DE10212640A1 - Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren - Google Patents
Logische Bauteile aus organischen FeldeffekttransistorenInfo
- Publication number
- DE10212640A1 DE10212640A1 DE10212640A DE10212640A DE10212640A1 DE 10212640 A1 DE10212640 A1 DE 10212640A1 DE 10212640 A DE10212640 A DE 10212640A DE 10212640 A DE10212640 A DE 10212640A DE 10212640 A1 DE10212640 A1 DE 10212640A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ofet
- voltage
- logic gate
- inverter
- ofets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
Abstract
Mit Hilfe der Erfindung lassen sich erstmals schnelle logische Gatter, die auf organischen Feldeffekt-Transistoren aufbauen, trotz konventioneller p-Mos-Technik herstellen. Dies ist zum einen auf den Frühsättigungseffekt von OFETs mit sehr dünnen Halbleiterschichten zurückzuführen, zum anderen auf OFETs mit speziellen Eigenschaften für organische Logikbauelemente und in einem neuen schaltungstechnischen Layout dieser Logikbauelemente.
Description
- Die Erfindung betrifft logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren, bei denen die Schaltgeschwindigkeit durch Ersatz der Widerstände erhöht wird.
- Logische Gatter wie beispielsweise NAND, NOR oder Inverter sind die elementaren Bestandteile einer integrierten digitalen elektronischen Schaltung. Die Schaltgeschwindigkeit der integrierten Schaltung hängt dabei von der Geschwindigkeit der logischen Gatter und nicht von der Geschwindigkeit der einzelnen Transistoren ab. In der herkömmlichen Silizium- Halbleitertechnologie werden diese Gatter durch Verwendung von sowohl n- als auch p-leitenden Transistoren realisiert und sind dadurch sehr schnell. Bei organischen Schaltungen ist das nicht realisierbar, weil es keine ausreichend stabilen n-Halbleiter gibt. Für organische Schaltungen bedeutet das, dass ein herkömmlicher Widerstand anstelle des n-leitenden Transistors eingesetzt wird.
- Nachteilig an diesen logischen Gattern mit organischen Feldeffekt Transistoren ist, dass sie entweder langsam umschalten (wenn die Umladeströme, also die Integrale unter der Strom- Spannungskurve sehr verschieden sind) oder sich nicht ausschalten lassen (wenn der Spannungshub im Strom-Spannungs- Diagramm) zu gering ist.
- Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein logisches Gatter mit organischen Feldeffekt-Transistoren zu schaffen, bei dem die fehlenden "klassischen" n-leitenden Transistoren durch anderes als klassische Widerstände ersetzt sind.
- Gegenstand der Erfindung ist ein logisches Gatter, zumindest einen ersten und einen zweiten organischen Feldeffekt-Transistor (OFET) umfassend, wobei der erste OFET ein p-leitender OFET ist und der zweite OFET im logischen Gatter als Widerstand eingesetzt werden kann.
- Nach einer Ausführungsform hat der erste OFET eine extrem dünne Halbleiterschicht oder eine negative Schwellspannung hat.
- Nach einer anderen Ausführungsform umfasst das logische Gatter einen ersten und einen zweiten OFET mit einer extrem dünnen Halbleiterschicht oder einer negative Schwellspannung.
- Nach einer weiteren Ausführungsform hat im logischen Gatter der zweite OFET ohne Gate-Spannung Off-Ströme, die nur um etwa eine Größenordnung unter den On-Strömen liegen, so dass sich der zweite OFET durch Anlegen einer positiven Gate- Spannung weiter ausschalten lässt.
- Nach einer Ausführungsform umfasst das logische Gatter mindestens 4 OFETs (vgl. Fig. 6).
- Nach einer Ausführungsform hat das logische Gatter 2 Datenleitungen (Eingang und Ausgang), wobei dieses Datenleitungen auf unterschiedlichen Potentialen liegen.
- Als "OFET, der im Gatter als Widerstand eingesetzt werden kann", wird hier entweder ein OFET bezeichnet, der eine extrem dünne organische Halbleiterschicht (ca. 5 bis 30 nm) hat oder ein OFET, bei dem die Leitfähigkeit der organischen Halbleiterschicht durch gezielte Behandlung (beispielsweise Hydrazin-Behandlung und/oder gezielte Oxidation) soweit erniedrigt wurde, dass die Off-Ströme nur um etwa eine Größenordnung unter den On-Strömen liegen.
