DE102008054923A1 - Power semiconductor module, has circuit carrier provided with power semiconductor chip that is arranged in housing, and capacitor with body integrated into sidewall of housing, where circuit carrier is designed as ceramic plate - Google Patents

Power semiconductor module, has circuit carrier provided with power semiconductor chip that is arranged in housing, and capacitor with body integrated into sidewall of housing, where circuit carrier is designed as ceramic plate Download PDF

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Abstract

The module has a circuit carrier (2) provided with a power semiconductor chip (1) that is arranged in a housing. A capacitor with a body (90) is integrated into a sidewall (25) of the housing and designed as an intermediate circuit capacitor of a static inverter arrangement. The circuit carrier is designed as a ceramic plate (20) that is made of made of alumina, aluminum nitride or silicon nitride. The power semiconductor chip is arranged on a thermally conducting base plate (5). The capacitor comprises a dielectric medium with barium titanate. The power semiconductor chip is designed as an insulated gate bipolar transistor (IGBT), a MOSFET or a junction FET (JFET).

Description

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul. In bestimmten Schaltungsanwendungen ist es erforderlich, einen oder mehrere Leistungshalbleiterchips, die auf ein oder mehrere Leistungshalbleitermodule verteilt sind, an einen Kondensator anzuschließen. Bei einem solchen Kondensator kann es sich beispielsweise um einen Zwischenkreiskondensator einer Stromrichteranordnung handeln.The The invention relates to a power semiconductor module. In certain circuit applications it is necessary to use one or more power semiconductor chips, which are distributed to one or more power semiconductor modules, to connect to a capacitor. Such a capacitor may be, for example, a Intermediate circuit capacitor of a power converter arrangement act.

Besonders wenn sie für den Betrieb an hohen Spannungen ausgelegt sind und/oder hohe Kapazitäten erfordern, benötigen solche Kondensatoren viel Raumvolumen und sind deshalb außerhalb des Leistungshalbleitermoduls angeordnet und mittels elektrischer Anschlussleitungen an dieses angeschlossen. Die Herstellung einer solchen elektrischen Verbindung erfordert jedoch eine Anzahl von Einzelkomponenten und ist damit aufwändig.Especially if you are for are designed for operation at high voltages and / or require high capacities, need Such capacitors have a lot of room volume and are therefore outside of the Power semiconductor module arranged and by means of electrical connection cables connected to this. The production of such an electrical However, connection requires a number of individual components and is so expensive.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, die Leistungshalbleiterchips zumindest eines Leistungshalbleitermoduls ohne großen Montageaufwand mit einem Kondensator zu koppeln, der für hohe Spannungen ausgelegt ist und/oder der eine hohe Kapazität aufweist.The Object of the present invention is the power semiconductor chips at least one power semiconductor module without great installation effort to couple with a capacitor designed for high voltages is and / or has a high capacity.

Diese Aufgabe wird durch ein Leistungshalbleitermodul gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.These Task is by a power semiconductor module according to claim 1 solved. Embodiments and developments of the invention are the subject of dependent claims.

Ein solches Leistungshalbleitermodul umfasst wenigstens einen Schaltungsträger, auf dem zumindest ein Leistungshalbleiterchip angeordnet ist. Weiterhin ist ein Gehäuse vorgesehen, in dem der zumindest eine Leistungshalbleiterchip angeordnet ist. Das Gehäuse weist eine Wand auf, in die ein Korpus Kondensator integriert ist.One such power semiconductor module comprises at least one circuit carrier, on the at least one power semiconductor chip is arranged. Farther is a housing provided in which the at least one power semiconductor chip is arranged. The housing has a wall into which a corpus capacitor is integrated.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand verschiedener Beispiele unter Bezugnahme auf Figuren näher erläutert. In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher oder einander entsprechender Funktion.The Invention will be described below with reference to various examples Reference to figures closer explained. In the figures, unless stated otherwise, denote the same Reference numerals like parts with the same or corresponding Function.

1 zeigt einen Vertikalschnitt durch ein Leistungshalbleitermodul, welches einen Kondensator aufweist, der in eine Gehäuseseitenwand des Moduls integriert ist, bei der Montage des Leistungshalbleitermoduls an einem Kühlkörper; 1 shows a vertical section through a power semiconductor module, which has a capacitor which is integrated in a housing side wall of the module, in the mounting of the power semiconductor module to a heat sink;

2 zeigt einen Vertikalschnitt durch ein Leistungshalbleitermodul mit einem Kondensator, der in eine Trennwand des Gehäuses integriert ist und dessen Anschlüsse mittels Lötverbindungen angeschlossen sind; 2 shows a vertical section through a power semiconductor module with a capacitor which is integrated in a partition wall of the housing and whose terminals are connected by means of solder joints;

3 zeigt einen Vertikalschnitt durch ein Leistungshalbleitermodul mit einem Kondensator, der in eine Trennwand des Gehäuses integriert ist und dessen Anschlüsse mittels Bondverbindungen angeschlossen sind; 3 shows a vertical section through a power semiconductor module with a capacitor which is integrated in a partition wall of the housing and whose terminals are connected by means of bonds;

4 zeigt einen Vertikalschnitt durch ein Leistungshalbleitermodul mit einem Kondensator, der in eine Bodenplatte integriert ist, die einen Teil des Gehäuses bildet, wobei die Anschlüsse des Kondensators mittels Lötverbindungen angeschlossen sind; 4 shows a vertical section through a power semiconductor module with a capacitor which is integrated in a bottom plate which forms part of the housing, wherein the terminals of the capacitor are connected by means of solder joints;

5 zeigt einen Vertikalschnitt durch ein Leistungshalbleitermodul mit einem Kondensator, der in eine Bodenplatte integriert ist, die einen Teil des Ge häuses bildet, wobei die Anschlüsse des Kondensators mittels Bondverbindungen angeschlossen sind; 5 shows a vertical section through a power semiconductor module with a capacitor which is integrated in a bottom plate which forms a part of the Ge housing, wherein the terminals of the capacitor are connected by means of bonds;

6 zeigt einen Vertikalschnitt durch ein Leistungshalbleitermodul mit einem Kondensator, der in eine Oberseite des Gehäuses integriert ist, wobei die Anschlüsse des Kondensators elektrisch mittels einer Druckkontaktierung an eine Verschiendung des Moduls angeschlossen sind; 6 shows a vertical section through a power semiconductor module with a capacitor which is integrated in an upper side of the housing, wherein the terminals of the capacitor are electrically connected by means of a pressure contact to a Verschiebung of the module;

