DE102011087886A1 - SEMICONDUCTOR LIGHT - Google Patents

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Abstract

In mindestens einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte (1) umfasst diese mindestens ein Trägersubstrat (4) mit einer Montageseite (40). Eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips (2) ist an der Montageseite (40) angebracht. Die Halbleiterleuchte (1) beinhaltet elektrische Kontakteinrichtungen (3), die sich mindestens mittelbar auf dem Trägersubstrat (4) befinden und über die die Leuchtdiodenchips (2) elektrisch kontaktiert sind. Das Trägersubstrat (4) ist durchlässig für eine von den Leuchtdiodenchips (2) im Betrieb erzeugte Strahlung.In at least one embodiment of the semiconductor light (1), the latter comprises at least one carrier substrate (4) with a mounting side (40). A plurality of light emitting diode chips (2) are mounted on the mounting side (40). The semiconductor light (1) contains electrical contact devices (3) which are located at least indirectly on the carrier substrate (4) and via which the light-emitting diode chips (2) are electrically contacted. The carrier substrate (4) is permeable to radiation generated by the light-emitting diode chips (2) during operation.

Description

Es wird eine Halbleiterleuchte angegeben. A semiconductor light is indicated.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Halbleiterleuchte anzugeben, die eine hohe Lichtauskoppeleffizienz aufweist. An object to be solved is to provide a semiconductor light having a high Lichtauskoppeleffizienz.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte umfasst diese mindestens ein Trägersubstrat mit einer Montageseite. Das Trägersubstrat ist dazu eingerichtet, die Halbleiterleuchte mechanisch zu stützen. Mit anderen Worten kann das Trägersubstrat diejenige Komponente der Halbleiterleuchte sein, die dieser eine hinreichende mechanische Stabilität verleiht und die für die erforderliche Steifigkeit der Halbleiterleuchte sorgt. According to at least one embodiment of the semiconductor light, the latter comprises at least one carrier substrate with a mounting side. The carrier substrate is adapted to mechanically support the semiconductor light. In other words, the carrier substrate may be that component of the semiconductor light which gives it sufficient mechanical stability and provides the required rigidity of the semiconductor light.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte umfasst diese eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips. Die Leuchtdiodenchips sind an einer, bevorzugt genau einer Montageseite des Trägersubstrats angebracht. Insbesondere sind alle Lichtquellen der Halbleiterleuchte durch Leuchtdiodenchips realisiert. Es ist möglich, dass die Halbleiterleuchte eine einzige Art von Leuchtdiodenchips, die beispielsweise im blauen Spektralbereich emittieren, oder mehrere verschiedene Arten von Leuchtdiodenchips, etwa im blauen Spektralbereich, im grünen Spektralbereich und/oder im roten Spektralbereich emittierende Leuchtdiodenchips, umfasst.According to at least one embodiment of the semiconductor light, the latter comprises a plurality of light-emitting diode chips. The light-emitting diode chips are attached to one, preferably exactly one mounting side of the carrier substrate. In particular, all the light sources of the semiconductor light are realized by light-emitting diode chips. It is possible that the semiconductor light comprises a single type of light-emitting diode chip, which emit, for example, in the blue spectral range, or several different types of light-emitting diode chips, for example in the blue spectral range, in the green spectral range and / or in the red spectral range emitting light-emitting diode chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte beinhaltet diese eine oder mehrere elektrische Kontakteinrichtungen. Die Kontakteinrichtung ist dazu eingerichtet, die Leuchtdiodenchips elektrisch zu kontaktieren. Die Kontakteinrichtung kann elektrische Leiterbahnen, Kontaktstellen zu einer externen Kontaktierung der Halbleiterleuchte, Regelwiderstände, Sicherungen, Schutzeinrichtungen gegen Schäden durch elektrostatische Entladungen und/oder Bonddrähte umfassen oder hieraus bestehen.According to at least one embodiment of the semiconductor light, this includes one or more electrical contact devices. The contact device is configured to electrically contact the light-emitting diode chips. The contact device may comprise or consist of electrical conductor tracks, contact points for external contacting of the semiconductor light, variable resistors, fuses, protective devices against damage by electrostatic discharges and / or bonding wires.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte ist die elektrische Kontakteinrichtung mittelbar oder unmittelbar auf dem Trägersubstrat angebracht. Beispielsweise sind unmittelbar auf dem Trägersubstrat elektrische Leiterbahnen der Kontakteinrichtung geformt. Dass sich die Kontakteinrichtung mittelbar auf dem Trägersubstrat befindet, kann bedeuten, dass sich zwischen der Kontakteinrichtung und dem Trägersubstrat im Wesentlichen nur die Leuchtdiodenchips und/oder Befestigungsmittel der Leuchtdiodenchips befinden. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, the electrical contact device is mounted directly or indirectly on the carrier substrate. For example, electrical conductor tracks of the contact device are formed directly on the carrier substrate. The fact that the contact device is located indirectly on the carrier substrate may mean that substantially only the light-emitting diode chips and / or fastening means of the light-emitting diode chips are located between the contact device and the carrier substrate.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte ist das Trägersubstrat durchlässig für mindestens einen Teil der von den Leuchtdiodenchips erzeugten Strahlung. Das Trägersubstrat kann klarsichtig sein oder auch trüb. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, the carrier substrate is permeable to at least part of the radiation generated by the light-emitting diode chips. The carrier substrate can be clear or even cloudy.

In mindestens einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte umfasst diese mindestens ein Trägersubstrat mit einer Montageseite. Mehrere Leuchtdiodenchips sind an der Montageseite des Trägersubstrats angebracht. Die Halbleiterleuchte beinhaltet elektrische Kontakteinrichtungen, die sich mindestens mittelbar auf dem Trägersubstrat befinden und über die die Leuchtdiodenchips elektrisch kontaktiert sind. Das Trägersubstrat ist durchlässig für eine von den Leuchtdiodenchips erzeugte Strahlung.In at least one embodiment of the semiconductor light, the latter comprises at least one carrier substrate with a mounting side. Several LED chips are mounted on the mounting side of the carrier substrate. The semiconductor light includes electrical contact devices which are at least indirectly on the carrier substrate and over which the LED chips are electrically contacted. The carrier substrate is permeable to radiation generated by the light-emitting diode chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte weist das Trägersubstrat mindestens eines der nachfolgend genannten Materialien auf oder besteht aus einem oder mehreren der nachfolgend genannten Materialien: einem Glas, Saphir, einem Kunststoff wie Polymethylmethacrylat oder Polycarbonat, einem Silikon, einem Silikon-Epoxid-Hybrid-Material, einem Epoxid. Insbesondere falls das Trägersubstrat ein Silikon umfasst, so ist das Trägersubstrat bevorzugt mit einer Faserverstärkung, beispielsweise mit Glasfasern, versehen. Insbesondere ist das Trägersubstrat aus einem elektrisch isolierenden Material geformt. According to at least one embodiment of the semiconductor light, the carrier substrate comprises at least one of the following materials or consists of one or more of the following materials: a glass, sapphire, a plastic such as polymethyl methacrylate or polycarbonate, a silicone, a silicone-epoxy hybrid material , an epoxy. In particular, if the carrier substrate comprises a silicone, then the carrier substrate is preferably provided with a fiber reinforcement, for example with glass fibers. In particular, the carrier substrate is formed from an electrically insulating material.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte weist das Trägersubstrat eine Dicke von mindestens 0,2 mm oder von mindestens 0,5 mm auf. Alternativ oder zusätzlich beträgt die Dicke höchstens 2 mm oder höchstens 1,5 mm. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, the carrier substrate has a thickness of at least 0.2 mm or at least 0.5 mm. Alternatively or additionally, the thickness is at most 2 mm or at most 1.5 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte umfasst diese einen Reflektor. Der Reflektor umfasst ein elektrisch leitfähiges Material oder besteht aus einem solchen. Zum Beispiel umfasst oder besteht der Reflektor aus Silber oder aus Aluminium oder aus einer Silberlegierung oder aus einer Aluminiumlegierung. Es ist möglich, dass der Reflektor, neben einer elektrisch leitfähigen Schicht, eine elektrisch isolierende Schicht aus einem Material mit einem niedrigen optischen Brechungsindex umfasst. Beispielsweise weist der Reflektor für von der Halbleiterleuchte erzeugte Strahlung eine Reflektivität von mindestens 70 % oder von mindestens 90 % oder von mindestens 98 % auf. Der Reflektor reflektiert bevorzugt spekular, also bevorzugt nicht diffus. According to at least one embodiment of the semiconductor light, this comprises a reflector. The reflector comprises or consists of an electrically conductive material. For example, the reflector comprises or is made of silver or of aluminum or of a silver alloy or of an aluminum alloy. It is possible for the reflector, in addition to an electrically conductive layer, to comprise an electrically insulating layer of a material with a low optical refractive index. For example, the reflector for radiation generated by the semiconductor light has a reflectivity of at least 70% or at least 90% or at least 98%. The reflector preferably reflects spekular, so preferably not diffuse.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich der Reflektor über Oberseiten der Leuchtdiodenchips, wobei die Oberseiten der Montagefläche abgewandt sind. In Draufsicht auf die Oberseiten gesehen bedeckt der Reflektor bevorzugt mindestens 60 % oder mindestens 80 % oder mindestens 90 % oder mindestens 95 % der Oberseiten. Es ist möglich, dass der Reflektor, in Draufsicht gesehen, die Oberseiten vollständig überdeckt.In accordance with at least one embodiment, the reflector extends over upper sides of the light-emitting diode chips, wherein the upper sides of the mounting surface are facing away. As seen in plan view of the tops, the reflector preferably covers at least 60% or at least 80% or at least 90% or at least 95% of the tops. It is possible that the reflector, seen in plan view, completely covers the topsides.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Reflektor zu der Kontakteinrichtung strukturiert. Mit anderen Worten ist die Kontakteinrichtung durch den Reflektor gebildet oder der Reflektor bildet einen Teil der Kontakteinrichtung. Das heißt, alle oder mindestens ein Teil der Leuchtdiodenchips sind mittels des Reflektors elektrisch kontaktiert und elektrisch verschaltet. Beispielsweise ist der Reflektor flächig ausgebildet und durch streifenartig ausgeformte Unterbrechungen in dem Reflektor sind verschiedene Bereiche elektrisch voneinander getrennt, wobei diese voneinander getrennten Bereiche Leiterbahnen bilden können. In accordance with at least one embodiment, the reflector is structured to the contact device. In other words, the contact device is formed by the reflector or the reflector forms part of the contact device. That is, all or at least a portion of the LED chips are electrically contacted by means of the reflector and electrically connected. For example, the reflector is flat and formed by strip-like breaks in the reflector different areas are electrically separated from each other, which can form separate paths conductor tracks.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Montagefläche des Trägersubstrats eben geformt. Bei der Montagefläche kann es sich also um eine planare, glatte Fläche handeln. In accordance with at least one embodiment, the mounting surface of the carrier substrate is planar. The mounting surface may therefore be a planar, smooth surface.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte befindet sich an Flanken von zumindest einem Leuchtdiodenchip, bevorzugt von allen Leuchtdiodenchips, ein strahlungsdurchlässiger Verguss. Die Flanken sind hierbei insbesondere Begrenzungsflächen der Leuchtdiodenchips, die näherungsweise senkrecht zu der Montagefläche orientiert sind. Die Flanken sind von dem Verguss bevorzugt zu mindestens 50 % oder zu mindestens 75 % oder zu mindestens 90 % oder vollständig bedeckt. Pro Leuchtdiodenchip ist bevorzugt ein eigener Verguss angebracht, der den betreffenden Leuchtdiodenchip ringartig oder rahmenartig umgeben kann und der nicht in physischem Kontakt steht zu einem Verguss eines benachbarten Leuchtdiodenchips. Es kann also jedem der Leuchtdiodenchips einer der Vergüsse eineindeutig zugeordnet sein. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, a radiation-permeable encapsulation is located on flanks of at least one light-emitting diode chip, preferably of all light-emitting diode chips. The flanks are here in particular boundary surfaces of the LED chips, which are oriented approximately perpendicular to the mounting surface. The flanks are preferably at least 50% or at least 75% or at least 90% or completely covered by the potting. Per LED chip preferably a separate potting is attached, which can surround the respective LED chip ring-like or frame-like and which is not in physical contact with a potting of an adjacent LED chip. It can therefore be unambiguously associated with each of the light-emitting diode chips one of the potting.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Vergüsse, in einem Querschnitt senkrecht zu der Montageseite gesehen, dreieckartig geformt. Eine dritte Seite, die nicht der Montageseite und nicht den Flanken der Leuchtdiodenchips zugewandt ist, kann hierbei gekrümmt sein. Bevorzugt jedoch ist eine solche Krümmung nicht stark ausgeprägt. Der Verguss kann ähnlich einer Hohlkehle entlang der Flanken und der Montageseite geformt sein. In accordance with at least one embodiment, the encapsulants, seen in a cross section perpendicular to the mounting side, are triangular in shape. A third side, which does not face the mounting side and not the flanks of the light-emitting diode chips, can hereby be curved. Preferably, however, such a curvature is not pronounced. The potting may be shaped like a groove along the flanks and the mounting side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte ist der Verguss, der sich rahmenartig um die Leuchtdiodenchips erstreckt, von dem Reflektor teilweise oder vollständig überdeckt. Dadurch, dass der Verguss im Querschnitt dreieckartig geformt und von dem Reflektor überdeckt ist, wird aus den Flanken der Leuchtdiodenchips austretende Strahlung mindestens teilweise in Richtung hin zu dem Trägersubstrat reflektiert. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, the encapsulation, which extends like a frame around the light-emitting diode chips, is partially or completely covered by the reflector. Because the potting is triangular in cross-section and covered by the reflector, radiation emerging from the flanks of the light-emitting diode chips is reflected at least partially in the direction toward the carrier substrate.

