DE102013206528A1 - Microlithographic projection exposure apparatus for lithographic production of microstructured components, has traversing device adding functions of optical elements to form overall filter function in first, second and third positions - Google Patents

Microlithographic projection exposure apparatus for lithographic production of microstructured components, has traversing device adding functions of optical elements to form overall filter function in first, second and third positions Download PDF

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Abstract

The apparatus (10) has a traversing device changing a relative position of two refractive optical elements. The device adds filter functions of the optical elements to form a first overall filter function in a first position, where the absorption coefficient is zero and location independent. The device adds the filter functions of the optical elements to form a second overall filter function in a second position, where the coefficient is non-zero and location-dependent. The device adds the functions of the optical elements to form a third overall filter function in a third position.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

1. Gebiet der Erfindung1. Field of the invention

Die Erfindung betrifft eine mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einem variablen Transmissionsfilter, insbesondere einem variablen Apodisierungsfilter.The invention relates to a microlithographic projection exposure apparatus with a variable transmission filter, in particular a variable apodization filter.

2. Beschreibung des Standes der Technik2. Description of the Related Art

Integrierte elektrische Schaltkreise und andere mikrostrukturierte Bauelemente werden üblicherweise hergestellt, indem auf ein geeignetes Substrat, bei dem es sich meist um einen Silizium-Wafer handelt, mehrere strukturierte Schichten aufgebracht werden. Zur Strukturierung der Schichten werden diese zunächst mit einem Photolack (resist) bedeckt, der für Licht eines bestimmten Wellenlängenbereiches, z. B. Licht im tiefen ultravioletten (DUV, deep ultraviolet), vakuumultravioletten (VUV, vacuum ultraviolet) oder extremen ultravioletten (EUV, extreme ultraviolet) Spektralbereich, empfindlich ist. Anschließend wird der so beschichtete Wafer in einer Projektionsbelichtungsanlage belichtet. Dabei wird ein Muster aus beugenden Strukturen, das auf einer Maske angeordnet ist, auf den Photolack mit Hilfe eines Projektionsobjektivs abgebildet. Da der Betrag des Abbildungsmaßstabs dabei im Allgemeinen kleiner als 1 ist, werden derartige Projektionsobjektive gelegentlich auch als Reduktionsobjektive bezeichnet.Integrated electrical circuits and other microstructured devices are typically fabricated by applying a plurality of patterned layers to a suitable substrate, which is typically a silicon wafer. For structuring the layers, they are first covered with a resist that is resistant to light of a certain wavelength range, eg. B. deep ultraviolet (DUV, deep ultraviolet), vacuum ultraviolet (VUV, vacuum ultraviolet), or extreme ultraviolet (EUV, extreme ultraviolet) spectral regions. Subsequently, the thus coated wafer is exposed in a projection exposure apparatus. In this case, a pattern of diffractive structures, which is arranged on a mask, is imaged onto the photoresist with the aid of a projection objective. In general, since the magnification amount is smaller than 1, such projection lenses are sometimes referred to as reduction lenses.

Nach dem Entwickeln des Photolacks wird der Wafer einem Ätzprozess unterzogen, wodurch die Schicht entsprechend dem Muster auf der Maske strukturiert wird. Der noch verbliebene Photolack wird dann von den verbleibenden Teilen der Schicht entfernt. Dieser Prozess wird so oft wiederholt, bis alle Schichten auf den Wafer aufgebracht sind.After developing the photoresist, the wafer is subjected to an etching process, whereby the layer is patterned according to the pattern on the mask. The remaining photoresist is then removed from the remaining parts of the layer. This process is repeated until all layers are applied to the wafer.

In Projektionsbelichtungsanlagen besteht häufig der Bedarf, Intensitätsverteilungen in bestimmten Ebenen ortsabhängig beeinflussen zu können. Zu diesem Zweck wird in die betreffende Ebene ein Filter eingeführt, das, wenn es vom Projektionslicht durchtreten wird, als Transmissions- oder Graufilter bezeichnet wird. Daneben sind Filter bekannt, die in Reflexion wirken. Ein solches Reflexionsfilter kann beispielsweise dadurch realisiert werden, dass die reflektierende Beschichtung von Spiegeln ortsabhängig verstimmt wird.In projection exposure systems, there is often the need to be able to influence intensity distributions in certain levels in a location-dependent manner. For this purpose, a filter is introduced in the relevant plane, which, when it is passed by the projection light, is referred to as a transmission or gray filter. In addition, filters are known which act in reflection. Such a reflection filter can be realized, for example, by detuning the reflective coating from mirrors in a location-dependent manner.

Eine besonders wichtige Anwendung von Filtern sind sog. Apodisierungsfilter. Hierunter versteht man Filter, die in einer Pupillenebene eines Objektivs angeordnet sind. Im Allgemeinen dienen Apodisierungsfilter dem Zweck, unerwünschte Beugungsordnungen zu unterdrücken. Zumindest im Zusammenhang mit der Mikrolithographie wird der Begriff jedoch häufig in einem allgemeineren Sinne verstanden. Er bezeichnet dann ein Filter, mit dem sich der Amplitudenterm der optischen Übertragungsfunktion verändern lässt.A particularly important application of filters are so-called apodization filters. This refers to filters which are arranged in a pupil plane of a lens. In general, apodization filters serve the purpose of suppressing unwanted diffraction orders. However, at least in the context of microlithography, the term is often understood in a more general sense. It then designates a filter with which the amplitude term of the optical transfer function can be changed.

Häufig besteht bei Transmissionsfiltern in mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen, und insbesondere bei Apodisierungsfiltern, ein Bedürfnis, die Filterwirkung schnell und ortsabhängig verändern zu können.Frequently, transmission filters in microlithographic projection exposure systems, and in particular in the case of apodization filters, have a need to be able to change the filter effect quickly and in a location-dependent manner.

Aus der US 5,444,336 ist ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage bekannt, bei dem unterschiedliche Apodisierungsfilter in eine Pupillenebene des Projektionsobjektivs eingeführt werden können. Die Zahl der damit realisierbaren unterschiedlichen Filterverteilungen ist hier jedoch logischerweise auf die Zahl der zur Verfügung stehenden Apodisierungsfilter begrenzt.From the US 5,444,336 a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus is known in which different apodization filters can be introduced into a pupil plane of the projection objective. However, the number of different filter distributions that can be realized is logically limited to the number of available apodization filters.

Die US 2006/0092396 beschreibt ein Projektionsobjektiv, bei dem ein Transmissionsfilter aus LCD-Zellen aufgebaut ist, die individuell angesteuert werden können.The US 2006/0092396 describes a projection lens in which a transmission filter is constructed from LCD cells that can be individually controlled.

Bei einem aus der US 2010/0134891 A1 bekannten Apodisierungsfilter wird die reflektierende Beschichtung eines gekrümmten Spiegels lokal verstimmt. Allerdings ist es schwierig, diese Verstimmung wieder rückgängig zu machen.At one of the US 2010/0134891 A1 known Apodisierungsfilter the reflective coating of a curved mirror is locally detuned. However, it is difficult to reverse this mood.

Aus der US 5,614,990 ist eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem variablen Transmissionsfilter bekannt, das eine Platte aus photochromen Glas und einen Scanner oder ein Array aus Lichtquellen hat, um unterschiedliche Bereiche des Glases mit Anregungslicht zu beleuchten.From the US 5,614,990 For example, a projection exposure machine with a variable transmission filter is known which has a plate of photochromic glass and a scanner or an array of light sources to illuminate different areas of the glass with excitation light.

Aus der WO 2008/092653 A2 ist ein variables Transmissionsfilter für ein Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage bekannt. Bei einem Ausführungsbeispiel können zwei Graufilter relativ zueinander entlang der Scanrichtung verfahren werden. From the WO 2008/092653 A2 For example, a variable transmission filter for a lighting system of a microlithographic projection exposure apparatus is known. In one embodiment, two gray filters may be moved relative to one another along the scan direction.

Aus der US 3,305,294 ist die Verwendung von zweier zueinander verschiebbarer Phasenplatten bekannt, um die Phase des optischen Lichts kontinuierlich veränderbar beeinflussen zu können. Diese Platten werden nach dem Erfinder meist als ”Alvarez-Platten” bezeichnet. In einer Neutralstellung wirken die beiden Platten insgesamt wie eine Planplatte. Werden die Platten transversal verfahren, entspricht die optische Gesamtwirkung der Wirkung einer positiven oder negativen rotationssymmetrischen Linse, deren Brechkraft vom relativen Verfahrweg abhängt.From the US 3,305,294 the use of two mutually displaceable phase plates is known in order to influence the phase of the optical light continuously variable. These plates are usually referred to as "Alvarez plates" according to the inventor. In a neutral position, the two plates act as a whole, like a plane plate. If the plates are moved transversely, the overall optical effect corresponds to the effect of a positive or negative rotationally symmetrical lens whose refractive power depends on the relative travel.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Aufgabe der Erfindung ist es, eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage anzugeben, die ein Transmissionsfilter enthält, dessen Filterfunktion, d. h. die zweidimensionale Verteilung des Transmissionskoeffizienten über die Filterfläche hinweg, in weiten Grenzen beliebig und so schnell veränderbar ist, dass der Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage nicht für längere Zeit unterbrochen werden muss.The object of the invention is to provide a microlithographic projection exposure apparatus which contains a transmission filter, the filter function, d. H. the two-dimensional distribution of the transmission coefficient across the filter surface, arbitrary and can be changed so rapidly within wide limits that the operation of the projection exposure system does not have to be interrupted for a long time.

Eine erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage, welche diese Aufgabe löst, weist die Merkmale des Anspruchs 1 auf.A projection exposure apparatus according to the invention which achieves this object has the features of claim 1.

Erfindungsgemäß wird somit das von den Alvarez-Platten bekannte Prinzip vom Bereich der Phasenänderungen auf die Amplituden der optischen Wellenfront übertragen. Im Unterschied zu den Phasenänderungen, die sich bei zwei Alvarez-Platten addieren, entspricht die Gesamtfilterfunktion bei auf die Amplitude einwirkenden Platten nicht der Summe, sondern dem Produkt der Einzelfilterfunktionen der refraktiven optischen Elemente. Der für die Alvarez-Platten bekannte Formalismus kann deswegen nicht ohne weiteres auf den Fall der Amplituden übertragen werden.Thus, according to the invention, the principle known from the Alvarez plates is transferred from the range of phase changes to the amplitudes of the optical wavefront. In contrast to the phase changes that add up in two Alvarez plates, the total filter function for amplitude-affecting plates is not the sum but the product of the single-filter functions of the refractive optical elements. Therefore, the formalism known for the Alvarez plates can not be easily transferred to the case of the amplitudes.

Am günstigsten ist es, wenn die refraktiven optischen Elemente Planplatten sind. Auf diese Weise sind die refraktiven optischen Elemente brechkraftfrei und beeinflussen die Phase des hindurchtretenden Lichts nur ortsunabhängig.It is best if the refractive optical elements are plane plates. In this way, the refractive optical elements are free of refractive power and influence the phase of the light passing through only in a location-independent manner.

Um den absorbierenden Bereich zu erzeugen, können die refraktiven optischen Elemente eine absorbierende Beschichtung tragen. Die absorbierende Beschichtung kann in der Art eines Graufilters mit kontinuierlichem Verlauf aufgetragen sein. Daneben kommt eine Realisierung des benötigten Absorptionsprofils durch die Aufbringung von einzelnen vollständig absorbierenden Punkten in Betracht, deren Dichte örtlich variiert.To create the absorbing region, the refractive optical elements may carry an absorbent coating. The absorbent coating may be applied in the nature of a continuous gradient gray filter. In addition, a realization of the required absorption profile by the application of individual fully absorbing points into consideration, the density of which varies locally.

