DE19648066C2 - Chemisch-mechanische Poliervorrichtung für Halbleiterwafer - Google Patents

Chemisch-mechanische Poliervorrichtung für Halbleiterwafer

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine chemisch- mechanische Poliervorrichtung für einen Halbleiterwafer bzw. eine Halbleiterscheibe und insbesondere auf eine chemisch- mechanische Poliervorrichtung, die die Oberfläche des Halblei­ terwafers gleichmäßig zu polieren und den Polierzustand bzw. - abtrag zu steuern vermag indem ein oder mehrere Rotationstrom­ meln bzw. -walzen, die jeweils in ein Poliertuch eingewickelt und auf der Oberseite einer Aufnahmeeinrichtung betätigbar sind, vor­ gesehen und mit Trägern, die die Rotationstrommeln anzuheben und abzusenken vermögen, verbunden werden.
Entsprechend der Tendenz zu höherer Integration von Halbleiter­ bauelementen wird ein Halbleiterbauelement hergestellt, indem zahlreiche Schichten auf einem begrenzten Bereich eines Halb­ leitersubstrates gestapelt werden. Um die Oberfläche eines so hergestellten hochintegrierten Halbleiterbauelementes planar zu gestalten, wird eine chemisch-mechanische Poliervorrichtung (CMP-Vorrichtung) verwendet. Das heißt, die CMP-Vorrichtung dient nicht nur zur Planarisierung des Halbleitersubstrates, sondern auch für eine globale Planarisierung eines hochinte­ grierten Musters auf dem Halbleitersubstrat.
Anhand der Fig. 1A und 1B soll im folgenden zunächst eine her­ kömmliche CMP-Vorrichtung gemäß US 5,232,875 in Einzelheiten erläutert werden.
Ein Polierkissen (Polierteller) 10 hat eine planare Oberseite 11, an deren Rand eine vertikale Sperrwand 13 vorgesehen ist. Auf der plana­ ren Oberseite des Polierkissens 10 befindet sich ein Poliertuch 12 mit einer vorbestimmten Dicke und einer Vielzahl von Löchern 18, und es wird durch die Sperrwand 13 geschützt. Das Polier­ kissen 10 ist mit einer Antriebsanordnung 14 verbunden, und ei­ ne Aufschlämmung 5 ist von einer (nicht gezeigten) Aufschläm­ mungszufuhr auf das Poliertuch 12 gespeist.
Ein Träger 1 hält einen auf seiner Unterseite zu polierenden Halbleiterwafer 2 nach unten, und ein Stützkissen 3 ist zwi­ schen den so gehaltenen Halbleiterwafer 2 und die planare Un­ terseite 4 des Trägers 1 eingefügt. Der Träger 1 liegt über dem Poliertuch 12 auf dem Polierkissen 10. Ein elastisches oder fe­ derndes Polster 17 umgibt die Innenseite der Sperrwand 13 und entspricht elastischen oder federnden Höckern 16, die an beiden Seiten des Trägers 1 ausgebildet sind.
Wenn beim Polieren die Aufschlämmung 5 auf die Oberseite 12 des Polierkissens 10 zugeführt wird, bedeckt die Aufschlämmung 5 kleine Löcher 18 des Poliertuches 12. Das Polierkissen 10 wird durch die Rotationskraft der Antriebsanordnung 14 in Drehung versetzt, und der Träger 1, an dessen Unterseite der Halblei­ terwafer 2 angebracht ist, führt verschiedene Bewegungen auf dem Polierkissen 10 aus, wie beispielsweise eine Rückwärts- und Vorwärtsbewegung, eine Drehbewegung oder eine Bewegung in be­ liebiger Richtung. Gemäß diesen Bewegungen wird die Aufschläm­ mung 5 auf den Halbleiterwafer 2 und das Poliertuch 12 ge­ schichtet, und durch Abrieb wird die Oberfläche des Halbleiter­ wafers 2 poliert.
Die herkömmliche CMP-Vorrichtung zeigt jedoch das Problem, daß der Polierzustand bzw. -abtrag des Halbleiterwafers während des Polierens nicht gemessen werden kann.
Da zusätzlich der Wafer lediglich durch die Drehung des Polier­ kissens mit dem auf das Poliertuch gebrachten Träger poliert wird, kann der Polierzustand bzw. -abtrag des Halbleiterwafers nicht gesteuert werden. Außerdem können nicht mehrere Wafer gleichzeitig poliert werden.
Anhand der Fig. 2A und 2B soll im folgenden ein anderes Bei­ spiel einer herkömmlichen CMP-Vorrichtung gemäß der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung 7-66160 A erläutert werden.
Ein Halbleiterwafer A ist über einen Vakuumanschluß 34 auf einer Absorbierrolle 20 festge­ legt, die in einer Aussparung 24a der Oberseite eines Substrat-Aufnahmeeinrichtung 24 angeordnet ist, welche um die Achse 22 rotiert.
Die Mantelfläche einer Rotationstrommel 26 berührt den Halblei­ terwafer A, radial durchdringende Löcher 40 sind auf der Man­ telfläche der Rotationstrommel 26 gebildet, und ein Poliertuch 38 ist um die Mantelfläche gewickelt. Wenn die Rotationstrommel 26 die Oberseite des Wafers A berührt, kann die Rotationstrom­ mel 26 vorwärts und rückwärts durch einen Träger 28 bewegt wer­ den, der an beiden Enden der Rotationstrommel 26 angebracht ist.
Während des Polierens wird eine Aufschlämmung zu der Rotation­ strommel 26 über einen Aufschlämmungszufuhrschlauch 36 gespeist und dann auf das Poliertuch 38 über die durchdringenden Löcher 40 geschichtet. Sodann wird Reibung zwischen dem Poliertuch 38 und der Oberfläche des Halbleiterwafers A erzeugt, so daß der Polierbetrieb fortschreitet.
Jedoch kann die CMP-Vorrichtung lediglich einen Teil des Po­ lierzustandes bzw. -abtrages messen, und da der Halbleiterwafer lediglich rotiert, kann während des Polierens ein Unterschied im Polierzustand bzw. -abtrag hervorgerufen werden, der zwi­ schen dem mittleren Teil und dem Randteil des Wafers verursacht ist, und das Polieren wird aufgrund der Differenz in der Kraft ungleichmäßig durchgeführt, die verursacht wird, wenn die Rota­ tionstrommel eine Vorwärts-Rückwärts-Bewegung ausführt. Da zu­ sätzlich jeder Halbleiterwafer nacheinander poliert wird, ist die Produktivität niedrig, und es ist unmöglich, eine Massen­ produktion zu erzielen.
Eine Poliervorrichtung zur gleichzeitigen Bearbeitung von meh­ reren Halbleiterwafern wird in DE 43 92 793 T1 beschrieben. Die Vorrichtung weist einzelne Poliereinheiten auf, die Waferträger und Polierarme umfassen. Die Waferträger fixieren die Wafer mit Unterdruck an einer unteren ebenen Fläche, so daß die zu polie­ renden Waferoberflächen ebenfalls nach unten zeigen. Die ein­ zelnen Waferträger werden von den entsprechenden Polierarmen über der Oberfläche eines Polierkissens auf einem Kreisbogen hin- und herbewegt. Die Polierarme ermöglichen zusätzlich eine vertikale Bewegung der Waferträger, wodurch die zu bearbeiten­ den Waferoberflächen in Richtung des Polierkissens bewegt und der Druck der Wafer auf das Polierkissens variiert werden kann. Auf diese Weise kann mit dieser Poliervorrichtung ein gesteuer­ ter Poliervorgang durchgeführt werden. Aufgrund der Komplexität der hierfür notwendigen technischen Einrichtungen, insbesondere der mechanischen und hydraulischen Komponenten der einzelnen Polierarme und Waferträger, sowie der damit verbundenen Steuer­ ung ist die Bereitstellung, der Betrieb und die Wartung der hier beschriebenen Vorrichtung aufwendig und teuer. Des weite­ ren kann diese Komplexität zu einer erhöhten Anzahl von Störun­ gen während des Betriebes führen. Zusätzlich kann die Art des Poliervorganges zu einem ungleichmäßigen Polieren führen, da das Hin- und Herbewegen der Polierarme über dem Polierkissen Schwankungen des auf die zu polierenden Oberflächen der Wafer einwirkenden Drucks verursacht. Dieses Bewegungsmuster der Po­ lierarme kann auch zu einer uneinheitlichen Verteilung der ver­ wendeten Aufschlämmung oder einer Ansammlung einer grobkörnigen Mischung der Aufschlämmung und des Abriebs von den Waferober­ flächen führen, wodurch ebenfalls ein schlechteres Polierergeb­ nis verursacht wird. Eine Einrichtung zur Entfernung überflüs­ siger Aufschlämmung ist hier nicht vorgesehen. Des weiteren ist ein gleichzeitiges Zuführen unterschiedlicher Aufschlämmungen sowie die Verwendung eines Polierkissens, dessen Oberfläche Be­ reiche unterschiedlicher Oberflächenbeschaffenheit aufweist, nicht beschrieben.
Um ein möglichst gleichmäßiges Polieren zu ermöglichen, wird in EP 0 439 124 A2 ein spezielles rotierendes Polierkissen be­ schrieben, dessen kreisförmige Polierfläche Lücken aufweist. Die Dichte der Lücken ist abhängig vom radialen Abstand zur Mitte des Polierkissens, wobei mit zunehmendem Abstand auch die Dichte der Lücken größer wird. Auf diese Weise wird bei einem Poliervorgang, bei dem die kreisförmige Polierfläche des Po­ lierkissens mittig auf die kreisförmige zu polierende Oberflä­ che eines Wafers aufgesetzt wird, ein konstanter radiusunabhän­ giger Kontakt zwischen Polierfläche und Waferoberfläche er­ zeugt. Dadurch soll ein gleichmäßiger Abrieb auf der Waferober­ fläche gewährleistet werden. Hierfür ist aber eine exakte Posi­ tionierung des Polierkissens über dem Wafer notwendig. Dagegen führt eine ungenaue Positionierung des Polierkissens zu einem sehr ungleichmäßigen Polierergebnis auf der Waferoberfläche.
Des weiteren kann diese uneinheitliche Oberflächenbeschaffen­ heit des Polierkissens eine ungleichmäßige Verteilung einer Aufschlämmung verursachen, wodurch das Polieren der Waferober­ flächen beeinträchtigt wird.
Eine andere Lösung für dieses Problem ist in DE 195 40 626 A1 zu finden. Hier wird die Waferoberfläche mit einer zylinderför­ migen rotierenden Poliertrommel poliert, wobei die beschriebene Poliervorrichtung eine beliebige Bewegung der Oberfläche des Wafers parallel zur Trommel ermöglicht. In Verbindung mit einer Kontrolle und Steuerung des Anpressdrucks der Trommel auf die Waferoberfläche soll ein gleichmäßiges Polieren, insbesondere in den Randbereichen des Wafers, ermöglicht werden. Allerdings ist eine Einrichtung zur Entfernung der für den Poliervorgang notwendigen Aufschlämmung nicht vorgesehen, weshalb auch hier eine ungleichmäßige Verteilung der Aufschlämmung entstehen oder eine grobkörnige Mischung der Aufschlämmung und des Abriebes von der Waferoberfläche sich ansammeln kann. Dies kann zu einem ungleichmäßigen Polieren des Wafers führen. Des weiteren ist ein gleichzeitiges Polieren mehrerer Halbleiterwafer hier nicht vorgesehen.
