesensorbausteins228 angebracht ist, der einen Chip200 und das Array von Infrarotabsorbierenden Mikrolinsen230 darauf umgibt. Die Bausteinseitenwand218 ist aus einem geeignet beständigen Material, wie zum Beispiel Kunststoff oder Keramik, das dimensioniert ist, um eine Trennung zwischen der Unterseite der Platte240 und den oberen konvexen Oberflächen der Mikrolinsen230 zu liefern. Eine Glasoberplatte240 ist mit den oberen Erstreckungen219 der Wand218 durch ein abdichtendes Haftmittel verbunden und schützt die Mikrolinsen230 . Verbindungen250 mit den Anschlussflächen an einer Schaltungsplatine212 befestigen den Sensor und verbinden denselben elektrisch mit einer externen Schaltungsanordnung. Eine Feldlinsenanordnung wird, wenn dieselbe verwendet wird, durch eine geeignete Haltestruktur (nicht gezeigt) an der Platine212 befestigt, um sich in Optischer-Weg-Ausrichtung mit dem Sensorbaustein und dem Sensorchip200 zu befinden. -
5 ist ein Flussdiagramm eines Herstellungsprozesses500 für einen Bildsensor gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Bei dem Prozess500 verwendet ein Anfangsschritt505 herkömmliche CMOS-Integrierte-Schaltung-Herstellungstechniken, um elektrische Komponenten des Bildsensors in und an einem Siliziumwafer zu bilden. Normaler weise wird eine Anzahl von Sensorchips oder -halbleiterstücken an einem Wafer gebildet und dann später in getrennte Chips geschnitten, von denen jeder einen getrennten Bildsensor bilden soll. Bei Schritt508 werden selektive Farbstoffe gemäß bekannten Verfahrensvorschriften in Pulverform in das Polymerharz gemischt, um so viel IR-Wellenlängen oder andere nicht sichtbare Lichtenergie wie gewünscht zu absorbieren und damit zu blockieren oder herauszufiltern. Dann wird die Mischung aus Farbstoff und Harz durch ein Erwärmen oder UV-Härten und bekannte Herstellungsprozesse bei Schritt510 verarbeitet, um ein Array von Mikrolinsen auf dem Bildsensorsubstrat zu bilden. Diese Linsenarrays können unter Verwendung herkömmlicher Techniken, wie zum Beispiel Spritzgießen oder Gießen, gebildet werden. Alternativ dazu können die Mikrolinsenarrays durch ein sequentielles Schichten und Ätzen unter Verwendung von strukturiertem Photoresist, Ätzchemikalien und angelegter Wärme gebildet werden, um konvexe optische Formen an jeder Pixelstelle zu erzeugen. Bei Schritt512 wird der fertiggestellte Chip mit dem Integrierte-Schaltung-Substrat und dem Mikrolinsenarray in einem Schalengehäuse befestigt und verbunden, und die transparente Glasschutzabdeckung wird haftend an ihrer Position an der oberen Öffnung des Gehäuses befestigt. Bei Schritt514 wird die Feldlinse oder die Linsenanordnung (mehr als eine Linse kann abhängig von der Anwendung verwendet werden) ausgerichtet und an dem Schalengehäuse oder einer anderen Haltestruktur in optischer Ausrichtung mit dem Mikrolinsenfeld des Sensorchips befestigt. Bei dieser Herstellungssequenz werden die Mikrolinsen, die auch als das IR-Sperrfilter dienen, in einer Reinraumumgebung gebildet, und die Platzierung der Abdeckung dichtet den Baustein ab, um die Möglichkeit zu verringern, dass verunreinigende Staubpartikel während der Assemblierung der Kamera oder eines anderen Anwendungsprodukts auf den Mikrolinsenpixeln zu liegen kommen. - Alternativ dazu können die Mikrolinsen, die an dem Chipsubstrat gebildet sind, einen anderen bekannten Typ aufweisen, wie zum Beispiel Gradientenindexlinsen, die durch ein Verändern des Brechungsindex in Abhängigkeit der Linsentiefe hergestellt sind. In diesem Fall werden die IR-absorbierenden Charakteristika durch ein Präparieren des Linsenbasismaterials mit verschiedenen bekannten IR-Absorptionsinhaltsstoffen zusammen mit Erzeugungsschritten, die die Gradientenveränderung des Brechungsindex einführen, erhalten.
