DE19534132A1

DE19534132A1 - System und Verfahren zum Korrigieren von Lichtannäherungseffekten und Verfahren zum Bilden eines Musters

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Publication number: DE19534132A1
Application number: DE19534132A
Authority: DE
Inventors: Kazuya Kamon
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1994-09-16
Filing date: 1995-09-14
Publication date: 1996-04-11
Anticipated expiration: 2015-09-15
Also published as: JPH08297692A; US20010053964A1; KR0156792B1; TW288154B; DE19534132B4; US5815685A; US6453274B2; KR960011567A

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG GEBIET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein System und ein Verfahren zum Korrigieren von Musterdaten eines integrierten Schaltkreises oder ähnlichem, um die Lichtannäherungseffekte zu beseitigen. Die vorliegende Erfindung bezieht sich ebenfalls auf ein Verfahren zum Bilden eines Musters unter Verwendung solch eines Verfahrens zum Korrigieren der Lichtannäherungseffekte.

BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK

Unter Bezugnahme auf die Fig. 29A bis 29D wird nachstehend ein herkömmlicher LSI-Herstellungsprozeß beschrieben. Zunächst wird ein LSI-Muster, wie das in Fig. 29 gezeigte, unter Verwendung eines CAD-Systems oder eines ähnlichen Werkzeuges entworfen und entsprechende LSI-Musterdaten erzeugt. Das entworfene LSI-Muster umfaßt eine Vielzahl von rechteckigen Mustern 291. Dann wird eine Bestrahlung beziehungsweise Belichtung mit einem Elektronenstrahl entsprechend den entworfenen Musterdaten durchgeführt, um eine Maske zu erzeugen, die eine Vielzahl von Mustern 292 umfaßt, wie dieses in Fig. 29B gezeigt ist. Ein Wafer wird über die Maske ultraviolettem Licht ausgesetzt, wodurch das Muster 292, das auf der Maske ausgebildet ist, auf den Wafer übertragen wird. Allerdings wird das auf den Wafer übertragene Muster gegenüber dem Maskenmuster, das aus rechteckigen Mustern 292 besteht, aufgrund von Lichtbeugung dahingehend unterschiedlich, daß Ecken der Rechtecke gerundet sind, wie dieses in Fig. 29C gezeigt ist. Falls der Wafer unter Verwendung des übertragenen Musters 293 geätzt oder einem ähnlichem Prozeß unterzogen wird, dann weist das resultierende Muster 294, das auf dem Wafer ausgebildet ist, eine weitere Deformation aufgrund des Mikrobelastungseffekts auf, wie dieses in Fig. 29D gezeigt ist. Falls der Wafer einem Oxidationsprozeß ausgesetzt ist, um eine LOCOS-Isolationsstruktur auszubilden, wird das Muster weiter aufgrund des sogenannten Vogelschnabeleffekts deformiert.

Während der Produktion eines integrierten Schaltkreises, wie der eines LSI, summiert sich die Musterdeformation über eine Abfolge von verschiedenen Produktionsprozessen, wie vorstehend beschrieben, und die tatsächliche Größe des erhaltenen Musters am Ende des Herstellungsprozesses ist im allgemeinen von der entworfenen Größe unterschiedlich.

In zurückliegenden Jahren war es aufgrund der Verkleinerung der Größe von Mustern von integrierten Schaltkreisen erforderlich, die Mustergröße präziser zu steuern. In der Praxis tritt allerdings eine Musterdeformation während des Herstellungsprozesses auf, wie die vorstehend beschriebene, und die elektrischen Eigenschaften von Einrichtungen und verschiedene Abstände werden durch die Musterdeformation beeinflußt, und zwar in einem Ausmaß, das nicht unberücksichtigt bleiben kann.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist ein allgemeines Ziel der vorliegenden Erfindung, die vorstehend beschriebenen Probleme zu lösen. Genauer ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Gerät zur Korrektur von Lichtannäherungseffekten und ein Verfahren zum Vermindern der Deformation von Mustern aufgrund der Lichtannäherungseffekte während der Herstellungsprozesses eines integrierten Schaltkreises bereit zu stellen.

Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Herstellungsverfahren für ein Muster entsprechend einem solchen Verfahrens zum Korrigieren der Lichtannäherungseffekte bereitzustellen.

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Lichtannäherungs-Korrektursystem bereitgestellt, und zwar mit einer Entwurfsdaten-Eingabeeinheit zum Eingeben von Entwurfsdaten eines Schaltkreismusters, einer Datenkompressionseinheit zum Komprimieren der über die Entwurfsdaten-Eingabeeinheit eingegebenen Entwurfsdaten, einer Einrichtung zum Bilden eines optischen Bildes zum Bilden eines optischen Projektionsbildes, das zum Übertragen eines Musters auf einen Wafer entsprechend den über die Entwurfsdaten-Eingabeeinheit eingegebenen Entwurfsdaten verwendet wird, einer Vorbestimmungseinheit zum Vorbestimmen der Größe des Musters, das auf den Wafer übertragen wird, wobei die Vorbestimmung auf der Basis des Projektionsbildes durchgeführt wird, das durch die Einheit zum Bilden eines optischen Bildes-ausgebildet ist, einer Vergleichseinheit zum Berechnen des Unterschieds zwischen der Größe des durch die Vorbestimmungseinheit vorbestimmten Übertragungsmusters und der Größe des durch die über die Entwurfsdaten- Eingabeeinheit eingegebenen Entwurfsdaten bestimmten Musters, einer Korrektureinheit zum Korrigieren der durch die Datenkompressionseinheit komprimierten Entwurfsdaten um ein Ausmaß gleich der durch die Vergleichseinheit bestimmten Differenz, einer Datenexpansionseinheit zum Expandieren der durch die Korrektureinheit korrigierten Daten, und einer Korrekturdaten-Ausgabeeinheit zum Ausgeben der durch die Datenexpansionseinheit expandierten Daten.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Lichtannäherungs-Korrekturverfahren bereitgestellt, mit den Schritten: Komprimieren von Entwurfsdaten eines Schaltkreismusters, Bilden eines optischen Projektionsbildes entsprechend den Entwurfsdaten, das zur Übertragung eines Musters auf einen Wafer dient, Vorbestimmen der Größe des Musters, das auf den Wafer übertragen werden wird, wobei die Vorbestimmung auf der Basis des in dem vorherigen Schritt gebildeten Projektionsbildes durchgeführt wird, Korrigieren der Entwurfsdaten um ein Ausmaß gleich dem Unterschied zwischen der vorbestimmten Größe des Übertragungsmusters und der Größe des durch die Entwurfsdaten bestimmten Musters, Expandieren der korrigierten Daten, und Ausgeben der expandierten Daten.

Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Bilden eines Musters bereitgestellt, mit den Schritten: Korrigieren des Lichtannäherungseffekts, der während eines Prozesses zum Übertragen eines Musters auf einen Wafer auftritt, wobei die Korrektur des Lichtannäherungseffekts auf der Basis von Entwurfsdaten eines Schaltkreismusters durchgeführt wird, wodurch korrigierte Daten erzeugt werden, Durchführen einer Elektronenstrahlbelichtung entsprechend den korrigierten Daten und dabei Erzeugen eines Maskenmusters, Durchführen einer Belichtung mit Licht durch das Maskenmuster und dabei Übertragen des Maskenmusters auf einen Wafer, und Bearbeiten des Wafers unter Verwendung des übertragenen Maskenmusters.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG

Fig. 1A bis 1E sind schematische Darstellungen einer Abfolge von Herstellungsschritten zum Bilden eines Musters entsprechend einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 2 ist ein Blockdiagramm eines Lichtannäherung- Korrektursystems entsprechend einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 3 ist Flußdiagramm, das einen zu dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gehörenden Ablauf darstellt,

Fig. 4 ist ein Blockdiagramm eines Lichtannäherung- Korrektursystems gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 5 ist ein Flußdiagramm, das einen zu dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gehörenden Ablauf verdeutlicht,

Fig. 6, 7A und 7B sind schematische Darstellungen von Korrekturverfahren gemäß einem vierten und fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 8A bis 13B sind schematische Darstellungen von Korrekturverfahren gemäß einem siebten bis zwölften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 14 und 15 sind Blockdiagramme einer Einheit zum Berechnen eines optischen Bildes und einer Einheit zum Messen eines optischen Bildes eines Korrektursystems gemäß einem dreizehnten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 16 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens gemäß einem zweiundzwanzigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 17A bis 18B sind schematische Darstellungen eines Korrekturverfahrens gemäß einem dreiundzwanzigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 19A bis 21 sind schematische Darstellungen von Korrekturverfahren gemäß einem siebenundzwanzigsten bis neunundzwanzigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 22 bis 28B sind schematische Darstellungen von Korrekturverfahren gemäß einem dreiunddreißigsten bis neununddreißigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 29A bis 29D sind schematische Darstellungen einer Abfolge von Herstellungsschritten zum Bilden eines Musters gemäß einer herkömmlichen Technik,

Fig. 30 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens gemäß dem dreizehnten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 31 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens gemäß einem vierzehnten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 32 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens, das sich durch Modifikationen des vierzehnten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ergibt,

Fig. 33 und 34 sind schematische Darstellungen eines Korrekturverfahrens gemäß einem vierundzwanzigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 35A bis 36 sind schematische Darstellungen von Korrekturverfahren gemäß einem fünfundzwanzigsten und sechsundzwanzigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 37A bis 39C sind schematische Darstellungen von Korrekturverfahren gemäß einem dreißigsten und zweiunddreißigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 40A und 40C sind schematische Darstellungen eines Korrekturverfahrens gemäß einem zweiundvierzigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 41A und 44B sind schematische Darstellungen eines Korrekturverfahrens gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 45 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens gemäß einem fünfzehnten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 46 ist eine schematische Darstellungen eines Korrekturverfahrens, das sich durch Modifikation des fünfzehnten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung ergibt,

Fig. 47 und 48 sind schematische Darstellungen von Korrekturverfahren gemäß einem sechzehnten und siebzehnten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 49 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens gemäß einem achtzehnten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 50 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens, das sich durch Modifikation des achtzehnten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung ergibt,

Fig. 51 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens gemäß einem neunzehnten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 52 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens gemäß einem zwanzigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 53 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens, das sich durch Modifikationen des zwanzigsten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung ergibt, und

Fig. 54 ist eine schematische Darstellung eines Korrekturverfahrens gemäß einem einundvierzigsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 1

Fig. 1 ist eine schematische Darstellung, die eine Abfolge von Verarbeitungsschritten zum Ausbilden eines Musters gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Zunächst wird ein LSI- Muster, wie das, das in Fig. 1A gezeigt ist, unter Verwendung eines CAD-Systems oder eines ähnlichen Werkzeuges entworfen, um entsprechende LSI-Musterdaten zu erzeugen, die aus einer Vielzahl von rechtwinkeligen Mustern 11 bestehen. Die Entwurfsdaten werden dann entsprechend dem Lichtannäherungs-Korrekturverfahren, das nachstehend detailliert beschrieben wird, korrigiert, um lichtannäherungskorrigierte Daten zu erhalten, wie in Fig. 1B gezeigt ist. Die lichtannäherungskorrigierten Daten bestehen aus einer Vielzahl von Mustern 12 entsprechend der Vielzahl von rechtwinkeligen Mustern 11 in den Entwurfsdaten, wobei jedes Muster 12 Hilfsmuster 121 aufweist, die an jeder Ecke hinzugefügt sind, um die Musterdeformation aufgrund der Lichtbeugung zu korrigieren, die während eines Vorgangs zum Übertragen des Musters auf einen Wafer auftritt.

Eine Elektronenstrahlbelichtung wird dann durchgeführt, wobei die lichtannäherungskorrigierten Daten, die vorstehend beschrieben sind, verwendet werden, so daß eine Maske erzeugt wird, die eine Vielzahl von Mustern 13 aufweist, wie dies in Fig. 1C gezeigt ist. Ein Wafer wird dann über die Maske einem ultravioletten Licht ausgesetzt, wodurch die Muster 13, die auf der Maske ausgebildet sind, auf den Wafer übertragen werden. Als ein Ergebnis werden, wie dies in Fig. 1D gezeigt ist, Muster 14 auf dem Wafer derart ausgebildet, daß die Hilfsmuster, die an den Vierecken jedes Rechtecks angeordnet sind, als ein Ergebnis der Lichtbeugung entfernt sind und damit der sich ergebende Umriß jedes Musters 14 zu einem Rechteck wird.

Falls der Wafer unter Verwendung der übertragenen Muster 14 geätzt wird, ergeben sich die Ätzmuster 15 wie die in Fig. 1E gezeigten. Obwohl die Ätzmuster 15 von den übertragenen Mustern 14, die in Fig. 1D gezeigt sind, sich aufgrund des Mikrobelastungseffektes unterscheiden, ist die Deformation wesentlich geringer und mithin liegen die Muster wesentlich näher an den Entwurfsmustern, als dieses im Fall der Muster 294, die in Fig. 29D gezeigt sind und entsprechend einer herkömmlichen Technik ausgebildet sind, der Fall ist. Obwohl eine zusätzliche Deformation an dem Muster auftritt, wenn der Wafer zusätzlich einem Oxidationsprozeß unterzogen wird, um eine LOCOS-Isolationsstruktur auszubilden, hat das Endmuster eine höhere Genauigkeit als das gemäß der herkömmlichen Technik ausgebildete Muster.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 2

Fig. 2 ist ein Blockdiagramm, das ein Lichtannäherungs- Korrektursystem darstellt, das zum Erhalt der Lichtannäherungskorrektur während des Musterausbildungsprozesses verwendet wird, der zu dem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde. Entwurfsdaten eines integrierten Schaltkreismusters, das mit einem CAD-System erzeugt wurde, werden dem System über eine Entwurfsdaten-Eingabeeinheit 1 eingegeben. Die Entwurfsdaten-Eingabeeinheit 1 ist mit einer Datenkompressionseinheit 2 verbunden, die in einem Vorverarbeitungsschritt eine Datenkompression der Eingabedaten durchführt. Der Ausgang der Datenkompressionseinheit 2 ist mit einer Einheit zum Berechnen eines optischen Bildes 3 verbunden, die zum Berechnen eines Bildes dient, das auf einen Wafer in einem Musterübertragungsprozeß projiziert wird. Der Ausgang der Einheit zum Berechnen eines optischen Bildes 3 ist mit einer Mustervorbestimmungseinheit 4 verbunden, die zum Vorbestimmen des Musters dient, das auf einem Fotolack bzw. Schutzlack (resist) als Ergebnis des Musterübertragungsprozesses ausgebildet wird. Die Mustervorbestimmungseinheit 4 und die Entwurfsdaten- Eingabeeinheit 1 sind mit einer Vergleichseinheit 5 zum Vergleichen des vorbestimmten Muster mit den Entwurfsdaten verbunden. Der Ausgang der Vergleichseinheit 5 ist mit einer Korrektureinheit 6 zum Durchführen einer Lichtannäherungskorrektur verbunden.

