DE112010004674B4 - Verfahren und Vorrichtung für ein erhöhtes Frequenzansprechverhalten von magnetischen Fühlern - Google Patents
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Abstract
Description
- HINTERGRUND
- Wie in der Technik bekannt enthalten magnetische Fühler typischerweise ein Halleffekt-Zellenelement auf der Oberfläche einer integrierten Schaltung, welches auf einem metallischen Leiterrahmen angeordnet ist. Der Fühler ist mit dem Leiterrahmen über Drähte verbunden und mit thermisch härtendem Kunststoff überdeckt. Während solche magnetischen Fühler für die Detektierung statischer Magnetfelder geeignet sein können, werden bei höheren Frequenzen zunehmend Wirbelströme in den leitfähigen Leiterrahmen in Abhängigkeit von der Änderung des Magnetfeldes erzeugt. Typischerweise fließt der Wirbelstrom in kreisförmiger Richtung um den Leiterrahmen, wie dies in
1 gezeigt ist. Die Wirbelströme fließen in kreisförmigen Schleifen senkrecht zu der Richtung des magnetischen Flussvektors. Die Wirbelströme erzeugen ein entgegengesetztes Magnetfeld unterhalb des Halleffektelements, welches unannehmbar große Fehler in der vom Fühler detektierten magnetischen Feldstärke verursachen kann. - Während Versuche nach dem Stande der Technik gemacht wurden, Schlitze in dem Leiterrahmen vorzusehen, um den Wirbelstromfluss zu vermindern, liefern solche Schlitze nur begrenzte Verminderung der Wirbelstrompegel. Das an Hayat-Dawoodi erteilte US-Patent,
US 6 853 178 B2 , zeigt beispielsweise verschiedene Schlitze durch den Leiterrahmen und gekreuzte Schlitze. Es hat sich jedoch gezeigt, dass die Schlitzkonfigurationen nach dem US-Patent,US 6 853 178 B2 , weniger effektiv als einfachere bekannte Schlitzkonfigurationen waren, beispielsweise ein linearer Schlitz von dem Rand eines Leiterrahmens aus. -
US 2008/0 013 298 A1 -
EP 1 891 452 B1 offenbart einen Stromsensor mit einem Trägerrahmen mit einer Mehrzahl von Anschlüssen, wobei der Sensor eine elektromagnetische Schirmung aufweist, die in der Nähe zu einem oder mehreren Feldwandler(n) angeordnet ist, wobei die Schirmung einen Schlitz aufweist, um Wirbelströme zu verringern. -
DE 10 2004 054 317 A1 offenbart eine Strommessvorrichtung zur Messung eines Stromes, welcher in einem Stromkanal fließt, der mit einem der Strommessung bedürfenden Stromkreis verbunden ist, in dem der Stromkanal so angeordnet ist, dass er einen vorbestimmten Punkt auf einem Substrat mit darauf gebildetem Stromkreis umgibt, und ein magnetisches Messelement zur Umwandlung eines magnetischen Flusses, der entsprechend der Größe eine am vorbestimmten Punkt oder in seine Nähe auftretenden Stromes erzeugt wird, in eine Spannung, so dass die Strommessvorrichtung eine Verringerung der Kosten und der Zahl der Montageschritte ermöglicht, notwendigen Platz spart, und Strommessung mit einem hohen Grad an Stabilität und Genauigkeit zur Verfügung stellt. - ZUSAMMENFASSUNG
- Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird durch ein Gerät gemäß Anspruch 1 und durch ein Verfahren gemäß Anspruch 9 gelöst. Vorteilhafte Weiterentwicklungen und Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Die vorliegende Erfindung schafft Verfahren und Vorrichtungen für einen magnetischen Fühler mit einer Schlitzkonfiguration in einem Leiterrahmen, welche in wirksamer Weise den Wirbelstromfluss vermindert und eine gleichförmige magnetische Feldstärke über die Breite eines Fühlerelements hin, beispielsweise einer Halleffektzelle, schafft. In einer beispielsweisen Ausführungsform enthält die Schlitzkonfiguration einen ersten Schlitz und einen zweiten Schlitz, welche zusammen eine T-Form ergeben. Während beispielsweise Ausführungsformen der Erfindung mit bestimmten Geometrien, Bauteilen und Anwendungen gezeigt und beschrieben sind, versteht es sich, dass die Ausführungsformen der Erfindung auf magnetische Fühler im allgemeinen anwendbar sind, bei welchen es wünschenswert ist, den Wirbelstromfluss zu vermindern.
- Gemäß einem Aspekt der Erfindung enthält ein Gerät mit integrierter Schaltungspackung einen leitfähigen Leiterrahmen und ein magnetisches Fühlerelement, welches auf dem Leiterrahmen angeordnet ist, wobei der Leiterrahmen eine Schlitzkonfiguration aufweist, um den Wirbelstromfluss um den magnetischen Fühler herum zu reduzieren, wobei die Schlitzkonfiguration einen ersten Schlitz aufweist, der im Wesentlichen senkrecht zu einem zweiten Schlitz verläuft und wobei der erste Schlitz sich unter dem Fühlerelement erstreckt.
- Das Gerät kann weiter eines oder mehrere der folgenden Merkmale enthalten: der zweite Schlitz ist im Allgemeinen parallel zu einem Rand des Fühlerelements, der erste Schlitz erstreckt sich zu einem Rand des Leiterrahmens hin, der erste Schlitz ist länger als der zweite Schlitz, der zweite Schlitz liegt nicht unter dem Fühlerelement, ein Abschnitt des zweiten Schlitzes befindet sich unter dem Fühlerelement, die Enden des zweiten Schlitzes sind gerundet, und das Gerät erzeugt eine im Allgemeinen gleichförmige magnetische Flussdichte über eine Breite des Fühlerelements hin.
- Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung umfasst ein Verfahren die Schaffung eines Geräts mit integrierter Schaltungspackung, wobei das Verfahren Folgendes vorsieht: Bereitstellen eines leitfähigen Leiterrahmens und Bereitstellen eines magnetischen Fühlerelements, welches auf dem Leiterrahmen angeordnet ist, wobei der Leiterrahmen eine Schlitzkonfiguration enthält, um den Wirbelstromfluss um den magnetischen Fühler zu vermindern und die Schlitzkonfiguration einen ersten Schlitz enthält, der im Wesentlichen senkrecht zu einem zweiten Schlitz verläuft, und wobei der erste Schlitz sich unter dem Fühlerelement erstreckt.
- Das Verfahren kann weiter eines oder mehrere der folgenden Merkmale umfassen: der zweite Schlitz ist im Wesentlichen parallel zu einem Rand des Fühlerelements, der erste Schlitz erstreckt sich zu einem Rand des Leiterrahmens hin, der erste Schlitz ist länger als der zweite Schlitz, der zweite Schlitz liegt nicht unter dem Fühlerelement, ein Teil des zweiten Schlitzes befindet sich unter dem Fühlerelement, Enden des zweiten Schlitzes sind gerundet, und das Gerät erzeugt eine im Wesentlichen gleichförmige magnetische Flussdichte über eine Breite des Fühlerelements hin.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die vorgenannten Merkmale der vorliegenden Erfindung sowie diese selbst werden voll umfänglich aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen verständlich. In diesen stellen dar:
-
1 eine schematische Abbildung des Wirbelstromflusses in einem magnetischen Fühler nach dem Stande der Technik; -
2A bis2D schematische Darstellungen eines magnetischen Fühlers mit einer Schlitzkonfiguration in einem Leiterrahmen gemäß beispielsweisen Ausführungsformen der Erfindung; -
2E bis2G schematische Abbildungen von alternativen Schlitzkonfigurationen; -
3 eine schematische Abbildung des Wirbelstromflusses um ein magnetisches Fühlerelement und die Schlitzkonfiguration; und -
4 eine graphische Darstellung der magnetischen Flussdichte für bekannte Schlitzkonfigurationen und eine Schlitzkonfiguration nach der Erfindung. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Die vorliegende Erfindung schafft Verfahren und Einrichtungen für die Verminderung von Wirbelströmen in einem magnetischen Fühler durch Schaffung einer Schlitzkonfiguration in einem Leiterrahmen. In einer beispielsweisen Ausführungsform enthält die Schlitzkonfiguration einen ersten Schlitz und einen zweiten Schlitz, welche zusammen eine T-Form bilden. Es versteht sich, dass die Schlitze im Leiterrahmen so gebildet sind, dass sie den Fluss der Wirbelströme verhindern. Mit dieser Anordnung werden Wirbelströme im Vergleich zu Schlitzkonfigurationen nach dem Stande der Technik vermindert.
- Die
2A bis2C zeigen ein Beispiel eines magnetische Fühlers100 , welcher einen leitfähigen Leiterrahmen102 mit einem auf diesem angeordneten magnetischen Fühlerelement104 umfasst. In einer Ausführungsform ist das magnetische Fühlerelement104 als ein Hallelement ausgebildet. Der Fühler104 kann mit dem Leiterrahmen über Drähte gekoppelt sein. Die zusammengebaute Anordnung kann mit einem thermisch gehärteten Kunststoff oder einem anderen Material umkleidet sein, um eine integrierte Schaltungspackung zu erhalten, wie dies in der Technik bekannt ist. - Der Fühler
100 enthält eine Schlitzkonfiguration150 , um Wirbelströme zu vermindern, welche um das magnetische Fühlerelement104 herum fließen. In einer beispielsweisen Ausführungsform enthält die Schlitzkonfiguration150 einen ersten Schlitz152 und einen zweiten Schlitz154 , welche zusammen im Wesentlichen eine T-Form bilden. Das bedeutet, der erste Schlitz152 verläuft im Wesentlichen senkrecht zu dem zweiten Schlitz154 . Es versteht sich, dass der Ausdruck ”im Wesentlichen senkrecht”, wie er hier gebraucht wird, bedeutet, dass der Winkel des zweiten Schlitzes54 relativ zu dem ersten Schlitz152 90° plus oder minus 20° beträgt. - In einer beispielsweisen Ausführungsform erstreckt sich der erste Schlitz
152 unter dem Hallelement104 zu einem Rand des Leiterrahmens. In einer Ausführungsform ist eine Längsachse170 des ersten Schlitzes152 auf die Mitte des Hallelements ausgerichtet. Im Allgemeinen verhindert der erste Schlitz152 den Fluss von Wirbelströmen unterhalb des Fühlers104 , um Fehler zu reduzieren. - In einer Ausführungsform verläuft eine Längsachse
160 des zweiten Schlitzes154 im Wesentlichen parallel zu einem Rand180 des quadratischen oder rechteckigen Hallelements104 . In der dargestellten Ausführungsform befindet sich der zweite Schlitz154 nicht unter dem Hallelement104 . In anderen Ausführungsformen liegt mindestens ein Teil des zweiten Schlitzes154 unter dem Hallelement, wie dies in2D gezeigt ist. In beispielsweisen Ausführungsformen sind Enden des Schlitzes154 zur Vermeidung von Ecken gerundet. - Während der erste und der zweite Schlitz mit geradlinigen Seiten gezeigt sind, versteht es sich, dass die Schlitze auch durch bogenförmige Seiten begrenzt sein können. Das bedeutet, die Schlitze können konkave und konvexe Krümmungen aufweisen, wie dies die
2E und2F zeigen. - Weiter können in anderen Ausführungsformen der erste und/oder der zweite Schlitz sich in der Breite ändern. Wie etwa in der Ausführungsform gemäß
2G dargestellt ist, kann der erste Schlitz152' ; sich bei seinen Übergängen in den zweiten Schlitz erweitern. - Es versteht sich, dass bestimmte bauliche Begrenzungen eingehalten werden müssen, um die strukturelle Integrität eines Geräts einzuhalten. In einer besonderen Ausführungsform hat der erste Schlitz
152 eine maximale Breite von etwa 0,3 mm, um ein GaAs-Hallelement auf dem Leiterrahmen befestigen zu können, so dass der erste Schlitz152 überbrückt wird. Zusätzlich mag ein Kompromiss bei der Anordnung des zweiten Schlitzes154 getroffen werden. So kann es wünschenswert sein, den zweiten Schlitz154 weiter oben am Leiterrahmen (ein längerer erster Schlitz152 ist vorgesehen) anzuordnen, um Wirbelströme von dem Hallelement wegzuhalten, doch begrenzt die mechanische Bearbeitung der Anordnung die Lage des zweiten Schlitzes auf einem vorbestimmten Abstand von einem entfernten Rand175 des Leiterrahmens. Dieser Abstand von dem Rand175 kann erforderlich sein, um die strukturelle Integrität aufrechtzuerhalten, wenn beispielsweise die Verbindungsstücke177 am Leiterrahmen während des Vereinzelungsvorgangs entfernt werden. - Wie in
3 gezeigt unterbricht die Schlitzkonfiguration150 den kreisförmigen Weg um den Außenrand des Leiterrahmens102 (siehe1 ) und zwingt die Wirbelströme50 zu einem Fluss über den oberen Rand158 des Fühlers104 anstatt zu einem Fluss um den gesamten Sensor herum in einem kreisförmigen Weg. Dies vermindert wesentlich das entgegengerichtete Magnetfeld, welches durch die Wirbelströme50 verursacht wird und vermindert dadurch wesentlich einen Ausgangsfehler bei hohen Frequenzen; beispielsweise erzeugt die Konfiguration gemäß1 nach dem Stande der Technik Fehler von mehr als 10% bei Frequenzen bis hinunter zu 1 kHz. -
4 zeigt einen graphischen Vergleich der magnetischen Flussdichte, welche auf einen magnetischen Fühler für eine Reihe von verschiedenen Schlitzkonfigurationen wirkt. Eine erste Kurvenlinie400 der Flussdichte gilt für einen geradlinigen Schlitz von 0,2 mm Breite. Eine zweite Kurve402 gilt für einen geradlinigen Schlitz 8 von 0,2 mm Breite und einer Länge, welche größer ist als diejenige des Schlitzes der ersten Kurve. Eine dritte Kurve404 gilt für einen geraden Schlitz von 0,3 mm Breite. Eine vierte Kurve406 gilt für einen T-förmigen Schlitz entsprechend den beispielsweisen Ausführungsformen der Erfindung. - Man erkennt, dass Fehler in der magnetischen Feldstärke über die Halleffektzelle am niedrigsten für die T-Schlitzkonstruktion
406 und für die Konstruktion gemäß Kurve4 des ersten 0,2 mm breiten Schlitzes sind. Obwohl die Fehler geringfügig niedriger für die Konstruktion gemäß Kurve400 mit dem ersten, 0,2 mm breiten Schlitz als für den T-förmigen Schlitz gemäß Kurve406 sind, besteht mehr ein Bereich, welcher mehr parametrische Streuung bei einer statistischen Verteilung der Fühleranordnung erzeugt. Zusätzlich herrscht für die erste Schlitzkonstruktion mit 0,2 mm breitem Schlitz gemäß Kurve400 ein wesentlich größerer Magnetflussgradient über die Hallzelle hin im Vergleich zu der erfindungsgemäßen T-Form-Schlitzkonfiguration nach Kurve406 . Es ist leicht zu erkennen, dass der Gradient die Genauigkeit des Fühlerausgangs herabsetzt. Mindestens aus diesen Gründen ergibt sich ohne weiteres, dass die erfindungsgemäße Schlitzkonfiguration in T-Form den linearen Schlitzkonfigurationen überlegen ist. - In einer beispielsweisen Ausführungsform hat der erste Schlitz eine Breite von etwa 0,2 mm und eine Länge von etwa 1,1 mm und der zweite Schlitz hat eine Breite von etwa 0,2 mm und eine Länge von 0,8 mm. Die Schlitze können so schmal sein, wie die Herstellungstechnologie des Leiterrahmens (Stanzung oder Ätzung) es erlaubt. Die Schlitze müssen lang genug sein, um die Wirbelströme daran zu hindern, unter der Zelle zu zirkulieren, jedoch kurz genug, um nicht die bauliche Integrität des Leiterrahmens zu gefährden. In einer beispielsweisen Ausführungsform bestimmt sich ein geeigneter Kompromiss durch eine elektromagnetische Analyse, um den Fehler aufgrund von Wirbelströmen zu bestimmen, und eine bauliche Analyse, um sicherzustellen, dass die Festigkeit der Konstruktion für die Bearbeitung und die Anforderungen im endgültigen Gebrauch ausreichen.
- Es versteht sich, dass jedes geeignete magnetische Fühlerelement, welches das Magnetfeld senkrecht zu dem Fühler detektiert, als das hier genannte Gerät dienen kann. Beispiele für Elemente umfassen: Hall-Zellen, GaAs-Zellen und dergleichen.
- Nach der Beschreibung beispielsweiser Ausführungsformen der Erfindung ergibt es sich für die Fachleute auf diesem Gebiete, dass andere Ausführungsformen mit entsprechenden Konzepten ebenfalls verwendet werden können. Die hier enthaltenen Ausführungsformen sind nicht im Sinne einer Beschränkung auf die offenbarten Ausführungen zu verstehen, sondern sind nur durch die anliegenden Ansprüche definiert. Sämtliche Veröffentlichungen und Bezugnahmen, welche hier ausdrücklich genannt sind, seien hier in ihrer Gesamtheit einbezogen.
Claims (16)
- Gerät mit integrierter Schaltungspackung, umfassend: einen leitfähigen Leiterrahmen (
102 ); und ein magnetisches Fühlerelement, welches auf dem Leiterrahmen (102 ) angeordnet ist; wobei der Leiterrahmen (102 ) eine T-Förmige Schlitzkonfiguration (150 ) aufweist, um einen Wirbelstromfluss um das magnetische Fühlerelement zu vermindern und die Schlitzkonfiguration (150 ) einen ersten Schlitz (152 ) enthält, welcher im Wesentlichen senkrecht zu einem zweiten Schlitz (154 ) verläuft und sich der erste Schlitz (152 ) unter dem Fühlerelement erstreckt, wobei sich der zweite Schlitz (154 ) nicht unter dem Hallelement (104 ) erstreckt, um Wirbelströme von dem Hallelement wegzuhalten, und wobei die Schlitzkonfiguration (150 ) derart angeordnet ist, dass diese den kreisförmigen Weg um den Außenrand des Leiterrahmens (102 ) unterbricht, und wobei die Schlitzkonfiguration (150 ) derart angeordnet ist, dass diese die Wirbelströme (50 ) zu einem Fluss über den oberen Rand (158 ) des Fühlers (104 ) zwingt, anstatt zu einem Fluss um den gesamten Sensor herum in einem kreisförmigen Weg. - Gerät nach Anspruch 1, bei welchem der zweite Schlitz (
154 ) im Wesentlichen parallel zu einem Rand des Fühlerelementes verläuft. - Gerät nach Anspruch 1, bei welchem der erste Schlitz (
152 ) sich zu einem Rand des Leiterrahmens (102 ) hin erstreckt. - Gerät nach Anspruch 1, bei welchem der erste Schlitz (
152 ) länger als der zweite Schlitz (154 ) ist. - Gerät nach Anspruch 1, bei welchem der zweite Schlitz (
154 ) nicht unter dem Fühlerelement liegt. - Gerät nach Anspruch 1, bei welchem ein Teil des zweiten Schlitzes (
154 ) unter dem Fühlerelement liegt. - Gerät nach Anspruch 1, bei welchem die Enden des zweiten Schlitzes (
154 ) gerundet sind. - Gerät nach Anspruch 1, bei welchem das Gerät eine im Wesentlichen gleichförmige Intensität des Magnetflusses über eine Breite des Fühlerelementes hin erzeugt.
- Verfahren, welches folgendes umfasst: Bereitstellen eines Gerätes mit integrierter Schaltungspackung, welches einen Leiterrahmen (
102 ) enthält; und Bereitstellen eines auf dem Leiterrahmen (102 ) angeordneten magnetischen Fühlerelementes; wobei der Leiterrahmen (102 ) eine Schlitzkonfiguration (150 ) aufweist, um Wirbelstromfluss um den magnetischen Fühler herum zu vermindern, wobei die Schlitzkonfiguration (150 ) einen ersten Schlitz (152 ) im Wesentlichen senkrecht zu einem zweiten Schlitz enthält (154 ) und der erste Schlitz (152 ) sich unterhalb des Fühlerelements erstreckt, wobei sich der zweite Schlitz (154 ) nicht unter dem Hallelement (104 ) erstreckt, um Wirbelströme von dem Hallelement wegzuhalten, und wobei die Schlitzkonfiguration (150 ) derart angeordnet ist, dass diese den kreisförmigen Weg um den Außenrand des Leiterrahmens (102 ) unterbricht, und wobei die Schlitzkonfiguration (150 ) derart angeordnet ist, dass diese die Wirbelströme (50 ) zu einem Fluss über den oberen Rand (158 ) des Fühlers (104 ) zwingt, anstatt zu einem Fluss um den gesamten Sensor herum in einem kreisförmigen Weg. - Verfahren nach Anspruch 9, bei welchem der zweite Schlitz (
154 ) im Wesentlichen parallel zu einem Rand des Fühlerelements verläuft. - Verfahren nach Anspruch 9, bei welchem der erste Schlitz (
152 ) sich zu einem Rand des Leiterrahmens (102 ) hin erstreckt. - Verfahren nach Anspruch 9, bei welchem der erste Schlitz (
152 ) länger als der zweite Schlitz ist. - Verfahren nach Anspruch 9, bei welchem der zweite Schlitz (
154 ) sich nicht unter dem Fühlerelement befindet. - Verfahren nach Anspruch 9, bei welchem ein Teil des zweiten Schlitzes (
154 ) sich unter dem Fühlerelement befindet. - Verfahren nach Anspruch 9, bei welchem die Enden des zweiten Schlitzes (
154 ) gerundet sind. - Verfahren nach Anspruch 9, bei welchem das Gerät eine im Wesentlichen gleichförmige Intensität des magnetischen Flusses über eine Breite des Fühlerelements hin erzeugt.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018111011A1 (de) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | Infineon Technologies Ag | Magnetfeldsensorvorrichtung |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7361531B2 (en) | 2005-11-01 | 2008-04-22 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods and apparatus for Flip-Chip-On-Lead semiconductor package |
US20080013298A1 (en) | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Nirmal Sharma | Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits |
US8486755B2 (en) * | 2008-12-05 | 2013-07-16 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors |
US9222992B2 (en) * | 2008-12-18 | 2015-12-29 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field current sensors |
US20100188078A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Andrea Foletto | Magnetic sensor with concentrator for increased sensing range |
US8717016B2 (en) | 2010-02-24 | 2014-05-06 | Infineon Technologies Ag | Current sensors and methods |
US8760149B2 (en) | 2010-04-08 | 2014-06-24 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field current sensors |
US8680843B2 (en) | 2010-06-10 | 2014-03-25 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field current sensors |
US20120146165A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Udo Ausserlechner | Magnetic field current sensors |
US8975889B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-03-10 | Infineon Technologies Ag | Current difference sensors, systems and methods |
US8963536B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-02-24 | Infineon Technologies Ag | Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor |
US9201123B2 (en) | 2011-11-04 | 2015-12-01 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor device and a method for fabricating the same |
US9121880B2 (en) | 2011-11-04 | 2015-09-01 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor device |
US8629539B2 (en) | 2012-01-16 | 2014-01-14 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle |
US9666788B2 (en) * | 2012-03-20 | 2017-05-30 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
US10234513B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
US9812588B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
US9494660B2 (en) | 2012-03-20 | 2016-11-15 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
US9411025B2 (en) | 2013-04-26 | 2016-08-09 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet |
US10073136B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-09-11 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for sensor diagnostics including sensing element operation |
EP2894489B1 (de) | 2014-01-13 | 2019-03-13 | TDK-Micronas GmbH | Sensorvorrichtung |
US9733280B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-08-15 | Infineon Technologies Ag | Balancing an eddy current effect and a skin effect on a magnetic sensor using die paddle notches |
JP6659350B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2020-03-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | センサ装置および電流センサ |
US9810721B2 (en) | 2015-12-23 | 2017-11-07 | Melexis Technologies Sa | Method of making a current sensor and current sensor |
WO2018080516A1 (en) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Current monitor circuit |
US10324141B2 (en) | 2017-05-26 | 2019-06-18 | Allegro Microsystems, Llc | Packages for coil actuated position sensors |
US10049969B1 (en) | 2017-06-16 | 2018-08-14 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit |
US10739411B2 (en) * | 2018-06-04 | 2020-08-11 | Ford Global Technologies, Llc | Power electronic test automation circuit |
US10921391B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-02-16 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor with spacer |
CN111372369B (zh) | 2018-12-25 | 2023-07-07 | 奥特斯科技(重庆)有限公司 | 具有部件屏蔽的部件承载件及其制造方法 |
US11605778B2 (en) | 2019-02-07 | 2023-03-14 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Hall effect sensor with low offset and high level of stability |
JP7166205B2 (ja) * | 2019-03-12 | 2022-11-07 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
US10991644B2 (en) | 2019-08-22 | 2021-04-27 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a low profile |
US11194004B2 (en) | 2020-02-12 | 2021-12-07 | Allegro Microsystems, Llc | Diagnostic circuits and methods for sensor test circuits |
JP7382853B2 (ja) | 2020-02-27 | 2023-11-17 | エイブリック株式会社 | 磁気センサ及び磁気検出方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10231194A1 (de) * | 2002-07-10 | 2004-02-05 | Infineon Technologies Ag | Anschlussleitrahmen für eine in einem Halbleiterchip ausgeführte Sonde und Magnetfeldsensor |
DE102004054317A1 (de) * | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Mitsubishi Denki K.K. | Strommessvorrichtung |
US20080013298A1 (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Nirmal Sharma | Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits |
EP1891452B1 (de) * | 2005-05-27 | 2009-09-16 | Allegro Microsystems Inc. | Stromsensor |
Family Cites Families (90)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4425596A (en) * | 1980-09-26 | 1984-01-10 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electric circuit breaker |
US4409608A (en) * | 1981-04-28 | 1983-10-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Recessed interdigitated integrated capacitor |
JPH01184885A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
US5041780A (en) * | 1988-09-13 | 1991-08-20 | California Institute Of Technology | Integrable current sensors |
JP2897996B2 (ja) * | 1988-10-05 | 1999-05-31 | 旭化成電子株式会社 | 磁界検出装置 |
US4893073A (en) * | 1989-01-30 | 1990-01-09 | General Motors Corporation | Electric circuit board current sensor |
JP2522214B2 (ja) * | 1989-10-05 | 1996-08-07 | 日本電装株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US4994731A (en) * | 1989-11-27 | 1991-02-19 | Navistar International Transportation Corp. | Two wire and multiple output Hall-effect sensor |
US5124642A (en) * | 1989-12-21 | 1992-06-23 | Sigma Instruments, Inc. | Power line post insulator with dual inductor current sensor |
JPH0486961A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Toshiba Corp | 塗りつぶしパターン発生装置および発生方法 |
US5366816A (en) * | 1991-06-20 | 1994-11-22 | Titan Kogyo Kabushiki Kaisha | Potassium hexatitanate whiskers having a tunnel structure |
EP0537419A1 (de) * | 1991-10-09 | 1993-04-21 | Landis & Gyr Business Support AG | Anordnung mit einem integrierten Magnetfeldsensor sowie einem ferromagnetischen ersten und zweiten Magnetfluss-Konzentrator und Verfahren zum Einbau einer Vielzahl von Anordnungen in je einem Kunststoffgehäuse |
JPH05126865A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-21 | Hitachi Ltd | 電流検出装置あるいは電流検出方法 |
US5442228A (en) * | 1992-04-06 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Monolithic shielded integrated circuit |
JPH06216308A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
WO1994017558A1 (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-04 | The Regents Of The University Of California | Monolithic passive component |
US5434105A (en) * | 1994-03-04 | 1995-07-18 | National Semiconductor Corporation | Process for attaching a lead frame to a heat sink using a glob-top encapsulation |
US5666004A (en) * | 1994-09-28 | 1997-09-09 | Intel Corporation | Use of tantalum oxide capacitor on ceramic co-fired technology |
JPH08116016A (ja) * | 1994-10-15 | 1996-05-07 | Toshiba Corp | リードフレーム及び半導体装置 |
US5579194A (en) * | 1994-12-13 | 1996-11-26 | Eaton Corporation | Motor starter with dual-slope integrator |
US5615075A (en) * | 1995-05-30 | 1997-03-25 | General Electric Company | AC/DC current sensor for a circuit breaker |
US5691869A (en) * | 1995-06-06 | 1997-11-25 | Eaton Corporation | Low cost apparatus for detecting arcing faults and circuit breaker incorporating same |
US6066890A (en) * | 1995-11-13 | 2000-05-23 | Siliconix Incorporated | Separate circuit devices in an intra-package configuration and assembly techniques |
JPH10198680A (ja) * | 1997-01-07 | 1998-07-31 | Hitachi Ltd | 分散辞書管理方法及びそれを用いた機械翻訳方法 |
WO1999014605A1 (en) * | 1997-09-15 | 1999-03-25 | Institute Of Quantum Electronics | A current monitor system and a method for manufacturing it |
DE19746546C1 (de) * | 1997-10-22 | 1999-03-04 | Telefunken Microelectron | Verfahren und Schaltungsanordnung zur kurzzeitigen Aufrechterhaltung einer Ausgangsspannung bei Ausfällen einer Eingangsspannung mittels eines Autarkiekondensators |
US6396712B1 (en) * | 1998-02-12 | 2002-05-28 | Rose Research, L.L.C. | Method and apparatus for coupling circuit components |
US6178514B1 (en) * | 1998-07-31 | 2001-01-23 | Bradley C. Wood | Method and apparatus for connecting a device to a bus carrying power and a signal |
DE19946935B4 (de) * | 1999-09-30 | 2004-02-05 | Daimlerchrysler Ag | Vorrichtung zur induktiven Strommessung mit mindestens einem Differenzsensor |
JP2001289610A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-10-19 | Denso Corp | 回転角度検出装置 |
MXPA02005848A (es) * | 1999-12-22 | 2002-10-23 | Wabash Technology Corp | Alarma o lampara para vehiculo. |
US6468891B2 (en) * | 2000-02-24 | 2002-10-22 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographically fabricated conductive elements, semiconductor device components and assemblies including such conductive elements, and methods |
JP3553457B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2004-08-11 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6853178B2 (en) * | 2000-06-19 | 2005-02-08 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit leadframes patterned for measuring the accurate amplitude of changing currents |
US6617846B2 (en) * | 2000-08-31 | 2003-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for isolated coupling |
CN1387678A (zh) * | 2000-09-08 | 2002-12-25 | Asm技术新加坡私人有限公司 | 一种模具 |
US6583572B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Lam Research Corporation | Inductive plasma processor including current sensor for plasma excitation coil |
JP3955195B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2007-08-08 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁界センサー及び磁気ヘッド |
JP4187085B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2008-11-26 | 三菱電機株式会社 | 車両用乗員保護装置 |
DE02775480T1 (de) * | 2001-11-01 | 2005-08-18 | Sentron Ag | Stromsensor und stromsensor herstellungsverfahren |
EP1459254A1 (de) * | 2001-12-21 | 2004-09-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Wasserzeichenintegritätserhöhung mit robusten merkmalen |
US6796485B2 (en) * | 2002-01-24 | 2004-09-28 | Nas Interplex Inc. | Solder-bearing electromagnetic shield |
US6815944B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-11-09 | Allegro Microsystems, Inc. | Method and apparatus for providing information from a speed and direction sensor |
EP1491854A4 (de) * | 2002-04-02 | 2006-11-02 | Asahi Kasei Emd Corp | Neigungssensor, verfahren zur herstellung des neigungssensors und verfahren zur neigungsmessung |
US20040094826A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-05-20 | Yang Chin An | Leadframe pakaging apparatus and packaging method thereof |
JP3896590B2 (ja) * | 2002-10-28 | 2007-03-22 | サンケン電気株式会社 | 電流検出装置 |
JP2004207477A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sanken Electric Co Ltd | ホール素子を有する半導体装置 |
US7259545B2 (en) * | 2003-02-11 | 2007-08-21 | Allegro Microsystems, Inc. | Integrated sensor |
JP4055609B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2008-03-05 | 株式会社デンソー | 磁気センサ製造方法 |
US6819542B2 (en) * | 2003-03-04 | 2004-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interdigitated capacitor structure for an integrated circuit |
US7265543B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-09-04 | Honeywell International Inc. | Integrated set/reset driver and magneto-resistive sensor |
US7239000B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-07-03 | Honeywell International Inc. | Semiconductor device and magneto-resistive sensor integration |
US6921975B2 (en) * | 2003-04-18 | 2005-07-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Circuit device with at least partial packaging, exposed active surface and a voltage reference plane |
TWI236112B (en) * | 2003-08-14 | 2005-07-11 | Via Tech Inc | Chip package structure |
US7709754B2 (en) * | 2003-08-26 | 2010-05-04 | Allegro Microsystems, Inc. | Current sensor |
US7476816B2 (en) * | 2003-08-26 | 2009-01-13 | Allegro Microsystems, Inc. | Current sensor |
US7166807B2 (en) * | 2003-08-26 | 2007-01-23 | Allegro Microsystems, Inc. | Current sensor |
US7075287B1 (en) * | 2003-08-26 | 2006-07-11 | Allegro Microsystems, Inc. | Current sensor |
US7005325B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-02-28 | St Assembly Test Services Ltd. | Semiconductor package with passive device integration |
US7279391B2 (en) * | 2004-04-26 | 2007-10-09 | Intel Corporation | Integrated inductors and compliant interconnects for semiconductor packaging |
KR101053864B1 (ko) * | 2004-06-23 | 2011-08-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛과 이를 이용한 액정표시장치 |
JP4360998B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2009-11-11 | Tdk株式会社 | 電流センサ |
US7777607B2 (en) * | 2004-10-12 | 2010-08-17 | Allegro Microsystems, Inc. | Resistor having a predetermined temperature coefficient |
JP4105142B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2008-06-25 | Tdk株式会社 | 電流センサ |
JP4105145B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2008-06-25 | Tdk株式会社 | 電流センサ |
JP4105147B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2008-06-25 | Tdk株式会社 | 電流センサ |
EP1846771B1 (de) * | 2005-01-19 | 2013-08-07 | Power Measurement Ltd | Sensorenvorrichtung |
JP4131869B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2008-08-13 | Tdk株式会社 | 電流センサ |
US7476953B2 (en) * | 2005-02-04 | 2009-01-13 | Allegro Microsystems, Inc. | Integrated sensor having a magnetic flux concentrator |
WO2006090769A1 (ja) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Asahi Kasei Emd Corporation | 電流測定装置 |
DE102005027767A1 (de) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | Integriertes magnetisches Sensorbauteil |
US7269992B2 (en) * | 2005-06-15 | 2007-09-18 | Honeywell International Inc. | Magnet orientation and calibration for small package turbocharger speed sensor |
US7808074B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-10-05 | Infineon Technologies Ag | Advanced leadframe having predefined bases for attaching passive components |
JP2007064851A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Tdk Corp | コイル、コイルモジュールおよびその製造方法、ならびに電流センサおよびその製造方法 |
JP4298691B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2009-07-22 | Tdk株式会社 | 電流センサおよびその製造方法 |
JP4415923B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-02-17 | Tdk株式会社 | 電流センサ |
JP4224483B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2009-02-12 | Tdk株式会社 | 電流センサ |
US7518493B2 (en) * | 2005-12-01 | 2009-04-14 | Lv Sensors, Inc. | Integrated tire pressure sensor system |
US8018056B2 (en) * | 2005-12-21 | 2011-09-13 | International Rectifier Corporation | Package for high power density devices |
US7768083B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-08-03 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for an integrated sensor |
JP2007218700A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Tdk Corp | 磁気センサおよび電流センサ |
US7573112B2 (en) * | 2006-04-14 | 2009-08-11 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods and apparatus for sensor having capacitor on chip |
US7687882B2 (en) * | 2006-04-14 | 2010-03-30 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods and apparatus for integrated circuit having multiple dies with at least one on chip capacitor |
US20080018261A1 (en) * | 2006-05-01 | 2008-01-24 | Kastner Mark A | LED power supply with options for dimming |
US20070279053A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-12-06 | Taylor William P | Integrated current sensor |
US7378733B1 (en) * | 2006-08-29 | 2008-05-27 | Xilinx, Inc. | Composite flip-chip package with encased components and method of fabricating same |
US7816905B2 (en) * | 2008-06-02 | 2010-10-19 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for a current sensing circuit and integrated current sensor |
US8093670B2 (en) * | 2008-07-24 | 2012-01-10 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions |
US20100188078A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Andrea Foletto | Magnetic sensor with concentrator for increased sensing range |
US8717016B2 (en) * | 2010-02-24 | 2014-05-06 | Infineon Technologies Ag | Current sensors and methods |
-
2009
- 2009-12-03 US US12/630,362 patent/US20110133732A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-11-12 JP JP2012542041A patent/JP5676635B2/ja active Active
- 2010-11-12 WO PCT/US2010/056434 patent/WO2011068653A1/en active Application Filing
- 2010-11-12 DE DE112010004674.3T patent/DE112010004674B4/de active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10231194A1 (de) * | 2002-07-10 | 2004-02-05 | Infineon Technologies Ag | Anschlussleitrahmen für eine in einem Halbleiterchip ausgeführte Sonde und Magnetfeldsensor |
DE102004054317A1 (de) * | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Mitsubishi Denki K.K. | Strommessvorrichtung |
EP1891452B1 (de) * | 2005-05-27 | 2009-09-16 | Allegro Microsystems Inc. | Stromsensor |
US20080013298A1 (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Nirmal Sharma | Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018111011A1 (de) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | Infineon Technologies Ag | Magnetfeldsensorvorrichtung |
US11879951B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-01-23 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field sensor apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5676635B2 (ja) | 2015-02-25 |
DE112010004674T5 (de) | 2013-01-17 |
US20110133732A1 (en) | 2011-06-09 |
JP2013513104A (ja) | 2013-04-18 |
WO2011068653A1 (en) | 2011-06-09 |
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---|---|---|
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DE112017004428B4 (de) | Fremdstoffdetektionsvorrichtung und linearführung |
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