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Die
Erfindung betrifft eine Halbleiterspeichervorrichtung und ein Verfahren
zum Betreiben einer Halbleiterspeichervorrichtung.
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Die überwiegende
Anzahl von Speicherkomponenten (z.B. integrierte Schaltkreise wie
DRAMs) werden gewöhnlich
mit 1 Bit-, 4 Bit-, oder 8-Bit-breiten Eingangs-/Ausgangsleitungen
hergestellt. In jeder dieser Konfigurationen können die Komponenten nicht
als Speicher mit Fehlerkorrekturcode (ECC) betrieben werden. Es
existieren jedoch Speicherkomponenten, die mit 5 Bit- oder 9 Bit-breiten
Eingangs-/Ausgangsleitungen hergestellt werden. Diese Komponenten
arbeiten als Speicher mit ECC, wobei die fünfte (oder die neunte) Leitung
als ECC Leitung dient.
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Speichermodule
(z.B. DIMMs (Dual Inline Memory Modules) oder SIMMs (Single Inline
Memory Modules)) weisen wie auch andere Komponenten eine Mehrzahl
von Speicherkomponenten auf. Diese Speichermodule können Speicherkomponenten
enthalten, die mit lediglich 1 Bit-, 4 Bit- oder 8 Bit-breiten Eingangs-/Ausgangsleitungen
ausgestattet sind; folglich kann auf diesem Speichermodul kein ECC Modus
ablaufen. Um eine ECC Funktion bereitzustellen, ist eine gesonderte
Speicherkomponente vorzusehen, die ausschließlich als ECC betrieben wird
und mit den Speicherkomponenten mit 1 Bit-, 4 Bit- oder 8 Bit-breiten
Eingangs-/Ausgangsleistungen zusammenarbeitet. Alternativ hierzu
können
Speichermodule Speicherkomponenten enthalten, die mit 5 Bit- oder
9 Bit-breiten Eingangs-/Ausgangsleitungen versehen sind. In diesem
Falle ist ein ECC Betrieb mit jeder dieser Speicherkomponenten möglich.
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Die
Verwendung derartiger Speicherkomponenten ist exklusiv – Halbleiterspeicherkomponenten oder
Halbleiterspeichermodule, die mit einer ECC Fähigkeit ausgestattet sind,
können
lediglich in einem ECC Rechnersystem und nicht in einem Rechnersystem
ohne ECC Funktionalität
verwendet werden. Umgekehrt herum können einzelne Speicherkomponente
oder Module, die nicht mit einer ECC Funktionalität ausgestattet
sind, lediglich in Systemen verwendet werden, die keine ECC Funktionalität aufweisen
(d.h. diese können
nicht in ECC-fähigen Systemen
eingesetzt werden).
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Demnach
ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine Halbleiterspeichervorrichtung
anzugeben, die sowohl in einem ECC Rechnersystem als auch in einem
Rechnersystem ohne ECC Funktionalität betrieben werden kann.
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Es
ist zudem eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Betreiben
einer Halbleiterspeichervorrichtung mit mehreren Betriebsmodi einschließlich einem
ECC Modus anzugeben.
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Die
obigen Aufgaben können
einzeln und/oder in Kombination gelöst werden und die Erfindung
erfordert keine gleichzeitige Lösung
beider oder mehrerer Aufgaben, sofern dies nicht explizit aus den beigefügten Patentansprüchen als
notwendig hervorgeht.
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Erfindungsgemäß wird eine
Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Mehrzahl von Halbleiterspeicherzellen
angegeben. Die Halbleiterspeicherzellen weisen wenigstens eine Speicherzelle
auf, die selektiv in einem ersten Modus, in dem die Speicherzelle
als Speichervorrichtung für
ECC Information dient oder in einem vom ersten Modus verschiedenen
zweiten Modus betrieben werden kann. In dem zweiten Modus dient
die wenigstens eine Speicherzelle entweder als redundante Speicherzelle
oder diese dient als Speicherzelle zum Speichern gewöhnlicher
Information. Die Halbleiterspeichervorrichtung weist zudem einen
Controller (ebenso als Signalsteuervorrichtung bezeichnet) auf,
um zu signalisieren, ob die wenigstens eine Speicherzelle in dem ersten
Modus als Speichervorrichtung für
ECC Information oder in dem zweiten Modus betrieben werden soll.