Eine Vorrichtung zur Vermeidung von Deformationen der Oberflä­ che von Halbleiterwafern bei deren Polierung ist in JP 7-58 066 A (Abstract) beschrieben. Die Vorrichtung umfaßt eine Trageein­ richtung, deren Oberfläche Vertiefungen aufweist, um die ein­ zelnen Wafer aufzunehmen. In der Trageeinrichtung können sich die Wafer mit ihren Randbereichen gegen die Ränder dieser Ver­ tiefungen abstützen, wenn sie unter Druck poliert werden. Da­ durch sollen Deformationen, die durch Druck- oder Spannungs­ überhöhungen in den Randbereichen des Wafers entstehen können, vermieden werden. Einrichtungen zur Messung und/oder Steuerung der Polierung sowie Aufschlämmungseinrichtungen sind in Verbin­ dung mit dieser Vorrichtung nicht beschrieben.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine CMP- Vorrichtung für Halbleiterwafer vorzusehen, die gleichzeitig die Oberflächen einer Vielzahl von Halbleiterwafern polieren kann, wobei der Polierzustand bzw. -abtrag während des Polie­ rens gemessen und gesteuert werden kann. Außerdem soll die CMP- Vorrichtung Schwankungen des auf zu polierende Halbleiterwafer einwirkenden Drucks vermeiden, die ein ungleichmäßiges Polieren der Oberflächen der Halbleiterwafer verursachen. Des weiteren soll die CMP-Vorrichtung eine Optimierung des Polierens durch eine zeitgleiche Verwendung unterschiedlicher Aufschlämmungen und/oder eine zeitgleiche Verwendung von Poliereinrichtungen, die unterschiedliche Poliereigenschaften aufweisen, ermögli­ chen. Zusätzlich soll die CMP-Vorrichtung eine gleichmäßige Verteilung der Aufschlämmung auf den Halbleiterwafern sowie ei­ ne einfache Entfernung des polierten Materials erlauben.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die vorliegende Erfindung eine chemisch-mechanische Poliervorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 vor.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Eine erfindungsgemäße CMP-Vorrichtung für einen Halbleiterwafer hat also eine drehbare Aufnahmeeinrichtung, in deren planarer Ober­ seite eine Vielzahl von Aussparungen ausgebildet ist, um je­ weils darin einen Halbleiterwafer zu halten, eine Vielzahl von Rotationstrommel-Poliereinheiten, die auf der Aufnahmeeinrichtung an­ geordnet werden können, um die Oberfläche der Halbleiterwafer planar zu gestalten, einen Träger, der mit den Enden jeder Ro­ tationstrommel verbunden ist, um die Rotationstrommel anzuheben und abzusenken, und einen Aufschlämmungs-Applikator, der über jeder Rotationstrommel gelegen ist, um dort eine Aufschlämmung aufzutragen.
Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin­ dung kann das Oberteil der Aufnahmeeinrichtung so gebildet werden, daß es eine abgestufte Oberfläche aufweist, die zum Mittenteil hin ansteigt. Beim Polieren fallen von den Halbleiterwafern er­ zeugte Überbleibsel die abgestufte Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung herunter, und demgemäß werden die Überbleibsel bzw. der Abtrag leicht entfernt, was dazu führt, daß ein reiner Halbleiterwafer erhalten wird.
Die Erfindung schafft also eine chemisch-mechanische Poliervor­ richtung für einen Halbleiterwafer, die die Oberfläche des Halbleiterwafers polieren und den Polierzustand bzw. -abtrag steuern kann, indem mehrere Rotationstrommeln, de­ ren jede, in ein Poliertuch eingewickelt ist, auf der Oberseite einer Aufnahmeeinrichtung vorgesehen und mit Trägern, die eine Verti­ kalbewegung auszuführen vermögen, an beiden Enden jeder Rotati­ onstrommel verbunden werden. Die Vorrichtung hat eine drehbare Aufnahmeeinrichtung, in deren planarer Oberseite eine Vielzahl von Aussparungen ausgebildet ist, um jeweils einen Halbleiterwafer aufzu­ nehmen, eine Vielzahl von drehbaren Poliereinheiten, die auf der Aufnahmeeinrichtung gelegen sind, um die Oberfläche der Halblei­ terwafer planar zu gestalten, einen Träger, der an den Endpunk­ ten der umlaufenden Poliereinheiten, die eine Vertikalbewegung ausführen können, angeschlossen ist, und einen Aufschlämmungs- Applikator, der über den umlaufenden Poliereinheiten gelegen ist, um darauf eine Aufschlämmung aufzutragen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher er­ läutert. Es zeigen:
Fig. 1A und 1B Darstellungen eines Ausführungsbeispiels einer herkömmlichen CMP-Vorrichtung,
Fig. 2A und 2B Darstellungen einer anderen herkömmlichen CMP-Vorrichtung,
Fig. 3A und 3B eine Draufsicht bzw. einen Schnitt längs einer Linie a-a' einer CMP-Vorrichtung für einen Halbleiterwafer gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und
Fig. 4 eine Schnittdarstellung einer CMP-Vorrichtung für einen Halbleiterwafer gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Wie in den Fig. 3A und 3B gezeigt ist, werden in der Oberseite einer Aufnahmeeinrichtung 102 mehrere kreisförmige Aussparungen 102a gebildet, um jeweils darin einen Halbleiterwafer 2 aufzunehmen, und auf einem Mittenteil einer Unterseite hiervon ist vertikal integriert eine Antriebswelle 108 vorgesehen, die einen hohlen mittleren Teil hat und mit einem in der Aufnahmeeinrichtung ausgebil­ deten zentralen Loch 102b in Verbindung steht.
Über der Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung 102 sind mehrere Polier­ einheiten 110 (in der Zeichnung drei Poliereinheiten) angeord­ net, die jeweils eine Rotationstrommel 101 umfassen. Die Rota­ tionstrommeln 101 sind durch Poliertücher 103a, 103b und 103c umwickelt. Die Rotationstrommeln 101 haben jeweils eine ent­ sprechende Rotationsachse 104 und ein Ende jeder Rotationsachse 104 ist drehbar mit einem Träger 106 verbunden, der mit einem Kugellager 106a ausgerüstet ist, und das andere Ende hiervon ist ebenfalls drehbar mit einem Träger 106' verbunden, der ein Kugellager enthält und in dem zentralen Teil der Aufnahmeeinrichtung 102 angeordnet ist. Die seitliche Länge der Rotationstrommel 101 ist ausreichend, um genügend den Durchmesser des Halbleiterwafers 2 zu bedecken. An einer Seite der Rotationsachse 104 jeder Rotationstrommel ist ein Antriebsmotor 104a angeschlos­ sen, der die Rotationsachse 104 entsprechend extern zugeführter elektrischer, Energie bzw. Leistung zu drehen vermag.
Oberhalb jeder Rotationstrommel 101 ist ein Aufschlämmungs- Applikator 105a gelegen, der einen Aufschlämmungs-Applikator- Auslaß 107a so lang wie der Durchmesser des in den Aussparungen 102a auf der Aufnahmeeinrichtung 102 angeordneten Halbleiterwafers 2 hat. Der Aufschlämmungs-Applikator 105a speist einen Schauer an Aufschlämmung 107 zu der Rotationstrommel 101 über den Auf­ schlämmungs-Applikator-Auslaß 107a. Zwei weitere Aufschläm­ mungs-Applikatoren 105a und 105b führen die gleiche Funktion aus.
Das Ende der Rotationstrommel 101 kann von den Trägern 106, 106' getrennt sein, indem die mit den Trägern 106, 106' verbun­ denen Rotationsachsen 104 getrennt werden.
Wenn während des Polierens die Aufschlämmung 107 zu der Rotati­ onstrommel 101 jeder Poliereinheit 110 über den Aufschlämmungs- Applikator-Auslaß 107a gespeist wird und die Poliertücher 103a, 103b, 103c beschichtet, wird die Aufnahmeeinrichtung 102 mit der Viel­ zahl von in dessen Aussparungen 102a angeordneten Halbleiterwa­ fern 2 durch die Rotationskraft der Antriebswelle 108 gedreht, und demgemäß beginnen die Halbleiterwafer 2 sich weiter zu drehen. Dann werden die Oberflächen der Halbleiterwafer 2 durch die Polier­ tücher 103a, 103b, 103c, die die Rotationstrommeln umhüllen, auf denen die Aufschlämmung 107 geschichtet ist, berührt und dadurch poliert.
Zusätzlich kann der Polierzustand bzw. -abtrag der Waferober­ fläche gesteuert werden, während jede Rotationstrommel 101 den auf die Oberfläche des Halbleiterwafers 2 einwirkenden Druck steigern oder vermindern kann, indem eine Vertikalbewegung der Träger 106, 106' vorgenommen wird.
Da der Halbleiterwafer 2 mittels der Aufnahmeeinrichtung 102 weitergedreht und poliert wird, kann die Oberfläche des Halbleiterwafers 2, der durch die Oberfläche der Rotationstrommel 101 kontaktiert ist, unvoreingenommen poliert werden. Außerdem wird das Polieren unter der Bedingung ausgeführt, daß die Aufschläm­ mung gleichmäßig auf der gesamten Oberfläche des Halbleiterwa­ fers 2 ausgebreitet ist, und das polierte Material wird einfach von der Aufnahmeeinrichtung 102 nach außen entfernt.
Bei dem oben beschriebenen Polierablauf kann ein anderer Po­ lierprozeß ausgeführt werden, indem andere Poliertücher 103a, 103b, 103c auf jeder Rotationstrommel verwendet werden und eine andere Art einer Aufschlämmung zugeführt wird.
Fig. 4 ist eine Schnittdarstellung, die eine CMP-Vorrichtung für einen Halbleiterwafer gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Der Oberseitenteil der Aufnahmeeinrichtung 109 ist so gebildet, daß er eine schräge oder abge­ stufte Oberfläche 109a hat, die aufwärts zu dem Mittenteil der Aufnahmeeinrichtung 109 geneigt ist.
Während des Polierens läuft das durch den Halbleiterwafer 2 er­ zeugte Abriebmaterial längs der schrägen oder abgestuften Ober­ fläche 109a der Aufnahmeeinrichtung 109 nach unten und wird leicht entfernt, was zu der Erzielung eines reineren Halbleiterwafers führt.
Die Rotationstrommel 101 hat eine kegelförmige Gestalt, wobei beide Enden verschiedene Durchmesser aufweisen, sie kann jedoch auch in einer zylindrischen Walzengestalt mit einem gleichmäßi­ gen Durchmesser hergestellt werden. Die Rotationstrommel 101 kann von den Trägern 106, 106' getrennt sein, indem die Rotati­ onsachse 104, die mit den Trägern 106, 106' verbunden ist, ab­ getrennt wird.
Wie oben erläutert ist, hat die erfindungsgemäße CMP-Vorrich­ tung für einen Halbleiterwafer den Vorteil, daß der Polierzu­ stand bzw. -abtrag des Halbleiterwafers während des Polierens gemessen und gesteuert werden kann, und die Oberfläche des Halbleiterwafers kann poliert werden, da die Ober­ fläche des Halbleiterwafers von der Oberfläche der Rotation­ strommel berührt wird.
Da zusätzlich eine geforderte Menge an Aufschlämmung über den Aufschlämmungs-Applikator als ein Schauer zugeführt ist, kann der Verbrauch an Aufschlämmung reduziert werden.
Da weiterhin mehrere Halbleiterwafer gleichzeitig poliert wer­ den können, kann die Produktivität in großem Ausmaß gesteigert werden, und der Polierzustand oder -abtrag der Halbleiterwafer kann gemessen und gesteuert werden.

Claims (8)

1. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung für Halbleiterwa­ fer, mit:
einer Aufnahmeeinrichtung (102) zur Aufnahme der Halbleiter­ wafer (2), und
einer Vielzahl von Poliereinheiten (110), die über einer Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) angeordnet sind, wobei jede Poliereinrichtung (110) eine um ihre Längsachse drehbare Rotationstrommel (101) umfaßt, um die Oberflächen der Halblei­ terwafer (2) zu polieren, wobei die Rotationstrommel (101) eine Länge aufweist, die wenigstens einem Durchmesser des Halblei­ terwafers (2) entspricht, wobei
jede der Poliereinrichtungen (110) mit einer vertikal ver­ fahrbaren Trägereinrichtung (106, 106') verbunden ist, um den Polierabtrag der Halbleiterwaferoberflächen zu steuern, indem der Druck der Rotationstrommel (101) auf zu polierende Oberflä­ chen der Halbleiterwafer (2) durch eine Vertikalbewegung der Trägereinrichtung (106, 106') variiert wird, und
jeder der Poliereinheiten (110) ein Aufschlämmungs-Applikator (105a, 107a) zugeordnet ist, um den Rotationstrommeln eine Auf­ schlämmung (107) zuführen,
die Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) dazu geeignet ist, mehrere Halbleiterwafer (102a) gleichzeitig so aufzuneh­ men, daß die zu polierenden Oberflächen der Halbleiterwafer (2) poliert werden, und
die Aufnahmeeinrichtung (102) relativ zu den Poliereinrich­ tungen (101) um eine zur Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) vertikale Mittelachse drehbar ist, um die gesamte zu po­ lierende Oberfläche jedes Halbleiterwafers (2) durch Kontakt mit wenigstens einer der Rotationstrommeln (101) zu polieren, und die vertikale Mittelachse nicht durch einen der zu polie­ renden Halbleiterwafer (2) verläuft.
2. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach Anspruch 1, bei der in der Oberfläche der Aufnahmenein­ richtung (102) mehrere Aussparungen ausgebildet sind, um darin jeweils einen Halbleiterwafer (2) aufzunehmen.
3. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An­ sprüche 1 oder 2, wobei wenigstens einer der Aufschlämmungs-Applikatoren (105a, 107a) einen Auslaß (107a) aufweist, der mindestens dem Durchmesser des Halbleiter­ wafers (2) entspricht.
4. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An­ sprüche 1 bis 3, wobei die Rotationstrom­ mel (101) aufweist:
eine äußere Mantelfläche (103a, 103b, 103c), die dazu geeig­ net ist, die Aufschlämmung (107) so aufzunehmen, daß die Halb­ leiterwafer durch die Rotationstrommel poliert werden,
eine Rotationsachse (104), die mit einem Mittenteil der Rota­ tionstrommel (101) verbunden ist, und
einen mit einem Ende der Rotationsachse (104) verbundenen An­ triebsmotor (104a).
5. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An­ sprüche 1 bis 4, bei der die Rotationstrom­ mel (101) konisch gestaltet ist.
6. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An­ sprüche 1 bis 5, wobei wenigstens einer der Aufschlämmungs-Applikatoren (105a, 107a) eine unterschied­ liche Art an Aufschlämmung (107) zuführen kann.
7. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An­ sprüche 1 bis 6, bei der wenigstens einer der Aufschlämmungs-Applikatoren (105a, 107a) einen Auslaß (107) hat, der länger als der Durchmesser des Halbleiterwafers (2) ist.
8. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An­ sprüche 1 bis 7, wobei die Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) so gestaltet ist, daß sie eine schrä­ ge oder abgestufte Oberfläche aufweist, die zu ihrem Mittenteil hin ansteigt (vergl. Fig. 4).
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