DE19609439A1 - Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt und Sputtering-Targets aus hochreinem Kobalt - Google Patents

Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt und Sputtering-Targets aus hochreinem Kobalt

Info

Publication number
DE19609439A1
DE19609439A1 DE19609439A DE19609439A DE19609439A1 DE 19609439 A1 DE19609439 A1 DE 19609439A1 DE 19609439 A DE19609439 A DE 19609439A DE 19609439 A DE19609439 A DE 19609439A DE 19609439 A1 DE19609439 A1 DE 19609439A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cobalt
less
ppm
content
anion exchange
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19609439A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichiro Shindo
Tsuneo Suzuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eneos Corp
Original Assignee
Japan Energy Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8083195A external-priority patent/JPH08253888A/ja
Priority claimed from JP8060362A external-priority patent/JP3065242B2/ja
Application filed by Japan Energy Corp filed Critical Japan Energy Corp
Publication of DE19609439A1 publication Critical patent/DE19609439A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3491Manufacturing of targets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25CPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C1/00Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions
    • C25C1/06Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions or iron group metals, refractory metals or manganese
    • C25C1/08Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions or iron group metals, refractory metals or manganese of nickel or cobalt

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt sowie ein unter Verwendung von letzterem hergestelltes Sputtering-Target aus hochrei­ nem Kobalt. Das erfindungsgemäß hergestellte hochreine Kobalt hat einen hohen Rein­ heitsgrad und weist insbesondere minimale Mengen an Alkalimetallelementen, radio­ aktiven Elementen und Übergangsmetallelementen auf. Es enthält ferner nur minimale Mengen an Gas oder an vergasungsfähigen Komponenten, und es eignet sich zur Ver­ wendung als Targetwerkstoff, zur Bildung von VLSI-Elektroden und -Leitern oder -Verdrahtungen, verschiedenen Filmen und dergleichen.
Polysilizium wurde bisher in Elektroden oder Leitern von LSI-Halbleiteranordnungen verwendet. Im Zuge der Tendenz zu höherer Integration von LSI-Halbleiteranordnungen wurden in großem Umfang Silizide von Molybdän, Wolfram und dergleichen einge­ setzt. Derzeit erfährt die praktische Verwendung von Siliziden von Titan und Kobalt zunehmende Aufmerksamkeit. Auch Versuche, Kobalt als Leiter oder Verdrahtungen anstelle von bisher benutztem Aluminium oder Aluminiumlegierungen nehmen zu. Die Elektroden, Leiter oder Verdrahtungen aus Kobalt oder Kobalt-Silizid werden typi­ scherweise ausgebildet, indem ein Kobalttarget in einer Argonatmosphäre zerstäubt wird.
Es ist wichtig, daß Halbleiterbauteile nach dem Zerstäuben (Sputtern) für Halbleiter­ anordnungen schädliche Metallverunreinigungen nur in minimalen Mengen enthalten. Das heißt, es ist wesentlich, daß (1) Alkalimetalle, wie Na, K und dergleichen, (2) radioaktive Elemente, wie U, Th und dergleichen, sowie (3) Übergangsmetalle, wie Fe, Ni, Cr und dergleichen, bis auf ein Minimum eliminiert werden.
Alkalimetalle, wie Na, K und dergleichen, bewegen sich leicht in Gate-Isolierfilmen, und sie können Verschlechterungen von MOS-LSI-Grenzschichteigenschaften bewir­ ken. Radioaktive Elemente, wie U, Th und dergleichen, können Softfehler von Vorrich­ tungselementen aufgrund von Alpha-Strahlen verursachen, die von diesen radioaktiven Elementen emittiert werden. Schwere Metalle, wie Fe, Ni, Cr und dergleichen, können zu Schwierigkeiten bei einem Anschluß an der Grenzschicht führen.
Handelsüblich verfügbares Kobalt, sogenanntes Roh-Stückkobalt, enthält mehrere zig ppm Fe und mehrere 1 ppm Ni als Verunreinigungen. Als Verfahren zur Herstel­ lung von hochreinem Kobalt aus solchem Rohkobalt kommt in erster Linie ein elektro­ lytisches Raffinieren in Betracht. Beim elektrolytischen Raffinieren ist jedoch eine hochgradige Reinigung mit dem normalen elektrolytischen Raffiniervorgang schwierig, weil die Standard-Elektroden-Potentiale der Verunreinigungen Ni und Fe und das Stan­ dard-Elektroden-Potential von Co sehr nahe beieinanderliegen. Um beim elektrolyti­ schen Raffinieren für eine hochgradige Reinigung zu sorgen, muß diese durchgeführt werden, während die Verunreinigungen im Elektrolyten durch einen Lösungsmittel- Extraktionsprozeß oder dergleichen beseitigt werden, d. h., während die Konzentrationen an Ni und Fe in dem Elektrolyten im Mittel auf nicht mehr als 1,3 mg/l (Liter) bzw. nicht mehr als 0,1 mg/l gehalten werden, wenn die Co-Konzentration im Elektrolyten 40 bis 60 g/l beträgt. Dies erfordert eine sehr genaue Steuerung oder Regelung. Zum Be­ seitigen von Ni durch Lösungsmittelextraktion ist ferner ein spezielles Lösungsmittel, wie ALKYLOXYM und andere, notwendig, und es wird auch eine komplexe Arbeits­ weise erforderlich, weil Kobalt mit extrahiert wird. Außerdem besteht das Problem, daß das extrahierende Lösungsmittel in dem Elektrolyten gelöst wird und dadurch Verluste eintreten.
Ein weiteres Problem besteht darin, daß sich zuweilen elektrochemisch abgeschiedenes Kobalt von einem Kathodenblech abschält. Es treten auch Fälle auf, in denen es sich als schwierig erweist, die Gehalte von Gaskomponenten (worunter vorliegend sowohl gas­ förmige Komponenten als auch vergasungsfähige Komponenten verstanden werden sollen), wie Kohlenstoff, Sauerstoff und andere, zu senken. Solche Gaskomponenten, wie C, O und dergleichen, werden als unerwünscht angesehen, da mit ihnen eine Parti­ kelerzeugung verbunden ist, wenn solches Kobalt als Sputtering-Target verwendet wird.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, das in der Lage ist, auf stabile und unkomplizierte Weise ein hochreines Kobalt mit einem Reinheitsgrad von 5N (99,999%, im folgenden einfach als 5N bezeichnet) oder höher zu erzeugen, das minimale Mengen an Alkalimetallelementen, radioaktiven Elementen und Übergangsmetallelementen enthält und das sich für die Erzeugung von Sputtering- Targets und andere Anwendungen eignet.
