DE102014108184A1

DE102014108184A1 - Array-Substrat, Anzeigefeld und Display

Info

Publication number: DE102014108184A1
Application number: DE102014108184.6A
Authority: DE
Inventors: Jian Zhao; Hong Ding
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2013-12-26
Filing date: 2014-06-11
Publication date: 2015-07-02
Anticipated expiration: 2034-06-12
Also published as: CN103926769B; US9281323B2; CN103926769A; DE102014108184B4; US20150187820A1

Abstract

Die vorliegende Erfindung offenbart ein Array-Substrat, ein Anzeigefeld und ein Display. Zwischen einem Anzeigebereich und einem ersten überlappenden Bereich von Gateleitungen und einem Bus am Array-Substrat sind Hilfselektrodenabschnitte angeordnet, die sich mit den Gateleitungen in einem zweiten überlappenden Bereich überlappen und sich von den Gateleitungen und dem Bus isolieren, wobei die Hilfselektrodenabschnitte und der Bus in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen, oder die Hilfselektrodenabschnitte zwischen einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus sich befindet, und einer elektrisch leitenden Schicht, in der die Gateleitungen sich befinden, liegen. Durch die Bildung der Hilfselektrodenabschnitte kann bei der Herstellung eines Array-Substrats ein elektrostatischer Durchbruch zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten entstehen, sodass die statischen Ladungen an den Gateleitungen befreit werden, um die Möglichkeit eines durch den elektrostatischen Durchbruch verursachten Kurzschlusses zwischen dem Bus und den Gateleitung möglichst zu vermindern und damit die Ausbeute der Produkte zu steigern.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die Erfindung betrifft das technische Gebiet des elektrostatischen Schutzes. Insbesondere betrifft die Erfindung einen elektrostatischen Schutz für Array-Substrat, Anzeigefeld und Display.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, Dünnfilmtransistoren-Flüssigkristalldisplay) hat die Vorteile von geringem Volumen und geringem Leitungsverbrauch und ist Strahlungslos usw.. Zurzeit spielt das TFT-LCD eine beherrschende Rolle im Dispalymarket, das weit in elektronischen Produkten wie Handy, Fernsehen, Computer und ähnliches Anwendung findet.
Dünnfilmtransistoren-Flüssigkristalldisplay umfasst hauptsächlich ein Array-Substrat, ein Farbfilm-Substrat und eine Flüssigkristallschicht, die zwischen dem Array-Substrat und dem Farbfilm-Substrat angeordnet ist. Dadurch, dass eine Spannung auf das Array-Substrat und das Farbfilm-Substrat aufgebracht wird, wird eine Umlenkung entlang der Hauptachse der Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht kontrolliert und damit ein Anteil des Lichts, der die Flüssigkristallschicht durchgeht, kontrolliert wird, um die Lichtintensität durch die Flüssigkristallschicht einzustellen.
Unter Bezugnahme auf 1 wird eine schematische Strukturdarstellung eines vorliegenden Array-Substrats gezeigt. Das Array-Substrat umfasst einen nicht-Anzeigebereich 100 und einen Anzeigebereich 200, der vom nicht-Anzeigebereich 100 umgeschlossen wird. Innerhalb des Anzeigebereichs 200 sind eine Vielzahl von Gateleitungen 201 angeordnet, die sich bis zum nicht-Anzeigebereich 100 erstrecken und mit einer Gateantriebsschaltung 102 im nicht-Anzeigebereich 100 elektrtisch verbunden sind. Ein Bus 101 ist am nahe dem Anzeigebereich 200 liegenden Rand des nicht-Anzeigebereichs 100 angeordnet, wobei die Gateleitungen 201 sich mit dem Bus 101 überlappen und vom Bus in den überlappenden Bereichen elektrisch isolieren.
In der Regel bildet das Array-Substrat zuerst einzelne funktionale Schichte auf einem großen Glassubstrat und danach wird das große Glassubstrat geschnitten, um eine Vielzahl von Array-Substraten zu erhalten. Es gibt aber viele Probleme für das vorhandene Array-Substrat während des Herstellungsprozesses, was zu einer niedrigen Ausbeute führt.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Ausgehend davon werden in der Erfindung ein Array-Substrat, ein Anzeigefeld und ein Display bereitgestellt. Durch die Bildung der Hilfselektrodenabschnitte zwischen dem Bus und dem Anzeigebereich kann die Möglichkeit des elektrostatischen Durchbruchs zwischen dem Bus und den Gateleitungen vermindert wird und damit die Ausbeute der Produkte gesteigert werden.