- Beim Bilden des Linsenarrays aus einem Kunststoff oder einem Polymerharz gibt es verschiedene bekannte Verfahren, die fertiggestellte Struktur für IR-Licht selektiv zu machen, einschließlich eines Dispergierens des Farbstoffes in einem Kunststoffmaterial oder einem Gießen oder Auftragen des Farbstoffes in oder auf das Kunststoffmaterial. Geeignete Kunststoffmaterialien, die diesem Zweck dienen können, umfassen einschließlich, aber nicht ausschließlich, Polymethylmethacrylat, Polycarbonate oder Polystyren. Ein geeignetes Harzmaterial ist ein metallbasiertes Epoxid. Die IR-selektiven Farbstoffe können einschließlich, aber nicht ausschließlich, Dithiolen- und Phenyldiamin-Nickel-Komplex-Typen umfassen.
- Mit Bezugnahme auf
6 können die Bilderfassungsvorrichtungen der2 –4 und ihre Alternativen, die im Vorhergehenden beschrieben sind, als Teil eines digitalen Bilderfassungssystems600 verwendet werden. Das Bilderfassungssystem600 weist einen Bildsensor610 auf, wie er durch die im Vorhergehenden beschriebenen Sensoren100 und200 bereitgestellt ist, zum Empfangen von Abbildungslicht, das Infrarotenergie aufweist, von einer Feldlinse612 . In den Sensor610 integriert sind der Sensorchip und ein Pixelmikrolinsenarray614 zum Absorbieren des IR und zum Fokussieren des verbleibenden sichtbaren Lichtes auf die Photosensoren. Zum Beispiel können die Mikrolinsen130 oder230 , die im Vorhergehenden beschrieben sind, das Array614 bilden. Der Sensor610 weist auch verschiedene damit integrierte Schaltungsanordnungen auf, die hier Folgendes umfas sen: eine Pixelfarbverstärkungsverhältnisfunktion616 , einen Analog-Digital-Wandler617 , eine Fenstergrößensteuerung618 , eine Pixelverstärkungsfunktion619 und eine Zeitgebungssteuerung620 . Ein Bildprozessor622 , der eine bekannte Schaltungsanordnung und einen bekannten Betrieb aufweist, ist mit dem Sensor610 verbunden und weist die verschiedenen Steuerungs- und Datenleitungen624 zum Steuern der Schaltungsanordnung und zum Empfangen eines elektrischen Abdrucks des erfassten Bildes auf. Da eine derartige Schaltungsanordnung und Signalverarbeitung in dieser Technik bekannt sind, werden sie hier nicht näher beschrieben. Der ganze Prozessor622 oder ein Teil desselben kann in den gleichen Chip integriert sein, der den Sensor610 umfasst. - Bei der vorhergehenden detaillierten Beschreibung ist die Erfindung mit Bezug auf spezifische Ausführungsbeispiele beschrieben. Es ist jedoch offensichtlich, dass verschiedene Modifizierungen und Veränderungen daran vorgenommen werden können, ohne von der breiteren Wesensart und dem Schutzbereich der Erfindung, wie derselbe in den Ansprüchen dargelegt ist, abzuweichen. Die Beschreibung und die Zeichnungen sollen dementsprechend in einem veranschaulichenden anstatt einem einschränkenden Sinn verstanden werden. Obwohl die Erfindung mit Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist die Beschreibung nur ein Beispiel der Anwendung der Erfindung und sollte nicht als eine Beschränkung betrachtet werden. Obwohl die obigen Ausführungsbeispiele zum Beispiel CMOS-Bildsensoren verwenden, können auch andere Vorrichtungen, die Mikrolinsenarrays verwenden, aus den Ausführungsbeispielen der Erfindung, die eine IR-Blockierung (oder eine Blockierung einer anderen elektromagnetischen Energie) bei dem Mikrolinsenarray an den Sensorchip liefern, einen Nutzen ziehen. Obwohl die Mikrolinsen so gezeigt sind, dass dieselben direkt an dem Substrat angeordnet sind, können außerdem andere Schichten zwischen den Mikrolinsen und dem Substrat vorliegen, und eine oder mehr dieser Schichten können einen IR-absorbierenden Farbstoff zusätzlich zu oder anstelle von dem IR-absorbierenden Farbstoff in den Mikrolinsen umfassen. Obwohl Beschreibungen einiger spezifischer Materialien und bestimmter Strukturen gegeben sind, liefern derartige Beschreibungen außerdem nur geeignete Beispiele und sollen keine Einschränkung darstellen. Verschiedene andere Anpassungen und Kombinationen von Merkmalen der offenbarten Ausführungsbeispiele fallen in den Schutzbereich der Erfindung.
