DE102013114135A1 - Electronic circuit for generating an ASK signal and measuring system - Google Patents

Electronic circuit for generating an ASK signal and measuring system Download PDF

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DE102013114135A1 DE102013114135.8A DE102013114135A DE102013114135A1 DE 102013114135 A1 DE102013114135 A1 DE 102013114135A1 DE 102013114135 A DE102013114135 A DE 102013114135A DE 102013114135 A1 DE102013114135 A1 DE 102013114135A1
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Stefan Pilz
Jörg Uhle
Sven Matthias Scheibe
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Endress and Hauser Conducta GmbH and Co KG
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Endress and Hauser Conducta Gesellschaft fuer Mess und Regeltechnik mbH and Co KG
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00Modulated-carrier systems
    • H04L27/02Amplitude-modulated carrier systems, e.g. using on-off keying; Single sideband or vestigial sideband modulation
    • H04L27/04Modulator circuits; Transmitter circuits

Abstract

Die Erfindung betrifft eine elektronische Schaltung (1) zur Erzeugung eines ASK-Signals, wobei das ASK-Signal zumindest ein Datensignal (data) umfasst, wobei das Datensignal (data) die zu übertragenden Daten wiedergibt, zwischen einer ersten Seite mit einer ersten Schnittstelle (23), und einer zweiten Seite mit einer, zur ersten Schnittstelle (23) korrespondierenden, zweiten Schnittstelle (24), wobei die erste Schnittstelle (23) und die zweite Schnittstelle (24) zum Übertragen der Daten und Energie ausgestaltet sind, und wobei die erste Schnittstelle 23() und die zweite Schnittstelle (24) als galvanisch getrennte, insbesondere als induktive, Schnittstellen ausgestaltet sind, wobei die Schaltung (1) zumindest umfasst: – eine Trägerquelle (3) zum Erzeugen eines Trägersignals, – eine Versorgungsspannung (VCC) zum Versorgen der Schaltung (1) mit Energie, – eine Lastschaltung (2) zum Umwandeln des Datensignals (data) in ein Nutzsignal, und – eine Zuführeinheit (4) zum Zusammenführen des Nutzsignals mit dem Trägersignal zu dem ASK-Signal mit einer Amplitude, wobei das Nutzsignal die Amplitude des ASK-Signals bestimmt, dadurch gekennzeichnet, dass die Lastschaltung (2) an die Versorgungsspannung (VCC) angeschlossen wird. Die Erfindung betrifft weiter ein Messsystem (20) umfassend eine solche elektronische Schaltung (1).The invention relates to an electronic circuit (1) for generating an ASK signal, wherein the ASK signal comprises at least one data signal (data), wherein the data signal (data) reproduces the data to be transmitted, between a first page having a first interface ( 23), and a second side having a second interface (24) corresponding to the first interface (23), wherein the first interface (23) and the second interface (24) are configured to transmit the data and energy, and wherein First interface 23 () and the second interface (24) are designed as galvanically isolated, in particular as inductive, interfaces, wherein the circuit (1) comprises at least: - a carrier source (3) for generating a carrier signal, - a supply voltage (VCC) for powering the circuit (1), - a load circuit (2) for converting the data signal (data) into a useful signal, and - a feed unit (4) for combining ② of the desired signal with the carrier signal to the ASK signal having an amplitude, wherein the useful signal determines the amplitude of the ASK signal, characterized in that the load circuit (2) is connected to the supply voltage (VCC). The invention further relates to a measuring system (20) comprising such an electronic circuit (1).

Description

Die Erfindung betrifft eine elektronische Schaltung zur Erzeugung eines ASK-Signals. Die Erfindung betrifft weiter ein Messsystem umfassend eine solche elektronische Schaltung.The invention relates to an electronic circuit for generating an ASK signal. The invention further relates to a measuring system comprising such an electronic circuit.

In der Prozessautomatisierung besteht ein Messsystem üblicherweise aus einer übergeordneten Einheit, beispielsweise einem Messumformer (auch Transmitter genannt), und einem Verbraucher, beispielsweise einem Sensor. Häufig werden Daten in Form eines Datensignals und zusätzlich Energie übertragen. Daten werden bidirektional, Energie in der Regel nur unidirektional von Messumformer zu Sensor übertragen. Alternativ ist die übergeordnete Einheit als Leitsystem ausgestaltet und der Sensor wird direkt an das Leitsystem angeschlossen.In process automation, a measuring system usually consists of a higher-level unit, for example a transmitter (also called a transmitter), and a consumer, for example a sensor. Frequently, data is transmitted in the form of a data signal and additional energy. Data becomes bidirectional, and energy is typically transmitted unidirectionally from transmitter to sensor. Alternatively, the parent unit is designed as a control system and the sensor is connected directly to the control system.

Die zu übertragenden Daten müssen für die Übertragung in ein geeignetes Format gewandelt werden. Dazu wird ein sogenanntes Trägersignal durch das Datensignal verändert. Diesen Vorgang nennt man Modulation. Den entgegengesetzten Vorgang, also das Herausfiltern eines Datensignals aus einem Trägersignal, nennt man Demodulation.The data to be transmitted must be converted into a suitable format for transmission. For this purpose, a so-called carrier signal is changed by the data signal. This process is called modulation. The opposite process, ie the filtering out of a data signal from a carrier signal, is called demodulation.

Häufig erfolgt das Übertragen der Daten in digitaler Form. Die binäre Übertragung digitaler Signale erfolgt im einfachsten Falle dadurch, dass ein zweistufiges Rechtecksignal verwendet wird. Es kann in diesem Fall zwischen zwei Amplituden, Frequenzen oder Phasen umgeschaltet werden. Bei der Übertragung digitaler Signale spricht man statt von Modulation von Tastung, also beispielsweise von Amplitudentastung (ASK, engl. amplitude shift keying). Die vorliegende Erfindung behandelt diese Art der Modulation.Frequently, the data is transmitted in digital form. The binary transmission of digital signals is in the simplest case in that a two-level square wave signal is used. In this case, it is possible to switch between two amplitudes, frequencies or phases. In the transmission of digital signals is spoken instead of modulation of keying, so for example, amplitude shift keying (ASK). The present invention deals with this type of modulation.

Derartige Formen der Datenübertragung sind beispielsweise für induktiv koppelnde Steckverbindungskupplung mit zumindest einer Primär- und Sekundärspule geeignet, wie sie von der Anmelderin unter der Bezeichnung „Memosens“ vertrieben werden. Neben Daten wird über die induktiven Schnittstellen auch Energie zur Versorgung des Sensors übertragen.Such forms of data transmission are suitable for example for inductively coupling connector coupling with at least one primary and secondary coil, as sold by the applicant under the name "Memosens". In addition to data, energy is also transmitted to the sensor via the inductive interfaces.

Bei Amplitudentastung wird die Modulation häufig durch eine Lastmodulation erreicht, 1 zeigt eine solche Schaltung 1.StdT. Dabei wird – gesteuert durch die Daten mittels eines Schaltmittels T – eine Impedanz, meist ein Widerstand R zur Schaltung 1.StdT zugeschaltet. Wird der Widerstand R zugeschaltet steigt die Leistungsaufnahme deutlich an, da neben der eigentlichen Schaltung auch der Widerstand R elektrische Leistung aufnimmt.With amplitude keying the modulation is often achieved by a load modulation, 1 shows such a circuit 1.StdT. In this case - controlled by the data by means of a switching means T - an impedance, usually a resistor R to the circuit 1.StdT switched. If the resistor R is switched on, the power consumption increases significantly, because in addition to the actual circuit, the resistor R receives electrical power.