Mit der vorliegenden Erfindung soll ferner ein Verfahren geschaffen werden das auf stabile und leichte Weise hochreines Kobalt erzeugen kann, das Reinheitsgrade von 5N oder höher hat und das nicht nur minimale Mengen an Alkalimetallelementen radio­ aktiven Elementen und Übergangsmetall sondern auch minimale Mengen an Gaskomponenten und anderen Verunreinigungen enthält und das sich für die Herstel­ lung von Sputtering-Targets und andere Anwendungen eignet.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Sputtering-Targets aus hochrei­ nem Kobalt mit einem Reinheitsgrad von 5N oder höher, das nicht nur minimale Men­ gen an Alkalimetallelementen, radioaktiven Elementen und Übergangsmetallelementen, sondern auch minimale Mengen an Gaskomponenten und anderen Verunreinigungen enthält.
Es wurde gefunden, daß durch Kombination eines Anionen-Austausch-Prozesses und eines elektrolytischen Raffinationsprozesses, gegebenenfalls weiter kombiniert mit einem Vakuum-Schmelzprozeß, ein hochreines Kobalt auf stabile und einfache Weise mit niedrigen Kosten und auf Massenproduktionsbasis hergestellt werden kann.
Mit der Erfindung wird insbesondere ein Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt geschaffen, bei dem:
  • a) eine wäßrige Lösung von Kobaltchlorid, die eine Chlorwasserstoffsäure-Konzen­ tration von 7 bis 12N hat und mindestens Fe und/oder Ni als Verunreinigung ent­ hält, mit einem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht wird, so daß Kobalt von dem Anionenaustauscherharz adsorbiert wird;
  • b) das Kobalt unter Verwendung von Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von 1 bis 6N als Elutionslösung eluiert wird;
  • c) die eluiertes Kobalt enthaltende Lösung verdampft und getrocknet oder auf andere Weise konzentriert wird und eine gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid mit einem pH-Wert von 0 bis 6 erzeugt wird; und
  • d) eine elektrolytische Raffination unter Verwendung der gereinigten wäßrigen Lö­ sung als Elektrolyt durchgeführt wird, um elektrochemisch abgeschiedenes Kobalt zu erhalten.
Es zeigte sich, daß bei dem vorstehend skizzierten kombinierten Verfahren aus Anionenaustauschprozeß und elektrolytischem Raffinationsprozeß nach und nach ge­ wisse organische Stoffe aus dem Anionenaustauscherharz in die Elutionslösung gelan­ gen, beispielsweise während des Einmischens in einen Elektrolyten, wobei sie ihrerseits möglicherweise in ein aus elektrochemisch abgeschiedenem Kobalt erzeugtes Target oder dergleichen als Gaskomponenten, beispielsweise Kohlenstoff, Sauerstoff und der­ gleichen, gelangen. Es zeigte sich, daß durch Kombination eines Anionenaustausch-Pro­ zesses und eines elekrolytischen Raffinationsprozesses unter Einschluß einer Aktiv­ kohle-Behandlung, gegebenenfalls ferner kombiniert mit einem Vakuumschmelzprozeß, ein insbesondere für Sputtering-Targets geeignetes hochreines Kobalt auf stabile und einfache Weise mit niedrigen Kosten und auf Massenproduktions-Basis hergestellt wer­ den kann, wobei dieses Kobalt nicht nur einen besonders niedrigen Gehalt an Alkali­ metallelementen, radioaktiven Elementen und Übergangsmetallelementen, sondern auch einen besonders niedrigen Gehalt an Gaskomponenten hat.
Basierend auf diesen Erkenntnissen wird mit der Erfindung ferner ein Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt geschaffen, bei dem:
  • a) eine wäßrige Lösung von Kobaltchlorid, die eine Chlorwasserstoffsäure-Konzen­ tration von 7 bis 12N hat und mindestens Fe und/oder Ni als Verunreinigung ent­ hält, mit einem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht wird, so daß Kobalt von dem Anionenaustauscherharz adsorbiert wird;
  • b) das Kobalt unter Verwendung von Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von 1 bis 6N als Elutionslösung eluiert wird;
  • c) die eluiertes Kobalt enthaltende Lösung verdampft und getrocknet oder auf andere Weise konzentriert wird und eine gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid mit einem pH-Wert von 0 bis 6 erzeugt wird;
  • d) in der gereinigten wäßrigen Lösung von Kobaltchlorid vorhandene organische Stoffe durch Behandlung mit Aktivkohle beseitigt werden; und
  • e) eine elektrolytische Raffination unter Verwendung der gereinigten wäßrigen Lö­ sung als Elektrolyt durchgeführt wird, um elektrochemisch abgeschiedenes Kobalt zu erhalten.
Insbesondere wird mit der vorliegenden Erfindung auch ein Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt geschaffen, bei dem:
  • a) eine wäßrige Lösung von Kobaltchlorid, die eine Chlorwasserstoffsäure-Konzen­ tration von 7 bis 12N hat und mindestens Fe und/oder Ni, Alkalimetalle, wie Na und K, sowie radioaktive Metalle, wie U und Th, als Verunreinigungen enthält, mit einem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht wird, so daß Kobalt sowie Fe und U von dem Anionenaustauscherharz adsorbiert werden;
  • b) das Kobalt unter Verwendung von Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von 1 bis 6N als Elutionslösung eluiert wird;
  • 5 c) die eluiertes Kobalt enthaltende Lösung verdampft und getrocknet oder auf andere Weise konzentriert wird und eine gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid mit einem pH-Wert von 0 bis 6 erzeugt wird;
  • d) in der gereinigten wäßrigen Lösung von Kobaltchlorid vorhandene, von dem Anionenaustauscherharz abgeleitete organische Stoffe durch Behandlung mit Aktivkohle beseitigt werden; und
  • e) eine elektrolytische Raffination unter Verwendung der gereinigten wäßrigen Lö­ sung als Elektrolyt durchgeführt wird, um elektrochemisch abgeschiedenes Kobalt zu erhalten.
Weil die Möglichkeit besteht, daß Verunreinigungen, wie Fe, in der Aktivkohle in erheblicher Menge enthalten sind, wird in einem solchen Fall die Aktivkohle vorzugs­ weise mit einer Säure vorbehandelt.
In dem vorstehend genannten Verfahren werden bei dem elektrolytischen Raffinieren vorzugsweise Anode und Kathode durch eine Zwischenwand oder eine Anionenaustau­ schermembran getrennt, und die gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid wird in die Kathodenseite mindestens intermittierend eingegeben, während der Anolyt minde­ stens intermittierend abgezogen wird. Vorzugsweise wird ferner der abgezogene Anolyt zwecks Wiederverwendung mit dem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht, nachdem seine Chlorwasserstoffsäure auf 7 bis 12N eingestellt wurde.
Vorteilhafterweise wird das elektrochemisch abgeschiedene Kobalt in einem Vakuum­ schmelzverfahren, beispielsweise einem Elektronenstrahl-Schmelzverfähren oder der­ gleichen, geschmolzen, um darin enthaltene kleinere Mengen an flüchtigen Elementen, wie Na, K und dergleichen, zu entfernen.
Mit der vorliegenden Erfindung wird ferner ein Sputtering-Target aus hochreinem Ko­ balt geschaffen, bei dem der Na-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der K-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der Fe-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Ni-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Cr-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der U-Gehalt 0,01 ppb oder weniger beträgt; der Th-Gehalt 0,01 ppb oder weniger beträgt; der C-Gehalt 50 ppm oder weniger beträgt; und der O-Gehalt 100 ppm oder weniger be­ trägt, und bei dem der Rest aus Kobalt und unvermeidbaren Verunreinigungen besteht. Mit der Erfindung wird des weiteren ein Sputtering-Target aus hochreinem Kobalt ge­ schaffen, bei dem der Na-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der K-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der Fe-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Ni-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Cr-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der U-Gehalt 0,0 1 ppb oder weniger beträgt; der Th-Gehalt 0,01 ppb oder weniger beträgt; der C-Gehalt 10 ppm oder weniger beträgt; und der O-Gehalt 100 ppm oder weniger beträgt, und bei dem der Rest aus Kobalt und unvermeidbaren Verunreinigungen besteht.
Die vorliegend verwendete wäßrige Lösung von Kobaltchlorid ist nicht näher spezifi­ ziert. Im allgemeinen handelt es sich dabei um eine Lösung, die dadurch erhalten wird, daß handelsüblich verfügbares Rohkobalt, das mehrere zig ppm Fe und mehrere 100 ppm Ni als Verunreinigungen enthält, in Chlorwasserstoffsäure gelöst wird.
Die zum Lösen des Rohkobalts verwendete Chlorwasserstoffsäure ist keinen besonderen Beschränkungen unterworfen; es kann selbst industrielle Chlorwasserstoffsäure niedri­ ger Reinheit benutzt werden. Der Grund dafür liegt darin, daß in Chlorwasserstoffsäure enthaltene Verunreinigungen zusammen mit Verunreinigungen im Kobalt durch das vorliegende Verfähren beseitigt werden können.
Eine zum Auflösen von Kobalt vorgesehene Einrichtung ist zweckmäßig mit einer Kühltrommel oder einem Kühlmantel sowie mit einer Anordnung zur Rückgewinnung von Chlorwasserstoffgas ausgestattet, um von der Chlorwasserstoffsäure effektiven Ge­ brauch zu machen. Für die Einrichtung können Werkstoffe wie Quarz, Graphit, Teflon (Warenzeichen der DuPont Company), Polyethylen oder andere Polymere benutzt werden.
Die Temperatur, bei welcher das Schmelzen durchgeführt wird, liegt im Bereich von 50 bis 100°C, vorzugsweise im Bereich von 80 bis 95°C. Bei Temperaturen unter 50°C ist die Schmelzgeschwindigkeit zu niedrig, während andererseits bei Temperaturen über 100°C eine heftige Verdampfung auftritt, die mit großen Verlusten der Lösung verbun­ den ist.
Die Konzentration der Chlorwasserstoffsäure in der wäßrigen Kobaltchloridlösung wird vorzugsweise auf einen Endwert von 7 bis 12N eingestellt. Wenn sie beim Ionenaus­ tausch unter 7N oder über 12N liegt, wird Kobalt kaum adsorbiert. Vorzugsweise liegt die Kobaltkonzentration im Bereich von 10 bis 70 g/l. Wenn die Kobaltkonzentration kleiner als 10 g/l ist, wird eine große Menge an Chlorwasserstoffsäure benötigt was zu erhöhten Kosten führt. Liegt andererseits die Kobaltkonzentration über 70 g/l, tritt bei der die höhere Chlorwasserstoffsäurekonzentration aufweisenden Lösung das Ausfällen von Kobaltchlorid bei Raumtemperatur, d. h. bei etwa 20°C, auf, was nicht zu bevorzu­ gen ist.
Bei dem Anionenaustausch unter Verwendung der obengenannten wäßrigen Kobalt­ chloridlösung läßt man Kobalt auf dem Anionenaustauscherharz adsorbieren. Hinsicht­ lich des vorliegend verwendeten Harzes bestehen keine besonderen Beschränkungen, solange es sich nur um ein Anionenaustauscherharz handelt. Beispiele für brauchbare Anionenaustauscherharze sind DOWEX 1 × 8 und DOWEX 2 × 8 (hergestellt von der Fa. MUROMACHI KAGAKU K.K.), DIAION SA10 und dergleichen.
Kobalt bildet einen Chloridkomplex in Chlorwasserstoffsäure hoher Konzentration, und es liegt als Anion vor. Aus diesem Grund läßt man Kobalt auf dem Anionenaustau­ scherharz adsorbieren. Fe und U weisen ein ähnliches Verhalten wie Kobalt auf und man läßt sie gleichfalls auf dem Anionenaustauscherharz adsorbieren. Ni, Alkalimetalle, wie Na, K und dergleichen, sowie Th als Hauptverunreinigungen bilden jedoch keinen Chloridkomplex. Daher werden sie auf dem Harz nicht adsorbiert, und sie strömen aus der Harzkolonne aus.
Um in der Harzkolonne zurückbleibende Verunreinigungen zu eliminieren, wird das Harz unter Verwendung von Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von 7 bis 12N gewaschen. Außerhalb dieses Konzentrationsbereichs wird möglicherweise Kobalt in unerwünschter Weise eluiert, weil die Bindung von Kobalt an das Anionenaustau­ scherharz schwach ist. Um nur auf dem Anionenaustauscherharz adsorbiertes Kobalt zu eluieren, wird dann als Elutionslösung Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von 1 bis 6N, vorzugsweise 3 bis 4N, benutzt. Unterhalb einer Konzentration von IN werden Fe und U, die als Verunreinigungen gleichfalls adsorbiert wurden, in uner­ wünschter Weise zusammen mit Co eluiert. Oberhalb einer Konzentration von 6N wird das Eluieren von Co von dem Harz schwierig, und die Menge der verwendeten Chlor­ wasserstoffsäure wird unerwünscht groß.
Fe und U, die auf dem Anionenaustauscherharz adsorbiert bleiben, können dann leicht durch Verwendung von Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von weniger als IN eluiert werden. Infolgedessen läßt sich das Anionenaustauscherharz regenerieren indem die Elution von Fe und U in einer zweckentsprechenden Stufe unter Berücksich­ tigung des Adsorptionsvermögens des verwendeten Anionenaustauscherharzes und an­ derer Faktoren durchgeführt wird.
Die wäßrige Kobaltchloridlösung mit eluiertem Kobalt kann als solche nicht für eine elektrolytische Raffination verwendet werden, weil die Konzentration der Chlorwasser­ stoffsäure zu hoch ist. Die wäßrige Kobaltchloridlösung, in der sich eluiertes Kobalt befindet, wird daher bis zum Trockenzustand eingedampft oder in anderer Weise kon­ zentriert, worauf Wasser zugesetzt wird, um eine gereinigte wäßrige Lösung von Ko­ baltchlorid herzustellen, die einen pH-Wert von 0 bis 6 hat und die als Elektrolyt ver­ wendet wird.
Es empfiehlt sich, die Verdampfung bis zum Trockenzustand oder die Konzentration unter Verwendung einer rotierenden Verdampfungsvorrichtung oder dergleichen vorzu­ nehmen. Die Temperatur für das Eindampfen bis zum Trockenzustand oder für die Konzentration soll nicht unter 80°C und vorzugsweise nicht unter 100°C liegen. Wenn die Temperatur niedriger als 80°C ist, wird die für die Verdampfung bis zum Trocken­ zustand oder für die Konzentration erforderliche Zeitspanne übermäßig lang. Die für das Verdampfen zum Trockenzustand oder für die Konzentration benötigte Zeitspanne läßt sich verkürzen, indem das Verfahren unter einem leichten Unterdruck unter Verwen­ dung eines Aspirators oder dergleichen durchgeführt wird. Als Werkstoff für die Ein­ richtung zum Verdampfen bis zum Trockenzustand oder für die Konzentration eignet sich insbesondere Quarz, Graphit, Teflon (Warenzeichen der DuPont Company) oder dergleichen. Das erzeugte Chlorwasserstoffgas wird gekühlt und kondensiert, um beim Schmelzen des Kobalts oder beim Anionenaustausch wieder verwendet zu werden.
Es besteht auch die Möglichkeit, daß organische Stoffe in dem Anionenaustauscherharz (Styrol, Divinylbenzol, Amine und andere) nach und nach in den Prozeß austreten und sich mit der Lösung mischen. In einem solchen Fall wird eine Aktivkohle-Behandlung durchgeführt, um solche organische Stoffe zu beseitigen. Aktivkohle enthält möglicher­ weise Verunreinigungen, wie Fe und dergleichen. Vorzugsweise wird die Aktivkohle daher zuvor mit Säure behandelt, um die Verunreinigungen bei der Verwendung von Chlorwasserstoffsäure oder dergleichen auszuwaschen. Aktivkohle steht in Form von Partikeln, Fasern, Pulver und dergleichen zur Verfügung. Jede dieser Formen läßt sich verwenden, solange Verunreinigungen, wie Fe und dergleichen, nicht eingeschlossen sind.
Die Aktivkohlebehandlung erfolgt normalerweise nach dem Verdampfen und Trocknen oder Konzentrieren der eluiertes Kobalt enthaltenden wäßrigen Kobaltchloridlösung worauf Wasser zur Einstellung des pH-Wertes auf 0 bis 6 zugesetzt wird. Die Verfah­ rensschritte brauchen jedoch nicht notwendigerweise in dieser Reihenfolge durchgeführt zu werden. Die Aktivkohlebehandlung kann zu einem beliebigen Zeitpunkt von der Kobaltelution bis zur elektrolytischen Raffination erfolgen.
Der pH-Wert der so hergestellten wäßrigen Kobaltchloridlösung wird zur Verwendung als Elektrolyt auf einen Wert von 0 bis 6, vorzugsweise von 1 bis 4, eingestellt. Wenn der pH-Wert unter 0 liegt, wird die Menge des entwickelten Wasserstoffs größer, und der Stromwirkungsgrad wird in unerwünschter Weise gesenkt. Ein pH-Wert von mehr als 6 wird nicht bevorzugt, weil Kobalt als Kobalthydroxid ausfällt.
Die Kobaltkonzentration wird in dem Elektrolyten während der elektrolytischen Raffi­ nation bei 10 bis 160 g/l, vorzugsweise 30 bis 130 g/l, gehalten. Eine Kobaltkonzentra­ tion von weniger als 10 g/l wird nicht bevorzugt, weil die Menge an entwickeltem Was­ serstoff größer wird, was mit einem niedrigeren Stromwirkungsgrad einhergeht; außer­ dem steigen die Konzentrationen der Verunreinigungen in dem elektrochemisch abge­ schiedenen Kobalt an. Wenn die Kobaltkonzentration über 160 g/l liegt, fällt Kobalt­ chlorid aus, was einen unerwünschten Einfluß auf die elektrochemische Abscheidung hat.
Die Stromdichte sollte im Bereich von 0,001 bis 0,1 A/cm² liegen. Die Verwendung einer Stromdichte von weniger als 0,001 A/cm² senkt die Produktivität; sie ist nicht effizient. Liegt die Stromdichte bei mehr als 0,1 A/cm², steigen die Verunreinigungs­ konzentrationen in dem elektrochemisch abgeschiedenen Kobalt an; außerdem wird der Stromwirkungsgrund in unerwünschter Weise gesenkt.
Die Temperatur für die elektrolytische Raffination liegt im Bereich von 10 bis 90°C und vorzugsweise im Bereich von 35 bis 55°C. Unter 10°C nimmt der Stromwir­ kungsgrad ab. Oberhalb von 90°C wird die Verdampfung des Elektrolyten in uner­ wünschter Weise heftig.
Ein Rohkobalt wird als Anode benutzt. Als Kathode kann ein Blech aus Kobalt, Titan oder dergleichen verwendet werden.
Zu den für die elektrolytische Zelle geeigneten Werkstoffen gehören Vinylchlorid, Polypropylen und Polyethylen.
Vorzugsweise werden bei der elektrolytischen Raffination die Anode und die Kathode durch eine Zwischenwand oder eine Anionenaustauschermembran voneinander ge­ trennt, und die gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid (die den Katholyten bildet) wird in die Kathodenseite mindestens intermittierend eingegeben, während der Anolyt mindestens intermittierend abgezogen wird, so daß aus der Anode herausgelöste Verun­ reinigungen nicht in die Kathodenseite eintreten. Die Menge des zugesetzten Katholyten ist vorzugsweise mindestens gleich der Menge des abgezogenen Anolyten.
Es bestehen keine besonderen Beschränkungen hinsichtlich der verwendeten Zwi­ schenwand oder Anionenaustauschermembran. Für die Zwischenwand eignen sich unter anderem "FILTER CLOTH PP-2020 und PP-100" (hergestellt von der Firma YASU­ ZUMI ROSHI K.K.), "TEBIRON 1010" und dergleichen. Als Anionenaustauscher­ membran können unter anderem "AIONACK MA-3475" (hergestellt von der Firma MUROMACHI KAGAKU K.K.) und dergleichen verwendet werden.
Der abgezogene Anolyt kann umgewälzt werden, um wiederverwendet zu werden, nachdem seine Chlorwasserstoffsäure-Konzentration auf 7 bis 12N eingestellt ist, wor­ auf er mit dem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht wird. Auf diese Weise kann die elektrolytische Raffination kontinuierlich durchgeführt werden.
Unter dem Begriff "mindestens intermittierend" soll vorliegend "kontinuierlich oder in Intervallen" verstanden werden.
Durch die elektrolytische Raffination werden kleinere Mengen der radioaktiven Ele­ mente, wie U, Th, die in dem Elektrolyten verbleiben, von Kobalt abgetrennt.
Das gewonnene, elektrochemisch abgeschiedene Kobalt wird in einem Vakuum­ schmelzprozeß, beispielsweise durch Elektronenstrahlschmelzen oder dergleichen, ein­ geschmolzen, um darin enthaltene kleinere Mengen an flüchtigen Elementen, wie Na, K und dergleichen, zu beseitigen.
Bei dem Elektronenstrahlschmelzen wird zunächst eine Elektrode (vorliegend aus elek­ trochemisch abgeschiedenem Kobalt) gefertigt, die dann erneut aufgelöst wird, um einen weiter gereinigten Block zu erhalten. Während des Schmelzens der Elektrode unter einer hohen Temperatur und im Vakuum werden die vorstehend erwähnten flüch­ tigen Komponenten verdampft. Wenn beispielsweise die zu schmelzende Menge 5 kg beträgt, wird das Elektronenstrahlschmelzen unter den folgenden Bedingungen ausge­ führt: Strom: 0,7 A, Spannung: 20 kV, Vakuum: 10-6 mmHg, Zeitdauer: 2 h.
Ein auf die vorliegend beschriebene Weise hergestelltes hochreines Kobalt zeichnet sich dadurch aus, daß die Verunreinigungen bis auf ein Minimum beseitigt sind; es eignet sich als Targetwerkstoff für Halbleiteranwendungen und andere Zwecke. Es wird ein Sputtering-Target aus hochreinem Kobalt erhalten, bei dem der Na-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der K-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der Fe-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Ni-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Cr-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der U-Gehalt 0,01 ppb oder weniger beträgt; der Th-Gehalt 0,01 ppb oder weniger beträgt; der C-Gehalt 50 ppm oder weniger und vorzugsweise 10 ppm oder weniger, beträgt; und der O-Gehalt 100 ppm oder weniger beträgt, wobei der Rest aus Kobalt und unvermeidbaren Verunreinigungen besteht.
Die Erfindung ist anhand der nachstehenden Beispiele und Vergleichsbeispiele näher erläutert, die keine Einschränkung darstellen sollen.
Beispiel 1
600 g Roh-Stückkobalt mit der in Tabelle I angegebenen Reinheit wurden in einen Be­ hälter eingegeben, der etwa 12,5 l wäßrige Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentra­ tion von 11,6N enthielt. Die Temperatur wurde auf 95°C gesteigert. Nach 7 Stunden wurde eine wäßrige Kobaltchloridlösung erhalten, wobei die Chlorwasserstoffsäurekon­ zentration 9N betrug und die Kobaltkonzentration einen Wert von 50 g/l hatte.
12 l dieser Lösung wurden durch eine Polyproplyenkolonne (150 mm Durchmesser: 1200 mm Länge) hindurchgeleitet, in die 12 l Anionenaustauscherharz (MUROMACHI KAGAKU: DOWEX 2 × 8) eingebracht waren. Man ließ Kobalt auf dem Anionenaus­ tauscherharz adsorbieren; danach wurde mit 12 l Chlorwasserstoffsäure mit einer Kon­ zentration von 9N gewaschen.
Sodann wurden 18 l Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von 4N durch die Kolonne geleitet, um Kobalt zu eluieren. Die erhaltene wäßrige Kobaltchloridlösung wurde bis zum Trockenzustand bei 140°C unter Verwendung einer Rotationsverdamp­ fungseinrichtung verdampft. 1600 g verdampftes und getrocknetes Material wurden er­ halten; es handelte sich dabei um CoCl₂ · 2H₂O. Dieses Material wurde in reinem Was­ ser gelöst, um 10 l Lösung mit einer Kobaltkonzentration von 60 g/l zu erhalten. Nach Einstellen des pH-Wertes der Lösung auf 1 wurde die gereinigte Kobaltlösung in eine elektrolytische Zelle in einer Menge von 5 l eingebracht. Der restliche Teil wurde als Katholyt-Speiselösung benutzt.
Anschließend wurde die elektrolytische Raffination bei einer Stromdichte von 0,02 A/cm² und einer Temperatur von 50°C durchgeführt, wobei ein Rohkobaltblech als Kathode verwendet wurde. Die Anodenseite und die Kathodenseite waren durch eine Zwischenwand (FILTER CLOTH PP-2020, hergestellt von der YASUZUMI ROSHI 5K.K.) getrennt. Die gereinigte wäßrige Kobaltchloridlösung wurde in einer Zufuhr­ menge von 120 ml/h eingebracht, während der Anolyt mit der gleichen Durchflußmenge wie auf der Kathodenseite abgezogen wurde. Nach 40 h wurden 83 g elektrochemisch abgeschiedenes Kobalt mit einer Ausbeute von 95% erhalten. Das elektrochemisch ab­ geschiedene Kobalt wurde einem Elektronenstrahl-Schmelzvorgang unterzogen; es wur­ den 79 g hochreines Kobalt gleichfalls mit der Ausbeute von 95% erhalten. Die Rein­ heiten des bei den vorstehend genannten Arbeitsgängen erhaltenen Kobalts sind gleich­ falls in Tabelle I angegeben.
Tabelle I
Beispiel 2
600 g Roh-Stückkobalt mit der in Tabelle II angegebenen Reinheit wurden in einen Behälter eingebracht, der etwa 12,5 l wäßrige Chlorwasserstoffsäurelösung mit einer Konzentration von 11,6 N enthielt. Die Temperatur wurde auf 95°C gesteigert. Nach 7 h wurde eine wäßrige Kobaltchloridlösung erhalten, wobei die Konzentration der Chlor­ wasserstoffsäure 9N betrug und die Kobaltkonzentration bei 50 g/l lag.
12 l dieser Lösung wurden durch eine Polypropylenkolonne (150 mm Durchmesser, 1200 mm Länge) hindurchgeleitet, in die 12 l Anionenaustauscherharz (MUROMACHI KAGAKU: DOWEX 2 × 8) eingebracht waren. Man ließ Kobalt auf dem Anionen­ austauscherharz adsorbieren. Danach wurde mit 12 l Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von 9N gewaschen.
Als nächstes wurden 18 l Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von 4N durch die Kolonne geleitet, um Kobalt zu eluieren. Die erhaltene wäßrige Kobaltchloridlösung wurde bei 110°C unter Verwendung einer Rotationsverdampfungseinrichtung bis zum Trockenzustand eingedampft. Es wurden 600 g eingedampftes und getrocknetes Material auf der Basis der Co-Umwandlung erhalten. Dabei handelte es sich um CoCl₂ 2H₂O. Dieses Material wurde in reinem Wasser aufgelöst, um 10 l einer Lösung mit einer Kobaltkonzentration von 60 g/l zu erhalten.
Nach Einstellen des pH-Wertes auf 2 wurden organische Stoffe durch eine Aktivkohle­ behandlung beseitigt.
Die gereinigte Kobaltlösung wurde in eine Elektrolytzelle in einer Menge von 5 l einge­ bracht. Der Rest wurde als Katholyt-Speiselösung verwendet.
Die Aktivkohle wurde mit einer Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzentration von 6N gewaschen, um in ausreichendem Umfang Verunreinigungen, wie Fe, zu beseitigen.
Sodann wurde die elektrolytische Raffination bei einer Stromdichte von 0,02 A/cm² und einer Temperatur von 50°C unter Verwendung eines Rohkobaltbleches als Kathode durchgeführt. Die Anodenseite und die Kathodenseite waren durch eine Zwischenwand (FILTER CLOTH PP-2020, hergestellt von der YASUZUMI ROSHI K.K.) voneinander getrennt. Die gereinigte wäßrige Kobaltchloridlösung wurde in einer Zufuhrmenge von 120 ml/h zugeführt, während der Anolyt mit der gleichen Durchflußmenge wie auf der Kathodenseite abgezogen wurde. Nach 40 h wurden 83 g elektrochemisch abgeschiede­ nes Kobalt bei einer Ausbeute von 95% erhalten. Die elektrolytische Abscheidung hatte eine flache Oberfläche ohne Unregelmäßigkeiten. Es kam zu keinem Abschälen des elek­ trolytisch abgeschiedenen Co.
Das elekrolytisch abgeschiedene Kobalt wurde einem Elektronenstrahl-Schmelzvorgang unterzogen, worauf eine maschinelle Bearbeitung zur Bildung eines Sputtering-Targets erfolgte.
Die Reinheiten des elektrochemisch abgeschiedenen Kobalts und des Kobalts nach dem Elektronenstrahl-Schmelzen sind in der Tabelle II zusammengestellt.
Beispiel 3
Es wurde ein Arbeitsvorgang ähnlich dem Beispiel 2 durchgeführt, mit der Ausnahme, daß Aktivkohle verwendet wurde, die nicht säurebehandelt war. Die Reinheit des auf diese Weise erhaltenen, elektrochemisch abgeschiedenen Kobalts ist in Tabelle II ange­ geben. Es ist zu erkennen, daß in diesem Fall der Gehalt an der Verunreinigung Fe höher ist. Es traten jedoch keine Probleme auf, wenn eine Aktivkohle mit einem niedrigeren Fe-Gehalt verwendet wurde.
Beispiel 4
Das Verfähren wurde ähnlich dem Beispiel 2 durchgeführt, mit der Ausnahme, daß keine Aktivkohlebehandlung erfolgte. Die Reinheit des auf diese Weise erhaltenen, elektro­ chemisch abgeschiedenen Kobalts ist in Tabelle II angegeben. Das Kobalt hatte im elek­ trochemisch abgeschiedenen Zustand eine unebene Oberfläche; ein Teil des Kobalts löste sich von dem Kathodenblech ab und war sehr spröde.
Tabelle II
Testdaten, die erhalten wurden, wenn Zerstäubungen unter Verwendung der in den Bei­ spielen 2, 3 und 4 hergestellten Targets erfolgten, sind nachstehend angegeben.
Zerstäubungs-Testdaten
(1) Unter Verwendung von in den Beispielen 2, 3 und 4 hergestellten Targets wurden Zerstäubungen vorgenommen. Die Verunreinigungen in den gesputterten Filmen wurden mit GDMS analysiert. Die Ergebnisse waren wie folgt (die Gaskomponenten konnten nicht nachgewiesen werden).
Tabelle III
Ergebnisse von quantitativen Analysen der durch Sputtern von drei Arten von Targets erhaltenen Filme
Es ist festzustellen, daß nur im Beispiel 3 Fe in hoher Konzentration festgestellt wurde.
(2) Die obigen Filme wurden einer SIMS-Analyse unterzogen, um qualitativ Co, O, N und H zu analysieren. Obwohl die absoluten Mengen der betreffenden Komponenten un­ bekannt waren, zeigte das Beispiel 2 die niedrigsten Werte für diese Komponenten. Wenn die Intensität des Beispiels 2 als 1 gewertet wird, waren die relativen Intensitäten der Bei­ spiele 3 und 4 wie folgt:
Tabelle IV
(3) Die elektrischen Widerstände der obigen Filme wurden gemessen. Es wurden die fol­ genden Ergebnisse erzielt:
Tabelle V
Das Verfahren gemäß Anspruch 1 erlaubt es, hochreines Kobalt mit einer Reinheit von 5N oder höher in stabiler Qualität und auf einfache Weise mit niedrigem Kostenaufwand herzustellen, indem ein Anionenaustauschprozeß in Kombination mit einem elektrolyti­ schen Raffinationsverfahren verwendet wird, wobei ferner gegebenenfalls zusätzlich ein Vakumschmelzverfahren vorgesehen werden kann.
Das Verfahren des Anspruchs 5 zeichnet sich durch im wesentlichen die gleichen Vorteile aus; es sieht zusätzlich eine Aktivkohlebehandlung vor.
Das erhaltene hochreine Kobalt eignet sich als Sputtering-Target-Werkstoff für die Her­ stellung von Halbleiter-Anordnungen und andere Zwecke.