Claims (26)
- Bilderfassungsvorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (
110 ,210 ), das Photoerfassungselemente (120 ) aufweist; eine lichtdurchlässige optische Struktur (130 ,230 ) an dem Substrat (110 ,210 ), um Licht auf die Photoerfassungselemente (120 ) zu richten; und wobei die optische Struktur (130 ,230 ) Infrarotenergie aus dem Licht absorbiert. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die optische Struktur (
130 ,230 ) ein Array von Linsen (130 ,230 ) aufweist. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die optische Struktur (
130 ,230 ) ein Kunststoffmaterial aufweist, das zu einem Array von Linsen (130 ,230 ) gebildet ist. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß Anspruch 3, bei der das Kunststoffmaterial einen Farbstoff aufweist, der Infrarotenergie absorbiert.
- Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die optische Struktur (
130 ,230 ) ein Kunststoffharz aufweist. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß Anspruch 5, bei der die optische Struktur eine Schicht Kunststoffharz aufweist, die an dem Substrat (
110 ,210 ) zu einem Mikrolinsenarray (130 ,230 ) gebildet ist. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Photoerfassungselemente (
120 ) CMOS-Vorrichtungen (120 ) umfassen. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der die optische Struktur (
130 ,230 ) eine Kunststoffsubstanz aufweist, die an dem Substrat (110 ,210 ) gebildet ist, um Lichtenergie auf die Photoerfassungselemente (120 ) zu richten, und die Kunststoffsubstanz einen Farbstoff aufweist, der selektiv Infrarotenergie absorbiert. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der die optische Struktur (
130 ,230 ) folgende Merkmale aufweist: eine optische Schicht, die an dem Substrat (110 ,210 ) angeordnet und wirksam ist, um die Infrarotenergie aus dem Licht zu absorbieren; und ein Array von Mikrolinsen (130 ,230 ), das an der optischen Schicht angeordnet ist. - Bilderfassungsvorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (
110 ,210 ), das integrierte elektrische Elemente umfasst; ein Array von Linsen (130 ,230 ) an dem Substrat (110 ,210 ); eine Schalenstruktur (228 ), die das Array von Linsen (130 ,230 ) umgibt und eine obere Öffnung aufweist; eine lichtdurchlässige Abdeckung (240 ), die an der oberen Öffnung der Schalenstruktur angebracht ist; und wobei das Array von Linsen (130 ,230 ) aus einer Substanz hergestellt ist, die im Wesentlichen für sichtbares Licht durchlässig ist und im Wesentlichen ausgewählte Wellenlängen von Licht außerhalb des sichtbaren Spektrums absorbiert. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß Anspruch 10, bei der die Abdeckung (
240 ) Glas aufweist. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß Anspruch 10 oder 11, bei der das Array der Linsen (
130 ,230 ) aus einem Polymerharz gebildet ist. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, bei der das Array von Linsen (
130 ,230 ) aus einer Mischung eines Polymers und eines Farbstoffs zum Absorbieren der ausgewählten Wellenlängen von Licht außerhalb des sichtbaren Spektrums gebildet ist. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, bei der das Array von Linsen (
130 ,230 ) ein Kunststoffharz aufweist, das mit einem Farbstoff gemischt ist, der Energie in der Infrarotbande absorbiert. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, die ferner eine Feldlinse (
124 ) aufweist, die in einer beabstandeten Beziehung zu der Abdeckung (240 ) befestigt ist, zum Richten von Bildlicht auf das Array von Linsen (130 ,230 ). - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 15, bei der die Feldlinse (
124 ) Glas aufweist. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 16, bei der die elektrischen Elemente CMOS-Vorrichtungen umfassen.
- Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 17, die ferner ein haftendes Dichtmittel aufweist, das die Abdeckung (
240 ) an der Schalenstruktur (228 ) anbringt, um das Linsenarray (130 ,230 ) und das Substrat (110 ,210 ) zu schützen. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 18, bei der das Array von Linsen (
130 ,230 ) Mikrolinsen aufweist, die an dem Substrat (110 ,210 ) gebildet sind, um Lichtenergie auf bestimmte der elektrischen Elemente zu fokussieren. - Bilderfassungsvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 19, die ferner Farbfilter aufweist, die wirksam sind, um zu bewirken, dass die elektrischen Elemente einen Farbgehalt eines Bildes erfassen.
- Verfahren zum Herstellen einer Bilderfassungsvorrichtung, das folgende Schritte aufweist: Bilden (
505 ) von elektrischen Bilderfassungselementen (120 ) an einem Substrat (110 ,210 ); Bilden (508 ) einer Mischung eines wellenlängenselektiven Absorptionsfarbstoffs und eines optisch durchlässigen Materials; und Verarbeiten (510 ) der Mischung zu den Formen von Mikrolinsen (130 ,230 ) an dem Substrat (110 ,210 ) über den elektrischen Bilderfassungselementen (120 ). - Verfahren gemäß Anspruch 21, bei dem das Verarbeiten der Mischung ein Mischen des Farbstoffs in das optisch durchlässige Material, um ein flüssiges Material zu bilden, und ein Formen des flüssigen Materials zu der Form der Mikrolinsen (
130 ,230 ) aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 21 oder 22, bei dem der Farbstoff ausgewählt ist, um Infrarotwellenlängen zu absorbieren.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 21 bis 23, bei dem der Farbstoff ausgewählt ist, um Wellenlängen außerhalb des sichtbaren Spektrums zu absorbieren.
- Verfahren zum Herstellen einer Bilderfassungsvorrichtung, das folgende Schritte aufweist: Herstellen eines Substrat (
110 ,210 ), das Photoerfassungselemente (120 ) aufweist; und Bilden einer lichtdurchlässigen Infrarot-absorbierenden optischen Schicht an dem Substrat (110 ,210 ), um sichtbares Licht auf die Photoerfassungselemente (120 ) durchzulassen. - Verfahren gemäß Anspruch 25, bei dem das Bilden der lichtdurchlässigen Infrarot-absorbierenden optischen Schicht ein Mischen eines Farbstoffs in ein Kunststoffharz und ein Formen der Mischung aus Farbstoff und Harz aufweist, solange dieselbe in einem flüssigen Zustand ist, um die lichtdurchlässige Infrarot-absorbierende optische Schicht an dem Substrat zu bilden.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/926,152 US7329856B2 (en) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method |
US10/926,152 | 2004-08-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005016564A1 true DE102005016564A1 (de) | 2006-03-09 |
DE102005016564B4 DE102005016564B4 (de) | 2011-06-22 |
Family
ID=35852655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005016564A Active DE102005016564B4 (de) | 2004-08-24 | 2005-04-11 | Bildsensor mit integrierter elektrischer optischer Vorrichtung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7329856B2 (de) |
JP (1) | JP2006066912A (de) |
DE (1) | DE102005016564B4 (de) |
TW (1) | TWI370542B (de) |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7411729B2 (en) * | 2004-08-12 | 2008-08-12 | Olympus Corporation | Optical filter, method of manufacturing optical filter, optical system, and imaging apparatus |
WO2006026317A2 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Panavision Imaging, Llc | Method and apparatus for controlling a lens, and camera module incorporating same |
US7718940B2 (en) * | 2005-07-26 | 2010-05-18 | Panasonic Corporation | Compound-eye imaging apparatus |
KR100708940B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2007-04-17 | 삼성전기주식회사 | 적외선 필터 및 윈도우 일체형 카메라 모듈 장치 |
JP2007141876A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Sony Corp | 半導体撮像装置及びその製造方法 |
