DE1539483B2 - Halbleiterbauelement mit einer elektrolumineszenten halbleiterdiode und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einer elektrolumineszenten halbleiterdiode und verfahren zu dessen herstellung

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Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer elektrolumineszenten Halbleiterdiode, welche ein N-leitendes, erstes Gebiet und ein darauf epitaktisch angewachsenes P-leitendes, zweites Gebiet aufweist, wobei der PN-Übergang nicht in der Aufwachsfläche liegt. Ein derartiges Halbleiterbauelement ist aus »Applied Physics Letters« 4 (1964) 11, 192-194 bekannt. ■{
Das bekannte Halbleiterbauelement besteht aus einem N-leitenden Galliumarsenid-Kristall mit einer durch Diffusion hergestellten P-leitenden Schicht, auf der eine weitere P-leitende Schicht epitaktisch aufgewachsen ist; die epitaktisch aufgewachsene Schicht weist eine wesentlich höhere Akzeptor-Konzentration als die durch Diffusion hergestellte Schicht auf. Das P-leitende Gebiet besteht demnach aus zwei Schichten, die auf Grund unterschiedlicher Dotierung unterschiedliche Leitfähigkeit haben. Über die Leitfähigkeit des N-leitenden Gebiets enthält die Druckschrift keine weitere Aussage.
Derartige Bauelemente werden häufig aus M-V-Halbleiterverbindungen oder substituierten IH-V-HaIbleiterverbindungen hergestellt. Unter einer Π I-V-HaIbleiterverbindung wird hier und im nachstehenden eine Verbindung nahezu gleicher atomarer Mengen eines Elementes der aus Bor, Aluminium, Gallium und Indium bestehenden Klasse der Gruppe III des periodischen Systems und eines Elementes der aus Stickstoff, Phosphor, Arsen und Antimon bestehenden Klasse der Gruppe V des periodischen Systems verstanden. Unter einer substituierten HI-V-Halbleiterverbindung wird
eine III-V-Halbleiterverbindung verstanden, in der einige Atome des Elementes der erwähnten Klasse der Gruppe III durch Atome eines anderen Elementes oder anderer Elemente der gleichen Klasse ersetzt sind und/oder einige Atome des Elementes der erwähnten Klasse der Gruppe V durch Atome eines anderen Elementes oder anderer Elemente der gleichen Klasse ersetzt sind.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement mit einr elektrolumineszenten Halbleiterdiode herzustellen, bei dem das ausgestrahlte Licht ein schmales Frequenzband einnimmt, dessen Energiewert nur wenig kleiner als der Bandabstand des Halbleitermaterials ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im i$ kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 aufgeführten Merkmale gelöst.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, die Rekombination bevorzugt an der Seite des PN-Übergangs erfolgen zu lassen, an der das P-leitende Gebiet liegt, weil sich dadurch die gewünschte Strahlung mit einem schmalen Frequenzband ergibt, die einen Energiewert hat, der nur wenig kleiner als der Bandabstand des Halbleitermaterials ist; eine Rekombination an der Seite des PN-Überganges, an der das N-leitende Gebiet liegt, liefert dagegen eine Breitbandstrahlung mit einem Energiewert, der erheblich kleiner als der Bandabstand des Halbleitermaterials ist, und ist außerdem in der Wellenlänge und der Stärke von Bauelement zu Bauelement verschieden, selbst wenn diese in ähnlicher Weise hergestellt worden sind. Um zu erreichen, daß ein großer Teil der Rekombination an derjenigen Seite des pn-Überganges stattfindet, an der das P-leitende Gebiet liegt, muß die Injektion von Elektronen in das P-leitende Gebiet stärker sein als die Injektion von Löchern in das N-leitende Gebiet. Deshalb ist es erforderlich, daß die Donatorkonzentration an der Seite des Überganges, an der das N-leitende Gebiet liegt, höher ist als die Akzeptorkonzentration an der Seite, an der das P-leitende Gebiet liegt.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 13 angegeben.
Dem in den Ansprüchen 14 und 15 unter Schutz gestellten Verfahren zum Herstellen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes liegt die Erkenntnis zugrunde, daß bei einigen Halbleitermaterialien ein Akzeptorelement in einem Material mit erheblicher Löcherkonzentration einen höheren Diffusionskoeffizienten aufweist als in einem Material mit niedrigerer Löcherkonzentration.
Man hat zwar bereits in Erwägung gezogen, vgl. »Solid State Communications« Vol. 2 (1964). S. 119—122 und insbesondere den 2. Absatz der linken Spalte von Seite 120, bei einem aus Galliumarsenid bestehenden Halbleiterbauelement mit einer elektroluminiszenten Halbleiterdiode das N-leitende Gebiet mit einer höheren Dotierungskonzentration und damit mit einem niedrigeren spezifischen Widerstand als das epitaktisch aufgewachsene P-leitende Gebiet zu versehen. Bei diesem bekannten Bauelement fällt jedoch der PN-Übergang mit der Aufwachsfläche für die epitaktische Schicht zusammen, was vermutlich ein Grund für die erzielte geringe Lichtausbeute darstellt.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine graphische Darstellung der Konzentration von Dotierungsstoffen im Halbleiterkörper eines ersten Ausführungsbeispiels in Form eines in den F i g. 2 und 3 dargestellten optoelektronischen Transistors,
F i g. 2 einen Schnitt durch einen optoelektronischen Transistor während einer Herstellungsstufe, in der die elektrischen Verbindungen mit den verschiedenen Gebieten des Halbleiterkörpers noch nicht angebracht './orden sind,
F i g. 3 eine Draufsicht auf den optoelektronischen Transistor nach F i g. 2 und
F i g. 4 eine graphische Darstellung der Konzentration von Dotierungsstoffen im Halbleiterkörper eines zweiten Ausführungsbeispiels in Form einer Luminiszen2diode.
Der optoelektronische Transistor nach den F i g. 1 bis 3 besteht aus einem Halbleiterkörper mit einem P+-Substrat 1 mit niedrigem spezifischem Widerstand aus Galliumarsenid mit einer gleichmäßigen Konzentration des Akzeptorelementes Zink von 3 χ 1017 Atomen/ cm3, einem P-Ieitenden Kollektorgebiet 2 mit höherem spezifischem Widerstand aus Galliumarsenid, das epitaktisch auf der Unterlage 1 gebildet ist und eine gleichmäßige Konzentration des Akzeptorelementes Zink von 2 χ ΙΟ15 Atomen/cm3 aufweist, einem N+-Basisgebiet 3 aus Galliumarsenophosphid mit einer praktisch gleichmäßigen Konzentration des Donatorelementes Zinn von 1 χ ΙΟ19 Atomen/cm3, einem teilweise kompensierten p-leitenden Emittergebiet 4 aus Galliumarsenophosphid mit einer gleichmäßigen Konzentration des Donatorelementes Zinn von 1 χ 1017 Atomen/cm3 und einer Konzentration des Akzeptorelementes Zink, die bei dem Emitter-Basis-Übergang 5 mindestens 1 χ ΙΟ18 Atome/cm3 beträgt, und einem Kollektor-Basis-Übergang 6. In den Fig. 1 und 3 sind die pn-Übergänge 5 und 6 durch gestrichelte Linien angegeben, ebenso wie die Grenzfläche 7 zwischen dem Substrat 1 und dem Gebiet 2 in F i g. 1.
Die Emitter- und Basisgebiete bestehen aus Galliumarsonophosphid mit der Zusammensetzung GaAs0.9Po,i, das epitaktisch in einer Ausnehmung 8 (Fig.3) angewachsen ist, die im epitaktisch gebildeten Galliumarsenidgebiet 2 mit höherem spezifischem Widerstand angebracht ist. Sie bestehen aus einem N+-Basisgebiet, das epitaktisch in der Ausnehmung auf dem P-leitenden Galliumarsenid gebildet ist, und aus einem teilweise kompensierten P-leitenden Emittergebiet, das dadurch hergestellt ist, daß auf dem epitaktisch gebildeten N+-Material N-leitendes Material epitaktisch angewachsen ist, wonach Zink in die Oberfläche des zuletzt epitaktisch angewachsenen Materials eindiffundiert ist, wodurch sich der PN-Übergang 5 in der Nähe der Grenzfläche zwischen dem N+-Material und dem epitaktisch auf ihm angewachsenen N-leitenden Material ergibt. Die Konzentration des diffundierten Zinks übersteigt 1 χ 1018 Atome/cm3 an der Oberfläche des Emittergebietes 4, ist im Emittergebiet nahezu gleichmäßig und kann in der Nähe des Überganges 5 ansteigen, wie diese in F i g. 1 angegeben ist, wonach sie mit zunehmender Tiefe im Basisgebiet 3 rasch abnimmt. Die Konzentration im Emittergebiet ist nahezu gleichmäßig, weil im epitaktisch angewachsenen N-leitenden Material mit höherem spezifischem Widerstand, das mit Zinn in einer Konzentration von 1 χ 1017 Atomen/cm3 dotiert ist, der Diffusionskoeffizient verhältnismäßig hoch ist, während die anfängliche Zunahme der Konzentration im N+-Material mit niedrigem spezifischem Widerstand des Basisgebietes die Folge der Tatsache ist, daß das Zink in diesem Gebiet eine größere Löslichkeit hat. Die rasche Abnahme der
Konzentration mit zunehmender Tiefe im N + -Material ist weiter die Folge der Tatsache, daß in diesem Material Zink einen verhältnismäßig niedrigen Diffusionskoeffizienten aufweist. Die Zinnkonzentration im N+ -Gebiet 3 ist in F i g. 1 als gleichmäßig dargestellt, aber in der Nähe der Übergänge 5 und 6 ist sie etwas niedriger infolge von Diffusion in das epitaktisch angewachsene Material des Gebietes 4 und in das Galliumarsenid des Kollektorgebietes 2, welche Diffusion während der späteren Diffusion von Zink in das epitaktisch gebildete Material des Gebietes 4 erfolgt.
Der Emitter-Basis-Übergang und der Kollektor-Basis-Übergang endigen beide in der gemeinsamen ebenen Oberfläche der Gebiete 2, 3 und 4 (Fig.2). Der Kollektor-Basis-Übergang 6 liegt in der Nähe der Begrenzung der im Gebiet 2 angebrachten Ausnehmung 8 und hat in diesem Gebiet eine Tiefe von etwa 20 μΐη, und der Emitter-Basis-Übergang liegt in einer Tiefe von 5 μίτι innerhalb des epitaktisch gebildeten Galliumarsenophosphids. Der Emitter hat eine Fläche von 50 μπι χ 50 μηι. Die gemeinsame ebene obere Fläche des Körpers, in der die Übergänge enden, trägt eine auf ihr angewachsene isolierende maskierende Schicht 9 aus Siliziumoxyd, in der zwei Fenster 10 und 11 angebracht sind, innerhalb deren sich ohmsche Kontakte 12 und 13 mit dem Emittergebiet bzw. dem Basisgebiet befinden.
Durch Reaktion von trocknem Sauerstoff und Tetraäthylsilikat bei einer Temperatur von 350 bis 4500C wird auf der Oberfläche des epitaktisch angewachsenen Galliumarsenids 2 eine maskierende Siliziumoxydschicht angebracht und in dieser ein Fenster von 110 μπι χ 60 μπι gebildet.
Dann wird der Körper so geätzt, daß in der epitaktisch gebildeten Galliumarsenidschicht 2 eine Ausnehmung an einer Stelle entsteht, die dem Fenster in der Oxydschicht entspricht. Das Ätzen wird fortgesetzt, bis eine 20 μηι tiefe Ausnehmung 8 in der epitaktisch gebildeten P-leitenden Schicht hergestellt ist. Die maskierende Oxydschicht wird dann durch Lösen in einer wäßrigen Lösung von Ammoniumfluorid und Flußsäure entfernt. Nunmehr wird eine erste N+-leitende Galliumarsenophosphidschicht mit niedrigem spezifischem Widerstand und der Zusammensetzung GaAso,9Po.i epitaktisch auf der Oberfläche der Galliumarsenidschicht 2 angewachsen. Die Galliumarsenophosphidschicht wird bei 750°C durch Reaktion von Gallium mit Arsen und Phosphor hergestellt. Das Gallium wird durch Disproportionierung von Galliummonochlorid und das Arsen und der Phosphor werden durch Reduktion der Trichloride mit Wasserstoff hergestellt. Gleichzeitig mit dem Anwachsen des Galliumarsenophosphids wird Zinn so abgelagert, daß sich in der epitaktisch angewachsenen Schicht eine gleichmäßige Zinnkonzentration von 1 χ ΙΟ19 Atomen/cm3 ergibt. Die epitaktisch angewachsene Schicht folgt dem Profil der Oberfläche, und der Anwachsvorgang wird fortgesetzt, bis die Schicht etwa 12 μηι dick ist. Die Anwachsbedingungen werden anschließend so geändert, daß ein zweites N-leitendes Gebiet mit höherem spezifischem Widerstand anwächst, und zwar durch Herabsetzung des Zinngehalts im epitaktisch angewachsenen. Material auf 1 χ 1017 Atome/cm3. Dieser zweite Anwachsvorgang wird fortgesetzt, bis die epitaktisch angewachsenen ersten und zweiten Galliumarsenophosphidschichten die Ausnehmung ausfüllen, und zwar um wenige μπι weiter als die ursprüngliche Oberfläche der Galliumarsenidschicht 2.
Nach dem Anwachsvorgang wird eine mit Kitt überzogene Metallscheibe an der Rückseite des Körpers angeordnet. Durch Polieren wird von der nicht bedeckten Oberfläche des Körpers, d. h. von der epitaktisch gebildeten Galliumarsenophosphidschicht, so viel Material beseitigt, daß die Oberfläche eben ist und wenige μπι unterhalb der ursprünglichen Oberfläche Galliumarsenidschicht 2 liegt.
Die Oberfläche des Körpers wird dann mit einer Siliciumoxidschicht bedeckt, in die ein Fenster geätzt
ίο wird.
Der Körper wird dann in eine hermetisch verschlossene Quarzröhre gegeben, die Zink sowie Arsen und Phosphor im Überschuß enthält, und die Röhre wird auf eine Temperatur von 900 bis 1000°C erhitzt, wodurch Zink in das Galliumarsenophosphidgebiet eindiffundiert.
Die Zinkdiffusion wird so durchgeführt, daß der Emitter-Basis-Übergang des optoelektronischen Transistors in einem Abstand von etwa 5 μπι von der Oberfläche in der Nähe der Grenzfläche zwischen der ersten epitaktisch gebildeten Schicht mit niedrigem spezifischem Widerstand aus N + 'Galliumarsenophosphid und der zweiten epitaktisch gebildeten Schicht mit höherem spezifischem Widerstand aus N-leitendem
~s Galliumarsenophosphid liegt.
Auf den Gebieten 1, 3, und 4 werden dann ohmsche Kontakte angebracht.
Schließlich wird das ganze Gebilde mit einer Hülle versehen.
Die Lumineszenzdiode, für die F i g. 4 die Konzentration der Dotierungsstoffe darstellt, besteht aus einem Halbleiterkörper aus N+ -Galliumarsenophosphid mit niedrigem spezifischem Widerstand, dessen Länge und Breite je 1 mm beträgt, während die Dicke 250 μπι ist, und der in einer der großen Flächen eine Ausnehmung aufweist, deren Länge und Breite 20 μπι und deren Tiefe 5 μπη beträgt und die mit Galliumarsenid gefüllt ist, das epitaktisch auf dem Galliumarsenidphosphid gebildet ist. Fig.4 zeigt als Ordinate die Dotierungskonzentration Cim logarithmischen Maßstab und als Abszisse den Abstand Svon der erwähnten großen Fläche. Die Kurve zeigt ein erstes N+-Substratgebiet 3 mit niedrigem spezifischem Widerstand aus Galliumarsenophosphid, ein 5 μπι dickes Gebiet aus Galliumarsenid 4, das epitaktisch in einer im Substratgebiet 3 angebrachten Ausnehmung angewachsen ist, eine Grenz- oder Aufwachsfläche 6 zwischen dem epitaktisch gebildeten Galliumarsenid und dem Substrat aus Galliumarsenophosphid, wobei die Grenzfläche der Begrenzung der
Ausnehmung entspricht, und einen PN-Übergang 5, der im epitaktisch gebildeten Galliumarsenid um etwa 1 μπι von der Grenzfläche 6 entfernt liegt.
Das Substiatgebiet3 aus N+-Galliumarsenophosphid hat angenähert die Zusammensetzung GaAso.75Po.25 und
5r- weist eine praktisch gleichmäßige Konzentration des Donatorelementes Zinn von 1 χ 1019 Atomen/cm3 auf. Das epitaktisch gebildete Galliumarsenid ist ein P-leitendes Material mit hohem spezifischem Widerstand mit einer Konzentration des Akzeptorelementes
<■■■> Zink von 1 χ 1016 Atomen/cm3, die durch eine gestrichelte Linie dargestellt ist. Das epitaktisch gebildete Galliumarsenid erhält durch Diffusion eine weitere Konzentration von Zink, die höher ist, sowie in der Nähe der Grenzfläche den Donator Zinn, der aus
'·< dem aus Galliumarsenophosphid bestehenden Substratgebiet in das Galliumarsenid eindiffundiert.
Der Verlauf der Dotierungskonzentrationen und die endgültige Lage des PN-Überganges 5, wie sie in F i g. 4
dargestellt sind, werden in der nachstehenden Weise erhalten. Nachdem die 5 μπι tiefe Ausnehmung in dem aus N+-Galliumarsenophosphid bestehenden Substrat angebracht worden ist und P-leitendes Galliumarsenid mit hohem spezifischem Widerstand epitaktisch angewachsen ist, wird eine Erhitzung vorgenommen, um Zinn aus dem N+-Galliumarsenophosphid in das epitaktisch gebildete P-leitende Galliumarsenid einzudiffundieren und um den Konzentrationsverlauf zu erhalten, der in Fig.4 durch Kurve a angegeben ist. Gleichzeitig diffundiert das Akzeptcrelement Zink, das anfangs in einer Konzentration von 1 χ ΙΟ16 Atomen/cm3 im epitaktisch gebildeten Galliumarsenid vorhanden ist, etwas in die Unterlage aus Galliumarsenophosphid ein; Kurve b in Fig.4. Da die anfängliche Zinkkonzentration verhältnismäßig niedrig ist, bewirkt diese Diffusion keine bedeutsame Änderung der Dotierung im P-leitenden oder N+-Material und wirkt sich damit auf die Lage des PN-Überganges nach der letzten Zinkdiffusion nicht wesentlich aus. Nach dieser Erhitzung wird über die ganze große Fläche ohne Verwendung einer Maske Zink diffundiert, wodurch der dargestellte zusätzliche Zinkanteil (Kurve c in F i g. 4) entsteht. Der PN-Übergang im Galliumarsenid liegt in einem Abstand von etwa 1 μπι von der Grenzfläche 6. Die Zinkkonzentration beim PN-Übergang 5 beträgt etwa 1 χ 1018 Atome/cm3. Auf diese Weise ergibt sich eine Lumineszenzdiode mit einer erhöhten Lichtausbeute, da das aus Galliumarsenophosphid bestehende Substrat das ausgesendete Licht ohne beträchtliche Absorption hindurchläßt. Das epitaktisch gebildete Material, in dem der Emitter und der PN-Übergang liegen, kann auch aus epitaktisch aufgewachsenem Galliumarsenophosphid bestehen, in dem die Phosphorkonzentration niedriger ist als in dem aus Galliumarsenophosphid bestehenden Substrat. Das epitaktisch angewachsene Material kann auch N-leitend sein, so daß schließlich nach der Diffusion des Akzeptorelementes ein kompensiertes P-leitendes Emittergebiet erhalten wird. Ein Körper mit einem solchen Aufbau kann eine noch bessere Lichtausbeute liefern.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 709 542/7

Claims (15)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit einer elektrolumineszenten Halbleiterdiode, welche ein N-leitendes, erstes Gebiet und ein darauf epitaktisch angewachsenes P-leitendes, zweites Gebiet aufweist, wobei der PN-Übergang nicht in der Aufwachsfläche liegt, dadurch gekennzeichnet, daß das erste, N-Ieitende Gebiet (3) eine höhere Dotierungskonzentration und damit einen niedrigeren spezifischen Widerstand als das zweite, P-leitende Gebiet (4) aufweist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite, P-leitende Gebiet (4) aus teilweise kompensiertem Material besteht.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite, P-leitende Gebiet (4) ein Gebiet praktisch unkompensierten Materials ist.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktzeptorkonzentration im zweiten, P-leitenden Gebiet (4) nahezu gleichmäßig ist (F i g. 1 und 4).
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der PN-Übergang (5) in einem Abstand von mindestens 0,5 μπι von der Aufwachsfläche (6) im epitaktisch angewachsenen Material liegt.
6. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus einer IIl-V-Halbleiterverbindung oder einer substituierten III-V-Halbleiterverbindung besteht (F ig. 1 und 4).
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus Galliumarsenid oder aus Galliumarsenophosphid (GaASi-jP,) besteht (F ig. 1 und 4).
8. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Donatorkonzentration im ersten, N-leitenden Gebiet (3) mit niedrigerem spezifischem Widerstand mindestens 1018 Atome · cm-3 beträgt (F i g. 1 und 4).
9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Donatorkonzentration im zweiten, teilweise kompensierten P-leitenden Gebiet (4) mindestens 1016 Atome · cm-3 beträgt (Fig.l).
10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Akzeptorelement Zink ist und daß seine Konzentration in der Nähe des PN-Übergangs mindestens 1018 Atome · cm-3 beträgt (F i g. 1 und 4).
11. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 9 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Donatorkonzentration im zweiten, teilweise kompensierten P-leitenden Gebiet (4) mindestens 10ir Atome · cm-3 beträgt(F i g. 1).
, 12. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das epitaktisch angewachsene Material einen kleineren Bandabstand aufweist als das Material des N-leitenden Substratgebietes (F i g. 4).
13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Substratgebiet aus Galliumarsenophosphid und das epitaktisch angewachsene Material aus Galliumarsenid besteht
(F ig. 4).
14. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem N-leitenden Substratgebiet mit niedrigerem spezifischem Widerstand und vorzugsweise gleichmäßiger Donatorkonzentration, z. B. Galliumarsenophosphid, ein Gebiet aus Material mit höherem spezifischem Widerstand und vorzugsweise mit kleinerem Bandabstand, z. B. Galliumarsenid, epitaktisch abgeschieden wird, daß ein Akzeptorelement in das epitaktisch angewachsene Material derart eindiffundiert wird, daß sich das zweite, P-leitende Gebiet und der PN-Übergang im epitaktisch angewachsenen Material mit höherem spezifischem Widerstand in der Nähe des Übergangs zu dem N-leitenden Substratgebiet mit niedrigerem spezifischem Widerstand ergibt, wobei die Akzeptorkonzentration im zweiten, P-leitenden Gebiet niedriger ist als die Donatorkonzentration im angrenzenden N-leitenden Gebiet.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Diffusion des Akzeptorelementes eine Erhitzung vorgenommen wird, um das im N-leitenden Substratgebiet mit niedrigerem spezifischem Widerstand vorhandene Donatorelement in das epitaktisch angewachsene Material einzudiffundieren, wonach das Akzeptorelement eindiffundiert wird, um den PN-Übergang im epitaktisch angewachsenen Material in einem bestimmten Abstand von der Aufwachsfläche zu bilden.
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