Claims (13)

1. Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt, bei dem:
  • a) eine wäßrige Lösung von Kobaltchlorid, die eine Chlorwasserstoffsäurekon­ zentration von 7 bis 12N hat und mindestens Fe und/oder Ni als Verunreini­ gung enthält, mit einem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht wird so daß Kobalt von dem Anionenaustauscherharz adsorbiert wird;
  • b) das Kobalt unter Verwendung von Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzen­ tration von 1 bis 6N als Elutionslösung eluiert wird;
  • c) die eluiertes Kobalt enthaltende Lösung verdampft und getrocknet oder auf andere Weise konzentriert wird und eine gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid mit einem pH-Wert von 0 bis 6 erzeugt wird; und
  • d) eine elektrolytische Raffination unter Verwendung der gereinigten wäßrigen Lösung als Elektrolyt durchgeführt wird, um elektrochemisch abgeschiede­ nes Kobalt zu erhalten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Anode und Kathode durch eine Zwischenwand oder eine Anionenaustauschermembran getrennt sind und die gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid in die Kathodenseite min­ destens intermittierend eingegeben wird, während der Anolyt mindestens inter­ mittierend abgezogen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der abgezogene Anolyt mit dem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht wird, nachdem seine Chlorwasserstoffsäurekonzentration auf 7 bis 12N eingestellt wurde.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrolytisch abge­ schiedene Kobalt vakuumgeschmolzen wird.
5. Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt, bei dem:
  • a) eine wäßrige Lösung von Kobaltchlorid, die eine Chlorwasserstoffsäurekon­ zentration von 7 bis 12N hat und mindestens Fe und/oder Ni als Verunreini­ gung enthält, mit einem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht wird, so daß Kobalt von dem Anionenaustauscherharz adsorbiert wird;
  • b) das Kobalt unter Verwendung von Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzen­ tration von 1 bis 6N als Elutionslösung eluiert wird;
  • c) die eluiertes Kobalt enthaltende Lösung verdampft und getrocknet oder auf andere Weise konzentriert wird und eine gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid mit einem pH-Wert von 0 bis 6 erzeugt wird;
  • d) in der gereinigten wäßrigen Lösung von Kobaltchlorid vorhandene organi­ sche Stoffe durch Behandlung mit Aktivkohle beseitigt werden; und
  • e) eine elektrolytische Raffination unter Verwendung der gereinigten wäßrigen Lösung als Elektrolyt durchgeführt wird, um elektrochemisch abgeschiede­ nes Kobalt zu erhalten.
6. Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt, bei dem:
  • a) eine wäßrige Lösung von Kobaltchlorid, die eine Chlorwasserstoffsäurekon­ zentration von 7 bis 12N hat und mindestens Fe und/oder Ni, Alkalimetalle, wie Na und K, sowie radioaktive Metalle, wie U und Th, als Verunreinigun­ gen enthält, mit einem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht wird, so daß Kobalt sowie Fe und U von dem Anionenaustauscherharz adsorbiert werden;
  • b) das Kobalt unter Verwendung von Chlorwasserstoffsäure mit einer Konzen­ tration von 1 bis 6N als Elutionslösung eluiert wird;
  • c) die eluiertes Kobalt enthaltende Lösung verdampft und getrocknet oder auf andere Weise konzentriert wird und eine gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid mit einem pH-Wert von 0 bis 6 erzeugt wird;
  • d) in der gereinigten wäßrigen Lösung von Kobaltchlorid vorhandene, von dem Anionenaustauscherharz abgeleitete organische Stoffe durch Behandlung mit Aktivkohle beseitigt werden; und
  • e) eine elektrolytische Raffination unter Verwendung der gereinigten wäßrigen Lösung als Elektrolyt durchgeführt wird, um elektrochemisch abgeschiede­ nes Kobalt zu erhalten.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß Anode und Ka­ thode durch eine Zwischenwand oder eine Anionenaustauschermembran getrennt sind und die gereinigte wäßrige Lösung von Kobaltchlorid in die Kathodenseite mindestens intermittierend eingegeben wird, während der Anolyt mindestens intermittierend abgezogen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der abgezogene Anolyt mit dem Anionenaustauscherharz in Kontakt gebracht wird, nachdem seine Chlorwasserstoffsäurekonzentration auf 7 bis 12N eingestellt wurde.
9. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das elektro­ lytisch abgeschiedene Kobalt vakuumgeschmolzen wird.
10. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktivkohle zuvor mit einer Säure behandelt wird.
11. Verfallen nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktivkohle­ behandlung zu einer beliebigen Zeit von der Kobaltelution bis zum elektroly­ tischen Raffinieren erfolgt.
12. Sputtering-Target aus hochreinem Kobalt, bei dem der Na-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der K-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der Fe-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Ni-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Cr-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der U-Gehalt 0,01 ppb oder weniger beträgt; der Th-Gehalt 0,01 ppb oder weniger beträgt; der C-Gehalt 50 ppm oder weniger beträgt und der O-Gehalt 100 ppm oder weniger beträgt; und bei dem der Rest aus Kobalt und unvermeidbaren Verunreinigungen besteht.
13. Sputtering-Target aus hochreinem Kobalt, bei dem der Na-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der K-Gehalt 0,05 ppm oder weniger beträgt; der Fe-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Ni-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der Cr-Gehalt 1 ppm oder weniger beträgt; der U-Gehalt 0,01 ppb oder weniger beträgt; der Th-Gehalt 0,0 1 ppb oder weniger beträgt; der C-Gehalt 10 ppm oder weniger beträgt und der O-Gehalt 100 ppm oder weniger beträgt; und bei dem der Rest aus Kobalt und unvermeidbaren Verunreinigungen besteht.
DE19609439A 1995-03-14 1996-03-11 Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt und Sputtering-Targets aus hochreinem Kobalt Withdrawn DE19609439A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8083195A JPH08253888A (ja) 1995-03-14 1995-03-14 高純度コバルトの製造方法
JP8060362A JP3065242B2 (ja) 1996-02-23 1996-02-23 高純度コバルトの製造方法及び高純度コバルトスパッタリングターゲット

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19609439A1 true DE19609439A1 (de) 1996-09-19

Family

ID=26401427

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19609439A Withdrawn DE19609439A1 (de) 1995-03-14 1996-03-11 Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt und Sputtering-Targets aus hochreinem Kobalt

Country Status (2)

Country Link
US (2) US5667665A (de)
DE (1) DE19609439A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999027150A1 (en) * 1997-11-26 1999-06-03 Applied Materials, Inc. Sputtering target
US6139701A (en) * 1997-11-26 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Copper target for sputter deposition
US6315872B1 (en) 1997-11-26 2001-11-13 Applied Materials, Inc. Coil for sputter deposition
US6740290B2 (en) * 2000-09-29 2004-05-25 Sony Corporation High purity cobalt, method of manufacturing thereof, and high purity cobalt targets

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6391172B2 (en) * 1997-08-26 2002-05-21 The Alta Group, Inc. High purity cobalt sputter target and process of manufacturing the same
JPH11335821A (ja) * 1998-05-20 1999-12-07 Japan Energy Corp 磁性薄膜形成用Ni−Fe合金スパッタリングターゲット、磁性薄膜および磁性薄膜形成用Ni−Fe合金スパッタリングターゲットの製造方法
US7245018B1 (en) * 1999-06-22 2007-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof
US6661096B1 (en) * 1999-06-29 2003-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring material semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof
US6176944B1 (en) * 1999-11-01 2001-01-23 Praxair S.T. Technology, Inc. Method of making low magnetic permeability cobalt sputter targets
KR20030023640A (ko) * 2000-06-30 2003-03-19 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 금속처리방법, 그 방법에 사용되는 장치 및 그로부터제조된 금속
KR20030019645A (ko) * 2000-08-03 2003-03-06 토소우 에스엠디, 인크 코발트 스퍼터링 타깃을 생성하기 위해 코발트 중의 산소및 산화물 함량을 감소시키는 방법
JP3876253B2 (ja) * 2001-08-01 2007-01-31 日鉱金属株式会社 高純度ニッケルの製造方法
US6827759B2 (en) 2001-08-03 2004-12-07 Tosoh Smd, Inc. Method for reducing the oxygen and oxide content in cobalt to produce cobalt sputtering targets
US6652668B1 (en) 2002-05-31 2003-11-25 Praxair S.T. Technology, Inc. High-purity ferromagnetic sputter targets and method of manufacture
JP4466902B2 (ja) * 2003-01-10 2010-05-26 日鉱金属株式会社 ニッケル合金スパッタリングターゲット
WO2006113944A1 (en) * 2005-04-18 2006-10-26 Edmund Kevin Hardwick Separation of nickel from cobalt by using chloridizing solution and cobalt-selective resin
CN102206761B (zh) * 2010-03-29 2013-05-22 苏州晶纯新材料有限公司 一种生产高纯钴的方法
CA2740249C (en) * 2010-05-25 2015-08-04 Dow Global Technologies Llc A process for separating copper and nickel from cobalt containing solutions
RU2514242C1 (ru) * 2012-09-27 2014-04-27 Лидия Алексеевна Воропанова Сорбционное извлечение ионов кобальта из кислых хлоридных растворов
KR101766607B1 (ko) 2013-12-02 2017-08-08 제이엑스금속주식회사 고순도 염화코발트 및 그 제조 방법
JP5590260B1 (ja) * 2014-02-04 2014-09-17 千住金属工業株式会社 Agボール、Ag核ボール、フラックスコートAgボール、フラックスコートAg核ボール、はんだ継手、フォームはんだ、はんだペースト、Agペースト及びAg核ペースト
JP6960363B2 (ja) * 2018-03-28 2021-11-05 Jx金属株式会社 Coアノード、Coアノードを用いた電気Coめっき方法及びCoアノードの評価方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3235377A (en) * 1962-11-23 1966-02-15 Union Carbide Corp Use of an anion exchange resin to absorb cobalt from a solution containing cobalt and nickel
ZM1570A1 (en) * 1970-02-06 1971-07-22 New Nchanga Consolidated Coppe The electro-winning of metal
US3903235A (en) * 1970-05-26 1975-09-02 Deepsea Ventures Inc Method for separating nickel from cobalt
US4606885A (en) * 1985-06-20 1986-08-19 Gte Products Corporation High purity cobalt article
JPS63238268A (ja) * 1987-03-27 1988-10-04 Hitachi Ltd スパツタリング用タ−ゲツトの製造法
KR940008936B1 (ko) * 1990-02-15 1994-09-28 가부시끼가이샤 도시바 고순도 금속재와 그 성질을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법
US5217585A (en) * 1991-12-20 1993-06-08 Westinghouse Electric Corp. Transition metal decontamination process
JPH05179435A (ja) * 1991-12-27 1993-07-20 Tosoh Corp チタンスパッタリングターゲット
JP3066886B2 (ja) * 1992-12-24 2000-07-17 株式会社ジャパンエナジー 高純度コバルトスパッタリングターゲット
JPH073486A (ja) * 1993-06-15 1995-01-06 Japan Energy Corp 高純度コバルト及びその製造方法
JPH08127890A (ja) * 1994-09-08 1996-05-21 Japan Energy Corp 高純度コバルトの製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999027150A1 (en) * 1997-11-26 1999-06-03 Applied Materials, Inc. Sputtering target
US6001227A (en) * 1997-11-26 1999-12-14 Applied Materials, Inc. Target for use in magnetron sputtering of aluminum for forming metallization films having low defect densities and methods for manufacturing and using such target
US6126791A (en) * 1997-11-26 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Target for use in magnetron sputtering of aluminum for forming metallization films having low defect densities and methods for manufacturing and using such target
US6139701A (en) * 1997-11-26 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Copper target for sputter deposition
US6171455B1 (en) 1997-11-26 2001-01-09 Applied Materials Inc. Target for use in magnetron sputtering of aluminum for forming metallization films having low defect densities and methods for manufacturing and using such target
US6228186B1 (en) 1997-11-26 2001-05-08 Applied Materials, Inc. Method for manufacturing metal sputtering target for use in DC magnetron so that target has reduced number of conduction anomalies
US6315872B1 (en) 1997-11-26 2001-11-13 Applied Materials, Inc. Coil for sputter deposition
SG93272A1 (en) * 1999-10-08 2002-12-17 Applied Materials Inc Improved coil for sputter deposition
US6740290B2 (en) * 2000-09-29 2004-05-25 Sony Corporation High purity cobalt, method of manufacturing thereof, and high purity cobalt targets

Also Published As

Publication number Publication date
US5667665A (en) 1997-09-16
US5810983A (en) 1998-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19609439A1 (de) Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt und Sputtering-Targets aus hochreinem Kobalt
DE69936859T2 (de) Verfahren zur herstellung hochreinen tantals für zerstäubungstargets
DE1101773B (de) Verfahren zur kontinuierlichen Gewinnung von reinem duktilem, grobkristallinem Titan durch Schmelzflusselektrolyse
DE975587C (de) Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Titan in einer Elektrolysezelle
DE2737928C3 (de) Verfahren zur Wiedergewinnung des Metallgehaltes aus Kupferraffinations-Schlamm
DD288184A5 (de) Verfahren und vorrichtung zur elektrolytischen herstellung eines mehrwertigen metalls
DE3032544C2 (de) Gewinnung von Lithium aus Sole mittels Elektrolyse.
EP0433748B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Chromsäure
JP2000219988A (ja) 高純度ニッケル材の製造法及び薄膜形成用高純度ニッケル材
DD215589B5 (de) Verfahren zur elektrolytischen Metallabscheidung bei erzwungener Konvektion
DE2753233A1 (de) Verfahren zur herstellung von chlor und natriumcarbonatmonohydrat
JP3065242B2 (ja) 高純度コバルトの製造方法及び高純度コバルトスパッタリングターゲット
DE112021004433T5 (de) Herstellungsverfahren von recyceltem Aluminium, Herstellungsvorrichtung, Herstellungssystem, recyceltes Aluminium und Aluminiumwerkstück
DE19981324C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargetmaterials
DE2607512A1 (de) Verfahren zur herstellung eines metallpulvers
JPH08253888A (ja) 高純度コバルトの製造方法
DE3102229A1 (de) Verfahren zum aufbereiten von verbrauchter kupfer-elektrolyseloesung
JPH11229172A (ja) 高純度銅の製造方法及び製造装置
DE2649553C3 (de) Verfahren zur Beseitigung von Arsen aus arsen- und kupferhaltigen Elektrolyten
DE2820117A1 (de) Elektrolytische verfahren unter verwendung graphitischer kohlenstoffkathoden sowie hiermit erzeugte komplexverbindungen
DE2447296C3 (de) Verfahren zum Abscheiden von Edelmetall aus einer Legierung bestehend aus Edelmetall, Kupfer sowie einem oder mehreren anderen Nichteisenmetallen
JPH08127890A (ja) 高純度コバルトの製造方法
DE4004575C2 (de)
DD297140A5 (de) Verfahren zur herstellung einer natriumhydroxid-lauge
DE3347100A1 (de) Einsatz eines schwingreaktors als elektrolysezelle

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination