DE10229067A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung beschreibt ein optoelektronisches Bauelement mit einem Grundgehäuse bzw. Rahmen (12) und wenigstens einem Halbleiterchip (20), speziell einem Strahlung emittierenden oder empfangenden Halbleiterchip, in einer Kavität (18) des Grundgehäuses. Zur Erhöhung des Wirkungsgrades des optoelektronischen Bauelements (10) sind in der Kavität im Bereich um den Halbleiterchip Reflektoren vorgesehen. Gemäß der vorliegenden Erfindung sind diese Reflektoren dadurch ausgebildet, dass eine zumindest teilweise in die Kavität (18) eingefüllte Füllmasse (28) vorgesehen ist, wobei das Material und die Menge der Füllmasse (28) derart gewählt sind, dass die Füllmasse aufgrund der Adhäsionskraft zwischen der Füllmasse und dem Grundgehäuse eine sich von unten nach oben in der Kavität im Wesentlichen konisch erweiternde Form einnimmt und die konischen Innenflächen (30) der Füllmasse als Reflektor dienen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein optoelektronisches Bauelement, insbesondere ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement, mit mindestens einem eine Kavität aufweisenden Grundgehäuse und wenigstens einem in der Kavität angeordneten elektromagnetische Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchip, wobei sich die Kavität von einer Vorderseite des Grundgehäuses in das Grundgehäuse hinein erstreckt.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements.
  • Herkömmlicherweise wird bei der Herstellung von oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementen beispielsweise zunächst ein vorgefertigter elektrischer Leiterrahmen (Leadframe) mit einem geeigneten Kunststoffmaterial umspritzt, welches das Grundgehäuse des Bauelements bildet. Dieses Grundgehäuse weist eine Kavität (oder auch Chipfenster) auf, in die von zwei gegenüberliegenden Seiten Leadframe-Anschlüsse eingeführt sind. Auf einem dieser Leadframe-Anschlüsse ist ein elektromagnetische Strahlung emittierender und/oder aussendender Halbleiterchip, wie beispielsweise ein LED-Chip, aufgeklebt und elektrisch kontaktiert. In die Kavität ist eine transparente oder transluzente Vergussmasse eingefüllt. Diese Grundform von oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementen ist beispielsweise aus dem Artikel „SIEMENS SMT-TOPLED für die Oberflächenmontage„ von F. Möllmer und G. Waitl, Siemens Components 29 (1991), Heft 4, Seiten 147–149, bekannt.
  • Bei derartigen optoelektronischen Bauelementen ist es zur Erhöhung des externen Wirkungsgrades üblich, die Kavität mit schrägen Innenflächen auszubilden, die als Reflektor dienen.. Je nach Neigungswinkel der Innenflächen wird die Öffnung der Kavität hierdurch entsprechend vergrößert.
  • Beispiele von optoelektronischen Bauelementen mit solchen Reflektoranordnungen sind zum Beispiel in der Druckschrift DE 197 55 734 A1 und der Druckschrift DE 199 18 370 A1 offenbart.
  • Eine ähnliche Konstruktion ist in der Druckschrift DE 195 36 454 A1 beschrieben. In diesem Fall ist in einer Kavität eines Grundgehäuses des Bauelements ein Metall-Chipträgerteil vorgesehen, auf dem der Halbleiterchip montiert ist. In dem Chipträgerteil ist in dem Bereich, in dem der Halbleiterchip befestigt ist, eine Wanne ausgebildet, deren Innenflächen etwa der Form eines invertierten Kegelstumpfes entsprechen und für die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung einen Reflektor bilden.
  • Mit fortschreitender Miniaturisierung von optoelektronischen Bauelementen existiert immer häufiger das Erfordernis von möglichst engen Öffnungen der Kavität und/oder von komplexeren Halbleiterchip- und Verdrahtungsanordnungen in der Kavität. In diesen Fällen können die Seitenwände der Kavität häufig aus Platzmangel nur senkrecht oder in einem steilen Winkel zur Bodenfläche der Kavität ausgebildet werden.
  • Aufgrund der zumeist Lambert'schen oder sogar nach hinten gerichteten Abstrahl- bzw. Empfangscharakteristik des Halbleiterchips entstehen deshalb deutliche Verluste des Lichtstroms und damit ein geringerer externer Wirkungsgrad des Bauelements. Es besteht deshalb Bedarf an optoelektronischen Bauelementen, die trotz fehlender bzw, nicht realisierbarer Re flektoren an den Innenflächen ihrer Kavitäten einen ausreichend guten Wirkungsgrad besitzen.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein optoelektronisches Bauelement der eingangs genannten Art und ein Verfahren zu dessen Herstellung zur Verfügung zu stellen, das dem oben geschilderten Bedarf so weit wie möglich gerecht wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird diese Aufgabe durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen von Patentanspruch 1 und ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 12 gelöst. Weitere Merkmale von vorteilhaften Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements bzw. des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüche 2 bis 11 bzw. 13 angegeben.
  • Das optoelektronische Bauelement gemäß der Erfindung weist ein Grundgehäuse und wenigstens einen Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchip in einer Kavität des Grundgehäuses auf. Der Reflektor ist anders als bei herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen zumindest nicht allein durch reflektierende Seitenflächen der Kavität des Grundgehäuses selbst, sondern zumindest zum Teil durch eine in die Kavität eingefüllte reflektierende Füllmasse realisiert. Das Material und die Menge der Füllmasse sind dazu derart gewählt, dass sich die Füllmasse beim und/oder nach dem Einfüllen aufgrund der Adhäsionskraft zwischen dem Material der Füllmasse und dem Material der Seitenflächen der Kavität an diesen Seitenflächen hochzieht und eine parabolartig geformte Oberfläche ausbildet. Diese zur Vorderseite des Gehäuses hin gewandte Oberfläche der Füllmasse dient als Reflektorfläche für eine von dem Halbleiterchip emittierte und/oder empfangene elektromagnetische Strahlung.
  • Mit anderen Worten wird die Kavität mit der Füllmasse teilweise gefüllt und aufgrund der Adhäsionskraft zwischen Füllmasse und Grundgehäuse stellt sich automatisch eine aus Sicht des Halbleiterchips im Wesentlichen konvexe Innenfläche der Füllmasse in der Kavität ein, da die Füllmasse an den seitlichen Innenflächen der Kavität des Grundgehäuses hoch kriecht. Die so gebildeten parabolartigen Innenflächen der Füllmasse bilden den Reflektor für den in die Kavität eingesetzten Halbleiterchip.
  • Diese Reflektorflächen können auch bei sehr kleinen Öffnungen der Kavitäten einfach durch geeignete Dosierung der Füllmasse in der Kavität erzeugt werden. Außerdem werden die in der Kavität vorhandenen Anschlüsse, Verdrahtungen und dergleichen durch die Füllmasse ohne Beeinträchtigung deren Funktionsweise umhüllt.
  • Somit können mit der erfindungsgemäßen Maßnahme selbst bei optoelektronischen Bauelementen mit engen Öffnungen der Kavität und/oder komplexen Halbleiterchip- und Verdrahtungsanordnungen in der Kavität innerhalb der Kavität Reflektoren vorgesehen und damit der externe Wirkungsgrad der Bauelemente gesteigert werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält das Material der Füllmasse Titanoxid (TiO2). Insbesondere ist das Material der Füllmasse vorzugsweise ein mit TiO2-Partikeln gefülltes Epoxidharz. Besonders bevorzugt ist ein Anteil an TiO2 in der Füllmasse (28) zwischen etwa 10 und 50 Vol.-%
  • Ähnlich wie bei herkömmlichen optoelektronischen Bauelementen ist vorzugsweise eine nach
    • – Montage des Chips in der Kavität und Verbinden des Chips mit externen elektrischen Anschlüssen beispielsweise mittels eines Bonddrahtes und
    • – Einfüllen der Füllmasse verbleibende freie Oberfläche des Chips mit einer strahlungsdurchlässigen, insbesondere transparenten Einkapselungsmasse bedeckt, welche den Halbleiterchip umhüllt und vorzugsweise die Kavität weitestmöglich füllt.
  • Bei einer vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einem Grundgehäuse und wenigstens einem Halbleiterchip in einer Kavität des Grundgehäuses umfasst die Verfahrensschritte:
    (a) Ausbilden eines Grundgehäuses um einen Leiterrahmen (Leadframe), wobei der Grundgehäuse eine Kavität darin aufweist, in die Anschlüsse des Leiterrahmens eingeführt sind; (b) Platzieren und elektrisches Kontaktieren wenigstens eines Strahlung emittierenden oder empfangenden Halbleiterchips in die Kavität; und (c) teilweises Füllen einer Füllmasse in die Kavität, wobei das Material und die Menge der Füllmasse derart gewählt sind, dass die Füllmasse aufgrund der Adhäsionskraft zwischen der Füllmasse und dem Grundgehäuse eine sich. von unten nach oben in der Kavität im wesentlichen konisch erweiternde Form einnimmt und die konischen Innenflächen der Füllmasse als Reflektor dienen.
  • Vorzugsweise wird anschließend in einem weiteren Verfahrensschritt (d) eine strahlungsdurchlässige, insbesondere transparente Einkapselungsmasse in die Kavität eingefüllt, um den Halbleiterchip in der Kavität vollständig zu umhüllen.
  • Das Reflexionsvermögen einer auf Epoxidharz basierenden Füllmasse mit darin enthaltenen TiO2-Anteil beträgt bis zu etwa 80%. Ein Vergleich zwischen optoelektronischen Bauelementen. gleicher Bauform aber mit unterschiedlich ausgeführten erfindungsgemäßen Füllmassen bzw. keiner erfindungsgemäßen Füllma sse in der Kavität, sondern ausschließlich mit einer transparenten Einkapselungsmasse für den Halbleiterchip, konnte eine auf der erfindungsgemäßen Füllmasse beruhende Steigerung des externen Wirkungsgrades um bis zu 20% und mehr erzielt werden.
  • Weiter Vorteile und vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements und des Verfahrens zu dessen Herstellung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1 und 2 beschriebenen Ausführungsbeispielen.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung einer Schnittansicht des ersten Ausführungsbeispiels und
  • 2 eine schematische Schnittansicht einer Schnittansicht des zweiten Ausführungsbeispieles.
  • In den beiden Ausführungsbeispielen sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Bei dem optoelektronischen Bauelement 10 gemäß 1 ist ein Grundgehäuse 12 mit Kavität 18 durch Umspritzen eines Leiterrahmens (Leadframes) 14 mit einem geeigneten Kunststoffmaterial ausgebildet.
  • In der Kavität 18 befindet sich auf dem Leadframe 14 ein elektromagnetische Strahlung emittierender und/oder empfangender Halbleiterchip 20, beispielsweise ein Leuchtdiodenchip, der zumindest einen Teil der Strahlung über seine Seitenflanken emittiert und/oder empfängt. Der Halbleiterchip 20 ist mittels eines Bonddrahtes mit einem elektrischen Anschluß des Leadframes 14 verbunden. Zwischen dem Halbleiterchip 20 und den Seitenwänden 26 der Kavität 18 ist eine reflektierende Füllmasse 28 eingefüllt, die beispielsweise aus mit TiO2-Partikeln gefülltem Epoxidharz besteht, wobei der Anteil an TiO2 in der Füllmasse 28 vorzugsweise zwischen etwa 10 und 50 Vol.-% liegt.
  • Die zur Vorderseite 121 des Grundgehäuses 12 hin gewandte Oberfläche 30 der Füllmasse ist vom Halbleiterchip 20 aus gesehen konvex gekrümmt und bildet eine Reflektorfläche zumindest für einen Teil der seitlich emittierten und/oder empfangenen Strahlung aus.
  • Zusätzlich zum Halbleiterchip 20 kann zwischen diesem und dem Grundgehäuse 12 ein in der Figur nicht dargestelltes Chipträgersubstrat 24 angeordnet sein, dessen Abmessungen derart gewählt sind, dass zwischen dessen Seitenflanken 241 und den Seitenwänden 26 der Kavität 18 ein Graben ausgebildet ist, in dem sich die Füllmasse 28 befindet.
  • Bezogen auf die Bodenfläche der Kavität 18 ist die Füllhöhe hF der Füllmasse 28 benachbart zum Halbleiterchip 20 geringer als der Abstand des Bereiches des betreffenden seitlich emittierenden und/oder empfangenden Bereichs des Halbleiterchips 20 von der Bodenfläche. Die Füllhöhe hF steigt im Verlauf zur Seitenwand 26 der Kavität 18 hin über den oben genannten Abstand hinaus an.
  • Der oberhalb der Füllmasse liegende freie Oberflächenbereich des Halbleiterchips 20 ist von einer strahlungsdurchlässigen Einkapselungsmasse 32 bedeckt und besteht beispielweise wiederum aus einem Epoxidharz oder einem anderen geeigneten Reaktionsharz.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 2 sind externe elektrische Anschlüsse 14 auf einem Trägerkörper 16 aufgebracht, der beispielsweise aus Aluminium besteht. Die Kavität 18 ist vermittels eines Kunststoff-Gehäuserahmens 120 realisiert, der ebenfalls auf dem Trägerkörper 16 angeordnet ist.
  • In der Kavität sind zwei elektromagnetische Strahlung emittierende und/oder empfangende Halbleiterchips 20, beispielsweise zwei Leuchtdioden(LED)-Chips auf einem Chipträgersubstrat 24 montiert, das beispielsweise aus Silizium besteht. Die beiden LED-Chips sind über Bonddrähte 22 mit den elektrischen Anschlüssen 14 elektrisch leitend verbunden.
  • Wie in der Schnittansicht der 2 deutlich erkennbar ist, sind die Innenflächen 26 der Kavität 18 ebenso wie beim zuerst beschriebenen Ausführungsbeispiel nahezu zylindrisch, das heißt, sie verlaufen sehr steil von der Bodenfläche zur Vorderseite des Grundgehäuses 12. Diese steilen Seitenwände 26 haben nur eine vernachlässigbar geringe Reflektorwirkung.
  • Eine Verringerung der Steilheit der Seitenwände 26 der Kavität würde bei gleichbleibender Bodenfläche in der Kavität, deren minimale Größe durch die Größe und Anzahl der Chips und/oder den Platzbedarf bei der Chipmontage und – kontaktierung fest vorgegeben ist, eine Vergößerung des Bauteils mit sich bringen. Dies ist aufgrund des Platzmangels in vielen Applikationen in jedem Fall zu vermeiden. Dieses Ziel wird vermittels der Erfindung erreicht.
  • Im Ausführungsbeispiel gemäß 2 ist die Kavität 18 im Bereich des Grabens zwischen dem Chipträgersubstrat 24 und den Seitenwänden 26 der Kavität 18 mit einer Füllmasse 28 gefüllt, die beispielsweise aus demselben Material besteht wie die Füllmasse 28 des ersten Ausführungsbeispiels.
  • Wie in der Schnittansicht der 2 deutlich erkennbar, ist die Füllhöhe hF der Füllmasse 28 benachbart zu den Halbleiterchips 20, d.h. benachbart zum Chipsträgersubstrat 24 deutlich geringer als benachbart zu den Seitenwänden 26 der Kavität 18, wo die Füllmasse 28 im wesentlichen bis zur Kante mit der Vorderseite 121 des Grundgehäuses 12 hochgezogen ist. Auf diese Weise ergibt sich eine zur Vorderseite hin im wesentlichen parabolartig öffnende Form der Oberfläche der Füllmasse 28. Diese Form ergibt sich bei geeigneter Wahl des Materials und der Dosierung der Füllmasse 28 automatisch aufgrund der Adhäsionskräfte zwischen der Füllmasse 28 und dem Material des Gehäuserahmens 120. Die von den Halbleiterchips 20 gesehen konvex gekrümmten Innenflächen 30 der Füllmasse 28 dienen als Reflektor für die von den Halbleiterchips 20 seitlich emittierte und/oder empfangene Strahlung.
  • Das Reflexionsvermögen der Füllmasse 28 mit dem darin enthaltenen TiO2-Anteil beträgt bis zu etwa 80%. Im Vergleich zu einem optoelektronischen Bauelement, bei dem die Kavität ausschließlich mit einer transparenten Füllmasse gefüllt ist, konnte mit dem optoelektronischen Bauelement 10 der vorliegenden Erfindung der externe Wirkungsgrad damit um bis zu 20% und mehr gesteigert werden.
  • Zum Schutz der Halbleiterchips 20 ist die Kavität 18 vollständig mit einer strahlungsdurchlässigen, beispielsweise transparenten Einkapselungsmasse 32 gefüllt, welche die Halbleiterchips 20 umhüllt und für die von den Halbleiterchips 20 zu emittierende bzw. zu empfangende Strahlung durchlässig ist. Für diese Einkapselungsmasse 32 können wie bei den herkömmlichen Bauelementen geeignete Füllmassen aus transparenten Kunstharzen, wie beispielsweise Epoxidharz, oder aus Polycarbonat verwendet werden, die vorzugsweise besonders auf die Eigenschaften der Füllmasse 28 abgestimmt ist (gilt auch für Ausführungsbeispiel gemäß 1).
  • Die Anzahl der Halbleiterchips 20 in der Kavität 18 des Grundgehäuses 12 ist bei beiden Ausführungsbeispielen selbstverständlich nicht auf ein oder zwei beschränkt; vielmehr können auch mehr als zwei Halbleiterchips in der Kavität montiert werden. Außerdem kann in einem Grundgehäuse 12 auch mehr als nur eine Kavität 18 ausgebildet sein.
  • Zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 10 gemäß dem ersten oder dem zweiten Ausführungsbeispiel wird zunächst das Grundgehäuses 12 mit der Kavität 18 ausgebildet und dann der Halbleiterchips 20 in der Kavität 18 montiert und mit den externen elektrischen Anschlüssen 14 elektrisch leitend verbunden. Nachfolgend wird die Füllmasse 28 in die Kavität 18 eingefügt. Dies erfolgt mit einer Dosierung, so dass
    • (i) bezogen auf eine Bodenfläche der Kavität 18 die Füllhöhe hF der Füllmasse benachbart zum Halbleiterchip 20 geringer ist als der Abstand des seitlich Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Bereichs des Halbleiterchips 20 von dieser Bodenfläche, und
    • (ii) (ii) sich die Oberfläche der Füllmasse gesehen vom Halbleiterchip 20 im Verlauf hin zu den Seitenwänden 26 der Kavität 18 aufgrund der Adhäsionskraft zwischen dem Material der Füllmasse 28 und dem Material der Seitenwände 26, infolgedessen die Füllmasse an den Seitenwänden 26 hochkriecht, konvex krümmt.
  • Auf diese Art und Weise wird eine Oberfläche 30 ausgebildet, die als Reflektor für die Strahlung dient.
  • Nachfolgend wird die strahlungsdurchlässige Einkapselungsmasse 32 in die Kavität 18 eingefüllt, die zumindest die nach den vorhergehenden Schritten noch freiliegenden Oberflächen des Halbleiterchips (20) bedeckt.
  • Die obige Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele ist selbstverständlich nicht Einschränkung der Erfindung auf diese zu verstehen. Vielmehr ist der in den Ansprüchen 1 und 12 dargelegte Erfindungsgedanke bei einer Vielzahl von verschiedensten Bauformen anwendbar.

Claims (13)

  1. Optoelektronisches Bauelement (10) mit mindestens einem eine Kavität (18) aufweisenden Grundgehäuse (12) und wenigstens einem in der Kavität (18) angeordneten elektromagnetische Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchip (20), wobei sich die Kavität (18) von einer Vorderseite (121) des Grundgehäuses (12) in das Grundgehäuse (12) hinein erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass in der Kavität (18) zwischen dem Halbleiterchip (20) und Seitenwänden (26) der Kavität eine reflektierende Füllmasse (28) angeordnet ist, von der mindestens eine ihrer zur Vorderseite (121) des Grundgehäuses (12) hin gewandten Oberflächen (30) vom Halbleiterchip (20) aus gesehen konvex gekrümmt ist und eine Reflektorfläche für einen Teil der Strahlung ausbildet.
  2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Halbleiterchip (20) und dem Grundgehäuse (12) ein Chipträgersubstrat (24) angeordnet ist, dessen Abmessungen derart gewählt sind, dass zwischen dessen Seitenflanken (241) und den Seitenwänden (26) der Kavität (18) ein Graben ausgebildet ist, in dem sich die Füllmasse (28) befindet.
  3. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass bezogen auf eine Bodenfläche der Kavität (18) die Füllhöhe (hF) der Füllmasse (28) benachbart zum Halbleiterchip (20) geringer ist als der Abstand des Bereiches des betreffenden seitliche emittierenden und/oder empfangenden Bereichs des Halbleiterchips (20) von der Bodenfläche und die Füllhöhe (hF) im Verlauf zur Seitenwand der Kavität hin über diesen Abstand hinaus ansteigt.
  4. Optoelektronisches Bauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Füllmasse (28) TiO2 enthält.
  5. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Füllmasse (28) ein mit TiO2-Partikeln gefülltes Epoxidharz ist.
  6. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil an TiO2 in der Füllmasse (28) zwischen etwa 10 und 50 Vol.-% beträgt.
  7. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (20) zumindest zum Teil mit einer strahlungsdurchlässigen Einkapselungsmasse (32) eingekapselt ist.
  8. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Grundgehäuse (12) einen Trägerkörper (16) aufweist, auf dem ein die Kavität (18) ausbildender Gehäuserahmen (120) und mindestens ein in die Kavität (18) hinein reichender externer elektrischer Anschluss (14) für den Halbleiterchip (20) angeordnet sind.
  9. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 2 und 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkörper (16) und das Chipträgersubstrat (24) aus thermisch gut leitfähigen Materialien gefertigt sind.
  10. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkörper (16) im Wesentlichen metallisches Material aufweist.
  11. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Chipträgersubstrat (24) im Wesentlichen Silizium aufweist.
  12. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 11 mit den Verfahrensschritten: (a) Ausbilden des Grundgehäuses (12) mit der Kavität (18) (b) Plazieren des Halbleiterchips (20) in der Kavität (18) ; und (c) Einfüllen einer Füllmasse (28) in die Kavität (18), dadurch gekennzeichnet, dass Material und Menge der Füllmasse (28) derart gewählt werden, dass – bezogen auf eine Bodenfläche der Kavität (18) deren Füllhöhe (hF) benachbart zum Halbleiterchip (20) geringer ist als der Abstand eines seitlich Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Bereichs des Halbleiterchips (20) von der Bodenfläche und – sich deren Oberfläche gesehen vom Halbleiterchip (20) im Verlauf hin zu Seitenwänden (26) der Kavität (18) aufgrund der Adhäsionskraft zwischen dem Material der Füllmasse (28) und dem Material der Seitenwände (26) konvex krümmt, und die Oberfläche (30) auf diese Weise als Reflektor für die Strahlung ausgebildet wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem nach dem Einfüllen der Füllmasse (28) eine strahlungsdurchlässige Einkapselungsmasse (32) in die Kavität (18) eingefüllt wird, die zumindest die nach den vorhergehenden Schritten noch freiliegenden Oberflächen des Halbleiterchips (20) bedeckt.
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DE10229067A DE10229067B4 (de) 2002-06-28 2002-06-28 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003182480A JP2004040099A (ja) 2002-06-28 2003-06-26 オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
US10/611,225 US6900511B2 (en) 2002-06-28 2003-06-27 Optoelectronic component and method for producing it
US11/002,326 US7514279B2 (en) 2002-06-28 2004-12-02 Optoelectronic component and method for producing it
US11/141,721 US7429758B2 (en) 2002-06-28 2005-05-31 Optoelectronic component and method for producing it
US12/242,170 US7795633B2 (en) 2002-06-28 2008-09-30 Optoelectronic component
US12/879,130 US7948046B2 (en) 2002-06-28 2010-09-10 Optoelectronic component
US13/084,149 US8314441B2 (en) 2002-06-28 2011-04-11 Optoelectronic component

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DE10229067A DE10229067B4 (de) 2002-06-28 2002-06-28 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

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US (6) US6900511B2 (de)
JP (1) JP2004040099A (de)
DE (1) DE10229067B4 (de)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005093853A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil mit mehrteiligem gehäusekörper
EP1770797A2 (de) 2005-09-30 2007-04-04 Osram Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement
US7456500B2 (en) 2002-09-30 2008-11-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source module and method for production thereof
DE102007029369A1 (de) * 2007-06-26 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2009076922A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen halbleiterbauelement
US7872278B2 (en) 2006-10-11 2011-01-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Light emitting diode system, method for producing such a system, and backlighting device
WO2011064072A1 (de) * 2009-11-25 2011-06-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines gehäuses
DE102010027748A1 (de) * 2010-04-14 2011-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2011127909A1 (de) * 2010-04-15 2011-10-20 Excelitas Technologies Elcos Gmbh Flüssigreflektor
DE102010028407A1 (de) * 2010-04-30 2011-11-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Optoelektronischen Bauelements
DE102010021791A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds
WO2011157522A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements
WO2011160968A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
WO2011161183A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102010027253A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102011079403A1 (de) * 2011-07-19 2013-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102011118290A1 (de) * 2011-11-10 2013-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
EP1806792B1 (de) * 2006-01-06 2013-07-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren
WO2013178469A1 (de) * 2012-06-01 2013-12-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls
WO2014032924A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 Osram Gmbh Verfahren zum herstellen eines led-moduls und led-modul
US9054279B2 (en) 2007-01-11 2015-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing
WO2015114063A1 (de) * 2014-01-30 2015-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
WO2013017364A3 (de) * 2011-08-04 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung
DE102014114914A1 (de) * 2014-10-14 2016-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2017178332A1 (de) * 2016-04-13 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung von bauelementen
DE102017115252A1 (de) * 2017-07-07 2019-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtstapels und Schichtstapel
DE102005046418B4 (de) 2004-09-29 2019-06-27 Stanley Electric Co. Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung
US10923640B2 (en) 2015-10-28 2021-02-16 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method of producing same

Families Citing this family (133)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10245930A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
KR101059361B1 (ko) * 2003-01-16 2011-08-24 파나소닉 주식회사 리드 프레임 및 반도체 발광장치
JP4493013B2 (ja) * 2003-10-08 2010-06-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置
TWM271252U (en) * 2004-12-14 2005-07-21 Niching Ind Corp Package structure of light-emitting device
US7476913B2 (en) * 2004-08-10 2009-01-13 Renesas Technology Corp. Light emitting device having a mirror portion
JP4389126B2 (ja) * 2004-10-04 2009-12-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
TWM271255U (en) * 2004-10-08 2005-07-21 Bright Led Electronics Corp High-power surface-mounted light-emitting diode with high heat dissipation property
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
JP4847954B2 (ja) * 2005-03-29 2011-12-28 京セラ株式会社 反射部材、これを用いた発光装置および照明装置
JP2006314082A (ja) * 2005-04-04 2006-11-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置
JP2006313321A (ja) * 2005-04-04 2006-11-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置
JP4991173B2 (ja) * 2005-04-27 2012-08-01 京セラ株式会社 発光素子搭載用基体ならびにこれを用いた発光装置
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
EP1974389A4 (de) 2006-01-05 2010-12-29 Illumitex Inc Separate optische vorrichtung zur lichtorientierung von einer led
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US20070181897A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Been-Yu Liaw High heat dissipating package baseplate for a high brightness LED
JP3940423B1 (ja) * 2006-03-02 2007-07-04 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 機能素子実装モジュール及びその製造方法
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
WO2007139781A2 (en) 2006-05-23 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US20080029775A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Lustrous Technology Ltd. Light emitting diode package with positioning groove
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
TW200826311A (en) * 2006-12-04 2008-06-16 Prolight Opto Technology Corp Side emitting LED
JP5102051B2 (ja) * 2007-01-18 2012-12-19 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
ES2491515T3 (es) * 2007-03-19 2014-09-08 Nagravision S.A. Tarjeta que incorpora una visualización electrónica
US8511571B2 (en) * 2007-03-19 2013-08-20 Nagraid S.A. Intermediate product intervening in the manufacturing of electronic cards
JP2009064842A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc セラミックス焼結体およびそれを用いた基板およびそれを用いた発光素子搭載用パッケージおよびそれを用いた発光装置
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
KR101488448B1 (ko) * 2007-12-06 2015-02-02 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
KR100996919B1 (ko) 2008-07-08 2010-11-26 (주) 아모엘이디 반도체 패키지
KR100996918B1 (ko) * 2008-05-16 2010-11-26 (주) 아모엘이디 전자부품 패키지
KR100987152B1 (ko) 2008-11-12 2010-10-11 (주) 아모엘이디 반도체 패키지
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8049237B2 (en) 2007-12-28 2011-11-01 Nichia Corporation Light emitting device
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
CN101499506B (zh) * 2008-01-30 2012-06-13 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管元件
WO2009100358A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
TWI419357B (zh) * 2008-03-12 2013-12-11 Bright Led Electronics Corp Manufacturing method of light emitting module
JP2009272369A (ja) * 2008-05-01 2009-11-19 Nec Lighting Ltd 発光装置およびその製造方法
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US9425172B2 (en) * 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
JP5280818B2 (ja) * 2008-11-28 2013-09-04 シャープ株式会社 発光装置
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
TWI423421B (zh) * 2009-01-17 2014-01-11 Bright Led Electronics Corp A light emitting device and a manufacturing method thereof
JP2010199547A (ja) 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
JP6133004B2 (ja) * 2009-03-31 2017-05-24 日立化成株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
US9305189B2 (en) * 2009-04-14 2016-04-05 Owl Computing Technologies, Inc. Ruggedized, compact and integrated one-way controlled interface to enforce confidentiality of a secure enclave
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
JP5431818B2 (ja) * 2009-07-21 2014-03-05 シチズン電子株式会社 発光ダイオード光源装置
US8097894B2 (en) * 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
WO2011099384A1 (ja) * 2010-02-09 2011-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8455907B2 (en) 2010-06-16 2013-06-04 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing
JP5572013B2 (ja) 2010-06-16 2014-08-13 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
DE102010026344A1 (de) * 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP5622494B2 (ja) 2010-09-09 2014-11-12 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US10050179B2 (en) 2010-10-12 2018-08-14 Rohm Co., Ltd. LED module
JP5472031B2 (ja) * 2010-10-21 2014-04-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5886584B2 (ja) 2010-11-05 2016-03-16 ローム株式会社 半導体発光装置
US8581287B2 (en) 2011-01-24 2013-11-12 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing
JP5582048B2 (ja) * 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9048396B2 (en) 2012-06-11 2015-06-02 Cree, Inc. LED package with encapsulant having planar surfaces
US10147853B2 (en) 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
KR20130014887A (ko) * 2011-08-01 2013-02-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
TW201330332A (zh) * 2012-01-02 2013-07-16 Lextar Electronics Corp 固態發光元件及其固態發光封裝體
KR101849223B1 (ko) * 2012-01-17 2018-04-17 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP6078948B2 (ja) 2012-01-20 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
JP5956167B2 (ja) * 2012-01-23 2016-07-27 スタンレー電気株式会社 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法
DE102012101102A1 (de) 2012-02-10 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Anordnung mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) * 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
US10424702B2 (en) * 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
US9887327B2 (en) 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
JP5855554B2 (ja) * 2012-10-25 2016-02-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW201428925A (zh) * 2013-01-04 2014-07-16 矽品精密工業股份有限公司 光電模組結構
JP6097084B2 (ja) 2013-01-24 2017-03-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
USD735683S1 (en) 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
FR3005785B1 (fr) * 2013-05-14 2016-11-25 Aledia Dispositif optoelectronique et son procede de fabrication
FR3005784B1 (fr) 2013-05-14 2016-10-07 Aledia Dispositif optoelectronique et son procede de fabrication
JP5610036B2 (ja) * 2013-06-03 2014-10-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
DE102013112549B4 (de) * 2013-11-14 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP6176101B2 (ja) * 2013-12-17 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージ及び発光装置
JP2015185760A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 東芝ライテック株式会社 発光モジュール
JP2015225942A (ja) * 2014-05-28 2015-12-14 サンケン電気株式会社 発光装置
JP6369266B2 (ja) * 2014-09-30 2018-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
KR102346798B1 (ko) 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
DE102015109324A1 (de) * 2015-06-11 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren und Anordnung
DE102015112042B4 (de) * 2015-07-23 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Leuchtvorrichtung
US9859480B2 (en) 2015-08-20 2018-01-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP6633881B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-22 ローム株式会社 Led照明器具およびその製造方法
US10290777B2 (en) 2016-07-26 2019-05-14 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
JP6533766B2 (ja) * 2016-09-07 2019-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
DE102017105035A1 (de) 2017-03-09 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes bauteil und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauteils
JP2019017734A (ja) * 2017-07-18 2019-02-07 新日本無線株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7037044B2 (ja) * 2017-12-27 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
JP7277276B2 (ja) * 2019-06-18 2023-05-18 スタンレー電気株式会社 発光装置
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
US11594662B2 (en) * 2019-07-31 2023-02-28 Nichia Corporation Light-emitting device
JP7071680B2 (ja) * 2021-01-12 2022-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5353983U (de) * 1976-10-12 1978-05-09
JPS6063970A (ja) * 1983-09-17 1985-04-12 Fanuc Ltd 平行光線を放射する発光ダイオ−ド
FR2593930B1 (fr) * 1986-01-24 1989-11-24 Radiotechnique Compelec Dispositif opto-electronique pour montage en surface
US4905075A (en) * 1986-05-05 1990-02-27 General Electric Company Hermetic semiconductor enclosure
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
US5043716A (en) * 1988-07-14 1991-08-27 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
US5245620A (en) * 1990-04-28 1993-09-14 Rohm Co., Ltd. Laser diode system for reflecting and maintaining laser light within the system
DE59305898D1 (de) * 1993-12-22 1997-04-24 Siemens Ag Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19536454B4 (de) * 1995-09-29 2006-03-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE19549818B4 (de) * 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE19621124A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
JP3316838B2 (ja) 1997-01-31 2002-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP1004145B1 (de) * 1997-07-29 2005-06-01 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauelement
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP3704941B2 (ja) * 1998-03-30 2005-10-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3985332B2 (ja) 1998-04-02 2007-10-03 松下電器産業株式会社 半導体発光装置
DE19854733A1 (de) * 1998-11-27 2000-05-31 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung
JP2000183407A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Rohm Co Ltd 光半導体装置
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
US6486499B1 (en) * 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
CN1225801C (zh) * 2000-02-09 2005-11-02 日本光源股份有限公司 光源装置
JP2001223390A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP3685018B2 (ja) * 2000-05-09 2005-08-17 日亜化学工業株式会社 発光素子とその製造方法
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
JP2003017751A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
JP4193446B2 (ja) 2001-08-22 2008-12-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP2003338019A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Hitachi Ltd 磁気記録媒体、及びその製造方法
US20030219919A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Wang Der-Nan Package method for enhancing the brightness of LED
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10245580B4 (de) * 2002-09-27 2006-06-01 Siemens Ag Einrichtung zur Erzeugung eines Bildes
DE10245892A1 (de) * 2002-09-30 2004-05-13 Siemens Ag Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung einer Bildwiedergabevorrichtung
DE10245933B4 (de) * 2002-09-30 2013-10-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Einrichtung zur Erzeugung eines gebündelten Lichtstroms
DE10245930A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
JP2004140185A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
JP4773048B2 (ja) * 2003-09-30 2011-09-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
KR100586970B1 (ko) * 2004-05-28 2006-06-08 삼성전기주식회사 액정 디스플레이 표시장치의 백라이트 유닛
TWM271255U (en) * 2004-10-08 2005-07-21 Bright Led Electronics Corp High-power surface-mounted light-emitting diode with high heat dissipation property
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7456500B2 (en) 2002-09-30 2008-11-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source module and method for production thereof
WO2005093853A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil mit mehrteiligem gehäusekörper
US8735930B2 (en) 2004-03-23 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with multi-part housing body
DE102005046418B4 (de) 2004-09-29 2019-06-27 Stanley Electric Co. Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung
EP1770797A3 (de) * 2005-09-30 2008-01-23 Osram Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement
EP1770797A2 (de) 2005-09-30 2007-04-04 Osram Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement
US7728507B2 (en) 2005-09-30 2010-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting component provided with metallic injected-molded carrier
EP1806792B1 (de) * 2006-01-06 2013-07-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren
US7872278B2 (en) 2006-10-11 2011-01-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Light emitting diode system, method for producing such a system, and backlighting device
US9054279B2 (en) 2007-01-11 2015-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing
DE102007029369A1 (de) * 2007-06-26 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2009076922A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen halbleiterbauelement
US8994047B2 (en) 2007-12-14 2015-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Arrangement comprising at least one optoelectronics semiconductor component
WO2011064072A1 (de) * 2009-11-25 2011-06-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines gehäuses
US9006773B2 (en) 2009-11-25 2015-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component and method for producing a housing
DE102010027748A1 (de) * 2010-04-14 2011-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2011127909A1 (de) * 2010-04-15 2011-10-20 Excelitas Technologies Elcos Gmbh Flüssigreflektor
DE102010028407B4 (de) * 2010-04-30 2021-01-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102010028407A1 (de) * 2010-04-30 2011-11-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Optoelektronischen Bauelements
US8692275B2 (en) 2010-05-27 2014-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component and a compound structure
DE102010021791A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds
US9240536B2 (en) 2010-06-15 2016-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mountable optoelectronic component and method for producing a surface-mountable optoelectronic component
WO2011157522A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements
US10020434B2 (en) 2010-06-15 2018-07-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mountable optoelectronic component and method for producing a surface-mountable optoelectronic component
WO2011161183A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
CN102959746A (zh) * 2010-06-24 2013-03-06 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体构件
US9818921B2 (en) 2010-06-24 2017-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
DE102010024864A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2011160968A1 (de) * 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
CN102959746B (zh) * 2010-06-24 2015-08-26 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体构件
DE102010024864B4 (de) * 2010-06-24 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US10217915B2 (en) 2010-06-24 2019-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US8860062B2 (en) 2010-07-15 2014-10-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
DE102010027253B4 (de) 2010-07-15 2022-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010027253A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102011079403A1 (de) * 2011-07-19 2013-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US9368700B2 (en) 2011-07-19 2016-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
WO2013017364A3 (de) * 2011-08-04 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung
DE102011118290A1 (de) * 2011-11-10 2013-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
WO2013178469A1 (de) * 2012-06-01 2013-12-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls
US9209372B2 (en) 2012-06-01 2015-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic module and method for producing an optoelectronic module
WO2014032924A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 Osram Gmbh Verfahren zum herstellen eines led-moduls und led-modul
US9923129B2 (en) 2012-08-31 2018-03-20 Osram Gmbh Method for producing an LED module and LED module
WO2015114063A1 (de) * 2014-01-30 2015-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
DE102014114914A1 (de) * 2014-10-14 2016-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US10923640B2 (en) 2015-10-28 2021-02-16 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method of producing same
WO2017178332A1 (de) * 2016-04-13 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung von bauelementen
US10615323B2 (en) 2016-04-13 2020-04-07 Osram Oled Gmbh Component having a reflector and method of producing components
DE102017115252A1 (de) * 2017-07-07 2019-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtstapels und Schichtstapel
US11508878B2 (en) 2017-07-07 2022-11-22 Osram Oled Gmbh Method of producing a layer stack and layer stack

Also Published As

Publication number Publication date
US20050218531A1 (en) 2005-10-06
US7795633B2 (en) 2010-09-14
US20040089898A1 (en) 2004-05-13
JP2004040099A (ja) 2004-02-05
US20090026482A1 (en) 2009-01-29
US20050093005A1 (en) 2005-05-05
US7514279B2 (en) 2009-04-07
US7948046B2 (en) 2011-05-24
US8314441B2 (en) 2012-11-20
US7429758B2 (en) 2008-09-30
DE10229067B4 (de) 2007-08-16
US20110180822A1 (en) 2011-07-28
US20100327307A1 (en) 2010-12-30
US6900511B2 (en) 2005-05-31

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