Alternativ hierzu ist es möglich, das Material des refraktiven optischen Elements, z. B. Glas oder CaF2, durch Bestrahlung mit energiereicher Laserstrahlung hoher Fluenz lokal so zu schädigen, dass es zu einer dauerhaften Verringerung des Transmissionsvermögens kommt.Alternatively, it is possible, the material of the refractive optical element, for. As glass or CaF 2 , by irradiation with high-energy laser radiation high fluence locally damage so that there is a permanent reduction in transmissivity.

Um Lichtverluste durch die unter Umständen zahlreichen refraktiven optischen Elemente zu verringern, können diese in einer Immersionsflüssigkeit aufgenommen sein, die vorzugsweise indexangepasst ist, d. h. den gleichen Brechungsindex wie die refraktiven optischen Elemente hat. An den Grenzflächen der refraktiven optischen Elemente kommt es dann weder zur Brechung noch zu Lichtverlusten durch teilweise Reflexion. Außerdem können die refraktiven optischen Elemente Wärme an die Immersionsflüssigkeit abgeben, die durch die teilweise Absorption des Projektionslichts entstanden ist.In order to reduce light losses due to the possibly numerous refractive optical elements, they can be accommodated in an immersion liquid, which is preferably index-adapted, i. H. has the same refractive index as the refractive optical elements. At the interfaces of the refractive optical elements, there is then neither refraction nor light losses due to partial reflection. In addition, the refractive optical elements can emit heat to the immersion liquid, which is caused by the partial absorption of the projection light.

Baulich lässt sich ein solches Transmissionsfilter mit einer Immersionsflüssigkeit am besten realisieren, wenn es einen abgedichteten und zumindest teilweise für das Projektionslicht transparenten Behälter aufweist, der im Strahlengang des Projektionslichts angeordnet ist und in dem die refraktiven optischen Elemente und die Immersionsflüssigkeit aufgenommen sind. Wenn auch die Verfahreinrichtung in den Behälter ausgenommen ist, muss dieser nicht mit Dichtungen versehen sein, um Betätigungsstäbe o. ä., welche die Verfahreinrichtung mit den einzelnen refraktiven optischen Elementen verbinden, aus dem Behälter herauszuführen.Structurally, such a transmission filter with an immersion liquid can best be realized if it has a sealed container which is at least partially transparent to the projection light and which is arranged in the beam path of the projection light and in which the refractive optical elements and the immersion liquid are accommodated. Although the traversing device is excluded from the container, it does not have to be provided with seals in order to guide operating rods or the like which connect the traversing device to the individual refractive optical elements out of the container.

Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist dem variablen Transmissionsfilter eine Recheneinheit zugeordnet, die dazu eingerichtet ist, die von der Verfahreinrichtung einzustellenden Verfahrwege zu berechnen, wenn ihr eine zweidimensionale Soll-Filterverteilung vorgegeben wird.In one exemplary embodiment of the invention, the variable transmission filter is assigned a computing unit which is set up to calculate the traversing paths to be set by the traversing device if it is given a two-dimensional nominal filter distribution.

Wenn das refraktive optische Element in oder in der Nähe einer Pupillenebene des Projektionsobjektivs angeordnet ist, kann es als Apodisierungsfilter verwendet werden. Grundsätzlich kommt aber auch eine feldnahe Position des refraktiven optischen Elements in Betracht, um beispielsweise die Uniformität der Belichtung zu verbessern. Falls eine feldabhängige Apodisierung gewünscht ist, muss das refraktive optische Element an einer Position zwischen einer Pupillenebene und einer Feldebene angeordnet sein. If the refractive optical element is located in or near a pupil plane of the projection objective, it can be used as an apodization filter. In principle, however, a near-field position of the refractive optical element is also considered, for example in order to improve the uniformity of the exposure. If field-dependent apodization is desired, the refractive optical element must be located at a position between a pupil plane and a field plane.

Besonders günstig ist es, wenn die Gesamtfilterfunktion in der zweiten Relativposition durch eine Zernike-Verteilung, und zwar insbesondere eine Zn-Verteilung mit n größer oder gleich 2, insbesondere größer gleich 4, beschreibbar ist. Solche Zn-Verteilungen werden besonders häufig zum Zwecke der Apodisierung benötigt.It is particularly favorable if the overall filter function in the second relative position can be described by a Zernike distribution, in particular a Zn distribution with n greater than or equal to 2, in particular greater than or equal to 4. Such Zn distributions are particularly needed for the purpose of apodization.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen. Darin zeigen:Further features and advantages of the invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments with reference to the drawings. Show:

1 eine stark vereinfachte perspektivische Darstellung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage; 1 a highly simplified perspective view of a microlithographic projection exposure apparatus;

2 einen vereinfachten meridionalen Schnitt durch die in der 1 gezeigte Projektionsbelichtungsanlage; 2 a simplified meridional section through the in the 1 shown projection exposure apparatus;

3 einen meridionalen Schnitt durch ein erfindungsgemäßes variables Transmissionsfilter, das Teil des in der 2 gezeigten Projektionsobjektivs ist; 3 a meridional section through an inventive variable transmission filter, the part of in the 2 is shown projection lens;

4 die Gesamtfilterfunktion eines ersten Paares von refraktiven optischen Elementen, wenn diese sich in einer Neutralstellung befinden; 4 the overall filter function of a first pair of refractive optical elements when in a neutral position;

5 die Gesamtfilterfunktion des ersten Paares von refraktiven optischen Elementen, wenn diese maximal relativ zueinander verfahren sind; 5 the total filter function of the first pair of refractive optical elements when they are maximally relative to each other;

6 die Gesamtfilterfunktion des ersten Paares von refraktiven optischen Elementen, wenn diese sich in einer Zwischenstellung zwischen der in 4 gezeigten Neutralstellung und der in der 5 gezeigten Stellung mit maximalem Verfahrweg befinden; 6 the total filter function of the first pair of refractive optical elements when they are in an intermediate position between the in 4 shown neutral position and in the 5 shown position with maximum travel;

7 einen Graphen, der die Filterverteilung des ersten refraktiven optischen Elements des ersten Paares illustriert; 7 a graph illustrating the filter distribution of the first refractive optical element of the first pair;

8 einen Graphen, der die Filterverteilung des zweiten refraktiven optischen Elements des ersten Paares illustriert; 8th a graph illustrating the filter distribution of the second refractive optical element of the first pair;

9 die Gesamtfilterfunktion eines zweiten Paares von refraktiven optischen Elementen, wenn diese sich in einer Neutralstellung befinden; 9 the overall filter function of a second pair of refractive optical elements when in a neutral position;

10 die Gesamtfilterfunktion des zweiten Paares von refraktiven optischen Elementen, wenn diese maximal relativ zueinander verfahren sind; 10 the total filter function of the second pair of refractive optical elements when they are maximally relative to each other;

11 die Gesamtfilterfunktion des zweiten Paares von refraktiven optischen Elementen, wenn diese sich in einer Zwischenstellung zwischen der in 9 gezeigten Neutralstellung und der in der 10 gezeigten Stellung mit maximalem Verfahrweg befinden. 11 the total filter function of the second pair of refractive optical elements when they are in an intermediate position between the in 9 shown neutral position and in the 10 shown position with maximum travel.

BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSBEISPIELEDESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS

Die 1 zeigt in einer stark schematisierten perspektivischen Darstellung eine Projektionsbelichtungsanlage 10, die für die lithographische Herstellung mikrostrukturierter Bauteile geeignet ist. Die Projektionsbelichtungsanlage 10 enthält eine Lichtquelle LS, die zur Erzeugung von Projektionslicht mit einer Mittenwellenlänge von 193 nm eingerichtet ist, und ein Beleuchtungssystem 12, welches das von der Lichtquelle LS erzeugte Projektionslicht auf eine Maske 14 richtet und dort ein schmales, in dem dargestellten Ausführungsbeispiel rechteckförmiges Beleuchtungsfeld 16 ausleuchtet. Andere Beleuchtungsfeldformen, z. B. Ringsegmente, kommen ebenfalls in Betracht.The 1 shows a highly schematic perspective view of a projection exposure system 10 , which is suitable for the lithographic production of microstructured components. The projection exposure machine 10 includes a light source LS adapted to produce projection light having a center wavelength of 193 nm and a lighting system 12 which transmits the projection light generated by the light source LS onto a mask 14 directed and there a narrow, rectangular in the illustrated embodiment illumination field 16 illuminates. Other illumination field shapes, e.g. B. ring segments are also considered.

Innerhalb des Beleuchtungsfeldes 16 liegende Strukturen 18 auf der Maske 14 werden mit Hilfe eines Projektionsobjektivs 20, das mehrere Linsen L1 bis L4 enthält, auf eine lichtempfindliche Schicht 22 abgebildet. Die lichtempfindliche Schicht 22, bei der es sich z. B. um einen Photolack handeln kann, ist auf einem Wafer 24 oder einem anderen geeigneten Substrat aufgebracht und befindet sich in der Bildebene des Projektionsobjektivs 20. Da das Projektionsobjektiv 20 im allgemeinen einen Abbildungsmaßstab |β| < 1 hat, werden die innerhalb des Beleuchtungsfeldes 16 liegenden Strukturen 18 verkleinert auf ein Projektionsfeld 18' abgebildet. Inside the lighting field 16 underlying structures 18 on the mask 14 be using a projection lens 20 comprising a plurality of lenses L1 to L4 on a photosensitive layer 22 displayed. The photosensitive layer 22 in which it is z. B. may be a photoresist is on a wafer 24 or another suitable substrate and is located in the image plane of the projection lens 20 , Because the projection lens 20 in general a magnification | β | <1 has, within the illumination field 16 lying structures 18 reduced to a projection field 18 ' displayed.

Bei der dargestellten Projektionsbelichtungsanlage 10 werden die Maske 14 und der Wafer 24 während der Projektion entlang einer mit Y bezeichneten Richtung verfahren. Das Verhältnis der Verfahrgeschwindigkeiten ist dabei gleich dem Abbildungsmaßstab β des Projektionsobjektivs 20. Falls das Projektionsobjektiv 20 das Bild invertiert (d. h. β < 0), verlaufen die Verfahrbewegungen der Maske 14 und des Wafers 24 gegenläufig, wie dies in der 1 durch Pfeile A1 und A2 angedeutet ist. Auf diese Weise wird das Beleuchtungsfeld 16 in einer Scanbewegung über die Maske 14 geführt, so dass auch größere strukturierte Bereiche zusammenhängend auf die lichtempfindliche Schicht 22 projiziert werden können.In the illustrated projection exposure system 10 become the mask 14 and the wafer 24 during the projection proceed along a direction marked Y. The ratio of the travel speeds is equal to the magnification β of the projection lens 20 , If the projection lens 20 the image inverted (ie β <0), the traversing movements of the mask run 14 and the wafer 24 in reverse, as in the 1 is indicated by arrows A1 and A2. In this way, the lighting field 16 in a scanning motion over the mask 14 guided, so that even larger structured areas contiguous to the photosensitive layer 22 can be projected.

Die 2 zeigt die in der 1 dargestellte Projektionsbelichtungsanlage 10 in einem vereinfachten meridionalen Schnitt. Zusätzlich ist dort ein Masken-Verfahrtisch 26 eingezeichnet, mit dem die Maske 14 in einer Objektebene 28 des Projektionsobjektivs 20 verfahren werden kann.The 2 shows the in the 1 shown projection exposure system 10 in a simplified meridional section. In addition, there is a mask traversing table 26 drawn with the mask 14 in an object plane 28 of the projection lens 20 can be moved.

Das Substrat 24 mit der darauf aufgebrachten lichtempfindlichen Schicht 22 ist in der Bildebene 30 des Projektionsobjektivs 20 mit Hilfe eines Substrat-Verfahrtischs 32 verfahrbar.The substrate 24 with the photosensitive layer applied thereon 22 is in the picture plane 30 of the projection lens 20 with the help of a substrate traversing table 32 traversable.

Das Projektionsobjektiv 20 enthält eine Zwischenbildebene 34 sowie eine erste Pupillenebene 36 und eine zweite Pupillenebene 38. In der ersten Pupillenebene 36 ist ein erfindungsgemäßes variables Transmissionsfilter 40 angeordnet, das in der 2 nur schematisch dargestellt ist. Infolge seiner Anordnung in einer Pupillenebene wirkt das Transmissionsfilter 40 als Apodisierungsfilter. Das Transmissionsfilter umfasst einen Behälter 43, der zumindest teilweise für das Projektionslicht transparent ist, sowie eine Verfahreinrichtung 44, die mit einer Recheneinheit 45 verbunden ist. Letztere wird ihrerseits von einer übergeordneten Prozesssteuerung 47 gesteuert.The projection lens 20 contains an intermediate image layer 34 and a first pupil plane 36 and a second pupil plane 38 , In the first pupil level 36 is a variable transmission filter according to the invention 40 arranged in the 2 is shown only schematically. Due to its arrangement in a pupil plane, the transmission filter acts 40 as an apodization filter. The transmission filter comprises a container 43 which is at least partially transparent to the projection light, and a traversing device 44 that with a computing unit 45 connected is. The latter in turn is controlled by a higher-level process control 47 controlled.

Im Folgenden wird der Aufbau des variablen Transmissionsfilters 40 näher mit Bezug auf die 3 erläutert, die das variable Transmissionsfilter 40 in einem meridionalen Schnitt zeigt.The following is the structure of the variable transmission filter 40 closer with respect to the 3 explains which the variable transmission filter 40 in a meridional section shows.

Zum variablen Transmissionsfilter 40 gehören im dargestellten Ausführungsbeispiel vier refraktive optische Elemente, die als dünne Planplatten 42a bis 42d ausgebildet sind. Die Planplatten 42a bis 42d bestehen aus Glas, dem eine Filterfunktion aufgeprägt wurde, was in der 3 durch unterschiedliche Graustufen angedeutet ist. Zum Aufprägen der Filterfunktion wird die jeweilige Planplatte 42a bis 42d einer energiereichen Laserstrahlung hoher Fluenz ausgesetzt. Dadurch kommt es lokal zu dauerhaften Materialschädigungen, die zu einer Verringerung des Transmissionskoeffizienten führen. Je länger die Bestrahlung durchgeführt wird, desto größer sind die Schäden und desto mehr erhöht sich entsprechend der Absorptionskoeffizient. Auf diese Weise ist es möglich, jede beliebige Filterfunktion im refraktiven optischen Element zu erzeugen, ohne dass hierzu eine absorbierende Beschichtung aufgetragen werden muss.To the variable transmission filter 40 belong in the illustrated embodiment, four refractive optical elements, as a thin plane plates 42a to 42d are formed. The plane plates 42a to 42d consist of glass, to which a filter function was imprinted, what in the 3 indicated by different gray levels. To impress the filter function is the respective plane plate 42a to 42d exposed to high-energy laser radiation high fluence. This leads to permanent material damage locally, which leads to a reduction of the transmission coefficient. The longer the irradiation is carried out, the greater the damage and the more the absorption coefficient increases. In this way, it is possible to produce any filter function in the refractive optical element, without having to apply an absorbent coating for this purpose.

Die vier Planplatten 42a bis 42d sind in dem fluiddichten Behälter 43 aufgenommen, der im dargestellten Ausführungsbeispiel dosenförmig ist. An einander gegenüberliegenden Seiten ist der Behälter 43 mit Fenstern 46, 48 versehen, durch die das Projektionslicht PL während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage hindurchtritt.The four plane plates 42a to 42d are in the fluid-tight container 43 taken, which is can-shaped in the illustrated embodiment. On opposite sides is the container 43 with windows 46 . 48 through which the projection light PL passes during the operation of the projection exposure apparatus.

Der Behälter 43 ist mit einer Immersionsflüssigkeit 50 gefüllt, die das gesamte vom Behälter 43 umschlossene Volumen ausfüllt. Die Immersionsflüssigkeit 50 hat zumindest annähernd die gleiche Brechzahl wie die Planplatten 42a bis 42d, so dass das Projektionslicht PL die Planplatten 42a bis 42d durchtreten kann, ohne dass es an den Grenzflächen zu Brechung oder Reflexion in nennenswertem Umfang kommt.The container 43 is with an immersion liquid 50 filled the entire of the container 43 filled in enclosed volume. The immersion liquid 50 has at least approximately the same refractive index as the plane plates 42a to 42d , so that the projection light PL the plane plates 42a to 42d can pass through, without it comes at the interfaces to refraction or reflection to a significant extent.

Jede Planplatte 42a bis 42d ist über ein Gestänge 52a bis 52d mit der Verfahreinrichtung 44 verbunden. Die Planplatten 42a bis 42d können auf diese Weise individuell mit Hilfe der Verfahreinrichtung entlang der X-Richtung, d. h. senkrecht zur optischen Achse OA des Projektionsobjektivs 20, verfahren werden, wie dies durch Doppelpfeile 54a bis 54d in der 3 angedeutet ist.Every plan plate 42a to 42d is about a linkage 52a to 52d with the shuttle 44 connected. The plane plates 42a to 42d can in this way individually with the help of the displacement device along the X-direction, ie perpendicular to the optical axis OA of the projection lens 20 to be traded, as by double arrows 54a to 54d in the 3 is indicated.