In einer ersten Ausführungsform
entspricht die Halbleiterspeichervorrichtung einer Halbleiterspeicherkomponente
(z.B. einem integrierten Schaltkreis), die die Signalsteuervorrichtung
enthält.
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In
einer zweiten Ausführungsform
kann die Halbleiterspeichervorrichtung eine Mehrzahl von Halbleiterspeicherkomponenten
sowie die Signalsteuervorrichtung enthalten. Die Signalsteuervorrichtung
kann jeder der Halbleiterspeicherkomponenten der Halbleiterspeichervorrichtung
zu eigen ist. Beispielsweise kann die Signalsteuervorrichtung eine Sicherung
(z.B. eine Lasersicherung oder eine elektronische Sicherung) aufweisen.
Die Signalsteuervorrichtung kann darüber hinaus wiederprogrammierbar
sein. Eine elektronische oder optische Abrufvorrichtung kann zur
Bestimmung des Status der Signalsteuervorrichtung verwendet werden.
Die Halbleiterspeichervorrichtung kann zudem eine Redundanzvorrichtung
aufweisen, um defekte Speicherzellen mit redundanten Speicherzellen,
welche Teil der wenigstens einen Speicherzelle sind, zu ersetzen.
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Des
Weiteren wird ein Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterspeichervorrichtung
mit einer Mehrzahl von Halbleiterspeicherzellen angegeben, wobei
die Halbleiterspeichervorrichtung wenigstens eine Speicherzelle
aufweist, die in einem ersten Modus als Speichervorrichtung für ECC Information oder
in einem von dem ersten Modus verschiedenen zweiten Modus betrieben
werden kann. Das Verfahren weist die Schritte Erfassen des Status
einer Signalsteuervorrichtung auf, wobei die wenigstens eine Speicherzelle
abhängig
vom erfassten Status zum Speichern oder Lesen von ECC Information
oder im zweiten Modus betrieben wird. Falls diese im zweiten Modus
betrieben wird, kann die wenigstens eine Speicherzelle entweder
als redundante Speicherzelle oder als Speicherzelle zum Speichern
von gewöhnlicher
Information betrieben werden.
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Obige
und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden
bei Betrachtung der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von
spezifischen Ausführungsformen,
insbesondere unter Berücksichtigung
der begleitenden Abbildungen, ersichtlich, wobei übereinstimmende
Bezugskennzeichen in den verschiedenen Figuren zur Kennzeichnung übereinstimmender
Komponenten verwendet werden.
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1 und 3 zeigen
Aufsichten von Halbleiterspeichervorrichtungen gemäß verschiedenen
Ausführungsformen
der Erfindung, wobei eine Mehrzahl von Speicherzellen und eine Signalsteuervorrichtung
gezeigt sind.
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2 zeigt
eine Aufsicht auf eine Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung, wobei eine Mehrzahl von Halbleiterspeicherkomponenten
gezeigt ist, die mit einer Signalsteuervorrichtung kommunizieren.
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1 zeigt
eine Halbleiterspeichervorrichtung MM mit einer Mehrzahl von Speicherzellen
MC (der Übersichtlichkeit
halber sind lediglich drei der Speicherzellen MC dargestellt). Die
Speicherzellen können
beispielsweise DRAM-Speicherzellen darstellen, die in einer Matrix
angeordnet sind, jedoch sind die Speicherzellen nicht auf diesen
Typ beschränkt.
In dieser Ausführungsform
stellt die Halbleiterspeichervorrichtung MM eine Komponenten-Typ-Vorrichtung
dar, z.B. einen einzelnen integrierten Schaltkreis. Wenigstens eine
der Mehrzahl von Speicherzellen MC stellt eine Mehrzweck-Speicherzelle
dar – diese
kann entweder in einem ersten Modus zum Speichern und/oder Lesen
von Fehlerkorrekturcode (ECC) Information oder in einem zweiten
Modus als redundante Speicherzelle zum Ersetzen von fehlerhaften
Speicherzellen (und insbesondere einzelnen Speicherzellen, die defekt
sind) betrieben werden. Während
des Betriebs erfolgt jeder Modus exklusiv zum anderen, so dass die
Speicherzellen MC nicht gleichzeitig in beiden Modi betrieben werden
können.
