DE102015109324A1 - Method and arrangement - Google Patents

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Matthias Sperl
Michael Wittmann
David Racz
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung, wobei ein optoelektronisches Halbleiterbauelement auf einem Träger bereitgestellt wird, wobei eine erste Schicht mit einem Matrixmaterial und Streupartikel auf eine Oberseite des Trägers aufgetragen wird, wobei auf die Anordnung eine Zentrifugalkraft oder eine Schwerkraft derart ausgeübt wird, dass die Streupartikel in der ersten Schicht zumindest teilweise in Richtung des Trägers bewegt werden und eine Erhöhung der Konzentration der Streupartikel in der ersten Schicht in der Nähe des Trägers erreicht wird.The invention relates to a method and an arrangement in which an optoelectronic semiconductor component is provided on a carrier, wherein a first layer with a matrix material and scattering particles is applied to an upper side of the carrier, wherein a centrifugal force or a gravitational force is exerted on the arrangement such that the scattering particles in the first layer are at least partially moved in the direction of the carrier and an increase in the concentration of the scattering particles in the first layer in the vicinity of the carrier is achieved.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und eine Anordnung gemäß Patentanspruch 10. The invention relates to a method according to claim 1 and an arrangement according to claim 10.

Es ist eine Anordnung, aufweisend einen Träger und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, bekannt, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement auf dem Träger angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement ist mit einer Schicht mit Streupartikeln bedeckt. An arrangement comprising a carrier and an optoelectronic semiconductor component is known, wherein the optoelectronic semiconductor component is arranged on the carrier. The semiconductor device is covered with a layer of scattering particles.

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer Anordnung und eine verbesserte Anordnung bereitzustellen.It is an object of the invention to provide an improved method of manufacturing an assembly and an improved assembly.

Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und mit der Anordnung gemäß Patentanspruch 10 gelöst. Ausführungsformen des Verfahren und der Anordnung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.This object is achieved by the method according to claim 1 and with the arrangement according to claim 10. Embodiments of the method and the arrangement are given in the dependent claims.

Ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer Anordnung wird dadurch bereitgestellt, dass ein optoelektronisches Halbleiterbauelement auf einem Träger bereitgestellt wird, eine erste Schicht mit einem Matrixmaterial und Streupartikel auf eine Oberseite des Trägers aufgetragen wird. Auf die Anordnung wird eine Zentrifugalkraft oder eine Schwerkraft derart ausgeübt, dass die Streupartikel in der ersten Schicht zumindest teilweise in Richtung des Trägers bewegt werden und eine Erhöhung der Konzentration der Streupartikel in der ersten Schicht in der Nähe des Trägers erreicht wird.An improved method of fabricating an array is provided by providing an optoelectronic semiconductor device on a substrate, applying a first layer of matrix material, and scattering particles to an upper surface of the substrate. Centrifugal force or gravity is applied to the assembly such that the scattering particles in the first layer are at least partially moved toward the carrier and an increase in the concentration of scattering particles in the first layer near the carrier is achieved.

Dadurch wird ein Lichtverlust bei einer Seitenemission aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement über Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterbauelements im Wesentlichen reduziert oder ganz vermieden, so dass das optoelektronische Halbleiterbauelement besonders gut Licht emittieren kann und somit die Anordnung besonders hell ist sowie eine hohe Farbhomogenität aufweist. Des Weiteren wird ein Einfluss auf eine altersbedingte Degeneration des Trägers auf eine Performance der Anordnung, z. B. eine Verbräunung, reduziert oder vermieden.As a result, a light loss in the event of side emission from the optoelectronic semiconductor component via side surfaces of the optoelectronic semiconductor component is substantially reduced or completely avoided, so that the optoelectronic semiconductor component can emit light particularly well, and thus the arrangement is particularly bright and exhibits high color homogeneity. Furthermore, an influence on an age-related degeneration of the wearer on a performance of the arrangement, for. As a browning, reduced or avoided.

In einer weiteren Ausführungsform wird die Zentrifugalkraft oder die Schwerkraft in der Weise ausgeübt, dass ausgehend von dem Bereich der erhöhten Konzentration die Konzentration der Streupartikel mit zunehmenden Abstand zum Träger abnimmt.In a further embodiment, the centrifugal force or the gravitational force is exerted in such a way that, starting from the region of increased concentration, the concentration of the scattering particles decreases with increasing distance to the carrier.

In einer weiteren Ausführungsform wird mittels der Zentrifugalkraft oder der Schwerkraft ein Konzentrationsgefälle zwischen einem an den Träger angrenzenden ersten Konzentrationsbereich von Streupartikel in der ersten Schicht und einem von dem Träger beabstandet angeordneten zweiten Konzentrationsbereich von Streupartikel in der ersten Schicht erzeugt. Dadurch wird eine zuverlässige Abstrahlung des optoelektronischen Halbleiterbauelements, insbesondere bei einer Ausgestaltung als Volumenemitter, über seine Seitenflächen sichergestellt.In a further embodiment, by means of the centrifugal force or gravity, a concentration gradient is generated between a first concentration range of scattering particles in the first layer adjacent to the carrier and a second concentration range of scattering particles in the first layer spaced from the carrier. As a result, a reliable radiation of the optoelectronic semiconductor component, in particular in an embodiment as a volume emitter, is ensured via its side surfaces.

In einer weiteren Ausführungsform wird die erste Schicht bis zu einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements aufgefüllt, wobei die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements frei gehalten wird. Dadurch wird sichergestellt, dass die Streupartikel nicht die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements bedecken und somit eine Abstrahlung von Licht aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement durch die Streupartikel oberseitig verhindert wird.In a further embodiment, the first layer is filled up to an upper side of the optoelectronic semiconductor component, wherein the upper side of the optoelectronic semiconductor component is kept free. This ensures that the scattering particles do not cover the upper side of the optoelectronic semiconductor component and thus prevents the emission of light from the optoelectronic semiconductor component by the scattering particles on the upper side.

In einer weiteren Ausführungsform wird eine zweite Schicht mit einem zweiten Matrixmaterial auf einer zum Träger abgewandten Seite auf die erste Schicht aufgetragen.In a further embodiment, a second layer with a second matrix material is applied to the first layer on a side facing away from the carrier.

In einer weiteren Ausführungsform wird die zweite Schicht bis zu einer Gehäuseoberseite eines Gehäuses, in dem der Träger angeordnet ist, aufgefüllt. Dadurch kann ein einheitliches Aussehen der Anordnung erzielt werden.In a further embodiment, the second layer is filled up to a housing upper side of a housing in which the carrier is arranged. Thereby, a uniform appearance of the arrangement can be achieved.

In einer weiteren Ausführungsform wird die zweite Schicht zeitlich nach Wirken der Zentrifugalkraft oder der Schwerkraft auf die Anordnung auf die erste Schicht aufgebracht. Dadurch wird vermieden, dass die zweite Schicht beim Anfahren einer Zentrifuge zur Bereitstellung der Zentrifugalkraft aus dem Gehäuseinnenraum austreten kann. Ferner wird verhindert, dass sich die erste Schicht und die zweite Schicht vermengen.In a further embodiment, the second layer is applied to the first layer in time after the action of centrifugal force or gravity on the device. This avoids that the second layer can emerge from the housing interior when starting a centrifuge to provide the centrifugal force. Furthermore, the first layer and the second layer are prevented from mixing.

In einer weiteren Ausführungsform weist die erste Schicht beim Auftragen auf den Träger eine Massenkonzentration von Streupartikel mit einem Wert auf, wobei der Wert in einem Bereich von 10 bis 40 Prozent, insbesondere in einem Bereich von 15 bis 25 Prozent, liegt.In a further embodiment, when applied to the carrier, the first layer has a mass concentration of scattering particles having a value, wherein the value is in a range of 10 to 40 percent, in particular in a range of 15 to 25 percent.

In einer weiteren Ausführungsform wirkt die Zentrifugalkraft oder die Schwerkraft für einen Zeitraum von 5 bis 15 Minuten, vorzugsweise für 10 Minuten, auf die Streupartikel.In another embodiment, the centrifugal force or gravity acts on the scattering particles for a period of 5 to 15 minutes, preferably 10 minutes.

