DE102007002916A1 - High speed-LED-chip-housing structure, has reflection plate adhered to top side of base by adhesive, where reflection plate includes vertical through hole with opening, such that top sides of seat and electrodes are opened - Google Patents

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Abstract

The housing structure has an insulator (106) between a heat sink seat (102) and a set of electrodes (104) for providing an electric insulation between the seat and the electrodes. The seat and the electrodes are made of metallic material. A LED chip (150) is arranged on the top side of the seat. A reflection plate is adhered to the top side of a base (100) by an adhesive, where the reflection plate has a vertical through hole with an opening, such that the top sides of the seat and the electrodes are opened. An independent claim is also included for a method for manufacturing a set of housing units of high speed LED chip.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Leuchtdioden und insbesondere eine Gehäusestruktur für einen Hochleistungs-Leuchtdioden-Chip und ein zugehöriges Herstellungsverfahren davon.The The present invention relates generally to LEDs, and more particularly a housing structure for a high performance light emitting diode chip and an associated manufacturing method thereof.

Energische Forschungsaktivitäten sind in den letzten Jahren auf Hochleistungs-Leuchtdioden (LEDs) in den entsprechenden Industrien konzentriert worden. Einer der wichtigsten Gesichtspunkte für die Unterbringung eines Hochleistungs-LED-Chips handelt von der angemessenen Handhabung der hohen Temperatur und der Wärme, die durch den Hochleistungs-LED-Chip erzeugt werden, so dass die Funktionalität, die Leistungsfähigkeit und die operative Lebensdauer des LED-Chips nicht gefährdet sind.energetic Research activities have been focused on high-performance light-emitting diodes (LEDs) in recent years been concentrated in the relevant industries. One of main considerations for housing a High-performance LED chips is about the appropriate handling the high temperature and the heat passing through the high power LED chip be generated, so that the functionality, the performance and the operating life of the LED chip is not compromised are.

1a ist eine schematische Schnittansicht, die eine herkömmliche Gehäusestruktur eines LED-Chips zeigt. Wie dargestellt ist, ist der LED-Chip (oder ein LED-Baustein, wie ihn einige Leute nennen) 16 oben auf einem aus Bismaleimid-Triazin (BT) Harz hergestellten Substrat 19 positioniert. Die Elektroden (nicht gezeigt) des LED-Chips 16 sind durch Bonddrähte (einige Leute bezeichnen diese als Golddrähte) 13 mit der Kupferfolie 15 verbunden, die vorher auf dem Substrat 19 zum Bilden einer elektrischen Verbindung mit einem externen Schaltkreis ausgestaltet ist. Der LED-Chip 16 ist von einem Reflexionsspiegel 14 umgeben. Ein Harz 17 ist eingefüllt, um den LED-Chip 16 und die Bonddrähte 13 im Inneren abzudichten und zu schützen. Diese herkömmliche Gehäusestruktur ist in der Massenproduktion einsetzbar und trägt folglich zu geringeren Produktionskosten bei. Jedoch konnte bei dieser herkömmlichen Struktur die Wärme, die durch den LED-Chip 16 erzeugt wird, nur durch die dünne Kupferfolie 15 abgeführt werden, da Harz kein akzeptabler thermischer Leiter ist. Anders gesagt wirkt die Kupferfolie 15 sowohl für Elektrizität als auch für Wärme wie ein Leitungsweg für den LED-Chip 16, und falls der LED-Chip 16 ein Hochleistungs-Chip ist, ist eine solche Anordnung zum Handhaben der hochvoluminösen Wärme, die von dem Hochleistungs-LED-Chip erzeugt wird, nicht geeignet. 1a Fig. 10 is a schematic sectional view showing a conventional case structure of an LED chip. As shown, the LED chip (or a LED as some people call it) is 16 on top of a substrate made of bismaleimide-triazine (BT) resin 19 positioned. The electrodes (not shown) of the LED chip 16 are through bonding wires (some people call these gold wires) 13 with the copper foil 15 connected previously on the substrate 19 designed to form an electrical connection with an external circuit. The LED chip 16 is from a reflection mirror 14 surround. A resin 17 is filled to the LED chip 16 and the bonding wires 13 seal and protect inside. This conventional housing structure can be used in mass production and thus contributes to lower production costs. However, in this conventional structure, the heat generated by the LED chip could 16 is produced, only through the thin copper foil 15 be dissipated because resin is not an acceptable thermal conductor. In other words, the copper foil works 15 for both electricity and heat such as a conduction path for the LED chip 16 , and if the LED chip 16 is a high performance chip, such an arrangement is not suitable for handling the high volume heat generated by the high power LED chip.

Das US-Patent Nr. 6,274,924 offenbart eine Gehäusestruktur, welche getrennte Leitungswege für Elektrizität und Wärme aufweist. Um die Erklärung zu erleichtern, ist die Referenzzeichnung des US-Patents Nr. 6,274,924 hierin als die beigefügte Zeichnung 1b enthalten. Wie in 1b gezeigt ist, formt die offenbarte Gehäusestruktur einen metallischen Anschlussleitungsrahmen 12 in einem elektrisch isolierenden Kunststoffkörper, der hoher Temperatur widerstehen kann. Der LED-Chip 16 ist oben auf einer thermisch leitenden, jedoch elektrisch isolierenden Unterbefestigung 18 positioniert. Der LED-Chip 16 und die Unterbefestigung 18 sind ferner oben auf ein metallisches Wärmesenken-Element 10 positioniert, welches üblicherweise aus Kupfer hergestellt ist. Außerdem kann oben auf dem Wärmesenken-Element 10 ein optionaler Reflexionsspiegel 14 unter dem LED-Chip 16 und der Unterbefestigung 18 vorhanden sein. Das Wärmesenken-Element 10 zusammen mit dem LED-Chip 16 und der Unterbefestigung 18 ist ferner im Inneren eines erhaltenen Raumes des Kunststoffkörpers des Anschlussleitungsrahmens 12 positioniert. Die Elektroden (nicht gezeigt) des LED-Chips 16 sind außerdem über Bonddrähte (nicht gezeigt) mit dem Anschlussleitungsrahmen 12 verbunden. Schließlich sind der LED-Chip 16 und die Bonddrähte durch eine vorher angefertigte transparente Schutzlinse 20, die mit Harz gefüllt ist (nicht gezeigt), abgedeckt und geschützt.The U.S. Patent No. 6,274,924 discloses a housing structure having separate conduction paths for electricity and heat. To facilitate the explanation, the reference drawing of the U.S. Patent No. 6,274,924 herein as the attached drawing 1b contain. As in 1b 2, the disclosed housing structure forms a metallic lead frame 12 in an electrically insulating plastic body that can withstand high temperature. The LED chip 16 is on top of a thermally conductive but electrically insulating sub-mount 18 positioned. The LED chip 16 and the subfastening 18 are also on top of a metallic heat sink element 10 positioned, which is usually made of copper. Also, on top of the heat sink element 10 an optional reflection mirror 14 under the LED chip 16 and the subfastening 18 to be available. The heat sink element 10 together with the LED chip 16 and the subfastening 18 is also inside an obtained space of the plastic body of the lead frame 12 positioned. The electrodes (not shown) of the LED chip 16 are also via bonding wires (not shown) to the lead frame 12 connected. Finally, the LED chip 16 and the bonding wires through a previously made transparent protective lens 20 filled with resin (not shown), covered and protected.

Die Gehäusestruktur, die durch das US-Patent Nr. 6,274,924 vorgesehen ist, bietet eine ausreichende Wärmeableitung durch Trennen der Leitungswege für Elektrizität und Wärme. Jedoch ist der Herstellungsprozess, wie er oben beschrieben ist, ziemlich Komplex und höhere Herstellungskosten sind folglich unvermeidlich. Zusätzlich müssen der Anschlussleitungsrahmen 12 und die Schutzlinse 20 im Voraus durch Formen angefertigt werden, was zu einem sehr unflexiblen Herstellungsprozess führt, ganz zu schweigen von den durch das Formen verursachten Kosten. Zum Beispiel müssen, falls die in 1b dargestellte Gehäusestruktur verwendet werden soll, um zwei oder mehrere LED-Chips 16 unterzubringen, der Anschlussleitungsrahmen 12 und die Schutzlinse 20 neu entworfen und hergestellt werden.The case structure, which by the U.S. Patent No. 6,274,924 is provided, provides adequate heat dissipation by separating the conduction paths for electricity and heat. However, the manufacturing process as described above is quite complex and higher manufacturing costs are therefore inevitable. In addition, the connection line frame must 12 and the protective lens 20 be made in advance by molding, resulting in a very inflexible manufacturing process, not to mention the cost of molding. For example, if the in 1b shown housing structure is to be used to two or more LED chips 16 to accommodate the connection line frame 12 and the protective lens 20 be redesigned and manufactured.

Dementsprechend ist das Hauptziel der vorliegenden Erfindung, eine Gehäusestruktur, welche zum einen eine ausgezeichnete Wärmeableitungseffizienz erzielt, und ein zugehöriges Fertigungsverfahren zum Unterbringen eines Hochleistungs-LED-Chips vorzusehen, welches zum anderen in der Massenproduktion bei erheblich geringeren Produktionskosten verwendbar ist.Accordingly the main object of the present invention is to provide a housing structure, which on the one hand an excellent heat dissipation efficiency achieved, and an associated manufacturing method for housing a high-power LED chip, which on the other in mass production at significantly lower production costs is usable.

Die durch die vorliegende Erfindung vorgesehene Gehäusestruktur weist hauptsächlich eine Basis, eine Reflexionsplatte, den untergebrachten LED-Chip, Bonddrähte zum Verbinden der Elektroden des LED-Chips und einen transparenten Füllstoff oder eine transparente Linse zum Abdichten und Schützen des LED-Chips und der Bonddrähte auf. Die Basis, die einen flachen Formfaktor aufweist, ist aus einem metallischen Material und einem elektrisch isolierenden Material hergestellt, die zu einem einzigen Gegenstand integriert zusammengefügt sind. Das metallische Material bildet einen Wärmesenkensitz in der Mitte der Basis mit ausreichenden Abständen zu den Rändern der Basis aus. Der Wärmesenkensitz ist von der oberen Fläche der Basis und von der unteren Fläche oder einer Seitenfläche der Basis freigelegt. Das metallische Material bildet ferner eine Mehrzahl von Elektroden aus, die den Wärmesenkensitz umgeben. Die Elektroden sind von der oberen Fläche der Basis und von der unteren Fläche oder einer Seitenfläche der Basis freigelegt. Das elektrisch isolierende Material ist zwischen den Elektroden und dem Wärmesenkensitz eingefügt, so dass sie aneinander haften und so dass der Wärmesenkensitz und jeweils eine Elektrode und jeweils zwei Elektroden elektrisch isoliert sind.The housing structure provided by the present invention mainly includes a base, a reflection plate, the accommodated LED chip, bonding wires for connecting the electrodes of the LED chip, and a transparent filler or a transparent lens for sealing and protecting the LED chip and the bonding wires , The base, which has a flat shape factor, is made of a metallic material and an electrically insulating material, which are assembled together into a single article. The metallic material forms a heat sink seat in the middle of the base with sufficient Distances to the edges of the base. The heat sink seat is exposed from the upper surface of the base and from the lower surface or a side surface of the base. The metallic material further forms a plurality of electrodes surrounding the heat sink seat. The electrodes are exposed from the top surface of the base and from the bottom surface or a side surface of the base. The electrically insulating material is interposed between the electrodes and the heat sink seat so as to adhere to each other and so that the heat sink seat and each one electrode and each two electrodes are electrically insulated.

Der untergebrachte LED-Chip ist an die freigelegte obere Fläche des Wärmesenkensitzes angeklebt. Die positiven und negativen Elektroden des LED-Chips sind mit den freigelegten oberen Flächen der entsprechenden Elektroden der Basis separat verbunden. Die Reflexionsplatte ist an der Basis mittels eines geeigneten Mittels fest angebracht, so dass eine vertikale Durchgangsbohrung der Reflexionsplatte den LED-Chip oben auf dem Wärmesenkensitz der Basis freilegt. Das von dem LED-Chip ausgestrahlte Licht ist infolgedessen in der Lage, nach außen zu strahlen. Die Reflexionsplatte ist aus einem metallischen Material, das ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, oder aus einem nicht-metallischen Material hergestellt, bei dem die Wand der Durchgangsbohrung mit einem Film oder einer Schicht aus hoch reflektierendem Material beschichtet ist. Der Füllstoff oder die Schutzlinse ist aus einem transparenten Material, wie zum Beispiel Harz, hergestellt und im Inneren der Durchgangsbohrung angeordnet, um den LED-Chip und die Bonddrähte abzudichten und zu schützen.Of the housed LED chip is at the exposed upper surface glued to the heat sink seat. The positive and negative Electrodes of the LED chip are with the exposed upper surfaces of the corresponding electrodes of the base are connected separately. The reflection plate is firmly attached to the base by means of a suitable means, so that a vertical through hole of the reflection plate the LED chip on top of the heat sink seat of the base exposes. The emitted light from the LED chip is consequently in the Able to radiate outward. The reflection plate is made of a metallic material that has a high reflectivity or made of a non-metallic material, in which the wall of the through-hole with a film or a layer made of highly reflective material. The filler or the protective lens is made of a transparent material, such as Example resin, manufactured and inside the through hole arranged to seal the LED chip and the bonding wires and protect.

