DE19755734A1 - Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen BauelementesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
bestehend aus einem Grundkörper, einem in einer Ausnehmung
des Grundkörpers angeordneten optoelektronischen Sender
und/oder Empfänger und einer die Ausnehmung verschließenden
optischen Einrichtung.
In den letzten Jahren löst die Oberflächenmontagetechnik
(SMT) zunehmend die Bestückung von Leiterbahnträgern mit
bedrahteten Bauelementen ab. Der entscheidende Vorteil der
SMT besteht in einer Steigerung der Packungsdichte, die mit
herkömmlichen Bestückungverfahren nicht erreicht werden kann.
Wegen der bei vielen optischen Anwendungen gewünschten hohen
Packungsdichte kommt der SMT im Bereich der Optoelektronik
eine besondere Bedeutung zu. Es sind auch bereits
optoelektronische Bauelemente bekannt, die nach dem SMT-
Konzept oberflächenmontierbar ausgelegt sind.
EP 0 230 336 A1 beschreibt ein oberflächenmontierbares
optoelektronisches Bauelement, das ein ringförmiges Gehäuse
aufweist, dessen obere Ringöffnung mit einer Kugellinse
verschlossen ist, während die untere Ringöffnung auf einer
Platine aufsteht. Innerhalb des Gehäuses ist zwischen der
Platine und dem unteren Scheitelpunkt der Kugellinse ein
lichtaussendendes Halbleiterelement angeordnet. Der durch
die Platinenoberfläche und die Kugellinse begrenzte Innenraum
des Ringgehäuses ist mit einem transparenten Kleber gefüllt.
Ein weiteres oberflächenmontierbares optoelektronisches
Bauelement ist in der EP 0 400 176 dargestellt. Dieses
Bauelement weist einen Grundkörper mit einer zentralen
Vertiefung auf, in der ein optisch aktives Halbleiterelement
angeordnet ist. Oberhalb des Grundkörpers befindet sich eine
Linse, die über eine Befestigungseinrichtung, beispielsweise
einen Klemmzapfen, mit dem Grundkörper verbunden ist.
Aus "Siemens SMT-TOPLED für die Oberflächenmontage", Frank
Möllmer und Günter Waitl, Siemens Components 29, (1991), Heft
4, Seiten 147 bis 149, ist eine für die Oberflächenmontage
vorgesehene lichtemittierende Diode (LED) bekannt. Zur
Herstellung dieser Diode wird ein endlos gestanztes
Leiterband mit einem hochtemperaturfesten Thermoplast
umspritzt, der den Gehäuserahmen bildet. Im Innenbereich des
Gehäuserahmens wird ein optisch aktive Element auf das
Leiterband montiert und an dort vorhandenen Leiterbahnen
elektrisch kontaktiert. Nachfolgend wird der
Rahmeninnenbereich zum Schutz des aktiven Elements vor
Umwelteinflüssen mit einem Gießharz vergossen. Eine Linse
oder eine ähnliche optische Einrichtung ist bei diesem
Bauelement nicht vorgesehen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren anzugeben, mit dem oberflächenmontierbare
optoelektronische Bauelemente mit einer optischen Einrichtung
einfach und auf kostengünstige Weise hergestellt werden
können.
Diese Aufgabe wird nach den kennzeichnenden Merkmalen des
Anspruchs 1 durch die folgenden Schritte gelöst:
Bereitstellen des Grundkörpers mit dem in der Ausnehmung angeordneten optoelektronischen Sender und/oder Empfänger, Befüllen der Ausnehmung des Grundkörpers mit einer transparenten, härtbaren Vergußmasse und Aufbringen der optischen Einrichtung auf den Grundkörper, wobei die optische Einrichtung im Bereich der Ausnehmung mit der Vergußmasse in Kontakt tritt.
Bereitstellen des Grundkörpers mit dem in der Ausnehmung angeordneten optoelektronischen Sender und/oder Empfänger, Befüllen der Ausnehmung des Grundkörpers mit einer transparenten, härtbaren Vergußmasse und Aufbringen der optischen Einrichtung auf den Grundkörper, wobei die optische Einrichtung im Bereich der Ausnehmung mit der Vergußmasse in Kontakt tritt.
Ein wesentlicher Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung
besteht darin, daß die optische Einrichtung erst nach dem
Vergießen der Ausnehmung mit Vergußmasse auf den Grundkörper
aufgebracht wird. Durch das Aufbringen der optischen
Einrichtung auf die bereits mit Vergußmasse gefüllte
Ausnehmung kann eine sehr lagegenaue und reproduzierbare
Positionierung der optischen Einrichtung auf dem Grundkörper
erfolgen, die durch nachfolgende Schritte wie beispielsweise
einen Aushärteschritt oder einen Entformungsschritt im
wesentlichen nicht mehr beeinträchtigt wird. Dadurch wird in
bezug auf das Abstrahl- oder auch Empfangsverhalten eine hohe
optische Qualität des optoelektronischen Bauelements
gewährleistet, die für Anwendungen, bei denen eine exakte
Strahlführung und eine hohe Lichtausbeute wünschenswert sind,
von großer Bedeutung ist. Die erfindungsgemäßen
optoelektronischen Bauelemente sind damit Bauelementen, bei
denen die Befüllung der Ausnehmung von der rückwärtigen Seite
bei zuvor montierter optischer Einrichtung erfolgt,
überlegen.
Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich in besonders
bevorzugter Weise bei der Herstellung von sogenannten
vorgehäusten optoelektronischen Bauelementen anwenden. Dabei
erfolgt zunächst die Herstellung des Grundkörpers durch
Umspritzen eines Leiterbandes mit einem Thermoplast unter
gleichzeitiger Ausbildung des Gehäuses mit der Ausnehmung und
nachfolgend die Montage des optoelektronischen Senders
und/oder Empfängers auf einen innerhalb der Ausnehmung
liegenden Abschnitt des Leiterbandes.
Nach einer ersten vorteilhaften Ausführungsform des
erfindungsgemäßen Verfahrens wird die optische Einrichtung in
Schritt c) auf die noch nicht gehärtete Vergußmasse
aufgebracht und die Vergußmasse wird nachfolgend ausgehärtet.
In diesem Fall kann die Befüllmenge der Vergußmasse so
gewählt werden, daß beim nachfolgenden Aufbringen der
optischen Einrichtung im wesentlichen keine Vergußmasse über
den Rand der Ausnehmung hinaustritt. Es ist dann nicht
erforderlich, Maßnahmen zum Auffangen etwaig übertretender
Vergußmasse zu ergreifen.
Es ist auch möglich, eine aufgrund der Oberflächenspannung
der Vergußmasse auftretende Hohlkehlenbildung derselben
auszunutzen. In diesem Fall wird eine optische Einrichtung
verwendet, deren Formgebung in ihrem die Vergußmasse
kontaktierenden Bereich so gewählt ist, daß auch bei einer
bis zum Rand mit Vergußmasse gefüllten Ausnehmung beim
Aufbringen der optischen Einrichtung keine Vergußmasse über
den Rand der Ausnehmung hinaustritt.
Der Grundkörper kann auch vor dem Aufbringen der optischen
Einrichtung mit einer die Ausnehmung umlaufenden Ringnut
versehen werden. In diesem Fall wird beim Aufbringen der
optischen Einrichtung gegebenenfalls überlaufende Vergußmasse
in der Ringnut gesammelt und somit verhindert, daß diese an
der Außenseite des Grundkörpers herunterläuft und dort
aushärtet, was die Handhabbarkeit des Bauelements
beeinträchtigen würde.
Eine besonders reproduzierbare Positionierung der optischen
Einrichtung wird erreicht, wenn der Grundkörper vor dem
Aufbringen der optischen Einrichtung mit randseitig zur
Ausnehmung angeordneten Auflageelementen für die optische
Einrichtung versehen wird. Die Auflageelemente können
beispielsweise in dem bereits erwähnten Spritzschritt zur
Herstellung des Grundkörpers bei einem vorgehäusten
optoelektronischen Bauelement integral mit dem Gehäuse
gebildet werden.
Vorzugsweise wird die optische Einrichtung im wesentlichen
druckfrei von oben auf den Grundkörper oder auf die an diesem
ausgebildeten Auflageelemente aufgelegt. Die Ablage der
optischen Einrichtung erfolgt dann allein aufgrund der
Schwerkraft.
