DE10225431A1 - Method for connecting electronic components on an insulating substrate and component module produced by the method - Google Patents

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Abstract

Bei der Herstellung eines Bauelement-Moduls sind ein oder mehrere elektronische Bauelemente (10) zwischen einem Substrat (1) und einer Dielektrikumsschicht (13) in einer Vertiefung (3) des Substrats so positioniert, daß die Anschlüsse (11) des Bauelementes nach oben in Richtung zur Dielektrikumsschicht zeigen. Die Kontaktierung erfolgt über eine auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht angeordnete Leiterbahnstruktur (16), welche über Durchgangslöcher einerseits zu den Anschlüssen (11) des Bauelementes (10) und andererseits zu Außenanschlüssen (6) auf Polymerhöckern (2) kontaktiert sind, wobei letztere an der Unterseite des Substrats (1) oder auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht angeformt sein können.In the manufacture of a component module, one or more electronic components (10) are positioned between a substrate (1) and a dielectric layer (13) in a recess (3) of the substrate such that the connections (11) of the component face upwards Show direction to the dielectric layer. The contact is made via a conductor track structure (16) arranged on the top of the dielectric layer, which are contacted via through holes on the one hand to the connections (11) of the component (10) and on the other hand to external connections (6) on polymer bumps (2), the latter on the Bottom of the substrate (1) or on the top of the dielectric layer can be molded.

Description

Verfahren zur Anschlußkontaktierung von elektronischen Bauelementen auf einem isolierenden Substrat und nach dem Verfahren hergestelltes Bauelement-ModulConnection method of electronic components on an insulating substrate and component module produced by the method

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Anschlußkontaktierung mindestens eines elektronischen Bauelementes mit flächigen Anschlußelementen auf einem isolierenden Substrat sowie ein nach diesem Verfahren hergestelltes Bauelement-Modul.The invention relates to a method for connection contact at least one electronic component with flat connection elements on an insulating substrate as well as one using this method manufactured component module.

Aus der EP 0782765 B1 ist bereits ein Bauelement-Modul, bestehend aus einem Anschlußsubstrat mit auf der Unterseite angeformten Polymerhöckern, bekannt, auf welchem ein Chip angeordnet und kontaktiert ist. Es ist dort auch vorgesehen, den Chip in einer Ausnehmung auf der Unterseite des Substrats anzuordnen, wobei verschiedene Arten der Kontaktierung gezeigt sind. Neben der Kontaktierung in Flip-Chip-Technik ist dort vor allem die Kontaktierung über Bonddrähte vorgesehen. Während die Flip-Chip-Technik nur eine begrenzte Verbindungsdichte ermöglicht, verlangt die Verbindungstechnik mit Bonddrähten einen hohen Werkzeugaufwand, da jeder Kontakt einzeln verbunden werden muß und die Bonddrähte anschließend noch mit einer Schutzumhüllung versehen werden müssen.From the EP 0782765 B1 a component module is already known, consisting of a connection substrate with polymer bumps formed on the underside, on which a chip is arranged and contacted. There is also provision for the chip to be arranged in a recess on the underside of the substrate, various types of contact being shown. In addition to contacting using flip-chip technology, contacting via bond wires is primarily provided there. While the flip-chip technology only allows a limited connection density, the connection technology with bond wires requires a high amount of tools, since each contact must be connected individually and the bond wires must then be provided with a protective covering.

Aus der WO 01/37338 A2 ist ferner ein Verfahren zum Integrieren eines Chips innerhalb einer Leiterplatte bekannt, wobei der Chip rückseitig gedünnt, dann auf eine Leiterplatten-Bodenschicht aufgebracht und von einer weiteren Leiterplattenschicht umhüllt wird. In dieser Schicht werden dann Ausnehmungen zur Leiterstruktur der Leiterplatten-Bodenschicht und zu den Anschlußflächen des Chips erzeugt und mit einer entsprechenden Leiterstruktur versehen. Dieses Verfahren ergibt einen verhältnismäßig hohen Aufbau der Leiterplatten-Schichtstruktur.From the WO 01/37338 A2 a method for integrating a chip within a printed circuit board is also known, the chip being thinned on the back, then applied to a bottom layer of the printed circuit board and encased by a further layer of printed circuit board. In this layer, recesses for the conductor structure of the circuit board base layer and for the connection areas of the chip are then produced and provided with a corresponding conductor structure. This method results in a relatively high structure of the circuit board layer structure.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Kontaktierung von Bauelementen, insbesondere von Halbleiterchips auf einem Substrat anzugeben und ein derart erzeugtes Modul zu schaffen, wobei ein möglichst platzsparender Aufbau mit einfachen Verfahrensschritten einhergeht und wobei insbesondere keine Werkzeuge und Verfahrensschritte für die Kontaktierung einzelner Anschlußelemente des Bauelementes erforderlich sind.The aim of the present invention is es, a method for contacting components, in particular specify semiconductor chips on a substrate and such to create a module that is as space-saving as possible involves simple procedural steps and in particular no tools and procedural steps for contacting individuals connecting elements of the component are required.

Erfindungsgemäß weist ein Verfahren zur Anschlußkontaktierung mindestens eines elektronischen Bauelementes mit flächigen Anschlußelementen auf einem isolierenden Substrat folgende Schritte auf:

  • a) das Substrat wird dreidimensional aus einem Polymermaterial geformt, wobei an der Oberseite des flachen Substrats mindestens eine Vertiefung entsprechend den Abmessungen des zu kontaktierenden Bauelementes geformt wird;
  • b) das Bauelement wird in der zugehörigen Vertiefung so angeordnet, daß seine mit Anschlußelementen versehene Anschlußseite nach oben gerichtet ist und annähernd mit der Oberseite des Substrats fluchtet;
  • c) die Oberseite des Substrats einschließlich des Bauelementes wird mit einer Dielektrikumsschicht bedeckt;
  • d) an der äußeren Oberfläche des Substrats oder der Dielektrikumsschicht werden Außenkontakt-Höcker aus Polymermaterial angeformt;
  • e) mittels Laserbestrahlung werden Durchgangslöcher (Vias) durch die Dielektrikumsschicht zu den Anschlüssen des Bauelementes und gegebenenfalls Verbindungslöcher zum Substrat gebohrt;
  • f) die Oberseite der Dielektrikumsschicht und die Innenseiten der Durchgangslöcher sowie der Verbindungslöcher werden mit einer Metallisierung versehen und
  • g) die Metallisierung wird mit Hilfe von Laserstrahlung strukturiert, wobei jeweils Außenkontakte auf den Außenkontakt-Höckern sowie Leiterbahnen zwischen den Anschluße lementen des Bauelementes und den Außenkontakten auf den Außenkontakt-Höckern gebildet werden.
According to the invention, a method for contacting at least one electronic component with flat connection elements on an insulating substrate has the following steps:
  • a) the substrate is three-dimensionally formed from a polymer material, at least one depression being formed on the top of the flat substrate in accordance with the dimensions of the component to be contacted;
  • b) the component is arranged in the associated recess so that its connection side provided with connection elements is directed upward and is approximately aligned with the top of the substrate;
  • c) the top of the substrate including the component is covered with a dielectric layer;
  • d) external contact bumps made of polymer material are formed on the outer surface of the substrate or the dielectric layer;
  • e) by means of laser radiation, through holes (vias) are drilled through the dielectric layer to the connections of the component and, if necessary, connection holes to the substrate;
  • f) the top of the dielectric layer and the inside of the through holes and the connection holes are provided with a metallization and
  • g) the metallization is structured with the aid of laser radiation, external contacts being formed on the external contact bumps and conductor tracks between the connection elements of the component and the external contacts on the external contact bumps.

Die erfindungsgemäße Verwendung des dreidimensionalen, durch Spritzgießen oder Heißprägen hergestellten Substrats mit einer vorgeformten Vertiefung für das Bauelement oder die Bauelemente läßt sich eine geringe Höhe des so gewonnenen Moduls einhalten, da durch die vertiefte Anordnung des Bauelementes auch die darüber angeordnete Dielektrikumsschicht nur eine relativ geringe Dicke aufweisen muß. Die Kontaktierung der Bauelement-Anschlußelemente und deren leitende Verbindung bis hin zu den externen Anschlüssen an den Polymerhöckern der Unterseite erfolgt über Laserprozesse, nämlich Strukturieren und Bohren, die mit elektronischen Masken arbeiten, so daß keine Werkzeuge und Einzelprozesse für die Verbindung einzelner Kontakte erforderlich sind. Die Genauigkeit der Laserlithographie erlaubt auch eine gegenüber der Flip-Chip-Technologie höhere Verbindungsdichte.The use of the three-dimensional, by injection molding or hot stamping Substrate with a preformed recess for the component or the components can be a low height of the module obtained in this way, because of the recessed arrangement of the component also the one above arranged dielectric layer only a relatively small thickness must have. The contacting of the component connection elements and their conductive Connection to the external connections on the polymer bumps of the Bottom is done via Laser processes, namely Structuring and drilling using electronic masks, so no Tools and individual processes for the connection of individual contacts are required. The precision Laser lithography also allows a higher connection density than flip-chip technology.

Das Substrat kann bereits vor dem Aufbringen des Bauelementes sowohl oberseitig als auch unterseitig und in Durchgangslöchern mit einer Metallisierung versehen sein, wobei bereits durch Laserstrukturierung interne Anschlußelemente auf der Oberseite, externe Anschlußelemente auf den Polymerhöckern der Unterseite und Verbindungsleiterbahnen von den internen Anschlüssen über die Durchgangslöcher zu den externen Anschlüssen gebildet werden. In diesem Fall werden nach dem Aufbringen der Dielektrikumsschicht der Metallisierung jeweils Kontaktlöcher zu den Anschlußelementen des Bauelementes und Verbindungslöcher zu den internen Anschlüssen gebohrt und entsprechende Leiterbahnen lediglich auf der Oberseite des Substrats bzw. der Dielektrikumsschicht strukturiert.Before the component is applied, the substrate can be provided with a metallization both on the top and bottom and in through holes, with internal connection elements on the top side, external connection elements on the polymer bumps on the underside and connecting conductor tracks from the internal connections via the through holes to already by laser structuring the external connections are formed. In this case, after the application of the dielectric layer, the metallization In each case, contact holes for the connection elements of the component and connection holes for the internal connections are drilled and corresponding conductor tracks are only structured on the upper side of the substrate or the dielectric layer.

Es ist aber auch möglich, das Substrat zunächst ohne Metallisierung mit dem Bauelement bzw. den Bauelementen zu bestücken und die Dielektrikumsschicht aufzubringen. In diesem Fall werden Bohrungen von der Oberseite zu den Anschlußelementen des Bauelementes wie im vorhergehenden Fall erzeugt, außerdem aber werden die Verbindungslöcher als Durchgangsbohrungen durch die Dielektrikumsschicht und das ursprüngliche Substrat bis zu dessen Unterseite erzeugt, so daß mit einer nachfolgenden Metallisierung der Oberseite und der Unterseite des Verbundkörpers zugleich auch elektrische Verbindungen von der Oberseite über die Durchgangslöcher zu der Unterseite des Substrats und zu den externen Anschlüssen auf den Polymerhöckern erzeugt werden. Durch die Strukturierung der Metallisierung auf der Oberseite und auf der Unterseite werden die einzelnen Leiterbahnen voneinander getrennt.But it is also possible that Substrate first without metallization with the component or components equip and to apply the dielectric layer. In this case there will be holes from the top to the connection elements of the component created as in the previous case, but also the connection holes are as Through holes through the dielectric layer and the original Substrate produced up to its underside, so that with a subsequent metallization the top and bottom of the composite body also electrical Connections from the top over the through holes to the bottom of the substrate and to the external connections the polymer bumps be generated. By structuring the metallization on The individual conductor tracks are on the top and on the bottom separated from each other.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden zwei Folien mit unterschiedlichen Schmelzpunkten verwendet, wobei zunächst eine erste Folie mit einem hohen Schmelzpunkt durch Prägen mit einer oder mehreren Vertiefungen für entsprechende Bauelemente versehen und anschließend mit diesen Bauelementen bestückt wird. Danach wird eine weitere Folie mit niedrigerem Schmelzpunkt auf die Bauelementeseite der ersten Folie aufgebracht und mit dieser verbunden. Durch einen weiteren Prägevorgang werden an dieser zweiten Folie Polymerhöcker als Träger für externe Anschlüsse angeformt. Der Verbundkörper wird danach durch Laserbohren mit Kontaktlöchern zu den Anschlußelementen der Bauelemente und mit Verbindungslöchern zwischen Oberseite und Unterseite des Verbundkörpers versehen; durch eine Metallinierung des Verbundkörpers und anschließende Strukturierung der Oberseite und Unterseite werden wie im vorhergehenden Fall Leiterbahnen zwischen den Anschlußelementen der Bauelemente und den externen Anschlüssen auf den Polymerhöckern hergestellt.In another embodiment the invention two films with different melting points used, initially a first film with a high melting point by embossing one or more recesses for corresponding components provided and then equipped with these components becomes. Then another film with a lower melting point applied to the component side of the first film and with this connected. Through a further stamping process on this second film polymer bump as a carrier for external connections formed. The composite body then becomes the connection elements by laser drilling with contact holes of the components and with connection holes between the top and Underside of the composite body Mistake; through metallization of the composite body and subsequent structuring the top and bottom become conductor tracks as in the previous case between the connection elements of the components and the external connections on the polymer bumps.

Ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Bauelement-Modul besitzt demnach ein dreidimensional aus Polymermaterial geformtes Substrat, eine auf dem Substrat angeordnete Dielektrikumsschicht und mindestens ein zwischen dem Substrat und der Dielektrikumsschicht angeordnetes elektronisches Bauelement sowie folgende Merkmale:

  • – das Substrat besitzt auf seiner Oberseite mindestens eine Vertiefung, in der das Bauelement so positioniert ist, daß seine Anschlüsse nach oben in Richtung der Dielektrikumsschicht weisen,
  • – die Dielektrikumsschicht weist jeweils von den Anschlüssen des Bauelements zu ihrer Oberseite sich erstreckende Durchgangslöcher auf,
  • – an der Unterseite des Substrats oder an der Oberseite der Dielektrikumsschicht sind Außenkontakt-Höcker aus Polymermaterial angeformt und mit Außenkontakten in Form einer Metallbeschichtung versehen, und
  • – auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht ist eine Leiterbahnstruktur angeordnet, die leitende Verbindungen zu den Anschlüssen des Bauelementes über die Durchgangslöcher sowie zu den Außenkontakten erzeugen.
A component module produced by the method according to the invention accordingly has a three-dimensional substrate formed from polymer material, a dielectric layer arranged on the substrate and at least one electronic component arranged between the substrate and the dielectric layer and the following features:
  • The substrate has at least one recess on its upper side, in which the component is positioned so that its connections point upward in the direction of the dielectric layer,
  • The dielectric layer in each case has through holes extending from the connections of the component to the top thereof,
  • - On the underside of the substrate or on the top of the dielectric layer, external contact bumps are formed from polymer material and provided with external contacts in the form of a metal coating, and
  • - On the top of the dielectric layer, a conductor track structure is arranged, which produce conductive connections to the connections of the component via the through holes and to the external contacts.

Die Außenkontakt-Höcker können an der Unterseite des Substrats angeordnet sein; in diesem Fall gehen die leitenden Verbindungen von der Oberseite der Dielektrikumsschicht über Durchgangslöcher in der Dielektrikumsschicht und in dem Substrat zu den Außenkontakten. Je nach dem verwendeten Herstellungsverfahren kann die Verbindung über eine Durchkontaktierung durch beide Schichten erfolgen; es ist aber auch möglich, getrennte Durchgangslöcher in der Dielektrikumsschicht und in dem Substrat vorzusehen, die dann über eine metallische Schicht auf der Oberseite des Substrats miteinander in Verbindung stehen.The external contact humps can on be arranged on the underside of the substrate; go in this case the conductive connections from the top of the dielectric layer through through holes in the dielectric layer and in the substrate to the external contacts. Depending on the manufacturing process used, the connection can be made via a Plated through through both layers; It is also possible, separate through holes to provide in the dielectric layer and in the substrate, the then over a metallic layer on top of the substrate with each other Connect.

Das Substrat und die Dielektrikumsschicht können durch zwei aufeinandergelegte Folien gebildet werden, wobei die das Substrat bildende erste Folie zunächst verformt wird, um Vertiefungen für ein oder mehrere Bauelemente auszubilden, wobei gleichzeitig an der Unterseite die Außenkontakt-Höcker angeformt werden können. Nach dem Aufbringen der Bauelemente wird dann die zweite Folie aufgelegt und mit der ersten verbunden, wobei dann in der zweiten Folie als Dielektrikumsschicht die Durchgangslöcher erzeugt werden können. In diesem Fall können an der zweiten Folie auch die Außenkontakt-Höcker angeprägt werden, wobei für diesen Fall die erste Folie keine Höcker besitzt. Bei diesem Aufbau muß die zweite Folie einen niedrigeren Schmelzpunkt aufweisen als die erste, damit beim Prägen der zweiten Folie die erste nicht in ihrer Form verändert wird.The substrate and the dielectric layer can be through two superimposed foils are formed, the substrate forming first slide first is deformed to form depressions for to form one or more components, at the same time molded on the underside of the external contact bumps can be. After the components have been applied, the second film is then placed on top and connected to the first, then in the second film as Dielectric layer the through holes can be created. In this case the external contact bumps are also stamped on the second film, being for in this case the first film has no bumps. With this setup must the second film have a lower melting point than the first, with it when embossing the second slide, the shape of the first is not changed.

Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

  • 1A bis 1D eine erste Ausführungsform der Erfindung mit einem in mehreren Verfahrensstadien dargestellten Bauelement-Modul,
  • 2A bis 2D eine zweite Ausführungsform der Erfindung mit einem in mehreren Verfahrensstadien gezeigten Bauelementmodul,
  • 3A bis 3D eine dritte Ausführungsform der Erfindung mit einem aus zwei Folien gebildeten Modul in mehreren Verfahrensstadien und
  • 4A bis 4C eine vierte Ausführungsform der Erfindung mit einem aus zwei Folien gebildeten Modul in unterschiedlichen Verfahrensstadien der Herstellung.
The invention is explained in more detail below using exemplary embodiments with reference to the drawing. Show it:
  • 1A to 1D A first embodiment of the invention with a component module shown in several process stages,
  • 2A to 2D 2 shows a second embodiment of the invention with a component module shown in several process stages,
  • 3A to 3D a third embodiment of the invention with a module formed from two films in several process stages and
  • 4A to 4C a fourth embodiment of the inven with a module formed from two foils in different stages of the manufacturing process.

In den 1A bis 1D wird die Herstellung eines Bauelement-Moduls gezeigt, wobei zunächst ein Substrat 1 aus Polymermaterial dreidimensional hergestellt wird. Dieses kann beispielsweise durch Spritzgießen oder Heißprägen erzeugt werden. An diesem Substrat werden bei der Ausformung an der Unterseite jeweils Polymerhöcker 2 angeformt, während in der Oberseite mindestens eine Vertiefung 3 zur Aufnahme eines elektronischen Bauelementes, beispielsweise eines Halbleiterchips, eingeformt wird. Außerdem werden Durchgangslöcher 4 zwischen der Oberseite und der Unterseite des Substrats geformt.In the 1A to 1D the production of a component module is shown, first of all a substrate 1 is made three-dimensional from polymer material. This can be produced, for example, by injection molding or hot stamping. Polymer bumps are formed on this substrate during the molding on the underside 2 molded, while at least one recess in the top 3 to accommodate an electronic component, for example a semiconductor chip. There will also be through holes 4 molded between the top and bottom of the substrate.

In 1B ist gezeigt, daß das Substrat 1 sowohl an der Unterseite als auch an der Oberseite und in den Durchgangslöchern 4 mit einer Metallschicht 5 versehen ist, welche bereits mit herkömmlichen Verfahren, wie Laserstrukturieren und/oder Ätztechnik, so strukturiert ist, daß auf den Höckern 2 jeweils Außenkontakte 6, auf der Unterseite des Substrats Leiterbahnen 7, auf der Oberseite des Substrats Leiterbahnen 8 und in den Durchgangslöchern 4 jeweils Durchgangsleiter 9 ausgebildet sind. Die Durchgangslöcher 4 sind danach mit einem Füllmaterial, das metallisch oder isolierend sein kann, gefüllt. In einem weiteren Schritt, der ebenfalls in 1B bereits zu sehen ist, ist in die Vertiefung 3 ein Bauelement 10 derart eingesetzt, das es mit seinen Anschlüssen 11 nach oben weist. Diese Anschlüsse 11 fluchten damit im wesentlichen mit der Oberseite des Substrats 1 bzw. der Leiterbahnstruktur 8 auf dieser Oberseite. Mittels einer Klebeschicht 12 ist das Bauelement, beispielsweise ein Halbleiterchip, in der Vertiefung fixiert.In 1B it is shown that the substrate 1 both on the underside and on the top and in the through holes 4 with a metal layer 5 is provided, which is already structured with conventional methods, such as laser structuring and / or etching technology, so that on the bumps 2 external contacts each 6 , conductor tracks on the underside of the substrate 7 , conductor tracks on the top of the substrate 8th and in the through holes 4 in each case passage manager 9 are trained. The through holes 4 are then filled with a filling material, which can be metallic or insulating. In a further step, which is also in 1B is already visible is in the deepening 3 a component 10 used in such a way that it with its connections 11 points upwards. These connections 11 essentially aligned with the top of the substrate 1 or the conductor track structure 8th on this top. Using an adhesive layer 12 the component, for example a semiconductor chip, is fixed in the depression.

In einem nächsten Schritt, der in 1C gezeigt ist, wird auf die Oberseite des Substrats 1 eine Dielektrikumsschicht 13 aufgebracht. Diese kann beispielsweise in Form einer Folie auflaminiert werden. Es ist aber auch möglich, diese Dielektrikumsschicht 13 in einem Sprühverfahren, in einem Spritzgießvorgang oder auf sonstige Weise zu erzeugen.In a next step, the in 1C is shown on the top of the substrate 1 a dielectric layer 13 applied. This can, for example, be laminated on in the form of a film. But it is also possible to use this dielectric layer 13 in a spraying process, in an injection molding process or in another way.

In der Dielektrikumsschicht 13 werden dann von der Oberseite her Durchgangslöcher durch Laserbohren erzeugt. Die jeweilige Laserbestrahlung ist in 1C mit den Pfeilen 14 angedeutet. Dabei werden Durchgangslöcher 15 bzw. 15a jeweils zu den Anschlüssen 11 des Bauelementes 10 sowie an weiteren Stellen zu Innenkontakten 8a der Leiterbahnen 8 auf der Oberseite des Substrats 1 erzeugt. Diese Durchgangslöcher sind 1D gezeigt. Dabei ist weiter dargestellt, daß auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht 13 eine weitere Metallisierungsschicht 16 abgeschieden wird, die zugleich die Wände der Durchgangslöcher 15 bzw. 15a bedeckt und die Anschlüsse 11 des Bauelementes kontaktiert. Diese Metallschicht 16 wird weiter mittels Laserstrahlen 17 strukturiert, so daß eine Leiterbahnstruktur entsteht, die elektrische Verbindungen von den Anschlüssen 11 über die Durchgangslöcher 15 zu den Leiterbahnen 8 und über die Durchgangslöcher 15a und die Durchgangsleiter 9 zu den Außenkontakten 6 herstellt. Die Leiterbahnstruktur 16 auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht 13 wird schließlich mit einer Isolierschicht 18 abgedeckt, so daß das so erzeugte Modul geschützt weiterverarbeitet werden kann.In the dielectric layer 13 through holes are then created from the top by laser drilling. The respective laser radiation is in 1C with the arrows 14 indicated. There will be through holes 15 respectively. 15a each to the connections 11 of the component 10 as well as in other places about internal contacts 8a the conductor tracks 8th on top of the substrate 1 generated. These are through holes 1D shown. It is further shown that on the top of the dielectric layer 13 another metallization layer 16 is deposited, which at the same time the walls of the through holes 15 respectively. 15a covered and the connectors 11 contacted the component. This layer of metal 16 is further using laser beams 17 structured so that a conductor track structure arises, the electrical connections from the connections 11 through the through holes 15 to the conductor tracks 8th and through the through holes 15a and the passage ladder 9 to the external contacts 6 manufactures. The trace structure 16 on top of the dielectric layer 13 finally comes with an insulating layer 18 covered, so that the module thus generated can be processed further protected.

In den 2A bis 2D ist eine abgewandelte Ausgestaltung der Erfindung gezeigt. Dort wird ein Substrat 21 in gleicher Weise wie im vorherigen Beispiel ausgeformt und mit Außenkontakt-Höckern 22 auf seiner Unterseite sowie einer Vertiefung 23 in seiner Oberseite versehen. Dieses Substrat 21 besitzt zunächst keine Durchgangslöcher wie im vorherigen Beispiel. Auch eine Metallisierung wird noch nicht vorgenommen. Vielmehr wird die Vertiefung 23 ohne weitere Beschichtung des Substrats mit dem Bauelement 10 versehen, das auch in diesem Fall seine Anschlüsse 11 zur Oberseite hin besitzt.In the 2A to 2D a modified embodiment of the invention is shown. There is a substrate 21 molded in the same way as in the previous example and with external contact bumps 22 on its underside and a recess 23 provided in its top. This substrate 21 initially has no through holes as in the previous example. Metallization is also not yet carried out. Rather, the deepening 23 without further coating of the substrate with the component 10 provided that in this case its connections 11 has to the top.

In 2C ist gezeigt, daß auf das Substrat 21 mit dem Bauelement 10 unmittelbar eine Dielektrikumsschicht 24 aufgebracht wird, wobei also zwischen dem Substrat 21 und der Dielektrikumsschicht 24 keine Metallisierungsschicht vorhanden ist. In der Dielektrikumsschicht 24 werden dann, wie im vorhergehenden Beispiel, mittels Laserstrahlung Durchgangslöcher erzeugt, und zwar Durchgangslöcher 25 zu den Bauelement-Anschlüssen 11 und Durchgangslöcher 26, die in diesem Fall beide Schichten, nämlich die Dielektrikumsschicht 24 und das Substrat 21 durchdringen.In 2C is shown that on the substrate 21 with the component 10 immediately a dielectric layer 24 is applied, ie between the substrate 21 and the dielectric layer 24 there is no metallization layer. In the dielectric layer 24 then, as in the previous example, through holes are created by means of laser radiation, namely through holes 25 to the component connections 11 and through holes 26 which, in this case, both layers, namely the dielectric layer 24 and the substrate 21 penetrate.

Wie in 2D gezeigt ist, wird dann sowohl auf der Unterseite des Substrats 21 als auch auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht 24 und in den Durchgangslöchern 25 und 26 eine Metallisierungsschicht erzeugt und anschließend struktu riert, so daß auf den Höckern 22 jeweils Außenkontakte 27 und auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht 24, auf der Unterseite des Substrats 21 und in den Durchgangslöchern 25 und 26 eine Leiterbahnstruktur 28 erzeugt wird, die elektrische Verbindungen zwischen den Anschlüssen 11 des Bauelementes und den Außenkontakten 27 sowie gegebenenfalls zu sonstigen Anschlüssen herstellt. Die Durchgangslöcher 26 werden, wie bereits beschrieben, gefüllt, und die Oberseite der Dielektrikumsschicht 24 bzw. der Leiterbahnstruktur 28 wird mit einer schützenden Isolationsschicht 29 abgedeckt.As in 2D is then shown both on the underside of the substrate 21 as well as on top of the dielectric layer 24 and in the through holes 25 and 26 creates a metallization layer and then struc tured so that on the humps 22 external contacts each 27 and on top of the dielectric layer 24 , on the underside of the substrate 21 and in the through holes 25 and 26 a trace structure 28 is generated, the electrical connections between the connections 11 of the component and the external contacts 27 as well as possibly to other connections. The through holes 26 are filled, as already described, and the top of the dielectric layer 24 or the conductor track structure 28 comes with a protective insulation layer 29 covered.

In den 3A bis 3D wird gezeigt, wie ein erfindungsgemäßes Modul durch zwei Folien gebildet werden kann. Eine erste Folie bildet dabei das Substrat 31, während eine zweite Folie die Dielektrikumsschicht 32 bildet. Zunächst wird gemäß 3A das Substrat 31 geprägt, wobei an der Unterseite jeweils Außenkontakthöcker 33 und an der Oberseite unterschiedliche flache Vertiefungen 34 und tiefe Ausnehmungen 35 eingeprägt werden. In die Vertiefungen 34 werden jeweils flache Bauelemente 10 wie im vorhergehenden Beispiel mit ihren Anschlüssen 11 nach oben liegend eingesetzt und fixiert. In die Vertiefung 35 wird beispielsweise ein senkrecht stehendes Bauelement 19 so eingesetzt, daß ein Anschluß 19a zur Oberseite und ein weiterer Anschluß 19b zur Unterseite weist. Wie in 3B gezeigt ist, fluchten in diesem Fall die Bauelement-Anschlüsse 11 und 19a mit der Oberseite des Substrats 31. Es wäre aber auch denkbar, daß die Vertiefungen 34 und 35 geringer sind als die jeweilige Höhe des Bauelementes, so daß die eingebrachten Bauelemente über die Oberseite des Substrats 31 hinausragen.In the 3A to 3D shows how a module according to the invention can be formed by two foils. A first film forms the substrate 31 while a second film covers the dielectric layer 32 forms. First, according to 3A the substrate 31 embossed, with external contact bumps on the underside 33 and different flat depressions on the top 34 and deep recesses 35 be impressed. In the wells 34 are flat components 10 as in the previous example with their connections 11 to inserted and fixed at the top. In the recess 35 becomes, for example, a vertical component 19 used so that a connection 19a to the top and another connector 19b points to the bottom. As in 3B is shown, the component connections are aligned in this case 11 and 19a with the top of the substrate 31 , But it would also be conceivable that the recesses 34 and 35 are less than the respective height of the component, so that the components introduced over the top of the substrate 31 protrude.

Im nächsten Schritt wird die Folie, welche die Dielektrikumsschicht 32 bildet, auf das Substrat 31 aufgelegt und mit ihr verbunden. Danach werden, wie in 3C gezeigt, Durchgangslöcher mittels Laserstrahlen 36 erzeugt, und zwar jeweils Durchgangslöcher 37 zu den Bauelement-Anschlüssen 11 sowie 19a und Durchgangslöcher 38, welche von der Oberseite der Dielektrikumsschicht 32 zur Unterseite des Substrats 31 reichen. Weiterhin wird ein Durchgangsloch 39 von der Unterseite des Substrats 31 zum Anschluß 19b des Bauelementes 19 gebohrt.In the next step, the film, which is the dielectric layer 32 forms on the substrate 31 hung up and connected to her. After that, as in 3C shown through holes using laser beams 36 generated, each through holes 37 to the component connections 11 such as 19a and through holes 38 which from the top of the dielectric layer 32 to the bottom of the substrate 31 pass. Furthermore, a through hole 39 from the bottom of the substrate 31 for connection 19b of the component 19 drilled.

Ähnlich wie im vorherigen Beispiel werden danach das Substrat 31 auf seiner Unterseite, die Dielektrikumsschicht auf seiner Oberseite und die Durchgangslöcher mit einer allseitigen Metallisierung 40 versehen, die dann wiederum mittels Laserstrahlen 41 strukturiert wird. Auf diese Weise werden dann Außenkontakte 42 und eine Leiterstruktur, wie in den vorherigen Beispielen, erzeugt.Similar to the previous example, the substrate will then be 31 on its underside, the dielectric layer on its top and the through holes with all-round metallization 40 provided, which in turn by means of laser beams 41 is structured. In this way there will be external contacts 42 and creates a ladder structure as in the previous examples.

In den 4A bis 4C ist ein weiter abgewandeltes Beispiel zur Erzeugung eines Bauelement-Moduls aus zwei Folien gezeigt. Dabei dient, wie im vorherigen Beispiel, eine erste Folie als Substrat 31, auf die eine zweite Folie als Dielektrikumsschicht 32 aufgelegt wird. Im Unterschied zu dem vorherigen Beispiel werden an dem Substrat 31 zwar die Vertiefungen 34 und 35 für die verschiedenen Bauelemente eingeprägt, jedoch zunächst keine Höcker 33 an der Unterseite. Die Vertiefungen 34 und 35 sind bei diesem Beispiel gemäß 4A so gezeigt, daß die Bauelemente nicht vollständig in den Vertiefungen aufgenommen werden. Beim Aufbringen und Prägen der Dielektrikumsschicht 32 werden die Bauelemente 10 und 19 somit teilweise in die Dielektrikumsschicht 32 hineingeprägt. Außerdem werden in diesem Fall Höcker 43 an der Oberseite der Dielektrikumsschicht angeprägt.In the 4A to 4C a further modified example for producing a component module from two foils is shown. As in the previous example, a first film serves as the substrate 31 , on which a second film as a dielectric layer 32 is launched. In contrast to the previous example, on the substrate 31 the wells though 34 and 35 stamped for the various components, but initially no bumps 33 on the bottom. The wells 34 and 35 are in accordance with this example 4A shown so that the components are not completely included in the wells. When applying and embossing the dielectric layer 32 become the components 10 and 19 thus partially in the dielectric layer 32 inside coined. In addition, in this case, humps 43 embossed on top of the dielectric layer.

Ansonsten werden, wie im vorhergehenden Beispiel, Durchgangslöcher 37, 38 und Sacklöcher 39 mittels Laserstrahlen 36 gebohrt (4B). Danach wird eine Metallisierung mit anschließender Laser-Strukturierung, wie im vorhergehenden Beispiel, vorgenommen, um die Außenkontakte 42 in diesem Fall auf den Außenkontakt-Höckern 43 sowie entsprechende Leiterbahnstrukturen 40 zu erzeugen. Die Leiterbahnen können in üb licher Weise mittels einer Isolierbeschichtung abgedeckt und geschützt werden.Otherwise, as in the previous example, through holes 37 . 38 and blind holes 39 using laser beams 36 drilled ( 4B ). Then a metallization with subsequent laser structuring, as in the previous example, is carried out around the external contacts 42 in this case on the external contact bumps 43 and corresponding conductor track structures 40 to create. The conductor tracks can be covered and protected in a conventional manner by means of an insulating coating.

Claims (21)

Verfahren zur Anschlußkontaktierung mindestens eines elektronischen Bauelementes (10; 19) mit flächigen Anschlußelementen (11; 19a, 19b) auf einem isolierenden Substrat (1; 21, 31) mit folgenden Schritten: a) das Substrat (1; 21, 31) wird dreidimensional aus einem Polymermaterial geformt, wobei an der Oberseite des Substrats mindestens eine Vertiefung (3; 23; 34, 35) entsprechend den Abmessungen des zu kontaktierenden Bauelementes (10; 19) geformt werden, b) das Bauelement (10; 19) wird in der zugehörigen Vertiefung (3; 23; 34, 35) so angeordnet, daß seine mit Anschlußelementen (11; 19a) versehene Anschlußseite nach oben gerichtet ist und annähernd mit der Oberseite des Substrats (1; 21; 31) fluchtet, c) die Oberseite des Substrats (1; 21; 31) einschließlich des Bauelementes (10; 19) wird mit einer Dielektrikumsschicht (13; 24; 32) bedeckt, d) an der Außenseite des Substrats (1; 21; 31) oder der Dielektrikumsschicht (32) werden Außenkontakt-Höcker (2; 22; 33; 43) aus Polymermaterial angeformt, e) mittels Laserbestrahlung werden Durchgangslöcher (15a; 25; 37, 39) durch die Dielektrikumsschicht (13; 24; 32) zu den Anschlüssen (11; 19) des Bauelementes und gegebenenfalls Verbindungslöcher (15; 26; 38) zu Außenanschlüssen gebohrt, f) die Oberseite der Dielektrikumsschicht (13; 24; 32) und die Innenseiten der Durchgangslöcher (15; 25; 37) und der Verbindungslöcher (15a; 26; 38) werden mit einer Metallisierung (16; 28; 40) versehen und g) die Metallisierung wird mit Hilfe von Laserstrahlung (17; 41) strukturiert, wobei jeweils Außenkontakte (6; 27; 42) auf den Außenkontakt-Höckern (2; 22; 33; 43) sowie Leiterbahnen zwischen den Anschlüssen (11; 19a, 19b) des Bauelementes (10; 19) und den Außenkontakten (6; 27; 42) auf den Außenkontakt-Höckern (2; 22; 33; 43) gebildet werden.Method for contacting at least one electronic component ( 10 ; 19 ) with flat connection elements ( 11 ; 19a . 19b ) on an insulating substrate ( 1 ; 21 . 31 ) with the following steps: a) the substrate ( 1 ; 21 . 31 ) is formed three-dimensionally from a polymer material, at least one depression (top) on the substrate ( 3 ; 23 ; 34 . 35 ) according to the dimensions of the component to be contacted ( 10 ; 19 ) are formed, b) the component ( 10 ; 19 ) is in the corresponding specialization ( 3 ; 23 ; 34 . 35 ) arranged so that its with connection elements ( 11 ; 19a ) provided connection side is directed upwards and approximately with the top of the substrate ( 1 ; 21 ; 31 ) is aligned, c) the top of the substrate ( 1 ; 21 ; 31 ) including the component ( 10 ; 19 ) is covered with a dielectric layer ( 13 ; 24 ; 32 ) covered, d) on the outside of the substrate ( 1 ; 21 ; 31 ) or the dielectric layer ( 32 ) become external contact bumps ( 2 ; 22 ; 33 ; 43 ) molded from polymer material, e) through holes are laser-irradiated ( 15a ; 25 ; 37 . 39 ) through the dielectric layer ( 13 ; 24 ; 32 ) to the connections ( 11 ; 19 ) of the component and, if necessary, connection holes ( 15 ; 26 ; 38 ) drilled to external connections, f) the top of the dielectric layer ( 13 ; 24 ; 32 ) and the inside of the through holes ( 15 ; 25 ; 37 ) and the connection holes ( 15a ; 26 ; 38 ) with a metallization ( 16 ; 28 ; 40 ) and g) the metallization is carried out with the help of laser radiation ( 17 ; 41 ) structured, with external contacts ( 6 ; 27 ; 42 ) on the external contact humps ( 2 ; 22 ; 33 ; 43 ) and conductor tracks between the connections ( 11 ; 19a . 19b ) of the component ( 10 ; 19 ) and the external contacts ( 6 ; 27 ; 42 ) on the external contact humps ( 2 ; 22 ; 33 ; 43 ) are formed. Verfahren nach Anspruch 1, wobei im Schritt a) das Substrat durch Spritzgießen geformt wird.The method of claim 1, wherein in step a) the substrate by injection molding is formed. Verfahren nach Anspruch 1, wobei im Schritt a) das Substrat durch Heißprägen einer Folie geformt wird.The method of claim 1, wherein in step a) the substrate by hot stamping one Foil is formed. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei im Schritt a) Durchgangslöcher (5) zwischen der Oberseite und der Unterseite des Substrats (1) eingeformt werden.Method according to one of claims 1 to 3, wherein in step a) through holes ( 5 ) between the top and bottom of the substrate ( 1 ) are molded. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei in dem Schritt a) die Außenkontakt-Höcker (2; 22; 33) auf der Unterseite des Substrats (1; 21; 31) erzeugt werden.Method according to one of claims 1 to 4, wherein in step a) the external contact bumps ( 2 ; 22 ; 33 ) on the underside of the substrate ( 1 ; 21 ; 31 ) be generated. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei nach dem Schritt a) jeweils Durchgangslöcher zwischen der Oberseite und der Unterseite des Substrats (1) durch Laserbohren erzeugt werden.Method according to one of claims 1 to 3, whereby after step a) through holes between the top and the bottom of the substrate ( 1 ) are generated by laser drilling. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei nach dem Schritt a) folgende Schritte eingefügt werden: aa) das Substrat (1) wird oberseitig und unterseitig und in den Durchgangslöchern (4) mit einer Metallisierung (7, 8, 9) versehen und ab) die Metallisierung (7, 8, 9) wird mit Hilfe von Laserbestrahlung strukturiert, wobei durch partielle Abtragung der Metallisierung jeweils Innenkontakte (8) auf der Oberseite, Außenkontakte (6) auf den Außenkontakt-Höckern und Verbindungsleiterbahnen von den Innenkontakten über die Durchgangslöcher (4) zu den Außenkontakten (6) gebildet werden und wobei im Schritt e) die Verbindungslöcher zu den Innenkontakten (8a) gebohrt werden und im Schritt g) jeweils Leiterbahnen von den Anschlüssen (11) des Bauelementes (10) zu den Innenkontakten (8a) gebildet werden.Method according to one of Claims 4 to 6, the following steps being inserted after step a): aa) the substrate ( 1 ) is on the top and bottom and in the through holes ( 4 ) with a metallization ( 7 . 8th . 9 ) and from) the metallization ( 7 . 8th . 9 ) is structured with the help of laser radiation, with internal contacts (partial removal of the metallization) 8th ) on the top, external contacts ( 6 ) on the external contact bumps and connecting conductor tracks from the internal contacts via the through holes ( 4 ) to the external contacts ( 6 ) are formed and in step e) the connection holes to the internal contacts ( 8a ) are drilled and in step g) each conductor tracks from the connections ( 11 ) of the component ( 10 ) to the internal contacts ( 8a ) are formed. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei im Schritt e) die Verbindungslöcher (15a) in der Dielektrikumsschicht (13) mit den Durchgangslöchern (4) im Substrat fluchtend ausgebildet werden.Method according to one of claims 4 to 6, wherein in step e) the connecting holes ( 15a ) in the dielectric layer ( 13 ) with the through holes ( 4 ) are aligned in the substrate. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei im Schritt e) die Verbindungslöcher als Durchgangslöcher durch die Dielektrikumsschicht und das Substrat in einem Zug ausgebildet werden.Method according to one of claims 1 to 3, wherein in step e) the connection holes as through holes formed by the dielectric layer and the substrate in one go become. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, wobei im Schritt f) zusätzlich die Unterseite des Substrats (21) und die Innenwände (28) der Durchgangslöcher mit der Metallisierung versehen werden und wobei im Schritt g) Leiterbahnen von den Anschlüssen (11) des Bauelementes (10) über die Durchgangslöcher (26) zu den Außenkontakten (27) gebildet werden.The method of claim 8 or 9, wherein in step f) additionally the underside of the substrate ( 21 ) and the inner walls ( 28 ) the through holes are provided with the metallization and, in step g) conductor tracks from the connections ( 11 ) of the component ( 10 ) through the through holes ( 26 ) to the external contacts ( 27 ) are formed. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Dielektrikumsschicht (13, 24, 32) als Polymerfolie aufgeklebt oder laminiert wird.Method according to one of claims 1 to 10, wherein the dielectric layer ( 13 . 24 . 32 ) is glued or laminated as a polymer film. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Dielektrikumsschicht im Schritt c) durch Sprühen aufgetragen und dann ausgehärtet wird.A method according to any one of claims 1 to 10, wherein the dielectric layer in step c) by spraying applied and then cured becomes. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Dielektrikumsschicht im Schritt c) durch Umspritzen des Substrats erzeugt wird.A method according to any one of claims 1 to 10, wherein the dielectric layer in step c) is produced by overmolding the substrate. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei auf die strukturierte Metallisierungsschicht (16) auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht (13) eine isolierende Deckschicht (18) aufgebracht wird.Method according to one of claims 1 to 13, wherein on the structured metallization layer ( 16 ) on top of the dielectric layer ( 13 ) an insulating cover layer ( 18 ) is applied. Verfahren nach Anspruch 14, wobei als Deckschicht eine LCP-Folie verwendet wird.A method according to claim 14, wherein an LCP film as the cover layer is used. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei im Schritt c) eine Dielektrikumsschicht (32) mit einem niedrigeren Schmelzpunkt als dem des Substrats (31) aufgebracht wird und im Schritt d) an der Außenseite der Dielektrikumsschicht die Anschlußhöcker (43) durch Heißprägen erzeugt werden.Method according to one of claims 1 to 15, wherein in step c) a dielectric layer ( 32 ) with a melting point lower than that of the substrate ( 31 ) is applied and in step d) on the outside of the dielectric layer the connection bumps ( 43 ) are produced by hot stamping. Modul, hergestellt mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, mit einem dreidimensional aus Polymermaterial geformten Substrat (1; 21; 31), einer auf dem Substrat angeordneten Dielektrikumsschicht (13; 24; 32) und mindestens einem zwischen dem Substrat und der Dielektrikumsschicht angeordneten elektronischen Bauelement (10; 19), mit folgenden Merkmalen: – das Substrat (1, 21, 31) besitzt auf seiner Oberseite mindestens eine Vertiefung (3; 23; 34, 35), in der das Bauelement (10; 19) so positioniert ist, daß seine Anschlüsse (11; 19a) nach oben in Richtung der Dielektrikumsschicht (13; 24; 32) weisen, – die Dielektrikumsschicht (13; 24; 32) weist jeweils von den Anschlüssen (11; 19a) des Bauelementes zu ihrer Oberseite sich erstreckende Durchgangslöcher bzw. Verbindungslöcher (15, 15a; 25; 37) auf, – an der Unterseite des Substrats (1; 21; 31) oder an der Oberseite der Dielektrikumsschicht (32) sind Außenkontakt-Höcker (2; 22; 33; 43) aus Polymermaterial angeformt und mit jeweils einem Außenkontakt (6; 27; 42) in Form einer Metallbeschichtung versehen, und – auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht (13; 24; 32) ist eine Leiterbahnstruktur (16; 28; 40) angeordnet, die leitende Verbindungen zu den Anschlüssen (11; 19a) des Bauelementes bzw. der Bauelemente über die Durchgangslöcher sowie zu den Außenkontakten (6; 27; 42) bildet.Module, produced by a method according to one of claims 1 to 16, with a three-dimensionally molded substrate made of polymer material ( 1 ; 21 ; 31 ), a dielectric layer arranged on the substrate ( 13 ; 24 ; 32 ) and at least one electronic component arranged between the substrate and the dielectric layer ( 10 ; 19 ), with the following characteristics: - the substrate ( 1 . 21 . 31 ) has at least one recess on its top ( 3 ; 23 ; 34 . 35 ) in which the component ( 10 ; 19 ) is positioned so that its connections ( 11 ; 19a ) upwards in the direction of the dielectric layer ( 13 ; 24 ; 32 ) have, - the dielectric layer ( 13 ; 24 ; 32 ) points from the connections ( 11 ; 19a ) of the component extending through holes or connecting holes extending to its upper side ( 15 . 15a ; 25 ; 37 ) on - on the underside of the substrate ( 1 ; 21 ; 31 ) or on top of the dielectric layer ( 32 ) are external contact bumps ( 2 ; 22 ; 33 ; 43 ) molded from polymer material and each with an external contact ( 6 ; 27 ; 42 ) in the form of a metal coating, and - on the top of the dielectric layer ( 13 ; 24 ; 32 ) is a trace structure ( 16 ; 28 ; 40 ) arranged, the conductive connections to the connections ( 11 ; 19a ) of the component or the components via the through holes and to the external contacts ( 6 ; 27 ; 42 ) forms. Modul nach Anspruch 17, wobei die Außenkontakt-Höcker (2; 22; 33) auf der Unterseite des Substrats (1; 21; 31) vorgesehen sind und leitende Verbindungen sich von der Oberseite der Dielektrikumsschicht (13; 24; 32) über Durchgangslöcher zu den Außenkontakten (6; 27; 42) erstrecken.The module of claim 17, wherein the external contact bumps ( 2 ; 22 ; 33 ) on the underside of the substrate ( 1 ; 21 ; 31 ) are provided and conductive connections extend from the top of the dielectric layer ( 13 ; 24 ; 32 ) through through holes to the external contacts ( 6 ; 27 ; 42 ) extend. Modul nach Anspruch 18, wobei auf der Oberseite des Substrats (1) Leiterbahnen (8) angeordnet sind, die über erste Verbindungslöcher (15a) mit der Leiterbahnstruktur (16) auf der Dielektrikumsschicht über zweite Verbindungslöcher (4) mit den Außenkontakten (6) auf der Unterseite des Substrats elektrisch leitend verbunden sind.Module according to claim 18, wherein on the top of the substrate ( 1 ) Conductor tracks ( 8th ) which are arranged via first connecting holes ( 15a ) with the conductor track structure ( 16 ) on the dielectric layer via second connection holes ( 4 ) with the external contacts ( 6 ) are electrically conductively connected on the underside of the substrate. Modul nach Anspruch 17, wobei in einer Vertiefung des Substrats (31) ein Bauelement (19) mit mindestens einem nach oben gerichteten Anschluß (19a) und mit mindestens einem nach unten gerichteten Anschluß (19b) angeordnet ist und wobei jeder nach oben gerichtete Anschluß (19a) jeweils über ein Durchgangsloch (37) in der Dielektrikumsschicht (32) und jeder nach unten gerichtete Anschluß (19b) über ein Blindloch (39) von der Unterseite des Substrats (31) kontaktiert ist.Module according to claim 17, wherein in a recess of the substrate ( 31 ) a component ( 19 ) with at least one upward connection ( 19a ) and with at least one connection pointing downwards ( 19b ) is arranged and each upward connection ( 19a ) each with a Through hole ( 37 ) in the dielectric layer ( 32 ) and any downward port ( 19b ) through a blind hole ( 39 ) from the bottom of the substrate ( 31 ) is contacted. Modul nach Anspruch 17, wobei die Außenkontakt-Höcker (43) auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht (32) angeformt sind.The module of claim 17, wherein the external contact bumps ( 43 ) on top of the dielectric layer ( 32 ) are molded on.
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