DE102013201775A1 - Lighting module use as light source in headlamps of motor vehicle, has semiconductor chip that is provided in recess of connection carrier and fixed to main surface of intermediate carrier - Google Patents

Lighting module use as light source in headlamps of motor vehicle, has semiconductor chip that is provided in recess of connection carrier and fixed to main surface of intermediate carrier Download PDF

Info

Publication number
DE102013201775A1
DE102013201775A1 DE201310201775 DE102013201775A DE102013201775A1 DE 102013201775 A1 DE102013201775 A1 DE 102013201775A1 DE 201310201775 DE201310201775 DE 201310201775 DE 102013201775 A DE102013201775 A DE 102013201775A DE 102013201775 A1 DE102013201775 A1 DE 102013201775A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
connection
semiconductor chip
connection carrier
semiconductor chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE201310201775
Other languages
German (de)
Inventor
Jörg Sorg
Ralph Wirth
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Original Assignee
Osram GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram GmbH filed Critical Osram GmbH
Priority to DE201310201775 priority Critical patent/DE102013201775A1/en
Publication of DE102013201775A1 publication Critical patent/DE102013201775A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Abstract

The module (1) has a semiconductor chip (2) for generating radiation that is electrically connected with a connecting surface (31) of a connection carrier (3). The connection carrier having a recess (35) is mounted on a main surface (40) of a metallic intermediate carrier (4). The semiconductor chip is provided in the recess of the connection carrier and fixed to the main surface of the intermediate carrier. An electronic component (25) is secured to the connection carrier and an electrically conductive connection is connected with the semiconductor chip. An independent claim is included for a method for manufacturing a lighting module.

Description

Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Beleuchtungsmodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Beleuchtungsmoduls. The present application relates to a lighting module and a method for producing a lighting module.

Bei der Herstellung von Lichtquellen auf der Basis von Leuchtdioden müssen für Hochleistungsanwendungen, beispielsweise für Scheinwerfer in einem Kraftfahrzeug, hohe Leuchtdichten erzielt werden. Die für die Erzeugung hoher Leuchtdichten erforderlichen Stromdichten im Betrieb der Lichtquelle stellen jedoch besonders hohe Anforderungen an die Wärmeabfuhr der entstehenden Verlustwärme. In the production of light sources based on light emitting diodes high luminance must be achieved for high performance applications, such as headlights in a motor vehicle. However, the current densities required for the generation of high luminance in the operation of the light source make particularly high demands on the heat dissipation of the resulting heat loss.

Eine Aufgabe ist es, eine Lichtquelle anzugeben, die sich durch hohe erzielbare Leuchtdichten auszeichnet. Weiterhin soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem ein Beleuchtungsmodul mit hoher Leuchtdichte auf einfache und zuverlässige Weise hergestellt werden kann. One object is to specify a light source which is distinguished by high achievable luminance. Furthermore, a method is to be specified with which a lighting module with high luminance in a simple and reliable manner can be produced.

Diese Aufgaben werden unter anderem durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche. These objects are achieved inter alia by the subject matter of the independent patent claims. Embodiments and developments are the subject of the dependent claims.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls weist das Beleuchtungsmodul zumindest einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip auf. Der Halbleiterchip ist beispielsweise zur Erzeugung von Strahlung mit einer Peak-Wellenlänge im sichtbaren, ultravioletten oder infraroten Spektralbereich vorgesehen. Auf dem Halbleiterchip kann ein Strahlungskonversionselement angeordnet sein, das die im Halbleiterchip im Betrieb erzeugte Strahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung mit einer von der Peak-Wellenlänge des Halbleiterchips verschiedenen Peak-Wellenlänge umwandelt. Der Halbleiterchip ist ungehäust in dem Beleuchtungsmodul angeordnet. Der Halbleiterchip ist insbesondere als ein Hochleistungs-Halbleiterchip ausgeführt. Unter einem Hochleistungs-Halbleiterchip wird im Zweifel ein Halbleiterchip verstanden, der eine elektrische Leistungsaufnahme von mindestens 0,5 W aufweist. Beispielsweise ist der Halbleiterchip als ein Dünnfilm-Halbleiterchip ausgebildet. Bei einem Dünnfilm-Halbleiterchip ist ein Aufwachssubstrat für eine vorzugsweise epitaktisch abgeschiedene und zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterchips entfernt. Bei einem Dünnfilm-Halbleiterchip tritt ein Großteil, das heißt mindestens 50 %, der im Betrieb erzeugten Strahlung durch eine einer Rückseite des Halbleiterchips gegenüberliegende Vorderseite aus. Die Vorderseite bildet die Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips. Ein Dünnfilm-Halbleiterchip stellt in guter Näherung einen Oberflächenemitter mit einer Lambert'schen Abstrahlcharakteristik dar. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the illumination module has at least one semiconductor chip provided for generating radiation. The semiconductor chip is provided, for example, for generating radiation having a peak wavelength in the visible, ultraviolet or infrared spectral range. On the semiconductor chip, a radiation conversion element can be arranged, which converts the radiation generated in operation in the semiconductor chip at least partially into secondary radiation having a different from the peak wavelength of the semiconductor chip peak wavelength. The semiconductor chip is arranged unhoused in the illumination module. The semiconductor chip is designed in particular as a high-performance semiconductor chip. Under a high-performance semiconductor chip is understood in doubt, a semiconductor chip having an electrical power consumption of at least 0.5 W. For example, the semiconductor chip is formed as a thin-film semiconductor chip. In the case of a thin-film semiconductor chip, a growth substrate for a preferably epitaxially deposited semiconductor layer sequence of the semiconductor chip provided for generating radiation is removed. In a thin-film semiconductor chip, a majority, ie, at least 50%, of the radiation generated in operation exits through a front side opposite a backside of the semiconductor chip. The front side forms the radiation passage area of the semiconductor chip. A thin-film semiconductor chip is a good approximation of a surface emitter with a Lambertian radiation characteristic.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls weist das Beleuchtungsmodul einen Anschlussträger mit zumindest einer Anschlussfläche auf. Der Halbleiterchip ist mit der Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden, beispielsweise mittels einer Verbindungsleitung, etwa einer Drahtbond-Verbindung. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the illumination module has a connection carrier with at least one connection surface. The semiconductor chip is connected to the pad electrically conductively, for example by means of a connecting line, such as a wire bond connection.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls weist der Anschlussträger eine Aussparung auf. Die Aussparung erstreckt sich vollständig durch den Anschlussträger hindurch. Die Aussparung ist insbesondere zur Aufnahme des zumindest einen Halbleiterchips vorgesehen. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the connection carrier has a recess. The recess extends completely through the connection carrier. The recess is provided in particular for receiving the at least one semiconductor chip.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls weist das Beleuchtungsmodul einen Zwischenträger mit einer Hauptfläche auf. Der Zwischenträger ist insbesondere als ein metallischer Zwischenträger ausgebildet. Der Zwischenträger enthält also eine Metall oder eine metallische Legierung oder besteht aus einem Metall oder einer metallischen Legierung. Die Hauptfläche ist eben ausgebildet. Insbesondere ist die Hauptfläche frei von einer Ausnehmung, die für die Aufnahme des zumindest einen Halbleiterchips vorgesehen ist. Der Halbleiterchip ist insbesondere direkt an der Hauptfläche des Zwischenträgers befestigt. „Direkt befestigt” bedeutet in diesem Zusammenhang, dass zwischen den aneinander befestigten Elementen kein weiteres vorgefertigtes Element vorhanden ist. Zwischen den direkt aneinander befestigten Elementen, beispielsweise dem Halbleiterchip und dem Zwischenträger, kann jedoch eine Befestigungsschicht, beispielsweise eine Lotschicht oder eine Klebeschicht, vorhanden sein. Der Zwischenträger weist bevorzugt eine Wärmeleitfähigkeit von mindestens 250 W/(m·K) auf. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the illumination module has an intermediate carrier with a main surface. The intermediate carrier is designed in particular as a metallic intermediate carrier. The intermediate carrier thus contains a metal or a metallic alloy or consists of a metal or a metallic alloy. The main surface is flat. In particular, the main surface is free of a recess which is provided for receiving the at least one semiconductor chip. The semiconductor chip is fastened in particular directly to the main surface of the intermediate carrier. In this context, "directly attached" means that there is no further prefabricated element between the elements fastened to one another. However, an attachment layer, for example a solder layer or an adhesive layer, may be present between the elements fastened directly to one another, for example the semiconductor chip and the intermediate carrier. The intermediate carrier preferably has a thermal conductivity of at least 250 W / (m · K).

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist der Anschlussträger an der Hauptfläche des metallischen Zwischenträgers befestigt, insbesondere direkt befestigt. Insbesondere sind der Anschlussträger und der Halbleiterchip auf derselben Seite des Zwischenträgers angeordnet. Weiterhin sind der Anschlussträger und der zumindest eine Halbleiterchip nebeneinander auf dem Zwischenträger angeordnet. Insbesondere befindet sich der Anschlussträger an keiner Stelle zwischen dem Halbleiterchip und dem Zwischenträger. Im Halbleiterchip im Betrieb des Beleuchtungsmoduls erzeugte Abwärme kann also über den Zwischenträger abgeführt werden, ohne zuvor den Anschlussträger zu durchlaufen. Weiterhin befindet sich der Halbleiterchip an keiner Stelle in vertikaler Richtung zwischen dem Zwischenträger und dem Anschlussträger. Unter einer vertikalen Richtung wird eine Richtung verstanden, die senkrecht zur Hauptfläche des Zwischenträgers verläuft. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the connection carrier is fastened to the main surface of the metallic intermediate carrier, in particular directly attached. In particular, the connection carrier and the semiconductor chip are arranged on the same side of the intermediate carrier. Furthermore, the connection carrier and the at least one semiconductor chip are arranged side by side on the intermediate carrier. In particular, the connection carrier is located at no point between the semiconductor chip and the intermediate carrier. Waste heat generated in the semiconductor chip during operation of the illumination module can therefore be dissipated via the intermediate carrier without first passing through the connection carrier. Furthermore, the semiconductor chip is located at no point in the vertical direction between the intermediate carrier and the connection carrier. A vertical direction is understood to mean a direction which is perpendicular to the main surface of the intermediate carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist der zumindest eine Halbleiterchip in der Aussparung des Anschlussträgers angeordnet und an der Hauptfläche des metallischen Zwischenträgers befestigt, insbesondere direkt befestigt. Beispielsweise umläuft der Anschlussträger den zumindest einen Halbleiterchip in lateraler Richtung, also in einer parallel zur Hauptfläche des Zwischenträgers verlaufenden Richtung, insbesondere vollständig. Beispielsweise verläuft der Anschlussträger rahmenförmig um den zumindest einen Halbleiterchip. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the at least one semiconductor chip is arranged in the recess of the connection carrier and fastened to the main surface of the metallic intermediate carrier, in particular directly attached. By way of example, the connection carrier circulates the at least one semiconductor chip in a lateral direction, ie in a direction parallel to the main surface of the intermediate carrier, in particular completely. For example, the connection carrier runs in the form of a frame around the at least one semiconductor chip.