Selbstredend muss eine ausreichende Versorgung des Sensors garantiert werden. Gerade bei der angesprochenen Daten- und Energieübertragungsart mittels induktiven Schnittstellen kann dies hohen Aufwand erfordern, besonders bei Zweidrahtverbindungen und/oder unter Ex-Bedingungen.Needless to say, an adequate supply of the sensor must be guaranteed. Especially with the addressed data and Energieübertragungsart using inductive interfaces, this can require a lot of effort, especially in two-wire connections and / or under Ex-conditions.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Leistungsaufnahme einer Schaltung bei der Amplitudenmodulation, insbesondere mittels Lastmodulation, zu verringern.The invention has for its object to reduce the power consumption of a circuit in the amplitude modulation, in particular by means of load modulation.

Die Aufgabe wird gelöst durch eine elektronische Schaltung zur Erzeugung eines ASK Signals, wobei das ASK Signal zumindest ein Datensignal umfasst, wobei das Datensignal die zu übertragenden Daten wiedergibt; zwischen einer ersten Seite mit einer ersten Schnittstelle, und einer zweiten Seite mit einer, zur ersten Schnittstelle korrespondierenden, zweiten Schnittstelle, wobei die erste Schnittstelle und die zweite Schnittstelle zum Übertragen der Daten und Energie ausgestaltet sind, und wobei die erste Schnittstelle und die zweite Schnittstelle als galvanisch getrennte, insbesondere als induktive, Schnittstellen ausgestaltet sind, wobei die Schaltung zumindest umfasst: eine Trägerquelle zum Erzeugen eines Trägersignals; eine Versorgungsspannung zum Versorgen der Schaltung mit Energie; eine Lastschaltung zum Umwandeln des Datensignals in ein Nutzsignal; und eine Zuführeinheit zum Zusammenführen des Nutzsignals mit dem Trägersignal zu dem ASK Signal mit einer Amplitude, wobei das Nutzsignal die Amplitude des ASK Signals bestimmt. Die Schaltung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Lastschaltung an die Versorgungsspannung angeschlossen wird.The object is achieved by an electronic circuit for generating an ASK signal, wherein the ASK signal comprises at least one data signal, wherein the data signal reproduces the data to be transmitted; between a first page having a first interface, and a second page having a second interface corresponding to the first interface, wherein the first interface and the second interface are configured to transmit the data and energy, and wherein the first interface and the second interface are designed as galvanically isolated, in particular as inductive, interfaces, wherein the circuit comprises at least: a carrier source for generating a carrier signal; a supply voltage for powering the circuit; a load circuit for converting the data signal into a payload signal; and a supply unit for combining the useful signal with the carrier signal to the ASK signal with an amplitude, wherein the useful signal determines the amplitude of the ASK signal. The circuit is characterized in that the load circuit is connected to the supply voltage.

Eine zusätzliche Leistungsaufnahme wird somit vermieden und es kann – verglichen mit dem oben beschriebenem Stand der Technik – Energie gespart werden.An additional power consumption is thus avoided and it can - compared to the above-described prior art - energy saved.

In einer ersten vorteilhaften Variante ist die Lastschaltung mit zumindest einem Schaltmittel und zumindest einer durch das Schaltmittel zuschaltbaren Impedanz ausgestaltet und das Datensignal gibt das Schalten des Schaltmittels vor, und die Impedanz umfasst einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss, wobei der erste Anschluss der Impedanz mit der Zuführeinheit verbunden ist.In a first advantageous variant, the load circuit is configured with at least one switching means and at least one switchable by the switching means impedance and the data signal indicates the switching of the switching means, and the impedance comprises a first terminal and a second terminal, wherein the first terminal of the impedance with the supply unit is connected.

In einer zweiten vorteilhaften Variante ist die Lastschaltung mit zumindest einem Schaltmittel und zumindest einer durch das Schaltmittel zuschaltbaren Impedanz ausgestaltet und das Datensignal gibt das Schalten des Schaltmittels vor, und die Impedanz umfasst einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss, wobei der erste Anschluss der Impedanz mit der ersten Schnittstelle verbunden ist.In a second advantageous variant, the load circuit with at least one switching means and at least one impedance switchable by the switching means and the data signal indicates the switching of the switching means, and the impedance comprises a first terminal and a second terminal, wherein the first terminal of the impedance is connected to the first interface.

In einer dritte vorteilhaften Variante ist die Lastschaltung mit zumindest einem Schaltmittel und zumindest einer durch das Schaltmittel zuschaltbaren Impedanz ausgestaltet und das Datensignal gibt das Schalten des Schaltmittels vor, und die Impedanz umfasst einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss, wobei der erste Anschluss der Impedanz mit der zweiten Schnittstelle verbunden ist.In a third advantageous variant, the load circuit is configured with at least one switching means and at least one switchable by the switching means impedance and the data signal indicates the switching of the switching means, and the impedance comprises a first terminal and a second terminal, wherein the first terminal of the impedance with connected to the second interface.

Die Schaltung lässt also grundsätzlich zumindest drei Varianten des Zuschaltens der Last zu. Das gemeinsame Grundprinzip liegt darin, dass die Last jeweils an die Versorgungsspannung geschaltet wird.The circuit thus basically allows at least three variants of the connection of the load. The common basic principle is that the load is switched to the supply voltage.

In einer bevorzugten Ausgestaltung handelt es sich bei dem Schaltmittel um einen Bipolartransistor, insbesondere einen pnp-Transistor, mit einem Basis-Anschluss, einem Kollektor-Anschluss und einem Emitter-Anschluss, wobei der Emitter-Anschluss mit dem zweiten Anschluss der Impedanz verbunden ist, wobei der Kollektor-Anschluss mit der Versorgungsspannung verbunden ist, und wobei dem Basis-Anschluss das Datensignal zugeführt wird.In a preferred embodiment, the switching means is a bipolar transistor, in particular a pnp transistor, having a base terminal, a collector terminal and an emitter terminal, wherein the emitter terminal is connected to the second terminal of the impedance, wherein the collector terminal is connected to the supply voltage, and wherein the base terminal, the data signal is supplied.

Als vorteilhafte Weiterbildung ist ein zweites Schaltmittel vorgesehen, wobei es sich bei dem zweiten Schaltmittel um einen Bipolartransistor, insbesondere einen npn-Transistor, mit einem Basis-Anschluss, einem Kollektor-Anschluss und einem Emitter-Anschluss handelt, wobei der Kollektor-Anschluss des zweiten Transistors mit dem Basis-Anschluss des ersten Transistors verbunden ist, wobei der Emitter-Anschluss des zweiten Transistors über zumindest eine zweite Impedanz, insbesondere einen Widerstand, mit Masse verbunden ist, und wobei dem Basis-Anschluss des zweiten Transistors das Datensignal zugeführt wird. Es kann somit eine höhere Einschaltgeschwindigkeit erreicht werden.As an advantageous development, a second switching means is provided, wherein the second switching means is a bipolar transistor, in particular an npn transistor, with a base terminal, a collector terminal and an emitter terminal, wherein the collector terminal of the second Transistor is connected to the base terminal of the first transistor, wherein the emitter terminal of the second transistor via at least a second impedance, in particular a resistor, is connected to ground, and wherein the base terminal of the second transistor, the data signal is supplied. It can thus be achieved a higher turn-on speed.

Damit eine höhere Abschaltgeschwindigkeit des ersten Schaltmittels erreicht werden kann, ist eine Beschleunigerschaltung vorgesehen, wobei die Beschleunigerschaltung zumindest ein weiteres Schaltmittel umfasst, wobei es sich bei dem weiteren Schaltmittel um einen Bipolartransistor, insbesondere einen pnp-Transistor, mit einem Basis-Anschluss, einem Kollektor-Anschluss und einem Emitter-Anschluss handelt, wobei der Emitter-Anschluss mit dem zweiten Anschluss der Impedanz verbunden ist, wobei der Kollektor-Anschluss mit dem Basis-Anschluss des ersten Transistors verbunden ist, und wobei dem Basis-Anschluss das Datensignal invertiert zugeführt werden.So that a higher turn-off speed of the first switching means can be achieved, an accelerator circuit is provided, wherein the accelerator circuit comprises at least one further switching means, wherein the further switching means is a bipolar transistor, in particular a pnp transistor, with a base terminal, a collector Terminal and an emitter terminal, wherein the emitter terminal is connected to the second terminal of the impedance, wherein the collector terminal is connected to the base terminal of the first transistor, and wherein the base terminal, the data signal is supplied inverted ,

Als vorteilhafte Weiterbildung umfasst die Beschleunigerschaltung ein zweites weiteres Schaltmittel, wobei es sich bei dem zweiten weiteren Schaltmittel um einen Bipolartransistor, insbesondere einen npn-Transistor, mit einem Basis-Anschluss, einem Kollektor-Anschluss und einem Emitter-Anschluss handelt, wobei der Kollektor-Anschluss des zweiten weiteren Transistors mit dem Basis-Anschluss des ersten weiteren Transistors verbunden ist, wobei der Emitter-Anschluss des zweiten weiteren Transistors über zumindest eine zweite weitere Impedanz, insbesondere einen Widerstand, mit Masse verbunden ist, und wobei dem Basis-Anschluss des zweiten weiteren Transistors das Datensignal invertiert zugeführt wird. Es kann somit eine höhere Einschaltgeschwindigkeit der Beschleunigerschaltung erreicht werden.As an advantageous development, the accelerator circuit comprises a second further switching means, wherein the second further switching means is a bipolar transistor, in particular an npn transistor, with a base terminal, a collector terminal and an emitter terminal, wherein the collector Connection of the second further transistor is connected to the base terminal of the first further transistor, wherein the emitter terminal of the second further transistor via at least a second further impedance, in particular a resistor, connected to ground, and wherein the base terminal of the second further transistor, the data signal is supplied inverted. Thus, a higher turn-on speed of the accelerator circuit can be achieved.

Als Alternative zu einem Bipolartransistor, handelt es sich bei dem Schaltmittel vorteilhafterweise um einen Feldeffekttransistor, insbesondere einen MOSFET, insbesondere einen n-Kanal MOSFET, mit einem Gate-Anschluss, einem Drain-Anschluss und einem Source-Anschluss, wobei der Drain-Anschluss mit dem zweiten Anschluss der Impedanz über eine Diode verbunden ist, wobei der Source-Anschluss mit der Versorgungsspannung verbunden ist, und wobei dem Gate-Anschluss das Datensignal über einen Gate-Kondensator zugeführt wird.As an alternative to a bipolar transistor, the switching means is advantageously a field-effect transistor, in particular a MOSFET, in particular an n-channel MOSFET, with a gate terminal, a drain terminal and a source terminal, wherein the drain terminal with the second terminal of the impedance is connected via a diode, wherein the source terminal is connected to the supply voltage, and wherein the gate terminal, the data signal is supplied via a gate capacitor.

In einer bevorzugten Ausgestaltung ist der der Gate-Anschluss zumindest über eine Diode mit der Versorgungsspannung verbunden.In a preferred embodiment, the gate terminal is connected to the supply voltage at least via a diode.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung handelt es sich bei der Zuführeinheit um eine Resonatorschaltung. Die Resonatorschaltung umfasst zumindest einen fremderregten Resonanzkreis, wobei der Resonanzkreist durch das Trägersignal zum Schwingen angeregt wird. Der fremderregte Resonanzkreis ist insbesondere ein Reihenschwingkreis, mit zumindest einer ersten Induktivität und einem Kondensator, wobei die erste Induktivität der ersten Schnittstelle entspricht; und ein Trägerschaltmittel, insbesondere einen Feldeffekttransistor, insbesondere einen MOSFET, mit einem Gate-Anschluss, einem Drain-Anschluss und einem Source-Anschluss. Der Kondensator ist geteilt ausgestaltet als erster Kondensator und zweiter Kondensator, und ein Schaltknoten verbindet den ersten Kondensator mit dem zweiten Kondensator, wobei der erste Kondensator gegen Masse geschaltet ist, wobei der zweite Kondensator den Schaltknoten zumindest über die erste Induktivität gegen Masse schaltet. Zumindest eine zweite Induktivität verbindet den Schaltknoten mit der Versorgungsspannung, wobei der Drain-Anschluss an den Schaltknoten geschaltet ist, wobei das Nutzsignal dem Schaltknoten zugeführt wird, und wobei dem Gate-Anschluss das Trägersignal zugeführt wird.In an advantageous embodiment, the feed unit is a resonator circuit. The resonator circuit comprises at least one externally excited resonant circuit, wherein the resonant circuit is excited by the carrier signal to oscillate. The externally excited resonant circuit is in particular a series resonant circuit, with at least one first inductance and one capacitor, wherein the first inductance corresponds to the first interface; and a carrier switching means, in particular a field effect transistor, in particular a MOSFET, having a gate terminal, a drain terminal and a source terminal. The capacitor is configured to be split as a first capacitor and a second capacitor, and a switching node connects the first capacitor to the second capacitor, wherein the first capacitor is connected to ground, wherein the second capacitor switches the switching node to ground at least via the first inductance. At least one second inductance connects the switching node to the supply voltage, wherein the drain terminal is connected to the switching node, wherein the useful signal is supplied to the switching node, and wherein the gate terminal, the carrier signal is supplied.

Die Aufgabe wird weiter gelöst durch ein Messgerät, umfassend eine vorstehend beschriebene elektronische Schaltung.The object is further achieved by a measuring device comprising an electronic circuit described above.

In einer Weiterbildung umfasst das Messgerät eine übergeordnete Einheit, insbesondere einen Transmitter, und einen Verbraucher, insbesondere einen Sensor, wobei die übergeordnete Einheit mit dem Verbraucher über die erste Schnittstelle und die zweite Schnittstelle verbunden ist, wobei die übergeordnete Einheit der ersten Seite entspricht, und wobei der Verbraucher der zweiten Seite entspricht.In one development, the measuring device comprises a higher-level unit, in particular a transmitter, and a consumer, in particular a sensor, wherein the higher-level unit with the consumer via the first interface and the second interface, wherein the superordinate unit corresponds to the first side, and wherein the consumer corresponds to the second side.

Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Figuren näherer erläutert. Es zeigenThe invention will be explained in more detail with reference to the following figures. Show it

1 eine symbolische Darstellung einer Schaltung des Standes der Technik, 1 a symbolic representation of a circuit of the prior art,

2 ein erfindungsgemäßes Messsystem, 2 an inventive measuring system,

3a eine symbolische Darstellung der erfindungsgemäßen Schaltung, 3a a symbolic representation of the circuit according to the invention,

3b eine symbolische Darstellung der erfindungsgemäßen Schaltung in einer ersten Ausgestaltung, 3b a symbolic representation of the circuit according to the invention in a first embodiment,

3c eine symbolische Darstellung der erfindungsgemäßen Schaltung in einer zweiten Ausgestaltung, 3c a symbolic representation of the circuit according to the invention in a second embodiment,

4a eine erste Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Schaltung, 4a a first embodiment of the circuit according to the invention,

4b eine Variante der ersten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Schaltung, und 4b a variant of the first embodiment of the circuit according to the invention, and

5 eine zweite Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Schaltung 5 a second embodiment of the circuit according to the invention

In den Figuren sind gleiche Merkmale mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.In the figures, the same features are identified by the same reference numerals.

Zunächst soll auf ein erfindungsgemäßes Messgerät 20 eingegangen werden bei dem die erfindungsgemäße elektronische Schaltung 1 angewendet werden kann. Dies ist in 2 dargestellt. Über eine Schnittstelle 24 kommuniziert ein Verbraucher, etwa ein Sensor 22 mit einer übergeordneten Einheit, etwa direkt mit einem Leitsystem oder mit einem Transmitter 21. Ohne Einschränkung soll im Folgenden davon ausgegangen werden, dass der Sensor an einen Transmitter 21 angeschlossen ist. Am Transmitter 21 ist ein Kabel 25 vorgesehen, an dessen anderem Ende eine zur ersten Schnittstelle 24 komplementäre Schnittstelle 23 vorgesehen ist. Die Schnittstellen 23, 24 sind als galvanisch getrennte, insbesondere als induktive Schnittstellen ausgestaltet, die mittels einer mechanischen Steckverbindung miteinander koppelbar sind. Über die Schnittstellen 23, 24 werden Daten (bidirektional) und Energie (unidirektional, d.h. von Transmitter 21 zum Sensor 22) gesendet.First, it is intended to indicate a measuring device according to the invention 20 be received in which the inventive electronic circuit 1 can be applied. This is in 2 shown. Via an interface 24 communicates a consumer, such as a sensor 22 with a higher-level unit, such as directly with a control system or with a transmitter 21 , Without limitation, it should be assumed in the following that the sensor to a transmitter 21 connected. At the transmitter 21 is a cable 25 provided, at the other end to the first interface 24 complementary interface 23 is provided. The interfaces 23 . 24 are designed as galvanically isolated, in particular as inductive interfaces which can be coupled to one another by means of a mechanical plug connection. About the interfaces 23 . 24 be data (bidirectional) and energy (unidirectional, ie from transmitter 21 to the sensor 22 ) Posted.

Die Übertragung der Daten erfolgt in digitaler Form. Im Beispiel erfolgt die binäre Übertragung dadurch, dass ein zweistufiges Rechtecksignal verwendet wird. Es wird zwischen zwei Amplituden umgeschaltet. Das zu übertragende Signal ist also ein amplitudenmoduliert, wie erwähnt spricht man bei digitalen Signalen dann von einer Amplitudentastung oder englisch amplitude shift keying, abgekürzt ASK. Das zu übertragende Signal ist also ein ASK-Signal.The transmission of the data takes place in digital form. In the example, the binary transmission takes place in that a two-level square-wave signal is used. It is switched between two amplitudes. The signal to be transmitted is thus an amplitude modulated, as mentioned in digital signals then one speaks of an amplitude shift or English amplitude shift keying, abbreviated ASK. The signal to be transmitted is therefore an ASK signal.

Das Messgerät 20 wird überwiegend in der Prozessautomatisierung angewendet. Bei dem Sensor 22 handelt es sich deswegen etwa um einen pH-, Redoxpotential-, auch ISFET-, Temperatur-, Leitfähigkeit-, Druck-, Sauerstoff-, insbesondere gelöster Sauerstoff-, oder Kohlenstoffdioxidsensor; um einen ionenselektiven Sensor; um einen optischen Sensor, insbesondere einen Trübungssensor, einen Sensor zur optischen Bestimmung der Sauerstoffkonzentration, oder einen Sensor zur Bestimmung der Anzahl von Zellen und Zellstrukturen; um einen Sensor zur Überwachung bestimmter organischer oder metallischer Verbindungen; um einen Sensor zur Bestimmung einer Konzentration einer chemischen Substanz, beispielsweise eines bestimmten Elements oder einer bestimmten Verbindung; oder um einen Biosensor, z.B. einen Glukosesensor.The measuring device 20 is mainly used in process automation. At the sensor 22 it is therefore about a pH, redox potential, also ISFET, temperature, conductivity, pressure, oxygen, in particular dissolved oxygen, or carbon dioxide sensor; an ion-selective sensor; an optical sensor, in particular a turbidity sensor, a sensor for optically determining the oxygen concentration, or a sensor for determining the number of cells and cell structures; a sensor for monitoring certain organic or metallic compounds; a sensor for determining a concentration of a chemical substance, for example a particular element or a particular compound; or a biosensor, eg a glucose sensor.

Die erfindungsgemäße elektronische Schaltung 1 befindet sich in einer ersten Ausgestaltung im Transmitter 21, bevorzugt aber im sensorseitigen Ende des Kabels 25. Grundsätzlich kann die Schaltung 1 auch im Sensor 22 verwendet werden; im Folgenden soll aber – wenn nicht anders beschrieben – davon ausgegangen werden, dass die Schaltung 1 transmitterseitig angewendet wird.The electronic circuit according to the invention 1 is in a first embodiment in the transmitter 21 , but preferably in the sensor-side end of the cable 25 , Basically, the circuit 1 also in the sensor 22 be used; below, however, unless otherwise stated, it shall be assumed that the circuit 1 is applied on the transmitter side.

Die Schaltung 1 in seiner Gesamtheit hat das Bezugszeichen 1 und ist symbolisch in 3a dargestellt. Verglichen mit dem Stand der Technik (1) ist die Lastschaltung 2 nicht mehr gegen Masse, sondern gegen die Versorgungsspannung VCC geschaltet. Damit fließt der Laststrom bei der Modulation vom Lastknoten N über den Widerstand R und dient dann der Stromversorgung der Schaltung 1. Die zusätzliche Leistungsaufnahme (bei Zuschalten der Last) lässt sich damit gegenüber dem Stand der Technik senken. Versuche zeigten eine verminderte Leistungsaufnahme von bis zu 50 %. Mit der (in dieser Figur nicht näher bezeichneten) Diode kann sichergestellt werden, dass kein Laststrom aus der Schaltung heraus fließt.The circuit 1 in its entirety has the reference number 1 and is symbolic in 3a shown. Compared with the prior art ( 1 ) is the load circuit 2 no longer switched to ground, but against the supply voltage VCC. Thus, the load current flows in the modulation of the load node N via the resistor R and then serves to power the circuit 1 , The additional power consumption (when switching on the load) can thus be reduced compared to the state of the art. Experiments showed a reduced power consumption of up to 50%. With the (unspecified in this figure) diode can be ensured that no load current flows out of the circuit.

Die Versorgungsspannung VCC wird etwa direkt von der übergeordneten Einheit, also in diesem Falle vom Transmitter 21 zur Verfügung gestellt.The supply voltage VCC is approximately directly from the parent unit, so in this case from the transmitter 21 made available.

Die Trägerquelle 3 liefert ein hochfrequentes Trägersignal. Die Trägerquelle 3 ist etwa der Digitalausgang eines Mikrocontrollers (nicht dargestellt, etwa im Transmitter 21). Die Trägerquelle 3 ist mit dem Lastknoten N verbunden. Auf dieses Trägersignal wird das Datensignal data aufmoduliert.The carrier source 3 provides a high frequency carrier signal. The carrier source 3 is about the digital output of a microcontroller (not shown, such as in the transmitter 21 ). The carrier source 3 is connected to the load node N. On this carrier signal, the data signal data is modulated.

Weiter ist eine Zuführeinheit 4 mit dem Lastknoten N verbunden. Die erste Schnittstelle 23 ist als Teil der Zuführeinheit 4 realisiert, insbesondere ist die erste Schnittstelle 23 wie bereits angesprochen als Induktivität L realisiert. Die Zuführeinheit 4 führt die Lastschaltung 2 – und damit das Datensignal – mit der Trägerquelle 3 – und damit dem Trägersignal – am Lastknoten N zusammen. Die Zuführeinheit 4 ist als Resonatorschaltung ausgestaltet. Die Resonatorschaltung ist ein fremderregter Resonanzkreis, wobei der Resonanzkreist durch das Trägersignal zum Schwingen angeregt wird. Next is a feeder unit 4 connected to the load node N. The first interface 23 is as part of the feeder unit 4 realized, in particular, is the first interface 23 as already mentioned realized as inductance L. The feeder unit 4 leads the load circuit 2 - And thus the data signal - with the carrier source 3 - And thus the carrier signal - at the load node N together. The feeder unit 4 is designed as a resonator circuit. The resonator circuit is a third-excited resonant circuit, wherein the resonant circuit is excited by the carrier signal to oscillate.

Die Resonatorschaltung im Beispiel in 3a ist als Reihenschwingkreis mit einer Kapazität und der bereits angesprochenen Induktivität L ausgestaltet. Die Kapazität ist als geteilte Kapazität mit den Kondensatoren CT1 und CT2 realisiert. Dabei ist die Kapazität CT1 vom Lastknoten N aus direkt mit Masse verbunden. Die Kapazität CT2 verbindet die Induktivität L mit Masse. Weitere Ausgestaltungen, etwa mit zusätzlichem Widerstand (vergleiche 4 und 5) sind denkbar.The resonator circuit in the example in 3a is designed as a series resonant circuit with a capacity and the already mentioned inductance L. The capacity is realized as a shared capacitance with the capacitors CT1 and CT2. The capacitance CT1 from the load node N is directly connected to ground. The capacitance CT2 connects the inductance L to ground. Further embodiments, such as with additional resistance (cf. 4 and 5 ) are conceivable.

Der Lastknoten N ist über eine weitere Induktivität LVCC mit der Versorgungsspannung verbunden. Es ergibt sich somit ein schwingfähiges System mit den Bauteilen LVCC, L, CT1, CT2 sowie der Trägerquelle 3. In dieser oder ähnlicher Form spricht man dann häufig von einem Klasse-E Verstärker.The load node N is connected to the supply voltage via a further inductance LVCC. This results in a vibratory system with the components LVCC, L, CT1, CT2 and the carrier source 3 , In this or similar form, one often speaks of a class E amplifier.

Parallel zur Induktivität LVCC liegt die Lastschaltung 2 an. Die Lastschaltung 2 ist als Widerstand R mit einem Schaltmittel T realisiert. Das Schaltmittel T lässt sich durch die Daten data schalten. Somit wird das Datensignal auf das Trägersignal aufmoduliert.Parallel to the inductance LVCC is the load circuit 2 at. The load circuit 2 is realized as a resistor R with a switching means T. The switching means T can be switched by the data data. Thus, the data signal is modulated onto the carrier signal.

Grundsätzlich ergeben sich verschiedenste Möglichkeiten die Last R zuzuschalten. In 3a ist dies am Schaltknoten N, also zwischen der geteilten Kapazität CT1 und CT2 realisiert. In einer Variante kann die Last R aber auch direkt an die erste Induktivität (vergleiche 3b) angeschossen werden. In einer dritten Variante erfolgt das Zuschalten der Last an die zweite Induktivität, d.h. an die zweite Schnittstelle 24, vergleiche dazu 3c. In dieser letztgenannten Variante befinden sich zumindest Teile der Schaltung 1 auf der Seite des Sensors 22. Insbesondere die Lastschaltung 2 (siehe unten) und/oder die Beschleunigerschaltung 3 (siehe unten) werden dann auf der Sensorseite platziert. In diesem Fall wird die Versorgungsspannung VCC nicht direkt aus dem Transmitter 21 geliefert, sondern wird über die Schnittstellen 23, 24, evtl. über gewisse Zusatzschaltungen wie Gleichrichter u.a., auf die Sensorseite transportiert und der Schaltung zur Verfügung gestellt.Basically, there are various possibilities to switch on the load R. In 3a this is realized at the switching node N, ie between the shared capacitance CT1 and CT2. In a variant, the load R but also directly to the first inductance (see 3b ) are shot. In a third variant, the load is connected to the second inductance, ie to the second interface 24 , compare to this 3c , In this latter variant are at least parts of the circuit 1 on the side of the sensor 22 , In particular, the load circuit 2 (see below) and / or the accelerator circuit 3 (see below) are then placed on the sensor side. In this case, the supply voltage VCC is not directly from the transmitter 21 but is delivered through the interfaces 23 . 24 , possibly via certain additional circuits such as rectifiers, etc., transported to the sensor side and made available to the circuit.

4a zeigt eine erste konkrete Realisierung der elektronischen Schaltung 1. 4a shows a first concrete realization of the electronic circuit 1 ,

Die Lastschaltung 2 besteht in diesem Beispiel im Wesentlichen aus der Last R, dem Transistor T1, dem Transistor T2, dem Widerstand R1 und der Kapazität C1.The load circuit 2 In this example, it consists essentially of the load R, the transistor T1, the transistor T2, the resistor R1 and the capacitor C1.

Die Last R stellt einen Widerstand dar, im Allgemeinen ist aber eine Impedanz gemeint. Der Transistor T1 ist als Bipolartransistor, genauer als pnp-Transistor ausgestaltet. Der Transistor T2 ist als Bipolartransistor, genauer als npn-Transistor ausgestaltet.The load R represents a resistance, but in general an impedance is meant. The transistor T1 is designed as a bipolar transistor, more precisely as a pnp transistor. The transistor T2 is configured as a bipolar transistor, more precisely as an NPN transistor.

Der Emitter-Anschluss des Transistors T1 ist mit der Last R verbunden. Der Kollektor-Anschluss des Transistors T1 ist mit der Versorgungsspannung VCC verbunden. Der Basis-Anschluss des Transistors T1 ist mit dem Kollektor-Anschluss des Transistors T2 verbunden. Der Emitter-Anschluss des Transistors T2 ist über den Widerstand R1 und der parallelen Kapazität C1 mit Masse verbunden. Der Widerstand R1 dient zum Einstellen eines entsprechenden Basisstroms des Transistors T2. Die Kapazität C1 beschleunigt die Einschaltphase des Durchsteuerns des Transistors T2 und damit auch des Transistors T1. Über dem Basis-Anschluss des Transistors T2 werden Daten, also das Datensignal data, zugeführt. Der Spannungspegel des Datensignals data ist dabei entweder 0 V oder VCC, d.h. das Datensignal hat den gleichen Spannungspegel wie die Versorgungsspannung. Grundsätzlich funktioniert die Schaltung 1 auch mit anderen Spannungspegeln, die Bauteile bzw. dessen Werte müssten entsprechend angepasst werden. Werden beispielsweise die Pegel in ihrer logischen Interpretation invertiert, muss ein entsprechender Inverter vorgeschaltet werden.The emitter terminal of the transistor T1 is connected to the load R. The collector terminal of the transistor T1 is connected to the supply voltage VCC. The base terminal of the transistor T1 is connected to the collector terminal of the transistor T2. The emitter terminal of the transistor T2 is connected to ground via the resistor R1 and the parallel capacitance C1. The resistor R1 serves to set a corresponding base current of the transistor T2. The capacitor C1 accelerates the turn-on phase of the turn-on of the transistor T2 and thus also of the transistor T1. About the base terminal of the transistor T2 data, ie the data signal data, supplied. The voltage level of the data signal data is either 0 V or VCC, ie the data signal has the same voltage level as the supply voltage. Basically, the circuit works 1 also with other voltage levels, the components or their values would have to be adjusted accordingly. If, for example, the levels are inverted in their logical interpretation, a corresponding inverter must be connected upstream.

Die bereits angesprochene Diode zum Verhindern des Rückflusses des Laststromes in die Schaltung ist in dieser Variante mit Bipolartransistor wegen der inhärenten Diode des Transistors nicht nötig.The already mentioned diode for preventing the backflow of the load current into the circuit is not necessary in this variant with bipolar transistor because of the inherent diode of the transistor.

Eine Realisierung ohne den Transistor T2 ist denkbar, dann wird das Datensignal dem Basis-Anschluss des Transistors T1 direkt zugeführt. Eine Schaltung mit Transistor T2 hat aber den Vorteil, dass eine höhere Einschaltgeschwindigkeit erreicht werden kann. Dies ist nötig, damit die Schaltflanken des modulierten Signals steil genug sind und damit als Pegelwechsel erkannt werden.A realization without the transistor T2 is conceivable, then the data signal is fed directly to the base terminal of the transistor T1. However, a circuit with transistor T2 has the advantage that a higher turn-on speed can be achieved. This is necessary so that the switching edges of the modulated signal are steep enough and thus recognized as a level change.

Bei einer „digitalen 1“, also einem „high“ des Datensignals schält der Transistor T2 und im Takt des hochfrequenten Trägersignals der Trägerquelle 3 schält der Transistor T1, es fällt Spannung über der Last R ab und es fließt ein Strom durch die Last R. Dieser Strom fließt in die Schaltung 1 und dient der Versorgung der Schaltung 1. Durch diese zusätzliche Leistungsaufnahme bei einer Modulation lässt sich der gesamte Leistungsverbrauch der Schaltung 1 senken.In the case of a "digital 1", that is to say a "high" of the data signal, the transistor T2 switches and in time with the high-frequency carrier signal of the carrier source 3 turns on the transistor T1, voltage drops across the load R and a current flows through the load R. This current flows into the circuit 1 and serves to supply the circuit 1 , This additional power consumption in a modulation can be the total power consumption of the circuit 1 reduce.

4b zeigt eine Variante des Schaltung 1 aus 4a. Damit eine noch höhere Abschaltgeschwindigkeit des Transistors T1 erreicht werden kann, ist eine Beschleunigerschaltung 5 vorgesehen. Die Beschleunigerschaltung 5 besteht im Wesentlichen aus Transistor TB1, dem Transistor TB2, dem Widerstand R2 und der Kapazität C2 Der Transistor TB1 ist als Bipolartransistor, genauer als pnp-Transistor ausgestaltet. Der Transistor TB2 ist als Bipolartransistor, genauer als npn-Transistor ausgestaltet. 4b shows a variant of the circuit 1 out 4a , For an even higher turn-off speed of the transistor T1 can be achieved, is an accelerator circuit 5 intended. The accelerator circuit 5 consists essentially of transistor TB1, the transistor TB2, the resistor R2 and the capacitor C2 The transistor TB1 is designed as a bipolar transistor, more precisely as a PNP transistor. The transistor TB2 is designed as a bipolar transistor, more precisely as an NPN transistor.

Der Emitter-Anschluss des Transistors TB1 ist mit der Last R verbunden. Der Kollektor-Anschluss des Transistors TB1 ist mit dem Basis-Anschluss des Transistors T1 verbunden. Der Basis-Anschluss des Transistors TB1 ist mit dem Kollektor-Anschluss des Transistors TB2 verbunden. Der Emitter-Anschluss des Transistors TB2 ist über den Widerstand R2 und der parallelen Kapazität C2 mit Masse verbunden. Der Widerstand R2 dient zum Einstellen eines entsprechenden Basisstroms des Transistors TB2. Die Kapazität C2 beschleunigt die Einschaltphase des Durchsteuerns des Transistors TB2 und damit auch des Transistors TB. Über dem Basis-Anschluss des Transistors TB2 werden Daten, also das Datensignal, invertiert zugeführt.The emitter terminal of the transistor TB1 is connected to the load R. The collector terminal of the transistor TB1 is connected to the base terminal of the transistor T1. The base terminal of the transistor TB1 is connected to the collector terminal of the transistor TB2. The emitter terminal of the transistor TB2 is grounded through the resistor R2 and the parallel capacitor C2. The resistor R2 is for setting a corresponding base current of the transistor TB2. The capacitance C2 accelerates the turn-on phase of the turn-on of the transistor TB2 and thus also of the transistor TB. About the base terminal of the transistor TB2 data, ie the data signal, are supplied inversely.

5 zeigt eine weitere Ausgestaltung der Lastschaltung 2. Dabei ist die Lastschaltung 2 mit einem unipolaren Transistor T1 realisiert. Der Transistor T1 ist ein selbstsperrender NMOS-Transistor. Alternativen als PMOS oder in einer selbstleitenden Ausführung sind mit kleinen Modifikationen der Schaltung denkbar. 5 shows a further embodiment of the load circuit 2 , Here is the load circuit 2 realized with a unipolar transistor T1. The transistor T1 is a self-blocking NMOS transistor. Alternatives as PMOS or in a self-conducting design are conceivable with small modifications of the circuit.

Der Source-Anschluss des Transistors T1 ist mit der Versorgungsspannung VCC verbunden. Der Drain-Anschluss des Transistors T1 ist über eine Diode D1 (Kathode zeigt in Richtung Drain-Anschluss) und über die Last R mit dem Lastknoten N verbunden. Die Diode D1 verhindert einen ungewollten Stromfluss von VCC über die Body-Diode von T1 und R zum Lastknoten N. Diode D2, Kondensator C3 und Widerstand R3 bilden eine Bootstrapp-Schaltung zum Ansteuern des Gate-Anschlusses des Transistors T1. Das data-Signal wechselt zwischen 0 V und VCC. Wegen dem Bootstrapp-Effekt wechselt die Spannung am Gate von T1 dann entsprechen zwischen 0 V + VCC und VCC + VCC.The source terminal of the transistor T1 is connected to the supply voltage VCC. The drain terminal of the transistor T1 is connected to the load node N via a diode D1 (cathode points in the direction of the drain terminal) and via the load R. The diode D1 prevents unwanted current flow of VCC via the body diode of T1 and R to the load node N. Diode D2, capacitor C3 and resistor R3 form a bootstrap circuit for driving the gate terminal of the transistor T1. The data signal changes between 0 V and VCC. Because of the bootstrap effect, the voltage at the gate of T1 then changes between 0V + VCC and VCC + VCC.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Elektronische Schaltung Electronic switch
22
Lastschaltung Powershift
33
Trägerquelle carrier source
44
Zuführeinheit feed
55
Beschleunigerschaltung accelerator circuit
2020
Messsystem measuring system
2121
Transmitter transmitter
2222
Sensor sensor
2323
Schnittstelle interface
2424
Schnittstelle interface
2525
Kabel electric wire
datadata
Datensignal data signal
D1D1
Diode diode
D2D2
Diode diode
LL
Induktivität inductance
NN
Lastknoten Last node
RR
Last load
R1R1
Widerstand resistance
R2R2
Widerstand resistance
R3R3
Widerstand resistance
R4R4
Widerstand resistance
C1C1
Kapazität capacity
C2C2
Kapazität capacity
C3C3
Kapazität capacity
CT1CT1
Kapazität capacity
CT2CT2
Kapazität capacity
T1T1
Schaltmittel switching means
T2T2
Schaltmittel switching means
TB1TB1
Schaltmittel switching means
TB2TB2
Schaltmittel switching means
VCCVCC
Versorgungsspannung supply voltage

Claims (13)

Elektronische Schaltung (1) zur Erzeugung eines ASK-Signals, wobei das ASK-Signal zumindest ein Datensignal (data) umfasst, wobei das Datensignal (data) die zu übertragenden Daten wiedergibt, zwischen einer ersten Seite mit einer ersten Schnittstelle (23), und einer zweiten Seite mit einer, zur ersten Schnittstelle (23) korrespondierenden, zweiten Schnittstelle (24), wobei die erste Schnittstelle (23) und die zweite Schnittstelle (24) zum Übertragen der Daten und Energie ausgestaltet sind, und wobei die erste Schnittstelle 23() und die zweite Schnittstelle (24) als galvanisch getrennte, insbesondere als induktive, Schnittstellen ausgestaltet sind, wobei die Schaltung (1) zumindest umfasst: – eine Trägerquelle (3) zum Erzeugen eines Trägersignals, – eine Versorgungsspannung (VCC) zum Versorgen der Schaltung (1) mit Energie, – eine Lastschaltung (2) zum Umwandeln des Datensignals (data) in ein Nutzsignal, und – eine Zuführeinheit (4) zum Zusammenführen des Nutzsignals mit dem Trägersignal zu dem ASK-Signal mit einer Amplitude, wobei das Nutzsignal die Amplitude des ASK-Signals bestimmt, dadurch gekennzeichnet, dass die Lastschaltung (2) an die Versorgungsspannung (VCC) angeschlossen wird.Electronic switch ( 1 ) for generating an ASK signal, wherein the ASK signal comprises at least one data signal (data), wherein the data signal (data) reproduces the data to be transmitted, between a first page with a first interface ( 23 ), and a second page with a, to the first interface ( 23 ), second interface ( 24 ), the first interface ( 23 ) and the second interface ( 24 ) for transmitting the data and energy, and wherein the first interface 23 () and the second interface ( 24 ) are designed as galvanically isolated, in particular as inductive, interfaces, wherein the circuit ( 1 ) at least comprises: - a carrier source ( 3 ) for generating a carrier signal, - a supply voltage (VCC) for supplying the circuit ( 1 ) with energy, - a load circuit ( 2 ) for converting the data signal (data) into a useful signal, and A feed unit ( 4 ) for combining the useful signal with the carrier signal to the ASK signal with an amplitude, wherein the useful signal determines the amplitude of the ASK signal, characterized in that the load circuit ( 2 ) is connected to the supply voltage (VCC). Elektronische Schaltung (1) nach Anspruch 1, wobei die Lastschaltung (2) mit zumindest einem Schaltmittel (T1) und zumindest einer durch das Schaltmittel (T1) zuschaltbaren Impedanz (R) ausgestaltet ist und das Datensignal (data) das Schalten des Schaltmittels (T1) vorgibt, und wobei die Impedanz (R) einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst, wobei der erste Anschluss der Impedanz (R) mit der Zuführeinheit (4) verbunden ist.Electronic switch ( 1 ) according to claim 1, wherein the load circuit ( 2 ) is configured with at least one switching means (T1) and at least one switchable by the switching means (T1) impedance (R) and the data signal (data), the switching of the switching means (T1) pretending, and wherein the impedance (R) a first terminal and a second terminal, wherein the first terminal of the impedance (R) with the feed unit ( 4 ) connected is. Elektronische Schaltung (1) nach Anspruch 1, wobei die Lastschaltung (2) mit zumindest einem Schaltmittel (T1) und zumindest einer durch das Schaltmittel (T1) zuschaltbaren Impedanz (R) ausgestaltet ist und das Datensignal (data) das Schalten des Schaltmittels (T1) vorgibt, und wobei die Impedanz (R) einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst, wobei der erste Anschluss der Impedanz (R) mit der ersten Schnittstelle (23) verbunden ist.Electronic switch ( 1 ) according to claim 1, wherein the load circuit ( 2 ) is configured with at least one switching means (T1) and at least one switchable by the switching means (T1) impedance (R) and the data signal (data), the switching of the switching means (T1) pretending, and wherein the impedance (R) a first terminal and a second terminal, wherein the first terminal of the impedance (R) is connected to the first interface ( 23 ) connected is. Elektronische Schaltung (1) nach Anspruch 1, wobei die Lastschaltung (2) mit zumindest einem Schaltmittel (T1) und zumindest einer durch das Schaltmittel (T1) zuschaltbaren Impedanz (R) ausgestaltet ist und das Datensignal das Schalten des Schaltmittels (T1) vorgibt, und wobei die Impedanz (R) einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst, wobei der erste Anschluss der Impedanz (R) mit der zweiten Schnittstelle (24) verbunden ist.Electronic switch ( 1 ) according to claim 1, wherein the load circuit ( 2 ) is configured with at least one switching means (T1) and at least one switchable by the switching means (T1) impedance (R) and the data signal, the switching of the switching means (T1) specifies, and wherein the impedance (R) a first terminal and a second terminal wherein the first terminal of the impedance (R) is connected to the second interface ( 24 ) connected is. Elektronische Schaltung (1) nach zumindest einem Ansprüche 2 bis 4, wobei es sich bei dem Schaltmittel (T1) um einen Bipolartransistor, insbesondere einen pnp-Transistor, mit einem Basis-Anschluss, einem Kollektor-Anschluss und einem Emitter-Anschluss handelt, wobei der Emitter-Anschluss mit dem zweiten Anschluss der Impedanz (R) verbunden ist, wobei der Kollektor-Anschluss mit der Versorgungsspannung (VCC) verbunden ist, und wobei dem Basis-Anschluss das Datensignal (data) zugeführt wird.Electronic switch ( 1 ) according to at least one of claims 2 to 4, wherein the switching means (T1) is a bipolar transistor, in particular a pnp transistor, having a base terminal, a collector terminal and an emitter terminal, wherein the emitter terminal is connected to the second terminal of the impedance (R), wherein the collector terminal is connected to the supply voltage (VCC), and wherein the base terminal, the data signal (data) is supplied. Elektronische Schaltung (1) nach Anspruch 5, wobei ein zweites Schaltmittel (T2) vorgesehen ist, wobei es sich bei dem zweiten Schaltmittel (T2) um einen Bipolartransistor, insbesondere einen npn-Transistor, mit einem Basis-Anschluss, einem Kollektor-Anschluss und einem Emitter-Anschluss handelt, wobei der Kollektor-Anschluss des zweiten Transistors mit dem Basis-Anschluss des ersten Transistors verbunden ist, wobei der Emitter-Anschluss des zweiten Transistors über zumindest eine zweite Impedanz (R1), insbesondere einen Widerstand, mit Masse verbunden ist, und wobei dem Basis-Anschluss des zweiten Transistors das Datensignal (data) zugeführt wird.Electronic switch ( 1 ) according to claim 5, wherein a second switching means (T2) is provided, wherein the second switching means (T2) is a bipolar transistor, in particular an npn transistor, with a base terminal, a collector terminal and an emitter terminal is, wherein the collector terminal of the second transistor is connected to the base terminal of the first transistor, wherein the emitter terminal of the second transistor via at least one second impedance (R1), in particular a resistor, connected to ground, and wherein the Base terminal of the second transistor, the data signal (data) is supplied. Elektronische Schaltung (1) nach Anspruch 5 oder 6, wobei eine Beschleunigerschaltung (5) vorgesehen ist, wobei die Beschleunigerschaltung (5) zumindest ein weiteres Schaltmittel (TB1) umfasst, wobei es sich bei dem weiteren Schaltmittel (TB1) um einen Bipolartransistor, insbesondere einen pnp-Transistor, mit einem Basis-Anschluss, einem Kollektor-Anschluss und einem Emitter-Anschluss handelt, wobei der Emitter-Anschluss mit dem zweiten Anschluss der Impedanz (R) verbunden ist, wobei der Kollektor-Anschluss mit dem Basis-Anschluss des ersten Transistors verbunden ist, und wobei dem Basis-Anschluss das Datensignal (data) invertiert zugeführt werden.Electronic switch ( 1 ) according to claim 5 or 6, wherein an accelerator circuit ( 5 ), wherein the accelerator circuit ( 5 ) comprises at least one further switching means (TB1), wherein the further switching means (TB1) is a bipolar transistor, in particular a pnp transistor, having a base terminal, a collector terminal and an emitter terminal, wherein the emitter Terminal is connected to the second terminal of the impedance (R), wherein the collector terminal is connected to the base terminal of the first transistor, and wherein the base terminal, the data signal (data) are supplied inverted. Elektronische Schaltung (1) nach Anspruch 7, wobei die Beschleunigerschaltung (5) ein zweites weiteres Schaltmittel (TB2) umfasst, wobei es sich bei dem zweiten weiteren Schaltmittel (TB2) um einen Bipolartransistor, insbesondere einen npn-Transistor, mit einem Basis-Anschluss, einem Kollektor-Anschluss und einem Emitter-Anschluss handelt, wobei der Kollektor-Anschluss des zweiten weiteren Transistors mit dem Basis-Anschluss des ersten weiteren Transistors verbunden ist, wobei der Emitter-Anschluss des zweiten weiteren Transistors über zumindest eine zweite weitere Impedanz (R2), insbesondere einen Widerstand, mit Masse verbunden ist, und wobei dem Basis-Anschluss des zweiten weiteren Transistors das Datensignal (data) invertiert zugeführt wird.Electronic switch ( 1 ) according to claim 7, wherein the accelerator circuit ( 5 ) comprises a second further switching means (TB2), wherein the second further switching means (TB2) is a bipolar transistor, in particular an npn transistor, having a base terminal, a collector terminal and an emitter terminal, wherein the Collector terminal of the second further transistor is connected to the base terminal of the first further transistor, wherein the emitter terminal of the second further transistor via at least one second further impedance (R2), in particular a resistor connected to ground, and wherein the Base terminal of the second further transistor, the data signal (data) is supplied inverted. Elektronische Schaltung 1() nach zumindest einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei es sich bei dem Schaltmittel (T1) um einen Feldeffekttransistor, insbesondere einen MOSFET, insbesondere einen n-Kanal MOSFET, mit einem Gate-Anschluss, einem Drain-Anschluss und einem Source-Anschluss handelt, wobei der Drain-Anschluss mit dem zweiten Anschluss der Impedanz (R) über eine Diode (D1) verbunden ist, wobei der Source-Anschluss mit der Versorgungsspannung (VCC) verbunden ist, und wobei dem Gate-Anschluss das Datensignal (data) über einen Gate-Kondensator (C3) zugeführt wird.Electronic switch 1 () according to at least one of claims 2 to 4, wherein the switching means (T1) is a field-effect transistor, in particular a MOSFET, in particular an n-channel MOSFET, with a gate terminal, a drain terminal and a source terminal wherein the drain terminal is connected to the second terminal of the impedance (R) via a diode (D1), wherein the source terminal is connected to the supply voltage (VCC), and wherein the gate terminal, the data signal (data) via a gate capacitor (C3) is supplied. Elektronische (1) Schaltung nach Anspruch 9, wobei der Gate-Anschluss zumindest über eine Diode (D2) mit der Versorgungsspannung (VCC) verbunden ist. Electronic ( 1 A circuit according to claim 9, wherein the gate terminal is connected to the supply voltage (VCC) at least via a diode (D2). Elektronische Schaltung (1) nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei es sich bei der Zuführeinheit (4) um eine Resonatorschaltung handelt und zumindest – einen fremderregten Resonanzkreis, insbesondere einen Reihenschwingkreis, mit zumindest einer ersten Induktivität (L) und einem Kondensator, wobei die erste Induktivität (L) der ersten Schnittstelle (23) entspricht, und – ein Trägerschaltmittel (3), insbesondere einen Feldeffekttransistor, insbesondere einen MOSFET, mit einem Gate-Anschluss, einem Drain-Anschluss und einem Source-Anschluss, umfasst, wobei der Kondensator geteilt ausgestaltet ist als erster Kondensator (CT1) und zweiter Kondensator (CT2), und ein Schaltknoten (N) den ersten Kondensator (CT1) mit dem zweiten Kondensator (CT2) verbindet, wobei der erste Kondensator (CT1) gegen Masse geschaltet ist, wobei der zweite Kondensator (CT2) den Schaltknoten (N) zumindest über die erste Induktivität (L) gegen Masse schaltet, wobei zumindest eine zweite Induktivität (LVCC) den Schaltknoten (N) mit der Versorgungsspannung (VCC) verbindet, wobei der Drain-Anschluss an den Schaltknoten (N) geschaltet ist, wobei das Nutzsignal dem Schaltknoten zugeführt wird, und wobei dem Gate-Anschluss das Trägersignal zugeführt wird.Electronic switch ( 1 ) according to at least one of claims 1 to 10, wherein it is in the feed unit ( 4 ) is a resonator circuit and at least - a third-excited resonant circuit, in particular a series resonant circuit, with at least a first inductance (L) and a capacitor, wherein the first inductance (L) of the first interface ( 23 ), and - a carrier switching means ( 3 ), in particular a field-effect transistor, in particular a MOSFET, having a gate terminal, a drain terminal and a source terminal, wherein the capacitor is designed divided as a first capacitor (CT1) and second capacitor (CT2), and a switching node (N) connects the first capacitor (CT1) to the second capacitor (CT2), the first capacitor (CT1) being connected to ground, the second capacitor (CT2) transmitting the switching node (N) at least via the first inductance (L) switches to ground, wherein at least one second inductance (LVCC) connects the switching node (N) to the supply voltage (VCC), wherein the drain terminal is connected to the switching node (N), wherein the useful signal is supplied to the switching node, and wherein the Gate terminal, the carrier signal is supplied. Messgerät (20), umfassend eine elektronische Schaltung (1) nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 11.Measuring device ( 20 ) comprising an electronic circuit ( 1 ) according to at least one of claims 1 to 11. Messgerät (20) nach Anspruch 12, wobei das Messgerät (20) eine übergeordnete Einheit (21), insbesondere einen Transmitter, und einen Verbraucher (22), insbesondere einen Sensor, umfasst, wobei die übergeordnete Einheit (21) mit dem Verbraucher (22) über die erste Schnittstelle (23) und die zweite Schnittstelle (24) verbunden ist, wobei die übergeordnete Einheit (21) der ersten Seite entspricht, und wobei der Verbraucher (22) der zweiten Seite entspricht.Measuring device ( 20 ) according to claim 12, wherein the measuring device ( 20 ) a parent unit ( 21 ), in particular a transmitter, and a consumer ( 22 ), in particular a sensor, wherein the higher-order unit ( 21 ) with the consumer ( 22 ) via the first interface ( 23 ) and the second interface ( 24 ), the parent unit ( 21 ) corresponds to the first page, and where the consumer ( 22 ) corresponds to the second page.
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