Der Ausgang der Korrektureinheit 6 ist mit einer Entscheidungseinheit 7 zum Entscheiden, ob das Korrekturausmaß innerhalb eines zulässigen Bereichs liegt, verbunden. Der Ausgang der Entscheidungseinheit ist mit einer Datenexpansionseinheit 8 zum Expandieren der Daten verbunden. Der Ausgang der Datenexpansionseinheit 8 ist mit einer Korrekturdaten- Ausgabeeinheit 9 verbunden. Der Ausgang der Entscheidungseinheit 7 ist auch mit der Einheit zum Berechnen des optischen Bildes 3 verbunden. Die Einheit zum Berechnen des optischen Bildes 3 dient als eine Einheit zum Ausbilden eines optischen Bildes, die vorstehend gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung definiert ist.

Fig. 3 ist ein Flußdiagramm, das das Korrekturverfahren unter Verwendung des Lichtannäherungs-Korrektursystems, das vorstehend beschrieben ist, darstellt. Mit einem CAD- System oder ähnlichem erzeugte Entwurfsdaten werden über die Entwurfsdaten-Eingabeeinheit 1 eingegeben und dann durch die Datenkompressionseinheit 2 in einem Vorverarbeitungsschritt (Schritt S1) komprimiert. Die Einheit zum Berechnen eines optischen Bildes 3 berechnet dann aus den komprimierten Daten ein Bild, das auf einen Wafer projiziert wird (Schritt S2). Des weiteren bestimmt die Mustervorbestimmungseinheit 4 auf der Basis des zu projizierenden berechneten Bildes die Größe eines Musters, das letztendlich nach einem Musterübertragungsprozeß erhalten wird (Schritt S3). Die Vergleichseinheit 5 vergleicht die vorbestimmte Mustergröße mit der Größe des entworfenen Musters, das über die Entwurfsdaten-Eingabeeinheit 1 eingegeben worden ist, und gibt ein Korrekturausmaß aus, das ein Unterschied zwischen der vorbestimmten Mustergröße und dem entworfenen Wert ist (Schritt S4). Die Korrektureinheit 6 korrigiert die komprimierten Daten entsprechend dem Korrekturausmaß, das durch die Vergleichseinheit 5 vorgegeben ist (Schritt S5).

Dann entscheidet die Entscheidungseinheit 7, ob das Korrekturausmaß innerhalb eines vorbestimmten zulässigen Bereichs liegt (Schritt S6). Falls das Korrekturausmaß nicht innerhalb des zulässigen Bereichs liegt, wird angenommen, daß die Korrektur nicht gut genug ist, und der Ablauf kehrt zum Schritt S2 zurück, um das Projektionsbild erneut zu berechnen und korrigiert die Daten erneut in Schritten S3 bis S5. Schritte S2 bis S6 werden wiederholt durchgeführt, bis der Korrekturwert innerhalb des zulässigen Bereichs liegt. Falls im Schritt S6 ermittelt wird, daß das Korrekturausmaß innerhalb des zulässigen Bereichs liegt, wird angenommen, daß die Lichtannäherungskorrektur vernünftig abgeschlossen ist. Mithin expandiert die Datenexpansionseinheit 8 die Daten (Schritt S7) und die korrigierten Daten werden über die Korrekturdaten-Ausgabeeinheit 9 ausgegeben (Schritt S8). Die korrigierten Daten werden einem Elektronenstrahl- Belichtungsgerät (nicht gezeigt) zum Erzeugen einer Maske eingegeben.

Wie vorstehend beschrieben ist, wird eine Reduzierung bei der Berechnungszeit für die Korrektur erreicht, da die Datenkorrektur entsprechend dem Ergebnis eines Vergleichs zwischen dem vorbestimmten Muster und dem entworfenen Muster durchgeführt wird, nachdem die Daten durch die Datenkompressionseinheit 2 komprimiert wurden. Zudem wird eine Datenkorrektur wiederholt ausgeführt, bis das Korrekturausmaß innerhalb des zulässigen Bereichs liegt, so daß die Größe des Endmusters eine erforderliche Genauigkeit aufweist.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 3

Fig. 4 ist ein Blockdiagramm eines Lichtannäherungs- Korrektursystems gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Dieses System gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel ist gleich dem System gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, das in Fig. 2 gezeigt ist, mit der Ausnahme, daß die Einheit zum Berechnen des optischen Bildes 3 durch eine Einheit zum Messen eines optischen Bildes 10 ersetzt ist, die als die Einheit zum Ausbilden des optischen Bildes dient, die gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung definiert ist. Die Einheit zum Messen eines optischen Bildes 10 umfaßt ein optisches System zum Messen des Bildes, das auf einem Wafer über eine Maske projiziert ist, wobei diese entsprechend den Entwurfsdaten erzeugt wurde. Im Ball des zweiten Ausführungsbeispiels, das vorstehend beschrieben ist,. wird das Musterbild, das auf einen Wafer projiziert wird, im Schritt S2 mittels einer Software durch die Einheit zum Berechnen eines optischen Bildes 3 anhand der komprimierten Daten berechnet. In dem dritten Ausführungsbeispiel wird das projizierte Bild mittels Hardware durch die Einheit zum Messen eines optischen Bilds 10 in Schritt S9 nach der Datenkompression im Schritt S1 gemessen, wie dies in Fig. 5 gezeigt ist. In Fig. 5 sind die Schritte S1, S3 bis S8 die gleichen wie die entsprechenden Schritte in dem zweiten Ausführungsbeispiel.

Das optische System der Einheit zum Messen eines optischen Bildes 10 ist so konstruiert, daß die nachstehend beschriebenen Anforderungen erfüllt sind:

λ1 = λ2; σ1 = σ2; m1·NA1 = m2·NA2

wobei λ1, σ1, m1 und NA1 Parameter sind, die auf einen Schrittmechanismus (Schritt-und-Wiederholungs- Projektionswerkzeug, Stepper) bezogen sind, wobei λ1 die Lichtwellenlänge, σ1 die räumliche Kohärenz, m1 die Vergrößerung und NA1 die numerische Apertur ist, und λ2, σ2, m2 und NA2 Parameter sind, die sich auf das optische System der Einheit zum Messen eines optischen Bildes 10 beziehen, wobei λ2 die Lichtwellenlänge, σ2 die räumliche Kohärenz, m2 die Vergrößerung und NA2 die numerische Apertur ist. Die Verwendung eines solchen optischen Systems ermöglicht eine hochgenaue Messung der Lichtbrechungseffekte, die während des Musterübertragungsprozesses auftreten, und es ist möglich, die Zeit zu reduzieren, die zum Durchführen des Korrekturprozesses erforderlich ist.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 4

In dem Datenkompressionsprozeß gemäß dem zweiten oder dritten Ausführungsbeispiel kann die Datenkompressionseinheit 2 die Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Datenblöcken 6a bis 6i unterteilen, wie dies in Fig. 6 gezeigt ist, so daß die optische Annäherungskorrektur für jeden der Datenblöcke separat durchgeführt werden kann. Falls die Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Datenblöcken unterteilt sind, wird ein Pufferbereich um jeden Datenblock angeordnet, so daß der Einfluß von Musterelementen in benachbarten Datenblöcken über die Pufferbereiche bei Korrektur von Musterelementen, die in jedem Datenblock enthalten sind, berücksichtigt werden kann. In Fig. 6 ist beispielsweise ein Pufferbereich 60e um einen Datenblock 6e vorhanden. Es wird entschieden, ob der Pufferbereich 60e einige Musterelemente aufweist, die Nachbarschaftseffekte auf Musterelemente in dem Datenblock 6 ausüben könnten. Entsprechend dem Entscheidungsergebnis wird bestimmt, welche Seite des Datenblocks 6e korrigiert werden soll. Diese Technik ermöglicht die separate Korrektur jedes Datenblocks und erlaubt mithin, die unabhängige Durchführung der Lichtannäherungskorrektur bei einer Vielzahl von Datenblöcken zur gleichen Zeit auf parallele Weise, wodurch die für den Korrekturprozeß erforderliche Zeit verringert werden kann.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 5

Die Datenkompressionseinheit 2 berechnet die Entfernung zwischen einer Seite und einer anderen Seite, die der vorherigen Seite gegenüber liegt, für jede Seite und für jedes Musterelement in jedem Datenblock, die hinsichtlich des vierten Ausführungsbeispiels beschrieben wurden, um so zu überprüfen, ob ein Datenblock existiert, der Seiten aufweist, bei denen die dazwischenliegende Distanz kleiner als ein vorbestimmter Schwellwert ist. Falls sich ergibt, daß einige Datenblöcke solche Seiten aufweisen, dann werden diese Datenblöcke dem Korrekturprozeß unterzogen, wohingegen Datenblöcke, die solche Seiten nicht aufweisen, dem Korrekturprozeß nicht unterzogen werden. In dem Beispiel eines in Fig. 7a gezeigten Datenblocks, der Muster 7a und 7b aufweist, ist die Entfernung a groß, wohingegen die Entfernungen b und c kleiner als der Schwellwert sind, so daß die Lichtannäherungskorrektur auf diesen Datenblock anzuwenden ist. Daher wird dieser Datenblock dem Korrekturprozeß unterzogen. Im Gegensatz dazu ist im Fall eines in Fig. 7B gezeigten Datenblocks die Entfernung a eines Musterelements 7c groß genug und es existieren keine gegenüberliegenden Seiten, die zueinander näher als der Schwellwert angeordnet sind, so daß entschieden wird, daß dieser Datenblock eine Korrektur nicht benötigt. Als ein Ergebnis wird hinsichtlich dieses Datenblocks keine Korrektur ausgeführt. Wie vorstehend beschrieben wird in diesem Ausführungsbeispiel für jeden Datenblock entschieden, ob eine Korrektur erforderlich ist oder nicht, und mithin ist es möglich, die für den Korrekturprozeß erforderliche Zeit zu verkürzen.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 6

Falls ein Belichtungssystem mit einer variablen Lichtquelle verwendet wird, ist ein Lichtabschirmungsabschnitt in einer sekundären Lichtquellenebene angeordnet und daher wird ein Beugungsbild der Lichtquelle auf der Pupillenebene des Belichtungsgeräts erzeugt. Beispielsweise stellt die Fig. 41a ein Beugungsmuster einer variablen Lichtquelle mit einem Lichtabschirmungsabschnitt in Form von geraden Linien dar und Fig. 41b stellt ein Beugungsmuster einer variablen Lichtquelle mit einem Lichtabschirmungsabschnitt in Form von Kreuzen dar. In den Fig. 41a und 41b sind die Beugungsmuster ein Lichtquellenbild 411 oder 421 0-ter Ordnung und Lichtquellenbilder 412 oder 422 1-ter Ordnung sind auf der Pupillenebene 410 ausgebildet, wobei diese Figuren Beugungsmuster unter den kritischen Bedingungen beschreiben, bei denen eine Zwei-Lichtstrahl-Interferenz zwischen dem Lichtquellenbild 411 oder 421 0-ter Ordnung und einem der zwei Lichtquellenbilder 1-ter Ordnung 412, 422 auftritt.

Die Periode L2, die der Grenzfrequenz der Zwei- Lichtstrahl-Interferenz entspricht, kann wie folgt beschrieben werden:

L2 = λ/(σ + 1)NA

wobei λ die Lichtwellenlänge, σ die räumliche Kohärenz und NA die numerische Apertur ist. Das heißt, falls die Größe eines Musters größer als die Periode L2 ist, dann können zumindest zwei Lichtstrahlen miteinander interferieren.

Fig. 41C und 41D stellen Beugungsmuster von variablen Lichtquellen mit Lichtabschirmungsabschnitten in Form von geraden Linien und Kreuzen dar, falls die kritischen Bedingungen, in denen eine Drei-Lichtstrahl-Interferenz zwischen dem Lichtquellenbild 411 oder 421 0-ter Ordnung und den Lichtquellenbildern 412 und 413 oder 422 und 423 1-ter Ordnung, die auf der Pupillenebene 410 ausgebildet sind, auftritt. Die Periode L3, die der Grenzfrequenz der Drei-Lichtstrahl-Interferenz entspricht, kann wie folgt beschrieben werden:

L3 = λ/(1 - σb)NA

wobei ob die räumliche Kohärenz des dem Lichtabschirmungsabschnitt zugehörenden Lichtquellenbilds ist. Somit tritt, falls die Mustergröße größer als die Periode L3 ist, eine Drei-Lichtstrahl-Interferenz auf.

Fig. 42A stellt die Lichtannäherungseffekte auf die letztendlich erhaltene Breite von Linien, die eine Breite von 0,35 µm aufweisen, für verschieden Zwischenraumbreiten dar, wenn eine normale Lichtquelle verwendet wird, und die Fig. 42B stellt die Lichtannäherungseffekte auf die letztendlich erhaltenen Breite von Zwischenräumen, die eine Breite von 0,35 µm aufweisen, für verschiedene Linienbreiten dar. In Fig. 42A und 42B bedeutet "klein" ein Muster, das eine Größe kleiner als die der Periode L2 aufweist. Die Bedingungen werden bei der Verwendung eines "klein"-Musters so eingestellt, daß die letztendlich erhaltenen Linien- und Zwischenraumbreiten eines solchen kleinen Musters unverändert erhalten bleiben, ohne daß diese durch die Lichtannäherungseffekte beeinflußt sind. Das "mittel"- Muster bezieht sich auf ein Muster, das eine Größe im Bereich von den Perioden L2 bis L3 aufweist, und das "groß"-Muster bezieht sich auf ein Muster, das eine Größe größer als die Periode L3 aufweist. In den Fällen dieser Muster sind die letztendlich erhaltenen Linien- und Beabstandungsbreiten unterschiedlich von den Entwurfswerten. Daher ist eine Lichtannäherungskorrektur für die Bedingungen, bei denen die Linien- oder Zwischenraumbreite gleich dem "mittel" oder "groß"-Muster ist, erforderlich, wie dies durch Symbole in Fig. 44A dargestellt ist.

Fig. 43A und 43B verdeutlichen die Lichtannäherungseffekte für die Fälle, in denen eine variable Lichtquelle verwendet wird. Auch in diesen Fällen beziehen sich "klein", "mittel" bzw. "groß"-Muster auf solche Muster, die Größen kleiner als die Periode L2, im Bereich von Periode L2 bis L3 beziehungsweise größer als die Periode L3 aufweisen, wie vorstehend im Fall der normalen Lichtquelle beschrieben. Die Bedingungen werden gleichermaßen unter Verwendung eines "klein"-Musters so eingestellt, daß die letztendlich erhaltenen Linien- und Zwischenraumbreiten von solchen kleinen Mustern unverändert erhalten bleiben, ohne daß diese durch Lichtannäherungseffekte beeinflußt sind. Wie sich der Fig. 43A entnehmen läßt, verbleiben bei der variablen Lichtquelle, die eine Zwei-Lichtstrahl-Interferenz aufweisen kann, die letztendlich erhaltenen Breiten von Linien mit Zwischenräumen, die dem "mittel"-Muster entsprechen, gleichermaßen unverändert, ohne durch die Lichtannäherungseffekte beeinflußt zu sein. Allerdings weisen die letztendlich erhaltenen Breiten von Mustern, die andere Größen aufweisen, Abweichungen von den Entwurfsdaten auf. Daher ist eine Lichtannäherungskorrektur erforderlich, wenn die Linienbreite gleich der des "mittel"- oder "groß"-Musters ist und die Zwischenraumbreite gleich der des "groß"-Musters ist, wohingegen die Lichtannäherungskorrektur nicht erforderlich ist, wenn die Zwischenraumbreite gleich der des "mittel"-Musters ist, wie dies durch Symbole ○ in Fig. 44B dargestellt ist.

Daher können, wenn eine variable Lichtquelle verwendet wird, lichtmaskierte Muster mit einer Größe kleiner als der Periode L3, die der Grenzfrequenz der Drei- Lichtstrahl-Interferenz entspricht, dahingehend beurteilt werden, daß diese keine Korrektur in dem Datenkompressionsprozeß erfordern.

Des weiteren weisen die letztendlich erhaltenen Breiten von Linien mit Zwischenräumen, die dem "groß"-Muster entsprechen, eine im wesentlichen konstante Abweichung auf, wie dies in Fig. 43A gezeigt ist. Als ein Ergebnis kann, wenn diese Muster eine Größe kleiner als einem Wert, der einen Schwellwert definiert, bei dem die Lichtannäherungskorrektur erforderlich ist, aufweisen und die gegenüberliegenden Seiten mit einem Intervall größer als die Periode L3, die der Grenzfrequenz der Drei- Lichtstrahl-Interferenz entspricht, angeordnet sind, eine Korrektur dieser Muster einfach durch Hinzufügen eines konstanten Korrekturwertes zu den Mustergrößen durchgeführt werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 7

In dem Datenkompressionsprozeß werden, falls ein Musterelement eine große Größe aufweist, die sich über eine Vielzahl von Datenblöcken erstreckt, wie dies in Fig. 8A gezeigt ist, lediglich solche Datenblöcke, die einen Teil einer Seite des Musterelements umfassen, dem Korrekturprozeß unterzogen, wohingegen solche Datenblöcke, die keine Seite des Musterelements umfassen, nicht dem Korrekturprozeß unterzogen werden, weil Lichtannäherungseffekte nicht in Datenblöcken auftreten können, die keine Seite aufweisen. Mithin können solche Datenblöcke, die keine Korrektur erfordern, während des Korrekturprozesses übersprungen werden. Als ein Ergebnis wird eine große Verringerung hinsichtlich der Korrekturzeit erreicht.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 8

In dem Datenkompressionsprozeß wird, falls eine Vielzahl von Datenblöcken ein zueinander identisches Musterelement aufweisen, lediglich einer von diesen dem Korrekturprozeß unterzogen, und die anderen werden bei dem Korrekturprozeß übersprungen. Beispielsweise erstreckt sich in dem oben in der Fig. 9A gezeigten Beispiel ein Rechteck in einer horizontalen Richtung über Datenblöcke 9a bis 9e und die Blöcke 9b, 9c und 9d umfassen ein jeweils zueinander identisches Musterelement. In diesem Fall wird, wie in Fig. 9B gezeigt, lediglich der Datenblock 9b dieser Datenblöcke 9b bis 9d dem Korrekturprozeß unterzogen. Nach Abschluß des Korrekturprozesses wird das Korrekturergebnis auf die Datenblöcke 9c und 9d angewandt. Somit ist es in diesem Ausführungsbeispiel, wenn ein Muster wie das in Fig. 9A gezeigte vorhanden ist, lediglich erforderlich, die Korrektur auf die Datenblöcke 9a, 9b und 9e bis 9m anzuwenden.

Als ein Ergebnis kann die für den Korrekturprozeß erforderliche Zeit verringert werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 9

In dem Datenkompressionsprozeß wird, falls ein zu bearbeitendes Muster ein Feld aus einer Vielzahl von identischen Zellen aufweist, die Seite an Seite angeordnet sind, eine Zelle, beispielsweise eine aus einem solchen Feld ausgewählte und in Fig. 10A gezeigte Zelle 100, zunächst dem Lichtannäherungskorrekturprozeß unterzogen, so daß ein korrigiertes Muster 101 erhalten wird, wie dies in Fig. 10B gezeigt ist, und dann wird das korrigierte Muster in eine Feldform derart ausgeweitet, wie dies in Fig. 10C gezeigt ist. Diese Technik ermöglicht es, die für den Korrekturprozeß erforderliche Zeit zu verringern.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 10

Wenn das zu bearbeitende Muster ein Speicherzellenfeld ist, das aus einem in einer periodischen Anordnung angeordnetem Speicherzellenmuster 110 besteht, wie dies in Fig. 11 gezeigt ist, wird das Muster in Datenblöcke 11a in dem Datenkompressionsprozeß auf solch eine Weise aufgeteilt, daß die unterteilten Blöcke 11a eine Periodizität entsprechend der Periodizität des Speicherzellenmusters aufweisen. Dieses ermöglicht die Verwendung von periodischen Grenzbedingungen und mithin existiert kein Erfordernis, Pufferbereiche vorzusehen, wie dies im Gegensatz dazu bei dem in Verbindung mit Fig. 6 beschriebenen Ausführungsbeispiel der Fall war. Des weiteren ermöglicht die Periodizität die effektive Verwendung der schnellen Fouriertransformation (FFT) und mithin kann eine weitere Reduzierung der Verarbeitungszeit erreicht werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 11

Falls ein Datenblock eine Vielzahl von Musterelementen 121 bis 125 aufweist, die wie in Fig. 12 gezeigt benachbart zueinander liegen, werden diese Musterelemente 121 bis 125 zu einem einzelnen Musterelement in Form eines Polygons 126 in dem Datenkompressionsprozeß kombiniert, wie dies in Fig. 12B gezeigt ist. Dieses ermöglicht die effektivere Komprimierung der Daten, so daß die redundanten Seiten, die in einem Muster enthalten sind, entfernt werden und somit redundante Korrekturprozesse verhindert werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 12

Falls ein Datenblock eine Vielzahl von Musterelementen 131 bis 137 aufweist, die wie in Fig. 13A gezeigt ein Zwischenraummuster umfassen, wird in dem Datenkompressionsprozeß das Muster unter Verwendung eines Musterelements 138 beschrieben, das die äußere Peripherie des gesamten Musters einschließlich der Musterelemente 131 bis 137 definiert und ebenfalls unter Verwendung von Musterelementen 139a und 139b durchgeführt, die die inneren Zwischenraummuster definieren, wie dies in Fig. 13B gezeigt ist. Dieses macht es leichter, die Korrekturverarbeitung auf ein Muster anzuwenden, das ein Zwischenraummuster in sich aufweist.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 13

Die Einheit zur Berechnung eines optischen Bildes 3, die in Fig. 2 gezeigt ist, kann aus einer Vielzahl von Zentraleinheiten (CPU) 141 bis 145 gebildet werden, wobei diese miteinander in einer wie in Fig. 14 gezeigten parallelen Art verbunden sind. Die durch die Datenkompressionseinheit 2 komprimierten Entwurfsdaten werden in eine Vielzahl von Abschnitten unterteilt und jeder Abschnitt wird parallel durch die Zentraleinheiten 141 bis 145 verarbeitet. Die Berechnungsergebnisse werden letztendlich integriert, um derart vollständige Korrekturdaten zu erhalten. Die Parallelverarbeitung gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel resultiert in einer großen Reduzierung der für die Verarbeitung erforderlichen Zeit. Beispielsweise wird, falls 5 Zentraleinheiten wie in Fig. 14 gezeigt verwendet werden, die Verarbeitungsgeschwindigkeit fünfmal größer gegenüber einem System, das lediglich eine Zentraleinheit (CPU) aufweist.

Alternativ kann die CPU 141 als ein Master-Prozessor verwendet werden, der als die Datenkomprimierungseinheit 2, die Datenexpansionseinheit 8 und die Korrekturdaten- Ausgabeeinheit 9 dient, die in Fig. 2 gezeigt sind, während die Zentraleinheiten 142 bis 145 als Slave- Prozessoren verwendet werden können, die als die Einheit zur Berechnung eines optischen Bildes, die Mustervorbestimmungseinheit 4, die Vergleichseinheit 5, die Korrektureinheit 6 und die Entscheidungseinheit 7 dienen können, die in Fig. 2 gezeigt sind. In diesem Fall wird die Verarbeitung entsprechend einem in Fig. 30 gezeigten Ablauf durchgeführt. Zunächst werden CAD-Daten, die ein Maskenmuster repräsentieren, als Entwurfsdaten dem Master-Prozessor eingegeben. Der Master-Prozessor unterteilt die empfangenen CAD-Daten in eine Vielzahl von Datenblöcken und komprimiert die Daten jedes Datenblocks derart, daß keine Redundanz in den Daten vorhanden ist. Der Master-Prozessor erzeugt dann Pufferbereiche um jeden individuellen Datenblock. Dann werden Daten, die die optischen Eigenschaften eines Belichtungssystems (nicht gezeigt) und ein Belichtungsergebnis eines Referenzmusters repräsentieren, dem Master-Prozessor eingegeben. Aus dem Belichtungsergebnis des Referenzmusters bestimmt der Master-Prozessor das Verhältnis zwischen dem Referenz-Muster und dessen optischen Bild, und insbesondere den Schwellwert der Lichtintensität, der eingestellt wird, damit die Mustervorbestimmung vernünftig durchgeführt werden kann.

Der Master-Prozessor führt zudem Berechnungen durch, die für alle Datenblöcke gleich sind, und übermittelt die Berechnungsergebnisse sowie auch das vorstehend beschriebene Verhältnis zu der Vielzahl von Slave- Prozessoren.

Der Master-Prozessor bewirkt eine Synchronisation zwischen den Slave-Prozessoren und wartet dann auf ein Signal, das durch einen Slave-Prozessor übermittelt wird. Beim Empfang eines Startbereitschaftsignals, das von einem Slave-Prozessor übermittelt wurde, übermittelt der Master-Prozessor einen Prozeßstartbefehl zusammen mit Daten eines Datenblocks, der durch den Slave-Prozessor zu verarbeiten ist, zu dem Slave-Prozessor. Falls der Master-Prozessor ein Berechnungsendesignal von einem Slave-Prozessor empfängt, übernimmt der Master-Prozessor ein Berechnungsergebnis von diesem Slave-Prozessor und speichert dieses. Wenn alle Daten verarbeitet sind, übermittelt der Master-Prozessor einen Prozeßendebefehl an alle Slave-Prozessoren, um sämtliche Prozesse zu beenden. Falls andererseits weitere Daten vorliegen, die noch nicht verarbeitet wurden, wartet der Master- Prozessor auf ein anderes Signal, das von einem Slave- Prozessor übermittelt wird.

Wenn Slave-Prozessoren einen Prozeßstartbefehl und Daten eines angewiesenen Datenblocks von dem Master-Prozessor erhalten, führen die Slave-Prozessoren eine Berechnung bezüglich eines optischen Bildes durch und führen dann die diesbezügliche Korrektur durch. Falls das Korrekturausmaß innerhalb des zulässigen Bereichs liegt, dann komprimieren die Slave-Prozessoren die korrigierten Daten und übermitteln die Berechnungsergebnisse zusammen mit einem Berechnungsendesignal an den Master-Prozessor.

Wie vorstehend beschrieben wird die äußerste Schleife in dem in Fig. 3 gezeigten Flußdiagramm bei diesem Ausführungsbeispiel parallel durch eine Vielzahl von Slave-Prozessoren durchgeführt und mithin wird eine große Verringerung der Verarbeitungszeit erreicht.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 14

In dem 13. Ausführungsbeispiel, das vorstehend beschrieben ist, kann das Verhältnis zwischen dem Referenzmuster und dessen optischen Bild wie folgt bestimmt werden. Zunächst wird wie in Fig. 31 gezeigt die Größe eines Schutzlackmusters gemessen, das durch Durchführung einer Belichtung des Referenzmusters ausgebildet ist. Der Master-Prozessor berechnet das optische Bild des Referenzmusters, das durch die Referenzmaskendaten bestimmt ist, und berichtigt die optische Intensität Ix an einer Kante des Referenzmusters. Dann bestimmt der Master-Prozessor die Abweichung Δ der gemessenen Größe des Schutzlackmusters anhand der Größe des Referenzmusters und berichtigt die Lichtintensität Iy des optischen Bildes des Referenzmusters an der Position, an der die vorstehend beschriebene Abweichung auftritt. Der Master-Prozessor bestimmt weiter das Verhältnis zwischen Lichtintensitäten Ix und Iy mittels der Methode der kleinsten passenden Quadrate. Die Slave-Prozessoren bestimmen Schwellwerte, die von den Lichtintensitäten Ix an Kanten abhängen, unter Verwendung des durch den Master-Prozessor bestimmten Verhältnisses und führen Korrekturprozesse unter Verwendung der vorstehenden Schwellwerte aus.

Diese Technik ermöglicht dem System, flexibel mit Veränderungen beim Schutzlackprozeß für verschiedene Typen von Schutzlacken umzugehen. Als ein Ergebnis ist es möglich, eine hochgenaue Korrektur für verschiedene Schutzlackprozeßbedingungen und verschiedene Typen von Schutzlacken durchzuführen.

In einer alternativen Betriebsart kann die Größe des Schutzlackmusters durch die Größe des geätzten Musters, das durch einen Ätzprozeß nach der Belichtung des Referenzmusters erhalten wurde, ersetzt werden, wie dies in Fig. 32 gezeigt ist. In diesem Fall können die während des Ätzprozesses auftretenden Variationen auch in die Korrektur einbezogen werden und mithin kann eine noch präzisere Korrektur erreicht werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 15

In dem vorstehend beschriebenen 13. Ausführungsbeispiel kann anstatt der Verwendung des Verhältnisses zwischen dem Referenzmuster und dessen optischen Bild das Verhältnis zwischen den Referenzmaskendaten und dem erzeugten Maskenmuster verwendet werden. In diesem Fall, wie in Fig. 45 gezeigt ist, wird das Referenzmuster zunächst unter Durchführung einer Elektronenstrahlbelichtung mit den Referenzmaskendaten ausgebildet und die Größe des sich ergebenden Referenzmusters gemessen. Der Master-Prozessor berechnet anhand der Referenzmaskendaten ein Elektronenstrahl- Belichtungsmuster und berichtigt das Elektronenstrahl- Belichtungsmuster Ix in der Nähe einer Maskenkante des Elektronenstrahl-Belichtungsmusters. Dann bestimmt der Master-Prozessor die Abweichung Δ der gemessenen Größe des Referenzmusters von der Größe des Elektronenstrahl- Belichtungsmusters und berichtigt das Elektronenstrahl- Belichtungsmuster Iy an der Position, an der die vorstehende Abweichung Δ auftritt. Der Master-Prozessor bestimmt das Verhältnis zwischen Ix und Iy anhand der Methode der kleinsten passenden Quadrate. Die Slave- Prozessoren bestimmen Schwellwerte, die von dem Elektronenstrahl-Belichtungsmuster Ix in der Nähe der Kante abhängen, unter Verwendung des durch den Master- Prozessor bestimmten Verhältnisses und führen Korrekturprozesse unter Verwendung der vorstehenden Schwellwerte durch.

Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist es möglich, getrennt von den anderen Annäherungseffekten lediglich den Annäherungseffekt zu ermitteln, der auftritt, wenn die Elektronenstrahlbelichtung auf einer Maske durchgeführt wird, und diesen Annäherungseffekt in den Korrekturprozeß einzubinden.

Alternativ kann wie in Fig. 46 gezeigt die Elektronenstrahlbelichtung durch eine Laserstrahlbelichtung ersetzt werden. In diesem Fall wird das Verhältnis zwischen dem Referenzmuster, das durch eine Laserstrahlbelichtung unter Verwendung der Referenzmaskendaten durchgeführt wird, und dem Laserstrahl-Belichtungsmuster, das von den Referenzmaskendaten berechnet wird, bestimmt, so daß lediglich der Annäherungseffekt, der auf die Laserstrahlbelichtung auf eine Maske bezogen ist, getrennt von den anderen Annäherungseffekten ermittelt werden kann und in den Korrekturprozeß einbezogen werden kann.

Ausführungsbeispiel 16

In dem vorstehend beschriebenen 13. Ausführungsbeispiel kann anstatt der Verwendung des Verhältnisses zwischen dem Referenzmuster und dessen optischen Bild das Verhältnis zwischen der Mustergröße des Referenzmusters und der Mustergröße eines Schutzlackmusters, das durch Belichtung eines Schutzlacks mit dem Referenzmuster ausgebildet ist, verwendet werden. In diesem Fall wird, wie in Fig. 47 gezeigt ist, beispielsweise ein Referenzmuster, das entsprechend dem 15. Ausführungsbeispiel erhalten wurde, verwendet, um einen Schutzlack zu belichten, d. h., um ein Schutzlackmuster auszubilden, und die Mustergröße des resultierenden Schutzlackmusters wird gemessen. Der Master-Prozessor berechnet ein optisches Bild von der Mustergröße, die durch Messung der Referenzmaskendaten erhalten wurde, und berichtigt das optische Bild Ix nahe einer Maskenkante des optischen Bildes. Der Master-Prozessor bestimmt die Differenz Δ zwischen der gemessenen Größe des Schutzlackmusters und der Größe des Referenzmusters und berichtigt dann das optische Bild Iy an der Position, an der die vorstehend beschriebene Differenz Δ auftritt. Des weiteren bestimmt der Master-Prozessor das Verhältnis zwischen Ix und Iy mittels der Methode der kleinsten passenden Quadrate. Die Slave-Prozessoren bestimmen Schwellwerte, die von dem optischen Bild Ix in einem benachbarten Bereich abhängen, unter Verwendung des durch den Master-Prozessor bestimmten Verhältnisse und führen Korrekturprozeß unter Verwendung der vorstehenden Schwellwerte durch.

In diesem Ausführungsbeispiel kann wie vorstehend beschrieben lediglich der Annäherungseffekt, der auftritt, wenn ein Maskenmuster auf einen Wafer übertragen wird, getrennt von den anderen Annäherungseffekten ermittelt werden und dieser Effekt kann in den Korrekturprozeß einbezogen werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 17

In dem vorstehend beschriebenen 13. Ausführungsbeispiel kann anstatt der Verwendung des Verhältnisses zwischen dem Referenzmuster und dessen optischen Bild das Verhältnis zwischen der Größe eines Schutzlackmusters und der Größe eines geätzten Musters verwendet werden, das durch Durchführung eines Ätzprozesses unter Verwendung des Schutzlackmusters ausgebildet ist. Wie in Fig. 48 gezeigt ist, ist in diesem Fall ein geätztes Muster durch Durchführung eines Ätzprozesses unter Verwendung eines Referenzschutzlackmusters, das durch beispielsweise das 16. Ausführungsbeispiel erhalten wurde, ausgebildet und die Größe des erhaltenen Ätzmusters wird gemessen. Der Master-Prozessor berechnet ein Ätzmuster aus der Mustergröße, die durch Messen des Referenzschutzlackmusters erhalten wurde, und berichtigt die Ätzflüssigkeitskonzentration Ix nahe der Schutzlackkante. Dann bestimmt der Master-Prozessor die Abweichung Δ der gemessenen Größe des geätzten Musters von der Größe des Referenzschutzlackmusters und berichtigt die Ätzflüssigkeitskonzentration Iy an der Position, wo die vorstehend beschriebene Abweichung Δ auftritt. Der Master-Prozessor bestimmt das Verhältnis zwischen Ix und Iy anhand der Methode der kleinsten passenden Quadrate. Die Slave-Prozessoren bestimmen Schwellwerte, die von der Ätzflüssigkeitskonzentration Ix in einem angrenzenden Bereich abhängen, unter Verwendung des durch den Master-Prozessor bestimmten Verhältnisses und führen Korrekturprozesse unter Verwendung der vorstehenden Schwellwerte durch.

In diesem Ausführungsbeispiel kann wie vorstehend beschrieben lediglich der Mikrobelastungseffekt, der während eines Ätzprozesses auftritt, getrennt von den anderen Effekten bestimmt werden und dieser Effekt kann in den Korrekturprozeß einbezogen werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 18

In dem vorstehend beschriebenen 13. Ausführungsbeispiel kann anstatt der Verwendung des Verhältnisses zwischen dem Referenzmuster und dessen optischen Bild das Verhältnis zwischen Referenzmaskendaten und einem Schutzlackmuster verwendet werden, das durch Übertragen eines Maskenmusters erhalten wurde, das durch Durchführen einer Elektronenstrahlbelichtung entsprechend den Referenzmaskendaten ausgebildet ist. In diesem Fall ist wie in Fig. 49 gezeigt ein Referenzmuster durch Durchführung einer Elektronenstrahlbelichtung entsprechend den Referenzmaskendaten ausgebildet und ein Schutzlackmuster ist dann durch Belichten eines Schutzlackes mit dem erhaltenen Referenzmuster ausgebildet. Die Größe des erhaltenen Schutzlackmusters ist dann zu messen. Der Master-Prozessor berechnet ein Elektronenstrahl-Belichtungsmuster von den Referenzmaskendaten und berechnet weiter ein optisches Bild. Dann berichtigt der Master-Prozessor das optische Bild Ix nahe einer Maskenkante des optischen Bildes. Der Master-Prozessor bestimmt die Abweichung Δ der gemessenen Größe des Schutzlackmusters aus den Referenzmaskendaten und berichtigt das optische Bild Iy an der Position, wo die vorstehend beschriebene Abweichung Δ auftritt. Der Master-Prozessor bestimmt das Verhältnis zwischen Ix und Iy mittels der Methode der kleinsten passenden Quadrate. Die Slave-Prozessoren bestimmen Schwellwerte, die von dem optischen Bild Ix in einem angrenzenden Bereich abhängen, unter Verwendung des Verhältnisses, das durch den Master- Prozessor bestimmt wurde, und führen Korrekturprozesse unter Verwendung der vorstehenden Schwellwerte durch.

In diesem Ausführungsbeispiel können wie vorstehend beschrieben komplexe Effekte des Elektronenstrahlannäherungseffekts, der auftritt, wenn eine Elektronenstrahlbelichtung entsprechend den Referenzmaskendaten durchgeführt werden, und des Lichtannäherungseffekts, der auftritt, wenn das Maskenmuster auf einen Wafer mittels optischer Lithographie übertragen wird, bestimmt werden und diese Effekte können in den Korrekturprozeß einbezogen werden.

In einer modifizierten Betriebsweise des vorliegenden Ausführungsbeispiels kann, wie in Fig. 50 gezeigt ist, die Elektronenstrahlbelichtung durch die Laserstrahlbelichtung ersetzt werden. In diesem Fall wird ein Referenzmuster durch Durchführen der Laserstrahlbelichtung gemäß den Referenzmaskendaten ausgebildet und ein Schutzlackmuster wird dann gebildet, in dem ein Schutzlack dem erhaltenen Referenzmuster ausgesetzt wird. Dann wird das Verhältnis zwischen dem Schutzlackmuster und einem optischen Bild, das von einem Laserstrahlbelichtungsmuster, das von den Referenzmaskendaten berechnet ist, berechnet wird, bestimmt. In dieser modifizierten Betriebsweise können komplexe Effekte des Laserstrahlannäherungseffekts, der auftritt, wenn die Laserstrahlbelichtung entsprechend den Referenzmaskendaten durchgeführt wird, und der Lichtannäherungseffekt, der auftritt, wenn das Maskenmuster auf einen Wafer mittels einer optischen Lithographie übertragen wird, ermittelt werden und diese Effekte können in den Korrekturprozeß einbezogen werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 19

In dem vorstehend beschriebenen 13. Ausführungsbeispiel kann anstatt der Verwendung des Verhältnisses zwischen dem Referenzmuster und dessen optischen Bild das Verhältnis zwischen der Größe eines Referenzmusters und der Größe eines geätzten Musters verwendet werden, das durch Durchführung eines Ätzprozesses unter Verwendung eines Schutzlackmusters ausgebildet ist, welches durch Belichten eines Schutzlackes mit dem Referenzmuster ausgebildet ist. In diesem Fall wird wie in Fig. 51 gezeigt ein Schutzlackmuster durch Belichten eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster erhalten, das beispielsweise entsprechend dem 15. Ausführungsbeispiel erhalten wurde, und ein geätztes Muster wird dann durch Durchführen eines Ätzprozesses unter Verwendung des erhaltenen Schutzlackmusters ausgebildet. Die Mustergröße des resultierenden Ätzmusters wird dann gemessen. Der Master-Prozessor berechnet ein optisches Bild anhand einer Mustergröße, die durch Messen des Referenzmusters erhalten wurde, und berechnet des weiteren ein geätztes Muster von dem vorstehenden optischen Bild. Der Master- Prozessor berichtigt dann die Ätzflüssigkeitskonzentration Ix nahe einer Schutzlackkante. Der Master-Prozessor bestimmt die Abweichung Δ der gemessenen Größe des geätzten Musters von dem Referenzmuster und berichtigt dann die Ätzflüssigkeitskonzentration Iy an der Position, an der die vorstehend beschriebene Abweichung Δ auftritt. Der Master-Prozessor bestimmt das Verhältnis zwischen Ix und Iy mittels der Methode der kleinsten passenden Quadrate. Die Slave-Prozessoren bestimmen Schwellwerte, die von der Ätzflüssigkeitskonzentration Ix in einer angrenzenden Region abhängen, unter Verwendung des durch den Master- Prozessor bestimmten Verhältnisses und führen Korrekturprozesse unter Verwendung der vorstehenden Schwellwerte aus.

