DE10241155B4

DE10241155B4 - Apparatus for terminating the thinning of a workpiece and method for terminating a machining operation

Info

Publication number: DE10241155B4
Application number: DE2002141155
Authority: DE
Inventors: Uwe Seidel; Ulrich Ender; Jürgen Otto
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2002-09-05
Filing date: 2002-09-05
Publication date: 2008-07-03
Anticipated expiration: 2022-09-06
Also published as: DE10241155A1

Abstract

Vorrichtung (10) zum Beenden des Dünnens eines Werkstücks (40),
mit einer Strahlungssendeeinheit (20), die eine Strahlung (46) auf einen Bereich (44) richtet, durch den von einer zu bearbeitenden Fläche eines Werkstücks (40) kommender Abtrag oder Abrieb transportiert wird,
mit einer Strahlungsempfangseinheit (22), die aus dem Bereich (44) kommende Strahlung (48) empfängt,
und mit einer Auswerteeinheit (24),
wobei der bestrahlte Bereich (44) außerhalb eines zwischen Werkstück (40) und einer Arbeitsfläche (14) liegenden Bearbeitungsbereiches liegt,
dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteeinheit (24) abhängig von einem Ausgangssignal (50) der Strahlungsempfangseinheit (22) einen Farbumschlag erfasst und den Bearbeitungsvorgang beendet.Device (10) for terminating the thinning of a workpiece (40),
with a radiation transmission unit (20) which directs radiation (46) onto a region (44) through which removal or abrasion coming from a surface to be machined of a workpiece (40) is transported,
with a radiation receiving unit (22) receiving radiation (48) coming from the area (44),
and with an evaluation unit (24),
wherein the irradiated area (44) lies outside of a processing area lying between the workpiece (40) and a work surface (14),
characterized in that the evaluation unit (24) detects a color change depending on an output signal (50) of the radiation receiving unit (22) and terminates the processing operation.

Description

Die Erfindung betrifft bspw. eine Vorrichtung zum ganzflächigen Dünnen eines Werkstücks, z. B. in einem Poliervorgang, in einem Schleifvorgang, in einem Läpp- oder in einem Hohnvor gang. Solche Vorrichtungen enthalten eine Aufnahmevorrichtung, die mindestens ein Werkstück während eines Bearbeitungsvorganges zum Dünnen aufnimmt. Außerdem gibt es mindestens eine Auflagefläche, die während des Bearbeitungsvorganges eine zu bearbeitende Fläche des Werkstücks berührt. Eine Antriebs- und Energieübertragungseinheit erzeugt während des Bearbeitungsvorganges eine Relativbewegung zwischen Werkstück und Arbeitsfläche. Durch die Relativbewegung wird von der zu bearbeitenden Fläche Abrieb abgerieben, wodurch das Werkstück gedünnt wird.The The invention relates to, for example, a device for full-surface thinning of a Workpiece z. B. in a polishing process, in a grinding process, in a Lapping or in a mocking process. Such devices include a receiving device which at least one workpiece while a processing operation for thinning absorbs. There are also there is at least one support surface, the while the machining process a surface to be machined workpiece touched. A drive and power transmission unit generated during the Machining process a relative movement between the workpiece and work surface. By the relative movement becomes abrasion from the surface to be worked rubbed off, causing the workpiece thinned becomes.

Aus der US-Patentschrift 6,077,147 A ist ein Verfahren zum Erfassen des Endpunktes eines CMP-Prozesses bekannt, bei dem beim Polieren einer Kupferschicht das von einem Poliermittel reflektierte Licht in einem Spektrumanalysator analysiert wird. Die Wellenlänge des von dem Poliermittel reflektierten Lichtes verändert sich allmählich mit der Zeit.From the U.S. Patent 6,077,147A For example, there is known a method for detecting the end point of a CMP process, wherein when polishing a copper layer, the light reflected from a polishing agent is analyzed in a spectrum analyzer. The wavelength of the light reflected from the polishing agent gradually changes with time.

Aus der US-Patentsschrift 6,190,234 B1 ist ein Verfahren zur Endpunkterfassung bekannt, das auf Interferenzeffekten beruht. Aus der US-Patentschrift 5,872,633 A sind zwei Verfahren zum Erfassen des Abtragens von dünnen Schichten bekannt. Das erste Verfahren beruht auf Interferenzmessungen und ist somit nicht bei Kupferschichten und bei der Untersuchung von Abrieb einsetzbar. Das zweite Verfahren wertet die Änderung der Reflexionseigenschaften der Oberfläche nach dem Abtragen einer Schicht aus. Der bearbeitete Wafer wird zum Erfassen über den Rand einer Arbeitsfläche geschoben. Es werden eine breit bandige Lichtquelle und ein Fotospektrometer verwendet.From the US Pat. No. 6,190,234 B1 For example, a method of endpoint detection is known that relies on interference effects. From the U.S. Patent 5,872,633 A For example, two methods of detecting the removal of thin layers are known. The first method is based on interference measurements and thus can not be used for copper layers and in the investigation of abrasion. The second method evaluates the change in the reflection properties of the surface after the removal of a layer. The processed wafer is pushed over the edge of a work surface for detection. A broadband light source and a photospectrometer are used.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine einfach aufgebaute Vorrichtung zum Dünnen eines Werkstücks anzugeben, mit der der Endzeitpunkt des Bearbeitungsvorganges auf einfache Art bestimmbar ist. Außerdem soll ein zugehöriges Verfahren zum Beenden eines Bearbeitungsvorganges angegeben werden.It Object of the invention, a simply constructed device for thin a workpiece specify with the end time of the machining operation on simple way is determinable. Furthermore should be an associated Method for terminating a machining operation can be specified.

Die auf die Vorrichtung bezogene Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst. Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.The The object related to the device is achieved by a device solved with the features specified in claim 1. further developments are in the subclaims specified.

Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass insbesondere Übergänge zwischen verschiedenen Schichten des Werkstücks zum Erfassen des Endzeitpunktes besonders geeignet sind. Ein solcher Übergang könnte über den geänderten Antriebsstrom der Antriebseinheit beim Übergang zwischen den Schichten erfasst werden. Auch eine Endzeiterkennung über eine chemische Analyse des Abriebs wäre möglich. Jedoch ist der apparative Auf wand für solche Verfahren beträchtlich. Außerdem geht die Erfindung von der Überlegung aus, dass es beim Übergang zwischen den Schichten üblicherweise eine Änderung in der Anzahl von Abriebteilchen und/oder in der Farbe des Abriebs gibt. Solche Änderungen lassen sich einfach erfassen, weil sich dadurch die Transmission-, Reflektions- bzw. Absorptionseigenschaften des Abriebs bezüglich einer auf den Abrieb gerichteten Strahlung ändern.The Invention goes from consideration from that particular transitions between different layers of the workpiece for detecting the end time are particularly suitable. Such a transition could be via the changed drive current of the drive unit at the transition be detected between the layers. Also an end-time detection via a chemical analysis of the abrasion would be possible. However, the equipment required for such procedures is considerable. Furthermore the invention goes from consideration from that, it's the transition between the layers usually a change in the number of abrasive particles and / or in the color of the abrasion gives. Such changes can be easily detected because this causes the transmission, Reflecting or absorbing properties of the abrasion with respect to a change to the abrasion-directed radiation.

Deshalb enthält die erfindungsgemäße Vorrichtung eine Strahlungseinheit, die eine Strahlung auf einen Bereich richtet, durch den beim Arbeitsvorgang von der zu bearbeitenden Fläche kommender Abrieb transportiert wird. Eine Strahlungsempfangseinheit empfängt die aus dem bestrahlten Bereich kommende Strahlung. Eine Auswerteeinrichtung erfasst einen Farbumschlag und beendet abhängig von einem Ausgangssignal der Strahlungsempfangseinheit den Bearbeitungsvorgang.Therefore contains the device according to the invention a radiation unit that directs radiation to a region by the abrasion coming from the surface to be treated during the working process is transported. A radiation receiving unit receives the radiation coming from the irradiated area. An evaluation device detects a color change and stops depending on an output signal the radiation receiving unit the machining process.

Erfindungsgemäß liegt der vom Abrieb durchquerte Bereich außerhalb eines zwischen dem Werkstück und der Arbeitsfläche liegenden Bearbeitungsbereiches. Durch diese Maßnahme lassen sich die Strahlungssendeeinheit und die Strahlungsempfangseinheit auf einfache Art in die Vorrichtungen einbauen. Der Bearbeitungsbereich ist nämlich nur schwer zugänglich. Insbesondere wird vermieden, dass die Strahlungssendeeinheit oder die Strahlungsempfangseinheit an rotierenden Teilen befestigt werden muss.According to the invention the area traversed by abrasion outside of between the workpiece and the working surface lying processing area. By this measure, the radiation transmission unit can be and the radiation receiving unit in a simple manner in the devices Install. The editing area is difficult to access. In particular, it is avoided that the radiation transmitting unit or the radiation receiving unit are attached to rotating parts got to.

Bei einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist die Strahlungssendeeinheit eine Leuchtdiode oder eine Laserdiode. Diese Dioden senden Strahlung nur innerhalb eines schmalen Frequenzbandes aus. Die Strahlungsempfangseinheit muss somit ebenfalls nur Strahlung innerhalb eines schmalen Frequenzbandes empfangen und ist bei einer anderen Weiterbildung eine Fotodiode oder ein Fototransistor. Durch das Verwenden nur eines Strahlungssenders und nur eines Strahlungsempfängers sind in der Vorrichtung zusätzlich erforderliche Einheiten zur Erfassung des Endzeitpunktes sehr einfach aufgebaut und kostengünstig herstellbar, insbesondere mit wenigen und dazu noch sehr preiswerten Bauelementen. Insbesondere wird keine Auswertung eines sich über mehrere hundert Nanometer erstreckenden Strahlungsspektrums ausgeführt.at a development of the device according to the invention is the radiation transmission unit a light emitting diode or a laser diode. These diodes send radiation only within a narrow frequency band. The radiation receiving unit must thus also only radiation within a narrow frequency band received and is in another development, a photodiode or a phototransistor. By using only one radiation transmitter and only one radiation receiver are additional in the device required units for the detection of the end time very easy built and inexpensive Can be produced, especially with a few and very cheap Components. In particular, no evaluation of one over several one hundred nanometers extending radiation spectrum.

Bei einer nächsten Weiterbildung ist die Vorrichtung eine Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren. Die Poliervorrichtung enthält eine Poliermittelzuführeinheit, die während des Bearbeitungsvorganges Poliermittel zuführt. Das Poliermittel enthält Polierkörner und einen das abzutragende Material angreifenden chemischen Zusatz. Die Polierkörner haben beispielsweise einen Durchmesser im Bereich zwischen zwanzig Nanometern und vierhundert Nanometern, vorzugsweise bis einhundert Nanometern.In a next development, the device is a device for chemical-mechanical polishing. The polishing apparatus includes a polishing agent supply unit which during the processing tion process supplies polishing agent. The polishing agent contains polishing grains and a chemical additive attacking the material to be removed. The polishing grains have, for example, a diameter in the range between twenty nanometers and four hundred nanometers, preferably up to one hundred nanometers.

Bei einer anderen Weiterbildung erzeugt die Antriebs- und Energieübertragungsvorrichtung eine Rotationsbewegung der Arbeitsfläche. Durch die Rotationsbewegung wird der Abrieb auf einfache Art und Weise aus dem Arbeitsbereich in den Bestrahlungsbereich transportiert. Durch das Verwenden einer Arbeitsflüssigkeit lässt sich der Abrieb bspw. auch quer zur Rotationsrichtung transportieren. Aber auch Linearbewegungen zwischen Werkstück und Unterlage werden verwendet, bspw. beim Polieren mit Hilfe eines Polierbandes.at another development generates the drive and power transmission device a rotational movement of the work surface. By the rotation movement Abrasion is easily removed from the work area transported in the irradiation area. By using a working fluid let yourself the abrasion, for example, transversely to the direction of rotation transport. But also linear movements between workpiece and base are used For example, when polishing with the help of a polishing belt.

Bei einer anderen Weiterbildung sind die Strahlungssendeeinheit und die Strahlungsempfangseinheit relativ zu einem Maschinenrahmen der Vorrichtung ruhend und damit auf einfache Art angeordnet. Insbesondere müssen keine Maßnahmen getroffen werden, die ein Verdrehen und letztlich ein Abreißen von Leitungen verhindern.at another development, the radiation transmission unit and the radiation receiving unit relative to a machine frame of the device resting and thus arranged in a simple way. In particular, no need activities which are twisting and ultimately tearing off Prevent cables.

Die Vorrichtung wird bei einer nächsten Weiterbildung zur Bearbeitung von Halbleiterscheiben verwendet. Deshalb ist die Aufnahmevorrichtung zur Aufnahme einer Halbleiterscheibe geeignet. Die Halbleiterscheibe wird beispielsweise mit Hilfe eines Unterdrucks in der Aufnahmevorrichtung gehalten. Jedoch gibt es auch Spannvorrichtungen für Halbleiterscheiben. Insbesondere müssen bei Halbleiterscheiben hohe Anforderungen an den Bearbeitungsprozess erfüllt werden. So haben beispielsweise bereits kleine Abweichungen von einer vorgegebenen Dicke des Werkstücks erhebliche Änderungen von Leitbahnwiderständen zur Folge. Damit müssen Abweichungen der Polierrate von einer Sollpolierrate und auch Abweichungen der Dicke von einer Solldicke beim Aufbringen der abzutragenden Schicht ausgeglichen werden. Dies ist aufgrund des erfindungsgemäßen Verfahrens auf einfache Art und Weise möglich.The Device will be at a next Training used for processing of semiconductor wafers. Therefore, the receiving device for receiving a semiconductor wafer suitable. The semiconductor wafer is, for example, by means of a negative pressure held in the receiving device. However, there are also tensioning devices for semiconductor wafers. In particular, need For semiconductor wafers high demands on the machining process Fulfills become. For example, even small deviations from a given thickness of the workpiece significant changes of track resistances result. So have to Deviations of the polishing rate from a target polishing rate and also deviations the thickness of a target thickness during application of the ablated Layer are compensated. This is due to the method of the invention in a simple way possible.

Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zum Beenden eines Bearbeitungsvorganges. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird von der Oberfläche eines Werkstücks Material einer abzutragenden Schicht abgetragen, bspw. abgerieben. Die abzutragende Schicht grenzt an eine Stoppschicht, die eine andere Materialzusammensetzung als die abzutragende Schicht hat. Damit entsteht auch ein Abrieb mit einer anderen Materialzusammensetzung, wenn die Stoppschicht erreicht wird. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Abrieb mit einer Strahlung bestrahlt. Aufgrund des Erfassens einer beim Erreichen der Stoppschicht auftretenden anderen Wechselwirkung zwischen Abrieb und Strahlung als vor dem Erreichen der Stoppschicht wird dann der Bearbeitungsvorgang beendet.The Invention also relates a method for ending a machining operation. In the method according to the invention gets off the surface a workpiece Ablated material of a layer to be removed, for example, rubbed off. The layer to be removed borders on one stop layer, the other one Material composition than the layer to be removed. In order to also creates an abrasion with a different material composition, if the stop layer is reached. In the method according to the invention the abrasion is irradiated with radiation. Because of the detection a different interaction occurring upon reaching the stop layer between abrasion and radiation as before reaching the stop layer then the editing process is ended.

Bei einer Weiterbildung des Verfahrens wird zum Erzeugen des Abriebs ein flüssiges oder fließfähiges Arbeitsmittel genutzt. Das Arbeitsmittel ist bspw. ein Poliermittel, das Polierkörner und einen das abzutragende Material angreifenden chemischen Zusatz enthält. Der chemische Zusatz greift das Material der abzutragenden Schicht und das Material der Stoppschicht unterschiedlich stark an. Außerdem kommt es aufgrund des chemischen Zusatzes mit dem Material der abzu tragenden Schicht oder mit dem Material der Stoppschicht zur Bildung eines Materials, dass das Poliermittel verfärbt. Bei einer Ausgestaltung bildet der Zusatz mit dem Material der abzutragenden Schicht oder mit dem Material der Stoppschicht eine Verbindung mit einer Farbe, die verschieden von weiß ist. Beim Erreichen der Stoppschicht tritt ein Farbumschlag der Färbung des Poliermittels auf, der sich auf einfache Art erfassen lässt.at a development of the method is used to generate the abrasion a liquid or flowable working medium used. The working fluid is, for example, a polishing agent, the polishing grains and contains a chemical additive which attacks the material to be removed. Of the chemical additive attacks the material of the layer to be removed and the material of the stop layer to different degrees. Besides that comes it due to the chemical additive with the material to be worn Layer or with the material of the stop layer to form a material, that the polish discolored. In one embodiment, the additive forms with the material of the ablated Layer or with the material of the stop layer, a compound with a color that is different from white. When reaching the stop layer occurs a color change of the coloring of the polishing agent, which can be detected in a simple manner.

Bei einer nächsten Weiterbildung ist die abzutragende Schicht eine Metallschicht, insbesondere eine Kupferschicht, die aus Kupfer besteht oder einer Kupferlegierung mit einem Kupferanteil von über neunzig Volumenprozent oder über neunzig Masseprozent. Beim chemisch-mechanischen Polieren von Kupfer wird beispielsweise Wasserstoffperoxid H₂O₂ verwendet, das bspw. zur Bildung von Kupferhydroxid Cu(OH)₂ führt. Auch Kupfer(II)acetat und Kupferkarbonat CuCO₃ werden bei entsprechenden Zusätzen gebildet. Die genannten Verbindungen färben das Poliermittel grün bzw. bläulich-grün bis zu türkis-grün. Diese Färbung ist vom sogenannten Grünspan bzw. von Kupfer-Patina her bekannt. Bei einem grünlich gefärbten Poliermittel wird eine rote oder eine blaue Strahlung verwendet, um ein sicheres Ermitteln des Endzeitpunktes zu gewährleisten.In a next development, the layer to be removed is a metal layer, in particular a copper layer, which consists of copper or a copper alloy with a copper content of more than ninety percent by volume or over ninety percent by mass. In the chemical-mechanical polishing of copper, for example, hydrogen peroxide H ₂ O _{2 is} used, which, for example, leads to the formation of copper hydroxide Cu (OH) ₂ . Also copper (II) acetate and copper carbonate CuCO ₃ are formed with appropriate additives. The compounds mentioned dye the polish green or bluish-green to turquoise-green. This color is known from the so-called verdigris or from copper patina ago. In the case of a greenish-colored polish, red or blue radiation is used to ensure a safe determination of the end time.

Bei einer anderen Weiterbildung ist die abzutragende Schicht eine dielektrische Schicht, beispielsweise eine Oxidschicht aus Siliziumdioxid. Das Poliermittel enthält einen Zusatz, der bei der Reaktion mit dem Material der dielektrischen Schicht eine Verbindung mit einer anderen Farbe als weiß bildet, beispielsweise einer braunen Farbe, falls eisenhaltige Zusätze verwendet werden. In diesem Fall werden mit einer blauen Strahlung gute Erfassungsergebnisse erzielt.at In another development, the layer to be removed is a dielectric Layer, for example, an oxide layer of silicon dioxide. The polish contains an additive used in the reaction with the material of the dielectric Layer forms a compound with a color other than white, for example a brown color if ferrous additives are used. In this Case become good detection results with a blue radiation achieved.

Bei einer nächsten Weiterbildung wird das erfindungsgemäße Verfahren bzw. eine seiner Weiterbildungen mit Hilfe der erfindungsgemäßen Vorrichtung bzw. einer ihrer Weiterbildungen ausgeführt. Auch die erfindungsgemäße Vorrichtung lässt sich um Einheiten ergänzen, die zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens oder einer seiner Weiterbildungen geeignet sind.In a next development, the method according to the invention or one of its developments is carried out with the aid of the device according to the invention or one of its developments. The device according to the invention can also be supplemented by units which are used to carry out the invention method according to the invention or one of its developments are suitable.

Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnungen erläutert. Darin zeigen:in the Below are embodiments of the Invention with reference to the accompanying drawings. In this demonstrate:

1 eine Poliermaschine, 1 a polishing machine,

2 den Aufbau eines Sende-/Empfangsteils und Funktionseinheiten einer Auswerteeinheit der Poliermaschine, 2 the structure of a transmitting / receiving part and functional units of an evaluation unit of the polishing machine,

3 den Spannungsverlauf an einem der Auswerteeinheit vorgeschalteten Fototransistor während des Polierens, und 3 the voltage curve at a the evaluation unit upstream phototransistor during polishing, and

4 eine integrierte Schaltungsanordnung, bei deren Herstellung mehrere Polierverfahren durchgeführt worden sind. 4 an integrated circuit arrangement, in the production of which several polishing methods have been carried out.

1 zeigt eine Poliermaschine 10, die einen rotierenden Poliertisch 12, eine auf den Poliertisch 12 aufgeklebte Poliertischauflage 14, einen rotierenden Scheibenträger 16, eine Poliermittelzuführeinheit 18, eine Sendeeinheit 20, eine Empfangseinheit 22, eine Auswerteeinheit 24 und eine Antriebseinheit 26 enthält. 1 shows a polishing machine 10 holding a rotating polishing table 12 , one on the polishing table 12 glued polishing pad 14 , a rotating disk carrier 16 a polishing agent supply unit 18 , a transmitting unit 20 , a receiving unit 22 , an evaluation unit 24 and a drive unit 26 contains.

Der Poliertisch 12 und der Scheibenträger 16 werden durch die Antriebseinrichtung 26, die beispielsweise einen Elektromotor enthält, gleichsinnig zueinander gedreht, siehe Pfeile 28 und 30. Eine Kraftübertragungseinheit 32 zwischen der Antriebseinheit 26 und einer Antriebswelle 34 des Poliertisches 12 wird in 1 durch einen Doppelpfeil dargestellt. Eine nicht dargestellte Kraftübertragungseinrichtung liegt zwischen der Antriebseinheit 26 und einer Antriebswelle 36 des Scheibenträgers 16.The polishing table 12 and the disk carrier 16 be by the drive device 26 , which contains, for example, an electric motor, rotated in the same direction to each other, see arrows 28 and 30 , A power transmission unit 32 between the drive unit 26 and a drive shaft 34 of the polishing table 12 is in 1 represented by a double arrow. An unillustrated power transmission device is located between the drive unit 26 and a drive shaft 36 the disk carrier 16 ,

Die Poliertischauflage 14 wird auch als Pad bezeichnet und ist elastisch und so strukturiert, dass ein mit Hilfe der Poliermittelzuführeinheit 18 zugeführtes Poliermittel 38 in einen Arbeitsbereich zwischen einer vom Scheibenträger 16 gehaltenen Halbleiterscheibe 40, d. h. einem Wafer, und der Poliertischauflage 14 liegenden Arbeitsbereich 42 dringen kann. Das Poliermittel 38 enthält beispielsweise Polierkörner aus Quarz, Aluminiumoxid oder Ceriumoxid, sowie Zusätze, die ein selektives Polieren zwischen abzutragender Schicht und Stoppschicht ermöglichen. Die Selektivität ist bspw. größer als fünfzig, größer als einhundert oder größer als einhundertfünfzig. Bei einer Selektivität von bspw. fünfzig wird die abzutragende Schicht bei gleichbleibenden Ätzbedingungen fünfzig mal schneller gedünnt als die Stoppschicht.The polishing pad 14 is also referred to as a pad and is elastic and structured so that one with the help of the polishing agent supply unit 18 supplied polishing agent 38 in a work area between one of the disk carrier 16 held semiconductor wafer 40 ie, a wafer, and the polishing table pad 14 lying work area 42 can penetrate. The polish 38 contains, for example, polishing grains of quartz, alumina or cerium oxide, as well as additives that allow selective polishing between the layer to be removed and the stop layer. The selectivity is, for example, greater than fifty, greater than one hundred or greater than one hundred and fifty. At a selectivity of, for example, fifty, the layer to be removed is thinned fifty times faster than the stop layer under constant etching conditions.

Aus der Poliermittelzuführeinheit 18, z. B. einem Rohr mit einem Durchmesser von wenigen Millimetern, tropft das Poliermittel in die Mitte der Poliertischauflage 14. Von dort verteilt sich das Poliermittel aufgrund der Zentrifugalkraft bis in die Randbereiche der Poliertischauflage 14. Die Sendeeinheit 20 bestrahlt einen Randbereich 44 der Poliertischauflage 14 mit einem Sendelichtstrahl 46. Die Intensität des Sendelichtstrahls 46 beim Durchdringen des Abriebs wird abhängig von der Farbe des Abriebs und damit auch der Färbung des Poliermittels 38 verschieden stark beeinflusst. Ein vom Randbereich 44 der im Ausführungsbeispiel weißen Poliertischauflage 14 reflektierter Strahl 48 durchdringt das mit Abrieb versetzte Poliermittel 18 nochmals und trifft auf die Empfangseinheit 22. Die Empfangseinheit 22 erzeugt ein elektrisches Ausgangssignal auf einer Leitung 50, die zur Auswerteeinheit 24 führt. Der Aufbau der Auswerteeinheit 24 wird unten an Hand der 2 näher erläutert.From the polishing agent supply unit 18 , z. As a tube with a diameter of a few millimeters, the polishing agent drops in the middle of the polishing pad 14 , From there, the polishing agent spreads due to the centrifugal force into the edge regions of the polishing pad 14 , The transmitting unit 20 irradiates a border area 44 the polishing table pad 14 with a transmitted light beam 46 , The intensity of the transmitted light beam 46 when penetrating the abrasion becomes dependent on the color of the abrasion and thus the color of the polish 38 variously influenced. One from the edge area 44 in the exemplary embodiment white polishing pad 14 reflected beam 48 penetrates the abraded polishing agent 18 again and meets the receiving unit 22 , The receiving unit 22 generates an electrical output signal on a line 50 to the evaluation unit 24 leads. The structure of the evaluation unit 24 will be at the bottom of the hand 2 explained in more detail.

Die Auswerteeinheit 24 erzeugt auf einer Leitung 52 ein Endzeitpunktsignal, mit dessen Hilfe die Antriebseinheit 26 den Scheibenträger 16 von der Poliertischauflage 14 abhebt, wenn der Poliervorgang beendet werden soll. Alternativ oder zusätzlich wird die Drehbewegung gestoppt.The evaluation unit 24 generated on a wire 52 an end time signal, with the aid of which the drive unit 26 the disk carrier 16 from the polishing table pad 14 takes off when the polishing process is to be terminated. Alternatively or additionally, the rotational movement is stopped.

2 zeigt den Aufbau eines Sende-/Empfangsteils 60 sowie Funktionseinheiten der Auswerteeinheit 24, die einen Analog-Digital-Wandler 62 und eine Datenverarbeitungsanlage 64 enthält. Das Sende-/Empfangsteil 60 enthält eine in der Sendeeinheit 20 enthaltene Leuchtdiode 66, deren Anode an einer Masseleitung M liegt, die eine Potential von null Volt führt. Die Kathode der Leuchtdiode 66 ist mit einem Vorwiderstand R1 verbunden, der an eine Betriebsspannungsleitung UM führt, an der ein Potential von bspw. minus fünf Volt anliegt. Die Leuchtdiode 66 sendet im Ausführungsbeispiel rotes Licht mit einer Wellenlänge von sechshundertsechzig Nanometern aus. Das Licht der Fotodiode 66 trifft auf das mit Abrieb versetzte Poliermittel 38 im Randbereich 44 auf und wird dann zu einem Fototransistor FT reflektiert. 2 shows the structure of a transmitting / receiving part 60 as well as functional units of the evaluation unit 24 that has an analog-to-digital converter 62 and a data processing system 64 contains. The transmitting / receiving part 60 contains one in the transmitting unit 20 included light emitting diode 66 , whose anode is connected to a ground line M, which carries a potential of zero volts. The cathode of the LED 66 is connected to a series resistor R1, which leads to an operating voltage line UM, at which a potential of, for example, minus five volts is applied. The light-emitting diode 66 In the exemplary embodiment, it emits red light with a wavelength of sixty-six nanometers. The light of the photodiode 66 meets the abraded polish 38 at the edge 44 and is then reflected to a phototransistor FT.

Im Ausführungsbeispiel wird ein pnp-Fototransistor FT eingesetzt, dessen Emitter über einen Arbeitswiderstand R3 mit der Masseleitung M verbunden ist. Der Kollektor des Fotowiderstandes FT ist mit der Betriebsspannungsleitung UM verbunden. Vom Emitter des Fototransistors FT führt außerdem eine elektrisch leitende Verbindung zu einem Eingang des Analog-Digital-Wandlers 62.In the exemplary embodiment, a pnp phototransistor FT is used whose emitter is connected via a load resistor R3 to the ground line M. The collector of the photoresistor FT is connected to the operating voltage line UM. From the emitter of the phototransistor FT also performs an electrically conductive connection to an input of the analog-to-digital converter 62 ,

Der Analog-Digital-Wandler 62 wandelt die an seinem Eingang liegende Eingangsspannung in ein digitales Datum um, das über einen Datenbus 68 zur Datenverarbeitungsanlage 64 gelangt. Die Datenverarbeitungsanlage 64 erzeugt ein Endpunktsignal A, das einer Ansteuereinheit der Antriebseinheit 26 zugeführt wird.The analog-to-digital converter 62 converts the input voltage at its input to a digital datum via a data bus 68 to the data processing system 64 arrives. The data processing system 64 generates an endpoint signal A, which is a drive unit of the drive unit 26 is supplied.

Das Sende-/Empfangsteil 60 enthält abgesehen von der Spannungsversorgungsschaltung nur vier Bauelemente und liefert trotzdem Messdaten, die für eine sichere Erfassung des Endzeitpunktes des Polierprozesses geeignet sind.The transmitting / receiving part 60 contains apart from the power supply circuit only four components and still provides measurement data that are suitable for reliable detection of the end time of the polishing process.

3 zeigt einen Spannungsverlauf 100 am Eingang des Analog-Digital-Wandlers 62 während des Poliervorganges. Der Spannungsverlauf 100 wird in einem Koordinatensystem 102 dargestellt, das eine x-Achse 104 zum Darstellen der Polierzeit t in einem Bereich von null Sekunden bis einhundertsechsundzwanzig Sekunden und eine y-Achse 106 zum Darstellen der Spannung U in einem Bereich von minus 2,7 Volt bis minus 3,7 Volt hat. 3 shows a voltage curve 100 at the input of the analog-to-digital converter 62 during the polishing process. The voltage curve 100 is in a coordinate system 102 represented, which is an x-axis 104 for representing the polishing time t in a range of zero seconds to one hundred twenty-six seconds and a y-axis 106 for representing the voltage U in a range of minus 2.7 volts to minus 3.7 volts.

Das Polieren der Halbleiterscheibe 40 beginnt zu einem Zeitpunkt t0 bei null Sekunden. Der Spannungsverlauf 100 steigt bis zu einem Zeitpunkt t1 bei etwa sechs Sekunden an, weil die Spannung U vom Wert minus 3,3 Volt auf einen Wert von etwa minus 3,6 Volt sinkt. Dies ist darauf zurückzuführen, dass die Poliertischauflage 14 im Randbereich 44 durch das Poliermittel 18 benetzt wird, wodurch die Reflektionsfähigkeit für den Lichtstrahl 46 steigt. Nach dem Zeitpunkt t1 beginnt sich das Poliermittel 38 bereits grün zu färben, weil ein Zusatz des Poliermittels mit dem Kupfer einer von der Halbleiterscheibe 40 abzutragenden Kupferschicht reagiert. Zunehmend verfärbt sich das mit Abrieb versetzte Poliermittel 38 grün. Die grüne Färbung des Poliermittels 38 wird bis zu einem Zeitpunkt t3 intensiver. Das rote Licht des Lichtstrahls 46 wird von dem grünen Poliermittel stärker absorbiert. Ein geringer Anteil des roten Lichtes wird von der weißen Poliertischauflage zurückreflektiert. Dieser reflektierte Lichtstrahl 48 verringerter Intensität führt zu einem Ansteigen der Spannung am Eingang des Analog-Digital-Wandlers bis auf einen Wert von etwa minus drei Volt. Dieser Spannungsanstieg wird in 3 durch einen fallenden Spannungsverlauf 100 zwischen dem Zeitpunkt t1 bis zu einem Zeitpunkt t3 dargestellt.The polishing of the semiconductor wafer 40 begins at a time t0 at zero seconds. The voltage curve 100 rises to about six seconds until time t1 because voltage U drops from the value minus 3.3 volts to a value of about minus 3.6 volts. This is due to the fact that the polishing pad 14 at the edge 44 through the polish 18 is wetted, whereby the reflectivity of the light beam 46 increases. After time t1, the polishing agent begins 38 already green to dye, because an addition of the polishing agent with the copper one of the semiconductor wafer 40 ablated copper layer reacts. Increasingly discolored polishing agent discolored 38 green. The green dye of the polish 38 becomes more intense until time t3. The red light of the light beam 46 is more strongly absorbed by the green polish. A small amount of red light is reflected back from the white polish pad. This reflected light beam 48 reduced intensity leads to an increase in the voltage at the input of the analog-to-digital converter to a value of about minus three volts. This voltage increase is in 3 by a falling voltage curve 100 between the time t1 to a time t3.

Zum Zeitpunkt t3 ist eine auf der Halbleiterscheibe 40 zunächst vorhandene Kupferschicht bis an die Ränder von Gräben abgetragen. Zunehmend wird nun eine Stoppschicht, z. B. aus Tantalnitrid, freigelegt, die kein Kupfer mehr enthält. Demzufolge wird das während des Polierens ständig zugeführte und vom Poliertisch 12 fließende Poliermittel 38 auch nicht mehr grün. Die Folge ist, dass der rote Lichtstrahl in seiner Intensität durch das Poliermittel, bzw. den darin enthaltenen Abrieb nicht mehr so stark geschwächt wird. Der Spannungsverlauf 100 steigt langsam wieder an. Ein Wendepunkt 108 des Spannungsverlaufs 100 wird in 3 durch einen Pfeil dargestellt. Die Auswerteeinheit 108, insbesondere ein auf der Datenverarbeitungsanlage 64 ausgeführtes Programm, erfasst den Wendepunkt und startet eine Zeitschaltung, die nach etwa dreißig Sekunden das Polierverfahren zu einem Zeitpunkt t4 beendet, siehe auch Pfeil 110.At time t3, one is on the semiconductor wafer 40 first existing copper layer removed to the edges of trenches. Increasingly, a stop layer, e.g. Example of tantalum nitride, exposed, which contains no copper. As a result, this is constantly supplied during polishing and from the polishing table 12 flowing polishes 38 not green either. The consequence is that the intensity of the red light beam is not so much weakened by the polishing agent or the abrasion it contains. The voltage curve 100 slowly rises again. A turning point 108 the voltage curve 100 is in 3 represented by an arrow. The evaluation unit 108 , in particular one on the data processing system 64 executed program, detects the inflection point and starts a timer, which ends after about thirty seconds, the polishing process at a time t4, see also arrow 110 ,

4 zeigt eine integrierte Schaltungsanordnung 120, die mehrere Metallisierungslagen 122 bis 128 enthält. Ein Pfeil markiert eine Ebene 130, die auf einer Siliziumdioxidschicht 132 liegt. Die Siliziumdioxidschicht 132 hat beispielsweise eine Dicke von vierhundert Nanometern. Auf der Siliziumdioxidschicht 132 wurde dann eine dielektrische Zwischenschicht 134 aus Siliziumnitrid mit einer Dicke von etwa fünfzig Nanometern abgeschieden. Anschließend wurde eine weitere Siliziumdioxidschicht 136 mit einer Dicke von beispielsweise vierhundert Nanometern abgeschieden. Die Siliziumdioxidschicht 136 wurde mit Hilfe eines fotolithografischen Verfahrens strukturiert, wobei ein Kontaktloch 138 erzeugt worden ist, das die Siliziumdioxidschicht 136 durchdringt. Anschließend wurde eine Tantalschicht 140 abgeschieden, beispielsweise mit einer Dicke von zwanzig Nanometern. Nach dem Abscheiden der Tantalschicht 140 wurde eine Tantalnitridschicht 142 mit einer Dicke von beispielsweise vierzig Nanometern abgeschieden. Die Tantalschicht 140 und die Tantalnitridschicht 142 bilden einen sogenannten Liner. 4 shows an integrated circuit arrangement 120 containing several metallization layers 122 to 128 contains. An arrow marks a plane 130 on a silicon dioxide layer 132 lies. The silicon dioxide layer 132 has a thickness of four hundred nanometers, for example. On the silicon dioxide layer 132 then became a dielectric interlayer 134 deposited from silicon nitride with a thickness of about fifty nanometers. Subsequently, another silicon dioxide layer was added 136 deposited with a thickness of, for example, four hundred nanometers. The silicon dioxide layer 136 was patterned using a photolithographic process using a contact hole 138 has been generated, which is the silicon dioxide layer 136 penetrates. Subsequently, a tantalum layer 140 deposited, for example, with a thickness of twenty nanometers. After depositing the tantalum layer 140 became a tantalum nitride layer 142 deposited with a thickness of, for example, forty nanometers. The tantalum layer 140 and the tantalum nitride layer 142 form a so-called liner.

Nach dem Abscheiden der Tantalnitridschicht 142 wurde eine Kupferschicht 144 mit einer Dicke von beispielsweise vierhundert Nanometern abgeschieden. Mit Hilfe des an Hand der 1 bis 3 erläuterten Verfahrens wurde dann ein Poliervorgang ausgeführt, bis die als Stoppschicht dienende Tantalnitridschicht 142 erreicht worden ist. Danach wurde die Tantalnitridschicht 142 und die Tantalschicht 140 in Bereichen, die nicht von Kupfer 144 bedeckt waren, entfernt, so dass eine durch einen Pfeil 146 angedeutete Ebene entstanden ist.After depositing the tantalum nitride layer 142 became a copper layer 144 deposited with a thickness of, for example, four hundred nanometers. With the help of on hand of 1 to 3 A polishing process was then carried out until the tantalum nitride layer serving as the stop layer 142 has been achieved. After that, the tantalum nitride layer became 142 and the tantalum layer 140 in areas not of copper 144 covered, removed, leaving one by an arrow 146 indicated level has emerged.

Auf ähnliche Art und Weise wurde anschließend mit Hilfe eines dualen Damascene-Verfahrens ein Leitbahn-Kontaktlochsystem in der Metallisierungslage 126 erzeugt. Die Metallisierungslage 126 enthält eine Siliziumnitridschicht 148, eine Siliziumdioxidschicht 150, eine Siliziumnitridschicht 152, eine Siliziumdioxidschicht 154, eine Tantalschicht 156 und eine Tantalnitridschicht 158. In 4 ist eine Kupferleitbahn 160 der Metallisierungslage 126 dargestellt. Nach dem Erzeugen dieses Schichtsystems der Metallisierungslage 126 wurde nochmals ein Poliervorgang mit den oben an Hand der 1 bis 3 erläuterten Schritten durchgeführt, bis die Tantalnitridschicht 158 erreicht worden ist. Die Tantalnitridschicht 158 und die Tantalschicht 156 wurden anschließend beispielsweise in einem nass-chemischen Ätzprozess an Stellen entfernt, an denen sie nicht mehr vom Kupfer 160 bedeckt waren.Similarly, using a dual damascene process, a conductive line contact hole system was subsequently formed in the metallization layer 126 generated. The metallization situation 126 contains a silicon nitride layer 148 , a silicon dioxide layer 150 , a silicon nitride layer 152 , a silicon dioxide layer 154 , a tantalum layer 156 and a tantalum nitride layer 158 , In 4 is a copper conductor 160 the metallization situation 126 shown. After producing this layer system of the metallization layer 126 was again a polishing process with the top of the hand 1 to 3 described steps performed until the tantalum nitride layer 158 has been achieved. The tantalum nitride layer 158 and the tantalum layer 156 were then removed, for example, in a wet-chemical etching process at locations where they are no longer from the copper 160 were covered.

Danach wurde mit der Herstellung weiterer Metallisierungslagen 128 begonnen, indem eine Siliziumnitridschicht 162 und eine Siliziumdioxidschicht 164 abgeschieden worden sind.This was followed by the production of additional metallization layers 128 started by adding a sili ziumnitridschicht 162 and a silicon dioxide layer 164 have been deposited.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel enthält der Sende-/Empfangsteil 60 an Stelle des pnp-Fototransistors einen npn-Fototransistor. In diesem Fall wird ein Betriebsspannungspotential von beispielsweise plus fünf Volt verwendet. Die elektronische Schaltung wird an den npn-Fototransistor angepasst.In another embodiment, the transceiver includes 60 instead of the pnp phototransistor an npn phototransistor. In this case, an operating voltage potential of, for example, plus five volts is used. The electronic circuit is adapted to the npn phototransistor.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel werden an Stelle des Tantals bzw. des Tantalnitrids Titan bzw. Titannitrid einge setzt. Andere geeignete Materialien werden ebenfalls als Material der Polierstoppschicht eingesetzt.at another embodiment In place of the tantalum or tantalum nitride titanium or titanium nitride set. Other suitable materials are also used as material the polishing stopper used.

An Stelle des Wendepunktes 108 wird bei einem nächsten Ausführungsbeispiel die Änderung der Spannung U pro eine vorgegebene Zeiteinheit t erfasst. Liegt der Anstieg des Spannungsverlaufs 100 über einem vorgegebenen Schwellwert, so wird der Zeitgeber gestartet, dessen Ablauf den Endzeitpunkt des Polierens festlegt.In place of the turning point 108 In a next embodiment, the change in the voltage U per a predetermined time unit t is detected. Lies the increase in the voltage curve 100 above a predetermined threshold, the timer is started, the sequence of which determines the end time of the polishing.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel befindet sich der Bereich 44 an einem Radius bezüglich der Antriebswelle 34 an dem sich auch die Antriebswelle 36 befindet. Sobald ein Bereich der Poliertischauflage 14 unter der Halbleiterscheibe 40 herausgezogen wird, tritt er dann in den Bereich 44 ein. Dadurch kann das erreichen der Polierstoppschicht schneller ausgewertet werden. Diese Variante wird auch bei einem Polierband verwendet.In another embodiment, the area is located 44 at a radius relative to the drive shaft 34 where also the drive shaft 36 located. Once an area of the polishing pad 14 under the semiconductor wafer 40 He then moves into the area 44 one. As a result, the achievement of the polishing stop layer can be evaluated faster. This variant is also used in a polishing belt.

1010: Poliermaschinepolisher
1212: Poliertischpolishing table
1414: PoliertischauflagePolishing table support
1616: Scheibenträgerdisk support
1818: PoliermittelzuführeinheitPoliermittelzuführeinheit
2020: Sendeeinheittransmission unit
2222: Empfangseinheitreceiver unit
2424: Auswerteeinheitevaluation
2626: Antriebseinheitdrive unit
28, 3028 30: Drehpfeilrotation arrow
3232: KraftübertragungseinheitPower transmission unit
34, 3634 36: Antriebswelledrive shaft
3838: Poliermittelpolish
4040: HalbleiterscheibeSemiconductor wafer
4242: ArbeitsbereichWorkspace
4444: Randbereichborder area
4646: SendelichtstrahlTransmitted light beam
4848: reflektierter Strahlreflected beam
50, 5250, 52: Leitungmanagement
AA: Endpunktsignalendpoint signal
6060: Sende-/EmpfangsteilTransmitting / receiving part
6262: AD-WandlerADC
6464: DatenverarbeitungsanlageData processing system
6666: Leuchtdiodeled
MM: Masseleitungground line
R1R1: Vorwiderstanddropping resistor
UMAROUND: BetriebsspannungsleitungOperating voltage line
FTFT: Fototransistorphototransistor
R3R3: Arbeitswiderstandworking resistance
6868: Datenbusbus
100100: Spannungsverlaufvoltage curve
102102: Koordinatensystemcoordinate system
104104: x-AchseX axis
tt: Polierzeitpolishing time
106106: y-Achsey-axis
UU: Spannungtension
t0 bis t4t0 to t4: Zeitpunkttime
108108: Wendepunktturning point
110110: Pfeilarrow
120120: integrierte Schaltungsanordnungintegrated circuitry
122 bis 128122 to 128: Metallisierungslagemetalization
130130: Pfeilarrow
132132: Siliziumdioxidschichtsilicon dioxide
134134: dielektrische Schichtdielectric layer
136136: Siliziumdioxidschichtsilicon dioxide
138138: Kontaktlochcontact hole
140140: Tantalschichttantalum layer
142142: Tantalnitridschichttantalum nitride
144144: Kupferschichtcopper layer
146146: Pfeilarrow
148148: Siliziumnitridschichtsilicon nitride
150150: Siliziumdioxidschichtsilicon dioxide
152152: Siliziumnitridschichtsilicon nitride
154154: Siliziumdioxidschichtsilicon dioxide
156156: Tantalschichttantalum layer
158158: Tantalnitridschichttantalum nitride
160160: Kupferleitbahncopper interconnect
162162: Siliziumnitridschichtsilicon nitride
164164: Siliziumdioxidschichtsilicon dioxide

Claims

Contraption ( 10 ) for terminating the thinning of a workpiece ( 40 ), with a radiation transmitting unit ( 20 ), which is a radiation ( 46 ) to one area ( 44 ), by the surface of a workpiece to be machined ( 40 ) is transported with a radiation receiving unit ( 22 ), which are from the field ( 44 ) coming radiation ( 48 ), and with an evaluation unit ( 24 ), the irradiated area ( 44 ) outside of a between workpiece ( 40 ) and a workspace ( 14 ) lying processing area, characterized in that the evaluation unit ( 24 ) depending on an output signal ( 50 ) of the radiation receiving unit ( 22 ) detects a color change and ends the editing process.

Contraption ( 10 ) according to claim 1, gekenn characterized by a receiving device ( 16 ), the at least one workpiece ( 40 ) during a machining operation, the working surface ( 14 ), which during the machining process, the surface to be machined of the workpiece ( 40 ), and by a drive and power transmission unit ( 26 . 28 ), which during the machining process, a relative movement between the workpiece ( 40 ) and desktop ( 14 ) generated.

Contraption ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the radiation transmission unit ( 20 ) a light emitting diode ( 66 ) and / or contains a laser diode.

Contraption ( 10 ) according to claim 3, characterized in that the evaluation unit ( 24 ) only a single light emitting diode or a single laser diode is connected.

Contraption ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the radiation receiving unit ( 22 ) contains a photodiode or a phototransistor (FT).

Contraption ( 10 ) according to claim 5, characterized in that the evaluation unit ( 24 ) a single photodiode or a single phototransistor is connected.

Contraption ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the device ( 10 ) a chemical mechanical polishing device with a polishing agent supply unit ( 18 ), and / or during the machining process, a working fluid ( 38 ) is supplied.

Contraption ( 10 ) according to claim 7, characterized in that the working fluid ( 38 ) Contains grains and / or a chemical additive which attacks the material to be removed and / or transports the abrasion.

Contraption ( 10 ) according to one of the preceding claims as far as dependent on claim 2, characterized in that the drive and energy transmission device ( 26 . 28 ) a rotational movement of the work surface ( 14 ) and / or that the irradiated area ( 44 ) is arranged farther or farther away from the center of rotation of the working surface than the workpiece ( 40 ) and / or a center of rotation of the workpiece ( 40 ).

Contraption ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the radiation transmission unit ( 20 ) relative to a machine frame of the device ( 10 ) is fixed dormant.

Contraption ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the radiation receiving unit ( 22 ) is attached to the machine frame.

Contraption ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the receiving device ( 16 ) for receiving a semiconductor wafer ( 40 ) suitable is.

Method for terminating a machining process, in which from the surface of a workpiece ( 40 ) Material is removed or abraded from a layer to be abutted, which adjoins a stop layer, wherein the stop layer has a different material composition than the layer to be ablated, in which abrasion or abrasion with radiation ( 46 ) is irradiated, and in which, due to the detection of a different interaction occurring on reaching the stop layer and / or another strength of the interaction between erosion or abrasion and radiation ( 46 ) the processing operation is terminated, characterized in that an evaluation unit ( 24 ) detects a color change and ends the editing process.

A method according to claim 13, characterized in that a liquid or flowable working fluid ( 18 ) is being used.

A method according to claim 14, characterized in that the working fluid ( 18 ) Contains grains and / or a chemical additive which attacks the material to be removed and / or the removal or attrition in the area with the radiation ( 46 ) irradiated area ( 44 ).

Method according to claim 15, characterized in that that the additive with the material of the layer to be removed or connects with the material of the stop layer, the radiation within of the frequency spectrum range of visible light is selectively absorbed and / or reflected.

Method according to one of claims 13 to 16, characterized in that the layer to be removed is a metal layer containing more than fifty percent by volume or more than ninety percent metal, and / or that the working fluid ( 18 ) contains an additive which in the reaction with the metal forms a compound which absorbs radiation in the red frequency spectrum range and / or in the blue frequency spectrum range, and / or in that the radiation has a frequency which lies in the red frequency spectrum range and / or in the blue frequency spectrum range , and / or that a support surface ( 14 ) a bright area che is.

Method according to claim 17, characterized in that that the metal layer is copper, and / or the red one Frequency spectrum range from six hundred nanometers to seven hundred Nanometers is enough, and / or that the blue frequency spectrum range of four hundred nanometers to five hundred Nanometers is enough.

Method according to one of claims 13 to 16, characterized in that the layer to be removed is a dielectric layer, and / or that the polishing agent ( 38 ) contains an additive which, in the reaction with the material of the dielectric layer, forms a compound which absorbs radiation having a frequency in the blue frequency spectrum range and / or that the radiation has a frequency which lies in the blue frequency spectrum range.

Method according to claim 19, characterized the dielectric layer is an oxide layer or a silicon dioxide layer is, and / or that the compound radiation having a frequency in the blue frequency spectrum range from four hundred nanometers to five hundred Absorbed nanometer.

Method according to one of claims 13 to 20, characterized in that it for processing a semiconductor wafer ( 40 ) is used.

Method according to one of claims 13 to 21, characterized that when editing the layer to be removed at constant Machining conditions a different amount of abrasion per unit time arises as when processing the stop layer.

Method according to claim 22, characterized in that that more than fifty times Amount of abrasion arises.

Method according to one of claims 13 to 23, characterized in that the method by means of a device ( 10 ) is carried out according to one of claims 1 to 12.