Es ist also möglich, dass, im Querschnitt senkrecht zur Montageseite gesehen, die Leuchtdiodenchips zusammen mit dem Verguss ein Trapez formen, wobei eine lange Seite des Trapezes durch einen Teil der Montageseite und eine kurze Seite des Trapezes durch einen Teil der Oberseite der Leuchtdiodenchips gebildet ist. Die nicht zueinander parallel verlaufenden, schräg angeordneten Begrenzungsflächen des Trapezes, die leicht gekrümmt sein können, weisen dann einen Winkel zur Montageseite von bevorzugt ungefähr 45°, insbesondere zwischen einschließlich 30° und 60°, auf. It is thus possible that, viewed in cross-section perpendicular to the mounting side, the light-emitting diode chips form a trapezoid together with the encapsulation, wherein a long side of the trapezoid is formed by a part of the mounting side and a short side of the trapezoid by a part of the top of the LED chips , The not mutually parallel, obliquely arranged boundary surfaces of the trapezoid, which may be slightly curved, then have an angle to the mounting side of preferably about 45 °, in particular between 30 ° and 60 °, on.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte weist das Trägersubstrat an der Montageseite Ausnehmungen auf. Eine Bodenfläche der Ausnehmungen ist hierbei insbesondere der Montageseite zuzurechnen und ist bevorzugt, in Draufsicht auf die Montageseite gesehen, frei zugänglich, wenn nur das Trägersubstrat an sich betrachtet wird. In mindestens einem Teil der Ausnehmungen oder in allen Ausnehmungen ist einer oder sind mehrere der Leuchtdiodenchips angeordnet. Bevorzugt befindet sich in jeder der Ausnehmungen genau einer der Leuchtdiodenchips. Die Ausnehmungen können alle formgleich sein, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, oder auch voneinander verschieden ausgeformt sein, beispielsweise zur Aufnahme unterschiedlicher Arten von Leuchtdiodenchips oder Sensoren für Temperatur und/oder Helligkeit. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, the carrier substrate has recesses on the mounting side. A bottom surface of the recesses in this case is attributable, in particular, to the mounting side and is preferably freely accessible when viewed in plan view of the mounting side, if only the carrier substrate is considered per se. In at least a part of the recesses or in all recesses, one or more of the light-emitting diode chips is arranged. Preferably, exactly one of the light-emitting diode chips is located in each of the recesses. The recesses may all be identical in shape, be formed within the manufacturing tolerances, or also different from each other, for example, for receiving different types of light-emitting diode chips or sensors for temperature and / or brightness.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte erstreckt sich der Reflektor, der mindestens einen Teil der Kontakteinrichtung bildet, teilweise oder vollständig über die Ausnehmungen und über die in den Ausnehmungen angeordneten Leuchtdiodenchips. Die Leuchtdiodenchips sind bevorzugt mittels des Reflektors elektrisch kontaktiert und verschaltet.In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, the reflector, which forms at least part of the contact device, extends partially or completely over the recesses and over the light-emitting diode chips arranged in the recesses. The light-emitting diode chips are preferably electrically contacted and interconnected by means of the reflector.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Leuchtdiodenchips in den Ausnehmungen mit einem Klebeverguss befestigt oder fixiert. Hierbei ist ein Volumen der Leuchtdiodenchips zusammen mit einem Volumen des Klebevergusses bevorzugt kleiner oder gleich einem Volumen der Ausnehmungen. Der Klebeverguss kann mit oder aus einem transparenten, klarsichtigen Material geformt sein, zum Beispiel einem Silikon. In accordance with at least one embodiment, the light-emitting diode chips are fastened or fixed in the recesses with an adhesive seal. In this case, a volume of the light-emitting diode chips together with a volume of the adhesive encapsulation is preferably less than or equal to a volume of the recesses. The adhesive potting may be molded with or from a transparent, clear material, for example a silicone.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich der Klebeverguss über Kanten an den Oberseiten der Leuchtdiodenchips sowie teilweise über die Oberseiten der Leuchtdiodenchips. Elektrische Kontaktbereiche an den Oberseiten der Leuchtdiodenchips sind bevorzugt teilweise oder vollständige frei von dem Klebeverguss. Die elektrische Kontakteinrichtung, insbesondere in Form des Reflektors, erstreckt sich, in Draufsicht auf die Montageseite gesehen, mindestens stellenweise über den Klebeverguss hinweg. Durch einen solchen Klebeverguss ist eine elektrische Isolation der Flanken der Leuchtdiodenchips erzielbar. According to at least one embodiment, the adhesive encapsulation extends over edges on the upper sides of the light-emitting diode chips as well as partly over the upper sides of the light-emitting diode chips. Electrical contact areas on the upper sides of the LED chips are preferably partially or completely free of the adhesive potting. The electrical contact device, in particular in the form of the reflector, extends, seen in plan view of the mounting side, at least in places over the adhesive Verguss. Through such adhesive sealing is an electrical isolation of the edges of the LED chips achievable.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte ist mindestens ein Teil der Leuchtdiodenchips oder sind alle Leuchtdiodenchips jeweils mittels zwei Bonddrähten elektrisch kontaktiert. Die Bonddrähte können an den Oberseiten der Leuchtdiodenchips angebracht sein. Ein Teil der Bonddrähte kann an elektrischen Leiterbahnen an der Montageseite kontaktiert sein. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, at least a part of the light-emitting diode chips or all light-emitting diode chips are in each case electrically contacted by means of two bonding wires. The bonding wires may be attached to the tops of the LED chips. A part of the bonding wires can be contacted to electrical conductors on the mounting side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte sind die Leuchtdiodenchips und/oder die Bonddrähte vollständig in einen strahlungsdurchlässigen Verguss eingebettet, wobei sich der Verguss bevorzugt über alle Leuchtdiodenchips und Bonddrähte erstreckt. Bei dem Verguss handelt es sich bevorzugt um ein strahlungsdurchlässiges, klarsichtiges Material wie ein Silikon. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, the light-emitting diode chips and / or the bonding wires are completely embedded in a radiation-permeable encapsulation, wherein the encapsulation preferably extends over all the light-emitting diode chips and bonding wires. The encapsulation is preferably a radiation-transmissive, transparent material such as a silicone.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte befindet sich an einer der Montageseite abgewandten Rückseite des Vergusses der Reflektor. Der Reflektor ist hierbei bevorzugt formschlüssig auf dem Verguss aufgebracht und kann den Verguss, in Draufsicht auf die Montageseite gesehen, zu mindestens 80 % oder zu mindestens 90 % oder vollständig überdecken.In accordance with at least one embodiment of the semiconductor luminaire, the reflector is located on a rear side of the encapsulation facing away from the mounting side. The reflector is in this case preferably applied positively on the potting and can cover the potting, seen in plan view of the mounting side, at least 80% or at least 90% or completely.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Montageseite des Trägersubstrats großflächig mit einer strahlungsdurchlässigen, elektrisch leitfähigen Schicht versehen. In die leitfähige Schicht sind Leiterbahnen der Kontakteinrichtung strukturiert. Beispielsweise sind streifenartige, dünne Unterbrechungen in der leitfähigen Schicht ausgeformt, um die Leiterbahnen zu strukturieren. Die Leuchtdiodenchips sind an einer dem Trägersubstrat abgewandten Seite der elektrisch leitfähigen Schicht angebracht und durch die elektrisch leitfähige Schicht elektrisch kontaktiert. Ein Material der leitfähigen Schicht ist beispielsweise ein transparentes, leitfähiges Oxid, kurz TCO, etwa ITO. In accordance with at least one embodiment, the mounting side of the carrier substrate is provided over a large area with a radiation-transmissive, electrically conductive layer. Conductor tracks of the contact device are structured in the conductive layer. For example, strip-like, thin breaks are formed in the conductive layer to pattern the traces. The light-emitting diode chips are mounted on a side of the electrically conductive layer facing away from the carrier substrate and electrically contacted by the electrically conductive layer. A material of the conductive layer is, for example, a transparent, conductive oxide, in short TCO, for example ITO.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte umfasst diese mindestens 100 Leuchtdiodenchips oder mindestens 200 oder mindestens 400 oder mindestens 1000 Leuchtdiodenchips. Die Leuchtdiodenchips sind in einer zweidimensionalen Anordnung auf der Montageseite angebracht. Zweidimensional bedeutet, dass die Leuchtdiodenchips im Wesentlichen innerhalb einer einzigen Ebene angeordnet sind und nicht auf einer geraden Linien liegen. According to at least one embodiment of the semiconductor light, the latter comprises at least 100 light-emitting diode chips or at least 200 or at least 400 or at least 1000 light-emitting diode chips. The LED chips are mounted in a two-dimensional arrangement on the mounting side. Two-dimensional means that the LED chips are arranged essentially within a single plane and do not lie on a straight line.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein mittlerer Abstand zwischen zwei benachbarten Leuchtdiodenchips mindestens ein 0,5-faches oder mindestens ein 2,5-faches oder mindestens ein 5-faches einer mittleren Kantenlänge der Leuchtdiodenchips.In accordance with at least one embodiment, an average distance between two adjacent light-emitting diode chips is at least 0.5 times or at least 2.5 times or at least 5 times a mean edge length of the light-emitting diode chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Leuchtdiodenchips eine mittlere Kantenlänge von mindestens 50 µm oder von mindestens 75 µm oder von mindestens 100 µm oder von mindestens 150 µm auf. Alternativ oder zusätzlich beträgt die mittlere Kantenlänge höchstens 2 mm oder höchstens 1,5 mm oder höchstens 1 mm oder höchstens 0,4 mm. In accordance with at least one embodiment, the light-emitting diode chips have an average edge length of at least 50 μm or at least 75 μm or at least 100 μm or at least 150 μm. Alternatively or additionally, the average edge length is at most 2 mm or at most 1.5 mm or at most 1 mm or at most 0.4 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt der mittlere Abstand zwischen den benachbarten Leuchtdiodenchips mindestens 0,5 mm oder mindestens 2 mm oder mindestens 5 mm. Alternativ oder zusätzlich beträgt der mittlere Abstand höchstens 25 mm oder höchstens 15 mm oder höchstens 8 mm. In accordance with at least one embodiment, the mean distance between the adjacent light-emitting diode chips is at least 0.5 mm or at least 2 mm or at least 5 mm. Alternatively or additionally, the average distance is at most 25 mm or at most 15 mm or at most 8 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte weist das Trägersubstrat eine Vorderseite auf, die der Montageseite gegenüberliegt. An der Vorderseite ist mindestens ein Konversionselement angebracht. Das Konversionselement ist dazu eingerichtet, einen Teil oder im Wesentlichen die gesamte von den Leuchtdiodenchips im Betrieb der Halbleiterleuchte erzeugte Strahlung zu absorbieren und in eine Strahlung einer anderen, insbesondere größeren Wellenlänge umzuwandeln. In accordance with at least one embodiment of the semiconductor light, the carrier substrate has a front side, which lies opposite the mounting side. At least one conversion element is attached to the front. The conversion element is configured to absorb part or substantially all of the radiation generated by the light-emitting diode chips during operation of the semiconductor light and to convert it into radiation of another, in particular larger wavelength.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Konversionselement in einer flächigen, durchgehenden Schicht an der Vorderseite aufgebracht. Bevorzugt erstreckt sich das Konversionselement vollständig über einen zweidimensionalen Bereich, über den die Leuchtdiodenchips verteilt sind, in Draufsicht auf die Vorderseite gesehen. Die das Konversionselement bildende Schicht weist bevorzugt keine Lücken auf und ist in einer, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, konstanten Dicke an der Vorderseite angebracht.In accordance with at least one embodiment, the conversion element is applied in a flat, continuous layer on the front side. The conversion element preferably extends completely over a two-dimensional region over which the light-emitting diode chips are distributed, viewed in plan view of the front side. The layer forming the conversion element preferably has no gaps and is mounted in a constant thickness on the front side within the manufacturing tolerances.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte weist diese einen weiteren Träger auf. Der weitere Träger ist bevorzugt über der Vorderseite des Trägersubstrats angeordnet. Zwischen dem Trägersubstrat und dem weiteren Träger kann sich das Konversionselement befinden. Eine dem Konversionselement zugewandte Seite des weiteren Trägers und/oder die Vorderseite des Trägersubstrats sind bevorzugt glatt geformt. According to at least one embodiment of the semiconductor light, this has a further carrier. The further carrier is preferably arranged over the front side of the carrier substrate. The conversion element can be located between the carrier substrate and the further carrier. A side of the further carrier facing the conversion element and / or the front side of the carrier substrate are preferably smooth-shaped.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfassen das Trägersubstrat und/oder der weitere Träger mehrere Mikrolinsen. Bevorzugt folgt einem Teil oder allen der Leuchtdiodenchips dann mindestens eine der Mikrolinsen, entlang einer Hauptabstrahlrichtung der Halbleiterleuchte, nach. Bevorzugt ist jedem der Leuchtdiodenchips genau eine der Mikrolinsen zugeordnet. Durch die Mikrolinsen ist eine Abstrahlcharakteristik der Halbleiterleuchte einstellbar. Bei den Mikrolinsen kann es sich um Sammellinsen oder Zerstreulinsen handeln. Die Mikrolinsen können als Fresnel-Linsen ausgeformt sein. In accordance with at least one embodiment, the carrier substrate and / or the further carrier comprise a plurality of microlenses. Preferably, a part or all of the light-emitting diode chips then follows at least one of the microlenses, along a main emission direction of the semiconductor light. Preferably, each of the LED chips is exactly one of Associated with microlenses. Due to the microlenses, a radiation characteristic of the semiconductor light is adjustable. The microlenses may be collimating lenses or scattering lenses. The microlenses may be formed as Fresnel lenses.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform befinden sich die Leuchtdiodenchips zwischen dem Trägersubstrat und einer strahlungsdurchlässigen Abdeckschicht. Bei der Abdeckschicht kann es sich um einen Verguss handeln, der über den Leuchtdiodenchips angebracht ist. Weiterhin kann die Abdeckschicht durch eine dünne Platte, etwa aus einem Glas, gebildet sein. Es ist möglich, dass die Abdeckschicht zu einer mechanischen Stabilisierung der Halbleiterleuchte beiträgt.In accordance with at least one embodiment, the light-emitting diode chips are located between the carrier substrate and a radiation-permeable cover layer. The cover layer may be a potting that is mounted over the LED chips. Furthermore, the cover layer may be formed by a thin plate, such as a glass. It is possible that the cover layer contributes to a mechanical stabilization of the semiconductor light.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Halbleiterleuchte dazu eingerichtet, die von den Leuchtdiodenchips erzeugte Strahlung an zwei einander gegenüberliegenden Hauptseiten zu emittieren. Die an den Hauptseiten emittierte Strahlungsleistung kann hierbei jeweils gleich sein oder auch voneinander abweichen. Beispielsweise wird an einer der Hauptseiten ein Strahlungsanteil zwischen einschließlich 10 % und 40 % emittiert und an der anderen Hauptseite der verbleibende Strahlungsanteil.In accordance with at least one embodiment, the semiconductor light is configured to emit the radiation generated by the light-emitting diode chips on two mutually opposite main sides. The radiation power emitted on the main sides can in this case be the same in each case or even deviate from one another. For example, on one of the main sides, a radiation component of between 10% and 40% is emitted and on the other main side the remaining radiation component.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Halbleiterleuchte umfasst diese mindestens eine Kühlvorrichtung. Die Kühlvorrichtung befindet sich bevorzugt an einer der Montageseite abgewandten Seite der Leuchtdiodenchips. Bei der Kühlvorrichtung kann es sich um einen Kühlkörper handeln. Ebenso kann die Kühlvorrichtung dazu eingerichtet sein, dass eine kühlende Wirkung durch Strömung eines Kühlmediums, etwa Luft oder einer Flüssigkeit, zustande kommt. Auch kann die Kühlvorrichtung einen Ventilator oder ein Peltier-Element umfassen.According to at least one embodiment of the semiconductor light, the latter comprises at least one cooling device. The cooling device is preferably located on a side of the light-emitting diode chips facing away from the mounting side. The cooling device may be a heat sink. Likewise, the cooling device can be set up so that a cooling effect by flow of a cooling medium, such as air or a liquid, comes about. Also, the cooling device may include a fan or a Peltier element.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Kühlvorrichtung nicht unmittelbar an den Leuchtdiodenchips angebracht. Bevorzugt befindet sich zwischen der Kühlvorrichtung und den Leuchtdiodenchips zumindest der Reflektor. In accordance with at least one embodiment, the cooling device is not attached directly to the light-emitting diode chips. Preferably, at least the reflector is located between the cooling device and the light-emitting diode chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Halbleiterleuchten dazu eingerichtet, lateral nebeneinander angeordnet zu werden. Bei den Halbleiterleuchten kann es sich um so genannten Lichtkacheln handeln. Die Kontakteinrichtung kann derart ausgeformt sein, dass aneinander stoßende, lateral unmittelbar benachbarte Halbleiterleuchten direkt elektrisch miteinander kontaktierbar sind. In accordance with at least one embodiment, the semiconductor lamps are configured to be arranged laterally next to one another. The semiconductor lights can be so-called light tiles. The contact device may be formed such that abutting, laterally directly adjacent semiconductor lights are directly electrically contactable with each other.

Bevorzugt sind die Halbleiterleuchten als Flächenstrahler ausgebildet, die zumindest an der Vorderseite homogen oder im Wesentlichen homogen Strahlung emittieren. In ausgeschaltetem Zustand kann die Halbleiterleuchte als Spiegel erscheinen. Es ist möglich, dass die Halbleiterleuchte ihrem Erscheinungsbild nach wie eine organische Leuchtdiode, kurz OLED, geformt ist, obwohl die Strahlungserzeugung auf anorganischen Komponenten basiert.Preferably, the semiconductor lights are designed as area radiators which emit homogeneous or substantially homogeneous radiation at least on the front side. When switched off, the semiconductor light may appear as a mirror. It is possible that the semiconductor light is shaped in appearance as an organic light emitting diode, OLED, although the radiation generation is based on inorganic components.

Nachfolgend wird eine hier beschriebene Halbleiterleuchte unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Hereinafter, a semiconductor lamp described here will be explained in more detail with reference to the drawings with reference to embodiments. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no scale relationships shown, but individual elements can be shown exaggerated for better understanding.

Es zeigen: 1 bis 3 sowie 5 bis 10 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Halbleiterleuchten, und Show it: 1 to 3 such as 5 to 10 schematic sectional views of embodiments of semiconductor lights described herein, and

4 schematische Draufsichten auf elektrische Kontakteinrichtungen für Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen Halbleiterleuchten. 4 schematic plan views of electrical contact devices for embodiments of semiconductor lights described here.

In 1 ist schematisch ein Ausführungsbeispiel einer Halbleiterleuchte 1 in einer Schnittdarstellung gezeigt. Die Halbleiterleuchte 1 umfasst ein Trägersubstrat 4 mit einer Montageseite 40. Die Montageseite 40 ist eben und glatt geformt. Beispielsweise handelt es sich bei dem Trägersubstrat 4 um eine Glasplatte. Eine Dicke des Trägersubstrats 4 liegt beispielsweise bei ungefähr 1 mm. In 1 schematically is an embodiment of a semiconductor light 1 shown in a sectional view. The semiconductor light 1 includes a carrier substrate 4 with a mounting side 40 , The mounting side 40 is flat and smooth. By way of example, the carrier substrate is 4 around a glass plate. A thickness of the carrier substrate 4 is for example about 1 mm.

An der Montageseite 40 ist eine Vielzahl von Leuchtdiodenchips 2 angebracht. Die Leuchtdiodenchips 2 können auf die Montageseite 40 aufgeklebt sein. Eine mittlere Kantenlänge der Leuchtdiodenchips 2 beträgt zum Beispiel ungefähr 200 µm. Ein mittlerer Abstand d zwischen zwei benachbarten Leuchtdiodenchips 2 kann bei ungefähr 1,5 mm liegen. Es ist möglich, dass die Leuchtdiodenchips 2 dazu eingerichtet sind, im Betrieb der Halbleiterleuchte 1 blaues Licht zu emittieren, beispielsweise mit einer dominanten Wellenlänge von ungefähr 440 nm. Ebenso ist es möglich, dass zusätzlich oder alternativ zu blau emittierenden Leuchtdiodenchips 2 auch orange oder rot emittierende Leuchtdiodenchips vorhanden sind. On the mounting side 40 is a variety of LED chips 2 appropriate. The LED chips 2 can on the mounting side 40 be glued on. A mean edge length of the LED chips 2 is for example about 200 μm. A mean distance d between two adjacent light-emitting diode chips 2 can be about 1.5 mm. It is possible that the LED chips 2 are adapted to, during operation of the semiconductor light 1 blue light, for example having a dominant wavelength of about 440 nm. It is also possible that in addition to or as an alternative to blue-emitting LED chips 2 orange or red emitting LED chips are present.

Bei den Leuchtdiodenchips 2 kann es sich um so genannte Volumenemitter handeln. Solche Leuchtdiodenchips weisen ein strahlungsdurchlässiges Trägersubstrat, beispielsweise aus Saphir, auf, auf dem Halbleiterschichtenfolgen der Leuchtdiodenchips epitaktisch aufgewachsen sind. Bei einem solchen Volumenemitter wird ein hoher Strahlungsanteil in das Aufwachssubstrat eingekoppelt und trifft auf Grenzfläche des Aufwachssubstrats. Bei herkömmlichen Leuchten befindet sich an dem Aufwachssubstrat dann eine reflektierende Schicht, die die Strahlung zurück in Richtung Halbleiterschichtenfolge reflektiert. Da zur Auskopplung der Strahlung aus dem Volumenemitter bei solchen Leuchten mindestens eine Reflexion an einer Grenzfläche des Aufwachssubstrats erforderlich ist und Absorptionsverluste durch den Spiegel und durch die Halbleiterschichtenfolge auftreten können, weisen solche Leuchten eine vergleichsweise kleine Lichtauskoppeleffizienz auf.In the LED chips 2 they can be so-called volume emitters. Such light-emitting diode chips have a radiation-transmissive carrier substrate, for example made of sapphire, on which semiconductor layer sequences of the light-emitting diode chips are grown epitaxially. In such a volume emitter, a high proportion of radiation is coupled into the growth substrate and impinges on the surface of the growth substrate. In the case of conventional luminaires, a reflective layer is then located on the growth substrate which returns the radiation back toward the semiconductor layer sequence reflected. Since for decoupling of the radiation from the volume emitter in such luminaires at least one reflection at an interface of the growth substrate is required and absorption losses can occur through the mirror and through the semiconductor layer sequence, such luminaires have a comparatively small light decoupling efficiency.

