DE19744837A1 - Verfahren zur Bildung eines Isolationsfilms mit niedriger Dielektrizitätskonstante - Google Patents

Verfahren zur Bildung eines Isolationsfilms mit niedriger Dielektrizitätskonstante

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung eines Dünn­ films und insbesondere ein Verfahren zur Bildung eines Isolationsfilms mit niedriger Dielektrizitätskonstante, welcher für Intermetall-Isolations­ filmanwendungen geeignet ist, mittels plasmaverstärkter chemischer Dampfabscheidung (PECVD).
Mit der Verringerung der Dielektrizitätskonstante eines Dünnfilms bei ei­ ner Intermetall-Isolationsfilmanwendung können die Betriebsgeschwin­ digkeit eines Gerätes in einer Vorrichtung geringerer Größe erhöht und die Kreuzkopplung verringert werden, wodurch eine Verringerung des Ener­ gieverbrauchs resultiert. Zu Zwecken der besten Verwertung dieser aus ei­ ner solchen Verringerung der Dielektrizitätskonstante resultierenden Vorteile werden zahlreiche Verfahren zur Herabsetzung der Dielektrizi­ tätskonstante eines Intermetall-Isolationsfilms vorgeschlagen.
Die Dielektrizitätskonstante eines herkömmlichen Intermetall-Isolations­ films (IMD) aus einem Siliziumoxidfilm (SiO2) beträgt etwa 4. Ein solcher Isolationsfilm aus einem Siliziumoxidfilm (SiO2) ist jedoch darin nachtei­ lig, daß seine Dielektrizitätskonstante auf 10 ansteigt, wenn der Film Feuchtigkeit aufweist.
Ein Beispiel des herkömmlichen Isolationsfilms mit niedriger Dielektrizi­ tätskonstante ist ein Fluor enthaltender Siliziumoxidfilm. Die Dielektrizi­ tätskonstante dieses fluorhaltigen Siliziumoxidfilms (FxSiOy) beträgt 3- 3,7. Die US-A-5 334 552 beschreibt ein Verfahren zur Bildung eines Isola­ tionsfilms aus einer mehrschichtigen Verbindungsstruktur, welches den Schritt der Bildung eines 2-3,5 µm dicken fluorhaltigen Siliziumoxidfilms bei einer Temperatur von nicht höher als 200°C umfaßt. Ein anderes Bei­ spiel ist die US-A-5 429 995, welche ein Verfahren zur Abscheidung eines gering hygroskopischen, fluorhaltigen Films geringer Dielektrizitätskon­ stante durch ein chemisches Plasmadampfabscheidungsverfahren unter Verwendung eines Silizium, Sauerstoff und Fluor enthaltenden Quellen­ gases beschreibt.
Ein weiteres Beispiel des herkömmlichen Isolationsfilms geringer Dielektrizitäts­ konstante ist ein organisches Polymer mit einermolekularen Struktur geringer Po­ larität. Spinbeschichtbare Polyimide besitzen Dielektrizitätskonstanten im Be­ reich von 3,0 bis 3,7. Beispielsweise wurden in der US-A-5 428 102 eine Reihe von aromatischen Hochtemperatur-Polyimiden mit niedriger Dielektrizitätskonstante entwickelt. Eine der Herausforderungen bei der Anwendung solcher organischen Polymeren ist die Temperaturstabilität. Bei den derzeitigen Verfahren wird CVD-Wolfram bei etwa 450°C abgeschieden und eine Temperung bei etwa 400°C durch­ geführt. Die meisten der organischen Polymeren mit niedriger Dielektrizitätskon­ stante können solch einer hohen Verarbeitungstemperatur nicht standhalten.
