DE102005017655A1 - Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft einen mehrschichtigen Verbundkörper mit elektronischer Funktion, insbesondere eine elektronische Baugruppe, die mehrere organische elektronische Bauelemente umfasst. Die Erfindung eröffnet erstmals eine Möglichkeit für einen Aufbau einer gesamten Baugruppe wie ein RFID-Tag, wobei der gesamte Tag mit allen Bauelementen in einem Herstellungsprozess realisierbar ist.
Description
- Die Erfindung betrifft einen mehrschichtigen Verbundkörper mit elektronischer Funktion, insbesondere eine elektronische Baugruppe, welche mehrere organische elektronische Bauelemente umfasst.
- Bekannt sind elektronische Bauelemente, beispielsweise aus der WO 02/15264. In der Regel wird ein elektronisches Bauelement durch aufeinander folgendes Aufbringen der diversen funktionellen Schichten (leitende, halbleitende, isolierende und wiederum leitende Schicht) auf einem Substrat hergestellt. Mehrere elektronische Bauelemente können auf einer Platine kombiniert werden, wie beispielsweise in der
DE 101 51 440 C1 beschrieben. - Nachteilig an den derzeit verwendeten Baugruppen ist, dass für eine komplexere Baugruppe eine Vielzahl einzelner Komponenten einzeln und nacheinander hergestellt, elektrisch leitend verbunden und angeordnet werden müssen. Dazu sind verschiedene kostspielige Arbeits- und Prozessschritte nötig.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Aufbau für eine Baugruppe zur Verfügung zu stellen, der einfach, massenfertigungstauglich und kostengünstig realisierbar ist und in dem eine Vielzahl essentieller elektronischer Bauelemente, also aktive und passive Komponenten gleichermaßen, wie ein Transistor, Feld-Effekt-Transistor, elektrischer Durchkontakt, Widerstand, Leiterbahnwiderstand, Spule, Kondensator, Gleichrichter oder ähnliches beliebig und insbesondere mit einer Diode kombinierbar sind.
- Gegenstand der Erfindung ist ein mehrschichtiger Verbundkörper, zumindest zwei unterschiedliche elektronische Bauelemente umfassend, denen zumindest zwei, jeweils in einem Arbeitsgang aufgebrachte Schichten, die homogen oder strukturiert sein können, gemeinsam sind.
- Beispielsweise ist eine der Schichten, die den Bauelementen des Verbundkörpers nach der Erfindung gemeinsam ist, eine homogene oder strukturierte halbleitende und/oder eine andere, beispielsweise auch eine, unter Umständen wegen ihrer hohen Viskosität bei der Aufbringung nicht strukturierte, Schicht.
- Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung werden alle Bauelemente des Verbundkörpers, also verschiedene Bauelemente und eine beliebige Anzahl davon, gleichzeitig und auf dem gleichen Substrat, beispielsweise in einem kontinuierlich ablaufenden Prozess, hergestellt. Dadurch kommt es vor, dass einige Bauelemente Schichten umfassen, die in dem Bauelement keine Funktionalität besitzen.
- Ebenfalls bevorzugt ist eine der zumindest zwei, aber grundsätzlich auch fünf oder mehr Schichten, die den Bauelementen des Verbundkörpers gemeinsam ist, die Trägerschicht, also das allen Bauelementen gemeinsame Substrat.
- Nach einer bevorzugten Ausführungsform werden alle Bauelemente eines mehrschichtigen Verbundkörpers aus zusammenhängenden Schichten aufgebaut, wobei einige der Schichten strukturiert und wieder andere durchgehend homogene Schichten sind. Diese Schichten werden für alle, in dem Verbundkörper vorhandenen, Bauelemente gleichzeitig hergestellt und gegebenenfalls passend für das jeweilige Bauelement strukturiert.
- Mit dem mehrschichtigen Verbundkörper werden bevorzugt Baugruppen realisiert, in denen zumindest eine Diode und ein weiteres unterschiedliches Bauelement enthaften sind.
- Beispielsweise wird als mehrschichtiger Verbundkörper ein einfacher Gleichrichter realisiert, wobei zumindest zwei unterschiedliche Bauelemente, eine Diode und eine Kapazität im Verbundkörper vorhanden sind.
- Auch ein komplexer Gleichrichter kann in dem mehrschichtigen Verbundkörper realisiert sein, wenn mindestens drei unterschiedliche Bauelemente, zumindest zwei Dioden, eine Kapazität und Durchkontakt in der Baugruppe, die den Verbundkörper bildet, enthalten sind.
- Zum Aufbau eines einfachen Gleichrichters mit Modulator hat der mehrschichtige Verbundkörper beispielsweise mindestens drei verschiedene Bauelemente, eine Diode, eine Kapazität und einen Transistor.
- Schließlich kommen zum Aufbau eines Transponders bei dem mehrschichtigen Verbundkörper mindestens vier unterschiedliche Bauelemente vor, eine Diode, eine Kapazität, ein Transistor und ein oder mehrere Durchkontakte.
- Der mehrschichtige Verbundkörper kann grundsätzlich alle möglichen Bauelemente wie Transistor, Feld-Effekt-Transistor, elektrischer Durchkontakt, Widerstand, Leiterbahnwiderstand, Spule, Kondensator, Gleichrichter oder ähnliches beliebig oft und insbesondere mit einer oder mehreren Diode(n) kombinierbar enthalten.
- Bevorzugt hat der mehrschichtige Verbundkörper bei den beiden leitenden Schichten zwei – hinsichtlich ihrer Austrittsarbeit – verschiedene Materialien. Dabei ist es insbesondere bevorzugt, dass die leitende Schicht, die in Kontakt mit der halbleitenden Schicht ist, aus Silber ist und das Material der Gegenelektrode dann ein Material mit verschiedener Austrittsarbeit, insbesondere ein unedleres Material wie beispielsweise Kupfer, Nickel, Chrom, Cobalt oder ähnliches ist.
- Bei der Herstellung der Baugruppe ist es besonders bevorzugt, dass alle Bauelemente durch vier strukturierte Schichten und deren gut durchdachte Überlagerung in einem Herstellungsprozess herzustellen sind.
- Der typische Aufbau, von unten nach oben gesehen, ist dabei die Abfolge Substrat, leitfähige Schicht, halbleitende Schicht, isolierende Schicht und obere, leitfähige Schicht. Eine „bottom-up" Schichtabfolge ist auch denkbar und vom Erfindungsgedanken mit umfasst.
- Dabei ist es besonders bevorzugt, dass die beiden leitfähigen Schichten des Verbundkörpers aus verschiedenen Materialien, die insbesondere unterschiedliche Austrittsarbeit oder unterschiedliches Fermi – Niveau haben, gemacht sind. Dies wird beispielsweise durch die Verwendung metallischer Schichten aus zwei ungleichen Metallen und/oder Legierungen, realisiert. Insbesondere bevorzugt ist dabei die Verwendung von Silber als an die halbleitende Schicht angrenzende Elektrode, insbesondere als leitfähige Schicht in Kontakt mit der Halbleiterschicht und einem anderen Metall/einer anderen Legierung mit einer von Silber verschiedenen Austrittsarbeit als Gegenelektrode.
- Im Folgenden wird die Erfindung noch anhand von 4 Zeichnungen, die bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung schematisch wiedergeben, näher erläutert.
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1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine voll integrierte druckbare Elektronik, wie sie z.B. für eine vollständige Transponderschaltung benötigt wird. -
2 zeigt noch einmal alle Bauelemente, die auch in1 zu sehen sind, allerdings wird hier die halbleitende Schicht an der Stelle der Diode nicht bis auf das Niveau der oberen Elektrode der anderen Bauelemente gezogen, sondern die obere Elektrode der Diode ist hier tiefer gelegt. -
3 zeigt einen Aufbau zur Spannungsversorgung, hier werden die Bauelemente Diode, Kondensator und Durchkontakt gleichzeitig auf einem Substrat erzeugt. -
4 schließlich zeigt einen Verbundkörper, der einen elektrischen Durchkontakt, einen Transistor und einen Widerstand und/oder eine Spule vereint. - In
1 ist unten das Substrat1 zu erkennen. Als Substrat können alle isolierenden Materialien mit einer glatten Oberfläche eingesetzt werden, es können flexible und starre Materialien gleichermaßen zum Einsatz kommen. Beispielsweise werden flexible Folien wie PET-Folie oder andere Polymer-Plastik-Folien, Glas, Quarz, Keramik oder anderes an der Stelle eingesetzt. - Die auf das Substrat
1 folgende Schicht2 ist die erste leitfähige Schicht oder die untere Elektrode2 , die strukturiert aufgebracht wird. Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung werden hier die Source und Drain Elektroden produziert, die durch die folgende Halbleiterschicht abgedeckt werden. Für die leitfähige Schicht2 können nur leitfähige Materialien eingesetzt werden, wobei unwesentlich ist, ob es sich dabei um organische oder anorganische oder um ein Verbundmaterial handelt. Nach einer bevorzugten Ausführungsform wird als Material für die leitende Schicht, die in Kontakt mit der halbleitenden Schicht ist, ein Metall oder eine Legierung mit einer Austrittsarbeit, die im Bereich von 4.6-5.2 eV, bevorzugt bei 4.9 eV liegt. Besonders bevorzugt wird an der Stelle Silber mit einer Austrittsarbeit von 4,9 eV eingesetzt. Bei der Wahl des Materials wird bevorzugt darauf geachtet, dass die Austrittsarbeit an das Fermi-Niveau des Halbleiters so angeglichen ist, dass der Unterschied zum Fermi – Niveau des Halbleiters bevorzugt 0,3 eV oder weniger beträgt. Dann ist gewährleistet, dass die Ladungsträger problemlos vom halbleitenden Material in das leitende übergehen. - Auf die erste und untere Elektrodenschicht folgt die halbleitende Schicht
3 , die wegen ihrer Viskosität unter Umständen unstrukturiert aufgebracht wird. Als Materialien für die halbleitende Schicht werden bevorzugt organische Materialien wie P3AT,P3DHTT, regioregulare – Polyalkylthiophenere, Polyfluoren – Derivate, PPVs, allgemein und/oder andere Polymere, beispielsweise mit konjugierter Hauptkette oder einem frei beweglichen Elektronenpaar in der Hauptkette, eingesetzt. Die halbleitende Schicht3 kann auch beispielsweise durch Drucken strukturiert aufgebracht werden. - Darauf folgt bei den meisten elektronischen Bauelementen eine isolierende Schicht
4 , die nur insoweit strukturiert aufgebracht werden muss, als an der/den Stellen auf dem Substrat, an denen Dioden oder Durchkontakte hergestellt werden, eine dielektrische oder isolierende Schicht ausgespart bleiben sollte, weil sie störend wirken würde. Die isolierende Schicht4 ist beispielsweise aus löslichem druckbarem Material. Als Materialien für die isolierende Schicht werden bevorzugt organische, lösliche Materialien wie z.B. Polystyrol-Derivate, PMMA oder allgemein isolierende Polymere eingesetzt. - Als Abschluss der essentiellen Teile der elektronischen Bauelemente folgt auf die strukturierte isolierende Schicht
4 eine obere leitende Schicht5 , die wiederum bevorzugt strukturiert ist. Dabei werden leitende organische und anorganische Materialien und/oder Verbundmaterialien eingesetzt. Insbesondere bevorzugt werden Metalle eingesetzt, deren Austrittsarbeit von der des Materials der unteren leitenden Schicht (Gegenelektrode) verschieden ist. Nach einer Ausführungsform werden dabei Materialien eingesetzt, deren Austrittsarbeit im Bereich von 3 bis 5 eV, insbesondere von 3.0 eV bis 4,6 eV oder darüber liegen, beispielsweise kommt hier Kupfer, Nickel, Chrom, Cobalt, Mangan etc. erfolgreich zum Einsatz. - Auf dem Substrat
1 der1 sind nun, von links nach rechts gehend, folgende Bauelemente realisiert: ein elektrischer Durchkontakt oder Vias a, im Anschluss daran und z.B. verbunden damit über die obere leitende Schicht5 befindet sich ein Transistor b mit den Source/Drain Elektroden in der unteren leitenden Schicht2 . Neben dem Transistor b ist eine Diode c angeordnet, bei der die halbleitende Schicht3 bis auf das Niveau der Gegenelektrode5 hochgezogen ist, damit keine Strom/Spannungsverluste entstehen. Rechts von der Diode c ist ein Kondensator d zu erkennen und wiederum rechts davon, also ganz rechts außen, befindet sich ein Widerstand oder eine Spule e. - In
2 sind noch einmal alle Bauelemente und alle Schichten, die auch in1 zu sehen sind, gezeigt, allerdings wird hier die halbleitende Schicht3 an der Stelle der Diode c nicht bis auf das Niveau der oberen Elektrode5 der anderen Bauelemente elektrischer Durchkontakt a, Transistor b, Kondensator d und Widerstand e gezogen, sondern die obere Elektrode5 der Diode c ist hier tiefer, auf das Niveau der isolierenden Schicht4 , gelegt. - In
3 sind alle essentiellen Bauelemente, die zur Spannungsversorgung für einen Gleichrichter erforderlich sind, zusammen auf einem Substrat und, falls alle Schichten in allen Bauelementen gemeinsam sind, gleichzeitig herstellbar, realisiert. Die Schichtabfolge entspricht der aus1 , wobei auch die gleichen oder andere entsprechende Materialien eingesetzt werden können. So ist die Schicht1 das Substrat, die Schicht2 , strukturiert eine leitfähige Schicht und3 die Halbleiterschicht,4 die isolierende Schicht und5 die Gegenelektrode, die wiederum strukturiert ist. - Die Abfolge der Bauelemente ist dabei wie folgt vorgesehen: Ganz links außen ist der Durchkontakt