In einer weiteren Ausführungsform weist die erste Schicht eine Dicke auf, die kleiner oder gleich einer Dicke des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist. Dadurch wird eine sichere Abstrahlung von Licht über eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements nach oben hin sichergestellt.In a further embodiment, the first layer has a thickness that is less than or equal to a thickness of the optoelectronic semiconductor component. As a result, reliable emission of light is ensured via an upper side of the optoelectronic semiconductor component towards the top.

In einer weiteren Ausführungsform nimmt die Konzentration der Streupartikel über die erste Schicht in Richtung vom Träger weg um wenigstens 5 Prozent, vorzugsweise um 10 Prozent, insbesondere um 15 Prozent, ab. In a further embodiment, the concentration of the scattering particles decreases over the first layer in the direction away from the carrier by at least 5 percent, preferably by 10 percent, in particular by 15 percent.

In einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauelement wenigstens eine Seitenfläche auf. Die Seitenfläche ist im Wesentlichen senkrecht oder schräg zu der Oberseite des Trägers angeordnet. Die Seitenfläche ist von der ersten Schicht bedeckt.In a further embodiment, the optoelectronic semiconductor component has at least one side surface. The side surface is substantially perpendicular or oblique to the top of the carrier. The side surface is covered by the first layer.

In einer weiteren Ausführungsform sind die Streupartikel aus wenigstens einem der folgenden Materialien ausgebildet:
Aluminiumoxid (Al2O3), Titanoxid (TiO2), Zirkoniumoxid (ZrO2), Printex, Ruß mit einer Korngröße (d50) von 20 nm bis 20 μm.In a further embodiment, the scattering particles are formed from at least one of the following materials:
Aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), Printex, carbon black with a particle size (d 50) of 20 nm to 20 μm.

In einer weiteren Ausführungsform weist die Anordnung eine zweite Schicht auf. Die zweite Schicht weist ein weiteres Matrixmaterial auf. Die zweite Schicht bedeckt auf einer zum Träger abgewandten Seite die erste Schicht. Vorzugsweise weist das Matrixmaterial der ersten Schicht und/oder das weitere Matrixmaterial der zweiten Schicht als Werkstoff Silikon auf. Zusätzlich oder alternativ ist die zweite Schicht im Wesentlichen frei von Streupartikel. Dadurch wird eine Abstrahlung von Licht durch das optoelektronische Halbleiterbauelement nach oben hin nicht behindert.In a further embodiment, the arrangement has a second layer. The second layer has another matrix material. The second layer covers the first layer on a side facing away from the carrier. The matrix material of the first layer and / or the further matrix material of the second layer preferably has silicon as the material. Additionally or alternatively, the second layer is substantially free of scattering particles. As a result, a radiation of light through the optoelectronic semiconductor component is not hindered upwards.

In einer weiteren Ausführungsform ist das optoelektronische Halbleiterbauelement oberseitig durch die zweite Schicht bedeckt.In a further embodiment, the optoelectronic semiconductor component is covered on the upper side by the second layer.

In einer weiteren Ausführungsform ist das optoelektronische Halbleiterbauelement als LED-Chip ausgebildet. Das optoelektronische Halbleiterbauelement ist vorzugsweise als Volumenemitter ausgebildet.In a further embodiment, the optoelectronic semiconductor component is designed as an LED chip. The optoelectronic semiconductor component is preferably designed as a volume emitter.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobeiThe above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments which will be described in connection with the drawings

1 eine Schnittansicht durch eine Anordnung; 1 a sectional view through an arrangement;

2 einen Ausschnitt der in 1 gezeigten Anordnung; 2 a section of in 1 shown arrangement;

3 ein Diagramm des Abstands a aufgetragen über der Massenkonzentration γ; 3 a diagram of the distance a plotted against the mass concentration γ;

4 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung der in den 1 und 2 gezeigten Anordnung; 4 a flow diagram of a method for producing the in the 1 and 2 shown arrangement;

5 eine Schnittansicht der Anordnung nach einem vierten Verfahrensschritt; 5 a sectional view of the arrangement according to a fourth method step;

6 eine Schnittansicht der Anordnung nach einem fünften Verfahrensschritt; 6 a sectional view of the arrangement according to a fifth method step;

7 eine Schnittansicht der Anordnung nach einem sechsten Verfahrensschritt; und 7 a sectional view of the arrangement according to a sixth method step; and

8 eine Schnittansicht durch eine Weiterbildung der in den 1 und 2 gezeigten Anordnung
zeigen. 8th a sectional view through a development of the in the 1 and 2 shown arrangement
demonstrate.

1 zeigt eine Schnittansicht durch eine Anordnung 10. Die Anordnung 10 weist ein Gehäuse 15 auf. Das Gehäuse 15 kann transparent, halbtransparent oder lichtundurchlässig sein. Hierbei eignet sich insbesondere als Werkstoff für das Gehäuse 15 ein Kunststoff. 1 shows a sectional view through an arrangement 10 , The order 10 has a housing 15 on. The housing 15 may be transparent, semi-transparent or opaque. This is particularly suitable as a material for the housing 15 a plastic.

Das Gehäuse 15 weist eine erste Seitenwand 20, eine gegenüberliegend zur ersten Seitenwand 20 angeordnete zweite Seitenwand 25 und einen Gehäuseboden 30 auf. Der Gehäuseboden 30 verbindet die erste Seitenwand 20 mit der zweiten Seitenwand 25. Die Seitenwände 20, 25 erstrecken sich in die die gleiche Richtung weg vom Gehäuseboden 30. Die erste Seitenwand 20 weist eine erste Seitenwandinnenfläche 31 und die zweite Seitenwand eine der ersten Seitenwandinnenfläche 32 auf. Die erste und die zweite Seitenwandinnenfläche 31, 32 sind schräg zu dem Gehäuseboden 30 angeordnet. Dabei verlaufen die Seitenwandinnenflächen 31, 32 derart, dass die Seitenwandinnenflächen 31, 32 mit einem zunehmenden Abstand a vom Gehäuseboden 30 weiter zueinander beabstandet sind. Die Seitenwandinnenflächen 31, 32 begrenzen zusammen mit dem Gehäuseboden 30 einen Gehäuseinnenraum 35. Die Seitenwände 20, 25 weisen oberseitig eine Gehäuseoberseite 33 auf. Die Gehäuseoberseite 33 ist plan ausgebildet und parallel zum Gehäuseboden 30 ausgerichtet. The housing 15 has a first sidewall 20 , one opposite to the first side wall 20 arranged second side wall 25 and a caseback 30 on. The caseback 30 connects the first side wall 20 with the second side wall 25 , The side walls 20 . 25 extend in the same direction away from the case back 30 , The first side wall 20 has a first sidewall inner surface 31 and the second side wall is one of the first side wall inner surface 32 on. The first and second sidewall inner surfaces 31 . 32 are diagonal to the case back 30 arranged. In this case, the side wall inner surfaces run 31 . 32 such that the side wall inner surfaces 31 . 32 with an increasing distance a from the housing bottom 30 are further spaced from each other. The sidewall inner surfaces 31 . 32 limit together with the caseback 30 a housing interior 35 , The side walls 20 . 25 have top side housing top 33 on. The housing top 33 is flat and parallel to the housing bottom 30 aligned.

Die Anordnung 10 umfasst einen Träger 40 mit einem ersten Trägerabschnitt 45 und einem zweiten Trägerabschnitt 50. Der erste Trägerabschnitt 45 ist zu dem zweiten Trägerabschnitt 50 beabstandet angeordnet. Der erste Trägerabschnitt 45 und der zweite Trägerabschnitt 50 sind im Gehäuseboden 30 eingelassen und mit dem Gehäuseboden 30 verbunden. Der Gehäuseboden 30 isoliert elektrisch den ersten Trägerabschnitt 45 von dem zweiten Trägerabschnitt 50. Der Trägerabschnitt 45, 50 kann gestuft ausgebildet sein. The order 10 includes a carrier 40 with a first carrier section 45 and a second carrier section 50 , The first carrier section 45 is to the second support portion 50 spaced apart. The first carrier section 45 and the second carrier section 50 are in the case back 30 let in and with the case back 30 connected. The caseback 30 electrically isolates the first support section 45 from the second support portion 50 , The carrier section 45 . 50 can be graduated.

Die Anordnung 10 umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 55 und eine Schutzdiode 60. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 weist beispielhaft einen rechteckförmigen Querschnitt auf. Dabei weist das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 eine Oberseite 65 und eine Unterseite 70 auf. Die Unterseite 70 ist auf einer dem ersten Trägerabschnitt 45 zugewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 angeordnet. Die Oberseite 65 ist auf einer zum ersten Trägerabschnitt 45 abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 angeordnet. Dabei ist über die Unterseite 70 das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 mechanisch und fakultativ elektrisch mit einer Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 verbunden. The order 10 includes an optoelectronic semiconductor device 55 and a protection diode 60 , The optoelectronic semiconductor component 55 has an example of a rectangular cross-section. In this case, the optoelectronic semiconductor component 55 a top 65 and a bottom 70 on. The bottom 70 is on a first support section 45 facing side of the optoelectronic semiconductor device 55 arranged. The top 65 is on a first carrier section 45 remote side of the optoelectronic semiconductor device 55 arranged. It's over the bottom 70 the optoelectronic semiconductor device 55 mechanically and optionally electrically with a top 75 of the first carrier section 45 connected.

Des Weiteren umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 eine erste Seitenfläche 80 und eine zweite Seitenfläche 85. Die erste Seitenfläche 80 ist gegenüberliegend zur zweiten Seitenfläche 85 seitlich des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 angeordnet. Dabei verbindet die erste Seitenfläche 80 und die zweite Seitenfläche 85 die Unterseite 70 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 mit der Oberseite 75 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55. In der Ausführungsform ist beispielhaft die Seitenfläche 80, 85 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 senkrecht zur Oberseite 65 und zur Unterseite 70 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 angeordnet und zur Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45. Selbstverständlich ist auch denkbar, dass die Seitenfläche 80, 85 schräg zur Oberseite 65 und/oder zur Unterseite 70 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 und/oder zur Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 angeordnet ist.Furthermore, the optoelectronic semiconductor component comprises 55 a first side surface 80 and a second side surface 85 , The first side surface 80 is opposite to the second side surface 85 at the side of the optoelectronic semiconductor component 55 arranged. The first side surface connects 80 and the second side surface 85 the bottom 70 of the optoelectronic semiconductor component 55 with the top 75 of the optoelectronic semiconductor component 55 , In the embodiment, the side surface is exemplified 80 . 85 of the optoelectronic semiconductor component 55 perpendicular to the top 65 and to the bottom 70 of the optoelectronic semiconductor component 55 arranged and to the top 75 of the first carrier section 45 , Of course, it is also conceivable that the side surface 80 . 85 slanted to the top 65 and / or to the bottom 70 of the optoelectronic semiconductor component 55 and / or to the top 75 of the first carrier section 45 is arranged.

Das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 weist an der Oberseite 65 einen ersten elektrischen Anschluss 90 und einen zweiten elektrischen Anschluss 95 auf. Der erste elektrische Anschluss 90 ist beabstandet zu dem zweiten elektrischen Anschluss 95 angeordnet.The optoelectronic semiconductor component 55 points at the top 65 a first electrical connection 90 and a second electrical connection 95 on. The first electrical connection 90 is spaced from the second electrical connection 95 arranged.

Der erste elektrische Anschluss 90 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 ist über eine erste elektrische Verbindung 125 mit dem ersten Trägerabschnitt 45 verbunden. Der zweite elektrische Anschluss 95 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 ist über eine zweite elektrische Verbindung 125 mit dem ersten Trägerabschnitt 45 verbunden. Selbstverständlich kann auch auf eine der beiden elektrischen Verbindungen 120, 125 verzichtet werden. Die elektrische Verbindung 120, 125 kann als Bonddraht ausgebildet sein. Der erste Trägerabschnitt 45 kann beispielsweise mit einem ersten Pol einer Stromquelle und der zweite Trägerabschnitt 50 mit einem zweiten Pol der Stromquelle elektrisch verbunden sein.The first electrical connection 90 of the optoelectronic semiconductor component 55 is via a first electrical connection 125 with the first carrier section 45 connected. The second electrical connection 95 of the optoelectronic semiconductor component 55 is via a second electrical connection 125 with the first carrier section 45 connected. Of course you can also use one of the two electrical connections 120 . 125 be waived. The electrical connection 120 . 125 can be designed as a bonding wire. The first carrier section 45 For example, with a first pole of a power source and the second carrier section 50 be electrically connected to a second pole of the power source.

Das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 ist in der Ausführungsform als LED-Chip, beispielsweise als SiC-LED, Saphir-LED oder Flip-Chip, ausgebildet. Dabei kann das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 als Volumenemitter ausgebildet sein. Hierbei ist von besonderem Vorteil, wenn das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 ausgebildet ist, sichtbares Licht, in einer Ausführungsform blaues Licht, mit zumindest einer Wellenlänge zu emittieren, die in einem Bereich von 420 nm bis 480 nm liegt.The optoelectronic semiconductor component 55 is formed in the embodiment as an LED chip, for example as SiC LED, sapphire LED or flip-chip. In this case, the optoelectronic semiconductor component 55 be designed as a volume emitter. It is particularly advantageous if the optoelectronic semiconductor component 55 is configured to emit visible light, in one embodiment, blue light having at least one wavelength which is in a range of 420 nm to 480 nm.

Die Schutzdiode 60 ist als ESD-Schutzdiode (ESD = electrostatic discharge) ausgebildet. Die Schutzdiode 60 ist mit einer Unterseite 100 elektrisch und mechanisch mit einer Oberseite 105 des zweiten Trägerabschnitts 50 verbunden. Die Schutzdiode 60 kann elektrisch mit dem optoelektrischen Halbleiterbauelement 55 verbunden sein. The protective diode 60 is designed as an ESD protection diode (ESD = electrostatic discharge). The protective diode 60 is with a base 100 electrically and mechanically with a top 105 of the second carrier section 50 connected. The protective diode 60 can be electrically connected to the optoelectric semiconductor device 55 be connected.

In dem Gehäuseinnenraum 35 ist angrenzend an die Trägerabschnitte 45, 50 und dem Gehäuseboden 30 eine erste Schicht 130 vorgesehen. Die erste Schicht 130 erstreckt sich quer zwischen der ersten Gehäusewandinnenfläche 31 und der zweiten Gehäusewandinnenfläche 32. Die erste Schicht 130 bedeckt angrenzend an das optoelektronische Halbleiterbauelement die Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 und angrenzend an die Schutzdiode 60 die Oberseite 105 des zweiten Trägerabschnitts 50. Zusätzlich bedeckt die erste Schicht 130 auch den Gehäuseboden 30 auf einer zum Gehäuseinnenraum 35 zugewandten Seite. In the housing interior 35 is adjacent to the support sections 45 . 50 and the caseback 30 a first layer 130 intended. The first shift 130 extends transversely between the first housing wall inner surface 31 and the second housing wall inner surface 32 , The first shift 130 Covers the top side adjacent to the optoelectronic semiconductor device 75 of the first carrier section 45 and adjacent to the protection diode 60 the top 105 of the second carrier section 50 , In addition, the first layer covers 130 also the case bottom 30 on one to the housing interior 35 facing side.

Die erste Schicht 130 weist beispielhaft eine Dicke d1 auf, die im Wesentlichen einer Dicke d des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 entspricht. Die Dicke d1 der ersten Schicht 130 kann kleiner der Dicke d des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 sein. Die erste Schicht 130 grenzt an die Seitenflächen 80, 85 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 an und bedeckt diese im Wesentlichen vollständig. Die Oberseite 65 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 ist frei. Die Dicke d1 kann beispielsweise einen Wert aufweisen, der in einem Bereich von 100 µm bis 200 µm, insbesondere in einem Bereich von 130 µm bis 150 µm, liegt. The first shift 130 has, for example, a thickness d 1 that is substantially equal to a thickness d of the optoelectronic semiconductor component 55 equivalent. The thickness d 1 of the first layer 130 may be smaller than the thickness d of the optoelectronic semiconductor device 55 be. The first shift 130 adjoins the side surfaces 80 . 85 of the optoelectronic semiconductor component 55 essentially completely covering them. The top 65 of the optoelectronic semiconductor component 55 is free. The thickness d 1 may, for example, have a value which lies in a range of 100 μm to 200 μm, in particular in a range of 130 μm to 150 μm.

Ferner bedeckt die erste Schicht 130 in der Ausführungsform vollständig die Schutzdiode 60, da diese eine geringere Dicke d2 aufweist als die erste Schicht 130 und das optoelektronische Halbleiterbauelement 55.Furthermore, the first layer covers 130 completely in the embodiment, the protection diode 60 because it has a smaller thickness d 2 than the first layer 130 and the optoelectronic semiconductor device 55 ,

Die erste Schicht 130 weist ein erstes Matrixmaterial 135 und Streupartikel 140 auf. Das erste Matrixmaterial 135 kann als Werkstoff Silikon aufweisen. Die Streupartikel 140 sind aus wenigstens einem der folgenden Materialien gebildet:
Aluminiumoxid (Al2O3), Titanoxid (TiO2), Zirkoniumoxid (ZrO2), Printex, Ruß mit einer Korngröße (d50) von 20 nm bis 20 μm.The first shift 130 has a first matrix material 135 and scattering particles 140 on. The first matrix material 135 may have as a material silicone. The scattering particles 140 are made of at least one of the following materials:
Aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), Printex, carbon black with a particle size (d 50) of 20 nm to 20 μm.

Auf der ersten Schicht 130 auf einer zum Träger 40 abgewandten Seite ist auf der ersten Schicht 130 eine zweite Schicht 145 angeordnet. Die zweite Schicht 145 erstreckt sich quer zwischen der ersten Gehäusewandinnenfläche 31 und der zweiten Gehäusewandinnenfläche 32. Die zweite Schicht 145 ist in der Ausführungsform dicker als die erste Schicht 130 ausgebildet. Die zweite Schicht 145 kann auch dünner oder gleich dick verglichen mit der ersten Schicht 130 ausgebildet sein. Dabei erstreckt sich die zweite Schicht 145 im Wesentlichen zwischen der Oberseite 65 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 bis auf Höhe der Gehäuseoberseite 33 der Seitenwand 20, 25 des Gehäuses 15 im Gehäuseinnenraum 35. Eine Oberseite 147 der zweiten Schicht 145 ist dabei in einer Ebene mit der Gehäuseoberseite 33 angeordnet, so dass die Anordnung 10 oberseitig plan ausgebildet ist. Die zweite Schicht 145 weist beispielsweise eine Dicke d3 mit einem Wert auf, wobei der Wert in einem Bereich von 100 µm bis 300 µm, insbesondere in einem Bereich von 180 µm bis 220 µm, liegt.On the first layer 130 on one to the carrier 40 opposite side is on the first layer 130 a second layer 145 arranged. The second layer 145 extends transversely between the first housing wall inner surface 31 and the second housing wall inner surface 32 , The second layer 145 is thicker than the first layer in the embodiment 130 educated. The second layer 145 can also be thinner or even thick compared to the first layer 130 be educated. In this case, the second layer extends 145 essentially between the top 65 of the optoelectronic semiconductor component 55 up to the height of the top of the housing 33 the side wall 20 . 25 of the housing 15 in the housing interior 35 , A top 147 the second layer 145 is in a plane with the top of the housing 33 arranged so that the arrangement 10 Upper side plan is formed. The second layer 145 has, for example, a thickness d 3 with a value, wherein the value is in a range of 100 μm to 300 μm, in particular in a range of 180 μm to 220 μm.

Die zweite Schicht 145 weist ein zweites Matrixmaterial 146 auf. Das zweite Matrixmaterial 146 weist als Werkstoff Silikon auf. Das zweite Matrixmaterial 146 kann dem ersten Matrixmaterial 135 der ersten Schicht 130 entsprechen. Das zweite Matrixmaterial 146 kann auch unterschiedlich zu dem ersten Matrixmaterial 135 sein. Die zweite Schicht 145 ist dabei im Wesentlichen frei von Streupartikel. Die zweite Schicht dient dazu, das über die Oberseite 65 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 emittierte Licht und das aus der ersten Schicht 130 kommende Licht nach oben hin weiterzuleiten und abzustrahlen. Die zweite Schicht 145 bedeckt dabei die Oberseite 65 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55. The second layer 145 has a second matrix material 146 on. The second matrix material 146 has silicone as the material. The second matrix material 146 may be the first matrix material 135 the first layer 130 correspond. The second matrix material 146 may also be different from the first matrix material 135 be. The second layer 145 is essentially free of scattering particles. The second layer serves to over the top 65 of the optoelectronic semiconductor component 55 emitted light and that from the first layer 130 forward light to the top and radiate. The second layer 145 covers the top 65 of the optoelectronic semiconductor component 55 ,

2 zeigt einen Ausschnitt der in 1 gezeigten Anordnung 10. 2 shows a section of the in 1 shown arrangement 10 ,

Die erste Schicht 130 wird mit einer gleichmäßigen Verteilung der Streupartikel 140 in dem ersten Matrixmaterial 135 aufgetragen. Durch das später in den 4 bis 7 beschriebene Verfahren zur Herstellung der Anordnung 10 weisen die Streupartikel 140 in Abhängigkeit des Abstands a über die erste Schicht 130 eine unterschiedliche Massenkonzentration γ auf. Die Massenkonzentration γ ist dabei eine Masse von Streupartikel 140 in einem vordefinierten Volumensegment.The first shift 130 comes with a uniform distribution of the scattering particles 140 in the first matrix material 135 applied. By the later in the 4 to 7 described method of manufacturing the device 10 Show the scattering particles 140 depending on the distance a over the first layer 130 a different mass concentration γ. The mass concentration γ is a mass of scattering particles 140 in a predefined volume segment.

Die erste Schicht 130 weist einen ersten Konzentrationsbereich 150, einen zweiten Konzentrationsbereich 155 und fakultativ einen Übergangsbereich 156 auf. Der erste Konzentrationsbereich 150 ist angrenzend an die Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 angeordnet und schichtartig ausgebildet. Der zweite Konzentrationsbereich 155 ist zu der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 beabstandet angeordnet. Zwischen dem ersten Konzentrationsbereich 150 und dem zweiten Konzentrationsbereich 155 ist ein Übergangsbereich 156 angeordnet. The first shift 130 has a first concentration range 150 , a second concentration range 155 and, optionally, a transition area 156 on. The first concentration area 150 is adjacent to the top 75 of the first carrier section 45 arranged and formed like a layer. The second concentration range 155 is to the top 75 of the first carrier section 45 spaced apart. Between the first concentration range 150 and the second concentration range 155 is a transition area 156 arranged.

3 zeigt ein Diagramm des Abstands a aufgetragen über der Massenkonzentration γ. 3 shows a diagram of the distance a plotted against the mass concentration γ.

Im ersten Konzentrationsbereich 150, der angrenzend an die Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 angeordnet ist, ist die Massenkonzentration γ im Wesentlichen über den Abstand a konstant und größer als ein erster Grenzwert γ1. Selbstverständlich ist auch denkbar, dass die Massenkonzentration γ bereits im ersten Konzentrationsbereich 150 mit zunehmendem Abstand a von der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 abnimmt.In the first concentration range 150 which is adjacent to the top 75 of the first carrier section 45 is arranged, the mass concentration γ is substantially constant over the distance a and greater than a first limit γ 1 . Of course, it is also conceivable that the mass concentration γ already in the first concentration range 150 with increasing distance a from the top 75 of the first carrier section 45 decreases.

Im Übergangsbereich 156 fällt die Massenkonzentration γ vom ersten Grenzwert γ1 mit zunehmendem Abstand a zur Oberseite des ersten Trägerabschnitts 45 zu einem zweiten Grenzwert γ2 hin ab.In the transition area 156 the mass concentration γ falls from the first limit value γ 1 with increasing distance a to the upper side of the first carrier section 45 to a second threshold γ 2 down.

Im zweiten Konzentrationsbereich 155, der angrenzend an die zweite Schicht 145 angeordnet ist, ist die Massenkonzentration γ der Streupartikel 140 im Wesentlichen über den Abstand a konstant und kleiner als der zweite Grenzwert γ2. Der zweite Grenzwert γ2 ist kleiner als der erste Grenzwert γ1. Dabei ist von besonderem Vorteil, wenn der zweite Grenzwert γ2 einen Wert aufweist, der wenigstens um 5 Prozent, vorzugsweise wenigstens 10 Prozent, insbesondere wenigstens 15 Prozent, besonders vorteilhafterweise wenigstens 30 Prozent, insbesondere wenigstens 50 Prozent kleiner ist als der erste Grenzwert γ1 In the second concentration range 155 , which is adjacent to the second layer 145 is arranged, the mass concentration γ of the scattering particles 140 essentially constant over the distance a and smaller than the second limit value γ 2 . The second limit value γ 2 is smaller than the first limit value γ 1 . It is particularly advantageous if the second limit value γ 2 has a value which is at least 5 percent, preferably at least 10 percent, in particular at least 15 percent, particularly advantageously at least 30 percent, in particular at least 50 percent smaller than the first limit value γ 1

Selbstverständlich ist auch denkbar, dass die Massenkonzentration γ im zweiten Konzentrationsbereich 155 mit zunehmendem Abstand a von der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 abnimmt.Of course, it is also conceivable that the mass concentration γ in the second concentration range 155 with increasing distance a from the top 75 of the first carrier section 45 decreases.

4 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung der in den 1 und 2 gezeigten Anordnung 10. 5 zeigt eine Schnittansicht der herzustellenden Anordnung 10 nach einem vierten Verfahrensschritt 215. 6 zeigt eine Schnittansicht der Anordnung 10 nach einem fünften Verfahrensschritt 220. 7 zeigt eine Schnittansicht der Anordnung 10 nach einem sechsten Verfahrensschritt 225. 4 shows a flowchart of a method for producing the in the 1 and 2 shown arrangement 10 , 5 shows a sectional view of the device to be produced 10 after a fourth process step 215 , 6 shows a sectional view of the arrangement 10 after a fifth process step 220 , 7 shows a sectional view of the arrangement 10 after a sixth process step 225 ,

Im ersten Verfahrensschritt 200 wird der erste Trägerabschnitt 45 und der zweite Trägerabschnitt 50 des Trägers 40 in den Gehäuseboden 30 eingebracht. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, indem in einem Spritzgussverfahren der erste Trägerabschnitt 45 und der zweite Trägerabschnitt 50 mit Material zur Herstellung des Gehäuses 15 umspritzt werden.In the first process step 200 becomes the first carrier section 45 and the second carrier section 50 of the carrier 40 in the case back 30 brought in. This can be done, for example, by the first carrier section in an injection molding process 45 and the second carrier section 50 with material for the manufacture of the housing 15 to be overmoulded.

In einem zweiten Verfahrensschritt 205, der auf den ersten Verfahrensschritt 200 folgt, wird das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 auf dem ersten Trägerabschnitt 45 angeordnet und mechanisch mit dem ersten Trägerabschnitt 45 verbunden. Dabei ist zusätzlich denkbar, dass die Unterseite 70 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 auch elektrisch mit der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 verbunden wird.In a second process step 205 who is at the first procedural stage 200 follows, becomes the optoelectronic semiconductor device 55 on the first support section 45 arranged and mechanically with the first support portion 45 connected. It is additionally conceivable that the bottom 70 of the optoelectronic semiconductor component 55 also electrically with the top 75 of the first carrier section 45 is connected.

In einem dritten Verfahrensschritt 210, der auf den zweiten Verfahrensschritt 205 folgt, wird die Schutzdiode 60 auf dem zweiten Trägerabschnitt 50 angeordnet und die Schutzdiode 60 mit ihrer Unterseite 100 elektrisch und mechanisch mit der Oberseite 105 des zweiten Trägerabschnitt 50 verbunden. Selbstverständlich ist auch denkbar, dass die Unterseite 100 der Schutzdiode 60 nur mechanisch mit dem zweiten Trägerabschnitt 50 verbunden wird.In a third process step 210 , the second step 205 follows, becomes the protection diode 60 on the second carrier section 50 arranged and the protection diode 60 with her bottom 100 electrically and mechanically with the top 105 the second carrier section 50 connected. Of course, it is also conceivable that the bottom 100 the protection diode 60 only mechanically with the second support section 50 is connected.

In einem vierten Verfahrensschritt 215 wird der erste elektrische Anschluss 90 des optoelektrischen Halbleiterbauelements 55 mittels der ersten elektrischen Verbindung 120 mit der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 elektrisch verbunden. Der zweite elektrische Anschluss 95 wird mittels der zweiten elektrischen Verbindung 125 mit der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 elektrisch verbunden.In a fourth process step 215 becomes the first electrical connection 90 of the opto-electric semiconductor component 55 by means of the first electrical connection 120 with the top 75 of the first carrier section 45 electrically connected. The second electrical connection 95 is by means of the second electrical connection 125 with the top 75 of the first carrier section 45 electrically connected.

In einem fünften Verfahrensschritt 220, der auf den vierten Verfahrensschritt 215 folgt, wird im Gehäuseinnenraum 35 auf zumindest die Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45, vorteilhafterweise auch auf den Gehäuseboden 30 und die Oberseite 105 des zweiten Trägerabschnitts 50, die erste Schicht 130 aufgebracht. Beim Aufbringen der ersten Schicht 130 weist die erste Schicht 130 eine konstante Massenkonzentration γ von Streupartikel 140 im ersten Matrixmaterial 135 über die gesamte Dicke d1 der ersten Schicht 130 auf. Besonders vorteilhaft ist, wenn die Massenkonzentration γ von Streupartikel 140 einen Wert aufweist, wobei der Wert in einem Bereich von 10 bis 40 Prozent, insbesondere in einem Bereich von 15 bis 25 Prozent, liegt.In a fifth process step 220 , the fourth step 215 follows is in the housing interior 35 on at least the top 75 of the first carrier section 45 , Advantageously, on the housing bottom 30 and the top 105 of the second carrier section 50 , the first layer 130 applied. When applying the first layer 130 has the first layer 130 a constant mass concentration γ of scattering particles 140 in the first matrix material 135 over the entire thickness d 1 of the first layer 130 on. It is particularly advantageous if the mass concentration γ of scattering particles 140 has a value, wherein the value is in a range of 10 to 40 percent, in particular in a range of 15 to 25 percent.

Die erste Schicht 130 wird dabei derart aufgetragen, dass die Oberseite 65 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 frei bleibt. Die Oberseite 110 der Schutzdiode 60 kann dabei durch die erste Schicht 130 bedeckt sein. Auch kann je nach geometrischer Ausgestaltung der Schutzdiode 60, die Oberseite 110 der Schutzdiode 60 ebenso wie die Oberseite 65 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 frei sein und nicht durch die erste Schicht 130 bedeckt sein.The first shift 130 is applied in such a way that the top 65 of the optoelectronic semiconductor component 55 remains free. The top 110 the protection diode 60 can do this through the first layer 130 be covered. Also, depending on the geometric configuration of the protective diode 60 , the top 110 the protection diode 60 as well as the top 65 of the optoelectronic semiconductor component 55 be free and not through the first shift 130 be covered.

In einem sechsten Verfahrensschritt 225, der auf den fünften Verfahrensschritt 220 folgt, wird die Anordnung 10 vor und/oder während des Aushärtens des ersten Matrixmaterials 135 in einer Zentrifuge zentrifugiert, sodass auf die Anordnung 10 und insbesondere auf die erste Schicht 130 eine Zentrifugalkraft FZ wirkt. Die Zentrifugalkraft FZ ist senkrecht zu der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 in Richtung der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 gerichtet. Zusätzlich oder alternativ zu der Zentrifugalkraft FZ wirkt auf die erste Schicht 130 eine Schwerkraft FG. Die Schwerkraft FG ist senkrecht zu der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 in Richtung der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 gerichtet. In a sixth process step 225 , the fifth step 220 follows, the arrangement becomes 10 before and / or during the curing of the first matrix material 135 Centrifuged in a centrifuge, so on the assembly 10 and in particular to the first layer 130 a centrifugal force F Z acts. The centrifugal force F Z is perpendicular to the top 75 of the first carrier section 45 towards the top 75 of the first carrier section 45 directed. Additionally or alternatively to the centrifugal force F Z acts on the first layer 130 a gravity F G. Gravity F G is perpendicular to the top 75 of the first carrier section 45 towards the top 75 of the first carrier section 45 directed.

Die Zentrifugalkraft FZ oder die Schwerkraft FG bewirkt, dass sich zumindest ein Teil der Streupartikel 140 in dem ersten Matrixmaterial 135 in Richtung der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 vor und/oder während des Aushärtens des ersten Matrixmaterials 135 der ersten Schicht 130 bewegen. Je nach Erstreckungsbreite der ersten Schicht 130 in einer Richtung quer zur Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 bewegen sich ferner die Streupartikel 140 auch in Richtung des Gehäusebodens 30 des Gehäuses 15 und in Richtung der Oberseite 105 des zweiten Trägerabschnitts 50. Durch das Bereitstellen der Zentrifugalkraft FZ oder der Schwerkraft FG nimmt die Massenkonzentration der Streupartikel 140 über die erste Schicht 130 in Richtung vom Träger 40 weg ab.The centrifugal force F Z or the gravity F G causes at least part of the scattering particles 140 in the first matrix material 135 towards the top 75 of the first carrier section 45 before and / or during the curing of the first matrix material 135 the first layer 130 move. Depending on the extent of the first layer 130 in a direction across the top 75 of the first carrier section 45 Furthermore, the scattering particles move 140 also in the direction of the case bottom 30 of the housing 15 and towards the top 105 of the second carrier section 50 , By providing the centrifugal force F Z or the gravity F G , the mass concentration of the scattering particles increases 140 over the first layer 130 in the direction of the carrier 40 off.

Durch das parallele Aushärten des ersten Matrixmaterials 135 lagern sich während des Wirkens der Zentrifugalkraft FZ oder der Schwerkraft FG auf die Streupartikel 140 die Streupartikel 140 in dem ersten Konzentrationsbereich 150 angrenzend an die Oberseite 75, 105 und den Gehäuseboden 30 schichtartig an. Da die Streupartikel 140 eine unterschiedliche Größe und/oder eine unterschiedliche Masse aufweisen können, können sich die Streupartikel 140, je nach Ursprungsposition nach dem Auftragen der ersten Schicht 130 in dem ersten Matrixmaterial 135 unterschiedlich weit in Richtung der Oberseite 75, 105 und dem Gehäuseboden 30 bewegen, sodass sich unter Einwirkung der Zentrifugalkraft FZ oder der Schwerkraft FG neben dem ersten Konzentrationsbereich 150 der Übergangsbereich 156 und der zweite Konzentrationsbereich 155 ausbilden, in dem ebenso noch Streupartikel 140 enthalten sind.By the parallel curing of the first matrix material 135 are deposited on the scattering particles during the action of centrifugal force F Z or gravity F G 140 the scattering particles 140 in the first concentration range 150 adjacent to the top 75 . 105 and the case back 30 layered. Because the scattering particles 140 may have a different size and / or a different mass, the scattering particles can 140 , depending on the original position after applying the first coat 130 in the first matrix material 135 different far towards the top 75 . 105 and the caseback 30 move, so that under the action of centrifugal force F Z or gravity F G next to the first concentration range 150 the transition area 156 and the second concentration range 155 train, in which as well as scattering particles 140 are included.

Dabei ist von besonderem Vorteil, wenn die Zentrifugalkraft FZ, die auf den Streupartikel 140 wirkt einem Produkt einer 1- bis 4000-fachen Erdbeschleunigung g und einer Masse des Streupartikels 140 entspricht. Insbesondere ist von Vorteil, wenn hierbei die Zentrifugalkraft FZ oder die Schwerkraft FG 5 bis 15 Minuten, insbesondere 10 Minuten, auf die Anordnung 10 und hierbei insbesondere auf die Streupartikel 140 wirkt.It is particularly advantageous if the centrifugal force F Z on the scattering particles 140 acts on a product of 1 to 4000 times the gravitational acceleration g and a mass of the scattering article 140 equivalent. In particular, it is advantageous if in this case the centrifugal force F Z or the gravity F G 5 to 15 minutes, in particular 10 minutes, on the arrangement 10 and in particular on the scattering particles 140 acts.

In einem siebten Verfahrensschritt 230, der auf den sechsten Verfahrensschritt 225 folgt, wird die zweite Schicht 145 auf der zur Oberseite 75, 105 abgewandten Seite des Trägerabschnitts 45, 50 aufgebracht. Dabei wird die zweite Schicht 145 bis zur Gehäuseoberseite 33 aufgefüllt, sodass die Oberseite 147 der zweiten Schicht 145 und die Gehäuseoberseite 33 in einer gemeinsamen Ebene verlaufen.In a seventh process step 230 , the sixth procedural step 225 follows, becomes the second layer 145 on the to the top 75 . 105 opposite side of the support section 45 . 50 applied. This is the second layer 145 up to the top of the housing 33 filled up, so the top 147 the second layer 145 and the case top 33 in a common plane.

Es wird darauf hingewiesen, dass die oben beschriebenen Verfahrensschritte 200, 205, 210, 215, 220, 225, 230 auch in einer anderen Reihenfolge ausgeführt werden können. Wesentlich dabei ist jedoch, dass der fünfte Verfahrensschritt 220 mit dem Aufbringen der ersten Schicht 130 vor dem Bereitstellen der Zentrifugalkraft FZ oder der Schwerkraft FG im sechsten Verfahrensschritt 225 erfolgt. Auch ist hierbei von Vorteil, wenn der siebte Verfahrensschritt 230 mit dem Aufbringen der zweiten Schicht 145 auf die erste Schicht 130 nach Bereitstellung der Zentrifugalkraft FZ oder der Schwerkraft FG erfolgt, um so eine mögliche Vermengung der ersten Schicht 130 und der zweiten Schicht 135 beim Anfahren der Zentrifuge oder ein Auslaufen der zweiten Schicht 145 aus dem Gehäuseinnenraum 35 zu vermeiden.It should be noted that the method steps described above 200 . 205 . 210 . 215 . 220 . 225 . 230 can also be executed in a different order. However, it is essential that the fifth process step 220 with the application of the first layer 130 prior to providing the centrifugal force F Z or gravity F G in the sixth process step 225 he follows. It is also advantageous if the seventh method step 230 with the application of the second layer 145 on the first layer 130 after providing the centrifugal force F Z or the gravity F G , so as to allow a possible mixing of the first layer 130 and the second layer 135 when starting the centrifuge or leakage of the second layer 145 from the housing interior 35 to avoid.

Durch das Wirken der Zentrifugalkraft FZ oder der Schwerkraft FG auf die Streupartikel 140 wird sichergestellt, dass zum einen die Seitenflächen 80, 85 durch die erste Schicht 130 bedeckt sein können und so eine gute Lichtausleitung aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 55 über den Übergangsbereich 156 und den zweiten Konzentrationsbereich 155 sichergestellt ist. Zum anderen wird durch die Ausbildung des ersten Konzentrationsbereichs 150 angrenzend an die Oberseite 75, 105 und an den Gehäuseboden 30 eine zuverlässige Abstrahlung von Licht aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 55 über die Seitenflächen 80, 85 sichergestellt wird. Ferner wird durch den ersten Konzentrationsbereich 150 sichergestellt, dass das Licht vom Gehäuseboden 30 und von dem Träger 40 nach oben hin aus der Anordnung 10 abgestrahlt werden kann.By the action of centrifugal force F Z or gravity F G on the scattering particles 140 ensures that on the one hand the side surfaces 80 . 85 through the first layer 130 can be covered and so a good Lichtausleitung from the optoelectronic semiconductor device 55 over the transition area 156 and the second concentration range 155 is ensured. On the other hand, through the formation of the first concentration range 150 adjacent to the top 75 . 105 and on the caseback 30 a reliable radiation of light from the optoelectronic semiconductor device 55 over the side surfaces 80 . 85 is ensured. Further, by the first concentration range 150 Ensured that the light from the case bottom 30 and from the carrier 40 upwards out of the arrangement 10 can be radiated.

Insbesondere wenn die Streupartikel 140 Titanoxid (TiO2) aufweisen, weist der erste Konzentrationsbereich 150 eine im Wesentlichen einheitliche farblich weiße Ausgestaltung auf. Dadurch kann das optische Erscheinungsbild der Anordnung 10 verbessert werden, insbesondere bei einer Ausgestaltung des Gehäuses 15 mit einem transparenten und/oder einen halbtransparenten Werkstoff.Especially if the scattering particles 140 Titanium oxide (TiO 2 ), has the first concentration range 150 a substantially uniform color white design. As a result, the visual appearance of the arrangement 10 be improved, especially in an embodiment of the housing 15 with a transparent and / or semitransparent material.

Ferner kann durch die Ausbildung des ersten Konzentrationsbereichs 150 ein Lichtverlust über die Seitenflächen 80, 85 des optpelektronischen Halbleiterbauelements 15 vermieden werden, sodass die Anordnung 10 eine besonders hohe Lichtemission aufweist.Furthermore, by the formation of the first concentration range 150 a loss of light over the side surfaces 80 . 85 the optoelectronic semiconductor device 15 be avoided, so that the arrangement 10 has a particularly high light emission.

Des Weiteren wird durch die Anlagerung der Streupartikel 140 nahe zu der Oberseite 75, 105 des Trägers 40 und dem Gehäuseboden 30 zur Ausbildung des ersten Konzentrationsbereichs 150 eine altersbedingte Degeneration des Trägers 40 vermieden. Ferner sind alterbedingte Verfärbungen des Trägers 25 durch den ersten Konzentrationsbereicht 150 abgedeckt. Furthermore, the addition of the scattering particles 140 near to the top 75 . 105 of the carrier 40 and the caseback 30 for the formation of the first concentration range 150 an age-related degeneration of the carrier 40 avoided. Furthermore, age-related discoloration of the carrier 25 through the first concentration report 150 covered.

Ferner wird eine vordefinerte Farbwiedergabe der Anordnung 10, insbesondere bei der Ausgestaltung des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 als Volumenemitter, sichergestellt. Auch wird sichergestellt, dass die Anordnung 10 eine verbesserte Farbhomogenität (Farbe über Winkel) aufweist.Furthermore, a predefined color reproduction of the arrangement 10 , in particular in the embodiment of the optoelectronic semiconductor component 55 as volume emitter, ensured. It also ensures that the arrangement 10 has improved color homogeneity (color over angle).

8 zeigt eine Schnittansicht durch eine Weiterbildung der in den 1 und 2 gezeigten Anordnung 10, die mittels der in 4 beschriebenen Verfahrens hergestellt wird. Die Anordnung 10 weicht dahingehend zu der in den 1 und 2 gezeigten Anordnung 10 ab, dass das Gehäuse 15 einen Werkstoff aufweist, der lichtundurchlässig und schwarz ausgebildet ist. 8th shows a sectional view through a development of the in the 1 and 2 shown arrangement 10 , which by means of in 4 described method is produced. The order 10 deviates to the effect in the 1 and 2 shown arrangement 10 that off the case 15 a material that is opaque and black.

Ferner weisen die Streupartikel 140 eine schwarze Farbe auf. Dies wird insbesondere dadurch erreicht, dass die Streupartikel 140 aus Ruß als Material ausgebildet sind. Durch das Wirken der Zentrifugalkraft FZ oder der Schwerkraft FG auf die Streupartikel 140 wird eine schichtartige Ausgestaltung des ersten Konzentrationsbereichs 150 an der Oberseite 75, 105 des Trägers 40 gewährleistet. Dadurch wird eine Abstrahlung von Licht über die Seitenflächen 80, 85 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 sichergestellt. Dadurch wird eine Kontrasterhöhung der Anordnung 10 erreicht.Furthermore, the scattering particles 140 a black color on. This is achieved in particular by the fact that the scattering particles 140 made of carbon black as a material. By the action of centrifugal force F Z or gravity F G on the scattering particles 140 becomes a layered configuration of the first concentration range 150 at the top 75 . 105 of the carrier 40 guaranteed. This will cause a radiation of light over the side surfaces 80 . 85 of the optoelectronic semiconductor component 55 ensured. This will increase the contrast of the arrangement 10 reached.

Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.Although the invention has been further illustrated and described in detail by the preferred embodiment, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

1010
Anordnung arrangement
1515
Gehäuse casing
2020
erste Seitenwand first sidewall
2525
zweite Seitenwand second side wall
3030
Gehäuseboden caseback
3131
erste Seitenwandinnenfläche first side wall inner surface
3232
zweite Seitenwandinnenfläche second side wall inner surface
3333
Gehäuseoberseite Housing top
3232
Oberfläche surface
3535
Gehäuseinnenraum Housing interior
4040
Träger carrier
4545
erster Trägerabschnitt first carrier section
5050
zweiter Trägerabschnitt second carrier section
5555
optoelektronisches Halbleiterbauelement optoelectronic semiconductor component
6060
Schutzdiode protection diode
6565
Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements Top of the optoelectronic semiconductor device
7070
Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements Bottom of the optoelectronic semiconductor device
7575
Oberseite des ersten Trägerabschnitts Top of the first carrier section
8080
erste Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements first side surface of the optoelectronic semiconductor device
8585
zweite Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements second side surface of the optoelectronic semiconductor device
9090
erster elektrischer Anschluss first electrical connection
9595
zweiter elektrischer Anschluss second electrical connection
100100
Unterseite der Schutzdiode Bottom of the protection diode
105105
Oberseite des zweiten Trägerabschnitts Top of the second carrier section
110110
Oberseite der Schutzdiode Top of the protection diode
120120
erste elektrische Verbindung first electrical connection
125125
zweite elektrische Verbindung second electrical connection
130130
erste Schicht first shift
135135
erstes Matrixmaterial first matrix material
140140
Streupartikel scattering particles
145145
zweite Schicht second layer
146146
zweites Matrixmaterial second matrix material
147147
Oberseite der zweiten Schicht  Top of the second layer
150150
erster Konzentrationsbereich first concentration range
155155
zweiter Konzentrationsbereich second concentration range
156156
Übergangsbereich Transition area
200200
erster Verfahrensschritt first process step
205205
zweiter Verfahrensschritt second process step
210210
dritter Verfahrensschritt third process step
215215
vierter Verfahrensschritt fourth process step
220220
fünfter Verfahrensschritt fifth process step
225225
sechster Verfahrensschritt sixth process step
230230
siebter Verfahrensschritt seventh process step
235235
achter Verfahrensschritt eighth process step
d1 d 1
Dicke der ersten Schicht Thickness of the first layer
dd
Dicke des optoelektronischen Halbleiterbauelements Thickness of the optoelectronic semiconductor component
d2 d 2
Dicke der Schutzdiode Thickness of the protective diode
aa
Abstand  distance
γγ
Massenkonzentration mass concentration
FZ F Z
Zentrifugalkraft  centrifugal
FG F G
Schwerkraft gravity
gG
Erdbeschleunigung  acceleration of gravity
γ1 γ 1
erster Grenzwert first limit
γ2 γ 2
zweiter Grenzwert second limit

Claims (18)

Verfahren zur Herstellung einer Anordnung (10), – wobei ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (55) auf einem Träger (40) bereitgestellt wird, – wobei eine erste Schicht (130) mit einem Matrixmaterial (135) und Streupartikel (140) auf eine Oberseite (75, 105) des Trägers (40) aufgetragen wird, – wobei auf die Anordnung (10) eine Zentrifugalkraft (FZ) oder eine Schwerkraft (FG) derart ausgeübt wird, dass die Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) zumindest teilweise in Richtung des Trägers (40) bewegt werden und eine Erhöhung der Konzentration der Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) in der Nähe des Trägers (40) erreicht wird.Method for producing an arrangement ( 10 ), - wherein an optoelectronic semiconductor component ( 55 ) on a support ( 40 ), wherein a first layer ( 130 ) with a matrix material ( 135 ) and scattering particles ( 140 ) on a top side ( 75 . 105 ) of the carrier ( 40 ) is applied, - where on the arrangement ( 10 ) a centrifugal force (F Z ) or a gravitational force (F G ) is exerted such that the scattering particles ( 140 ) in the first layer ( 130 ) at least partially in the direction of the carrier ( 40 ) and an increase in the concentration of scattering particles ( 140 ) in the first layer ( 130 ) near the carrier ( 40 ) is achieved. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Zentrifugalkraft oder die Schwerkraft (FG) in der Weise ausgeübt wird, dass ausgehend von dem Bereich der erhöhten Konzentration die Konzentration der Streupartikel mit zunehmenden Abstand (a) zum Träger (40) abnimmt.Method according to Claim 1, in which the centrifugal force or gravity (F G ) is exerted in such a way that, starting from the region of increased concentration, the concentration of the scattering particles increases with increasing distance (a) from the carrier (F). 40 ) decreases. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei mittels der Zentrifugalkraft (FZ) oder die Schwerkraft (FG) ein Konzentrationsgefälle zwischen einem an den Träger (40) angrenzenden ersten Konzentrationsbereich (150) von Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) und einem von dem Träger (40) beabstandet angeordneten zweiten Konzentrationsbereich (155) von Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) erzeugt wird. Method according to claim 1 or 2, wherein by means of the centrifugal force (F Z ) or the gravitational force (F G ) a concentration gradient between one to the carrier (F 40 ) adjacent first concentration range ( 150 ) of scattering particles ( 140 ) in the first layer ( 130 ) and one of the carrier ( 40 ) spaced second concentration range ( 155 ) of scattering particles ( 140 ) in the first layer ( 130 ) is produced. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Schicht (130) bis zu einer Oberseite (65) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (55) aufgefüllt wird, wobei die Oberseite (65) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (55) freigehalten wird.Method according to one of claims 1 to 3, wherein the first layer ( 130 ) up to a top ( 65 ) of the optoelectronic semiconductor component ( 55 ), the top ( 65 ) of the optoelectronic semiconductor component ( 55 ) is kept free. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine zweite Schicht (145) mit einem weiteren Matrixmaterial auf die erste Schicht (130) aufgebracht wird. Method according to one of claims 1 to 4, wherein a second layer ( 145 ) with another matrix material on the first layer ( 130 ) is applied. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die zweite Schicht (145) bis zu einer Gehäuseoberseite (33) eines Gehäuses (15), in dem der Träger (40) angeordnet ist, aufgefüllt wird. Method according to claim 5, wherein the second layer ( 145 ) up to a housing top ( 33 ) of a housing ( 15 ), in which the carrier ( 40 ) is arranged, is filled. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei die zweite Schicht (145) zeitlich nach dem Wirken der Zentrifugalkraft (FZ) oder die Schwerkraft (FG) auf die Anordnung (10) auf die erste Schicht (130) aufgebracht wird. Method according to claim 5 or 6, wherein the second layer ( 145 ) after the centrifugal force (F Z ) or gravity (F G ) has been applied to the assembly ( 10 ) on the first layer ( 130 ) is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, – wobei die erste Schicht (130) beim Auftragen auf den Träger (40) eine Massenkonzentration von Streupartikel (140) mit einem Wert aufweist, – wobei der Wert in einem Bereich von 10 Prozent bis 40 Prozent, insbesondere in einem Bereich von 15 Prozent bis 25 Prozent, liegt. Method according to one of claims 1 to 7, - wherein the first layer ( 130 ) when applied to the carrier ( 40 ) a mass concentration of scattering particles ( 140 ) having a value, the value being in a range of 10 percent to 40 percent, in particular in a range of 15 percent to 25 percent. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Zentrifugalkraft (FZ) oder die Schwerkraft (FG) für einen Zeitraum von 5 bis 15 Minuten, vorzugsweise für 10 Minuten auf die Streupartikel (140) wirkt. Method according to one of claims 1 to 8, wherein the centrifugal force (F Z ) or the gravity (F G ) for a period of 5 to 15 minutes, preferably for 10 minutes on the scattering particles ( 140 ) acts. Anordnung (10) – aufweisend einen Träger (40) und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (55), – wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) auf dem Träger (40) angeordnet ist, – wobei der Träger (40) zumindest teilweise mit einer ersten Schicht (130) bedeckt ist, – wobei die erste Schicht (130) auf dem Träger (40) und seitlich angrenzend an das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) angeordnet ist, – wobei die erste Schicht (130) ein Matrixmaterial (135) und Streupartikel (140) aufweist, – wobei eine Konzentration der Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) in der Nähe des Trägers (40) erhöht ist.Arrangement ( 10 ) - comprising a carrier ( 40 ) and an optoelectronic semiconductor component ( 55 ), - wherein the optoelectronic semiconductor component ( 55 ) on the support ( 40 ), the carrier ( 40 ) at least partially with a first layer ( 130 ), the first layer ( 130 ) on the support ( 40 ) and laterally adjacent to the optoelectronic semiconductor component ( 55 ), the first layer ( 130 ) a matrix material ( 135 ) and scattering particles ( 140 ), - wherein a concentration of the scattering particles ( 140 ) in the first layer ( 130 ) near the carrier ( 40 ) is increased. Anordnung nach Anspruch 10, wobei die erste Schicht (130) eine Abnahme einer Konzentration der Streupartikel (140) mit zunehmenden Abstand (a) von einer Oberseite (75, 105) des Trägers (40) weg aufweist.Arrangement according to claim 10, wherein the first layer ( 130 ) a decrease in a concentration of the scattering particles ( 140 ) with increasing distance (a) from an upper side (a) 75 . 105 ) of the carrier ( 40 ) away. Anordnung (10) nach Anspruch 10 oder 11, wobei die erste Schicht (130) eine Dicke (d1) aufweist, die kleiner oder gleich einer Dicke (d1) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (55) ist.Arrangement ( 10 ) according to claim 10 or 11, wherein the first layer ( 130 ) has a thickness (d 1 ) that is less than or equal to a thickness (d 1 ) of the optoelectronic semiconductor component ( 55 ). Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei die Konzentration der Streupartikel (140) über die erste Schicht (130) in Richtung vom Träger (40) weg um wenigstens 5 Prozent, vorzugsweise 10 Prozent, insbesondere 15 Prozent, abnimmt. Arrangement ( 10 ) according to any one of claims 10 to 12, wherein the concentration of the scattering particles ( 140 ) over the first layer ( 130 ) in the direction of the carrier ( 40 ) decreases by at least 5 percent, preferably 10 percent, especially 15 percent. Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 13, – wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) wenigstens eine Seitenfläche (80, 85) aufweist, – wobei die Seitenfläche (80, 85) im Wesentlichen senkrecht oder schräg zu der Oberseite (75) des Trägers (40) angeordnet ist, – wobei die Seitenfläche (80, 85) von der ersten Schicht (130) bedeckt ist.Arrangement ( 10 ) according to one of claims 10 to 13, - wherein the optoelectronic semiconductor component ( 55 ) at least one side surface ( 80 . 85 ), wherein the side surface ( 80 . 85 ) substantially perpendicular or oblique to the top ( 75 ) of the carrier ( 40 ), the side surface ( 80 . 85 ) from the first layer ( 130 ) is covered. Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, – wobei die Streupartikel (140) aus wenigstens einem der folgenden Materialien gebildet sind: Aluminiumoxid (Al2O3), Titanoxid (TiO2), Zirkoniumoxid (ZrO2), Printex, Ruß mit einer Korngröße (d50) von 20 nm bis 20 μm. Arrangement according to one of claims 10 to 14, - wherein the scattering particles ( 140 ) are formed of at least one of the following materials: alumina (Al 2 O 3 ), titania (TiO 2 ), zirconia (ZrO 2 ), Printex, carbon black having a particle size (d 50) of 20 nm to 20 μm. Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, – aufweisend eine zweite Schicht (145), – wobei die zweite Schicht (145) ein weiteres Matrixmaterial aufweist, – wobei die zweite Schicht (145) auf einer zum Träger (40) abgewandten Seite die erste Schicht (130) bedeckt, – wobei vorzugsweise das Matrixmaterial (135) der ersten Schicht (130) und/oder das weitere Matrixmaterial (146) der zweiten Schicht (145) als Werkstoff Silikon aufweist – und/oder – wobei die zweite Schicht (145) im Wesentlichen frei von Streupartikel (140) ist. Arrangement according to one of claims 10 to 15, - comprising a second layer ( 145 ), The second layer ( 145 ) has a further matrix material, - wherein the second layer ( 145 ) on one to the carrier ( 40 ) facing away from the first layer ( 130 ), wherein preferably the matrix material ( 135 ) of the first layer ( 130 ) and / or the further matrix material ( 146 ) of the second layer ( 145 ) has as material silicone - and / or - wherein the second layer ( 145 ) substantially free of scattering particles ( 140 ). Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 16, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) oberseitig durch die zweite Schicht (145) bedeckt ist. Arrangement ( 10 ) according to one of claims 10 to 16, wherein the optoelectronic semiconductor component ( 55 ) on the upper side through the second layer ( 145 ) is covered. Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 17, – wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) als LED-Chip ausgebildet ist, – wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) vorzugsweise als Volumenemitter ausgebildet ist. Arrangement ( 10 ) according to one of claims 10 to 17, - wherein the optoelectronic semiconductor component ( 55 ) is designed as an LED chip, - wherein the optoelectronic semiconductor component ( 55 ) is preferably designed as a volume emitter.
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