Die Erfindung betrifft ein optisches Bauelement. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Beleuchtungsoptik zur Führung von Beleuchtungsstrahlung zu einem Beleuchtungsfeld, ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik. Schließlich betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils und ein derart hergestelltes Bauteil. The invention relates to an optical component. The invention further relates to an illumination optics for guiding illumination radiation to an illumination field, to an illumination system having such illumination optics, and to an optical system having such illumination optics. Finally, the invention relates to a projection exposure apparatus, a method for producing a micro- or nanostructured component and a component produced in this way.
Ein optisches Bauelement mit einer Vielzahl von Einzelspiegeln ist aus der WO 2009/100 856 A1 bekannt. An optical device with a plurality of individual mirrors is from the WO 2009/100 856 A1 known.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein derartiges Bauelement zu verbessern. It is an object of the present invention to improve such a device.
Diese Aufgabe ist durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. This object is solved by the features of claim 1.
Der Kern der Erfindung besteht darin, einen Teilbereich einer Auswahl von Einzelspiegeln nicht-reflektierend, das heißt strahlungsabsorbierend, auszubilden. The essence of the invention is to form a subregion of a selection of individual mirrors non-reflecting, that is, radiation-absorbing.
Hierdurch ist es möglich, die Form einer aus Reflexionsflächen einer Vielzahl von Einzelspiegel zusammengesetzten Gruppen-Reflexionsfläche beliebig an eine vorgegebene Form anzupassen. Die Gruppen-Reflexionsfläche kann insbesondere gekrümmt ausgebildet sein. Sie weist vorzugsweise einen glatten Rand auf. Der Rand der Gruppen-Reflexionsfläche kann insbesondere unabhängig von der diskreten Zusammensetzung, insbesondere Parkettierung derselben, durch die Einzelspiegel ausgebildet sein. Unter einer glatten Berandung sei hierbei insbesondere verstanden, dass die Berandung Lipschitz-stetig ist, wobei unter einer Lipschitz-stetigen Berandung eine solche verstanden sein soll, deren Form durch eine Lipschitz-stetige Funktion beschreibbar ist. Sie kann insbesondere eine Lipschitz-Konstante von höchsten 0,5, insbesondere höchsten 0,35 aufweisen. This makes it possible to arbitrarily adapt the shape of a group reflecting surface composed of reflecting surfaces of a plurality of individual mirrors to a predetermined shape. The group reflection surface may in particular be curved. It preferably has a smooth edge. In particular, the edge of the group reflection surface can be formed by the individual mirrors independently of the discrete composition, in particular its tiling. A smooth boundary here means, in particular, that the boundary is Lipschitz continuous, whereby a Lipschitz continuous boundary should be understood as one whose shape can be described by a Lipschitz continuous function. In particular, it can have a Lipschitz constant of at most 0.5, in particular at the highest 0.35.
Hierdurch kann insbesondere die Uniformität der Beleuchtung eines Objektfeldes verbessert werden. In this way, in particular the uniformity of the illumination of an object field can be improved.
Der strahlungsabsorbierende Teilbereich kann beispielsweise durch aufbringen einer absorbierenden Beschichtung auf einen Auswahl der Einzelspiegel erreicht werden. Als absorbierende Beschichtung kann insbesondere eine sogenannte Anti-Reflex-Schicht (AR-Schicht) dienen. The radiation-absorbing subregion can be achieved, for example, by applying an absorbent coating to a selection of the individual mirrors. In particular, a so-called anti-reflection layer (AR layer) can serve as the absorbing coating.
Die strahlungsabsorbierenden Teilbereiche sind jeweils derart auf den Einzelspiegeln angeordnet, dass sie randseitig bezüglich einer der Gruppen-Reflexionsflächen angeordnet sind. Sie sind insbesondere umlaufend zu einer der Gruppen-Reflexionsflächen angeordnet. Hierdurch ist es möglich, die Gruppen-Reflexionsflächen mit einer vorbestimmten Berandung zu versehen. Die Gruppen-Reflexionsflächen können somit sehr präzise eine weitestgehend beliebige Form annehmen. The radiation-absorbing partial regions are each arranged on the individual mirrors in such a way that they are arranged at the edge with respect to one of the group reflection surfaces. They are in particular arranged circumferentially to one of the group reflection surfaces. This makes it possible to provide the group reflection surfaces with a predetermined boundary. The group reflection surfaces can thus very precisely take on a largely arbitrary shape.
Es ist insbesondere möglich, die strahlungsabsorbierenden Teilbereiche derart auszubilden, dass die Gruppen-Reflexionsflächen gekrümmt ausgebildet sind. Sie weisen allgemein jeweils mindestens einen, insbesondere zwei, insbesondere einander gegenüberliegende, bogenförmige Randabschnitte auf. Die Randabschnitte sind vorzugsweise zumindest in einer bestimmten Verlagerungsstellung der Einzelspiegel glatt ausgebildet. Mit Hilfe der strahlungsabsorbierenden Teilbereiche ist es insbesondere möglich zu erreichen, dass die Gruppen-Reflexionsflächen trotz deren diskreter Zusammensetzung aus Einzelspiegeln keinen gezackten, sondern einen glatten Rand aufweisen. Dies ist auch dann möglich, wenn sämtliche Einzelspiegel identische Abmessungen aufweisen. Die Einzelspiegel können insbesondere rechteckig, vorzugsweise quadratisch ausgebildet sein. Dies erleichtert ihre Herstellung. Sie sind allgemein derart ausgebildet, dass die Reflexionsfläche des optischen Bauelements mit ihnen parkettierbar ist. In particular, it is possible to form the radiation-absorbing subregions in such a way that the group reflection surfaces are curved. They generally each have at least one, in particular two, in particular opposing, arcuate edge portions. The edge portions are preferably formed smooth at least in a certain displacement position of the individual mirror. With the aid of the radiation-absorbing subregions, it is possible, in particular, to achieve that the group reflection surfaces, despite their discrete composition of individual mirrors, have no serrated edge but a smooth edge. This is possible even if all individual mirrors have identical dimensions. The individual mirrors may in particular be rectangular, preferably square. This facilitates their production. They are generally designed such that the reflection surface of the optical component can be parked with them.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wurde erkannt, dass es vorteilhaft sein kann, die Einzelspiegel verdreht zur Ausrichtung der Gruppen-Reflexionsflächen anzuordnen. Die Gruppen-Reflexionsflächen weisen üblicherweise ein Aspektverhältnis von mindestens 6:1 auf. Sie sind insbesondere rechteckig oder gekrümmt ausgebildet. Auch bei einer gekrümmten Ausbildung der Gruppen-Reflexionsflächen definieren diese eine ausgezeichnete Längs- und eine Querrichtung. Die Einzelspiegel sind jeweils derart angeordnet, dass ihre Seiten einen Winkel b von mindestens 10° mit der Querrichtung einschließen. Der Winkel b kann beispielsweise 45° betragen. According to a further aspect of the invention, it has been recognized that it may be advantageous to arrange the individual mirrors twisted to align the group reflection surfaces. The group reflection surfaces usually have an aspect ratio of at least 6: 1. They are in particular rectangular or curved. Even with a curved formation of the group reflection surfaces, these define an excellent longitudinal and a transverse direction. The individual mirrors are each arranged such that their sides enclose an angle b of at least 10 ° with the transverse direction. The angle b can be for example 45 °.