Ein Array-Substrat umfasst einen nicht-Anzeigebereich und einen Anzeigebereich, der vom nicht-Anzeigebereich umgeschlossen wird, wobei innerhalb des Anzeigebereichs eine Vielzahl von Gateleitungen angeordnet sind, und wobei innerhalb des nicht-Anzeigebereichs ein Bus angeordnet ist, wobei die Gateleitungen sich bis zum nicht-Anzeigebereich erstrecken und mit einer Gateantriebsschaltung im nicht-Anzeigebereich elektrisch verbunden sind. Jede Gateleitung überlappt sich mit dem Bus in einer ersten überlappenden Bereich und isoliert sich elektrisch vom Bus im ersten überlappenden Bereich. Zudem umfasst das Array-Substrat eine Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten zwischen dem Bus und dem Anzeigebereich, wobei die Hilfselektrodenabschnitte und der Bus in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen, oder die Hilfselektrodenabschnitte zwischen einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus sich befindet, und einer elektrisch leitenden Schicht, in der die Gateleitungen sich befinden, liegen, und die Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten sich voneinander isolieren. Jede Gateleitung überlappt sich jeweils mit einem Hilfselektrodenabschnitt und damit bildet sich ein zweite überlappende Bereich, wobei die Gateleitungen und die Hilfselektrodenabschnitte sich voneinander elektrisch isolieren.
Ein Anzeigefeld umfasst das oben genannte Array-Substrat.
Ein Display umfasst das oben genannte Anzeigefeld.
Im Vergleich zum Stand der Technik, haben die technischen Lösungen gemäß der Erfindung die folgenden Vorteile.
In der Erfindung werden das Array-Substrat, das Anzeigefeld und das Display bereitgestellt. Zwischen dem ersten überlappenden Bereich von den Gateleitungen und dem Bus am Array-Substrat und den Anzeigebereich sind die Hilfselektrodenabschnitte angeordnet, die sich mit den Gateleitungen in dem zweiten überlappenden Bereich überlappen und sich von den Gateleitungen und dem Bus isolieren, wobei die Hilfselektrodenabschnitte und der Bus in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen, oder die Hilfselektrodenabschnitte zwischen einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus sich befindet, und einer elektrisch leitenden Schicht, in der die Gateleitungen sich befinden, liegen. Durch die Bildung der Hilfselektrodenabschnitte kann bei der Herstellung eines Array-Substrats ein elektrostatischer Durchbruch zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten entstehen und damit die statischen Ladungen an den Gateleitungen befreit werden, um die Möglichkeit eines durch den elektrostatischen Durchbruch verursachten Kurzschlusses zwischen dem Bus und den Gateleitungen möglichst zu vermindern und damit die Ausbeute der Produkte zu steigern.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Um die Ausführungsbeispiele der Erfindung oder die Technischen Lösungen im Stand der Technik näher zu erläutern, werden im Folgenden die Zeichnungen kurz dargestellt, die für die Beschreibung der Ausführungsbeispiele oder des Stands der Technik erforderlich sind. Die Zeichnungen in der folgenden Beschreibung stellen selbstverständlich nur einige der Ausführungsbeispiele der Erfindung dar, aus denen für den Fachmann möglich ist, andere Zeichnungen ohne erfinderische Arbeiten zu erhalten.
1 ist eine schematische Strukturdarstellung eines Array-Substrats aus dem Stand der Technik;
2a ist eine schematische Strukturdarstellung eines Array-Substrats gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung;
2b ist eine schematische Darstellung der Versammlung und Befreiung der statischen Ladungen gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung;
3a ist eine schematische Strukturdarstellung im Bereich von zwei benachbarten Hilfselektrodenabschnitten gemäß eimem Ausführungsbeispiel der Anmeldung;
3b ist eine schematische Strukturdarstellung im Bereich von zwei benachbarten Hilfselektrodenabschnitten gemäß eimem weiteren Ausführungsbeispiel der Anmeldung;
4a ist eine schematische Strukturdarstellung im Bereich von zwei benachbarten Hilfselektrodenabschnitten gemäß eimem weiteren Ausführungsbeispiel der Anmeldung;
4b ist eine schematische Strukturdarstellung im Bereich von zwei benachbarten Hilfselektrodenabschnitten gemäß eimem weiteren Ausführungsbeispiel der Anmeldung;
5 ist eine schematische Strukturdarstellung eines Anzeigefelds gemäß einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Wie im Hintergrund dargestellt, ist die Ausbeute für die Herstellung von Array-Substraten bisher niedrig. Der Erfinder hat mittels Untersuchungen gefunden, dass der solche Nachteil hauptsächlich dadurch verursacht wird, dass in den überlappenden Bereichen von den Gateleitungen und dem Bus ein elektrostatischer Durchbruch entsteht, was zu einem Kurzschluss zwischen den Gateleitungen und dem Bus führen kann.
Im Detail, bei der Herstellung eines Array-Substrats entstehen die überlappenden Bereiche von den Gateleitungen und dem Bus. Weil bei der Herstellung eines Array-Substrats statische Ladungen sich immer an den Gateleitungen und am Bus versammeln, würde ein elektrostatischer Durchbruch in den überlappenden Bereichen davon stattfindet und damit die Struktur dieser überlappenden Bereiche zerstört wird, was zu einer elektrischen Verbindung zwischen den Gateleitungen und dem Bus führt, wenn die Sammlung der statischen Ladungen ausreichend groß ist. Insbesondere für den Bus zwischen dem nahe dem Anzeigebereich liegenden Rand des nicht-Anzeigebereichs und dem Anzeigebereich, kann ein elektrostatischer Durchbruch zwischen dem Bus und den Gateleitungen einfach entstehen, sodass die Ausbeute von Array-Substraten reduziert wird.