In diesem Ausführungsbeispiel können wie vorstehend beschrieben komplexe Effekte des Lichtannäherungseffekts und des Mikrobelastungseffekts, die während des Prozesses zum Übertragen des optischen Musters und während des Ätzprozesses auftreten, bestimmt werden und diese Effekte können in den Korrekturprozeß eingearbeitet werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 20

In dem vorstehend beschriebenen 13. Ausführungsbeispiel kann anstelle der Verwendung des Verhältnisses zwischen dem Referenzmuster und dessen optischen Bild das Verhältnis zwischen Referenzmaskendaten und einem Ätzmuster verwendet werden, das durch Durchführen eines Ätzprozesses unter Verwendung eines Schutzlackmusters erhalten wurde, welches von einem Maskenmuster übertragen wurde, das durch Durchführung einer Elektronenstrahlbelichtung gemäß den Referenzmaskendaten ausgebildet wurde. In diesem Fall wird wie in Fig. 52 gezeigt, ein Referenzmuster durch Durchführung einer Elektronenstrahlbelichtung entsprechend den Referenzmaskendaten ausgebildet und dann wird ein Schutzlack diesem Referenzmuster ausgesetzt, um ein Schutzlackmuster zu erhalten. Des weiteren wird ein Ätzmuster durch Durchführen eines Ätzprozesses unter Verwendung des Schutzlackmusters ausgebildet und die Größe des resultierenden Ätzmusters wird gemessen. Der Master-Prozessor berechnet ein Elektronenstrahlbelichtungsmuster von den Referenzmaskendaten und berechnet weiter ein optisches Bild. Dann berechnet der Master-Prozessor ein Ätzmuster von dem optischen Bild. Der Master-Prozessor berichtigt dann die Ätzflüssigkeitskonzentration Ix nahe einer Maskenkante des Schutzlackmusters. Der Master-Prozessor bestimmt die Abweichung Δ der gemessenen Größe des Ätzmusters anhand der Referenzmaskendaten und berichtigt dann die Ätzflüssigkeitskonzentration Iy an der Position, wo die vorstehend beschriebe Abweichung Δ auftritt. Der Master-Prozessor bestimmt das Verhältnis zwischen Ix und Iy mittels der Methode der kleinsten passenden Quadrate. Die Slave-Prozessoren bestimmen Schwellwerte, die von der Ätzflüssigkeitskonzentration Ix in einer angrenzenden Region abhängen, unter Verwendung des durch den Master- Prozessor bestimmten Verhältnisses und führen Korrekturprozesse unter Verwendung der vorstehenden Schwellwerte aus.

In diesem Ausführungsbeispiel ist es wie vorstehend beschrieben möglich, komplexe Effekte des Elektronenstrahlannäherungseffekts, des Lichtannäherungseffekts und des Mikrobelastungseffekts zu bestimmen, die während der Elektronenstrahlbelichtung, der Übertragung des optischen Musters und des Ätzprozesses auftreten, und diese Effekte können in den Korrekturprozeß eingearbeitet werden.

Alternativ kann wie in Fig. 53 gezeigt die Elektronenstrahlbelichtung durch die Laserstrahlbelichtung ersetzt werden. In diesem Fall wird ein Referenzmuster durch Durchführen einer Laserstrahlbelichtung ausgebildet und dann wird ein Schutzlack diesem Referenzmuster ausgesetzt, um ein Schutzlackmuster zu erhalten. Des weiteren wird ein Ätzmuster ausgebildet, indem ein Ätzprozeß unter Verwendung des Schutzlackmusters durchgeführt wird, und die Größe des resultierenden Ätzmusters wird gemessen. Der Master-Prozessor berechnet ein Laserstrahlbelichtungsmuster von den Referenzmaskendaten und berechnet des weiteren ein optisches Bild. Der Master-Prozessor berechnet dann ein Ätzmuster von dem vorstehenden optischen Bild und so wild das Verhältnis zwischen dem berechneten Ätzmuster und dem tatsächlichen Ätzmuster bestimmt. In diesem Ausführungsbeispiel ist es wie vorstehend beschrieben möglich, komplexe Effekte des Laserstrahlannäherungseffekts, des Lichtannäherungseffekts und des Mikrobelastungseffekts zu bestimmen, die während der Laserstrahlbelichtung, des Übertragens des optischen Musters und der Ätzprozesse auftreten, und diese Effekte können in den Korrekturprozeß eingearbeitet werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 21

Die Einheit zum Messen eines optischen Bildes 10, die in Fig. 4 gezeigt ist, kann mit einer Vielzahl von optischen Systemen 151 bis 155 konstruiert werden, wie dies in Fig. 15 gezeigt ist. Die Entwurfsdaten, die durch die Datenkompressionseinheit 2 komprimiert sind, werden in eine Vielzahl von Datenblöcken unterteilt, und diese Datenblöcke werden separat auf parallele Weise durch die optischen Systeme 151 bis 155 gemessen. Dann werden die gemessenen Ergebnisse miteinander kombiniert, um die korrigierten Daten zu erhalten. Die Parallelverarbeitung gemäß diesem Ausführungsbeispiel führt zu einer Erhöhung der Verarbeitungsgeschwindigkeit. Falls beispielsweise fünf optische Systeme verwendet werden, wie dies in Fig. 15 gezeigt ist, wird die Verarbeitungsgeschwindigkeit 5 mal schneller als in dem Fall, in dem lediglich ein optisches System verwendet wird.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 22

In diesem Ausführungsbeispiel ist, wie in Fig. 16 gezeigt ist, ein Projektionsbild von einem Maskenmuster 161, das auf Entwurfsdaten basiert, ausgebildet, woraufhin in einem Übertragungsmuster-Vorbestimmungsprozeß die Mustervorbestimmungseinheit 4 die Maskenkantenposition vorbestimmt, wobei angenommen ist, daß die Maskenkante an der Position angeordnet ist, wo die Lichtintensität gleich einem vordefinierten Schwellwert I_TH ist, wodurch die Mustergröße eines übertragenen Musters 162, das in einem Schutzlack oder ähnlichem auf der Oberfläche eines Wafers ausgebildet ist, durch die Einheit vorbestimmt wird. Das Korrekturausmaß wird durch die Distanz d zwischen der vorbestimmten Maskenkante und der tatsächlichen Maskenkante des Maskenmusters 161, das auf den Entwurfsdaten basiert, erhalten. Der Schwellwert I_TH wird auf eine Lichtintensität eingestellt, die mit einem Faktor von 0,20 bis 0,40 der Lichtintensität eines flachen Musters ohne Kanten entspricht. In diesem Ausführungsbeispiel wird, wie vorstehend beschrieben ist, die Maskenkante auf der Basis des Schwellwerts I_TH ohne Durchführen einer Schutzlackentwicklungsberechnung vorbestimmt. Dieses führt zu einer Reduzierung der Verarbeitungszeit.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 23

In dem vorstehenden Ausführungsbeispiel 22 kann der Schwellwert I_TH in Abhängigkeit von der Lichtintensität in Bereichen in der Nähe von Seiten eines Musterelements, das zu korrigieren ist, eingestellt werden. Beispielsweise hat ein Maskenmuster 171, das in Fig. 17A gezeigt ist, einen schmalen Lichtübertragungsmusterbereich. Daher wird die Lichtintensität nahe den Seiten (Kanten), die zu korrigieren sind, geringer als in dem Fall eines breiten Lichtübertragungsmusterbereichs. In diesem Fall wird der Schwellwert I_TH auf einen höheren Wert gesetzt. Im Gegensatz dazu wird, wenn der Lichtübertragungsbereich eines Musterelements breit ist, wie bei den Mustern 173, 181 und 183, die in Fig. 17B, 18A und 18B gezeigt sind, die Lichtintensität nahe von Seiten (Kanten), die zu korrigieren sind, groß genug. Daher wird der Schwellwert I_TH auf einen niedrigeren Wert in diesem Fall gesetzt. In diesem Ausführungsbeispiel werden übertragene Muster 172, 174, 182 und 184, wie vorstehend beschrieben, vorbestimmt, wobei die Bedingungen in der Nähe der Seiten, die zu korrigieren sind, in Betracht gezogen werden, wodurch schnell eine hochgenaue Mustervorbestimmung erreicht wird.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 24

In dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel 22 kann der Schwellwert I_TH in Abhängigkeit von der zweidimensionalen Lichtintensitätsverteilung nahe zu korrigierenden Seiten eingestellt werden. Falls beispielsweise ein rechteckiges Muster, wie das in Fig. 33 gezeigte, zu korrigieren ist, ist die Lichtintensitätsverteilung nahe einem Punkt Pa an einer Ecke des rechteckigen Musters 330 unterschiedlich zu der nahe einem Punkt Pb an einer Seite. Daher ist das Korrekturausmaß für den Punkt Pa unterschiedlich zu dem für den Punkt Pb. Um dieses vorstehende Problem zu vermeiden, wird eine Vielzahl von Überwachungspunkten Pm nahe den Punkten Pa und Pb angeordnet, wodurch die zweidimensionale Lichtintensitätsverteilung überwacht wird und erfaßt wird, ob die Punkte Pa und Pb an einer Ecke oder an einer Seite angeordnet sind. Falls erfaßt wird, daß ein Punkt an einer Ecke angeordnet ist, sollte das Korrekturausmaß D4 größer sein als das Korrekturausmaß D3 für einen Punkt an einer Seite, um die Effekte beim Ätzen, Entwickeln und ähnlichem zu beseitigen. Daher wird in diesem Fall der Schwellwert ICH auf einem niedrigen Wert gesetzt. In diesem Ausführungsbeispiel werden wie vorstehend beschrieben bei der Mustervorbestimmung die zweidimensionale Bedingungen eines Musters in Betracht gezogen, so daß eine hochgenaue Mustervorbestimmung erreicht wird.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 25

In dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel 22 kann der Schwellwert I_TH in Abhängigkeit davon bestimmt werden, ob ein Musterelement nahe einer zu korrigierenden Seite existiert. Beispielsweise ist in dem Fall eines Maskenmusters 351, das in Fig. 35A gezeigt ist, kein Musterelement in der Nähe einer Seite 351a, die zu korrigieren ist. Im Gegensatz dazu ist in dem Fall eines Maskenmusters 353, das in Fig. 35B gezeigt ist, ein Musterelement nahe einer Seite 353a, die zu korrigieren ist. In diesem Fall wird die Lichtintensität in einem Bereich rechts der Seite 353a geringer. Um das vorstehende Problem zu vermeiden, werden Überwachungspunkte Pm an der rechten und linken Seite einer Seite eines Musterelements, das zu korrigieren ist, angeordnet, um zu erfassen, ob ein anderes Musterelement nahe der Seite existiert. Im Fall des Maskenmusters 351 hat die Summe der Lichtintensitäten an den rechten und linken Überwachungspunkten Pm einen großen Wert, und daher wird geschlossen, daß kein Musterelement nahe der zu berücksichtigen Seite existiert, und der Schwellwert I_TH wird auf einen großen Wert gesetzt. Andererseits hat im Fall des Maskenmusters 353 die Summe der Lichtintensitäten an den rechten und linken Überwachungspunkten Pm einen kleinen Wert, und mithin wird geschlossen, daß ein weiteres Musterelement nahe der zu berücksichtigen Seite existiert, und der Schwellwert I_TH wird auf einen kleinen Wert gesetzt. Dieses stellt eine weitere hohe Genauigkeit bei der Mustervorbestimmung bereit.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 26

In dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel 22 kann der Schwellwert I_TH auch in Abhängigkeit von der Lichtintensität eines optischen Bildes, das unter einer Defokussierungsbedingung erhalten wurde, relativ zu der Lichtintensität des optischen Bildes, das unter einer optimalen Fokussierungsbedingung erhalten wurde, eingestellt werden. Wie in Fig. 36 gezeigt ist, wird die Lichtintensität Id eines optischen Bildes unter einer Defokussierungsbedingung berechnet und es wird bestimmt, ob die Lichtintensität Id größer als die Lichtintensität Ib eines optischen Bildes unter einer optimalen Fokussierungsbedingung ist. Falls die Lichtintensität Id unter der Defokussierungsbedingung größer als die Lichtintensität Ib unter der optimalen Fokussierungsbedingung ist, wird die Größe eines Schutzlackmusters klein werden. Daher wird der Schwellwert I_TH auf einen niedrigen Wert gesetzt, um zu verhindern, daß die Größe des Schutzlackmusters klein wird. Andererseits wird, falls die Lichtintensität Id unter die Defokussierungsbedingung kleiner als die Lichtintensität Ib unter der optimalen Fokussierungsbedingung ist, die Größe des Schutzlackmusters größer werden. In diesem Fall wird der Schwellwert I_TH auf einen großen Wert gesetzt, um zu verhindern, daß die Größe des Schutzlackmusters groß wird. Mithin wird in diesem Ausführungsbeispiel die Begrenzung bei der Fokussierung effektiv erweitert.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 27

In dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel 22 kann der Schwellwert I_TH in Abhängigkeit von der Steigung des Projektionsbildes nahe der vorbestimmten Maskenkante eingestellt werden. Anschließend wird die Maskenkante erneut unter Verwendung des neuen Schwellwerts I_TH vorbestimmt, der durch die vorstehende Justierung erhalten wurde. Wie in Fig. 19A und 19B gezeigt ist, werden Schwellwerte I_TH in Abhängigkeit von den Steigungen von Projektionsbildern nahe den Maskenkanten von Maskenmustern 191 und 193 eingestellt, die bei der ersten Vorbestimmung erhalten wurden. Die Kanten der Projektionsbilder werden erneut unter Verwendung der neuen Schwellwerte I_TH vorbestimmt, wodurch Übertragungsmuster 192 und 194 vorbestimmt werden. In diesem Ausführungsbeispiel kann, wie vorstehend beschrieben, die Steigung eines Projektionsbildes, das heißt, die Steigung der Lichtintensität, bei der Mustervorbestimmung berücksichtigt werden. Als ein Ergebnis ist es möglich, eine hochgenaue Mustervorbestimmung zu erhalten.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 28

In diesem Ausführungsbeispiel, wie in Fig. 20 gezeigt, simuliert die Mustervorbestimmungseinheit 4 nach Erzeugung eines Projektionsbildes auf der Basis eines Maskenmusters 201 den Entwicklungsprozeß eines Schutzlackes auf der Oberfläche eines Wafers. Ein übertragenes Muster 202 wird dann aus dem Simulationsergebnis vorbestimmt. In diesem Ausführungsbeispiel können, wie sich dies aus der vorstehenden Diskussion ersehen läßt, die Variationen in den Prozeßbedingungen, wie ein Belichtungsausmaß und eine Entwicklungszeit, leicht bei der Mustervorbestimmung berücksichtigt werden, so daß eine hochgenaue Mustervorbestimmung erhalten werden kann.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 29

In diesem Ausführungsbeispiel, wie in Fig. 21 gezeigt, wandelt die Mustervorbestimmungseinheit 4 nach Erzeugen eines Projektionsbildes auf der Basis eines Maskenmusters 211 das vorstehende Projektionsbild in eine Verteilung 212 einer Entwicklungszeit um, die erforderlich ist, um einen Schutzlack auf der Oberfläche eines Wafers zu entwickeln. Die Mustervorbestimmungseinheit 4 integriert des weiteren die Verteilung 212 in einer eindimensionalen Weise, wodurch eine Quasientwicklung betrieben wird. Ein Übertragungsmuster 213 wird dann anhand des Ergebnisses der Quasientwicklung vorbestimmt. In diesem Ausführungsbeispiel kann, wie vorstehend beschrieben, eine Mustervorbestimmung einfacher und schneller durchgeführt werden, als wenn die Vorbestimmung auf der Basis einer Entwicklungssimulation durchgeführt wird.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 30

In dem Übertragungsmuster-Vorbestimmungsschritt nach Erzeugen eines Projektionsbildes von einem Maskenmuster basierend auf Entwurfsdaten kann der Schwellwert I_TH in Abhängigkeit von der Reflexion eines darunterliegenden Substrats, das mit einem Schutzlack überzogen ist, in dem ein Muster auszubilden ist, eingestellt werden. Wie in Fig. 37A gezeigt ist, hat, falls ein zugrunde liegendes Substrat 371 aus einem Material wie WSi mit einer niedrigen Reflexion gefertigt ist, das durch das Substrat 371 reflektierte Licht einen geringeren Einfluß auf die Belichtung, und daher wird die Größe des Schutzlackmusters größer, wenn ein Schutzlack vom Positiv-Typ verwendet wird. Andererseits hat, falls ein zugrundeliegendes Substrat 372 aus einem Material wie Al mit einer hohen Reflexion gefertigt ist, das durch das Substrat 372 reflektierte Licht einen wesentlichen Effekt auf die Belichtung, und daher wird die Größe des Schutzlackmusters kleiner, wenn ein Schutzlack vom Positiv-Typ verwendet wird. Unter Berücksichtigung dieses Sachverhalts wird der Schwellwert I_TH auf einen hohen Wert für ein zugrundeliegendes Substrat mit einer niedrigen Reflexion eingestellt, wie dieses bei der Fig. 37A der Fall ist, und der Schwellwert I_TH wird auf einen niedrigen Wert für ein zugrundeliegendes Substrat mit einer hohen Reflexion eingestellt, wie dies bei der Fig. 37B ist. In diesem Ausführungsbeispiel wird, wie vorstehend beschrieben, der Effekt der Reflexion des zugrundeliegenden Substrats bei der Vorbestimmung eines Übertragungsmusters berücksichtigt, und daher ist es möglich, eine hohe Genauigkeit und eine hohe Verarbeitungsgeschwindigkeit bei der Mustervorbestimmung zu erreichen.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 31

In dem Übertragungsmuster-Vorbestimmungsschritt nach Erzeugen eines Projektionsbildes von einem Maskenmuster basierend auf Entwurfsdaten kann der Schwellwert I_TH in Abhängigkeit von Stufen eingestellt werden, die auf einem zugrundeliegenden Substrat ausgebildet sind, das mit einem Schutzlack überzogen ist, in den ein Muster auszubilden ist. In dem Fig. 38A gezeigten Beispiel sind eine Öffnung 382 und Stufen auf einem zugrundeliegenden Substrat 381 ausgebildet und die Öffnung 382 und die Stufen sind mit einem Schutzlack 383 überzogen, wobei die Dicke des Schutzlackes in der Öffnung 382 größer ist, als die an den anderen Abschnitten. In einem solchen Fall wird der Schwellwert I_TH für den dicken Bereich auf einen großen Wert eingestellt. In diesem Ausführungsbeispiel werden, wie vorstehend beschrieben, die Effekte von Stufen auf einem zugrundeliegenden Substrat und die lokalen Änderungen der Schutzlackdicke bei der Vorbestimmung eines Übertragungsmusters berücksichtigt, und daher ist es möglich, eine hohe Genauigkeit bei der Mustervorbestimmung zu erreichen.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 32

Bei dem Übertragungsmuster-Vorbestimmungsschritt nach Erzeugen einen Projektionsbildes anhand eines Maskenmusters basierend auf Entwurfsdaten kann der Schwellwert I_TH in Abhängigkeit von einem Haloeffekt, der auf der Oberfläche eines zugrundeliegenden Substrats erzeugt wird, das mit einem Schutzlack überzogen ist, in das ein Muster auszubilden ist, eingestellt werden. Beispielsweise existiert eine große Stufe 393 an der Grenze zwischen einem Speicherzellenbereich 391 und einem peripheren Schaltkreisbereich 392, wie dies in Fig. 39A gezeigt ist. Falls Bitleitungen 394 so ausgebildet werden, daß sie sich von dem Speicherzellenbereich 391 zu dem peripheren Schaltkreisbereich 392 über die Stufe 393 erstrecken, tritt an der Stufe 393 ein Haloeffekt auf und ein Teil des Lichtes wird in eine horizontale Richtung reflektiert, wie dies in Fig. 39B gezeigt ist. Angesichts der vorstehenden Tatsache wird der Schwellwert I_TH für den Bereich nahe der Stufe auf einen niedrigen Wert im Vergleich zu den anderen Bereichen eingestellt. In diesem Ausführungsbeispiel wird, wie vorstehend beschrieben, der Haloeffekt an Stufen eines zugrundeliegenden Substrats bei der Vorbestimmung eines Übertragungsmusters berücksichtigt, und daher ist es möglich, bei der Mustervorbestimmung eine hohe Genauigkeit zu erzielen.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 33

Die Einheit zur Berechnung eines optischen Bildes 3 des Ausführungsbeispiels 2 kann ein Projektionsbild wie folgt berechnen. Zunächst werden Lichtintensitäten an vordefinierten Gitterpunkten berechnet. Dann wird, wie in Fig. 22 gezeigt ist, die Lichtintensität I an einem willkürlichen Punkt P(x, y) von den bereits bestimmten Lichtintensitäten an vier benachbarten Punkten Pi(xi, yi) (i = 1, 2, 3, 4) mittels einer Interpolation gemäß der nachstehenden Gleichung berechnet:

I = Σ i (Wi·Ii)

wobei Wi = (1 - |xi - x|) (1 - |yi - y|) ist. Mithin ist es gemäß diesem Verfahren zum Berechnen eines Projektionsbildes möglich, die Lichtintensität an einem willkürlichen Punkt zu berechnen, sogar an einem Punkt einer Grenzlinie des Gitters. Als ein Ergebnis ist es möglich, ein hochgenaues Projektionsbild zu erhalten.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 34

Bei der Datenkorrekturverarbeitung in dem Ausführungsbeispiel 2 oder 3 unterteilt die Korrektureinheit 6 jede Seite eines Musterelements 231, das in Fig. 23A gezeigt ist, in eine Vielzahl von Segmenten, wie dies in Fig. 23B gezeigt ist, und führt dann die Korrektur getrennt für jedes Segment aus. In diesem Ausführungsbeispiel weist jeder Unterteilungspunkt 232 zwei Daten für individuelle Segmente auf, die sich diesen Unterteilungspunkt teilen, so daß jedes Segment unabhängig korrigiert werden kann, ohne angrenzende Segmente zu beeinflussen. Mithin bietet dieses Ausführungsbeispiel eine hochgenaue Korrektur.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 35

In dem Datenkorrekturprozeß korrigiert die Korrektureinheit 6 jede Seite eines Musterelements, das korrigiert werden soll, in eine Richtung, die lediglich durch die senkrechte Richtung zu jeder Seite begrenzt ist. Beispielsweise wird eine Seite 242 eines vorkorrigierten Musterelements 241, das in Fig. 24A gezeigt ist, in eine Richtung senkrecht zu dieser Seite 242 korrigiert, um ein korrigiertes Musterelement 243 mit einer Seite 244 zu erhalten. Bei di 11507 00070 552 001000280000000200012000285911139600040 0002019534132 00004 11388eser Technik erzeugt die Korrektur keine schrägen Seiten, und daher können die Daten effektiv komprimiert werden und die Elektronenstrahlbelichtung kann mit einer hohen Verarbeitungsgeschwindigkeit durchgeführt werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 36

In dem Datenkorrekturprozeß kann, falls der Kantengradient des Projektionsbildes eines Musters steiler als ein vorbestimmtes Ausmaß ist, die Korrektureinheit 6 diese Seite (Kante) ohne Korrekturdurchführung überspringen. Falls beispielsweise ein Maskenmuster 252 dünne Musterelemente umfaßt, die wie in Fig. 25 gezeigt nahe zueinander angeordnet sind, wird das Übertragungsmuster 252 unklar und damit ungenau. In diesem Fall wird der Kantengradient des Projektionsbildes des Maskenmusters 251 weniger steil. In diesem Ausführungsbeispiel wird, wie vorstehend beschrieben, falls der Kantengradient des Projektionsbildes eines Musters steiler als ein vorbestimmtes Ausmaß ist, die Seite übersprungen, ohne einer Korrektur unterzogen zu werden, wodurch eine schlechte Korrektur vermieden wird. Dieses stellt eine hohe Zuverlässigkeit bei der Lichtannäherungskorrektur bereit.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 37

In dem Datenkorrekturprozeß kann, falls die Lichtintensität des Projektionsbildes eines Musters geringer als ein vorbestimmter Schwellwert für eine bestimmte Seite des Musters ist, die Korrektureinheit 6 diese Seite (Kante) ohne Korrekturdurchführung überspringen. In Fig. 26A ist beispielsweise die Seite 263, die in dem Kreis 262 gezeigt ist, innerhalb eines Musterelements 261 angeordnet und daher benötigt diese Seite 263 keine Lichtannäherungskorrektur und diese Seite 263 sollte beim Korrekturprozeß übersprungen werden. In so einem Fall ist die Lichtintensität des Projektionsbildes von 263 sehr gering, wie dies in Fig. 26B gezeigt ist, da die Seite 262 innerhalb des Musterelements 261 angeordnet ist. In diesem Ausführungsbeispiel wird, wie vorstehend beschrieben, falls die Lichtintensität des Projektionsbildes einer Seite eines Musters geringer als ein Schwellwert i0 ist, die Seite bei dem Korrekturprozeß übersprungen, so daß eine ungültige Korrektur verhindert wird und eine hohe Zuverlässigkeit bei der Lichtannäherungskorrektur erreicht wird.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 38

In dem Datenkorrekturprozeß wird, falls die Korrektureinheit 6 erfaßt, daß ein erhaltenes Korrekturausmaß größer als eine vorbestimmte obere Grenze ist, seitens der Korrektureinheit 6 bestimmt, daß die Korrektur ungültig sein wird, und diese verwendet einen Wert als das Korrekturausmaß, der gleich dem oberen Grenzwert ist. Falls beispielsweise, wie Fig. 27A gezeigt ist, das Korrekturausmaß D1 für eine Seite 272 eines Musterelements 271 größer als ein oberer Grenzwert D2 ist, wird das Korrekturausmaß D1 durch den oberen Grenzwert D2 ersetzt, so daß die Seite 272 zu einer Seite 274 in dem korrigierten Musterelement 273 wird, wie dies in Fig. 27B gezeigt ist. Dieses verhindert eine ungültige Korrektur und stellt somit eine hohe Zuverlässigkeit bei der Lichtannäherungskorrektur bereit.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 39

In dem Datenkorrekturprozeß kann die Korrektureinheit 6 redundante Punkte entfernen, die nach der Korrektur einer Seite eines Musters auf der gleichen Linie liegen. Beispielsweise hat, wie dies in Fig. 28A gezeigt ist, ein Muster 281 nach einem Korrekturprozeß redundante Punkte 282 bis 285 auf Linien liegen, wobei diese redundanten Punkte 282 bis 295 nach Beendigung des Korrekturprozesse nicht länger notwendig sind. Daher entfernt die Korrektureinheit 6 diese Punkte 282 bis 285 und erzeugt ein Muster, wie das in Fig. 28B gezeigte. Mithin können in diesem Ausführungsbeispiel Daten auf eine effektive Weise komprimiert werden und iterative Berechnungen während des Korrekturprozesses können in kürzer Zeit durchgeführt werden.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 40

Im Schritt S6 des Ausführungsbeispiels 2 oder 3 wird, falls das Korrekturausmaß nicht innerhalb des zulässigen Bereichs liegt, ein Projektionsbild erzeugt und die Korrektur erneut ausgeführt. In diesem Ausführungsbeispiel wird statt einer Beurteilung des Korrekturausmaßes zu jedem Zeitpunkt, zu dem eine Seite korrigiert ist, und der Iteration des Korrekturprozesses das Korrekturausmaß beurteilt, nachdem sämtliche Seiten getrennt korrigiert wurden, und der Korrekturvorgang wird wie benötigt wiederholt. Dieses führt zu einer Erhöhung der Korrekturverarbeitungsgeschwindigkeit. Des weiteren besteht, da jede Seite unabhängig korrigiert wird, nur eine geringe Wahrscheinlichkeit, daß die Korrektur asymmetrisch wird, und daher ist es möglich, eine hohe Zuverlässigkeit bei dem Korrekturprozeß zu erhalten.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 41

In dem Ausführungsbeispiel 2 oder 3 wird das Korrekturausmaß bestimmt, nachdem die Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Datenblöcken unterteilt und das Korrekturausmaß für jeden Datenblock berechnet ist. Falls erfaßt wird, daß das Korrekturausmaß für einen bestimmten Datenblock nicht innerhalb eines zulässigen Bereichs ist, dann kann ein solcher Datenblock herausgezogen und in einer separaten Datei gespeichert werden, wohingegen die korrigierten Daten der Datenblöcke, die hinsichtlich des Erhalts eines innerhalb des zulässigen Bereichs befindlichen Korrekturausmaßes erfolgreich waren, ausgegeben werden. Beispielsweise wird, wie in Fig. 54 gezeigt ist, nach Durchführung einer Vorverarbeitung der Maskendaten ein Schutzlackmuster mittels einer optischen Berechnung vorbestimmt und das vorbestimmte Schutzlackmuster wird durch dessen Vergleich mit den Maskendaten bestimmt. Das heißt, die Differenz zwischen der Größe des vorbestimmten Musters und der Größe, die durch die Maskendaten festgelegt ist, wird als das Korrekturausmaß bestimmt. Falls das Korrekturausmaß größer als 10% der Minimalgröße von beispielsweise 0,3 µm ist, dann werden Datenblocks, die ein solches Korrekturausmaß aufweisen, herausgezogen und in einer separaten Datei gespeichert.

Dieses ermöglicht es, lediglich solche Bereiche, die eine Korrektur benötigen oder einen zu schmalen Verarbeitungsrand aufweisen, von einem LSI-Muster herauszulösen, das ein großes Datenausmaß aufweist. Diese Technik ist insbesondere nützlich für Logikschaltkreise mit wahlfreiem Zugriff, um die Entwicklungseffektivität zu verbessern. Die Daten, die für die Korrektur in der vorstehend beschriebenen Weise herausgenommen wurden, werden der Vorverarbeitung unter Verwendung optischer Parameter unterzogen und das berechnete Projektionsbild und die korrespondierenden Maskendaten werden angezeigt. Unter Bezugnahme auf die korrigierten Daten der Datenblöcke, die bereits ein Korrekturausmaß innerhalb des zulässigen Bereichs aufweisen, wird bestimmt, ob eine Korrektur erforderlich ist oder nicht, wobei diese Bestimmung anhand des angezeigten Projektionsbildes vorgenommen wird. Falls die Korrektur erforderlich ist, wird die Korrektur manuell durchgeführt und die Maskendaten und das Projektionsbild werden erneut zu erneuten Berücksichtigung angezeigt. Die manuelle Korrektur und das Anzeigen der Maskendaten und des Projektionsbildes werden wiederholt durchgeführt, bis entschieden wird, daß eine weitere Korrektur nicht erforderlich ist. Wenn beschlossen wurde, daß eine weitere Korrektur nicht erforderlich ist, werden die resultierenden korrigierten Daten ausgegeben.

Wie vorstehend beschrieben wurde, stellt die vorliegende Erfindung nicht nur ein vollautomatisches Lichtannäherung-Korrektursystem bereit, in dem eine Korrektur von Block zu Block durchgeführt wird, sondern auch ein halbautomatisches Lichtannäherung- Korrektursystem, mit dem ein Bediener die herausgenommenen Daten manuell korrigieren kann. Dies ist insbesondere nützlich, um eine effektive Korrektur zu erhalten, wenn das vollautomatische System nicht gut genug ist, insbesondere für ein spezielles Muster, oder wenn es wünschenswert ist, das optische Bild während eines Korrekturprozesses zu überwachen.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL 42

In dem Ausführungsbeispiel 2 oder 3, wie in Fig. 40A beschrieben, wird ein Korrekturprozeß durchgeführt, nachdem die Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Datenblöcken unterteilt und ein Pufferbereich 402 um jeden Datenblock 401 angeordnet ist. Danach werden in dem Datenexpansionsprozeß (Schritt S7), falls der Pufferbereich um jeden Datenblock wie in Fig. 40B gezeigt entfernt ist und die korrigierten Daten, die keinen Pufferbereich enthalten, gespeichert sind, die Daten zur Expansion zugelassen, wie dies in Fig. 40C gezeigt ist, mit effektiver komprimierten korrigierten Daten.

Ein Verfahren zum Korrigieren von Lichtannäherungseffekten umfaßt die Schritte:
Komprimieren von Entwurfsdaten eines Schaltkreismusters (Schritt S1), Erzeugen eines Projektionsbildes, das während eines Prozesses des Übertragens eines Musters auf einen Wafer gebildet wird, wobei das Projektionsbild entsprechend den Entwurfsdaten erzeugt wird (Schritt S2), Vorbestimmen der Größe des Übertragungsmusters, wobei die Vorbestimmung anhand des Projektionsbildes durchgeführt wird (Schritt S3), Berechnen des Unterschieds zwischen der vorbestimmten Größe des Übertragungsmusters und der durch die Entwurfsdaten bestimmten Mustergröße (Schritt S4), Korrigieren der komprimierten Entwurfsdaten um ein Ausmaß gleich der vorstehend beschriebenen Differenz (Schritt S5), Entscheiden, ob das Korrekturausmaß innerhalb eines zulässigen Bereichs liegt (Schritt S6), Expandieren der korrigierten Daten, nachdem das Korrekturausmaß innerhalb des zulässigen Bereichs liegt (Schritt S7), und Ausgeben der resultierenden Daten (Schritt S8).

Beschrieben ist ein Verfahren zum Korrigieren von Lichtannäherungseffekten mit den Schritten: Komprimieren von Entwurfsdaten eines Schaltkreismusters (Schritt S1), Erzeugen eines Projektionsbildes, das während eines Prozesses des Übertragens eines Musters auf einen Wafer gebildet wird, wobei das Projektionsbild entsprechend den Entwurfsdaten erzeugt wird (Schritt S2), Vorbestimmen der Größe des Übertragungsmusters, wobei die Vorbestimmung anhand des Projektionsbildes durchgeführt wird (Schritt S3), Berechnen des Unterschieds zwischen der vorbestimmten Größe des Übertragungsmusters und der durch die Entwurfsdaten bestimmten Mustergröße (Schritt S4), Korrigieren der komprimierten Entwurfsdaten um ein Ausmaß gleich der vorstehend beschriebenen Differenz (Schritt S5), Entscheiden, ob das Korrekturausmaß innerhalb eines zulässigen Bereichs liegt (Schritt S6), Expandieren der korrigierten Daten, nachdem das Korrekturausmaß innerhalb des zulässigen Bereichs liegt (Schritt S7), und Ausgeben der resultierenden Daten (Schritt S8).

Claims

1 Lichtannäherungs-Korrektursystem mit:
einer Entwurfsdaten-Eingabeeinheit zum Eingeben von Entwurfsdaten eines Schaltkreismusters,
einer Datenkompressionseinheit zum Komprimieren der über die Entwurfsdaten-Eingabeeinheit eingegebenen Entwurfsdaten,
einer Einrichtung zum Bilden eines optischen Bildes, um ein optisches Projektionsbild zu erzeugen, das zum Übertragen eines Musters auf einen Wafer entsprechend den über die Entwurfsdaten-Eingabeeinheit eingegebenen Entwurfsdaten verwendet wird,
einer Vorbestimmungseinheit zum Vorbestimmen der Größe des Musters, das auf den Wafer übertragen wird, wobei die Vorbestimmung auf der Basis des Projektionsbildes durchgeführt wird, das durch die Einheit zum Bilden eines optischen Bildes erzeugt ist,
einer Vergleichseinheit zum Berechnen des Unterschieds zwischen der Größe des durch die Vorbestimmungseinheit vorbestimmten Übertragungsmusters und der Größe des durch die über die Entwurfsdaten- Eingabeeinheit eingegebenen Entwurfsdaten bestimmten Musters,
einer Korrektureinheit zum Korrigieren der durch die Datenkompressionseinheit komprimierten Entwurfsdaten um ein Ausmaß gleich der durch die Vergleichseinheit bestimmten Differenz,
einer Datenexpansionseinheit zum Expandieren der durch die Korrektureinheit korrigierten Daten, und
einer Korrekturdaten-Ausgabeeinheit zum Ausgeben der durch die Datenexpansionseinheit expandierten Daten.

2. System nach Anspruch 1, mit einer Entscheidungseinrichtung zum Entscheiden, ob das Korrekturausmaß, das von der Korrektureinheit verwendet wird, innerhalb eines zulässigen Bereichs liegt, und zum Veranlassen der Einheit zum Bilden eines optischen Bildes das Projektionsbild erneut entsprechend den korrigierten Daten zu erzeugen, falls das Korrekturausmaß nicht innerhalb des zulässigen Bereichs liegt, wohingegen die Entscheidungseinheit die korrigierten Daten an die Datenexpansionseinheit ausgibt, falls das Korrekturausmaß innerhalb des zulässigen Bereichs liegt.

3. System nach Anspruch 1, wobei die Einheit zum Bilden eines optischen Bildes eine Zentraleinheit zum Bestimmen des Projektionsbildes mittels eines Berechnungsprozesses aufweist.

4. System nach Anspruch 3, wobei die Einheit zum Bilden eines optischen Bildes eine Vielzahl von Zentraleinheiten zum Aufteilen der Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Teilen und zum Durchführen des Berechnungsprozesses hinsichtlich der unterteilten Entwurfsdaten in paralleler Weise aufweist.

5. System nach Anspruch 1, wobei die Einheit zum Bilden eines optischen Bildes ein optisches System zum Messen des Projektionsbildes umfaßt.

6. System nach Anspruch 5, wobei die Einheit zum Bilden eines optischen Bildes eine Vielzahl von optischen Systemen zum Unterteilen der Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Teilen und zum Messen des Projektionsbildes entsprechend den unterteilten Entwurfsdaten in einer parallelen Weise aufweist.

7. System nach Anspruch 1, mit:
einer Master-Zentraleinheit, die die Datenkompressionseinheit, die Datenexpansionseinheit und die Korrekturdaten-Ausgabeeinheit bildet, wobei die Master-Zentraleinheit in der Lage ist, die Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Datenblöcken aufzuteilen und einen für alle Datenblöcke gleichen Prozeß durchzuführen, und
einer Vielzahl von Slave-Zentraleinheiten, die die Einheit zum Bilden eines optischen Bildes, die Vorbestimmungseinheit, die Vergleichseinheit und die Korrektureinheit bilden, wobei die Vielzahl von Slave- Zentraleinheiten in der Lage sind, die optischen Berechnungen hinsichtlich der entsprechenden Datenblöcke auf eine parallele Weise unter Verwendung des Ergebnisses des durch die Master-Zentraleinheit bereitgestellten gemeinsamen Prozesses durchzuführen und die Ergebnisse der Berechnungen an die Master-Zentraleinheit zu übermitteln.

8. Lichtannäherungs-Korrekturverfahren mit den Schritten:
Komprimieren von Entwurfsdaten eines Schaltkreismusters,
Bilden, entsprechend den Entwurfsdaten, eines optischen Projektionsbildes, das zur Übertragung eines Musters auf einen Wafer dient,
Vorbestimmen der Größe des Musters, das auf den Wafer übertragen werden wird, wobei die Vorbestimmung auf der Basis des in dem vorherigen Schritt gebildeten Projektionsbildes durchgeführt wird,
Korrigieren der Entwurfsdaten um ein Ausmaß gleich dem Unterschied zwischen der vorbestimmten Größe des Übertragungsmusters und der Größe des durch die Entwurfsdaten bestimmten Musters,
Expandieren der korrigierten Daten, und
Ausgeben der expandierten Daten.

9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Schritt des Komprimierens der Entwurfsdaten den Schritt des Unterteilens der Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Datenblöcken aufweist.

10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei ein Pufferbereich um jeden der Datenblöcke angeordnet ist.

11. Verfahren nach Anspruch 9, wobei entschieden wird, ob Musterelemente in jedem der Datenblöcke Seiten aufweisen, die voneinander um eine Entfernung entfernt sind, die gleich oder weniger als ein vorbestimmter Wert ist, und, falls solche Seiten in einem bestimmten Datenblock erfaßt werden, dieser Datenblock als ein Block berücksichtigt wird, der einem Korrekturprozeß unterzogen werden soll, wohingegen, falls keine solchen Seiten in einem Datenblock erfaßt werden, dieser Datenblock als ein Block berücksichtigt wird, der keinen Korrekturprozeß benötigt.

12. Verfahren nach Anspruch 9, wobei lediglich solche Datenblöcke, die eine Seite eines Musterelements aufweisen, dem Korrekturprozeß unterzogen werden, und Datenblöcke, die keine Seite eines Musterelements aufweisen, in dem Korrekturprozeß übergangen werden.

13. Verfahren nach Anspruch 9, wobei, falls eine Vielzahl von Datenblöcken ein identisches Musterelement aufweisen, lediglich einer dieser Datenblöcke dem Korrekturprozeß unterzogen wird, und das Korrekturergebnis auf die anderen dieser Datenblöcke angewandt wird.

14. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Datenblöcken derart unterteilt werden, daß die unterteilten Blöcke eine Periodizität gleich der Periodizität eines Speicherzellenmusters der Entwurfsdaten eines Speicherzellenfeldes aufweisen.

15. Verfahren nach Anspruch 9, wobei eine Vielzahl von Musterelementen, die in jedem der Datenblöcke jeweils aneinandergrenzen, zu einem Polygon zusammengefaßt werden.

16. Verfahren nach Anspruch 9, wobei, wenn eine Vielzahl von Musterelementen, die in jedem der Datenblöcke jeweils zueinander angrenzen, zusammengefaßt sind, falls das sich ergebende Muster einen Leerbereich innerhalb des Musters aufweist, das resultierende Muster als ein Musterelement, das den Außenumfang definiert, und als ein Musterelement beschrieben wird, das den inneren Leerraum definiert.

17. Verfahren nach Anspruch 9, wobei, wenn eine variable Lichtquelle in einem Belichtungsgerät verwendet wird, ein Lichtmaskierungsmuster mit einer Größe kleiner als eine der Drei-Lichtstrahl-Grenzfrequenz entsprechenden Periode in dem Korrekturprozeß übergangen wird.

18. Verfahren nach Anspruch 11, wobei, wenn eine variable Lichtquelle in einem Belichtungsgerät verwendet wird, falls Seiten voneinander um eine Entfernung getrennt sind, die gleich oder geringer als der vorbestimmte Wert ist, und die gleich oder größer als eine der Drei-Lichtstrahl-Grenzfrequenz entsprechenden Periode ist, diese Seiten durch Hinzufügen eines konstanten Korrekturausmaßes korrigiert werden.

19. Verfahren nach Anspruch 8, wobei dem Schritt des Vorbestimmens der Größe eines Übertragungsmusters eine Maskenkante von dem Projektionsbild durch Verwenden einer vorbestimmten Lichtintensität als ein Schwellwert vorbestimmt wird.

20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von der Lichtintensität nahe einer Seite eines zu korrigierenden Musters eingestellt wird.

21. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von der zweidimensionalen Lichtintensitätsverteilung nahe einer Seite eines zu korrigierenden Musters eingestellt wird.

22. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit davon eingestellt wird, ob ein Musterelement an eine Seite eines zu korrigierenden Musters angrenzt.

23. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von der Lichtintensität eines optischen Bildes unter einer Defokussierungsbedingung relativ zu der Lichtintensität des optischen Bildes unter einer optimalen Fokussierungsbedingung eingestellt wird.

24. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von der Reflexion eines zugrundeliegenden Substrats eingestellt wird, auf das ein Muster zu übertragen ist.

25. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von einer Stufe eingestellt wird, die auf einem zugrundeliegenden Substrat ausgebildet ist, auf das ein Muster zu übertragen ist.

26. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von einem Haloeffekt eingestellt wird, der auf der Oberfläche eines zugrundeliegenden Substrats auftritt, auf das ein Muster zu übertragen ist.

27. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Schutzlackmuster, das durch Belichtung eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster ausgebildet ist, und einem optischen Bild des Referenzmusters eingestellt wird, wobei das optische Bild anhand von Referenzmaskendaten berechnet wurde.

28. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Ätzmuster, das durch Belichten eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster und des weiteren durch Durchführen eines Ätzprozesses ausgebildet ist, und einem Ätzmuster, das von einem optischen Bild des Referenzmusters berechnet ist, eingestellt wird, wobei das optische Bild anhand von Referenzmaskendaten berechnet ist.

29. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Referenzmuster, das durch die Durchführung einer Elektronenstrahlbelichtung entsprechend Referenzmaskendaten ausgebildet ist, und einem Elektronenstrahl-Belichtungsmuster eingestellt wird, das von den Referenzmaskendaten berechnet ist.

30. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Referenzmuster, das durch Durchführen einer Laserstrahlbelichtung entsprechend Referenzmaskendaten ausgebildet ist, und einem Laserstrahlbelichtungsmuster eingestellt wird, das von den Referenzmaskendaten berechnet ist.

31. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Schutzlackmuster, das durch Belichten eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster ausgebildet ist, und einem optischen Bild eingestellt wird, das aus einer durch Messung des Referenzmusters erhaltenen Mustergröße berechnet ist.

32. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Ätzmuster, das durch Belichten eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster und weiterem Durchführen eines Ätzprozesses unter Verwendung des Schutzlackmusters ausgebildet ist, und eines Ätzmusters eingestellt wird, das von einer durch Messung des Schutzlackmusters erhaltenen Mustergröße berechnet ist.

33. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Schutzlackmuster, das durch Belichten eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster ausgebildet ist, wobei das Referenzmuster durch Durchführen einer Elektronenstrahlbelichtung gemäß Referenzmaskendaten ausgebildet ist, und einem optischen Bild eingestellt wird, das von einem Elektronenstrahlbelichtungsmuster berechnet ist, wobei das Elektronenstrahlbelichtungsmuster von den Referenzmaskendaten berechnet ist.

34. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Schutzlackmuster, das durch Belichten eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster gebildet ist, wobei das Referenzmuster durch Durchführen einer Laserstrahlbelichtung gemäß Referenzmaskendaten ausgebildet ist, und einem optischen Bild eingestellt wird, das von einem Laserstrahlbelichtungsmuster berechnet ist, wobei das Laserstrahlbelichtungsmuster von den Referenzmaskendaten berechnet ist.

35. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Ätzmuster, das durch Belichten eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster und weiter durch Durchführen eines Ätzprozesses gebildet ist, und einem Ätzmuster eingestellt wird, das von einem optischen Bild berechnet ist, wobei das optische Bild von einer Mustergröße berechnet ist, die durch Messen des Referenzmusters erhalten wurde.

36. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Ätzmuster, das durch Belichten eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster und weiter durch Durchführen eines Ätzprozesses gebildet ist, wobei das Referenzmuster durch Durchführen einer Elektronenstrahlbelichtung entsprechend Referenzmaskendaten gebildet ist, und einem Ätzmuster eingestellt wird, das von einem optischen Bild berechnet ist, wobei das optische Bild von einem Elektronenstrahlbelichtungsmuster berechnet ist, wobei das Elektronenstrahlbelichtungsmuster von den Referenzmaskendaten berechnet ist.

37. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schwellwert in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einem Ätzmuster, das durch Belichten eines Schutzlackes mit einem Referenzmuster und weiter durch Durchführen eines Ätzprozesses gebildet ist, wobei das Referenzmuster durch Durchführen einer Laserstrahlbelichtung entsprechend Referenzmaskendaten gebildet ist, und einem Ätzmuster eingestellt wird, das aus einem optischen Bild berechnet ist, wobei das optische Bild aus einem Laserstrahlbelichtungsmuster berechnet ist, wobei das Laserstrahlbelichtungsmuster aus den Referenzmaskendaten berechnet ist.

38. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Schritt des Vorbestimmens der Größe eines Übertragungsmusters die Schritte umfaßt:
Vorbestimmen einer Maskenkante von dem Projektionsbild durch Verwenden einer vorbestimmten Lichtintensität als ein Schwellwert,
Einstellen des Schwellwerts in Abhängigkeit von dem Gradienten des Projektionsbildes an der vorbestimmten Maskenkante, und
Vorbestimmen einer Maskenkante unter Verwendung des eingestellten Schwellwerts und dadurch
Vorbestimmen der Größe des Übertragungsmusters.

39. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Schritt des Vorbestimmens der Größe eines Übertragungsmusters die Schritte umfaßt:
Simulieren eines Entwicklungsprozesses eines Schutzlackes, der auf der Oberfläche eines Wafers angeordnet ist, und
Vorbestimmen der Größe des Übertragungsmusters anhand einer Kantenposition, die in dem Simulationsschritt erhalten wurde.

40. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Schritt des Vorbestimmens der Größe eines Übertragungsmusters die Schritte umfaßt:
Wandeln des Projektionsbildes in eine Entwicklungszeitverteilung, die zur Entwicklung eines Schutzlackes erforderlich ist, der auf der Oberfläche eines Wafers angeordnet ist,
Simulieren eines Entwicklungsprozesses durch Durchführen einer eindimensionalen Integration hinsichtlich der Entwicklungszeit, und
Vorbestimmen der Größe des Übertragungsmusters anhand einer Kantenposition, die in dem Simulationsschritt erhalten wurde.

41. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Schritt des Bildens eines Projektionsbildes den Schritt des Berechnens der Lichtintensität I an einem Punkt P(x, y) anhand von Lichtintensitäten an vier benachbarten Punkten Pi(xi, yi) (i = 1, 2, 3, 4) umfaßt, die so ausgewählt sind, daß der Punkt P(x, y) innerhalb eines durch die vier benachbarten Punkte Pi(xi, yi) (i = 1, 2, 3, 4) gebildeten Rechteckes liegt, wobei die Berechnung der Lichtintensität I an dem Punkt P(x, y) mittels einer Interpolation gemäß der nachstehenden Gleichungen durchgeführt wird: I = Σi(Wi·Ii), undWi = (1 - |xi - x|)(1 - |yi - y|).

42. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Schritt des Korrigierens der Entwurfsdaten den Schritt umfaßt:
Unterteilen einer zu korrigierenden Seite in einer Vielzahl von Segmenten derart, daß jeder Unterteilungspunkt zwei Daten aufweist, so daß zwei Segmente, die sich einen Unterteilungspunkt teilen, ihr jeweils eigenes Datum haben.

43. Verfahren nach Anspruch 8, wobei in dem Schritt des Korrigierens der Entwurfsdaten jede Seite in einer Richtung senkrecht zu jeder Seite korrigiert wird.

44. Verfahren nach Anspruch 8, wobei in dem Schritt des Korrigierens der Entwurfsdaten, falls der Gradient des Projektionsbildes an einer Seite eines Musterelements kleiner als ein vorbestimmter Wert ist, diese Seite übersprungen wird, so daß diese Seite dem Korrekturprozeß nicht unterzogen wird.

45. Verfahren nach Anspruch 8, wobei in dem Schritt des Korrigierens der Entwurfsdaten, falls die Lichtintensität des Projektionsbildes an einer Seite eines Musterelements kleiner als ein vorbestimmter Wert ist, diese Seite übersprungen wird, so daß diese Seite dem Korrekturprozeß nicht unterzogen wird.

46. Verfahren nach Anspruch 8, wobei in dem Schritt des Korrigierens der Entwurfsdaten ein oberer Grenzwert eines Korrekturausmaßes eingestellt wird, und falls erfaßt wird, daß ein berechnetes Korrekturausmaß größer als ein oberer Grenzwert ist, die Korrektur derart durchgeführt wird, daß das Korrekturausmaß gleich dem oberen Grenzwert ist.

47. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Schritt des Korrigierens der Entwurfsdaten die Schritte umfaßt:
Korrigieren jeder Seite eines Musterelements, das korrigiert werden soll, und dann
Entfernen von redundanten Punkten, die auf der gleichen Linie liegen.

48. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Schritt des Korrigierens der Entwurfsdaten die Schritte umfaßt:
Getrenntes Korrigieren sämtlicher Seiten, die korrigiert werden sollen,
Entscheiden, ob die Korrekturausmaße innerhalb eines zulässigen Bereichs liegen,
Erneutes Bilden eines Projektionsbildes entsprechend den korrigierten Daten, falls ein Korrekturausmaß nicht innerhalb des zulässigen Bereichs liegt, und
Expandieren der korrigierten Daten und Ausgeben der resultierenden Daten, falls die Korrekturausmaße innerhalb des zulässigen Bereichs liegen.

49. Verfahren nach Anspruch 48, wobei der Schritt des Komprimierens der Entwurfsdaten die Schritte umfaßt:
Unterteilen der Entwurfsdaten in eine Vielzahl von Datenblöcken,
Beurteilen des Korrekturausmaßes für jeden Datenblock,
Herausziehen eines Datenblocks, der ein Korrekturausmaß aufweist, das nicht innerhalb eines zulässigen Bereichs liegt, und Speichern des herausgezogenen Datenblocks in eine separate Datei, und
Erneutes Durchführen der Korrektur hinsichtlich der herausgezogenen Datenblöcke entsprechend den korrigierten Daten.

50. Verfahren nach Anspruch 49, wobei:
Die Maskendaten des in die getrennte Datei herausgezogenen Datenblocks manuell korrigiert werden,
ein Projektionsbild unter Verwendung der manuell korrigierten Daten gebildet wird,
anhand des Projektionsbildes bestimmt wird, ob eine weitere Korrektur erforderlich ist,
falls geschlossen wurde, daß eine weitere Korrektur erforderlich ist, wiederholtes Durchführen der Verarbeitung inklusive der manuellen Korrektur, Bilden eines Projektionsbildes und Beurteilen, bis geschlossen wird, daß eine weitere Korrektur nicht erforderlich ist,
wobei die korrigierten Daten, die eine weitere Korrektur nicht benötigen, expandiert und dann ausgegeben werden.

51. Verfahren nach Anspruch 10, wobei in dem Schritt des Expandierens der korrigierten Daten die Expansion der korrigierten Daten nach Entfernen der Pufferbereiche, die um individuelle Datenblöcke angeordnet sind, durchgeführt wird.

52. Verfahren zum Bilden eines Musters mit den Schritten:
Korrigieren des Lichtannäherungseffekts, der während eines Prozesses zum Übertragen eines Musters auf einen Wafer auftritt, wobei die Korrektur des Lichtannäherungseffekts auf der Basis von Entwurfsdaten eines Schaltkreismusters durchgeführt wird, wodurch korrigierte Daten erzeugt werden,
Durchführen einer Elektronenstrahlbelichtung entsprechend den korrigierten Daten und dabei Erzeugen eines Maskenmusters,
Durchführen einer Belichtung mit Licht über das Maskenmuster und dabei Übertragen des Maskenmusters auf einen Wafer, und
Bearbeiten des Wafers unter Verwendung des übertragenen Maskenmusters.