Eine weitere vorteilhafte Verfahrensvariante besteht darin,
daß vor dem Aufbringen der optischen Einrichtung zunächst
dieselbe mittels eines Gieß-, Preß- oder Spritzvorgangs
hergestellt wird, nachfolgend als Schüttgut gefördert wird
und durch automatisiertes Ergreifen aus dem Schüttgut und
automatisiertes Positionieren über einem Grundkörper auf
diesen aufgebracht wird. Der Vorteil dieser Maßnahmen
besteht darin, daß die Herstellung der optischen Einrichtung
völlig unabhängig von der Herstellung des Grundkörpers
erfolgt, wodurch die Möglichkeit einer gesonderten und
effektiven Qualitätskontrolle der optischen Einrichtung sowie
der Aussonderung von Ausschuß gegeben ist. Dadurch wird die
Herstellung von Bauelementen mit höchster Qualität
ermöglicht.
Nach einer zweiten bevorzugten Ausführungsform des
erfindungsgemäßen Verfahrens wird die optische Einrichtung in
einem Gießvorgang gebildet und im Rahmen dieses Gießvorgangs
im Bereich der Ausnehmung auf den Grundkörper aufgebracht und
mit der Vergußmasse in der Ausnehmung vergossen. Auch bei
dieser zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens erfolgt die Befüllung der Ausnehmung des
Grundkörpers vor dem Aufbringen der optischen Einrichtung im
Rahmen des erwähnten Gießschrittes, so daß die mit dieser
Prozeßführung verbundenen Vorteile auch bei dieser
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zu Tage
treten.
Vorzugsweise wird bei dieser zweiten Ausführungsform des
erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung der optischen
Einrichtung zunächst eine Gießformhälfte bereitgestellt und
diese Gießformhälfte mit einer weiteren Vergußmasse befüllt.
Andererseits wird nach dem Befüllen der Ausnehmung des
Grundkörpers mit Vergußmasse die Vergußmasse zunächst
zumindest teilweise gehärtet und danach mit Vergußmasse
benetzt. Anschließend werden der Grundkörper und die mit der
weiteren Vergußmasse befüllte Gießformhälfte lagerichtig
zusammengefügt und in einem weiteren Schritt wird die weitere
Vergußmasse in der Gießformhälfte ausgehärtet und dabei an
die Vergußmasse in der Ausnehmung des Grundkörpers
angegossen. Schlußendlich wird die Entformung des nunmehr
fertiggestellten optoelektronischen Bauelements durch
Entfernen der Gießformhälfte von dem Grundkörper mit
angegossener optischer Einrichtung durchgeführt.
Die Benetzung kann beispielsweise dadurch erfolgen, daß der
Grundkörper um eine Horizontalachse gewendet wird und
zumindest oberflächenseitig in Vergußmasse eingetaucht wird.
Aufgrund der zumindest teilweisen Aushärtung der Vergußmasse
läuft bei dem Wenden keine Vergußmasse aus.
Durch die Benetzung der Oberfläche der Gußmasse wird
verhindert, daß beim nachfolgenden Angußschritt Luftblasen in
der Vergußmasse zurückbleiben.
Der Vorteil der vorstehend beschriebenen zweiten
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht
darin, daß sie auf einfache Weise realisierbar ist und ein
hohes Automatisierungspotential besitzt, wodurch insbesondere
auch eine Massenfertigungen in Großserie ermöglicht wird.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen
Verfahrens sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nachfolgend in beispielhafter Weise unter
Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines in dem
erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Grundkörpers
mit Gehäuse und Leiterband;
Fig. 2A, 2B, 2C die Verfahrensschritte des Bereitstellens
des Grundkörpers, des Befüllens der Ausnehmung des
Grundkörpers und des Aufbringens der optischen
Einrichtung auf den Grundkörper nach einer ersten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand
des in Fig. 1 gezeigten Grundkörperbeispiels;
Fig. 3 das in Fig. 2C gezeigte, nach der ersten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
hergestellte optoelektronische Bauelement in
Draufsicht;
Fig. 4 eine schematische Darstellung zur Erläuterung der
Herstellung und Förderung der optischen Einrichtung;
Fig. 5 ein weiteres nach der ersten Ausführungsform des
erfindungsgemäßen Verfahrens hergestelltes
optoelektronisches Bauelement;
Fig. 6 das in Fig. 5 gezeigte optoelektronische Bauelement
in Draufsicht; und
Fig. 7 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer
zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens.
Fig. 1 zeigt einen Grundkörper 1, der durch Umspritzen eines
Leiterbandes 2 mit einem Hochtemperatur-Thermoplastgehäuse 3
gebildet wird. Das Gehäuse 3 weist vorzugsweise ebene
Außenflächen auf, um eine einfache Bestückbarkeit zu
gewährleisten. Oberflächenseitig ist in dem Gehäuse 3 eine
Ausnehmung 4 vorgesehen.
Fig. 2A zeigt eine Schnittdarstellung eines im wesentlichen
gemäß Fig. 1 aufgebauten Grundkörpers 1, wobei sich das
Gehäuse 3' von dem in Fig. 1 gezeigten Gehäuse 3 nur insoweit
unterscheidet, daß die Oberfläche 5 des Gehäuses 3' mit einer
die Ausnehmung 4 umlaufenden Ringnut 6 versehen ist, auf die
später noch Bezug genommen wird. Fig. 2A zeigt, daß
Abschnitte 7, 8 des Leiterbands 2 vom Thermoplastgehäuse 3'
umschlossen sind und im bodenseitigen Bereich der Ausnehmung
4 mit Kontaktabschnitten 9, 10 in diese hineinstehen. Dabei
ist ein Kontaktabschnitt 9 bis in den zentralen Bereich der
Ausnehmung 4 hinein verlängert.
Die inneren Wandflächen 13 des Gehäuses 3 sind als
Schrägflächen ausgeführt und bilden einen Reflektor. Durch
die Wahl eines Gehäusewerkstoffs mit einem hohen diffusen
Reflexionsgrad von etwa 90% oder mehr läßt sich eine hohe
Reflexivität dieser Flächen 13 erzeugen.
Nach der Fertigstellung der Leiterband-Gehäusestruktur 2, 3'
wird ein Halbleiterchip 11 in die Ausnehmung 4 des Gehäuses
3' montiert. In der Darstellung der Fig. 2A ist dieser
Montageschritt bereits ausgeführt. Der Halbleiterchip 11
wird dabei auf den verlängerten Kontaktabschnitt 9 des
Leiterbandes 2 aufgebracht und mit diesem elektrisch
kontaktiert. Eine weitere elektrische Kontaktierung erfolgt
über einen Draht 12, der von dem Halbleiterchip 11 zu dem
gegenüberliegenden Kontaktabschnitt 10 des Leiterbandes 2
geführt ist. Als Halbleiterchip 11 kann beispielsweise eine
lichtemittierende Diode oder ein photoempfindliches
Halbleiterelement verwendet werden.
Nach der Montage und Kontaktierung des Halbleiterchips 11
wird die Ausnehmung 4 gemäß der Darstellung in Fig. 2b mit
einer fließfähigen Vergußmasse 14 befüllt. Bei der
Vergußmasse 14 kann es sich beispielsweise um ein Epoxidharz
handeln. Vergußmasse 14 und Gehäusewerkstoff sind in bezug
auf ihre thermischen Eigenschaften aufeinander abgestimmt, um
zu vermeiden, daß thermische Belastungen, wie sie bei dem
Verlöten des Bauelementes und auch im späteren Einsatzbereich
auftreten können, zu mechanischen Störungen führen.
Aufgrund der Oberflächenspannung der Vergußmasse ist die
Vergußmassenoberfläche 15 in Art einer Hohlkehle ausgebildet,
d. h. sie weist einen konkaven Verlauf auf.
Die Füllhöhe der Vergußmasse 14 ist abhängig von dem Ausmaß
der Hohlkehlenbildung, der Formgebung der im nächsten Schritt
(siehe Fig. 2C) auf die Ausnehmung 4 aufzubringenden
optischen Einrichtung und hängt ferner davon ab, ob
gehäuseseitig Maßnahmen wie beispielsweise die hier
dargestellte umlaufende Ringnut 6 getroffen sind, um
gegebenenfalls randseitig übertretende Vergußmasse
aufzufangen.
Fig. 2C verdeutlicht das nachfolgend durchgeführte Aufbringen
einer optischen Einrichtung auf die Ausnehmung 4. In dem in
Fig. 2C dargestellten Beispiel ist die optische Einrichtung
in Form einer plankonvexen Sammellinse 16 ausgebildet. An
der der Ausnehmung 4 zugewandten Seite weist die Sammellinse
16 im zentralen Bereiche eine ebene Grundfläche 17 auf, die
sich über eine Einlaufschräge 18 in eine radial
außenliegende, ringförmige Auflagefläche 19 fortsetzt. Die
Grundfläche 17 ist mit der Auflagefläche 19 koplanar.