In mindestens einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls weist das Beleuchtungsmodul zumindest einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip, einen Anschlussträger und einen metallischen Zwischenträger mit einer Hauptfläche auf. Der zumindest eine Halbleiterchip ist elektrisch leitend mit einer Anschlussfläche des Anschlussträgers verbunden. Der Anschlussträger ist an der Hauptfläche des metallischen Zwischenträgers befestigt und weist zumindest eine Aussparung auf. Der zumindest eine Halbleiterchip ist in der Aussparung des Anschlussträgers angeordnet und an der Hauptfläche des metallischen Zwischenträgers befestigt. In at least one embodiment of the illumination module, the illumination module has at least one semiconductor chip provided for generating radiation, a connection carrier and a metallic intermediate carrier having a main surface. The at least one semiconductor chip is electrically conductively connected to a connection surface of the connection carrier. The connection carrier is attached to the main surface of the metallic intermediate carrier and has at least one recess. The at least one semiconductor chip is arranged in the recess of the connection carrier and fixed to the main surface of the metallic intermediate carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist der Anschlussträger als ein Mehrschichtträger mit einer Mehrzahl von elektrischen Kontaktierungsebenen ausgeführt. Mittels einer Strukturierung der Kontaktierungsebenen sind die mit dem Anschlussträger elektrisch leitend verbundenen Bauelemente miteinander verschaltbar. Zwischen benachbarten elektrischen Kontaktierungsebenen ist jeweils eine Isolationsschicht ausgebildet. Die Kontaktierungsebenen können zumindest bereichsweise elektrisch leitend miteinander verbunden sein, beispielsweise über eine Durchkontaktierung durch die dazwischen liegende Isolationsschicht. Der Anschlussträger, insbesondere die Isolationsschicht, enthält vorzugsweise eine Keramik. Eine Haupterstreckungsebene der Kontaktierungsebenen verläuft parallel zur Hauptfläche des Zwischenträgers. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the connection carrier is designed as a multilayer carrier with a plurality of electrical contacting planes. By means of a structuring of the contacting planes, the components electrically conductively connected to the connection carrier can be interconnected. Between adjacent electrical Kontaktierungsebenen an insulating layer is formed in each case. The contacting planes can be electrically conductively connected to one another at least in regions, for example via a through-connection through the intervening insulating layer. The connection carrier, in particular the insulation layer, preferably contains a ceramic. A main extension plane of the contacting planes runs parallel to the main surface of the intermediate carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist der Anschlussträger zumindest auf der dem metallischen Zwischenträger abgewandten Seite schwarz ausgebildet. Insbesondere absorbiert der Anschlussträger auf der dem metallischen Zwischenträger abgewandten Seite mindestens 85 % einer Peak-Wellenlänge der vom Beleuchtungsmodul im Betrieb abgestrahlten Strahlung. According to at least one embodiment of the illumination module, the connection carrier is formed black at least on the side facing away from the metallic intermediate carrier. In particular, the connection carrier on the side facing away from the metallic intermediate carrier absorbs at least 85% of a peak wavelength of the radiation emitted by the illumination module during operation.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist zumindest ein elektronisches Bauelement an dem Anschlussträger befestigt. Insbesondere ist das elektronische Bauelement über den Anschlussträger elektrisch leitend mit dem zumindest einen Halbleiterchip verbunden. Beispielsweise ist das elektronische Bauelement direkt an einer der elektrischen Kontaktierungsebenen des Anschlussträgers befestigt. Das elektronische Bauelement ist beispielsweise in einer Ausnehmung in dem Anschlussträger befestigt. In vertikaler Richtung erstreckt sich die Ausnehmung nicht vollständig durch den Anschlussträger hindurch, sondern endet auf Höhe einer der elektrischen Kontaktierungsebenen des Anschlussträgers. Das elektronische Bauelement ist insbesondere vollständig innerhalb der Ausnehmung angeordnet. Das elektronische Bauelement ragt in vertikaler Richtung also nicht über den Anschlussträger hinaus. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, at least one electronic component is fastened to the connection carrier. In particular, the electronic component is electrically conductively connected to the at least one semiconductor chip via the connection carrier. For example, the electronic component is attached directly to one of the electrical contacting levels of the connection carrier. The electronic component is fastened, for example, in a recess in the connection carrier. In the vertical direction, the recess does not extend completely through the connection carrier, but ends at the level of one of the electrical contacting planes of the connection carrier. The electronic component is in particular arranged completely within the recess. The electronic component does not protrude beyond the connection carrier in the vertical direction.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist das elektronische Bauelement als ein ESD(electro static discharge)-Schutzelement ausgebildet. Insbesondere ist das elektronische Bauelement über den Anschlussträger parallel zu dem zumindest einen Halbleiterchip verschaltet. Das ESD-Schutzelement ist beispielsweise eine Schutzdiode, etwa eine Zener-Diode. Der Begriff „parallel verschaltet” impliziert auch eine Anordnung, bei der der zur Erzeugung von Strahlung vorgesehene Halbleiterchip und das elektronische Bauelement bezüglich der Durchlassrichtung antiparallel zueinander angeordnet sind. Das ESD-Schutzelement kann auch mehr als eine Schutzdiode aufweisen, beispielsweise zwei Schutzdioden, die in einer so genannten „back-to-back”-Anordnung angeordnet sind. Alternativ oder ergänzend kann das Schutzelement einen Varistor oder einen Tyristor enthalten. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the electronic component is designed as an ESD (electrostatic discharge) protective element. In particular, the electronic component is connected in parallel to the at least one semiconductor chip via the connection carrier. The ESD protection element is a protective diode, for example a Zener diode. The term "connected in parallel" also implies an arrangement in which the semiconductor chip provided for generating radiation and the electronic component are arranged in anti-parallel with respect to the forward direction. The ESD protection element can also have more than one protection diode, for example two protection diodes, which are arranged in a so-called "back-to-back" arrangement. Alternatively or additionally, the protective element may include a varistor or a thyristor.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist die Aussparung zumindest teilweise mit einer reflektierenden Formmasse gefüllt. Beispielsweise enthält die Formmasse ein Matrixmaterial, etwa ein Polymermaterial, beispielsweise Silikon. Zur Erhöhung der Reflektivität kann das Matrixmaterial mit Partikeln gefüllt sein, beispielsweise mit Weißpigmenten. Die Partikel können beispielsweise TiO2, ZrO2 oder BaSO4 enthalten oder aus einem solchen Material bestehen. Insbesondere grenzt die reflektierende Formmasse unmittelbar an den zumindest einen Halbleiterchip und an zumindest eine Seitenfläche der Aussparung an. Bei der Herstellung des Beleuchtungsmoduls kann der Anschlussträger die Funktion eines Vergussrahmens für die Formmasse erfüllen. According to at least one embodiment of the illumination module, the recess is at least partially filled with a reflective molding compound. For example, the molding composition contains a matrix material, for example a polymer material, for example silicone. To increase the reflectivity, the matrix material may be filled with particles, for example with white pigments. The particles may contain, for example, TiO 2 , ZrO 2 or BaSO 4 or consist of such a material. In particular, the reflective molding compound directly adjoins the at least one semiconductor chip and at least one side surface of the recess. In the manufacture of the lighting module, the connection carrier can fulfill the function of a potting frame for the molding compound.

Weiterhin kann die reflektierende Formmasse an das Strahlungskonversionselement unmittelbar angrenzen. Mittels der reflektierenden Formmasse wird eine seitliche Abstrahlung des Halbleiterchips oder des Strahlungskonversionselements zugunsten einer erhöhten Abstrahlung in vertikaler Richtung vermindert. Auf ein den Halbleiterchip in lateraler Richtung umgebendes Reflektorelement zur Umlenkung der seitlich austretenden Strahlung kann verzichtet werden. Furthermore, the reflective molding compound can directly adjoin the radiation conversion element. By means of the reflective molding compound, a lateral radiation of the semiconductor chip or of the radiation conversion element is reduced in favor of increased radiation in the vertical direction. On a reflector element surrounding the semiconductor chip in the lateral direction for deflection the laterally emerging radiation can be dispensed with.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls weist das Beleuchtungsmodul eine Mehrzahl von Halbleiterchips auf, die jeweils zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen sind. Die Halbleiterchips sind jeweils an dem Zwischenträger befestigt, insbesondere in der Aussparung des Anschlussträgers. Die Aussparung des Anschlussträgers bildet also eine gemeinsame Aussparung für alle strahlungserzeugenden Halbleiterchips des optoelektronischen Moduls. Die Halbleiterchips sind jeweils über eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode elektrisch kontaktiert. Ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips beträgt beispielsweise höchstens 50 µm, bevorzugt höchstens 20 µm. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the illumination module has a plurality of semiconductor chips, which are each provided for generating radiation. The semiconductor chips are each attached to the intermediate carrier, in particular in the recess of the connection carrier. The recess of the connection carrier thus forms a common recess for all radiation-generating semiconductor chips of the optoelectronic module. The semiconductor chips are each electrically contacted via a first electrode and a second electrode. A distance between adjacent semiconductor chips is, for example, at most 50 μm, preferably at most 20 μm.

Im Betrieb des Beleuchtungsmoduls können die ersten Elektroden und/oder die zweiten Elektroden jeweils auf einem gemeinsamen elektrischen Potenzial liegen. During operation of the illumination module, the first electrodes and / or the second electrodes may each be at a common electrical potential.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls sind die erste Elektrode auf einer vom Zwischenträger abgewandten Vorderseite der Halbleiterchips und die zweite Elektrode auf einer dem Zwischenträger zugewandten Rückseite der Halbleiterchips angeordnet. Die Rückseiten der Halbleiterchips können über den Zwischenträger elektrisch leitend miteinander verbunden sein. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the first electrode is arranged on a front side of the semiconductor chips facing away from the intermediate carrier and the second electrode on a rear side of the semiconductor chips facing the intermediate carrier. The rear sides of the semiconductor chips can be electrically conductively connected to one another via the intermediate carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls sind die erste Elektrode und die zweite Elektrode auf einer vom Zwischenträger abgewandten Vorderseite der Halbleiterchips angeordnet. Die elektrische Kontaktierung der Halbleiterchips erfolgt also unabhängig von dem Zwischenträger. Die Halbleiterchips können zumindest teilweise elektrisch parallel und/oder elektrisch in Serie zueinander verschaltet sein. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the first electrode and the second electrode are arranged on a front side of the semiconductor chips facing away from the intermediate carrier. The electrical contacting of the semiconductor chips is thus independent of the intermediate carrier. The semiconductor chips may be at least partially electrically connected in parallel and / or electrically in series with one another.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls sind zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips über elektrisch voneinander isolierte Kontaktflächen getrennt voneinander extern elektrisch ansteuerbar. Beispielsweise können die ersten Elektroden der Halbleiterchips jeweils über voneinander getrennte Kontaktflächen ansteuerbar sein, während die zweiten Elektroden mit einer gemeinsamen Gegenkontaktfläche extern elektrisch kontaktierbar sind oder umgekehrt. Einer Kontaktfläche kann genau ein Halbleiterchip oder eine Gruppe von Halbleiterchips zugeordnet sein. Mit anderen Worten kann die Anzahl der Kontaktflächen kleiner oder gleich der Anzahl von Halbleiterchips sein. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, at least two semiconductor chips of the plurality of semiconductor chips can be externally electrically driven separately from one another via electrically insulated contact surfaces. For example, the first electrodes of the semiconductor chips can each be actuated via contact surfaces which are separate from one another, while the second electrodes can be electrically contacted externally with a common mating contact surface or vice versa. A contact surface may be associated with exactly one semiconductor chip or a group of semiconductor chips. In other words, the number of contact pads may be less than or equal to the number of semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist den getrennt voneinander elektrisch ansteuerbaren Halbleiterchips jeweils ein ESD-Schutzelement zugeordnet. Die elektrische Verschaltung zwischen den Halbleiterchips und den jeweils zugeordneten ESD-Schutzelementen kann über den Anschlussträger erfolgen. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, an ESD protection element is assigned to each of the semiconductor chips, which can be driven separately from one another. The electrical interconnection between the semiconductor chips and the respective associated ESD protection elements can take place via the connection carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls weist das Beleuchtungsmodul einen Kühlkörper auf. Der Kühlkörper ist auf der dem Anschlussträger abgewandten Seite des Zwischenträgers angeordnet. Der Kühlkörper ist vorzugsweise metallisch ausgebildet. Beispielsweise enthält der Kühlkörper Aluminium. Der Zwischenträger kann mittels einer Zwischenträgerbefestigungsschicht, etwa einer Lotschicht oder einer metallischen Sinterschicht, an dem Kühlkörper befestigt sein. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the illumination module has a heat sink. The heat sink is arranged on the side facing away from the connection carrier of the intermediate carrier. The heat sink is preferably formed metallic. For example, the heat sink contains aluminum. The intermediate carrier may be secured to the heat sink by means of an intermediate carrier attachment layer, such as a solder layer or a metallic sintered layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls unterscheiden sich die thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Kühlkörpers und des Zwischenträgers um höchstens 10 ppm/K voneinander. Beispielsweise kann der Zwischenträger Kupfer und der Kühlkörper Aluminium enthalten. According to at least one embodiment of the lighting module, the thermal expansion coefficients of the heat sink and the intermediate carrier differ by at most 10 ppm / K from each other. For example, the intermediate carrier may contain copper and the heat sink aluminum.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist der zumindest eine Halbleiterchip mittels einer Chipbefestigungsschicht an dem Zwischenträger befestigt. Beispielsweise ist die Chipbefestigungsschicht eine Sinterschicht oder eine Lotschicht. Durch eine solche metallische Befestigungsschicht kann eine thermisch gut leitende Verbindung besonders einfach und zuverlässig hergestellt werden. Insbesondere können in einem Wärmepfad zwischen dem zumindest einen Halbleiterchip und dem Kühlkörper ausschließlich metallische Verbindungsschichten und der metallische Zwischenträger angeordnet sein. Die zwischen dem Halbleiterchip und dem Kühlkörper angeordneten Verbindungsschichten weisen bevorzugt eine Wärmeleitfähigkeit von mindestens 10 W/(m·K), besonders bevorzugt von mindestens 20 W/(m·K), auf. Eine thermisch schlecht leitende Verbindungsschicht weist dagegen eine thermische Leitfähigkeit von 5 W/(m·K) oder weniger auf. Mit anderen Worten ist der Wärmepfad frei von einer thermisch schlecht leitenden Schicht, insbesondere frei von einer elektrisch isolierenden Schicht. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the at least one semiconductor chip is fastened to the intermediate carrier by means of a chip attachment layer. For example, the die attach layer is a sintered layer or a solder layer. By such a metallic attachment layer, a thermally well conductive compound can be made particularly simple and reliable. In particular, only metallic connecting layers and the metallic intermediate carrier can be arranged in a heat path between the at least one semiconductor chip and the heat sink. The connecting layers arranged between the semiconductor chip and the heat sink preferably have a thermal conductivity of at least 10 W / (m · K), particularly preferably of at least 20 W / (m · K). On the other hand, a thermally poorly conducting connecting layer has a thermal conductivity of 5 W / (m · K) or less. In other words, the heat path is free of a thermally poorly conductive layer, in particular free of an electrically insulating layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist der Anschlussträger mittels einer Anschlussträgerbefestigungsschicht an dem metallischen Zwischenträger befestigt. Für die Anschlussträgerbefestigungsschicht eignet sich insbesondere eine Klebeschicht. Eine Klebeschicht kann eine höhere mechanische Elastizität aufweisen als eine metallische Verbindungsschicht. Die Gefahr einer Lösung der Verbindung aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Anschlussträger und dem Zwischenträger wird so auch bei einer vergleichsweise großflächigen Verbindung vermindert. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the connection carrier is fastened to the metallic intermediate carrier by means of a connection carrier attachment layer. In particular, an adhesive layer is suitable for the connection carrier attachment layer. An adhesive layer may have a higher mechanical elasticity than a metal compound layer. The risk of a solution of the compound due to different thermal expansion coefficients between the connection carrier and the Subcarrier is thus reduced even with a comparatively large area connection.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls weist die Chipbefestigungsschicht eine höhere thermische Leitfähigkeit auf als die Anschlussträgerbefestigungsschicht. Weiterhin weist die Anschlussträgerbefestigungsschicht eine höhere mechanische Elastizität auf als die Chipbefestigungsschicht. Mit anderen Worten ist die Chipbefestigungsschicht im Hinblick auf einen minimalen thermischen Widerstand zwischen dem Halbleiterchip und dem Zwischenträger und die Anschlussträgerbefestigungsschicht im Hinblick auf eine Unempfindlichkeit der Verbindung zwischen dem Anschlussträger und dem Zwischenträger gegenüber einer Temperaturwechselbeanspruchung hin optimiert. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the chip attachment layer has a higher thermal conductivity than the attachment carrier attachment layer. Furthermore, the terminal carrier attachment layer has a higher mechanical elasticity than the chip attachment layer. In other words, the chip mounting layer is optimized for thermal resistance to minimum thermal resistance between the semiconductor chip and the subcarrier and the terminal support mounting layer in view of insensitivity of the connection between the terminal substrate and the subcarrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls weist der Anschlussträger eine für die externe elektrische Kontaktierung des Moduls vorgesehene Gegenkontaktfläche auf, die über den metallischen Zwischenträger elektrisch leitend mit dem zumindest einen Halbleiterchip verbunden ist. Beispielsweise ist die Kontaktfläche über eine Durchkontaktierung durch eine Isolationsschicht des Anschlussträgers mit dem Zwischenträger elektrisch leitend verbunden. Insbesondere kann der Anschlussträger auf der dem Zwischenträger zugewandten Seite mit einer Metallisierungsschicht versehen sein. Für eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Anschlussträger und dem Zwischenträger ist die Anschlussträgerbefestigungsschicht zweckmäßigerweise elektrisch leitfähig ausgebildet, beispielsweise als eine elektrisch leitfähige Klebeschicht. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the connection carrier has a mating contact surface provided for the external electrical contacting of the module, which is electrically conductively connected to the at least one semiconductor chip via the metallic intermediate carrier. By way of example, the contact surface is electrically conductively connected to the intermediate carrier via an interconnection through an insulating layer of the connection carrier. In particular, the connection carrier may be provided with a metallization layer on the side facing the intermediate carrier. For an electrically conductive connection between the connection carrier and the intermediate carrier, the connection carrier attachment layer is expediently designed to be electrically conductive, for example as an electrically conductive adhesive layer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Beleuchtungsmoduls ist das Beleuchtungsmodul als Lichtquelle in einem Scheinwerfer, insbesondere als Frontscheinwerfer für ein Kraftfahrzeug, ausgebildet. Mit der beschriebenen Ausgestaltung des Beleuchtungsmoduls können die hohen Anforderungen an eine Lichtquelle in einem Scheinwerfer im Hinblick auf hohe Leuchtdichten zuverlässig erfüllt werden. In accordance with at least one embodiment of the illumination module, the illumination module is designed as a light source in a headlight, in particular as a headlight for a motor vehicle. With the described embodiment of the lighting module, the high demands on a light source in a headlight with regard to high luminance can be reliably met.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines Beleuchtungsmoduls wird zumindest ein Halbleiterchip an einem insbesondere metallischen Zwischenträger befestigt. Ein Anschlussträger mit zumindest einer Anschlussfläche und zumindest einer Aussparung wird an dem Zwischenträger befestigt. Zwischen dem in der Aussparung des Anschlussträgers angeordneten Halbleiterchip und der zumindest einen Anschlussfläche des Anschlussträgers wird eine elektrisch leitende Verbindung hergestellt. In accordance with at least one embodiment of a method for producing a lighting module, at least one semiconductor chip is fastened to a particularly metallic intermediate carrier. A connection carrier with at least one connection surface and at least one recess is fastened to the intermediate carrier. Between the semiconductor chip arranged in the recess of the connection carrier and the at least one connection surface of the connection carrier, an electrically conductive connection is produced.

Die Durchführung des Verfahrens erfolgt insbesondere in der Reihenfolge der obigen Aufzählung. Insbesondere erfolgt das Befestigen des Halbleiterchips an dem Zwischenträger vor dem Befestigen des Anschlussträgers an dem Zwischenträger. The method is carried out in particular in the order of the above list. In particular, the fastening of the semiconductor chip to the intermediate carrier takes place before the attachment carrier is fastened to the intermediate carrier.

Das Verfahren ist zur Herstellung eines weiter oben beschriebenen Beleuchtungsmoduls besonders geeignet. Im Zusammenhang mit dem Beleuchtungsmodul angeführte Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt. The method is particularly suitable for producing a lighting module described above. Therefore, in connection with the lighting module mentioned features can also be used for the process and vice versa.