Für den Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage ist es vorteilhaft, wenn die Einzelspiegel EUV-reflektierend ausgebildet sind. Sie weisen insbesondere zumindest bereichsweise eine EUV-reflektierende Beschichtung auf. Sie können auch auf ihrer gesamten Vorderseite mit einer EUV-reflektierenden Beschichtung versehen sein. Auf diese kann die strahlungsabsorbierende Beschichtung aufgebracht sein. For use in a projection exposure apparatus, it is advantageous if the individual mirrors are designed to be EUV-reflecting. In particular, they have, at least in certain areas, an EUV-reflecting coating. They can also be provided with an EUV-reflective coating on their entire front. On this, the radiation-absorbing coating can be applied.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die Mehrzahl der Einzelspiegel-Gruppen jeweils mindestens einen Einzelspiegel mit einem strahlungsabsorbierenden Teilbereich umfasst. Insbesondere mindestens 75 %, insbesondere mindestens 90 %, insbesondere sämtliche Einzelspiegel-Gruppen können mindestens einen, insbesondere mehrere, insbesondere mindestens zehn, insbesondere mindestens 20, insbesondere mindestens 50 Einzelspiegel mit einem strahlungsabsorbierenden Teilbereich aufweisen. Hierdurch ist es insbesondere möglich, dass die Gruppen-Reflexionsflächen der Einzelspiegel-Gruppen abgesehen von einer möglichen Skalierung alle dieselbe Form aufweisen. Sie können insbesondere alle zumindest entlang ihrer Längsseiten einen glatten Rand aufweisen. It is preferably provided that the plurality of individual-mirror groups each comprise at least one individual mirror with a radiation-absorbing partial area. Especially At least 75%, in particular at least 90%, in particular all individual-mirror groups may have at least one, in particular several, in particular at least ten, in particular at least 20, in particular at least 50 individual mirrors with a radiation-absorbing subregion. This makes it possible, in particular, for the group reflection surfaces of the individual mirror groups to have all the same shape apart from a possible scaling. In particular, they can all have a smooth edge, at least along their longitudinal sides.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung kann eine glatte Berandung der Gruppen-Reflexionsflächen auch durch eine Abdeckung nach Art einer Blende erreicht werden. Es kann insbesondere vorgesehen sein, das optische Bauelement mit einer Blendenvorrichtung zur Definition einer Berandung der Gruppen-Reflexionsflächen zu versehen. Die Blendenvorrichtung kann eine oder mehrere Durchlassöffnungen aufweisen. Die Anzahl der Blendenöffnungen kann insbesondere der gewünschten Anzahl der auszubildenden Feldfacetten entsprechen. Die Blendenvorrichtung kann austauschbar sein. Es ist auch möglich, die Blendenvorrichtung als separates Bauelement auszubilden. Sie kann in diesem Fall flexibel vor dem optischen Bauelement positioniert werden.According to a further aspect of the invention, a smooth boundary of the group reflection surfaces can also be achieved by a cover in the manner of a diaphragm. It can be provided in particular to provide the optical component with a diaphragm device for defining a boundary of the group reflection surfaces. The diaphragm device may have one or more passage openings. The number of apertures can correspond in particular to the desired number of field facets to be formed. The aperture device can be interchangeable. It is also possible to form the diaphragm device as a separate component. In this case, it can be flexibly positioned in front of the optical component.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Beleuchtungsoptik zur Führung von Beleuchtungsstrahlung zu einem Beleuchtungsfeld und ein entsprechendes Beleuchtungssystem zu verbessern. Diese Aufgaben werden durch die Merkmale der Ansprüche 10 und 13 gelöst. Die Vorteile entsprechen den vorhergehend beschriebenen. Bei der Beleuchtungsstrahlung kann es sich insbesondere um EUV-Strahlung handeln. Another object of the invention is to improve a lighting optical system for guiding illumination radiation to a lighting field and a corresponding lighting system. These objects are achieved by the features of claims 10 and 13. The advantages are the same as those described above. The illumination radiation may in particular be EUV radiation.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein optisches System und eine Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern. Diese Aufgaben werden durch die Merkmale der Ansprüche 14 und 15 gelöst. Bezüglich der Vorteile sei wiederum auf die vorgehend beschriebenen verwiesen. Another object of the invention is to improve an optical system and a projection exposure apparatus. These objects are achieved by the features of claims 14 and 15. With regard to the advantages, reference is again made to those described above.
Weitere Aufgaben der Erfindung bestehen darin, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils und ein entsprechendes Bauteil zu verbessern. Diese Aufgaben werden durch die Merkmale der Ansprüche 16 und 17 gelöst. Further objects of the invention are to improve a method for producing a micro- or nanostructured component and a corresponding component. These objects are achieved by the features of claims 16 and 17.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. Show it:
1 schematisch einen Meridionalschnitt durch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie; 1 schematically a meridional section through a projection exposure system for EUV projection lithography;
2 schematisch eine Aufsicht auf einen Ausschnitt eines aus Einzelspiegel aufgebauten Feldfacettenspiegel zum Einsatz in der Projektionsbelichtungsanlage nach 1; 2 schematically a plan view of a section of a built-up from individual mirror field facet mirror for use in the projection exposure system according to 1 ;
3 eine Ansicht eines Ausschnitts einer Einzelspiegel-Zeile des Facettenspiegels nach 2 aus Blickrichtung III in 2; 3 a view of a section of a single mirror row of facet mirror behind 2 from viewing direction III in 2 ;
4 stark schematisch eine Aufsicht auf einen Ausschnitt einer Ausführung eines aus Einzelspiegeln aufgebauten Feldfacettenspiegels; und 4 very schematically a plan view of a section of an embodiment of a built-up of individual mirrors Feldfacettenspiegels; and
5 eine Detailansicht einer aus Einzelspiegeln gebildeten Feldfacette des Spiegels gemäß 4. 5 a detailed view of a field facet formed from individual mirrors of the mirror according to 4 ,
1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikro-Lithographie. Zur Projektionsbelichtungsanlage 1 gehört eine Strahlungsquelle 2. Ein Beleuchtungssystem 3 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines mit einem Objektfeld 5 zusammenfallenden Beleuchtungsfeldes in einer Objektebene 6. Das Beleuchtungsfeld kann auch größer sein als das Objektfeld 5. Hierbei trägt außerhalb des Objektfeldes 5 fallende Strahlung nicht zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 bei. Belichtet wird hierbei ein Objekt in Form eines im Objektfeld 5 angeordneten Retikels 7, das von einem Objekt- beziehungsweise Retikelhalter 8 gehalten ist. Der Objekthalter 8 ist über einen Objektverlagerungsantrieb 9 längs einer Verlagerungsrichtung verlagerbar. Eine Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem ebenfalls nicht dargestellten Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über eine Waferverlagerungsantrieb 15 synchronisiert zum Objekthalter 8 ebenfalls längs der Verlagerungsrichtung verlagerbar. 1 schematically shows in a meridional section a projection exposure system 1 for micro-lithography. To the projection exposure system 1 belongs to a radiation source 2 , A lighting system 3 the projection exposure system 1 has a lighting look 4 to expose one with an object field 5 coincident illumination field in an object plane 6 , The illumination field can also be larger than the object field 5 , This carries outside of the object field 5 falling radiation not for imaging the object field 5 in a picture field 11 at. An object in the form of an object field is exposed in this case 5 arranged reticle 7 that of an object or reticle holder 8th is held. The object holder 8th is about a object displacement drive 9 displaceable along a displacement direction. A projection optics 10 serves to represent the object field 5 in a picture field 11 in an image plane 12 , A structure is shown on the reticle 7 on a photosensitive layer in the area of the image field 11 in the picture plane 12 arranged wafers 13 , The wafer 13 is from a wafer holder, also not shown 14 held. The wafer holder 14 is about a wafer displacement drive 15 synchronized to the object holder 8th also displaceable along the displacement direction.