- Der "OFF Strom" ist der Strom, der fließt, wenn an der Gate- Elektrode kein Potential gegen die Source Elektrode anliegt und der "ON Strom" (für p OFETS) der Strom, der fließt, wenn ein negatives Potential gegen die Source Elektrode anliegt.
- Als "klassischer Widerstand" wird hier ein Bauelement mit einer linearen Strom-Spannungs-Kennlinie bezeichnet.
- Im folgenden wird die Erfindung anhand von Figuren näher erläutert:
Beim Einsatz des klassischen Widerstands (vgl. Fig. 1 und 2, Stand der Technik) schalten die logischen Gatter entweder zu langsam um (Fig. 1) oder lassen sich nicht ausschalten (Fig. 2). - In Fig. 1 sind in einem Strom-Spannungs-Diagramm die Ein- Kennlinie 1 und die Aus-Kennlinie 2 eingezeichnet. Diese Kennlinien entsprechen dem eingeschalteten und dem ausgeschaltetem Zustand. Die Schnittpunkte 3 und 4 der Kurven mit der Widerstandslinie 5 entsprechen den Schaltpunkten des Inverters. Der Ausgangs-Spannungshub 6 des Inverters ist sehr groß, was bedeutet, dass sich der Inverter gut ein- und ausschalten lässt. Allerdings sind die Umladeströme 7 und 8 (die schraffierten Flächen unter den Kurven entsprechen den Umladeströmen) unterschiedlich. Das bedeutet, dass sich der Inverter schnell auf High" schalten lässt, aber langsam auf "Low".
- Die Fig. 2 zeigt auch den Stand der Technik, den zweiten Fall, bei dem die Umladeströme 9 und 10 zwar in der Größenordnung gleich groß sind aber der Spannungshub 11 zu gering ist. So lässt sich der entsprechende Inverter nicht ganz ausschalten.
- Fig. 3 schließlich zeigt eine Strom-Spannungskurve eines logischen Gatters nach der Erfindung:
Das Strom-Spannungsdiagramm eines logischen Gatters wie in Fig. 3 gezeigt, umfasst zumindest einen OFET mit einer extrem dünnen Halbleiterschicht als Ersatz für einen klassischen Widerstand. - Durch einen beobachteten, aber noch nicht vollständig erklärbaren Effekt (sehr verfrühte Sättigung aufgrund einer sehr dünnen HL-Schicht oder einer negativen Schwellspannung) haben OFETs mit extrem dünnen Halbleiterschichten von 5 bis 30 nm, bevorzugt von 7 bis 25 nm und insbesondere bevorzugt von 10 bis 20 nm ein spezielles Ausgangskennlinienfeld, das in Fig. 3 schematisch gezeigt ist.
- Der Spannungshub 12 ist groß genug, damit der Inverter auch ganz ausgeschaltet werden kann und die Umladeströme 13 und 14 sind gleich groß, wodurch der Inverter schnell umschalten kann. Ein weiterer Vorteil ist der Betrag des Umladestroms, der bei dieser Art Transistor sehr hoch ist. Durch die dünnen Halbleiterschichten gehen die Transistoren von der Anstiegsflanke 15 sehr steil in den Sättigungsbereich 16 über. Durch dieses Verhalten der Ausgangskennlinie lassen sich in konventioneller p-Mos-Technik logische Schaltungen aufbauen, die große Aufladespannungen haben. Dadurch wird die Schaltgeschwindigkeit der Bauteile hoch. Inhalt der Erfindung ist es, diesen Effekt für die Herstellung von schnellen logischen Gattern zu verwenden. Diese Gatter sind schnell und lassen sich gleichzeitig gut ausschalten, trotz konventioneller p- Mos-Technik.
- Der Ersatz des klassischen Widerstands kann alternativ auch durch eine spezielle Behandlung der Halbleiterschicht eines OFETs und ein spezielles Schaltungslayout für die Logikbauelemente vollzogen werden.
- Typische OFETs haben ohne Gate-Spannung sehr niedrige Off- Ströme. Durch eine gezielte Behandlung des organischen Halbleiters kann erreicht werden, dass die Off-Ströme nur um etwa eine Größenordnung unter den On-Strömen liegen (z. B. durch Hydrazin-Behandlung oder durch gezielte Oxidation). Diesespeziellen OFETs lassen sich dann durch Anlegen einer positiven Gate-Spannung weiter ausschalten. Damit hat man einen OFET, der durch eine negative Gate-Spannung ein- und durch eine positive Gate-Spannung ausgeschaltet werden kann (wie ein n-leitender Transistor). Dieser Effekt wird auch (neben dem oben erwähnten Effekt der extrem dünnen Halbleiterschichten) erfindungsgemäß genutzt, um schnelle logische Bauelemente herzustellen. Basiselement dieser logischen Bauelemente ist eine Reihenschaltung aus zumindest zwei OFETs mit unterschiedlichen Abmessungen des Stromkanals und zwar in der Weise, dass ohne Gate-Spannung der Stromkanal eines OFETs deutlich leitfähiger ist als der des anderen. Das hat zur Folge, dass die Versorgungsspannung über den beiden Stromkanälen nur an dem schlechter leitenden Stromkanal abfällt.
- Der Umschaltevorgang geschieht durch Anlegen einer negativen Gate-Spannung an den OFET mit dem schlechter leitfähigen Stromkanal und gleichzeitigem Anlegen einer positiven Gate- Spannung an den OFET mit dem besser leitfähigen Stromkanal.
- Fig. 5 zeigt das Strom-Spannungs-Diagramm eines solchen logischen Gatters. Durch das spezielle Schaltungs-Layout oder durch das spezielle Schaltungs-Layout in Kombination mit einer Behandlung der Halbleiterschicht werden beide Kennlinien verschoben, was einen hohen Spannungshub und gleichzeitig hohe Umladeströme zur Folge hat. Ein Inverter besteht aus zwei dieser Basiselemente, also aus zumindest vier Transistoren. Beim Umschaltvorgang des Inverters werden jeweils zwei Transistoren ein- und gleichzeitig die beiden anderen ausgeschaltet.
- Im Folgenden wird die Erfindung anhand einiger Ausführungsbeispiele erläutert:
Zunächst zwei Ausführungsbeispiele zu dem Strom-Spannungs- Diagramm aus Fig. 5:
In Fig. 6 wird die Schaltung eines Inverters und in der Fig. 7 die Schaltung eines Ringoszillators gezeigt. Um logikfähige Bauteile zu erhalten, benötigt man 2 mal 2 Transistoren, denn es wird eine positive Spannung benötigt, um einen Transistor auszuschalten und gleichzeitig eine negative Spannung um den anderen einzuschalten. Um diese unterschiedlichen Spannungen zu erhalten werden nun 2 der oben genannten Basiselemente zusammengeschlossen, wobei eines eine positive Spannung am Ausgang bereit stellt und das andere eine negative. Ein Inverter mit dieser neuen Schaltungstechnik hat somit 2 Ein- und Ausgänge, wobei an diesen Ausgängen jeweils 0 V oder +/-V anliegen. - Fig. 6 zeigt die Ausführungsform Inverter: Die Verschaltung ist hierbei ein wichtiger Punkt. An dem Punkt 1. liegt die Versorgungsspannung, die hier +/-V ist. Punkt 4. ist die Erdung die mit 3 gekennzeichneten Punkte symbolisieren die Eingänge und die mit 2 gekennzeichneten Punkte die Ausgänge des Inverters. Die logische "low" ist erreicht, wenn auf den Ausgängen 2 keine Spannung anliegt. Logisch "high" bedeutet, dass auf dem Ausgang 2 des Inverters +/-V anliegen, das heißt, dass die Datenleitung 2 Leitungen, die auf unterschiedlichen Potentialen liegen, umfasst.
- Zwar verwenden C-MOS einen Eingang, der aufgespaltet wird, allerdings ist die Spannung nach dem Aufspalten gleich.