In der Erfindung wird ein Array-Substrat bereitgestellt, um die obigen Probleme im Stand der Technik zu überwinden. Das Array-Substrat umfasst einen nicht-Anzeigebereich und einen Anzeigebereich, der vom nicht-Anzeigebereich umgeschlossen wird, wobei innerhalb des Anzeigebereichs eine Vielzahl von Gateleitungen angeordnet sind, und wobei innerhalb des nicht-Anzeigebereichs ein Bus angeordnet ist, wobei die Gateleitungen sich bis zum nicht-Anzeigebereich erstrecken und mit einer Gateantriebsschaltung im nicht-Anzeigebereich elektrisch verbunden sind. Jede Gateleitung überlappt sich mit dem Bus in einem ersten überlappenden Bereich und isoliert sich elektrisch vom Bus im ersten überlappenden Bereich. Zudem umfasst das Array-Substrat eine Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten zwischen dem Bus und dem Anzeigebereich, wobei die Hilfselektrodenabschnitte und der Bus in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen, oder die Hilfselektrodenabschnitte zwischen einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus sich befindet, und einer elektrisch leitenden Schicht, in der die Gateleitungen sich befinden, liegen und die Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten sich voneinander elektrisch isolieren. Jede Gateleitung überlappt sich jeweils mit einem Hilfselektrodenabschnitt und damit bildet sich ein zweite überlappende Bereich, wobei die Gateleitungen und die Hilfselektrodenabschnitte sich voneinander elektrisch isolieren.
Es ist aus den obigen Ausgestaltungen erkannt, dass durch die Bildung der Hilfselektrodenabschnitte ein elektrostatischer Durchbruch zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten während der Herstellung eines Array-Substrats entsteht und damit die statischen Ladungen an den Gateleitungen befreit werden, sodass die Möglichkeit eines durch den elektrostatischen Durchbruch verursachten Kurzschlusses zwischen dem Bus und den Gateleitungen möglichst reduziert wird und damit die Ausbeute der Produkte gesteigert wird.
Im Oben wird die Grundidee der Erfindung beschrieben. Um die obigen Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung einfach und deutlich zu verstehen, werden nachfolgend die konkreten Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert.
In der folgenden Beschreibung werden viele Details beschrieben, um die Erfindung vollständig zu verstehen. Aber die Erfindung kann mit anderen Weisen als hier dargestellt ausgeführt sein. Der Fachmann kann ähnliche Entwicklungen machen, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen. Die Erfindung ist somit nicht durch die im Folgenden offenbaren Ausführungsformen beschränkt.
Dann wird die Erfindung in Verbindung mit den schematischen Darstellungen näher erläutert. Bei der ausführlichen Beschreibung der Ausführungsbeispiele der Erfindung werden zur besseren Erklärung die Schnittdarstellungen, die die Strukturen der Elemente zeigen, nicht maßstäblich vergrößert und sind die schematischen Darstellungen nur Beispiele, die den Schutzumfang der Erfindung nicht beschränkt. Zudem soll eine praktische Herstellung die Größe eines dreidimensionalen Raums wie Länge, Breite und Tiefe umfassen.
In einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung wird ein Array-Substrat bereitgestellt. Unter Bezugnahme auf 2a wird eine schematische Strukturdarstellung eines Array-Substrats gemäß dem Ausführungsbeispiel der Anmeldung dargestellt. Das Array-Substrat umfasst:
einen nicht-Anzeigebereich 1 und einen Anzeigebereich 2, der vom nicht-Anzeigebereich 1 umschlossen wird,
wobei innerhalb des nicht-Anzeigebereichs 1 ein Bus 11 angeordnet ist,
wobei innerhalb des Anzeigebereichs 2 eine Vielzahl von Gateleitungen 21 angeordnet sind,
wobei die Gateleitungen 21 sich bis zum nicht-Anzeigebereich 1 erstrecken und mit einer Gateantriebsschaltung 13 im nicht-Anzeigebereich 1 elektrtisch verbunden sind. Jede Gateleitung 21 überlappt sich mit dem Bus 11 in einem ersten überlappenden Bereich A und isoliert sich elektrisch vom Bus 11 im ersten überlappenden Bereich A. Zudem umfasst das Array-Substrat eine Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten 12 im nicht-Anzeigebereich 1, bevorzugt zwischen dem Bus 11 im nicht-Anzeigebereich 1 und dem Anzeigebereich 2, wobei die Hilfselektrodenabschnitte 12 und der Bus 11 in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen können, oder die Hilfselektrodenabschnitte 12 zwischen einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus 11 sich befindet, und einer elektrisch leitenden Schicht, in der die Gateleitungen 21 sich befinden, liegen können. Zudem ist es bevorzugt, dass die Erstreckungsrichtung der Hilfselektrodenabschnitte 12 und die Erstreckungssrichtung des Buses 11 gleich sind und die Hilfselektrodenabschnitte 12 sich vom Bus 11 elektrisch isolieren. Die Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten 12 isolieren sich elektrisch voneinander. Jede Gateleitung 21 überlappt sich jeweils mit einem Hilfselektrodenabschnitt 12 und damit bildet sich ein zweiter überlappender Bereich B, wobei in jedem zweiten überlappenden Bereich B die Gateleitungen 21 und die Hilfselektrodenabschnitte 12 sich voneinander elektrisch isolieren.