Durch die Verwendung eines strahlungsdurchlässigen Trägersubstrats 4, auf dem die Leuchtdiodenchips 2 insbesondere unmittelbar angebracht sind, kann eine effiziente Strahlungsauskopplung über das strahlungsdurchlässige Aufwachssubstrat oder einen strahlungsdurchlässigen Träger der Leuchtdiodenchips 2 erfolgen. Weiterhin weist ein Träger oder ein Aufwachssubstrat der Leuchtdiodenchips 2 in der Regel einen niedrigeren optischen Brechungsindex auf als eine Halbleiterschichtenfolge der Leuchtdiodenchips 2. Auch hierdurch ist eine Strahlungsauskopplung aus einem solchen Träger oder Aufwachssubstrat heraus, gegenüber einer Strahlungsauskopplung aus der Halbleiterschichtenfolge, effizienter realisierbar. Als Leuchtdiodenchips 2 können aber auch so genannte Dünnfilm-Chips verwendet werden, bei denen ein Aufwachssubstrat entfernt ist. By the use of a radiation-transparent carrier substrate 4 on which the LED chips 2 In particular, are directly attached, an efficient radiation decoupling via the radiation-permeable growth substrate or a radiation-transparent carrier of the LED chips 2 respectively. Furthermore, a carrier or a growth substrate of the LED chips 2 As a rule, a lower optical refractive index than a semiconductor layer sequence of the LED chips 2 , This also makes it possible to realize a radiation extraction from such a carrier or growth substrate, compared to a radiation extraction from the semiconductor layer sequence, more efficiently. As LED chips 2 However, so-called thin-film chips can be used in which a growth substrate is removed.

Die Halbleiterleuchte 1 weist ferner einen Reflektor 5 auf, der die Montageseite 40, in Draufsicht gesehen, im Wesentlichen vollständig bedeckt und sich über dem Trägersubstrat 4 abgewandte Oberseiten 20 der Leuchtdiodenchips 2 erstreckt. Der Reflektor 5 ist gleichzeitig als elektrische Kontakteinrichtung 3 ausgeformt, dadurch, dass bereichsweise Unterbrechungen 39 in Form von dünnen, streifenartigen Strukturen den Reflektor 5 stellenweise zerteilen, so dass Leiterbahnen 38 ausgebildet sind, vergleiche auch 4. Der Reflektor 5 kann in Bereichen zwischen den Leuchtdiodenchips 2 unmittelbar auf das Trägersubstrat 5 aufgebracht sein. The semiconductor light 1 also has a reflector 5 on top of the mounting side 40 , seen in plan view, substantially completely covered and over the carrier substrate 4 opposite upper sides 20 the LED chips 2 extends. The reflector 5 is at the same time as electrical contact device 3 formed, characterized in that intermittent interruptions 39 in the form of thin, strip-like structures the reflector 5 Partially split, leaving traces 38 are trained, compare also 4 , The reflector 5 can in areas between the LED chips 2 directly on the carrier substrate 5 be upset.

Der Reflektor 5 weist bevorzugt eine Dicke von mindestens 1 µm auf und insbesondere von höchstens 2 µm oder von höchstens 15 µm. Der Reflektor 5 kann durch ein einziges, metallisches Material wie Aluminium oder Kupfer oder Silber oder Legierungen mit Aluminium und/oder Kupfer und/oder Silber gebildet sein. Ebenso ist es möglich, dass der Reflektor 5 mehrere Schichten aufweist, insbesondere eine Silberschicht mit einer Dicke von mindestens 100 nm, die den Leuchtdiodenchips 2 zugewandt ist, sowie eine dickere Schicht, zum Beispiel aus Kupfer oder einer Kupferlegierung oder aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung. Als Kontaktschichten können sich an einer oder an beiden Seiten des Reflektors 5 dünne Schichten aus Titan, Nickel und/oder Gold befinden. Unmittelbar zwischen der Montageseite 40 sowie dem Reflektor 5 kann sich eine dünne Chromschicht oder ZrO-Schicht befinden mit einer Dicke von höchstens 1 nm oder höchstens 0,5 nm. The reflector 5 preferably has a thickness of at least 1 .mu.m and in particular of at most 2 .mu.m or of at most 15 .mu.m. The reflector 5 may be formed by a single metallic material such as aluminum or copper or silver or alloys with aluminum and / or copper and / or silver. It is also possible that the reflector 5 has a plurality of layers, in particular a silver layer with a thickness of at least 100 nm, the LED chips 2 facing, and a thicker layer, for example made of copper or a copper alloy or aluminum or an aluminum alloy. As contact layers may be on one or both sides of the reflector 5 thin layers of titanium, nickel and / or gold are located. Immediately between the mounting side 40 and the reflector 5 may be a thin chromium layer or ZrO layer with a thickness of at most 1 nm or at most 0.5 nm.

Optional befindet sich an Flanken der Leuchtdiodenchips 2 jeweils ein strahlungsdurchlässiger Verguss 6. Der Verguss 6 ist im Querschnitt dreieckartig geformt und von dem Reflektor 5 überdeckt. An den Flanken aus den Leuchtdiodenchips 2 austretende Strahlung wird somit an dem Reflektor 5 in Richtung hin zu dem Trägersubstrat 4 reflektiert. Optionally located on flanks of the LED chips 2 each a radiation-permeable potting 6 , The casting 6 is triangular in cross-section and of the reflector 5 covered. On the flanks of the LED chips 2 emerging radiation is thus at the reflector 5 toward the carrier substrate 4 reflected.

Abweichend von der Darstellung gemäß 1 ist es ebenso möglich, dass der Verguss 6 sich als durchgehende Schicht zwischen dem Trägersubstrat 4 und dem Reflektor 5 erstreckt und die Bereiche des Vergusses 6 an den Flanken als Bereiche größerer Dicke ausgebildet sind. Deviating from the illustration according to 1 It is also possible that the potting 6 as a continuous layer between the carrier substrate 4 and the reflector 5 extends and the areas of potting 6 are formed on the flanks as areas of greater thickness.

An einer dem Trägersubstrat 4 abgewandten Seite des Reflektors 5 ist optional eine Abdeckschicht 46 aufgebracht, beispielsweise mittels Gießen oder Pressen. Die Abdeckschicht kann ein Silikon oder ein Epoxid oder einen anderen Kunststoff umfassen und strahlungsundurchlässig sein. Durch die Abdeckschicht 46 sind der Reflektor 5 sowie die Leuchtdiodenchips 2 vor äußeren Einflüssen schützbar. Anders als in 1 dargestellt kann es sich bei der Abdeckschicht 46 um eine dünne Schicht aus einem Lack oder einem Epoxid mit einer Dicke von wenigen Mikrometern handeln, die eine Form des Reflektors 5 nachahmt. On a carrier substrate 4 opposite side of the reflector 5 is optional a cover layer 46 applied, for example by means of casting or pressing. The cover layer may comprise a silicone or an epoxy or other plastic and be radiopaque. Through the cover layer 46 are the reflector 5 and the LED chips 2 Protected against external influences. Unlike in 1 it may be shown in the cover layer 46 to act a thin layer of a paint or an epoxy with a thickness of a few microns, which is a shape of the reflector 5 mimics.

Optional ist an einer Vorderseite des Trägersubstrats 4 ein Konversionselement 7 angebracht. Das Konversionselement 7 ist als gleichmäßige Schicht an dem Trägersubstrat 4 angebracht. An einer dem Trägersubstrat 4 abgewandten Seite des Konversionselements 7 befindet sich ferner optional ein weiterer Träger 4b. Das Konversionselement 7 kann dadurch geformt sein, dass der weitere Träger 4b an das Trägersubstrat 4 gepresst wird, wobei sich zwischen dem Träger 4b und dem Trägersubstrat 4 Abstandshalter befinden können.Optionally, on a front side of the carrier substrate 4 a conversion element 7 appropriate. The conversion element 7 is as a uniform layer on the carrier substrate 4 appropriate. On a carrier substrate 4 opposite side of the conversion element 7 is also optionally another carrier 4b , The conversion element 7 may be shaped by the fact that the further carrier 4b to the carrier substrate 4 is pressed, being between the carrier 4b and the carrier substrate 4 Spacers can be located.

Eine Dicke des Konversionselements 7 beträgt bevorzugt zwischen einschließlich 25 µm und 1 mm. Bei dem Konversionselement 7 kann es sich um Leuchtstoffpartikel handeln, die in eine Silikonmatrix eingebettet sind. Ebenso kann das Konversionselement 7 durch eine Folie oder durch eine Klebefolie gebildet sein oder auch ein Keramikplättchen mit darin enthaltenem Leuchtstoff sein. Ist ein Konversionselement 7 vorhanden, so emittiert die Halbleiterleuchte 1 im Betrieb bevorzugt weißes Licht. A thickness of the conversion element 7 is preferably between 25 microns and 1 mm inclusive. At the conversion element 7 they can be phosphor particles embedded in a silicone matrix. Likewise, the conversion element 7 be formed by a film or by an adhesive film or be a ceramic plate with phosphor contained therein. Is a conversion element 7 present, then emits the semiconductor light 1 during operation, white light is preferred.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 2 sind die Leuchtdiodenchips 2 in Ausnehmungen 42 des Trägersubstrats 4 eingebettet. Die Kontakteinrichtung 3 ist durch den Reflektor 5 gebildet und erstreckt sich teilweise über die Ausnehmungen 42 hinweg, in Draufsicht auf die Montageseite 40 gesehen. According to the embodiment 2 are the LED chips 2 in recesses 42 of the carrier substrate 4 embedded. The contact device 3 is through the reflector 5 formed and extends partially over the recesses 42 away, in top view on the mounting side 40 seen.

Wie in 10 dargestellt, können die Leuchtdiodenchips 2 in den Ausnehmungen 42 mittels eines Klebevergusses 44 befestigt sein. Der Klebeverguss bedeckt Kanten der Leuchtdiodenchips 2 sowie deren Oberseite 20 teilweise. Elektrische Kontaktflächen der Leuchtdiodenchips 2 an der Oberseite 20 sind von dem Klebeverguss 44 nicht bedeckt. Die Kontakteinrichtung 3 in Form des Reflektors 5 erstreckt sich auch über den Klebeverguss 44 hinweg auf die Oberseite 20 der Leuchtdiodenchips 2. Bevorzugt befinden sich die Leuchtdiodenchips 2 vollständig in den Ausnehmungen 42. As in 10 shown, the LED chips 2 in the recesses 42 by means of an adhesive casting 44 be attached. The adhesive coating covers edges of the LED chips 2 as well as their top 20 partially. Electrical contact surfaces of the LED chips 2 at the top 20 are from the adhesive potting 44 not covered. The contact device 3 in the form of the reflector 5 extends over the adhesive potting 44 on the top 20 the LED chips 2 , The light-emitting diode chips are preferably located 2 completely in the recesses 42 ,

Zum Beispiel ist eine Tiefe der Ausnehmungen 42 um zwischen einschließlich 10 µm und 50 µm größer als eine Dicke der Leuchtdiodenchips 2. Die Leuchtdiodenchips 2 können ungefähr 100 µm dick sein. Somit liegt die Tiefe der Ausnehmungen bevorzugt zwischen einschließlich 100 µm und 150 µm oder zwischen einschließlich 50 µm und 250 µm. Eine Breite der Ausnehmungen 42 ist bevorzugt um zwischen einschließlich 10 µm und 50 µm größer als eine zugehörige Kantenlänge der Leuchtdiodenchips 2. For example, a depth of the recesses 42 by between 10 microns and 50 microns larger than a thickness of the LED chips 2 , The LED chips 2 may be about 100 μm thick. Thus, the depth of the recesses is preferably between 100 μm and 150 μm inclusive or between 50 μm and 250 μm inclusive. A width of the recesses 42 is preferably between 10 microns and 50 microns larger than an associated edge length of the LED chips 2 ,

Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist es auch bei den Ausführungsbeispielen gemäß 2 und gemäß 10 möglich, dass ein Konversionselement 7 sowie ein weiterer Träger 4b und/oder eine Abdeckschicht 46 vorhanden sind. As in all other embodiments, it is also in the embodiments according to 2 and according to 10 possible for a conversion element 7 as well as another carrier 4b and / or a cover layer 46 available.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 3 sind auf der Montageseite 40 die Kontakteinrichtung 3 und die Leuchtdiodenchips 2 angebracht. Die Kontakteinrichtung 3 ist bevorzugt durch ein transparentes Material gebildet, das in Form einer leitfähigen Schicht großflächig auf der Montageseite 40 aufgebracht ist und das zu Leiterbahnen 38 strukturiert ist, vergleiche auch 4. Die Leuchtdiodenchips 2 sind beispielsweise mittels Kontaktpads 34 auf der elektrisch leitfähigen Schicht angebracht, beispielsweise mittels Löten, Kleben oder Ultraschallbonden. Der Reflektor 5, der ausgestaltet sein kann wie in 1, ist in 3 nicht dargestellt. According to the embodiment 3 are on the mounting side 40 the contact device 3 and the LED chips 2 appropriate. The contact device 3 is preferably formed by a transparent material which in the form of a conductive layer over a large area on the mounting side 40 is applied and that leads to tracks 38 is structured, compare also 4 , The LED chips 2 are for example by means of contact pads 34 mounted on the electrically conductive layer, for example by means of soldering, gluing or ultrasonic bonding. The reflector 5 that can be designed as in 1 , is in 3 not shown.

Wird in 3 ein Reflektor 5 verwendet, so befindet sich zwischen der Kontakteinrichtung 3 und dem Reflektor 5 bevorzugt eine dünne Schicht eines elektrisch isolierenden Materials, insbesondere eine dünne Siliziumdioxidschicht mit einer Dicke von ungefähr 20 nm. Is in 3 a reflector 5 used, so is located between the contact device 3 and the reflector 5 preferably a thin layer of an electrically insulating material, in particular a thin silicon dioxide layer with a thickness of about 20 nm.

Ferner ist es optional möglich, dass die leitfähige Schicht, die die Kontakteinrichtung 3 bildet, teilreflektierend für die im Betrieb der Halbleiterleuchte 1 erzeugte Strahlung ist. Hierdurch einstellbar, wie groß ein Strahlungsanteil ist, der in eine Richtung weg von dem Trägersubstrat 4 von der Halbleiterleuchte 1 emittiert wird. Furthermore, it is optionally possible for the conductive layer to be the contact device 3 forms, partially reflecting for the operation of the semiconductor light 1 is generated radiation. This makes it possible to set the size of a radiation component which is in a direction away from the carrier substrate 4 from the semiconductor light 1 is emitted.

In den 4A und 4B ist in einer schematischen Draufsicht eine mögliche Formgebung der Kontaktstruktur 3 bei den Ausführungsbeispielen insbesondere gemäß der 1 und 3 dargestellt. Gemäß 4A sind schmale Leiterbahnen 38 durch Unterbrechungen 39 von verbleibenden Teilen der Kontakteinrichtung 3 oder des Reflektors 5 separiert. Die Leuchtdiodenchips 2 befinden sich auf oder unter jeweils zwei der Leiterbahnen 38. Gemäß 4B sind die Leiterbahnen 38 großflächig ausgeformt und jeweils durch die Unterbrechungen 39 voneinander separiert. Auch hier befinden sich die Leuchtdiodenchips 2 jeweils auf zwei der Leiterbahnen 38. In the 4A and 4B is a schematic plan view of a possible shaping of the contact structure 3 in the embodiments in particular according to the 1 and 3 shown. According to 4A are narrow tracks 38 through interruptions 39 of remaining parts of the contact device 3 or the reflector 5 separated. The LED chips 2 are located on or below each two of the tracks 38 , According to 4B are the tracks 38 formed over a large area and in each case by the interruptions 39 separated from each other. Here, too, are the LED chips 2 each on two of the tracks 38 ,

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 5 sind an der Montageseite 40 mindestens zwei der Leiterbahnen 38 angebracht. Die Leuchtdiodenchips 2 sind jeweils über zwei Bonddrähte 35 an den Oberseiten 20 elektrisch kontaktiert. Abweichend hiervon können die Leuchtdiodenchips 2 über jeweils eine Leiterbahn an dem Trägersubstrat 4 und mit nur einem Bonddraht 35 an der Oberseite 20 kontaktiert sein. According to the embodiment 5 are on the mounting side 40 at least two of the tracks 38 appropriate. The LED chips 2 are each about two bonding wires 35 on the tops 20 electrically contacted. Deviating from this, the LED chips 2 via a respective conductor track on the carrier substrate 4 and with only one bonding wire 35 at the top 20 be contacted.

Anders als in 5 dargestellt ist es, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, möglich, dass die Leuchtdiodenchips 2 zu elektrisch einzeln ansteuerbaren Gruppen zusammengefasst sind, wobei jede Gruppe bevorzugt mindestens zwei oder mindestens zehn oder mindestens 25 der Leuchtdiodenchips 2 umfasst. Hierdurch ist es möglich, dass mit der Halbleiterleuchte 1 Symbole oder Piktogramme zeitabhängig dargestellt werden können. Bevorzugt jedoch sind alle Leuchtdiodenchips 2 elektrisch gemeinsam kontaktiert, so dass genau zwei externe elektrische Anschlüsse zur Bestromung der Halbleiterleuchte 1 vorgesehen sind. Die externen elektrischen Anschlüsse sind in den Figuren jeweils nicht gezeichnet.Unlike in 5 it is possible, as in all other embodiments, possible that the light-emitting diode chips 2 are grouped into electrically controllable groups, each group preferably having at least two or at least ten or at least 25 the LED chips 2 includes. This makes it possible that with the semiconductor light 1 Symbols or pictograms can be displayed time-dependent. However, all light-emitting diode chips are preferred 2 contacted electrically together, so that exactly two external electrical connections for energizing the semiconductor light 1 are provided. The external electrical connections are not drawn in the figures, respectively.

Die Leuchtdiodenchips 2 sowie die Bonddrähte 35 befinden sich gemäß 5 vollständig in einem strahlungsdurchlässigen Verguss 6. Eine dem Trägersubstrat 4 abgewandte Rückseite 60 des Vergusses 6 ist bevorzugt näherungsweise eben ausgeformt. An der Rückseite 60 ist der Reflektor 5 formschlüssig aufgebracht. Beispielsweise ist der Reflektor 5 dann durch eine ungefähr 100 nm bis ungefähr 200 nm dicke Silberschicht oder Aluminiumschicht gebildet. An einer dem Verguss 6 abgewandten Seite des Reflektors 5 befindet sich optional die Abdeckschicht 46, die durch eine dünne Lackschicht gebildet sein kann. The LED chips 2 as well as the bonding wires 35 are according to 5 completely in a radiation-permeable potting 6 , A the carrier substrate 4 opposite rear side 60 of the potting 6 is preferably approximately flat. At the back 60 is the reflector 5 positively applied. For example, the reflector 5 then formed by an about 100 nm to about 200 nm thick silver layer or aluminum layer. At one of the potting 6 opposite side of the reflector 5 is optionally the cover layer 46 , which may be formed by a thin lacquer layer.

Optional, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich, befindet sich an einer den Leuchtdiodenchips 2 abgewandten Seite des Reflektors 5 eine Kühlvorrichtung 9. Gemäß 5 ist die Kühlvorrichtung 9 durch einen Kühlkörper gebildet. Gemäß den 6 und 7 ist die Kühlvorrichtung 9 der Halbleiterleuchte 1 dadurch realisiert, dass ein Zwischenraum geschaffen ist, in dem ein Strom G eines Kühlmediums stattfinden kann. Bei dem Kühlmedium kann es sich um Luft handeln. Optionally, as also possible in all other embodiments, is located on one of the LED chips 2 opposite side of the reflector 5 a cooling device nine , According to 5 is the cooling device nine formed by a heat sink. According to the 6 and 7 is the cooling device nine the semiconductor light 1 realized in that a gap is created in which a stream G of a cooling medium can take place. The cooling medium may be air.

Weiterhin sind gemäß den 6 und 7 die Leuchtdiodenchips 2 elektrisch kontaktiert, wie in Verbindung mit 3 beschrieben. Die Halbleiterleuchte 1 umfasst ferner einen strahlungsdurchlässigen Verguss 6, wie in Verbindung mit 1 erläutert. Furthermore, according to the 6 and 7 the LED chips 2 electrically contacted, as in connection with 3 described. The semiconductor light 1 further comprises a radiation-permeable potting 6 , as in connection with 1 explained.

Die Halbleiterleuchte 1 gemäß 7 weist ein Trägersubstrat 4 auf, das Mikrolinsen 8 beinhaltet. Bei den Mikrolinsen 8 kann es sich um Sammellinsen handeln. Jedem der Leuchtdiodenchips 2 ist eine der Mikrolinsen 8 nachgeordnet. The semiconductor light 1 according to 7 has a carrier substrate 4 on, the microlenses 8th includes. With the microlenses 8th they can be collective lenses. Each of the LED chips 2 is one of the microlenses 8th downstream.

Gemäß 8 befindet sich über den Oberseiten 20 der Leuchtdiodenchips 2 die Kühlvorrichtung 9 in Form eines Kühlkörpers. Der Kühlkörper 9 kann für eine von den Leuchtdiodenchips 2 erzeugte Strahlung reflektierend sein. Bevorzugt jedoch befindet sich zwischen dem Kühlkörper 9 und den Leuchtdiodenchips 2 der Reflektor 5, in 8 nicht gezeichnet.According to 8th is located above the topsides 20 the LED chips 2 the cooling device nine in the form of a heat sink. The heat sink nine can for one of the LED chips 2 be reflected radiation generated. Preferably, however, is located between the heat sink nine and the LED chips 2 the reflector 5 , in 8th not drawn.

Das Ausführungsbeispiel der Halbleiterleuchte 1 gemäß 9 ist dazu eingerichtet, Strahlung entlang zweier Hauptabstrahlrichtungen H zu emittieren, wobei die Hauptabstrahlrichtungen H jeweils senkrecht zu der Montageseite 40 orientiert sind und voneinander weg weisen. Die Kontakteinrichtung 3 ist beispielsweise gemäß 3 geformt. Die Halbleiterleuchte 1 ist frei von einem Reflektor. Zum Schutz der Leuchtdiodenchips 2 sind diese bevorzugt von der Abdeckschicht 46 umgeben. Abweichend von der Darstellung gemäß 9 ist es auch möglich, dass die Leuchtdiodenchips 2 in Ausnehmungen in dem Trägersubstrat 4 angebracht sind, vergleiche 2. The embodiment of the semiconductor light 1 according to nine is adapted to emit radiation along two main emission directions H, the main emission directions H being perpendicular to the mounting side 40 are oriented and point away from one another. The contact device 3 is for example according to 3 shaped. The semiconductor light 1 is free from a reflector. To protect the LED chips 2 these are preferred by the cover layer 46 surround. Deviating from the illustration according to nine it is also possible that the LED chips 2 in recesses in the carrier substrate 4 are attached, compare 2 ,

Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist es möglich, dass das Trägersubstrat 4 klarsichtig ist oder auch streuend für im Betrieb der Halbleiterleuchte 1 erzeugte Strahlung wirkt. Beispielsweise sind dann dem Trägersubstrat 4 und/oder dem Verguss 6 und/oder der Abdeckschicht 46 Streupartikel, beispielsweise aus Titandioxid, beigegeben. Ebenso ist es möglich, dass eine der Montageseite 40 abgewandte Vorderseite des Trägersubstrats 4 und/oder die Montageseite und/oder eine dem Trägersubstrat 4 abgewandte Seite der Abdeckschicht 46 und/oder des weiteren Trägers 4b eine Aufrauung zur Streuung und zur Verbesserung einer Lichtauskoppeleffizienz ausgeformt ist. Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass dem Trägersubstrat 4 und/oder der Abdeckschicht 46 und/oder dem weiteren Träger 4b das Konversionselement 7 oder optische Filtermittel beigegeben sind.As in all other embodiments, it is possible that the carrier substrate 4 is clear or scattering for in the operation of the semiconductor light 1 generated radiation acts. For example, then the carrier substrate 4 and / or the casting 6 and / or the cover layer 46 Scattering particles, for example of titanium dioxide, added. It is also possible that one of the mounting side 40 remote front side of the carrier substrate 4 and / or the mounting side and / or a carrier substrate 4 opposite side of the cover 46 and / or the further carrier 4b a roughening for scattering and improving a Lichtauskoppeleffizienz is formed. Alternatively or additionally, it is possible for the carrier substrate 4 and / or the cover layer 46 and / or the other carrier 4b the conversion element 7 or optical filter media are added.

Die Halbleiterleuchte weist, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, bevorzugt mindestens 100 oder mindestens 400 der Leuchtdiodenchips 2 auf. Laterale Abmessungen eines Bereichs, in dem die Leuchtdiodenchips 2 zweidimensional verteilt sind, betragen bevorzugt mindestens 3 × 3 cm2 oder mindestens 10 × 10 cm2. Die Halbleiterleuchte 1 kann als Flächenstrahler und/oder als so genannte Lichtkachel eingesetzt werden. As in all other exemplary embodiments, the semiconductor light preferably has at least 100 or at least 400 of the light-emitting diode chips 2 on. Lateral dimensions of a region in which the LED chips 2 are distributed in two dimensions, are preferably at least 3 × 3 cm 2 or at least 10 × 10 cm 2 . The semiconductor light 1 can be used as a surface radiator and / or as a so-called light tile.

Eine Abstrahlcharakteristik kann über das gesamte Trägersubstrat 4 hinweg weitestgehend homogen sein, so dass die einzelnen Leuchtdiodenchips 2 von einem Betrachter nicht als Punktlichtquellen einzeln wahrgenommen werden. Insbesondere weisen die Leuchtdiodenchips 2 eine Größe auf, beispielsweise mit Kantenlängen von kleiner 200 µm, so dass die Leuchtdiodenchips 2 vom menschlichen Auge ohne Hilfsmittel hinsichtlich ihrer geometrischen Größe nicht auflösbar sind. Alternativ ist es möglich, dass die Leuchtdiodenchips 2 einem Betrachter als einzelne Punktlichtquellen erscheinen, die rasterartig angeordnet sein können.A radiation characteristic can over the entire carrier substrate 4 be largely homogeneous, so that the individual LED chips 2 not be perceived by a viewer as point light sources individually. In particular, the light-emitting diode chips have 2 a size, for example, with edge lengths of less than 200 microns, so that the LED chips 2 are not resolvable by the human eye without aids in terms of their geometric size. Alternatively, it is possible that the LED chips 2 Appear to a viewer as a single point light sources, which can be arranged in a grid.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention described here is not limited by the description based on the embodiments. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

Claims (14)

Halbleiterleuchte (1) mit – mindestens einem Trägersubstrat (4) mit einer Montageseite (40), – einer Mehrzahl von Leuchtdiodenchips (2), die an der Montageseite (40) des Trägersubstrats (4) angebracht sind, – einer elektrischen Kontakteinrichtung (3), die sich mindestens mittelbar auf dem Trägersubstrat (4) befindet und über die die Leuchtdiodenchips (2) elektrisch kontaktiert sind, wobei das Trägersubstrat (4) durchlässig für eine von den Leuchtdiodenchips (2) erzeugte Strahlung ist. Semiconductor lamp ( 1 ) with - at least one carrier substrate ( 4 ) with a mounting side ( 40 ), - a plurality of light-emitting diode chips ( 2 ) on the mounting side ( 40 ) of the carrier substrate ( 4 ), - an electrical contact device ( 3 ), which at least indirectly on the carrier substrate ( 4 ) and via which the LED chips ( 2 ) are electrically contacted, wherein the carrier substrate ( 4 ) permeable to one of the light-emitting diode chips ( 2 ) is generated radiation. Halbleiterleuchte (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, die ferner einen elektrisch leitfähigen Reflektor (5) umfasst, wobei sich der Reflektor (5) über der Montagefläche (40) abgewandte Oberseiten (20) der Leuchtdiodenchips (2) erstreckt und die Oberseiten (20) zu mindestens 60 % bedeckt, und wobei der Reflektor (5) zu der Kontakteinrichtung (4) strukturiert ist und die Leuchtdiodenchips (2) mittels des Reflektors (5) elektrisch kontaktiert und verschaltet sind. Semiconductor lamp ( 1 ) according to the preceding claim, further comprising an electrically conductive reflector ( 5 ), wherein the reflector ( 5 ) above the mounting surface ( 40 ) facing away from top ( 20 ) of the LED chips ( 2 ) and the tops ( 20 ) is at least 60% covered, and wherein the reflector ( 5 ) to the contact device ( 4 ) and the LED chips ( 2 ) by means of the reflector ( 5 ) are electrically contacted and interconnected. Halbleiterleuchte (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Montagefläche (40) in einem Montagebereich, in dem die Leuchtdiodenchips (2) angebracht sind, eben geformt ist, wobei sich an Flanken (25) der Leuchtdiodenchips (2) ein strahlungsdurchlässiger Verguss (6) befindet, der im Querschnitt dreieckartig geformt ist, und wobei der Reflektor (5) sich formschlüssig über den Verguss (6) erstreckt, so dass an den Flanken (25) aus den Leuchtdiodenchips (2) austretende Strahlung mindestens zum Teil in Richtung hin zu dem Trägersubstrat (4) reflektiert wird. Semiconductor lamp ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the mounting surface ( 40 ) in a mounting area in which the LED chips ( 2 ) are just formed, wherein on flanks ( 25 ) of the LED chips ( 2 ) a radiation-permeable potting ( 6 ), which is triangular in cross-section, and wherein the reflector ( 5 ) form fit over the potting ( 6 ) so that on the flanks ( 25 ) from the light-emitting diode chips ( 2 ) emerging radiation at least in part towards the carrier substrate ( 4 ) is reflected. Halbleiterleuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Trägersubstrat (4) an der Montageseite (40) Ausnehmungen (42) aufweist, wobei in jeder der Ausnehmungen (42) einer oder mehrere der Leuchtdiodenchips (2) angeordnet sind, und wobei sich der als Kontakteinrichtung (3) ausgeformte Reflektor (5) mindestens teilsweise über die Ausnehmungen (42) erstreckt und die Leuchtdiodenchips (2) mittels des Reflektors (5) elektrisch kontaktiert und verschaltet sind. Semiconductor lamp ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the carrier substrate ( 4 ) on the mounting side ( 40 ) Recesses ( 42 ), wherein in each of the recesses ( 42 ) one or more of the light-emitting diode chips ( 2 ) are arranged, and wherein the as a contact device ( 3 ) shaped reflector ( 5 ) at least partially via the recesses ( 42 ) and the LED chips ( 2 ) by means of the reflector ( 5 ) are electrically contacted and interconnected. Halbleiterleuchte (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Leuchtdiodenchips (2) in den Ausnehmungen (42) mit einem Klebeverguss (44) befestigt sind, wobei sich der Klebeverguss (44) über Kanten an den Oberseiten (20) und teilweise über die Oberseiten (20) der Leuchtdiodenchips (2) erstreckt und die Kontakteinrichtung (3) mindestens stellenweise auf dem Klebeverguss (44) angebracht ist. Semiconductor lamp ( 1 ) according to the preceding claim, in which the light-emitting diode chips ( 2 ) in the recesses ( 42 ) with an adhesive seal ( 44 ), whereby the adhesive potting ( 44 ) over edges on the topsides ( 20 ) and partly over the topsides ( 20 ) of the LED chips ( 2 ) and the contact device ( 3 ) at least in places on the adhesive potting ( 44 ) is attached. Halbleiterleuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mindestens ein Teil der Leuchtdiodenchips (2) je mittels zwei Bonddrähten (35) an den Oberseiten (20) elektrisch kontaktiert ist, wobei diese Leuchtdiodenchips (2) und die Bonddrähte (35) vollständig in einen strahlungsdurchlässigen Verguss (6), der sich über die Montageseite (40) erstreckt, eingebettet sind. Semiconductor lamp ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which at least a part of the light-emitting diode chips ( 2 ) by means of two bonding wires ( 35 ) on the topsides ( 20 ) is electrically contacted, these LED chips ( 2 ) and the bonding wires ( 35 ) completely into a radiation-permeable encapsulation ( 6 ), which extends over the mounting side ( 40 ) are embedded. Halbleiterleuchte (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem auf einer dem Trägersubstrat (4) abgewandten Rückseite (60) des Vergusses (6) der Reflektor (5) formschlüssig aufgebracht ist. Semiconductor lamp ( 1 ) according to the preceding claim, in which on a said carrier substrate ( 4 ) facing away from the back ( 60 ) of the potting ( 6 ) the reflector ( 5 ) is positively applied. Halbleiterleuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Montageseite (40) des Trägersubstrats (4) großflächig mit einer strahlungsdurchlässigen, elektrisch leitfähigen Schicht (38) versehen ist, wobei in die leitfähige Schicht (38) Leiterbahnen der Kontakteinrichtung (3) strukturiert sind und die Leuchtdiodenchips (2) auf der leitfähigen Schicht (38) angebracht sind. Semiconductor lamp ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the mounting side ( 40 ) of the carrier substrate ( 4 ) over a large area with a radiation-transmissive, electrically conductive layer ( 38 ), wherein in the conductive layer ( 38 ) Conductor tracks of the contact device ( 3 ) are structured and the LED chips ( 2 ) on the conductive layer ( 38 ) are mounted. Halbleiterleuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die mindestens 100 der Leuchtdiodenchips (2) umfasst, wobei die Leuchtdiodenchips (2) in einer zweidimensionalen Anordnung auf der Montageseite (40) angebracht sind und ein mittlerer Abstand (d) zwischen benachbarten Leuchtdiodenchips (2) mindestens ein 2,5-Faches einer mittleren Kantenlänge der Leuchtdiodenchips (2) beträgt und die mittlere Kantenlänge zwischen einschließlich 50 µm und 1,5 mm liegt.Semiconductor lamp ( 1 ) according to one of the preceding claims, comprising at least 100 of the light-emitting diode chips ( 2 ), wherein the LED chips ( 2 ) in a two-dimensional arrangement on the mounting side ( 40 ) and a mean distance (d) between adjacent light-emitting diode chips ( 2 ) at least a 2.5 times a mean edge length of the LED chips ( 2 ) and the average edge length is between 50 μm and 1.5 mm inclusive. Halbleiterleuchte (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Abstand (d) zwischen einschließlich 0,5 mm und 15 mm liegt. Semiconductor lamp ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the distance (d) is between 0.5 mm and 15 mm inclusive. Halbleiterleuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich an einer Vorderseite des Trägersubstrats (4), wobei die Vorderseite der Montageseite (40) gegenüber liegt, ein Konversionselement (7) befindet, das sich durchgehend und flächig und mit einer konstanten Dicke über einen Bereich erstreckt, in dem die Leuchtdiodenchips (2) verteilt sind, in Draufsicht auf die Vorderseite gesehen, wobei sich das Konversionselement (7) zwischen dem Trägersubstrat (4) und einem weiteren Träger (4b) befindet.Semiconductor lamp ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which on a front side of the carrier substrate ( 4 ), the front of the mounting side ( 40 ), a conversion element ( 7 ), which extends continuously and flatly and with a constant thickness over a region in which the light-emitting diode chips ( 2 ), seen in plan view of the front, wherein the conversion element ( 7 ) between the carrier substrate ( 4 ) and another carrier ( 4b ) is located. Halbleiterleuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Trägersubstrat (4) und/oder der weitere Träger (4a) Mikrolinsen (8) umfasst, wobei jedem der Leuchtdiodenchips (2) genau eine der Mikrolinsen (8) des Trägersubstrats (4) und/oder des weiteren Trägers (4a) zugeordnet ist. Semiconductor lamp ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the carrier substrate ( 4 ) and / or the further carrier ( 4a ) Microlenses ( 8th ), each of the light-emitting diode chips ( 2 ) exactly one of the microlenses ( 8th ) of the carrier substrate ( 4 ) and / or the further carrier ( 4a ) assigned. Halbleiterleuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich die Leuchtdiodenchips (2) zwischen dem Trägersubstrat (4) und einer strahlungsdurchlässigen Abdeckschicht (46) befinden, wobei die Halbleiterleuchte (1) dazu eingerichtet ist, die von den Leuchtdiodenchips (2) erzeugte Strahlung an zwei einander gegenüber liegenden Hauptseiten zu emittieren.Semiconductor lamp ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the light-emitting diode chips ( 2 ) between the carrier substrate ( 4 ) and a radiation-permeable cover layer ( 46 ), wherein the semiconductor light ( 1 ) is adapted to the of the light-emitting diode chips ( 2 ) to emit radiation generated on two opposite main sides. Halbleiterleuchte (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die mindestens eine Kühlvorrichtung (9) umfasst, die sich an einer der Montageseite (40) abgewandten Seite der Leuchtdiodenchips (2) befindet, wobei zwischen der Kühlvorrichtung (9) und den Leuchtdiodenchips (2) der Reflektor (5) angeordnet ist. Semiconductor lamp ( 1 ) according to one of the preceding claims, which comprises at least one cooling device ( nine ) located on one of the mounting side ( 40 ) facing away from the LED chips ( 2 ), wherein between the cooling device ( nine ) and the LED chips ( 2 ) the reflector ( 5 ) is arranged.
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