Die Basis der Gehäusestruktur weist eine vereinfachte Struktur auf und ist folglich für eine Massenproduktion sehr geeignet. Das von der vorliegenden Erfindung vorgesehene Fertigungsverfahren verwendet eine einzelne metallische Platte, um die Basen für eine große Anzahl von Einheiten der Gehäusestruktur gleichzeitig herzustellen. Die Wärmesenkensitze und die Elektroden der Basen sind durch Ätzen der metallischen Platte in einem einzelnen Arbeitsgang oder durch Ätzen der zwei Hauptflächen der metallischen Platte in getrennten Arbeitsgängen ausgebildet. Dann wird das isolierende Material zwischen die Wärmesenkensitze und die Elektroden eingefüllt. Danach wird die Reflexionsplatte an die Basis angeklebt, der LED-Chip wird oben auf dem Wärmesenkensitz befestigt, Bonddrähte werden an die Elektroden des LED-Chips und den freigelegten oberen Flächen der Elektroden der Basis angeschlossen, der Füllstoff wird in die Durchgangsbohrung der Reflexionsplatte gefüllt, und schließlich werden die Einheiten der Gehäusestruktur durch Schneiden getrennt.The Base of the housing structure has a simplified structure and is therefore very suitable for mass production. The method of manufacture provided by the present invention uses a single metallic plate to make the bases for a large number of units of the housing structure at the same time. The heat sink seats and the Electrodes of the bases are made by etching the metallic ones Plate in a single pass or by etching of the two main surfaces of the metallic plate in separate Operations trained. Then the insulating material filled between the heat sink seats and the electrodes. Thereafter, the reflection plate is glued to the base, the LED chip is attached to the top of the heat sink seat, bonding wires are applied to the electrodes of the LED chip and the exposed top surfaces connected to the electrodes of the base, which becomes filler filled in the through hole of the reflection plate, and finally the units become the case structure separated by cutting.

Die vorhergehenden und weiteren Ziele, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden besser durch ein sorgfältiges Lesen einer detaillierten Beschreiben verstanden, die hierin nachstehend mit entsprechendem Bezug zu den beigefügten Zeichnungen vorgesehen ist.The previous and further goals, features, aspects and benefits The present invention is better achieved by a careful Reading a detailed description, hereinafter with corresponding reference to the accompanying drawings is provided.

1a ist eine schematische Schnittansicht, die eine herkömmliche Gehäusestruktur eines LED-Chips zeigt. 1a Fig. 10 is a schematic sectional view showing a conventional case structure of an LED chip.

1b ist die Referenzzeichnung des US-Patents Nr. 6,274,924 . 1b is the reference drawing of the U.S. Patent No. 6,274,924 ,

2a ist eine schematische Schnittansicht, die die Gehäusestruktur gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2a FIG. 12 is a schematic sectional view showing the case structure according to a first embodiment of the present invention. FIG.

2b ist eine Einzelteildarstellung, die die Gehäusestruktur aus 2a zeigt. 2 B is an itemized view that shows the body structure 2a shows.

2c ist eine schematische Schnittansicht, die die Gehäusestruktur gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2c FIG. 12 is a schematic sectional view showing the case structure according to a second embodiment of the present invention. FIG.

2d ist eine schematische Schnittansicht, die die Gehäusestruktur gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2d FIG. 12 is a schematic sectional view showing the case structure according to a third embodiment of the present invention. FIG.

2e ist eine schematische Schnittansicht, die die Gehäusestruktur gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2e FIG. 16 is a schematic sectional view showing the case structure according to a fourth embodiment of the present invention. FIG.

2f ist eine schematische Schnittansicht, die die Gehäusestruktur gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2f FIG. 12 is a schematic sectional view showing the case structure according to a fifth embodiment of the present invention. FIG.

3a ist eine Perspektivansicht, die die Basis und die Gehäusestruktur für zwei LED-Chips gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 3a FIG. 12 is a perspective view showing the base and the package structure for two LED chips according to an embodiment of the present invention. FIG.

3b ist eine Perspektivansicht, die die Basis und die Gehäusestruktur für drei LED-Chips gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 3b FIG. 10 is a perspective view showing the base and the package structure for three LED chips according to an embodiment of the present invention. FIG.

4a bis 4g zeigen Ergebnisse der Herstellungsschritte eines Fertigungsverfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4a to 4g show results of manufacturing steps of a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

Die folgenden Beschreibungen stellen nur exemplarische Ausführungsformen dar und beabsichtigen nicht, den Gültigkeitsbereich, die Anwendbarkeit oder die Gestaltung der Erfindung in irgendeiner Weise einzuschränken. Vielmehr sieht die folgende Beschreibung eine geeignete Darstellung zur Umsetzung exemplarischer Ausführungsformen der Erfindung vor. Verschiedene Änderungen der beschriebenen Ausführungsformen können in der Funktion und Anordnung der beschriebenen Elemente vorgenommen werden, ohne vom Geltungsbereich der in den beigefügten Ansprüchen dargelegten Erfindung abzuweichen.The following descriptions are merely exemplary embodiments and are not intended to limit the scope, applicability, or configuration of the invention in any way. Rather, the following description provides a suitable representation for implementing exemplary embodiments of the invention. Various changes described Embodiments may be made in the function and arrangement of the described elements without departing from the scope of the invention as set forth in the appended claims.

2a und 2b zeigen eine schematische Schnittansicht und eine Einzelteildarstellung der Gehäusestruktur gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie dargestellt ist, weist die von der vorliegenden Ausführungsform vorgesehene Gehäusestruktur wenigstens eine Basis 100, eine Reflexionsplatte 110, den untergebrachten LED-Chip 150, eine Mehrzahl von Bonddrähten 120 und einen transparenten Füllstoff 130 auf. Die Basis 100 mit einem flachen Formfaktor weist einen Wärmesenkensitz 102, eine Mehrzahl von Elektroden 104 und einen Isolator 106 auf, die gemeinsam zu einem einzigen, festen Gegenstand integriert zusammengebaut sind. Der Wärmesenkensitz 102 und die Elektroden 104 sind aus einem metallischen Material mit einer hohen elektrischen und thermischen Leitfähigkeit hergestellt. Der Isolator 106 ist demgegenüber aus einem isolierenden Material, wie zum Beispiel Harz oder dergleichen, hergestellt. 2a and 2 B show a schematic sectional view and an exploded view of the housing structure according to a first embodiment of the present invention. As shown, the housing structure provided by the present embodiment has at least one base 100 , a reflection plate 110 , the housed LED chip 150 , a plurality of bonding wires 120 and a transparent filler 130 on. The base 100 with a flat form factor has a heat sink seat 102 , a plurality of electrodes 104 and an insulator 106 which are assembled together into a single, solid object integrated. The heat sink seat 102 and the electrodes 104 are made of a metallic material with a high electrical and thermal conductivity. The insulator 106 On the other hand, it is made of an insulating material such as resin or the like.

Der Wärmesenkensitz 102 ist in der Mitte der flachen Basis 100 mit geeigneten Abständen zu den Rändern der Basis 100 positioniert. Der Wärmesenkensitz 102 ist sowohl von der oberen Fläche der Basis 100 als auch von der unteren Fläche oder einer der Seitenflächen der Basis 100 her freigelegt. In der vorliegenden Ausführungsform weist der Wärmesenkensitz 102 auf der oberen Fläche der Basis 100 mehrere Freilegungen auf, um die Wärmeableitung durch Vergrößern seiner Kontaktbereiche mit Luft zu verbessern. Es sei angemerkt, dass die Form des in 2a und 2b gezeigten Wärmesenkensitzes 102 nur exemplarisch ist und andere geeignete Formen durch den Wärmesenkensitz 102 ebenso angenommen werden können. Die Elektroden 104 sind an geeigneten Positionen um den Wärmesenkensitz 102 herum positioniert. Ähnlich werden die Elektroden 104 sowohl von der oberen Fläche der Basis 100 als auch von der unteren Fläche und/oder wenigstens einer der Seitenflächen der Basis 100 freigelegt. Es sei ferner angemerkt, dass die Formen der in 2a und 2b gezeigten Elektroden 104 nur exemplarisch sind. Im Allgemeinen gibt es für die Einzel-Chip-Unterbringung der vorliegenden Ausführungsform zwei Elektroden 104 zum Verbinden mit der entsprechenden positiven und negativen Elektrode des Chips 150. In den alternativen Ausführungsformen, die eine Mehrfach-Chip-Unterbringung vorsehen, beträgt die Anzahl der Elektroden 104 das Doppelte der Anzahl der Chips 150. Der Isolator 106 bildet den Rest der Basis 100. Der Isolator 106 ist folglich zwischen dem Wärmesenkensitz 102 und den Elektroden 104 angeordnet, um zum einen den Wärmesenkensitz 102 und die Elektroden 104 miteinander zu verkleben und um zum anderen die Isolation zwischen dem Wärmesenkensitz 102 und jeweils einer Elektrode 104 und zwischen jeweils zwei Elektroden 104 auszubilden. Die Herstellung der Basis 100 wird später im Detail beschrieben.The heat sink seat 102 is in the middle of the flat base 100 with suitable distances to the edges of the base 100 positioned. The heat sink seat 102 is both from the top surface of the base 100 as well as from the bottom surface or one of the side surfaces of the base 100 uncovered. In the present embodiment, the heat sink seat 102 on the upper surface of the base 100 several exposures to improve heat dissipation by increasing its contact areas with air. It should be noted that the shape of the in 2a and 2 B shown heat sink seat 102 is merely exemplary and other suitable forms by the heat sink seat 102 can also be accepted. The electrodes 104 are at suitable positions around the heat sink seat 102 positioned around. The electrodes become similar 104 both from the top surface of the base 100 as well as from the lower surface and / or at least one of the side surfaces of the base 100 exposed. It should also be noted that the shapes of the in 2a and 2 B shown electrodes 104 are only exemplary. In general, for the single-chip package of the present embodiment, there are two electrodes 104 for connecting to the corresponding positive and negative electrode of the chip 150 , In the alternative embodiments providing multiple chip packaging, the number of electrodes is 104 twice the number of chips 150 , The insulator 106 forms the rest of the base 100 , The insulator 106 is therefore between the heat sink seat 102 and the electrodes 104 arranged, on the one hand the heat sink seat 102 and the electrodes 104 To glue together and on the other hand, the insulation between the heat sink seat 102 and one electrode each 104 and between each two electrodes 104 train. The production of the base 100 will be described later in detail.

Die Reflexionsplatte 110 weist ferner einen flachen Formfaktor mit einer vertikalen Durchgangsbohrung (nicht nummeriert) an einer entsprechenden Stelle in der Mitte auf. Die Reflexionsplatte 110 ist aus einem metallischen Material hergestellt, das ein hohes Reflexionsvermögen aufweist (z. B., Aluminium), oder sie kann aus einem isolierenden Material, wie zum Beispiel Harz, hergestellt sein, wobei aber die Wand der Durchgangsbohrung eine weiße Schicht aufweist oder mit einem Film beschichtet ist, der aus hoch reflektierendem Material, wie zum Beispiel Silber, hergestellt ist. Die Reflexionsplatte 110 ist an der Basis 100 mit einer Schicht eines geeigneten Klebers 160 angeklebt. Wenn die Reflexionsplatte 110 aus einem metallischen Material hergestellt ist, bildet ferner der Kleber 160 die Isolierung zwischen der Reflexionsplatte 110 und dem Wärmesenkensitz 102 der Basis 110 und Elektroden 104. Die Position und die Öffnung der Durchgangsbohrung sind genau festgelegt, so dass, nachdem die Reflexionsplatte 110 mit der Basis 100 verbunden ist, die obere Fläche des Wärmesenkensitz 102 und wenigstens ein Abschnitt der oberen Fläche der Elektroden 104 für die Befestigung des LED-Chips 150 bzw. das Anschließen der Bonddrähte 120 freigelegt sind. Als solches ist, wenn der LED-Chip 150 auf der freigelegten oberen Fläche des Wärmesenkensitz 102 befestigt ist, das von dem LED-Chip 150 ausgestrahlte Licht in der Lage, aus der Gehäusestruktur heraus durch die Durchgangsbohrung herauszustrahlen. Die Durchgangsbohrung in der vorliegenden Ausführungsform weist eine kreisförmige Öffnung auf und der Durchmesser der Öffnung wird größer, je näher er dem oberen Ende kommt. Es sei angemerkt, dass die geometrischen Beschaffenheiten der Durchgangsbohrung hier nur exemplarisch sind.The reflection plate 110 also has a flat form factor with a vertical through hole (not numbered) at a corresponding location in the middle. The reflection plate 110 is made of a metallic material having a high reflectivity (eg, aluminum), or it may be made of an insulating material such as resin, but the wall of the through-hole has a white layer or a white one Film made of highly reflective material, such as silver. The reflection plate 110 is at the base 100 with a layer of a suitable adhesive 160 glued. If the reflection plate 110 is made of a metallic material, further forms the adhesive 160 the insulation between the reflection plate 110 and the heat sink seat 102 the base 110 and electrodes 104 , The position and opening of the through hole are precisely set, so that after the reflection plate 110 with the base 100 is connected, the upper surface of the heat sink seat 102 and at least a portion of the upper surface of the electrodes 104 for fixing the LED chip 150 or the connection of the bonding wires 120 are exposed. As such, if the LED chip 150 on the exposed upper surface of the heat sink seat 102 is attached, that of the LED chip 150 emitted light capable of radiating out of the housing structure through the through hole. The through-hole in the present embodiment has a circular opening and the diameter of the opening becomes larger as it comes closer to the upper end. It should be noted that the geometric properties of the through hole are only exemplary here.

Der LED-Chip 150 ist an der oberen Fläche des Wärmesenkensitzes 102 fest angeklebt, wie zuvor erwähnt. Die positive und negative Elektrode (nicht gezeigt) des LED-Chips 150 sind mit separaten Elektroden 104 der Basis 100 über die Bonddrähte 120 entsprechend verbunden. Als solches wird die durch den LED-Chip erzeugte Wärme durch den Wärmesenkensitz 102 (d. h. den Wärmeableitungsweg) abgeleitet, während die Bonddrähte 120 und die Elektroden 104 gemeinsam einen Zugang zu der Elektrizität (d. h. den Elektrizitätsweg) vorsehen. Mit dieser Trennung des Elektrizitäts- und des Wärmeableitungsweges wird dadurch eine ausgezeichnete Wärmeableitungseffizienz erzielt. Die Durchgangsbohrung der Reflexionsplatte 160 ist mit dem Füllstoff 130 gefüllt, der aus einem transparenten Material, wie zum Beispiel Harz, hergestellt ist, um den LED-Chip 150 und die Bonddrähte 120 abzudichten und zu schützen. In der vorliegenden Ausführungsform füllt der Füllstoff 130 die Durchgangsbohrung der Reflexionsplatte 110 vollständig aus. In einer zweiten Ausführungsform, wie in 2c gezeigt ist, wird eine transparente Schutzlinse 170 (wie zum Beispiel eine kuppelförmige Linse, die im Allgemeinen bei LEDs verwendet wird) verwendet, um den LED-Chip 150 und die Bonddrähte 120 abzudecken.The LED chip 150 is on the upper surface of the heat sink seat 102 firmly glued, as previously mentioned. The positive and negative electrodes (not shown) of the LED chip 150 are with separate electrodes 104 the base 100 over the bonding wires 120 connected accordingly. As such, the heat generated by the LED chip through the heat sink seat 102 (ie the heat dissipation path) while the bonding wires 120 and the electrodes 104 jointly provide access to electricity (ie the electricity route). With this separation of the electricity and the heat dissipation path, an excellent heat dissipation efficiency is thereby achieved. The through hole of the reflection plate 160 is with the filler 130 filled, made of a transparent material, such as resin, is made to the LED chip 150 and the bonding wires 120 seal and protect. In the present embodiment, the filler fills 130 the through hole of the reflection plate 110 completely off. In a second embodiment, as in 2c is shown, a transparent protective lens 170 (such as a domed lens, which is generally used in LEDs) used to power the LED chip 150 and the bonding wires 120 cover.

2d bis 2f sind schematische Schnittansichten, die die Gehäusestruktur entsprechend einer dritten, vierten und fünften Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen. Bei der dritten Ausführungsform, die in 2d gezeigt ist, ist ein konkaver Reflexionsspiegel 103 auf der oberen Fläche des Wärmesenkensitzes 102 und unterhalb des LED-Chips 150 angeformt. Der Reflexionsspiegel 103 kann aus einem Metall oder aus einem Metalloxid mit hoher Wärmeleitfähigkeit, wie zum Beispiel Silber, Aluminium oder Aluminiumoxyd, hergestellt sein. Der Reflexionsspiegel 103 kann ferner eine Beschichtung aus hoch reflektierendem Material unabhängig von seiner Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Der Zweck des Aufweisens dieses Reflexionsspiegels 103 ist, die Helligkeit des LED-Chips 150 zu erhöhen, nachdem er untergebracht ist. Die vierte Ausführungsform, die in 2e gezeigt ist, dient dazu, zu demonstrieren, dass die vorliegende Erfindung ferner zum Erzeugen von weißem Licht durch verschieden farbige LEDs und geeigneten Leuchtstoffen verwendet werden kann. In dieser Ausführungsform ist ein Blaulicht LED-Chip 150 innerhalb eines gelben Leuchtstoffs 105 eingebettet, bevor sie durch den Füllstoff 130 abgedichtet werden. Der gelbe Leuchtstoff 105 kann gelbes Licht erzeugen, wenn er durch das blaue Licht des LED-Chips 150 angeregt wird, wobei das gelbe Licht mit dem anregenden blauen Licht gemischt wird, um Zweiwellenlängen-Weißlicht zu erzeugen. In einer weiteren Ausführungsform wird ein UV- (ultravioletter)-LED-Chip 150 in roten, grünen und blauen Leuchtstoff 105 eingebettet, wobei das rote, grüne und blaue Licht durch die Anregung des roten, grünen und blauen Leuchtstoffs 105 mittels des UV-Lichts des LED-Chips 150 gemischt wird, um Dreiwellenlänge-Weißlicht zu erzeugen. Eine fünfte Ausführungsform, die in 2f gezeigt ist, ist eigentlich eine Kombination der dritten und vierten Ausführungsformen. Eine große Anzahl von Forschungsergebnissen über den Reflexionsspiegel 103 und den Leuchtstoff 105 ist bereits für den zugehörigen Stand der Technik offenbart worden und ihre Implementierungen sind nicht auf dasjenige beschränkt, das in den zuvor erwähnten Ausführungsformen veranschaulicht sind. 2d to 2f 10 are schematic sectional views showing the housing structure according to a third, fourth and fifth embodiments according to the present invention. In the third embodiment, which is in 2d is shown is a concave reflection mirror 103 on the upper surface of the heat sink seat 102 and below the LED chip 150 formed. The reflection mirror 103 may be made of a metal or a metal oxide with high thermal conductivity, such as silver, aluminum or aluminum oxide. The reflection mirror 103 may further comprise a coating of highly reflective material, regardless of its thermal conductivity. The purpose of having this reflecting mirror 103 is the brightness of the LED chip 150 increase after being housed. The fourth embodiment, which is in 2e 3, serves to demonstrate that the present invention can be further used to produce white light through differently colored LEDs and suitable phosphors. In this embodiment, a blue light is LED chip 150 inside a yellow phosphor 105 embedded before passing through the filler 130 be sealed. The yellow phosphor 105 can produce yellow light when viewed through the blue light of the LED chip 150 is excited, wherein the yellow light is mixed with the exciting blue light to produce two-wavelength white light. In another embodiment, a UV (ultraviolet) LED chip 150 in red, green and blue fluorescent 105 embedded, where the red, green and blue light by the excitation of the red, green and blue phosphor 105 by means of the UV light of the LED chip 150 is mixed to produce three wavelength white light. A fifth embodiment, which is in 2f is actually a combination of the third and fourth embodiments. A large number of research results on the reflection mirror 103 and the phosphor 105 has already been disclosed for the related art and its implementations are not limited to those illustrated in the aforementioned embodiments.

3a und 3b demonstrieren durch Darstellen ihrer Basen und Gehäusestrukturen, wie die vorliegende Erfindung bei der Unterbringung von zwei bzw. drei LED-Chips angewendet wird. Wie aus den Abbildungen ersichtlich sein sollte, kann die vorliegende Erfindung leicht angepasst werden, um sogar eine größere Anzahl von LED-Chips unterzubringen. Der einzige Unterschied zwischen diesen Mehrfach-Chip-Gehäusestrukturen liegt einzig in der Anordnung einer geeigneten Anzahl von Elektroden 104 in geeigneten Positionen in der Basis 100. Die Mehrfach-Chip-Gehäusestruktur ist ferner für das Farbmischen verschieden farbiger LEDs sehr geeignet. Mittels der Drei-Chip-Gehäusestruktur, die als ein Beispiel in 3b gezeigt ist, können die drei LED-Chips 150 entsprechend ein rotes Licht, ein grünes Licht und ein blaues Licht aufweisen. Dann können beim gemeinsamen Unterbringen in der dargestellten Gehäusestruktur die drei farbigen Lichter miteinander gemischt werden, um weißes Licht zu erzeugen. Kurz zusammengefasst kann die vorliegende Erfindung zur Unterbringung verschieden farbiger LED-Chips, verschiedener Anzahlen von LED-Chips und zur Herstellung von verschiedenen mono-farbigen und voll-farbigen Lichtern angewendet werden. 3a and 3b demonstrate by presenting their bases and housing structures how the present invention is applied to the placement of two and three LED chips, respectively. As should be apparent from the figures, the present invention can be easily adapted to accommodate even a larger number of LED chips. The only difference between these multi-chip package structures lies in the arrangement of a suitable number of electrodes 104 in appropriate positions in the base 100 , The multi-chip package structure is also very suitable for color mixing differently colored LEDs. By means of the three-chip package structure, which as an example in 3b shown, the three LED chips 150 correspondingly have a red light, a green light and a blue light. Then, when housed together in the illustrated case structure, the three colored lights can be mixed with each other to produce white light. Briefly summarized, the present invention can be used to house differently colored LED chips, different numbers of LED chips, and to produce various mono-color and full-color lights.

4a bis 4g zeigen die Ergebnisse der Herstellungsschritte eines Fertigungsverfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Zu Anfang wird eine große metallische Platte 190 mit einer hohen elektrischen und thermischen Leitfähigkeit bereitgestellt, wie in 4a gezeigt ist. Die metallische Platte 190 wird für die nachfolgende Anordnung der Basen 100 der Mehrfach-Gehäuseeinheiten 200 gleichzeitig verwendet. Die Basen 100 der Gehäuseeinheiten 200 sind in einer Reihe nebeneinander oder an dem Rand 180 der metallischen Platte 190 angeordnet. Die Basen 100 werden hauptsächlich mittels eines geeigneten Mittels durch Ätzen und maschineller Bearbeitung ausgebildet, um den Abschnitt der Basen 100 für das anschließende Füllen mit dem Isolator 106 zu entfernen, so dass im Anschluss daran die Wärmesenkensitze 102 und die Elektroden 104 der Basen 100 zurückgelassen werden, wie in 4b gezeigt ist. Dann wird der Abschnitt der Basen 100, der weg geätzt ist, mit dem Isolator 106 gefüllt, wobei das Ergebnis in 4c gezeigt ist. 4a to 4g show the results of the manufacturing steps of a manufacturing method according to an embodiment of the present invention. To start with, a large metallic plate 190 provided with a high electrical and thermal conductivity, as in 4a is shown. The metallic plate 190 is for the subsequent arrangement of the bases 100 the multiple housing units 200 used simultaneously. The bases 100 the housing units 200 are in a row next to each other or at the edge 180 the metallic plate 190 arranged. The bases 100 are mainly formed by a suitable means by etching and machining to the portion of the bases 100 for the subsequent filling with the insulator 106 remove, so that afterwards the heat sink seats 102 and the electrodes 104 the bases 100 be left behind, as in 4b is shown. Then the section of the bases 100 etched away with the insulator 106 filled, with the result in 4c is shown.

In Abhängigkeit der Komplexität der Gestaltungen des Wärmesenkensitzes 102 und der Elektroden 104 kann der vorhergehende Ätz- und maschinelle Bearbeitungsprozess an den zwei Hauptflächen der metallischen Platte 190, simultan durchgeführt werden, wodurch die Muster der Wärmesenkensitze 102 und der Elektroden 104 für alle Gehäuseeinheiten 200 in einem einzelnen Gang hergestellt werden. Das Füllen mit dem Isolator 106 wird dann anschließend durchgeführt. Jedoch kann, falls die Gestaltungen des Wärmesenkensitzes 102 und der Elektroden 104 ziemlich komplex sind, das Ätzen und das Füllen mit dem Isolator 106 an einer Hauptfläche der metallischen Platte 190 in einem ersten Gang durchgeführt werden und dann an der anderen Hauptfläche in einem zweiten Gang durchgeführt werden. Die Ausbildung der Basen 100 aller Gehäuseeinheiten 200 ist dann abgeschlossen.Depending on the complexity of the designs of the heat sink seat 102 and the electrodes 104 For example, the previous etching and machining process may be performed on the two major surfaces of the metallic plate 190 , can be done simultaneously, reducing the pattern of heat sink seats 102 and the electrodes 104 for all housing units 200 be made in a single pass. Filling with the insulator 106 will then be done afterwards. However, if the configurations of the heat sink seat 102 and the electrodes 104 are quite complex, the etching and filling with the insulator 106 on a main surface of the metallic plate 190 performed in a first gear and then be performed on the other major surface in a second gear. The training of the bases 100 all housing units 200 is then completed.

Als nächstes wird, wie in 4d gezeigt ist, ein zuvor angefertigtes Plattenelement 210, das aus mehreren Reflexionsplatten 110 besteht, auf die bearbeitete metallische Platte 190 aus 4c mittels eines geeigneten Klebers angeklebt. Dann wird für jede Gehäuseeinheit 200 die Befestigung und Verdrahtung des LED-Chips 150 durchgeführt, dessen Ergebnis in 4e gezeigt ist. Der transparente Füllstoff 130 wird dann in die Durchgangsbohrungen der Reflexionsplatten 110 eingespritzt, um die Gehäuseeinheiten 200 abzudichten, wie in 4f gezeigt ist. Schließlich werden die Gehäuseeinheiten 200 durch Schneiden abgetrennt, wie in 4g dargestellt ist.Next, as in 4d is shown, a previously made plate element 210 consisting of several reflection plates 110 exists on the machined metallic plate 190 out 4c glued by means of a suitable adhesive. Then, for each housing unit 200 the attachment and wiring of the LED chip 150 whose result is in 4e is shown. The transparent filler 130 then enters the through holes of the reflection plates 110 injected to the housing units 200 seal, as in 4f is shown. Finally, the housing units 200 separated by cutting, as in 4g is shown.

Obgleich die vorliegende Erfindung mit Bezug auf die bevorzugten Ausführungsformen beschrieben worden ist, sollte es verstanden sein, dass die Erfindung nicht auf die darin beschriebenen Details eingeschränkt ist. Verschiedene Substitutionen und Modifikationen sind in der vorhergehenden Beschreibung vorgeschlagen worden und andere werden dem Fachmann in den Sinn kommen. Daher ist allen diesen Substitutionen und Modifikationen zugedacht, innerhalb des Geltungsbereiches der Erfindung umfasst zu werden, wie in den beigefügten Ansprüchen definiert ist.Although the present invention with reference to the preferred embodiments It should be understood that the invention not limited to the details described therein is. Various substitutions and modifications are in the previous description have been proposed and others come to the expert's mind. Therefore, all these substitutions and modifications, within the scope of the Invention as claimed in the appended claims is defined.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - US 6274924 [0004, 0004, 0005] US 6274924 [0004, 0004, 0005]
  • - us 6274924 [0012] - us 6274924 [0012]

Claims (16)

Hochleistungs-LED-Chip-Gehäusestruktur, aufweisend wenigstens einen LED-Chip, eine Basis, die einen Wärmesenkensitz, eine Mehrzahl von Elektroden und einen Isolator aufweist, die gemeinsam zu einem einzigen Gegenstand integriert zusammengebaut sind, wobei der Wärmesenkensitz und die Mehrzahl von Elektroden aus einem metallischen Material hergestellt sind, der Isolator zwischen dem Wärmesenkensitz und der Mehrzahl von Elektroden angeordnet ist und diese miteinander verklebt, so dass eine elektrische Isolierung zwischen dem Wärmesenkensitz und jeder der Elektroden und zwischen den Elektroden vorgesehen ist, und der LED-Chip auf der Oberseite des Wärmesenkensitzes angeordnet ist, eine Reflexionsplatte, die mittels eines Klebstoffes auf die Oberseite der Basis geklebt ist, wobei die Reflexionsplatte ein vertikales Durchgangsloch mit einer Öffnung an einer solchen Stelle aufweist, dass die Oberseite des Wärmesenkensitzes und wenigstens ein Abschnitt der Oberseite jeder Elektrode freigelegt sind, wobei die Wand des Durchgangslochs ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, eine Mehrzahl von Bonddrähten zum Anschließen der Elektroden des LED-Chips an die jeweiligen Elektroden der Basis, und einen Füllstoff oder eine Linse, der/die aus einem transparenten Material hergestellt ist und im Innern des Durchgangslochs der Reflexionsplatte zum Abdichten des LED-Chips und der Mehrzahl von Bonddrähten positioniert ist.High performance LED chip package structure, comprising at least a LED chip, a base that has a heat sink seat, a plurality of electrodes and an insulator which together are integrated into a single object integrated, wherein the heat sink seat and the plurality of electrodes made of a metallic material, the insulator between the Heat sink seat and the plurality of electrodes arranged is and these glued together, leaving an electrical insulation between the heat sink seat and each of the electrodes and is provided between the electrodes, and the LED chip on the Top of the heat sink seat is arranged a Reflection plate, which by means of an adhesive on the top the base is glued, wherein the reflection plate is a vertical Through hole with an opening in such a place having the top of the heat sink seat and at least a portion of the top of each electrode is exposed, wherein the wall of the through-hole has a high reflectivity having, a plurality of bonding wires for connecting the Electrodes of the LED chip to the respective electrodes of the base, and a filler or lens made of a transparent material Material is made and inside the through hole of the reflection plate for sealing the LED chip and the plurality of bonding wires is positioned. Hochleistungs-LED-Chip-Gehäusestruktur nach Anspruch 1, wobei der Wärmesenkensitz der Basis so positioniert ist, dass Abstände zu den Rändern der Basis vorliegen, und der Wärmesenkensitz sowohl von der Oberseite der Basis als auch von der Unterseite oder einer der Seitenflächen der Basis her freigelegt ist.High performance LED chip package structure after Claim 1, wherein the heat sink seat of the base so positioned is that there are gaps to the edges of the base, and the heat sink seat from both the top of the base as well as from the bottom or one of the side surfaces the base is exposed. Hochleistungs-LED-Chip-Gehäusestruktur nach Anspruch 1, wobei die Elektroden der Basis um den Wärmesenkensitz herum positioniert sind und jede Elektrode sowohl von der Oberseite der Basis als auch von der Unterseite oder einer der Seitenflächen der Basis her freigelegt ist.High performance LED chip package structure after Claim 1, wherein the electrodes of the base around the heat sink seat are positioned around and each electrode from both the top the base as well as from the bottom or one of the side surfaces the base is exposed. Hochleistungs-LED-Chip-Gehäusestruktur nach Anspruch 1, wobei die Reflexionsplatte aus einem metallischen Material mit hohem Reflexionsvermögen hergestellt ist.High performance LED chip package structure after Claim 1, wherein the reflection plate of a metallic material is made with high reflectivity. Hochleistungs-LED-Chip-Gehäusestruktur nach Anspruch 1, wobei die Reflexionsplatte aus einem isolierenden Material hergestellt ist und die Wand des Durchgangslochs eine weiße Beschichtung mit hohem Reflexionsvermögen aufweist.High performance LED chip package structure after Claim 1, wherein the reflection plate of an insulating material is made and the wall of the through hole a white Having high reflectivity coating. Hochleistungs-LED-Chip-Gehäusestruktur nach Anspruch 1, wobei die Reflexionsplatte aus einem isolierenden Material hergestellt ist und die Wand des Durchgangslochs mit einem Film beschichtet ist, der aus einem hoch reflektierenden Material hergestellt ist.High performance LED chip package structure after Claim 1, wherein the reflection plate of an insulating material is made and the wall of the through hole with a film coated, which is made of a highly reflective material is. Hochleistungs-LED-Chip-Gehäusestruktur nach Anspruch 1, ferner aufweisend einen Reflexionsspiegel, der auf der oberen Fläche des Wärmesenkensitzes und unterhalb des LED-Chips positioniert ist.High performance LED chip package structure after Claim 1, further comprising a reflection mirror on the upper surface of the heat sink seat and below of the LED chip is positioned. Hochleistungs-LED-Chip-Gehäusestruktur nach Anspruch 1, ferner aufweisend einen entsprechenden Leuchtstoff, der den LED-Chip abdeckt.High performance LED chip package structure after Claim 1, further comprising a corresponding phosphor, covering the LED chip. Fertigungsverfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Gehäuseeinheiten von Hochleistungs-LED-Chips, die Schritte aufweisend: (1) Ausbilden der Mehrzahl der Basen der Gehäuseeinheiten auf einer metallischen Platte, wobei jede der Basen einen Wärmesenkensitz, eine Mehrzahl von Elektroden mit entsprechenden Abständen zu dem Wärmesenkensitz und einen Isolator aufweist, wobei der Isolator den Wärmesenkensitz und die Mehrzahl von Elektroden miteinander verklebt und zwischen diesen angeordnet ist, so dass eine elektrische Isolierung zwischen dem Wärmesenkensitz und jeder der Elektroden und zwischen den Elektroden vorgesehen ist, (2) Aufkleben eines Plattenelements, dass mit einer zu der Anzahl der Basen korrespondierenden Mehrzahl von Reflexionsplatten versehen ist, auf die obere Fläche der im Schritt (1) vorbereiteten metallischen Platte mittels eines entsprechenden Klebers, wobei jede Reflexionsplatte ein vertikales Durchgangsloch mit einer solchen Öffnung an einer solchen Stelle aufweist, dass die obere Fläche des Wärmesenkensitzes und wenigstens ein Abschnitt der oberen Fläche jeder Elektrode der jeweiligen Basis freigelegt sind, wobei die Wand des Durchgangslochs ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, (3) Befestigen jeweils eines LED-Chips auf der freigelegten oberen Fläche des Wärmesenkensitzes jeder der Basen und entsprechendes Verbinden der Elektroden des LED-Chips mit der freigelegten oberen Fläche der Elektroden der Basis mittels einer Mehrzahl von Bonddrähten, (4) Abdichten des LED-Chips und der Mehrzahl von Bonddrähten jeder Gehäuseeinheit durch Anordnen eines transparenten Füllstoffes oder einer transparenten Linse im Inneren des Durchgangslochs, und (5) Separieren der Mehrzahl der Gehäuseeinheiten durch Schneiden.Manufacturing method for producing a plurality of housing units of high-power LED chips, the steps comprising: (1) Forming the plurality of bases of the housing units on a metallic plate, each of the bases having a heat sink seat, a plurality of electrodes with corresponding distances to the heat sink seat and an insulator, wherein the insulator the heat sink seat and the plurality of electrodes glued together and arranged between them, so that an electrical insulation between the heat sink seat and each of the electrodes and between the electrodes is (2) sticking a plate member that with a too the number of bases corresponding plurality of reflection plates is provided on the upper surface of the prepared in step (1) metallic plate by means of an appropriate adhesive, each Reflection plate a vertical through hole with such an opening at such a location that the upper surface the heat sink seat and at least a portion of the upper surface of each electrode of the respective base exposed are, wherein the wall of the through hole has a high reflectivity having, (3) Attach one LED chip each to the exposed one upper surface of the heat sink seat each of the Bases and corresponding connection of the electrodes of the LED chip with the exposed upper surface of the electrodes of the base by means of a plurality of bonding wires, (4) sealing of the LED chip and the plurality of bonding wires of each package unit by placing a transparent filler or a transparent lens inside the through hole, and (5) Separate the majority of housing units by cutting. Fertigungsverfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Gehäuseeinheiten von Hochleistungs-LED-Chips nach Anspruch 9, wobei der Wärmesenkensitz jeder der Basen derart angeordnet ist, dass der Wärmesenkensitz in entsprechenden Abständen zu den Rändern der Basis angeordnet ist und sowohl von der oberen Fläche der Basis als auch von der unteren Fläche oder einer der Seitenflächen der Basis her freigelegt ist.A manufacturing method of manufacturing a plurality of package units of high power LED chips according to claim 9, wherein the heat sink seat of each of the bases is arranged such in that the heat sink seat is arranged at appropriate distances from the edges of the base and is exposed both from the upper surface of the base and from the lower surface or one of the side surfaces of the base. Fertigungsverfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Gehäuseeinheiten von Hochleistungs-LED-Chips nach Anspruch 9, wobei die Mehrzahl von Elektroden jeder der Basen um den Wärmesenkensitz herum positioniert ist und jede Elektrode sowohl von der oberen Fläche der Basis als auch von der unteren Fläche oder einer der Seitenflächen der Basis her freigelegt ist.Manufacturing method for producing a plurality of housing units of high power LED chips according to claim 9, wherein the plurality of electrodes of each of the bases around the heat sink seat is positioned around and each electrode from both the top Surface of the base as well as of the lower surface or one of the side surfaces of the base is exposed. Fertigungsverfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Gehäuseeinheiten von Hochleistungs-LED-Chips nach Anspruch 9, wobei der Schritt (1) unter Verwendung von Ätzen und maschineller Bearbeitung auf den zwei Hauptflächen der metallischen Platte simultan durchgeführt wird, um die Wärmesenkensitze und die Mehrzahl von Elektroden den Basen auszubilden, und der Isolator dann eingefüllt wird, um die Ausbildung der Basen zu vervollständigen.A manufacturing method of manufacturing a plurality of package units of high power LED chips according to claim 9, wherein the step ( 1 ) is performed simultaneously on the two major surfaces of the metallic plate using etching and machining to form the heat sink seats and the plurality of electrodes to the bases, and then the insulator is filled to complete the formation of the bases. Fertigungsverfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Gehäuseeinheiten von Hochleistungs-LED-Chips nach Anspruch 9, wobei der Schritt (1) unter Verwendung von Ätzen und maschineller Bearbeitung auf einer Hauptfläche der metallischen Platte durchgeführt wird und der Isolator anschließend eingefüllt wird, und dann das Ätzen und die maschinelle Bearbeitung auf der anderen Hauptfläche der metallischen Platte durchgeführt werden und danach der Isolator eingefüllt wird, um die Ausbildung der Basen zu vervollständigen.Manufacturing method for producing a plurality of housing units of high power LED chips according to claim 9, wherein the step (1) using etching and Machining on a main surface of the metallic plate is carried out and the insulator then is filled, and then the etching and the machine Machining on the other main surface of the metallic Plate are performed and then filled the insulator will be to complete the training of the bases. Fertigungsverfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Gehäuseeinheiten von Hochleistungs-LED-Chips nach Anspruch 9, wobei die Reflexionsplatte aus einem metallischen Material mit hohem Reflexionsvermögen hergestellt ist.Manufacturing method for producing a plurality of housing units of high power LED chips according to claim 9, wherein the reflection plate of a metallic material with high reflectivity is made. Fertigungsverfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Gehäuseeinheiten von Hochleistungs-LED-Chips nach Anspruch 9, wobei die Reflexionsplatte aus einem isolierenden Material hergestellt ist und die Wand des Durchgangslochs eine weiße Beschichtung mit hohem Reflexionsvermögen aufweist.Manufacturing method for producing a plurality of housing units of high power LED chips according to claim 9, wherein the reflection plate made of an insulating material and the wall of the through-hole is a white coating having high reflectivity. Fertigungsverfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Gehäuseeinheiten von Hochleistungs-LED-Chips nach Anspruch 9, wobei die Reflexionsplatte aus einem isolierenden Material hergestellt ist und die Wand des Durchgangslochs mit einem Film beschichtet ist, der aus einem hoch-reflektierenden Material hergestellt ist.Manufacturing method for producing a plurality of housing units of high power LED chips according to claim 9, wherein the reflection plate made of an insulating material is and the wall of the through hole coated with a film is made of a highly reflective material.
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