Beim Aufbringen der Linse 16 auf das gemäß Fig. 2B mit
Vergußmasse 14 gefüllte Gehäuse 3 wird die Linse 16 zunächst
über der Ausnehmung 4 positioniert und axial mit dieser
ausgerichtet. Nachfolgend wird die Linse 16 auf das
Thermoplastgehäuse 3' niedergebracht, wobei die
Einlaufschräge 18 der Linse 16 mit einem oberen Bereich der
geneigten Reflektor-Innenwandfläche 13 selbstzentrierend
zusammenwirkt. Dadurch wird eine Endlage der Linse 16
relativ zum Gehäuse 3' erzielt, die von dem vorhergehenden
Ausrichtungsschritt weitgehend unabhängig ist und im
wesentlichen durch die Maßhaltigkeit der Linsen- und
Gehäusefertigung in den entsprechenden Schrägflächenbereichen
bestimmt wird.
Das Aufbringen der Linse 16 auf das Gehäuse 3' geschieht wie
folgt: Zunächst tritt die Linsengrundfläche 17 mit der
Oberfläche 15 der Vergußmasse 14 in Kontakt. Zu diesem
Zeitpunkt liegt die Auflagefläche 19 noch nicht auf der
Oberfläche 5 des Gehäuses 3' auf. Das nachfolgende Absenken
der Linse 16 in die Endlage kann allein durch den Einfluß der
Schwerkraft bewirkt werden. Dabei kommt es zu einem
vollflächigen Kontakt der Linsengrundfläche 17 mit
Vergußmasse 14 und - je nach Befüllungshöhe der Ausnehmung 4
(siehe Fig. 2B) - zu einer Verdrängung von Vergußmasse 14 aus
der Ausnehmung 4. Über den Gehäuserand übertretende
Vergußmasse sammelt sich in der Ringnut 6. Die Ringnut 6
verhindert damit ein ansonsten mögliches Herunterfließen von
Vergußmasse an der Gehäuseaußenwandung. Ein gewisses
Übertreten von Vergußmasse 14 in die Ringnut 6 kann dabei
durchaus erwünscht sein, da auf diese Weise die Dichtigkeit
des Verbundes zwischen der Linse 16 und dem Gehäuse 3'
günstig beeinflußt wird.
In einem letzten Herstellungsschritt wird dann die
Vergußmasse 14 beispielsweise im Rahmen einer Wärmebehandlung
in dem Bauelement ausgehärtet.
Fig. 3 zeigt das in Fig. 2C dargestellt optoelektronische
Bauelement in Draufsicht. Die den Reflektor bildenden
schrägen Wandflächen 13 der Ausnehmung 4 sowie der
Halbleiterchip 11 befinden sich unterhalb der Linse 16 und
sind durch gestrichelte Linien dargestellt. Die optionale
Ringnut 6 ist aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht
eingezeichnet.
Das anhand der Fig. 2A bis 2C erläuterte Verfahren kann mit
Linsen von unterschiedlicher Form und unterschiedlichem
Material durchgeführt werden. Wesentlich ist jedoch, daß bei
dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens die
Herstellung der Linsen bereits vor Aufbringen derselben auf
das Gehäuse 3, 3' abgeschlossen ist.
Fig. 4 erläutert in beispielhafter Weise die Herstellung der
in Fig. 2C dargestellten plankonvexen Sammellinse 16 durch
ein in einem Preßwerkzeug 20 durchgeführtes
Spritzpreßverfahren. Dabei wird zunächst klare Preßmasse in
Richtung des Pfeils 21 durch einen Kanal 22 einer beheizten
Werkzeughälfte 23 in eine Preßfom gepreßt, die durch eine
Formfläche 24 der ersten Werkzeughälfte 23, eine Formfläche
26 einer benachbart der ersten Werkzeughälfte 23 angeordneten
zweiten Werkzeughälfte 25 und der Stirnfläche 27 eines in der
zweiten Werkzeughälfte 25 verschieblich aufgenommenen
Ringauswerfers 28 definiert ist. Die Preßmasse wird dann
durch einen Preßvorgang zu der Linse 16 geformt, welche
anschließend mittels des Ringauswerfers 28 im heißen Zustand
gestaltfest in Richtung des Pfeils 29 aus dem Preßwerkzeug 20
ausgestoßen wird. Dabei fällt die Linse 16 als Schüttgut in
einen Linsensammelbehälter 30. Der Linsensammelbehälter 30
steht in nicht dargestellter Weise mit Fördereinrichtungen,
wie beispielsweise einem Rüttelförderer, Trichtern usw. in
Verbindung, über die die Linse 16 zu einer ebenfalls nicht
dargestellten Montageeinheit gebracht wird, mittels der sie
in der bereits beschriebenen Weise (siehe Fig. 2C) auf das
Gehäuse 3 des optoelektronischen Bauelements aufgebracht
wird.
Bei dem nach Fig. 4 beschriebenen Linsenherstellungsverfahren
erweist es sich als vorteilhaft, daß nur sehr geringe
Toleranzen auftreten. Dadurch wird einerseits der Ausschuß
gering gehalten und andererseits werden durch die gute
Maßhaltigkeit der Linsen 16 sowohl die optischen
Eigenschaften der Linse 16 als auch die Reproduzierbarkeit
der Endlage der Linse 16 in dem Gehäuse 3, 3' günstig
beeinflußt.
Eine Modifikation des in Fig. 2C dargestellten
optoelektronischen Bauelements ist in Fig. 5 gezeigt. Das
Bauelement nach Fig. 5 unterscheidet sich von dem in Fig. 2C
gezeigten Bauelement im wesentlichen dadurch, daß es anstelle
der plankonvexen Linse 16 eine Kugellinse 16' mit Durchmesser
R aufweist.
Die Herstellung des in Fig. 5 gezeigten Bauelements erfolgt
analog zu den in Fig. 2A bis 2C gezeigten
Verfahrensschritten. Die Selbstzentrierung der Kugellinse 16
beim Aufbringen auf das Gehäuse 3' wird dabei durch ihre
Oberflächenrundung bewirkt. Beim Aufsetzen der Linse 16'
kommt der in die Ausnehmung 4 hineinstehende Kugelabschnitt
31 mit der Vergußmasse 14 in Kontakt. Durch geeignete Wahl
der Füllhöhe und/oder des Radius R der Linse 16' kann
erreicht werden, daß der Oberflächenverlauf des
Kugelabschnitts 31 im eingesetzten Zustand gerade mit dem
konvexen Verlauf der Vergußmassenoberfläche 15 korreliert.
In diesem Fall erfolgt beim Aufbringen der Linse 16' im
wesentlichen keine Verdrängung von Vergußmasse. Ein weiterer
Vorteil des abgerundeten Kugelabschnitts 31 besteht darin,
daß dieser gewährleistet, daß bei der Montage keine
Luftblasen zwischen der Vergußmassenoberfläche 15 und der
Linse 16' zurückbleiben kann.
Fig. 6 zeigt das in Fig. 5 dargestellte Bauelement mit
Kugellinse 16' in Draufsicht. Aus dieser Figur wird
deutlich, daß an den schrägen Innenwandflächen 13 der
Ausnehmung 4 Radialstege 32 ausgebildet sind, die als
Auflageflächen für die Kugellinse 16' dienen.
Einerseits wird durch die Radialstege 32 eine definierte und
stabile Drei-Punkt-Auflage der Kugellinse 16' herbeigeführt,
wodurch die Reproduzierbarkeit der Einbaulage der Kugellinse
16' relativ zum Gehäuse 3' weiter erhöht wird. Andererseits
schaffen die Radialstege 32 einen ringraumartigen Freibereich
zwischen der Innenfläche 13 der Ausnehmung 4 und dem
Kugelabschnitts 31, der als Aufnahmevolumen für verdrängte
Vergußmasse dienen kann und daher ein Übertreten von
Vergußmasse über den Ausnehmungsrand hinweg auch im Falle
einer ausgeprägten Verdrängung von Vergußmasse vermeidet.
Radialstege 32 oder ähnliche Auflageelemente können auch bei
anderen Linsenformen und insbesondere auch bei der gemäß Fig.
2C verwendeten plankonvexen Linse 16 vorgesehen sein.
Anhand von Fig. 7 wird eine zweite Ausführungsform des
erfindungsgemäßen Verfahrens erläutert. Der hauptsächliche
Unterschied dieser zweiten Ausführungsform zu der ersten
Ausführungsform besteht darin, daß die optische Einrichtung
nunmehr in einem Angießverfahren auf das Bauteilgehäuse 3
aufgebracht wird.
