Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie. Ferner betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem und einer Projektionsoptik, ein Herstellungsverfahren für ein mikrobzw. nanostrukturiertes Bauteil unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil. The invention relates to an illumination system for EUV projection lithography. Furthermore, the invention relates to a projection exposure apparatus with such a lighting system and a projection optics, a manufacturing method for a mikrobzwzw. Nanostructured component using such a projection exposure system and a manufactured with this method micro- or nanostructured component.
Eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem ist bekannt aus der US 2011/0 014 799 A1 , aus der WO 2009/121 438 A1 , aus der US 2009/0 174 876 A1 , aus der US 6,438,199 B1 und der US 6,658,084 B2 . Eine EUV-Lichtquelle ist bekannt aus der DE 103 58 225 B3 und der US 6,859,515 B . Weitere Komponenten für die EUV-Projektionslithografie sind bekannt aus der US 2003/0002022 A1 , der DE 10 2009 025 655 A1 , der US 6,700,952 und der US 2004/0140440 A . Weitere Referenzen, aus denen eine EUV-Lichtquelle bekannt ist, finden sich in der WO 2009/121 438 A1 . EUV-Beleuchtungsoptiken sind weiterhin bekannt aus der US 2003/0043359 A1 und der US 5,896,438. A projection exposure apparatus with a lighting system is known from the US 2011/0 014 799 A1 , from the WO 2009/121 438 A1 , from the US 2009/0174 876 A1 , from the US Pat. No. 6,438,199 B1 and the US 6,658,084 B2 , An EUV light source is known from the DE 103 58 225 B3 and the US 6,859,515 B , Other components for the EUV projection lithography are known from the US 2003/0002022 A1 , of the DE 10 2009 025 655 A1 , of the US 6,700,952 and the US 2004/0140440 A , Further references, from which an EUV light source is known, can be found in the WO 2009/121 438 A1 , EUV illumination optics are still known from the US 2003/0043359 A1 and the US 5,896,438.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Beleuchtungssystem sowie Komponenten hierfür so weiterzubilden, dass eine hohen Auflösungsanforderungen genügende Beleuchtung mit kohärentem EUV-Licht insbesondere einer synchrotronstrahlungsbasierten Lichtquelle ermöglicht ist. It is an object of the present invention to develop a lighting system and components thereof so that sufficient illumination with coherent EUV light, in particular a synchrotron radiation-based light source, is made possible.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst einerseits durch ein Beleuchtungssystem mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen. This object is achieved on the one hand by a lighting system with the features specified in claim 1.
Die Strahlführung von EUV-Licht bzw. EUV-Strahlung, bereitgestellt von einer synchrotron-strahlungsbasierten Lichtquelle, erfordert aufgrund der Eigenschaften des von einer derartigen Lichtquelle emittierten EUV-Rohstrahls eine spezifische Aufbereitung. Diese Aufbereitung wird durch die erfindungsgemäße Strahlformungsoptik, die Auskoppeloptik sowie die Strahlführungsoptik sowie durch eine strahlhomogenisierende Wirkung der Schwingungsfläche des mindestens einen Auskoppelelements der Auskoppeloptik gewährleistet. Bei der synchrotron-strahlungsbasierten Lichtquelle kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (FEL), um einen Undulator, um einen Wiggler oder um einen Röntgenlaser handeln. Die synchrotron-strahlungsbasierte Lichtquelle kann einen Lichtleitwert kleiner als 0,1 mm2 oder einen noch kleineren Lichtleitwert aufweisen. Die erfindungsgemäßen Optiken können generell mit der Emission einer Lichtquelle mit einem derart kleinen Lichtleitwert arbeiten, unabhängig davon, ob es sich um eine synchrotron-strahlungsbasierte Lichtquelle handelt. Die Strahlformungsoptik sorgt für eine Vorformung eines Sammel-Ausgabestrahls aus dem Rohstrahl zur Vorbereitung einer nachfolgenden Auskopplung über die Auskoppeloptik in Einzel-Ausgabestrahlen. Letztere werden durch die Strahlführungsoptik zum jeweiligen Objektfeld geführt. Es resultiert die Möglichkeit, mit ein und derselben synchrotron-strahlungsbasierten Lichtquelle eine Mehrzahl von Objektfeldern zu beleuchten, was wiederum zur Möglichkeit führt, eine Mehrzahl von Projektionsbelichtungsanlagen, mit denen mikro- bzw. nanostrukturierte Bauelemente, zum Beispiel Halbleiterchips, insbesondere Speicherchips, hergestellt werden können, über ein und dieselbe synchrotron-strahlungsbasierte Lichtquelle zu versorgen. Über die Auskoppeloptik und die nachfolgende Strahlführungsoptik lässt sich eine variable Intensitätsverteilung für die Anteile der Strahlungsleistung in den verschiedenen EUV-Einzel-Ausgabestrahlen gewährleisten. Hierdurch kann eine Anpassung an die Anzahl der zu versorgenden Projektionsbelichtungsanlagen sowie eine Anpassung an die von der jeweiligen Projektionsbelichtungsanlage geforderte Lichtleistung erfolgen. Auch unterschiedliche Anforderungen, die zur Herstellung spezifischer Strukturen an die jeweils hierfür erforderliche Lichtleistung bestehen, können dann durch entsprechende Anpassung des Beleuchtungssystems erfüllt werden. Die Schwingungsfläche sorgt für eine Homogenisierung des jeweils ausgekoppelten EUV-Einzel-Auskoppelstrahls und damit zur Vermeidung störender Intensitäts-Inhomogenitäten, insbesondere zur Vermeidung von Speckle. Schwingungsfrequenzen des Schwingungsantriebs können im Bereich zwischen 50 Hz und 10 kHz liegen.The beam guidance of EUV light or EUV radiation provided by a synchrotron radiation-based light source requires a specific processing due to the properties of the EUV raw beam emitted by such a light source. This processing is ensured by the beam shaping optics according to the invention, the coupling-out optics and the beam guidance optics as well as by a beam-homogenizing effect of the oscillation surface of the at least one decoupling element of the coupling-out optics. The synchrotron radiation-based light source may be a free-electron laser (FEL), an undulator, a wiggler or an x-ray laser. The synchrotron radiation-based light source may have an optical conductivity less than 0.1 mm 2 or an even lower optical conductivity. The optics according to the invention can generally work with the emission of a light source having such a small optical conductivity, regardless of whether it is a synchrotron radiation-based light source. The beam shaping optics provides for a preforming of a collective output beam from the raw beam in preparation for a subsequent decoupling via the coupling-out optics into single output beams. The latter are guided by the beam guiding optics to the respective object field. This results in the possibility of illuminating a plurality of object fields with one and the same synchrotron radiation-based light source, which in turn leads to the possibility of producing a plurality of projection exposure apparatuses with which microstructured or nanostructured components, for example semiconductor chips, in particular memory chips, can be produced to supply one and the same synchrotron radiation-based light source. The coupling-out optics and the subsequent beam-guiding optics can be used to ensure a variable intensity distribution for the components of the radiation power in the various EUV individual output beams. In this way, an adaptation to the number of projection exposure systems to be supplied as well as an adaptation to the light output required by the respective projection exposure apparatus can take place. Also, different requirements that exist for the production of specific structures to the respective required light output, can then be met by appropriate adjustment of the lighting system. The oscillation surface ensures a homogenization of the respectively decoupled EUV single decoupling beam and thus to avoid disturbing intensity inhomogeneities, in particular to avoid speckle. Vibration frequencies of the vibration drive can be in the range between 50 Hz and 10 kHz.
Eine Ausführung der optischen Fläche nach Anspruch 2 führt zu einer effizienten Auskopplung. Alternativ kann die als Schwingungsfläche ausgeführte optische Fläche auch als brechende Fläche, zum Beispiel als Teil-Reflexionsfläche eines Strahlteilers, ausgeführt sein, bei der auch ein die brechende Fläche durchtretender Anteil des Beleuchtungslichtes noch, beispielsweise als EUV-Einzel-Ausgabestrahl, genutzt ist. Die optische Fläche kann als plane Fläche ausgeführt sein. Alternativ kann die optische Fläche mit bündelformender Wirkung gestaltet sein, beispielsweise als sphärische Fläche, als asphärische Fläche, als torische Fläche, als Zylinderfläche oder als Freiformfläche. Die optische Fläche kann in den beiden Hauptrichtungen, also insbesondere in einer Einfallsebene und senkrecht zu einer Einfallsebene, unterschiedliche ablenkende Wirkungen und insbesondere unterschiedliche Brechkräfte aufweisen. Diese unterschiedlichen ablenkenden Wirkungen bzw. unterschiedlichen Brechkräfte können unterschiedliche Vorzeichen haben. Die optische Fläche kann also als Sattelfläche ausgeführt sein. An embodiment of the optical surface according to claim 2 leads to an efficient decoupling. Alternatively, the optical surface embodied as a vibrating surface can also be embodied as a refractive surface, for example as a partial reflection surface of a beam splitter, in which a portion of the illuminating light which passes through the refractive surface is also used, for example as an EUV single output beam. The optical surface can be designed as a plane surface. Alternatively, the optical surface may be designed with a bundling effect, for example as a spherical surface, as an aspheric surface, as a toric surface, as a cylindrical surface or as a free-form surface. The optical surface may have different deflecting effects and, in particular, different refractive powers in the two main directions, that is to say in particular in an incidence plane and perpendicular to an incidence plane. These different deflecting effects or different refractive powers can have different signs. The optical surface can therefore be designed as a saddle surface.
Eine Ausführung als GI-Spiegel (Spiegel mit streifendem Einfall, Grazing Incidence Spiegel) nach Anspruch 3 erhöht die Reflexionseffizienz des Auskoppelelements. An embodiment as a GI mirror (grazing incidence mirror, grazing incidence mirror) according to claim 3 increases the reflection efficiency of the decoupling element.
Ausführungen des Schwingungsantriebs nach den Ansprüchen 4 und 5 ermöglichen eine gezielte Ausbildung stehender und/oder laufender Schwingungswellen auf der optischen Fläche mit vorgegebener Amplitude. Resonanzen des Auskoppelelements können gezielt genutzt oder auch gezielt vermieden werden.Embodiments of the vibration drive according to claims 4 and 5 allow a targeted training standing and / or running vibration waves on the optical surface with a predetermined amplitude. Resonances of the decoupling element can be used selectively or specifically avoided.
Ein Schwingungsantrieb mit einem hydraulischen Antrieb nach Anspruch 6 kann elegant die Funktionen „Schwingungsanregung“ und „Kühlung“ vereinen. Der Schwingungsantrieb kann insgesamt als hydraulischer Antrieb ausgeführt sein.A vibration drive with a hydraulic drive according to claim 6 can elegantly combine the functions "vibration excitation" and "cooling". The vibration drive can be designed as a whole hydraulic drive.
Ein verkippender Schwingungsantrieb nach Anspruch 7 stellt eine Variante des Schwingungsantriebs dar, bei der die optische Fläche in sich nicht schwingt, sondern insgesamt schwingend verlagert wird.A tilting vibration drive according to claim 7 represents a variant of the vibration drive, in which the optical surface does not vibrate in itself, but is displaced as a whole swinging.
Alternativ oder zusätzlich zu dieser Verlagerung insgesamt kann mit dem Schwingungsantrieb nach Anspruch 8 eine oszillierende Deformation innerhalb der Schwingungsfläche, also insbesondere eine stehende und/oder laufende Welle hervorgerufen werden.As an alternative or in addition to this total displacement, the oscillation drive according to claim 8 can cause an oscillating deformation within the oscillation surface, that is to say in particular a stationary and / or traveling shaft.
Die optische Fläche des Auskoppelelements kann als Spiegelarray mit einer Vielzahl von Einzelspiegeln ausgeführt sein. Die Einzelspiegel können aktuierbar ausgeführt und mit entsprechenden Verlagerungsaktoren verbunden sein. Die Einzelspiegel können unabhängig voneinander aktorisch verlagerbar ausgeführt sein. Über die Verlagerungsaktoren der Einzelspiegel kann der Schwingungsantrieb der optische Fläche realisiert sein. Das gesamte Spiegelarray kann über einen einzigen Schwingungsantrieb zur Realisierung der Schwingungsfläche antreibbar sein. Alternativ oder zusätzlich kann mindestens eine Teilfläche des Spiegelarrays, umfassend genau einen Einzelspiegel oder eine Gruppe von Einzelspiegeln, mit dem Schwingungsantrieb in Verbindung stehen. Soweit mehrere Teilflächen die Schwingungsfläche bilden, können diese unabhängig voneinander schwingend angetrieben sein. The optical surface of the decoupling element can be designed as a mirror array with a plurality of individual mirrors. The individual mirrors can be made actuatable and connected to corresponding displacement actuators. The individual mirrors can be designed to be independently displaceable. The vibration drive of the optical surface can be realized via the displacement actuators of the individual mirrors. The entire mirror array can be driven by a single vibration drive for the realization of the vibration surface. Alternatively or additionally, at least one subarea of the mirror array, comprising exactly one individual mirror or a group of individual mirrors, can be connected to the vibration drive. As far as several partial surfaces form the vibration surface, they can be independently driven swinging.
Ein derartiges Spiegelarray kann nach Art eines MEMS(microelectromechanical system, mikroelektromechanisches System)-Array ausgeführt sein. Derartige MEMS-Arrays und geeignete Konzepte für Verlagerungsaktoren der MEMS-Einzelspiegel, die als Schwingungsantrieb genutzt werden können, sind bekannt aus der WO 2013/160 256 A1 , aus der WO 2012/130 768 A2 und aus der WO 2009/100 856 A1 . Such a mirror array may be implemented in the manner of a MEMS (microelectromechanical system) array. Such MEMS arrays and suitable concepts for displacement actuators of the MEMS individual mirrors, which can be used as vibration drive, are known from US Pat WO 2013/160 256 A1 , from the WO 2012/130 768 A2 and from the WO 2009/100 856 A1 ,
Eine Auslegung mit mindestens einer schwingenden Teilfläche ermöglicht eine Auswahl eines Ausschnitts des jeweiligen EUV-Einzel-Ausgabestrahls, der durch Reflexion an der mindestens einen schwingenden Teilfläche in seinem Lichtleitwert beeinflusst ist. Auch eine Erzeugung mehrerer EUV-Einzel-Ausgabestrahlen aus dem EUV-Sammel-Ausgabestrahl ist durch unabhängige Verlagerung von Teilflächen des Spiegelarrays möglich. A design with at least one oscillating partial surface makes it possible to select a section of the respective EUV single output beam which is influenced in its light conductance by reflection at the at least one oscillating partial surface. It is also possible to generate a plurality of EUV individual output beams from the EUV collective output beam by independent shifting of partial areas of the mirror array.
Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 10, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 12 und eines strukturierten Bauteils nach Anspruch 13 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die vorhergehenden Ansprüche bereits erläutert wurden. The advantages of a lighting system according to claim 10, a projection exposure apparatus according to claim 11, a manufacturing method according to claim 12 and a structured component according to claim 13 correspond to those which have already been explained above with reference to the preceding claims.
Bei der Lichtquelle des Beleuchtungssystems kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (FEL), um einen Undulator, um einen Wiggler oder um einen Röntgenlaser handeln. The light source of the illumination system may be a free electron laser (FEL), an undulator, a wiggler, or an x-ray laser.
Der EUV-Sammel-Ausgabestrahl kann innerhalb eines Nutzquerschnitts eine Intensitätsverteilung aufweisen, die in jedem Punkt des Nutzquerschnitts von einer homogenen Intensität um weniger als 10 % abweicht. Eine entsprechende Homogenität kann ein jeweiliger EUV-Einzel-Ausgabestrahl nach der Umlenkoptik aufweisen. Within a useful cross section, the EUV collective output beam can have an intensity distribution which deviates from a homogeneous intensity by less than 10% in each point of the useful cross section. A corresponding homogeneity can have a respective EUV single output beam after the deflection optics.
Alle Spiegel des Beleuchtungssystems können hochreflektierende Beschichtungen tragen. All mirrors of the lighting system can carry highly reflective coatings.
Alle Anspruchsmerkmale können auch in anderer Kombination miteinander kombiniert werden. All claim characteristics can also be combined with each other in a different combination.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:
1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie; 1 schematically a projection exposure system for EUV projection lithography;
2 ebenfalls schematisch einen führenden Abschnitt eines EUV-Strahlengangs für ein System mehrerer Projektionsbelichtungsanlagen nach 1, ausgehend von einer EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines EUV-Rohstrahls bis nach einer Auskoppeloptik zur Erzeugung mehrerer EUV-Einzel-Ausgabestrahlen aus einem EUV-Sammel-Ausgabestrahl; 2 also schematically a leading portion of an EUV beam path for a system of multiple projection exposure after 1 starting from an EUV light source to produce an EUV raw beam until after a coupling-out optical system for generating a plurality of EUV single output beams from an EUV collective output beam;
3 weniger schematisch als in den 1 und 2 einen EUV-Strahlengang zwischen der Strahlformungsoptik und einer Umlenkoptik als Teil einer Strahlführungsoptik zur Führung des jeweiligen EUV-Einzel-Ausgabestrahls hin zum Objektfeld, wobei die Umlenkoptik der Auskoppeloptik im Strahlengang des EUV-Einzel-Ausgabestrahls nachgeordnet ist; 3 less schematic than in the 1 and 2 an EUV beam path between the beam shaping optics and a deflection optics as part of a beam guiding optical system for guiding the respective EUV single output beam towards the object field, the deflection optics being arranged downstream of the coupling optics in the beam path of the EUV single output beam;
4 eine Ausführung der Auskoppeloptik mit einer als Reflexionsfläche ausgeführten Schwingungsfläche, die mit einem Schwingungsantrieb in Wirkverbindung steht; 4 an embodiment of the coupling-out optical system with a designed as a reflection surface vibration surface, which is in operative connection with a vibration drive;
5 und 6 weitere Ausführungen der Auskoppeloptik mit einer als Reflexionsfläche ausgeführten Schwingungsfläche; 5 and 6 Further embodiments of the coupling-out optics with a vibration surface designed as a reflection surface;
7 bis 9 weitere Ausführungen der Auskoppeloptik mit einer als brechende Fläche ausgeführten Schwingungsfläche; und 7 to 9 further embodiments of the coupling-out optical system with a vibrating surface designed as a refractive surface; and
10 eine Aufsicht auf eine weitere Ausführung einer als Reflexionsfläche ausgeführten Schwingungsfläche mit einer Mehrzahl von Einzelspiegeln. 10 a plan view of a further embodiment of a designed as a reflection surface vibration surface with a plurality of individual mirrors.
Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie ist Teil eines Systems aus mehreren Projektionsbelichtungsanlagen, von denen in der 1 eine der Projektionsbelichtungsanlagen 1 dargestellt ist. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 dient zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten elektronischen Halbleiter-Bauelements. Eine für alle Projektionsbelichtungsanlagen des System gemeinsame Licht- bzw. Strahlungsquelle 2 emittiert EUV-Strahlung im Wellenlängebereich beispielsweise zwischen 2 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 2 nm und 15 nm, zum Beispiel bei 13 nm. Die Lichtquelle 2 ist als Freie-Elektronen-Laser (FEL) ausgeführt. Es handelt sich dabei um eine Synchrotronstrahlungsquelle bzw. um eine synchrotron-strahlungsbasierte Lichtquelle, die kohärente Strahlung mit sehr hoher Brillanz erzeugt. Vorveröffentlichungen, in denen derartige FEL beschrieben sind, sind in der WO 2009/121 438 A1 angegeben. Eine Lichtquelle 2, die beispielsweise zum Einsatz kommen kann, ist beschrieben in Uwe Schindler „Ein supraleitender Undulator mit elektrisch umschaltbarer Helizität“, Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz-Gemeinschaft, wissenschaftliche Berichte, FZKA 6997, August 2004, in der US 2007/0152171 A1 und in der DE 103 58 225 B3 .A projection exposure machine 1 for microlithography is part of a system of several projection exposure equipment, of which in the 1 one of the projection exposure systems 1 is shown. The projection exposure machine 1 is used to produce a micro- or nanostructured electronic semiconductor device. A common light or radiation source for all projection exposure systems of the system 2 emits EUV radiation in the wavelength range, for example between 2 nm and 30 nm, in particular between 2 nm and 15 nm, for example at 13 nm. The light source 2 is designed as a free-electron laser (FEL). It is a synchrotron radiation source or a synchrotron radiation-based light source, which generates coherent radiation with very high brilliance. Prior publications describing such FELs are in the WO 2009/121 438 A1 specified. A light source 2 , which can be used, for example, is described in Uwe Schindler "A superconducting undulator with electrically switchable helicity", Forschungszentrum Karlsruhe in the Helmholtz Association, scientific reports, FZKA 6997, August 2004, in the US 2007/0152171 A1 and in the DE 103 58 225 B3 ,
Bei der Ausführung als FEL kann die Lichtquelle 2 eine Spitzenleistung (peak power) von 2000 bis 2500 MW aufweisen. Die Lichtquelle 2 kann gepulst betrieben sein. Eine Pulsleistung (pulse power) kann 280 MW betragen. Eine Pulsdauer kann 2 ps (FWHM) betragen. Eine Pulsenergie kann 0,6 mJ betragen. Eine Pulswiederholrate kann 3 MHz betragen. Eine cw-Leistung beziehungsweise eine mittlere Pulsleistung kann 1,7 kW betragen. Eine relative Wellenlängen-Bandbreite Δλ/λ kann 0,1 % betragen. Ein typischer Bündeldurchmesser kann im Bereich von 200 µm liegen. Ein typischer Divergenzwinkel der FEL-Emission kann im Bereich von 20 µrad liegen. When running as a FEL, the light source 2 have a peak power of 2000 to 2500 MW. The light source 2 can be operated pulsed. A pulse power can be 280 MW. A pulse duration can be 2 ps (FWHM). A pulse energy can be 0.6 mJ. A pulse repetition rate can be 3 MHz. A cw power or an average pulse power can amount to 1.7 kW. A relative wavelength bandwidth Δλ / λ may be 0.1%. A typical bundle diameter may be in the range of 200 μm. A typical divergence angle of the FEL emission may be in the range of 20 μrad.
Die Lichtquelle 2 hat in einem Rohstrahl einen ursprünglichen Lichtleitwert, der kleiner ist als 0,1 mm2. Beim Lichtleitwert handelt es sich um das kleinste Volumen eines Phasenraums, der 90 % der Lichtenergie einer Emission einer Lichtquelle enthält. Hierzu entsprechende Definitionen des Lichtleitwertes finden sich in der EP 1 072 957 A2 und der US 6 198 793 B1 , in denen angegeben ist, dass der Lichtleitwert durch Multiplikation der Beleuchtungsdaten x, y und NA2 erhalten ist, wobei x und y die Felddimensionen sind, die ein beleuchtetes Beleuchtungsfeld aufspannen und NA die numerische Apertur der Feldbeleuchtung. Auch noch kleinere Lichtleitwerte der Lichtquelle als 0,1 mm2 sind möglich, beispielsweise ein Lichtleitwert kleiner als 0,01 mm2.The light source 2 has an original optical conductivity in a raw beam that is less than 0.1 mm 2 . The optical conductivity is the smallest volume of a phase space that contains 90% of the light energy of an emission from a light source. Corresponding definitions of the optical conductivity can be found in the EP 1 072 957 A2 and the US 6,198,793 B1 in which it is stated that the optical conductivity is obtained by multiplying the illumination data x, y and NA 2 , where x and y are the field dimensions spanning an illuminated illumination field and NA is the numerical aperture of the field illumination. Even smaller light conductance values of the light source than 0.1 mm 2 are possible, for example, an optical conductivity of less than 0.01 mm 2 .
Die EUV-Lichtquelle 2 hat eine Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahls und eine EUV-Generationseinrichtung. Letztere wird über die Elektronenstrahl-Versorgungseinrichtung mit dem Elektronenstrahl versorgt. Die EUV-Generationseinrichtung ist als Undulator ausgeführt. Der Undulator kann optional durch Verlagerung verstellbare Undulatormagnete aufweisen. Der Undulator kann Elektromagnete aufweisen. Auch ein Wiggler kann bei der Lichtquelle 2 vorgesehen sein. The EUV light source 2 has an electron beam supply device for generating an electron beam and an EUV generation device. The latter is supplied with the electron beam via the electron beam supply device. The EUV generation device is designed as an undulator. The undulator may optionally include displacement-adjustable undulator magnets. The undulator may have electromagnets. Even a wiggler can use the light source 2 be provided.
Die Lichtquelle 2 hat eine mittlere Leistung von 2,5 kW. Die Pulsfrequenz der Lichtquelle 2 beträgt 30 MHz. Jeder einzelne Strahlungsimpuls trägt dann eine Energie von 83 µJ. Bei einer Strahlungsimpulslänge von 100 fs entspricht dies einer Strahlungsimpulsleistung von 833 MW. The light source 2 has an average power of 2.5 kW. The pulse rate of the light source 2 is 30 MHz. Each individual radiation pulse then carries an energy of 83 μJ. With a radiation pulse length of 100 fs, this corresponds to a radiation pulse power of 833 MW.
Eine Repetitionsrate der Lichtquelle 2 kann im Kilohertzbereich, beispielsweise bei 100 kHz, oder im niedrigeren Megahertzbereich, beispielsweise bei 3 MHz, im mittleren Megahertzbereich, beispielsweise bei 30 MHz, im oberen Megahertzbereich, beispielsweise bei 300 MHz, oder auch im Gigaherzbereich, beispielsweise bei 1,3 GHz, liegen.A repetition rate of the light source 2 can be in the kilohertz range, for example at 100 kHz, or in the lower megahertz range, for example at 3 MHz, in the middle megahertz range, for example at 30 MHz, in the upper megahertz range, for example at 300 MHz, or else in the gigahertz range, for example at 1.3 GHz ,
Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Koordinate spannt mit der y-Koordinate bei diesen Darstellungen regelmäßig einen Bündelquerschnitt des EUV-Beleuchtungs- und Abbildungslichts 3 auf. Entsprechend verläuft die z-Richtung regelmäßig in der Strahlrichtung des Beleuchtungs- und Abbildungslichts 3. Die x-Richtung verläuft zum Beispiel in den 2 und 3 vertikal, also senkrecht zu Gebäudeebenen, in denen das System der Projektionsbelichtungsanlagen 1 untergebracht ist.To facilitate the representation of positional relationships, a Cartesian xyz coordinate system is used below. The x-coordinate regularly tightens a beam cross-section of the EUV illumination and imaging light with the y-coordinate in these representations 3 on. Accordingly, the z-direction is regularly in the beam direction of the illumination and imaging light 3 , The x-direction runs for example in the 2 and 3 vertically, ie perpendicular to building levels, in which the system of projection exposure systems 1 is housed.
1 zeigt stark schematisch Hauptkomponenten einer der Projektionsbelichtungsanlagen 1 des Systems. 1 shows very schematically main components of one of the projection exposure systems 1 of the system.
Die Lichtquelle 2 emittiert Beleuchtungs- und Abbildungslicht 3 in Form zunächst eines EUV-Rohstrahls 4. In der Regel liegt der Rohstrahl 4 als Bündel mit einem gaußförmigen Intensitätsprofil vor, also als im Querschnitt rundes Bündel. Der EUV-Rohstrahl 4 hat einen sehr kleinen Bündelquerschnitt und eine sehr kleine Divergenz.The light source 2 emits illumination and imaging light 3 in the form of an EUV raw beam 4 , As a rule, the raw beam lies 4 as a bundle with a Gaussian intensity profile, ie as a round bundle in cross-section. The EUV raw beam 4 has a very small bundle cross section and a very small divergence.
Eine Strahlformungsoptik 6 (vgl. 1) dient zur Erzeugung eines EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 aus dem EUV-Rohstrahl 4. Dies ist in der 1 sehr stark schematisch und in der 2 etwas weniger stark schematisch dargestellt. Der EUV-Sammel-Ausgabestrahl 7 hat eine sehr kleine Divergenz. Der EUV-Sammel-Ausgabestrahl 7 hat die Form eines homogen ausgeleuchteten Rechtecks. Ein x/y-Aspektverhältnis des EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 kann N:1 betragen, wobei N eine Anzahl der innerhalb des Systems mit der Lichtquelle 2 zu versorgenden Projektionsbelichtungsanlagen 1 ist.A beam shaping optics 6 (see. 1 ) is used to generate an EUV collective output beam 7 from the EUV raw beam 4 , This is in the 1 very strongly schematic and in the 2 somewhat less schematically shown. The EUV collective output beam 7 has a very small divergence. The EUV collective output beam 7 has the shape of a homogeneously illuminated rectangle. An x / y aspect ratio of the EUV collective output beam 7 can be N: 1, where N is a number within the system with the light source 2 to be supplied projection exposure equipment 1 is.
2 deutet eine Systemauslegung mit N = 4 an, bei der die Lichtquelle 2 also vier Projektionsbelichtungsanlagen nach Art der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach 1 mit dem Beleuchtungslicht 3 versorgt. Für N = 4 beträgt das x/y-Aspektverhältnis des EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 4:1. Auch ein kleineres Aspektverhältnis N:1 ist möglich, beispielsweise √N :1. Die Anzahl N der Projektionsbelichtungsanlagen 1 kann auch noch größer sein und kann beispielsweise bis zu 10 betragen. 2 indicates a system design with N = 4, where the light source 2 So four projection exposure systems on the type of projection exposure system 1 to 1 with the illumination light 3 provided. For N = 4, the x / y aspect ratio of the EUV collective output beam is 7 4: 1. Also a smaller aspect ratio N: 1 is possible, for example √N: 1. The number N of projection exposure equipment 1 can be even larger and can be up to 10, for example.
Eine Auskoppeloptik 8 (vgl. 1 und 2) dient zur Erzeugung von mehreren, nämlich von N, EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 1 bis 9 N (i = 1, ... N) aus dem EUV-Sammel-Ausgabestrahl 7. A coupling optics 8th (see. 1 and 2 ) is used to generate several, namely N, EUV single output jets 9 1 to 9 N (i = 1, ... N) from the EUV collective output beam 7 ,
Die 1 zeigt die weitere Führung genau eines dieser EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9, nämlich des Ausgabestrahls 9 1. Die anderen, von der Auskoppeloptik 8 erzeugten EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 i, die in der 1 ebenfalls schematisch angedeutet ist, werden anderen Projektionsbelichtungsanlagen des Systems zugeführt. The 1 shows the further guidance exactly one of these EUV single output jets 9 , namely the output beam 9 1 . The others, from the decoupling optics 8th generated EUV single output beams 9 i who in the 1 is also schematically indicated, are fed to other projection exposure systems of the system.
Nach der Auskoppeloptik 8 wird das Beleuchtungs- und Abbildungslicht 3 von einer Strahlführungsoptik 10 (vgl. 1) hin zu einem Objektfeld 11 der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführt, indem eine Lithografiemaske 12 in Form eines Retikels als zu projizierendes Objekt angeordnet ist. Zusammen mit der Strahlführungsoptik 10 stellen die Strahlformungsoptik 6 und die Auskoppeloptik 8 ein Beleuchtungssystem für die Projektionsbelichtungsanlage 1 dar. After the coupling-out optics 8th becomes the lighting and picture light 3 from a beam guiding optics 10 (see. 1 ) to an object field 11 the projection exposure system 1 guided by a lithography mask 12 is arranged in the form of a reticle as an object to be projected. Together with the beam guiding optics 10 make the beam shaping optics 6 and the coupling optics 8th an illumination system for the projection exposure apparatus 1 represents.
Die Strahlführungsoptik 10 umfasst in der Reihenfolge des Strahlengangs für das Beleuchtungslicht 3, also für den EUV-Einzel-Ausgabestrahl 9 i, eine Umlenkoptik 13, eine Einkoppeloptik in Form einer Fokussier-Baugruppe 14 und eine nachgeschaltete Beleuchtungsoptik 15. Die Beleuchtungsoptik 15 beinhaltet einen Feldfacettenspiegel 16 und einen Pupillenfacettenspiegel 17, deren Funktion derjenigen entspricht, die aus dem Stand der Technik bekannt ist und die daher in der 1 lediglich äußerst schematisch und ohne zugehörigen EUV-Strahlengang dargestellt sind. The beam guiding optics 10 comprises in the order of the beam path for the illumination light 3 So for the EUV single output beam 9 i , a deflection optics 13 , a coupling optics in the form of a focusing assembly 14 and a downstream illumination optics 15 , The illumination optics 15 includes a field facet mirror 16 and a pupil facet mirror 17 , whose function corresponds to that which is known from the prior art and which therefore in the 1 are shown only very schematically and without associated EUV beam path.
Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 16 trifft das in EUV-Strahlbüschel, die einzelnen, nicht dargestellten Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 16 zugeordnet sind, aufgeteilte Nutzstrahlungsbündel des Beleuchtungslichts 3 auf den Pupillenfacettenspiegel 17. In der 1 nicht dargestellte Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 17 sind rund. Jedem von einer der Feldfacetten reflektierten Strahlbüschel des Nutzstrahlungsbündels ist eine dieser Pupillenfacetten zugeordnet, so dass jeweils ein beaufschlagtes Facettenpaar mit einer der Feldfacetten und einer der Pupillenfacetten einen Ausleuchtungskanal bzw. Strahlführungskanal für das zugehörige Strahlbüschel des Nutzstrahlungsbündels vorgibt. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten zu den Feldfacetten erfolgt abhängig von einer gewünschten Beleuchtung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1. Das Beleuchtungslicht 3 ist also zur Vorgabe individueller Beleuchtungswinkel längs des Ausleuchtungskanals sequentiell über Paare aus jeweils einer der Feldfacetten und jeweils einer der Pupillenfacette geführt. Zur Ansteuerung jeweils vorgegebener Pupillenfacetten werden die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 16 jeweils individuell verkippt.After reflection at the field facet mirror 16 in EUV bundles of tufts, the individual field facets of the field facet mirror, not shown 16 are assigned, split Nutzstrahlungsbündel the illumination light 3 on the pupil facet mirror 17 , In the 1 not shown pupil facets of the pupil facet mirror 17 are round. Each of one of the field facets reflected beam tufts of Nutzstrahlungsbündels is associated with one of these Pupillenfacetten, so that in each case an acted facet pair with one of the field facets and one of the pupil facets an illumination channel or beam guiding channel for the associated beam of the Nutzstrahlungsbündels pretends. The channel-wise assignment of the pupil facets to the field facets is dependent on a desired illumination by the projection exposure apparatus 1 , The illumination light 3 Thus, in order to specify individual illumination angles along the illumination channel, it is carried out sequentially via pairs from in each case one of the field facets and in each case one of the pupil facets. To control respectively predetermined pupil facets, the field facets of the field facet mirror are used 16 individually tilted.
Über den Pupillenfacettenspiegel 17 und ggf. über eine nachfolgende, aus zum Beispiel drei nicht dargestellten EUV-Spiegeln bestehende Übertragungsoptik werden die Feldfacetten in das Beleuchtungs- bzw. Objektfeld 11 in einer Retikel- bzw. Objektebene 18 einer in der 1 ebenfalls schematisch dargestellten Projektionsoptik 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet. About the pupil facet mirror 17 and optionally via a subsequent, consisting of, for example, three EUV mirrors not shown transmission optics, the field facets in the illumination or object field 11 in a reticle or object plane 18 one in the 1 also schematically shown projection optics 19 the projection exposure system 1 displayed.
Aus den einzelnen Beleuchtungswinkeln, die über alle Ausleuchtungskanäle über eine Beleuchtung der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 16 herbeigeführt werden, ergibt sich eine Beleuchtungswinkelverteilung der Beleuchtung des Objektfeldes 11 durch die Beleuchtungsoptik 15.From the individual illumination angles, which illuminate the field facets of the field facet mirror via all the illumination channels 16 be brought about, results in an illumination angle distribution of the illumination of the object field 11 through the illumination optics 15 ,
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 15, insbesondere bei einer geeigneten Lage einer Eintrittspupille der Projektionsoptik 19, kann auf die Spiegel der Übertragungsoptik vor dem Objektfeld 11 auch verzichtet werden, was zu einer entsprechenden Transmissionserhöhung der Projektionsbelichtungsanlage 1 für das Nutzstrahlungsbündel führt.In a further embodiment of the illumination optics 15 , Especially at a suitable location of an entrance pupil of the projection optics 19 , on the mirrors of the transmission optics in front of the object field 11 also be waived, resulting in a corresponding increase in transmission of the projection exposure system 1 leads for the Nutzstrahlungsbündel.
In der Objektebene 18 im Bereich des Objektfeldes 11 ist das das Nutzstrahlungsbündel reflektierende Retikel 12 angeordnet. Das Retikel 12 wird von einem Retikelhalter 20 getragen, der über einen Retikelverlagerungsantrieb 21 angesteuert verlagerbar ist. In the object plane 18 in the area of the object field 11 is this the useful radiation bundle reflective reticle 12 arranged. The reticle 12 is from a reticle holder 20 worn, via a reticle displacement drive 21 controlled displaced.
Die Projektionsoptik 19 bildet das Objektfeld 11 in ein Bildfeld 22 in einer Bildebene 23 ab. In dieser Bildebene 23 ist bei der Projektionsbelichtung ein Wafer 24 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Der Wafer 24 wird von einem Waferhalter 25 getragen, der wiederum über einen Waferverlagerungsantrieb 26 gesteuert verlagerbar ist. The projection optics 19 forms the object field 11 in a picture field 22 in an image plane 23 from. In this picture plane 23 is a wafer in the projection exposure 24 which carries a photosensitive layer during projection exposure with the projection exposure apparatus 1 is exposed. The wafer 24 is from a wafer holder 25 in turn, via a wafer displacement drive 26 controlled is displaced.
Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl das Retikel 12 als auch der Wafer 24 in der 1 in x-Richtung durch entsprechende Ansteuerung des Retikelverlagerungsantriebs 21 und des Waferverlagerungsantriebs 26 synchronisiert gescannt. Der Wafer wird während der Projektionsbelichtung mit einer Scangeschwindigkeit von typisch 600 mm/s in der x-Richtung gescannt.In the projection exposure, both the reticle 12 as well as the wafer 24 in the 1 in the x direction by corresponding control of the reticle displacement drive 21 and the wafer displacement drive 26 scanned synchronized. The wafer is scanned during the projection exposure at a scan speed of typically 600 mm / s in the x-direction.
2 bis 9 zeigen Beispiele für die Auskoppeloptik zur Erzeugung der EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 aus dem EUV-Sammel-Ausgabestrahl 7. Die Auskoppeloptik hat als Auskoppelkomponenten eine Mehrzahl von Auskoppelspiegeln 31 1, 31 2, ..., die den EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 1, 9 2, ... zugeordnet sind und diese aus dem EUV-Sammel-Ausgabestrahl 7 auskoppeln. 2 to 9 show examples of the coupling-out optics for generating the EUV single output beams 9 from the EUV collective output beam 7 , The coupling-out optics has a plurality of coupling-out mirrors as outcoupling components 31 1 , 31 2 , ..., which the EUV single output jets 9 1 , 9 2 , ... are assigned and these from the EUV collective output beam 7 couple out.
2 zeigt eine Anordnung der Auskoppelspiegel 31 der Auskoppeloptik 8 derart, dass das Beleuchtungslicht 3 bei der Auskopplung um 90° mit den Auskoppelspiegeln 31 umgelenkt wird. Bevorzugt ist eine Ausführung, bei der die Auskoppelspiegel 31 unter streifendem Einfall des Beleuchtungslichts 3 betrieben werden, wie schematisch zum Beispiel in der 3 gezeigt. Ein Einfallswinkel α des Beleuchtungslichts 3 auf den Auskoppelspiegeln 31 ist bei der Ausführung nach 3 etwa 70°, kann aber auch noch deutlich darüber liegen und beispielsweise im Bereich von 85° liegen, sodass eine effektive Umlenkung des EUV-Einzel-Ausgabestrahls 9 durch den jeweiligen Auskoppelspiegel 31 im Vergleich zur Einfallsrichtung des EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 bei 10° liegt. Die effektive Umlenkung kann je nach Ausführung bei mindestens 1° oder auch bei mindestens 5° liegen. Der Auskoppelspiegel 31 ist also als GI-Spiegel (Spiegel für streifenden Einfall, Gracing Incidence Spiegel) ausgeführt. 2 shows an arrangement of Auskoppelspiegel 31 the coupling optics 8th such that the illumination light 3 in the decoupling by 90 ° with the Auskoppelspiegeln 31 is diverted. Preferred is an embodiment in which the Auskoppelspiegel 31 under grazing incidence of the illumination light 3 be operated as schematically for example in the 3 shown. An incident angle α of the illumination light 3 on the Auskoppelspiegeln 31 is in the execution after 3 about 70 °, but may also be significantly higher and, for example, in the range of 85 °, so that an effective deflection of the EUV single output beam 9 through the respective output mirror 31 compared to the direction of arrival of the EUV collective output beam 7 at 10 °. Depending on the design, the effective deflection can be at least 1 ° or at least 5 °. The Auskoppelspiegel 31 is thus executed as a GI mirror (mirror for grazing incidence, Gracing Incidence mirror).
Jeder der Auskoppelspiegel 31 i ist an einen nicht näher dargestellten Kühlkörper thermisch angekoppelt. Each of the Auskoppelspiegel 31 i is thermally coupled to a heat sink, not shown.
2 zeigt eine Auskoppeloptik 8 mit insgesamt vier Auskoppelspiegeln 31 1 bis 31 4. 3 zeigt eine Variante der Auskoppeloptik 8 mit insgesamt drei Auskoppelspiegeln 31 1 bis 31 3. 4 zeigt einen der Auskoppelspiegel 31 bei einer Variante der Auskoppeloptik 8 mit insgesamt zwei Auskoppelspiegeln 31, von denen einer dargestellt ist. Auch eine andere Anzahl N der Auskoppelspiegel 31 ist möglich, je nach der Anzahl N der mit der Lichtquelle 2 zu versorgenden Projektionsbelichtungsanlagen 1, beispielsweise N = 2 oder N ≥ 4, insbesondere N ≥ 8. 2 shows a coupling-out optics 8th with a total of four coupling-out mirrors 31 1 to 31 4 . 3 shows a variant of the coupling-out optics 8th with a total of three coupling-out mirrors 31 1 to 31 3 . 4 shows one of the Auskoppelspiegel 31 in a variant of the coupling-out optics 8th with a total of two coupling-out mirrors 31 one of which is shown. Also another number N of Auskoppelspiegel 31 is possible, depending on the number N of the light source 2 to be supplied projection exposure equipment 1 , for example N = 2 or N ≥ 4, in particular N ≥ 8.
Nach der Auskopplung hat jeder der EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 ein x/y-Aspektverhältnis zum Beispiel von 1:1. Auch ein anderes x/y-Aspektverhältnis, zum Beispiel von √N :1, ist möglich.After uncoupling, each of the EUV has single output jets 9 an x / y aspect ratio of, for example, 1: 1. Also, another x / y aspect ratio, for example, of √N: 1, is possible.
Die Auskoppelspiegel 31 i (i = 1, 2, ...) sind im Strahlengang des EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 versetzt hintereinander so in Strahlrichtung des EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 angeordnet, dass der jeweils nächste Auskoppelspiegel 31 i einen randseitigen Querschnittsanteil des EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 reflektiert und dadurch diesen Querschnittsanteil als EUV-Einzel-Ausgabestrahl 9 i aus dem verbleibenden und an diesem Auskoppelspiegel 31 i vorbeifliegenden EUV-Sammel-Ausgabestrahl 7 auskoppelt. Dieses Auskoppeln vom Rand her wiederholt sich durch die folgenden Auskoppelspiegel 31 i+1, ..., bis der letzte noch verbleibende Querschnittsanteil des EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 ausgekoppelt ist. The Auskoppelspiegel 31 i (i = 1, 2, ...) are in the beam path of the EUV collective output beam 7 one after the other in the beam direction of the EUV collective output beam 7 arranged that the next output mirror 31 i a marginal cross-sectional portion of the EUV collective output beam 7 reflects and thus this cross-sectional component as EUV single output beam 9 i from the remaining and at this output mirror 31 i passing EUV collective output beam 7 couples out. This decoupling from the edge is repeated by the following Auskoppelspiegel 31 i + 1 , ..., until the last remaining cross-section of the EUV collective output beam 7 is decoupled.
Bezogen auf die Energie des EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 können die einzelnen EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 i einen Anteil zwischen 1 % und 50 % dieser gesamten Energie tragen.Based on the energy of the EUV collective output beam 7 can the individual EUV single output jets 9 i contribute between 1% and 50% of this total energy.
Im Querschnitt des EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 erfolgt eine Trennung zwischen den den EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 i zugeordneten Querschnittsanteilen längs Trennebenen, die parallel zur yz-Ebene verlaufen. Die Trennung der EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 i kann derart erfolgen, dass jeweils der Querschnittsanteil, der am weitesten von der im Strahlengang nächstfolgenden optischen Komponente, also der nächstfolgenden Komponente der Umlenkoptik 13, entfernt ist, abgeschnitten wird. Dieses erleichtert unter anderem eine Ansteuerung und/oder Kühlung der Auskoppeloptik 8, insbesondere von einer Seite her, die Reflexionsflächen 32 der Auskoppelspiegel 31 gegenüberliegt, also von einer Rückseite der Auskoppelspiegel 31 her.In the cross-section of the EUV collective output beam 7 there is a separation between the EUV single output jets 9 i associated cross-sectional proportions along dividing planes which extend parallel to the yz plane. The separation of the EUV single output jets 9 i can be such that in each case the cross-sectional portion, the furthest from the next optical component in the beam path, ie the next component of the deflection optics 13 , is removed, is cut off. This facilitates inter alia a control and / or cooling of the coupling-out optics 8th , in particular from one side, the reflection surfaces 32 the Auskoppelspiegel 31 opposite, so from a rear side of the Auskoppelspiegel 31 ago.
Die der Auskoppeloptik 8 im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 nachfolgende Umlenkoptik 13 dient einerseits zum Umlenken der EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 so, dass diese nach der Umlenkoptik 13 jeweils eine vertikale Strahlrichtung haben, und andererseits zur Anpassung des x/y-Aspektverhältnisses der EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9. Bei dem angepassten x/y-Aspektverhältnis kann es sich um das Aspektverhältnis des rechteckigen oder objektförmigen Objektfeldes 11 handeln, kann es sich um das Aspektverhältnis eines ersten optischen Elements der Beleuchtungsoptik 15 handeln oder kann es sich um das Aspektverhältnis der Aperturwinkel des Beleuchtungslichts 3 an einem Zwischenfokus 33 vor der Beleuchtungsoptik 15 in einer Zwischenfokusebene 34 (vgl. 1) handeln.The decoupling optics 8th in the beam path of the illumination light 3 subsequent deflection optics 13 serves on the one hand to divert the EUV single output jets 9 so that these after the deflection optics 13 each have a vertical beam direction, and on the other hand to adjust the x / y aspect ratio of the EUV single output beams 9 , The adjusted x / y aspect ratio may be to the aspect ratio of the rectangular or object-shaped object field 11 act, it may be the aspect ratio of a first optical element of the illumination optics 15 or may it be the aspect ratio of the aperture angles of the illumination light 3 at an intermediate focus 33 in front of the illumination optics 15 in a Zwischenfokusebene 34 (see. 1 ) act.
Für den Fall, dass nach der Auskoppeloptik 8 bereits ein vertikaler Strahlengang der EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 vorliegt, kann auf eine umlenkende Wirkung der Umlenkoptik 13 verzichtet werden und es genügt die Anpassungswirkung in Bezug auf das x/y-Aspektverhältnis der EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9. In the event that after the coupling optics 8th already a vertical beam path of the EUV single output beams 9 is present, can on a deflecting effect of the deflection optics 13 and the matching effect with respect to the x / y aspect ratio of the EUV single output jets is sufficient 9 ,
Die EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9 können hinter der Umlenkoptik 13 derart verlaufen, dass sie, gegebenenfalls nach Durchlaufen einer Fokussier-Baugruppe 14, unter einem Winkel in die Beleuchtungsoptik 15 treffen, wobei dieser Winkel eine effiziente Faltung der Beleuchtungsoptik erlaubt. Hinter der Umlenkoptik 13 kann der EUV-Einzel-Ausgabestrahl 9 i in einem Winkel von 0° bis 10° zur Senkrechten, in einem Winkel von 10° bis 20° zur Senkrechten, oder in einem Winkel von 20° bis 30° zur Senkrechten verlaufen.The EUV single issue jets 9 can behind the deflection optics 13 are such that they, optionally after passing through a focusing assembly 14 , at an angle in the illumination optics 15 meet, with this angle allows efficient folding of the illumination optics. Behind the deflection optics 13 can the EUV single output beam 9 i at an angle of 0 ° to 10 ° to the vertical, at an angle of 10 ° to 20 ° to the vertical, or at an angle of 20 ° to 30 ° to the vertical.
Eine optische Fläche des Auskoppelspiegels 31, im Falle der Ausführungen der Auskoppeloptik 8 mit mehreren Auskoppelspiegeln 31 also die jeweilige Reflexionsfläche 32 des Auskoppelspiegels 31, ist als Schwingungsfläche ausgeführt. Die Reflexionsfläche 32 des jeweiligen Auskoppelspiegels 31 steht mit einem Schwingungsantrieb in Wirkverbindung, wodurch die Reflexionsfläche 32 in Schwingungen bzw. Oszillationen versetzt wird.An optical surface of the coupling-out mirror 31 , in the case of the embodiments of the coupling-out optics 8th with several coupling-out mirrors 31 So the respective reflection surface 32 the Auskoppelspiegel 31 , is designed as a vibration surface. The reflection surface 32 the respective output mirror 31 is in operative connection with a vibration drive, whereby the reflection surface 32 is put into vibration or oscillations.
4 zeigt eine Ausführung des Auskoppelspiegels 31, bei der der Schwingungsantrieb als Ankoppelkörper 35 ausgeführt ist, der über eine Ankoppelfläche 36 an einen Spiegelkörper 37 des Auskoppelspiegels 31 angekoppelt ist. 4 shows an embodiment of the coupling-out mirror 31 , in which the vibration drive as Ankoppelkörper 35 is executed, which has a coupling surface 36 to a mirror body 37 the Auskoppelspiegel 31 is coupled.
Der Einfallswinkel α beträgt beim Auskoppelspiegel 31 nach 4 82°. Der Spiegelkörper 37 ist keilförmig gestaltet und hat einen zum Einfallswinkel α korrespondierenden Keilwinkel β von 8°.The angle of incidence α is at Auskoppelspiegel 31 to 4 82 °. The mirror body 37 is wedge-shaped and has an angle of incidence α corresponding wedge angle β of 8 °.
Je nach Ausführung des Auskoppelspiegels 31 nach 4 kann der Ankoppelkörper 35, der den Schwingungsantrieb darstellt, als Piezokomponente oder als akustooptischer Modulator ausgeführt sein.Depending on the version of the coupling-out mirror 31 to 4 can the coupling body 35 , Which represents the vibration drive, be designed as a piezo component or as acousto-optic modulator.
Der Schwingungsantrieb 35 ruft im Betrieb eine oszillierenden Deformation innerhalb der Reflexionsfläche 32, also der Schwingungsfläche, hervor. Bei dieser oszillierenden Deformation kann es sich um eine stehende und/oder um eine laufende Welle handeln. Die Schwingungsfrequenzen dieser oszillierenden Deformation der Schwingungsfläche 32 können im Bereich zwischen 50 Hz und 10 kHz oder darüber liegen und können mindesten 100 Hz oder auch mindestens 1 kHz betragen. Eine obere Schranke der Schwingungsfrequenz ist gegeben beispielsweise durch eine Repetitionsrate der Lichtquelle 2 und kann im Bereich zwischen 100 MHz und 1,3 GHz liegen. Ein effektiver Umlenkwinkel für die EUV-Einzel-Ausgabestrahlen 9, der durch die oszillierende Deformation der Reflexionsfläche 32 hervorgerufen wird, kann im Bereich von µrad bis beispielsweise im Bereich von mrad liegen. The vibration drive 35 calls in operation an oscillating deformation within the reflection surface 32 , So the vibrational surface, forth. This oscillating deformation can be a standing and / or a running wave. The vibration frequencies of this oscillating deformation of the vibrating surface 32 can be in the range between 50 Hz and 10 kHz or above and can be at least 100 Hz or even at least 1 kHz. An upper limit of the oscillation frequency is given, for example, by a repetition rate of the light source 2 and may range between 100 MHz and 1.3 GHz. An effective deflection angle for EUV single output jets 9 caused by the oscillating deformation of the reflection surface 32 can be in the range of μrad to, for example, in the range of mrad.
5 zeigt eine weitere Ausführung für einen der Auskoppelspiegel 31 der Auskoppeloptik 8. Komponenten, die denjenigen entsprechend, die vorstehend unter Bezugnahme auf die bereits erläuterten Ausführungen beschrieben wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. 5 shows a further embodiment of one of the Auskoppelspiegel 31 the coupling optics 8th , Components similar to those described above with reference to the previously discussed embodiments bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.
Über die Ankoppelfläche 36 ist an den Spiegelkörper 37 des Auskoppelspiegels 31 nach 5 ein Kühlkörper 38 angekoppelt. Dieser beinhaltet eine Mehrzahl von Fluidkanälen 39, von denen in der 5 ein Kanalabschnitt lediglich gestrichelt angedeutet ist. Der Kühlkörper 38 steht über eine Fluid-Zuführleitung 40 und eine Fluid-Abführleitung 41 mit einem Fluidkreislauf 42 für ein Wärmeträgerfluid, beispielsweise für Wasser, in Verbindung. Als Wärmeträgerfluid kann auch eine andere Flüssigkeit oder ein Gas zum Einsatz kommen. Im Fluidkreislauf 42 angeordnet ist weiterhin ein Wärmetauscher 43 und eine Umwälzpumpe 44.About the coupling surface 36 is at the mirror body 37 the Auskoppelspiegel 31 to 5 a heat sink 38 coupled. This includes a plurality of fluid channels 39 of which in the 5 a channel section is indicated only by dashed lines. The heat sink 38 is above a fluid supply line 40 and a fluid discharge line 41 with a fluid circuit 42 for a heat transfer fluid, for example for water in combination. As a heat transfer fluid, another liquid or a gas can be used. In the fluid circuit 42 is still arranged a heat exchanger 43 and a circulation pump 44 ,
Durch die Umwälzung des Wärmeträgerfluides durch den Fluidkreislauf 42 und den Fluss des Wärmeträgerfluides durch die Fluidkanäle 39 wird der Kühlkörper 38 gezielt in Schwingung versetzt. Alternativ oder zusätzlich können Druckschwankungen bzw. Druckwellen im Wärmeträgerfluid eine gezielte Schwingung des Kühlkörpers 38 herbeiführen. Eine Frequenz sowie eine Amplitude der Schwingung des Kühlkörpers 38 kann über eine geometrische Gestaltung der Fluidkanäle 39 und über einen Fluss des Wärmeträgerfluids durch die Fluidkanäle 39 vorgegeben werden. Beim Betrieb des Fluidkreislaufs 42 wird somit über den Kühlkörper 38 der hieran angekoppelte Spiegelkörper 37 und hierdurch die Reflexionsfläche 32 in Schwingung versetzt. Für die Schwingungsfrequenzen gilt, was vorstehend im Zusammenhang mit der Ausführung nach 4 erläutert wurde.By the circulation of the heat transfer fluid through the fluid circuit 42 and the flow of the heat transfer fluid through the fluid channels 39 becomes the heat sink 38 specifically set in vibration. Alternatively or additionally, pressure fluctuations or pressure waves in the heat transfer fluid, a targeted vibration of the heat sink 38 cause. A frequency and an amplitude of the vibration of the heat sink 38 can have a geometric design of the fluid channels 39 and via a flow of the heat transfer fluid through the fluid channels 39 be specified. During operation of the fluid circuit 42 is thus on the heat sink 38 the mirror body coupled thereto 37 and thereby the reflection surface 32 vibrated. For the vibration frequencies, what applies above in connection with the execution according to 4 was explained.
Bei der Ausführung nach 5 ist der gesamte Fluidkreislauf 42 der Schwingungsantrieb für die Reflexionsfläche 32. Der Schwingungsantrieb ist durch einen hydraulischen Antrieb gebildet.In the execution after 5 is the entire fluid circuit 42 the vibration drive for the reflection surface 32 , The vibration drive is formed by a hydraulic drive.
6 zeigt eine weitere Variante des Auskoppelspiegels 31. Komponenten, die denjenigen entsprechend, die vorstehend unter Bezugnahme auf die bereits erläuterten Ausführungen beschrieben wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. 6 shows a further variant of the coupling-out mirror 31 , Components similar to those described above with reference to the previously discussed embodiments bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.
Der Spiegelkörper 37 des Auskoppelspiegels 31 nach 6 ist über ein Gelenk mit Gelenkachse 45 parallel zu y-Richtung gelenkig mit einem festen Rahmenkörper 46 verbunden. Diese Gelenkverbindung erfolgt über eine Kathetenfläche 47 des keilförmigen Spiegelkörpers 37. An der gegenüberliegenden Keilspitze 48 des Spiegelkörpers 37 ist ein Schwingungskörper 49 mechanisch an den Spiegelkörper 37 angekoppelt. Beim Betrieb des Schwingungskörpers 49 oszilliert der gesamte Spiegelkörper 37 um die Gelenkachse 45, wie in der 6 durch einen Doppelpfeil 50 angedeutet. Die Gelenkachse 45 stellt also eine Kippachse für den Spiegelkörper 37 dar. The mirror body 37 the Auskoppelspiegel 31 to 6 is about a joint with joint axis 45 articulated parallel to the y-direction with a fixed frame body 46 connected. This joint connection takes place via a catheter surface 47 of the wedge-shaped mirror body 37 , At the opposite wedge point 48 of the mirror body 37 is a vibrating body 49 mechanically to the mirror body 37 coupled. During operation of the vibration body 49 the entire mirror body oscillates 37 around the hinge axis 45 , like in the 6 by a double arrow 50 indicated. The hinge axis 45 thus represents a tilt axis for the mirror body 37 represents.
7 zeigt eine weitere Ausführung eines Auskoppelelements 51, welches anstelle eines der Auskoppelspiegel 31 der Ausführungen nach den 2 bis 6 zum Einsatz kommen kann. Das Auskoppelelement 51 ist nach Art eines Strahlteilers ausgeführt und teilt den einfallenden EUV-Sammel-Ausgabestrahl 7 auf in einen reflektierten EUV-Einzel-Ausgabestrahl 9 1 und einen transmittierten EUV-Ausgabestrahl, bei dem es sich je nach Ausführung der Auskoppeloptik, zu der der Auskoppel-Strahlteiler 51 gehört, um einen noch weiter aufzuteilenden EUV-Sammel-Ausgabestrahl 7 oder um einen ohne weitere Auskopplung verwendeten weiteren EUV-Einzel-Ausgabestrahl 9 2 handeln kann. 7 shows a further embodiment of a decoupling element 51 , which instead of one of the Auskoppelspiegel 31 according to the explanations 2 to 6 can be used. The decoupling element 51 is designed in the manner of a beam splitter and divides the incident EUV collective output beam 7 into a reflected EUV single output beam 9 1 and a transmitted EUV output beam, which depending on the design of the coupling-out optics, to which the decoupling beam splitter 51 belongs to a still to be distributed EUV collective output beam 7 or a further EUV single output beam used without further extraction 9 2 can act.
Der EUV-Einzel-Ausgabestrahl 9 1 trägt wiederum eine Energie im Bereich zwischen 1 % und 50 % des gesamten EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7.The EUV single output beam 9 1 again carries an energy in the range between 1% and 50% of the total EUV collective output beam 7 ,
Eine Teil-Reflexionsfläche 52 des Strahlteiler-Auskoppelelements 51 ist wiederum als Schwingungsfläche ausgeführt, die mit einem Schwingungsantrieb in Wirkverbindung steht. Grundsätzlich können dabei diejenigen Schwingungsantriebe zum Einsatz kommen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 4 bis 6 bereits im Zusammenhang mit dem Auskoppelspiegel 31 erläutert wurden.A partial reflection surface 52 the beam splitter decoupling element 51 is again designed as a vibration surface, which is in operative connection with a vibration drive. Basically, those vibration drives can be used, the above with reference to the 4 to 6 already in connection with the Auskoppelspiegel 31 were explained.
Der jeweilige Schwingungsantrieb führt wiederum eine oszillierende Deformation innerhalb der Teil-Reflexionsfläche 52, also der Schwingungsfläche, hervor. Bei dieser oszillierenden Deformation kann es sich um eine stehende und/oder um eine laufende Welle innerhalb der Teil-Reflexionsfläche 52 handeln.The respective vibration drive in turn leads to an oscillating deformation within the partial reflection surface 52 , So the vibrational surface, forth. This oscillating deformation may be a standing and / or a running wave within the partial reflection surface 52 act.
Anhand der 8 und 9 werden weitere Ausführungsbeispiele für Schwingungsantriebe der Teil-Reflexionsfläche 52 des Auskoppelelements 51 beschrieben. Komponenten, die denjenigen entsprechend, die vorstehend unter Bezugnahme auf die bereits erläuterten Ausführungen beschrieben wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.Based on 8th and 9 Be further embodiments of vibration drives the partial reflection surface 52 the decoupling element 51 described. Components similar to those described above with reference to the previously discussed embodiments bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.
Beim Schwingungsantrieb nach 8 ist das Auskoppelelement 51 über ein Gelenk mit Gelenkachse 53 wiederum mit einem Rahmenkörper 54 verbunden. Das Gelenk 53 ist dabei im Bereich einer führenden Stirnfläche des Auskoppelelements 51 angeordnet, sodass weder das Gelenk 53 noch der Rahmenkörper 54 eine störende Blockungswirkung für den einfallenden EUV-Sammel-Ausgabestrahl 7 haben.When vibration drive after 8th is the decoupling element 51 via a joint with joint axis 53 again with a frame body 54 connected. The joint 53 is in the range of a leading end face of the decoupling element 51 arranged so that neither the joint 53 still the frame body 54 a disturbing blocking effect for the incident EUV collective output beam 7 to have.
Ein dem Gelenk 53 gegenüberliegender Stirnbereich des Auskoppelelements 51 steht mit einem Schwingungskörper 55 in mechanischer Wirkverbindung. Beim Betrieb des Schwingungskörpers 55 wird das gesamte Auskoppelelement 51, also auch die Teil-Reflexionsfläche 52, oszillierend um die Gelenkachse 53 verkippt, wie durch einen Doppelpfeil 56 in der 8 angedeutet.A the joint 53 opposite end portion of the decoupling element 51 stands with a vibrating body 55 in mechanical operative connection. During operation of the vibration body 55 becomes the entire decoupling element 51 , so also the partial reflection surface 52 , oscillating around the hinge axis 53 tilted, as by a double arrow 56 in the 8th indicated.
9 zeigt eine Variante, bei der das Auskoppelelement 51 zwischen zwei Körpern 57, 58 jeweils stirnseitig eingespannt ist. Mindestens einer der Körper 57, 58 ist dabei ein Schwingungskörper zur Anregung von Schwingungen des Strahlteiler-Auskoppelelements 51, also insbesondere der Teil-Reflexionsfläche 52 von diesem. Derartige Schwingungen sind in der 9 durch Pfeile 59 angedeutet. Durch mindestens einen der Körper 57, 58 können hierbei wiederum stehende oder laufende Wellen in der Teil-Reflexionsfläche 52 angeregt werden. Bei einer Ausführung nach 9 sind beide der Körper 57, 58 Schwingungskörper. Bei einer anderen Ausführung ist der Körper 57 ein Schwingungskörper und der Körper 58 ist ein fester Rahmenkörper. Bei einer dritten Ausführung ist der Körper 57 ein fester Rahmenkörper und der Körper 58 ist ein Schwingungskörper. 9 shows a variant in which the coupling element 51 between two bodies 57 . 58 each clamped on the front side. At least one of the bodies 57 . 58 is a vibrating body for exciting vibrations of the beam splitter decoupling element 51 , ie in particular the partial reflection surface 52 of this. Such vibrations are in the 9 through arrows 59 indicated. Through at least one of the bodies 57 . 58 in this case in turn standing or running waves in the partial reflection surface 52 be stimulated. In one execution after 9 Both are the body 57 . 58 Vibrating body. In another embodiment, the body is 57 a vibrating body and the body 58 is a solid frame body. In a third embodiment, the body is 57 a solid frame body and the body 58 is a vibrating body.
Aufgrund der Schwingung des Schwingungsfläche 32 bzw. 52 ergibt sich zeitlich gemittelt eine Strahlhomogenisierung bei der Beleuchtung des Objektfeldes 11 und damit bei Verwendung eines kohärenten EUV-Sammel-Ausgabestrahls 7 eine Speckle-Reduzierung.Due to the vibration of the vibration surface 32 respectively. 52 results in time averaged beam homogenization in the illumination of the object field 11 and thus when using a coherent EUV collective output beam 7 a speckle reduction.
10 zeigt eine weitere Ausführung einer als Schwingungsfläche ausgeführten optischen Fläche 60, die als Spiegelarray ausgeführt ist. Die Schwingungsfläche 60 kann anstelle der vorstehend bereits erläuterten Schwingungsflächen, beispielsweise anstelle der Schwingungsflächen 32 beziehungsweise 53, zum Einsatz kommen. 10 shows a further embodiment of an executed as a vibrating surface optical surface 60 , which is designed as a mirror array. The vibrational surface 60 may instead of the vibration surfaces already explained above, for example instead of the vibration surfaces 32 respectively 53 , are used.
Die Schwingungsfläche 60 ist als Spiegelarray mit einer Mehrzahl von Einzelspiegeln 61 ausgeführt. Jeder der Einzelspiegel 61 steht mit einem individuellen Aktor 62 in Wirkverbindung, was in der 10 für einen der Einzelspiegel 61 schematisch angedeutet ist. Die Aktoren 62 für die Einzelspiegel 61 stellen gemeinsam den Schwingungsantrieb für die Schwingungsfläche 60 dar. Zum Schwingungsantrieb der Schwingungsfläche 60 können einzelne, über ihre Aktoren 62 schwingend angetriebene Einzelspiegel 61 oder auch Gruppen entsprechend schwingend angetriebener Einzelspiegel 61 genutzt werden. Hierzu können Gruppen von Einzelspiegeln 61 über einen gemeinsamen Schwingungsantrieb angetrieben werden. Die Schwingungsfläche 60 kann also mindestens eine schwingende Teilfläche aufweisen. Auch die gesamte Schwingungsfläche 60 mit allen Einzelspiegeln 61 kann mittels eines gemeinsamen Schwingungsantriebs schwingend angetrieben werden. The vibrational surface 60 is as a mirror array with a plurality of individual mirrors 61 executed. Each of the individual mirrors 61 stands with an individual actor 62 in operative connection, which is in the 10 for one of the individual mirrors 61 is indicated schematically. The actors 62 for the individual mirrors 61 together make the vibration drive for the vibration surface 60 dar. To the vibration drive of the vibrating surface 60 can single, about their actuators 62 swinging single mirrors 61 or groups corresponding to swinging driven individual mirrors 61 be used. For this purpose, groups of individual mirrors 61 be driven by a common vibration drive. The vibrational surface 60 can therefore have at least one oscillating partial surface. Also the entire vibration surface 60 with all individual mirrors 61 can be driven swinging by means of a common vibration drive.
Ausführungen für ein Spiegelarray, insbesondere als MEMS-Array, und entsprechende Spiegelantriebe sind bekannt aus der WO 2013/160 256 A1 , aus der WO 2012/130 768 A2 und aus der WO 2009/100 856 A1 . Designs for a mirror array, in particular as a MEMS array, and corresponding mirror drives are known from the WO 2013/160 256 A1 , from the WO 2012/130 768 A2 and from the WO 2009/100 856 A1 ,
Die vorstehend erläuterten Schwingungsantriebe können auch in Kombination betrieben werden. The above-described vibration drives can also be operated in combination.
Bei der Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 werden zunächst das Retikel 12 und der Wafer 24 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 12 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 24 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 24 und somit das mikro- oder nanostrukturierte Bauteil hergestellt, beispielsweise ein Halbleiterbauelement in Form eines Speicherchips.In the production of a micro- or nanostructured component with the projection exposure apparatus 1 be the reticle first 12 and the wafer 24 provided. Subsequently, a structure on the reticle 12 on a photosensitive layer of the wafer 24 with the help of the projection exposure system 1 projected. By developing the photosensitive layer, a micro or nanostructure is formed on the wafer 24 and thus the micro- or nanostructured component produced, for example, a semiconductor device in the form of a memory chip.
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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US 2011/0014799 A1 [0002] US 2011/0014799 A1 [0002]
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WO 2009/121438 A1 [0002, 0002, 0028] WO 2009/121438 A1 [0002, 0002, 0028]
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US 2009/0174876 A1 [0002] US 2009/0174876 A1 [0002]
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US 6438199 B1 [0002] US 6438199 B1 [0002]
-
US 6658084 B2 [0002] US 6658084 B2 [0002]
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DE 10358225 B3 [0002, 0028] DE 10358225 B3 [0002, 0028]
-
US 6859515 B [0002] US 6859515 B [0002]
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US 2003/0002022 A1 [0002] US 2003/0002022 A1 [0002]
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DE 102009025655 A1 [0002] DE 102009025655 A1 [0002]
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US 6700952 [0002] US 6700952 [0002]
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US 2004/0140440 A [0002] US 2004/0140440 A [0002]
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US 2003/0043359 A1 [0002] US 2003/0043359 A1 [0002]
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US 5896438 [0002] US 5896438 [0002]
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WO 2013/160256 A1 [0013, 0083] WO 2013/160256 A1 [0013, 0083]
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WO 2012/130768 A2 [0013, 0083] WO 2012/130768 A2 [0013, 0083]
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WO 2009/100856 A1 [0013, 0083] WO 2009/100856 A1 [0013, 0083]
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US 2007/0152171 A1 [0028] US 2007/0152171 A1 [0028]
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EP 1072957 A2 [0030] EP 1072957 A2 [0030]
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US 6198793 B1 [0030] US 6198793 B1 [0030]