Bei der Strahlungsquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gasdischarge-produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser-produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron oder auf einem freien Elektronenlaser (FEL) basiert, ist für die Strahlungsquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise aus der US 6,859,515 B2 . EUV-Strahlung 16, die von der Strahlungsquelle 2 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 17 propagiert die EUV-Strahlung 16 durch eine Zwischenfokusebene 18, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 19 trifft. Der Feldfacettenspiegel 19 ist ein erster Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 4. Der Feldfacettenspiegel 19 hat eine Vielzahl von Einzelspiegeln, die in der 1 nicht dargestellt sind. Der Feldfacettenspiegel 19 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist. At the radiation source 2 It is an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. It can be a plasma source, for example a GDPP source (plasma generation by gas discharge, gasdischarge-produced plasma) or an LPP source. Source (plasma generation by laser, laser-produced plasma) act. Also, a radiation source based on a synchrotron or on a free electron laser (FEL) is for the radiation source 2 used. Information about such a radiation source is the expert, for example from the US Pat. No. 6,859,515 B2 , EUV radiation 16 coming from the radiation source 2 is going out of a collector 17 bundled. A corresponding collector is from the EP 1 225 481 A known. After the collector 17 propagates the EUV radiation 16 through an intermediate focus level 18 before moving to a field facet mirror 19 meets. The field facet mirror 19 is a first facet mirror of the illumination optics 4 , The field facet mirror 19 has a variety of individual mirrors in the 1 are not shown. The field facet mirror 19 is in a plane of illumination optics 4 arranged to the object level 6 is optically conjugated.
Die EUV-Strahlung 16 wird nachfolgend auch als Beleuchtungsstrahlung, Beleuchtungslicht oder Abbildungslicht bezeichnet. The EUV radiation 16 is hereinafter also referred to as illumination radiation, illumination light or imaging light.
Nach dem Feldfacettenspiegel 19 wird die EUV-Strahlung 16 von einem Pupillenfacettenspiegel 20 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist ein zweiter Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 4. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Zwischenfokusebene 18 und zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist oder mit dieser Pupillenebene zusammenfällt. Der Pupillenfacettenspiegel 20 hat eine Mehrzahl von Pupillenfacetten, die in der 1 nicht dargestellt sind. Mit Hilfe der Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 20 und einer nachfolgenden abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 21 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs bezeichneten Spiegeln 22, 23 und 24 werden durch nachfolgend noch näher beschriebene Einzelspiegel-Gruppen 34 (vgl. 4 und 5) des Feldfacettenspiegels 19, welche jeweils zusammen eine Gruppen-Reflexionsfläche 36 aufweisen, gebildete Feldfacetten 38 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 24 der Übertragungsoptik 21 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing Incidence-Spiegel“).After the field facet mirror 19 becomes the EUV radiation 16 from a pupil facet mirror 20 reflected. The pupil facet mirror 20 is a second facet mirror of the illumination optics 4 , The pupil facet mirror 20 is in a pupil plane of the illumination optics 4 arranged to the Zwischenfokusebene 18 and to a pupil plane of the projection optics 10 is optically conjugated or coincides with this pupil plane. The pupil facet mirror 20 has a plurality of pupil facets in the 1 are not shown. With the help of the pupil facets of the pupil facet mirror 20 and a subsequent imaging optical assembly in the form of a transmission optics 21 with mirrors in the order of the beam path 22 . 23 and 24 are described by individual mirror groups described in more detail below 34 (see. 4 and 5 ) of the field facet mirror 19 , which each together form a group reflection surface 36 have formed field facets 38 in the object field 5 displayed. The last mirror 24 the transmission optics 21 is a grazing incidence mirror.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der 1 ein kartesisches xyz-Koordinatensystem als globales Koordinatensystem für die Beschreibung der Lageverhältnisse von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 eingezeichnet. Hierbei ist die z-Richtung jeweils parallel zur optischen Achse, das heißt zur zentralen Hauptstrahlrichtung ausgerichtet. Die x-Richtung verläuft in 1 senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung ist in der 1 nach rechts laufend dargestellt. Sie ist im Bereich der Objektebene 6 parallel zur Verlagerungsrichtung des Objekthalters 8 und im Bereich der Bildebene 12 parallel zur Verlagerungsrichtung des Waferhalters 14. To facilitate the description of positional relationships is in the 1 a Cartesian xyz coordinate system as a global coordinate system for the description of the positional relationships of components of the projection exposure apparatus 1 between the object plane 6 and the picture plane 12 located. Here, the z-direction is in each case parallel to the optical axis, that is aligned to the central main radiation direction. The x-direction runs in 1 perpendicular to the drawing plane into this. The y direction is in the 1 shown running to the right. It is in the area of the object plane 6 parallel to the direction of displacement of the object holder 8th and in the area of the image plane 12 parallel to the direction of displacement of the wafer holder 14 ,
2 zeigt Details des prinzipiellen Aufbaus des Feldfacettenspiegels 19 in einer stark schematischen Darstellung. Eine gesamte Reflexionsfläche 25 des Feldfacettenspiegels 19 ist zeilen- und spaltenweise unterteilt in ein Raster aus Einzelspiegeln 26. Die Einzelspiegel-Reflexionsflächen 35 der individuellen Einzelspiegel 26 sind plan und weisen keine Krümmung auf. Die Einzelspiegel-Reflexionsflächen 35 sind jeweils durch eine EUV-reflektierende Beschichtung, insbesondere eine mehrlagige Beschichtung, gebildet. Allgemein weisen die Einzelspiegel 26 jeweils zumindest bereichsweise eine EUV-reflektierende Beschichtung auf. 2 shows details of the basic structure of the field facet mirror 19 in a very schematic representation. An entire reflection surface 25 of the field facet mirror 19 is divided into rows and columns into a grid of individual mirrors 26 , The single-mirror reflection surfaces 35 the individual individual mirror 26 are flat and have no curvature. The single-mirror reflection surfaces 35 are each formed by an EUV-reflective coating, in particular a multi-layer coating. Generally, the individual mirrors 26 each at least partially an EUV-reflective coating on.
