DE112006001516T5 - Feldeffekttransistor mit Ladungsgleichgewicht - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 159
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 109
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 87
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 85
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 85
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 40
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 39
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 15
- 239000002689 soil Substances 0.000 claims description 13
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 6
- -1 spacer nitride Chemical class 0.000 claims 4
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 40
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 17
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethylsilyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS(O)(=O)=O TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003542 behavioural effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66666—Vertical transistors
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66727—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the source electrode
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
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- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
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- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
- H01L29/0873—Drain regions
- H01L29/0878—Impurity concentration or distribution
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Abstract
Verfahren
zum Bilden eines FET, umfassend:
Vorsehen eines Halbleiterbereichs von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die sich über dem Halbleiterbereich erstreckt;
Bilden eines Grabens, der sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Halbleiterbereich endet;
Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp, um dadurch einen Bereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp entlang den Grabenseitenwänden zu bilden;
Durchführen einer Schwellenspannungs-Einstellungsimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp, um dadurch einen Leitfähigkeitstyp eines Abschnitts des Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich entlang oberen Seitenwänden des Grabens erstreckt, in den zweiten Leitfähigkeitstyp umzuwandeln; und
Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp, die jede Seite des Grabens flankieren.
Vorsehen eines Halbleiterbereichs von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die sich über dem Halbleiterbereich erstreckt;
Bilden eines Grabens, der sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Halbleiterbereich endet;
Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp, um dadurch einen Bereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp entlang den Grabenseitenwänden zu bilden;
Durchführen einer Schwellenspannungs-Einstellungsimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp, um dadurch einen Leitfähigkeitstyp eines Abschnitts des Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich entlang oberen Seitenwänden des Grabens erstreckt, in den zweiten Leitfähigkeitstyp umzuwandeln; und
Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp, die jede Seite des Grabens flankieren.
Description
- QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
- Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der vorläufigen
US-Anmeldung Nr. 60/689,229 - Diese Anmeldung betrifft
U.S. Patentanmeldung Nr. 11/026,276 US-Patentanmeldung Nr. 11/441,386 - HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Die Erfindung betrifft die Technologie von Halbleiterleistungsvorrichtungen, und insbesondere Feldeffekttransistoren mit Ladungsgleichgewicht und Verfahren zur Herstellung derselben.
- Die Entwicklung von Vorrichtungsstrukturen für Hochstromschalter hat einen Fortschritt von vertikalen DMOS-Strukturen mit planarem Gate zu Trench-Gate-Strukturen, die jene mit Abschirmelektroden umfassen, durchlaufen. Frühere Entwicklungsprojekte fokussierten sich auf die Verringerung des spezifischen Widerstandes im Ein-Zustand RSP. Später wurden andere Verhaltensmerkmale, wie etwa die Gate-Ladung (die Ladung, die erforderlich ist, um die Vorrichtung ein- und auszuschalten) den Ent wicklungszielen hinzugefügt. In letzter Zeit haben sich diese Leistungsmerkmale zu spezifischen einzigartigen Zielen, die von der spezifischen Anwendung für den Schalter abhängen, entwickelt.
- Wegen seines Einflusses auf die Schaltgeschwindigkeit des MOSFET wird das Produkt des spezifischen Ein-Widerstandes und der Gate-Drain-Ladung, RSP × QGD, als Leistungszahl (FOM von figure-of-merit) für den oberen Schalter in synchronen Abwärtswandlern bezeichnet, die in vielen elektronischen Systemen allgegenwärtig sind. Auf ähnliche Weise wird der niederseitige MOSFET, dessen Leistungsdissipation von Leitungsverlusten abhängt, auf der Basis einer FOM beurteilt, die von der Gesamt-Gate-Ladung, RSP × QG, abhängt. Strukturen mit abgeschirmtem Gate können beide Leistungszahlen signifikant verbessern. Zusätzlich kann durch Erhöhen der Tiefe der Abschirmelektrode das Ladungsgleichgewicht oder Ladungsausgleich verbessert werden, was einen höheren Durchbruch als bei einer parallelen Ebene für eine gegebene Driftbereichskonzentration zulässt, wodurch RSP verringert wird.
- Das Implementieren einer derartigen Vorrichtung mit Ladungsgleichgewicht für Niederspannungs-MOSFET hat sich wegen Prozess- und Materialschwankungen als schwierig erwiesen, die zu einem Ungleichgewicht in den Trägertypen führt, was wiederum eine verringerte Durchbruchspannung hervorruft. Unter der Annahme, dass das Ladungsgleichgewicht zu einem flachen elektrischen Feld in dem Driftbereich führt, kann gezeigt werden, dass das Produkt aus der Dotierungskonzentration N und der Breite der Driftbereichssäulen W kleiner sein muss als das Produkt aus der Halbleiter-Permittivität und dem kritischen elektrischen Feld dividiert durch die Elektronenladung q:
- Folglich erfordert ein niedrigeres BVDSS-Ziel eine größere Dotierungskonzentration, so dass die Driftbereichssäulenbreite abnehmen muss, um das Ladungsgleichgewicht aufrecht zu erhalten. Beispielsweise erfordert eine 30 V Vorrichtung mit einer Driftbereichskonzentration von etwa 2 × 1016 cm–3 für ein optimales Ladungsgleichgewicht bzw. einen optimalen Ladungsausgleich eine Mesa-Breite von weniger als etwa 1,4 μm. Diese Bedingung führt jedoch nicht zu einer Verbesserung der RSP, da 2 × 1016 cm–3 30 V ohne Ladungsgleichgewicht bzw. Ladungsausgleich unterstützen kann. Wenn die Konzentration verdoppelt wird, um den Driftbereichswiderstand zu verringern, wird die erforderliche Mesa-Breite auf etwa 0,7 μm halbiert. Diese dünnen Abmessungen sind unter Berücksichtigung all der Merkmale, die zu der Zellenarchitektur passen müssen, wie etwa der Heavy-Body-Übergang, der für eine Lawinenrobustheit benötigt wird, schwierig zu erreichen.
- Bei den meisten Ladungsgleichgewichtsarchitekturen ist der Driftbereich ein n-leitender Bereich auf einem stark dotierten n-leitenden Substrat. Bei manchen Abwandlungen wird Bor in die Grabenseitenwände implantiert, um eine Ladung mit entgegengesetzter Polarität bereitzustellen. Bei Niederspannungsvorrichtungen kann jedes der Verfahren an Prozessschwankungen leiden, die zu einem Ladungsungleichgewicht und zu einer relativ breiten Verteilung in den Verhaltensmerkmalen, die RSP, QGD und BVDSS umfassen, führen. Die Prozessabweichungen rühren von mehreren Quellen her, die Konzentration der Epitaxieschicht, die Tiefe der Gate-Elektrode relativ zu der Tiefe der p-Wanne, Mesa-Breite und die Dicke des Abschirmdielektrikums umfassen.
- Es gibt somit einen Bedarf für MOSFET-Zellenstrukturen mit verbessertem Ladungsgleichgewicht und Herstellungsverfahren.
- KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Feldeffekttransistor wie folgt gebildet. Es wird ein Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einer zweiten Leitfähigkeit, die sich über dem Halbleiterbereich erstreckt, vorgesehen. Es wird ein Graben gebildet, der sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Halbleiterbereich endet. Eine schräge Implantation mit zwei Durchgangen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp wird ausgeführt, um dadurch einen Bereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp entlang den Grabenseitenwänden zu bilden. Es wird eine Schwellenspannungs-Einstellungsimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp ausgeführt, um dadurch einen Leitfähigkeitstyp eines Abschnitts des Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich entlang oberen Seitenwänden des Grabens erstreckt, in den zweiten Leitfähigkeitstyp umzuwandeln. Es werden Source-Bereiche von dem ersten Leitfähigkeitstyp gebildet, die jede Seite des Grabens flankieren.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung umfasst ein MOSFET einen Graben, der sich in einen Halbleiterbereich erstreckt, und eine Abschirmelektrode in einem unteren Abschnitt des Grabens. Die Abschirmelektrode ist gegenüber dem Halbleiterbereich durch ein Abschirmdielektrikum isoliert. Eine Gate-Elektrode befindet sich in einem oberen Abschnitt des Grabens über der Abschirmelektrode, ist jedoch gegenüber dieser isoliert. Der Halbleiterbereich umfasst ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp und einen ersten Siliziumbereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über dem Substrat. Der erste Siliziumbereich weist einen ersten Abschnitt auf, der sich bis zu einer Tiefe zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche der Gate-Elektrode erstreckt. Der erste Siliziumbereich weist einen zweiten Abschnitt auf, der sich bis zu einer Tiefe zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche der Abschirmelektrode erstreckt. Der Halbleiterbereich umfasst darüber hinaus einen zweiten Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp zwischen dem Graben und dem zweiten Abschnitt des ersten Siliziumbereichs. Der zweite Siliziumbereich weist eine lateral abgestufte Dotierungskonzentration auf, die in einer Richtung von den Grabenseitenwänden weg abnimmt. Der Halbleiterbereich umfasst auch einen Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Siliziumbereich benachbart zu dem Graben.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein FET wie folgt gebildet. Es wird ein Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einer zweiten Leitfähigkeit, die sich über dem Halbleiterbereich erstreckt, vorgesehen. Ein erstes Siliziumätzen wird durchgeführt, um einen oberen Grabenabschnitt zu bilden, der sich in die Epitaxieschicht erstreckt und in dieser endet. Es wird ein Schutzmaterial gebildet, das sich entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt aber nicht entlang einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt. Es wird ein zweites Siliziumätzen durchgeführt, um einen unteren Grabenabschnitt zu bilden, der sich von der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Halbleiterbereich endet. Der untere Grabenabschnitt ist schmaler als der obere Grabenabschnitt. Es wird eine schräge Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp durchgeführt, um einen Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp entlang Seitenwänden des unteren Grabenabschnitts zu bilden. Das Schutzmate rial verhindert, dass die Implantationsdotiermittel in die Seitenwände des oberen Grabenabschnitts und den Mesa-Bereich benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt eintreten.
- Gemäß noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung umfasst ein MOSFET einen Graben, der sich in einen Halbleiterbereich erstreckt. Der Graben weist einen unteren Abschnitt und einen oberen Abschnitt auf, wobei der untere Abschnitt schmaler als der obere Abschnitt ist. Der MOSFET umfasst darüber hinaus eine Abschirmelektrode in dem unteren Abschnitt des Grabens, wobei die Abschirmelektrode gegenüber dem Halbleiterbereich durch ein Abschirmdielektrikum isoliert ist. Eine Gate-Elektrode befindet sich in dem oberen Abschnitt des Grabens, wobei sich die Gate-Elektrode über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist. Der Halbleiterbereich umfasst ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp und einen ersten Siliziumbereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über dem Substrat. Der erste Siliziumbereich weist einen ersten Abschnitt auf, der sich bis zu einer Tiefe zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche der Gate-Elektrode erstreckt. Der erste Siliziumbereich weist einen zweiten Abschnitt auf, der sich bis zu einer Tiefe zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche der Abschirmelektrode erstreckt. Der Halbleiterbereich umfasst darüber hinaus einen zweiten Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp zwischen dem unteren Grabenabschnitt und dem zweiten Abschnitt des ersten Siliziumbereichs. Der zweite Siliziumbereich weist eine lateral abgestufte Dotierungskonzentration auf, die in einer Richtung von den Seitenwänden des unteren Grabenabschnitts weg abnimmt. Ein Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp befindet sich in dem ersten Siliziumbereich, wobei sich der Source-Bereich benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt befindet.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein MOSFET wie folgt gebildet. Es wird ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einer ersten Leitfähigkeit, die sich über dem Substrat erstreckt, vorgesehen. Es wird ein erstes Siliziumätzen durchgeführt, um einen oberen Grabenabschnitt zu bilden, der sich in die Epitaxieschicht erstreckt und in dieser endet. Ein Schutzmaterial wird gebildet, das sich entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt aber nicht entlang einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt. Es wird ein zweites Siliziumätzen durchgeführt, um einen unteren Grabenabschnitt zu bilden, der sich von der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet, wobei der untere Grabenabschnitt schmaler als der obere Grabenabschnitt ist. Es wird eine schräge Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp ausgeführt, um einen Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp entlang Seitenwänden des unteren Grabenabschnitts zu bilden, wobei das Schutzmaterial verhindert, dass die Implantationsdotiermittel in die Seitenwände des oberen Grabenabschnitts und den Mesa-Bereich benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt eintreten. Ein Abschirmdielektrikum wird gebildet, das Seitenwände und die Bodenoberfläche des unteren Grabenabschnitts auskleidet. Es wird eine Abschirmelektrode in dem unteren Grabenabschnitt gebildet. Eine Gate-Dielektrikumschicht wird entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts gebildet. Es wird eine Gate-Elektrode in dem oberen Grabenabschnitt über der Abschirmelektrode gebildet, die jedoch gegenüber dieser isoliert ist.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung umfasst ein MOSFET einen Graben, der sich in einen Halbleiterbereich erstreckt. Der Graben weist einen unteren Abschnitt und einen oberen Abschnitt auf, wobei der untere Abschnitt schmaler als der obere Abschnitt ist. Der MOSFET umfasst darüber hinaus eine Abschirmelektrode in dem unteren Abschnitt des Grabens, wobei die Abschirmelektrode gegenüber dem Halbleiterbereich durch ein Abschirmdielektrikum isoliert ist. Eine Gate-Elektrode befindet sich in dem oberen Abschnitt des Grabens, wobei sich die Gate-Elektrode über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist. Der Halbleiterbereich umfasst ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine Epitaxieschicht von dem ersten Leitfähigkeitstyp über dem Substrat und einen Body-Bereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht. Ein Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp befindet sich in dem Body-Bereich, wobei der Source-Bereich und eine Grenzfläche zwischen dem Body-Bereich und dem Substrat einen Kanalbereich definieren. Ein Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp erstreckt sich entlang Seitenwänden des unteren Abschnitts des Grabens und in einen unteren Abschnitt des Kanalbereichs. Der Siliziumbereich weist eine lateral abgestufte Dotierungskonzentration auf, die in einer Richtung von den Seitenwänden des Grabens weg abnimmt.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein MOSFET wie folgt gebildet. Es wird ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von dem ersten Leitfähigkeitstyp, die sich über dem Substrat erstreckt, vorgesehen. Ein Gate-Graben wird gebildet, der sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet. Es wird ein Abschirmdielektrikum gebildet, das Seitenwände und die Bodenoberfläche des Grabenabschnitts auskleidet. Eine Abschirmelektrode wird in dem Gate-Graben gebildet. Es wird eine Gate-Dielektrikumschicht entlang oberen Seitenwänden des Gate-Grabens gebildet. Eine Gate-Elektrode wird in dem Gate-Graben gebildet, wobei sich die Gate-Elektrode über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist.
- Es wird eine tiefe Vertiefung gebildet, die sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet, wobei die tiefe Vertiefung lateral von dem Gate-Graben beabstandet ist. Die tiefe Vertiefung wird mit Siliziummaterial von dem zweiten Leitfähigkeitstyp gefüllt.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung umfasst ein MOSFET ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp und eine Epitaxieschicht von dem ersten Leitfähigkeitstyp über dem Substrat. Ein Gate-Graben erstreckt sich durch die Epitaxieschicht und endet in dem Substrat. Ein Abschirmdielektrikum kleidet Seitenwände und die Bodenoberfläche des Gate-Grabens aus. Eine Abschirmelektrode befindet sich in dem unteren Abschnitt des Gate-Grabens. Eine Gate-Dielektrikumschicht erstreckt sich entlang oberen Seitenwänden des Gate-Grabens. Eine Gate-Elektrode befindet sich in dem Gate-Graben, wobei sich die Gate-Elektrode über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist. Eine tiefe Vertiefung erstreckt sich durch die Epitaxieschicht und endet in dem Substrat, wobei die tiefe Vertiefung lateral von dem Gate-Graben beabstandet ist. Die tiefe Vertiefung ist mit Siliziummaterial von dem zweiten Leitfähigkeitstyp gefüllt.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein MOSFET wie folgt gebildet. Es wird ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp vorgesehen. Eine Epitaxieschicht von dem ersten Leitfähigkeitstyp wird über dem Substrat gebildet. Es wird eine Vielzahl von Gate-Gräben gebildet, die sich durch die Epitaxieschicht erstrecken und in dem Substrat enden. Ein Abschirmdielektrikum wird gebildet, das Seitenwände und eine Bodenoberfläche jedes Gate-Grabens auskleidet. Es wird eine Abschirmelektrode in jedem Gate-Graben gebildet. Eine Gate-Dielektrikumschicht wird entlang oberen Seitenwänden jedes Gate-Grabens gebildet. Es wird eine Gate-Elektrode in jedem Gate-Graben gebildet, wobei sich die Gate- Elektrode über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist. Eine Vielzahl von Ionenimplantationen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in Mesa-Bereiche zwischen benachbarten Gate-Gräben wird ausgeführt, um dadurch eine Vielzahl von Säulen von einem zweiten Leitfähigkeitstyp zu bilden, die sich durch die Epitaxieschicht erstrecken und in dem Substrat enden, wobei jede Säule von dem zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen jeweils zwei Gate-Gräben angeordnet ist.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein FET wie folgt gebildet. Es wird eine Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp gebildet, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst. Ein Body-Bereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp wird in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben gebildet. Es wird ein Bodenabschnitt von jedem der mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben mit Dielektrikummaterial gefüllt. Eine Gate-Elektrode wird in jedem mit einem Gate versehenen Graben über dem Dielektrikummaterial gebildet. Es wird leitfähiges Material von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben über dem Dielektrikummaterial gebildet, so dass das leitfähige Material den Body-Bereich entlang Seitenwänden jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein FET wie folgt gebildet. Es wird eine Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp gebildet, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst. Eine Abschirm elektrode wird in einem Bodenabschnitt von jedem mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Graben gebildet. Es wird ein Body-Bereich von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben gebildet. Eine Dielektrikumschicht wird über der Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben gebildet. Ein leitfähiges Material von dem zweiten Leitfähigkeitstyp wird in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben über der Dielektrikumschicht gebildet, so dass das leitfähige Material Body-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein FET wie folgt gebildet. Es wird eine Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp gebildet, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst. Ein Body-Bereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp wird in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben gebildet. Es wird eine Abschirmelektrode in einem unteren Abschnitt jedes mit einem Gate versehenen Grabens gebildet. Eine Abschirmelektrode wird in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben gebildet, wobei die Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben eine obere Oberfläche über einer unteren Oberfläche des Body-Bereichs aufweist. Es wird ein leitfähiges Material von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben gebildet, so dass das leitfähige Material Body-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert, wobei das leitfähige Material auch mit der Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben in Kontakt steht.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein FET wie folgt gebildet. Es wird eine Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp gebildet, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst. Eine Abschirmelektrode wird in einem unteren Abschnitt jedes mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Grabens gebildet. Es wird ein Body-Bereich von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben gebildet. Eine Dielektrikumschicht wird über der Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben gebildet. Es wird eine schräge Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in freigelegte obere Seitenwände jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens ausgeführt, um dadurch einen Heavy-Body-Bereich in jedem Body-Bereich zu bilden.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein FET wie folgt gebildet. Es wird eine Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp gebildet, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst. Ein Body-Bereich von einer zweiten Leitfähigkeit wird in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben gebildet. Es wird ein unterer Abschnitt von jedem der mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben mit Dielektrikummaterial gefüllt. Eine Gate-Elektrode wird über dem Dielektrikummaterial in jedem mit einem Gate versehenen Graben gebildet. Es wird eine schräge Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in freigelegte obere Seitenwände von jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben ausgeführt, um dadurch einen Heavy-Body-Bereich in jedem Body-Bereich zu bilden.
- Die folgende ausführliche Beschreibung und die begleitenden Zeichnungen liefern ein besseres Verständnis der Natur und Vorteile der vorliegenden Erfindung.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1A –1D sind vereinfachte Querschnittsansichten, die einen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines n-Kanal-MOSFET mit Ladungsgleichgewicht unter Verwendung einer p-leitenden Epitaxieschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; -
2A –2E sind vereinfachte Querschnittsansichten, die einen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines n-Kanal-MOSFET mit Ladungsgleichgewicht unter Verwendung einer p-leitenden Epitaxieschicht gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; -
3A –3E sind vereinfachte Querschnittsansichten, die einen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines n-Kanal-MOSFET mit Ladungsgleichgewicht unter Verwendung einer n-leitenden Epitaxieschicht gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; -
4 ist eine vereinfachte beispielhafte Querschnittsansicht, die einen MOSFET mit Ladungsgleichgewicht und abgeschirmten Gate und einem siliziumgefüllten Graben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
5A –5B sind vereinfachte Querschnittsansichten, die einen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines MOSFET mit Ladungsgleichgewicht unter Verwendung mehrfacher Ionenimplantationsschritte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; -
6A –6G sind vereinfachte Querschnittsansichten, die einen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines Trench-Gate-FET mit selbstjustierten, nicht mit einem Gate versehenen Gräben, die zwischen den mit einem Gate versehenen Gräben eingearbeitet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen; -
7A –7H sind vereinfachte Querschnittsansichten, die einen anderen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines FET mit abgeschirmtem Gate und selbstjustierten, nicht mit einem Gate versehenen Gräben, die zwischen den mit einem Gate versehen Gräben eingearbeitet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen; -
8A –8H sind vereinfachte Querschnittsansichten, die noch einen anderen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines FET mit abgeschirmtem Gate und selbstjustierten, nicht mit einem Gate versehenen Gräben, die zwischen den mit einem Gate versehen Gräben eingearbeitet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen; -
9 ist eine vereinfachte Querschnittsansicht eines FET mit abgeschirmtem Gate und einem nicht mit einem Gate versehenen Graben, wobei die Heavy-Body-Bereiche in den Body-Bereichen anstelle im Inneren des nicht mit einem Gate versehenen Grabens gebildet sind; und -
10 ist eine vereinfachte Querschnittsansicht eines Trench-Gate-FET mit einem nicht mit einem Gate versehenen Graben, wobei die Heavy-Body-Bereiche in den Body-Bereichen anstelle im Inneren des nicht mit einem Gate versehenen Grabens gebildet sind. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein n-Kanal-MOSFET mit abgeschirmtem Gate, der besonders für Niederspannungsanwendungen nützlich ist, aber nicht darauf beschränkt ist, in einer p-leitenden Epitaxieschicht anstatt der herkömmlichen n-leitenden Epitaxieschicht gebildet. Dies bietet Möglichkeiten, den Prozess zu vereinfachen, wie etwa die Prozessschritte zu beseitigen, die zum Bilden des gleitenden Body-Bereichs gehören.
- Die
1A –1D sind vereinfachte Querschnittsansichten, die eine Prozessfolge zum Bilden eines MOSFET mit Ladungsgleichgewicht oder Ladungsausgleich gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. In1A wird eine p-leitende Epitaxieschicht44 (z.B. durch selektives epitaktisches Aufwachsen von Silizium) über einem Siliziumsubstrat42 gebildet. In einer Ausführungsform umfasst das Wafer-Ausgangsmaterial ein Substrat42 und seine darüberliegende p-leitende Epi taxieschicht44 . Es wird ein herkömmliches Grabenätzen ausgeführt, um einen Graben46 zu bilden, der sich durch die Epitaxieschicht44 erstreckt und in dem Substrat42 endet. Ein optionaler Warmbehandlungsschritt kann anschließend durchgeführt werden, um beschädigtes Silizium zu reparieren und die Grabenecken zu runden. - In
1B wird eine schräge Implantation mit zwei Durchgangen50 ausgeführt, um einen n-leitenden Bereich48 entlang den Grabenseitenwänden und dem Grabenboden unter Verwendung bekannter Techniken zu bilden. Obgleich es nicht gezeigt ist, wird verhindert, dass die Mesa-Bereiche die Implantationsdotiermittel aufnimmt. Ein optionaler Diffusions- und Eintreibeschritt kann dazu verwendet werden, die implantierten Ionen weiter in das Silizium zu treiben. In1C werden ein Abschirmdielektrikum53 und eine Abschirmelektrode54 in dem unteren Abschnitt des Grabens46 unter Verwendung herkömmlicher Techniken gebildet. Anschließend wird eine Inter-Poly-Dielektrikumschicht (IPD-Schicht)56 über der Abschirmelektrode54 gebildet. Unter Verwendung bekannter Verfahren wird ein Gate-Dielektrikum53 , das die oberen Grabenseitenwände auskleidet, gebildet, worauf folgt, dass eine vertiefte Gate-Elektrode58 über der IPD-Schicht56 gebildet wird. - In
1D wird eine Schwellenspannungs-(Vt-)Einstellungsimplantation von p-leitenden Dotiermitteln unter Verwendung bekannter Techniken ausgeführt, um p-leitende Bereiche62 zu bilden. Die Dotierungskonzentration der Vt-Implantation wird derart gewählt, dass die Implantation den Abschnitt des n-leitenden Bereichs48 , der sich entlang dem Kanalbereich erstreckt, gegendotiert, und die gewünschte Dotierungskonzentration wird in dem Kanalbereich des Transistors erhalten. Anschließend wird eine herkömmliche Source-Implantation durchgeführt, um n+-Source-Bereiche64 zu bilden. Die Wärmebilanz für die Source-Diffusion dient auch dazu, die Vt-Einstellungsimplantation anzutreiben. Darauf werden Heavy-Body-Bereiche66 unter Verwendung herkömmlicher Techniken gebildet. Wie es in1D zu sehen ist, bleibt ein großer Abschnitt der p-leitenden Epitaxieschicht44 noch p-dotiert. Um die Vorrichtung fertig zu stellen, wird eine Dielektrikumschicht68 , wie etwa Borphosphorsilikatglas (BPSG), abgeschieden und strukturiert, um den Graben46 und einen Abschnitt der Source-Bereiche64 zu bedecken. Anschließend wird eine Source-Verbindungsschicht70 (die z.B. Metall umfasst) über der Struktur gebildet, um die Source-Bereiche64 und Heavy-Body-Bereiche66 elektrisch zu kontaktieren. - Während der Erwärmungszyklen, die zu den obigen Schritten gehören, diffundieren n-leitende Dotiermittel sowohl in dem n-leitenden Bereich
48 als auch dem Substrat42 aus. Infolgedessen ist die Dotierungskonzentration in dem ausdiffundierten n-leitenden Bereich48 in der Nähe des Grabens am größten und nimmt allmählich in der Richtung von den Grabenseitenwänden weg ab. Ähnlich führt die Ausdiffusion von Dotiermitteln aus dem Substrat42 in die Epitaxieschicht44 zur Bildung eines abgestuften n-leitenden Bereichs mit einer Dotierungskonzentration, die allmählich in der Richtung von der ursprünglichen Grenzfläche zwischen dem Substrat42 und der Epitaxieschicht44 (die als gestrichelte Linien in1C und1D gezeigt ist) weg in Richtung der oberen Oberfläche ab. Dies bewegt die Grenze zwischen dem Substrat42 und der Epitaxieschicht44 effektiv nach oben. - In
1D bildet der Abschnitt des n-leitenden Bereichs48 , der sich unter den Transistorkanalbereichen erstreckt, zusammen mit den Abschnitten der p-leitenden Epitaxieschicht44 direkt benachbart zu diesen Abschnitten des n-leitenden Bereichs48 Säulen einer Ladungsgleichgewichtsstruktur oder Ladungsausgleichsstruktur. Wie aus dem durch1A –1D ge zeigten Prozess zu sehen ist, werden die p-leitenden und n-leitenden Säulen der Ladungsgleichgewichtsstruktur vorteilhaft auf eine selbstjustierte Weise gebildet. Die Ladungsgleichgewichtstruktur reduziert zusammen mit der Struktur des abgeschirmten Gates sowohl die Gate/Drain-Ladung Qgd als auch den Ein-Widerstand und erhöht die Durchbruchspannung. Diese Verbesserungen werden unter Verwendung eines einfachen Prozesses erreicht, wobei die Prozessschritte zum Bilden des Wannenbereichs (der auch als Body-Bereich bezeichnet wird) beseitigt sind. In einer Ausführungsform wird der Leitfähigkeitstyp der verschiedenen Bereiche umgekehrt, so dass ein p-Kanal-MOSFET erhalten wird. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Substrat42 mehrere Schichten aus Silizium des gleichen Leitfähigkeitstyps mit unterschiedlichen Dotierungskonzentrationen. - In einer Abwandlung der Ausführungsform der
1A –1D wird eine sehr leicht dotierte p-leitende Epitaxieschicht verwendet, und anschließend wird eine schräge Implantation mit zwei Durchgängen von p-leitenden Dotiermitteln ausgeführt, um einen p-leitenden Bereich entlang den Grabenseitenwänden zu bilden. Als Nächstes wird eine schräge Implantation mit zwei Durchgängen von n-leitenden Dotiermitteln ausgeführt, um einen n-leitenden Bereich entlang Grabenseitenwänden zu bilden. Die Dotierungskonzentration, die Implantationsenergie und andere Implantationsparameter können geeignet gewählt werden, um sicherzustellen, dass sich der p-leitende Bereich lateral weiter als der n-leitende Bereich erstreckt, so dass die p-leitenden und n-leitenden Bereiche die beiden Säulen der Ladungsgleichgewichtstruktur bilden. Da beide p-leitenden und n-leitenden Säulen in der Ladungsgleichgewichtsstruktur unter Verwendung der Implantationsschritte dotiert werden, kann somit jedes Ladungsungleichgewicht, das aus einer Dotierungsschwankung in der Epitaxieschicht resultiert, beseitigt werden. - Somit werden durch sorgfältiges Optimieren der p-leitenden Body- und der n-leitenden Seitenwandimplantations- und Eintreibebedingungen das Ladungsgleichgewicht und die Gate-Überlappung des p-Body im Vergleich mit herkömmlichen Techniken stark verbessert. Infolgedessen werden ein niedriger spezifischer Widerstand im Ein-Zustand und eine viel niedrigere Gate/Drain-Ladung erreicht. Simulationen von beispielhaften Strukturen zeigen eine zumindest 10–20 % niedrigere RSP und eine halbierte Gate/Drain-Ladung im Vergleich mit herkömmlichen Strukturen mit abgeschirmtem Gate.
- Bei einem alternativen Verfahren wird ein flacher Graben geätzt, und es wird eine Oxidschicht und dann eine Nitridschicht gebildet, um den Mesa und die Grabenseitenwände vor einem späteren tiefen Grabenätzen zu schützen. Bei auf den Seitenwänden des flachen Grabens verbleibendem Nitrid werden die tieferen Grabenseitenwände für eine schräge Implantation freigelegt. Dies begrenzt die Implantation auf die unteren Abschnitte des Epitaxiebereichs und aus dem Kanalbereich heraus, was zulässt, dass die p-leitende Epitaxieschicht als der Kanal und als der tiefe Übergang für Ladungsausgleichs- oder Ladungsgleichgewichtszwecke wirken kann. Ein beispielhafter Prozessfluss zum Erhalten einer derartigen Struktur ist in den
2A –2D dargestellt. - In
2A wird eine p-leitende Epitaxieschicht82 (z.B. durch selektives epitaktisches Aufwachsen von Silizium) über einem hochdotierten n-leitenden Substrat80 gebildet. Anschließend wird ein Graben84 bis zu einer Zwischentiefe in der Epitaxieschicht82 geätzt. Anschließend wird eine erste Dielektrikumschicht86 (die z.B. Oxid umfasst) gebildet, die die Seitenwände und den Boden des Grabens84 auskleidet und sich oben auf dem Silizium-Mesa benachbart zu dem Graben84 erstreckt. Wie es zu se hen ist, ist es erwünscht, die erste Dielektrikumschicht86 derart zu bilden, dass der Abschnitt der ersten Dielektrikumschicht86 , der sich über dem Silizium-Mesa erstreckt, dicker ist als der Abschnitt der ersten Dielektrikumschicht86 innerhalb des Grabens84 . Eine Möglichkeit, ein dickeres Dielektrikum über dem Mesa-Bereich zu erhalten, ist, eine Verbundschicht aus beispielsweise ONO auf eine ähnliche Weise zu bilden wie die, die in den13A –13L der gemeinschaftlich übertragenenUS-Patentanmeldung Nr. 11/441,386 86 gebildet und dann geätzt, um Dielektrikum-(z.B. Nitrid-)Spacer87 zu bilden. - In
2B werden die freigelegten Abschnitte der ersten Dielektrikumschicht86 geätzt, wobei Dielektrikum-Spacer87 als Schutz-Spacer dienen, bis die Epitaxieschicht82 entlang dem Grabenboden freigelegt wird. Vorausgesetzt, dass die erste Dielektrikumschicht86 derart gebildet wird, dass sie eine größere Dicke über dem Mesa-Bereich als entlang dem Grabenboden aufweist, bleibt die Mesa-Oberfläche nach dem Ätzen durch die erste Dielektrikumschicht (jedoch dünner) bedeckt. - In
2C wird ein weiteres Siliziumätzen ausgeführt, wodurch die freigelegte Bodenoberfläche des Grabens84 frei durch die Epitaxieschicht82 und in das Substrat80 ausgedehnt wird, um einen tieferen Graben85 zu bilden. Der Graben85 weist somit einen unteren Abschnitt auf, der schmaleren als sein oberer Abschnitt ist. Es wird eine schräge Implantation83 mit zwei Durchgängen von n-leitenden Dotiermitteln ausgeführt, um einen n-leitenden Siliziumbereich88 entlang den freigelegten unteren Seitenwänden des Grabens85 zu bilden, wobei die erste Dielektrikum schicht86 und die Dielektrikum-Spacer87 dazu dienen, die Mesa-Oberfläche und die oberen Grabenseitenwände zu schützen. Wie es gezeigt ist, geht eine n-leitende Schicht88 in das Substrat80 über. Die Dielektrikum-Spacer87 verhindern, dass die Implantation in den Kanalbereich gelangt. - In
2E werden die Dielektrikum-Spacer87 und die erste Dielektrikumschicht86 unter Verwendung herkömmlicher Techniken entfernt. Anschließend werden eine Dielektrikumschicht89 und eine Abschirmelektrode90 in dem unteren Abschnitt des Grabens85 unter Verwendung herkömmlicher Techniken gebildet. Es wird eine Inter-Poly-Dielektrikumschicht (IPD-Schicht)92 über der Abschirmelektrode90 unter Verwendung bekannter Verfahren gebildet. Daraufhin werden das Gate-Dielektrikum96 und die Gate-Elektrode94 über der IPD-Schicht92 unter Verwendung herkömmlicher Techniken gebildet. Source-Bereiche93 und Heavy-Body-Bereiche95 werden unter Verwendung bekannter Techniken gebildet. Eine Dielektrikumschicht97 , wie etwa BPSG, wird daraufhin über der Oberseite der Struktur abgeschieden und strukturiert, um Gate94 und einen Abschnitt der Source-Bereiche93 zu bedecken, und anschließend wird eine Source-Verbindungsschicht (die nicht gezeigt ist) gebildet, um die Source-Bereiche93 und Heavy-Body-Bereiche95 elektrisch zu kontaktieren. - Ein ähnlicher Prozess wie der, der durch die
2A –2E dargestellt ist, kann ausgeführt werden, um eine Struktur mit abgeschirmtem Gate in einer n-leitenden Epitaxieschicht anstelle einer p-leitenden Epitaxieschicht zu bilden. Die schräge Implantation mit zwei Durchgängen von n-leitenden Dotiermittein unterdrückt die Body-Diffusion in einen unteren Abschnitt des Kanalbereichs, was den Kanalwiderstand vorteilhaft verringert. Diese Implantation hilft auch, die hohen elektrischen Felder zu lin dern, die an der Grabenseitenwand gesehen werden. Ein beispielhafter Prozessfluss zum Bilden einer Struktur ist durch die3A –3E gezeigt. In3A wird eine n-leitende Epitaxieschicht402 über einem n-leitenden Substrat400 unter Verwendung beispielsweise selektiven epitaktischen Aufwachsens gebildet. Alle nachfolgenden Schritte, die zur Bildung der Struktur mit abgeschirmtem Gate in3E führen, sind ähnlich die wie entsprechenden Schritte in den2A –2E , außer dass in3E vor dem Bilden der Source-Bereiche413 und Heavy-Body-Bereiche415 eine Body-Implantation von p-leitenden Dotiermitteln ausgeführt wird, um einen Body-Bereich418 zu bilden. Wie es in den3D und3E gezeigt ist, diffundiert der Siliziumbereich408 , der durch die schräge Implantation mit zwei Durchgängen gebildet wird, nach oben in den Kanalbereich, wodurch der Kanalwiderstand verringert wird. - Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird ein MOSFET mit Ladungsgleichgewicht und abgeschirmtem Gate unter Verwendung einer n-leitenden Epitaxieschicht und einer tiefen Vertiefung, die mit epitaktisch aufgewachsenem p-leitendem Silizium gefüllt ist, gebildet. Diese Ausführungsform wird unter Verwendung der beispielhaften Querschnittsansicht in
4 beschrieben. In4 erstreckt sich zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben131 eine tiefe Vertiefung133 durch den Body-Bereich136 und die n-leitende Epitaxieschicht132 und endet in dem hochdotierten n-leitenden Substrat130 . Die Vertiefung133 wird mit p-leitendem Siliziummaterial134 gefüllt. Die Dotierungskonzentration der n-leitenden Epitaxieschicht132 und das Siliziummaterial134 in den Vertiefungen133 werden so gewählt, dass zwischen diesen beiden Bereichen ein Ladungsgleichgewicht erhalten wird. Die Struktur mit einem mit einem Gate versehenen Graben ist ansonsten ähnlich wie jene der vorhergehenden Ausführungsformen und wird somit nicht beschrieben. - Ein beispielhaftes Verfahren zum Bilden der Struktur in
4 ist wie folgt. Es wird eine n-leitende Epitaxieschicht132 (z.B. durch selektives epitaktisches Aufwachsen) über einem hochdotierten n-leitenden Substrat130 gebildet. Es werden Body-Bereiche136 mit p-Leitfähigkeit gebildet, indem Dotiermittel in die Epitaxieschicht132 implantiert werden. Die Body-Bereiche136 erstrecken sich bis zu einer Tiefe, die ausreicht um eine Bildung von Kanalbereichen zu ermöglichen. Es wird ein anschließendes Siliziumätzen ausgeführt, um tiefe Vertiefungen133 zu bilden, die sich durch die Body-Bereiche136 erstrecken und in dem Substrat130 enden. Anschließend wird ein selektiver epitaktischer Aufwachsprozess durchgeführt, um die tiefen Vertiefungen133 mit p-leitendem Silizium134 zu füllen. Der Gate-Graben131 und die verschiedenen Materialien darin sowie die Source-Bereiche140 , Heavy-Body-Bereiche138 und anderen konstruktiven Merkmale werden gemäß bekannten Techniken gebildet. In einer Ausführungsform werden der Gate-Graben und die Gate- und Abschirmelektroden gebildet, bevor die tiefen Vertiefungen gebildet werden. Indem die Vertiefungen133 unter die Substrat/Epitaxieschicht-Grenzfläche hinaus ausgedehnt werden, werden die hohen elektrischen Felder an der Unterseite der Säulen vorteilhaft vermindert. Dies lässt eine dünnere n-leitende Epitaxieschicht zu, wodurch der Widerstand im Ein-Zustand weiter verringert wird. - Die
5A und5B zeigen ein alternatives Verfahren zum Bilden der tiefen p-leitenden Bereiche134 in4 . Wie es in den5A und5B gezeigt ist, werden p-leitende Säulen164 gebildet, indem mehrfache Hochenergieimplantationen172 von p-leitenden Dotiermitteln durch eine flache Vertiefung168 in einer n-leitenden Epitaxieschicht162 implantiert werden. Wie es gezeigt ist, ist die Vertiefungstiefe geringfügig tiefer als die der Source-Bereiche166 . Die Vertiefungstiefe legt den Bezugspunkt für die Tiefe der p-leitenden Säulen164 fest, da die Implantationen172 in die Bodenoberfläche der Vertiefung168 erfolgen. Die Dosis und Energie der Implantationen172 können abgestimmt werden, um das erforderliche Dotierungsprofil in den p-leitenden Säulen164 zu erhalten. Da es sehr wenig Diffusion am Ende des Prozesses gibt, sind die Dotierungsprofile sowohl der resultierenden p-leitenden Säulen164 als auch der n-leitenden Epitaxieschicht162 relativ flach. Dies führt zu einer verbesserten Prozessempfindlichkeit. - Gemäß anderen Ausführungsformen der Erfindung verwenden zusätzliche Verfahren und Strukturen für MOSFET mit ausgeglichener Ladung (die besonders für Niederspannungsanwendungen geeignet sind, aber nicht darauf beschränkt sind) nicht mit einem Gate versehene Abschirmgräben zwischen mit einem Gate versehenen Gräben. Diese Ausführungsformen werden als nächstes beschrieben.
- Trench-Gate-FET mit Ladungsgleichgewicht beruhen auf der Mesa-Breite und der Dotierungskonzentration des Driftbereichs (typischerweise eine Epitaxieschicht), um die Verarmung unter einer Drain-Source-Vorspannung in Sperrrichtung zu steuern und somit einen höheren Durchbruch als herkömmliche Trench-Gate-FET zu erhalten. Die Mesa-Breite ist durch die Fähigkeiten der Fotolithographie beschränkt, einen kontinuierlichen Heavy-Body-Kontaktbereich in der Mitte des Mesa zwischen benachbarten Gate-Gräben zu definieren. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ermöglicht jedoch die Verwendung von zusätzlichen nicht mit einem Gate versehenen Abschirmgräben, die zwischen die Gate-Gräben eingestreut sind, den spezifischen Widerstand des Driftbereichs für die gleiche Durchbruchspannung abzusenken, wodurch der Ein-Zustand der Vorrichtung verringert wird und verbesserte Ladungsausgleichs- oder Ladungsgleichgewichtseigenschaften zugelassen werden.
- Die
6A –6G sind vereinfachte Querschnittsansichten, die einen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines Trench-Gate-FET mit selbstjustierten, nicht mit einem Gate versehenen Gräben, die zwischen den mit einem Gate versehenen Gräben eingearbeitet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. In6A werden unter Verwendung herkömmlicher Techniken Gräben202 und204 in einen Siliziumbereich200 geätzt. In einer Ausführungsform umfasst der Siliziumbereich200 ein hochdotiertes n-leitendes Substrat und eine n-leitende Epitaxieschicht über dem Substrat. - Der Graben
202 wird als nicht mit einem Gate versehener Graben bezeichnet, und der Graben204 wird als mit einem Gate versehener Graben bezeichnet. Eine Dielektrikumschicht206 (z.B. aufgewachsenes Oxid), die sich über Mesa-Oberflächen208 erstreckt und die Seitenwände und Bodenoberflächen der Gräben202 und204 auskleidet, wird unter Verwendung bekannter Techniken gebildet. In6B wird ein Dielektrikummaterial210 (z.B. ein abgeschiedener Film, wie etwa SACVD), der die Gräben füllt und sich über den Mesa-Bereichen erstreckt, unter Verwendung herkömmlicher Verfahren abgeschieden. In6C wird unter Verwendung bekannter Techniken ein Planarisierungsprozess ausgeführt, so dass eine obere Oberfläche des Dielektrikummaterials210 , das in den Gräben verbleibt, im Wesentlichen koplanar mit den Mesa-Oberflächen208 ist. - In
6D wird unter Verwendung herkömmlicher Verfahren eine Maskierungsschicht (z.B. Fotoresist) abgeschieden und strukturiert, um einen Maskierungsbereich214 zu bilden, der den nicht mit einem Gate versehenen Graben202 bedeckt, und anschließend werden die Dielektrikumschicht206 und das Dielektrikummaterial210 in dem mit einem Gate versehenen Graben204 vertieft, um dadurch ein dickes Bodendielektri kum (TBD von thick bottom dielectric)212 entlang dem Boden des mit einem Gate versehenen Grabens204 zu bilden. In6E wird unter Verwendung herkömmlicher Techniken der Maskierungsbereich214 entfernt, und es wird eine Gate-Dielektrikumschicht220 (die z.B. Oxid umfasst) gebildet, die Seitenwände des mit einem Gate versehenen Grabens204 auskleidet und sich über Mesa-Oberflächen und den nicht mit einem Gate versehenen Graben202 erstreckt. Anschließend wird eine Polysiliziumschicht abgeschieden und in den mit einem Gate versehenen Graben204 vertieft, um eine vertiefte Gate-Elektrode222 in dem mit einem Gate versehenen Graben204 zu bilden. Es werden herkömmliche Deckschicht-Body- und Source-Implantationen in dem aktiven Bereich der Vorrichtung ausgeführt, um nacheinander p-leitende Body-Bereiche226 in dem Siliziumbereich200 zu bilden und dann hochdotierte n-leitende Source-Bereiche224 in den Body-Bereichen226 zu bilden. - In
6F wird unter Verwendung bekannter Techniken eine Dielektrikumschicht (die z.B. BPSG umfasst) über der Struktur gebildet und dann strukturiert und geätzt, um eine Dielektrikumkappe230 zu bilden, die sich nur über dem mit einem Gate versehenen Graben204 erstreckt. Das gleiche Dielektrikumätzen kann dazu verwendet werden, Dielektrikummaterialien206 und210 in dem nicht mit einem Gate versehenen Graben202 ausreichend zu vertiefen, um Seitenwände der Body-Bereiche226 teilweise freizulegen. Somit verbleibt ein Dielektrikumbereich252 entlang dem Boden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens202 . - In
6G wird der nicht mit einem Gate versehene Graben202 mit einem leitfähigen Material (z.B. hochdotiertem p-leitendem Polysilizium) gefüllt, um einen Heavy-Body-Bereich234 zu bilden. Eine Source-Verbindungsschicht236 (die z.B. Metall umfasst) wird anschließend über der Struktur gebildet, um die Source-Bereiche224 und Heavy-Body-Bereiche234 zu kontaktieren. In einer Ausführungsform wird beim Bilden des Heavy-Body-Bereichs234 das abgeschiedene leitfähige Material in den nicht mit einem Gate versehenen Graben202 vertieft, um Seitenwände der Source-Bereiche224 teilweise freizulegen. Dies ermöglicht, dass die Source-Verbindungsschicht230 Seitenwände der Source-Bereiche224 direkt kontaktiert, wodurch der Source-Kontaktwiderstand verringert wird. - Wie es zu sehen ist, sind die Source-Bereiche
224 zu den Gräben selbstjustiert. Bei einer Ausführungsform, bei der eine streifenförmige Zellenkonfiguration verwendet wird, führt die durch die6A –6G gezeigte Prozessfolge zur Bildung von kontinuierlichen Heavy-Body-Bereichen234 , die ebenfalls selbstjustiert sind. Diese und andere selbstjustierte Merkmale der resultierenden Struktur erlauben eine sehr dichte Zellenteilung. Die Maskierungsschritte, die typischerweise beim Bilden eines jeden der Source- und Heavy-Body-Bereiche erforderlich sind, werden ebenfalls beseitigt, wodurch die Kosten verringert werden und die Prozesskomplexität minimiert wird. - In einer Ausführungsform wird ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei mit einem Gate versehene Gräben gebildet. In einer anderen Ausführungsform wird ein größeres Verhältnis von nicht mit einem Gate versehene Gräben zu mit einem Gate versehene Gräben verwendet (z.B. zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben werden zwischen jeweils zwei mit einem Gate versehene Gräben gebildet), um die Gate/Drain-Kapazität zu verringern. In noch einer anderen Ausführungsform werden anstelle des gleichzeitigen Bildens der nicht mit einem Gate versehenen und mit einem Gate versehenen Gräben die nicht mit einem Gate versehenen Gräben in einem anderen Stadium des Prozesses als die mit einem Gate versehenen Gräben gebildet. Obgleich dies zu zusätzlichen Verarbeitungsschritten führt, bietet diese Ausführungsform Flexiblität bei der Optimierung verschiedener Merkmale des Prozesses und der Struktur.
- Die
7A –7H sind vereinfachte Querschnittsansichten, die einen anderen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines FET mit abgeschirmtem Gate und selbstjustierten, nicht mit einem Gate versehene Gräben, die zwischen den mit einem Gate versehenen Gräben eingearbeitet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. In7A werden ein mit einem Gate versehener Graben304 und ein nicht mit einem Gate versehener Graben302 in einen n-leitenden Siliziumbereich300 geätzt. In einer Ausführungsform umfasst der Siliziumbereich300 ein hochdotiertes n-leitendes Substrat und eine n-leitende Epitaxieschicht über dem Substrat. In einer Abwandlung dieser Ausführungsform enden die Gräben320 und304 in der Epitaxieschicht, und in einer anderen Abwandlung erstrecken sich die Gräben302 und304 durch die Epitaxieschicht und enden in dem Substrat. - In
7A wird eine Abschirmdielektrikumschicht306 (die z.B. Oxid umfasst), die sich über Mesa-Oberflächen308 erstreckt und die Seitenwände und die Bodenoberflächen der Gräben302 und304 auskleidet, unter Verwendung bekannter Techniken gebildet. Eine Polysiliziumschicht wird unter Verwendung herkömmlicher Techniken abgeschieden und dann in die Gräben302 und304 vertieft, um dadurch Abschirmelektroden310 in den Gräben302 und304 zu bilden. In7B wird unter Verwendung herkömmlicher Verfahren ein Dielektrikummaterial312 (z.B. ein abgeschiedener Film unter Verwendung von SACVD) abgeschieden, das die Gräben füllt und sich über den Mesa-Bereichen erstreckt. In7C wird unter Verwendung herkömmlicher Techniken ein Planarisierungsprozess ausgeführt, so dass eine obere Oberfläche des Dielektrikummaterials312 , das in den Gräben verbleibt, im Wesentlichen koplanar mit den Mesa-Oberflächen308 ist. - In
7D wird unter Verwendung herkömmlicher Verfahren eine Maskierungsschicht (z.B. Fotoresist) abgeschieden und strukturiert, um einen Maskierungsbereich314 zu bilden, der den nicht mit einem Gate versehenen Graben302 bedeckt, und dann werden die Dielektrikumschicht306 und das Dielektrikummaterial312 in dem mit einem Gate versehenen Graben304 bis zu einer vorbestimmten Tiefe vertieft, um dadurch ein Zwischenelektrodendielektrikum316 (IED) über der Abschirmelektrode310 zu bilden. In7E wird unter Verwendung herkömmlicher Techniken der Maskierungsbereich314 entfernt, und es wird eine Gate-Dielektrikumschicht322 (die z.B. Oxid umfasst) gebildet, die die oberen Seitenwände des mit einem Gate versehenen Grabens304 auskleidet und sich über Mesa-Oberflächen und den nicht mit einem Gate versehenen Graben302 erstreckt. Anschließend wird eine Polysiliziumschicht abgeschieden und in einen mit einem Gate versehenen Graben304 vertieft, um eine vertiefte Gate-Elektrode324 in dem mit einem Gate versehenen Graben304 zu bilden. In7F werden herkömmliche Deckschicht-Body- und Source-Implantationen nacheinander in dem aktiven Bereich der Vorrichtung ausgeführt, um p-leitende Body-Bereiche328 in dem Siliziumbereich300 zu bilden und anschließend hochdotierte n-leitende Source-Bereiche326 in den Body-Bereichen328 zu bilden. - In
7G wird unter Verwendung bekannter Techniken eine Dielektrikumschicht (die z.B. BPSG umfasst) über der Struktur gebildet und dann strukturiert und geätzt, um eine Dielektrikumkappe330 über dem mit einem Gate versehenen Graben304 zu bilden. Das gleiche Dielektrikumätzen kann verwendet werden, um Dielektrikummaterialien306 und310 in dem nicht mit einem Gate versehenen Graben302 ausreichend zu ver tiefen, um Seitenwände der Body-Bereiche328 teilweise freizulegen. Somit verbleibt Dielektrikummaterial325 über der Abschirmelektrode310 in dem nicht mit einem Gate versehenen Graben302 . Der nicht mit einem Gate versehene Graben302 wird daraufhin mit einem leitfähigen Material (z.B. hochdotiertem p-leitendem Polysilizium) gefüllt, um einen Heavy-Body-Bereich332 zu bilden. Eine Source-Verbindungsschicht334 (die z.B. Metall umfasst) wird anschließend über der Struktur gebildet, um die Source-Bereiche326 und die Heavy-Body-Bereiche332 zu kontaktieren. In einer Ausführungsform wird beim Bilden der Heavy-Body-Bereiche332 das abgeschiedene leitfähige Material in den nicht mit einem Gate versehenen Graben302 vertieft, um Seitenwände der Source-Bereiche326 teilweise freizulegen. Dies ermöglicht, dass die Source-Verbindungsschicht334 Seitenwände der Source-Bereiche326 direkt kontaktiert, wodurch der Source-Kontaktwiderstand verringert wird. - Wie bei der vorhergehenden Ausführungsform sind die Source-Bereiche
326 zu den Gräben selbstjustiert, und bei der Ausführungsform, bei der eine streifenförmige Zellenkonfiguration verwendet wird, führt die durch die7A –7H gezeigte Prozessfolge zu der Bildung von kontinuierlichen Heavy-Body-Bereichen332 , die ebenfalls selbstjustiert sind. Diese und andere selbstjustierte Merkmale der resultierenden Struktur erlauben eine sehr dichte Zellenteilung. Die Abschirmelektroden in den nicht mit einem Gate versehenen Gräben erlauben auch, dass der spezifische Widerstand des Driftbereichs für die gleiche Durchbruchspannung abgesenkt werden kann. Zusätzlich werden die Maskierungsschritte beseitigt, die typischerweise beim Bilden eines jeden der Source- und Heavy-Body-Bereiche erforderlich sind, wodurch Kosten verringert werden und die Prozesskomplexität minimiert wird. - Die Abschirmelektroden in den mit einem Gate und nicht mit einem Gate versehenen Gräben können elektrisch mit der Source-Verbindungsschicht in einer dritten Dimension verbunden werden oder man kann sie schwimmen lassen. In einer Ausführungsform wird ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei mit einem Gate versehenen Gräben gebildet. In einer anderen Ausführungsform wird ein größeres Verhältnis von nicht mit einem Gate versehenen Gräben zu mit einem Gate versehenen abgeschirmten Gräben verwendet (z.B. zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben werden zwischen jeweils zwei mit einem Gate versehenen Gräben gebildet), um die Gate/Drain-Kapazität zu verringern. In noch einer anderen Ausführungsform werden anstelle des gleichzeitigen Bildens der nicht mit einem Gate versehenen und mit einem Gate versehenen Gräben die nicht mit einem Gate versehenen Gräben in einem anderen Stadium des Prozesses als die mit einem Gate versehenen Gräben gebildet. Obgleich dies zu zusätzlichen Verarbeitungsschritten führt, liefert diese Ausführungsform Flexibilität bei der Optimierung verschiedener Merkmale des Prozesses und der Struktur.
- Die
8A –8H sind vereinfachte Querschnittsansichten, die noch einen anderen beispielhaften Prozessfluss zum Bilden eines FET mit abgeschirmtem Gate und selbstjustierten, nicht mit einem Gate versehene Gräben, die zwischen den mit einem Gate versehenen Gräben eingearbeitet sind, gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. In8A werden ein mit einem Gate versehener Graben404 und ein nicht mit einem Gate versehener Graben402 in einen n-leitenden Siliziumbereich400 geätzt. In einer Ausführungsform umfasst der Siliziumbereich400 ein hochdotiertes n-leitendes Substrat und eine n-leitende Epitaxieschicht über dem Substrat. In einer Abwandlung dieser Ausführungsform enden die Gräben402 und404 in der Epitaxieschicht, und in einer anderen Abwandlung erstrecken sich die Gräben402 und404 durch die Epitaxieschicht und enden in dem Substrat. - In
8A wird eine Abschirmdielektrikumschicht406 (die z.B. Oxid umfasst), die sich über Mesa-Oberflächen414 erstreckt und die Seitenwände und Bodenoberflächen der Gräben402 und404 auskleidet, unter Verwendung bekannter Techniken gebildet. Eine Polysiliziumschicht wird abgeschieden und geringfügig unter die obere Oberfläche der Abschirmdielektrikumschicht406 zurückgeätzt, wie es gezeigt ist. In8B wird unter Verwendung herkömmlicher Verfahren eine Maskierungsschicht (z.B. Fotoresist) abgeschieden und strukturiert, um einen Maskierungsbereich412 zu bilden, der den nicht mit einem Gate versehenen Graben402 bedeckt. In8C wird anschließend Polysilizium410 in den mit einem Gate versehenen Graben404 tief in den Graben vertieft, wodurch die Abschirmelektrode410 in dem mit einem Gate versehenen Graben404 gebildet wird. Der Maskierungsbereich412 wird entfernt, und anschließend wird die Abschirmdielektrikumschicht406 wie gezeigt zurückgeätzt. - In
8D wird eine Gate-Dielektrikumschicht420 (die z.B. Oxid umfasst), die die oberen Seitenwände des mit einem Gate versehenen Grabens404 auskleidet und sich über der Abschirmelektrode410 , den Mesa-Oberflächen und dem nicht mit einem Gate versehenen Graben402 erstreckt, unter Verwendung herkömmlicher Techniken aufgewachsen. Anschließend wird eine Polysiliziumschicht abgeschieden und in den mit einem Gate versehenen Graben404 vertieft, um eine vertiefte Gate-Elektrode418 in dem mit einem Gate versehenen Graben404 zu bilden. In8E werden herkömmlichen Deckschicht-Body- und Source-Implantationen in dem aktiven Bereich der Vorrichtung ausgeführt, um p-leitende Body-Bereiche424 in dem Siliziumbereich400 zu bilden und anschließend hoch dotierte n-leitende Source-Bereiche422 in den Body-Bereichen424 zu bilden. - In
8F wird unter Verwendung bekannter Techniken eine Dielektrikumschicht (die z.B. BPSG umfasst) über der Struktur gebildet und dann strukturiert und geätzt, um eine Dielektrikumkappe426 über dem mit einem Gate versehenen Graben404 zu bilden. Das gleiche Dielektrikumätzen kann verwendet werden, um das Abschirmdielektrikum406 in dem nicht mit einem Gate versehenen Graben402 ausreichend zu vertiefen, um Seitenwände der Body-Bereiche424 teilweise freizulegen. In8G wird ein leitfähiges Material (z.B. hochdotiertes p-leitendes Polysilizium) abgeschieden, um den nicht mit einem Gate versehenen Graben402 zu füllen, und dann zurückgeätzt, wodurch ein Heavy-Body-Bereich430 in dem mit einem Gate versehenen Graben402 gebildet wird. In8H wird eine Source-Verbindungsschicht432 (die z.B. Metall umfasst) über der Struktur gebildet, um die Source-Bereiche422 und die Heavy-Body-Bereiche430 zu kontaktieren. - Wie es zu sehen ist, sind die Source-Bereiche
422 zu den Gräben selbstjustiert. Bei der Ausführungsform, bei der eine streifenförmige Zellenkonfiguration verwendet wird, führt die durch die8A –8H gezeigte Prozessfolge zu der Bildung kontinuierlicher Heavy-Body-Bereiche430 , die ebenfalls selbstjustiert sind. Diese und andere selbstjustierte Merkmale der resultierenden Struktur erlauben eine sehr dichte Zellenteilung. Die Abschirmelektroden in den nicht mit einem Gate versehenen Gräben erlauben auch, dass der spezifische Widerstand des Driftbereichs abgesenkt werden kann, ohne die Durchbruchspannung zu verschlechtern. Zusätzlich werden die Maskierungsschritte beseitigt, die typischerweise beim Bilden eines jeden der Source- und Heavy-Body-Bereiche erforderlich sind, wodurch Kosten verringert werden und die Prozesskomplexität minimiert wird. - Wie es zu sehen ist, ist die Abschirmelektrode
408 in dem nicht mit einem Gate versehenen Graben402 elektrisch mit der Source-Verbindung432 über den Heavy-Body-Bereich430 verbunden. In einer Ausführungsform wird ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei mit einem Gate versehenen Gräben gebildet. In einer anderen Ausführungsform wird ein größeres Verhältnis von nicht mit einem Gate versehenen Gräben zu mit einem Gate versehenen abgeschirmten Gräben verwendet (z.B. zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben werden jeweils zwischen zwei mit einem Gate versehenen Gräben gebildet), um die Gate/Drain-Kapazität zu verringern. In noch einer anderen Ausführungsform werden anstelle des gleichzeitigen Bildens der nicht mit einem Gate und mit einem Gate versehenen Gräben die nicht mit einem Gate versehenen Gräben in einem anderen Stadium des Prozesses als die mit einem Gate versehenen Gräben gebildet. Obgleich dies zu zusätzlichen Verarbeitungsschritten führt, liefert diese Ausführungsform eine Flexibilität bei der Optimierung verschiedener Merkmale des Prozesses und der Struktur. -
9 ist eine vereinfachte Querschnittsansicht eines FET mit abgeschirmtem Gate und einem nicht mit einem Gate versehenen Graben, wobei die Heavy-Body-Bereiche in den Body-Bereichen anstelle innerhalb des nicht mit einem Gate versehenen Grabens gebildet sind. Die FET-Struktur mit abgeschirmtem Gate in9 ist ähnlich wie die in7H , außer dass Heavy-Body-Bereiche520 in Body-Bereichen516 gebildet sind und die Source-Verbindungsschicht518 sich in einen oberen Abschnitt des nicht mit einem Gate versehnen Grabens502 erstreckt und diesen füllt. Die Source-Verbindungsschicht kontaktiert die Source-Bereiche514 entlang den Mesa-Oberflächen und den Seitenwänden der Source-Bereiche elektrisch und kontaktiert die Heavy-Body-Bereiche520 entlang ihren Seitenwänden, wie es gezeigt ist. Die übrigen strukturellen Merkmale des FET in9 sind ähnlich wie jene in7H und werden somit nicht beschrieben. - Der Prozessfluss zum Bilden der FET-Struktur in
9 ist ähnlich wie der, der durch die7A –7H gezeigt ist, mit Ausnahme der folgenden Änderungen. In7G wird nach dem Vertiefen der Dielektrikummaterialien306 und310 in dem nicht mit einem Gate versehenen Graben302 , wodurch Seitenwände der Body-Bereiche328 teilweise freigelegt werden, eine schräge Implantation mit zwei Durchgängen von p-leitenden Dotiermitteln in freigelegte Seitenwände des nicht mit einem Gate versehenen Grabens302 ausgeführt, um Heavy-Body-Bereiche520 (9 ) in den Body-Bereichen zu bilden. In einer Ausführungsform wird beim Ausführen der schrägen Implantation mit zwei Durchgangen keine Maske verwendet, und die Heavy-Body-Implantationsdosis wird so gewählt, dass sie niedriger ist als die für die Source-Bereiche, so dass die effektive Dotierungskonzentration der Source-Bereiche in der Nähe des nicht mit einem Gate versehenen Grabens durch die Heavy-Body-Implantation nicht auf irgendeine signifikante Weise beeinflusst wird. - In
7H füllt nach dem Abscheiden der Source-Verbindungsschicht über dem Substrat die Source-Verbindungsschicht den nicht mit einem Gate versehenen Graben, wodurch die Heavy-Body-Bereiche und Source-Bereiche entlang ihren Seitenwänden elektrisch kontaktiert werden, wie es in9 gezeigt ist. Die Ausführungsform in9 besitzt die gleichen Merkmale und Vorteile wie die Ausführungsformen, die durch die oben beschriebene7H gezeigt sind. Die alternativen Abwandlungen und Ausführungsformen der oben beschriebenen Ausführungsform der7A –7H gelten auch für die FET-Struktur von9 . -
10 ist eine vereinfachte Querschnittsansicht eines Trench-Gate-FET mit einem nicht mit einem Gate versehenen Graben, wobei die Heavy-Body-Bereiche in den Body-Bereichen anstelle im Inneren des nicht mit einem Gate versehenen Grabens gebildet sind. Die Trench-Gate-FET-Struktur in10 ist ähnlich wie die in6G , außer dass die Heavy-Body-Bereiche620 in Body-Bereichen618 gebildet sind und die Source-Verbindungsschicht622 sich in einen oberen Abschnitt des nicht mit einem Gate versehenen Grabens602 erstreckt und diesen füllt. Die Source-Verbindungsschicht kontaktiert die Source-Bereiche514 entlang den Mesa-Oberflächen und Seitenwänden der Source-Bereiche elektrisch und kontaktiert die Heavy-Body-Bereiche520 entlang ihren Seitenwänden, wie es gezeigt ist. Die übrigen strukturellen Merkmale des FET in10 sind ähnlich wie jene in6G und werden somit nicht beschrieben. - Der Prozessfluss zum Bilden der FET-Struktur in
10 ist ähnlich wie der, der durch die6A –6G gezeigt ist, mit der Ausnahme der folgenden Änderungen. In6F wird nach dem Vertiefen der Dielektrikummaterialien206 und210 in dem nicht mit einem Gate versehenen Graben202 , wodurch Seitenwände der Body-Bereiche226 teilweise freigelegt werden, eine schräge Implantation mit zwei Durchgängen von p-leitenden Dotiermitteln in freigelegte Seitenwände des nicht mit einem Gate versehenen Grabens202 ausgeführt, um Heavy-Body-Bereiche620 (10 ) in den Body-Bereichen zu bilden. In einer Ausführungsform wird beim Ausführen der schrägen Implantation mit zwei Durchgängen keine Maske verwendet, und die Heavy-Body-Implantationsdosis wird gewählt, so dass sie niedriger ist als die für die Source-Bereiche, so dass die effektive Dotierungskonzentration der Source-Bereiche in der Nähe des nicht mit einem Gate versehenen Grabens nicht durch die Heavy-Body-Implantation auf irgendeine signifikante Weise beeinflusst wird. - In
6G füllt nach dem Abscheiden der Source-Verbindungsschicht über dem Substrat die Source-Verbindungsschicht den nicht mit einem Gate versehenen Graben, wodurch die Heavy-Body-Bereiche und Source-Bereiche entlang ihren Seitenwänden elektrisch kontaktiert werden, wie es in10 gezeigt ist. Die Ausführungsform von10 besitzt die gleichen Merkmale und Vorteile wie die Ausführungsformen, die durch die oben beschriebene6G gezeigt sind. Die alternativen Abwandlungen und Ausführungsformen der Ausführungsform der oben beschriebenen6A –6G gelten auch für die FET-Struktur von10 . - Die verschiedenen Strukturen und Verfahren der vorliegenden Erfindung können mit einer oder mehreren einer Anzahl von Techniken mit Ladungsgleichgewicht bzw. Ladungsausgleich und abgeschirmtem Gate (z.B. jene in den
2A –2B ,3A –3B ,4A –4E ,5B –5C ,6 –8 ,9A –9C ,10 –24 , sowie anderen Vorrichtungsstrukturen und Herstellungsprozessen, die in der gemeinschaftlich übertragenen Anmeldung Nr. 11/026,276, die am 29. Dezember 2004 eingereicht wurde und deren Offenbarungsgehalt hierin durch Bezugnahme vollständig miteingeschlossen ist, offenbart sind, kombiniert werden, um einen noch niedrigeren Ein-Widerstand, eine höhere Sperrfähigkeit und einen höheren Wirkungsgrad neben anderen Vorteilen und Merkmalen zu erzielen. Zusätzlich können eine oder mehrere der verschiedenen Strukturen mit abgeschirmtem Gate (z.B. jene in den4 –7 ) und Verfahren zum Bilden derselben, die in der oben erwähnten gemeinschaftlich übertragenenUS-Patentanmeldung Nr. 11/441,386 3A –3E ,4 ,5A –5B ,7A –7H ,8A –8H ,9 –10 ) kombiniert werden, um Vorrichtungen mit Ladungsgleichgewicht und abgeschirmten Gate und optimiertem Leistungsvermögen und optimierten strukturellen Eigenschaften zu erhalten. - Die Querschnittsansichten der unterschiedlichen hierin beschriebenen Ausführungsformen müssen nicht maßstäblich sein und sollen daher nicht die möglichen Abwandlungen im Layout-Entwurf der entsprechenden Strukturen begrenzen.
- Obwohl eine Anzahl spezifischer Ausführungsformen oben gezeigt und beschrieben wurde, sind Ausführungsformen der Erfindung nicht darauf begrenzt. Obgleich die verschiedenen oben beschriebenen Ausführungsformen in herkömmlichem Silizium implementiert sind, können beispielsweise diese Ausführungsformen und ihre offensichtlichen Abwandlungen auch in Siliziumcarbid, Galliumarsenid, Galliumnitrid oder anderen Halbleitermaterialien implementiert werden. Obgleich die obigen Ausführungsformen im Kontext von n-Kanal-Transistoren beschrieben wurden, können als anderes Beispiel Transistoren vom p-Kanal-Gegenstück gebildet werden, indem einfach der Leitfähigkeitstyp der verschiedenen Bereiche umgekehrt wird. Die verschiedenen hierin beschriebenen Transistoren können auch in Konfigurationen mit offenen oder geschlossenen Zellen gebildet werden, die hexagonale ovale oder quadratische Zellen umfassen. Darüber hinaus sind die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung nicht auf MOSFET begrenzt. Beispielsweise werden Modifikationen, die notwendig sind, um IGBT-Gegenstücke der oben beschriebenen MOSFET zu bilden, Fachleuten in Anbetracht dieser Offenbarung deutlich sein. Obgleich einige der hierin beschriebenen Ausführungsformen besonders für Niederspannungsanwendungen zweckmäßig sind, können zusätzlich die hierin beschriebenen Prozessflüsse und Strukturen von einem Fachmann in Anbetracht dieser Offenbarung modifiziert werden, um Transistoren zu bilden, die für Hochspannungsanwendungen besser geeignet sind und viele der gleichen Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung aufweisen. Darüber hinaus können die Merkmale von einer oder mehreren Ausführungsformen der Erfindung mit einem oder mehreren Merkmalen von anderen Ausführungsformen der Erfindung kombiniert werden, ohne vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen.
- Deshalb sollte der Umfang der vorliegenden Erfindung nicht anhand der obigen Beschreibung festgelegt werden, sondern sollte stattdessen anhand der beigefügten Ansprüche zusammen mit deren vollem Umfang an Äquivalenten festgelegt werden.
- Zusammenfassung
- Ein Feldeffekttransistor wird wie folgt gebildet. Es wird ein Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einer zweiten Leitfähigkeit, die sich über dem Halbleiterbereich erstreckt, vorgesehen. Es wird ein Graben gebildet, der sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Halbleiterbereich endet. Es wird eine schräge Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp ausgeführt, um dadurch einen Bereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp entlang den Grabenseitenwänden zu bilden. Es wird eine Schwellenspannungs-Einstellungsimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp ausgeführt, um dadurch einen Leitfähigkeitstyp eines Abschnitts des Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich entlang oberen Seitenwänden des Grabens erstreckt, in den zweiten Leitfähigkeitstyp umzuwandeln. Es werden Source-Bereiche von dem ersten Leitfähigkeitstyp gebildet, die jede Seite des Grabens flankieren.
Claims (154)
- Verfahren zum Bilden eines FET, umfassend: Vorsehen eines Halbleiterbereichs von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die sich über dem Halbleiterbereich erstreckt; Bilden eines Grabens, der sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Halbleiterbereich endet; Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp, um dadurch einen Bereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp entlang den Grabenseitenwänden zu bilden; Durchführen einer Schwellenspannungs-Einstellungsimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp, um dadurch einen Leitfähigkeitstyp eines Abschnitts des Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich entlang oberen Seitenwänden des Grabens erstreckt, in den zweiten Leitfähigkeitstyp umzuwandeln; und Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp, die jede Seite des Grabens flankieren.
- Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: Bilden einer Abschirmelektrode in einem unteren Abschnitt des Grabens, so dass sich ein oberer Abschnitt der Abschirmelektrode in der Epitaxieschicht erstreckt und sich ein unterer Abschnitt der Abschirmelektrode in dem Halbleiterbereich erstreckt, wobei die Abschirmelektrode gegenüber der Epitaxieschicht und dem Halbleiterbereich durch ein Abschirmdielektrikum isoliert ist; Bilden einer Gate-Dielektrikumschicht entlang oberen Seitenwänden des Grabens; und Bilden einer Gate-Elektrode in dem Graben über der Abschirmelektrode, jedoch gegenüber dieser isoliert.
- Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: Bilden von Heavy-Body-Bereichen von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; Bilden einer Dielektrikumkappe, die sich über dem Graben und einem Abschnitt jedes Source-Bereichs erstreckt; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die die Source-Bereiche und die Heavy-Body-Bereiche kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: vor dem Schritt des Durchführens einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen, Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp, um dadurch einen Bereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp entlang von Grabenseitenwänden zu bilden; wobei der Bereich von dem zweiten Leitfähigkeitstyp sich lateral weiter als der Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp erstreckt, und wobei eine Dotierungskonzentration der schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp und der schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp so gewählt wird, dass ein wesentliches Ladungsgleichgewicht zwischen dem Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp und dem Bereich von dem zweiten Leitfähigkeitstyp erhalten wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Leitfähigkeitstyp der n-Typ ist und der zweite Leitfähigkeitstyp der p-Typ ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat ist.
- Verfahren zum Bilden eines MOSFET, umfassend: Vorsehen eines Substrats von einem ersten Leitfähigkeitstyp; Bilden einer Epitaxieschicht von einer zweiten Leitfähigkeit über dem Substrat; Bilden eines Grabens, der sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet; Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp, um dadurch einen Bereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp entlang den Grabenseitenwänden zu bilden; Bilden einer Abschirmelektrode in einem unteren Abschnitt des Grabens, so dass sich ein oberer Abschnitt der Abschirmelektrode in der Epitaxieschicht erstreckt und sich ein unterer Abschnitt der Abschirmelektrode in dem Substrat erstreckt, wobei die Abschirmelektrode gegenüber der Epitaxieschicht und dem Substrat durch ein Abschirmdielektrikum isoliert ist; Bilden einer Gate-Dielektrikumschicht entlang oberen Seitenwänden des Grabens; Bilden einer Gate-Elektrode in dem Graben über der Abschirmelektrode, jedoch gegenüber dieser isoliert; Durchführen einer Schwellenspannungs-Einstellungsimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp, um dadurch den Leitfähigkeitstyp eines Abschnitts des Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich entlang oberen Seitenwänden des Grabens erstreckt, in den zweiten Leitfähigkeitstyp umzuwandeln; und Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp, die jede Seite des Grabens flankieren.
- Verfahren nach Anspruch 7, ferner umfassend: Bilden von Heavy-Body-Bereichen von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; Bilden einer Dielektrikumkappe, die sich über dem Graben und einem Abschnitt jedes Source-Bereichs erstreckt; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die die Source-Bereiche und die Heavy-Body-Bereiche kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 7, ferner umfassend: vor dem Schritt des Durchführens einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen, Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp, um dadurch einen Bereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp entlang Grabenseitenwänden zu bilden; wobei der Bereich von dem zweiten Leitfähigkeitstyp sich lateral weiter als der Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp erstreckt, und wobei eine Dotierungskonzentration der schrägen Implantation mit zwei Durchgangen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp und der schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp so gewählt wird, dass ein wesentliches Ladungsgleichgewicht zwischen dem Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp und dem Bereich von dem zweiten Leitfähigkeitstyp erhalten wird.
- Verfahren nach Anspruch 7, wobei der erste Leitfähigkeitstyp der n-Typ ist und der zweite Leitfähigkeitstyp der p-Typ ist.
- MOSFET, umfassend: einen Graben, der sich in einen Halbleiterbereich erstreckt; eine Abschirmelektrode in einem unteren Abschnitt des Grabens, wobei die Abschirmelektrode gegenüber dem Halbleiterbereich durch ein Abschirmdielektrikum isoliert ist; eine Gate-Elektrode in einem oberen Abschnitt des Grabens, wobei sich die Gate-Elektrode über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist; wobei der Halbleiterbereich umfasst: ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp; einen ersten Siliziumbereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über dem Substrat, wobei der erste Siliziumbereich einen ersten Abschnitt aufweist, der sich bis zu einer Tiefe zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche der Gate-Elektrode erstreckt, wobei der erste Siliziumbereich einen zweiten Abschnitt aufweist, der sich bis zu einer Tiefe zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche der Abschirmelektrode erstreckt; einen zweiten Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp zwischen dem Graben und dem zweiten Abschnitt des ersten Siliziumbereichs, wobei der zweite Siliziumbereich eine lateral abgestufte Dotierungskonzentration aufweist, die in einer Richtung von den Grabenseitenwänden weg abnimmt; und einen Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Siliziumbereich, wobei sich der Source-Bereich benachbart zu dem Graben befindet.
- MOSFET nach Anspruch 11, wobei der Graben in dem Substrat endet.
- MOSFET nach Anspruch 11, wobei der erste Abschnitt des ersten Siliziumbereichs einen sich vertikal erstreckenden Kanalbereich umfasst, der durch einen Abstand zwischen dem Source-Bereich und dem zweiten Siliziumbereich definiert ist.
- MOSFET nach Anspruch 11, ferner umfassend: einen Heavy-Body-Bereich von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Siliziumbereich; und eine Source-Verbindungsschicht, die den Source-Bereich und den Heavy-Body-Bereich elektrisch kontaktiert, aber gegenüber der Gate-Elektrode isoliert ist.
- Verfahren zum Bilden eines FET, umfassend: Vorsehen eines Halbleiterbereichs von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die sich über dem Halbleiterbereich erstreckt; Durchführen eines ersten Siliziumätzens, um einen oberen Grabenabschnitt zu bilden, der sich in die Epitaxieschicht erstreckt und in dieser endet; Bilden eines Schutzmaterials, das sich entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt aber nicht entlang einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt; Durchführen eines zweiten Siliziumätzens, um einen unteren Grabenabschnitt zu bilden, der sich von der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Halbleiterbereich endet, wobei der untere Grabenabschnitt schmaler als der obere Grabenabschnitt ist; und Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp, um einen Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp entlang Seitenwänden des unteren Grabenabschnitts zu bilden, wobei das Schutzmaterial verhindert, dass die Implantationsdotiermittel in die Seitenwände des oberen Grabenabschnitts und den Mesa-Bereich benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt eintreten.
- Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Schritt des Bildens des Schutzmaterials umfasst: Bilden einer Dielektrikumschicht, die sich entlang Seitenwänden und einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt erstreckt; Bilden von Dielektrikum-Spacern entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts; und Entfernen eines Abschnitts der Dielektrikumschicht, der sich entlang der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt, um eine Oberfläche der Epitaxieschicht freizulegen.
- Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Dielektrikumschicht Oxid umfasst, und die Dielektrikum-Spacer Nitrid umfassen.
- Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Dielektrikumschicht derart gebildet wird, dass ein Abschnitt der Dielektrikumschicht, der sich über den Mesa-Bereichen erstreckt, dicker ist als ein Abschnitt der Dielektrikumschicht, der sich innerhalb des Grabens erstreckt.
- Verfahren nach Anspruch 15, ferner umfassend: Bilden einer Abschirmelektrode in dem unteren Grabenabschnitt, wobei die Abschirmelektrode gegenüber der Epitaxieschicht und dem Halbleiterbereich durch ein Abschirmdielektrikum isoliert ist; Bilden einer Gate-Dielektrikumschicht entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts; und Bilden einer Gate-Elektrode in dem oberen Grabenabschnitt, die jedoch gegenüber der Abschirmelektrode isoliert ist.
- Verfahren nach Anspruch 15, ferner umfassend: Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; Bilden von Heavy-Body-Bereichen von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die die Source-Bereiche und die Heavy-Body-Bereiche kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 15, wobei der erste Leitfähigkeitstyp der n-Typ ist und der zweite Leitfähigkeitstyp der p-Typ ist.
- Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat ist.
- Verfahren zum Bilden eines MOSFET, umfassend: Vorsehen eines Substrats von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die sich über dem Substrat erstreckt; Durchführen eines ersten Siliziumätzens, um einen oberen Grabenabschnitt zu bilden, der sich in die Epitaxieschicht erstreckt und in dieser endet; Bilden eines Schutzmaterials, das sich entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt aber nicht entlang einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt; Durchführen eines zweiten Siliziumätzens, um einen unteren Grabenabschnitt zu bilden, der sich von der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet, wobei der untere Grabenabschnitt schmaler als der obere Grabenabschnitt ist; Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp, um einen Siliziumbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp entlang Seitenwänden des unteren Grabenabschnitts zu bilden, wobei das Schutzmaterial verhindert, dass die Implantationsdotiermittel in die Seitenwände des oberen Grabenabschnitts und den Mesa-Bereich benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt eintreten; Bilden eines Abschirmdielektrikums, das Seitenwände und eine Bodenoberfläche des unteren Grabenabschnitts auskleidet; Bilden einer Abschirmelektrode in dem unteren Grabenabschnitt; Bilden einer Gate-Dielektrikumschicht entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts; und Bilden einer Gate-Elektrode in dem oberen Grabenabschnitt, die jedoch gegenüber der Abschirmelektrode isoliert ist.
- Verfahren nach Anspruch 23, wobei der Schritt des Bildens eines Schutzmaterials umfasst: Bilden einer Schutzdielektrikumschicht, die sich entlang Seitenwänden und einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt erstreckt; Bilden von Dielektrikum-Spacern entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts; und Entfernen eines Abschnittes der Schutzdielektrikumschicht, der sich entlang der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt, um eine Oberfläche der Epitaxieschicht freizulegen.
- Verfahren nach Anspruch 24, wobei die Schutzdielektrikumschicht Oxid umfasst und die Dielektrikum-Spacer Nitrid umfassen.
- Verfahren nach Anspruch 24, wobei die Schutzdielektrikumschicht gebildet wird, so dass ein Abschnitt der Schutzdielektrikumschicht, der sich über den Mesa-Bereichen erstreckt, dicker ist als ein Abschnitt der Schutzdielektrikumschicht, der sich innerhalb des Grabens erstreckt.
- Verfahren nach Anspruch 23, ferner umfassend. Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; Bilden von Heavy-Body-Bereichen von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die die Source-Bereiche und die Heavy-Body-Bereiche kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 23, wobei der erste Leitfähigkeitstyp der n-Typ ist und der zweite Leitfähigkeitstyp der p-Typ ist.
- MOSFET, umfassend: einen Graben, der einen unteren Abschnitt und einen oberen Abschnitt aufweist, wobei der untere Abschnitt schmaler als der obere Abschnitt ist, wobei sich der Graben in einen Halbleiterbereich erstreckt; eine Abschirmelektrode in dem unteren Abschnitt des Grabens, wobei die Abschirmelektrode gegenüber dem Halbleiterbereich durch ein Abschirmdielektrikum isoliert ist; eine Gate-Elektrode in einem oberen Abschnitt des Grabens, wobei die Gate-Elektrode sich über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist; wobei der Halbleiterbereich umfasst: ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp; einen ersten Siliziumbereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über dem Substrat, wobei der erste Siliziumbereich einen ersten Abschnitt aufweist, der sich bis zu einer Tiefe zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche der Gate- Elektrode erstreckt, wobei der erste Siliziumbereich einen zweiten Abschnitt aufweist, der sich bis zu einer Tiefe zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche der Abschirmelektrode erstreckt, einen zweiten Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp zwischen dem unteren Grabenabschnitt und dem zweiten Abschnitt von dem ersten Siliziumbereich, wobei der zweite Siliziumbereich eine lateral abgestufte Dotierungskonzentration aufweist, die in einer Richtung von den Seitenwänden des unteren Grabenabschnitts weg abnimmt; und einen Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Siliziumbereich, wobei sich der Source-Bereich benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt befindet.
- MOSFET nach Anspruch 29, wobei der Graben in dem Substrat endet.
- MOSFET nach Anspruch 29, wobei der erste Abschnitt des ersten Siliziumbereichs einen sich vertikal erstreckenden Kanalbereich umfasst, der durch einen Abstand zwischen dem Source-Bereich und dem zweiten Siliziumbereich definiert ist.
- MOSFET nach Anspruch 29, ferner umfassend: einen Heavy-Body-Bereich von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Siliziumbereich; und eine Source-Verbindungsschicht, die den Source-Bereich und den Heavy-Body-Bereich elektrisch kontaktiert, aber gegenüber der Gate-Elektrode isoliert ist.
- Verfahren zum Bilden eines FET, umfassend: Vorsehen eines Halbleiterbereichs von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von dem ersten Leitfähigkeitstyp, die sich über dem Halbleiterbereich erstreckt; Durchführen eines ersten Siliziumätzens, um einen oberen Grabenabschnitt zu bilden, der sich in die Epitaxieschicht erstreckt und in dieser endet; Bilden eines Schutzmaterials, das sich entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt aber nicht entlang einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt; Durchführen eines zweiten Siliziumätzens, um einen unteren Grabenabschnitt zu bilden, der sich von der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Halbleiterbereich endet, wobei der untere Grabenabschnitt schmaler als der obere Grabenabschnitt ist; und Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp, um einen Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp entlang Seitenwänden des unteren Grabenabschnitts zu bilden, wobei das Schutzmaterial verhindert, dass die Implantationsdotiermittel in die Seitenwände des oberen Grabenabschnitts und den Mesa-Bereich benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt eintreten.
- Verfahren nach Anspruch 33, wobei der Schritt des Bildens des Schutzmaterials umfasst: Bilden einer Dielektrikumschicht, die sich entlang Seitenwänden und einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt erstreckt; Bilden von Dielektrikum-Spacern entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts; und Entfernen eines Abschnitts der Dielektrikumschicht, der sich entlang der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt, um eine Oberfläche der Epitaxieschicht freizulegen.
- Verfahren nach Anspruch 34, wobei die Dielektrikumschicht Oxid umfasst und die Dielektrikum-Spacer Nitrid umfassen.
- Verfahren nach Anspruch 34, wobei die Dielektrikumschicht derart gebildet wird, dass ein Abschnitt der Dielektrikumschicht, der sich über den Mesa-Bereichen erstreckt, dicker ist als ein Abschnitt der Dielektrikumschicht, der sich innerhalb des Grabens erstreckt.
- Verfahren nach Anspruch 33, ferner umfassend: Bilden einer Abschirmelektrode in dem unteren Grabenabschnitt, wobei die Abschirmelektrode gegenüber der Epitaxieschicht und dem Halbleiterbereich durch ein Abschirmdielektrikum isoliert ist; Bilden einer Gate-Dielektrikumschicht entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts; und Bilden einer Gate-Elektrode in dem oberen Grabenabschnitt, die jedoch gegenüber der Abschirmelektrode isoliert ist.
- Verfahren nach Anspruch 33, das ferner umfasst, dass ein Body-Bereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 38, ferner umfassend: Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich; Bilden von Heavy-Body-Bereichen von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Bodybereich; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die die Source-Bereiche und die Heavy-Body-Bereiche kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 39, wobei der erste Leitfähigkeitstyp der n-Typ ist und der zweite Leitfähigkeitstyp der p-Typ ist.
- Verfahren nach Anspruch 33, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat ist.
- Verfahren zum Bilden eines MOSFET, umfassend: Vorsehen eines Substrats von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von einer ersten Leitfähigkeit, die sich über dem Substrat erstreckt; Durchführen eines ersten Siliziumätzens, um einen oberen Grabenabschnitt zu bilden, der sich in die Epitaxieschicht erstreckt und in dieser endet; Bilden eines Schutzmaterials, das sich entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt aber nicht entlang einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt; Durchführen eines zweiten Siliziumätzens, um einen unteren Grabenabschnitt zu bilden, der sich von der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet, wobei der untere Grabenabschnitt schmaler als der obere Grabenabschnitt ist; Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp, um einen Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp entlang Seitenwänden des unteren Grabenabschnitts zu bilden, wobei das Schutzmaterial verhindert, dass die Implantationsdotiermittel in die Seitenwände des oberen Grabenabschnitts und den Mesa-Bereich benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt eintreten; Bilden eines Abschirmdielektrikums, das Seitenwände und eine Bodenoberfläche des unteren Grabenabschnitts auskleidet; Bilden einer Abschirmelektrode in dem unteren Grabenabschnitt; Bilden einer Gate-Dielektrikumschicht entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts; und Bilden einer Gate-Elektrode in dem oberen Grabenabschnitt, die jedoch gegenüber der Abschirmelektrode isoliert ist.
- Verfahren nach Anspruch 42, wobei der Schritt des Bildens eines Schutzmaterials umfasst: Bilden einer Schutzdielektrikumschicht, die sich entlang Seitenwänden und einer Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts und über Mesa-Bereichen benachbart zu dem oberen Grabenabschnitt erstreckt; Bilden von Dielektrikum-Spacern entlang Seitenwänden des oberen Grabenabschnitts; und Entfernen eines Abschnitts der Schutzdielektrikumschicht, der sich entlang der Bodenoberfläche des oberen Grabenabschnitts erstreckt, um eine Oberfläche der Epitaxieschicht freizulegen.
- Verfahren nach Anspruch 43, wobei die Schutzdielektrikumschicht Oxid umfasst und die Dielektrikum-Spacer Nitrid umfassen.
- Verfahren nach Anspruch 43, wobei die Schutzdielektrikumschicht so gebildet wird, dass ein Abschnitt der Schutzdielektrikumschicht, der sich über den Mesa-Bereichen erstreckt, dicker ist als ein Abschnitt der Schutzdielektrikumschicht, der sich innerhalb des Grabens erstreckt.
- Verfahren nach Anspruch 42, ferner umfassend: Bilden eines Body-Bereichs von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich; Bilden von Heavy-Body-Bereichen von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die die Source-Bereiche und die Heavy-Body-Bereiche kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 46, wobei der erste Leitfähigkeitstyp der n-Typ ist und der zweite Leitfähigkeitstyp der p-Typ ist.
- MOSFET, umfassend: einen Graben, der einen unteren Abschnitt und einen oberen Abschnitt aufweist, wobei der untere Abschnitt schmaler als der obere Abschnitt ist, wobei sich der Graben in einen Halbleiterbereich erstreckt; eine Abschirmelektrode in dem unteren Abschnitt des Grabens, wobei die Abschirmelektrode gegenüber dem Halbleiterbereich durch ein Abschirmdielektrikum isoliert ist; eine Gate-Elektrode in dem oberen Abschnitt des Grabens, wobei die Gate-Elektrode sich über der Abschirmelektrode befindet, aber gegenüber dieser isoliert ist; wobei der Halbleiterbereich umfasst: ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp; eine Epitaxieschicht von dem ersten Leitfähigkeitstyp über dem Substrat; einen Body-Bereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; einen Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich, wobei der Source-Bereich und eine Grenzfläche zwischen dem Body-Bereich und dem Substrat einen Kanalbereich definieren; und einen Siliziumbereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich entlang Seitenwänden des unteren Abschnitts des Grabens und in einen unteren Abschnitt des Kanalbereichs erstreckt, wobei der Siliziumbereich eine lateral abgestufte Dotierungskonzentration aufweist, die in einer Richtung von den Seitenwänden des Grabens weg abnimmt.
- MOSFET nach Anspruch 48, wobei der untere Abschnitt des Grabens in dem Substrat endet.
- MOSFET nach Anspruch 48, ferner umfassend: einen Heavy-Body-Bereich von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich; und eine Source-Verbindungsschicht, die den Source-Bereich und den Heavy-Body-Bereich elektrisch kontaktiert, aber gegenüber der Gate-Elektrode isoliert ist.
- Verfahren zum Bilden eines MOSFET mit Ladungsgleichgewicht, umfassend: Vorsehen eines Substrats von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer Epitaxieschicht von dem ersten Leitfähigkeitstyp, die sich über dem Substrat erstreckt; Bilden eines Gate-Grabens, der sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet; Bilden eines Abschirmdielektrikums, das Seitenwände und eine Bodenoberfläche des Gate-Grabens auskleidet; Bilden einer Abschirmelektrode in dem Gate-Graben; Bilden einer Gate-Dielektrikumschicht entlang oberen Seitenwänden des Gate-Grabens; Bilden einer Gate-Elektrode in dem Gate-Graben, wobei sich die Gate-Elektrode über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist; Bilden einer tiefen Vertiefung, die sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet, wobei die tiefe Vertiefung lateral von dem Gate-Graben beabstandet ist; und Füllen der tiefen Vertiefung mit Siliziummaterial von dem zweiten Leitfähigkeitstyp.
- Verfahren nach Anspruch 51, ferner umfassend: Bilden eines Body-Bereichs von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich, wobei die Source-Bereiche den Gate-Graben flankieren; Bilden von Heavy-Body-Bereichen von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die die Source-Bereiche und die Heavy-Body-Bereiche kontaktiert.
- MOSFET, umfassend: ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp; eine Epitaxieschicht von dem ersten Leitfähigkeitstyp über dem Substrat; einen Gate-Graben, der sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet; ein Abschirmdielektrikum, das Seitenwände und eine Bodenoberfläche des Gate-Grabens auskleidet; eine Abschirmelektrode in einem unteren Abschnitt des Gate-Grabens; eine Gate-Dielektrikumschicht entlang oberen Seitenwänden des Gate-Grabens; eine Gate-Elektrode in dem Gate-Graben, wobei sich die Gate-Elektrode über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist; und eine tiefe Vertiefung, die sich durch die Epitaxieschicht erstreckt und in dem Substrat endet, wobei die tiefe Vertiefung lateral von dem Gate-Graben beabstandet ist, wobei die tiefe Vertiefung mit Siliziummaterial von dem zweiten Leitfähigkeitstyp gefüllt ist.
- MOSFET nach Anspruch 53, ferner umfassend: einen Body-Bereich von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht; Source-Bereiche von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich, wobei die Source-Bereiche den Gate-Graben flankieren; und Heavy-Body-Bereiche von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich.
- Verfahren zum Bilden eines MOSFET mit Ladungsgleichgewicht, umfassend: Vorsehen eines Substrats von einem ersten Leitfähigkeitstyp; Bilden einer Epitaxieschicht von dem ersten Leitfähigkeitstyp über dem Substrat; Bilden einer Vielzahl von Gate-Gräben, die sich durch die Epitaxieschicht erstrecken und in dem Substrat enden; Bilden eines Abschirmdielektrikums, das Seitenwände und eine Bodenoberfläche jedes Gate-Grabens auskleidet; Bilden einer Abschirmelektrode in jedem Gate-Graben; Bilden einer Gate-Dielektrikumschicht entlang oberen Seitenwänden jedes Gate-Grabens; Bilden einer Gate-Elektrode in jedem Gate-Graben, wobei sich die Gate-Elektrode über der Abschirmelektrode befindet, jedoch gegenüber dieser isoliert ist; und Durchführen einer Vielzahl von Ionenimplantationen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in Mesa-Bereiche zwischen benachbarten Gate-Gräben, um dadurch eine Vielzahl von Säulen von einem zweiten Leitfähigkeitstyp zu bilden, die sich durch die Epitaxieschicht erstrecken und in dem Substrat enden, wobei jede Säule von dem zweiten Leitfähigkeitstyp zwischen jeweils zwei Gate-Gräben angeordnet ist.
- Verfahren nach Anspruch 55, ferner umfassend: Bilden eines Body-Bereichs von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in der Epitaxieschicht; Bilden von Source-Bereichen von dem ersten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich, wobei die Source-Bereiche die Vielzahl von Gate-Gräben flankieren; Bilden von Heavy-Body-Bereichen von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Body-Bereich; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die die Source-Bereiche und die Heavy-Body-Bereiche kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 55, ferner umfassend: vor dem Durchführen der Vielzahl von Ionenimplantationen, Bilden einer flachen Vertiefung in einem Mesa-Bereich benachbart zu dem Gate-Graben, wobei die Vielzahl von Ionenimplantationen durch die flache Vertiefung durchgeführt wird.
- Verfahren nach Anspruch 55, ferner umfassend: vor dem Durchführen der Vielzahl von Ionenimplantationen: Bilden eines Body-Bereichs von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht; Bilden eines Siliziumbereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp in einem oberen Abschnitt des Body-Bereichs; und Durchführen eines Siliziumätzens, um eine flache Vertiefung zu bilden, die sich durch den Siliziumbereich erstreckt, um den Siliziumbereich in zwei Bereiche zu unterteilen, die jeweils einen Source-Bereich bilden, wobei die Vielzahl von Ionenimplantationen durch die flache Vertiefung durchgeführt wird.
- Verfahren zum Bilden eines FET, umfassend: Bilden einer Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; Bilden eines Body-Bereichs von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; Füllen eines Bodenabschnitts von jedem der mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben mit Dielektrikummaterial; Bilden einer Gate-Elektrode in jedem mit einem Gate versehenen Graben über dem Dielektrikummaterial; und Bilden eines leitfähigen Materials von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben über dem Dielektrikummaterial, so dass das leitfähige Material den Body-Bereich entlang Seitenwänden von jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 59, ferner umfassend: Bilden eines Source-Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich, wobei das leitfähige Material in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben entsprechende Source-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die jeden Source-Bereich und jedes leitfähige Material kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 59, wobei der Füllschritt umfasst: Füllen jedes mit einem Gate versehenen Grabens und jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens mit Dielektrikummaterial, so dass eine obere Oberfläche des Dielektrikummaterials in den mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben im Wesentlichen koplanar mit einer oberen Oberfläche eines Mesa-Bereichs benachbart zu den mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben ist; Vertiefen des Dielektrikummaterials in jedem mit einem Gate versehenen Graben, um dadurch ein dickes Bodendielektrikum entlang einem Bodenabschnitt des mit einem Gate versehenen Grabens zu bilden; und Vertiefen des Dielektrikummaterials in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben bis zu einer Tiefe über einer Tiefe des Body-Bereichs.
- Verfahren nach Anspruch 59, wobei der Schritt des Bildens eines Body-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 60, wobei der Schritt des Bildens eines Source-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 59, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 59, wobei der Schritt des Bildens eines leitfähigen Materials in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben umfasst: Bilden einer Polysiliziumschicht, um jeden nicht mit einem Gate versehenen Graben im Wesentlichen zu füllen.
- Verfahren nach Anspruch 59, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 59, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet werden.
- FET, umfassend: eine Vielzahl von Gräben, die sich in einen Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp erstrecken, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; einen Body-Bereich von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; ein Dielektrikummaterial, das einen Bodenabschnitt von jedem der mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben füllt; eine Gate-Elektrode in jedem mit einem Gate versehenen Graben; und ein leitfähiges Material von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben, so dass das leitfä hige Material entsprechende Body-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert.
- FET nach Anspruch 68, ferner umfassend: eine Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich, wobei das leitfähige Material in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben entsprechende Source-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert; und eine Source-Verbindungsschicht, die jeden Source-Bereich und jedes leitfähige Material kontaktiert.
- FET nach Anspruch 68, wobei das Dielektrikummaterial in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben eine obere Oberfläche über einer unteren Oberfläche des Body-Bereichs aufweist.
- FET nach Anspruch 69, wobei sich jeder Source-Bereich über eine gesamte Breite eines Mesa-Bereichs erstreckt, der entlang einer lateralen Abmessung durch zwei benachbarte Gräben begrenzt ist.
- FET nach Anspruch 68, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet ist.
- FET nach Anspruch 68, wobei das leitfähige Material Polysilizium von dem zweiten Leitfähigkeitstyp umfasst.
- FET nach Anspruch 68, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben angeordnet ist.
- FET nach Anspruch 68, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet sind.
- Verfahren zum Bilden eines FET, umfassend: Bilden einer Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; Bilden einer Abschirmelektrode in einem Bodenabschnitt jedes mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Grabens; Bilden eines Body-Bereichs von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; Bilden einer Dielektrikumschicht über der Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben; und Bilden eines leitfähigen Materials von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben über der Dielektrikumschicht, so dass das leitfähige Material Body-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 76, ferner umfassend: Bilden eines Source-Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich, wobei das leitfähige Material in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben entsprechende Source-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die jeden Source-Bereich und jedes leitfähige Material kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 76, ferner umfassend: vor dem Schritt des Bildens einer Abschirmelektrode, Bilden einer Abschirmdielektrikumschicht, die untere Seitenwände und eine Bodenoberfläche jedes mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Grabens auskleidet; Bilden einer Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht über der Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen Graben, wobei die Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht aus einem abgeschiedenen Dielektrikum gebildet wird; und Bilden einer Gate-Elektrode über der Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht in jedem mit einem Gate versehenen Graben.
- Verfahren nach Anspruch 76, wobei der Schritt des Bildens einer Dielektrikumschicht umfasst: nach dem Schritt des Bildens einer Abschirmelektrode, Füllen jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens mit Dielektrikummaterial, so dass eine obere Oberfläche des Dielektrikummaterials in dem nicht mit einem Gate versehenen Graben im Wesentlichen koplanar mit einer oberen Oberfläche eines Mesa-Bereichs benachbart zu den mit einem Gate versehenen Graben ist; und das Dielektrikummaterial in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben bis zu einer Tiefe über einer Tiefe des Body-Bereichs vertieft wird.
- Verfahren nach Anspruch 76, wobei der Schritt des Bildens eines Body-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 77, wobei der Schritt des Bildens eines Source-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 76, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet wird, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in dem Substrat enden.
- Verfahren nach Anspruch 76, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet wird, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in der Epitaxieschicht enden.
- Verfahren nach Anspruch 76, wobei der Schritt des Bildens eines leitfähigen Materials in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben umfasst: Bilden einer Polysiliziumschicht, um jeden nicht mit einem Gate versehenen Graben im Wesentlichen zu füllen.
- Verfahren nach Anspruch 76, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 76, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet werden.
- FET, umfassend: eine Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; eine Abschirmelektrode in einem Bodenabschnitt jedes mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Grabens; einen Body-Bereich von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; eine Dielektrikumschicht über der Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben; und ein leitfähiges Material von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben über der Dielektrikumschicht, wobei das leitfähige Material Body-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert.
- FET nach Anspruch 87, ferner umfassend: einen Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich, wobei das leitfähige Material in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben entsprechende Source-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert; und eine Source-Verbindungsschicht, die jeden Source-Bereich und jedes leitfähige Material kontaktiert.
- FET nach Anspruch 88, wobei sich jeder Source-Bereich über eine gesamte Breite eines Mesa-Bereichs erstreckt, der entlang einer lateralen Abmessung durch zwei benachbarte Gräben begrenzt ist.
- FET nach Anspruch 88, wobei die Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Graben elektrisch mit der Source-Verbindungsschicht verbunden ist.
- FET nach Anspruch 87, ferner umfassend: eine Abschirmdielektrikumschicht, die untere Seitenwände und eine Bodenoberfläche jedes mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Grabens auskleidet; eine Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht über der Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen Graben, die Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht; und eine Gate-Elektrode über der Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht in jedem mit einem Gate versehenen Graben.
- FET nach Anspruch 87, wobei sich das leitfähige Material in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben bis zu einer flacheren Tiefe als eine Tiefe des Body-Bereichs erstreckt.
- FET nach Anspruch 87, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet ist, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in dem Substrat enden.
- FET nach Anspruch 87, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet ist, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in der Epitaxieschicht enden.
- FET nach Anspruch 87, wobei das leitfähige Material eine Polysiliziumschicht von dem zweiten Leitfähigkeitstyp umfasst.
- FET nach Anspruch 87, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet ist.
- FET nach Anspruch 87, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet sind.
- Verfahren zum Bilden eines FET, umfassend: Bilden einer Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; Bilden eines Body-Bereichs von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; Bilden einer Abschirmelektrode in einem Bodenabschnitt jedes mit einem Gate versehenen Grabens; Bilden einer Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben, wobei die Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben eine obere Oberfläche über einer unteren Oberfläche des Body-Bereichs aufweist; und Bilden eines leitfähigen Materials von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben, so dass das leitfähige Material Body-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert, wobei das leitfähige Material auch mit der Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben in Kontakt steht.
- Verfahren nach Anspruch 98, ferner umfassend: Bilden eines Source-Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich, wobei das leitfähige Material in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben entsprechende Source-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die jeden Source-Bereich und jedes leitfähige Material kontaktiert.
- Verfahren nach Anspruch 98, ferner umfassend: vor dem Bilden der Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen Graben, Bilden einer Abschirmdielektrikumschicht, die untere Seitenwände und eine Bodenoberfläche jedes mit einem Gate versehenen Grabens auskleidet; Bilden einer Gate-Dielektrikumschicht, die obere Seitenwände jedes mit einem Gate versehenen Grabens auskleidet und sich über der Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen Graben erstreckt, wobei die Gate-Dielektrikumschicht aus einem aufgewachsenen Dielektrikum gebildet wird; und Bilden einer Gate-Elektrode über der Gate-Dielektrikumschicht in jedem mit einem Gate versehenen Graben.
- Verfahren nach Anspruch 98, wobei der Schritt des Bildens eines Body-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 99, wobei der Schritt des Bildens eines Source-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 98, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet wird, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in dem Substrat enden.
- Verfahren nach Anspruch 98, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet wird, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in der Epitaxieschicht enden.
- Verfahren nach Anspruch 98, wobei der Schritt des Bildens eines leitfähigen Materials in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben umfasst: Bilden einer Polysiliziumschicht, um jeden nicht mit einem Gate versehenen Graben im Wesentlichen zu füllen.
- Verfahren nach Anspruch 98, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 98, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet werden.
- FET, umfassend: eine Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; einen Body-Bereich von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; einer Abschirmelektrode in einem Bodenabschnitt jedes mit einem Gate versehenen Grabens; eine Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben, wobei die Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben eine obere Oberfläche über einer unteren Oberfläche des Body-Bereichs aufweist; und ein leitfähiges Material von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben, so dass das leitfähige Material Body-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert, wobei das leitfähige Material auch mit der Abschirmelektrode in jedem nicht mit einen Gate versehenen Graben in Kontakt steht.
- FET nach Anspruch 98, ferner umfassend: einen Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich, wobei das leitfähige Material in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben entsprechende Source-Bereiche entlang Seitenwänden des nicht mit einem Gate versehenen Grabens kontaktiert; und eine Source-Verbindungsschicht, die jeden Source-Bereich und jedes leitfähige Material kontaktiert.
- FET nach Anspruch 88, wobei sich jeder Source-Bereich über eine gesamte Breite eines Mesa-Bereichs erstreckt, der entlang der lateralen Abmessung durch zwei benachbarte Gräben begrenzt ist.
- FET nach Anspruch 88, wobei die Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Graben elektrisch mit der Source-Verbindungsschicht verbunden ist.
- FET nach Anspruch 98, ferner umfassend: eine Abschirmdielektrikumschicht, die untere Seitenwände und eine Bodenoberfläche jedes mit einem Gate versehenen Grabens auskleidet; eine Gate-Dielektrikumschicht, die obere Seitenwände jedes mit einem Gate versehenen Grabens auskleidet und sich über der Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen Graben erstreckt; und eine Gate-Elektrode über der Gate-Dielektrikumschicht in jedem mit einem Gate versehenen Graben.
- FET nach Anspruch 87, wobei sich das leitfähige Material in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben bis zu einer flacheren Tiefe als eine Tiefe des Body-Bereichs erstreckt.
- FET nach Anspruch 87, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet ist, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in dem Substrat enden.
- FET nach Anspruch 87, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet ist, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in der Epitaxieschicht enden.
- FET nach Anspruch 87, wobei das leitfähige Material eine Polysiliziumschicht von dem zweiten Leitfähigkeitstyp umfasst.
- FET nach Anspruch 87, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet ist.
- FET nach Anspruch 87, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet sind.
- Verfahren zum Bilden eines FET, umfassend: Bilden einer Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; Bilden einer Abschirmelektrode in einem Bodenabschnitt jedes mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Grabens; Bilden eines Body-Bereichs von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; Bilden einer Dielektrikumschicht über der Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben; und Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in freigelegte obere Seitenwände jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens, um dadurch einen Heavy-Body-Bereich in jedem Body-Bereich zu bilden.
- Verfahren nach Anspruch 119, ferner umfassend: Bilden eines Source-Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die eine obere Oberfläche jedes Source-Bereichs kontaktiert, wobei die Source-Verbindungsschicht einen oberen Abschnitt jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens füllt, um dadurch jeden Source-Bereich und jeden Heavy-Body-Bereich entlang oberen Seitenwänden jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens zu kontaktieren.
- Verfahren nach Anspruch 119, ferner umfassend: vor dem Schritt des Bildens einer Abschirmelektrode, Bilden einer Abschirmdielektrikumschicht, die untere Seitenwände und eine Bodenoberfläche jedes mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Grabens auskleidet; Bilden einer Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht über der Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen Graben, wobei die Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht aus einem abgeschiedenen Dielektrikum gebildet wird; und Bilden einer Gate-Elektrode über der Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht in jedem mit einem Gate versehenen Graben.
- Verfahren nach Anspruch 119, wobei der Schritt des Bildens einer Dielektrikumschicht umfasst: nach dem Schritt des Bildens einer Abschirmelektrode, Füllen jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens mit Dielektrikummaterial, so dass eine obere Oberfläche des Dielektrikummaterials in dem nicht mit einem Gate versehenen Graben im Wesentlichen koplanar mit einer oberen Oberfläche eines Mesa-Bereichs benachbart zu dem nicht mit einem Gate versehenen Graben ist; und Vertiefen des Dielektrikummaterials in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben bis zu einer Tiefe über einer Tiefe des Body-Bereichs.
- Verfahren nach Anspruch 119, wobei der Schritt des Bildens eines Body-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 120, wobei der Schritt des Bildens eines Source-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 119, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet wird, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in dem Substrat enden.
- Verfahren nach Anspruch 119, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet wird, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in der Epitaxieschicht enden.
- Verfahren nach Anspruch 119, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 119, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet werden.
- FET, umfassend: eine Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; eine Abschirmelektrode in einem Bodenabschnitt jedes mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Grabens; einen Body-Bereich von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; eine Dielektrikumschicht über der Abschirmelektrode in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben; und einen Heavy-Body-Bereich in jedem Body-Bereich, wobei sich jeder Heavy-Body-Bereich benachbart zu einer Seitenwand jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens befindet.
- FET nach Anspruch 129, ferner umfassend: einen Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich; und eine Source-Verbindungsschicht, die eine obere Oberfläche jedes Source-Bereichs kontaktiert, wobei die Source-Verbindungsschicht einen oberen Abschnitt jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens füllt, um dadurch jeden Source-Bereiche und jeden Heavy-Body-Bereich entlang oberen Seitenwänden jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens zu kontaktieren.
- FET nach Anspruch 130, wobei sich jeder Source-Bereich über eine gesamte Breite eines Mesa-Bereichs erstreckt, der entlang der lateralen Abmessung durch zwei benachbarte Gräben begrenzt ist.
- FET nach Anspruch 130, wobei die Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Graben elektrisch mit der Source-Verbindungsschicht verbunden ist.
- FET nach Anspruch 130, wobei sich die Source-Verbindungsschicht in jeden nicht mit einem Gate versehenen Graben bis zu einer flacheren Tiefe als eine Tiefe des Body-Bereichs erstreckt.
- FET nach Anspruch 129, ferner umfassend: eine Abschirmdielektrikumschicht, die untere Seitenwände und eine Bodenoberfläche jedes mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Grabens auskleidet; eine Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht über der Abschirmelektrode in jedem mit einem Gate versehenen Graben, die Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht; und eine Gate-Elektrode über der Zwischenelektroden-Dielektrikumschicht in jedem mit einem Gate versehenen Graben.
- FET nach Anspruch 129, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet ist, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in dem Substrat enden.
- FET nach Anspruch 129, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet ist, wobei die mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben in der Epitaxieschicht enden.
- FET nach Anspruch 129, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet ist.
- FET nach Anspruch 129, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet sind.
- Verfahren zum Bilden eines FET, umfassend: Bilden einer Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einen Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; Bilden eines Body-Bereichs von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; Füllen eines Bodenabschnitts eines jeden der mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben mit Dielektrikummaterial; Bilden einer Gate-Elektrode über dem Dielektrikummaterial in jedem mit einem Gate versehenen Graben; und Durchführen einer schrägen Implantation mit zwei Durchgängen von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in freigelegte obere Seitenwände jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens, um dadurch einen Heavy-Body-Bereich in jedem Body-Bereich zu bilden.
- Verfahren nach Anspruch 139, ferner umfassend: Bilden eines Source-Bereichs von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich; und Bilden einer Source-Verbindungsschicht, die eine obere Oberfläche jedes Source-Bereichs kontaktiert, wobei die Source-Verbindungsschicht einen oberen Abschnitt jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens füllt, um dadurch jeden Source-Bereich und jeden Heavy-Body-Bereich entlang oberen Seitenwänden jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens zu kontaktieren.
- Verfahren nach Anspruch 139, wobei der Füllschritt umfasst: Füllen jedes mit einem Gate versehenen Grabens und jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens mit Dielektrikummaterial, so dass eine obere Oberfläche des Dielektrikummaterials in den mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben im Wesentlichen koplanar mit einer oberen Oberfläche eines Mesa-Bereichs benachbart zu den mit einem Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben ist; Vertiefen des Dielektrikummaterials in jedem mit einem Gate versehenen Graben, um dadurch ein dickes Bodendielektrikum entlang einem Bodenabschnitt des mit einem Gate versehenen Grabens zu bilden; und Vertiefen des Dielektrikummaterials in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben bis zu einer Tiefe über einer Tiefe des Body-Bereichs.
- Verfahren nach Anspruch 139, wobei der Schritt des Bildens eines Body-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 140, wobei der Schritt des Bildens eines Source-Bereichs umfasst: Durchführen einer Deckschichtimplantation von Dotiermitteln von dem ersten Leitfähigkeitstyp in einem aktiven Bereich des FET.
- Verfahren nach Anspruch 139, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 139, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 139, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet werden.
- FET, umfassend: eine Vielzahl von Gräben in einem Halbleiterbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die Vielzahl von Gräben eine Vielzahl von mit einem Gate versehenen Gräben und eine Vielzahl von nicht mit einem Gate versehenen Gräben umfasst; einen Body-Bereich von einer zweiten Leitfähigkeit in dem Halbleiterbereich zwischen benachbarten Gräben; Dielektrikummaterial, das einen Bodenabschnitt eines jeden der mit einen Gate versehenen und nicht mit einem Gate versehenen Gräben mit Dielektrikummaterial füllt; eine Gate-Elektrode über dem Dielektrikummaterial in jedem mit einem Gate versehenen Graben; und einen Heavy-Body-Bereich in jedem Body-Bereich, wobei sich jeder Heavy-Body-Bereich benachbart zu einer Seitenwand jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens befindet.
- FET nach Anspruch 147, ferner umfassend: einen Source-Bereich von dem ersten Leitfähigkeitstyp in jedem Body-Bereich; und eine Source-Verbindungsschicht, die eine obere Oberfläche jedes Source-Bereichs kontaktiert, wobei die Source-Verbindungsschicht einen oberen Abschnitt jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens füllt, um dadurch jeden Source-Bereich und jeden Heavy-Body-Bereich entlang oberen Seitenwänden jedes nicht mit einem Gate versehenen Grabens zu kontaktieren.
- FET nach Anspruch 148, wobei sich jeder Source-Bereich über eine gesamte Breite eines Mesa-Bereichs erstreckt, der entlang der lateralen Abmessung durch zwei benachbarte Gräben begrenzt ist.
- FET nach Anspruch 148, wobei sich die Source-Verbindungsschicht in jeden nicht mit einem Gate versehenen Graben bis zu einer flacheren Tiefe als eine Tiefe des Body-Bereichs erstreckt.
- FET nach Anspruch 147, wobei das Dielektrikummaterial in jedem nicht mit einem Gate versehenen Graben eine obere Oberfläche über einer unteren Oberfläche des Body-Bereichs aufweist.
- FET nach Anspruch 147, wobei der Halbleiterbereich ein hoch dotiertes Substrat und eine darüberliegende Epitaxieschicht umfasst, und der Body-Bereich in einem oberen Abschnitt der Epitaxieschicht gebildet ist.
- FET nach Anspruch 147, wobei ein nicht mit einem Gate versehener Graben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet ist.
- FET nach Anspruch 147, wobei zwei oder mehr nicht mit einem Gate versehene Gräben zwischen jeweils zwei benachbarten mit einem Gate versehenen Gräben gebildet sind.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US68922905P | 2005-06-10 | 2005-06-10 | |
US60/689,229 | 2005-06-10 | ||
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-
2006
- 2006-06-08 DE DE112006001516T patent/DE112006001516T5/de not_active Withdrawn
- 2006-06-08 CN CN201310021899.0A patent/CN103094348B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-08 KR KR1020127027097A patent/KR101296984B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-08 AT AT0923806A patent/AT504290A2/de not_active Application Discontinuation
- 2006-06-08 JP JP2008515966A patent/JP2008546216A/ja active Pending
- 2006-06-08 CN CN2006800206309A patent/CN101536163B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-08 KR KR1020087000543A patent/KR101296922B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-08 WO PCT/US2006/022474 patent/WO2006135746A2/en active Application Filing
- 2006-06-08 US US11/450,903 patent/US7393749B2/en active Active
- 2006-06-09 TW TW095120583A patent/TWI416741B/zh active
- 2006-06-09 TW TW102107823A patent/TWI542020B/zh active
-
2008
- 2008-05-22 US US12/125,242 patent/US7514322B2/en active Active
-
2009
- 2009-04-06 US US12/418,949 patent/US7625799B2/en active Active
- 2009-10-20 US US12/582,487 patent/US7767524B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-23 US US12/822,008 patent/US7955920B2/en active Active
-
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- 2011-06-02 US US13/152,041 patent/US8278705B2/en active Active
-
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- 2012-10-01 US US13/633,038 patent/US8592895B2/en active Active
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US8742401B2 (en) | 2014-06-03 |
US7955920B2 (en) | 2011-06-07 |
TWI416741B (zh) | 2013-11-21 |
AT504290A2 (de) | 2008-04-15 |
WO2006135746A3 (en) | 2009-04-30 |
KR20080032080A (ko) | 2008-04-14 |
US20080258213A1 (en) | 2008-10-23 |
US8278705B2 (en) | 2012-10-02 |
US8592895B2 (en) | 2013-11-26 |
WO2006135746A2 (en) | 2006-12-21 |
KR20120123159A (ko) | 2012-11-07 |
US20090191678A1 (en) | 2009-07-30 |
JP2008546216A (ja) | 2008-12-18 |
US7514322B2 (en) | 2009-04-07 |
US20110303975A1 (en) | 2011-12-15 |
CN101536163A (zh) | 2009-09-16 |
US20100258855A1 (en) | 2010-10-14 |
US7767524B2 (en) | 2010-08-03 |
CN103094348A (zh) | 2013-05-08 |
TW200705680A (en) | 2007-02-01 |
US20100038708A1 (en) | 2010-02-18 |
US20140054691A1 (en) | 2014-02-27 |
US7393749B2 (en) | 2008-07-01 |
US20130181282A1 (en) | 2013-07-18 |
CN103094348B (zh) | 2016-08-10 |
US7625799B2 (en) | 2009-12-01 |
TW201330286A (zh) | 2013-07-16 |
TWI542020B (zh) | 2016-07-11 |
KR101296922B1 (ko) | 2013-08-14 |
KR101296984B1 (ko) | 2013-08-14 |
US20060281249A1 (en) | 2006-12-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |
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