Unter den verschiedenen organischen Polymeren besitzen Fluorpolymere, wie Po­ lytetrafluorethylen (PTFE) bei weitestem die geringste Dielektrizitätskonstante. Beispielsweise besitzt amorphes Teflon eine Dielektrizitätskonstante von 1,9. De­ ren geringe Klebekraft, niedrige thermische Stabilität und Schwierigkeit bei der Herstellung haben jedoch ihre Anwendung in der Mikroelektronik verhindert. An­ dererseits besitzen hydrierte amorphe Kohlenstoff (a-C : F)-Filme, welche durch Plasmaabscheidung aus Kohlenwasserstoffgasen abgeschieden werden, eine hohe elektrische Resistivität, gute thermische Stabilität aufgrund ihrer starkvernetzten Strukturen, und sind leicht herzustellen. Endo und Tatsumi (1995), J. Appl. Phys. 78 (2), 1955, S. 1370, haben fluorierte, amorphe Kohlenstoff (a-C : F)-Dünnfilme, welche sowohl eine Vernetzung als auch eine PTFE-ähnliche Struktur aufweisen, als Zwischenschicht-Dielektrika mit niedriger Dielektrizitätskonstante für ULSI- Mehrfachebenen-Zwischenschaltungen vorgeschlagen. Wenn das Quellengas aus 94% CF4 und 6% CH4 bestand, zeigte der Dünnfilm auf der stromgeführen Elek­ trode eine Dielektrizitätskonstante von 2,1. Der Film zeigte hohe Spannung und er­ forderte eine Haftschicht aus 10 nm dickem a-C : H. Der Film schrumpfte auf 75%, wenn er bei 300°C getempert wurde. Der Leckstrom betrug 10-7 A/cm2 bei 1 MV/cm und wurde durch Fluorierung auf 10-8 gedrückt.
Ein weiteres Beispiel eines herkömmlichen amorphen Flurkohlenstoffilms mit nie­ driger Dielektrizitätskonstante für ein intermetallisches Dielektrikum ist in US-A-5 302420 beschrieben. Dieses Patent beschreibt einen aus Plasma abgeschiedenen, polymeren Fluorkohlenstoffilm mit einer Dielektrizitätskonstante von etwa 2,5 und mit einer thermischen Stabilität von mindestens 350°C. Der Film wird in einem Re­ aktor des Typs mit asymmetrischer Elektrode bei einem Druck im Bereich von 1,33 bis 23,9 Pa (10 bis 180 mTorr) und mit einer Eigenvorspannung im Bereich von -50 bis -700 V abgeschieden. Es konnten Filme mit einer Dicke zwischen 0,05 und 5 µm abgeschieden werden. Die Härte und die thermische Stabilität der amorphen Fluorkohlenstoffilme stammt aus dem starken Bombardement, das während des Ab­ scheidungsverfahrens angewandt wird.
Ein weiteres Beispiel des herkömmlichen, aus Plasma polymerisierten Fluorpolym­ erdünnfilms niedriger Dielektrizitätskonstante ist in US-A-4 938 995 beschrieben. Dieses Patent beschreibt ein Verfahren zur Abscheidung eines Fluorpolymerdünn­ films niedriger Dielektrizitätskonstante (im Bereich von 2,3 bis 3,3) unter Verwen­ dung von Sauerstoff enthaltenden Fluorpolymeren als Monomerquelle.
Ein weiteres Beispiel eines herkömmlichen Isolationsfilms niedriger Dielektrizi­ tätskonstante ist ein in US-A-5 462 784 beschriebener, fluorierter, diamantähnli­ cher Kohlenstoffilm. Dieses Patent beschreibt eine verbesserte abriebbeständige Schutzbeschichtung für die Oberfläche von Aufzeichnungsgeräten, die aus fluo­ riertem, diamantähnlichem Kohlenstoff gebildet ist. Die Filme werden durch plasmaverstärkte chemische Dampfabscheidung auf einem negativ vorgespannten Substrat aus Mischungen aus fluorierten Kohlenwasserstoffen mit Wasserstoff, vorzugsweise aus fluorierten Kohlenwasserstoffen mit einem großen Verhältnis von Fluor zu Kohlenstoff im Molekül, wie Hexafluorbenzol (C6F6) und Pentafluor­ benzol (C6HF5) hergestellt.
Der herkömmliche Isolationsfilm mit niedriger Dielektrizitätskonstante weist die folgenden Probleme auf.
Erstens sind die Filme bei einer Temperatur von über 350°C nicht stabil.
Zweitens weisen die unter Anwendung eines starken Ionenbombardements abge­ schiedenen Filme starke innere Spannungen auf, welche sie für die Geräteherstel­ lung ungeeignet machen. Beispielsweise wurden Veränderungen von Fluorkohlen­ stoffgruppen bei Temperaturen im Bereich von 20-700°C erhalten. Die Fluorkoh­ lenstoffilme, welche aus CF3-, CF2-, CF- und C-CFx-Bindungen bestehen, zeigten Stabilität bis zu etwa 200°C und pyrolysierten durch Dissoziation der thermischen Bindungen oberhalb dieser Temperatur.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Bildung eines Isola­ tionsfilms mit niedriger Dielektrizitätskonstante vorzusehen, welches im wesentli­ chen eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nach­ teilen des Standes der Technik überwindet.
Dieses Ziel wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 erreicht. Vorteilhafte Aus­ gestaltungen des Anmeldungsgegenstandes sind in den Unteransprüchen angege­ ben.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zur Bildung eines Isolations­ films mit niedriger Dielektrizitätskonstante, umfassend den Schritt:
Zuführen eines ersten, Fluor und Kohlenstoff enthaltenden Quellen­ gases und eines zweiten, Siliziumdioxid enthaltenden Quellengases zu ei­ nem Doppelfrequenzreaktor für hochdichtes Plasma, und dadurch Bilden eines Fluorkohlenstoff/ Siliziumoxid-Verbundfilms auf einem in dem Re­ aktor angeordneten Substrat.
Der erfindungsgemäße Isolationsfilm mit niedriger Dielektrizitätskon­ stante, bei dem es sich um einen in einem Doppelfrequenzreaktor mit hochdichtem Plasma gebildeten Fluorkohlenstoff/ Siliziumoxid-Verbund­ film handelt, ist bis mindestens 450°C thermisch stabil, besitzt eine Die­ lektrizitätskonstante im Bereich von 2 bis 4 und weist geringe Spannung auf.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert. Hierbei zei­ gen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung, welche eine Vorrichtung zur Bil­ dung eines Isolationsfilms gemäß der Erfindung erläutert.
Fig. 2 ein Diagramm, welches Dielektrizitätskonstanten eines erfindungs­ gemäßen Isolationsfilms mit niedriger Dielektrizitätskonstante als eine Funktion des Einspeisemonomer-Gasverhältnisses erläutert; und Fig. 3 ein Diagramm, welches Extinktionen eines erfindungsgemäßen Iso­ lationsfilms als Funktion der Wellenlängen erläutert.
Die Erfindung wird nun anhand bevorzugter Ausführungsformen, von de­ nen Beispiele in den Zeichnungen erläutert sind, näher beschrieben.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 wird ein Substrat in einen Doppelfrequenzre­ aktor für hochdichtes Plasma eingebracht, wobei das Substrat aus ther­ misch stabilen Materialien gebildet ist, wie Kaliumchlorid, Quarz oder Glas oder Silizium, Metalle, Keramiken oder Polymere. Das Substrat wird vor dem Einbringen in den Reaktor chemisch gesäubert. Dem Reaktor wird dann Argongas mit einer Rate von 15 SCCM zugeführt und der Reaktor­ druck bei 6,6 Pa (50 mTorr) eingestellt. Der RF-Modulatorstrom für eine Bodenelektrode wird angestellt und der Strom erhöht, bis die Vorspan­ nung auf -300 V eingestellt ist. Der Reaktor wird 10 Minuten betrieben, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen. Der RF-Modulatorstrom wird dann abgestellt und der Reaktor mittels einer Vakuumpumpe auf seinen Ausgangsdruck evakuiert.
Der Reaktor umfaßt eine Vakuumkammer 20, welche aus nichtrostendem Stahl hergestellt sein kann und vakuumdicht sein sollte. Innerhalb des Reaktors befindet sich ein Substrathalter 21, der bei einer konstanten Temperatur durch eine Heizeinrichtung 22 gehalten wird. Die Heizeinrich­ tung 22 wird durch eine Temperaturreguliereinrichtung 35 reguliert. Der Substrathalter 21 wird mit einem zweiten RF-Modulator 34 niedriger Fre­ quenz versorgt, dessen Anregungsfrequenz zwischen 10 kHz bis 100 kHz variiert werden kann. Der Niederfrequenzstrom wird dem Substrathalter 21 über einen Sperrkondensator 23 mit geringer Impedanz zugeführt. Ein Quellengas wird in den Reaktor eingebracht und durch einen ringförmigen Verteiler 24, der auf dem Substrathalter 21 vorgesehen ist, verteilt.