Somit kann die wenigstens eine Speicherzelle MC in einem Betriebszustand
entweder als Speicherzelle zum Speichern und/oder Lesen von ECC
Information oder zum Ersetzen defekter Speicherzellen aus der Anzahl
der verbleibenden Speicherzellen MC (insbesondere einzelne defekte Speicherzellen
MC) betrieben werden.
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Wie
in 1 gezeigt ist, enthält die Halbleiterspeichervorrichtung
MM eine 0 MB Kennzeichnung, eine 256 MB Kennzeichnung und
eine 288 MB Kennzeichnung. Diese Kennzeichnungen markieren lediglich
beispielhaft Grenzen der Speicherfeldbereiche innerhalb eines 256 MB
DRAMs. Jeder der Speicherfeldbereiche enthält eine Mehrzahl von Speicherzellen
MC. In der dargestellten Ausführungsform kennzeichnet
0 MB den Anfang eines ersten Speicherfeldbereichs des DRAMs. Die 256 MB
Kennzeichnung markiert die Grenze zwischen einem Speicherfeldbereich,
der ausschließlich
Einzweckspeicherzellen MC (d.h. dieses Feld enthält nicht die Mehrzweckspeicherzellen)
enthält,
sowie ein Speicherfeldbereich 1 mit Mehrzweckspeicherzellen
(d.h. die wenigstens eine Speicherzelle, welche entweder im ersten
oder zweiten funktionellen Modus betrieben werden kann). Die 288 MB
Kennzeichnung markiert die andere Grenze des Speicherfeldbe reichs 1 einschließlich der
Mehrzweckspeicherzellen. Folglich ist die wenigstens eine Speicherzelle
MC, welche entweder im ersten oder zweiten funktionellen Modus betrieben
werden kann, vollständig
innerhalb eines getrennten Speicherfeldbereichs 1 enthalten.
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Zusätzlich enthält die erste
Ausführungsform (integrierte
Schaltkreiskomponente) der Halbleiterspeichervorrichtung eine Signalsteuervorrichtung CTRL
zum Signalisieren, in welchem Modus (ECC Betrieb oder redundanter
Speicherzellenbetrieb) die Mehrzweckspeicherzelle MC einer bestimmten
Speicherzellenvorrichtung MM betrieben werden kann. Wie gezeigt
ist, ist die Signalsteuervorrichtung CTRL außerhalb der Speicherfeldbereiche
angeordnet. Die Signalsteuervorrichtung CTRL kann eine Sicherung (eine
Lasersicherung oder eine elektronische Sicherung wie ein Mode-Control
Register Set) sein, diese ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Soll
die Halbleiterspeichervorrichtung MM bei diesem Aufbau als Mehrzweckspeicherzelle
MC im ECC Modus betrieben werden, kann die Sicherung intakt bleiben
(d.h. es erfolgt kein "Durchbrennen
der Sicherung").
Ein herkömmlicher
Controller zum Betreiben von Halbleiterspeichern kann den Status
der Signalsteuervorrichtung CTRL ("nicht durchgebrannt" bezogen auf dieses Beispiel) abrufen
und die Halbleiterspeichervorrichtung MM entsprechend dem gelesenen
Zustand als Speicher betreiben, der, abgesehen von weiteren Speicherzellen
MC, Speicherzellen MC zur Verwendung in Verbindung mit dem ECC Modus
aufweist. Falls die Sicherung jedoch nicht intakt ist (d.h. diese
ist durchgebrannt), kann der Controller den Zustand der Signalsteuervorrichtung
CTRL als "durchgebrannt" abrufen und dementsprechend
die Mehrzweckspeicherzelle MC als redundante Speicherzelle betreiben.