Im oben beschriebenen Array-Substrat werden die Hilfselektrodenabschnitte verwendet, sodass ein elektrostatischer Durchbruch zwischen den Hilfselektrodenabschnitten und den Gateleitungen entsteht, das heißt, die statischen Ladungen an den Gateleitungen befreit werden. Unter Bezugnahme auf 2b wird eine schematische Darstellung für die Versammlung und Befreiung der statischen Ladungen gezeigt, wobei die Anzahl von Pfeilen die Menge der statischen Ladungen darstellt, also je mehr Pfeile es gibt, desto größer ist die Menge der statischen Ladungen. Bei der Herstellung eines Array-Substrats besitzen der Bus 11 und die Gateleitungen 21 statische Ladungen mit verschiedenen Polaritäten. Und die Hilfselektrodenabschnitte 12 und der Bus 11 besitzen statische Ladungen mit einer gleichen Polarität, da die Hilfselektrodenabschnitte 12 und der Bus 11 sehr nahe beieinander liegen. Wenn die statischen Ladungen sich zu einem bestimmten Maß sammeln, versammeln sich die statischen Ladungen an den Gateleitungen 21, dem Bus 11 und den Hilfselektrodenabschnitten 12 in dem jeweiligen überlappenden Bereich und schließlich entsteht eine Befreiung der statischen Ladungen. Aber während der Versammlung liegen die Hilfselektrodenabschnitte 12 zwischen den Quellen an den Gateleitungen 21, an den die statischen Ladungen sich versammeln, und dem Bus 11 und die Gateleitungen zwischen dem Bus 11 und den Hilfselektrodenabschnitten 12 sind sehr kurz, dadurch kann ein elektrostatischer Durchbruch leichter zwischen den Gateleitungen 21 und den Hilfselektrodenabschnitten 12 entstehen und damit werden die statischen Ladungen an den Gateleitungen 21 befreit, um einen statischen Durchbruch zwischen den Gateleitungen und dem Bus zu verhindern.
Es ist aus den obigen Gründen erkannt, nur wenn die statischen Ladungen an den Gateleitungen schnell und stark zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten befreit werden, ist es möglich, bei der Hertellung eines Array-Substrats einen elektrostatischen Durchbruch zwischen den Gateleitungen und dem Bus zu verhindern. Ausgehend von den obigen Aufgaben soll die Möglichkeit eines elektrostatischen Durchbruchs zwischen den Hilfselektrodenabschnitten und den Gateleitungen möglichst gesteigert werden. Je mehr die statischen Ladungen sich an den Hilfselektrodenabschnitten sammeln, desto größer ist die Möglichkeit eines elektrostatischen Durchbruchs zwischen den Hilfselektrodenabschnitten und den Gateleitungen. Dadurch können bei einem gleichen Layout am Array-Substrat für die Hilfselektrodenabschnitte selbst die Dicke der Hilfselektrodenabschnitte und die Fläche der Hilfselektrodenabschnitte bei der Herstellung der Hilfselektrodenabschnitte vergrößt werden, sodass mehr statische Ladungen sich an den Hilfselektrodenabschnitten sammeln und damit die Möglichkeit eines elektrostatischen Durchbruchs zwischen den Hilfselektrodenabschnitten und den Gateleitungen geteigert wird, um den Bus vor dem statischen Durchbruch zu schützen.
Zum Beispiel kann ein Verfahren zur Herstellung der Hilfselektrodenabschnitte optimiert werden, um die Fläche der Hilfselektrodenabschnitte zu vergrößern. Zuerst wird eine gesamte Hilfselektrodenleitung gebildet. Wenn eine Passivierungsschicht am Array-Substrat aufgebracht wird, wird die Oberfläche der Hilfselektrodenleitung durch die Bildung der Durchbohrungen mittels Ätzens zum Teil freigelegt. Danach werden die Teile der Hilfselektrodenleitung in den freiliegenden Bereichen mittels Ätzens getrennt, um eine Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten zu bilden. Im Vergleich zu den mehreren Hilfselektrodenabschnitten ist die Fläche der gesamten Hilfselektrodenleitung wesentlich größer als die Summe der Flächen der Hilfselektrodenabschnitte. Dadurch kann ein elektrostatischer Durchbruch einfacher zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenleitung entstehen, um die statischen Ladungen zu befreien. Zum Schluss wird die gesamte Hilfselektrodenleitung zu mehreren Abschnitten geätzt, um die Hilfselektrodenabschnitte zu bilden, sodass ein elektrostatischer Durchbruch zwischen den mehreren Gateleitungen und der gesamten Hilfselektrodenleitung verhindert wird, was ansonsten zu einem Kurzschluss zwischen den mehreren Gateleitungen führt.
Weiter für den überlappenden Bereichen von den Hilfselektrodenabschnitten und den Gateleitungen können die Teile von der Gateleitungen in den überlappenden Bereichen erweitert werden, um die Fläche der überlappenden Bereiche von den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten und damit die Möglichkeit eines elektrostatischen Durchbruchs zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten zu vergrößern.
Es ist angemerkt, dass die obigen Ausgestaltungen zur Vergrößerung der Möglichkeit eines elektrostatischen Durchbruchs zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten nicht beschränkt sind, sondern von den praktischen Situationen abhängig sind.
Bei dem obigen Array-Substrat können die Hilfselektrodenabschnitte und der Bus in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen, oder können die Hilfselektrodenabschnitte zwischen einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus sich befindet, und einer elektrisch leitenden Schicht, in der die Gateleitungen sich befinden, liegen, wobei die beide Situationen wählen sich in Abhängigkeit von unterschiedlichen Anforderungen.
Unter Berücksichtigung des Herstellungsprozesses und des Herstellungsablaufs usw. für ein Array-Substrat, werden die Hilfselektrodenabschnitte in einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus sich befindet, gebildet. Weil die Hilfselektrodenabschnitte und der Bus in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen, muss bei der Herstellung eines Array-Substrats nur die Maske für die elektrisch leitende Schicht, in der der Bus sich befindet, ausgetauscht werden. Dadurch ist der Hestellungsprozess einfach und sind keine neuen Schritte notwendig.
Wenn die Hilfselektrodenabschnitte zwischen einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus sich befindet, und einer elektrisch leitenden Schicht, in der die Gateleitungen sich befinden, liegen, muss eine neue elektrisch leitende Schicht gebildet werden. Aber gleichzeitig ist die Beschränkung für die Herstellung der Hilfselektrodenabschnitte gering, und können die Hilfselektrodenabschnitte mit verschiedenen Dicken und verschiedenen Flächen hergestellt werden. Es ist zu beobachten, dass die durch die Hilfselektrodenabschnitte bedeckten Bereiche sich nicht mit dem durch den Bus bedeckten Bereich überlappen können, sodass es verhindert ist, dass ein elektrostatischer Durchbruch nicht nur zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten, sondern auch zwischen dem Bus und den Hilfselektrodenabschnitten entsteht, was zu einem Kurzschluss zwischen den Gateleitungen und dem Bus führt.
Gemäß den Ausführungsbeispielen der Anmeldung liegen die Hilfselektrodenabschnitte und der Bus vorzugsweise in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht. Bei der Herstellung der Hilfselektrodenabschnitte wird zuerst eine gesamte Hilfselektrodenleitung gebildet. Nachdem eine Passivierungsschicht am Array-Substrat aufgebracht wird, werden Durchbohrungen im Bereich der gesamten Hilfselektrodenleitung geätzt und werden die Teile der gesamten Hilfselektrodenleitung in den freiliegenden Bereichen mittels des Ätzenverfahrens getrennt, um eine Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten zu bilden.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf 3a–4b die Filmschichtstruktur im Bereich der Hilfselektrodenabschnitte am Array-Substrat gemäß den Ausführungsbeispielen der Anmeldung im Detail beschrieben.
Unter Bezugnahme auf 3a wird eine schematische Strukturdarstellung im Bereich von zwei benachbarten Hilfselektrodenabschnitten gemäß eimem Ausführungsbeispiel der Anmeldung gezeigt, also eine Schnittdarstellung entlang der Erstreckungsrichtung der Hilfselektrodenabschnitte im Bereich C aus 2a.
Unter Bezugnahme auf 3a, umfasst das Array-Substrat im Bereich der Hilfselektrodenabschnitte in der Richtung, entlang der das Licht durchgeht, aufeinander folgend:
ein transparentes Substrat 31, das als ein Glassubstrat oder als ein Harzsubstrat ausgeführt sein kann,
die Hilfselektrodenabschnitte 12 angeordnet auf der Oberfläche des transparenten Substrats 31;
eine Gateisolierschicht 32, die die Hilfselektrodenabschnitte 12 bedeckt;
die Gateleitungen 21 angeordnet auf der Oberfläche der Gateisolierschicht 32: und
eine Passivierungsschicht 33, die die Oberflächen der Gateleitungen 21 bedeckt.