Eine separate Frequenz von 13,56 MHz aus dem ersten RF-Modulator wird einer oberen Platte 26 des Reaktors über ein Anpassungsnetzwerk 27 vom L-Typ zugeführt. Die obere Platte umfaßt zwei Pyrex- oder Quarzglasplat­ ten mit einer Gesamtdicke im Bereich von 1,905 bis 2,54 cm. Zwischen den zwei Glasplatten befindet sich eine Faraday-Abschirmplatte 28 mit einer Kupferplatte mit radial angeordneten Speichen (ähnlich einem Fahrrad). Diese Faraday-Abschirmplatte 28 verringert eine kapazitive Kupplung durch Abdämpfung divergenter dielektrischer RF-Felder (d. h. kapazitiver Felder), während divergente freie elektromagnetische Felder (d. h. Induk­ tionsfelder) durchgelassen und die Entladung erwärmen gelassen werden.
Eine Antenne 29 sitzt auf der oberen Platte 26 und besitzt ein wasserge­ kühltes Kupferrohr, welches auf der oberen Platte 26 vier Biegungen macht. Der RF-Strom wird einem Zentralabgriff 31 des Kupferrohrs zuge­ führt, während der andere Abgriff 30 geerdet ist. Die Antenne 29 ist in ei­ ner Abschirmbox 32 untergebracht und das Quellengas wird in die Vaku­ umkammer 20 über eine Vakuumkupplung 33 zugeführt.
Nachdem die Kammer 20 mittels einer Kombination aus einer mechani­ schen Pumpe und einer Hochvakuumpumpe, wie einer Turbomolekular­ pumpe oder Diffusionspumpe den Ausgangsdruck erreicht hat, werden Argon- und Sauerstoffgas in die Vakuumkammer 20 im Verhältnis von 1 : 1 eingebracht, wobei die Strömungsraten jedes der Gase auf 10 SCCM einge­ stellt werden.
Die Temperatur des Substrats wird auf eine erwünschte Temperatur zwi­ schen 60 und 350°C mittels der Temperaturreguliereinrichtung 35 einge­ stellt. Nachdem sich die eingestellte Temperatur stabilisiert hat, werden die Strömungsraten der zwei Quellengase auf die erwünschten Werte ein­ gestellt. Das bevorzugte Fluorkohlenstoffquellengas ist Perfluorbenzol (C6F6) und das bevorzugte SiO2-Quellengas ist Hexamethyldisiloxan (HMDSO). Das Strömungsratenverhältnis der zwei Monomer-Quellenga­ se, d. h. HMDSO/(HMDSO+C6F6) kann zwischen 0,01 und 0,99 liegen, in Abhängigkeit der erwünschten Eigenschaften des Films, wie der Dielektri­ zitätskonstante und der Filmspannung. Bei der vorliegenden Erfindung werden die Strömungsraten der Quellengase vorzugsweise so eingestellt, daß sie bei 12,6 SCCM für Perfluorbenzol und bei 1,4 SCCM für HMDSO liegen.
Nachdem sich die Strömungsraten der zwei Quellengase stabilisiert ha­ ben, wird der Druck des Reaktors auf vorzugsweise 26,6 Pa (200 mTorr) mittels einer Druckreguliereinrichtung eingestellt. Da die zwei Quellenga­ se bei Raumtemperatur im Flüssigkeitszustand vorliegen, müssen ge­ eignete Strömungsverteilungssysteme mit jeweils einer Flüssigkeitsheiz­ einrichtung (um den erwünschten Druck zu erhalten) und einem Dosier­ ventil oder einer Strömungsregulierungseinrichtung verwendet werden.
Nachdem sich der Druck stabilisiert hat, wird ein 13,56 MHz RF-Strom an die obere Elektrode mittels des ersten RF-Modulators 25 des Reaktors an­ gelegt und der Strom auf 300 W eingestellt. Ein 100 MHz RF-Strom wird an die Bodenelektrode mittels des zweiten RF-Modulators 34 angelegt. Hier­ bei wird der Strom für die Bodenelektrode solange eingestellt, bis die Gleichstrom-Vorspannung an der Bodenelektrode (gemessen durch ein Oszilloskop oder ein Gleichstrom-Voltmeter mit einem RF-Sperrfilter) - 200 V anzeigt. Um die an die Bodenelektrode angelegte Gleichstrom-Vor­ spannung in geeigneterweise einzustellen, kann die Vorspannung des Os­ zilloskops so gemessen werden, daß sie im Bereich von -50 bis -400 V liegt und der Gesamtdruck des Reaktors kann im Bereich von 6,66 bis 26,66 Pa (50 bis 200 mTorr) liegen.
Die Messung der Abscheidungszeit beginnt zu dem Zeitpunkt, wenn die Gleichstrom-Vorspannung -200 V anzeigt. Nach Verstreichen einer er­ wünschten Zeit werden sowohl der erste als auch der zweite RF-Modulator 25 bzw. 35 abgestellt und der Reaktor auf seinen Ausgangsdruck evaku­ iert, bevor der Reaktor abgefahren wird.
Durch das oben beschriebene Verfahren wird der erfindungsgemäße Isolationsfilm mit niedriger Dielektrizitätskonstante aus Fluorkohlenstoff/Si­ liziumoxid auf dem Substrat gebildet. Das Substrat, auf welchem der Flu­ orkohlenstoff/Siliziumoxid-Verbundfilm abgeschieden wird, kann bewegt werden oder stationär sein.
Als nächstes werden die Dielektrizitätskonstante, die Filmdicke und ein Infrarotspektrum des aus dem Reaktor entnommenen Substrats gemes­ sen. Das Infrarotspektrum wird mit einem Perkin-Elmer FTIR-Spektrome­ ter von einem Film, der auf einer Kaliumchloridscheibe mit einem Durch­ messer von 13 mm abgeschieden worden ist, unter Anwendung des Trans­ missionsmodus mit 2 cm-1 Auflösung gemessen. Um das Signal-zu-Ge­ räusch-Verhältnis zu verbessern, werden mehr als 50 Abtastungen für je­ de Probe gemittelt. Der Brechungsindex und die Dicke des auf dem Sub­ strat von 5,08 cm abgeschiedenen Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid-Ver­ bundfilms werden mit einem Ellipsometer gemessen. Die Dickenwerte des Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid-Verbundfilms können mit einem Profilo­ meter bestätigt werden. Die Dielektrizitätskonstante des Films wird mit ei­ nem CV-Plotter gemessen. Um die C-V-Messung durchzuführen, werden Metall-Isolator-Silizium (MIS)-Kondensatoren gebildet durch Sputterab­ scheidung von Aluminiumpunktelektroden auf dem Siliziumwafer mit ab­ geschiedenem Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid-Verbundfilm. Die Konden­ satoren werden auf einer Meßstation positioniert und mittels Drähten mit der CV-Brücke verbunden. Die C-V-Prüfung wird dann auf den MIS-Kon­ densatoren durchgeführt durch Durchfahren der Spannung von -100 bis +100 V bei Raumtemperatur bei einer Steigungsrate von 0,5 V/s. Die Ka­ papzitätswerte, welche aus mehreren zehn A1-Punkten erhalten werden, werden gemittelt, um einen statistisch signifikanten Wert zu erhalten. Un­ ter diesen Bedingungen lag die gemessene Dielektrizitätskonstante im Be­ reich zwischen 2,0 und 4,0.
Die Abscheidungsrate des Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid-Verbundfilms gemäß der Erfindung wird vom Druck, der Energie, Vorspannung, Tempe­ ratur des Substrats und dergleichen beeinflußt. Die Abscheidungsrate ei­ nes Isolationsfilms mit einer Dielektrizitätskonstante gemäß der Erfin­ dung beträgt im allgemeinen etwa 0,5-1,5 µm/h.
Die thermische Stabilität des abgeschiedenen Films wird bewertet durch Erwärmen des Substrats mit dem darauf befindlichen Film in einem 13,3 Pa (100 mTorr) Vakuum in einer Argongasumgebung. Die Temperatur wird zunächst bei 350°C über eine Stunde gehalten, dann wird auf Raumtempe­ ratur gekühlt. Nach Vervollständigung der erforderlichen Messungen wird die Probe erneut eine Stunde bei der nächsten Temperatur getempert. Die Temperungstemperatur wird jedesmal um 50°C erhöht, bis die endgültige Temperungstemperatur von 500°C erreicht ist. Nach jeder Temperungspe­ riode werden die Dielektrizitätskonstante, die Dicke des Films, der Brechungs­ index und ein FTIR-Spektrum gemessen. Bei diesem speziellen Durchlauf wird die Dicke des abgeschiedenen Fluorkohlenstoff/Silizium­ oxid-Verbundfilms um 2% verringert, der Brechungsindex um 1% verrin­ gert, während im FTIR-Spektrum keine signifikanten Änderungen beob­ achtet werden.
Die Spannung der durch dieses Verfahren abgeschiedenen Fluorkohlen­ stoff/Siliziumoxid-Verbundfilme wird unter Verwendung einer Sebastianspannungsmeßvorrichtung bewertet. Die Spannung wird berechnet ba­ sierend auf der Messung der Krümmung des Substrats vor und nach der Abscheidung. Die Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid-Verbundfilme werden typischerweise unter geringer Druckspannung im Bereich von 107 bis 108 dyn/cm2 abgeschieden, wobei es bevorzugt ist, den Intermetall-Isolationsfilm unter einem geringen Druck von weniger als 109 dyn/cm2 zu bil­ den. Der Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid-Verbundfilm gemäß einer bevor­ zugten Ausführungsform der Erfindung mit einer Dicke von 1 µm besitzt eine Spannung von 4,8 × 108 dyn/cm2, und derjenige mit einer Dicke von 2 µm besitzt eine Spannung von 4,0 × 107 dyn/cm2. Die gemessene Span­ nung ist immer die Druckspannung.
Bezugnehmend auf Fig. 2 weist der Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid-Ver­ bundfilm eine Dielektrizitätskonstante im Bereich von 2,0 bis 4,0 auf bei verschiedenen Zusammensetzungsverhältnissen von HMDSO gemäß der Mischung aus Quellengasen aus HMDSO und C6F6. d. h. verschiedenen Werten von HMDSO/(HMDSO+C6F6).
Bezugnehmend auf Fig. 3 zeigt das Infrarotspektrum des Fluorkohlen­ stoff/Siliziumoxid-Verbundfilms zwei charakteristische Absorptionsban­ den; eine korrespondiert zu SiO2 bei einer Wellenzahl von ungefähr 1.070 cm-1, und die andere korrespondiert zu einem a-PPFE bei einer Wellenzahl von ungefähr 740 cm-1. Die Größe der Absorptionsbanden ändert sich in Abhängigkeit des Verhältnisses der Quellengase, wobei die zwei Absorp­ tionsbanden einen Eigenschaftsindex des Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid- Verbundfilms repräsentieren.
Der erfindungsgemäße Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid-Verbundfilm kann als intermetallischer Isolationsfilm sowie als anderer Isolationsfilm, wie er als Beschichtungsmaterial eingesetzt wird, das eine thermische Stabilität bei einer hohen Temperatur, geringem Widerstand und eine niedrige Die­ lektrizitätskonstante erfordert, verwendet werden.

Claims (9)

1. Verfahren zur Bildung eines Isolationsfilms mit niedriger Dielektrizitätskon­ stante, umfassend den Schritt:
Zuführen eines ersten, Fluor und Kohlenstoff enthaltenden Quellengases und eines zweiten, Siliziumdioxid enthaltenden Quellengases zu einem Doppelfre­ quenzreaktor für hochdichtes Plasma, und dadurch Bilden eines Fluorkohlen­ stoff/Siliziumoxid-Verbundfilms auf einem in dem Reaktor angeordneten Sub­ strat.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das erste Quellengas Perfluorbenzol (C6F6) beinhaltet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, wobei das zweite Quellengas Hexame­ thyldisiloxan (HMDSO) beinhaltet.
4. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Strömungsrate des ersten Quellengases 12,6 SCCM und die Strömungsrate des zweiten Quellengases 1,4 SCCM beträgt.
5. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Verhältnis des zweiten Quellengases zu der Summe aus dem ersten und zweiten Quellengas 0,01 bis 0,99 beträgt.
6. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Dielektrizitätskonstante des Fluorkohlenstoff/Siliziumoxid-Verbundfilms im Bereich von 2,0 bis 4,0 liegt.
7. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Temperatur des Substrats in dem Reaktor im Bereich von 60 bis 350°C liegt und die Vorspannung des Substrats während der Bildung des Fluorkohlenstoff/Sili­ ziumoxid-Verbundfilms im Bereich von -50 bis -400 V liegt.
8. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat aus einem Material gebildet ist, gewählt aus Silizium, Metallen, Kerami­ ken, Glas, Polymeren und Kaliumchlorid.
9. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Druck in dem Reaktor im Bereich von 6,66 bis 26,66 Pa (50 bis 200 × 10-3 Torr) liegt.
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