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Patentes

  1. Búsqueda avanzada de patentes
Número de publicaciónDE10216633 B8
Tipo de publicaciónConcesión
Número de solicitudDE2002116633
Fecha de publicación2 Feb 2012
Fecha de presentación15 Abr 2002
Fecha de prioridad18 Abr 2001
También publicado comoDE10216633A1, DE10216633B4, US6670673, US6867456, US20020155685, US20040089896
Número de publicación02116633, 2002116633, DE 10216633 B8, DE 10216633B8, DE-B8-10216633, DE02116633, DE10216633 B8, DE10216633B8, DE2002116633
InventoresJun Sakakibara
SolicitanteDenso Corporation
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Enlaces externos: DPMA, Espacenet
Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiteranordnung
DE 10216633 B8
Resumen  disponible en
Descripción  disponible en
Reclamaciones  disponible en
Citas de patentes
Patente citada Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
US4796070 *15 Ene 19873 Ene 1989General Electric CompanyLateral charge control semiconductor device and method of fabrication
US4910564 *30 Jun 198820 Mar 1990Mitsubishi Denki Kabushiki KaishaHighly integrated field effect transistor and method for manufacturing the same
US5828101 *25 Mar 199627 Oct 1998Kabushiki Kaisha ToshibaThree-terminal semiconductor device and related semiconductor devices
US6118149 *16 Mar 199812 Sep 2000Kabushiki Kaisha ToshibaTrench gate MOSFET
Clasificaciones
Clasificación internacionalH01L29/423, H01L29/06, H01L29/749, H01L21/336, H01L29/739, H01L29/78
Clasificación cooperativaH01L29/781, H01L29/0634, H01L29/4232, H01L29/7801, H01L29/4238, H01L29/7831
Clasificación europeaH01L29/78B, H01L29/06B2B3R2
Eventos legales
FechaCódigoEventoDescripción
4 Ene 20078110Request for examination paragraph 44
8 Feb 2011R018Grant decision by examination section/examining division
29 Dic 2011R020Patent grant now final
Effective date: 20110923
13 Feb 2014R119Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
Effective date: 20131101