7 zeigt einen Vertikalschnitt durch ein Leistungshalbleitermodul, bei dem die Bodenplatte oberseitig metallisierte Keramikschaltungsträger aufweist und mit einer Vertiefung versehen ist, in die ein Kondensator eingesetzt und dadurch in die Bodenplatte integriert ist; 7 shows a vertical section through a power semiconductor module, in which the bottom plate has metallized ceramic circuit carrier on top side and is provided with a recess into which a capacitor is inserted and thereby integrated into the bottom plate;

8A zeigt einen Horizontalschnitt durch den linken Randbereich des in 1 gezeigten Leistungshalbleitermoduls während dessen Herstellung in einer Schnittebene A-A' vor dem Einsetzen des Kondensators in einen dafür vorgesehenen Aufnahmebereich der Gehäuseseitenwand, wobei die Seitenwand für jeden der Anschlüsse des Kondensators einen Schlitz aufweist, in den der zugehörige Anschluss beim Einsetzen des Kondensators in den Aufnahmebereich eingeschoben werden kann; 8A shows a horizontal section through the left edge of the area in 1 shown power semiconductor module during its production in a sectional plane AA 'before inserting the capacitor in a designated receiving area of the housing side wall, wherein the side wall for each of the terminals of the capacitor has a slot into which the associated terminal when inserting the capacitor are inserted into the receiving area can;

8B zeigt die Anordnung gemäß 8A nach dem Einsetzen des Kondensators in den Aufnahmebereich; 8B shows the arrangement according to 8A after inserting the capacitor in the receiving area;

9A zeigt eine Anordnung entsprechend 8A mit dem Unterschied, dass anstelle eines Schlitzes für jeden der Anschlüsse des Kondensators ein gemeinsamer breiter Schlitz vorgesehen ist, wobei der Kondensator mittels zweier Führungsschienen in den Aufnah mebereich der Seitenwand eingeschoben und dort fixiert wird; 9A shows an arrangement accordingly 8A with the difference that instead of a slot for each of the terminals of the capacitor, a common wide slot is provided, wherein the capacitor is inserted by means of two guide rails in the Aufnah mebereich the side wall and fixed there;

9B zeigt die Anordnung gemäß 9A nach dem Einsetzen des Kondensators in den Aufnahmebereich; 9B shows the arrangement according to 9A after inserting the capacitor in the receiving area;

10 zeigt ein Schaltbild eines als Umrichter ausgebildeten Leistungshalbleitermoduls, bei dem der Kondensator als Zwischenkreiskondensator ausgebildet ist; und 10 shows a circuit diagram of a designed as a converter power semiconductor module, wherein the capacitor is designed as a DC link capacitor; and

11 zeigt einen Querschnitt durch einen Kondensator, der als Dielektrikum Bariumtitanat aufweist. 11 shows a cross section through a capacitor having barium titanate as a dielectric.

1 zeigt einen Vertikalschnitt durch ein Leistungshalbleitermodul 100. Das Leistungshalbleitermodul 100 umfasst ein Gehäuse, das eine die Unterseite des Moduls 100 bildende Bodenplatte 5, einen aus mehreren Seitenwänden 25 gebildeten Gehäuserahmen, sowie eine obere Gehäusewand 26 aufweist. Die obere Gehäusewand 26 kann als Gehäusedeckel ausgebildet sein, der auf den Gehäuserahmen aufgesetzt ist. Alternativ dazu kann die obere Gehäusewand 26 einstückig mit dem Gehäuserahmen ausgebildet sein. Der Gehäuserahmen und/oder die obere Gehäusewand 26 können beispielsweise, zumindest überwiegend, unter Verwendung von elektrisch isolierendem Kunststoff, z. B. mittels eines Spritzguss-Verfahrens, hergestellt sein. Im Falle einer einstückigen Ausbildung von Gehäuserahmen und oberer Gehäusewand 26 kann deren Herstellung in einem gemeinsamen Prozessschritt erfolgen. 1 shows a vertical section through a power semiconductor module 100 , The power semiconductor module 100 includes a housing, which is a the bottom of the module 100 forming bottom plate 5 , one of several side walls 25 formed housing frame, as well as an upper housing wall 26 having. The upper housing wall 26 may be formed as a housing cover, which is placed on the housing frame. Alternatively, the upper housing wall 26 be formed integrally with the housing frame. The housing frame and / or the upper housing wall 26 For example, at least predominantly, using electrically insulating plastic, for. Example by means of an injection molding process, be prepared. In the case of a one-piece design of housing frame and upper housing wall 26 their production can take place in a common process step.

Die Bodenplatte 5 kann beispielsweise aus Kupfer oder aus Aluminium, oder aus einer Legierung mit zumindest einem dieser Metalle gebildet sein. Ebenso eignen sich als Materialien für die Bodenplatte 5 Metall-Matrix Verbundmaterialien (MMC = metal matrix composite) wie z. B. Aluminium-Silizium-Karbid (AlSiC) oder Kupfer-Silizium-Karbid (CuSiC) oder Aluminium-Karbid (AlC).The bottom plate 5 may be formed, for example, of copper or of aluminum, or of an alloy with at least one of these metals. Likewise suitable as materials for the bottom plate 5 Metal matrix composite materials (MMC = metal matrix composite) such. As aluminum-silicon carbide (AlSiC) or copper-silicon carbide (CuSiC) or aluminum carbide (AlC).

Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul 100 einen Schaltungsträger 2 auf, auf dem ein oder mehrere Leistungshalbleiterchips 1, z. B. IGBTs, MOSFETs, JFETs, Dioden, angeordnet sein können. Der Schaltungsträger 2 umfasst einen Isolationsträger 20, der auf seiner dem Modulinneren zugewandten Oberseite eine Metallisierung 21 und auf seiner der Modulinnenseite abgewandten Unterseite eine Metallisierung 22 aufweist.Furthermore, the power semiconductor module has 100 a circuit carrier 2 on which one or more power semiconductor chips 1 , z. As IGBTs, MOSFETs, JFETs, diodes can be arranged. The circuit carrier 2 includes an insulation support 20 , the metallization on its upper side facing the module interior 21 and on its side facing away from the module inside a metallization 22 having.

Die oberseitige Metallisierung 21 ist zu Leiterbahnen und/oder zu Lötflächen strukturiert. Sie dient dazu, eine elektrische Verschaltung der Leistungshalbleiterchips 1 sowie optional weiterer elektrischer Komponenten des Leistungshalbleitermoduls 100 zu realisieren.The topside metallization 21 is structured to strip conductors and / or solder pads. It serves to provide an electrical connection of the power semiconductor chips 1 and optionally further electrical components of the power semiconductor module 100 to realize.

Die Leistungshalbleiterchips 1 weisen auf ihren dem Schaltungsträger 2 zugewanden Seiten jeweils eine metallische Anschlussfläche 1b auf, die mittels Verbindungsschichten 3 flächig, d. h. im wesentlichen über die gesamte metallische Anschlussfläche 1b, mit der oberseitigen Metallisierung 21 verbunden ist. Jede der Verbindungsschichten 3 kontaktiert sowohl die oberseitige Metallisierung 21 als auch die metallische Anschlussfläche 1b des betreffenden Leistungshalbleiterchips 1. Weiterhin ist der Schaltungsträger 2 durch die unterseitige Metallisierung 22 mittels einer flächigen Verbindungsschicht 6 mit der metallischen Bodenplatte 5 verbunden. Die Verbindungsschicht 6, die sowohl die Bodenplatte 5 als auch die unterseitige Metallisierung 22 kontaktiert, erstreckt sich im wesentlichen über die gesamte der Bodenplatte 5 zugewandte Oberfläche der unterseitigen Metallisierung 22.The power semiconductor chips 1 point to their the circuit carrier 2 each side has a metallic connection surface 1b on, by means of connecting layers 3 flat, ie substantially over the entire metallic pad 1b , with the topside metallization 21 connected is. Each of the connection layers 3 contacts both the topside metallization 21 as well as the metallic connection area 1b of the relevant power semiconductor chip 1 , Furthermore, the circuit carrier 2 through the underside metallization 22 by means of a laminar connection layer 6 with the metallic base plate 5 connected. The connection layer 6 that cover both the bottom plate 5 as well as the bottom metallization 22 contacted extends substantially over the entire of the bottom plate 5 facing surface of the bottom metallization 22 ,

Bei den Verbindungsschichten 3 und/oder 6 kann es sich – unabhängig voneinander – beispielsweise um Lotschichten oder um Schichten aus elektrisch leitfähigem Kleber handeln. Im Falle von Lotschichten können z. B. Lote auf Zinn-Blei-Basis (SnPb) verwendet werden. Ebenso ist die Verwendung bleifreier Lote, beispielsweise auf Zinn-Silber-Basis oder auf Zinn-Silber-Kupfer-Basis, möglich.At the connection layers 3 and or 6 it may be - independently of each other - for example, to solder layers or layers of electrically conductive adhesive. In the case of solder layers z. B. solders based on tin-lead (SnPb) can be used. Likewise, the use of lead-free solders, such as tin-silver-based or tin-silver-copper-based, possible.

Um bei einer als Lotschicht herzustellenden Verbindungsschicht 6 die Lötbarkeit der Bodenplatte 5 zu verbessern, kann diese mit einer geeigneten Beschichtung, beispielsweise aus Nickel, versehen werden.In order for a connection layer to be produced as a solder layer 6 the solderability of the bottom plate 5 to improve, this can be provided with a suitable coating, such as nickel.

Alternativ zu einer Löt- oder Klebeverbindung können eine oder mehrere der Verbindungsschichten 3 bzw. 6 auch mittels einer Niedertemperaturverbindungstechnik (NTV; engl.: LTJT = low temperature joining technique) hergestellt werden. Hierbei wird eine silberhaltige, ein Lösungsmittel aufweisende Paste zwischen die Fügepartner, d. h. zwischen die oberseitige Metallisierung 21 des Isolationsträgers 20 und die unterseitige metallische Anschlussfläche 1b eines Leistungshalbleiterchips 1, oder zwischen die unterseitige Metallisierung 21 des Isolationsträgers 20 und die Bodenplatte 5, eingebracht. Durch Aneinanderpressen der Fügepartner unter Druck bei zugleich hoher Temperatur kommt es zur Ausbildung einer hochtemperaturfesten Verbindungsschicht 3 bzw. 6.As an alternative to a solder or adhesive bond, one or more of the bonding layers 3 respectively. 6 also be produced by means of a low temperature joining technique (LTVT). Here, a silver-containing, a solvent-containing paste between the joining partners, ie between the top-side metallization 21 of the insulation carrier 20 and the underside metallic pad 1b a power semiconductor chip 1 , or between the underside metallization 21 of the insulation carrier 20 and the bottom plate 5 , brought in. By pressing together the joint partners under pressure at the same time high temperature, it is forming a high-temperature-resistant compound layer 3 respectively. 6 ,

Wie gezeigt können die Leistungshalbleiterchips 1 außerdem auch auf ihren dem Schaltungsträger 2 abgewanden Obersseiten mit metallischen Anschlussflächen 1a versehen sein. Bei den Anschlussflächen 1a, 1b kann es sich beispielsweise um Anoden-, Kathoden, Drain-, oder Source-Anschlüsse handeln. Oberseitig kann die elektrische Verschaltung der Leistungshalbleiterchips 1 beispielsweise mittels Bonddrähten 4, z. B. Drähten auf Aluminum-, Kupfer-, Aluminium/Magnesium- oder Goldbasis, erfolgen.As shown, the power semiconductor chips 1 also on their circuit board 2 Abandoned upper sides with metallic connection surfaces 1a be provided. At the connection surfaces 1a . 1b these can be, for example, anode, cathode, drain, or source connections. On the top side, the electrical interconnection of the power semiconductor chips 1 for example by means of bonding wires 4 , z. As wires on aluminum, copper, aluminum / magnesium or gold, done.

Bei einem Isolationsträger 20 kann es sich beispielsweise um eine Keramik, z. B. aus Aluminiumoxid (Al2O3) oder aus Aluminiumnitrid (AlN) oder aus Siliziumnitrid (Si3N4) handeln. Die Dicke des Isolationsträgers 20 kann z. B. 0,2 mm bis 2,0 mm betragen. Grundsätzlich sind jedoch auch Dicken oberhalb oder unterhalb dieses Wertebereichs möglich. Die Schaltungsträger 2 können z. B. als DCB-Träger (DCB = direct copper bonding) oder als DAB-Träger (DAB = direct aluminum brazing) ausgebildet sein.With an insulation carrier 20 it may for example be a ceramic, z. Example of alumina (Al2O3) or aluminum nitride (AlN) or silicon nitride (Si3N4) act. The thickness of the insulation carrier 20 can z. B. 0.2 mm to 2.0 mm. In principle, however, thicknesses above or below this range of values are also possible. The circuit carrier 2 can z. B. as a DCB carrier (DCB = direct copper bonding) or as a DAB carrier (DAB = direct aluminum brazing) be formed.

Als Materialien für die oberseitige Metallisierung 21 und/oder für die unterseitige Metallisierung 22 des Isolationsträgers 20 eignen sich beispielsweise Kupfer oder Aluminium oder Legierungen mit zumindest einem dieser Metalle. Die Dicken der oberseitigen Metallisierung 21 und/oder der unterseitigen Metallisierung 22 kann – unabhängig voneinander – beispielsweise 0,1 mm bis 0,6 mm betragen. Grundsätzlich sind jedoch auch Dicken oberhalb oder unterhalb dieses Wertebereichs möglich.As materials for the topside metallization 21 and / or for the underside metallization 22 of the insulation carrier 20 For example, copper or aluminum or alloys with at least one of these metals are suitable. The thicknesses of the topside metallization 21 and / or the bottom metallization 22 can - independently of each other - for example, 0.1 mm to 0.6 mm. In principle, however, thicknesses above or below this range of values are also possible.

Das Leistungshalbleitermodul 100 weist weiterhin externe Laststromanschlüsse 71a, 72a auf, die modulintern beispielsweise mittels zugehöriger Verschienungen 71, 72 mit den oberseitigen Metallisierungen 21 der entsprechenden Schaltungsträger 2 und/oder mit den Leistungshalbleiterchips 1 verbunden sein können. Optional kann eine Steuerplatine 9 vorgesehen sein, auf sich z. B. Treiberbausteine zur Ansteuerung der Leistungshalbleiterchips 1 befinden können. Die Ansteuerung der Leistungshalbleiterchips 1 erfolgt über externe Steueranschlüsse 81, 82, 83 und 84, die an die Steuerplatine 9 und/oder an bestimmte der Leistungshalbleiterchips 1 angeschlossen sind. Die Herstellung der hierzu erforderlichen elektrischen Verbindungen können beispielsweise metallische Anschlusslaschen und/oder Kontaktbleche und/oder Bonddrähte und/oder eine Verschienung eingesetzt werden.The power semiconductor module 100 also has external load power connections 71a . 72a on, the module-internal, for example, by means of associated busbars 71 . 72 with the topside metallizations 21 the corresponding circuit carrier 2 and / or with the power semiconductor chips 1 can be connected. Optionally, a control board 9 be provided on z. B. driver blocks for controlling the power semiconductor chips 1 can be located. The control of the power semiconductor chips 1 via external control connections 81 . 82 . 83 and 84 attached to the control board 9 and / or to certain of the power semiconductor chips 1 are connected. The production of the electrical connections required for this purpose can be used, for example, metallic connecting straps and / or contact sheets and / or bonding wires and / or a busbar.

Zum Schutz gegen das Eindringen von Feuchtigkeit sowie zur Erhöhung der Isolationsfestigkeit ist das Modul 100 mittels einer Weichvergussmasse 30, z. B. auf Silikonbasis, vergossen. Die Weichvergussmasse 30 kann sich beispielsweise von der Bodenplatte 5 bis wenigstens über alle Leistungshalbleiterchips 1 erstrecken. Oberhalb der Weichvergussmasse 30 kann außerdem eine optionale Hartvergussmasse 31, beispielsweise auf Harzbasis, vorgesehen sein.To protect against the ingress of moisture and to increase the insulation resistance is the module 100 by means of a soft casting compound 30 , z. B. silicone-based shed. The soft casting compound 30 may be, for example, from the bottom plate 5 to at least over all power semiconductor chips 1 extend. Above the soft grout 30 also has an optional hard grout 31 , For example, be provided on a resin basis.

Um die beim Betrieb des Leistungshalbleitermoduls 1 in den Leistungshalbleiterchips 1 anfallende Abwärme abzuführen, kann das Modul 100 mit seiner den Leistungshalbleiterchips 1 abgewandten Unterseite gegen einen Kühlkörper 200 gepresst werden, wie dies in 1 durch einen Pfeil angedeutet ist, und bei Bedarf mit diesem fest verbunden, beispielsweise verschraubt, verklammert oder verklebt, werden. Hierzu kann das Modul 100 z. B. integrierte Montageöffnungen (nicht gezeigt) aufweisen.To those during operation of the power semiconductor module 1 in the power semiconductor chips 1 dissipate waste heat, the module 100 with its power semiconductor chips 1 opposite bottom against a heat sink 200 be pressed, as in 1 is indicated by an arrow, and if necessary firmly connected to this, for example screwed, clamped or glued be. For this purpose, the module 100 z. B. integrated mounting holes (not shown).

In eine Seitenwand 25 des Gehäuses des Leistungshalbleitermoduls 100 ist der Korpus 90 zumindest eines Kondensators integriert. Zur Montage des Kondensators ist die Gehäusewand 25 mit einem Aufnahmebereich versehen, in den der Korpus 90 eingesetzt ist. Der Kondensator könnte ebenfalls als Formteil hergestellt und beim Spritzgießen in die Gehäusewand 25 mit eingespritzt werden. Der Kondensator weist außerdem elektrische Anschlüsse auf, von denen in 1 ein Anschluss 91 gezeigt ist. Wie dargestellt kann ein solcher Anschluss 91 beispielsweise mit einem Abschnitt der oberseitigen Metallisierung 21 eines Schaltungsträgers 2 verlötet oder elektrisch leitend verklebt oder verschweißt sein. Anstelle mit der oberseitigen Metallisierung 21 eines Schaltungsträgers 2 können die elektrischen Anschlüsse eines Kondensators auch an einem Leistungshalbleiterchip 1 oder an einer Verschienung 71, 72 angeschlossen sein.In a sidewall 25 the housing of the power semiconductor module 100 is the corpus 90 integrated at least one capacitor. For mounting the capacitor is the housing wall 25 provided with a receiving area in which the body 90 is used. The capacitor could also be manufactured as a molded part and during injection molding in the housing wall 25 to be injected with. The capacitor also has electrical connections, of which in 1 a connection 91 is shown. As shown, such a connection 91 for example, with a portion of the topside metallization 21 a circuit carrier 2 soldered or glued electrically conductive or welded. Instead of the topside metallization 21 a circuit carrier 2 For example, the electrical connections of a capacitor can also be connected to a power semiconductor chip 1 or on a busbar 71 . 72 be connected.

