DE10257766A1 - Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung einer optischen Abbildungseigenschaft eines Projektionsobjektivs (20), das Teil einer mikrolithografischen Projektionsbelichtungsanlage (10) ist, mit der sich ein in einer Objektebene (22) des Projektionsobjektivs (20) angeordnetes Retikel (24) durch das Projektionsobjektiv (20) hindurch auf eine in einer Bildebene (28) angeordnete lichtempfindliche Oberfläche (26) abbilden läßt. Zunächst wird eine Immersionsflüssigkeit (38) in einen Zwischenraum (40) zwischen der lichtempfindlichen Oberfläche (26) und einer dieser Oberfläche (26) zugewandten Endfläche (42) des Projektionsobjektivs (20) eingebracht. Anschließend wird eine Abbildungseigenschaft des Projektionsobjektivs (20) ermittelt. Daran schließt sich ein Vergleich der ermittelten Abbildungseigenschaft mit einer Soll-Abbildungseigenschaft an. Schließlich wird die Temperatur der Immersionsflüssigkeit (38) so lange verändert, bis die ermittelte Abbildungseigenschaft der Soll-Abbildungseigenschaft möglichst nahe kommt. Die Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs (20) lassen sich durch die temperaturinduzierte Veränderung des Brechungsindexes der Immersionsflüssigkeit (38) präzise beeinflussen, was z. B. zur Kompensation einer sphärischen Aberration des Projektionsobjektivs (20) benutzt werden kann.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung einer optischen Abbildungseigenschaft eines Projektionsobjektivs, das Teil einer mikrolithografischen Projektionsbelichtungsanlage ist, mit der sich ein in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Retikel durch das Projektionsobjektiv hindurch auf eine in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnete lichtempfindliche Oberfläche abbilden läßt. Die Erfindung betrifft ferner eine mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage zur Abbildung eines in einer Objektebene eines Projektionsobjektivs angeordneten Retikels durch das Projektionsobjektiv hindurch auf eine in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnete lichtempfindliche Oberfläche, mit Mitteln zum Einbringen einer Immersionflüssig keit in einen Zwischenraum zwischen der lichtempfindlichen Oberfläche und einer dieser Oberfläche zugewandten Endfläche des Projektionsobjektivs. Die Erfindung betrifft außerdem eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, bei der in den genannten Zwischenraum bereits eine Immersionsflüssigkeit eingebracht ist.
  • Ein Verfahren der genannten Art ist allgemein im Stand der Technik bekannt. So läßt sich bei zahlreichen Projektionsobjektiven mikrolithografischer Projektionsbelichtungsanlagen die räumliche Lage einzelner optischer Komponenten mit Hilfe von Manipulatoren so verändern, daß sich die Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs verbessern. Die Lageveränderung der betreffenden optischen Komponenten zur Verbesserung der Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs erfolgt dabei am fertig montierten Projektionsobjektiv, und zwar in der Regel noch vor dessen erstmaliger Inbetriebnahme. Diese Art der Feinjustierung kann aber auch zu einem späteren Zeitpunkt vorgenommen werden, um beispielsweise alterungsbedingte Verschlechterungen der Abbildungseigenschaften zu kompensieren. Häufig geht man bei diesen Verfahren so vor, daß man eine oder mehrere Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs mit Hilfe eines in dessen Bildebene angeordneten Sensors erfasst. Sodann beobachtet man, wie sich Lageveränderungen einzelner optischer Komponenten auf die Abbildungseigenschaften auswirken. Durch mehr oder weniger zielgerichtete Justage der optischen Komponenten können auf diese Weise die optischen Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs optimiert werden.
  • Eine mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage der eingangs genannten Art ist aus der EP 0 023 231B1 bekannt. Diese bekannte Projektionsbelichtungsanlage weist zur Aufnahme eines Trägers für eine zu belichtende Halbleiterscheibe einen oben offenen Behälter auf, dessen oberer Rand höher liegt als die untere Begrenzungsfläche des Projektionsobjektivs. Der Behälter ist mit Zu- und Ableitungen für eine Immersionsflüssigkeit versehen, die in einem Flüssigkeitskreislauf umgewälzt wird. Die Immersionsflüssigkeit füllt beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage den Zwischenraum aus, der zwischen der zu belichtenden Halbleiterscheibe und einer dieser zugewandten Grenzfläche des Projektionsobjektivs verbleibt. Durch den höheren Brechungsindex der Immersionsflüssigkeit im Vergleich zu Luft wird das Auflösungsvermögen des Projektionsobjektivs vergrößert.
  • Die bekannte Projektionsbelichtungsanlage weist ferner eine in dem Flüssigkeitskreislauf angeordnete Einrichtung zur Temperierung der Immersionsflüssigkeit auf. Auf diese Weise läßt sich die Temperatur der zu belichtenden Halbleiterscheibe konstant halten, so daß durch Wärmebewegungen der Halbleiterscheibe hervorgerufene Abbildungsfehler zu vermieden werden.
  • Die Verwendung von Immersionsflüssigkeiten bei mikrolithografischen Projektionsbelichtungsanlagen ist auch aus der JP 10-303 114 A bekannt. Dort wird auf das Problem hingewiesen, daß unerwünschte Temperaturschwankungen der Immersionsflüssigkeit auch zu einer Verschlechterung der Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs führen können. Die Ursache hierfür liegt in der Abhängigkeit des Brechungsindex der Immersionsflüssigkeit von der Temperatur. Zur Lösung dieses Problems werden verschiedene Maßnahmen vorgeschlagen, mit denen sich die Temperatur der Immersionsflüssigkeit während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage in engen Grenzen konstant halten läßt.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren sowie eine mikrolithografische Projektionsbelichtunsanlage der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem sich die optischen Abbildungseigenschaften eines fertig montierten Projektionsobjektivs noch leichter und wirkungsvoller verbessern lassen.
  • Bei einem Verfahren der eingangs genannten Art wird diese Aufgabe durch folgende Schritte gelöst:
    • a) Einbringen einer Immersionsflüssigkeit in einen Zwischenraum zwischen der lichtempfindlichen Ober fläche und einer dieser Oberfläche zugewandten Endfläche des Projektionsobjektivs;
    • b) Ermitteln einer Abbildungseigenschaft der Projektionsobjektivs;
    • c) Vergleichen der ermittelten Abbildungseigenschaft mit einer Soll-Abbildungseigenschaft;
    • d) Verändern der Temperatur der Immersionsflüssigkeit so lange, bis die ermittelte Abbildungseigenschaft der Soll-Abbildungseigenschaft möglichst nahe kommt.
  • Zur Verbesserung der optischen Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs wird die Erkenntnis genutzt, daß die Immersionsflüssigkeit eine optische Komponente der Projektionsbelichtungsanlage darstellt, die deren optische Eigenschaften im Prinzip genau so beeinflusst wie etwa die im Projektionsobjektiv angeordneten Linsen. Anstatt nun (ausschließlich) die Linsen oder andere optische Komponenten im Projektionsobjektiv mechanisch im Strahlengang des Projektionsobjektivs zu justieren, nutzt die Erfindung die Möglichkeit, den Brechungsindex der optischen Komponente "Immersionsflüssigkeit" über deren Temperatur zu beeinflussen.
  • Zwar läßt sich im Prinzip auch der Brechungsindex der im Projektionsobjektiv enthaltenden optischen Komponenten über die Temperatur verändern, doch ist dort eine Temperaturveränderung ungleich schwerer herbeizuführen, da die für die Linsen u. ä. verwendeten Materialien eine geringe Wärmeleitfähigkeit besitzen, wodurch die Einstellung einer homogenen Temperaturverteilung über das gesamte optisch wirksame Volumen hinweg erheblich erschwert wird. Die Temperatur der Immersionsflüssigkeit läßt sich hingegen relativ einfach auf einen vorgebbaren Wert bringen und über den entsprechenden optisch wirksamen Bereich hinweg konstant halten, z. B. indem die Flüssigkeit umgewälzt wird.
  • Da der Brechungsindex zahlreicher als Immersionsflüssigkeit geeigneter Flüssigkeiten nur recht schwach und – innerhalb kleiner Temperaturintervalle – annähernd linear von der Temperatur abhängt, läßt sich der Brechungsindex der Immersionsflüssigkeit sehr präzise über die Temperatur einstellen. So läßt sich beispielsweise bei einer für eine Wellenlänge von 193 nm ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage, bei der der Zwischenraum zwischen der lichtempfindlichen Oberfläche und der Endfläche des Projektionsobjektivs mit einer 1 mm dicken Wasserschicht aufgefüllt ist, der Brechungsindex von n = 1,45 um ein hundertstel Promill verändern, indem die Temperatur um 50 mK erhöht oder erniedrigt wird.
  • Theoretisch ist es möglich, zur Ermittlung der Abbildungseigenschaft ein zusätzliches optisches System derart in der Bildebene des Projektionsobjektivs zu positionieren, daß ein von dem Projektionsobjektiv erzeugtes Bild unmittelbar auf einem Schirm oder durch ein Okular hindurch beobachtet werden kann. Vorzugsweise jedoch wird die Abbildungseigenschaft ermittelt, indem ein Testretikel durch das Projektionsobjektiv und die Immersionsflüssigkeit hindurch auf ein in der Bildebene angeordnetes lichtempfindliches Element abgebildet wird. Die Abbildungseigenschaften lassen sich dann reproduzierbar und quantifizierbar ermitteln, indem das auf dem lichtempfindlichen Element gespeicherte Bild mit an sich bekannten Vorrichtungen vermessen wird. Als lichtempfindliches Element kommt bei spielsweise eine Fotoemulsion in Betracht.
  • Besonders bevorzugt ist es jedoch, wenn das lichtempfindliche Element eine Sensoreinrichtung, insbesondere ein CCD-Sensor, ist. Ruf diese Weise kann das in der Bildebene erzeugte Bild unmittelbar, d. h. ohne Entwicklung einer Fotoemulsion o. ä., erfasst und ausgewertet werden, um die Abbildungseigenschaften zu ermitteln.
  • Alternativ hierzu kann die Abbildungseigenschaft auch unter Verwendung eines Interferometers ermittelt werden, wie es beispielsweise aus der WO 01/632 33 A1 bekannt ist.
  • Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens lassen sich alle optischen Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs verbessern, die durch die Immersionsflüssigkeit beeinflußbar sind. So kann es sich beispielsweise bei der zu verbessernden optischen Abbildungseigenschaft um eine durch das Projektionsobjektiv verursachte sphärische Aberration handeln. Derartige sphärische Aberrationen treten insbesondere bei Projektionsobjektiven mit hoher numerischer Apertur auf.
  • Bei der zu verbessernden optischen Eigenschaft kann es sich aber beispielsweise auch um die Brennweite des Projektionsobjektivs handeln. Da zur hochauflösenden Abbildung der in dem Retikel enthaltenen abzubildenden Strukturen auf der lichtempfindlichen Oberfläche letzere sehr genau in der Brennebene des Projektionsobjektivs angeordnet sein muß, weisen herkömmliche Projektionsbelichtungsanlagen häufig eine Verstellmöglichkeit auf, mit der der Träger der lichtempfindlichen Oberfläche entlang der optischen Achse des Projektionsobjektivs bewegt werden kann. Auf diese Weise läßt sich die licht empfindliche Oberfläche in die Brennebene des Projektionsobjektivs justieren. Diese mechanischen Verstelleinrichtungen sind allerdings konstruktiv relativ aufwendig. Durch Verändern der Temperatur der Immersionsflüssigkeit läßt. sich erfindungsgemäß auf sehr einfache Weise die Brennweite des Projektionsobjektivs beeinflussen, so daß auf eine Verstellmöglichkeit für den Träger der lichtempfindlichen Oberfläche verzichtet werden kann.
  • Bei einer Projektionsbelichtungsanlage der eingangs genannten Art wird die oben genannte Aufgabe gelöst durch eine in der Bildebene anordenbare Sensoreinrichtung, insbesondere einen CCD-Sensor, eine Temperaturregelungseinrichtung zur Einstellung einer Soll-Temperatur der Immersionsflüssigkeit, und einer mit der Sensoreinrichtung und der Temperaturregelungseinrichtung verbundenen Recheneinheit, mit der aus von der Sensoreinrichtung erzeugten Signalen die Soll-Temperatur der Immersionsflüssigkeit bestimmbar ist.
  • Eine derartige Projektionsbelichtungsanlage erlaubt eine automatisierte Verbesserung der optischen Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs durch Verändern der Temperatur der Immersionsflüssigkeit. Die Recheneinheit kann dabei z. B. so ausgelegt werden, daß sie aus den von der Sensoreinrichtung erzeugten Signalen die Abbildungseingenschaften des Projektionsobjektivs ermittelt und mit einer Soll-Abbildungseigenschaft vergleicht. In einem Regelvorgang veranlasst dann die Recheneinheit die Temperatursteuerungseinrichtung, die Temperatur der Immersionsflüssigkeit so lange zu verändern, bis die von der Sensoreinrichtung erfasste Abbildungseigenschaft der Soll-Abbildungseigenschaft möglichst nahekommt. Eine derartige Projektionsbelichtungsanlage ermöglicht es einem Betreiber, bestimmte Verschlechterungen der Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs automatisch, d. h. ohne Hinzuziehung von Spezialisten, durch eine Veränderung des Brechungsindex der Immersionsflüssigkeit zu kompensieren. Als Ursache für die Verschlechterungen kommen z. B. alterungsbedingte Materialveränderungen oder Schwankungen des Luftdrucks in Betracht.
  • Gegenstand der Erfindung ist ferner eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer Immersionsflüssigkeit, deren Temperatur so gewählt ist, daß durch die Immersionsflüssigkeit eine dem Projektionsobjektiv eigene sphärische Aberration kompensiert ist.
  • Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnungen. Darin zeigen:
  • 1 eine vereinfachte Darstellung einer mikrolithografischen Projektionsbelichtungsanlage in einem Längsschnitt;
  • 2 einen vergrößerten Ausschnitt aus 1, in dem ein Strahlengang im Bereich einer Immersionsflüssigkeit angedeutet ist;
  • 3 den Ausschnitt gemäß 2, jedoch nach Erhöhung der Temperatur der Immersionsflüssigkeit;
  • 4 einen der 2 entsprechenden vergrößerten Ausschnitt aus einer Projektionsbelichtungsanlage mit einer anderen Abbildungsoptik;
  • 5 den Ausschnitt gemäß 4, jedoch nach Erhöhung der Temperatur der Immersionsflüssigkeit;
  • 6 eine vereinfachte Darstellung einer anderen mikrolithografischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer in der Bildebene angeordneten Sensoreinrichtung in einem Längsschnitt.
  • 1 zeigt eine insgesamt mit 10 bezeichnete mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage in einem Längsschnitt. Die Projektionsbelichtungsanlage 10 weist eine Beleuchtungseinrichtung 12 zur Erzeugung eines Projektionslichtbündels 13 auf, die eine Projektionslichtquelle 14, eine mit 16 angedeutete Beleuchtungsoptik und eine Blende 18 umfasst.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 10 hat ferner ein Projektionsobjektiv 20, das ein in seiner Objektebene 22 angeordnetes Retikel 24 verkleinert auf eine lichtempfindliche Oberfläche 26 abbildet, die in einer Bildebene 28 des Projektionsobjektivs 20 angeordnet ist. Das Projektionsobjektiv 20 enthält eine Vielzahl optischer Komponenten, von denen in 1 nur einige beispielhaft dargestellt und nicht näher bezeichnet sind.
  • Bei der lichtempfindlichen Oberfläche 26 kann es sich beispielsweise um einen Fotolack handeln, der auf einem Träger 30, z. B. einem Siliziumwafer, aufgebracht ist. Der Träger 30 ist am Boden eines wannenartigen, nach oben offenen Behälters 32 befestigt, der durch eine mit 36 bezeichnete erste Verfahreinrichtung parallel zur Bildebene verfahrbar ist. Der Behälter 32 ist mit einer Immersionsflüssigkeit 38 soweit aufgefüllt, daß ein Zwischenraum 40 zwischen der lichtempfindlichen Oberfläche 26 und einer dieser Oberfläche 26 zugewandten Endfläche 42 des Projektionsobjektivs 20 vollständig mit der Immersionsflüssigkeit 38 gefüllt ist.
  • In dem Behälter 32 ist außerdem eine Temperiereinrichtung 44 vorgesehen, die als reine Heizeinrichtung, aber auch als kombinierte Heiz-/Kühleinrichtung ausgeführt sein kann. Außerdem ist an dem Behälter 32 ein Temperaturfühler 46 befestigt, der die Temperatur der Immersionsflüssigkeit 38 mit hoher Genauigkeit erfasst.
  • Die Temperiereinrichtung 44 und der Temperaturfühler 46 sind über die Verfahrbewegung des Behälters 32 nicht behindernde Leitungen mit einem Temperaturregler 48 verbunden, der einen Schiebeschalter 50 zur Einstellung einer Führungstemperatur aufweist.
  • Das Retikel 24, dessen Strukturen auf der lichtempfindlichen Oberfläche 26 abgebildet werden sollen, ist mit Hilfe einer zweiten Verfahreinrichtung 52 in der Objektebene 22 verfahrbar, so daß nach und nach sämtliche strukturierten Bereiche des Retikels 24 auf der lichtempfindlichen Oberfläche 26 abgebildet werden können.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 10 funktioniert auf folgende Weise:
    Das von der Beleuchtungseinrichtung 12 erzeugte Projektionslichtbündel 13 durchtritt die Strukturen des Retikels 24 und gelangt von dort in das Projektionsobjektiv 20. Durch dieses werden die Strukturen, die von dem Projektionslichtbündel 13 durchtreten werden, verkleinert auf der lichtempfindlichen Oberfläche 26 abgebildet. Um die gesamte Fläche des Retikels 24 auf der lichtempfindlichen Oberfläche 26 abzubilden, kann das Retikel 24 in einem "step and scan"-Vorgang beleuchtet werden. Dabei wird der Gesamtbereich des Retikels 24 scannend beleuchtet, indem das Retikel 24 mit Hilfe der zweiten Verfahreinrichtung 52 durch das von der Blende 18 begrenzte Projektionslichtbündel hindurch bewegt wird. Der Behälter 32 mit dem darin befestigten Träger 30 führt während dieser Scanbewegung eine (meist gegenläufige) Bewegung mit Hilfe der ersten Verfahreinrichtung 36 aus, dessen Verfahrgeschwindigkeit gegenüber derjenigen des Retikels 24 um das Verkleinerungsverhältnis des Projektionsobjektivs 20 herabgesetzt ist.
  • Bei dieser Verfahrbewegung des Behälters 32 wird die Endfläche 42 des Projektionsobjektivs 20 durch die vom Behälter 32 mitgeführte Immersionsflüssigkeit 38 bewegt, was zu einer Durchmischung der Immersionsflüssigkeit 38 führt. Eine solche Durchmischung ist insofern erwünscht, als sich die Immersionsflüssigkeit 38 aufgrund des durchtretenden Projektionslichts lokal erwärmen kann, so daß der Temperaturfühler 46 ansonsten möglicherweise nicht mehr die tatsächlich in dem Zwischenraum 40 gegebene Temperatur erfassn würde. Falls die Durchmischung aufgrund der Verfahrbewegung des Behälters 32 nicht ausreichen sollte, können selbstverständlich zusätzliche Mischeinrichtungen im Behälter 32 angeordnet sein. Ebenso ist es möglich, den Behälter 32 in einen Flüssigkeitskreislauf einzufügen, wie dies im Stand der Technik an sich bekannt ist. Die Temperiereinrichtung 44 sowie der Temperaturfühler 46 können dann neben einem ggfs. vorhandener Filter in diesen Temperaturkreislauf integriert sein.
  • Falls in einem Testvorgang bei der Justage des Projektionsobjektivs oder im späteren Betrieb durch Prüfung der hergestellten Wafer festgestellt wird, daß die Abbildungseigenschaft des Projektionsobjektivs 20 nicht einer gewünschten Soll-Abbildungseigenschaft entspricht, z. B. weil die Abbildung auf der lichtempfindlichen Oberfläche 26 durch sphärische Aberration verfälscht ist, so wird durch Betätigung des Schiebeschalters 50 die Führungstempe ratur des Temperaturreglers 48 verändert und die Belichtung wiederholt. Durch Verändern der Temperatur der Immersionsflüssigkeit 38 verändert sich deren Brechungsindex. Die Abhängigkeit des Brechungsindex von der Temperatur ist – zumindest in kleinen Temperaturintervallen – bei vielen Immersionsflüssigkeiten 38 annähernd linear, so daß sich auf recht einfache Weise in einem rekursiven Prozess eine Temperatur für die Immersionsflüssigkeit 38 ermitteln läßt, bei der eine oder mehrere Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs 20 verbessert sind. Die weitere Belichtung lichtempfindlicher Oberflächen 26 erfolgt dann bei dieser zuletzt eingestellten Temperatur der Immersionsflüssigkeit 38.
  • Der Einfluss des Brechungsindex der Immersionsflüssigkeit 38 auf die Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs 20 wird im folgenden anhand der 2 bis 5 näher erläutert.
  • 2 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt aus 1, in dem im Bereich des Zwischenraums 40 zwischen der Endfläche 42 des Projektionsobjektivs 20 und der lichtempfindlichen Oberfläche 26 ein Strahlengang angedeutet ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist in die Endfläche 42 des Projektionsobjektivs 20 eine plan-konvexe Abschlußlinse 52 bündig abschließend eingelassen, die die letzte optische Komponente der mit 54 lediglich angedeuteten Projektionsoptik des Projektionsobjektivs 20 darstellt. In 2 sind zu Illustrationszwecken mehrere Projektionslichtstrahlen 56, 58, 60 eingezeichnet, die von den vorgelagerten optischen Komponenten der Projektionsoptik 54 auf die Abschlußlinse 52 geworfen werden. Die Darstellung ist stark schematisiert und nicht maßstäblich, um den Einfluß der Temperatur auf die Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs 20 besser erläutern zu können.
  • Das in 2 gezeigte Projektionsobjektiv 20 erzeugt eine durch sphärische Aberration verfälschte Abbildung. Dies bedeutet, daß sich die Brennweiten der achsennahen Projektionslichtstrahlen 56 und der achsenferneren Projektionslichtbündel 58 und 60 jeweils voneinander unterscheiden. In 2 liegt nur die Brennebene der achsennahen Projektionslichtstrahlen 56 in der Ebene der lichtempfindlichen Oberfläche 26, während die Brennebenen der achsenferneren Projektionslichtstrahlen 58 und 60 in dem Zwischenraum 40 liegen. Der Abstand der Brennebenen von der lichtempfindlichen Oberfläche 26 nimmt dabei zu, je weiter entfernt von der mit 62 bezeichneten optischen Achse die Abschlußlinse 52 von den Projektionslichtstrahlen 56, 58, 60 durchtreten wird.
  • 3 zeigt den Ausschnitt aus 2, nachdem die Temperatur der Immersionsflüssigkeit 38 erhöht wurde. Die Immersionsflüssigkeit 38 weist nun einen höheren Brechungsindex auf als in dem in 2 gezeigten Zustand.
  • Dies führt dazu, daß an der Grenzfläche zwischen der Abschlußlinse 52 und der Immersionsflüssigkeit 38 die Projektionslichtstrahlen 56, 58, 60 stärker gebrochen werden. Diese stärkere Brechung wirkt sich umso mehr aus, je weiter die Projektionslichtstrahlen von der optischen Achse 62 entfernt sind, da die achsenferneren Projektionslichtstrahlen diese Grenzfläche unter einem größeren Winkel durchtreten. Dies führt dazu, daß sich die Brennweite des Projektionsobjektivs 20 für die achsenferneren Strahlen verlängert, so daß im Idealfall bei entsprechend gewählter Temperatur die Brennebenen aller Projektionslichtstrahlen 56, 58, 60 mit der Ebene zusammenfallen, in der die lichtempfindliche Oberfläche 26 angeordnet ist.
  • Durch Veränderung der Temperatur der Immersionsflüssigkeit 38 ist es somit möglich, eine dem Projektionsobjektiv 20 immanente sphärische Abberation nachträglich zu kompensieren.
  • 4 zeigt einen der 2 entsprechenden vergrößerten Ausschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem anderen Projektionsobjektiv 120. Dabei sind gegenüber
  • 2 veränderte Teile mit um 100 erhöhte Bezugsziffern bezeichnet. Die Projektionsoptik 154 des Projektionsobjektivs 120 weist, anders als die in den 2 und 3 gezeigte Projektionsoptik 54, keine immanente sphärische Aberration auf. Die Projektionslichtstrahlen 156, 158, 160 treffen sich daher in einem Brennpunkt. Wie in 4 zu erkennen ist, liegt dieser Brennpunkt jedoch nicht in der Ebene der lichtempfindlichen Oberfläche 26, d. h. das Projektionsobjektiv 120 weist einen Fokusfehler auf. Ein solcher Fokusfehler könnte beispielsweise behoben werden, indem der Träger 30 mit der lichtempfindlichen Oberfläche 26 geringfügig mit Hilfe einer geeigneten Verfahreinrichtung in Richtung der optischen Achse 62 verfahren wird. Die hierfür erforderliche Genauigkeit ist allerdings mit Hilfe mechanischer Verfahreinrichtungen nur mit großem technischen Aufwand realisierbar.
  • Wie 5 zeigt, kann durch eine Erhöhung der Temperatur der Immersionsflüssigkeit 38 ebenfalls eine Vergrößerung der Brennweite des Projektionsobjektivs 120 erzielt werden. Zwar wird dadurch eine sphärische Aberration eingeführt, die in 5 nicht dargestellt ist. Die Auswirkungen einer solchen sphärischen Aberration können aber so gering sein, daß sie angesichts der Optimierung der Brennweite des Projektionsobjektivs vernachlässigbar oder aber durch andere Maßnahmen kompensierbar sind.
  • 6 zeigt ausschnittsweise ein weiteres Ausführungsbeispiel einer insgesamt mit 210 bezeichneten Projektionsbelichtungsanlage in einer an die 1 angelehnten Darstellung. Auch hier sind gegenüber 1 veränderte Teile mit um 200 erhöhten Bezugsziffern versehen.
  • 6 zeigt die Projektionsbelichtungsanlage 210 in einem Einstellmodus, bei dem der Träger 30 gegen eine Sensoreinrichtung 64 ausgetauscht ist. Bei der Sensoreinrichtung 64 kann es sich beispielsweise um einen an sich bekannten CCD-Sensor handeln. In dem Einstellmodus ist eine lichtempfindliche Oberfläche 66 der Sensoreinrichtung 64 in der Bildebene 28 des Projektionsobjektivs 20 angeordnet. Auf diese Weise wird von der Sensoreinrichtung 64 genau dasjenige Bild erfasst, dem während des normalen Projektionsmodus die zu belichtende lichtempfindliche Oberfläche 26 ausgesetzt ist. Die Projektion erfolgt dabei mit einem besonderen Testretikel 70, das anstelle des normalen Retikels 24 in der Objektebene 22 des Projektionsobjektivs 20 angeordnet ist.
  • Anstelle des CCD-Sensors kann auch in an sich bekannter Weise ein Interferometer als Sensoreinrichtung eingesetzt werden. Damit lassen sich Wellenfronten in Pupillenebenen erfassen. Im einzelnen ist dies in der oben bereits erwähnten WO 01/63233 A1 erläutert.
  • Im Unterschied zur Projektionsbelichtungsanlage 10 aus 1 weist die Projektionsbelichtungsanlage 210 zusätzlich eine Recheneinheit 68 auf, die mit einem Temperaturregler 248 für die Temperiereinrichtung 44 verbunden ist. Im Einstellmodus funktioniert die Projektionsbelichtungsanlage 210 wie folgt:
    Zunächst werden die auf dem Testretikel 70 enthaltenen Strukturen von dem Projektionsobjektiv 20 auf der lichtempfindlichen Oberfläche 66 der Sensoreinrichtung 64 abgebildet. Dieses Abbild wird von der Sensoreinrichtung 64 erfasst und in digitaler Form der Recheneinheit 68 übermittelt. Diese bestimmt aus den erhaltenen Daten eine Führungstemperatur, die an den Temperaturregler 248 weitergegeben wird. Der Temperaturregle 248 stellt nun sicher, daß die Immersionsflüssigkeit 38 auf diese neue Führungstemperatur gebracht wird. Die Sensoreinrichtung 64 erfasst das durch die Temperaturänderung veränderte Abbild der Strukturen des Testretikels 70 und führt auch diese Daten der Recheneinheit 68 zu. Mit Hilfe an sich bekannter Algorithmen stellt die Recheneinheit 68 fest, ob sich durch die Temperaturänderung eine Verbesserung oder Verschlechterung der Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs 120 ergeben haben. In Abhängigkeit von diesem Ergebnis wird die Führungstemperatur erneut verändert. Dieser rekursive Vorgang wird so lange fortgesetzt, bis sich keine Verbesserung der Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs durch eine Temperaturveränderung mehr erzielen läßt.

Claims (8)

  1. Verfahren zur Verbesserung einer optischen Abbildungseigenschaft eines Projektionsobjektivs (20; 120) das Teil einer mikrolithografischen Projektionsbelichtungsanlage (10; 210) ist, mit der sich ein in einer Objektebene (22) des Projektionsobjektivs (20; 120) angeordnetes Retikel (24) durch das Projektionsobjektiv (20; 120) hindurch auf eine in einer Bildebene (28) des Projektionsobjektivs angeordnete lichtempfindliche Oberfläche (26; 66) abbilden läßt, gekennzeichnet durch folgende Schritte: a) Einbringen einer Immersionsflüssigkeit (38) in einen Zwischenraum (40) zwischen der lichtempfindlichen Oberfläche (26; 66) und einer dieser Oberfläche (26; 66) zugewandten Endfläche (42) des Projektionsobjektivs (20; 120); b) Ermitteln einer Abbildungseigenschaft des Projektionsobjektivs (20; 120) c) Vergleichen der ermittelten Abbildungseigenschaft mit einer Soll-Abbildungseigenschaft; d) Verändern der Temperatur der Immersionsflüssigkeit (38) so lange, bis die ermittelte Abbildungseigenschaft der Soll-Abbildungseigenschaft möglichst nahe kommt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abbildungseigenschaft ermittelt wird, indem ein Testretikel (70) durch das Projektionsobjektiv (20) und die Immersionsflüssigkeit (38) hindurch auf ein in der Bildebene (28) angeordnetes lichtempfindliches Element (64) abgebildet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtempfindliche Element eine Sensoreinrichtung (64), insbesondere ein CCD-Sensor, ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abbildungseigenschaft unter Verwendung eines Interferometers ermittelt wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die optische Abbildungseigenschaft die Größe einer durch das Projektionsobjektiv (20) verursachten sphärischen Aberration ist.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die optische Abbildungseigenschaft die Brennweite des Projektionsobjektivs (120) ist.
  7. Mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage zur Abbildung eines in einer Objektebene (22) eines Projektionsobjektivs (20) angeordneten Retikels (24) durch das Projektionsobjektiv (20) hindurch auf eine in einer Bildebene (28) des Projektionsobjektivs (20) angeordnete lichtempfindliche Oberfläche (26), mit Mitteln (32) zum Einbringen einer Immersionsflüssigkeit (38) in einen Zwischenraum (40) zwischen der lichtempfindlichen Oberfläche (26) und einer dieser Oberfläche (26) zugewandten Endfläche (42) des Projektionsobjektivs (20), gekennzeichnet durch eine in der Bildebene (28) anordenbare Sensoreinrichtung (64), insbesondere einen CCD-Sensor, eine Temperaturregelungseinrichtung (248) zur Einstellung einer Soll-Temperatur der Immersionsflüssigkeit (38), und einer mit der Sensoreinrichtung (64) und der Temperaturregelungseinrichtung (248) verbundenen Recheneinheit (68), mit der aus von der Sensoreinrichtung (64) erzeugten Signalen die Soll-Temperatur der Immersionsflüssigkeit (238) bestimmbar ist.
  8. Mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage zur Abbildung eines in einer Objektebene (22) angeordneten Retikels (24) durch ein Projektionsobjektiv (20; 120) hindurch auf eine in einer Bildebene (28) angeordnete lichtempfindliche Oberfläche (26), mit einer in einen Zwischenraum (40) zwischen der lichtempfindlichen Oberfläche (26; 126) und einer dieser Oberfläche (26) zugewandten Endfläche (42) des Projektionsobjektivs (20; 120) eingebrachten Immersionsflüssigkeit (38), dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der Immersionsflüssigkeit (38) so gewählt ist, daß durch die Immersionsflüssigkeit (38) eine dem Projektionsobjektiv (20; 120) eigene sphärische Aberration kompensiert ist.
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EP03717185A EP1570315B1 (de) 2002-12-10 2003-02-17 Verfahren zur einstellung einer gewünschten optischen eigenschaft eines projektionsobjektivs sowie mikrolithografische projektionsbelichtungsanlage
JP2004557843A JP2006509357A (ja) 2002-12-10 2003-02-17 投影対物レンズの意図された光学特性を設定する方法およびマイクロリソグラフィ投影露光装置
AU2003221481A AU2003221481A1 (en) 2002-12-10 2003-02-17 Method for adjusting a desired optical property of a positioning lens and microlithographic projection exposure system
DE50308894T DE50308894D1 (de) 2002-12-10 2003-02-17 Verfahren zur einstellung einer gewünschten optischen eigenschaft eines projektionsobjektivs sowie mikrolithografische projektionsbelichtungsanlage
US11/149,568 US7227616B2 (en) 2002-12-10 2005-06-10 Method for improving an optical imaging property of a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
US11/739,192 US20070195299A1 (en) 2002-12-10 2007-04-24 Method for improving an Optical Imaging Property of a Projection Objective of a Microlithographic Projection Exposure Apparatus
US12/203,738 US8237915B2 (en) 2002-12-10 2008-09-03 Method for improving an optical imaging property of a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
US13/564,857 US20130114056A1 (en) 2002-12-10 2012-08-02 Method for improving an optical imaging property of a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004051357A1 (de) * 2004-10-19 2006-04-27 Carl Zeiss Jena Gmbh Immersions-Mikroskopobjektiv
DE102006032877A1 (de) * 2006-07-15 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102008048213A1 (de) * 2008-09-20 2010-03-25 Carl Zeiss Microimaging Gmbh Anordnung zur Verlängerung des Strahlenweges bei optischen Geräten
US8913223B2 (en) 2003-07-16 2014-12-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101713932B (zh) 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101349876B (zh) 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
SG2011031200A (en) * 2002-12-10 2014-09-26 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus and device manufacturing method
DE10257766A1 (de) * 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
DE10261775A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR20180126102A (ko) 2003-02-26 2018-11-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101346406B1 (ko) 2003-04-09 2014-01-02 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20110110320A (ko) * 2003-05-28 2011-10-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (de) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
KR101931923B1 (ko) 2003-06-19 2018-12-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1491956B1 (de) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1498778A1 (de) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1494074A1 (de) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE60321779D1 (de) 2003-06-30 2008-08-07 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1500982A1 (de) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP4524669B2 (ja) * 2003-07-25 2010-08-18 株式会社ニコン 投影光学系の検査方法および検査装置
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (de) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG133590A1 (en) 2003-08-26 2007-07-30 Nikon Corp Optical element and exposure device
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261740B1 (de) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographischer Apparat
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100498533C (zh) * 2003-09-25 2009-06-10 英飞凌科技股份公司 用于曝光衬底的浸没式光刻方法和装置
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1519231B1 (de) 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1519230A1 (de) 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1524557A1 (de) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1524558A1 (de) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI609409B (zh) 2003-10-28 2017-12-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
TWI612338B (zh) 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP4843503B2 (ja) * 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2005076324A1 (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
TW201809727A (zh) 2004-02-06 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 偏光變換元件
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006006562A1 (ja) 2004-07-12 2006-01-19 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US7161663B2 (en) 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP3267257B1 (de) 2004-08-03 2019-02-13 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7522261B2 (en) 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7894040B2 (en) 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209213B2 (en) 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251013B2 (en) 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4980922B2 (ja) 2004-11-18 2012-07-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置及びマイクロリソグラフィ投影露光装置の像面湾曲を修正するための方法
US7145630B2 (en) 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161654B2 (en) 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7248334B2 (en) 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4565271B2 (ja) * 2005-01-31 2010-10-20 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20090262316A1 (en) 2005-01-31 2009-10-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
CN102360170B (zh) 2005-02-10 2014-03-12 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8089608B2 (en) * 2005-04-18 2012-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101504765B1 (ko) 2005-05-12 2015-03-30 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7535644B2 (en) 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007103841A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7656501B2 (en) 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
EP1965414A4 (de) 2005-12-06 2010-08-25 Nikon Corp Belichtungsverfahren, belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) * 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7969548B2 (en) 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
WO2008040410A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US9013672B2 (en) 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US20090001403A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Motorola, Inc. Inductively excited quantum dot light emitting device
US9025126B2 (en) 2007-07-31 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method
US20090054752A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Motorola, Inc. Method and apparatus for photoplethysmographic sensing
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
SG10201602750RA (en) 2007-10-16 2016-05-30 Nikon Corp Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5588353B2 (ja) * 2008-01-21 2014-09-10 プライムセンス リミテッド ０次低減のための光学設計
CN101910817B (zh) 2008-05-28 2016-03-09 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及器件制造方法
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2381310B1 (de) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Flüssigkeitshandhabungsstruktur und lithographischer Apparat
JP6122252B2 (ja) * 2012-05-01 2017-04-26 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
CN103744269B (zh) * 2014-01-03 2015-07-29 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻投影物镜波像差和成像最佳焦面的检测方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610683A (en) * 1992-11-27 1997-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Immersion type projection exposure apparatus

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US4908656A (en) * 1988-01-21 1990-03-13 Nikon Corporation Method of dimension measurement for a pattern formed by exposure apparatus, and method for setting exposure conditions and for inspecting exposure precision
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
US6304317B1 (en) * 1993-07-15 2001-10-16 Nikon Corporation Projection apparatus and method
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP3368091B2 (ja) * 1994-04-22 2003-01-20 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5883704A (en) * 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
KR970067591A (ko) * 1996-03-04 1997-10-13 오노 시게오 투영노광장치
JPH09320945A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Nikon Corp 露光条件測定方法及び露光装置
JP3695000B2 (ja) * 1996-08-08 2005-09-14 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US6235438B1 (en) * 1997-10-07 2001-05-22 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JPH11233429A (ja) * 1998-02-13 1999-08-27 Canon Inc 露光方法及び露光装置
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TW550377B (en) * 2000-02-23 2003-09-01 Zeiss Stiftung Apparatus for wave-front detection
DE10119861A1 (de) * 2000-05-04 2001-11-08 Zeiss Carl Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie
US20040042094A1 (en) * 2000-12-28 2004-03-04 Tomoyuki Matsuyama Projection optical system and production method therefor, exposure system and production method therefor, and production method for microdevice
EP1231513A1 (de) * 2001-02-08 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Lithographischer Projektionsapparat mit verstellbarer Abbildungsfläche
JP2002341249A (ja) * 2001-05-11 2002-11-27 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ
JP2003042731A (ja) * 2001-08-01 2003-02-13 Canon Inc 形状計測装置および形状計測方法
TWI242691B (en) 2002-08-23 2005-11-01 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
CN101349876B (zh) * 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE10257766A1 (de) * 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP2004207521A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
KR20110110320A (ko) * 2003-05-28 2011-10-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP5143331B2 (ja) 2003-05-28 2013-02-13 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100498533C (zh) * 2003-09-25 2009-06-10 英飞凌科技股份公司 用于曝光衬底的浸没式光刻方法和装置
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP1524558A1 (de) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP4305915B2 (ja) 2004-06-17 2009-07-29 シャープ株式会社 基地局選択に用いる基準を求める方法
WO2006006562A1 (ja) * 2004-07-12 2006-01-19 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4305917B2 (ja) 2004-07-14 2009-07-29 シャープ株式会社 映像信号処理装置及びテレビジョン装置
US7894040B2 (en) * 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006245157A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Canon Inc 露光方法及び露光装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610683A (en) * 1992-11-27 1997-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Immersion type projection exposure apparatus

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8913223B2 (en) 2003-07-16 2014-12-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9383655B2 (en) 2003-07-16 2016-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9733575B2 (en) 2003-07-16 2017-08-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10151989B2 (en) 2003-07-16 2018-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10656538B2 (en) 2003-07-16 2020-05-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004051357A1 (de) * 2004-10-19 2006-04-27 Carl Zeiss Jena Gmbh Immersions-Mikroskopobjektiv
DE102004051357B4 (de) * 2004-10-19 2013-08-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Immersions-Mikroskopobjektiv
DE102006032877A1 (de) * 2006-07-15 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102008048213A1 (de) * 2008-09-20 2010-03-25 Carl Zeiss Microimaging Gmbh Anordnung zur Verlängerung des Strahlenweges bei optischen Geräten

Also Published As

Publication number Publication date
US7227616B2 (en) 2007-06-05
WO2004053596A2 (de) 2004-06-24
US20130114056A1 (en) 2013-05-09
JP2006509357A (ja) 2006-03-16
AU2003221481A1 (en) 2004-06-30
US20090002661A1 (en) 2009-01-01
US20070195299A1 (en) 2007-08-23
EP1570315A2 (de) 2005-09-07
EP1570315B1 (de) 2007-12-26
US20050264780A1 (en) 2005-12-01
US8237915B2 (en) 2012-08-07
WO2004053596A3 (de) 2004-12-02
DE50308894D1 (de) 2008-02-07

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