DE10204487A1 - Temperatursensor und Verfahren zum Betreiben eines Temperatursensors - Google Patents
Temperatursensor und Verfahren zum Betreiben eines TemperatursensorsInfo
- Publication number
- DE10204487A1 DE10204487A1 DE10204487A DE10204487A DE10204487A1 DE 10204487 A1 DE10204487 A1 DE 10204487A1 DE 10204487 A DE10204487 A DE 10204487A DE 10204487 A DE10204487 A DE 10204487A DE 10204487 A1 DE10204487 A1 DE 10204487A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- fet transistor
- temperature
- operating
- transistor circuit
- temperature sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor mit einer ersten FET-Transistorschaltung (T1) und einer zweiten FET-Transistorschaltung (T2, T2', T2'') sowie ein Verfahren zum Betreiben eines Temperatursensors. Erfindungsgemäß werden beide FET-Transitorschaltungen (T1; T2, T2', T2'') in einem Arbeitspunkt betrieben, der außerhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts (A) liegt. Die Differenz der Spannungen (U1-U2) an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung wird als Maß für die Temperatur an einer der FET-Transistorschaltungen ausgewertet. Die Erfindung ermöglicht die Bereitstellung eines relativ großen Ausgangssignals des Temperatursensors auch bei nur kleinen Temperaturänderungen.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein Verfahren zum Betreiben eines Temperatursensors.
- Die Druckschrift US-A-5,226,942 beschreibt einen Temperatursensor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, der zwei Feldeffekttransistoren aufweist, von denen der eine im Bereich unterhalb der Abschnürspannung (subthreshold region) und der andere an einem Arbeitspunkt betrieben wird, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen temperaturunabhängig ist. Durch Vergleich der Spannungen an den beiden Feldeffekttransistoren wird ein Signal erzeugt, das von der Temperatur des unterhalb der Abschnürspannung betriebenen Transistors abhängig ist.
- Ein derartiger Temperatursensor ist auch aus der US-A-5,796,290 bekannt. Eine erster Feldeffekttransistor wird in einem Arbeitspunkt betrieben, in dem für einen konstanten Drain-Source Strom die Gate-Spannung im wesentlichen temperaturunabhängig ist. Ein zweiter Feldeffekttransistor wird unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes und damit in einem Bereich betrieben, in dem für einen konstanten Drain-Source Strom die Gate-Spannung temperaturabhängig ist. Die Differenz der Spannungen an dem ersten und dem zweiten Feldeffekttransistor wird als Maß für die Temperatur ausgewertet.
- Ein Nachteil der bekannten Temperatursensoren besteht darin, dass die aufgrund einer Temperaturänderung erzielte Spannungsänderung aufgrund der kleinen Ströme und Spannungen im Bereich unterhalb der Abschnürspannung bzw. dem temperaturunabhängigen Arbeitspunkt klein und daher nur schwer weiterzuverarbeiten ist.
- Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Temperatursensor und eine Verfahren zum Betreiben eines Temperatursensors zur Verfügung zu stellen, die zur Kompensation von Temperaturabhängigkeiten in analogen oder digitalen Schaltungen ein von der Temperatur abhängiges Ausgangssignal bereitstellen. Dabei sollen kleine Temperaturänderungen ein möglichst grosses Ausgangssignal hervorrufen.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Temperatursensor mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und ein Verfahren zum Betreiben eines Temperatursensors mit den Merkmalen des Anspruchs 12 gelöst. Bevorzugte und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Danach zeichnet sich der erfindungsgemäße Temperatursensor aus durch Mittel zum Betreiben der ersten FET- Transistorschaltung in einem Arbeitspunkt, der ober- oder unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts liegt und Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung in einem Arbeitspunkt, der ebenfalls ober- oder unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts liegt. Die Differenz der Spannungen an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung wird als Maß für die Temperatur an einer der FET-Transistorschaltungen ausgewertet.
- Anders als bei den im Stand der Technik bekannten Temperatursensoren werden somit erfindungsgemäß die Arbeitspunkte beider FET-Transistorschaltungen außerhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes des jeweiligen Transistors gelegt. Insbesondere können der Arbeitspunkt einer FET-Transistorschaltung oberhalb und der Arbeitspunkt des anderen FET-Transistorschaltung unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes gelegt werden. Dadurch wird der Temperaturgang vergrössert, da sich die beiden Temperaturgänge der beiden FET-Transistorschaltungen addieren. Es liegt dementsprechend auch bei kleinen Temperaturänderungen ein relativ großes Ausgangssignal des Temperatursensors vor.
- Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, dass die Toleranz der zur Stromeinstellung erforderlichen Schaltung vergrößert wird, da nicht mehr bei einer der FET-Transistorschaltungen genau der temperaturunabhängige Arbeitspunkt gefunden werden muss.
- Es wird darauf hingewiesen, dass jeder Feldeffekttransistor einen Arbeitspunkt aufweist, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen temperaturunabhängig ist (englisch: zero-temperature-coefficient-point). Unterhalb dieses Arbeitspunktes weist der Drain-Source- Strom einen positiven Temperaturkoeffizienten, oberhalb dieses Arbeitspunktes eines negativen Temperaturkoeffizienten auf. Dies ist in der Literatur im einzelnen beschrieben.
- In einer Ausgestaltung der Erfindung liegt der Arbeitspunkt beider FET-Transistorschaltungen oberhalb oder unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes. Auch bei dieser Variante kann eine relativ große Toleranz der Stromeinspeisung vorliegen.
- Die Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung und die Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung weisen bevorzugt einen Stromgenerator auf, der die beiden Transistorschaltungen mit konstanten Strömen speist. Mit Vorteil besteht der Stromgenerator dabei aus zwei gekoppelten Stromquellen, die die FET-Transistorschaltungen speisen. Durch Verwendung eines Stromgenerators, der die beiden FET-Transistorschaltungen mit unterschiedlichen Strömen betreibt, lassen sich die gewünschten Arbeitspunkte der Transistorschaltungen einfach und zuverlässig einstellen. Zur Einstellung der Arbeitspunkte enthält der Stromgenerator dabei beispielsweise einen Stromspiegel, der die Arbeitspunkte der FET-Transistorschaltungen definiert.
- Alternativ weisen die Mittel zum Betreiben der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung jeweils einen Widerstand auf, der mit der jeweiligen FET-Transistorschaltung in Reihe geschaltet ist. In dieser Ausführungsvariante werden die FET- Transistorschaltungen durch die Widerstände gespeist.
- In einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Temperatursensors ist zusätzlich eine Verstärkerschaltung vorgesehen, die die Differenz der Spannungen an der ersten und zweiten FET- Transistorschaltung erfasst und die Differenzspannung in eine Steuerspannung umsetzt, beispielsweise für eine nachgestaltete Verstärkerschaltung. Die Verstärkerschaltung verstärkt die Differenzspannung und paßt sie im Arbeitspunkt an.