Eine Einzelspiegel-Zeile 27 weist eine Mehrzahl der direkt nebeneinander liegenden Einzelspiegel 26 auf. In einer Einzelspiegel-Zeile 27 können mehrere zehn bis mehrere hundert der Einzelspiegel 26 vorgesehen sein. Im Beispiel nach 2 sind die Einzelspiegel 26 quadratisch. Auch andere Formen von Einzelspiegeln, die eine möglichst lückenlose Belegung der Reflexionsfläche 20 ermöglichen, können eingesetzt sein. Derartige alternative Einzelspiegel-Formen sind aus der mathematischen Theorie der Parkettierung bekannt. A single-mirror line 27 has a plurality of directly adjacent individual mirrors 26 on. In a single-mirror line 27 can be several tens to several hundred of the individual mirrors 26 be provided. In the example below 2 are the individual mirrors 26 square. Other forms of individual mirrors, the most complete occupation of the reflection surface 20 can be used. Such alternative single mirror shapes are known from the mathematical theory of tiling.
Eine Einzelspiegel-Spalte 28 hat, je nach Ausführung des Feldfacettenspiegels 19, ebenfalls eine Mehrzahl der Einzelspiegel 26. Pro Einzelspiegel-Spalte 28 sind beispielsweise einige zehn oder einige hundert der Einzelspiegel 26 vorgesehen. A single mirror column 28 has, depending on the design of the field facet mirror 19 , also a plurality of individual mirrors 26 , Per single-mirror column 28 are, for example, a few tens or a few hundred of the individual levels 26 intended.
In x-Richtung hat die Reflexionsfläche 25 des Feldfacettenspiegels 19 eine Erstreckung von x0. In y-Richtung hat die Reflexionsfläche 25 des Feldfacettenspiegels 13 eine Erstreckung von y0. In the x-direction has the reflection surface 25 of the field facet mirror 19 an extension of x 0 . In the y-direction has the reflection surface 25 of the field facet mirror 13 an extension of y 0 .
Der gesamte Feldfacettenspiegel 19 hat eine x0/y0-Erstreckung, die je nach Ausführung beispielsweise 300 mm × 300 mm oder 600 mm × 600 mm beträgt. The entire field facet mirror 19 has an x 0 / y 0 extension which, depending on the design, is for example 300 mm × 300 mm or 600 mm × 600 mm.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der 2 ein kartesisches uvw-Koordinatensystem als lokales Koordinatensystem des Feldfacettenspiegels 19 eingezeichnet. In der 2 verläuft die u-Achse horizontal nach rechts parallel zu den Einzelspiegel-Zeilen 27. Die v-Achse läuft in der 2 nach oben parallel zu den Einzelspiegel-Spalten 28. Die w-Achse steht senkrecht auf der Zeichenebene der 2 und läuft aus dieser heraus.To facilitate the description of positional relationships is in the 2 a Cartesian uvw coordinate system as the local coordinate system of the field facet mirror 19 located. In the 2 the u-axis runs horizontally to the right parallel to the single-mirror lines 27 , The v-axis runs in the 2 upwards parallel to the individual mirror columns 28 , The w axis is perpendicular to the plane of the 2 and runs out of this.
Die y-Richtung des globalen Koordinatensystems nach 1, also die Verlagerungsrichtung für das Retikel 7 und den Wafer 13, und die v-Richtung des lokalen Koordinatensystems nach 2, also die Spaltenrichtung des Einzelspiegel-Arrays, verlaufen nicht parallel zueinander. Die Einzelspiegel 26 sind insbesondere gegen die zur Verlagerungsrichtung des Objekthalters 8 beziehungsweise des Waferhalters 14 parallelen y-Richtung verdreht. Hierunter sei verstanden, dass die Einzelspiegel 26 jeweils rechteckige Reflexionsflächen 25 aufweisen, deren Seiten einen Winkel b von mindestens 10° mit der y-Richtung einschließen. Der Winkel b kann insbesondere 45° betragen.The y direction of the global coordinate system after 1 , ie the direction of displacement for the reticle 7 and the wafer 13 , and the v direction of the local coordinate system 2 , So the column direction of the single mirror array, do not run parallel to each other. The individual mirrors 26 are in particular against the direction of displacement of the object holder 8th or the wafer holder 14 Twisted parallel y-direction. By this is understood that the individual mirror 26 each rectangular reflecting surfaces 25 have, whose Sides an angle b of at least 10 ° with the y-direction. The angle b may be in particular 45 °.
Je nach Ausführung des Feldfacettenspiegels 19 haben die Einzelspiegel 26 u/v-Erstreckungen im Bereich beispielsweise von 500 μm × 500 μm bis beispielsweise 2 mm × 2 mm. Die Einzelspiegel 26 weisen insbesondere identische Abmessungen auf. Sie sind vorzugsweise rechteckig, insbesondere quadratisch, ausgebildet, das heißt sie weisen jeweils eine rechteckige, insbesondere quadratische Einzelspiegel-Reflexionsfläche 35 auf. Allgemein ist die Einzelspiegel-Reflexionsfläche 35 derart ausgebildet, dass die Reflexionsfläche 25 des Feldfacettenspiegels 19 damit parkettierbar ist. Hierbei beträgt der Abstand zwischen zwei benachbarten Einzelspiegeln 26 höchstens 100 μm, insbesondere höchstens 50 μm, vorzugsweise höchstens 10 μm. Die Parkettierung der Reflexionsfläche 25 mit Einzelspiegeln 26 ist somit im Wesentlichen lückenlos, das heißt dicht. Prinzipiell kann vorgesehen sein, die Einzelspiegel 26 in Gruppen modulweise anzuordnen. Hierbei beträgt der Abstand zwischen zwei benachbarten Einzelspiegeln 26 aus unterschiedlichen Modulen vorzugsweise höchstens 500 μm, insbesondere höchstens 100 μm, insbesondere höchstens 50 μm, vorzugsweise höchstens 10 μm. Er kann jedoch auch größer sein. Der Abstand zwischen benachbarten Einzelspiegeln 26 unterschiedlicher Module sei im Folgenden vernachlässigt. Abgesehen von den Abständen zwischen zwei benachbarten Einzelspiegeln 26 sind die Gruppen-Reflexionsflächen 36 insbesondere zusammenhängend ausgebildet. Die Gruppen-Reflexionsflächen 36 sind abgesehen von den Abständen zwischen benachbarten Einzelspiegeln 26 insbesondere einfach zusammenhängend, das heißt nullhomotop ausgebildet. Depending on the version of the field facet mirror 19 have the individual mirrors 26 u / v extensions in the range, for example, of 500 μm × 500 μm to, for example, 2 mm × 2 mm. The individual mirrors 26 have in particular identical dimensions. They are preferably rectangular, in particular square, formed, that is, they each have a rectangular, in particular square single-mirror reflection surface 35 on. General is the single-mirror reflection surface 35 formed such that the reflection surface 25 of the field facet mirror 19 so that it can be parked. Here is the distance between two adjacent individual mirrors 26 at most 100 .mu.m, in particular at most 50 .mu.m, preferably at most 10 .mu.m. The tiling of the reflection surface 25 with individual mirrors 26 is thus essentially complete, that is dense. In principle, the individual mirrors can be provided 26 to be arranged in groups in groups. Here is the distance between two adjacent individual mirrors 26 from different modules, preferably at most 500 .mu.m, in particular at most 100 .mu.m, in particular at most 50 μm, preferably at most 10 μm. But it can be bigger too. The distance between adjacent individual mirrors 26 different modules will be neglected below. Apart from the distances between two adjacent individual mirrors 26 are the group reflection surfaces 36 especially coherently formed. The group reflection surfaces 36 are apart from the distances between adjacent individual mirrors 26 in particular simply coherent, that is formed nullhomotop.
Die Einzelspiegel 26 können so geformt sein, dass sie eine bündelnde Wirkung für das Beleuchtungslicht 16 haben. Eine derartige bündelnde Wirkung der Einzelspiegel 26 ist besonders beim Einsatz einer divergenten Beleuchtung des Feldfacettenspiegels 19 mit dem Beleuchtungslicht 16 von Vorteil. The individual mirrors 26 can be shaped to have a focusing effect on the illumination light 16 to have. Such a bundling effect of the individual mirror 26 especially when using a divergent illumination of the field facet mirror 19 with the illumination light 16 advantageous.
Jeder der Einzelspiegel 26 ist zur individuellen Ablenkung von auftreffendem Beleuchtungslicht 16 jeweils mit einem Aktor beziehungsweise Aktuator 29 verbunden, wie in der 2 anhand zweier in einer Ecke links unten der Reflexionsfläche 25 angeordneten Einzelspiegel 26 gestrichelt angedeutet und näher in der 3 anhand eines Ausschnitts einer Einzelspiegel-Zeile 27 dargestellt. Die Aktuatoren 29 sind auf der einer reflektierenden Seite der Einzelspiegel 26 abgewandten Seite jedes der Einzelspiegel 26 angeordnet. Die Aktuatoren 29 können beispielsweise als Piezo-Aktuatoren ausgeführt sein. Ausgestaltungen derartiger Aktuatoren sind vom Aufbau von Mikrospiegel-Arrays her bekannt. Each of the individual mirrors 26 is for the individual distraction of incident illumination light 16 each with an actuator or actuator 29 connected, as in the 2 based on two in a corner at the bottom left of the reflection surface 25 arranged individual mirrors 26 indicated by dashed lines and closer in the 3 based on a detail of a single-mirror row 27 shown. The actuators 29 are on the one reflective side of the individual mirror 26 opposite side of each of the individual mirrors 26 arranged. The actuators 29 For example, they can be designed as piezoactuators. Embodiments of such actuators are known from the structure of micromirror arrays ago.
Die Aktuatoren 29 einer Einzelspiegel-Zeile 27 sind jeweils über Signalleitungen 30 mit einem Zeilen-Signalbus 31 verbunden. Jeweils einem der Zeilen-Signalbusse 31 ist eine Einzelspiegel-Zeile 27 zugeordnet. Die Zeilen-Signalbusse 31 der Einzelspiegel-Zeilen 27 sind ihrerseits mit einem Haupt-Signalbus 32 verbunden. Letzterer steht mit einer Steuereinrichtung 33 des Feldfacettenspiegels 19 in Signalverbindung. Die Steuereinrichtung 33 ist insbesondere zur reihenweise, also zeilen- oder spaltenweise gemeinsamen Ansteuerung der Einzelspiegel 26 ausgeführt. Auch innerhalb der Einzelspiegel-Zeilen 27 und der Einzelspiegel-Spalten 28 ist eine individuelle Ansteuerung der Einzelspiegel 26 möglich. The actuators 29 a single-mirror line 27 are each via signal lines 30 with a line signal bus 31 connected. Each one of the line signal buses 31 is a single-mirror line 27 assigned. The line signal buses 31 the single-mirror lines 27 are in turn with a main signal bus 32 connected. The latter is connected to a control device 33 of the field facet mirror 19 in signal connection. The control device 33 is in particular the rows, so line or column-wise common control of the individual mirror 26 executed. Also within the single mirror lines 27 and the single-mirror columns 28 is an individual control of the individual mirrors 26 possible.
Jeder der Einzelspiegel 26 ist individuell unabhängig um zwei senkrecht aufeinander stehende Kippachsen verkippbar, wobei eine erste dieser Kippachsen parallel zur u-Achse und die zweite dieser beiden Kippachsen parallel zur v-Achse verläuft. Die beiden Kippachsen liegen in den Einzel-Reflexionsflächen 35 der jeweiligen Einzelspiegel 26. Each of the individual mirrors 26 is independently tiltable about two mutually perpendicular tilt axes, with a first of these tilt axes parallel to the u-axis and the second of these two tilt axes parallel to the v-axis. The two tilt axes lie in the individual reflection surfaces 35 the respective individual mirror 26 ,
Zusätzlich ist mittels der Aktuatoren 29 noch eine individuelle Verlagerung der Einzelspiegel 26 in w-, beziehungsweise z-Richtung möglich. Die Einzelspiegel 26 sind also separat voneinander ansteuerbar längs einer Normalen auf die Reflexionsfläche 25 verlagerbar. Hierdurch kann die Topographie der Reflexionsfläche 25 insgesamt verändert werden. In addition, by means of the actuators 29 still an individual shift of the individual mirror 26 possible in w- or z-direction. The individual mirrors 26 are therefore separately controllable along a normal to the reflection surface 25 displaced. This allows the topography of the reflection surface 25 be changed altogether.
Prinzipiell ist es auch möglich, einen Teil der Einzelspiegel 26 starr, das heißt nichtverlagerbar auszubilden. Allgemein sind zumindest einige der Einzelspiegel 26 verlagerbar. Vorzugsweise sind sämtliche Einzelspiegel 26 verlagerbar. In principle, it is also possible to use part of the individual mirrors 26 rigid, that is, not displaceable. Generally, at least some of the individual levels are 26 displaced. Preferably, all individual mirrors 26 displaced.
Durch die individuelle Ansteuerung der Aktuatoren 29 über die Steuereinrichtung 33 ist eine vorgegebene Kipp-Gruppierung der Einzelspiegel 26 in Einzelspiegel-Gruppen 34 aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln 26 einstellbar. Die Einzelspiegel-Gruppen 34 sind jeweils über mindestens einen eigenen Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanal für das Beleuchtungslicht 16 mindestens einer eigenen Pupillenfacette 37 des Pupillenfacettenspiegels 20 zur Abbildung der Einzelspiegel-Gruppe 34 in das Objektfeld 5 zugeordnet. Diese Zuordnung erfolgt durch Vorgabe der jeweiligen Kippstellung beziehungsweise Schaltstellung der zur Einzelspiegel-Gruppe 34 gehörenden Einzelspiegel. Der Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanal ist dabei die Gesamtheit aller Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle der jeweiligen Einzelspiegel-Gruppe 34, die sich aufgrund der Abbildung über die Pupillenfacette zur Beleuchtung des gesamten Beleuchtungs- beziehungsweise Objektfeldes 5 ergänzen. Jede der Einzelspiegel-Gruppen 34 kann daher als Urbild des Beleuchtungsfeldes aufgefasst werden. Die Gesamtbeleuchtung des Beleuchtungs- beziehungsweise Objektfeldes 5 stellt dann eine Superposition dieser Urbilder dar. Vorzugsweise fallen Beleuchtungs- und Objektfeld 5 zusammen. Entsprechend fallen vorzugsweise auch deren Urbilder zusammen. Jede der Einzelspiegel-Gruppen 34 entspricht somit vorzugsweise einem Urbild des Objektfeldes. Die Einzelspiegel-Gruppen 34 haben insbesondere dieselben Abmessungen wie das Urbild des Objektfeldes 5. Sie haben insbesondere in y-Richtung dieselbe Abmessung wie das Urbild des Objektfeldes 5 in Scanrichtung. Due to the individual actuation of the actuators 29 via the control device 33 is a given tilt grouping of the individual mirrors 26 in single-mirror groups 34 from a variety of individual mirrors 26 adjustable. The single-mirror groups 34 each have at least one separate group mirror illumination channel for the illumination light 16 at least one own pupil facet 37 of the pupil facet mirror 20 for imaging the single-mirror group 34 in the object field 5 assigned. This assignment is made by specifying the respective tilt position or switching position of the individual mirror group 34 belonging individual mirror. The group mirror illumination channel is the totality of all individual mirror illumination channels of the respective individual mirror group 34 , which, due to the image on the pupil facet, illuminate the entire illumination or object field 5 complete. Each of the individual mirror groups 34 can therefore be understood as a prototype of the lighting field. The total illumination of the illumination or object field 5 then make one Superposition of these archetypes. Preferably falling illumination and object field 5 together. Accordingly, preferably their archetypes coincide. Each of the individual mirror groups 34 thus preferably corresponds to a prototype image of the object field. The single-mirror groups 34 have in particular the same dimensions as the original image of the object field 5 , They have the same dimension as the original image of the object field, especially in the y-direction 5 in the scanning direction.
Jeweils eine der Einzelspiegel-Gruppen 34 hat also die Funktion einer Facette eines Feldfacettenspiegels, wie dieser beispielsweise in der US 6,438,199 B1 oder der US 6,658,084 B2 offenbart ist. Each one of the individual mirror groups 34 So has the function of a facet of a field facet mirror, as this example in the US Pat. No. 6,438,199 B1 or the US 6,658,084 B2 is disclosed.
Die Gruppen-Reflexionsflächen 36 der Einzelspiegel-Gruppen 34 erstrecken sich entlang einer Längsrichtung 40 und einer Querrichtung 41. Die Längsrichtung 40 ist hierbei parallel zur x-Richtung. Die Querrichtung 41 ist parallel zur y-Richtung. Sie haben typische x/y-Erstreckungen von 25 mm × 4 mm oder von 104 mm × 8 mm. Die Gruppen-Reflexionsflächen 36 können jedoch insbesondere gekrümmt, das heißt bogenförmig ausgebildet sein. Die Gruppen-Reflexionsflächen 36 können insbesondere gekrümmte, insbesondere kreisbogenförmige Längsseiten 42, 43 aufweisen. Die Längsseiten 42, 43 können insbesondere parallel zueinander verlaufen. Ihre Form entspricht insbesondere im Wesentlichen der des Objektfeldes. Dieses weist beispielsweise ein Aspektverhältnis von 13:1 auf. Je nach dem Verhältnis zwischen der Größe der jeweiligen EinzelspiegelGruppen 34 und der Größe der Einzelspiegel 26, die diese Einzelspiegel-Gruppen 34 aufbauen, weist jede der Einzelspiegel-Gruppen 34 eine entsprechende Anzahl von Einzelspiegeln 26 auf. The group reflection surfaces 36 the single-mirror groups 34 extend along a longitudinal direction 40 and a transverse direction 41 , The longitudinal direction 40 is parallel to the x-direction. The transverse direction 41 is parallel to the y-direction. They have typical x / y dimensions of 25 mm x 4 mm or 104 mm x 8 mm. The group reflection surfaces 36 However, in particular may be curved, that is formed arcuate. The group reflection surfaces 36 can in particular curved, in particular circular arc-shaped longitudinal sides 42 . 43 exhibit. The long sides 42 . 43 can in particular be parallel to each other. In particular, its shape substantially corresponds to that of the object field. This has, for example, an aspect ratio of 13: 1. Depending on the relationship between the size of each individual mirror group 34 and the size of the individual mirror 26 who have these individual mirror groups 34 Build, assigns each of the individual mirror groups 34 a corresponding number of individual mirrors 26 on.
Um eine möglichst gute Gleichförmigkeit der scanintegrierten Ausleuchtung des Retikels 7 zu erreichen, ist es vorteilhaft, wenn die Ausdehnung der Gruppen-Reflexionsfläche 36 in y-Richtung unabhängig von der Position senkrecht hierzu, das heißt der Position in x-Richtung, ist. Allerdings können prinzipbedingte leichte Bildfeldverdrehungen dazu führen, dass Sprünge der Berandung der Gruppen-Reflexionsfläche 36 auch bei konstanten Abmessungen in y-Richtung der Berandung der Gruppen-Reflexionsfläche 36 im Retikel 7 zu einer Ortsabhängigkeit des Scanintegrals führen. Vorzugsweise ist die Berandung der Gruppen-Reflexionsfläche 36 daher zumindest an deren Längsseiten 42, 43 glatt ausgebildet, um diesen Effekt zu vermeiden. Die Berandung der Gruppen-Reflexionsfläche 36 ist insbesondere an deren Längsseiten 42, 43 nicht zickzackförmig. Die Berandung der Gruppen-Reflexionsfläche 36 kann auch vollständig, d.h. über deren gesamten Umfang glatt sein. Die Berandung der Gruppen-Reflexionsfläche 36 ist insbesondere an deren Längsseiten 42, 43 Lipschitz-stetig ausgebildet. Unter einer Lipschitz-stetigen Ausbildung der Berandung sei hierbei verstanden, dass deren Form durch eine Lipschitz-stetige Funktion beschreibbar ist. Hierbei kann die Gleichförmigkeit (uniformity) der scanintegrierten Ausleuchtung des Retikels 7 über die Lipschitz-Konstante bestimmt werden. Die Lipschitz-Konstante ist insbesondere ein Maß für die maximale Größe einer Abweichung des Scanintegrals von einer perfekten Gleichförmigkeit. To ensure the best possible uniformity of scan-integrated illumination of the reticle 7 To achieve, it is advantageous if the expansion of the group reflection surface 36 in y-direction regardless of the position perpendicular thereto, that is the position in the x-direction, is. However, inherent slight image field distortions can cause jumps in the boundary of the group reflection surface 36 even with constant dimensions in the y-direction of the boundary of the group reflection surface 36 in the reticle 7 lead to a location dependency of the scan integral. Preferably, the boundary of the group reflection surface 36 therefore at least on their long sides 42 . 43 smoothly formed to avoid this effect. The boundary of the group reflection surface 36 is especially on the long sides 42 . 43 not zigzag. The boundary of the group reflection surface 36 can also be complete, ie smooth over its entire circumference. The boundary of the group reflection surface 36 is especially on the long sides 42 . 43 Lipschitz-trained. A lipschitz-continuous formation of the boundary is understood to mean that its shape can be described by a Lipschitz continuous function. Here, the uniformity of scan-integrated illumination of the reticle 7 be determined by the Lipschitz constant. In particular, the Lipschitz constant is a measure of the maximum amount of deviation of the scan integral from perfect uniformity.
Innerhalb jeder der Einzelspiegel-Gruppen 34 sind die Einzelspiegel 26 derart zueinander ausgerichtet, dass die Form jeder der Einzelspiegel-Gruppen 34 im Wesentlichen der Form einer einzelnen Feldfacette 38 eines konventionellen Feldfacettenspiegels entspricht beziehungsweise diese Form approximiert. Ein typisches Layout der Feldfacetten 38 auf den Feldfacettenspiegel 19 ist exemplarisch in 4 dargestellt. Zwischen den Feldfacetten 38 befinden sich hierbei jeweils ein kleiner Abstand, damit sich die Feldfacetten 38 beim Umschalten, das heißt beim Verkippen, nicht ineinander verkeilen. Der Within each of the individual mirror groups 34 are the individual mirrors 26 aligned with each other such that the shape of each of the individual mirror groups 34 essentially the shape of a single field facet 38 a conventional field facet mirror corresponds or approximates this shape. A typical layout of the field facets 38 on the field facet mirror 19 is exemplary in 4 shown. Between the field facets 38 Here are each a small distance, so that the field facets 38 when switching, ie when tilting, not wedged into each other. Of the
Abstand zwischen benachbarten Feldfacetten 38, insbesondere zwischen benachbarten Einzelspiegeln 26, ist so klein wie möglich. Er beträgt insbesondere weniger als 1 mm, insbesondere weniger als 100 μm, insbesondere höchstens 10 μm. Auch hier sei der Abstand zwischen benachbarten Einzelspiegeln 26 unterschiedlicher Module vernachlässigt. Distance between adjacent field facets 38 , in particular between adjacent individual mirrors 26 , is as small as possible. In particular, it is less than 1 mm, in particular less than 100 μm, in particular not more than 10 μm. Again, let the distance between adjacent individual mirrors 26 different modules neglected.
Aufgrund des gebogenen Randes der Feldfacetten 38 ist eine exakte Parkettierung der entsprechend gekrümmt ausgebildeten Gruppen-Reflexionsflächen 36 mit rechteckigen, insbesondere quadratischen Einzelspiegeln 26 nicht möglich. Es gibt insbesondere in einem Randbereich jeder Gruppen-Reflexionsfläche 36 Einzelspiegel 26, welche teilweise innerhalb der zu bildenden Feldfacette 38 und teilweise außerhalb derselben liegen. Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es vorteilhaft sein kann, den Bereich der Einzelspiegel 26, welcher außerhalb der zu bildenden Feldfacette 38 liegt, strahlungsabsorbierend auszubilden. Hierzu ist insbesondere vorgesehen, diesen Teilbereich der Einzelspiegel-Reflexionsflächen 35 jeweils mit einer absorbierenden Beschichtung 39 zu versehen. Die absorbierende Beschichtung 39 kann insbesondere aus Tantalnitrid sein oder Tantalnitrid umfassen. Alternativ hierzu kann sie auch aus Nickel sein oder Nickel umfassen. Due to the curved edge of the field facets 38 is an exact tiling of the corresponding curved trained group reflection surfaces 36 with rectangular, in particular square individual mirrors 26 not possible. In particular, there is a group reflection surface in each edge region 36 individual mirrors 26 which partially within the field facet to be formed 38 and partly outside of it. According to the invention, it has been recognized that it may be advantageous to use the range of individual mirrors 26 which is outside the field facet to be formed 38 is to form radiation-absorbing. For this purpose, it is provided in particular, this subregion of the individual mirror reflection surfaces 35 each with an absorbent coating 39 to provide. The absorbing coating 39 may in particular be tantalum nitride or include tantalum nitride. Alternatively, it may be nickel or nickel.
Zumindest ein Teil der Einzelspiegel 26 weist somit auf ihrer Vorderseite jeweils einen strahlungsabsorbierenden Teilbereich auf. Die strahlungsabsorbierenden Teilbereiche sind jeweils randseitig bezüglich der Gruppen-Reflexionsflächen 36 angeordnet. Sie sind insbesondere umlaufend zu einer der Gruppen-Reflexionsflächen 36 angeordnet. Die absorbierenden Teilbereiche können zumindest abschnittsweise, insbesondere vollständig, eine Berandung der Gruppen-Reflexionsfläche 36 in Querrichtung 41 entgegen der Querrichtung definieren. Hierbei sind die strahlungsabsorbierenden Teilbereiche insbesondere derart angeordnet, dass die Gruppen-Reflexionsflächen 36 jeweils zumindest entlang ihrer Längsseiten 42, 43 eine glatte Berandung aufweisen. Vorzugsweise weisen sämtliche Gruppen-Reflexionsflächen 36 jeweils zumindest entlang ihrer Längsseiten 42, 43 eine glatte Berandung auf. Allgemein weisen zumindest einige der Gruppen-Reflexionsflächen 36 jeweils zumindest entlang ihrer Längsseiten 42, 43 eine glatte Berandung auf. Sie können auch entlang ihrer Querseiten eine glatte Berandung aufweisen.At least part of the individual mirrors 26 thus has on its front side in each case a radiation-absorbing portion. The radiation-absorbing partial areas are each at the edge with respect to the group reflection surfaces 36 arranged. They are in particular circumferential to one of the group reflection surfaces 36 arranged. The absorbent sections can at least in sections, in particular completely, a boundary of the group reflection surface 36 in the transverse direction 41 define against the transverse direction. In this case, the radiation-absorbing partial regions are arranged in particular such that the group reflection surfaces 36 in each case at least along their longitudinal sides 42 . 43 have a smooth boundary. Preferably, all have group reflection surfaces 36 in each case at least along their longitudinal sides 42 . 43 a smooth border on. Generally, at least some of the group reflecting surfaces 36 in each case at least along their longitudinal sides 42 . 43 a smooth border on. You can also have along their lateral sides a smooth boundary.
Die strahlungsabsorbierenden Teilbereiche sind derart angeordnet und ausgebildet, dass die Gruppen-Reflexionsflächen 36 zumindest in einer Verlagerungsstellung der Einzelspiegel 26 und/oder in erster Näherung auch bei kleinen Verkippungen der Einzelspiegel 26 einen glatten Rand aufweisen. Unter einem glatten Rand sei hierbei verstanden, dass mit dem in den Figuren dargestellten xyz-Koordinatensystem die Steigung, das heißt y:x, der Berandung im Bereich der Längsseiten 42, 43 stetig und differenzierbar ist. Die maximale Steigung beträgt insbesondere höchstens 0,5, insbesondere höchstens 0,35. Die Berandung ist insbesondere Lipschitz-stetig. Sie weist vorzugsweise eine Lipschitz-Konstante von höchsten 0,5, insbesondere höchsten 0,35 auf. Der Rand umfasst hierbei zwei parallel zueinander verlaufende bogenförmige Randabschnitte. The radiation-absorbing portions are arranged and formed such that the group reflection surfaces 36 at least in a shift position of the individual mirror 26 and / or to a first approximation even with small tilting of the individual mirror 26 have a smooth edge. A smooth edge should be understood here to mean that, with the xyz coordinate system shown in the figures, the slope, that is to say y: x, of the boundary in the region of the longitudinal sides 42 . 43 continuous and differentiable. The maximum slope is in particular at most 0.5, in particular at most 0.35. The boundary is in particular Lipschitz continuous. It preferably has a Lipschitz constant of at most 0.5, in particular at the highest 0.35. The edge in this case comprises two mutually parallel curved edge portions.
Durch die absorbierende Beschichtung 39 eines Teils der Einzelspiegel 26 kann insbesondere erreicht werden, dass das Beleuchtungsfeld der Beleuchtungsoptik 4 identische Abmessungen zum Objektfeld 5 hat. Es können insbesondere unerwünschte Variationen der Scanschlitz-Breite vermieden werden. Im Ergebnis kann dadurch die Uniformität der Beleuchtung des Objektfeldes 5 verbessert werden. Through the absorbent coating 39 part of the individual mirror 26 can be achieved in particular that the illumination field of the illumination optics 4 identical dimensions to the object field 5 Has. In particular, undesirable variations in scan slot width can be avoided. As a result, this can make the uniformity of the illumination of the object field 5 be improved.
Zur Definition von Feldfacetten 38 mit einer glatten Berandung, insbesondere mit einer abschnittsweise bogenförmigen Berandung, kann der Feldfacettenspiegel 19 auch eine Blendenvorrichtung umfassen. Die Blendenvorrichtung kann ein oder mehrere Durchlassöffnungen aufweisen, welche jeweils eine glatte Berandung aufweisen. Für Details einer derartigen Blendenvorrichtung sei beispielsweise auf die WO 2009/132 756 A1 verwiesen. To define field facets 38 with a smooth boundary, in particular with a sectionally arcuate boundary, the field facet mirror 19 also include an aperture device. The diaphragm device can have one or more passage openings, which each have a smooth boundary. For details of such a diaphragm device is for example on the WO 2009/132756 A1 directed.
Die Blendenvorrichtung kann auch als separates Bauelement ausgebildet sein. Sie kann insbesondere austauschbar sein. Sie ist vorzugsweise feldebenennah angeordnet. Sie ist insbesondere in der Nähe des Feldfacettenspiegels 19 angeordnet. Der Abstand der Blendenvorrichtung zum Feldfacettenspiegel 19 beträgt insbesondere höchstens 1 cm. The diaphragm device can also be designed as a separate component. In particular, it can be exchangeable. It is preferably arranged close to the field. It is especially close to the field facet mirror 19 arranged. The distance of the diaphragm device to the field facet mirror 19 is in particular at most 1 cm.
Die unterschiedlichen Zuordnungen der Einzelspiegel-Gruppen 34 zu den Pupillenfacetten 37 resultieren in entsprechend unterschiedlichen Beleuchtungswinkelverteilungen bei der Beleuchtung des Objekt- beziehungsweise Beleuchtungsfeldes 5. Diese unterschiedlichen Beleuchtungswinkelverteilungen werden auch als Beleuchtungssettings bezeichnet. The different assignments of the individual mirror groups 34 to the pupil facets 37 result in correspondingly different illumination angle distributions in the illumination of the object or illumination field 5 , These different illumination angle distributions are also referred to as illumination settings.
Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens ein Teil des Retikels im Objektfeld 5 auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht auf den Wafer 13 im Bildfeld 11 zur lithografischen Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauteils, insbesondere eines Halbleiterbauteils, beispielsweise eines Mikrochips, abgebildet. Je nach Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder als Stepper werden das Retikel 7 und der Wafer 13 zeitlich synchronisiert in der y-Richtung kontinuierlich im Scannerbetrieb oder schrittweise im Stepperbetrieb verfahren.With the help of the projection exposure system 1 becomes at least a part of the reticle in the object field 5 to a region of a photosensitive layer on the wafer 13 in the image field 11 for the lithographic production of a microstructured or nanostructured component, in particular a semiconductor component, for example a microchip. Depending on the version of the projection exposure system 1 as a scanner or as a stepper become the reticle 7 and the wafer 13 synchronized in time in the y-direction continuously in scanner mode or stepwise in stepper mode.
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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WO 2009/100856 A1 [0002] WO 2009/100856 A1 [0002]
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US 6859515 B2 [0025] US Pat. No. 685,951 B2 [0025]
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EP 1225481 A [0025] EP 1225481A [0025]
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US 6438199 B1 [0044] US 6438199 B1 [0044]
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US 6658084 B2 [0044] US Pat. No. 2,658,084 B2 [0044]
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WO 2009/132756 A1 [0053] WO 2009/132756 A1 [0053]