Die beiden Planplatten 42a und 42b bilden ein erstes Paar und die beiden anderen Planplatten 42c und 42d ein zweites Paar. Die Filterfunktionen der Planplatten eines jeden Paares sind in einer Weise aufeinander abgestimmt, die im Folgenden mit Bezug auf die 4 bis 11 näher erläutert wird. The two plane plates 42a and 42b form a first pair and the other two plane plates 42c and 42d a second couple. The filter functions of the plane plates of each pair are matched in a manner which will be described below with reference to FIGS 4 to 11 is explained in more detail.

In der 4 ist die Gesamtfilterfunktion des ersten Paares gezeigt, wenn sich die beiden Planplatten 42a, 42b in einer ersten Relativposition zueinander entlang der X-Richtung befinden, die im Folgenden als Neutralstellung bezeichnet wird. Man erkennt, dass bei der Gesamtfilterfunktion GF1N des ersten Paars in der Neutralstellung der Absorptionskoeffizient von Null verschieden, aber ortsunabhängig ist.In the 4 the total filter function of the first pair is shown when the two plane plates 42a . 42b in a first relative position to each other along the X direction, which is referred to below as the neutral position. It can be seen that in the total filter function GF1N of the first pair in the neutral position, the absorption coefficient is different from zero but location-independent.

Die 5 zeigt die Gesamtfilterfunktion des ersten Paares in einer zweiten Relativposition, bei der die absorbierende Wirkung maximal ist. Die Gesamtfilterfunktion GF1M des ersten Paares in dieser maximalen Relativposition zeichnet sich dadurch aus, dass der Absorptionskoeffizient in der Mitte des vom Projektionslicht PL durchtretenen Bereichs am größten ist und kontinuierlich zum Rand hin abfällt. Diese Gesamtfilterfunktion GF1M entspricht einer Zernike-Verteilung Z4.The 5 shows the total filter function of the first pair in a second relative position where the absorbing effect is maximal. The total filter function GF1M of the first pair in this maximum relative position is characterized by the fact that the absorption coefficient in the middle of the area penetrated by the projection light PL is greatest and drops continuously towards the edge. This total filter function GF1M corresponds to a Zernike distribution Z4.

Die 6 zeigt die Gesamtfilterfunktion des ersten Paares in einer dritten Relativposition, die sich zwischen der ersten Neutralposition und der zweiten maximalen Relativposition befindet. Entsprechend liegt auch die Gesamtfilterfunktion GF1Z zwischen den Gesamtfilterfunktionen GF1N und GF1M, die in den 4 und 5 gezeigt sind. Auch diese Gesamtfilterfunktion GF1Z ist eine Z4-Verteilung, nur dass die Gesamtfilterfunktion GF1Z global um einen ortsunabhängigen Faktor gegenüber der Gesamtfilterfunktion GF1M herabgesetzt ist.The 6 shows the overall filter function of the first pair in a third relative position that is between the first neutral position and the second maximum relative position. Accordingly, the overall filter function GF1Z is also located between the total filter functions GF1N and GF1M, which are included in the 4 and 5 are shown. This overall filter function GF1Z is also a Z4 distribution, except that the overall filter function GF1Z is globally reduced by a location-independent factor compared to the overall filter function GF1M.

Die 7 und 8 illustrieren die Filterfunktionen der einzelnen Planplatten 42a bzw. 42b, mit denen die in den 4 bis 6 gezeigten Gesamtfilterfunktionen erzielt wurden, indem die Relativposition entlang der X-Richtung zwischen den Planplatten 42a, 42b mit Hilfe der Verfahreinrichtung 44 verändert wurde. Zur Erzeugung der in den 5 und 6 gezeigten Gesamtfilterfunktionen GF1M und GF1Z werden die beiden Planplatten 42a, 42b um gleiche Beträge in entgegengesetzte Richtungen entlang der X-Achse verfahren.The 7 and 8th illustrate the filter functions of the individual plane plates 42a respectively. 42b with which in the 4 to 6 shown overall filter functions were achieved by the relative position along the X direction between the plane plates 42a . 42b with the help of the moving device 44 was changed. To produce in the 5 and 6 The overall filter functions GF1M and GF1Z shown are the two plane plates 42a . 42b proceed by equal amounts in opposite directions along the X-axis.

Im Folgenden wird erläutert, wie die in den 7 und 8 gezeigten Filterfunktionen der Planplatten 42a, 42b berechnet werden können.The following explains how the in the 7 and 8th shown filter functions of the plane plates 42a . 42b can be calculated.

Die Gesamtfilterfunktion TZn(x, y) ergibt sich als Produkt der einzelnen Filterfunktionen T1(x), T2(x) der Planplatten 42a, 42b gemäß der Gleichung (1): TZn(x, y) = T1(x + Δx, y)T2(x, y), (1) The total filter function T Zn (x, y) results as a product of the individual filter functions T 1 (x), T 2 (x) of the plane plates 42a . 42b according to the equation (1): T Zn (x, y) = T 1 (x + Δx, y) T 2 (x, y), (1)

Im Folgenden wird wieder unterstellt, dass die gewünschte Gesamtfilterfunktion TZn(x, y) eine Z4-Verteilung ist, die durch die Gleichung (2) gegeben ist: TZ4(x, y) = β – αΔx(2x2 + 2y2 – 1), (2) In the following it is again assumed that the desired overall filter function T Zn (x, y) is a Z4 distribution given by the equation (2): T Z4 (x, y) = β - αΔx (2x 2 + 2y 2 - 1), (2)

Darin bezeichnet β einen notwendigen Transmissionsoffset, wobei β = 0.95 sein kann, und α = (1 – β) gilt. Die Werte für x und y können zwischen –1 und +1 variieren. Entwickelt man die Gleichung (1) in eine Taylor-Serie, so erhält man die Gleichung (3):

Figure DE102013206528A1_0002
Therein, β denotes a necessary transmission offset, where β = 0.95, and α = (1-β). The values for x and y can vary between -1 and +1. If equation (1) is developed into a Taylor series, equation (3) is obtained:
Figure DE102013206528A1_0002

Durch Vergleichen der Koeffizienten der Gleichungen (2) und (3) erkennt man, dass T1(x, y)T2(x, y) = β (4) By comparing the coefficients of equations (2) and (3), it can be seen that T 1 (x, y) T 2 (x, y) = β (4)

Außerdem ist

Figure DE102013206528A1_0003
Besides that is
Figure DE102013206528A1_0003

Unter Verwendung der Gleichung (4) erhält man

Figure DE102013206528A1_0004
Using equation (4), one obtains
Figure DE102013206528A1_0004

Die erste Term auf der linken Hand der Gleichung (6) ist die Ableitung bezüglich x des Logarithmus von T1(x). Für die Filterfunktion T1(x) erhält man somit die folgende Exponentialfunktion:

Figure DE102013206528A1_0005
The first term on the left hand of equation (6) is the derivative with respect to x of the logarithm of T 1 (x). For the filter function T 1 (x) one thus obtains the following exponential function:
Figure DE102013206528A1_0005

Die Integrationskonstante c kann durch den Transmissionswert von T1(x) an der Stelle x = y = 0 bestimmt werden zu T1(0, 0) = √β. (8) Folglich ist c = – β / αln√β. (9) The integration constant c can be determined by the transmission value of T 1 (x) at the position x = y = 0 T 1 (0, 0) = √ β , (8th) Consequently, it is c = - β / αln√ β , (9)

Die 9 bis 11 zeigen Gesamtfilterverteilungen GF2N, GF2M bzw. GF2Z für das zweite Paar von Planplatten 42c und 42d. Auch hier gibt es wieder eine Neutralstellung, in der der Absorptionskoeffizient ortsunabhängig ist, vgl. 9. Bei maximaler Relativposition der beiden Planplatten 42c, 42d entlang der X-Richtung erhält man die in der 10 gezeigte Gesamtfilterfunkion GF2M, die einer Z2-Verteilung entspricht. In Zwischenstellungen enthält man ebenfalls Z2-Verteilungen, wie sie in der 11 beispielhaft gezeigt sind und die sich von der Filterfunktion GF2M nur durch einen ortsunabhängigen Faktor unterscheidet.The 9 to 11 show total filter distributions GF2N, GF2M or GF2Z for the second pair of plane plates 42c and 42d , Again, there is again a neutral position in which the absorption coefficient is location independent, cf. 9 , At maximum relative position of the two plane plates 42c . 42d along the X-direction you get in the 10 shown Gesamtfilterfunkion GF2M, which corresponds to a Z2 distribution. In intermediate positions one also contains Z2 distributions, as described in the 11 are shown by way of example and which differs from the filter function GF2M only by a location-independent factor.

Mit dem variablen Transmissionsfilter 40 lassen sich somit sowohl Z2- als auch Z4-artige Filterverteilungen erzeugen sowie Überlagerungen hiervon in beliebigen Verhältnissen.With the variable transmission filter 40 Thus, both Z2- and Z4-type filter distributions can be generated as well as overlays thereof in any proportions.

Im Folgenden wird erläutert, wie das variable Transmissionsfilter 40 beispielsweise angesteuert werden kann:
Zunächst wird während einer Belichtungspause ein optischer Sensor 120 in die Bildebene 30 des Projektionsobjektivs 20 verfahren, wie dies in der 2 durch einen Pfeil 122 angedeutet ist. Der Bildsensor 120 vermisst die optischen Wellenfronten in der Bildebene und bestimmt auf diese Weise die Abbildungsqualität des Projektionsobjektivs 20. Die zentrale Prozesssteuerung 47 berechnet auf der Grundlage der vom Sensor 120 bereitgestellten Messergebnisse eine gewünschte Apodisierung, die vom Transmissionsfilter 40 eingestellt werden soll. Diese Apodisierung wird in Form einer Soll-Filterfunktion an die Recheneinheit 45 übergeben. Diese bestimmt in einem numerischen Optimierungsverfahren die Verfahrwege der einzelnen Planplatten 42a bis 42d im Transmissionsfilter 40 derart, dass die multiplikative Überlagerung der von den Paaren erzeugten Gesamtfilterfunktionen sich möglichst gut der gewünschten Soll-Filterfunktion annähert. Die entsprechenden Stellbefehle werden dann von der Recheneinheit 45 an die Verfahreinrichtung 44 übergeben, die mit Hilfe der darin enthaltenen Stellmotoren die Planplatten 42a bis 42d so innerhalb des Behälters 43 verschiebt, dass sich für das hindurchtretende Projektionslicht PL die gewünschte Filterfunktion ergibt. Die damit bewirkte Apodisierung führt dann zu einer Verbesserung der Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs 20.
The following explains how the variable transmission filter 40 for example, can be controlled:
First, during an exposure break, an optical sensor 120 into the picture plane 30 of the projection lens 20 proceed as in the 2 through an arrow 122 is indicated. The image sensor 120 misses the optical wavefronts in the image plane and determines in this way the imaging quality of the projection lens 20 , The central process control 47 calculated on the basis of the sensor 120 provided measurement results a desired apodization, by the transmission filter 40 should be set. This apodization is in the form of a desired filter function to the arithmetic unit 45 to hand over. In a numerical optimization procedure, this determines the travel paths of the individual plane plates 42a to 42d in the transmission filter 40 in such a way that the multiplicative superimposition of the total filter functions generated by the pairs approximates as closely as possible the desired desired filter function. The corresponding setting commands are then from the arithmetic unit 45 to the shuttle 44 passing the plane plates with the aid of the servomotors contained therein 42a to 42d so inside the container 43 shifts that results in the desired filter function for the passing through projection light PL. The resulting apodization then leads to an improvement of the imaging properties of the projection lens 20 ,

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Claims (8)

Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage (10) mit a) einer Halterung (26) für eine Maske (14), b) einer Lichtquelle (LS), die zur Erzeugung von Projektionslicht (PL) eingerichtet ist, c) einem Beleuchtungssystem (12), welches das von der Lichtquelle erzeugte Projektionslicht auf die Maske richtet und dort ein Beleuchtungsfeld (16) ausleuchtet, d) eine Halterung (32) für eine lichtempfindliche Schicht (22), e) einem Projektionsobjektiv (20), das den im Beleuchtungsfeld liegenden Teil der Maske auf die lichtempfindliche Schicht abbildet, gekennzeichnet durch ein variables Transmissionsfilter (40), das umfasst: f) ein erstes refraktives optisches Element (42a), dessen Absorptionskoeffizient gemäß einer ersten Filterfunktion (vgl. 7) über eine Fläche des refraktiven optischen Elements hinweg variiert; g) ein zweites refraktives optisches Element (42b), dessen Absorptionskoeffizient gemäß einer zweiten Filterfunktion (vgl. 8) über eine Fläche des refraktiven optischen Elements hinweg variiert, wobei die erste Filterfunktion von der zweiten Filterfunktion verschieden ist; h) eine Verfahreinrichtung (44), mit der sich, in einer Richtung (X) senkrecht zu einer optischen Achse (OA) der Projektionsbelichtungsanlage (10), die Relativposition der beiden refraktiven optischen Elemente (42a, 42b) verändern lässt, wobei sich – in einer ersten Relativposition die Filterfunktionen der beiden refraktiven optischen Elemente zu einer ersten Gesamtfilterfunktion (GF1N) ergänzen, bei der der Absorptionskoeffizient von Null verschieden, aber ortsunabhängig ist, – in einer zweiten Relativposition die Filterfunktionen der beiden refraktiven optischen Elemente zu einer zweiten Gesamtfilterfunktion (GF2M) ergänzen, bei der der Absorptionskoeffizient von Null verschieden und ortsabhängig ist, und – in einer dritten Relativposition, die sich zwischen der ersten und der zweiten Relativposition befindet, die Filterfunktionen der beiden refraktiven optischen Elemente zu einer dritten Gesamtfilterfunktion (GF1Z) ergänzen, die sich von der zweiten Gesamtfilterfunktion (GF2M) nur durch einen ortsunabhängigen Faktor k mit 0 < k < 1 unterscheidet.Microlithographic projection exposure apparatus ( 10 ) with a) a holder ( 26 ) for a mask ( 14 ), b) a light source (LS), which is set up to generate projection light (PL), c) an illumination system (LS), 12 ), which directs the projection light generated by the light source on the mask and there a lighting field ( 16 ), d) a holder ( 32 ) for a photosensitive layer ( 22 ), e) a projection lens ( 20 ) which images the part of the mask lying in the illumination field onto the photosensitive layer, characterized by a variable transmission filter ( 40 ), comprising: f) a first refractive optical element ( 42a ), whose absorption coefficient according to a first filter function (see. 7 ) varies across an area of the refractive optical element; g) a second refractive optical element ( 42b ), whose absorption coefficient according to a second filter function (see. 8th ) varies across an area of the refractive optical element, the first filter function being different than the second filter function; h) a shuttle ( 44 ), with which, in a direction (X) perpendicular to an optical axis (OA) of the projection exposure apparatus ( 10 ), the relative position of the two refractive optical elements ( 42a . 42b ), wherein - in a first relative position, the filter functions of the two refractive optical elements complement each other to a first total filter function (GF1N) in which the absorption coefficient is different from zero, but location-independent, - in a second relative position, the filter functions of the two refractive optical Complement elements to a second overall filter function (GF2M) in which the absorption coefficient is non-zero and location-dependent, and - in a third relative position located between the first and second relative positions, the filter functions of the two refractive optical elements to a third total filter function (GF1Z), which differs from the second total filter function (GF2M) only by a location-independent factor k with 0 <k <1. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die refraktiven optischen Elemente (42a, 42b) Planplatten sind.Microlithographic projection exposure apparatus according to claim 1, characterized in that the refractive optical elements ( 42a . 42b ) Planplatten are. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die refraktiven optischen Elemente (42, 42b) eine zumindest teilweise absorbierende Beschichtung tragen.Microlithographic projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the refractive optical elements ( 42 . 42b ) carry an at least partially absorbent coating. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die refraktiven optischen Elemente in einer Immersionsflüssigkeit (50) aufgenommen sind.Microlithographic projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the refractive optical elements in an immersion liquid ( 50 ) are included. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dem variablen Transmissionsfilter eine Recheneinheit (45) zugeordnet ist, die dazu eingerichtet ist, die von der Verfahreinrichtung (44) einzustellenden Verfahrwege zu berechnen, wenn ihr eine zweidimensionale Soll-Filterverteilung vorgegeben wird.Microlithographic projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the variable transmission filter has an arithmetic unit ( 45 ), which is adapted to be used by the shuttle ( 44 ) to calculate traversing paths to be set if it is given a two-dimensional target filter distribution. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das variable Tranmissionsfilter in einer Pupillenebene (36) des Projektionsobjektivs (20) angeordnet ist.Microlithographic projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the variable transmission filter in a pupil plane ( 36 ) of the projection lens ( 20 ) is arranged. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamtfilterfunktion in der zweiten Relativposition durch eine Zernike-Verteilung beschreibbar ist.Microlithographic projection exposure apparatus according to one of the preceding claims, characterized in that the total filter function in the second relative position can be described by a Zernike distribution. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Zernike-Verteilung eine Zn-Verteilung mit n größer oder gleich 2 ist.Microlithographic projection exposure apparatus according to claim 7, characterized in that the Zernike distribution is a Zn distribution with n greater than or equal to 2.
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