Mit einem optischen Halbleiterchip 11 versehene Gehäuse 3
(siehe Fig. 1) werden an einem ersten Band 33 einer
Gießstation 34 zugeführt, bei der die Ausnehmung 4 des
Bauteilgehäuses 3 vergossen wird. Nachfolgend wird durch
Wärmeeinwirkung 35 eine Aushärtung oder zumindest teilweise
Anhärtung der Vergußmasse herbeigeführt. Bei 36 wird das
Band 33 um 180° gewendet und bei 37 wird die nunmehr nach
unten gerichtete, vergossene Oberfläche des Gehäuses zur
Vorbenetzung derselben in Gießharz getaucht.
Die Benetzung der angehärteten oder ausgehärteten Vergußmasse
kann auch auf anderem Wege erfolgen. Die Benetzung
gewährleistet, daß der nachfolgende Angießvorgang
luftblasenfrei erfolgt.
Ein zweites Band 38 trägt Gießformhälften 39, die zur
Herstellung der optischen Einrichtung vorgesehen sind. Dazu
werden in einer Linsengießstation 40 die Gießformhälften 39
mit einem Gießharz gefüllt. Das erste Band 33 mit den nach
unten weisenden Gehäusen 3 und das zweite Band 38 mit den
gefüllten Gießformhälften 39 werden zusammen durch den Spalt
zwischen zwei achsparallel angeordneten Igelrädern 41 geführt
und im Spalt zusammengefügt. Die Igelräder 41 sind beheizt,
so daß im Spalt eine Temperatur von etwa 80°C vorliegt. Nach
Verlassen des Spaltes werden die kombinierten Gehäuse-
Gießformhälften 3,39 unter Einfluß einer mechanischen Führung
42 einer Wärmebehandlung 43 bei etwa 150°C unterzogen. Die
Wärmebehandlung bewirkt, daß in den Gießformhälften 39
jeweils vorhandenes Vergußmaterial an die gehäuseseitige
Vergußmassenoberfläche angegossen wird und daran aushärtet.
Die beiden Bänder 33, 38 durchlaufen den Spalt eines zweiten
Paares von Igelrädern 44, der ebenfalls auf einer Temperatur
von 80°C gehalten wird. Die Entformung des Bauteils mit
angegossener optischer Einrichtung 45 erfolgt ausgangsseitig
des zweiten Igelradpaares 44 durch Auseinanderführen der
beiden Bänder 33 und 38.
Das in Fig. 7 gezeigte Verfahren kann in folgender Weise
modifiziert werden.
Anstatt auf einem Band können eine vorgegebene Anzahl von n
Gießformhälften integral in einer palettenartigen
Gießformgruppe zusammengefaßt sein. Nach einer
entsprechenden Vorbehandlung gemäß Fig. 7 wird dann die mit
Vergußmaterial befüllte Gießformgruppe von unten so an das
Band 33 herangeführt, daß jede Gießformhälfte der
Gießformgruppe mit einem am Band 33 angeordneten Gehäuse 3 in
Kontakt gelangt. Der Zusammenhalt kann beispielsweise durch
eine Klammerung bewirkt werden. Das Band 33 mit der
angeklammerten Gießformgruppe wird dann ähnlich wie die
Doppelbandstruktur in Fig. 7 einer Wärmebehandlung 43 bei
etwa 150°C unterzogen. Nach erfolgter Aushärtung wird im
Rahmen der Entformung die gesamte Gießformgruppe von dem Band
33 gelöst.
Das zuletzt erwähnte Verfahren unter Verwendung einer
Gießformgruppe weist gegenüber dem in Fig. 7 gezeigten
Doppelbandverfahren den Vorteil auf, daß die verwendeten
Gießformgruppen etwa 200 bis 300 mal wiederverwendbar sind,
während die am Band 38 geführten Gießformhälften 39 in der
Regel bereits nach einigen wenigen Einsätzen ausgetauscht
werden müssen. Daneben wird durch die integrale Ausbildung
und somit lagefeste Anordnung der Gießformen in der
Gießformgruppe eine höhere Positioniergenauigkeit erreicht,
so daß die nach diesem Verfahren hergestellten
optoelektronischen Bauelemente in der Regel höheren
Qualitätsanforderungen genügen.
Das in Fig. 7 gezeigte Doppelbandverfahren weist hingegen den
Vorteil auf, daß es aufgrund seines hohen
Automatisierungsgrades sehr kostengünstig durchgeführt werden
kann.
1
Grundkörper
2
Leiterband
3
Thermoplastgehäuse
4
Ausnehmung
5
Oberfläche
6
Ringnut
7
,
8
Abschnitt
9
,
10
Kontaktabschnitte
11
Halbleiterchip
12
Draht
13
Wandfläche
14
Vergußmasse
15
Vergußmassenoberfläche
16
plankonvexe Sammellinse
17
Grundfläche
18
Einlaufschräge
19
Auflagefläche
20
Preßwerkzeug
21
Pfeil
22
Kanal
23
erste Werkzeughälfte
24
Formfläche
25
zweite Werkzeughälfte
26
Formfläche
27
Stirnfläche
28
Ringauswerfer
29
Pfeil
30
Linsensammelbehälter
31
Kugelabschnitt
33
erstes Band
34
Vergußstation
35
Wärmeeinwirkung
36
Wenden
37
Eintauchen in Vergußmasse
38
zweites Band
39
Gießformhälfte
40
Linsengießstation
41
Igelrad
42
Führung
43
Wärmebehandlung
44
Igelrad
45
optische Einrichtung
Claims (20)
1. Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren
optoelektronischen Bauelementes bestehend aus einem
Grundkörper (1), einem in einer Ausnehmung (4) des
Grundkörpers (1) angeordneten optoelektronischen Sender
und/oder Empfänger (11) und einer die Ausnehmung (4)
verschließenden optischen Einrichtung (16, 16', 45)
gekennzeichnet durch die Schritte:
- a) Bereitstellen des Grundkörpers (1) mit dem in der Ausnehmung (4) angeordneten optoelektronischen Sender und/oder Empfänger (11),
- b) Befüllen der Ausnehmung (4) des Grundkörpers (1) mit einer transparenten, härtbaren Vergußmasse (14) und
- c) Aufbringen der optischen Einrichtung (16, 16', 45) auf den Grundkörper (1), wobei die optische Einrichtung (16, 16', 45) im Bereich der Ausnehmung (4) mit der Vergußmasse (14) in Kontakt tritt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt a) die folgenden Schritte umfaßt:
- - Herstellung des Grundkörpers (1) durch Umspritzen eines Leiterbandes (2) mit einem Thermoplastgehäuse (3) unter gleichzeitiger Ausbildung der Ausnehmung (4), und nachfolgend
- - Montage des optoelektronischen Senders und/oder Empfängers (11) auf einen innerhalb der Ausnehmung (4) liegenden Abschnitt (9) des Leiterbandes (2).
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet,
daß die optische Einrichtung (16, 16') in Schritt c) auf die
noch nicht gehärtete Vergußmasse (14) aufgebracht wird und
die Vergußmasse (14) nachfolgend ausgehärtet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß in Schritt b) die Befüllmenge der Vergußmasse (14) so
gewählt wird, daß beim nachfolgenden Aufbringen der optischen
Einrichtung (16, 16') im Schritt c) im wesentlichen keine
Vergußmasse (14) über den Rand der Ausnehmung (4) tritt.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch
gekennzeichnet,
daß die Ausnehmung (4) in Schritt b) im wesentlichen bis zum
Rand mit Vergußmasse (14) gefüllt wird, wobei sich nach dem
Befüllen der Ausnehmung (4) aufgrund der Oberflächenspannung
der Vergußmasse (14) eine Hohlkehle (15) ausbildet, und die
Formgebung der optische Einrichtung (16, 16') in ihrem die
Vergußmasse (14) kontaktierenden Bereich (31) so gewählt ist,
daß beim nachfolgenden Aufbringen der optischen Einrichtung
(16, 16') im wesentlichen keine Vergußmasse (14) über den Rand
der Ausnehmung (4) tritt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß vor Schritt b) der folgende Schritt
ausgeführt wird:
- - Versehen des Grundkörpers (1) mit einer die Ausnehmung (4) umlaufenden Ringnut (6).
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch
gekennzeichnet,
daß vor Schritt b) der folgende Schritt ausgeführt wird:
- - Versehen des Grundkörpers (1) mit randseitig zur Ausnehmung (4) angeordneten Auflageelementen (32) für die optische Einrichtung (16, 16').