Außerdem wird unter Bezugnahme auf 3b eine schematische Strukturdarstellung im Bereich von zwei benachbarten Hilfselektrodenabschnitten gemäß eimem weiteren Ausführungsbeispiel der Anmeldung gezeigt, also eine Schnittdarstellung entlang der Erstreckungsrichtung der Hilfselektrodenabschnitte im Bereich C aus 2a. Die Struktur in 3b entspricht im wesentlichen der Struktur in 3a. Sie unterscheiden sich nur dadurch, dass zwischen der Gateisolierschicht 32 und den Gateleitungen 21 noch eine Amorphsiliziumschicht 34 auf der Oberfläche der Gateisolierschicht 32 gebildet wird, wobei die Gateleitungen 21 auf der Oberfläche der Amorphsiliziumschicht 34 liegen.
Weil die Hilfselektrodenabschnitte 12 gemäß den Ausführungsbeispielen der Anmedung gebildet werden, indem die gesamte Hilfselektrodenleitung nach der Bildung der Passivierungsschicht am Array-Substrat mittels Ätzens getrennt wird, wird eine Durchbohrung D zwischen zwei benachbarten überlappenden Bereichen in 3a und 3b gebildet. Die zwei Hilfselektrodenabschnitte 12 werden durch die Durchbohrung D getrennt, um eine elektrische Verbindung zwischen den zwei Hilfselektrodenabschnitten 12 zu vermeiden.
Bei den Strukturen der zwei Array-Substrate nach 3a und 3b kann zwischen den Hilfselektrodenabschnitten und den Gateleitungen entweder eine einschichtige Struktur aus der Gateisolierschicht oder eine zweischichtige Struktur aus der Gateisolierschicht und der Amorphsiliziumschicht gebildet werden. Je kleiner die Dicke der anderen Filmschichten zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten beträgt, desto größer ist die Möglichkeit eines elektrostatischen Durchbruchs zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten und je kleiner ist der Widerstand gegen einen elektrostatischen Durchbruch und damit desto kleiner ist die Möglichkeit eines elektrostatischen Durchbruchs zwischen dem Bus und den Gateleitungen. Damit ist es mehr bevorzugt, wenn nur eine Struktur, also nur die Gateisolierschicht zwischen den Hilfselektrodenabschnitten und den Gateleitungen liegt.
Unter Bezugnahme auf 4a wird eine schematische Strukturdarstellung im Bereich von zwei benachbarten Hilfselektrodenabschnitten gemäß eimem weiteren Ausführungsbeispiel der Anmeldung gezeigt, also eine Schnittdarstellung entlang der Erstreckungsrichtung der Hilfselektrodenabschnitte im Bereich C aus 2a. Das Array-Substrat umfasst im Bereich der Hilfselektrodenabschnitte in der Richtung, entlang der das Licht durchgeht, aufeinander folgend:
ein transparentes Substrat 41, das als ein Glassubstrat oder als ein Harzsubstrat ausgeführt sein kann,
die Gateleitungen 21 angeordnet auf der Oberfläche des transparenten Substrats 41;
eine Gateisolierschicht 42, die die Oberflächen der Gateleitungen 21 bedeckt;
die Hilfselektrodenabschnitte 12 angeordnet auf der Oberfläche der Gateisolierschicht 42; und
eine Passivierungsschicht 43, die die Oberflächen der Hilfselektrodenabschnitte 12 bedeckt.
Optional wird wie in 4b gezeigt eine schematische Strukturdarstellung im Bereich von zwei benachbarten Hilfselektrodenabschnitten gemäß eimem weiteren Ausführungsbeispiel der Anmeldung gezeigt. Die Struktur in 4b entspricht im wesentlichen der Struktur in 4a. Sie unterscheiden sich nur dadurch, dass zwischen der Gateisolierschicht 42 und den Hilfselektrodenabschnitten 12 noch eine Amorphsiliziumschicht 44 auf der Oberfläche der Gateisolierschicht 42 gebildet wird, wobei die Hilfselektrodenabschnitte 12 auf der Oberfläche der Amorphsiliziumschicht 44 liegen.
Weil die Hilfselektrodenabschnitte 12 gemäß den Ausführungsbeispielen der Anmedung gebildet werden, indem die gesamte Hilfselektrodenleitung nach der Bildung der Passivierungsschicht am Array-Substrat mittels Ätzens getrennt wird, wird eine Durchbohrung D zwischen zwei benachbarten überlappenden Bereichen in 4a und 4b gebildet. Die zwei Hilfselektrodenabschnitte 12 werden durch die Durchbohrung D getrennt, um eine elektrische Verbindung zwischen den zwei Hilfselektrodenabschnitten 12 zu vermeiden.
Bei den zwei Strukturen des Array-Substrats nach 4a und 4b kann zwischen den Hilfselektrodenabschnitten und den Gateleitungen entweder eine einschichtige Struktur aus der Gateisolierschicht oder eine zweischichtige Struktur aus der Gateisolierschicht und der Amorphsiliziumschicht gebildet werden. Je kleiner die Dicke der anderen Filmschichten zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten beträgt, desto größer ist die Möglichkeit eines elektrostatischen Durchbruchs und je kleiner ist der Widerstand gegen einen elektrostatischen Durchbruch und damit desto kleiner ist die Möglichkeit eines elektrostatischen Durchbruchs zwischen dem Bus und den Gateleitungen. Damit ist es mehr bevorzugt, wenn nur eine Struktur, also nur die Gateisolierschicht zwischen den Hilfselektrodenabschnitten und der Gateleitungen liegt.
In den Ausführungsbeispielen der Anmeldung ist die Form der Gateantriebsschaltung nicht beschränkt. Bevorzugt ist eine Schieberegister-Gateantriebsschaltung.
Aufgrund des Versammlungsprozesses der statischen Ladungen kann bei der Herstellung eines Array-Substrats ein elektrostatischer Durchbruch sehr häufig in dem ersten überlappenden Bereich von den Gateleitungen und dem Bus am nahe dem Anzeigebereich liegenden Rand des nicht-Anzeigebereichs. Dadurch kann der Bus gemäß den Ausführungsbeispielen der Anmeldung vorzugsweise zwischen dem nahe dem Anzeigebereich liegenden Rand des nicht-Anzeigebereichs und dem Anzeigebereich angeordnet sein.
Bei dem Material der Hilfselektrodenabschnitte gemäß den Ausführungsbeispielen der Anmeldung kann es sich vorzugsweise um Aluminium, Molybdän, Molybdän-Aluminium-Molybdän, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-Neodym-Legierung, Molybdän-Neodym-Legierung und ähnliches handeln.
In einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung wird ein Anzeigefeld bereitgestellt. Unter Bezugnahme auf 5 wird eine schematische Strukturdarstellung des Anzeigefelds gezeigt. Das Anzeigefeld gemäß dem Ausführungsbeispiel der Anmeldung kann vorzugsweise als ein Flüssigkristallanzeigefeld ausgeführt sein, das ein Farbfilm-Substrat 51, ein Array-Substrat 52 sowie eine Flüssigkristallschicht 53 zwischen dem Farbfilm-Substrat 51 und dem Array-Substrat 52 umfasst, wobei das Array-Substrat 52 als ein Array-Substrat gemäß einem der oben beschrieben Ausführungsbeispiele ausgeführt sein kann.
Es ist angemerkt, dass die Ausführungsbeispiele der Anmeldung nicht auf das Flüssigkristallanzeigefeld beschränkt werden. Zum Beispiel kann es sich auch um ein OLED-Anzeigefeld handeln, dessen Array-Substrat als ein Array-Substrat gemäß einem der oben beschrieben Ausführungsbeispiele ausgeführt sein kann. Außerdem stellt jedes Anzeigefeld, das ein Array-Substrat gemäß einem der oben beschrieben Ausführungsbeispiele aufweist, das Anzeigefeld gemäß den Ausführungsbeispielen der Anmeldung dar.
Außerdem wird ein Display in einem Ausführungsbeispiel der Anmeldung bereitgestellt. Das Display kann als ein Flüssigkristalldisplay ausgeführt sein, das ein Flüssigkristallanzeigefeld und ein Hinterleuchtungsmodul umfasst, das eine Lichtquelle für das Flüssigkristellanzeigefeld bereitstellt, wobei das Flüssigkristallanzeigefeld als ein Flüssigkristallanzeigefeld gemäß einem der oben beschrieben Ausführungsbeispiele ausgeführt sein kann.
Es ist angemerkt, dass das Display gemäß den Ausführungsbeispielen der Anmeldung auch nicht auf das Flüssigkristalldisplay beschränkt wird. Ebenfalls kann es sich um ein OLED-Display handeln, dessen Anzeigefeld als ein OLED-Anzeigefeld gemäß einem der oben beschrieben Ausführungsbeispiele ausgeführt sein kann. Außerdem stellt jedes Display, das ein Anzeigefeld gemäß einem der oben beschrieben Ausführungsbeispiele aufweist, das Display gemäß den Ausführungsbeispielen der Anmeldung dar.
In den Ausführungsbeispielen der Anmeldung werden das Array-Substrat, das Anzeigefeld und das Display bereitgestellt. Zwischen dem Anzeigebereich und dem ersten überlappenden Bereich von den Gateleitungen und dem Bus am Array-Substrat sind die Hilfselektrodenabschnitte angeordnet, die sich mit den Gateleitungen in dem zweiten überlappenden Bereich überlappen und sich von den Gateleitungen und dem Bus isolieren, wobei die Hilfselektrodenabschnitte und der Bus in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen oder die Hilfselektrodenabschnitte zwischen einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus sich befindet, und einer elektrisch leitenden Schicht, in der die Gateleitungen sich befinden, liegen. Durch die Bildung der Hilfselektrodenabschnitte kann bei der Herstellung eines Array-Substrats ein elektrostatischer Durchbruch zwischen den Gateleitungen und den Hilfselektrodenabschnitten entstehen, sodass die statischen Ladungen an den Gateleitungen befreit werden, um die Möglichkeit eines durch den elektrostatischen Durchburuch verursachten Kurzschlusses zwischen dem Bus und den Gateleitung möglichst zu vermindern und damit die Ausbeute der Produkte zu steigern.
Anhand der Beschreibung von den offenbarten Ausführungsbeispielen kann die Erfindung vom Fachmann ausgeführt oder angewendet werden. Eine Vielzahl von Modifikationen für den Ausführungsbeispiele sind für den Fachmann offenbar. Die in der Anmeldung definierte Grundlage kann in anderen Ausführungsbeispielen erzielt werden, ohne die Idee und den Umfang der Erfindung zu verlassen. Die Erfindung ist nicht auf die dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr beansprucht die Erfindung den weitesten Umfang, der der offenbarten Grundlage und Neuheit der Erfindung entspricht.
Ergänzend sei darauf hingewiesen, dass „umfassend“ und „aufweisend“ keine anderen Elemente oder Schritte ausschließt und „eine“ oder „ein“ keine Vielzahl ausschließt. Ferner sei darauf hingewiesen, dass Merkmale oder Schritte, die mit Verweis auf eines der obigen Ausführungsbeispiele beschrieben worden sind, auch in Kombination mit anderen Merkmalen oder Schritten anderer oben beschriebener Ausführungsbeispiele verwendet werden können. Bezugszeichen in den Ansprüchen sind nicht als Einschränkungen anzusehen.

Claims

Array-Substrat, umfassend einen nicht-Anzeigebereich und einen Anzeigebereich, der vom nicht-Anzeigebereich umschlossen wird, wobei innerhalb des Anzeigebereichs eine Vielzahl von Gateleitungen angeordnet sind, und wobei innerhalb des nicht-Anzeigebereichs ein Bus angeordnet ist, wobei die Gateleitungen sich bis zum nicht-Anzeigebereich erstrecken und mit einer Gateantriebsschaltung im nicht-Anzeigebereich elektrisch verbunden sind, und wobei jede Gateleitung sich mit dem Bus in einem ersten überlappenden Bereich überlappt und sich im ersten überlappenden Bereich vom Bus elektrisch isoliert, und wobei das Array-Substrat noch umfasst eine Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten zwischen dem Bus und dem Anzeigebereich, wobei die Hilfselektrodenabschnitte und der Bus in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen, oder die Hilfselektrodenabschnitte zwischen einer elektrisch leitenden Schicht, in der der Bus sich befindet, und einer elektrisch leitenden Schicht, in der die Gateleitungen sich befinden, liegen, und die Vielzahl von Hilfselektrodenabschnitten sich voneinander elektrisch isolieren, und wobei jede Gateleitung sich jeweils mit einem Hilfselektrodenabschnitt überlappt und damit ein zweite überlappende Bereich sich bildet, wobei die Gateleitungen und die Hilfselektrodenabschnitte sich voneinander elektrisch isolieren.
Array-Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Bus und die Hilfselektrodenabschnitte in einer gleichen elektrisch leitenden Schicht liegen.
Array-Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Array-Substrat im Bereich der Hilfselektrodenabschnitte in der Richtung, entlang der das Licht durchgeht, aufeinander folgend umfasst ein transparentes Substrat, die Hilfselektrodenabschnitte angeordnet auf der Oberfläche des transparenten Substrats, eine Gateisolierschicht, die die Hilfselektrodenabschnitte bedeckt, die Gateleitungen angeordnet auf der Oberfläche der Gateisolierschicht, und eine Passivierungsschicht, die die Oberflächen der Gateleitungen bedeckt.
Array-Substrat nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Array-Substrat zwischen der Gateisolierschicht und den Gateleitungen noch eine Amorphsiliziumschicht umfasst, die auf der Oberfläche der Gateisolierschicht angeordnet ist, wobei die Gateleitungen auf der Oberfläche der Amorphsiliziumschicht liegen.
Array-Substrat nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Array-Substrat im Bereich der Hilfselektrodenabschnitte in der Richtung, entlang der das Licht durchgeht, aufeinander folgend umfasst ein transparentes Substrat, die Gateleitungen angeordnet auf der Oberfläche des transparenten Substrats, eine Gateisolierschicht, die die Oberflächen der Gateleitungen bedeckt, die Hilfselektrodenabschnitte angeordnet auf der Oberfläche der Gateisolierschicht, und eine Passivierungsschicht, die die Oberflächen der Hilfselektrodenabschnitte bedeckt.
Array-Substrat nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Array-Substrat zwischen der Gateisolierschicht und den Hilfselektrodenabschnitten noch eine Amorphsiliziumschicht umfasst, die auf der Oberfläche der Gateisolierschicht angeordnet ist, wobei die Hilfselektrodenabschnitte auf der Oberfläche der Amorphsiliziumschicht liegen.
Array-Substrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gateantriebsschaltung eine Schieberegister-Gateantriebsschaltung umfasst.
Array-Substrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bus zwischen dem nahe dem Anzeigebereich liegenden Rand des nicht-Anzeigebereichs und dem Anzeigebereich angeordnet ist.
Anzeigefeld umfassend ein Array-Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 8.
Display umfassend ein Anzeigefeld nach Anspruch 9.