US8092102B2 (en) * | 2006-05-31 | 2012-01-10 | Flextronics Ap Llc | Camera module with premolded lens housing and method of manufacture |
JP2008051877A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロレンズ、撮像装置及び携帯端末装置 |
US7459729B2 (en) * | 2006-12-29 | 2008-12-02 | Advanced Chip Engineering Technology, Inc. | Semiconductor image device package with die receiving through-hole and method of the same |
US10298834B2 (en) | 2006-12-01 | 2019-05-21 | Google Llc | Video refocusing |
US7659501B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-02-09 | United Microelectronics Corp. | Image-sensing module of image capture apparatus and manufacturing method thereof |
KR100867520B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2008-11-07 | 삼성전기주식회사 | 결상 렌즈 및 그 제조 방법 |
US8237121B2 (en) * | 2008-02-07 | 2012-08-07 | Omnivision Technologies, Inc. | Alternating row infrared filter for an image sensor |
JP2011022860A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Sony Corp | 生体認証装置 |
JP2011049274A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Asahi Glass Co Ltd | 固体撮像素子パッケージ用窓材並びに撮像装置 |
JP5568934B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器、レンズアレイ |
KR20110140010A (ko) * | 2010-06-24 | 2011-12-30 | 삼성전자주식회사 | 근적외광 신호를 이용한 이미지 센서 |
WO2013006811A1 (en) | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Flextronics Ap, Llc | Camera module with magnetic shielding and method of manufacture |
US9136289B2 (en) | 2011-08-23 | 2015-09-15 | Flextronics Ap, Llc | Camera module housing having built-in conductive traces to accommodate stacked dies using flip chip connections |
JP2013138158A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Nippon Shokubai Co Ltd | 撮像素子、色素含有レンズ及びレンズ成型用樹脂組成物 |
US8831377B2 (en) * | 2012-02-28 | 2014-09-09 | Lytro, Inc. | Compensating for variation in microlens position during light-field image processing |
US8948545B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-02-03 | Lytro, Inc. | Compensating for sensor saturation and microlens modulation during light-field image processing |
US9420276B2 (en) | 2012-02-28 | 2016-08-16 | Lytro, Inc. | Calibration of light-field camera geometry via robust fitting |
US20130270426A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Global Microptics Company | Lens module |
US9858649B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-01-02 | Lytro, Inc. | Depth-based image blurring |
US10334151B2 (en) | 2013-04-22 | 2019-06-25 | Google Llc | Phase detection autofocus using subaperture images |
US20150200220A1 (en) * | 2014-01-14 | 2015-07-16 | Microsoft Corporation | Image sensing system |
US9635332B2 (en) | 2014-09-08 | 2017-04-25 | Lytro, Inc. | Saturated pixel recovery in light-field images |
US10540818B2 (en) | 2015-04-15 | 2020-01-21 | Google Llc | Stereo image generation and interactive playback |
US10341632B2 (en) | 2015-04-15 | 2019-07-02 | Google Llc. | Spatial random access enabled video system with a three-dimensional viewing volume |
US10567464B2 (en) | 2015-04-15 | 2020-02-18 | Google Llc | Video compression with adaptive view-dependent lighting removal |
US11328446B2 (en) | 2015-04-15 | 2022-05-10 | Google Llc | Combining light-field data with active depth data for depth map generation |
US10412373B2 (en) | 2015-04-15 | 2019-09-10 | Google Llc | Image capture for virtual reality displays |
US10444931B2 (en) | 2017-05-09 | 2019-10-15 | Google Llc | Vantage generation and interactive playback |
US10275898B1 (en) | 2015-04-15 | 2019-04-30 | Google Llc | Wedge-based light-field video capture |
US10546424B2 (en) | 2015-04-15 | 2020-01-28 | Google Llc | Layered content delivery for virtual and augmented reality experiences |
US10440407B2 (en) | 2017-05-09 | 2019-10-08 | Google Llc | Adaptive control for immersive experience delivery |
US10469873B2 (en) | 2015-04-15 | 2019-11-05 | Google Llc | Encoding and decoding virtual reality video |
US10565734B2 (en) | 2015-04-15 | 2020-02-18 | Google Llc | Video capture, processing, calibration, computational fiber artifact removal, and light-field pipeline |
US10419737B2 (en) | 2015-04-15 | 2019-09-17 | Google Llc | Data structures and delivery methods for expediting virtual reality playback |
US9979909B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-05-22 | Lytro, Inc. | Automatic lens flare detection and correction for light-field images |
US10275892B2 (en) | 2016-06-09 | 2019-04-30 | Google Llc | Multi-view scene segmentation and propagation |
US10714530B2 (en) * | 2016-09-10 | 2020-07-14 | Himax Technologies Limited | Image sensor |
US10679361B2 (en) | 2016-12-05 | 2020-06-09 | Google Llc | Multi-view rotoscope contour propagation |
US10594945B2 (en) | 2017-04-03 | 2020-03-17 | Google Llc | Generating dolly zoom effect using light field image data |
US10474227B2 (en) | 2017-05-09 | 2019-11-12 | Google Llc | Generation of virtual reality with 6 degrees of freedom from limited viewer data |
US10090347B1 (en) | 2017-05-24 | 2018-10-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor with near-infrared and visible light pixels |
US10354399B2 (en) | 2017-05-25 | 2019-07-16 | Google Llc | Multi-view back-projection to a light-field |
US10545215B2 (en) | 2017-09-13 | 2020-01-28 | Google Llc | 4D camera tracking and optical stabilization |
US10965862B2 (en) | 2018-01-18 | 2021-03-30 | Google Llc | Multi-camera navigation interface |
KR102537320B1 (ko) * | 2018-02-19 | 2023-05-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 서로 다른 주기로 배열된 마이크로 렌즈들을 갖는 이미지 센서 |
CN110911434A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-03-24 | 神盾股份有限公司 | 图像感测模块 |
WO2021126058A1 (en) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | Fingerprint Cards Ab | Biometric imaging device and electronic device |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0461277A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
US5600172A (en) * | 1993-03-31 | 1997-02-04 | Electric Power Research Institute | Hybrid, dye antenna/thin film superconductor devices and methods of tuned photo-responsive control thereof |
EP1000507B1 (de) * | 1997-07-30 | 2002-04-24 | Pinotage, LLC | Bildaufnahmevorrichtung |
JPH11136439A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | イメージセンサ及び、それを用いた情報処理装置 |
US6577337B1 (en) * | 1997-12-01 | 2003-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus for visual communication |
US6169283B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-01-02 | Intel Corporation | Plastic light selective element for imaging applications |
US6577342B1 (en) * | 1998-09-25 | 2003-06-10 | Intel Corporation | Image sensor with microlens material structure |
JP3307364B2 (ja) * | 1999-05-11 | 2002-07-24 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US6859229B1 (en) | 1999-06-30 | 2005-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
US6362513B2 (en) * | 1999-07-08 | 2002-03-26 | Intel Corporation | Conformal color filter layer above microlens structures in an image sensor die |
KR20030004353A (ko) * | 2000-03-02 | 2003-01-14 | 올림파스 고가꾸 고교 가부시키가이샤 | 소형 촬상모듈 |
US6784409B2 (en) * | 2000-03-28 | 2004-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same |
US6683298B1 (en) * | 2000-11-20 | 2004-01-27 | Agilent Technologies Inc. | Image sensor packaging with package cavity sealed by the imaging optics |
GB0029947D0 (en) * | 2000-12-08 | 2001-01-24 | Sgs Thomson Microelectronics | Solid state image sensors and microlens arrays |
JP2002209226A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-26 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2003198897A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 光モジュール、回路基板及び電子機器 |
JP2003218332A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2003234456A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Sony Corp | 半導体撮像装置及びその製造方法 |
US6744109B2 (en) * | 2002-06-26 | 2004-06-01 | Agilent Technologies, Inc. | Glass attachment over micro-lens arrays |
JP2004200360A (ja) | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US7084472B2 (en) * | 2002-07-09 | 2006-08-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid-state imaging device and manufacturing method therefor |
TWI278991B (en) | 2002-07-09 | 2007-04-11 | Toppan Printing Co Ltd | Solid image-pickup device and method of manufacturing the same |
US6885107B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip image sensor packages and methods of fabrication |
KR20040059770A (ko) | 2002-12-30 | 2004-07-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 레벨의 적외선 필터를 구비한 시모스 이미지센서 |
US7115853B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Micro-lens configuration for small lens focusing in digital imaging devices |
US6956272B2 (en) * | 2004-03-10 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Support frame for semiconductor packages |
US20050236684A1 (en) * | 2004-04-27 | 2005-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor packaging structure and method |
-
2004
- 2004-08-24 US US10/926,152 patent/US7329856B2/en active Active
-
2005
- 2005-02-21 TW TW094105016A patent/TWI370542B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-04-11 DE DE102005016564A patent/DE102005016564B4/de active Active
- 2005-08-23 JP JP2005240926A patent/JP2006066912A/ja active Pending
-
2008
- 2008-01-04 US US11/969,246 patent/US20080131992A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005016564B4 (de) | 2011-06-22 |
JP2006066912A (ja) | 2006-03-09 |
TWI370542B (en) | 2012-08-11 |
US20060043260A1 (en) | 2006-03-02 |
US20080131992A1 (en) | 2008-06-05 |
TW200608565A (en) | 2006-03-01 |
US7329856B2 (en) | 2008-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102005016564B4 (de) | Bildsensor mit integrierter elektrischer optischer Vorrichtung | |
DE102005005590B4 (de) | Lichtfilternder Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
US8581964B2 (en) | Three-dimensional image sensors and methods of manufacturing the same | |
US8436286B2 (en) | Imager module optical focus and assembly method | |
DE10230134B4 (de) | Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
US7795577B2 (en) | Lens frame and optical focus assembly for imager module | |
DE69825674T2 (de) | Rückbeleuchteter Fotodetektor und Methode zu dessen Herstellung | |
US10672812B2 (en) | Image sensor | |
US20070258006A1 (en) | Solid state camera optics frame and assembly | |
US6495813B1 (en) | Multi-microlens design for semiconductor imaging devices to increase light collection efficiency in the color filter process | |
CN208797003U (zh) | 具有光学黑色像素的图像传感器和像素阵列 | |
CN1501507A (zh) | 具有在外围区域的大微透镜的图像传感器 | |
DE102007058190A1 (de) | Bildsensormodul | |
DE102007059159A1 (de) | Bildsensor-Baugruppe und Verfahren diese zu bilden | |
US20090141153A1 (en) | Solid-state imaging device | |
DE3031759C2 (de) | ||
DE102006061029A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Bildsensors | |
KR102626696B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 | |
DE102021116512A1 (de) | Spektrales sensorsystem mit optischen filter-unterarrays | |
US20090206430A1 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
DE102004062973A1 (de) | Komplementärer Metalloxid-Halbleiter-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
CN104517978A (zh) | 包含垂直溢漏的图像传感器和像素 | |
DE60035586T2 (de) | Empfindlichkeiterhöhung eines bildsensors mittels fluoreszierenden phosphor | |
CN1794460A (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
DE3534186C2 (de) | Festkörper-Bildwandleranordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES SENSOR IP (SINGAPORE) PTE. LTD. |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: MICRON TECHNOLOGY, INC., BOISE, ID., US |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: APTINA IMAGING CORP., GRAND CAYMAN, CAYMAN ISL, KY |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20110923 |