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Die
Signalsteuervorrichtung CTRL kann zudem eine wiederprogrammierbare
Vorrichtung enthalten. Dies ermöglicht
es, den Status der Vorrichtung (z.B. "durchgebrannt" und "nicht durchgebrannt") mehrere Male zu ändern. Die Signalsteuervorrichtung
CTRL kann ebenso in eine Betriebsartenregistergruppe (Mode-Control Register
Set) integriert sein. Der Zustand einer solchen Betriebsartenregistergruppe
kann zumindest mit jedem Einschaltvorgang geändert werden, wie mithin bekannt.
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2 zeigt
eine Halbleiterspeichervorrichtung MM gemäß einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung. Diese Ausführungsform
könnte
industriell von größerem Interesse
sein als die soeben beschriebene erste Ausführungsform, da die Halbleiterspeichervorrichtung
MM bei dieser zweiten Ausführungsform
ein Speicherboard wie ein DIMM- oder SIMM-Board dargestellt. Mit
anderen Worten enthält die
Halbleiterspeichervorrichtung MM der zweiten Ausführungsform
eine Mehrzahl individueller Speicherkomponenten Comp.
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Jede
der Mehrzahl von Speicherkomponenten Comp enthält Speicherzellen MC, die in
einer Matrix angeordnet sind (der Einfachheit halber sind lediglich
einige wenige Speicherzellen in 2 gezeigt).
Die Speicherzellen MC enthalten wie bei der ersten Ausführungsform
wenigstens eine Mehrzweckspeicherzelle MC – d.h. eine Speicherzelle,
die in einem ersten Modus als Speichervorrichtung für ECC Information
oder im zweiten Modus betrieben werden kann. Nachfolgend wird angenommen,
dass die wenigstens eine Mehrzweckspeicherzelle MC im zweiten Modus
als redundante Speicherzelle betrieben wird. Jedoch kann dieser
zweite Modus in einer weiteren, verschiedenen Ausführungsform
gewöhnliche
Daten in der wenigstens einen Mehrzweckspeicherzelle MC speichern,
wie nachfolgend beschrieben wird. Falls der zweite Modus dem Betrieb
von redundanten Speicherzellen dient, ähneln die Speicherkomponenten
Comp der zweiten Ausführungsform
der Halbleiterspeichervorrichtung MM der ersten Aus führungsform
in Bezug auf die funktionelle Anordnung als auch die Leistungsfähigkeit
der Speicherzellen MC.
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Eine
einzelne Signalsteuervorrichtung CTRL ist in der Halbleiterspeichervorrichtung
MM ebenso vorgesehen. Diese einzelne Signalsteuervorrichtung CTRL
kann mit beliebigen der Speicherkomponenten Comp der zweiten Ausführungsform
angeordnet sein; jedoch wird bevorzugt, die einzelne Signalsteuervorrichtung
CTRL separat auf dem DIMM- oder SIMM-Board oder generell auf der
Halbleiterspeichervorrichtung MM anzuordnen. Die Signalsteuervorrichtung
CTRL kann Vorrichtungen enthalten, die den oben beschriebenen ähneln (z.B.
eine Sicherung, eine wiederprogrammierbare Vorrichtung usw.).
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Bei
der oben beschriebenen Ausführungsform
steuert der Controller die Halbleiterspeichervorrichtung MM und
die Speicherkomponenten Comp können
zum Abrufen des Zustands der Signalsteuervorrichtung CTRL (z.B. "durchgebrannt" oder "nicht durchgebrannt") betrieben werden
und als Ergebnis des gelesenen Status werden die Mehrzweckspeicherzellen
MC entsprechend betrieben. Bei diesem Aufbau wird die Halbleiterspeichervorrichtung
MM derart angesteuert, dass diese entweder als Speichervorrichtung
mit in einem ECC Modus (dem ersten Modus) wirkenden Speicherzellen
MC betrieben wird oder als Speichervorrichtung mit in dem zweiten Modus
betriebenen Speicherzellen MC dient, wobei der zweite Modus einem
Modus einer redundanten Speicherzelle entsprechen kann, falls eine
Redundanz erforderlich ist, oder dieser kann einem gewöhnlichen
Informationsspeichermodus entsprechen (siehe unten stehende Ausführungen).
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Vorzugsweise
weist eine entsprechende Speicherkomponente Comp, d.h. entweder
eine einzelne Speicherkomponente Comp wie bei der ersten Ausführungsform
oder eine Mehrzahl von Komponenten Comp wie in der zweiten Ausführungsform, eine
Redundanzvor richtung wie einen Redundanzdecoder, eine Sicherung
usw. (wie allgemein bekannt ist) auf, um einen Vollbetrieb der Speicherzellen
MC als redundante Speicherzellen zu ermöglichen.
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3 zeigt
eine weitere Halbleiterspeichervorrichtung MM mit einer Mehrzahl
von Speicherzellen MC (der Übersichtlichkeit
halber sind ebenso lediglich drei der Speicherzellen MC gezeigt).
Die Speicherzellen MC können
DRAM Speicherzellen entsprechen, die in einer Matrix angeordnet
sind, jedoch sind die Speicherzellen MC nicht auf diesen Speichertyp
beschränkt.
Wie in der Ausführungsform
von 1 entspricht die Halbleiterspeichervorrichtung MM
ebenso in dieser Ausführungsform
einer Komponenten-Typ-Vorrichtung, z.B. einem einzelnen integrierten
Schaltkreis. Wenigstens eine der Mehrzahl von Speicherzellen MC
entspricht einer Mehrzweckspeicherzelle – diese kann entweder in einem
ersten Modus zum Speichern und/oder Lesen von Fehlerkorrekturcode
(ECC) Information oder in dem zweiten Modus betrieben werden.
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Jedoch
unterscheidet sich der zweite Modus in dieser Ausführungsform
von dem zweiten Modus in der Ausführungsform von 1.
In der Ausführungsform
in 3 wirkt die wenigstens eine Speicherzelle MC im
zweiten Modus als Speicherzelle zum Speichern gewöhnlicher
Information. Mit anderen Worten: in der Ausführungsform von 3 funktioniert
die wenigstens eine Speicherzelle MC bei Betrieb im zweiten Modus
auf dieselbe Weise wie die Speicherzellen MC der Halbleiterspeichervorrichtung MM,
die nicht in zwei verschiedenen Modi betrieben werden können. Erneut
erfolgt jeder Modus während des
Betriebs exklusiv zum anderen – die
wenigstens eine Speicherzelle MC wird nicht gleichzeitig in beiden
Modi betrieben. Somit kann die wenigstens eine Speicherzelle MC
entweder als Speicherzelle zum Speichern von ECC Information oder
als Speicherzelle zum Speichern von gewöhnlicher Information betrieben
werden.
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Wie
in 3 gezeigt ist, enthält die Halbleiterspeichervorrichtung
MM eine 0 MB Kennzeichnung, eine 244 MB Kennzeichnung und
eine 256 MB Kennzeichnung. Diese Kennzeichnungen markieren beispielhaft
Grenzen der Speicherfelder innerhalb eines 256 MB DRAMs.
Jeder der Speicherfeldbereiche enthält eine Mehrzahl von Speicherzellen
MC. In der dargestellten Ausführungsform
kennzeichnet 0 MB den Anfang eines ersten Speicherfeldbereichs des DRAMs.
Die Kennzeichnung 244 MB markiert die Grenze zwischen einem
Speicherfeldbereich mit lediglich Einzweckspeicherzellen MC (d.h.
dieses Feld enthält
keine Mehrzweckspeicherzellen) und einem Speicherfeldbereich 1 mit
der wenigstens einen Mehrzweckspeicherzelle MC (d.h. die entweder
im ersten oder im zweiten funktionellen Modus betreibbare wenigstens
eine Speicherzelle MC). Die 256 MB Kennzeichnung markiert
die weitere Grenze des Speicherfeldbereichs 1 mit den Mehrzweckspeicherzellen.
Folglich ist, siehe 3, die entweder im ersten oder
zweiten funktionellen Modus betreibbare wenigstens eine Speicherzelle
MC vollständig
innerhalb eines getrennten Speicherfeldbereichs 1 enthalten.
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Ebenso
enthält
diese Ausführungsform
(integrierte Schaltkreiskomponente) der Halbleiterspeichervorrichtung
entsprechend zur Ausführungsform von 1 eine
Signalsteuervorrichtung CTRL zum Signalisieren, in welchem Modus
(ECC Betrieb oder Betrieb zum Speichern gewöhnlicher Information) die Mehrzweckspeicherzelle
MC einer bestimmten Speicherzellenvorrichtung MM betrieben werden
kann. Wie gezeigt, ist die Signalsteuervorrichtung CTRL außerhalb
der Speicherfeldbereiche angeordnet. Ebenso kann die Signalsteuervorrichtung
CTRL in dieser Ausführungsform
eine Sicherung enthalten (eine Lasersicherung oder eine elektronische
Sicherung wie eine Betriebsartenregistergruppe), jedoch ist die
Signalsteuervorrichtung CTRL nicht hierauf beschränkt. Falls
die Halbleiterspeichervorrichtung MM die Mehr zweckspeicherzelle
MC im ECC Modus betreiben soll, kann die Sicherung bei diesem Aufbau intakt
bleiben (d.h. es erfolgt kein "Durchbrennen
der Sicherung").
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Ein
herkömmlicher
Controller zum Betreiben von Halbleiterspeichern kann den Status
der Signalsteuervorrichtung CTRL ("nicht durchgebrannt" bezogen auf dieses Beispiel) abrufen
und die Halbleiterspeichervorrichtung MM entsprechend dem gelesenen
Zustand als Speicher betreiben, der, abgesehen von weiteren Speicherzellen
MC, Speicherzellen MC zur Verwendung in Verbindung mit dem ECC Modus aufweist.
Falls die Sicherung jedoch nicht intakt ist (d.h. diese ist durchgebrannt),
kann der Controller den Zustand der Signalsteuervorrichtung CTRL
als "durchgebrannt" abrufen und dementsprechend
die Mehrzweckspeicherzelle MC als redundante Speicherzelle betreiben.
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Die
Signalsteuervorrichtung CTRL kann zudem eine wiederprogrammierbare
Vorrichtung enthalten. Dies ermöglicht
es, den Status der Vorrichtung (z.B. "durchgebrannt" und "nicht durchgebrannt") mehrere Male zu ändern. Die Signalsteuervorrichtung
CTRL kann ebenso in eine Betriebsartenregistergruppe (Mode-Control Register
Set) integriert sein. Der Zustand einer solchen Betriebsartenregistergruppe
kann zumindest mit jedem Einschaltvorgang geändert werden, wie mithin bekannt.
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Selbstverständlich kann
auch eine zur Ausführungsform
von 2 ähnliche
Anordnung im Rahmen des Schutzbereichs dieser Erfindung ausgelegt werden,
so dass die wenigstens eine Speicherzelle MC im zweiten Modus als
Speichervorrichtung zum Speichern gewöhnlicher Information dient.
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Erfindungsgemäß ist das
folgende Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterspeichervorrichtung MM
von Vorteil, sofern eine Halbleiterspeichervorrichtung MM einschließlich einer
Mehrzahl von Halbleiterspeicherzellen MC vorliegt und die Mehrzahl von
Speicherzellen MC wenigstens eine erste Speicherzelle MC aufweist,
die in einem ersten Modus zum Speichern und/oder Lesen von Fehlerkorrekturcode
(ECC) Information oder in einem zweiten Modus betreiben werden kann,
in dem diese entweder als redundante Speicherzelle zum Ersetzen
fehlerhafter Speicherzellen (und insbesondere von einzelnen Speicherzellen,
die defekt sind) oder als Speichervorrichtung zum Speichern von
gewöhnlicher
Information wirkt. Während
des Betriebs wird der Status einer Signalsteuervorrichtung CTRL
erfasst (oder abgerufen). Sobald dieser erfasst ist, wird die in
dem ersten oder zweiten Modus betreibbare wenigstens eine Speicherzelle
MC entweder im ersten Modus (d.h. als Speichervorrichtung für ECC Information) oder
im zweiten Modus (d.h. entweder als redundante Speicherzelle oder
als Speichervorrichtung zum Speichern gewöhnlicher Information) betrieben.