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch
gekennzeichnet,
daß die optische Einrichtung (16, 16') in Schritt c) im
wesentlichen druckfrei von oben auf den Grundkörper (1) oder
die Auflagelemente (32) desselben aufgelegt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß
die Aushärtung unter Wärmeeinwirkung erfolgt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß vor Schritt c) die folgenden Schritte
ausgeführt werden:
- - Herstellung der optischen Einrichtung (16, 16') mittels eines Gieß- , Preß- oder Spritzvorgangs,
- - Bereitstellen und Fördern der optischen Einrichtungen (16, 16') als Schüttgut,
- - automatisiertes Ergreifen jeweils einer optischen Einrichtung (16, 16') aus dem Schüttgut, und
- - automatisiertes Positionieren einer optischen Einrichtung (16, 16') über einem Grundkörper (1).
11. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet,
daß die optische Einrichtung (45) in einem Gießvorgang gebildet wird und
daß die optische Einrichtung (45) im Rahmen dieses Gießvorgangs in Schritt c) mit der Vergußmasse (14) vergossen wird.
daß die optische Einrichtung (45) in einem Gießvorgang gebildet wird und
daß die optische Einrichtung (45) im Rahmen dieses Gießvorgangs in Schritt c) mit der Vergußmasse (14) vergossen wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch die
Schritte:
- - Bereitstellen einer Gießformhälfte (39) und
- - Befüllen der Gießformhälfte (39) mit einer weiteren Vergußmasse,
- - zumindest teilweises Härten (35) der Vergußmasse (14) in der Ausnehmung (4) des Grundkörpers (1) und
- - Benetzen der Oberfläche der Vergußmasse (14),
- - Aushärten der weiteren Vergußmasse und
- - Entfernen der Gießformhälfte (39) von dem Grundkörper (1) mit angegossener optischer Einrichtung (45).
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schritt des Benetzens der Oberfläche der Vergußmasse
(14) die Schritte umfaßt:
- - Wenden (36) des Grundkörpers (1) um eine Horizontalachse, derart, daß die Öffnung der Ausnehmung (4) nach unten gerichtet ist, und
- - zumindest oberflächenseitiges Eintauchen (37) des Grundkörpers (1) in flüssige Vergußmasse.
14. Verfahren nach Anspruch 11 bis 13, dadurch
gekennzeichnet,
daß die zumindest teilweise Aushärtung der Vergußmasse (14)
durch eine Wärmebehandlung (35) durchgeführt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 11 bis 14, dadurch
gekennzeichnet,
daß die Aushärtung der weiteren Vergußmasse durch eine
Wärmebehandlung (43) durchgeführt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch
gekennzeichnet,
daß mehrere Grundkörper (1) an einem ersten Band (33) geführt werden,
daß mehrere Gießformhälften (39) an einem zweiten Band (38) geführt werden und
daß das erste (33) und das zweite (38) Band zumindest während des Angießvorgangs in Schritt c) parallel geführt sind.
daß mehrere Grundkörper (1) an einem ersten Band (33) geführt werden,
daß mehrere Gießformhälften (39) an einem zweiten Band (38) geführt werden und
daß das erste (33) und das zweite (38) Band zumindest während des Angießvorgangs in Schritt c) parallel geführt sind.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch
gekennzeichnet,
daß mehrere Grundkörper (1) an einem ersten Band (33) geführt werden,
daß mehrere Gießformhälften (39) in einer Gießformgruppe zusammengefaßt sind und
daß die Gießformgruppe zumindest während des Angießvorgangs in Schritt c) lösbar mit einer entsprechenden Anzahl von Grundkörpern (1) verbunden ist.
daß mehrere Grundkörper (1) an einem ersten Band (33) geführt werden,
daß mehrere Gießformhälften (39) in einer Gießformgruppe zusammengefaßt sind und
daß die Gießformgruppe zumindest während des Angießvorgangs in Schritt c) lösbar mit einer entsprechenden Anzahl von Grundkörpern (1) verbunden ist.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch
gekennzeichnet,
daß der Grundkörper (1) und die Gießformhälfte (39) bei einer
Temperatur von etwa 80°C zusammengefügt werden.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 18, dadurch
gekennzeichnet,
daß die Aushärtung (43) der weiteren Vergußmasse bei einer
Temperatur von etwa 150°C durchgeführt wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 19, dadurch
gekennzeichnet,
daß die Entfernung der Gießformhälfte (39) von dem
Grundkörper (1) bei einer Temperatur von etwa 80°C
durchgeführt wird.
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19755734A DE19755734A1 (de) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
TW087120679A TW418546B (en) | 1997-12-15 | 1998-12-11 | Method to produce a surface-mountable optoelectronic element |
PCT/DE1998/003676 WO1999031737A1 (de) | 1997-12-15 | 1998-12-15 | Verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelementes und oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement |
EP98965124.5A EP1042819B1 (de) | 1997-12-15 | 1998-12-15 | Verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelementes und oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement |
CNB988136422A CN1173414C (zh) | 1997-12-15 | 1998-12-15 | 可表面装配的光电子组件及其制造方法 |
JP2000539534A JP2002509362A (ja) | 1997-12-15 | 1998-12-15 | 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子を製作する方法及び表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子 |
US09/581,585 US6610563B1 (en) | 1997-12-15 | 1998-12-15 | Surface mounting optoelectronic component and method for producing same |
US10/439,695 US6946714B2 (en) | 1997-12-15 | 2003-05-16 | Surface mounting optoelectronic component and method for producing same |
US11/202,424 US7675132B2 (en) | 1997-12-15 | 2005-08-11 | Surface mounting optoelectronic component and method for producing same |
JP2010248992A JP5193265B2 (ja) | 1997-12-15 | 2010-11-05 | 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19755734A DE19755734A1 (de) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19755734A1 true DE19755734A1 (de) | 1999-06-24 |
Family
ID=7851993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19755734A Ceased DE19755734A1 (de) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6610563B1 (de) |
EP (1) | EP1042819B1 (de) |
JP (2) | JP2002509362A (de) |
CN (1) | CN1173414C (de) |
DE (1) | DE19755734A1 (de) |
TW (1) | TW418546B (de) |
WO (1) | WO1999031737A1 (de) |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001015242A1 (de) * | 1999-08-25 | 2001-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements mit linse |
DE19952712A1 (de) * | 1999-11-02 | 2001-05-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenvorrichtung |
WO2001054321A1 (de) * | 2000-01-21 | 2001-07-26 | Infineon Technologies Ag | Elektrooptisches datenübertragungsmodul |
EP1174745A2 (de) * | 2000-07-18 | 2002-01-23 | Infineon Technologies AG | Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul |
DE10058622A1 (de) * | 2000-11-15 | 2002-05-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Gemouldetes elektronisches Bauelement |
DE20110274U1 (de) * | 2001-06-21 | 2002-08-01 | Siemens Ag | Gehäuse und Abdeckung mit einer abgedichteten Öffnung zur Durchleitung von Licht |
DE10118231A1 (de) * | 2001-04-11 | 2002-10-17 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optoelektronische Baulelmentanordnung und Verfahren zur Herstellun einer oploelektronischen Bauelementanordnung |
DE10206464A1 (de) * | 2002-02-16 | 2003-08-28 | Micronas Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Sensor- oder Aktuatoranordnung sowie Sensor- oder Aktuatoranordnung |
US6653564B2 (en) | 2000-11-25 | 2003-11-25 | Vishay Semiconductor Gmbh | Conductor strip arrangement for a molded electronic component and process for molding |
WO2004040346A1 (de) | 2002-10-29 | 2004-05-13 | Diemount Gmbh | Leuchtdiodenanordnung mit reflektor |
DE10319782A1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Chipträgerelement und Bauelementgehäuse |
US6900511B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing it |
DE102004004779A1 (de) * | 2004-01-30 | 2005-08-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul und strahlungsformende optische Einrichtung für ein Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul |
DE19963264B4 (de) * | 1999-12-17 | 2007-05-31 | Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. | Trägermaterial für elektronische Hochleistungs-Bauelemente in SMD-Bauform und ein damit hergestelltes elektronisches Hochleistungs-Bauelement |
US7256428B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-08-14 | Osram Opto Semicondutors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
EP1396891A3 (de) * | 2002-09-05 | 2008-05-07 | Nichia Corporation | Halbleiteranordnung und optische Vorrichtung |
DE102007001706A1 (de) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse |
DE102007021904A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper |
US7455461B2 (en) | 2000-05-12 | 2008-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
US7838357B2 (en) | 2001-10-31 | 2010-11-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
DE102006046448B4 (de) * | 2005-10-20 | 2011-04-28 | Samsung LED Co., Ltd., Suwon | Leuchtdioden-Einheit |
EP2325907A1 (de) * | 2009-11-20 | 2011-05-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung |
US8227821B2 (en) | 2004-09-22 | 2012-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component and method for the production of an optoelectronic component |
US8506122B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-08-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lens and light emitting apparatus having the same |
DE102013106948A1 (de) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102016104659A1 (de) * | 2016-03-14 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil |
DE102016116298A1 (de) | 2016-09-01 | 2018-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit Träger und optoelektronischem Bauelement |
EP3326771A1 (de) * | 2016-11-28 | 2018-05-30 | OSRAM GmbH | Herstellen eines lichtdurchtrittskörpers für eine leuchte |
EP2061096B1 (de) * | 2001-01-24 | 2018-07-11 | Nichia Corporation | Lichtemittierende Diode und Herstellungsverfahren dafür |
WO2021156068A1 (de) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | Robert Bosch Gmbh | GEHÄUSE UND VERFAHREN ZUM VERGIEßEN EINES OFFENEN AUFNAHMERAUMS EINES GEHÄUSES |
Families Citing this family (178)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
US7208725B2 (en) * | 1998-11-25 | 2007-04-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Optoelectronic component with encapsulant |
DE19918370B4 (de) * | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
DE10041328B4 (de) * | 2000-08-23 | 2018-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verpackungseinheit für Halbleiterchips |
DE10127550B4 (de) * | 2001-06-01 | 2005-05-12 | Infineon Technologies Ag | Optische Vorrichtung |
JP3948650B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2007-07-25 | アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド | 発光ダイオード及びその製造方法 |
DE10158395B4 (de) * | 2001-11-28 | 2011-07-07 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | LED-Beleuchtungssystem |
DE10241989A1 (de) * | 2001-11-30 | 2003-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE10163117C5 (de) * | 2001-12-24 | 2005-12-01 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Verfahren zum Herstellen von lichtleitenden LED-Körpern in zwei zeitlich getrennten Stufen |
GB0209016D0 (en) * | 2002-04-19 | 2002-05-29 | Zarlink Semiconductor Ab | Optical transducer with farfield modifier |
US7429757B2 (en) * | 2002-06-19 | 2008-09-30 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness |
US7224000B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
US7800121B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
US7264378B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7775685B2 (en) * | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7244965B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
US7692206B2 (en) * | 2002-12-06 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Composite leadframe LED package and method of making the same |
TWI237546B (en) * | 2003-01-30 | 2005-08-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component |
JP4599857B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2010-12-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4600404B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2010-12-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4120813B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光学部品およびその製造方法 |
US7157744B2 (en) * | 2003-10-29 | 2007-01-02 | M/A-Com, Inc. | Surface mount package for a high power light emitting diode |
US7087465B2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-08-08 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Method of packaging a semiconductor light emitting device |
JP2005217337A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス |
JP4170968B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2008-10-22 | 松下電器産業株式会社 | 光学デバイス |
US20050179041A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Illumination system with LEDs |
JP2005233776A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Denso Corp | 距離検出装置およびその製造方法 |
TWI257184B (en) * | 2004-03-24 | 2006-06-21 | Toshiba Lighting & Technology | Lighting apparatus |
US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
US7326583B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
US20050242708A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Keong Chong C | LED device with a vertical leadframe that is configured for surface mounting |
US8975646B2 (en) * | 2004-05-31 | 2015-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and housing base for such a component |
US7456499B2 (en) * | 2004-06-04 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
US7280288B2 (en) * | 2004-06-04 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Composite optical lens with an integrated reflector |
JP4544619B2 (ja) * | 2004-06-08 | 2010-09-15 | ローム株式会社 | 発光ダイオードランプ |
DE102004051379A1 (de) * | 2004-08-23 | 2006-03-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vorrichtung für ein optoelektronisches Bauteil und Bauelement mit einem optoelektronischen Bauteil und einer Vorrichtung |
JP2006086176A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | Led用サブマウント及びその製造方法 |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
US8134292B2 (en) * | 2004-10-29 | 2012-03-13 | Ledengin, Inc. | Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material |
US8816369B2 (en) | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US8324641B2 (en) * | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
US7262493B2 (en) * | 2005-01-06 | 2007-08-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for mounting electrical devices |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US9793247B2 (en) * | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US7821023B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
JP2006196529A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
US7939842B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-05-10 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods |
DE102005061431B4 (de) * | 2005-02-03 | 2020-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED-Einheit der Art Seitenausstrahlung |
US20080296589A1 (en) * | 2005-03-24 | 2008-12-04 | Ingo Speier | Solid-State Lighting Device Package |
US7364945B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-04-29 | Stats Chippac Ltd. | Method of mounting an integrated circuit package in an encapsulant cavity |
CA2614803C (en) * | 2005-04-05 | 2015-08-25 | Tir Technology Lp | Electronic device package with an integrated evaporator |
US7354800B2 (en) * | 2005-04-29 | 2008-04-08 | Stats Chippac Ltd. | Method of fabricating a stacked integrated circuit package system |
KR100665178B1 (ko) * | 2005-05-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 제조방법 |
KR100616684B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US8669572B2 (en) * | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
US7980743B2 (en) * | 2005-06-14 | 2011-07-19 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
US20060292747A1 (en) * | 2005-06-27 | 2006-12-28 | Loh Ban P | Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink |
KR101161383B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법 |
KR100665222B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
US7646035B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-01-12 | Cree, Inc. | Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices |
US8835952B2 (en) | 2005-08-04 | 2014-09-16 | Cree, Inc. | Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants |
US7365371B2 (en) * | 2005-08-04 | 2008-04-29 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants |
US20070040182A1 (en) * | 2005-08-16 | 2007-02-22 | Julian Lee | Light emitting diode packaging structure |
MY152857A (en) * | 2005-09-01 | 2014-11-28 | Dominant Opto Tech Sdn Bhd | Surface mount optoelectronic component with lens |
US20070063213A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Lighthouse Technology Co., Ltd. | LED package |
DE102006032416A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
DE102006032428A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
US7723146B2 (en) * | 2006-01-04 | 2010-05-25 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with image sensor system |
US7768125B2 (en) | 2006-01-04 | 2010-08-03 | Stats Chippac Ltd. | Multi-chip package system |
US7456088B2 (en) | 2006-01-04 | 2008-11-25 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system including stacked die |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
US7750482B2 (en) | 2006-02-09 | 2010-07-06 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system including zero fillet resin |
US8704349B2 (en) | 2006-02-14 | 2014-04-22 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with exposed interconnects |
JP5268082B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2013-08-21 | シチズン電子株式会社 | 光半導体装置 |
US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8969908B2 (en) * | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
US8748915B2 (en) * | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US7635915B2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
JP2007311445A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
WO2007139894A2 (en) | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Solid state light emitting device and method of making same |
EP2023406A4 (de) * | 2006-05-30 | 2011-01-12 | Fujikura Ltd | Leuchtelement-anbringsubstrat, lichtquelle, beleuchtungseinrichtung, anzeigeeinrichtung, verkehrsampel und verfahren zum herstellen eines leuchtelement-anbringsubstrats |
US7795632B2 (en) * | 2006-06-26 | 2010-09-14 | Osram Sylvania Inc. | Light emitting diode with direct view optic |
US7906794B2 (en) | 2006-07-05 | 2011-03-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device package with frame and optically transmissive element |
US8735920B2 (en) * | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
JP5205724B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2013-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US8367945B2 (en) * | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US7808013B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies |
BRPI0718086A2 (pt) * | 2006-10-31 | 2013-11-05 | Tir Technology Lp | Acondicionamento de dispositivo de iluminação |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US7993038B2 (en) * | 2007-03-06 | 2011-08-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
WO2008157342A1 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-24 | Videntity Systems, Inc. | Identity verification and information management |
US20090008662A1 (en) * | 2007-07-05 | 2009-01-08 | Ian Ashdown | Lighting device package |
KR100880638B1 (ko) * | 2007-07-06 | 2009-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
US9401461B2 (en) * | 2007-07-11 | 2016-07-26 | Cree, Inc. | LED chip design for white conversion |
US10505083B2 (en) * | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
CN101388161A (zh) * | 2007-09-14 | 2009-03-18 | 科锐香港有限公司 | Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器 |
JP2009099680A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Panasonic Corp | 光学デバイスおよびその製造方法 |
US9086213B2 (en) * | 2007-10-17 | 2015-07-21 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
USD615504S1 (en) | 2007-10-31 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Emitter package |
USD633631S1 (en) | 2007-12-14 | 2011-03-01 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
US8217482B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-07-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with reduced crosstalk |
USD634863S1 (en) | 2008-01-10 | 2011-03-22 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
JP2009239106A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sony Corp | 半導体装置及び同半導体装置の製造方法 |
US8877524B2 (en) * | 2008-03-31 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods |
KR101526567B1 (ko) | 2008-05-07 | 2015-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
US8049230B2 (en) * | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
JP5173647B2 (ja) * | 2008-07-29 | 2013-04-03 | 京セラ株式会社 | 受光素子用サブキャリアおよび光半導体装置 |
JP2010034371A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Kyocera Corp | 太陽電池装置および太陽電池装置用パッケージ |
JP2010034369A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Kyocera Corp | 太陽電池ユニットおよび太陽電池ユニット用パッケージ |
JP2010034370A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Kyocera Corp | 太陽電池ユニット |
CN102177398B (zh) * | 2008-10-10 | 2015-01-28 | 高通Mems科技公司 | 分布式照明系统 |
KR20110081270A (ko) * | 2008-10-10 | 2011-07-13 | 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. | 분산 조명 제어 시스템 |
US8075165B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-12-13 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device |
US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
CN101740680A (zh) * | 2008-11-21 | 2010-06-16 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
US8507300B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
JP2010171379A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Seiko Instruments Inc | 発光デバイス |
US8598602B2 (en) * | 2009-01-12 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Light emitting device packages with improved heat transfer |
US7923739B2 (en) | 2009-06-05 | 2011-04-12 | Cree, Inc. | Solid state lighting device |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US20110037083A1 (en) * | 2009-01-14 | 2011-02-17 | Alex Chi Keung Chan | Led package with contrasting face |
DE102009000597B4 (de) * | 2009-02-04 | 2020-10-15 | Robert Bosch Gmbh | Haltekörper zur spielfreien Montage von Sensoren |
JP5689223B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2015-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US8610156B2 (en) * | 2009-03-10 | 2013-12-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
KR101047603B1 (ko) * | 2009-03-10 | 2011-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
US8420999B2 (en) * | 2009-05-08 | 2013-04-16 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Metal shield and housing for optical proximity sensor with increased resistance to mechanical deformation |
US8686445B1 (en) | 2009-06-05 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices and methods |
US8860043B2 (en) * | 2009-06-05 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, systems and methods |
DE102009031008A1 (de) | 2009-06-29 | 2010-12-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
US8957380B2 (en) * | 2009-06-30 | 2015-02-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
US8779361B2 (en) * | 2009-06-30 | 2014-07-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components |
US9525093B2 (en) | 2009-06-30 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
WO2011002208A2 (ko) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
US8415692B2 (en) * | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
US8598809B2 (en) * | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
US8716665B2 (en) | 2009-09-10 | 2014-05-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate |
US8143608B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-03-27 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Package-on-package (POP) optical proximity sensor |
US8350216B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-01-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Miniaturized optical proximity sensor |
JP5936810B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2016-06-22 | ローム株式会社 | 発光装置 |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
US20110101062A1 (en) * | 2009-11-04 | 2011-05-05 | Benjamin Franklin Roberts | Pouch and pouches to carry personal items and lights on a belt |
US9733357B2 (en) * | 2009-11-23 | 2017-08-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation |
US8568012B2 (en) | 2010-01-18 | 2013-10-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting unit and display device having the same |
US9468070B2 (en) | 2010-02-16 | 2016-10-11 | Cree Inc. | Color control of light emitting devices and applications thereof |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
DE102010028407B4 (de) * | 2010-04-30 | 2021-01-14 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
US8648359B2 (en) | 2010-06-28 | 2014-02-11 | Cree, Inc. | Light emitting devices and methods |
US8269244B2 (en) | 2010-06-28 | 2012-09-18 | Cree, Inc. | LED package with efficient, isolated thermal path |
USD643819S1 (en) | 2010-07-16 | 2011-08-23 | Cree, Inc. | Package for light emitting diode (LED) lighting |
JP5488310B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-05-14 | 市光工業株式会社 | 車両用灯具の半導体型光源の光源ユニット、車両用灯具 |
US8610140B2 (en) | 2010-12-15 | 2013-12-17 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods |
USD679842S1 (en) | 2011-01-03 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | High brightness LED package |
US8841597B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-09-23 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Housing for optical proximity sensor |
TW201251140A (en) | 2011-01-31 | 2012-12-16 | Cree Inc | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
CN103348496A (zh) | 2011-02-07 | 2013-10-09 | 克利公司 | 用于发光二极管(led)发光的部件和方法 |
US8373183B2 (en) | 2011-02-22 | 2013-02-12 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | LED package for uniform color emission |
TWI403678B (zh) * | 2011-05-09 | 2013-08-01 | 泰金寶電通股份有限公司 | 光機模組及發光二極體燈具 |
DE102011105010A1 (de) * | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP5808973B2 (ja) * | 2011-07-25 | 2015-11-10 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
US8816512B2 (en) * | 2011-07-28 | 2014-08-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device module |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
CN102935532B (zh) * | 2012-10-26 | 2015-05-20 | 秦皇岛博硕光电设备股份有限公司 | 用于太阳能电池红外焊接的下压保持装置 |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
EP3038173B1 (de) * | 2014-12-23 | 2019-05-22 | LG Innotek Co., Ltd. | Lichtemittierende vorrichtung |
JP2016122731A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | ローム株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
CN106469772B (zh) * | 2015-08-18 | 2018-01-05 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的工艺方法 |
EP3300126B1 (de) * | 2015-08-18 | 2019-05-22 | Jiangsu Cherrity Optronics Co., Ltd | Prozessverfahren zur verarbeitung eines photokonverters zur bond-verpackung einer led und verarbeitungsausrüstungssystem |
TWI695970B (zh) * | 2015-09-17 | 2020-06-11 | 日月光半導體製造股份有限公司 | 光學裝置、電氣裝置及被動光學元件 |
EP3360157B1 (de) * | 2015-10-07 | 2020-09-02 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Geformte schaltungssubstrate |
JP7082280B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7357595B2 (ja) | 2020-09-17 | 2023-10-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0230336A1 (de) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Philips Composants | Optoelektronische Vorrichtung zum oberflächigen Einbau |
EP0374121A2 (de) * | 1988-12-16 | 1990-06-20 | RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. | Leuchtdiode |
EP0400176A1 (de) * | 1989-05-31 | 1990-12-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5785273A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Toshiba Corp | Photo-semiconductor device |
DE3279463D1 (en) * | 1981-06-12 | 1989-03-30 | Motorola Inc | Led having self-aligned lens |
DE3128187A1 (de) * | 1981-07-16 | 1983-02-03 | Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg | Opto-elektronisches bauelement |
JPS6020587A (ja) | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 光結合器の製造方法 |
JPH01172889A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Takiron Co Ltd | ドットマトリックス発光表示体とその製造方法 |
US4843280A (en) * | 1988-01-15 | 1989-06-27 | Siemens Corporate Research & Support, Inc. | A modular surface mount component for an electrical device or led's |
US5043716A (en) * | 1988-07-14 | 1991-08-27 | Adaptive Micro Systems, Inc. | Electronic display with lens matrix |
JPH04109556A (ja) | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 密閉型二次電池 |
JPH04109556U (ja) * | 1991-03-08 | 1992-09-22 | シヤープ株式会社 | 反射ケース型ledランプ |
SE468150B (sv) * | 1991-05-06 | 1992-11-09 | Asea Brown Boveri | Optoelektronisk komponent |
JPH05119707A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Takiron Co Ltd | ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法 |
US5331512A (en) * | 1992-04-16 | 1994-07-19 | Orton Kevin R | Surface-mount LED |
JPH0832120A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Rohm Co Ltd | 面発光表示器 |
US5545359A (en) * | 1994-08-11 | 1996-08-13 | Motorola | Method of making a plastic molded optoelectronic interface |
US5686172A (en) * | 1994-11-30 | 1997-11-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Metal-foil-clad composite ceramic board and process for the production thereof |
US5614131A (en) * | 1995-05-01 | 1997-03-25 | Motorola, Inc. | Method of making an optoelectronic device |
JPH0927643A (ja) | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | 受光/発光素子 |
JPH0983018A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
DE19535777A1 (de) | 1995-09-26 | 1997-03-27 | Siemens Ag | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
EP1439586B1 (de) * | 1996-06-26 | 2014-03-12 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
US6097521A (en) * | 1997-09-26 | 2000-08-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic module for bidirectional optical data transmission |
JPH10160961A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 光学素子 |
JPH10210606A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Toshiba Corp | 電気車制御装置 |
US6103398A (en) * | 1997-05-22 | 2000-08-15 | Motorola, Inc. | Optoelectronic device having an overfill material and method of assembly |
DE19746893B4 (de) * | 1997-10-23 | 2005-09-01 | Siemens Ag | Optoelektronisches Bauelement mit Wärmesenke im Sockelteil und Verfahren zur Herstellung |
DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
DE19829197C2 (de) * | 1998-06-30 | 2002-06-20 | Siemens Ag | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement |
TW512543B (en) * | 1999-06-28 | 2002-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
US6455398B1 (en) | 1999-07-16 | 2002-09-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Silicon on III-V semiconductor bonding for monolithic optoelectronic integration |
DE10058622A1 (de) * | 2000-11-15 | 2002-05-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Gemouldetes elektronisches Bauelement |
DE10058608A1 (de) * | 2000-11-25 | 2002-05-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Leiterstreifenanordnung für ein gemouldetes elektronisches Bauelement und Verfahren zum Moulden |
US7718451B2 (en) * | 2003-02-28 | 2010-05-18 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body |
JP4603368B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2010-12-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 構造化された金属被覆を施されたパッケージボディを有するオプトエレクトロニクス素子、この種の素子を製作する方法、およびプラスチックを含むボディに、構造化された金属被覆を施す方法 |
DE102004045950A1 (de) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
DE102005020908A1 (de) * | 2005-02-28 | 2006-08-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung |
-
1997
- 1997-12-15 DE DE19755734A patent/DE19755734A1/de not_active Ceased
-
1998
- 1998-12-11 TW TW087120679A patent/TW418546B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-15 WO PCT/DE1998/003676 patent/WO1999031737A1/de active Application Filing
- 1998-12-15 EP EP98965124.5A patent/EP1042819B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-15 CN CNB988136422A patent/CN1173414C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-15 JP JP2000539534A patent/JP2002509362A/ja active Pending
- 1998-12-15 US US09/581,585 patent/US6610563B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-16 US US10/439,695 patent/US6946714B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-08-11 US US11/202,424 patent/US7675132B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-05 JP JP2010248992A patent/JP5193265B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0230336A1 (de) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Philips Composants | Optoelektronische Vorrichtung zum oberflächigen Einbau |
EP0374121A2 (de) * | 1988-12-16 | 1990-06-20 | RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. | Leuchtdiode |
EP0400176A1 (de) * | 1989-05-31 | 1990-12-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement |
Cited By (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19940319A1 (de) * | 1999-08-25 | 2001-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum spannungsarmen Aufsetzen einer Linse auf ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
WO2001015242A1 (de) * | 1999-08-25 | 2001-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements mit linse |
DE19940319B4 (de) * | 1999-08-25 | 2004-10-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum spannungsarmen Aufsetzen einer Linse auf ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
DE19952712A1 (de) * | 1999-11-02 | 2001-05-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenvorrichtung |
DE19963264B4 (de) * | 1999-12-17 | 2007-05-31 | Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. | Trägermaterial für elektronische Hochleistungs-Bauelemente in SMD-Bauform und ein damit hergestelltes elektronisches Hochleistungs-Bauelement |
WO2001054321A1 (de) * | 2000-01-21 | 2001-07-26 | Infineon Technologies Ag | Elektrooptisches datenübertragungsmodul |
US7455461B2 (en) | 2000-05-12 | 2008-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
EP1174745A3 (de) * | 2000-07-18 | 2004-05-26 | Infineon Technologies AG | Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul |
EP1174745A2 (de) * | 2000-07-18 | 2002-01-23 | Infineon Technologies AG | Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul |
DE10058622A1 (de) * | 2000-11-15 | 2002-05-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Gemouldetes elektronisches Bauelement |
US6635955B2 (en) | 2000-11-15 | 2003-10-21 | Vishay Semiconductor Gmbh | Molded electronic component |
US6653564B2 (en) | 2000-11-25 | 2003-11-25 | Vishay Semiconductor Gmbh | Conductor strip arrangement for a molded electronic component and process for molding |
EP2061096B1 (de) * | 2001-01-24 | 2018-07-11 | Nichia Corporation | Lichtemittierende Diode und Herstellungsverfahren dafür |
WO2002084746A3 (de) * | 2001-04-11 | 2003-10-30 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optoelektronische bauelementanordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen bauelementanordnung |
WO2002084746A2 (de) * | 2001-04-11 | 2002-10-24 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Optoelektronische bauelementanordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen bauelementanordnung |
US6861683B2 (en) | 2001-04-11 | 2005-03-01 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Optoelectronic component using two encapsulating materials and the method of making the same |
DE10118231A1 (de) * | 2001-04-11 | 2002-10-17 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optoelektronische Baulelmentanordnung und Verfahren zur Herstellun einer oploelektronischen Bauelementanordnung |
DE10129785B4 (de) * | 2001-06-20 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
US7256428B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-08-14 | Osram Opto Semicondutors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
DE20110274U1 (de) * | 2001-06-21 | 2002-08-01 | Siemens Ag | Gehäuse und Abdeckung mit einer abgedichteten Öffnung zur Durchleitung von Licht |
US7838357B2 (en) | 2001-10-31 | 2010-11-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
DE10206464A1 (de) * | 2002-02-16 | 2003-08-28 | Micronas Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Sensor- oder Aktuatoranordnung sowie Sensor- oder Aktuatoranordnung |
US7514279B2 (en) | 2002-06-28 | 2009-04-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing it |
US7795633B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
DE10229067B4 (de) * | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8314441B2 (en) | 2002-06-28 | 2012-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
US7948046B2 (en) | 2002-06-28 | 2011-05-24 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Optoelectronic component |
US6900511B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing it |
US7429758B2 (en) | 2002-06-28 | 2008-09-30 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Optoelectronic component and method for producing it |
EP1396891A3 (de) * | 2002-09-05 | 2008-05-07 | Nichia Corporation | Halbleiteranordnung und optische Vorrichtung |
EP2273570A1 (de) * | 2002-09-05 | 2011-01-12 | Nichia Corporation | Halbleiteranordnung |
DE10250383A1 (de) * | 2002-10-29 | 2004-05-19 | Diemount Gmbh | Leuchtdiodenanordnung mit Reflektor |
DE10250383B4 (de) * | 2002-10-29 | 2007-05-10 | Diemount Gmbh | Leuchtdiodenanordnung mit Reflektor |
WO2004040346A1 (de) | 2002-10-29 | 2004-05-13 | Diemount Gmbh | Leuchtdiodenanordnung mit reflektor |
DE10319782B4 (de) * | 2003-04-30 | 2009-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Chipträgerelement |
DE10319782A1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Chipträgerelement und Bauelementgehäuse |
DE102004004779B4 (de) * | 2004-01-30 | 2015-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul mit optischer Einrichtung zur Strahlformung |
DE102004004779A1 (de) * | 2004-01-30 | 2005-08-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul und strahlungsformende optische Einrichtung für ein Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul |
US8227821B2 (en) | 2004-09-22 | 2012-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component and method for the production of an optoelectronic component |
DE102006046448B4 (de) * | 2005-10-20 | 2011-04-28 | Samsung LED Co., Ltd., Suwon | Leuchtdioden-Einheit |
US9054279B2 (en) | 2007-01-11 | 2015-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing |
DE102007001706A1 (de) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse |
US8723211B2 (en) | 2007-02-28 | 2014-05-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic device with housing body |
DE102007021904A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper |
US8506122B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-08-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lens and light emitting apparatus having the same |
US8616729B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-12-31 | Lg Electronics Inc. | Lens and light emitting apparatus having the same |
US8395183B2 (en) | 2009-11-20 | 2013-03-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
EP2325907A1 (de) * | 2009-11-20 | 2011-05-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung |
US8823048B2 (en) | 2009-11-20 | 2014-09-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
US9534744B2 (en) | 2009-11-20 | 2017-01-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
US9638378B2 (en) | 2009-11-20 | 2017-05-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
US10030823B2 (en) | 2009-11-20 | 2018-07-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
US9885450B2 (en) | 2009-11-20 | 2018-02-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
DE102013106948A1 (de) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102016104659A1 (de) * | 2016-03-14 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil |
DE102016116298A1 (de) | 2016-09-01 | 2018-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit Träger und optoelektronischem Bauelement |
US10629578B2 (en) | 2016-09-01 | 2020-04-21 | Osram Oled Gmbh | Arrangement having a carrier and an optoelectronic component |
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DE102016223516A1 (de) * | 2016-11-28 | 2018-05-30 | Osram Gmbh | Herstellen eines Lichtdurchtrittkörpers für eine Leuchte |
WO2021156068A1 (de) * | 2020-02-07 | 2021-08-12 | Robert Bosch Gmbh | GEHÄUSE UND VERFAHREN ZUM VERGIEßEN EINES OFFENEN AUFNAHMERAUMS EINES GEHÄUSES |
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