DE102007062042A1 - Optoelectronic assembly for use with encapsulation, comprises optoelectronic component for emitting or detecting electromagnetic radiation, where optoelectronic component comprises main surface - Google Patents

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Abstract

The optoelectronic assembly (1) comprises an optoelectronic component (10) for emitting or detecting electromagnetic radiation (20). The optoelectronic component comprises a main surface, through which the electromagnetic radiation is emitted or detected. A transparent shaped part (2) is provided, which has a cavity (3), which is formed in a bearing surface (2a) of the transparent shaped part, which is facing the optoelectronic component. An intermediate layer (7) is provided, which is made of transparent conductive oxide, such as zinc oxide, indium tin oxide, titanium oxide or nickel oxide. An independent claim is included for a method for producing an optoelectronic assembly.

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil sowie ein Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches Bauteil. Die Erfindung betrifft ferner eine Verkapselung für ein optoelektronisches Bauteil.The The invention relates to an optoelectronic component and to a production method for a opto-electronic component. The invention further relates to an encapsulation for a opto-electronic component.

Optoelektronische Bauteile verwandeln elektrische Energie in elektromagnetische Strahlung oder umgekehrt. Optoelektronische Bauteile umfassen unter anderem Halbleiterleuchtdioden, organische Leuchtdioden, Laserdioden, Fotozellen bzw. Fotodioden und andere Detektoren. Im Falle einer Halbleiterleuchtdiode beispielsweise befindet sich zwischen zwei zueinander entgegengesetzt dotierten Leuchtdiodenschichten, wenn der Halbleiterschichtenstapel von einem Strom durchflossen wird, eine optisch aktive Zone, in der elektromagnetische Strahlung, beispielsweise im sichtbaren Wellenlängenbereich, im UV- oder Infrarotbereich, erzeugt wird. LEDs (Light Emitting Diodes) und andere optoelektronische Bauelemente besitzen eine Verkapselung, die die Lichtaustrittsseite (die Oberseite des Halbleiterschichtenstapels) vor einer Kontamination durch Umgebungseinflüsse während der typischerweise mehrjährigen Nutzungsdauer schützt und so eine ausreichend hohe Lichtausbeute sicherstellt. Bei der Herstellung optoelektronischer Bauelemente wird zunächst der erforderliche Halbleiterschichtenstapel (in der Regel epitaktisch) auf einem Halbleitersubstrat gewachsen. Nach Herstellung und Strukturierung des Halbleiterschichtenstapels ist das Bauelement, insbesonderedessen Lichtaustrittsseite zu verkapseln und zuvor noch elektrisch anzuschließen.Optoelectronic Components transform electrical energy into electromagnetic radiation or the other way around. Optoelectronic components include, among others Semiconductor light-emitting diodes, organic light-emitting diodes, laser diodes, photocells or photodiodes and other detectors. In the case of a semiconductor light-emitting diode for example, is located between two opposite to each other doped light-emitting diode layers when the semiconductor layer stack of a current is flowed through, an optically active zone in which electromagnetic radiation, for example in the visible wavelength range, in the UV or infrared range is generated. LEDs (Light Emitting Diodes) and other optoelectronic devices have an encapsulation, the light exit side (the top of the semiconductor layer stack) against contamination by environmental influences during the typical multi-year service life protects and thus ensures a sufficiently high light output. In the Production of optoelectronic components is first the required semiconductor layer stack (usually epitaxial) grown on a semiconductor substrate. After production and structuring of the Semiconductor layer stack is the device, in particular its To encapsulate light exit side and previously electrically connect.

Optoelektronische Bauteile besitzen eine Verkapselung, die für die zu emittierende oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung transparent ist.Optoelectronic Components have an encapsulation that is suitable for the emitting or to be detected electromagnetic radiation is transparent.

Die elektrische Kontaktierung der Unterseite des Schichtenstapels ist weniger problematisch und kann beispielsweise durch das Halbleitersubstrat selbst erfolgen. Die elektrische Kontaktierung der Oberseite des Halbleiterschichtenstapels hingegen erfordert das nachträgliche Anbringen eines elektrischen Kontakts. Dieser Kontakt wird etwa durch einen Bonddraht hergestellt, dessen Ende auf eine Teilfläche der Oberseite des Schichtenstapels aufgelötet oder aufgebondet wird. Der Bonddaht reicht in vertikaler Richtung, die durch die Normale der Oberfläche des Substrats und des Schichtenstapels bestimmt ist, sowie in lateraler Richtung über den Schichtenstapel hinaus und erfordert daher, den Hohlraum in der Verkapselung beträchtlich größer auszubilden als die Abmessungen des Schichtenstapels allein, da die Verkapselung auch den oberhalb und seitlich außerhalb des Schichtenstapels verlaufenden Bond- bzw. Lötdraht mit umschließen und vor Außenumgebungseinflüssen dauerhaft schützen muss.The electrical contacting of the underside of the layer stack is less problematic and may, for example, by the semiconductor substrate itself respectively. The electrical contacting of the upper side of the semiconductor layer stack however, this requires later Attaching an electrical contact. This contact will be about made by a bonding wire, the end of which on a partial surface of the Top of the layer stack is soldered or bonded. The Bonddaht ranges in the vertical direction, by the normal the surface of the substrate and the layer stack is determined, as well as in lateral Direction over the layer stack and therefore requires the cavity in the encapsulation considerably to train bigger as the dimensions of the layer stack alone, since the encapsulation also above and to the side outside of the layer stack extending bonding or solder wire enclose with and permanently against external environmental influences must protect.

In der Regel wird die Verkapselung eine Kavität, d. h. einen Hohlraum bzw. eine Vertiefung aufweisen, die gegenüber dem über die Halbleiteroberfläche emporragenden Halbleiterschichtenstapel großzügig dimensioniert ist und so ausreichend Spielraum lässt für die bis zur Stapeloberseite reichende Leiterbahn. Dabei sind auch Fertigungstoleranzen zu berücksichtigen, da im Gegensatz zu den bis in den Nanometerbereich exakt dosierbaren Schichtdicken der epitaktischen Halbleiterschichten die gelöteten Leiterbahnen wesentlich großvolumiger und toleranzbehafteter hinsichtlich ihrer Abmessungen sind.In usually the encapsulation becomes a cavity, i. H. a cavity or have a recess which protrudes with respect to the above the semiconductor surface Semiconductor layer stack generously dimensioned is and so leaves enough scope for those up to the stack top reaching trace. In this case, also manufacturing tolerances are to be considered, because, in contrast to the precisely metered layer thicknesses down to the nanometer range the epitaxial semiconductor layers, the soldered tracks substantially large volume and are more tolerant in terms of their dimensions.

Zudem ist bei der herkömmlichen Bauweise ein unmittelbarer Kontakt zwischen der Innenseite der Kavität in der Verkapselung mit dem Halbleiterschichtenstapel oder mit der Leiterbahn nicht beabsichtigt. Somit verbleibt nach dem Abdecken des optoelektronischen Bauelements noch ein erhebliches Volumen in der Kavität, die mit der verbleibenden Luft oder einer inerten Gasatmosphäre gefüllt ist oder alternativ evakuiert ist.moreover is in the conventional Construction direct contact between the inside of the cavity in the Encapsulation with the semiconductor layer stack or with the conductor track not intended. Thus remains after covering the optoelectronic Component still has a significant volume in the cavity with the remaining air or an inert gas atmosphere is filled or alternatively evacuated.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine neuartige Bauweise optoelektronisches Bauteil und ihrer Verkapselung soweit ein Herstellungsverfahren bereitzustellen, die eine einfachere Verkapselung und Kontaktierung der Oberseite von Halbleiterschichtenstapeln eines optoelektronischen Bauelements und zudem eine einfachere Herstellung und Montage ermöglichen.It The object of the present invention is a novel construction Optoelectronic component and its encapsulation as far as a manufacturing process provide a simpler encapsulation and contacting the top of semiconductor layer stacks of an optoelectronic device and also allow easier manufacture and assembly.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein optoelektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1, durch eine Verkapselung gemäß Anspruch 55 und durch ein Verfahren gemäß Anspruch 61 zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils.These The object is achieved by an optoelectronic component according to claim 1, by an encapsulation according to claim 55 and by a method according to claim 61 for producing an optoelectronic device.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das optoelektronische Bauteil auf dem optoelektronischen Bauelement ein transparentes Formteil aufweist, das in einer dem optoelektronischen Bauelement zugewandten Auflagefläche zumindest eine Kavität aufweist, wobei in die Kavität eine metallische Kontaktschicht eingelassen ist, die sich von einer Bodenfläche der Kavität ausgehend mindestes bis zur Auflagefläche des transparenten Formteils erstreckt.According to the invention, it is provided that the optoelectronic component on the optoelectronic component a transparent molded part, which in a the optoelectronic Component facing support surface at least one cavity having, wherein in the cavity a metallic contact layer is inserted, extending from a floor area the cavity starting at least up to the bearing surface of the transparent molding extends.

Herkömmlich wird auf einem Substrat der Halbleiterschichtenstapel hergestellt, strukturiert und dann an zumindest einer Seitenfläche sowie auf der Oberseite mit einer Leiterbahn zur Kontaktierung der Stapeloberseite bedeckt. Anschließend wird an dem so kontaktierten Bauelement die Verkapselung montiert. Dabei ragen der Schichtenstapel und der bis zu seiner Oberseite führende Leiterbahnkontakt in die Kavität hinein und sind innerhalb der Kavität durch ein Restvolumen umgeben, das deutlich größer ist als der Halbleiterschichtenstapel und auch seitlich und oberhalb der Leiterbahn großzügig dimensioniert ist. Dabei werden weder die Bodenflächen noch die Seitenwände der Kavität durch den Halbleiterschichtenstapel und die Leiterbahn berührt, sondern diese Flächen sind jeweils beabstandet zum Halbleiterschichtenstapel und zur Leiterbahn angeordnet, welche von der Auflagefläche des transparenten Formteils aus in die Kavität hineinragen.Conventionally, the semiconductor layer stack is produced on a substrate, patterned and then covered on at least one side surface and on the upper side with a conductor track for contacting the top of the stack. Subsequently, the encapsulation is mounted on the component thus contacted. In this case, the stack of layers and the leading to its top conductor track contact protrude into the Cavity inside and are surrounded by a residual volume within the cavity, which is significantly larger than the semiconductor layer stack and also generously dimensioned laterally and above the conductor track. In this case, neither the bottom surfaces nor the side walls of the cavity are touched by the semiconductor layer stack and the conductor track, but these surfaces are each arranged spaced from the semiconductor layer stack and the conductor track, which project from the support surface of the transparent molded part into the cavity.

Erfindungsgemäß ist in der Kavität eine metallische Kontaktschicht angeordnet. Die metallische Kontaktschicht ist in der Regel strukturiert, jedoch im Gegensatz zu einer nachträglich gelöteten Leiterbahn gleichbleibend dick; die metallische Kontaktschicht besitzt eine einheitliche Schichtdicke ohne Schichtdickenschwankungen. Die metallische Kontaktschicht – sei es in einer Ausführungsform als massive, ein herausnehmbares Formteil bildende Schicht, oder sei es als in die Kavität abgeschiedene, d. h. aufgewachsene Schicht – eignet sich somit zur Anbringung am transparenten Formteil, bevor dieses mit dem Halbleiterschichtenstapel in verbunden wird. Die metallische Kontaktschicht wird vorzugsweise auf den Boden der Kavität aufgewachsen. Aufgrund der geringen Schichtdickenschwankung eignet sich die metallische Kontaktschicht, um selbst dann, wenn sie bis zur offenen Außenseite der Kavität reicht, eine plane Kontaktfläche zu bilden, die vorzugsweise in derselben Ebene wie die Auflagefläche des transparenten Formteils verläuft. Erfindungsgemäß wird somit vorgeschlagen, die Kavität selbst vollständig mit der metallischen Kontaktschicht auszufüllen und somit den Kontakt für die Oberseite des Halbleiterschichtenstapels nicht auf dem Substrat und dem Halbleiterschichtenstapel aufzubringen, sondern stattdessen in der Verkapselung. Ferner eröffnet dies die Möglichkeit, optoelektronische Bauelemente mit einer neuen Geometrie bereitzustellen, da nun erstmals die Halbleiterschichtenstapel breiter sein können als die Kavität in der Kontaktfläche des transparenten Formteils, da sie nicht mehr notwendigerweise in die Kavität eingeführt werden müssen, sondern die Kavität nur auf deren Oberseite abschließen (und dadurch selbst zumindest vorderseitig verkapselt werden). Der seitliche Außenumfang des Halbleiterschichtenstapels kann sich (beispielsweise an drei von vier Seiten) über den Umfang der Kavität hinaus erstrecken.According to the invention is in the cavity arranged a metallic contact layer. The metallic contact layer is usually structured, but in contrast to a subsequently soldered trace consistently thick; the metallic contact layer has a Uniform layer thickness without layer thickness fluctuations. The metallic one Contact layer - be it in one embodiment as a solid, a removable molding layer, or be it in the cavity isolated, d. H. grown layer - is thus suitable for attachment on the transparent molding, before this with the semiconductor layer stack is connected in. The metallic contact layer is preferably on the bottom of the cavity grew up. Due to the small layer thickness variation is suitable yourself the metallic contact layer, even if they are up to the open outside the cavity is enough, a flat contact surface to form, preferably in the same plane as the bearing surface of transparent molding runs. Thus, according to the invention suggested the cavity even completely filled with the metallic contact layer and thus the contact for the Top of the semiconductor layer stack not on the substrate and the semiconductor layer stack to apply, but instead in the encapsulation. Further opened this the possibility to provide optoelectronic devices with a new geometry, because now for the first time the semiconductor layer stack can be wider than the cavity in the contact area of the transparent molding, since they are no longer necessarily into the cavity introduced but have to the cavity only complete on its top (and thereby at least yourself encapsulated on the front side). The lateral outer circumference of the semiconductor layer stack may (for example on three from four sides) the circumference of the cavity extend.

Die Kavität kann so geformt sein, dass sei sich an einer vierten Seite sich über den Umfang des Halbleiterschichtenstapels hinaus erstreckt. Wird dieser Bereich der Kavität vollständig mit der metallischen Kontaktschicht ausgefüllt, so erreicht die Kontaktschicht eine Kontaktierung seitlich außerhalb des Schichtenstapels und dichtet zugleich selbst die Oberseite des Halbleiterschichtenstapels und das Innere der Kavität, soweit diese seitlich über den Halbleiterschichtenstapel hinausreicht, gegenüber Außeneinflüssen ab.The cavity can be shaped to be on a fourth side above the Extending the periphery of the semiconductor layer stack addition. Will this Area of the cavity Completely filled with the metallic contact layer, so reaches the contact layer a contact laterally outside of the layer stack and at the same time seals the top side of the layer Semiconductor layer stack and the interior of the cavity, as far as these laterally over extends the semiconductor layer stack, against external influences.

Durch die Erfindung kann die Bauweise herkömmlicher optoelektronische Bauteile, bei der der zu strukturierende Halbleiterschichtenstapel außen mit einem Vorderseitenkontakt versehen und anschließend samt Vorderseitenkontakt in die Kavität eingeführt werden muss, durch eine einfacher herstellbare Bauweise ersetzt werden. Zugleich sind lithographische Herstellungsschritte für das Ausbilden der Kavitäten und das Auffüllen der Kavitäten durch Aufwachsen der metallischen Kontaktschicht einsetzbar. So können beispielsweise durch wenige lithographische Prozessschritte ganze Bildschirme mit oberseitigen Kontakten für Leuchtdioden oder Hintergrundbeleuchtungseinheiten beschichtet werden, indem alle metallischen Kontaktanschichten gleichzeitig aufgewachsen werden, anstatt diese Kontakte wie bisher einzeln oder gruppenweise auf jeweils kleinere Stückzahlen optoelektronischer Bauelemente aufzutragen.By The invention may be the design of conventional optoelectronic Components in which the semiconductor layer stack to be structured outside with provided a front side contact and then including front side contact be introduced into the cavity must be replaced by a simpler manufacturable construction. At the same time are lithographic manufacturing steps for forming the wells and the padding the cavities can be used by growing the metallic contact layer. So can for example, by a few lithographic process steps whole Screens with top contacts for light emitting diodes or backlight units be coated by all metallic contact layers simultaneously instead of growing these contacts individually or individually in groups, each in smaller numbers optoelectronic Apply components.

Nach Herstellung der Verkapselung und des Halbleiterschichtenstapel beginnt die erfindungsgemäße Montage, anders als herkömmlich, nicht mit der Verdrahtung der Bauelemente, sondern mit der Nachbearbeitung des als Verkapselung vorgesehenen transparenten Formteils.To Production of the encapsulation and the semiconductor layer stack begins the assembly according to the invention, unlike conventional, not with the wiring of the components, but with the post-processing the encapsulation provided transparent molding.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass die Kavitäten des transparenten Formteils zur Aufnahme des betreffenden Bauelements kleiner ausgestaltet werden können; die Kavitäten können insbesondere kleiner sein als die Grundfläche des Halbleiterschichtenstapels des jeweiligen optoelektronischen Bauelements. Eine solche Bauweise ist bei herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen undenkbar, da dann der Halbleiterschichtenstapel nicht in die Kavität hineinpassen würde. Die Erfindung hingegen sieht vor, dass nur noch die Kontaktstruktur zum Kontaktieren der Oberseite des Halbleiterschichtenstapels (d. h. die metallische Kontaktschicht) in der Kavität angeordnet wird, jedoch nicht auch noch der Halbleiterschichtenstapel selbst. Dies bedeutet eine Abkehr von bisherigen Bauweisen von Leuchtdioden und anderen optoelektronischen Bauelementen. Ferner erstreckt sich die metallische Kontaktschicht in der Regel von dem Boden der Kavität aus in Richtung des Halbleiterschichtenstapels und ist auch am Boden der Kavität an dem transparenten Formteil angebracht beispielsweise aufgewachsen, festgeklebt oder auf andere Weise montiert. Auch hierin unterscheidet sich die erfindungsgemäße Herstellung von herkömmlichen Verfahren. Die metallische Kontaktschicht kann je nach Ausführungsform die gesamte Bodenfläche der Kavität bedecken oder auch nur einen Teil der Bodenfläche; in beiden Fällen ist die metallische Kontaktschicht strukturiert, gegebenenfalls jedoch in anderer Weise als die Kavität selbst. Beispielsweise können Rahmenstrukturen der metallischen Kontaktschicht ausgebildet sein, die Aussparungen oder Öffnungen aufweisen, in deren Bereich ein gewisses Restvolumen über dem Boden der Kavität verbleibt, welches durch die Rahmenstrukturen von den Umgebungseinflüssen sicher abgeschirmt wird. Die Abschirmung erfolgt insbesondere durch diejenigen Bereiche der metallischen Kontaktschicht, die entlang des seitlichen Umfangs des Halbleiterschichtenstapels, der auf der Auflagefläche des transparenten Formteils (oder auf einer darüber angeordneten Schicht) aufliegt. Alternativ jedoch kann auch die Kavität eine rahmenförmige Struktur mit Öffnungen aufweisen, in denen das transparente Formteil seine ursprüngliche, größere Schichtdicke besitzt. Die Rahmenstruktur der metallischen Kontaktschicht und ihren Öffnungen ergibt sich dann unmittelbar durch die laterale Struktur der Kavität selbst, auf deren Boden sie aufgewachsen wird.A further advantage of the invention is that the cavities of the transparent molding for receiving the relevant component can be made smaller; in particular, the cavities can be smaller than the base area of the semiconductor layer stack of the respective optoelectronic component. Such a construction is unthinkable in conventional optoelectronic components, since then the semiconductor layer stack would not fit into the cavity. The invention, however, provides that only the contact structure for contacting the upper side of the semiconductor layer stack (ie, the metallic contact layer) is arranged in the cavity, but not also the semiconductor layer stack itself. This means a departure from previous designs of light emitting diodes and other optoelectronic devices , Furthermore, the metallic contact layer usually extends from the bottom of the cavity in the direction of the semiconductor layer stack and is also attached to the bottom of the cavity to the transparent molding, for example, grown, glued or otherwise mounted. Again, the inventive preparation differs from conventional methods. Depending on the embodiment, the metallic contact layer can cover the entire bottom surface of the cavity or even only a part of the bottom surface; in both cases, the metallic contact layer is structured, gege However, if necessary, in other ways than the cavity itself. For example, frame structures of the metallic contact layer may be formed having recesses or openings in the region of a certain residual volume above the bottom of the cavity remains, which is securely shielded by the frame structures of the environmental influences. The shielding takes place in particular by those regions of the metallic contact layer which lie along the lateral circumference of the semiconductor layer stack, which rests on the support surface of the transparent molded part (or on a layer arranged above it). Alternatively, however, the cavity may also have a frame-shaped structure with openings in which the transparent molded part has its original, larger layer thickness. The frame structure of the metallic contact layer and its openings then results directly through the lateral structure of the cavity itself, on the bottom of which it is grown.

Vorzugsweise kann das transparente Formteil mit einer Schicht aus einem transparenten leitfähigen Oxid bedeckt, zumindest seitlich außerhalb der zumindest einen Kavität. Dadurch erfolgt eine Verbreiterung der Kontaktfläche über die seitlichen Abmessungen der Kavität (und somit der metallischen Kontaktstruktur, die den Vorderseitenkontakt bildet) hinaus bis über die gesamte Oberseite des Halbleiterschichtenstapels.Preferably Can the transparent molding with a layer of a transparent conductive Oxide covered, at least laterally outside the at least one Cavity. This results in a broadening of the contact surface on the lateral dimensions the cavity (and thus the metallic contact structure, the front side contact forms) beyond the entire top of the semiconductor layer stack.

Dies verstärkt die Lichtausbeute gerade in denjenigen Flächenbereichen, in denen die Lichtauskopplung nicht durch den Oberseitenkontakt, d. h. die metallische Kontaktschicht 5 behindert ist. Die erfindungsgemäße Bauweise eignet sich für jede beliebige Art von optoelektronischen Bauelementen, insbesondere bestehen keinerlei Einschränkungen hinsichtlich der Halbleiterschichten und des Aufbaus des Halbleiterschichtenstapels 30. Der Halbleiterschichtenstapel kann außer den beiden Leuchtdiodenschichten 21, 22 bzw. der mindestens einen oder beiden elektrooptisch aktiven Schichten zusätzlich noch eine Schicht aus einem transparenten leitfähigen Oxid, eine Spiegelschicht, eine Substratschicht oder mehrere dieser zusätzlichen Schichten aufweisen. Anstelle von Leuchtdiodenschichten können alternative auch eine oder mehrere Fotozellenschichten, Detektorschichten, Sensorschichten oder sonstige Schichten oder Schichtenfolgen vorgesehen.This enhances the light output precisely in those areas in which the light extraction is not due to the top contact, ie the metallic contact layer 5 is hampered. The construction according to the invention is suitable for any type of optoelectronic components, in particular, there are no restrictions with regard to the semiconductor layers and the structure of the semiconductor layer stack 30 , The semiconductor layer stack can except the two light-emitting diode layers 21 . 22 or the at least one or both electro-optically active layers additionally have a layer of a transparent conductive oxide, a mirror layer, a substrate layer or several of these additional layers. Instead of light-emitting diode layers, it is also possible alternatively to provide one or more photocell layers, detector layers, sensor layers or other layers or layer sequences.

Vorzugsweise ist das transparente Formteil als planparallele oder zumindest im Wesentlichen planparallele Platte oder Scheibe ausgebildet, wobei in einer der beiden Hauptflächen (der Auflagefläche) ein oder mehrere Kavitäten ausgebildet sind. Das transparente Formteil kann beispielsweise ein Bildschirm, ein Display, ein Sichtfenster, ein Messfenster oder ein Anzeigefeld sein. Es kann beispielsweise aus einem Glas, beispielsweise aus Quarzglas, oder aus einem Kunststoff ausgebildet sein. Es kann als starrer Körper oder auch als verformbarer Körper, beispielsweise als flexible Folie ausgebildet sein; insbesondere im Falle einer Fertigung aus einem Kunststoff.Preferably is the transparent molded part as a plane parallel or at least in Formed substantially plane-parallel plate or disc, wherein in one of the two main surfaces (the bearing surface) or more cavities are formed. The transparent molding can, for example a screen, a display, a viewing window, a measurement window or be a display panel. It can, for example, from a glass, for example made of quartz glass, or be formed from a plastic. It can as a rigid body or as a deformable body, for example be designed as a flexible film; especially in the case of a Made of a plastic.

Vorzugsweise wird das gesamte transparente Formteil einstückig gebildet, entweder durch Gießen oder durch Formen des Formteils mit nachträglicher Ausbildung der zumindest einen Kavität, beispielsweise durch eine chemische Ätzung oder einen anderen Formgebungsprozess.Preferably the entire transparent molded part is formed integrally, either by to water or by molding the molding with subsequent formation of the at least a cavity, for example, by a chemical etching or other shaping process.

Die metallische Kontaktschicht dient zum Kontaktieren eines oder mehrerer optoelektronischer Bauelements. In dem transparenten Formteil kann insbesondere auch eine Vielzahl von Kavitäten vorgesehen sein, die jeweils mit einer metallischen strukturierten Schicht gefüllt sind und somit zum Verkapseln und Kontaktieren jeweils eines der mehreren optoelektronischen Bauelemente dienen. Das dadurch gebildete optoelektronische Bauteil umfasst somit eine Vielzahl optoelektronischer Bauelemente (beispielsweise Halbleiterleutchtdioden); es kann beispielsweise einen Bildschirm oder eine Leuchtquelle mit einer Vielzahl einzelner Pixel darstellen.The Metallic contact layer serves to contact one or more optoelectronic component. In particular, in the transparent molding also a variety of cavities be provided, each structured with a metallic Layer filled are and thus for encapsulating and contacting each one of serve several optoelectronic devices. The thus formed Optoelectronic component thus includes a plurality of optoelectronic Components (for example, semiconductor light-emitting diodes); it can, for example a screen or a light source with a variety of individual ones Represent pixels.

Ebenso kann jede Kavität mit gleich mehreren metallischen Kontaktstrukturen bereichsweise gefüllt werden, um mehrere einander benachbarte optoelektronische Bauteile jeweils gemeinsam zu verkapseln und zu kontaktieren.As well can any cavity filled with several metallic contact structures in areas, around several adjacent optoelectronic components respectively to encapsulate and contact together.

Jedoch auch bei nur einem Bauelement pro Kavität ermöglicht die vorliegende Erfindung eine dichtere Anordnung optoelektronischer Bauelemente nebeneinander unterhalb des transparenten Formteils, da die Kavitäten erstmals kleiner dimensioniert sein dürfen als die Halbleiterschichtenstapel des betreffenden Bauelements, welche nicht mehr in die Kavitäten hineinragen. Eine dichtere Anordnung erhöht beispielsweise die Pixelrate eines Bildschirms, eines Monitors, einer Foto- oder Videokamera, eines Sensorchips oder eines sonstigen erfindungsgemäß ausgebildeten Produkts.however even with only one component per cavity allows the present invention a denser arrangement of optoelectronic components side by side below the transparent molding, since the cavities first may be smaller dimensions as the semiconductor layer stacks of the relevant device, which no longer in the cavities protrude. For example, a denser array increases the pixel rate a screen, a monitor, a camera or video camera, a sensor chip or another product designed according to the invention.

Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen, den Figuren sowie in der Figurenbeschreibungen beschrieben.preferred embodiments are in the subclaims, the figures and described in the description of the figures.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:The The invention will be explained in more detail below with reference to FIGS. Show it:

1 eine perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäßen Verkapselung für ein optoelektronisches Bauteil, 1 a perspective view of an encapsulation according to the invention for an optoelectronic component,

2 eine weitere perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäßen Verkapselung mit zusätzlicher Zwischenschicht, 2 another perspective view of an encapsulation according to the invention with additional intermediate layer,

3 eine schematische perspektivische Ansicht eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauteils, 3 a schematic perspective view of an optoelectronic device according to the invention,

4 eine andere perspektivische Schnittansicht der Ausführungsform zu 3, 4 another perspective sectional view of the embodiment to 3 .

5 eine Draufsicht auf das optoelektronische Bauteil der 3 und 4, 5 a plan view of the optoelectronic component of 3 and 4 .

die 6 bis 8 perspektivische Schnittansichten weiterer Ausführungsformen des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauteils,the 6 to 8th perspective sectional views of further embodiments of the optoelectronic device according to the invention,

9 eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Verkapselung für ein optoelektronisches Bauteil, 9 a further embodiment of an encapsulation according to the invention for an optoelectronic component,

10 noch eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Verkapselung für ein optoelektronisches Bauteil und 10 Yet another embodiment of an encapsulation according to the invention for an optoelectronic component and

11 ein optoelektronisches Bauteil mit der Verkapselung gemäß 10. 11 an optoelectronic component with the encapsulation according to 10 ,

1 zeigt eine erfindungsgemäße Anordnung aus einem transparenten Formteil 2 und zumindest einer darin eingelassenen metallischen Kontaktschicht 5. Das transparente Formteil 2 besitzt eine Auflagefläche 2a, die in 1 nach oben weisend dargestellt ist und beim fertigen optoelektronischen Bauteil dem optoelektronischen Bauelement zugewandt ist. Das optoelektronische Bauelement kann unmittelbar auf der Auflagefläche 2a des transparenten Formteils 2 oder auf einer Schicht oder Schichtenfolge, die auf der Auflagefläche 2a angeordnet ist, aufliegen. Das transparente Formteil 2 weist in seiner Auflagefläche 2a eine Kavität 3 auf. Durch die Kavität 3 ist die Auflagefläche bereichsweise ausgespart, so dass das transparente Formteil 2 bereichsweise eine geringere Dicke besitzt, jedoch nicht vollständig durchbrochen ist. Die Auflagefläche 2a ist kann eine (beispielsweise plane) Hauptfläche des transparenten Formteils 2 sein und insbesondere einen umlaufenden Rand besitzen, der entlang einer Ebene verläuft. Die Auflagefläche 2a ist vorzugsweise eben und umschließt die Kavität innerhalb dieser Ebene vorzugsweise vollständig. Auf der entgegengesetzten Seite kann das transparente Formteil 2 eine weitere Hauptfläche 2b aufweisen, die vorzugsweise ebenfalls plan ausgebildet sein kann und parallel zur Auflagefläche 2a verlaufen kann. Beispielsweise kann das transparente Formteil ein Sichtfenster, ein Display, ein Bildschirm, ein Anzeigefeld oder ein Messfenster sein, durch welches hindurch die durch das zumindest eine optoelektronisches Bauelement zu emittierende oder detektierende elektromagnetische Strahlung (beispielsweise im sichtbaren Wellenlängenbereich, im UV-Bereich oder im Infrarot-Bereich) hindurchtritt. Das transparente Formteil ist somit für die durch das optoelektronische Bauelement emittierte oder detektierte Strahlung transparent. 1 shows an inventive arrangement of a transparent molding 2 and at least one metallic contact layer embedded therein 5 , The transparent molding 2 has a support surface 2a , in the 1 is shown pointing upward and faces the optoelectronic device in the finished optoelectronic component. The optoelectronic component can directly on the support surface 2a of the transparent molding 2 or on a layer or layer sequence on the support surface 2a is arranged, rest. The transparent molding 2 points in its bearing surface 2a a cavity 3 on. Through the cavity 3 the bearing surface is partially recessed, so that the transparent molding 2 partially has a smaller thickness, but is not completely broken. The bearing surface 2a may be a (for example, plane) main surface of the transparent molding 2 and in particular have a peripheral edge, which runs along a plane. The bearing surface 2a is preferably flat and preferably completely encloses the cavity within this plane. On the opposite side may be the transparent molding 2 another main area 2 B have, which may preferably also be formed plan and parallel to the support surface 2a can run. For example, the transparent molded part can be a viewing window, a display, a screen, a display panel or a measuring window, through which the electromagnetic radiation to be emitted or detected by the at least one optoelectronic component (for example in the visible wavelength range, in the UV range or in the infrared Area). The transparent molded part is thus transparent to the radiation emitted or detected by the optoelectronic component.

Das transparente Formteil 2 ist in lateraler Richtung, das heißt parallel zu den beiden Hauptflächen, vorzugsweise rechteckförmig ausgebildet.The transparent molding 2 is in the lateral direction, that is parallel to the two main surfaces, preferably rectangular in shape.

Die in der Auflagefläche 2a ausgebildete Kavität 3 besitzt vorzugsweise eine einheitliche Tiefe. Eine Bodenfläche 4 der Kavität 3 verläuft somit vorzugsweise planparallel zur Auflagefläche 2a. In lateraler Richtung ist die Kavität beispielsweise rechteckförmig oder kreisförmig ausgebildet. Unabhängig von der konkreten Form jedoch bildet die durch die Kavität gebildete Ausnehmung die Möglichkeit, eine metallische Kontaktschicht 5 aufzunehmen, die vollständig oder überwiegend in die Ausnehmung 3 eingelassen ist und sich zumindest bis in Höhe der Auflagefläche 2a erstreckt. Die metallische Kontaktschicht dient zum elektrischen Kontaktieren der Hauptfläche eines optoelektronischen Bauelements, die an der Auflagefläche 2a (oder einer darüber angeordneten Schicht oder Schichtenfolge) des transparenten Formteils montiert wird. Sofern auf der Auflagefläche 2a, die die Kavität umgibt, noch ein oder mehrere Schichten angeordnet sind, reicht die metallische Kontaktschicht bis zur Oberseite der obersten Schicht. Die zu kontaktierende Kontaktfläche der metallischen Kontaktschicht ist somit in derselben Ebene bzw. auf gleicher Höhe angeordnet wie die Oberseite derjenigen Schicht, auf die die Hauptfläche des optoelektronischen Bauelements unmittelbar aufgesetzt ist.The in the bearing surface 2a trained cavity 3 preferably has a uniform depth. A floor surface 4 the cavity 3 thus preferably runs plane-parallel to the support surface 2a , In the lateral direction, the cavity is for example rectangular or circular. Regardless of the concrete form, however, the recess formed by the cavity forms the possibility of a metallic contact layer 5 completely or predominantly into the recess 3 is embedded and at least up to the level of the support surface 2a extends. The metallic contact layer serves to electrically contact the main surface of an optoelectronic component which is located on the support surface 2a (or an overlying layer or layer sequence) of the transparent molding is mounted. Unless on the support surface 2a , which surrounds the cavity, one or more layers are arranged, the metallic contact layer extends to the top of the uppermost layer. The contact surface of the metallic contact layer to be contacted is thus arranged in the same plane or at the same height as the upper side of the layer onto which the main surface of the optoelectronic component is directly placed.

Sofern das transparente Formteil als im Wesentlichen flächiges Formteil ausgebildet ist, kann die Schichtdicke beispielsweise zwischen 0,2 mm und 4 mm betragen, wobei jedoch auch größere oder noch kleinere Schichtdicken möglich sind. Insbesondere bei großflächiger ausgebildeten Formteilen, beispielsweise Displays oder Bildschirmen, können Schichtdicken zwischen ein und zehn Millimetern vorgesehen sein. Die Kavität 3 besitzt vorzugsweise eine einheitliche Tiefe, beispielsweise im Bereich von 0,02 bis 0,5 mm, vorzugsweise 0,05 bis 0,2 mm. Die lateralen Abmessungen der Kavität richten sich überwiegend nach der lateralen Struktur der metallischen Kontaktschicht 5. Die Kavität dient dazu, die metallische Kontaktschicht aufzunehmen. Die laterale Struktur der Kavität kann auch unterbrochen sein. Das transparente Formteil kann beispielsweise aus einem Glas, etwa aus Quarz beziehungsweise Quarzglas bestehen oder etwa aus einem transparenten Kunststoff bestehen. Das Material des Formteils sollte für die elektromagnetische Strahlung, die durch das auf der Auflagefläche 2a anzuordnende optoelektronische Bauteil zu emittieren oder detektieren ist, transparent sein.If the transparent molded part is designed as a substantially planar molded part, the layer thickness can be, for example, between 0.2 mm and 4 mm, but also larger or even smaller layer thicknesses are possible. In particular, in the case of large-area molded parts, for example displays or screens, layer thicknesses of between one and ten millimeters can be provided. The cavity 3 preferably has a uniform depth, for example in the range of 0.02 to 0.5 mm, preferably 0.05 to 0.2 mm. The lateral dimensions of the cavity depend predominantly on the lateral structure of the metallic contact layer 5 , The cavity serves to receive the metallic contact layer. The lateral structure of the cavity can also be interrupted. The transparent molding may for example consist of a glass, such as quartz or quartz glass or consist of a transparent plastic. The material of the molding should be for the electromagnetic radiation generated by the on the bearing surface 2a To be arranged to emit or detect optoelectronic component is to be transparent.

Vorzugsweise füllt die metallische Kontaktschicht 5 die Kavität vollständig aus; sie erstreckt sich vorzugsweise insbesondere von außen her bis zur Bodenfläche 4 der Kavität.Preferably, the metallic contact fills layer 5 the cavity completely off; it preferably extends in particular from the outside to the bottom surface 4 the cavity.

2 zeigt eine weitere perspektivische Darstellung eines transparenten Formteils und einer metallischen Kontaktschicht, wobei eine weitere Schicht, beispielsweise eine Zwischenschicht 7 aus beispielsweise einem transparenten leitfähigen Oxid auf der Auflagefläche 2a angeordnet ist. Solch eine Zwischenschicht 7 kann beispielsweise aus Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid oder einem sonstigen transparenten leitfähigen Oxid gebildet sein und insbesondere zur Stromaufweitung in lateraler Richtung dienen. Die Zwischenschicht 7 oder gegebenenfalls auch eine zusätzlich über dieser angeordnete weitere Schicht bildet den Übergang zwischen dem transparenten Formteil und der Schichtenfolge des optoelektronischen Bauelements in denjenigen Flächenbereichen seiner Kontaktfläche, die seitlich außerhalb der Kavität 3 angeordnet sind. 2 shows a further perspective view of a transparent molded part and a metallic contact layer, wherein a further layer, for example an intermediate layer 7 for example, a transparent conductive oxide on the support surface 2a is arranged. Such an intermediate layer 7 For example, it can be formed from indium tin oxide, indium zinc oxide or another transparent conductive oxide and, in particular, serve for current expansion in the lateral direction. The intermediate layer 7 or optionally also an additional layer arranged above it forms the transition between the transparent molded part and the layer sequence of the optoelectronic component in those surface regions of its contact surface which are laterally outside the cavity 3 are arranged.

In 2 ist der Schnittansicht durch die beiden lateralen Abmessungen des transparenten Formteils so gelegt, dass trotz der darüberliegenden Schicht 7 die Kavität 3 noch erkennbar ist.In 2 is the sectional view through the two lateral dimensions of the transparent molding so placed that, despite the overlying layer 7 the cavity 3 is still recognizable.

Vorzugsweise besitzt metallische Kontaktschicht 4 eine Schichtdicke, die der Tiefe T der Kavität 3 (d. h. dem vertikalen Versatz zwischen der Bodenfläche 4 und der umgebenden Auflagefläche 2b) entspricht. Die metallische Kontaktschicht 5, die die Ausnehmung füllt, kann auch höher bzw. dicker sein und insbesondere bis zur Oberseite der Zwischenschicht 7 reichen. In 2 hingegen ist eine Ausführungsform dargestellt, bei der die Zwischenschicht 7 auch die metallische Kontaktschicht 5 bedeckt. Die metallische Kontaktschicht 5 und gegebenenfalls auch die Zwischenschicht 7 dienen zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelements von seiner Hauptfläche her, die auf die Kontaktfläche 5a aufgesetzt wird.Preferably has metallic contact layer 4 a layer thickness, the depth T of the cavity 3 (ie the vertical offset between the floor surface 4 and the surrounding bearing surface 2 B ) corresponds. The metallic contact layer 5 that fills the recess can also be higher or thicker and in particular up to the top of the intermediate layer 7 pass. In 2 In contrast, an embodiment is shown in which the intermediate layer 7 also the metallic contact layer 5 covered. The metallic contact layer 5 and optionally also the intermediate layer 7 are used for electrically contacting the optoelectronic component from its main surface forth on the contact surface 5a is put on.

3 zeigt ein optoelektronisches Bauteil 1, das zusätzlich zu dem transparenten Formteil 2 und der metallischen Kontaktschicht 5 (und gegebenenfalls der Zwischenschicht 7 aus beispielsweise einem transparenten leitfähigen Oxid) noch einen Halbleiterschichtenstapel 30 aufweist, der zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht 21 und eine zweite Leuchtdiodenschicht 22 aufweist, zwischen denen eine optisch aktive Zone 23 ausgebildet ist. Beispielsweise kann die erste Leuchtdiodenschicht 21 n-dotiert und die zweite Leuchtdiodenschicht 22 p-dotiert sein oder umgekehrt. Oberhalb des Halbleiterschichtenstapels 30 können beispielsweise eine Kontaktschicht 26 und/oder ein Substrat 28 oder (alternativ oder in Kombination mit einer dieser oder anderer Schichten) auch ei ne metallische Spiegelschicht angeordnet sein. Der Halbleiterschichtenstapel 30 bildet insbesondere eine Halbleiterleuchtdiode oder alternativ eine Fotozelle oder ein sonstiges elektrooptisches beziehungsweise optoelektronisches Bauelement. Im Falle einer Halbleiterleuchtdiode können die erste und die zweite Leuchtdiodenschicht 21, 22 jeweils aus einem Grundmaterial gebildet sein, das mindestens eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium sowie mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält. Als Grundmaterial für die Halbleiterschichten, insbesondere für die Leuchtdiodenschichten kommen insbesondere III-V-Halbleitermaterialien in Frage. 3 shows an optoelectronic component 1 in addition to the transparent molding 2 and the metallic contact layer 5 (and optionally the intermediate layer 7 from, for example, a transparent conductive oxide) nor a semiconductor layer stack 30 comprising, the at least one first light-emitting diode layer 21 and a second light-emitting diode layer 22 between which an optically active zone 23 is trained. For example, the first light-emitting diode layer 21 n-doped and the second light-emitting diode layer 22 be p-doped or vice versa. Above the semiconductor layer stack 30 For example, a contact layer 26 and / or a substrate 28 or (alternatively or in combination with one of these or other layers), a metallic mirror layer may also be arranged. The semiconductor layer stack 30 forms in particular a semiconductor light-emitting diode or alternatively a photocell or another electro-optical or opto-electronic component. In the case of a semiconductor light-emitting diode, the first and the second light-emitting diode layer 21 . 22 each formed from a base material containing at least one of the elements aluminum, gallium and indium and at least one of the elements nitrogen, phosphorus and arsenic. Suitable base materials for the semiconductor layers, in particular for the light-emitting diode layers, are, in particular, III-V semiconductor materials.

Wie in 3 dargestellt, dient die Auflagefläche 2a des transparenten Formteils 2 (oder gegebenenfalls die Oberseite der darauf angeordneten Zwischenschicht 7) dazu, die (in 3 nach unten weisende) Hauptfläche 11 des optoelektronischen Bauelements 10 zu verkapseln und somit vor Umgebungseinflüssen zu schützen. Zugleich dient die metallische Kontaktschicht 5, die in der Kavität 3 angeordnet ist, zur elektrischen Kontaktierung der Hauptfläche 11 des optoelektronischen Bauelements 10 von seiner Hauptfläche 11 her. Sofern eine Zwischenschicht 7 zwischen Formteil und optoelektronischem Bauelement vorgesehen ist, dienen die metallische Kontaktschicht 5 und die Zwischenschicht 7 gemeinsam zur elektrischen Kontaktierung.As in 3 represented, serves the bearing surface 2a of the transparent molding 2 (or optionally the top of the intermediate layer thereon 7 ), the (in 3 downward facing) major surface 11 of the optoelectronic component 10 to encapsulate and thus protect against environmental influences. At the same time serves the metallic contact layer 5 that in the cavity 3 is arranged for electrical contacting of the main surface 11 of the optoelectronic component 10 from its main surface 11 ago. If an intermediate layer 7 is provided between the molding and optoelectronic device, serve the metallic contact layer 5 and the intermediate layer 7 together for electrical contact.

Im Gegensatz zu herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen brauchen keine komplizierten Strukturaufbauten aus Elektrodenbahnen, die herkömmlichen nur einen Bruchteil des Volumens einer Kavität ausfüllen, ausgebildet zu werden. Stattdessen wird durch die mit der metallischen Kontaktschicht 5 ausgefüllte Kavität 3 des transparenten Formteils 2 eine Schutzab deckung und zugleich ein Sichtfenster bereitgestellt, das eine vorzugsweise ebene, auch im Bereich der Kavität bis oben aufgefüllte Auflagefläche besitzt, auf welche das optoelektronische Bauelement 10 aufgesetzt werden kann. Somit verbleiben keine Hohlräume, die mit einem inerten Schutzgas oder einem anderen Medium auszufüllen wären. Die Erfindung stellt somit eine auf einfache Weise herstellbare Abdeckung und Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements von seiner vorderseitigen Hauptfläche 26 beziehungsweise Kontaktfläche her bereit.In contrast to conventional optoelectronic components, it is not necessary to form complicated structure structures from electrode paths which fill conventional parts only a fraction of the volume of a cavity. Instead, it's through with the metallic contact layer 5 filled cavity 3 of the transparent molding 2 a Schutzab cover and at the same time a viewing window provided, which has a preferably flat, even in the region of the cavity to the top filled support surface on which the optoelectronic device 10 can be put on. Thus, no voids remain, which would be filled with an inert shielding gas or other medium. The invention thus provides a cover and contacting the optoelectronic component that can be produced in a simple manner from its front-side main surface 26 or contact surface prepared.

Zumindest bereichsweise erstreckt sich die metallische Kontaktschicht 5 seitlich über den Halbleiterschichtenstapel 30 des optoelektronischen Bauelements 10 hinaus; in diesem seitlich hinausweisenden Bereich der metallischen Kontaktschicht 5 erfolgt seitlich von außen die elektrische Kontaktierung. In den übrigen Grenzflächenbereichen, in denen der Halbleiterschichtenstapel 30 des optoelektronischen Bauelements 10 seitlich über die metallische Kontaktschicht 5 hinausragt, erfolgt die Lichtabstrahlung durch das transparente Formteil 2 hindurch, wie in 3 dargestellt, oder (im umgekehrten Fall) der Durchtritt des von dem optoelektronischen Bauelement zu detektierenden Lichts.At least partially, the metallic contact layer extends 5 laterally across the semiconductor layer stack 30 of the optoelectronic component 10 addition; in this laterally protruding region of the metallic contact layer 5 takes place laterally from the outside, the electrical contact. In the remaining interface areas, in which the semiconductor layer stack 30 of the optoelectronic component 10 laterally over the metallic contact layer 5 protrudes, the light emission takes place through the transparent molding 2 through, as in 3 represented, or (in the reverse case), the passage of the light to be detected by the optoelectronic component.

4 zeigt eine der 3 im Wesentlichen entsprechende perspektivische Ansicht eines optoelektronischen Bauteils 1. Die 4 zeigt, dass zumindest bereichsweise die Kavität 3 und die in ihr ausgebildete metallische Kontaktschicht 5 sich seitlich über dem Halbleiterschichtenstapel 30 hinaus erstrecken, um seitlich außerhalb des Halbleiterschichtenstapels die elektrische Kontaktierung zu ermöglichen. Eine optionale, wie in 4 und in den weiteren Figuren dargestellte Zwischenschicht 7, die beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Oxid bestehen kann und zwischen der Auflagefläche 2a des transparenten Formteils 2 und der Hauptfläche 11 des Halbleiterschichtenstapels 30 angeordnet ist, kann zur besseren Stromaufweitung genutzt werden und dazu, die gesamte Hauptfläche 11 des Halbleiterschichtenstapels 30 kontaktieren, da sich die metallische Kontaktstruktur 5 in der Regel nur über einen geringen Flächenanteil der Hauptfläche 11 erstreckt. 4 shows one of the 3 essentially corresponding perspective view of an optoelectronic component 1 , The 4 shows that at least partially the cavity 3 and the metallic contact layer formed therein 5 laterally over the semiconductor layer stack 30 extend out to allow laterally outside the semiconductor layer stack, the electrical contact. An optional, as in 4 and intermediate layer shown in the further figures 7 , which may for example consist of a transparent conductive oxide and between the support surface 2a of the transparent molding 2 and the main surface 11 of the semiconductor layer stack 30 is arranged, can be used for better flow expansion and, in addition, the entire main surface 11 of the semiconductor layer stack 30 Contact, as the metallic contact structure 5 usually only over a small area of the main area 11 extends.

5 zeigt eine schematische Draufsicht auf das erfindungsgemäße optoelektronische Bauteil 1, gesehen aus der Richtung der in den 1 bis 4 jeweils unten dargestellten weiteren Hauptfläche 2b des transparenten Formteils 2. 5 zeigt somit den Blick durch das transparente Formteil hindurch auf die (durch die Kavität 3 umgebende) metallische Kontaktschicht 5, d. h. den Blick auf die Bodenfläche 4 der Kavität 3 von unten durch das Material des transparenten Formteils 2 hindurch. In 5 ist zu erkennen, dass die Kavität 3 und die metallische Kontaktstruktur 5 in lateraler Richtung strukturiert sind. In dem speziellen Ausführungsbeispiel der 5 ist beispielsweise zu erkennen, dass die metallische Kontaktstruktur 5 einen relativ massiven, etwa rechteckförmigen äußeren Kontaktanschlussbereich aufweist, der in 5 nach rechts über den Außenumfang des Halbleiterschichtenstapels 30 beziehungsweise der Hauptfläche 11 des optoelektronischen Bauelements 10 hinausweist; dieser Umfang ist in 5 gestrichelt dargestellt. Die metallische Kontaktstruktur 5 besitzt ferner eine Rahmenstruktur 15, die einen äußeren Rahmen und einen inneren Rahmen umfasst, die teilweise gemeinsame Rahmenkanten besitzen. Der äußere Rahmen der Rahmenstruktur 15 verläuft im Wesentlichen dicht innerhalb des Umfangs der Hauptfläche 11 des Halbleiterschichtenstapels 30 (beispielsweise nahe des Umfangs der Hauptfläche n-dotierten ersten Leuchtdiodenschicht 22 des optoelektronischen Bauelements 10). Der äußere sowie der innere Rahmen der Rahmenstruktur 15 besitzen jeweils Öffnungen 15a, in denen die metallische Kontaktstruktur jeweils ausgespart ist. Die Rahmenstrukturen bestehen somit jeweils aus einzelnen Leiterbahnen, die in der Kavität angeordnet sind und bis zur Kontaktfläche 11 des optoelektronischen Bauelements 10 reichen und diese Hauptfläche 11 elektrisch kontaktieren. Alternativ jedoch kann die Kavität auch entsprechend der lateralen Struktur der metallischen Kontaktschicht 5 ausgeformt sein; in diesem Fall gehören die Öffnungen 15a nicht zur Kavität, sondern im Bereich der Öffnungen besitzt das transparente Formteil 2 dann die ursprüngliche, größere Schichtdicke. 5 shows a schematic plan view of the optoelectronic component according to the invention 1 , seen from the direction of the 1 to 4 respectively further main surface shown below 2 B of the transparent molding 2 , 5 thus shows the view through the transparent molding on the (through the cavity 3 surrounding) metallic contact layer 5 ie the view of the floor area 4 the cavity 3 from below through the material of the transparent molding 2 therethrough. In 5 it can be seen that the cavity 3 and the metallic contact structure 5 are structured in a lateral direction. In the specific embodiment of 5 For example, it can be seen that the metallic contact structure 5 a relatively massive, approximately rectangular outer contact terminal region which in 5 to the right over the outer periphery of the semiconductor layer stack 30 or the main surface 11 of the optoelectronic component 10 addition,; this scope is in 5 shown in dashed lines. The metallic contact structure 5 also has a frame structure 15 comprising an outer frame and an inner frame partially having common frame edges. The outer frame of the frame structure 15 is substantially close within the circumference of the main surface 11 of the semiconductor layer stack 30 (For example, near the periphery of the main surface n-doped first light-emitting diode layer 22 of the optoelectronic component 10 ). The outer and the inner frame of the frame structure 15 each have openings 15a , in which the metallic contact structure is recessed in each case. The frame structures thus each consist of individual conductor tracks, which are arranged in the cavity and up to the contact surface 11 of the optoelectronic component 10 rich and this main area 11 contact electrically. Alternatively, however, the cavity may also correspond to the lateral structure of the metallic contact layer 5 be formed; in this case, the openings belong 15a not to the cavity, but in the area of the openings has the transparent molding 2 then the original, larger layer thickness.

Zur besseren Stromverteilung in seitlicher Richtung ist vorzugsweise zwischen dem transparenten Formteil 2 und dem Halbleiterschichtenstapel 30 eine Zwischenschicht 7, insbesondere aus einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO; Transparent Conductive Oxide) vorgesehen. Dadurch kann mit Hilfe der in seitlicher Richtung sehr dünnen Leiterbahnen, die die Rahmenstruktur 15 bilden, dennoch die gesamte Kontaktfläche 11 des Halbleiterschichtenstapels 30 kontaktiert werden, wodurch sich die Lichtausbeute des optoelektronischen Bauelements beziehungsweise die Stromausbeute erhöht. Sofern die Zwischenschicht 7 vorgesehen ist, reicht die metallische Kontaktstruktur 5 vorzugsweise nur bis zur Zwischenschicht 7 heran. Sie kontaktiert dann nur mittelbar, d. h. mit Hilfe der Zwischenschicht, die Kontaktfläche bzw. Hauptfläche 11 des optoelektronischen Bauelements 10. Die Kavität 3 kann wie erwähnt in lateraler Richtung so strukturiert sein, dass ihre Bodenfläche 4 sich über die Bereiche der metallischen Kontaktstruktur 5 sowie ihrer Öffnungen 15a erstreckt. Alternativ kann die Kavität 3 auch so strukturiert sein, dass sich ihre Bodenfläche 4 nur über die Bereiche der metallischen Kontaktstruktur 5 erstreckt. In diesem Fall ist im Bereich der Öffnungen 15a der Rahmenstruktur 15 keine Kavität ausgebildet, sondern dort endet das transparente Formteil in Höhe seiner Auflagefläche 2a (rückseitig zur in 5 nach vorne weisenden weiteren Hauptfläche 2b).For better current distribution in the lateral direction is preferably between the transparent molding 2 and the semiconductor layer stack 30 an intermediate layer 7 , in particular of a transparent conductive oxide (TCO). As a result, with the help of the laterally very thin conductor tracks, the frame structure 15 form, but the entire contact surface 11 of the semiconductor layer stack 30 be contacted, thereby increasing the light output of the optoelectronic component or the current efficiency. Unless the intermediate layer 7 is provided, the metallic contact structure is sufficient 5 preferably only up to the intermediate layer 7 approach. It then contacts only indirectly, ie with the help of the intermediate layer, the contact surface or main surface 11 of the optoelectronic component 10 , The cavity 3 may be structured as mentioned in the lateral direction so that its bottom surface 4 over the areas of the metallic contact structure 5 as well as their openings 15a extends. Alternatively, the cavity 3 also be structured so that its bottom surface 4 only over the areas of the metallic contact structure 5 extends. In this case is in the range of openings 15a the frame structure 15 no cavity formed, but there ends the transparent molding in height of its support surface 2a (back to the in 5 forward facing further main surface 2 B ).

6 zeigt eine Weiterbildung des optoelektronischen Bauelements gemäß 4, wobei zusätzlich noch eine weitere Schicht 6 zwischen der Zwischenschicht 7 und dem Halbleiterschichtenstapel 30 vorgesehen ist. Je nach bevorzugter Fertigungsmethode kann die weitere Schichten 6 zuerst auf den Halbleiterschichtenstapel aufgebracht und dann beim Zusammenfügen mit dem gefüllten transparenten Formteil mit diesen in Kontakt gebracht werden. In diesem Fall ist die weitere Schicht 6 wie der Halbleiterschichtenstapel 30 strukturiert, wie in 6 dargestellt. Alternativ kann die weitere Schicht zuerst auf das transparente Formteil oder auf eine darauf angeordnete Zwischenschicht 7 (die beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Oxid bestehen kann) aufgebracht werden. Die weitere Schicht 6 kann insbesondere eine Klebeschicht oder alternativ eine weitere Schicht aus einem transparenten, leitfähigen Oxid sein. 6 shows a development of the optoelectronic device according to 4 , where additionally a further layer 6 between the intermediate layer 7 and the semiconductor layer stack 30 is provided. Depending on the preferred manufacturing method, the other layers 6 first applied to the semiconductor layer stack and then brought into contact with the filled transparent molded part upon mating. In this case, the other layer is 6 like the semiconductor layer stack 30 structured, as in 6 shown. Alternatively, the further layer may first be applied to the transparent molding or to an intermediate layer disposed thereon 7 (which may for example consist of a transparent conductive oxide) are applied. The further layer 6 In particular, it may be an adhesive layer or alternatively a further layer of a transparent, conductive oxide.

7 zeigt eine Weiterbildung, bei der nach Ausbildung der Kavität in dem transparenten Formteil zunächst der Boden der Kavität sowie der seitliche Rand ganz oder teilweise mit einer dünnen Kontaktschicht 16 bedeckt wird. Die Kontaktschicht 16 kann etwa aus einem transparenten leitfähigen Oxid bestehen. 7 shows a development in which, after the formation of the cavity in the transparent molding, first the bottom of the cavity and the lateral edge completely or partially with a thin contact layer 16 is covered. The contact layer 16 may consist of a transparent conductive oxide.

Die in der vorliegenden Anmeldung genannten Schichten aus einem transparenten leitfähigen Oxid können beispielsweise In diumzinnoxid, Indiumzinkoxid oder ein dotiertes Zinkoxid enthalten.The in the present application layers of a transparent conductive oxide can For example, in dium tin oxide, indium zinc oxide or a doped Contain zinc oxide.

Zusätzlich zu der Kontaktschicht 16 kann weiterhin, wie in 7 dargestellt, die Zwischenschicht 7 auf der der Auflagefläche 2a des transparenten Formteils ausgebildet werden, nachdem das verbliebene Volumen der Kavität 3 mit der metallischen Kontaktschicht 5 gefüllt wurde.In addition to the contact layer 16 can continue, as in 7 represented, the intermediate layer 7 on the support surface 2a of the transparent molding after the remaining volume of the cavity 3 with the metallic contact layer 5 was filled.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der 8 kann auch vorgesehen sein, dass nur ein erster Kontaktbereich 5a der metallische Kontaktschicht 5 sich vom Boden der Kavität ausgehend bis mindestens zur Auflagefläche 2a des transparenten Formteils erstreckt, wohingegen ein zweiter Kontaktbereich 5b der metallischen Kontaktschicht 5 eine geringere Schichtdicke als entsprechend der Tiefe T der Kavität besitzt. Beispielsweise kann auf dem zweiten Kontaktbereich 5b verringerter Schichtdicke eine elektrisch leitende Klebeschicht 17 ausgebildet sein. Auf diese Weise können selbst Klebeschichten oder andere Adhäsionsschichten innerhalb der Kavität angeordnet werden, ohne dass dafür der Halbleiterschichtenstapel 30 bzw. das optoelektronische Bauelement 10 selbst in die Kavität hineinreichen muss.According to another embodiment of the 8th can also be provided that only a first contact area 5a the metallic contact layer 5 extending from the bottom of the cavity to at least the contact surface 2a of the transparent molding, whereas a second contact area 5b the metallic contact layer 5 has a smaller layer thickness than according to the depth T of the cavity. For example, on the second contact area 5b reduced layer thickness an electrically conductive adhesive layer 17 be educated. In this way, even adhesive layers or other adhesion layers can be arranged within the cavity, without the semiconductor layer stack for doing so 30 or the optoelectronic component 10 must reach into the cavity itself.

9 zeigt eine Ausführungsform, bei der das transparente Formteil 2 nicht von vornherein einstückig ausgebildet ist, wie in den bisherigen Figuren dargestellt, sondern aus mehreren, beispielsweise zwei massiven Schichten zusammengesetzt ist; etwa zusammengeklebt. Beispielsweise kann eine erste Schicht 8 des transparenten Formteils 2 durchgehend ausgebildet sein, wohingegen eine zweite Schicht 9 des transparenten Formteils 2 durchbrochen ist, um die metallische Kontaktschicht 5 aufzunehmen. Sobald beide Schichten 8, 9 zusammen gesetzt werden, entsteht die Kavität 3. Eine Hauptfläche der ersten Schicht 8 bildet die Bodenfläche der Kavität 3 und eine Hauptfläche der zweiten Schicht 9 bildet die Auflagefläche 2a für den Halbleiterschichtenstapel 30 des optoelektronischen Bauelements 10. Die metallische Kontaktschicht 5 ist wie bei den vorherigen Figuren in die Kavität eingelassen. Vorzugsweise sind beide Schichten 8, 9 transparent und durch eine transparente Klebeschicht miteinander verbunden, alternativ aneinander gepresst, geschweißt oder auf sonstige Weise, etwa unter Wärmeeinwirkung, dauerhaft miteinander verbunden. Vorzugsweise sind beide Schichten 8, 9 aus einem massiven Material gebildet. 9 shows an embodiment in which the transparent molding 2 not formed in one piece from the outset, as shown in the previous figures, but is composed of several, for example, two solid layers; stuck together. For example, a first layer 8th of the transparent molding 2 be formed continuously, whereas a second layer 9 of the transparent molding 2 is broken through to the metallic contact layer 5 take. As soon as both layers 8th . 9 put together, the cavity is created 3 , A major surface of the first layer 8th forms the bottom surface of the cavity 3 and a main surface of the second layer 9 forms the bearing surface 2a for the semiconductor layer stack 30 of the optoelectronic component 10 , The metallic contact layer 5 is embedded in the cavity as in the previous figures. Preferably, both layers 8th . 9 transparent and interconnected by a transparent adhesive layer, alternatively pressed against each other, welded or otherwise permanently connected together, for example under the action of heat. Preferably, both layers 8th . 9 made of a solid material.

Die 10 und 11 zeigen eine weitere Ausführungsform eines optoelektronischen Bauteils 1 bzw. einer dafür vorgesehenen Verkapselung 25. Gemäß 10 besitzt das transparente Formteil 2 außer der Kavität 3 noch eine weitere Kavität 13, wobei die Auflagefläche 2a für den Halbleiterschichtenstapel 30 bzw. für das optoelektronische Bauelement 10 die Bodenfläche dieser weiteren Kavität 13 bildet. Somit ist der Halbleiterschichtenstapel 30 des optoelektronischen Bauelements 10 seitlich durch die Seitenwandung der weiteren Kavität 13 umgeben, d. h. in die weitere Kavität 13 eingelassen. Die Kavität 3 hingegen bildet eine tiefer liegende Ausnehmung in der Bodenfläche der weiteren Kavität 13. Während die weitere Kavität zur Aufnahme des Halbleiterschichtenstapels 30 dient, dient die Kavität 3 zur Aufnahme der metallischen Kontaktschicht 5. 10 zeigt die aus dem transparenten Formteil 2 und der metallischen Kontaktschicht 5 gebildete Verkapselung 25 ohne das optoelektronische Bauelement, wohingegen 11 das gesamte optoelektronische Bauteil 1 zeigt, einschließlich des optoelektronischen Bauelements 10, das in die weitere Kavität 13 eingelassen ist.The 10 and 11 show a further embodiment of an optoelectronic device 1 or a designated encapsulation 25 , According to 10 owns the transparent molding 2 except the cavity 3 another cavity 13 , where the bearing surface 2a for the semiconductor layer stack 30 or for the optoelectronic component 10 the bottom surface of this further cavity 13 forms. Thus, the semiconductor layer stack is 30 of the optoelectronic component 10 laterally through the side wall of the other cavity 13 surrounded, ie in the other cavity 13 admitted. The cavity 3 on the other hand, a deeper recess forms in the bottom surface of the further cavity 13 , While the further cavity for receiving the semiconductor layer stack 30 serves, serves the cavity 3 for receiving the metallic contact layer 5 , 10 shows the from the transparent molding 2 and the metallic contact layer 5 formed encapsulation 25 without the optoelectronic device, whereas 11 the entire optoelectronic component 1 shows, including the optoelectronic device 10 that in the further cavity 13 is admitted.

Claims (66)

Optoelektronisches Bauteil (1), das folgendes ausweist: – mindestens ein optoelektronisches Bauelement (10) zum Emittieren oder Detektieren elekromagnetischer Strahlung (20), wobei das optoelektronisches Bauelement (10) eine Hauptfläche (11) aufweist, durch die hindurch die elekromagnetische Strahlung (20) emittiert oder detektiert wird, – ein transparentes Formteil (2), das für die elekromagnetische Strahlung (20), die durch das mindestens eine optoelektronische Bauelement (10) emittiert oder detektiert wird, transparent ist, wobei das transparente Formteil (2) zumindest eine Kavität (3) aufweist, die in einer Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (20), die dem mindestens einen optoelektronischen Bauelement (10) zugewandt ist, ausgebildet ist, und – mindestens eine metallische Kontaktschicht (5), die in die Kavität (3) des transparenten Formteils (2) eingelassen ist und sich von einer Bodenfläche (4) der Kavität (3) ausgehend mindestens bis zur Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (20) erstreckt.Optoelectronic component ( 1 ) which identifies: - at least one optoelectronic component ( 10 ) for emitting or detecting electromagnetic radiation ( 20 ), wherein the optoelectronic component ( 10 ) a main surface ( 11 ), through which the electromagnetic radiation ( 20 ) is emitted or detected, - a transparent molded part ( 2 ), which is responsible for the electromagnetic radiation ( 20 ) formed by the at least one optoelectronic component ( 10 ) is emitted or detected, is transparent, wherein the transparent molded part ( 2 ) at least one cavity ( 3 ), which in a bearing surface ( 2a ) of the transparent molding ( 20 ), the at least one optoelectronic device ( 10 ) is formed, is formed, and - at least one metallic contact layer ( 5 ), which enter the cavity ( 3 ) of the transparent molding ( 2 ) is embedded and extends from a floor surface ( 4 ) of the cavity ( 3 ) starting at least to the bearing surface ( 2a ) of the transparent molding ( 20 ). Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) an eine Bodenfläche (4) der Kavität (3) des transparenten Formteils (2) angrenzt.Component according to claim 1, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) to a floor surface ( 4 ) of the cavity ( 3 ) of the transparent molding ( 2 ) adjoins. Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) die Bodenfläche (4) der Kavität (3) vollständig bedeckt.Component according to claim 1 or 2, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) the floor area ( 4 ) of the cavity ( 3 completely covered. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) mit der Auflagefläche (2a) des transparente Formteils (2), die die Kavität (3) umgibt, abschließt.Component according to one of claims 1 to 3, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) with the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ), which is the cavity ( 3 ) surrounds, completes. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) in lateraler Richtung (x, y) strukturiert ist.Component according to one of claims 1 to 4, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) in the lateral direction (x, y) is structured. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) die Kavität (3) des transparenten Formteils (2) vollständig ausfüllt.Component according to one of claims 1 to 5, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) the cavity ( 3 ) of the transparent molding ( 2 ) completely. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) eine Schichtdicke besitzt, die der Tiefe der Kavität (3) des transparenten Formteils (2) entspricht.Component according to one of claims 1 to 6, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) has a layer thickness which corresponds to the depth of the cavity ( 3 ) of the transparent molding ( 2 ) corresponds. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) erste Flächenbereiche der Bodenfläche (4) der Kavität (3) überdeckt, wohingegen die Kavität über zweiten Flächenbereichen der Bodenfläche (4) hohl oder mit einem transparenten Material gefüllt ist.Component according to one of claims 1 to 7, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) first surface areas of the floor surface ( 4 ) of the cavity ( 3 ), whereas the cavity over second surface areas of the bottom surface ( 4 ) is hollow or filled with a transparent material. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) eine Schichtdicke besitzt, die größer ist als die Tiefe der Kavität (3) des transparenten Formteils (2).Component according to one of claims 1 to 6, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) has a layer thickness which is greater than the depth of the cavity ( 3 ) of the transparent molding ( 2 ). Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (10) einen Halbleiterschichtenstapel (30) aufweist und dass die metallische Kontaktschicht innerhalb der Kavität (3) angeordnet ist, wohingegen der Halbleiterschichtenstapel (30) außerhalb der Kavität angeordnet ist.Component according to one of claims 1 to 9, characterized in that the optoelectronic component ( 10 ) a semiconductor layer stack ( 30 ) and that the metallic contact layer within the cavity ( 3 ), whereas the semiconductor layer stack ( 30 ) is arranged outside the cavity. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) in lateraler Richtung strukturiert ist und eine Rahmenstruktur (15) bildet, die zumindest eine Öffnung (15a) umschließt, durch die hindurch das optoelektronische Bauelement (10) elektromagnetische Strahlung emittiert oder detektiert.Component according to one of claims 1 to 10, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) is structured in a lateral direction and a frame structure ( 15 ) forming at least one opening ( 15a ), through which the optoelectronic component ( 10 ) emits or detects electromagnetic radiation. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) als vollständig in das transparente Formteil (2) eingelassene Rahmenstruktur (15) ausgebildet ist, die in lateraler Richtung zumindest entlang eines Randes einer Hauptfläche (11) des optoelektronischen Bauelements (10) verläuft.Component according to one of claims 1 to 11, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) as completely in the transparent molding ( 2 ) embedded frame structure ( 15 ) is formed in the lateral direction at least along one edge of a main surface ( 11 ) of the optoelectronic component ( 10 ) runs. Bauteil nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (3) des transparente Formteils sich auch über die Öffnung (15a) in der strukturierten metallischen Kontaktschicht (5) erstreckt.Component according to claim 11 or 12, characterized in that the cavity ( 3 ) of the transparent molding also over the opening ( 15a ) in the structured metallic contact layer ( 5 ). Bauteile nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der transparente Formteil (2) im Bereich der Öffnung (15a) in der Rahmenstruktur (15) der metallischen Kontaktschicht (5) eine Dicke (d1) besitzt, die im Abstand zwischen beiden Hauptflächen (2a, 2b) des transparenten Formteils (2) entspricht.Components according to one of claims 11 to 13, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) in the region of the opening ( 15a ) in the frame structure ( 15 ) of the metallic contact layer ( 5 ) has a thickness (d1), the distance between the two main surfaces ( 2a . 2 B ) of the transparent molding ( 2 ) corresponds. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrooptische Bauelement (10) in Flächenbereichen des transparenten Formteils (2), die seitlich neben oder zwischen Strukturen der metallischen Kontaktschicht (5) liegen, elektromagnetische Strahlung durch das transparente Formteil hindurch emittiert oder detektiert.Component according to one of claims 1 to 14, characterized in that the electro-optical component ( 10 ) in areas of the transparent molding ( 2 ) laterally adjacent to or between structures of the metallic contact layer ( 5 ), emitted or detected electromagnetic radiation through the transparent molding. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (10) eine Hauptfläche (11) aufweist, die die Kavität (3) weitgehend überdeckt und seitlich über den Umfang der Kavität (3) hinausreicht.Component according to one of claims 1 to 15, characterized in that the optoelectronic component ( 10 ) a main surface ( 11 ) having the cavity ( 3 ) and laterally over the circumference of the cavity ( 3 ). Bauteil nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptfläche (11) des optoelektronischen Bauelements (10) unmittelbar auf der Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (2) aufliegt.Component according to claim 16, characterized in that the main surface ( 11 ) of the optoelectronic component ( 10 ) directly on the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) rests. Bauteil nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptfläche (11) des optoelektronischen Bauelements (10) an eine Schicht oder eine Schichtenfolge angrenzt, die auf die Auflagefläche (2a) des transparente Formteils (2) aufgebracht ist.Component according to claim 16 or 17, characterized in that the main surface ( 11 ) of the optoelectronic component ( 10 ) adjoins a layer or a sequence of layers which rest on the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) is applied. Bauteil nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptfläche (11) des optoelektronischen Bauelements (10) zumindest entlang ihres Umfangs auf der Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (2) oder auf einer darauf angeordneten Schicht oder Schichtenfolge aufliegt.Component according to one of claims 16 to 18, characterized in that the main surface ( 11 ) of the optoelectronic component ( 10 ) at least along its circumference on the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) or on a layer or layer sequence arranged thereon. Bauteil nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptfläche (11) des optoelektronischen Bauelements (10) ganzflächig auf dem transparenten Formteil (2) und auf der in deren Kavität (3) eingelassenen metallischen Kontaktschicht (5) aufliegt.Component according to one of claims 16 to 19, characterized in that the main surface ( 11 ) of the optoelectronic component ( 10 ) over the entire surface of the transparent molded part ( 2 ) and in the cavity ( 3 ) embedded metallic contact layer ( 5 ) rests. Bauteil nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (10) eine Zwischenschicht (7) aus einem transparenten leitfähigen Oxid umfasst, die die Hauptfläche (11) des optoelektronischen Bauelements (10) bildet.Component according to one of claims 16 to 20, characterized in that the optoelectronic component ( 10 ) an intermediate layer ( 7 ) of a transparent conductive oxide comprising the main surface ( 11 ) of the optoelectronic component ment ( 10 ). Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (2) eine Zwischenschicht (7) aus einem transparenten leitfähigen Oxid angeordnet ist.Component according to one of claims 1 to 21, characterized in that on the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) an intermediate layer ( 7 ) is disposed of a transparent conductive oxide. Bauteil nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (7) die gesamte Hauptfläche (11) des optoelektronischen Bauelements (10) bedeckt.Component according to claim 21 or 22, characterized in that the intermediate layer ( 7 ) the entire main surface ( 11 ) of the optoelectronic component ( 10 ) covered. Bauteil nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (7) die gesamte Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (2) bedeckt.Component according to claim 22 or 23, characterized in that the intermediate layer ( 7 ) the entire bearing surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) covered. Bauteil nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (7) die Kavität (3) überdeckt.Component according to one of claims 22 to 24, characterized in that the intermediate layer ( 7 ) the cavity ( 3 ) covered. Bauteil nach einem der Ansprüche 22 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (7) an die metallische Kontaktschicht (5) angrenzt.Component according to one of claims 22 to 25, characterized in that the intermediate layer ( 7 ) to the metallic contact layer ( 5 ) adjoins. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (10) einen Halbleiterschichtenstapel (30) aufweist, der auf der Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (2) endet.Component according to one of claims 1 to 25, characterized in that the optoelectronic component ( 10 ) a semiconductor layer stack ( 30 ), which on the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) ends. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (10) einen Halbleiterschichtenstapel (30) aufweist, der beabstandet zur Kavität (3) des transparenten Formteils (2) auf einer auf der Auflagefläche (2a) angeordneten Schicht oder Schichtenfolge endet.Component according to one of claims 1 to 27, characterized in that the optoelectronic component ( 10 ) a semiconductor layer stack ( 30 ) which is at a distance from the cavity ( 3 ) of the transparent molding ( 2 ) on one on the support surface ( 2a ) arranged layer or layer sequence ends. Bauteil nach einem der Ansprüche 22 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (7) auf ihrer von der Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (2) abgewandten Seite an einen Halbleiterschichtenstapel (30) des optoelektronischen Bauelements (10) angrenzt.Component according to one of claims 22 to 28, characterized in that the intermediate layer ( 7 ) on its from the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) facing away from a semiconductor layer stack ( 30 ) of the optoelectronic component ( 10 ) adjoins. Bauteil nach einem der Ansprüche 22 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (7) die metallische Kontaktschicht (5) mit der Hauptfläche (11) des optoelektronischen Bauelements (10) verbindet.Component according to one of claims 22 to 29, characterized in that the intermediate layer ( 7 ) the metallic contact layer ( 5 ) with the main surface ( 11 ) of the optoelectronic component ( 10 ) connects. Bauteil nach einem der Ansprüche 22 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (7) als transparentes leitfähiges Oxid Zinkoxid, Indiumzinnoxid, Titanoxid, Nickeloxid oder mehrere dieser Materialien enthält.Component according to one of claims 22 to 30, characterized in that the intermediate layer ( 7 ) as a transparent conductive oxide zinc oxide, indium tin oxide, titanium oxide, nickel oxide or more of these materials. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Formteil (2) als starres Formteil ausgebildet ist.Component according to one of claims 1 to 31, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) is designed as a rigid molding. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass der transparente Formteil (2) als biegsame Folie ausgebildet ist.Component according to one of claims 1 to 31, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) is formed as a flexible film. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass der transparente Formteil (2) ein Bildschirm, ein Display, ein Sichtfenster, ein Messfenster oder ein Anzeigenfeld ist.Component according to one of claims 1 to 33, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) is a screen, a display, a viewing window, a measurement window, or a display panel. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 34, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Formteil (2) aus einem Glas oder aus einem Kunststoff ausgebildet ist.Component according to one of claims 1 to 34, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) is formed of a glass or of a plastic. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Formteil (2) entgegengesetzt zur Auflagefläche (2a), in der die mindestens eine Kavität (3) ausgebildet ist, eine im wesentlichen plane und zur Auflagefläche (2a) parallele weitere Hauptfläche (2b) aufweist.Component according to one of claims 1 to 35, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) opposite to the bearing surface ( 2a ), in which the at least one cavity ( 3 ) is formed, a substantially planar and the support surface ( 2a ) parallel further main surface ( 2 B ) having. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 36, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Formteil (2) einstückig aus einem Grundmaterial gebildet ist, das sich von der Auflagefläche (2a) bis zur entgegengesetzten weiteren Hauptfläche (2b) des transparenten Formteils erstreckt und in den die zumindest eine Kavität (3) ausgeformt ist.Component according to one of claims 1 to 36, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) is integrally formed from a base material extending from the support surface ( 2a ) to the opposite other major surface ( 2 B ) of the transparent molding and into which the at least one cavity ( 3 ) is formed. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 37, dadurch gekennzeichnet, dass der transparente Formteil (2) einen aus mehreren Schichten zusammengesetzten Grundkörper bildet, wobei außerhalb der Kavität (3) die mehreren Schichten aufeinanderliegend angeordnet sind und im Bereich der Kavität (3) zumindest eine der Schichten ausgespart ist.Component according to one of claims 1 to 37, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) forms a composite of several layers main body, wherein outside the cavity ( 3 ) the plurality of layers are arranged one above the other and in the region of the cavity ( 3 ) at least one of the layers is recessed. Bauteil nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass der transparente Formteil (2) genau zwei Schichten aufweist, wobei eine erste Schicht (8) eine Schichtdicke besitzt, die die Dicke (d2) des transparente Formteils im Bereich der Kavität vorgibt, und wobei eine zweite Schicht (9) nur außerhalb der Kavität (3) ausgebildet ist und den Umfang der Kavität (3) vorgibt.Component according to claim 38, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) has exactly two layers, wherein a first layer ( 8th ) has a layer thickness which specifies the thickness (d2) of the transparent molding in the region of the cavity, and wherein a second layer ( 9 ) only outside the cavity ( 3 ) and the circumference of the cavity ( 3 ) pretends. Bauteil nach Anspruch 38 oder 39, dadurch gekennzeichnet, dass die mehreren Schichten des transparente Formteils (2) aus demselben Grundmaterial bestehen.Component according to claim 38 or 39, characterized in that the plurality of layers of the transparent molding ( 2 ) consist of the same basic material. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (10) eine Halbleiterleuchtdiode aufweist, die zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht (21), eine zweite Leuchtdiodenschicht (22) und eine optisch aktive Zone (23) zwischen der ersten und der zweiten Leuchtdiodenschicht umfasst.Component according to one of claims 1 to 40, characterized in that the optoelectronic component ( 10 ) has a semiconductor light-emitting diode which has at least one first light-emitting diode layer ( 21 ), a second light-emitting diode layer ( 22 ) and an optically active zone ( 23 ) between the first and the second light-emitting diode layer comprises. Bauteil nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass die erste (21) und die zweite Leuchtdiodenschicht (22) jeweils ein III-V-Halbleitermaterial als Grundmaterial enthalten, wobei das jeweilige Grundmaterial zumindest eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium und mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält.Component according to claim 41, characterized in that the first ( 21 ) and the second light-emitting diode layer ( 22 ) each contain a III-V semiconductor material as a base material, wherein the respective base material contains at least one of the elements aluminum, gallium and indium and at least one of the elements nitrogen, phosphorus and arsenic. Bauteil nach Anspruch 42, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leuchtdiodenschicht (21) und/oder die zweite Leuchtdiodenschicht (22) als Grundmaterial Aluminiumnitrid, Aluminiumindiumnitrid, Galliumnitrid, Aluminiumgalliumnitrid, Indiumgalliumnitrid oder Indiumgalliumaluminiumphosphid enthält.Component according to Claim 42, characterized in that the first light-emitting diode layer ( 21 ) and / or the second light-emitting diode layer ( 22 ) contains as base material aluminum nitride, aluminum indium nitride, gallium nitride, aluminum gallium nitride, indium gallium nitride or indium gallium aluminum phosphide. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 43, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (10) eine Halbleiterleuchtdiode, insbesondere eine organische Leuchtdiode umfasst.Component according to one of claims 1 to 43, characterized in that the optoelectronic component ( 10 ) comprises a semiconductor light emitting diode, in particular an organic light emitting diode. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 43, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (10) eine Fotozelle, eine Fotodiode oder einen Detektor umfasst.Component according to one of claims 1 to 43, characterized in that the optoelectronic component ( 10 ) comprises a photocell, a photodiode or a detector. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 43, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Bauelement (10) eine Laserdiode umfasst.Component according to one of claims 1 to 43, characterized in that the optoelectronic component ( 10 ) comprises a laser diode. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 46, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) die Bodenfläche (4) der Kavität (3) unmittelbar berührt.Component according to one of claims 1 to 46, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) the floor area ( 4 ) of the cavity ( 3 ) touched directly. Bauteil nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht (16) auf der Bodenfläche (4) der Kavität (3) angeordnet ist und die metallische Kontaktschicht (5) auf der Kontaktschicht (16) angeordnet ist.Component according to claim 47, characterized in that the contact layer ( 16 ) on the floor surface ( 4 ) of the cavity ( 3 ) and the metallic contact layer ( 5 ) on the contact layer ( 16 ) is arranged. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 48, dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb der Kavität (3) zumindest über einen ersten Kontaktbereich (5a) der metallischen Kontaktschicht (5) eine elektrisch leitfähige Klebeschicht (17) angeordnet ist, die bis zur Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (2) reicht.Component according to one of claims 1 to 48, characterized in that within the cavity ( 3 ) at least over a first contact area ( 5a ) of the metallic contact layer ( 5 ) an electrically conductive adhesive layer ( 17 ) is arranged, which up to the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) enough. Bauteil nach Anspruch 49, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) einen ersten Kontaktbereich (5a), der die Kavität (3) bis zur Auflagefläche (2a) ausfüllt, und einen zweiten Kontaktbereich (5b) aufweist, der eine Dicke besitzt, die kleiner ist als die Tiefe (T) der Kavität (3).Component according to claim 49, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) a first contact area ( 5a ), the cavity ( 3 ) to the contact surface ( 2a ) and a second contact area ( 5b ) having a thickness which is smaller than the depth (T) of the cavity ( 3 ). Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 50, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Formteil (2) seitlich außerhalb der Auflagefläche (2a) das optoelektronische Bauelement (10) umschließt.Component according to one of claims 1 to 50, characterized in that the transparent molded part ( 2 ) laterally outside the support surface ( 2a ) the optoelectronic component ( 10 ) encloses. Bauteil nach einem der Anspruch 51, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflagefläche (2a) den Boden einer weiteren Kavität (13) bildet, in die das optoelektronische Bauelement (10) eingelassen ist.Component according to one of claim 51, characterized in that the bearing surface ( 2a ) the bottom of another cavity ( 13 ) into which the optoelectronic component ( 10 ) is admitted. Bauteil nach Anspruch 52, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) in der Kavität (3) und der Schichtenstapel (30) des optoelektronischen Bauelements (10) in der weiteren Kavität (13) angeordnet ist.Component according to claim 52, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) in the cavity ( 3 ) and the layer stack ( 30 ) of the optoelectronic component ( 10 ) in the further cavity ( 13 ) is arranged. Bauteil nach einem der Ansprüche 51 bis 53, dadurch gekennzeichnet, dass die in der Kavität (3) angeordnete metallische Kontaktschicht (5) seitlich über den Schichtenstapel (30) des optoelektronischen Bauelements (10) und über die weitere Kavität (13) hinausreicht.Component according to one of claims 51 to 53, characterized in that in the cavity ( 3 ) arranged metallic contact layer ( 5 ) laterally over the layer stack ( 30 ) of the optoelectronic component ( 10 ) and on the further cavity ( 13 ). Verkapselung (25) für ein optoelektronisches Bauteil (1), wobei die Verkapselung (25) folgendes aufweist: – ein transparentes Formteil (2), das eine Auflagefläche (2a) mit zumindest einer Kavität (3) aufweist, und – mindestens eine metallische Kontaktschicht (5), wobei die metallische Kontaktschicht (5) in die Kavität (3) des transparenten Formteils (2) eingelassen ist und sich von einer Bodenfläche (4) der Kavität (3) ausgehend mindestens bis zur Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (20) erstreckt.Encapsulation ( 25 ) for an optoelectronic component ( 1 ), the encapsulation ( 25 ): - a transparent molding ( 2 ), which has a bearing surface ( 2a ) with at least one cavity ( 3 ), and - at least one metallic contact layer ( 5 ), wherein the metallic contact layer ( 5 ) into the cavity ( 3 ) of the transparent molding ( 2 ) is embedded and extends from a floor surface ( 4 ) of the cavity ( 3 ) starting at least to the bearing surface ( 2a ) of the transparent molding ( 20 ). Verkapselung nach Anspruch 55, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) an eine Bodenfläche (4) der Kavität (3) des transparenten Formteils (2) angrenzt.Encapsulation according to claim 55, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) to a floor surface ( 4 ) of the cavity ( 3 ) of the transparent molding ( 2 ) adjoins. Verkapselung nach Anspruch 55 oder 56, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) die Bodenfläche (4) der Kavität (3) vollständig bedeckt.Encapsulation according to claim 55 or 56, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) the floor area ( 4 ) of the cavity ( 3 completely covered. Verkapselung nach einem der Ansprüche 55 bis 57, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) eine Schichtdicke besitzt, die der Tiefe der Kavität (3) des transparenten Formteils (2) entspricht.Encapsulation according to one of claims 55 to 57, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) has a layer thickness which corresponds to the depth of the cavity ( 3 ) of the transparent molding ( 2 ) corresponds. Verkapselung nach einem der Ansprüche 55 bis 58, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) über ihre gesamte laterale Ausdehnung eine einheitliche Schichtdicke besitzt.Encapsulation according to one of claims 55 to 58, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) has a uniform layer thickness over its entire lateral extent. Verkapselung nach einem der Ansprüche 55 bis 59, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils zumindest außerhalb der Kavität (3) mit einer Zwischenschicht (7) aus einem transparenten leitfähigen Oxid bedeckt ist.Encapsulation according to one of claims 55 to 59, characterized in that the support surface ( 2a ) of the transparent molding at least outside the cavity ( 3 ) with an intermediate layer ( 7 ) is covered by a transparent conductive oxide. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1), umfassend: – Ausbilden eines transparenten Formteils (2) mit einer Auflagefläche (2a) für ein optoelektronisches Bauteil (10), – Ausbilden zumindest einer Kavität (3) in der Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (2) und – Einbringen einer metallischen Kontaktschicht (5) in die Kavität (3).Method for producing an optoelectronic component ( 1 ), comprising: - forming a transparent molding ( 2 ) with a bearing surface ( 2a ) for an optoelectronic component ( 10 ), - forming at least one cavity ( 3 ) in the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) and - introducing a metallic contact layer ( 5 ) into the cavity ( 3 ). Verfahren nach Anspruch 61, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) in der Kavität (3) ausgebildet wird, bevor die metallische Kontaktschicht (5) mit einem optoelektronischen Bauelement (10) in Kontakt gebracht wird.A method according to claim 61, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) in the cavity ( 3 ) is formed before the metallic contact layer ( 5 ) with an optoelectronic component ( 10 ) is brought into contact. Verfahren nach Anspruch 61 oder 62, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (3) durch Ätzen hergestellt wird.Method according to claim 61 or 62, characterized in that the cavity ( 3 ) is produced by etching. Verfahren nach einem der Ansprüche 61 bis 63, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Kontaktschicht (5) durch Abscheiden oder Aufwachsen auf eine Bodenfläche (4) der Kavität (3) ausgebildet wird.Method according to one of claims 61 to 63, characterized in that the metallic contact layer ( 5 ) by depositing or growing on a floor surface ( 4 ) of the cavity ( 3 ) is formed. Verfahren nach einem der Ansprüche 61 bis 64, dadurch gekennzeichnet, dass ein optoelektronische Bauelement (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (30) bereitgestellt wird und an der Auflagefläche (2a) montiert wird, nachdem die metallische Kontaktschicht (5) durch in der Kavität ausgebildet wurde.Method according to one of Claims 61 to 64, characterized in that an optoelectronic component ( 10 ) with a semiconductor layer stack ( 30 ) and at the contact surface ( 2a ) is mounted after the metallic contact layer ( 5 ) was formed by in the cavity. Verfahren nach einem der Ansprüche 61 bis 65, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterschichtenstapel (30) außerhalb der Kavität (3) an der Auflagefläche (2a) des transparenten Formteils (2) montiert wird.Method according to one of claims 61 to 65, characterized in that the semiconductor layer stack ( 30 ) outside the cavity ( 3 ) on the support surface ( 2a ) of the transparent molding ( 2 ) is mounted.
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