Durch das vorstehend beschriebene Beleuchtungsmodul beziehungsweise das Verfahren können insbesondere die folgenden technischen Effekte erzielt werden:
Ein metallischer Zwischenträger kann sich durch eine höhere Wärmeleitfähigkeit auszeichnen als ein keramischer Zwischenträger. Beispielsweise weist Kupfer eine Wärmeleitfähigkeit von 400 W/(m·K) auf, während selbst eine vergleichsweise teure Keramik mit hoher Wärmeleitfähigkeit, beispielsweise eine Aluminiumnitrid-Keramik, typischerweise nur Wärmeleitfähigkeiten zwischen 170 und 200 W/(m·K) aufweist. Zudem ist ein metallischer Zwischenträger mechanisch robust und kann mechanische Spannungsspitzen durch plastische Verformung aufnehmen.
In particular, the following technical effects can be achieved by the illumination module or the method described above:
A metallic intermediate carrier can be characterized by a higher thermal conductivity than a ceramic intermediate carrier. For example, copper has a thermal conductivity of 400 W / (m · K), while even a comparatively expensive high thermal conductivity ceramic, such as an aluminum nitride ceramic, typically only thermal conductivities between 170 and 200 W / (m · K). In addition, a metallic intermediate carrier is mechanically robust and can absorb mechanical stress peaks by plastic deformation.

Weiterhin zeichnet sich ein metallischer Zwischenträger bezüglich des thermischen Ausdehnungskoeffizienten durch eine gute Anpassung an einen metallischen Kühlkörper aus gängigen Materialien wie beispielsweise aus Aluminium oder einer Aluminium-Legierung, aus. Beispielsweise weist Kupfer einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 16 ppm/K und Aluminium einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 23 ppm/K auf, während der thermische Ausdehnungskoeffizient von keramischem Material typischerweise in der Größenordnung von 5 ppm/K oder darunter liegt. Furthermore, a metallic intermediate carrier with respect to the coefficient of thermal expansion is characterized by a good adaptation to a metallic heat sink of common materials such as aluminum or an aluminum alloy from. For example, copper has a thermal expansion coefficient of 16 ppm / K and aluminum has a coefficient of thermal expansion of 23 ppm / K, while the thermal expansion coefficient of ceramic material is typically of the order of 5 ppm / K or less.

Aufgrund des geringeren Unterschieds in der thermischen Ausdehnung zwischen dem metallischen Zwischenträger und dem metallischen Kühlkörper kann die Verbindung zwischen diesen Elementen durch eine hoch wärmeleitfähige Zwischenträgerbefestigungsschicht erfolgen. Bei größeren Unterschieden in den thermischen Ausdehnungskoeffizienten müssten Verbindungsmaterialien verwendet werden, die zu Lasten der Wärmeleitfähigkeit eine erhöhte mechanische Elastizität aufweisen. Due to the smaller difference in the thermal expansion between the metallic intermediate carrier and the metallic heat sink, the connection between these elements can be effected by a highly thermally conductive intermediate carrier attachment layer. For larger differences in the coefficients of thermal expansion connecting materials would have to be used, which have at the expense of thermal conductivity increased mechanical elasticity.

Durch die Anordnung mehrerer Halbleiterchips auf einer durchgehenden, unstrukturierten Hauptfläche des metallischen Zwischenträgers können sehr geringe Abstände zwischen den Halbleiterchips realisiert werden. Hohe Leuchtdichten können so vereinfacht realisiert werden. Weiterhin ist eine unstrukturierte Metallfläche kostengünstiger als ein strukturiertes Substrat. Der minimale Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips ist somit allein durch mechanische Toleranzen der Halbleiterchips und die Montagetoleranzen bei der Chipmontage bestimmt. By arranging a plurality of semiconductor chips on a continuous, unstructured main surface of the metallic intermediate carrier, very small distances between the semiconductor chips can be realized. High luminance can be realized so simplified. Furthermore, an unstructured metal surface is less expensive than a structured substrate. The minimum distance between adjacent semiconductor chips is thus alone determined by mechanical tolerances of the semiconductor chips and mounting tolerances in the chip assembly.

Bei Halbleiterchips mit einer rückseitigen Elektrode können die Halbleiterchips über den metallischen Zwischenträger elektrisch leitend miteinander verbunden sein und im Betrieb auf einfache Weise auf einem gemeinsamen Potential liegen, etwa durch elektrische Kontaktierung einer gemeinsamen Gegenkontaktfläche. Die Ansteuerung der Halbleiterchips kann mit einer gemeinsamen Kontaktfläche für alle Halbleiterchips oder mit voneinander getrennten Kontaktflächen für einzelne Halbleiterchips oder Gruppen von Halbleiterchips erfolgen. Eine separate Ansteuerung der Halbleiterchips über mehrere Kontaktflächen ist beispielsweise zweckmäßig, wenn sich die Halbleiterchips bezüglich einer oder mehrerer Eigenschaften, beispielsweise der Vorwärtsspannung oder des Alterungsverhaltens, stark voneinander unterscheiden und/oder wenn die Halbleiterchips im Betrieb zumindest teilweise getrennt voneinander adressierbar sein müssen, beispielsweise zur Steuerung der räumlichen Abstrahlcharakteristik. In the case of semiconductor chips with a rear-side electrode, the semiconductor chips can be electrically conductively connected to one another via the metallic intermediate carrier and can easily be at a common potential during operation, for example by electrical contacting of a common mating contact surface. The driving of the semiconductor chips can take place with a common contact surface for all semiconductor chips or with separate contact surfaces for individual semiconductor chips or groups of semiconductor chips. A separate activation of the semiconductor chips over a plurality of contact surfaces is expedient, for example, if the semiconductor chips differ greatly with respect to one or more properties, for example the forward voltage or the aging behavior, and / or if the semiconductor chips must be at least partially addressable separately during operation, for example for Control of spatial radiation characteristics.

Bei Halbleiterchips, die beide Elektroden an der Vorderseite des Halbleiterchips aufweisen, ist die elektrische Verschaltung der Halbleiterchips in weiten Grenzen frei wählbar. Beispielsweise können die Halbleiterchips zumindest teilweise elektrisch parallel und/oder elektrisch in Serie zueinander verschaltet sein. In the case of semiconductor chips which have both electrodes on the front side of the semiconductor chip, the electrical interconnection of the semiconductor chips can be freely selected within wide limits. For example, the semiconductor chips may be at least partially electrically connected in parallel and / or electrically connected in series.

Über den Anschlussträger können auch komplexe Verschaltungen der Halbleiterchips und/oder eine Verschaltung von zumindest einem Halbleiterchip und einem elektronischen Bauteil einfach und zuverlässig in Chipnähe realisiert werden. Der Anschlussträger kann weiterhin die externen Kontaktflächen und Gegenkontaktflächen des Beleuchtungsmoduls aufweisen. Weiterhin kann der Anschlussträger bei der Herstellung als Vergussrahmen für die reflektierende Formmasse verwendet werden. Bei der Herstellung des Beleuchtungsmoduls kann der Anschlussträger erst nach der Befestigung der Halbleiterchips an dem Zwischenträger befestigt werden. Die Anschlussflächen des Anschlussträgers zeichnen sich durch eine gute Bondbarkeit für Drahtbond-Verbindungen aus, sodass die Halbleiterchips nachfolgend einfach und zuverlässig elektrisch mit dem Anschlussträger verbunden werden können. Complex interconnections of the semiconductor chips and / or interconnection of at least one semiconductor chip and an electronic component can also be implemented simply and reliably close to the chip via the connection carrier. The connection carrier can furthermore have the external contact surfaces and mating contact surfaces of the illumination module. Furthermore, the connection carrier can be used in the production as Vergussrahmen for the reflective molding compound. During the production of the illumination module, the connection carrier can be fastened to the intermediate carrier only after the attachment of the semiconductor chips. The connection surfaces of the connection carrier are characterized by good bondability for wire bond connections, so that the semiconductor chips can subsequently be easily and reliably electrically connected to the connection carrier.

Da der Anschlussträger selbst an keiner Stelle zwischen den Halbleiterchips und dem Zwischenträger angeordnet ist, ist die Wärmeableitung aus den Halbleiterchips unabhängig von der Anschlussträgerbefestigungsschicht. Die Anschlussträgerbefestigungsschicht kann daher auf eine hohe mechanische Elastizität optimiert werden, sodass eine hohe Robustheit gegenüber Temperaturwechselbeanspruchungen aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Anschlussträger und dem Zwischenträger erreicht wird. Since the connection carrier itself is not arranged at any point between the semiconductor chips and the intermediate carrier, the heat dissipation from the semiconductor chips is independent of the connection carrier attachment layer. The connection carrier attachment layer can therefore be optimized to a high mechanical elasticity, so that a high resistance to thermal cycling due to different thermal expansion coefficients between the connection carrier and the intermediate carrier is achieved.

Durch eine schwarze Ausgestaltung des Anschlussträgers kann ein hoher Hell-Dunkel-Kontrast in Chipnähe gewährleistet werden. Weiterhin wird der Anteil von Streulicht verringert. Zudem werden durch die Anordnung des beziehungsweise der Halbleiterchips in der Aussparung die gute Wärmeableitung über einen metallischen Zwischenträger und die flexiblen Verschaltungsmöglichkeiten eines insbesondere keramischen mehrschichtigen Anschlussträgers miteinander vereint. By a black design of the connection carrier, a high light-dark contrast near the chip can be ensured. Furthermore, the proportion of scattered light is reduced. In addition, the arrangement of the semiconductor chip or chips in the recess combines the good heat dissipation via a metallic intermediate carrier and the flexible interconnection options of a particularly ceramic multi-layer connection carrier.

Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren. Further features, embodiments and expediencies will become apparent from the following description of the embodiments in conjunction with the figures.

Es zeigen: Show it:

die 1A, 1B und 1C ein Ausführungsbeispiel für ein Beleuchtungsmodul in Schnittansicht (1A) und in Draufsicht (1B) sowie in perspektivischer Ansicht (1C); the 1A . 1B and 1C an embodiment of a lighting module in sectional view ( 1A ) and in plan view ( 1B ) as well as in perspective view ( 1C );

2 ein zweites Ausführungsbeispiel für ein Beleuchtungsmodul in Schnittansicht; und 2 a second embodiment of a lighting module in a sectional view; and

die 3A bis 3H ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Beleuchtungsmoduls anhand von schematisch in perspektivischer Darstellung gezeigten Zwischenschritten. the 3A to 3H an embodiment of a method for producing a lighting module based on schematically shown in perspective representation intermediate steps.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals.

Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen, wobei die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander nicht als maßstäblich zu betrachten sind. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. The figures are each schematic representations, wherein the figures and the proportions of the elements shown in the figures are not to be considered as to scale. Rather, individual elements, in particular layer thicknesses, can be shown exaggeratedly large for better representability and / or better understanding.

Das Beleuchtungsmodul 1 gemäß dem in 1A in schematischer Schnittansicht dargestellten Beleuchtungsmodul weist eine Mehrzahl von zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips 2 auf. Beispielsweise eignen sich Dünnfilm-LED-Halbleiterchips. Der Halbleiterchip enthält vorzugsweise jeweils ein III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial. III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten (Alx Iny Ga1-x-y N) über den sichtbaren (Alx Iny Ga1-x-y N, insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder Alx Iny Ga1-x-y P, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (Alx Iny Ga1-x-y As) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, insbesondere mit x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 und/oder y ≠ 0. Mit III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien, insbesondere aus den genannten Materialsystemen, können weiterhin bei der Strahlungserzeugung hohe interne Quanteneffizienzen erzielt werden. The lighting module 1 according to the in 1A shown in schematic sectional view lighting module has a plurality of provided for generating electromagnetic radiation semiconductor chips 2 on. For example, thin-film LED semiconductor chips are suitable. The semiconductor chip preferably contains in each case a III-V compound semiconductor material. III-V compound semiconductor materials are capable of generating radiation in the ultraviolet (Al x In y Ga 1-xy N) over the visible (Al x In y Ga 1-xy N, especially for blue to green radiation, or Al x In y Ga 1-xy P, especially for yellow to red radiation) down to the infrared (Al x In y Ga 1-xy As) spectral range is particularly suitable. In each case, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y ≦ 1, in particular with x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 and / or y ≠ 0. With III-V compound semiconductor materials, In particular, from the said material systems, high internal quantum efficiencies can continue to be achieved in the generation of radiation.

Der Halbleiterchip 2 ist an einer Hauptfläche 40 eines Zwischenträgers 4 befestigt. Die Befestigung erfolgt mittels einer metallischen Chipbefestigungsschicht 42, beispielsweise einer Lotschicht oder einer Sinterschicht. Weiterhin umfasst das Beleuchtungsmodul 1 einen Anschlussträger 3. Der Anschlussträger 3 ist mittels einer Anschlussträgerbefestigungsschicht 43 an der Hauptfläche 40 des Zwischenträgers 4 befestigt. Sowohl der Halbleiterchip 2 als auch der Anschlussträger 3 sind also direkt an dem Zwischenträger 4 befestigt. The semiconductor chip 2 is on a main surface 40 an intermediary 4 attached. The attachment takes place by means of a metallic chip attachment layer 42 , For example, a solder layer or a sintered layer. Furthermore, the lighting module comprises 1 a connection carrier 3 , The connection carrier 3 is by means of a Anschlussträgerbefestigungsschicht 43 on the main surface 40 of the subcarrier 4 attached. Both the semiconductor chip 2 as well as the connection carrier 3 So are directly on the intermediate carrier 4 attached.

Der Halbleiterchip 2 ist in einer Aussparung 32 des Anschlussträgers 3 angeordnet. Der Anschlussträger 3 umläuft die Halbleiterchips 2 in lateraler Richtung rahmenförmig (1C). The semiconductor chip 2 is in a recess 32 of the connection carrier 3 arranged. The connection carrier 3 rotates the semiconductor chips 2 frame-shaped in the lateral direction ( 1C ).

Der Anschlussträger 3 ist als ein Mehrschichtträger mit einer Mehrzahl von Kontaktierungsebenen 33 ausgebildet. Zwischen benachbarten Kontaktierungsebenen ist jeweils eine Isolationsschicht 34 angeordnet. Die Kontaktierungsebenen und die Isolationsschichten verlaufen parallel zur Hauptfläche 40 des Zwischenträgers 4. Die Isolationsschichten enthalten vorzugsweise jeweils eine Keramik. Es kann aber auch ein anderes elektrisch isolierendes Material, beispielsweise ein Kunststoff Anwendung finden. The connection carrier 3 is as a multi-layer support having a plurality of contacting planes 33 educated. Between adjacent Kontaktierungsebenen is in each case an insulating layer 34 arranged. The contacting planes and the insulating layers run parallel to the main surface 40 of the subcarrier 4 , The insulating layers preferably each contain a ceramic. But it can also find another electrically insulating material, such as a plastic application.

Der Halbleiterchip 2 weist auf einer dem Zwischenträger 4 abgewandten Vorderseite 23 eine erste Elektrode 21 auf, die zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips vorgesehen ist. Die erste Elektrode 21 ist über eine Verbindungsleitung 27, beispielsweise eine Drahtbond-Verbindung, mit einer Anschlussfläche 31 des Anschlussträgers 3 elektrisch leitend verbunden. Auf einer dem Zwischenträger 4 zugewandten Rückseite 24 des Halbleiterchips ist eine zweite Elektrode 22 des Halbleiterchips ausgebildet. The semiconductor chip 2 points to one of the subcarriers 4 facing away from the front 23 a first electrode 21 on, which is provided for electrical contacting of the semiconductor chip. The first electrode 21 is via a connection line 27 , For example, a wire bond connection, with a pad 31 of the connection carrier 3 electrically connected. On one of the subcarriers 4 facing back 24 of the semiconductor chip is a second electrode 22 formed of the semiconductor chip.

Gemäß der in 1B dargestellten Draufsicht weist das Beleuchtungsmodul exemplarisch fünf zur Erzeugung von Strahlung vorgesehene Halbleiterchips 2 auf, die nebeneinander in der Aussparung 32 des Anschlussträgers 3 angeordnet sind. Abhängig von der insgesamt zu erzeugenden Strahlungsleistung kann die Anzahl der zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips in weiten Grenzen variiert werden. Vorzugsweise weist das Beleuchtungsmodul zwischen einschließlich einem und einschließlich 20 Halbleiterchips auf. Die Halbleiterchips können auch matrixförmig angeordnet sein, beispielsweise mit zwei oder mehr Spalten und zwei oder mehr Zeilen. According to the in 1B illustrated top view, the illumination module by way of example five provided for generating radiation semiconductor chips 2 on, side by side in the recess 32 of the connection carrier 3 are arranged. Depending on the total radiation power to be generated, the number of semiconductor chips provided for generating radiation can be varied within wide limits. Preferably, the lighting module includes between and including one 20 Semiconductor chips on. The semiconductor chips may also be arranged in a matrix, for example with two or more columns and two or more rows.

Das Beleuchtungsmodul 1 weist eine Mehrzahl von Kontaktflächen 51 auf, die zur externen elektrischen Kontaktierung des Beleuchtungsmoduls vorgesehen sind. Die Kontaktflächen 51 sind jeweils mit den ersten Elektroden 21 der zugeordneten Halbleiterchips 2 elektrisch leitend verbunden. The lighting module 1 has a plurality of contact surfaces 51 on, which are provided for external electrical contacting of the lighting module. The contact surfaces 51 are each with the first electrodes 21 the associated semiconductor chips 2 electrically connected.

Eine Gegenkontaktfläche 52 bildet einen gemeinsamen Rückkontakt für die zweiten Elektroden 22 der Halbleiterchips. Zur erhöhten Flexibilität in der Position der externen Kontaktierung weist das gezeigte Ausführungsbeispiel zwei Gegenkontaktflächen 52 auf, die elektrisch leitend miteinander verbunden sind. A mating contact surface 52 forms a common back contact for the second electrodes 22 the semiconductor chips. For increased flexibility in the position of the external contacting, the embodiment shown has two mating contact surfaces 52 on, which are electrically connected to each other.

In dem Anschlussträger 3 sind Kontaktausnehmungen 53 ausgebildet, in denen die Kontaktflächen 51 und die Gegenkontaktflächen 52 für eine externe elektrische Kontaktierung freiliegen. In the connection carrier 3 are contact recesses 53 formed, in which the contact surfaces 51 and the mating contact surfaces 52 exposed for external electrical contact.

Der Anschlussträger 3 weist eine Durchkontaktierung 37 auf, über die die Gegenkontaktfläche 52 mit einer Metallisierungsschicht 36 elektrisch leitend verbunden ist. Die Metallisierungsschicht 36 ist auf der dem Zwischenträger 4 zugewandten Seite des Anschlussträgers 3 ausgebildet. Die zweiten Elektroden 22 der Halbleiterchips 2 sind also über einen durch den Zwischenträger 4 verlaufenden Strompfad über die auf dem Anschlussträger 3 ausgebildete Gegenkontaktfläche 52 extern elektrisch kontaktierbar. Die Anschlussträgerbefestigungsschicht 34 ist in diesem Ausführungsbeispiel elektrisch leitfähig ausgebildet, beispielsweise als eine elektrisch leitfähige Klebeschicht. Der Zwischenträger 4 selbst weist keine Kontaktfläche oder Gegenkontaktfläche auf. The connection carrier 3 has a via 37 on, over which the mating contact surface 52 with a metallization layer 36 is electrically connected. The metallization layer 36 is on the subcarrier 4 facing side of the connection carrier 3 educated. The second electrodes 22 the semiconductor chips 2 are so over one by the subcarrier 4 extending current path over the on the connection carrier 3 trained mating contact surface 52 externally electrically contactable. The terminal support fixing layer 34 is electrically conductive in this embodiment, for example as an electrically conductive adhesive layer. The intermediate carrier 4 itself has no contact surface or mating contact surface.

Auf dem Anschlussträger 3 ist weiterhin eine Mehrzahl von elektronischen Bauelementen 25 angeordnet. Die elektronischen Bauelemente 25 sind jeweils als ESD-Schutzelement ausgebildet, beispielsweise als eine Zener-Diode. Die ESD-Schutzdiode und der zugeordnete Halbleiterchip 2 sind bezüglich ihrer Durchlassrichtung antiparallel zueinander verschaltet, sodass im Fall einer elektrostatischen Aufladung eine in Sperrrichtung an dem Halbleiterchip 2 anliegende Spannung über das ESD-Schutzelement abfließen kann. On the connection carrier 3 is still a plurality of electronic components 25 arranged. The electronic components 25 are each formed as an ESD protection element, for example as a Zener diode. The ESD protection diode and the associated semiconductor chip 2 are connected with respect to their forward direction antiparallel to each other, so that in the case of electrostatic charging in the reverse direction of the semiconductor chip 2 voltage applied via the ESD protection element can flow.

Das ESD-Schutzelement kann auch mehr als eine Diode aufweisen, beispielsweise zwei Dioden in einer „back-to-back”-Anordnung. Auch ein Varistor oder ein Tyristor kann als Schutzelement Anwendung finden. The ESD protection element may also comprise more than one diode, for example two diodes in a back-to-back arrangement. A varistor or a thyristor can also be used as a protective element.

Die elektronischen Bauelemente 25 sind jeweils in einer Ausnehmung 35 des Anschlussträgers 3 angeordnet. Die Ausnehmungen erstrecken sich im Unterschied zu der Aussparung 32 nicht vollständig durch den Anschlussträger 3 hindurch. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind die elektronischen Bauelemente 25 direkt an einer der Kontaktierungsebenen 33 des Anschlussträgers 3 befestigt und über eine weitere Verbindungsleitung 28 elektrisch kontaktiert. Die Ausnehmungen 35 können zum Schutz der elektronischen Bauelemente 25 mit einer weiteren Formmasse befüllt sein oder unbefüllt sein. Für die weitere Formmasse eignet sich auch ein strahlungsundurchlässiges Material. The electronic components 25 are each in a recess 35 of the connection carrier 3 arranged. The recesses extend in contrast to the recess 32 not completely through the connection carrier 3 therethrough. In the embodiment shown, the electronic components 25 directly at one of the contacting levels 33 of the connection carrier 3 attached and via another connecting line 28 electrically contacted. The recesses 35 can protect the electronic components 25 be filled with another molding material or be unfilled. For the further molding composition, a radiopaque material is also suitable.

Die elektronischen Bauelemente 25 sind über den Anschlussträger 3 elektrisch parallel zu jeweils einem der Halbleiterchips 2 verschaltet. So kann erzielt werden, dass die Halbleiterchips 2 jeweils unabhängig über die Kontaktflächen 51 voneinander elektrisch kontaktierbar sind und gleichzeitig vor einer elektrostatischen Entladung geschützt sind. Auf dem Anschlussträger können auch weitere aktive oder passive elektronische Bauelemente oder auch optoelektronische Bauelemente wie beispielsweise Strahlungsempfänger angeordnet sein. The electronic components 25 are above the connection carrier 3 electrically parallel to each one of the semiconductor chips 2 connected. Thus it can be achieved that the semiconductor chips 2 each independent of the contact surfaces 51 are electrically contactable and simultaneously protected from electrostatic discharge. On the connection carrier and other active or passive electronic components or optoelectronic components such as radiation receiver can be arranged.

Auf den zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips 2 ist jeweils ein Strahlungskonversionselement 26 angeordnet. Das Strahlungskonversionselement ist dafür vorgesehen, im Halbleiterchip im Betrieb des Beleuchtungsmoduls erzeugte Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umzuwandeln, sodass beispielsweise für das menschliche Auge weiß erscheinendes Mischlicht abgestrahlt wird. Abhängig von der gewünschten Emissionswellenlänge des Beleuchtungsmoduls 1 kann auf die Strahlungskonversionselemente 26 aber auch verzichtet werden. Weiterhin kann von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend auch ein Strahlungskonversionselement Anwendung finden, das sich über mehrere oder über alle zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchips 2 erstreckt. On the intended for generating radiation semiconductor chips 2 is each a radiation conversion element 26 arranged. The radiation conversion element is intended to at least partially convert primary radiation generated in the semiconductor chip during operation of the illumination module into secondary radiation, so that, for example, mixed light appearing white to the human eye is radiated. Depending on the desired emission wavelength of the lighting module 1 can affect the radiation conversion elements 26 but also be waived. Furthermore, a radiation conversion element can also be used which deviates from the described exemplary embodiment and which can be applied via several or all of the semiconductor chips provided for generating the radiation 2 extends.

Die Aussparung 32 ist mit einer reflektierenden Formmasse 5 befüllt. Die Formmasse 5 grenzt unmittelbar an den Halbleiterchip 2, eine Seitenfläche 320 der Aussparung 32 des Anschlussträgers 3 und gegebenenfalls an das Strahlungskonversionselement 26 an. Mittels der reflektierenden Formmasse kann die seitlich aus dem Halbleiterchip oder dem Strahlungskonversionselement austretende Strahlung minimiert werden, wodurch sich die insgesamt durch die Vorderseite 23 abgestrahlte Strahlungsleistung erhöht. Ein die Halbleiterchips 2 umgebendes Reflektorelement zur Umlenkung der seitlich austretenden Strahlung ist also nicht erforderlich. Weiterhin grenzt die Formmasse 5 an die Verbindungsleitung 27 an. Wie in 1B dargestellt, ragt die Verbindungsleitung 27 aus der reflektierenden Formmasse heraus. Die Strahlungskonversionselemente 26 und die Formmasse 5 überdecken die darunterliegenden strahlungserzeugenden Halbleiterchips 2. The recess 32 is with a reflective molding compound 5 filled. The molding material 5 immediately adjoins the semiconductor chip 2 , a side surface 320 the recess 32 of the connection carrier 3 and optionally to the radiation conversion element 26 at. By means of the reflective molding compound, the radiation exiting laterally from the semiconductor chip or the radiation conversion element can be minimized, resulting in the total of the front side 23 radiated radiant power increased. A the semiconductor chips 2 surrounding reflector element for deflecting the laterally emerging radiation is therefore not required. Furthermore, the molding composition is adjacent 5 to the connection line 27 at. As in 1B represented, the connecting line protrudes 27 out of the reflective molding compound. The radiation conversion elements 26 and the molding material 5 cover the underlying radiation-generating semiconductor chips 2 ,

Bei der Herstellung des Beleuchtungsmoduls 1 kann der Anschlussträger 3 als Vergussrahmen für das Befüllen mit der reflektierenden Formmasse 5 dienen. Für die Formmasse eignet sich insbesondere ein organisches Material, etwa ein Polymermaterial, als Matrixmaterial. Das Matrixmaterial kann mit reflektierenden Partikeln gefüllt sein. Für die Partikel eignet sich beispielsweise TiO2, ZrO2 oder BaSO4. In the manufacture of the lighting module 1 can the connection carrier 3 as Vergussrahmen for filling with the reflective molding compound 5 serve. For the molding composition, in particular an organic material, such as a polymer material, as a matrix material is suitable. The matrix material may be filled with reflective particles. For example, TiO 2 , ZrO 2 or BaSO 4 is suitable for the particles.

Auf der dem Anschlussträger 3 abgewandten Seite des Zwischenträgers 4 ist ein Kühlkörper 6 angeordnet. Der Zwischenträger 4 ist mittels einer Zwischenträgerbefestigungsschicht 64 direkt an dem Kühlkörper 6 befestigt. Der Zwischenträger 4 und der Kühlkörper 6 enthalten vorzugsweise jeweils ein Metall oder eine metallische Legierung oder bestehen aus einem solchen Material. Für den Zwischenträger 4 eignet sich insbesondere Kupfer aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit. Für den Kühlkörper 6 eignet sich beispielsweise das im Vergleich zu Kupfer kostengünstigere Aluminium. Selbstverständlich können für den Zwischenträger 4 und den Kühlkörper 6 aber auch andere Materialien, insbesondere andere Metalle, Anwendung finden. On the connection carrier 3 facing away from the intermediate carrier 4 is a heat sink 6 arranged. The intermediate carrier 4 is by means of an intermediate carrier attachment layer 64 directly on the heat sink 6 attached. The intermediate carrier 4 and the heat sink 6 preferably each contain a metal or a metallic alloy or consist of such a material. For the subcarrier 4 Copper is particularly suitable due to the high thermal conductivity. For the heat sink 6 For example, the less expensive aluminum compared to copper. Of course, for the subcarrier 4 and the heat sink 6 but also other materials, especially other metals, find application.

Für eine vereinfachte Befestigung des Zwischenträgers 4 kann auf dem Kühlkörper 6 eine Oberflächenbeschichtung 61 ausgebildet sein. Beispielsweise kann mittels der Oberflächenbeschichtung eine lötbare Oberfläche ausgebildet sein. Für die Oberflächenbeschichtung eignet sich beispielsweise eine Schichtfolge mit Nickel, Palladium und Gold. Aufgrund der vergleichsweise geringen Unterschiede in den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des metallischen Zwischenträgers 4 und des metallischen Kühlkörpers 6 kann für die Zwischenträgerbefestigungsschicht 64 ein thermisch hoch leitendes, aber vergleichsweise starres Material Anwendung finden, beispielsweise eine Lötpaste, die Zinn, Silber und Kupfer enthält. For a simplified attachment of the intermediate carrier 4 can on the heat sink 6 a surface coating 61 be educated. For example, a solderable surface can be formed by means of the surface coating. For example, a layer sequence with nickel, palladium and gold is suitable for the surface coating. Due to the comparatively small differences in the thermal expansion coefficients of the metallic intermediate carrier 4 and the metallic heat sink 6 can for the subcarrier attachment layer 64 find a thermally highly conductive, but relatively rigid material application, for example, a solder paste containing tin, silver and copper.

Mit dem beschriebenen Aufbau des Beleuchtungsmoduls ist der Wärmepfad von den strahlungserzeugenden Halbleiterchips 2 zu dem Kühlkörper 6 völlig frei von Schichten, die eine vergleichsweise geringe Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Gleichzeitig kann durch den seitlich der Halbleiterchips 2 angeordneten Anschlussträger 3 auf einfache und zuverlässige Weise eine Verschaltung der strahlungserzeugenden Halbleiterchips untereinander und/oder eine Verschaltung der strahlungserzeugenden Halbleiterchips mit weiteren elektronischen Bauelementen wie beispielsweise ESD-Schutzelementen erzielt werden. Der Anschlussträger 3 selbst befindet sich nicht im Wärmepfad zwischen den strahlungserzeugenden Halbleiterchips 2 und dem Zwischenträger 4, sodass die Wärmeableitung unabhängig von der Wärmeleitfähigkeit des Anschlussträgers und der Wärmeleitfähigkeit der Anschlussträgerbefestigungsschicht 43 ist. Für die Anschlussträgerbefestigungsschicht kann daher auch ein Material gewählt werden, das zugunsten einer erhöhten mechanischen Elastizität eine verringerte Wärmeleitfähigkeit aufweist. Dadurch kann die Stabilität gegenüber einer Temperaturwechselbeanspruchung aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten des Anschlussträgers 3 und des Zwischenträgers 4 gewährleistet werden. With the described construction of the illumination module, the heat path of the radiation-generating semiconductor chips 2 to the heat sink 6 completely free of layers that have a comparatively low thermal conductivity. At the same time can by the side of the semiconductor chips 2 arranged connection carrier 3 In a simple and reliable manner, an interconnection of the radiation-generating semiconductor chips with each other and / or an interconnection of the radiation-generating semiconductor chips with other electronic components such as ESD protection elements can be achieved. The connection carrier 3 itself is not in the heat path between the radiation-generating semiconductor chips 2 and the subcarrier 4 such that the heat dissipation is independent of the thermal conductivity of the connection carrier and the thermal conductivity of the connection carrier attachment layer 43 is. For the Anschlußussträgerbefestigungsschicht therefore, a material can be selected, which has a reduced thermal conductivity in favor of increased mechanical elasticity. As a result, the stability to thermal cycling due to different thermal expansion coefficients of the connection carrier 3 and the subcarrier 4 be guaranteed.

Auf der dem Zwischenträger 4 abgewandten Seite ist der Anschlussträger 3 vorzugsweise schwarz ausgebildet. Dadurch kann ein hohes Kontrastverhältnis zwischen den strahlungserzeugenden Halbleiterchips 2 in der Aussparung 32 und dem Bereich außerhalb der Halbleiterchips erzielt werden. Eine Linie 7 veranschaulicht den Übergang zwischen der hellen, reflektierenden Formmasse 5 und dem dunklen Anschlussträger 3 im Bereich der Halbleiterchips 2. On the subcarrier 4 opposite side is the connection carrier 3 preferably formed black. This allows a high contrast ratio between the radiation-generating semiconductor chips 2 in the recess 32 and the area outside the semiconductor chips. A line 7 illustrates the transition between the bright, reflective molding compound 5 and the dark connection carrier 3 in the field of semiconductor chips 2 ,

In 1C ist eine perspektivische Darstellung des Beleuchtungsmoduls 1 gezeigt, wobei die reflektierende Formmasse 5 zur verbesserten Darstellung der elektrischen Kontaktierung der Halbleiterchips 2 nicht gezeigt ist. In 1C is a perspective view of the lighting module 1 shown, wherein the reflective molding compound 5 for improved representation of the electrical contacting of the semiconductor chips 2 not shown.

Von dem gezeigten Ausführungsbeispiel abweichend können auch zwei oder mehrere Halbleiterchips, insbesondere alle Halbleiterchips, mit einer gemeinsamen Kontaktfläche 51 elektrisch leitend verbunden sind. In diesem Fall sind also einzelne Gruppen von strahlungserzeugenden Halbleiterchips 2 beziehungsweise alle Halbleiterchips gemeinsam extern elektrisch kontaktierbar. Im Extremfall können also alle zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchips 2 über eine Kontaktfläche 51 und eine Gegenkontaktfläche 52, also über genau zwei gemeinsame Kontakte, extern elektrisch kontaktiert werden. Insbesondere kann jeweils einer Gruppe beziehungsweise allen Halbleiterchips 2 gemeinsam ein ESD-Schutzelement zugeordnet sein. Deviating from the exemplary embodiment shown, two or more semiconductor chips, in particular all semiconductor chips, can also have a common contact surface 51 are electrically connected. In this case, individual groups of radiation-generating semiconductor chips are therefore 2 or all semiconductor chips together externally electrically contacted. In extreme cases, all semiconductor chips provided for generating radiation can therefore be used 2 over a contact surface 51 and a mating contact surface 52 , So over exactly two common contacts, externally contacted electrically. In particular, in each case one group or all semiconductor chips 2 together be assigned an ESD protection element.

Das in 2 dargestellte zweite Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den 1A bis 1C beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. This in 2 illustrated second embodiment substantially corresponds to that in connection with the 1A to 1C described first embodiment.

Im Unterschied hierzu weisen die Halbleiterchips 2 auf der Vorderseite 23 die erste Elektrode 21 und die zweite Elektrode 22 auf. Es erfolgt also keine elektrisch leitende Verbindung der Halbleiterchips 2 über den Zwischenträger 4. Die erste Elektrode 21 und die zweite Elektrode 22 sind jeweils über eine Verbindungsleitung 27 mit einer Anschlussfläche 31 elektrisch leitend verbunden. Bei dieser Ausgestaltung ist die elektrische Verschaltung der Halbleiterchips über den Anschlussträger 3 in weiten Grenzen frei wählbar und kann über die Kontaktierungsebenen 33 des Anschlussträgers an die jeweiligen Anforderungen an das Beleuchtungsmodul 1 angepasst werden. Beispielsweise können die zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchips 2 zumindest teilweise in einer elektrischen Serienschaltung und/oder einer elektrischen Parallelschaltung miteinander verbunden sein. In contrast to this, the semiconductor chips 2 on the front side 23 the first electrode 21 and the second electrode 22 on. Thus, there is no electrically conductive connection of the semiconductor chips 2 over the subcarrier 4 , The first electrode 21 and the second electrode 22 are each via a connecting line 27 with a connection surface 31 electrically connected. In this embodiment, the electrical interconnection of the semiconductor chips via the connection carrier 3 freely selectable within wide limits and can be reached via the contacting levels 33 of the connection carrier to the respective requirements of the lighting module 1 be adjusted. For example, the semiconductor chips provided for generating radiation can 2 be at least partially connected to each other in a series electrical circuit and / or an electrical parallel circuit.

In diesem Ausführungsbeispiel kann die Anschlussträgerbefestigungsschicht 43 auch elektrisch isolierend ausgebildet sein. Weiterhin kann auf die Metallisierungsschicht 36 des Anschlussträgers 3 verzichtet werden. In this embodiment, the terminal support attachment layer 43 also be formed electrically insulating. Furthermore, on the metallization layer 36 of the connection carrier 3 be waived.

Ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Beleuchtungsmoduls ist in den 3A bis 3H anhand von perspektivisch dargestellten Zwischenschritten gezeigt. Das fertig gestellte Beleuchtungsmodul ist wie im Zusammenhang mit den 1A bis 1C beschrieben ausgebildet. An embodiment of a method for producing a lighting module is in the 3A to 3H shown by intermediate steps shown in perspective. The completed lighting module is as related to the 1A to 1C described trained.

Ein Anschlussträger 3 mit einer Mehrzahl von Anschlussflächen 31 wird bereitgestellt. Der Anschlussträger 3 weist weiterhin eine Aussparung 32 auf, die sich vollständig durch den Anschlussträger hindurch erstreckt (3A). A connection carrier 3 with a plurality of connection surfaces 31 will be provided. The connection carrier 3 also has a recess 32 which extends completely through the connection carrier ( 3A ).

Der Anschlussträger 3 weist weiterhin eine Mehrzahl von Ausnehmungen 35 auf. In den Ausnehmungen 35 werden elektronische Bauelemente 25 befestigt und mittels einer weiteren Verbindungsleitung 28 elektrisch kontaktiert (3B). The connection carrier 3 also has a plurality of recesses 35 on. In the recesses 35 become electronic components 25 fixed and by means of another connecting line 28 electrically contacted ( 3B ).

Weiterhin wird ein Zwischenträger 4 mit einer Hauptfläche 40 bereitgestellt (3C). An dem Zwischenträger 4 werden die zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips 2 befestigt (3D). Furthermore, an intermediate carrier 4 with a main surface 40 provided ( 3C ). At the intermediate carrier 4 become the semiconductor chips provided for generating radiation 2 attached ( 3D ).

Nachfolgend wird der Anschlussträger 3 so an dem Zwischenträger 4 befestigt, dass die Halbleiterchips 2 in der Aussparung 32 des Anschlussträgers 3 angeordnet sind. Das Befestigen des Anschlussträgers 3 an dem Zwischenträger 4 erfolgt also, nachdem die Halbleiterchips 2 bereits an dem Zwischenträger 4 befestigt sind. Dadurch ist gewährleistet, dass der Anschlussträger 3 bei der Montage der Halbleiterchips nicht kontaminiert wird (3E). The following is the connection carrier 3 so on the subcarrier 4 attached that the semiconductor chips 2 in the recess 32 of the connection carrier 3 are arranged. Attaching the connection carrier 3 on the intermediate carrier 4 So, after the semiconductor chips 2 already at the intermediate carrier 4 are attached. This ensures that the connection carrier 3 is not contaminated during assembly of the semiconductor chips ( 3E ).

Nachfolgend werden die Halbleiterchips 2, wie in 3F dargestellt, mittels einer Verbindungsleitung 27 mit den zugeordneten Anschlussflächen 31 elektrisch leitend verbunden. Mit der Herstellung dieser Verbindung werden die Halbleiterchips 2 elektrisch parallel mit den zugehörigen elektronischen Bauelementen 25 verschaltet. Weiterhin sind die Halbleiterchips 2 über die gemeinsamen Gegenkontaktflächen 52 und die jeweils einem Halbleiterchip zugeordneten Kontaktflächen 51 individuell extern elektrisch kontaktierbar. Nach dem Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen den Halbleiterchips 2 und den zugehörigen Anschlussflächen 31 kann die Aussparung 32 mit einer reflektierenden Formmasse befüllt werden (nicht explizit gezeigt). Der Anschlussträger 3 kann hierbei die Funktion eines Vergussrahmens für die Formmasse erfüllen. The following are the semiconductor chips 2 , as in 3F represented by means of a connecting line 27 with the associated connection surfaces 31 electrically connected. With the production of this compound, the semiconductor chips 2 electrically parallel with the associated electronic components 25 connected. Furthermore, the semiconductor chips 2 over the common mating contact surfaces 52 and the respective contact surfaces associated with a semiconductor chip 51 individually externally electrically contactable. After establishing an electrically conductive connection between the semiconductor chips 2 and the associated pads 31 can the recess 32 filled with a reflective molding compound (not explicitly shown). The connection carrier 3 This can fulfill the function of a Vergussrahmens for the molding compound.

Weiterhin wird ein Kühlkörper 6 bereitgestellt. Der Kühlkörper 6 ist mit einer Oberflächenbeschichtung 61 versehen. Der Zwischenträger 4 wird an dem Kühlkörper 6 befestigt. Das fertig gestellte Beleuchtungsmodul 1 ist in 3H gezeigt. Furthermore, a heat sink 6 provided. The heat sink 6 is with a surface coating 61 Mistake. The intermediate carrier 4 gets to the heat sink 6 attached. The completed lighting module 1 is in 3H shown.

Durch die Durchführung der Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge können auf einfache und zuverlässige Weise Beleuchtungsmodule hergestellt werden, die sich durch eine hohe Leuchtdichte und eine gute Abfuhr der erzeugten Verlustwärme auszeichnen. Die Verfahrensschritte müssen jedoch nicht notwendigerweise in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Beispielsweise kann der Zwischenträger 4 auch an dem Kühlkörper 6 befestigt werden, bevor der Anschlussträger 3 an dem Zwischenträger 4 befestigt wird. By carrying out the method steps in the order given, it is possible in a simple and reliable manner to produce lighting modules which are distinguished by a high luminance and a good dissipation of the generated waste heat. However, the process steps need not necessarily be performed in the order given. For example, the subcarrier 4 also on the heat sink 6 be attached before the connection carrier 3 on the intermediate carrier 4 is attached.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. The invention is not limited by the description with reference to the embodiments. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.

Claims (18)

Beleuchtungsmodul (1), das zumindest einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip (2), einen Anschlussträger (3) und einen metallischen Zwischenträger (4) mit einer Hauptfläche (40) aufweist, wobei – der zumindest eine Halbleiterchip mit einer Anschlussfläche (31) des Anschlussträgers elektrisch leitend verbunden ist; – der Anschlussträger an der Hauptfläche des metallischen Zwischenträgers befestigt ist und zumindest eine Aussparung (35) aufweist; und – der zumindest eine Halbleiterchip in der Aussparung des Anschlussträgers angeordnet und an der Hauptfläche des metallischen Zwischenträgers befestigt ist. Lighting module ( 1 ), which comprises at least one semiconductor chip provided for generating radiation ( 2 ), a connection carrier ( 3 ) and a metallic intermediate carrier ( 4 ) with a main surface ( 40 ), wherein - the at least one semiconductor chip with a pad ( 31 ) of the connection carrier is electrically conductively connected; - The connection carrier is attached to the main surface of the metallic intermediate carrier and at least one recess ( 35 ) having; and - the at least one semiconductor chip is arranged in the recess of the connection carrier and is fastened to the main surface of the metallic intermediate carrier. Beleuchtungsmodul nach Anspruch 1, wobei der Anschlussträger als ein Mehrschichtträger mit einer Mehrzahl von elektrischen Kontaktierungsebenen (33) ausgeführt ist. Illumination module according to claim 1, wherein the connection carrier as a multi-layer carrier with a plurality of electrical contacting levels ( 33 ) is executed. Beleuchtungsmodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Aussparung zumindest teilweise mit einer reflektierenden Formmasse (5) befüllt ist. Illumination module according to claim 1 or 2, wherein the recess at least partially with a reflective molding compound ( 5 ) is filled. Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest ein elektronisches Bauelement (25) an dem Anschlussträger befestigt und über den Anschlussträger elektrisch leitend mit dem zumindest einen Halbleiterchip verbunden ist. Illumination module according to one of the preceding claims, wherein at least one electronic component ( 25 ) is attached to the connection carrier and is electrically conductively connected to the at least one semiconductor chip via the connection carrier. Beleuchtungsmodul nach Anspruch 4, wobei das elektronische Bauelement als ein ESD-Schutzelement ausgebildet ist, das über den Anschlussträger parallel zu dem zumindest einen Halbleiterchip verschaltet ist.  Illumination module according to claim 4, wherein the electronic component is designed as an ESD protection element, which is connected in parallel to the at least one semiconductor chip via the connection carrier. Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Beleuchtungsmodul eine Mehrzahl von Halbleiterchips (2) aufweist, die in der Aussparung des Anschlussträgers an dem Zwischenträger befestigt sind. Illumination module according to one of the preceding claims, wherein the illumination module comprises a plurality of semiconductor chips ( 2 ), which are secured in the recess of the connection carrier to the intermediate carrier. Beleuchtungsmodul nach Anspruch 6, wobei die Halbleiterchips jeweils über eine erste Elektrode (21) und eine zweite Elektrode (22) elektrisch kontaktiert sind, wobei die erste Elektrode auf einer vom metallischen Zwischenträger abgewandten Vorderseite (23) der Halbleiterchips und die zweite Elektrode auf einer dem metallischen Zwischenträger zugewandten Rückseite (24) der Halbleiterchips angeordnet sind und die Rückseiten der Halbleiterchips über den metallischen Zwischenträger elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Illumination module according to claim 6, wherein the semiconductor chips in each case via a first electrode ( 21 ) and a second electrode ( 22 ) are electrically contacted, wherein the first electrode facing away from the metallic intermediate carrier front ( 23 ) of the semiconductor chips and the second electrode on a metallic intermediate carrier facing back ( 24 ) of the semiconductor chips are arranged and the back sides of the semiconductor chips are electrically conductively connected to one another via the metallic intermediate carrier. Beleuchtungsmodul nach Anspruch 6, wobei die Halbleiterchips jeweils über eine erste Elektrode (21) und eine zweite Elektrode (22) elektrisch kontaktiert sind, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode auf einer vom metallischen Zwischenträger abgewandten Vorderseite (23) der Halbleiterchips angeordnet sind. Illumination module according to claim 6, wherein the semiconductor chips in each case via a first electrode ( 21 ) and a second electrode ( 22 ) are electrically contacted, wherein the first electrode and the second electrode facing away from the metallic intermediate carrier front ( 23 ) of the semiconductor chips are arranged. Beleuchtungsmodul nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips über elektrisch voneinander isolierte Kontaktflächen (51) getrennt voneinander extern elektrisch ansteuerbar sind. Illumination module according to one of claims 6 to 8, wherein at least two semiconductor chips of the plurality of semiconductor chips via electrically isolated contact surfaces ( 51 ) are electrically isolated from each other externally. Beleuchtungsmodul nach Anspruch 9, wobei den getrennt voneinander elektrisch ansteuerbaren Halbleiterchips jeweils ein ESD-Schutzelement zugeordnet ist.  Lighting module according to claim 9, wherein the separately electrically controllable semiconductor chips each having an ESD protection element is assigned. Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Beleuchtungsmodul einen Kühlkörper (6) aufweist, der auf der dem Anschlussträger abgewandten Seite des metallischen Zwischenträgers angeordnet ist. Illumination module according to one of the preceding claims, wherein the illumination module comprises a heat sink ( 6 ), which is arranged on the side facing away from the connection carrier of the metallic intermediate carrier. Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Kühlkörpers und des metallischen Zwischenträgers um höchstens 10 ppm/K voneinander unterscheiden.  Illumination module according to one of the preceding claims, wherein the thermal expansion coefficients of the heat sink and the metallic intermediate carrier differ by at most 10 ppm / K from each other. Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Anschlussträger auf der dem metallischen Zwischenträger abgewandten Seite schwarz ausgebildet ist.  Illumination module according to one of the preceding claims, wherein the connection carrier is formed black on the side facing away from the metallic intermediate carrier. Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zumindest eine Halbleiterchip mittels einer Chipbefestigungsschicht (42) und der Anschlussträger mittels einer Anschlussträgerbefestigungsschicht (43) an dem metallischen Zwischenträger befestigt sind, wobei die Chipbefestigungsschicht eine höhere thermische Leitfähigkeit aufweist als die Anschlussträgerbefestigungsschicht. Illumination module according to one of the preceding claims, wherein the at least one semiconductor chip by means of a die-fastening layer ( 42 ) and the connection carrier by means of a connection carrier attachment layer ( 43 ) are attached to the metallic subcarrier, wherein the die attach layer has a higher thermal conductivity than the subcarrier mount layer. Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Anschlussträger eine für die externe elektrische Kontaktierung des Moduls vorgesehene Gegenkontaktfläche (52) aufweist, die über den metallischen Zwischenträger elektrisch leitend mit dem zumindest einen Halbleiterchip verbunden ist. Lighting module according to one of the preceding claims, wherein the connection carrier provided for the external electrical contacting of the module mating contact surface ( 52 ), which is electrically conductively connected to the at least one semiconductor chip via the metallic intermediate carrier. Beleuchtungsmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das als Lichtquelle in einem Scheinwerfer ausgebildet ist.  Lighting module according to one of the preceding claims, which is designed as a light source in a headlight. Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungsmoduls (1) mit den Schritten: a) Befestigen von zumindest einem Halbleiterchip (2) an einem metallischen Zwischenträger (3); b) Befestigen eines Anschlussträgers (3) mit zumindest einer Anschlussfläche (31) und zumindest einer Aussparung (32) an dem metallischen Zwischenträger; und c) Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen dem in der Aussparung des Anschlussträgers angeordneten Halbleiterchip und der zumindest einen Anschlussfläche des Anschlussträgers. Method for producing a lighting module ( 1 ) comprising the steps of: a) attaching at least one semiconductor chip ( 2 ) on a metallic intermediate carrier ( 3 ); b) attaching a connection carrier ( 3 ) with at least one connection surface ( 31 ) and at least one recess ( 32 ) on the metallic intermediate carrier; and c) producing an electrically conductive connection between the semiconductor chip arranged in the recess of the connection carrier and the at least one connection surface of the connection carrier. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem ein Beleuchtungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 16 hergestellt wird.  The method of claim 17, wherein a lighting module according to any one of claims 1 to 16 is produced.
DE201310201775 2013-02-04 2013-02-04 Lighting module use as light source in headlamps of motor vehicle, has semiconductor chip that is provided in recess of connection carrier and fixed to main surface of intermediate carrier Withdrawn DE102013201775A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310201775 DE102013201775A1 (en) 2013-02-04 2013-02-04 Lighting module use as light source in headlamps of motor vehicle, has semiconductor chip that is provided in recess of connection carrier and fixed to main surface of intermediate carrier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310201775 DE102013201775A1 (en) 2013-02-04 2013-02-04 Lighting module use as light source in headlamps of motor vehicle, has semiconductor chip that is provided in recess of connection carrier and fixed to main surface of intermediate carrier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013201775A1 true DE102013201775A1 (en) 2014-08-07

Family

ID=51206053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201310201775 Withdrawn DE102013201775A1 (en) 2013-02-04 2013-02-04 Lighting module use as light source in headlamps of motor vehicle, has semiconductor chip that is provided in recess of connection carrier and fixed to main surface of intermediate carrier

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102013201775A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016122014A1 (en) * 2016-11-16 2018-05-17 Epcos Ag Power module with reduced susceptibility to defects and use thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10245930A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and component module
US20050073846A1 (en) * 2001-09-27 2005-04-07 Kenji Takine Lightemitting device and method of manufacturing the same
DE102005031336A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh projection device
DE102008063325A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Process for the production of light bulbs

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050073846A1 (en) * 2001-09-27 2005-04-07 Kenji Takine Lightemitting device and method of manufacturing the same
DE10245930A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and component module
DE102005031336A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh projection device
DE102008063325A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Process for the production of light bulbs

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016122014A1 (en) * 2016-11-16 2018-05-17 Epcos Ag Power module with reduced susceptibility to defects and use thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0933823B1 (en) Surface lighting unit with expansion compensated optoelectronic semiconductor device
DE102008021402B4 (en) Surface mount light emitting diode module and method for manufacturing a surface mount light emitting diode module
DE102013101262A1 (en) Optoelectronic light module, optoelectronic light device and vehicle headlights
WO2010060404A1 (en) Radiation-emitting semiconductor chip
DE112011103482T5 (en) High voltage LEDs without wire connection
DE202009018965U1 (en) Efficient LED arrangement
WO2013045353A1 (en) Led module
WO2008106941A1 (en) Light emitting module and method for the production of a light emitting module
WO2009121339A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing said component
DE102010054898A1 (en) Carrier for an optoelectronic semiconductor chip and semiconductor chip
DE102013103409A1 (en) Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module
DE102018119538A1 (en) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PRODUCTION METHOD FOR OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS
DE102011011378A1 (en) Carrier substrate and method for the production of semiconductor chips
EP2415077A1 (en) Optoelectronic component
WO2017144451A1 (en) Semiconductor component and method for producing a semiconductor component
DE102012101463A1 (en) Method for producing an optoelectronic component and thus produced optoelectronic component
WO2017178332A1 (en) Component having a reflector and method for producing components
EP2327110A1 (en) Optoelectronic component, and method for the production of an optoelectronic component
WO2018146084A1 (en) Led unit
DE102010023342A1 (en) Light-emitting diode arrangement and light-emitting means, in particular with such a light-emitting diode arrangement
DE102013201775A1 (en) Lighting module use as light source in headlamps of motor vehicle, has semiconductor chip that is provided in recess of connection carrier and fixed to main surface of intermediate carrier
DE102008049069A1 (en) Optoelectronic module is provided with carrier substrate, radiation emitting semiconductor component and electric component
WO2009103285A1 (en) Optoelectronic component
WO2015114103A1 (en) Surface-mountable multi-chip component
WO2012013435A1 (en) Light-emitting semiconductor component and method for manufacturing a light-emitting semiconductor component

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination