DE10261365B4 - Optoelectronic component with a plurality of radiation-emitting semiconductor chips - Google Patents

Optoelectronic component with a plurality of radiation-emitting semiconductor chips Download PDF

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Abstract

Optoelektronisches Bauelement mit
– einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips (4a, 4b, 4c), und
– einem Trägerkörper (1), auf dem die Halbleiterchips (4a, 4b, 4c) benachbart zu einander angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass
– zwei Halbleiterchips (4a, 4b) W-Strahlung in zwei voneinander unterschiedlichen Emissionsbereichen emittieren, wobei jeder der beiden Halbleiterchips (4a, 4b) mit einem Lumineszenz-Konversionselement (5a, 5b) versehen ist, und
– jedes Lumineszenz-Konversionselement (5a, 5b) so ausgewählt ist, dass es nicht durch die von einem benachbarten Halbleiterchip (4a, 4b, 4c) emittierte Strahlung angeregt wird, zu leuchten.Optoelectronic component with
A plurality of radiation-emitting semiconductor chips (4a, 4b, 4c), and
- A support body (1) on which the semiconductor chips (4a, 4b, 4c) are arranged adjacent to each other, characterized in that
- Two semiconductor chips (4a, 4b) emit W radiation in two mutually different emission regions, each of the two semiconductor chips (4a, 4b) is provided with a luminescence conversion element (5a, 5b), and
- Each luminescence conversion element (5a, 5b) is selected so that it is not excited by the radiation emitted by an adjacent semiconductor chip (4a, 4b, 4c) radiation to shine.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips und einem Trägerkörper, auf dem die Halbleiterchips benachbart zueinander angeordnet sind. Sie betrifft insbesondere ein optoelektronisches Bauelement der eingangs genannten Art, das oberflächenmontierbar ist und für die Erzeugung von weißem oder farbigem Mischlicht geeignet ist.The The invention relates to an optoelectronic component having a plurality of radiation-emitting semiconductor chips and a carrier body the semiconductor chips are arranged adjacent to each other. she in particular concerns an optoelectronic component of the beginning mentioned type, the surface mountable is and for the production of white or colored mixed light is suitable.

Zur Erzeugung von weißem oder anderem mischfarbigem Licht werden bisher sogenannte Multi-LEDs und herkömmliche mit Leuchtstoff versehene Einzelchip-LEDs eingesetzt. Beispielsweise kann durch eine Mischung von Rot- und Grünleuchtstoffen die von einem blauen Halbleiterchip emittierte Strahlung teilweise in rotes und grünes Licht umgewandelt werden, so dass insgesamt weißes Licht entsteht.to Generation of white or other mixed-color light so far become so-called multi-LEDs and conventional with phosphor provided single chip LEDs used. For example can by a mixture of red and green phosphors of a blue semiconductor chip emitted radiation partly in red and green Light are converted so that overall white light is created.

Die Anordnung von mehreren LED-Chips in einem Gehäusekörper ist bereits aus einer Reihe von Druckschriften bekannt. Zum Beispiel wird in der EP 0 468 341 B1 eine Halbleitervorrichtung bestehend aus mehreren LED-Chips beschrieben, bei der die LED-Chips auf einer ersten gemeinsamen Elektrode angeordnet sind und jeder LED-Chip jeweils mit einer zweiten Elektrode separat elektrisch verbunden ist. Üblicherweise werden drei Halbleiterchips eingesetzt, von denen einer blaues, einer rotes und einer grünes Licht erzeugt, um im Gesamteindruck weißes Mischlicht zu erzeugen.The arrangement of a plurality of LED chips in a housing body is already known from a number of publications. For example, in the EP 0 468 341 B1 a semiconductor device is described consisting of a plurality of LED chips, wherein the LED chips are arranged on a first common electrode and each LED chip is electrically connected separately to a second electrode. Usually, three semiconductor chips are used, one of which produces blue, one red and one green light, in order to produce white mixed light in the overall impression.

Ein besonderes Problem einer solchen Halbleitervorrichtung besteht darin, dass die verschiedenen Chiptechnologien für die unterschiedlichen Farben eine technisch aufwändige Spannungsversorgung erfordern. Ein weiterer Nachteil ist die Absorption von Strahlung des blauen Halbleiterchips durch die benachbarten Halbleiterchips. Aufgrund eines dadurch reduzierten Blauanteils des gesamten emittierten Lichts kann bei der Erzeugung weißen Lichts entweder ein grünlicher oder gelblicher Farbeindruck entstehen.One particular problem of such a semiconductor device is that the different chip technologies for the different colors a technically complex Require power supply. Another disadvantage is the absorption radiation of the blue semiconductor chip through the adjacent ones Semiconductor chips. Due to a reduced blue content of the total emitted light may be in the generation of white light either a greenish one or yellowish color impression arise.

Diesem Problem kann beispielsweise durch die Anordnung einer reflektierenden Zwischenwand zwischen jeweils zwei Halbleiterchips begegnet werden. Diese aus der WO 02/17401 A1 bekannte Maßnahme setzt voraus, dass kein bzw. wenig emittiertes Licht an der Lichtaustrittsfläche reflektiert wird und folglich in den Absorptionsbereich der benachbarten Halbleiterchips kommt. Außerdem benötigen diese Zwischenwände zusätzlichen Platz im für die Halbleiterchips vorgesehenen Montierbereich, was zu einer vergrößerten Bauform führt. Je mehr Halbleiterchips in dem einen Gehäusekörper angeordnet sind, um so mehr Zwischenwände und damit Platz im Bauelement sind nötig.this Problem can be solved, for example, by the arrangement of a reflective Intermediate wall can be met between each two semiconductor chips. This measure known from WO 02/17401 A1 requires that no or little emitted light reflected at the light exit surface and, consequently, in the absorption region of the adjacent semiconductor chips comes. Furthermore need these partitions additional Place in for the semiconductor chips provided Montierbereich, resulting in an enlarged design leads. The more semiconductor chips are arranged in the one housing body, the more so partitions and thus space in the component are necessary.

Die Druckschrift JP 2000/294834 A beschreibt eine Leuchtdiode mit einem Leuchtdiodenchip, der blaues Licht emittiert und einem Leuchtdiodenchip, der grünes Licht emittiert. Der blaues Licht emittierende Leuchtdiodenchip ist von einem Lumineszenzkonversionsmaterial umgeben, das einen Teil des blauen Lichts in rotes Licht konvertiert.The JP 2000/294834 A describes a light emitting diode with a LED chip that emits blue light and a light-emitting diode chip, the green Emitted light. The blue light emitting LED chip is surrounded by a luminescence conversion material, which is a part of blue light converted to red light.

Die Druckschrift WO 97/48138 A2 beschreibt eine Beleuchtungseinrichtung mit einer Vielzahl gleichartiger Leuchtdiodenchips, die elektromagnetische Strahlung im LTV-Bereich emittieren. Den Leuchtdiodenchips ist jeweils ein Konversionsmaterial nachgeordnet, das die W-Strahlung in sichtbares Licht umwandelt.The Document WO 97/48138 A2 describes a lighting device with a variety of similar LED chips, the electromagnetic Emit radiation in the LTV range. The LED chips are each a conversion material arranged downstream, the W radiation in visible light transforms.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein optoelektronisches Bauelement der eingangs genannten Art mit erhöhter Lichtausbeute und verringerte technischen Aufwand zu schaffen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 9. Erfindungsgemäß weist ein optoelektronisches Bauelement eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf, die auf einem Trägerkörper benachbart zueinander angeordnet sind. Die Beleuchtungseinrichtung weist zwei Halbleiterchips auf, die UV-Strahlung in zwei voneinander unterschiedlichen Emissionsbereichen emittieren, wobei jeder der beiden Halbleiterchips mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial versehen ist.Of the The present invention is based on the object, an optoelectronic Component of the type mentioned with increased light output and reduced to create technical effort. This object is achieved by an optoelectronic component solved with the features of claim 1. Advantageous developments The invention are the subject of the dependent claims 2 to 9. According to the invention an optoelectronic component a plurality of radiation-emitting Semiconductor chips on a support body adjacent to each other are arranged. The illumination device has two semiconductor chips on, the UV radiation in two different emission areas emit each of the two semiconductor chips with a luminescence conversion material is provided.

Jedes Lumineszenz-Konversionselement ist so ausgewählt, dass es im wesentlichen nicht durch die von einem benachbarten Halbleiterchip emittierte Strahlung zum Leuchten angeregt wird. Aufgrund dieser Bedingung wird die gewünschte emittierte Strahlung im wesentlichen nicht von dem Lumineszenz-Konversionselement eines benachbarten Halbleiterchips absor biert. Somit wird das gewünschte weiße bzw. mischfarbige Licht vom Bauelement emittiert und die Effizienz der Umwandlung durch die Lumineszenz-Konversionselemente und damit die Lumineszenz-Effizienz des Bauelements wesentlich gesteigert.each Luminescence conversion element is selected so that it is substantially not by the radiation emitted by a neighboring semiconductor chip is excited to shine. Due to this condition, the desired emitted radiation essentially not of the luminescence conversion element of an adjacent one Semiconductor chips absorb biert. Thus, the desired white or mixed-color light emitted by the device and the efficiency of the conversion by the luminescence conversion elements and thus the luminescence efficiency of the component significantly increased.

In einer bevorzugten Ausführungsform werden Halbleiterchips eingesetzt, die an sich Strahlung im Emissionsbereich für UV- und blaues Licht erzeugen. In a preferred embodiment Semiconductor chips are used, which in themselves radiation in the emission area for UV and blue light produce.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform emittieren die Halbleiterchips gegebenenfalls einschließlich des jeweils zugehörigen Lumineszenz-Konversionselements in zumindest zwei unterschiedlichen Spektralbereichen des sichtbaren optischen Spektrums. Durch gezielte Ansteuerung der einzelnen Halbleiterchips können unterschiedliche Lichtfarben innerhalb eines großen Farbraumes erzeugt werden.In a further preferred embodiment, the semiconductor chips emit optionally including the respectively associated luminescence conversion element in at least two different spectral regions of the visible optical spectrum. By targeted control of the individual semiconductor chips different light colors can be generated within a large color space.

Vorteilhafterweise ist die Erzeugung von Mischlicht einer vorbestimmten Mischfarbe vorgesehen.advantageously, is the generation of mixed light of a predetermined mixed color intended.

Weiterhin ist vorzugsweise die Erzeugung von weißem oder weitestgehend weißem Licht vorgesehen. Unter weitestgehend weißem Licht wird mischfarbiges Licht verstanden, dessen Farbort sich so nah bei dem Weißpunkt der CIE-Normfarbtafel befindet, dass ein gelbliches, grünliches oder bläuliches Weißlicht oder ein weißlich-violettes Licht erzeugt wird.Farther is preferably the production of white or largely white light intended. Under largely white light becomes mixed-colored Understood light whose color coordinates are so close to the white point of the CIE standard color chart is that a yellowish, greenish or bluish white light or a whitish-purple Light is generated.

Vorteilhaft an dem erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelement ist, dass durch den Einsatz von lediglich UV-Strahlung emittierenden Halbleiterchips, die jedoch unterschiedliche Emissionsbereiche aufweisen, die Ansteuerung der Halbleiterchips erheblich vereinfacht ist.Advantageous at the optoelectronic according to the invention Component is that by the use of only UV-emitting radiation Semiconductor chips, however, have different emission ranges, the control of the semiconductor chips is considerably simplified.

Beide UV-Strahlung emittierende Halbleiterchips werden mit jeweils einem Lumineszenz-Konversionselement versehen, um die W-Strahlung vom jeweiligen Halbleiterchip in sichtbares Licht umzuwandeln.Both UV radiation emitting semiconductor chips are each with a Luminescence conversion element provided to the W radiation from the respective Convert semiconductor chip into visible light.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform besteht das Lumineszenz-Konversionselement jeweils aus einem strahlungsdurchlässigen Material, in dem eine oder mehrere verschiedene Arten von Leuchtstoffen dispergiert sind. Vorzugsweise ist das strahlungsdurchlässige Material ein Klarharz.In a further preferred embodiment each luminescence conversion element consists of a radiation-transmissive material, in which disperses one or more different types of phosphors are. Preferably, the radiation-transmissive material is a clear resin.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform wird das erfindungsgemäße Bauelement mit drei Halbleiterchips bestückt. Die drei Halbleiterchips können eine Kombination von einer blaues Licht emittierenden und W-Strahlung emittierenden Halbleiterchips oder von lediglich W-Strahlung emittierenden Halbleiterchips sein. Die LTV-Strahlung emittierenden Halbleiterchips sind vorzugsweise jeweils mit zumindest einem Lumineszenz-Konversionselement versehen.at a further advantageous embodiment, the device according to the invention with equipped with three semiconductor chips. The three semiconductor chips can a combination of a blue light emitting and a W radiation emitting semiconductor chips or emitting only W radiation Be semiconductor chips. The LTV radiation emitting semiconductor chips are preferably each with at least one luminescence conversion element Mistake.

Bei einer weiteren Ausführungsform werden die Halbleiterchips gegebenenfalls einschließlich des jeweils zugehörigen Lumineszenz-Konversionselements mit einer strahlungsdurchlässigen Platte abgedeckt oder mit einem strahlungsdurchlässigen Material umhüllt. Dadurch werden die Halbleiterchips gegen Verschmutzung und/oder Feuchtigkeit geschützt.at a further embodiment If necessary, the semiconductor chips are including each associated Luminescence conversion element with a radiation-transmissive plate covered or covered with a radiation-transparent material. Thereby The semiconductor chips are protected against dirt and / or moisture protected.

Vorteilhafterweise können lichtstreuende Partikel in einer solchen Umhüllung oder Abdeckplatte integriert sein, um einen einheitlicheren Farbeindruck des erfindungsgemäßen Bauele ments zu erzeugen. Dadurch wird die Erscheinung von einzelnen farbiges Licht emittierenden Halbleiterchips verringert.advantageously, can light-scattering particles integrated in such a cover or cover plate be to a more uniform color impression of the invention compo element to create. This makes the appearance of individual colored Reduced light emitting semiconductor chips.

Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus den beiden nachfolgend in Verbindung mit den 1 und 2 erläuterten Ausführungsbeispielen.Further features, advantages and expediencies emerge from the two below in connection with the 1 and 2 explained embodiments.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine schematische Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements, und 1 a schematic sectional view of a first embodiment of a device according to the invention, and

2 eine schematische Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements. 2 a schematic sectional view of a second embodiment of a device according to the invention.

Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Zum besseren Verständnis sind die Ausführungsbeispiele in den Figuren nicht maßstabsgerecht dargestellt.Same or equivalent elements are denoted by the same reference numerals in the figures Mistake. For better understanding are the embodiments not shown to scale in the figures.

Das in 1 dargestellte optoelektronische Bauelement weist zwei Halbleiterchips 4a, 4b auf, die in einer Vertiefung 3 eines Trägerkörpers 1 benachbart zueinander angeordnet sind. Die Halbleiterchips 4a, 4b sind auf einem ersten Teil eines Leiterrahmens 2 aufgelötet oder aufgeklebt und mit nicht dargestellten Bonddrähten mit einem zweiten Teil des Leiterrahmens 2 elektrisch verbunden. Beide Halbleiterchips 4a, 4b emittieren W-Strahlung aus zwei unterschiedlichen Wellenlängenbereichen. Beide Halbleiterchips 4a, 4b sind mit jeweils einem Lumineszenz-Konversionselement 5a, 5b versehen.This in 1 The optoelectronic component shown has two semiconductor chips 4a . 4b on that in a depression 3 a carrier body 1 are arranged adjacent to each other. The semiconductor chips 4a . 4b are on a first part of a ladder frame 2 soldered or glued and with not shown bonding wires with a second part of the lead frame 2 electrically connected. Both semiconductor chips 4a . 4b emit W radiation from two different wavelength ranges. Both semiconductor chips 4a . 4b are each with a luminescence conversion element 5a . 5b Mistake.

Die Lumineszenz-Konversionselemente 5a, 5b bestehen aus einem mit Leuchtstoffpartikeln versehenen strahlungsdurchlässigen Harz. Der Leuchtstoff von einem Lumineszenz-Konversionselement 5a wandelt die UV-Strahlung des zugehörigen Chips 4a beispielsweise in blaues Licht um und der Leuchtstoff von dem anderen Lumineszenz-Konversionselement 5b wandelt die UV-Strahlung des zugehörigen Chips 4b beispielsweise ins rotgrüne Licht um. Somit kann weißes Licht oder weitestgehend weißes Licht erzeugt werden.The luminescence conversion elements 5a . 5b consist of a provided with phosphor particles radiation-permeable resin. The phosphor of a luminescence conversion element 5a converts the UV radiation of the associated chip 4a for example, in blue light and the phosphor of the other luminescence conversion element 5b converts the UV radiation of the associated chip 4b For example, to the red-green light. Thus, white light or largely white light can be generated.

Das Bauelement ist durch eine strahlungsdurchlässige Abdeckplatte 6 gegen Umgebungseinflüsse geschützt werden. Alternativ kann die Vertiefung 3 mit einer Klarverguss gefüllt sein.The device is characterized by a radiation-permeable cover plate 6 protected against environmental influences. Alternatively, the recess 3 be filled with a clear potting.

In 2 ist ein Ausführungsbeispiel dargestellt, welches drei Halbleiterchips 4a, 4b, 4c aufweist. Wie bei dem in 1 dargestellte Beispiel sind die Halbleiterchips 4a, 4b, 4c benachbart zueinander in einer Vertiefung 3 eines Trägerkörpers 1 angeordnet und an den Leiterrahmen 2 elektrisch angeschlossen.In 2 an embodiment is shown, which three semiconductor chips 4a . 4b . 4c having. As with the in 1 Illustrated example are the semiconductor chips 4a . 4b . 4c adjacent to each other in a depression 3 a carrier body 1 arranged and attached to the ladder frame 2 electrically connected.

Der Halbleiterchip 4c emittiert blaues Licht und die zwei anderen Halbleiterchips 4a, 4b emittieren UV-Strahlung. Der zweite und dritte Halbleiterchip 4a, 4b sind jeweils mit einem Lumineszenz-Konversionselement 5a, 5b versehen. Das Lumineszenz-Konversionselement 5a des zweiten Halbleiterchips 4a enthält einen roten Leuchtstoff und das Lumineszenz-Konversionselement 5b des dritten Halbleiterchips 4b einen grünen Leuchtstoff. Als rote und grüne Leuchtstoffe können Sulfide bzw. Thiogallate verwendet sein.The semiconductor chip 4c emits blue light and the two other semiconductor chips 4a . 4b emit UV radiation. The second and third semiconductor chip 4a . 4b are each with a luminescence conversion element 5a . 5b Mistake. The luminescence conversion element 5a of the second semiconductor chip 4a contains a red phosphor and the luminescence conversion element 5b of the third semiconductor chip 4b a green phosphor. As red and green phosphors, sulfides or thiogallates can be used.

Vorzugsweise ist die Vertiefung 3 samt Halbleiterchips mit einer strahlungsdurchlässigen Vergußmasse 6 vergossen. Um einen einheitlicheren Farbeindruck des Bauelements zu erzeugen, sind vorzugsweise lichtstreuende Partikel 7 in der Vergußmasse 6 dispergiert. Optional können die Seitenwände der Vertiefung 3 mit einem Reflektor 8 versehen sein, um die Lichtausbeute weiter zu verbessern. Die diffuse Vergußmasse 6 vermindert den Eindruck zweier oder mehrerer getrennter Farbpunkte im Reflektor.Preferably, the recess 3 including semiconductor chips with a radiation-permeable potting compound 6 shed. In order to produce a more uniform color impression of the component, preferably light-scattering particles 7 in the potting compound 6 dispersed. Optionally, the side walls of the recess 3 with a reflector 8th be provided to further improve the light output. The diffuse sealing compound 6 reduces the impression of two or more separate color dots in the reflector.

Andere Formen des Lumineszenz-Konversionselements 5a, 5b können vorgesehen sein. Beispielsweise kann das Lumineszenz-Konversionselement 5 in Form einer Schicht bereits auf den Halbleiterchip 4a, 4b aufgebracht integriert werden, bevor dieser auf den Trägerkörper 1 montiert wird.Other forms of the luminescence conversion element 5a . 5b can be provided. For example, the luminescence conversion element 5 in the form of a layer already on the semiconductor chip 4a . 4b be integrally applied before this on the carrier body 1 is mounted.

Durch Kombinationen von verschiedenen Arten von Halbleiterchips und/oder Leuchtstoffen können auf einfache Weise LED-Bauelemente unterschiedlicher Mischfarben erzeugt werden. Die erfindungsgemäßen Bauelemente können ohne oder nur mit geringer Umstellung in den existierenden Anlagen hergestellt werden.By Combinations of different types of semiconductor chips and / or Phosphors can in a simple way LED components different mixed colors are generated. The components of the invention can with little or no change in the existing facilities getting produced.

Claims (9)

Optoelektronisches Bauelement mit – einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips (4a, 4b, 4c), und – einem Trägerkörper (1), auf dem die Halbleiterchips (4a, 4b, 4c) benachbart zu einander angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass – zwei Halbleiterchips (4a, 4b) W-Strahlung in zwei voneinander unterschiedlichen Emissionsbereichen emittieren, wobei jeder der beiden Halbleiterchips (4a, 4b) mit einem Lumineszenz-Konversionselement (5a, 5b) versehen ist, und – jedes Lumineszenz-Konversionselement (5a, 5b) so ausgewählt ist, dass es nicht durch die von einem benachbarten Halbleiterchip (4a, 4b, 4c) emittierte Strahlung angeregt wird, zu leuchten.Optoelectronic component having - a plurality of radiation-emitting semiconductor chips ( 4a . 4b . 4c ), and - a carrier body ( 1 ) on which the semiconductor chips ( 4a . 4b . 4c ) are arranged adjacent to each other, characterized in that - two semiconductor chips ( 4a . 4b ) Emit W radiation in two mutually different emission regions, each of the two semiconductor chips ( 4a . 4b ) with a luminescence conversion element ( 5a . 5b ), and - each luminescence conversion element ( 5a . 5b ) is selected such that it is not affected by the signal from a neighboring semiconductor chip ( 4a . 4b . 4c ) emitted radiation is excited to shine. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die Halbleiterchips (4a, 4b, 4c) ggf. einschließlich des jeweils zugehörigen Lumineszenz-Konversionselements (5a, 5b) Strahlung aus unterschiedlichen Spektralbereichen des sichtbaren optischen Spektrums emittieren.Optoelectronic component according to Claim 1, in which the semiconductor chips ( 4a . 4b . 4c ) optionally including the respectively associated luminescence conversion element ( 5a . 5b ) Emit radiation from different spectral regions of the visible optical spectrum. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem ein Halbleiterchip (4c) an sich Strahlung im Emissionsbereich für blaues Licht erzeugt.Optoelectronic component according to Claim 1 or 2, in which a semiconductor chip ( 4c ) itself produces radiation in the emission range for blue light. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem jedes Lumineszenz-Konversionselement (5a, 5b) Strahlung in sichtbares Licht umwandelt.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, in which each luminescence conversion element ( 5a . 5b ) Converts radiation into visible light. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterchips (4a, 4b, 4c) und die Lumineszenz-Konversionselemente (5a, 5b) so ausgewählt sind, dass das Bauelement weißes oder weitestgehend weißes Licht emittiert.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, in which the semiconductor chips ( 4a . 4b . 4c ) and the luminescence conversion elements ( 5a . 5b ) are selected so that the device emits white or largely white light. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Halbleiterchips (4a, 4b, 4c) und/oder die Lumineszenz-Konversionselemente (5a, 5b) so ausgewählt sind, dass das Bauelement Licht einer vorbestimmten Mischfarbe emittiert.Optoelectronic component according to one of Claims 1 to 4, in which the semiconductor chips ( 4a . 4b . 4c ) and / or the luminescence conversion elements ( 5a . 5b ) are selected so that the device emits light of a predetermined mixed color. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem – genau drei Halbleiterchips (4a, 4b, 4c) vorhanden sind, – ein Halbleiterchip (4c) an sich blaues Licht emittiert, und die W-Strahlung emittierenden Halbleiterchips (4a, 4b) mit jeweils einem Lumineszenz-Konversionselement (5a, 5b) versehen sind, das die vom jeweils zugehörigen Halbleiterchip (4a, 4b) emittierte W-Strahlung in sichtbares Licht umwandelt.Optoelectronic component according to one of Claims 1 to 6, in which - exactly three semiconductor chips ( 4a . 4b . 4c ), - a semiconductor chip ( 4c ) emits blue light per se, and the W radiation emitting semiconductor chips ( 4a . 4b ) each having a luminescence conversion element ( 5a . 5b ) provided by the respectively associated semiconductor chip ( 4a . 4b ) converted W radiation into visible light. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 5, bei dem, – genau drei Halbleiterchips (4a, 4b, 4c) vorhanden sind, – ein Halbleiterchip (4c) an sich blaues Licht emittiert, wobei – ein Halbleiterchip (4a) mit einem Lumineszenz-Konversionselement (5a) versehen ist, das die vom Halbleiterchip (4a) emittierte UV-Strahlung in grünes Licht umwandelt, und – ein Halbleiterchip (4b) mit einem zweiten Lumineszenz-Konversionselement (5b) versehen ist, das die vom Halbleiterchip (4b) emittierte W-Strahlung in rotes Licht umwandelt.Optoelectronic component according to Claim 5, in which - exactly three semiconductor chips ( 4a . 4b . 4c ), - a semiconductor chip ( 4c ) emits blue light per se, wherein - a semiconductor chip ( 4a ) with a luminescence conversion element ( 5a ) provided by the semiconductor chip ( 4a ) converts UV radiation emitted into green light, and - a semiconductor chip ( 4b ) with a second luminescence conversion element ( 5b ), which is the from the semiconductor chip ( 4b ) converted W-radiation into red light. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterchips (4a, 4b, 4c) mit einer Umhüllung (6) versehen sind, die lichtstreuende Partikel (7) enthält und strahlungsdurchlässig ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, in which the semiconductor chips ( 4a . 4b . 4c ) with a sheath ( 6 ), the light-scattering particles ( 7 ) and is permeable to radiation.
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