Abweichend von der Anordnung gemäß 1 kann der Korpus 90 des Kondensators in gleicher Weise auch in eine Trennwand 27 des Modulgehäuses integriert sein, wie dies beispielhaft anhand der 2 und 3 gezeigt ist. Während die elektrischen Anschlüsse des Kondensators, von denen jeweils nur der Anschluss 91 erkennbar ist, bei der Anordnung gemäß 2 mit einem Abschnitt der oberseitigen Metallisierung 21 eines Schaltungsträgers 2 verlötet oder elektrisch leitend verklebt oder verschweißt ist, ist zur Herstellung der entsprechenden elektrischen Verbindung bei der Anordnung gemäß 3 ein Bonddraht 4a vorgesehen.Notwithstanding the arrangement according to 1 can the body 90 of the capacitor in the same way in a partition 27 the module housing be integrated, as exemplified by the 2 and 3 is shown. While the electrical connections of the capacitor, of which only the connection 91 can be seen in the arrangement according to 2 with a section of the topside metallization 21 a circuit carrier 2 soldered or electrically conductively glued or welded, is for the preparation of the corresponding electrical connection in the arrangement according to 3 a bonding wire 4a intended.

Bei den Anordnungen gemäß den 4 und 5 ist der Korpus 90 des Kondensators in einen Aufnahmebereich der metallischen Bodenplatte 5 eingesetzt, welche zugleich die untere Außenwand des Moduls 100 darstellt. Während die elektrischen Anschlüsse des Kondensators, von denen jeweils nur der Anschluss 91 erkennbar ist, bei der Anordnung gemäß 4 mit einem Abschnitt der oberseitigen Metallisierung 21 eines Schaltungsträgers 2 verlötet oder elektrisch leitend verklebt ist, ist zur Herstellung der entsprechenden elektrischen Verbindung bei der Anordnung gemäß 5 ein Bonddraht 4a vorgesehen. Kleben oder Schweißen oder Löten ist trotzdem möglich, wenn die Anschlussgeometrie des Kondensators und seiner Anschlüsse dies zulässt.In the arrangements according to the 4 and 5 is the corpus 90 of the capacitor in a receiving area of the metallic bottom plate 5 used, which at the same time the lower outer wall of the module 100 represents. While the electrical connections of the capacitor, of which only the connection 91 can be seen in the arrangement according to 4 with a section of the topside metallization 21 a circuit carrier 2 soldered or electrically conductively bonded, is for the preparation of the corresponding electrical connection in the arrangement according to 5 a bonding wire 4a intended. Gluing or welding or soldering is nevertheless possible if the connection geometry of the capacitor and its connections permits this.

Eine weitere Möglichkeit zur Anordnung eines Korpus' 90 eines Kondensators in einer Gehäusewand zeigt 6. Hierbei befindet sich der Aufnahmebereich zur Aufnahme des Korpus' 90 in der oberen Gehäusewand 26, die zugleich die obere Außenwand des Moduls 100 darstellt. Zu seiner elektrischen Verschaltung weist der Kondensator Anschlüsse 91 und 92 auf, die aus dem Korpus 90 herausgeführt sind und die Abschnitte 71b bzw. 72b der Verschienung 71 bzw. 72 kontaktieren. Eine solche Kontaktierung kann durch Löten, Bonden, elektrisch leitendes Kleben hergestellt werden. Ebenso kann eine Kontaktierung als Druckkontaktierung ausgebildet sein. Hierzu können der betreffende Anschluss 91 oder 92 und/oder der mit diesem zu kontaktierende Abschnitt 71b bzw. 72b federnd ausgebildet sein. Die zur Herstellung einer Druckkontaktierung erforderliche Anpresskraft kann dadurch erzeugt werden, dass die obere Gehäusewand 26 mittelbar fest mit der Bodenplatte 5 verbunden wird.Another way to arrange a body ' 90 of a capacitor in a housing wall 6 , Here is the receiving area for receiving the body ' 90 in the upper housing wall 26 , which is also the upper outer wall of the module 100 represents. The capacitor has connections for its electrical connection 91 and 92 up, out of the corpus 90 are led out and the sections 71b respectively. 72b of the busbar 71 respectively. 72 to contact. Such contact can be made by soldering, bonding, electrically conductive bonding. Likewise, a contact can be designed as a pressure contact. For this purpose, the relevant connection 91 or 92 and / or the section to be contacted with this 71b respectively. 72b be resilient. The contact force required for producing a pressure contact can be generated by the fact that the upper housing wall 26 indirectly firmly with the bottom plate 5 is connected.

Gemäß einer in 7 gezeigten Ausgestaltung ist der Korpus 90 des Kondensators ebenso wie bei den Anordnungen gemäß den 4 und 5 in einen Aufnahmebereich der Bodenplatte 5 eingesetzt. Im Unterschied zu den Anordnungen gemäß den 4 und 5 ist die Bodenplatte 5 jedoch nicht als metallische Platte ausgebildet. Vielmehr umfasst die Bodenplatte 5 einen oder mehrere Schaltungsträger 2, die einen oder mehrere Isolationsträger 20 aufweisen, welche zumindest auf ihrer dem Modulinneren zugewandten Oberseite mit einer strukturierten Metallisierung 21 versehen sind. Die Isolationsträger 20 und die oberseitige Metallisierung 21 können ebenso ausgebildet sein wie dies anhand von 1 erläutert wurde. Um die mechanische Stabilität des Isolationsträgers 20 zu erhöhen, kann dessen Dicke auch größer als 2,0 mm gewählt werden.According to a in 7 The embodiment shown is the body 90 the capacitor as well as the arrangements according to the 4 and 5 in a receiving area of the bottom plate 5 used. In contrast to the arrangements according to the 4 and 5 is the bottom plate 5 but not formed as a metallic plate. Rather, the bottom plate includes 5 one or more circuit carriers 2 containing one or more insulation carriers 20 have, which at least on its upper side facing the module interior with a structured metallization 21 are provided. The insulation carriers 20 and the topside metallization 21 can be designed as well as this on the basis of 1 was explained. To the mechanical stability of the insulation carrier 20 increase its thickness can be chosen larger than 2.0 mm.

Wenn die unterseitige Gehäusewand als fester Verbund hergestellt werden soll, können einer oder mehrere mit Leistungshalbleiterchips 1 bestückte Schaltungsträger 2 und der Korpus 90 des Kondensators in entsprechende Aussparungen eines unterseitigen Rahmens 28 eingesetzt werden, der mit dem aus den Seitenwänden 25 gebildeten Gehäuserahmen verbunden wird. Ein solcher unterseitiger Rahmen 28 kann auch einstückig mit dem Gehäuserahmen ausgebildet sein. Der elektrischen Anschlüsse des Kondensators, von denen in 7 lediglich der Anschluss 91 sichtbar ist, kann ebenso wie bei allen anderen Ausgestaltungen durch Löten, elektrisch leitendes Kleben, Bonden oder mittels einer Druckkontaktierung erfolgen. In 7 ist beispielhaft eine Lötverbindung dargestellt.If the bottom-side housing wall is to be made as a solid composite, one or more of power semiconductor chips 1 equipped circuit carrier 2 and the body 90 of the capacitor into corresponding recesses of a lower-side frame 28 be used with the out of the side walls 25 formed housing frame is connected. Such a bottom frame 28 can also be formed integrally with the housing frame. The electrical connections of the capacitor, of which in 7 only the connection 91 is visible, as well as in all other embodiments by soldering, electrically conductive bonding, bonding or by means of a pressure contact done. In 7 is exemplified a solder joint.

8A zeigt beispielhaft anhand der Anordnung gemäß 1, auf welche Weise der Korpus 90 eines Kondensators in eine Gehäusewand 25 integriert werden kann. Bei der Ansicht gemäß 8A handelt es sich um einen Horizontalschnitt durch die linke Seite des in 1 dargestellten Leistungshalbleitermoduls 100 während dessen Montage in einer Schnittebene A-A'. In der gezeigten Ansicht ist das Modul noch nicht mit der Vergussmasse 30 vergossen, der Kondensator ist noch nicht in den Aufnahmebereich 29 der Seitenwand 25 eingesetzt. Bei dem Aufnahmebereich 29 handelt es sich um einen in der Seitenwand 25 ausgebildeten Hohlraum, in den der Korpus 90 des Kondensators eingesetzt werden kann. Um die elektrischen Anschlüsse 91, 92 des Kondensators anschließen zu können, müssen diese auch bei eingebauten Kondensator zugänglich sein. Hierzu sind in dem dem Modulinneren zugewandten Teilabschnitt 25i der Seitenwand 25 Schlitze 25a ausgebildet, in die die Anschlüsse 91, 92 eingeschoben werden, wenn der Korpus 90 des Kondensators (bei noch nicht auf den Gehäuserahmen aufgesetzter oberer Gehäusewand 26) von oben in den Aufnahmebereich 29 eingesetzt wird. 8B zeigt die Anordnung gemäß 8A nach dem Einsetzen des Kondensators in die Seitenwand 90. 8A shows by way of example with reference to the arrangement according to 1 in what way the corpus 90 a capacitor in a housing wall 25 can be integrated. In the view according to 8A it is a horizontal section through the left side of the in 1 shown power semiconductor module 100 during its assembly in a sectional plane A-A '. In the view shown, the module is not yet with the potting compound 30 potted, the capacitor is not yet in the receiving area 29 the side wall 25 used. In the recording area 29 it is one in the side wall 25 trained cavity in which the body 90 of the capacitor can be used. To the electrical connections 91 . 92 To connect the capacitor, they must be accessible even with built-in capacitor. For this purpose, in the part of the module facing the module interior 25i the side wall 25 slots 25a trained, in which the connections 91 . 92 be inserted when the body 90 of the capacitor (with not yet placed on the housing frame upper housing wall 26 ) from above into the receiving area 29 is used. 8B shows the arrangement according to 8A after inserting the capacitor in the side wall 90 ,

In alternativen Ausgestaltungen kann der Kondensator auch von unten in eine Gehäusewand 25 eingesetzt werden.In alternative embodiments, the capacitor can also from below into a housing wall 25 be used.

Die Anordnung gemäß 9A zeigt eine weitere Ausgestaltung, gemäß der anstelle eines Schlitzes für jeden der Anschlüsse 91, 92 des Kondensators ein gemeinsamer breiter Schlitz vorgesehen ist. Die Fixierung des Kondensators 90 erfolgt mittels zweier Führungsschienen 25b, entlang denen der Korpus 90 in den Aufnahmebereich der Seitenwand eingeschoben wird. 9B zeigt die Anordnung gemäß 9A nach dem Einsetzen des Kondensators in die Seitenwand 90.The arrangement according to 9A shows a further embodiment, according to instead of a slot for each of the terminals 91 . 92 the capacitor is provided a common wide slot. The fixation of the capacitor 90 done by means of two guide rails 25b along which the body 90 is inserted into the receiving area of the side wall. 9B shows the arrangement according to 9A after inserting the capacitor in the side wall 90 ,

Bei sämtlichen in den Figuren gezeigten Ausgestaltungen ist der Korpus 90 des Kondensators auf wenigstens drei oder wenigstens vier Seiten von Abschnitten der Gehäusewand umschlossen, in die er integriert ist. Weiterhin kann der Korpus 90 des Kondensators bei allen Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung mittels eines Klebers in seinem Aufnahmebereich befestigt werden.In all embodiments shown in the figures, the body is 90 of the capacitor enclosed on at least three or at least four sides of portions of the housing wall in which it is integrated. Furthermore, the body can 90 of the capacitor in all embodiments of the present invention are fixed by means of an adhesive in its receiving area.

10 zeigt ein Schaltbild eines als Halbbrücke ausgebildeten Leistungshalbleitermoduls 100. Das Modul 100 umfasst zwei steuerbare Leistungshalbleiterschalter 1s, deren Last strecken zu einer Halbbrücke in Reihe geschaltet sind. Zu jeder der Laststrecken ist eine Freilaufdiode 1d antiparallel geschaltet. Zu dieser Reihenschaltung der Laststrecken ist ein Zwischenkreiskondensator C1, sowie ein weiterer optionaler weiterer Zwischenkreiskondensator C2, parallel geschaltet. Die Parallelschaltung weiterer Zwischenkreiskondensatoren ist möglich. Die steuerbaren Leistungshalbleiterschalter 1s und die Freilaufdioden 1d sind als Leistungshalbleiterchips ausgebildet und können wie die in den vorangehenden Figuren gezeigten Leistungshalbleiterchips 1 auf einem Schaltungsträger 2 angeordnet sein. 10 shows a circuit diagram of a designed as a half-bridge power semiconductor module 100 , The module 100 includes two controllable power semiconductor switches 1s whose load stretch are connected in series to a half bridge. To each of the load paths is a freewheeling diode 1d switched in anti-parallel. For this series connection of the load paths, an intermediate circuit capacitor C1 and another optional additional intermediate circuit capacitor C2 are connected in parallel. The parallel connection of additional DC link capacitors is possible. The controllable power semiconductor switches 1s and the freewheeling diodes 1d are designed as power semiconductor chips and, like the power semiconductor chips shown in the preceding figures 1 on a circuit carrier 2 be arranged.

Von den Korpussen 90 der Zwischenkreiskondensatoren C1, C2 sowie der optionalen weiteren Zwischenkreiskondensatoren ist zumindest einer in ein Gehäusewand des Moduls 100 integriert und mittels der jeweiligen Anschlüsse 91, 92 an die Halbbrücke angeschlossen, wie dies anhand der vorangehenden Ausführungsbeispiele erläutert wurde. Grundsätzlich können die Korpusse 90 verschiedener Zwischenkreiskondensatoren C1, C2 auch in verschiedene Gehäusewände des Moduls 100 integriert und bei Bedarf parallel zueinander geschaltet sein. Die Kapazitäten C1, C2 eines jeden der Kondensatoren können beispielsweise 470 μF oder mehr betragen. Für Hochspannungsanwendungen kann der Kondensator eine Spannungsfestigkeit von wenigstens 1700 V aufweisen.From the carcasses 90 the DC link capacitors C1, C2 and the optional further DC link capacitors is at least one in a housing wall of the module 100 integrated and by means of the respective connections 91 . 92 to the half bridge connected as explained with reference to the preceding embodiments. Basically, the carcasses 90 various DC link capacitors C1, C2 in different housing walls of the module 100 integrated and connected in parallel if necessary. The capacitances C1, C2 of each of the capacitors may be, for example, 470 μF or more. For high voltage applications, the capacitor may have a withstand voltage of at least 1700V.

Sofern mit den vorangehend erläuterten Kondensatoren hohe Speicherdichten erzielt werden sollen, können diese wie in 11 gezeigt Bariumtitanat als Dielektrikum 90c aufweisen, das mit einer ersten gleichmäßigen Beschichtung aus Aluminumoxid und einer zweiten gleichmäßigen Beschichtung aus Kalzium-Magnesium-Aluminium-Silikatglas beschichtet sein kann. Als Ladungsspeicher weist der Kondensator 90 je Anschluss 91, 92 wenigstens eine Elektrode 91e bzw. 92e auf, die dem entsprechenden Anschluss 91 bzw. 92 zugeordnet sind. Zwischen jeweils zwei beliebigen der Elektroden 91e, 92e ist ein Abschnitt des Dielektrikums 90c angeordnet. Diejenigen der Elektroden 91e bzw. 92e, die demselben der Anschlüsse 91 bzw. 92 zugeordnet sind, sind elektrisch leitend miteinander verbunden. Hingegen sind die verschiedenen der Anschlüsse 91 und 92 zugeordneten Elektroden 91e bzw. 92e durch das Dielektrikum 90c elektrisch voneinander isoliert. Als Material für die Elektroden 91e, 92e kann beispielsweise Nickel verwendet werden.If high storage densities are to be achieved with the above-explained capacitors, these can be as in 11 shown barium titanate as a dielectric 90c which may be coated with a first uniform coating of alumina and a second uniform coating of calcium-magnesium-aluminum-silicate glass. As a charge storage, the capacitor 90 each connection 91 . 92 at least one electrode 91e respectively. 92e on that the appropriate connection 91 respectively. 92 assigned. Between any two of the electrodes 91e . 92e is a section of the dielectric 90c arranged. Those of the electrodes 91e respectively. 92e , the same of the connections 91 respectively. 92 are assigned, are electrically connected to each other. On the other hand are the different of the connections 91 and 92 associated electrodes 91e respectively. 92e through the dielectric 90c electrically isolated from each other. As material for the electrodes 91e . 92e For example, nickel can be used.

Derartige Kondensatoren können ebenso aufgebaut sein und mit den Verfahren hergestellt werden wie die in der Anmeldung Weir et al.: ”Electrical-Energy-Storage-Unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries” (US 2004/0071944 A1, Anmeldetag 12. April 2001, Anmeldenummer 09/833,609) beschriebenen Einheiten zur Speicherung elektrischer Energie (”electrical-engergystorage units”). Dies gilt insbesondere für die in der genannten Anmeldung von Weir et al. anhand der 1 bis 4 erläuterten Ausgestaltungen und der Beschreibung in den Absätzen [0007] bis [0113].Such capacitors may also be constructed and manufactured by methods such as those described in the Weir et al application: "Electrical Energy Storage Unit (EESU) using ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries" 0071944 A1, filing date 12 April 2001, application number 09 / 833,609) units for storing electrical energy ("electrical-narrowgystorage units"). This applies in particular to those mentioned in Weber et al. based on 1 to 4 explained embodiments and the description in paragraphs [0007] to [0113].

Claims (20)

Leistungshalbleitermodul mit wenigstens einem Schaltungsträger (2), auf dem zumindest ein Leistungshalbleiterchip (1) angeordnet ist; einem Gehäuse, in dem zumindest eine Leistungshalbleiterchip (1) angeordnet ist; einem Kondensator (C1, C2) mit einem Korpus (90), der in eine Wand (25, 26, 27, 5) des Gehäuses integriert ist.Power semiconductor module with at least one circuit carrier ( 2 ), on which at least one power semiconductor chip ( 1 ) is arranged; a housing in which at least one power semiconductor chip ( 1 ) is arranged; a capacitor (C1, C2) with a body ( 90 ) placed in a wall ( 25 . 26 . 27 . 5 ) of the housing is integrated. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem der Schaltungsträger (2) als Keramikplättchen (20) ausgebildet ist, das auf wenigstens einer Hauptseite mit einer Metallisierung (21, 22) versehen ist.Power semiconductor module according to Claim 1, in which the circuit carrier ( 2 ) as a ceramic tile ( 20 ) is formed on at least one main side with a metallization ( 21 . 22 ) is provided. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, bei dem das Keramikplättchen (20) aus Aluminiumoxid (Al2O3) oder aus Aluminiumnitrid (AlN) oder aus Siliziumnitrid (Si3N4) gebildet ist.Power semiconductor module according to claim 2, in which the ceramic chip ( 20 ) is formed of alumina (Al 2 O 3) or aluminum nitride (AlN) or silicon nitride (Si 3 N 4). Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Wand eine Seitenwand (25) des Gehäuses ist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, in which the wall has a side wall ( 25 ) of the housing. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Wand als Trennwand (27) ausgebildet und im Inneren des Leistungshalbleitermoduls (100) angeordnet ist.Power semiconductor module according to one of claims 1 to 3, wherein the wall as a partition ( 27 ) and in the interior of the power semiconductor module ( 100 ) is arranged. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3 mit einer thermisch leitenden Bodenplatte (5), auf der der zumindest eine Leistungshalbleiterchip (1) angeordnet ist; die einen Teil des Gehäuses bildet; und in die der Korpus (90) des Kondensators (C1, C2) integriert ist.Power semiconductor module according to one of Claims 1 to 3, having a thermally conductive bottom plate ( 5 ), on which the at least one power semiconductor chip ( 1 ) is arranged; which forms part of the housing; and in which the corpus ( 90 ) of the capacitor (C1, C2) is integrated. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 6, bei dem die Bodenplatte (5) einen Schaltungsträger (2) aufweist.Power semiconductor module according to claim 6, wherein the bottom plate ( 5 ) a circuit carrier ( 2 ) having. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 6, bei dem der Schaltungsträger (2) auf der Bodenplatte (5) angeordnet ist.Power semiconductor module according to Claim 6, in which the circuit carrier ( 2 ) on the bottom plate ( 5 ) is arranged. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 8, bei dem die Bodenplatte (5) aus Metall gebildet ist.Power semiconductor module according to claim 8, wherein the bottom plate ( 5 ) is formed of metal. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3 mit einer thermisch leitenden Bodenplatte (5), die einen Teil des Gehäuses bildet, wobei das Gehäuse eine obere Gehäuseaußenwand (26) aufweist, die auf der der Bodenplatte (5) abgewandten Seite des Leistungshalbleitermoduls (100) angeordnet ist und in die der Korpus (90) des Kondensators (C1, C2) integriert ist.Power semiconductor module according to one of Claims 1 to 3, having a thermally conductive bottom plate ( 5 ), which forms part of the housing, wherein the housing has an upper housing outer wall ( 26 ), which on the bottom plate ( 5 ) facing away from the power semiconductor module ( 100 ) is arranged and in which the body ( 90 ) of the capacitor (C1, C2) is integrated. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Wand (25, 26, 27, 5) eine Aussparung (29) aufweist, in die der Korpus (90) des Kondensators (C1, C2) eingesetzt ist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, in which the wall ( 25 . 26 . 27 . 5 ) a recess ( 29 ), in which the body ( 90 ) of the capacitor (C1, C2) is inserted. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 11, bei dem die Aussparung (29) den Korpus (90) des Kondensators () auf zumindest drei Seiten umschließt.Power semiconductor module according to claim 11, wherein the recess ( 29 ) the body ( 90 ) of the capacitor (16) encloses at least three sides. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 12, bei dem die Aussparung (29) den Korpus (90) des Kondensators (C1, C2) auf zumindest vier Seiten () umschließt.Power semiconductor module according to claim 12, where the recess ( 29 ) the body ( 90 ) of the capacitor (C1, C2) on at least four sides () encloses. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Kondensator (C1, C2) elektrisch an zumindest einen der Halbleiterchips (1) angeschlossen ist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, in which the capacitor (C1, C2) is electrically connected to at least one of the semiconductor chips ( 1 ) connected. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, mit wenigstens zwei steuerbaren Leistungshalbleiterchips (1), deren Laststrecken in Reihe geschaltet sind und die eine Halbbrücke bilden, wobei der Kondensator (C1, C2) zu der Reihenschaltung der Laststrecken parallel geschaltet ist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, having at least two controllable power semiconductor chips ( 1 ), whose load paths are connected in series and which form a half-bridge, wherein the capacitor (C1, C2) is connected in parallel with the series connection of the load paths. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Gehäuse einen Gehäuserahmen mit mehreren Außenwänden (25) aufweist, die die Seitenwände (25) des Gehäuses bilden.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, in which the housing has a housing frame with a plurality of outer walls ( 25 ), the side walls ( 25 ) of the housing. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 16, bei dem der Gehäuserahmen (25) aus Kunststoff gebildet ist.Power semiconductor module according to claim 16, wherein the housing frame ( 25 ) is made of plastic. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Kondensator (C1, C2) eine Kapazität (C1, C2) von wenigstens 470 μF aufweist.Power semiconductor module according to one of the preceding Claims, wherein the capacitor (C1, C2) has a capacitance (C1, C2) of at least 470 μF. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Kondensator (C1, C2) eine Spannungsfestigkeit von wenigstens 1700 V aufweist.Power semiconductor module according to one of the preceding Claims, wherein the capacitor (C1, C2) has a withstand voltage of at least 1700 V has. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Kondensator (C1, C2) ein Dielektrikum (90c) mit Bariumtitanat aufweist.Power semiconductor module according to one of the preceding claims, in which the capacitor (C1, C2) comprises a dielectric ( 90c ) with barium titanate.
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