- Im Gegensatz zu dem oben beschriebenen Inverter, der zumindest 4 OFETs umfasst, besteht beispielsweise ein herkömmlicher CMOS Inverter aus 2 Transistoren. Bei 0 V auf den Eingang, ist Transistor 1 leitfähig und der andere 2 nichtleitfähig (Somit fällt die Versorgungsspannung an 2 ab). Bei negativer Spannung wird nun 1 nichtleitfähig und der andere 2 leitfähig (Somit liegt die Versorgungsspannung an 1).
- Fig. 7 zeigt einen Ringoszillator. Für diese Schaltung werden eine ungerade Zahl von Invertern zusammengeschaltet, indem man den Ausgang auf den Eingang des nächsten Inverters legt. Der letzte Inverter wird dann ebenso mit dem ersten Inverter verbunden und so entsteht ein Ring. Der Zweck eines Ringoszillators ist es durch ständiges Umschalten des folgenden Inverters das Signal im Ring umlaufen zu lassen.
- In Fig. 4 sind einige Ausführungsbeispiele zu den logische Bauteile, die OFETs mit den extrem dünnen Halbleiterschichten umfassen, gezeigt:
Inverter 22, Nicht-Oder 23 Nicht-Und 24 Ringoszillator 25. Das Schaltzeichen 21 symbolisiert einen p-leitenden OFET. - Ein Inverter 22 kann eine Zusammenschaltung eines Transistors mit einem Widerstand sein. Ein an den Eingang angelegtes Signal (High" oder "Low") wird dabei umgedreht (invertiert) und liegt danach am Ausgang an (als "Low" oder High"). Um ein logische Nicht-Oder zu erhalten können zwei Transistoren parallel geschaltet werden. Die Zustände werden durch Anlegen einer Eingangsspannung gemäß der Tabelle (Low" = "0"; "High" = "1") zum Ausgang weitergeleitet. Analog funktioniert ein Nicht-Und, welches durch in Reihe geschaltete Transistoren realisiert werden kann.
- Eine nicht gezeigte Ausführungsform des logischen Gatters ist z. B. ein Flip-Flop, der auch aus diesen OFETs aufgebaut sein könnte.
- Vorteilhafterweise werden die logischen Gatter durch Besprühen, Beschichten, Rakeln, Bedrucken oder sonstige Herstellungsverfahren, die als kontinuierlicher Prozess gefahren werden können, herstellen.
- Mit Hilfe der Erfindung lassen sich erstmals schnelle logische Gatter, die auf organischen Feldeffekt-Transistoren aufbauen, trotz konventioneller p-Mos-Technik herstellen. Dies ist zum einen auf den Frühsättigungseffekt von OFETs mit sehr dünnen Halbleiterschichten zurückzuführen, zum anderen auf OFETs mit speziellen Eigenschaften für organische Logikbauelemente und in einem neuen schaltungstechnischen Layout dieser Logikbauelemente.
Claims (6)
1. Logisches Gatter, zumindest einen ersten und einen zweiten
organischen Feldeffekt-Transistor (OFET) umfassend, wobei der
erste OFET ein p-leitender OFET ist und der zweite OFET im
logischen Gatter als Widerstand eingesetzt werden kann.
2. Logisches Gatter nach Anspruch 1, bei dem der erste OFET
eine extrem dünne Halbleiterschicht oder eine negative
Schwellspannung hat.
3. Logisches Gatter nach Anspruch 1, bei dem der erste und
der zweite OFET eine extrem dünne Halbleiterschicht oder eine
negative Schwellspannung hat.
4. Logisches Gatter nach einem der vorstehenden Ansprüche 1
oder 3, bei dem der zweite OFET ohne Gate-Spannung Off-Ströme
hat, die nur um etwa eine Größenordnung unter den On-Strömen
liegen, so dass sich der zweite OFET durch Anlegen einer
positiven Gate-Spannung weiter ausschalten lässt.
5. Logisches Gatter nach einem der vorstehenden Ansprüche 1,
3 oder 4, das mindestens 4 OFETs umfasst.
6. Logisches Gatter nach einem der vorstehenden Ansprüche 1
oder 3 bis 5, mit 2 Datenleitungen (Eingang und Ausgang),
wobei dieses Datenleitungen auf unterschiedlichen Potentialen
liegen.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10212640A DE10212640B4 (de) | 2002-03-21 | 2002-03-21 | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren |
CNB03810086XA CN100361389C (zh) | 2002-03-21 | 2003-03-14 | 包含有机场效应晶体管的逻辑元件 |
JP2003579280A JP4171703B2 (ja) | 2002-03-21 | 2003-03-14 | 有機電界効果トランジスタを含む論理構成要素 |
EP03720186A EP1502301A2 (de) | 2002-03-21 | 2003-03-14 | Logische bauteile aus organischen feldeffekttransistoren |
PCT/DE2003/000843 WO2003081671A2 (de) | 2002-03-21 | 2003-03-14 | Logische bauteile aus organischen feldeffekttransistoren |
US10/508,640 US7223995B2 (en) | 2002-03-21 | 2003-03-14 | Logic components comprising organic field effect transistors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10212640A DE10212640B4 (de) | 2002-03-21 | 2002-03-21 | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10212640A1 true DE10212640A1 (de) | 2003-10-23 |
DE10212640B4 DE10212640B4 (de) | 2004-02-05 |
Family
ID=28050743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10212640A Expired - Fee Related DE10212640B4 (de) | 2002-03-21 | 2002-03-21 | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7223995B2 (de) |
EP (1) | EP1502301A2 (de) |
JP (1) | JP4171703B2 (de) |
CN (1) | CN100361389C (de) |
DE (1) | DE10212640B4 (de) |
WO (1) | WO2003081671A2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2068447A3 (de) * | 2007-12-07 | 2010-06-30 | POLYIC Gmbh & Co. KG | Elektronikbaugruppe mit organischen Schaltelementen |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10043204A1 (de) * | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung |
DE10330064B3 (de) * | 2003-07-03 | 2004-12-09 | Siemens Ag | Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen |
US20050156656A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-21 | Rotzoll Robert R. | Non-quasistatic rectifier circuit |
DE102004059467A1 (de) * | 2004-12-10 | 2006-07-20 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Gatter aus organischen Feldeffekttransistoren |
DE102005009819A1 (de) * | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe |
DE102005009820A1 (de) * | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen |
DE102005017655B4 (de) | 2005-04-15 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion |
DE102005031448A1 (de) | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Aktivierbare optische Schicht |
DE102005035590A1 (de) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronisches Bauelement |
DE102005035589A1 (de) | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
DE102005042166A1 (de) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Polyic Gmbh & Co.Kg | Organisches Bauelement und ein solches umfassende elektrische Schaltung |
DE102005044306A1 (de) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
ITVA20060029A1 (it) * | 2006-05-30 | 2007-11-30 | St Microelectronics Srl | Amplificatore analogico a transconduttanza |
US20090004368A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Weyerhaeuser Co. | Systems and methods for curing a deposited layer on a substrate |
US8463116B2 (en) * | 2008-07-01 | 2013-06-11 | Tap Development Limited Liability Company | Systems for curing deposited material using feedback control |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999010929A2 (en) * | 1997-08-22 | 1999-03-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of providing a vertical interconnect between thin film microelectronic devices |
WO2001027998A1 (en) * | 1999-10-11 | 2001-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit |
Family Cites Families (102)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US18911A (en) * | 1857-12-22 | Glass knob for doors | ||
US3512052A (en) * | 1968-01-11 | 1970-05-12 | Gen Motors Corp | Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric |
US3769096A (en) * | 1971-03-12 | 1973-10-30 | Bell Telephone Labor Inc | Pyroelectric devices |
JPS543594B2 (de) * | 1973-10-12 | 1979-02-24 | ||
JPS54101176A (en) * | 1978-01-26 | 1979-08-09 | Shinetsu Polymer Co | Contact member for push switch |
US4442019A (en) * | 1978-05-26 | 1984-04-10 | Marks Alvin M | Electroordered dipole suspension |
US4340657A (en) * | 1980-02-19 | 1982-07-20 | Polychrome Corporation | Novel radiation-sensitive articles |
DE3338597A1 (de) | 1983-10-24 | 1985-05-02 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
JPS60117769A (ja) | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ装置 |
EP0239808B1 (de) * | 1986-03-03 | 1991-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Strahlungsdetektor |
JP2728412B2 (ja) | 1987-12-25 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
GB2215307B (en) * | 1988-03-04 | 1991-10-09 | Unisys Corp | Electronic component transportation container |
US5364735A (en) * | 1988-07-01 | 1994-11-15 | Sony Corporation | Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same |
US4937119A (en) * | 1988-12-15 | 1990-06-26 | Hoechst Celanese Corp. | Textured organic optical data storage media and methods of preparation |
US5892244A (en) * | 1989-01-10 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor |
US6331356B1 (en) * | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
US5206525A (en) * | 1989-12-27 | 1993-04-27 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials |
FR2664430B1 (fr) * | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
FR2673041A1 (fr) * | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
JP3522771B2 (ja) * | 1991-03-22 | 2004-04-26 | 三菱電機株式会社 | インバータ |
JPH0580530A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
US5173835A (en) * | 1991-10-15 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor |
DE59105477D1 (de) * | 1991-10-30 | 1995-06-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
JP2709223B2 (ja) * | 1992-01-30 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 非接触形携帯記憶装置 |
DE4243832A1 (de) | 1992-12-23 | 1994-06-30 | Daimler Benz Ag | Tastsensoranordnung |
JP3457348B2 (ja) * | 1993-01-15 | 2003-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
FR2701117B1 (fr) * | 1993-02-04 | 1995-03-10 | Asulab Sa | Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose. |
US5567550A (en) * | 1993-03-25 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a mask for making integrated circuits |
JPH0722669A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 可塑性機能素子 |
WO1995006240A1 (en) * | 1993-08-24 | 1995-03-02 | Metrika Laboratories, Inc. | Novel disposable electronic assay device |
JP3460863B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR2710413B1 (fr) * | 1993-09-21 | 1995-11-03 | Asulab Sa | Dispositif de mesure pour capteurs amovibles. |
US5556706A (en) * | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
IL111151A (en) | 1994-10-03 | 1998-09-24 | News Datacom Ltd | Secure access systems |
CN1106696C (zh) * | 1994-05-16 | 2003-04-23 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 带有有机半导体材料的半导体器件 |
JP3246189B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
US5574291A (en) * | 1994-12-09 | 1996-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer |
US5630986A (en) * | 1995-01-13 | 1997-05-20 | Bayer Corporation | Dispensing instrument for fluid monitoring sensors |
JP3068430B2 (ja) * | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
US5652645A (en) * | 1995-07-24 | 1997-07-29 | Anvik Corporation | High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates |
US5625199A (en) * | 1996-01-16 | 1997-04-29 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors |
GB2310493B (en) * | 1996-02-26 | 2000-08-02 | Unilever Plc | Determination of the characteristics of fluid |
DE19629656A1 (de) * | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Boehringer Mannheim Gmbh | Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe |
US5946551A (en) * | 1997-03-25 | 1999-08-31 | Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios | Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric |
US6344662B1 (en) * | 1997-03-25 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages |
KR100248392B1 (ko) * | 1997-05-15 | 2000-09-01 | 정선종 | 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법 |
EP0968537B1 (de) * | 1997-08-22 | 2012-05-02 | Creator Technology B.V. | Feld-effekt-transistor, der im wesentlichen aus organischen materialien besteht |
ES2199705T1 (es) * | 1997-09-11 | 2004-03-01 | Prec Dynamics Corp | Transpondor de identificacion con circuito integrado consistente de materiales organicos. |
US6251513B1 (en) * | 1997-11-08 | 2001-06-26 | Littlefuse, Inc. | Polymer composites for overvoltage protection |
JPH11142810A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Nintendo Co Ltd | 携帯型情報処理装置 |
US5997817A (en) * | 1997-12-05 | 1999-12-07 | Roche Diagnostics Corporation | Electrochemical biosensor test strip |
WO1999030432A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-06-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Identification transponder |
US5998805A (en) * | 1997-12-11 | 1999-12-07 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array with improved OED cathode |
US6083104A (en) * | 1998-01-16 | 2000-07-04 | Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. | Programmable toy with an independent game cartridge |
AU739848B2 (en) * | 1998-01-28 | 2001-10-18 | Thin Film Electronics Asa | A method for generation of electrical conducting or semiconducting structures in three dimensions and methods for erasure of the same structures |
US6087196A (en) * | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
US6045977A (en) * | 1998-02-19 | 2000-04-04 | Lucent Technologies Inc. | Process for patterning conductive polyaniline films |
DE19816860A1 (de) | 1998-03-06 | 1999-11-18 | Deutsche Telekom Ag | Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte |
US6033202A (en) * | 1998-03-27 | 2000-03-07 | Lucent Technologies Inc. | Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures |
GB9808061D0 (en) * | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer devices |
GB9808806D0 (en) | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
TW410478B (en) * | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
US5967048A (en) * | 1998-06-12 | 1999-10-19 | Howard A. Fromson | Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web |
US6215130B1 (en) * | 1998-08-20 | 2001-04-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
PT1108207E (pt) * | 1998-08-26 | 2008-08-06 | Sensors For Med & Science Inc | Dispositivos de sensores ópticos |
US6384804B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-05-07 | Lucent Techonologies Inc. | Display comprising organic smart pixels |
US6506438B2 (en) * | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
US6321571B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-11-27 | Corning Incorporated | Method of making glass structures for flat panel displays |
US6114088A (en) * | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
GB2347013A (en) * | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
US6517955B1 (en) * | 1999-02-22 | 2003-02-11 | Nippon Steel Corporation | High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof |
WO2000052457A1 (en) * | 1999-03-02 | 2000-09-08 | Helix Biopharma Corporation | Card-based biosensor device |
US6180956B1 (en) | 1999-03-03 | 2001-01-30 | International Business Machine Corp. | Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels |
US6207472B1 (en) * | 1999-03-09 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature thin film transistor fabrication |
US6498114B1 (en) * | 1999-04-09 | 2002-12-24 | E Ink Corporation | Method for forming a patterned semiconductor film |
US6072716A (en) * | 1999-04-14 | 2000-06-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory structures and methods of making same |
DE19921024C2 (de) | 1999-05-06 | 2001-03-08 | Wolfgang Eichelmann | Videospielanlage |
US6383664B2 (en) | 1999-05-11 | 2002-05-07 | The Dow Chemical Company | Electroluminescent or photocell device having protective packaging |
US6593690B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
US6517995B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
US6340822B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-01-22 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
US6335539B1 (en) * | 1999-11-05 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure |
US6284562B1 (en) * | 1999-11-17 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Thin film transistors |
US6621098B1 (en) * | 1999-11-29 | 2003-09-16 | The Penn State Research Foundation | Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material |
US6197663B1 (en) * | 1999-12-07 | 2001-03-06 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors |
BR0016670A (pt) * | 1999-12-21 | 2003-06-24 | Plastic Logic Ltd | Métodos para formar um circuito integrado e para definir um circuito eletrônico, e, dispositivo eletrônico |
US6706159B2 (en) * | 2000-03-02 | 2004-03-16 | Diabetes Diagnostics | Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus |
US6329226B1 (en) * | 2000-06-01 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for fabricating a thin-film transistor |
DE10033112C2 (de) * | 2000-07-07 | 2002-11-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung |
JP2004506985A (ja) * | 2000-08-18 | 2004-03-04 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用 |
DE10045192A1 (de) * | 2000-09-13 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers |
KR20020036916A (ko) * | 2000-11-11 | 2002-05-17 | 주승기 | 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자 |
KR100390522B1 (ko) * | 2000-12-01 | 2003-07-07 | 피티플러스(주) | 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법 |
US20020170897A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-21 | Hall Frank L. | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser |
US6870180B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Organic polarizable gate transistor apparatus and method |
JP2003089259A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-25 | Hitachi Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
JP2003098221A (ja) | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、半導体装置の試験方法及び半導体装置の試験装置 |
US7351660B2 (en) * | 2001-09-28 | 2008-04-01 | Hrl Laboratories, Llc | Process for producing high performance interconnects |
US6812509B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Palo Alto Research Center Inc. | Organic ferroelectric memory cells |
US6854139B2 (en) * | 2002-07-26 | 2005-02-15 | Sheila Lamy | Bed covering fastening system |
US6870183B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-03-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating |
-
2002
- 2002-03-21 DE DE10212640A patent/DE10212640B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-14 JP JP2003579280A patent/JP4171703B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-14 WO PCT/DE2003/000843 patent/WO2003081671A2/de active Application Filing
- 2003-03-14 CN CNB03810086XA patent/CN100361389C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-14 EP EP03720186A patent/EP1502301A2/de not_active Withdrawn
- 2003-03-14 US US10/508,640 patent/US7223995B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999010929A2 (en) * | 1997-08-22 | 1999-03-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of providing a vertical interconnect between thin film microelectronic devices |
WO2001027998A1 (en) * | 1999-10-11 | 2001-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
BROWN, A.R. et al.: Logic Gates Made from Polymer Transistors and Their Use in Ring Oscillators, In: Science, Vol. 270, 1995, S. 972-974 * |
KLAUK, H. et al.: Fast Organic Thin Film Transistor Circuits, In: IEEE Electron Device Letters, Vol. 20, 1999, Nr. 6, S. 289-291 * |
KLAUK, H. et al.: Pentacene Thin Film Transistors and Inverter Circuits, In: IEDM Tech. Dig., Dez. 1997, S. 539-542 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2068447A3 (de) * | 2007-12-07 | 2010-06-30 | POLYIC Gmbh & Co. KG | Elektronikbaugruppe mit organischen Schaltelementen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7223995B2 (en) | 2007-05-29 |
US20050277240A1 (en) | 2005-12-15 |
CN1695303A (zh) | 2005-11-09 |
CN100361389C (zh) | 2008-01-09 |
DE10212640B4 (de) | 2004-02-05 |
WO2003081671A3 (de) | 2004-11-25 |
JP2005521313A (ja) | 2005-07-14 |
EP1502301A2 (de) | 2005-02-02 |
JP4171703B2 (ja) | 2008-10-29 |
WO2003081671A2 (de) | 2003-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10212640B4 (de) | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren | |
DE3603953C2 (de) | Gate-Array-Halbleiteranordnung in CMOS-Technologie | |
DE2929450C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Pegelanpassung | |
DE2623507C3 (de) | Schaltungsanordnung für binäre Schaltvariable | |
DE2458848C2 (de) | Speicheranordnung | |
DE3630160A1 (de) | Cmos-ausgangsschaltung | |
DE2555297A1 (de) | Digitalschaltung mit feldeffekttransistoren | |
DE3510948A1 (de) | Schaltungsvorrichtung | |
DE2544974A1 (de) | Anordnung zum darstellen logischer funktionen | |
DE2139170A1 (de) | Binares Addier und Subtrahierwerk | |
DE3240189A1 (de) | Aus feldeffekttransistoren mit isoliertem gate bestehender (igfet)-schaltkreis | |
DE2835692A1 (de) | Logisches oder-glied fuer programmierte logische anordnungen | |
DE4131075A1 (de) | Halbleiter-logikschaltungsvorrichtung | |
DE2426447C2 (de) | Komplementäre Transistorschaltung zur Durchführung boole'scher Verknüpfungen | |
DE2539967C2 (de) | Logikgrundschaltung | |
DE1814213C3 (de) | J-K-Master-Slave-Flipflop | |
DE1537236B2 (de) | Im Takt geschalteter ein und ruck stellbarer FUp Flop | |
DE2525690C3 (de) | Logische DOT-Verknüpfungsschaltung in Komplementär-Feldeffekttransistor-Technik | |
DE1807105B2 (de) | Treiberschaltung für Flip-Flops | |
DE2165162B2 (de) | CMOS-Halbleiteranordnung als exklusive NOR-Schaltung | |
DE3739872C2 (de) | ||
DE2263671A1 (de) | Schaltungsanordnung von lichtemittierenden halbleiterelementen | |
DE1803175A1 (de) | Flip-Flop | |
DE2750432C2 (de) | I↑2↑L-Logik-Schaltungsanordnung | |
DE1131269B (de) | Bistabile Kippschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: POLYIC GMBH & CO. KG, 91052 ERLANGEN, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: POLYIC GMBH & CO. KG, 91052 ERLANGEN, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: POLYIC GMBH & CO.KG, 90763 FUERTH, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |