DE19524655A1 - LED-Struktur - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Struktur einer LED (Licht emittie
rende Diode) und insbesondere eine LED-Struktur, umfassend eine
Mehrfach-Potentialtopf-Struktur (multiple quantum wells structu
re) oder eine gespannte Mehrfach-Potentialtopf-Struktur (strai
ned multiple quantum wells structure).
In den letzten Jahren sind LEDs in vielen Anwendungen eingesetzt
worden. Die Verbesserung der Lichtintensität der LEDs ist inten
siv erforscht worden. Es gab viele Entwicklungen in der Gestal
tung der Struktur von LEDs, die eine bessere Qualität und eine
höhere Lichtintensität erzielen. Unter den neuesten LEDs beruhen
viele auf einer Doppelheterostruktur, umfassend eine obere Deck
schicht, eine untere Deckschicht und eine aktive Zone da
zwischen. Im allgemeinen ist der Wirkungsgrad der Lichtemission
wegen des hohen Widerstandes der oberen Deckschicht ziemlich be
grenzt, die die Ausbreitung des elektrischen Stromes behindert.
Einige Techniken und Strukturen sind entwickelt worden, um den
Wirkungsgrad der Lichtemission für LEDs zu verbessern. Die mei
sten Ansätze, die hierfür entwickelt worden sind, konzentrieren
sich auf die Bildung von Fensterschichten mit hoher Leitfähig
keit oder oben auf der Doppelheterostruktur angeordneter Schich
ten, um eine verbesserte Stromausbreitung zu erreichen. Die US
5,008,718 beschreibt eine transparente Fensterschicht mit großem
Bandabstand, um die Lichtintensität der LED zu verbessern. Die
US 5,359,209 beschreibt eine Doppellagenfensterstruktur, umfas
send eine Schicht mit geringem Bandabstand und eine Schicht mit
großem Bandabstand.
Obwohl der Wirkungsgrad der Lichtemission einer LED in den letz
ten Jahren deutlich verbessert worden ist, besteht dennoch ein
starker Bedarf nach noch größeren Lichtintensitäten für viele
Anwendungen. Zusätzlich ist eine bessere und zuverlässigere
Struktur einer LED mit weniger Strukturdefekten und längerer
Lebenserwartung auch sehr wichtig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine LED mit einer
höheren Lichtintensität und besserer Qualität zu schaffen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine neue Struktur für
LEDs gelöst. Die verbesserten LED-Strukturen gemäß US 5,153,889
und US 5,008,718 erfordern bei der Herstellung zwei MOVPE-Pro
zesse oder einen MOVPE-Prozeß zusammen mit einem VPE-Prozeß. Im
vorliegenden Verfahren ist nur ein MOVPE-Prozeß erforderlich.
Daher verringern sich die Herstellungskosten, und der Gewinn
wird erhöht.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die aktive Zone der Dop
pelheterostruktur durch eine Mehrfach-Potentialtopf-Struktur
oder eine gespannte Mehrfach-Potentialtopf-Struktur ersetzt. Die
neue Struktur ergibt eine höhere Lichtintensität und eine höhere
relative Lichtintensität gegenüber der Stromkurve bei Vorwärts
polung. Das mit der erfindungsgemäßen Struktur emittierte Licht
hat eine engere Halbwertsbreite (FWHM - full width half maxi
mum). Die Erfindung umfaßt ferner einen verteilten Bragg-Reflek
tor zwischen dem Substrat und der Doppelheterostruktur. Die
Lichtintensität wird durch die Reflektorschicht verstärkt. Bei
einer Fensterstruktur verwendet die Erfindung eine Zweilagen-
Fensterstruktur ähnlich zu der in der US 5,359,209 beschriebenen
Fensterstruktur. Durch Zusetzen einer geringen Menge von In in
die Fensterschicht mit großem Bandabstand wird die Defektdichte
in der GaP-Fensterschicht durch den Verunreinigungs-Härtungs
effekt vermindert.
Das Prinzip dieser Erfindung und andere Vorteile werden aufgrund
der folgenden genauen Beschreibung und der begleitenden Zeich
nungen verstanden.
Die Erfindung wird nachstehend beispielhaft beschrieben. Es
zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt der Struktur der erfindungsgemäßen
LED;
Fig. 2 die Beziehung zwischen der Lichtintensität und des
Diodenstroms sowohl für die vorliegende Erfindung als
auch für eine herkömmliche Doppelhetero-LED;
Fig. 3 die emittierte Lichtintensität als Funktion der Wel
lenlänge für eine herkömmliche LED mit einer zentralen
Wellenlänge von etwa 620 nm;
Fig. 4 die emittierte Lichtintensität als Funktion der Wel
lenlänge für die LED der vorliegenden Erfindung mit
einer zentralen Wellenlänge von etwa 620 nm;
Fig. 5 Lichtintensitäten als Funktionen der abgelaufenen Zeit
für die LED der vorliegenden Erfindung und einer her
kömmlichen Doppelheterostruktur-LED;
Fig. 6(a) den Aufbau der Mehrfach-Potentialtopf-Struktur der
vorliegenden Erfindung mit Abstandsschichten aus einer
festen Zusammensetzung;
Fig. 6(b) einen anderen Aufbau der Mehrfach-Potentialtopf-Struk
tur der vorliegenden Erfindung mit Abstandsschichten
mit einer linear veränderten Zusammensetzung;
Fig. 6(c) einen anderen Aufbau der Mehrfach-Potentialtopf-Struk
tur der vorliegenden Erfindung mit Abstandsschichten
mit einer parabolisch veränderten Zusammensetzung; und
Fig. 7 einen Querschnitt durch eine weitere Struktur der LED
der vorliegenden Erfindung mit einer verteilten Bragg-
Reflektorschicht.
Fig. 1 zeigt die Struktur der LED gemäß der Erfindung, umfassend
ein GaAS-Substrat eines ersten Leitungstyps. Eine Deckschicht
aus AlGaInP eines ersten Leitungstyps ist auf dem Substrat auf
gewachsen. Über der Deckschicht befindet sich eine Mehrfach-
Potentialtopf-Struktur, umfassend eine Anzahl von Potentialtopf-
Schichten und Barriereschichten. Die Potentialtopf-Schicht der
vorliegenden Erfindung ist aus (AlxGa1-x)InP ausgebildet. Der
Gehalt an Al in der Potentialtopf-Schicht hat einen x-Wert zwi
schen 0 und 0,5. In der Barriereschicht liegt der Wert von x
zwischen 0,3 und 1, je nach dem, welche Wellenlänge an emittier
tem Licht gewünscht wird. Die Dicke der Potentialtopf-Schicht
oder der Barriereschicht liegt zwischen 10 bis 500 Å.
Oben auf der Potentialtopf-Struktur befindet sich eine obere
Deckschicht aus einem zweiten Leitungstyp AlGaInP. Eine Fenster
struktur wird dann auf der oberen Deckschicht ausgebildet. Wie
es in Fig. 1 gezeigt ist, umfaßt die Fensterstruktur der vor
liegenden Erfindung zwei Schichten aus einem Material des zwei
ten Leitungstyps. Die erste Schicht ist eine dünne Lage mit
einem geringen Bandabstand aus sehr gut leitendem Material. Die
zweite Schicht ist eine dicke Lage mit einem großen Bandabstand
aus einem transparenten Material. Das Material der ersten dünnen
Lage kann GaAs oder GaInP sein. Das Material der zweiten Lage
ist GaP, das eine geringe Menge von In enthält. Wegen der Exi
stenz von In in GaP wird ein Verunreinigungs- bzw. Störstellen-
Härtungseffekt bewirkt. Daher wird die Defektdichte in der GaP-
Fensterschicht vermindert.
Die LED gemäß der vorliegenden Erfindung hat eine signifikant
erhöhte Lichtintensität. Insbesondere wird der Quantenwirkungs
grad fast verdreifacht, wenn der Diodenstrom klein ist. Die
Lichtintensität der LED ist ungefähr 1,5 bis 2 mal größer als
die einer herkömmlichen LED, wenn die Diode mit einem Strom von
20 mA betrieben wird. Wegen der Verbesserung des Quantenwir
kungsgrades besteht eine bessere lineare Beziehung zwischen der
Lichtintensität und dem Diodenstrom.
Fig. 2 zeigt die Lichtintensität als Funktion des Stromes sowohl
für die LED gemäß der Erfindung mit einer aktiven Zone mit einem
Mehrfach-Potentialtopf als auch einer herkömmlichen Doppelhete
rostruktur-LED. Aus Fig. 2 kann leicht erkannt werden, daß die
Lichtintensität der vorliegenden Erfindung bei geringen Strömen
deutlich verbessert ist. Eine weitere wesentliche Eigenschaft
der vorliegenden Erfindung ist, daß die LED eine engere Band
breite hat. Fig. 3 zeigt die Lichtintensität mit bezug auf die
Wellenlänge für eine herkömmliche LED, bei der das emittierte
Licht eine mittige Wellenlänge von etwa 620 nm aufweist. Die
Bandbreite der Diode beträgt ungefähr 17 nm. Die Lichtintensität
als Funktion der Wellenlänge für die LED mit Mehrfach-Potential
topf-Struktur gemäß der Erfindung ist in Fig. 4 gezeigt. Die
Bandbreite bzw. Halbwertsbreite der Erfindung beträgt etwa 14
nm. Bei Dioden mit einer Wellenlänge von 595 nm beträgt die
Bandbreite einer herkömmlichen Diode etwa 15 nm und bei Dioden
gemäß der vorliegenden Erfindung beträgt die Bandbreite etwa 13
nm.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß die LED eine
höhere Lebenserwartung hat. Wegen des geringeren Aluminiumge
halts und der höheren strahlenden Rekombinationsrate der Poten
tialtopf-Struktur oder der gespannten Potentialtopf-Struktur
weist die LED gemäß der Erfindung eine langsamere Zerfallsrate
auf. Fig. 5 vergleicht die Änderung der Lichtintensität nach
einer langen Lebensdauer für herkömmliche Dioden und Dioden
gemäß der vorliegenden Erfindung die jeweils bei 50 mA, RT be
trieben werden. Daraus kann man erkennen, daß die Dioden gemäß
der vorliegenden Erfindung eine deutlich höhere relative Licht
intensität aufweisen, nachdem sie mehr als etwa 700 Stunden
betrieben worden sind.
Der Aufbau der Potentialtopf-Struktur gemäß der vorliegenden
Erfindung ermöglicht einige unterschiedliche Abwandlungen. Die
unterschiedlichen Abwandlungen können alle ähnliche Effekte
erzielen. Fig. 6(a), 6(b) und 6(c) zeigen einige Beispiele für
einen unterschiedlichen Aufbau der Struktur auf. Bei dem Aufbau
gemäß Fig. 6(a) bestehen die Abstandsschichten zwischen der
Potentialtopf-Struktur und der Deckschicht aus einer festen
Zusammensetzung. Die Abstandsschichten gemäß dem Aufbau in Fig.
6(b) haben eine sich linear verändernde Zusammensetzung. In Fig.
6(c) sind die Abstandsschichten aus einer Zusammensetzung ausge
bildet, die sich parabolisch verändert.
Ferner kann die oben beschriebene Mehrfach-Potentialtopf-Struk
tur dahingehend abgewandelt werden, daß die aktive Zone als
gespannte Mehrfach-Potentialtopf-Struktur ausgebildet ist. Eine
vorbestimmte Spannung kann an den Potentialtopf angelegt werden.
Die Spannung drückt den Potentialtopf entweder zusammen oder
zieht ihn auseinander. Die Spannung kann auch nur an die Poten
tialtopf-Schicht oder die Barriereschicht angelegt werden, um
gleiche Effekte zu erzielen. Außerdem können sowohl die Potenti
altopf-Schichten als auch die Barriereschichten mit einer Span
nung beaufschlagt werden. Beispielsweise hat die Potentialtopf-
Schicht eine zusammendrückende Spannung und die Barriereschicht
eine auseinanderziehende Spannung. Deshalb kann die gesamte Span
nung an der Mehrfach-Potentialtopf-Struktur gut kompensiert
sein.
Die vorliegende Erfindung weist ferner eine weitere Verbesserung
des Aufbaus der LED auf. Wie es in Fig. 7 gezeigt ist, wird eine
verteilte Bragg-Reflektorschicht des ersten Leitungstyps auf das
GaAs-Substrat vor der Deckschicht, der Potentialtopf-Struktur
und der Fensterschichten aufgewachsen, wie sie in Fig. 1, auf
dem Substrat aufgewachsen, dargestellt sind. Wegen der Einfügung
der verteilten Bragg-Reflektorschicht wird ein Teil des Lichts,
das ansonsten von dem GaAs-Substrat absorbiert worden wäre,
reflektiert. Daher wird die Lichtintensität der Diode um einen
Faktor von 1,5 bis 2 im Vergleich zu der vorhergehend beschrie
benen Diode verbessert. Daher wird mit der Erfindung eine Ge
samtverbesserung des Wirkungsgrades der Lichtemission um einen
Faktor von 2,25 bis 4 erreicht.
Zusammenfassend wird festgestellt, daß die Struktur gemäß der
vorliegenden Erfindung eine Mehrfach-Potentialtopf-Struktur oder
eine gespannte Mehrfach-Potentialtopf-Struktur aufweist, um die
Lichtintensität deutlich zu erhöhen. Die Lichtintensität gegen
über dem Diodenstrom weist eine bessere lineare Beziehung auf.
Die Bandbreite bzw. die Halbwertsbreite der LED ist enger als im
Vergleich zu herkömmlichen LEDs. Wegen des Zusatzes von In in
die GaP-Fensterschicht wird die Defektdichte in der GaP-Fenster
schicht vermindert, folglich die Lebensdauer der LED erhöht.
Die verbesserten LED-Strukturen gemäß US 5,153,889 und 5,008,718
erfordern im allgemeinen zwei MOVPE-Prozesse oder einen MOVPE-
Prozeß zusammen mit einem VPE- oder LPE-Prozeß bei der Herstel
lung. Eine weiterentwickelte wafer-fusing- oder wafer-bonding-
Technologie wird auch zur Herstellung der LEDs gemäß US
5,376,580 verwendet. Die Herstellung der LEDs gemäß der vorlie
genden Erfindung erfordert dagegen nur einen MOVPE-Prozeß. Daher
bietet die vorliegende Erfindung eine LED-Struktur, die relativ
leicht und günstig herzustellen ist.
Zusammenfassend wird festgestellt, daß die Erfindung eine LED
mit einer Mehrfach-Potentialtopf-Struktur betrifft. Die LED hat
ein Substrat aus GaAs eines ersten Leitungstyps, eine untere
Deckschicht aus AlGaInP des ersten Leitungstyps, eine Mehrfach-
Potentialtopf-Struktur, eine obere Deckschicht aus AlGaInP eines
zweiten Leitungstyps und eine Fensterstruktur des zweiten Lei
tungstyps. Die Mehrfach-Potentialtopf-Struktur umfaßt eine An
zahl von Potentialtopfschichten und Barriereschichten aus Al-
GaInP, die abwechselnd geschichtet sind. Die Fensterstruktur
umfaßt eine dünne Schicht mit einem kleinen Bandabstand aus gut
leitendem GaAs oder GaInP, und eine dicke Schicht mit großem
Bandabstand aus transparentem GaP, die eine geringe Menge von In
enthält. Die erfindungsgemäße Mehrfach-Potentialtopf-Struktur
verbessert die Lichtintensität und die Linearität der Intensi
tät/Stromkurve der LED. Die geringe Menge von In in der Fenster
schicht vermindert die Defekt- bzw. Störstellendichte, die in
der Schicht aus GaP auf Grund der Abweichungen der Gitterkon
stanten zwischen der Fensterschicht und der oberen Deckschicht
verursacht wird. Eine weitere Verbesserung umfaßt das Aufwachsen
einer verteilten Bragg-Reflektor-Schicht zwischen der unteren
Deckschicht und dem Substrat, wodurch eine weitere Erhöhung der
Lichtleistung der LED verursacht wird.
Claims (16)
1. LED umfassend:
ein Halbleitersubstrat aus GaAs eines ersten Leitungstyps, wobei das Substrat eine obere und eine untere Seite hat, eine erste Elektrode, die auf der unteren Seite des Sub strats ausgebildet ist,
eine untere Deckschicht aus AlGaInP des ersten Leitungs type, die auf der oberen Seite des Substrats aufgewachsen ist,
eine Mehrfach-Potentialtopf-Struktur, die auf der unteren Deckschicht ausgebildet ist, wobei die Potentialtopf-Struk tur eine Anzahl von (AlxGa1-x)InP Potentialtopfschichten und eine Anzahl von (AlxGa1-x)InP Barriereschichten umfaßt,
eine obere Deckschicht aus AlGaInP eines zweiten Leitungs typs, die auf der potentialtopf-Struktur ausgebildet ist,
eine Fensterstruktur des zweiten Leitungstyps, die auf der oberen Deckschicht ausgebildet ist, wobei die Fensterstruk tur eine erste dünnen Schicht mit geringer Bandbreite aus gut leitendem Material und eine zweite dicke Schicht aus GaP, die transparent ist, eine große Bandbreite aufweist und eine geringe Menge von In enthält und
eine zweite Elektrode, die auf einem Teil der zweiten Fen sterschicht ausgebildet ist.
ein Halbleitersubstrat aus GaAs eines ersten Leitungstyps, wobei das Substrat eine obere und eine untere Seite hat, eine erste Elektrode, die auf der unteren Seite des Sub strats ausgebildet ist,
eine untere Deckschicht aus AlGaInP des ersten Leitungs type, die auf der oberen Seite des Substrats aufgewachsen ist,
eine Mehrfach-Potentialtopf-Struktur, die auf der unteren Deckschicht ausgebildet ist, wobei die Potentialtopf-Struk tur eine Anzahl von (AlxGa1-x)InP Potentialtopfschichten und eine Anzahl von (AlxGa1-x)InP Barriereschichten umfaßt,
eine obere Deckschicht aus AlGaInP eines zweiten Leitungs typs, die auf der potentialtopf-Struktur ausgebildet ist,
eine Fensterstruktur des zweiten Leitungstyps, die auf der oberen Deckschicht ausgebildet ist, wobei die Fensterstruk tur eine erste dünnen Schicht mit geringer Bandbreite aus gut leitendem Material und eine zweite dicke Schicht aus GaP, die transparent ist, eine große Bandbreite aufweist und eine geringe Menge von In enthält und
eine zweite Elektrode, die auf einem Teil der zweiten Fen sterschicht ausgebildet ist.
2. LED nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur ferner eine obere und eine
untere Abstandsschicht aufweist, wobei die Abstandsschich
ten aus einer festen Zusammensetzung ausgebildet sind.
3. LED nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur ferner eine obere und untere
Abstandsschicht aufweist, wobei die Abstandsschichten aus
einer sich linear verändernden Zusammensetzung ausgebildet
sind.
4. LED nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur ferner eine obere und untere
Abstandsschicht aufweist, wobei die Abstandsschichten aus
einer sich parabolisch verändernden Zusammensetzung ausge
bildet sind.
5. LED nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur eine gespannte Mehrfach-
Potentialtopf-Struktur ist und die Potentialtopfschichten
eine Spannung aufweisen.
6. LED nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur eine gespannte Mehrfach-
Potentialtopf-Struktur ist und die Barriereschichten eine
Spannung aufweisen.
7. LED nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur eine gespannte Mehrfach-
Potentialtopf-Struktur ist und sowohl die Potentialtopf
schichten als auch die Barriereschichten eine Spannung
aufweisen.
8. LED nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnete
daß die erste Schicht der Fensterstruktur aus GaAs oder
GaInP umfaßt.
9. LED umfassend:
ein Halbleitersubstrat aus GaAs eines ersten Leitungs typs, wobei das Substrat eine obere und untere Seite hat, eine erste Elektrode, die auf der unteren Seite des Sub strates ausgebildet ist,
eine verteilte Bragg-Reflektorschicht des ersten Leitungs typs, die auf der oberen Seite des Substrates ausgebildet ist,
eine untere Deckschicht aus AlGaInP des ersten Leitungs typs, die auf der Reflektorschicht aufgewachsen ist,
eine Mehrfach-Potentialtopf-Struktur die auf der unteren Deckschicht ausgebildet ist, wobei die Potentialtopf-Struk tur eine Anzahl von Potentialtopfschichten aus (AlxGa1-x)InP und eine Anzahl von Barriereschichten aus (AlxGa1-x) InP umfaßt,
eine obere Deckschicht aus AlGaInP des zweiten Leitungs typs, die auf der Potentialtopf-Struktur ausgebildet ist,
eine Fensterstruktur des zweiten Leitungstyps, die auf der oberen Deckschicht ausgebildet ist, wobei die Fensterstruk tur eine erste dünne Schicht aus einem Material mit kleinem Bandabstand und guter Leitfähigkeit und eine zweite dicke Schicht aus GaP aufweist, die transparent ist, einen hohen Bandabstand aufweist und eine geringe Menge an In enthält, und
eine zweite Elektrode, die auf einem Teil der zweiten Fen sterschicht ausgebildet ist.
ein Halbleitersubstrat aus GaAs eines ersten Leitungs typs, wobei das Substrat eine obere und untere Seite hat, eine erste Elektrode, die auf der unteren Seite des Sub strates ausgebildet ist,
eine verteilte Bragg-Reflektorschicht des ersten Leitungs typs, die auf der oberen Seite des Substrates ausgebildet ist,
eine untere Deckschicht aus AlGaInP des ersten Leitungs typs, die auf der Reflektorschicht aufgewachsen ist,
eine Mehrfach-Potentialtopf-Struktur die auf der unteren Deckschicht ausgebildet ist, wobei die Potentialtopf-Struk tur eine Anzahl von Potentialtopfschichten aus (AlxGa1-x)InP und eine Anzahl von Barriereschichten aus (AlxGa1-x) InP umfaßt,
eine obere Deckschicht aus AlGaInP des zweiten Leitungs typs, die auf der Potentialtopf-Struktur ausgebildet ist,
eine Fensterstruktur des zweiten Leitungstyps, die auf der oberen Deckschicht ausgebildet ist, wobei die Fensterstruk tur eine erste dünne Schicht aus einem Material mit kleinem Bandabstand und guter Leitfähigkeit und eine zweite dicke Schicht aus GaP aufweist, die transparent ist, einen hohen Bandabstand aufweist und eine geringe Menge an In enthält, und
eine zweite Elektrode, die auf einem Teil der zweiten Fen sterschicht ausgebildet ist.
10. LED nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur ferner eine obere und untere
Abstandsschicht aufweist, wobei die Abstandsschichten aus
einer festen Zusammensetzung ausgebildet sind.
11. LED nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur ferner eine obere und untere
Abstandsschicht aufweist, wobei die Abstandsschichten aus
einer sich linear verändernden Zusammensetzung ausgebildet
sind.
12. LED nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur ferner eine obere und untere
Abstandsschicht aufweist, wobei die Abstandsschichten aus
einer sich parabolisch sich verändernden Zusammensetzung
ausgebildet sind.
13. LED nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur aus einer gespannten Mehr
fach-Potentialtopf-Struktur ausgebildet ist, wobei die
Potentialtopfschichten eine Spannung aufweisen.
14. LED nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur eine gespannte Mehrfach-
Potentialtopf-Struktur ist, wobei die Barriereschichten
eine Spannung aufweisen.
15. LED nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Potentialtopf-Struktur eine gespannte Mehrfach-
Potentialtopf-Struktur und sowohl die Potentialtopfschich
ten als auch die Barriereschichten eine Spannung aufweisen.
16. LED nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Lage der Fensterstruktur aus GaAs oder GaInP
ausgebildet ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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ID=26016587
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