1 , daneben die Diode c und im Anschluss an die Diode c der Kondensator d. Durch den hier gezeigten Verbundkörper kann beispielsweise die von einer Antenne stammende Wechselspannung gleichgerichtet werden. Der Halbleiter ist im Diodenbereich c etwas dicker aufgetragen, das kann beispielsweise über einen bei einer gleichzeitigen Herstellung der Bauelemente durch einen Dekordruck erreicht werden. -
4 zeigt einen mehrschichtigen Verbundkörper, der einen elektrischen Durchkontakt, einen Transistor und einen Widerstand oder eine Spule vereint. Mit diesem Schichtaufbau und dieser Anordnung der Bauelemente elektrischer Durchkontakt a, Transistor b, und Widerstand oder Spule e können zumindest PFETs (Polymer-Field-Effect-Transistor), Inverter, Ringoszillatoren, Flip-Flops, Frequenzteiler und/oder Zähler aufgebaut werden. - Der Schichtaufbau entspricht wieder dem aus den anderen Figuren bekannten. Obwohl hier keine Diode realisiert ist, kann das leitfähige Material der oberen Elektrode
5 und der unteren Elektrode2 durchaus verschieden, insbesondere hinsichtlich seiner Austrittsarbeit, sein. - Als oberste Schicht oder Abschluss empfiehlt sich wegen der Empfindlichkeit des Device und/oder der Materialien immer noch eine Verkapselung und/oder Versiegelung der Bauelemente, die die verschiedensten Materialien und/oder Laminate umfassen kann. Die Verkapselung/Versiegelung kann aus einem starren oder flexiblen Material sein.
- Über diesen Aufbau können nebeneinander und/oder hintereinander auf einem Substrat durch durchgehend flächig aufgetragene und/oder strukturierte Schichten die essentiellen Bestandteile elektronischer Geräte hergestellt werden, wie Transistor, Feld-Effekt-Transistor, elektrischer Durchkontakt, Widerstand, Leiterbahnwiderstand, Induktivität, Diode, Kondensator und Gleichrichter realisiert sind.
- Durch die kostengünstige und massenfertigungstaugliche Herstellung bevorzugt sämtlicher Bauelemente der Baugruppe gleichzeitig und in einem kontinuierlichen Verfahren können in einzelnen Bauelementen Schichten enthalten sein, die dort speziell keine Funktion haben, beispielsweise kann in einem Feld-Effekt Transistor und/oder in einem Kondensator die Gate Elektrode eine von der Source/Drain-Elektrode unterschiedlichen Austrittsarbeit haben, wobei der Unterschied der Austrittsarbeit hier keine Funktionalität hat.
- In dem Kondensator und den Leiterbahnwiderständen, ebenfalls im Durchkontakt ist beispielsweise ein Halbleiter vorhanden, der an der Stelle überflüssig und nicht funktional ist.
- Über den in den Figuren gezeigten Aufbau können nebeneinander und/oder hintereinander auf einem Substrat durch durchgehend flächig aufgetragene und/oder strukturierte Schichten die essentiellen Bestandteile komplexer elektronischer Geräte hergestellt werden, wie Feld-Effekt-Transistor, elektrischer Durchkontakt, Widerstand, Leiterbahnwiderstand, Spule, Diode, Kondensator und Gleichrichter.
- Die Erfindung eröffnet erstmals eine Möglichkeit für einen Aufbau einer gesamten Baugruppe wie ein RFID-Tag, wobei der gesamte Tag mit allen Bauelementen in einem Herstellungsprozess realisierbar ist. Dadurch wird erstmals eine kostengünstige und massenfertigungstaugliche Herstellungsmethode beschrieben.
Claims (18)
- Mehrschichtiger Verbundkörper, zumindest zwei unterschiedliche elektronische organische Bauelemente umfassend, denen zumindest zwei, jeweils in einem Arbeitsgang aufgebrachte Schichten, die homogen oder strukturiert sein können, gemeinsam sind.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach Anspruch 1, bei dem die zumindest zwei gemeinsamen Schichten zwei Elektrodenschichten aus zwei – hinsichtlich ihrer Austrittsarbeit – verschiedenen Materialien umfassen.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach Anspruch 2, wobei die edlere Elektrodenschicht im Wesentlichen aus Silber ist.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, wobei die unedlere Elektrodenschicht im Wesentlichen aus Kupfer ist.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem die zwei Elektrodenschichten eine Elektrode und eine Gegenelektrode bilden.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem zumindest eine der zumindest zwei gemeinsamen Schichten in zumindest einem der zumindest zwei unterschiedlichen elektronischen organischen Bauelemente in dem Bauelement selbst keine Funktionalität besitzt.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach Anspruch 6, bei dem eine durchgehende, den unterschiedlichen Bauelementen gemeinsame Schicht enthalten ist, die in einigen Bauelementen essentiell ist und in anderen keine Funktionalität hat.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei eines der zumindest zwei unterschiedlichen Bauelemente eine Diode ist.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der vorstehenden Ansprüche und insbesondere nach Anspruch 8, wobei eines der zumindest zwei unterschiedlichen Bauelemente ein Kondensator ist.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der Ansprüche 8 oder 9, in dem zumindest zwei Dioden und ein Kondensator realisiert sind.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der vorstehenden Ansprüche, in dem zumindest drei unterschiedliche Bauelemente realisiert sind, eine Diode, ein Kondensator und ein Transistor.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der vorstehenden Ansprüche, in dem zumindest vier unterschiedliche Bauelemente wie eine Diode, ein Kondensator, ein Transistor und ein Durchkontakt realisiert sind.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der vorstehenden Ansprüche, in dem zumindest eines der elektronischen Bauelemente, ausgewählt aus der Gruppe folgende Bauelemente umfassend: Transistor, Feld-Effekt-Transistor, elektrischer Durchkontakt, Widerstand, Leiterbahnwiderstand, Spule, Kondensator und/oder Gleichrichter zusammen mit einer Diode realisiert sind.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei zumindest eine der, zumindest zwei Bauelementen gemeinsamen, Schichten in einem kontinuierlichen Herstellungsverfahren herstellbar ist.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem zumindest eine der, zumindest zwei Bauelementen gemeinsamen, Schichten drucktechnisch herstellbar ist.
- Mehrschichtiger Verbundkörper, bei dem auf einem Substrat mehrere Bauelemente realisiert sind, wobei zumindest ein Bauelement enthalten ist, das zumindest eine Schicht hat, die in dem Bauelement selbst keine Funktionalität besitzt.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach Anspruch 16, bei dem eine durchgehende, den unterschiedlichen Bauelementen gemeinsame Schicht enthalten ist, die in einigen Bauelementen essentiell ist und in anderen keine Funktionalität hat.
- Mehrschichtiger Verbundkörper nach einem der Ansprüche 16 oder 17, wobei eine Halbleiterschicht mehreren Bauelementen gemeinsam ist und dabei auch in einem Kondensator enthalten ist, in dem sie keine Funktionalität hat.
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TW (1) | TWI314369B (de) |
WO (1) | WO2006108514A2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008036736A1 (de) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Abb Ag | Elektrisches Installationsschaltgerät mit einer elektronischen Baugruppe |
DE102013102052A1 (de) | 2013-03-01 | 2014-09-04 | Infineon Technologies Ag | Chip-Anordnung und Verfahren zum Betreiben einer Chip-Anordnung |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005031448A1 (de) | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Aktivierbare optische Schicht |
EP2038817B1 (de) * | 2006-06-07 | 2015-04-01 | Nxp B.V. | Halbleiterchip, transponder und verfahren zum herstellen eines transponders |
DE102007046679B4 (de) | 2007-09-27 | 2012-10-31 | Polyic Gmbh & Co. Kg | RFID-Transponder |
DE102008061928A1 (de) * | 2008-12-15 | 2010-06-17 | Polylc Gmbh & Co. Kg | Organisch elektronische Schaltung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002015264A2 (de) * | 2000-08-18 | 2002-02-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
DE10151440C1 (de) * | 2001-10-18 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
EP1383179A2 (de) * | 2002-07-17 | 2004-01-21 | Pioneer Corporation | Organische Halbleiteranordnung |
DE10335336A1 (de) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Siemens Ag | Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene |
Family Cites Families (249)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US65757A (en) * | 1867-06-11 | Improved lifter foe the lids of pitchers | ||
GB723598A (en) | 1951-09-07 | 1955-02-09 | Philips Nv | Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics |
US3512052A (en) | 1968-01-11 | 1970-05-12 | Gen Motors Corp | Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric |
DE2102735B2 (de) | 1971-01-21 | 1979-05-10 | Transformatoren Union Ag, 7000 Stuttgart | Einrichtung zur Regelung des Mengendurchsatzes von Mühlen und Brechern |
US3769096A (en) | 1971-03-12 | 1973-10-30 | Bell Telephone Labor Inc | Pyroelectric devices |
AU488652B2 (en) | 1973-09-26 | 1976-04-01 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Improvements in or relating to security tokens |
JPS543594B2 (de) | 1973-10-12 | 1979-02-24 | ||
DE2407110C3 (de) | 1974-02-14 | 1981-04-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz |
JPS54101176A (en) | 1978-01-26 | 1979-08-09 | Shinetsu Polymer Co | Contact member for push switch |
US4442019A (en) | 1978-05-26 | 1984-04-10 | Marks Alvin M | Electroordered dipole suspension |
US4246298A (en) | 1979-03-14 | 1981-01-20 | American Can Company | Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application |
JPS5641938U (de) | 1979-09-10 | 1981-04-17 | ||
US4340057A (en) | 1980-12-24 | 1982-07-20 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Radiation induced graft polymerization |
US4472627A (en) | 1982-09-30 | 1984-09-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury | Authenticating and anti-counterfeiting device for currency |
JPS59145576A (ja) | 1982-11-09 | 1984-08-21 | ザイトレツクス・コ−ポレ−シヨン | プログラム可能なmosトランジスタ |
DE3321071A1 (de) | 1983-06-10 | 1984-12-13 | Basf Ag | Druckschalter |
DE3338597A1 (de) | 1983-10-24 | 1985-05-02 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
US4554229A (en) | 1984-04-06 | 1985-11-19 | At&T Technologies, Inc. | Multilayer hybrid integrated circuit |
JPS6265472A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Toshiba Corp | Mis型半導体素子 |
US4726659A (en) | 1986-02-24 | 1988-02-23 | Rca Corporation | Display device having different alignment layers |
EP0239808B1 (de) | 1986-03-03 | 1991-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strahlungsdetektor |
EP0268370B1 (de) | 1986-10-13 | 1995-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Schaltungselement |
GB2215307B (en) | 1988-03-04 | 1991-10-09 | Unisys Corp | Electronic component transportation container |
DE68912426T2 (de) | 1988-06-21 | 1994-05-11 | Gec Avery Ltd | Herstellung von tragbaren elektronischen Karten. |
US5364735A (en) | 1988-07-01 | 1994-11-15 | Sony Corporation | Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same |
US4937119A (en) | 1988-12-15 | 1990-06-26 | Hoechst Celanese Corp. | Textured organic optical data storage media and methods of preparation |
US5892244A (en) | 1989-01-10 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor |
FR2644920B1 (fr) | 1989-03-21 | 1993-09-24 | France Etat | Dispositif d'affichage polychrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent |
US6331356B1 (en) | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
EP0418504B1 (de) | 1989-07-25 | 1995-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren |
FI84862C (fi) | 1989-08-11 | 1992-01-27 | Vaisala Oy | Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. |
DE3942663A1 (de) | 1989-12-22 | 1991-06-27 | Gao Ges Automation Org | Datentraeger mit einem fluessigkristall-sicherheitselement |
US5206525A (en) | 1989-12-27 | 1993-04-27 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials |
FI91573C (sv) | 1990-01-04 | 1994-07-11 | Neste Oy | Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar |
JP2969184B2 (ja) | 1990-04-09 | 1999-11-02 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタメモリ |
FR2664430B1 (fr) | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
US5202677A (en) | 1991-01-31 | 1993-04-13 | Crystal Images, Inc. | Display apparatus using thermochromic material |
DE4103675C2 (de) | 1991-02-07 | 1993-10-21 | Telefunken Microelectron | Schaltung zur Spannungsüberhöhung von Wechselspannungs-Eingangssignalen |
FR2673041A1 (fr) | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
EP0501456A3 (de) | 1991-02-26 | 1992-09-09 | Sony Corporation | Mit eine optischen Plattenantrieb ausgerüsteter Videospielcomputer |
US5408109A (en) | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
US5332315A (en) | 1991-04-27 | 1994-07-26 | Gec Avery Limited | Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time |
JP3224829B2 (ja) | 1991-08-15 | 2001-11-05 | 株式会社東芝 | 有機電界効果型素子 |
JPH0580530A (ja) | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
US5173835A (en) | 1991-10-15 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor |
DE59105477D1 (de) | 1991-10-30 | 1995-06-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
JP2709223B2 (ja) | 1992-01-30 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 非接触形携帯記憶装置 |
FR2696043B1 (fr) | 1992-09-18 | 1994-10-14 | Commissariat Energie Atomique | Support à réseau d'éléments résistifs en polymère conducteur et son procédé de fabrication. |
EP0603939B1 (de) | 1992-12-21 | 1999-06-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Leitfähiges N-Typ-Polymer und Methode zur Herstellung desselben |
DE4243832A1 (de) | 1992-12-23 | 1994-06-30 | Daimler Benz Ag | Tastsensoranordnung |
JP3457348B2 (ja) | 1993-01-15 | 2003-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
FR2701117B1 (fr) | 1993-02-04 | 1995-03-10 | Asulab Sa | Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose. |
EP0615256B1 (de) | 1993-03-09 | 1998-09-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Herstellungsverfahren eines Musters von einem elektrisch leitfähigen Polymer auf einer Substratoberfläche und Metallisierung eines solchen Musters |
US5567550A (en) | 1993-03-25 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a mask for making integrated circuits |
DE4312766C2 (de) | 1993-04-20 | 1997-02-27 | Telefunken Microelectron | Schaltung zur Spannungsüberhöhung |
JPH0722669A (ja) | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 可塑性機能素子 |
WO1995006240A1 (en) | 1993-08-24 | 1995-03-02 | Metrika Laboratories, Inc. | Novel disposable electronic assay device |
JP3460863B2 (ja) | 1993-09-17 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR2710413B1 (fr) | 1993-09-21 | 1995-11-03 | Asulab Sa | Dispositif de mesure pour capteurs amovibles. |
US5556706A (en) | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
IL111151A (en) | 1994-10-03 | 1998-09-24 | News Datacom Ltd | Secure access systems |
US6028649A (en) | 1994-04-21 | 2000-02-22 | Reveo, Inc. | Image display systems having direct and projection viewing modes |
CN1106696C (zh) | 1994-05-16 | 2003-04-23 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 带有有机半导体材料的半导体器件 |
IL110318A (en) | 1994-05-23 | 1998-12-27 | Al Coat Ltd | Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices |
US5684884A (en) | 1994-05-31 | 1997-11-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same |
JP3246189B2 (ja) | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
US5528222A (en) | 1994-09-09 | 1996-06-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency circuit and memory in thin flexible package |
US5574291A (en) | 1994-12-09 | 1996-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer |
US5630986A (en) | 1995-01-13 | 1997-05-20 | Bayer Corporation | Dispensing instrument for fluid monitoring sensors |
DE19506907A1 (de) | 1995-02-28 | 1996-09-05 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom |
JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH08328031A (ja) | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Sharp Corp | フルカラー液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH0933645A (ja) | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | トランスポンダの電源回路 |
US5652645A (en) | 1995-07-24 | 1997-07-29 | Anvik Corporation | High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates |
US5707894A (en) | 1995-10-27 | 1998-01-13 | United Microelectronics Corporation | Bonding pad structure and method thereof |
US5625199A (en) | 1996-01-16 | 1997-04-29 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors |
EP0785457A3 (de) | 1996-01-17 | 1998-10-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optische Vorrichtung und dreidimensionale Anzeigevorrichtung |
US6326640B1 (en) | 1996-01-29 | 2001-12-04 | Motorola, Inc. | Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility |
GB2310493B (en) | 1996-02-26 | 2000-08-02 | Unilever Plc | Determination of the characteristics of fluid |
JP3080579B2 (ja) | 1996-03-06 | 2000-08-28 | 富士機工電子株式会社 | エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法 |
DE19610284A1 (de) | 1996-03-15 | 1997-08-07 | Siemens Ag | Antennenspule |
EP0958617A1 (de) | 1996-06-12 | 1999-11-24 | The Trustees Of Princeton University | Structurierung dünner schichten für die herstellung von organische mehrfarben-anzeigevorrichtungen |
DE19629656A1 (de) | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Boehringer Mannheim Gmbh | Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe |
US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
DE19648937A1 (de) | 1996-11-26 | 1997-05-15 | Meonic Sys Eng Gmbh | Elektronisches Etikett |
US6259506B1 (en) | 1997-02-18 | 2001-07-10 | Spectra Science Corporation | Field activated security articles including polymer dispersed liquid crystals, and including micro-encapsulated field affected materials |
US6344662B1 (en) | 1997-03-25 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages |
US5946551A (en) | 1997-03-25 | 1999-08-31 | Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios | Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric |
US5841325A (en) | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Hewlett-Packard Company | Fully-integrated high-speed interleaved voltage-controlled ring oscillator |
KR100248392B1 (ko) | 1997-05-15 | 2000-09-01 | 정선종 | 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법 |
EP0968537B1 (de) | 1997-08-22 | 2012-05-02 | Creator Technology B.V. | Feld-effekt-transistor, der im wesentlichen aus organischen materialien besteht |
EP1296280A1 (de) | 1997-09-11 | 2003-03-26 | Precision Dynamics Corporation | RF-ID Etikett mit einem integriertem Schaltkreis aus organischen Materialen |
ES2199705T1 (es) | 1997-09-11 | 2004-03-01 | Prec Dynamics Corp | Transpondor de identificacion con circuito integrado consistente de materiales organicos. |
US6251513B1 (en) | 1997-11-08 | 2001-06-26 | Littlefuse, Inc. | Polymer composites for overvoltage protection |
JPH11142810A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Nintendo Co Ltd | 携帯型情報処理装置 |
WO1999030432A1 (en) | 1997-12-05 | 1999-06-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Identification transponder |
US5997817A (en) | 1997-12-05 | 1999-12-07 | Roche Diagnostics Corporation | Electrochemical biosensor test strip |
US5998805A (en) | 1997-12-11 | 1999-12-07 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array with improved OED cathode |
US6083104A (en) | 1998-01-16 | 2000-07-04 | Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. | Programmable toy with an independent game cartridge |
AU739848B2 (en) | 1998-01-28 | 2001-10-18 | Thin Film Electronics Asa | A method for generation of electrical conducting or semiconducting structures in three dimensions and methods for erasure of the same structures |
US6087196A (en) | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
US6045977A (en) | 1998-02-19 | 2000-04-04 | Lucent Technologies Inc. | Process for patterning conductive polyaniline films |
DE19816860A1 (de) | 1998-03-06 | 1999-11-18 | Deutsche Telekom Ag | Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte |
US6033202A (en) | 1998-03-27 | 2000-03-07 | Lucent Technologies Inc. | Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures |
US6369793B1 (en) | 1998-03-30 | 2002-04-09 | David C. Zimman | Printed display and battery |
CA2323879C (en) | 1998-04-10 | 2007-01-16 | E Ink Corporation | Electronic displays using organic-based field effect transistors |
WO2000070552A1 (en) | 1999-05-17 | 2000-11-23 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Programmable modulation index for transponder |
GB9808061D0 (en) | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer devices |
JP3466954B2 (ja) * | 1998-04-24 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
US6350996B1 (en) * | 1998-04-24 | 2002-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting diode device |
GB9808806D0 (en) | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
TW410478B (en) | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
US6107920A (en) | 1998-06-09 | 2000-08-22 | Motorola, Inc. | Radio frequency identification tag having an article integrated antenna |
US5967048A (en) | 1998-06-12 | 1999-10-19 | Howard A. Fromson | Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web |
KR100282393B1 (ko) | 1998-06-17 | 2001-02-15 | 구자홍 | 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법 |
CN1312958A (zh) | 1998-06-19 | 2001-09-12 | 薄膜电子有限公司 | 集成无机/有机互补薄膜晶体管电路及其制造方法 |
DE19836174C2 (de) | 1998-08-10 | 2000-10-12 | Illig Maschinenbau Adolf | Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung |
US6215130B1 (en) | 1998-08-20 | 2001-04-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
PT1108207E (pt) | 1998-08-26 | 2008-08-06 | Sensors For Med & Science Inc | Dispositivos de sensores ópticos |
JP4493741B2 (ja) | 1998-09-04 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP0996176B8 (de) | 1998-10-13 | 2005-10-19 | Sony Deutschland GmbH | Herstellungsverfahren einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix |
DE19851703A1 (de) | 1998-10-30 | 2000-05-04 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen |
US6384804B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-05-07 | Lucent Techonologies Inc. | Display comprising organic smart pixels |
US6506438B2 (en) | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
US6321571B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-11-27 | Corning Incorporated | Method of making glass structures for flat panel displays |
DE60035078T2 (de) | 1999-01-15 | 2008-01-31 | 3M Innovative Properties Co., St. Paul | Herstellungsverfahren eines Donorelements für Übertragung durch Wärme |
US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
DE19902029A1 (de) * | 1999-01-20 | 2000-07-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Spannungsfester Dünnschichtkondensator mit Interdigitalstruktur |
GB2347013A (en) | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
US6517955B1 (en) | 1999-02-22 | 2003-02-11 | Nippon Steel Corporation | High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof |
WO2000052457A1 (en) | 1999-03-02 | 2000-09-08 | Helix Biopharma Corporation | Card-based biosensor device |
US6180956B1 (en) | 1999-03-03 | 2001-01-30 | International Business Machine Corp. | Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels |
US6207472B1 (en) | 1999-03-09 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature thin film transistor fabrication |
US6878312B1 (en) | 1999-03-29 | 2005-04-12 | Seiko Epson Corporation | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefore |
WO2000059040A1 (en) | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing thin-film transistor |
US6498114B1 (en) | 1999-04-09 | 2002-12-24 | E Ink Corporation | Method for forming a patterned semiconductor film |
US6072716A (en) | 1999-04-14 | 2000-06-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory structures and methods of making same |
US6387736B1 (en) | 1999-04-26 | 2002-05-14 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for bonding layers in a semiconductor device |
FR2793089B3 (fr) | 1999-04-28 | 2001-06-08 | Rene Liger | Transpondeur a antenne integree |
DE19919448A1 (de) | 1999-04-29 | 2000-11-02 | Miele & Cie | Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation |
US6736985B1 (en) | 1999-05-05 | 2004-05-18 | Agere Systems Inc. | High-resolution method for patterning a substrate with micro-printing |
DE19921024C2 (de) | 1999-05-06 | 2001-03-08 | Wolfgang Eichelmann | Videospielanlage |
US6383664B2 (en) | 1999-05-11 | 2002-05-07 | The Dow Chemical Company | Electroluminescent or photocell device having protective packaging |
JP4136185B2 (ja) | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
EP1052594A1 (de) | 1999-05-14 | 2000-11-15 | Sokymat S.A. | Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
TW556357B (en) | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
DE50013674D1 (de) | 1999-07-06 | 2006-12-14 | Elmos Semiconductor Ag | CMOS kompatibler SOI-Prozess |
US6366017B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-04-02 | Agilent Technologies, Inc/ | Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector |
JP2001085272A (ja) | 1999-07-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変容量コンデンサ |
DE19933757A1 (de) | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Giesecke & Devrient Gmbh | Chipkarte mit integrierter Batterie |
JP4948726B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2012-06-06 | イー インク コーポレイション | 電子ディスプレイを制御するための電子回路素子を作製する好適な方法 |
DE19935527A1 (de) | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Giesecke & Devrient Gmbh | Aktive Folie für Chipkarten mit Display |
DE19937262A1 (de) | 1999-08-06 | 2001-03-01 | Siemens Ag | Anordnung mit Transistor-Funktion |
US6593690B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
JP4595143B2 (ja) | 1999-09-06 | 2010-12-08 | 双葉電子工業株式会社 | 有機elデバイスとその製造方法 |
EP1085320A1 (de) | 1999-09-13 | 2001-03-21 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Vorrichtung auf Basis von organischem Material zur Erfassung eines Probenanalyts |
US6517995B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
CN1376100A (zh) | 1999-09-28 | 2002-10-23 | 住友重机械工业株式会社 | 激光钻孔的加工方法及其加工装置 |
US6340822B1 (en) | 1999-10-05 | 2002-01-22 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
WO2001027998A1 (en) | 1999-10-11 | 2001-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit |
US6335539B1 (en) | 1999-11-05 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure |
US6284562B1 (en) | 1999-11-17 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Thin film transistors |
JP2001147659A (ja) | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置 |
EP1103916A1 (de) | 1999-11-24 | 2001-05-30 | Infineon Technologies AG | Chipkarte |
US6136702A (en) | 1999-11-29 | 2000-10-24 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
US6621098B1 (en) | 1999-11-29 | 2003-09-16 | The Penn State Research Foundation | Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material |
US6197663B1 (en) | 1999-12-07 | 2001-03-06 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors |
BR0016670A (pt) | 1999-12-21 | 2003-06-24 | Plastic Logic Ltd | Métodos para formar um circuito integrado e para definir um circuito eletrônico, e, dispositivo eletrônico |
JP2003518754A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-10 | プラスティック ロジック リミテッド | 溶液処理された素子 |
EP1243035B1 (de) | 1999-12-21 | 2016-03-02 | Flexenable Limited | Herstellung von leiterbahnen |
US7002451B2 (en) | 2000-01-11 | 2006-02-21 | Freeman Jeffrey R | Package location system |
JP2002162652A (ja) | 2000-01-31 | 2002-06-07 | Fujitsu Ltd | シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル |
US6706159B2 (en) | 2000-03-02 | 2004-03-16 | Diabetes Diagnostics | Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus |
TW497120B (en) | 2000-03-06 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP3614747B2 (ja) | 2000-03-07 | 2005-01-26 | Necエレクトロニクス株式会社 | 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器 |
DE10012204A1 (de) | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Siemens Ag | Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut |
EP1134694A1 (de) | 2000-03-16 | 2001-09-19 | Infineon Technologies AG | Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung |
JP2001267578A (ja) | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Sony Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
DK1311702T3 (da) | 2000-03-28 | 2006-03-27 | Diabetes Diagnostics Inc | Kontinuerlig fremgangsmåde til fremstilling af et engangs elektrokemisk föleelement |
EP1295169B1 (de) | 2000-05-24 | 2008-06-25 | Schott North America, Inc. | Elektrode für elektrochrome Vorrichtungen |
US6535057B2 (en) | 2000-05-29 | 2003-03-18 | Stmicroelectronics Ltd. | Programmable glitch filter |
US6329226B1 (en) | 2000-06-01 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for fabricating a thin-film transistor |
CN1211695C (zh) | 2000-06-06 | 2005-07-20 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 液晶显示器及其制造方法 |
DE10032260B4 (de) | 2000-07-03 | 2004-04-29 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie |
DE10033112C2 (de) | 2000-07-07 | 2002-11-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung |
US6483473B1 (en) | 2000-07-18 | 2002-11-19 | Marconi Communications Inc. | Wireless communication device and method |
EP1310004A2 (de) | 2000-08-18 | 2003-05-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Organischer feldeffekt-transistor (ofet), herstellungsverfahren dazu und daraus gebaute integrierte schaltung sowie verwendungen |
DE10120687A1 (de) | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Siemens Ag | Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
JP2002068324A (ja) | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Nippon Sanso Corp | 断熱容器 |
DE10043204A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung |
US6699728B2 (en) | 2000-09-06 | 2004-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Patterning of electrodes in oled devices |
DE10044842A1 (de) | 2000-09-11 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters |
DE10045192A1 (de) | 2000-09-13 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers |
DE10047171A1 (de) | 2000-09-22 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu |
KR20020036916A (ko) | 2000-11-11 | 2002-05-17 | 주승기 | 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자 |
DE10058559A1 (de) | 2000-11-24 | 2002-05-29 | Interactiva Biotechnologie Gmb | System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter |
US6414543B1 (en) * | 2000-11-28 | 2002-07-02 | Precision Dynamics Corporation | Rectifying charge storage element |
US6859093B1 (en) * | 2000-11-28 | 2005-02-22 | Precision Dynamics Corporation | Rectifying charge storage device with bi-stable states |
KR100390522B1 (ko) | 2000-12-01 | 2003-07-07 | 피티플러스(주) | 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법 |
DE10061297C2 (de) | 2000-12-08 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs |
EP1215725A3 (de) | 2000-12-18 | 2005-03-23 | cubit electronics Gmbh | Anordnung zur Aufnahme elektrischer Bauteile und kontaktloser Transponder |
KR100388272B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2003-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 티알에스 소자 |
GB2371910A (en) | 2001-01-31 | 2002-08-07 | Seiko Epson Corp | Display devices |
DE10105914C1 (de) | 2001-02-09 | 2002-10-10 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung |
US6767807B2 (en) | 2001-03-02 | 2004-07-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for producing organic thin film device and transfer material used therein |
JP2002289355A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置 |
DE10117663B4 (de) | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
KR20030024690A (ko) * | 2001-04-17 | 2003-03-26 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 저 황산염 및 고 금속 이온 함량을 갖는 전도성 투명중합체 층을 포함하는 led |
DE10120686A1 (de) | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung |
US6781868B2 (en) | 2001-05-07 | 2004-08-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Molecular memory device |
US20020170897A1 (en) | 2001-05-21 | 2002-11-21 | Hall Frank L. | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser |
US7244669B2 (en) | 2001-05-23 | 2007-07-17 | Plastic Logic Limited | Patterning of devices |
DE10126859A1 (de) | 2001-06-01 | 2002-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen |
DE10126860C2 (de) | 2001-06-01 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen |
US6870180B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Organic polarizable gate transistor apparatus and method |
JP2003017248A (ja) | 2001-06-27 | 2003-01-17 | Sony Corp | 電界発光素子 |
DE20111825U1 (de) | 2001-07-20 | 2002-01-17 | Lammering Thomas | Printmedium |
DE10141440A1 (de) | 2001-08-23 | 2003-03-13 | Daimler Chrysler Ag | Tripodegelenk |
JP2003089259A (ja) | 2001-09-18 | 2003-03-25 | Hitachi Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
US7351660B2 (en) | 2001-09-28 | 2008-04-01 | Hrl Laboratories, Llc | Process for producing high performance interconnects |
US6679036B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-01-20 | Shunchi Crankshaft Co., Ltd. | Drive gear shaft structure of a self-moving type mower |
DE10153656A1 (de) | 2001-10-31 | 2003-05-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren durch Aufbringen einer reaktiven, die organische Halbleiterschicht im Kontaktbereich regio-selektiv dotierenden Zwischenschicht |
DE10160732A1 (de) | 2001-12-11 | 2003-06-26 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu |
DE10163267A1 (de) | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Blattgut mit einem elektrischen Schaltkreis sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung des Blattguts |
US6819181B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-11-16 | Motorola, Inc. | Method and structure for integrated circuit interference isolation enhancement |
DE10209400A1 (de) | 2002-03-04 | 2003-10-02 | Infineon Technologies Ag | Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung |
US6596569B1 (en) | 2002-03-15 | 2003-07-22 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
US7204425B2 (en) | 2002-03-18 | 2007-04-17 | Precision Dynamics Corporation | Enhanced identification appliance |
DE10212640B4 (de) | 2002-03-21 | 2004-02-05 | Siemens Ag | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren |
DE10219905B4 (de) | 2002-05-03 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements |
US6812509B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Palo Alto Research Center Inc. | Organic ferroelectric memory cells |
DE10229168A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Infineon Technologies Ag | Laminat mit einer als Antennenstruktur ausgebildeten elektrisch leitfähigen Schicht |
AT502890B1 (de) | 2002-10-15 | 2011-04-15 | Atomic Austria Gmbh | Elektronisches überwachungssystem zur kontrolle bzw. erfassung einer aus mehreren sportartikeln bestehenden sportartikelkombination |
US6870183B2 (en) | 2002-11-04 | 2005-03-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating |
WO2004042837A2 (de) | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Organisches elektronisches bauteil mit hochaufgelöster strukturierung und herstellungsverfahren dazu |
DE50306538D1 (de) | 2002-11-19 | 2007-03-29 | Polyic Gmbh & Co Kg | Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu |
ATE540436T1 (de) | 2002-11-19 | 2012-01-15 | Polyic Gmbh & Co Kg | Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten |
US7088145B2 (en) | 2002-12-23 | 2006-08-08 | 3M Innovative Properties Company | AC powered logic circuitry |
EP1434281A3 (de) | 2002-12-26 | 2007-10-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Herstellungsmethode eines Dünnfilmtransistors, Substrat und elektrische Schaltung |
EP1586004B1 (de) * | 2003-01-09 | 2011-01-26 | PolyIC GmbH & Co. KG | Platine oder substrat für ein organisches elektronikgerät, sowie verwendung dazu |
US8665247B2 (en) | 2003-05-30 | 2014-03-04 | Global Oled Technology Llc | Flexible display |
US6950157B2 (en) | 2003-06-05 | 2005-09-27 | Eastman Kodak Company | Reflective cholesteric liquid crystal display with complementary light-absorbing layer |
DE10330064B3 (de) | 2003-07-03 | 2004-12-09 | Siemens Ag | Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen |
DE10330063A1 (de) | 2003-07-03 | 2005-02-03 | Siemens Ag | Verfahren zur Strukturierung und Integration organischer Schichten unter Schutz |
DE10338277A1 (de) | 2003-08-20 | 2005-03-17 | Siemens Ag | Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität |
DE10340641A1 (de) * | 2003-09-03 | 2005-04-07 | Siemens Ag | Strukturierung von Gate-Dielektrika in organischen Feldeffekt-Transistoren |
JP4400327B2 (ja) | 2003-09-11 | 2010-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | タイル状素子用配線形成方法 |
US7122828B2 (en) | 2003-09-24 | 2006-10-17 | Lucent Technologies, Inc. | Semiconductor devices having regions of induced high and low conductivity, and methods of making the same |
US7358530B2 (en) | 2003-12-12 | 2008-04-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Thin-film transistor array with ring geometry |
-
2005
- 2005-04-15 DE DE102005017655A patent/DE102005017655B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-31 JP JP2008505763A patent/JP4977126B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-31 KR KR1020077023640A patent/KR101244124B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-03-31 EP EP06723879A patent/EP1869625A2/de not_active Withdrawn
- 2006-03-31 CN CN200680012163.5A patent/CN101160594B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-31 US US11/911,429 patent/US7812343B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-31 WO PCT/EP2006/002916 patent/WO2006108514A2/de not_active Application Discontinuation
- 2006-04-04 TW TW095111903A patent/TWI314369B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002015264A2 (de) * | 2000-08-18 | 2002-02-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
DE10151440C1 (de) * | 2001-10-18 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
EP1383179A2 (de) * | 2002-07-17 | 2004-01-21 | Pioneer Corporation | Organische Halbleiteranordnung |
DE10335336A1 (de) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Siemens Ag | Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008036736A1 (de) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Abb Ag | Elektrisches Installationsschaltgerät mit einer elektronischen Baugruppe |
DE102008036736B4 (de) * | 2008-08-07 | 2010-04-29 | Abb Ag | Elektrisches Installationsschaltgerät mit einer elektronischen Baugruppe |
EP2151844A3 (de) * | 2008-08-07 | 2013-06-05 | Abb Ag | Elektrisches Installationsschaltgerät mit einer elektronischen Baugruppe |
DE102013102052A1 (de) | 2013-03-01 | 2014-09-04 | Infineon Technologies Ag | Chip-Anordnung und Verfahren zum Betreiben einer Chip-Anordnung |
DE102013102052B4 (de) | 2013-03-01 | 2018-07-26 | Infineon Technologies Ag | Chip-Anordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1869625A2 (de) | 2007-12-26 |
KR101244124B1 (ko) | 2013-03-14 |
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