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Eine
Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der Erfindung ermöglicht verschiedenartige
Vorteile. So ist es möglich
(abhängig
vom Status der Signalsteuervorrichtung CTRL) eine solche Halbleiterspeichervorrichtung
in einem System mit ECC Funktionalität als auch in einem System
ohne ECC Funktionalität
einzusetzen. In letzterem Falle ist es zudem möglich, die wenigstens eine
Speicherzelle MC als redundante Speicherzelle (in einer Ausführungsform) zu
verwenden oder diese als Speichervorrichtung zum Speichern gewöhnlicher
Information (in derselben oder einer hiervon verschiedenen Ausführungsform)
zu verwenden. Die verschiedenen Arten der Nutzung sind darauf zurückzuführen, dass
die Anzahl von Verbindungspins der Halbleiterspeichervorrichtung
immer dieselbe ist, unabhängig
davon, ob diese in einem ECC System verwendet wird oder nicht. Im
Gegensatz hierzu ist die Anzahl von Verbindungspins in Halbleiterspeichervorrichtungen
des Standes der Technik, die sich für ein ECC System eignen, immer
verschieden von der Anzahl von Verbindungs pins einer Halbleiterspeichervorrichtung, die
sich nicht für
ein ECC System eignet.
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Zusätzlich sind
die Herstellungskosten der erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung geringer
als die Kosten zur Herstellung bekannter Halbleiterspeichervorrichtungen,
da insbesondere bei Vorliegen fehlerhafter Speicherzellen, insbesondere
einzelner fehlerhafter Speicherzellen (z.B. in dem Zellenfeld/den
Zellenfeldern außerhalb
des Bereichs der Mehrzweckspeicherzelle) die Möglichkeit besteht, die Mehrzweckspeicherzellen
als redundante Speicherzellen zu verwenden, falls die Mehrzweckspeicherzellen
im zweiten Modus als redundante Speicherzellen wirken. Ohne diese
Möglichkeit des
Ersetzens von Speicherzellen würde
die Intaktheit der Halbleiterspeichervorrichtung abnehmen.
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In
der Ausführungsform,
in der die wenigstens eine Speicherzelle MC im zweiten Modus als Speichervorrichtung
zum Speichern gewöhnlicher
Information dient, weist die Erfindung den Vorteil auf, dass die
Anzahl von Pins konstant gehalten werden kann, unabhängig davon,
ob die Halbleiterspeichervorrichtung im ersten Modus oder im zweiten
Modus betrieben wird. Ebenso kommt der Aspekt der "Herstellungskosten", wie eingangs beschrieben,
zum Tragen, da keine Notwendigkeit besteht, verschiedene Typen von
Speichervorrichtungen abhängig
vom Anwendungszweck (ECC Information oder lediglich gewöhnliche
Information) herzustellen. Verschiedene Typen von Speichervorrichtungen
reduzieren die Anzahl von Speichervorrichtungen für den ersten
Betriebsmodus und ebenso die Anzahl von Speichervorrichtungen für den zweiten
Betriebsmodus. Eine derartige Reduktion führt zu höheren Kosten pro Speichervorrichtung.
Jedoch führt
die Herstellung einer entsprechend größeren Anzahl von Speichervorrichtungen,
die in beiden Modi betrieben werden können, zu einer Kosteneinsparung.
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Obwohl
die Erfindung detailliert mit Bezug zu spezifischen Ausführungsformen
erläutert
wurde, erkennt ein Fachmann, dass verschiedenartige Änderungen
und Modifikationen vollzogen werden können, ohne vom Schutzbereich
der Erfindung abzuweichen. Der Schutzbereich der Erfindung wird
durch die beigefügten
Patentansprüche
und deren Äquivalente
bestimmt.
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- MM
- Speichervorrichtung
- MC
- Speicherzellen
- 1
- Fläche der
Nummer 1 der Speicherzellen
- OMB,
244MB, 256MB, 288MB
- Kanten
von Speicherzellenflächen
- CTRL
- Signalvorrichtung
- Comp
- Speicherkomponente