- Die FET-Transistorschaltungen weisen bevorzugt jeweils mindestens einen MOS-Transistor auf, der in Diodenschaltung betrieben wird, d. h. das Gate ist mit dem Drain-Anschluß verbunden.
- Um eine variablere Generierung der Differenzspannung zwischen den beiden FET-Transistorschaltungen zu ermöglichen, ist an einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, für die erste und/oder die zweite FET-Transistorschaltung kaskadierte MOS-Transistoren einzusetzen, d. h. es sind FET- Transistoren in Reihe geschaltet. Dabei kann in einfacher Weise durch Variation der Speiseströme sowie der Transistorgrößen die Differenzspannung über einen sehr weiten Spannungsbereich eingestellt werden.
- Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:
- Fig. 1 die Grundkomponenten eines Temperatursensors, wobei das Ausgangssignal des Temperatursensors beispielhaft der Steuerung einer Verstärkerschaltung dient,
- Fig. 2a schematisch die Transistorkennlinie eines MOS- Transistors für zwei Temperaturen;
- Fig. 2b die Schaltung eines MOS-Transistors bei Aufnahme der Tansistorkennlinie gemäß Fig. 2a, und
- Fig. 3 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels eines Temperatursensors;
- Ein Temperatursensor 1 wird gemäß Fig. 1 durch zwei MOS-Transistoren T1 und T2 realisiert, die in Diodenschaltung angeordnet sind, d. h. der Gate-Anschluß und der Drain-Anschluß der Transistoren sind miteinander verbunden. Über einen Stromgenerator 11 mit zwei gekoppelten Stromquellen werden die Transistoren T1 und T2 mit unterschiedlichen Strömen 11 und 12 betrieben. Der Stromgenerator 11 ist dabei mit dem Gate-Anschluß verbunden; der Source-Anschluß der beiden Transistoren ist jeweils geerdet.
- Die Verstärkerschaltung 2 weist zwei Eingänge auf, von denen der eine Eingang mit dem Drain-Anschluß des Transistors T1 und der andere Eingang mit dem Drain-Anschluß des Transistors T2 verbunden ist. Die Steuerschaltung 2 erfaßt damit die Differenzspannung an den beiden Transistoren T1 und T2 und setzt diese Differenzspannung in eine Steuerspannung Ug um.
- Im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 wird die Steuerspannung Ug mehreren Transistoren T6 zugeleitet, die Stromquellen für Differenzverstärkerstufen 3, 3', 3" bilden. Die Verstärkerstufen 3, 3', 3" bestehen jeweils aus MOS-Transistoren T7, T8 und Drain-Widerständen Rd bestehen. Durch die Gatespannung am Transistor T6 wird jeweils der Strom durch ie einzelnen Verstärkerstufen 3, 3', 3" eingestellt. Die Gatespannung kann dabei so eingestellt werden, dass der Strom Iv durch die Verstärkerstufen mit abnehmender Temperatur reduziert wird.
- Der Verwendung der Steuerspannung Ug ist jedoch nicht auf die Steuerung einer nachgestaltete Verstärkerschaltung beschränkt. Grundsätzlich kann die Steuerspannung zur Kompensation von Temperaturabhängigkeiten in beliebigen analogen oder digitalen Schaltungen eingesetzt werden.
- In Abhängigkeit von der Stromdichte ergibt sich eine unterschiedliche Temperaturabhängigkeit der Gatespannung, die zur Temperaturmessung ausgenutzt wird. Fig. 2a zeigt schematisch die Transistorkennlinie eines MOS-Transistors (etwa des Transistors T1 oder des Transistors T2 der Fig. 1) für zwei Temperaturen T1 und T2, wobei T2 kleiner als T1 ist. Die zugehörige Schaltung, bei der die Transistorkennlinie aufgenommen ist, ist in Fig. 2b dargestellt. Der Transistor wird bei Aufnahme der Transistorschaltung in Diodenschaltung betrieben.
- Gemäß Fig. 2a existiert ein Arbeitspunkt A, in dem der Temperaturkoeffizient gleich Null ist, d. h. für einen konstanten Drain-Source-Strom Id ist die Gatespannung Ug temperaturunabhängig (Id = I0 und Ug = U0). Unterhalb dieses Punktes A ist der Temperaturkoeffizient des Drain-Source-Stroms Id positiv, oberhalb des Punktes A negativ.
- Bei der Schaltung gemäß Fig. 1 wird nun der Transistor T2 bei einer Stromstärke 12 betrieben, die unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts A liegt. In diesem Bereich ist der Temperaturkoeffizient von Id positiv, d. h. mit zunehmender Temperatur wird eine geringere Spannung zur Realisierung einer vorgegebenen Stromstärke 12 benötigt. So werden in Fig. 2a zur Realisierung der Stromstärke 12 bei der niedrigeren Temperatur T2 die Spannung U2T2 und bei der höheren Temperatur T1 die niedrigere Spannung U2T1 benötigt.
- Demgegenüber wird der Transistor T1 an einem Arbeitspunkt oberhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes A betrieben. In diesem Bereich ist der Temperaturkoeffizient von Id negativ, d. h. mit zunehmender Temperatur wird eine höhere Spannung zur Realisierung einer vorgegebenen Stromstärke I2 benötigt. So werden in Fig. 2a zur Realisierung der Stromstärke I1 bei der niedrigeren Temperatur T2 die Spannung U1T2 und bei der höheren Temperatur T1 die höhere Spannung U1T1 benötigt.
- Da der Transistor T2 im Arbeitspunkt I2 und der Transistor T1 im Arbeitspunkt I1 betrieben werden, variiert die Spannung in beiden Arbeitspunkten I1 in Abhängigkeit von der Temperatur, und zwar mit Temperaturkoeffizienten unterschiedlichen Vorzeichens. Dies bedeutet, dass sich die beiden Temperaturgänge der Transistoren T1, T2 addieren. Somit führt bereits eine geringe Temperaturänderung (von T2 zu T1) zu einer relativ größen Änderung der Spannungsdifferenz an den beiden Transistoren T1, T2 (von U1T2-U2T2 zu U1T1-U2T1). Die Differenzspannung (U1-U2) nimmt dabei mit zunehmender Temperatur T zu.
- Insbesondere ist erkennbar, dass die Differenzspannung U1Tx-U2Tx größer ist als für den Fall, dass ein Transistor im temperaturunabhängigen Arbeitspunkt A betrieben wird.
- Die Differenzspannung (U1-U2) wird von der Verstärkerschaltung 2 in die Steuerspannung Ug umgesetzt, wobei neben einer Verstärkung auch eine Anpassung des Arbeitspunktes erfolgt. Durch die Steuerspannung Ug wird im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 die Gatespannung der Transistoren T6 entsprechend dem gewünschten Srom Iv eingestellt.
- Bei einer Abnahme der Temperatur sinkt die Spannung U1 am Transistor T1 und steigt die Spannung U2 des Transistors T1 des Temperatursensors 1. Dementsprechend sinkt auch die Differenzspannung (U1-U2). Damit ist auch die Steuerspannung Ug, die die Gatespannung der Transistoren Q1 darstellt, vermindert. Dies führt bei abnehmenden Temperaturen zu einem reduzierten Strom Iv durch die Verstärkerstufen. Somit stellt die dargestellte Schaltung sicher, dass bei kleinen Temperaturen ein nur reduzierter Strom durch die Verstärkerstufen fließt. Dies führt zu einer verminderten Verstärkung, die eine üblicherweise erfolgende Zunahme der Verstärkung bei niedrigen Temperaturen kompensiert.
- Fig. 3 zeigt detailliert ein Ausführungsbeispiel eines Temperatursensors 1'. Eine Stromzufuhr 11' wird durch drei Feldeffekttransistoren T3, T4, T5 bereitgestellt, die einen Stromspiegel darstellen. Der dem Transistor T5 eingeprägte Referenzstrom Iref bestimmt die Gate-Spannung an den Transistoren T3, T4. Die Ströme 11, 12 durch die Transistoren T3, T4 werden durch den Referenzstrom Iref und die Dimensionierung der Transistoren T3, T4, T5 eingestellt.
- Durch die Ströme 11, 12 durch die Transistoren T3, T4 werden die Arbeitspunkte der weiteren Feldeffekttranistoren T1, T2', T2" definiert. Die Feldeffekttranistoren T1, T2', T2" dienen der eigentlichen Temperaturmessung. Im Unterschied zur Fig. 1 ist der Transistor T2 dabei durch zwei in Reihe geschaltete Transistoren T2', T2" ersetzt. Alternativ können auch mehr als zwei Transistoren in Reihe geschaltet werden.
- Die Verstärkerschaltung 2' dient der Weiterverarbeitung der temperaturabhängigen Spannung U1-U2, d. h. der Differenz der Spannungen an den Transistoren T1 zum einen T2', T2" zum anderen. Die Verstärkerschaltung 2' wird durch eine an sich bekannte Substraktionsschaltung für die beiden Eingangsspannungen U2 und U1 ausgebildet. Die Subtraktionsschaltung weist einen invertierenden Operationsverstärker 21 auf, dem die Eingangsspannung U1 über einen Spannungsteiler an den nicht invertierenden Eingang zugeführt wird. Da das Verhältnis der Widerstände R1, R2 am invertierenden und am nicht invertierenden Eingang gleich ist, wird nur die Differenz der Eingangsspannungen (U1-U2) verstärkt und als Steuerspannung Ug ausgegeben.
- Die Eingangsströme in den Verstärker (durch R1) sollen dabei vernachlässigbar sein, damit die Arbeitspunktströme I1, I2 nicht verfälscht werden.
- Durch Variation der Ströme I1 und I2 sowie der Transistorgrößen T1, T2', T2" kann die Differenzspannung (U1-U2) bei der Schaltung gemäß Fig. 3 fast beliebig eingestellt werden. Damit kann diese temperaturabhängige Spannung mittels des Operationsverstärker 21 auf die benötigte Spannung Ug umgesetzt werden.
Claims (14)
1. Temperatursensor mit
einer ersten FET-Transistorschaltung (T1) und
einer zweiten FET-Transistorschaltung (T2, T2', T2"), wobei
jede FET-Transistorschaltung einen Arbeitspunkt (A) aufweist, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom (I0) die Gatespannung (U0) im wesentlichen temperaturunabhängig ist,
gekennzeichnet durch
Mittel (11; T3, T4, T5) zum Betreiben der ersten FET- Transistorschaltung (T1) in einem Arbeitspunkt, der ober- oder unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts (A) liegt und
Mittel (11; T3, T4, T5) zum Betreiben der zweiten FET- Transistorschaltung (T2, T2', T2") in einem Arbeitspunkt, der ober- oder unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts (A) liegt, wobei
die Differenz der Spannungen (U1-U2) an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung als Maß für die Temperatur an einer der FET-Transistorschaltungen ausgewertet wird.
einer ersten FET-Transistorschaltung (T1) und
einer zweiten FET-Transistorschaltung (T2, T2', T2"), wobei
jede FET-Transistorschaltung einen Arbeitspunkt (A) aufweist, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom (I0) die Gatespannung (U0) im wesentlichen temperaturunabhängig ist,
gekennzeichnet durch
Mittel (11; T3, T4, T5) zum Betreiben der ersten FET- Transistorschaltung (T1) in einem Arbeitspunkt, der ober- oder unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts (A) liegt und
Mittel (11; T3, T4, T5) zum Betreiben der zweiten FET- Transistorschaltung (T2, T2', T2") in einem Arbeitspunkt, der ober- oder unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts (A) liegt, wobei
die Differenz der Spannungen (U1-U2) an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung als Maß für die Temperatur an einer der FET-Transistorschaltungen ausgewertet wird.
2. Temperatursensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass der Arbeitspunkt
der einen FET-Transistorschaltung (T1) oberhalb und der
Arbeitspunkt der anderen FET-Transistorschaltung (T2)
unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes (A)
liegt.
3. Temperatursensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass der Arbeitspunkt
(A) beider FET-Transistorschaltungen oberhalb des
temperaturunabhängigen Arbeitspunktes liegt.
4. Temperatursensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass der Arbeitspunkt
beider FET-Transistorschaltungen unterhalb des
temperaturunabhängigen Arbeitspunktes liegt.
5. Temperatursensor nach mindestens einem der vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die
Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung
(T1) und die Mittel zum Betreiben der zweiten FET-
Transistorschaltung (T2, T2', T2") einen Stromgenerator
(11) aufweisen, der die beiden FET-Transistorschaltungen
mit konstanten Strömen (I1, I2) speist.
6. Temperatursensor nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, dass der
Stromgenerator (11) zwei gekoppelte Stromquellen (T3, T4)
aufweist, die die FET-Transistorschaltungen speisen.
7. Temperatursensor nach Anspruch 5 oder 6,
dadurch gekennzeichnet, dass der
Stromgenerator einen Stromspiegel (T3, T4, T5) umfasst,
der die Arbeitspunkte der FET-Transistorschaltungen
definiert.
8. Temperatursensor nach mindestens einem der Ansprüche 1
bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die
Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung
und die Mittel zum Betreiben der zweiten FET-
Transistorschaltung jeweils einen Widerstand aufweisen,
der mit der jeweiligen FET-Transistorschaltung in Reihe
geschaltet ist.
9. Temperatursensor nach mindestens einem der vorangehenden
Ansprüche, gekennzeichnet durch eine
Verstärkerschaltung (2), die die Differenz der Spannungen
(U1-U2) an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung
erfaßt und in eine Steuerspannung (Ug), insbesondere für
eine weitere Verstärkerschaltung (3, 3', 3") umsetzt.
10. Temperatursensor nach mindestens einem der vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die
erste FET-Transistorschaltung und die zweite
FET-Transistorschaltung jeweils einen FET-Transistor (T1; T2, T2',
T2") aufweisen, der in Diodenschaltung betrieben wird.
11. Temperatursensor nach mindestens einem der vorangegenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die
erste FET-Transistorschaltung und/oder die zweite FET-
Transistorschaltung mehrfach in Reihe geschaltete FET-
Transistoren (T2', T2") aufweisen.
12. Verfahren zum Betreiben eines Temperatursensors mit
einer ersten FET-Transistorschaltung (T1),
einer zweiten FET-Transistorschaltung (T2, T2', T2"),
Mitteln (11; T3, T4, T5) zum Betreiben der ersten FET- Transistorschaltung,
Mitteln (11; T3, T4, T5) zum Betreiben der zweiten FET- Transistorschaltung, wobei
die Differenz von Spannungen (U1-U2) an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung als Maß für die Temperatur an einer der FET-Transistorschaltungen ausgewertet wird und
jede FET-Transistorschaltung einen Arbeitspunkt (A) aufweist, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom (I0) die Gatespannung (U0) im wesentlichen temperaturunabhängig ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
beide FET-Transistorschaltungen (T1; T2, T2', T2") in einem Arbeitspunkt betrieben werden, der außerhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes (A) liegt.
einer ersten FET-Transistorschaltung (T1),
einer zweiten FET-Transistorschaltung (T2, T2', T2"),
Mitteln (11; T3, T4, T5) zum Betreiben der ersten FET- Transistorschaltung,
Mitteln (11; T3, T4, T5) zum Betreiben der zweiten FET- Transistorschaltung, wobei
die Differenz von Spannungen (U1-U2) an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung als Maß für die Temperatur an einer der FET-Transistorschaltungen ausgewertet wird und
jede FET-Transistorschaltung einen Arbeitspunkt (A) aufweist, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom (I0) die Gatespannung (U0) im wesentlichen temperaturunabhängig ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
beide FET-Transistorschaltungen (T1; T2, T2', T2") in einem Arbeitspunkt betrieben werden, der außerhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes (A) liegt.
13. Verfahren nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet, dass die eine FET-
Transistorschaltung (T1) oberhalb und die andere
Transistorschaltung (T2) unterhalb des
temperaturunabhängigen Arbeitspunktes betrieben wird.
14. Verfahren nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet, dass beide FET-
Transistorschaltungen oberhalb oder unterhalb des
temperaturunabhängigen Arbeitspunktes betrieben werden.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10204487A DE10204487B4 (de) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | Temperatursensor |
US10/217,912 US6789939B2 (en) | 2002-01-30 | 2002-08-13 | Temperature sensor and method for operating a temperature sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10204487A DE10204487B4 (de) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | Temperatursensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10204487A1 true DE10204487A1 (de) | 2003-08-14 |
DE10204487B4 DE10204487B4 (de) | 2004-03-04 |
Family
ID=27588341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10204487A Expired - Fee Related DE10204487B4 (de) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | Temperatursensor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6789939B2 (de) |
DE (1) | DE10204487B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017205625A1 (de) * | 2017-04-03 | 2018-10-04 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren sowie elektronische Baugruppe zur Bestimmung einer Temperatur zumindest eines elektronischen Schaltelements |
Families Citing this family (192)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10835307B2 (en) | 2001-06-12 | 2020-11-17 | Ethicon Llc | Modular battery powered handheld surgical instrument containing elongated multi-layered shaft |
GB2425419B (en) * | 2002-10-01 | 2007-05-02 | Wolfson Microelectronics Plc | Temperature sensing apparatus and methods |
US7118273B1 (en) | 2003-04-10 | 2006-10-10 | Transmeta Corporation | System for on-chip temperature measurement in integrated circuits |
DE10343565B3 (de) * | 2003-09-19 | 2005-03-10 | Infineon Technologies Ag | Master-Latchschaltung mit Signalpegelverschiebung für ein dynamisches Flip-Flop |
US8182501B2 (en) | 2004-02-27 | 2012-05-22 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasonic surgical shears and method for sealing a blood vessel using same |
US7118274B2 (en) * | 2004-05-20 | 2006-10-10 | International Business Machines Corporation | Method and reference circuit for bias current switching for implementing an integrated temperature sensor |
US20060028257A1 (en) * | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Hong Huang | System and method for over-temperature protection sensing employing MOSFET on-resistance Rds_on |
AU2005295010B2 (en) | 2004-10-08 | 2012-05-31 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasonic surgical instrument |
DE102004062357A1 (de) * | 2004-12-14 | 2006-07-06 | Atmel Germany Gmbh | Versorgungsschaltung zur Erzeugung eines Referenzstroms mit vorgebbarer Temperaturabhängigkeit |
US7541861B1 (en) * | 2005-09-23 | 2009-06-02 | National Semiconductor Corporation | Matching for time multiplexed transistors |
US20070191713A1 (en) | 2005-10-14 | 2007-08-16 | Eichmann Stephen E | Ultrasonic device for cutting and coagulating |
US7405552B2 (en) * | 2006-01-04 | 2008-07-29 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor temperature sensor with high sensitivity |
US7621930B2 (en) | 2006-01-20 | 2009-11-24 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasound medical instrument having a medical ultrasonic blade |
TW200816591A (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-01 | Beyond Innovation Tech Co Ltd | Thermal shutdown circuit and method |
US8142461B2 (en) | 2007-03-22 | 2012-03-27 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instruments |
US8057498B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-11-15 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasonic surgical instrument blades |
US8911460B2 (en) | 2007-03-22 | 2014-12-16 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasonic surgical instruments |
US7798703B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-09-21 | Infineon Technologies Ag | Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device |
US8808319B2 (en) | 2007-07-27 | 2014-08-19 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instruments |
US8523889B2 (en) | 2007-07-27 | 2013-09-03 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasonic end effectors with increased active length |
US9044261B2 (en) | 2007-07-31 | 2015-06-02 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Temperature controlled ultrasonic surgical instruments |
US8430898B2 (en) | 2007-07-31 | 2013-04-30 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasonic surgical instruments |
US8512365B2 (en) | 2007-07-31 | 2013-08-20 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instruments |
US8623027B2 (en) | 2007-10-05 | 2014-01-07 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ergonomic surgical instruments |
US10010339B2 (en) | 2007-11-30 | 2018-07-03 | Ethicon Llc | Ultrasonic surgical blades |
US9089360B2 (en) | 2008-08-06 | 2015-07-28 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Devices and techniques for cutting and coagulating tissue |
US9004754B2 (en) * | 2009-04-22 | 2015-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thermal sensors and methods of operating thereof |
US9700339B2 (en) | 2009-05-20 | 2017-07-11 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Coupling arrangements and methods for attaching tools to ultrasonic surgical instruments |
US8663220B2 (en) | 2009-07-15 | 2014-03-04 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasonic surgical instruments |
US10441345B2 (en) | 2009-10-09 | 2019-10-15 | Ethicon Llc | Surgical generator for ultrasonic and electrosurgical devices |
US10172669B2 (en) | 2009-10-09 | 2019-01-08 | Ethicon Llc | Surgical instrument comprising an energy trigger lockout |
US8906016B2 (en) | 2009-10-09 | 2014-12-09 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instrument for transmitting energy to tissue comprising steam control paths |
US8951248B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-02-10 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical generator for ultrasonic and electrosurgical devices |
US8747404B2 (en) | 2009-10-09 | 2014-06-10 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instrument for transmitting energy to tissue comprising non-conductive grasping portions |
US11090104B2 (en) | 2009-10-09 | 2021-08-17 | Cilag Gmbh International | Surgical generator for ultrasonic and electrosurgical devices |
US8939974B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-01-27 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instrument comprising first and second drive systems actuatable by a common trigger mechanism |
US8574231B2 (en) | 2009-10-09 | 2013-11-05 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instrument for transmitting energy to tissue comprising a movable electrode or insulator |
US8469981B2 (en) | 2010-02-11 | 2013-06-25 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Rotatable cutting implement arrangements for ultrasonic surgical instruments |
US8951272B2 (en) | 2010-02-11 | 2015-02-10 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Seal arrangements for ultrasonically powered surgical instruments |
US8486096B2 (en) | 2010-02-11 | 2013-07-16 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Dual purpose surgical instrument for cutting and coagulating tissue |
US8696665B2 (en) * | 2010-03-26 | 2014-04-15 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical cutting and sealing instrument with reduced firing force |
US8496682B2 (en) | 2010-04-12 | 2013-07-30 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical cutting and sealing instruments with cam-actuated jaws |
US8834518B2 (en) | 2010-04-12 | 2014-09-16 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical cutting and sealing instruments with cam-actuated jaws |
US8623044B2 (en) | 2010-04-12 | 2014-01-07 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Cable actuated end-effector for a surgical instrument |
US8709035B2 (en) | 2010-04-12 | 2014-04-29 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical cutting and sealing instruments with jaws having a parallel closure motion |
US8535311B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-09-17 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument comprising closing and firing systems |
US8685020B2 (en) | 2010-05-17 | 2014-04-01 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instruments and end effectors therefor |
GB2480498A (en) | 2010-05-21 | 2011-11-23 | Ethicon Endo Surgery Inc | Medical device comprising RF circuitry |
US8926607B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-01-06 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument employing multiple positive temperature coefficient electrodes |
WO2011156257A2 (en) | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument employing an electrode |
US8790342B2 (en) | 2010-06-09 | 2014-07-29 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument employing pressure-variation electrodes |
US8795276B2 (en) | 2010-06-09 | 2014-08-05 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument employing a plurality of electrodes |
US8888776B2 (en) | 2010-06-09 | 2014-11-18 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument employing an electrode |
US8764747B2 (en) | 2010-06-10 | 2014-07-01 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument comprising sequentially activated electrodes |
US8753338B2 (en) | 2010-06-10 | 2014-06-17 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument employing a thermal management system |
US9005199B2 (en) | 2010-06-10 | 2015-04-14 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Heat management configurations for controlling heat dissipation from electrosurgical instruments |
US9149324B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-10-06 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instrument comprising an articulatable end effector |
US8834466B2 (en) | 2010-07-08 | 2014-09-16 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instrument comprising an articulatable end effector |
US8453906B2 (en) | 2010-07-14 | 2013-06-04 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instruments with electrodes |
US8613383B2 (en) | 2010-07-14 | 2013-12-24 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instruments with electrodes |
US8795327B2 (en) | 2010-07-22 | 2014-08-05 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical instrument with separate closure and cutting members |
US9011437B2 (en) | 2010-07-23 | 2015-04-21 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical cutting and sealing instrument |
US8702704B2 (en) | 2010-07-23 | 2014-04-22 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical cutting and sealing instrument |
US9192431B2 (en) | 2010-07-23 | 2015-11-24 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical cutting and sealing instrument |
US8979844B2 (en) | 2010-07-23 | 2015-03-17 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical cutting and sealing instrument |
US8979843B2 (en) | 2010-07-23 | 2015-03-17 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Electrosurgical cutting and sealing instrument |
US8979890B2 (en) | 2010-10-01 | 2015-03-17 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instrument with jaw member |
US8628529B2 (en) | 2010-10-26 | 2014-01-14 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instrument with magnetic clamping force |
US8715277B2 (en) | 2010-12-08 | 2014-05-06 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Control of jaw compression in surgical instrument having end effector with opposing jaw members |
DE102010062844A1 (de) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Sb Limotive Company Ltd. | Vorrichtung und Verfahren zur Messung einer extremalen Temperatur |
US9259265B2 (en) | 2011-07-22 | 2016-02-16 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Surgical instruments for tensioning tissue |
US9044243B2 (en) | 2011-08-30 | 2015-06-02 | Ethcon Endo-Surgery, Inc. | Surgical cutting and fastening device with descendible second trigger arrangement |
US9333025B2 (en) | 2011-10-24 | 2016-05-10 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Battery initialization clip |
EP2811932B1 (de) | 2012-02-10 | 2019-06-26 | Ethicon LLC | Robotisch gesteuertes chirurgisches instrument |
US9439668B2 (en) | 2012-04-09 | 2016-09-13 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Switch arrangements for ultrasonic surgical instruments |
US20140005705A1 (en) | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical instruments with articulating shafts |
US20140005640A1 (en) | 2012-06-28 | 2014-01-02 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Surgical end effector jaw and electrode configurations |
US9351754B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-05-31 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Ultrasonic surgical instruments with distally positioned jaw assemblies |
US9226767B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-01-05 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Closed feedback control for electrosurgical device |
US9820768B2 (en) | 2012-06-29 | 2017-11-21 | Ethicon Llc | Ultrasonic surgical instruments with control mechanisms |
US9198714B2 (en) | 2012-06-29 | 2015-12-01 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Haptic feedback devices for surgical robot |
US9326788B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-05-03 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Lockout mechanism for use with robotic electrosurgical device |
US20140005702A1 (en) | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasonic surgical instruments with distally positioned transducers |
US9393037B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-07-19 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Surgical instruments with articulating shafts |
US9408622B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-08-09 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Surgical instruments with articulating shafts |
US9492224B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-11-15 | EthiconEndo-Surgery, LLC | Multi-function bi-polar forceps |
US9095367B2 (en) | 2012-10-22 | 2015-08-04 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Flexible harmonic waveguides/blades for surgical instruments |
US20140135804A1 (en) | 2012-11-15 | 2014-05-15 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Ultrasonic and electrosurgical devices |
US10226273B2 (en) | 2013-03-14 | 2019-03-12 | Ethicon Llc | Mechanical fasteners for use with surgical energy devices |
US9295514B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-03-29 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Surgical devices with close quarter articulation features |
US9814514B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-11-14 | Ethicon Llc | Electrosurgical (RF) medical instruments for cutting and coagulating tissue |
US9861428B2 (en) | 2013-09-16 | 2018-01-09 | Ethicon Llc | Integrated systems for electrosurgical steam or smoke control |
WO2015066629A1 (en) * | 2013-11-03 | 2015-05-07 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Circuits for temperature monitoring |
US9265926B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-02-23 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Electrosurgical devices |
US9526565B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-12-27 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Electrosurgical devices |
GB2521228A (en) | 2013-12-16 | 2015-06-17 | Ethicon Endo Surgery Inc | Medical device |
GB2521229A (en) | 2013-12-16 | 2015-06-17 | Ethicon Endo Surgery Inc | Medical device |
US9795436B2 (en) | 2014-01-07 | 2017-10-24 | Ethicon Llc | Harvesting energy from a surgical generator |
US9408660B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-08-09 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Device trigger dampening mechanism |
US9554854B2 (en) | 2014-03-18 | 2017-01-31 | Ethicon Endo-Surgery, Llc | Detecting short circuits in electrosurgical medical devices |
US10092310B2 (en) | 2014-03-27 | 2018-10-09 | Ethicon Llc | Electrosurgical devices |
US10463421B2 (en) | 2014-03-27 | 2019-11-05 | Ethicon Llc | Two stage trigger, clamp and cut bipolar vessel sealer |
US10524852B1 (en) | 2014-03-28 | 2020-01-07 | Ethicon Llc | Distal sealing end effector with spacers |
US9737355B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-08-22 | Ethicon Llc | Controlling impedance rise in electrosurgical medical devices |
US9913680B2 (en) | 2014-04-15 | 2018-03-13 | Ethicon Llc | Software algorithms for electrosurgical instruments |
US9757186B2 (en) | 2014-04-17 | 2017-09-12 | Ethicon Llc | Device status feedback for bipolar tissue spacer |
US20150346037A1 (en) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | Infineon Technologies Ag | Integrated temperature sensor |
US9700333B2 (en) | 2014-06-30 | 2017-07-11 | Ethicon Llc | Surgical instrument with variable tissue compression |
US10285724B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-05-14 | Ethicon Llc | Actuation mechanisms and load adjustment assemblies for surgical instruments |
US10194976B2 (en) | 2014-08-25 | 2019-02-05 | Ethicon Llc | Lockout disabling mechanism |
US9877776B2 (en) | 2014-08-25 | 2018-01-30 | Ethicon Llc | Simultaneous I-beam and spring driven cam jaw closure mechanism |
US10194972B2 (en) | 2014-08-26 | 2019-02-05 | Ethicon Llc | Managing tissue treatment |
US10639092B2 (en) | 2014-12-08 | 2020-05-05 | Ethicon Llc | Electrode configurations for surgical instruments |
US9848937B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-12-26 | Ethicon Llc | End effector with detectable configurations |
US10111699B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-10-30 | Ethicon Llc | RF tissue sealer, shear grip, trigger lock mechanism and energy activation |
US10159524B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-12-25 | Ethicon Llc | High power battery powered RF amplifier topology |
US10092348B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-10-09 | Ethicon Llc | RF tissue sealer, shear grip, trigger lock mechanism and energy activation |
US10245095B2 (en) | 2015-02-06 | 2019-04-02 | Ethicon Llc | Electrosurgical instrument with rotation and articulation mechanisms |
US10342602B2 (en) | 2015-03-17 | 2019-07-09 | Ethicon Llc | Managing tissue treatment |
US10321950B2 (en) | 2015-03-17 | 2019-06-18 | Ethicon Llc | Managing tissue treatment |
US10595929B2 (en) | 2015-03-24 | 2020-03-24 | Ethicon Llc | Surgical instruments with firing system overload protection mechanisms |
US10163686B2 (en) * | 2015-03-30 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thermal sensor arrangement and method of making the same |
US10314638B2 (en) | 2015-04-07 | 2019-06-11 | Ethicon Llc | Articulating radio frequency (RF) tissue seal with articulating state sensing |
US10117702B2 (en) | 2015-04-10 | 2018-11-06 | Ethicon Llc | Surgical generator systems and related methods |
US10130410B2 (en) | 2015-04-17 | 2018-11-20 | Ethicon Llc | Electrosurgical instrument including a cutting member decouplable from a cutting member trigger |
US9872725B2 (en) | 2015-04-29 | 2018-01-23 | Ethicon Llc | RF tissue sealer with mode selection |
US11020140B2 (en) | 2015-06-17 | 2021-06-01 | Cilag Gmbh International | Ultrasonic surgical blade for use with ultrasonic surgical instruments |
US10357303B2 (en) | 2015-06-30 | 2019-07-23 | Ethicon Llc | Translatable outer tube for sealing using shielded lap chole dissector |
US11129669B2 (en) | 2015-06-30 | 2021-09-28 | Cilag Gmbh International | Surgical system with user adaptable techniques based on tissue type |
US10034704B2 (en) | 2015-06-30 | 2018-07-31 | Ethicon Llc | Surgical instrument with user adaptable algorithms |
US11051873B2 (en) | 2015-06-30 | 2021-07-06 | Cilag Gmbh International | Surgical system with user adaptable techniques employing multiple energy modalities based on tissue parameters |
US11141213B2 (en) | 2015-06-30 | 2021-10-12 | Cilag Gmbh International | Surgical instrument with user adaptable techniques |
US10898256B2 (en) | 2015-06-30 | 2021-01-26 | Ethicon Llc | Surgical system with user adaptable techniques based on tissue impedance |
US10154852B2 (en) | 2015-07-01 | 2018-12-18 | Ethicon Llc | Ultrasonic surgical blade with improved cutting and coagulation features |
US10687884B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-06-23 | Ethicon Llc | Circuits for supplying isolated direct current (DC) voltage to surgical instruments |
US10595930B2 (en) | 2015-10-16 | 2020-03-24 | Ethicon Llc | Electrode wiping surgical device |
US10959771B2 (en) | 2015-10-16 | 2021-03-30 | Ethicon Llc | Suction and irrigation sealing grasper |
US10179022B2 (en) | 2015-12-30 | 2019-01-15 | Ethicon Llc | Jaw position impedance limiter for electrosurgical instrument |
US10959806B2 (en) | 2015-12-30 | 2021-03-30 | Ethicon Llc | Energized medical device with reusable handle |
US10575892B2 (en) | 2015-12-31 | 2020-03-03 | Ethicon Llc | Adapter for electrical surgical instruments |
US11229471B2 (en) | 2016-01-15 | 2022-01-25 | Cilag Gmbh International | Modular battery powered handheld surgical instrument with selective application of energy based on tissue characterization |
US11129670B2 (en) | 2016-01-15 | 2021-09-28 | Cilag Gmbh International | Modular battery powered handheld surgical instrument with selective application of energy based on button displacement, intensity, or local tissue characterization |
US10716615B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-07-21 | Ethicon Llc | Modular battery powered handheld surgical instrument with curved end effectors having asymmetric engagement between jaw and blade |
US10709469B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-07-14 | Ethicon Llc | Modular battery powered handheld surgical instrument with energy conservation techniques |
US10555769B2 (en) | 2016-02-22 | 2020-02-11 | Ethicon Llc | Flexible circuits for electrosurgical instrument |
US10856934B2 (en) | 2016-04-29 | 2020-12-08 | Ethicon Llc | Electrosurgical instrument with electrically conductive gap setting and tissue engaging members |
US10987156B2 (en) | 2016-04-29 | 2021-04-27 | Ethicon Llc | Electrosurgical instrument with electrically conductive gap setting member and electrically insulative tissue engaging members |
US10702329B2 (en) | 2016-04-29 | 2020-07-07 | Ethicon Llc | Jaw structure with distal post for electrosurgical instruments |
US10646269B2 (en) | 2016-04-29 | 2020-05-12 | Ethicon Llc | Non-linear jaw gap for electrosurgical instruments |
US10485607B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-11-26 | Ethicon Llc | Jaw structure with distal closure for electrosurgical instruments |
US10456193B2 (en) | 2016-05-03 | 2019-10-29 | Ethicon Llc | Medical device with a bilateral jaw configuration for nerve stimulation |
US10245064B2 (en) | 2016-07-12 | 2019-04-02 | Ethicon Llc | Ultrasonic surgical instrument with piezoelectric central lumen transducer |
US10893883B2 (en) | 2016-07-13 | 2021-01-19 | Ethicon Llc | Ultrasonic assembly for use with ultrasonic surgical instruments |
US10842522B2 (en) | 2016-07-15 | 2020-11-24 | Ethicon Llc | Ultrasonic surgical instruments having offset blades |
US10376305B2 (en) | 2016-08-05 | 2019-08-13 | Ethicon Llc | Methods and systems for advanced harmonic energy |
US10285723B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-05-14 | Ethicon Llc | Ultrasonic surgical blade with improved heel portion |
USD847990S1 (en) | 2016-08-16 | 2019-05-07 | Ethicon Llc | Surgical instrument |
US10952759B2 (en) | 2016-08-25 | 2021-03-23 | Ethicon Llc | Tissue loading of a surgical instrument |
US10779847B2 (en) | 2016-08-25 | 2020-09-22 | Ethicon Llc | Ultrasonic transducer to waveguide joining |
US10751117B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-08-25 | Ethicon Llc | Electrosurgical instrument with fluid diverter |
US10603064B2 (en) | 2016-11-28 | 2020-03-31 | Ethicon Llc | Ultrasonic transducer |
US11266430B2 (en) | 2016-11-29 | 2022-03-08 | Cilag Gmbh International | End effector control and calibration |
US11033325B2 (en) | 2017-02-16 | 2021-06-15 | Cilag Gmbh International | Electrosurgical instrument with telescoping suction port and debris cleaner |
US10799284B2 (en) | 2017-03-15 | 2020-10-13 | Ethicon Llc | Electrosurgical instrument with textured jaws |
US11497546B2 (en) | 2017-03-31 | 2022-11-15 | Cilag Gmbh International | Area ratios of patterned coatings on RF electrodes to reduce sticking |
US10603117B2 (en) | 2017-06-28 | 2020-03-31 | Ethicon Llc | Articulation state detection mechanisms |
US10820920B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-11-03 | Ethicon Llc | Reusable ultrasonic medical devices and methods of their use |
US11484358B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-11-01 | Cilag Gmbh International | Flexible electrosurgical instrument |
US11490951B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-11-08 | Cilag Gmbh International | Saline contact with electrodes |
US11033323B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-06-15 | Cilag Gmbh International | Systems and methods for managing fluid and suction in electrosurgical systems |
FR3076127B1 (fr) * | 2017-12-22 | 2020-01-03 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Pvt detection circuit |
US11607278B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-03-21 | Cilag Gmbh International | Cooperative robotic surgical systems |
US11723729B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-08-15 | Cilag Gmbh International | Robotic surgical assembly coupling safety mechanisms |
US11612445B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-03-28 | Cilag Gmbh International | Cooperative operation of robotic arms |
US11547468B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-01-10 | Cilag Gmbh International | Robotic surgical system with safety and cooperative sensing control |
US11413102B2 (en) | 2019-06-27 | 2022-08-16 | Cilag Gmbh International | Multi-access port for surgical robotic systems |
US20210196344A1 (en) | 2019-12-30 | 2021-07-01 | Ethicon Llc | Surgical system communication pathways |
US11937866B2 (en) | 2019-12-30 | 2024-03-26 | Cilag Gmbh International | Method for an electrosurgical procedure |
US11812957B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-11-14 | Cilag Gmbh International | Surgical instrument comprising a signal interference resolution system |
US11779387B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-10-10 | Cilag Gmbh International | Clamp arm jaw to minimize tissue sticking and improve tissue control |
US11944366B2 (en) | 2019-12-30 | 2024-04-02 | Cilag Gmbh International | Asymmetric segmented ultrasonic support pad for cooperative engagement with a movable RF electrode |
US11452525B2 (en) | 2019-12-30 | 2022-09-27 | Cilag Gmbh International | Surgical instrument comprising an adjustment system |
US11937863B2 (en) | 2019-12-30 | 2024-03-26 | Cilag Gmbh International | Deflectable electrode with variable compression bias along the length of the deflectable electrode |
US11696776B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-07-11 | Cilag Gmbh International | Articulatable surgical instrument |
US11786291B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-10-17 | Cilag Gmbh International | Deflectable support of RF energy electrode with respect to opposing ultrasonic blade |
US11684412B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-06-27 | Cilag Gmbh International | Surgical instrument with rotatable and articulatable surgical end effector |
US11779329B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-10-10 | Cilag Gmbh International | Surgical instrument comprising a flex circuit including a sensor system |
US11589916B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-02-28 | Cilag Gmbh International | Electrosurgical instruments with electrodes having variable energy densities |
US11911063B2 (en) | 2019-12-30 | 2024-02-27 | Cilag Gmbh International | Techniques for detecting ultrasonic blade to electrode contact and reducing power to ultrasonic blade |
US11744636B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-09-05 | Cilag Gmbh International | Electrosurgical systems with integrated and external power sources |
US11660089B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-05-30 | Cilag Gmbh International | Surgical instrument comprising a sensing system |
US11931026B2 (en) | 2021-06-30 | 2024-03-19 | Cilag Gmbh International | Staple cartridge replacement |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0523799A1 (de) * | 1991-07-19 | 1993-01-20 | Philips Electronics Uk Limited | Schaltung zur Temperaturmessung |
US5796290A (en) * | 1995-10-26 | 1998-08-18 | Nec Corporation | Temperature detection method and circuit using MOSFET |
DE19841202C1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-02 | Siemens Ag | Temperatursensor |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4165642A (en) * | 1978-03-22 | 1979-08-28 | Lipp Robert J | Monolithic CMOS digital temperature measurement circuit |
JPS58221507A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-23 | Toshiba Corp | トランジスタ回路 |
NL8600306A (nl) * | 1986-02-10 | 1987-09-01 | Philips Nv | Schakeling voor het leveren van een stuurspanning aan een stroombronschakeling. |
GB2224846A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-16 | Philips Electronic Associated | Temperature sensing circuit |
US5068595A (en) * | 1990-09-20 | 1991-11-26 | Delco Electronics Corporation | Adjustable temperature dependent current generator |
FR2670776A1 (fr) | 1990-12-21 | 1992-06-26 | Saint Gobain Vitrage Int | Procede et dispositif de bombage de feuilles de verre. |
US5225811A (en) * | 1992-02-04 | 1993-07-06 | Analog Devices, Inc. | Temperature limit circuit with dual hysteresis |
US5394078A (en) * | 1993-10-26 | 1995-02-28 | Analog Devices, Inc. | Two terminal temperature transducer having circuitry which controls the entire operating current to be linearly proportional with temperature |
GB9716838D0 (en) * | 1997-08-08 | 1997-10-15 | Philips Electronics Nv | Temperature sensing circuits |
US5961215A (en) * | 1997-09-26 | 1999-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Temperature sensor integral with microprocessor and methods of using same |
US6157244A (en) * | 1998-10-13 | 2000-12-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Power supply independent temperature sensor |
EP1081477B1 (de) * | 1999-08-31 | 2006-10-18 | STMicroelectronics S.r.l. | Temperaturfühler in Cmos-Technologie |
DE10066032B4 (de) * | 2000-07-28 | 2010-01-28 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer Verstärkerschaltung |
TWI245122B (en) * | 2001-06-29 | 2005-12-11 | Winbond Electronics Corp | Temperature measurement method and device with voltage variation compensation |
JP3721119B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2005-11-30 | 株式会社東芝 | 温度センサ |
-
2002
- 2002-01-30 DE DE10204487A patent/DE10204487B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-13 US US10/217,912 patent/US6789939B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0523799A1 (de) * | 1991-07-19 | 1993-01-20 | Philips Electronics Uk Limited | Schaltung zur Temperaturmessung |
US5796290A (en) * | 1995-10-26 | 1998-08-18 | Nec Corporation | Temperature detection method and circuit using MOSFET |
DE19841202C1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-02 | Siemens Ag | Temperatursensor |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017205625A1 (de) * | 2017-04-03 | 2018-10-04 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren sowie elektronische Baugruppe zur Bestimmung einer Temperatur zumindest eines elektronischen Schaltelements |
US11852543B2 (en) | 2017-04-03 | 2023-12-26 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Method and electronic assembly for determining a temperature of at least one electronic switching element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10204487B4 (de) | 2004-03-04 |
US20030141920A1 (en) | 2003-07-31 |
US6789939B2 (en) | 2004-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10204487B4 (de) | Temperatursensor | |
DE10251308B4 (de) | Integrierte geschaltete Kondensatorschaltung und Verfahren | |
DE19841202C1 (de) | Temperatursensor | |
DE10066032B4 (de) | Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer Verstärkerschaltung | |
DE19937990B4 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung für ein Elektret-Mikrofon | |
DE3832448A1 (de) | Messverstaerker mit programmierbarer verstaerkung | |
DE10143032C2 (de) | Elektronische Schaltung zum Erzeugen einer Ausgangsspannung mit einer definierten Temperaturabhängigkeit | |
DE10057844A1 (de) | Verfahren zum Abgleichen eines BGR-Schaltkreises und BGR-Schaltkreis | |
DE19633971C2 (de) | Stromversorgung zum Betrieb einer integrierten Schaltung | |
DE4137730A1 (de) | In einer halbleiterschaltung integrierte schaltungsanordnung | |
DE10156026A1 (de) | Komparator mit veringerter Empfindlichkeit für Offsetspannungs- und Zeitablauffehler | |
DE10047620B4 (de) | Schaltung zum Erzeugen einer Referenzspannung auf einem Halbleiterchip | |
DE102004004305A1 (de) | Bandabstands-Referenzstromquelle | |
DE3329665C2 (de) | ||
DE10038693C2 (de) | Temperatursensor | |
EP0961403B1 (de) | Integrierte, temperaturkompensierte Verstärkerschaltung | |
DE2751886A1 (de) | Monolithisch integrierte, rueckgekoppelte verstaerkerschaltung | |
EP0435048B1 (de) | Breitbandverstärkerstufe mit steuerbarer Verstärkung | |
DE3603799A1 (de) | Stromspiegelschaltung | |
DE102021106859A1 (de) | Komparator mit konfigurierbaren betriebsmodi | |
DE102014101911B4 (de) | Begrenzender Verstärker | |
DE102020109297A1 (de) | Korrektur des nichtlinearen verstärker-offsetdrift | |
EP3721550A1 (de) | Feldeffekttransistoranordnung sowie verfahren zum einstellen eines drain-stroms eines feldeffekttransistors | |
EP1132795B1 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer Gleichspannung | |
DE10223562A1 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung mit einer kaskodierten Stromquelle und einer Einstellschaltung zur Einstellung des Arbeitspunkts der kaskodierten Stromquelle |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |