DE19820878B4 - Verfahren zum Abscheiden einer Materialschicht auf einem Substrat - Google Patents
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Abstract
Anordnen des Substrats (20) in ein Plattierungssystem (30, 60) mit:
einer ersten Elektrode (34, 64);
einer zweiten Elektrode (36), welche elektrisch mit dem Substrat (20) verbunden ist, wobei
die zweite Elektrode (36) Klemmbereiche (362) und Modifizierbereiche (364) für die elektrische Stromdichte aufweist;
jeder der Modifizierbereiche (364) für die elektrische Stromdichte im Vergleich zu seinem entsprechenden Klemmbereich (362) näher an der ersten Elektrode (34, 64) liegt; und
einer ionischen Flüssigkeit (39), wobei die ionische Flüssigkeit (39) die erste Elektrode (34, 64), die zweite Elektrode (36) und das Substrat (20) kontaktiert;
Anlegen eines ersten Potentials an die erste Elektrode (34, 64) und eines zweiten Potentials an die zweite Elektrode (36), um die Materialschicht (56) auf dem Substrat (20) abzuscheiden, wobei sich das erste Potential von dem zweiten Potential unterscheidet; und
Entfernen des Substrats...
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen Verfahren und Systeme zum Abscheiden von Schichten auf Substraten, und insbesondere Verfahren und Systeme zum Elektroplattieren von metallhaltigen Schichten auf diesen Substraten.
- Momentan erfordern Halbleitervorrichtungen höhere Stromdichten zum Betrieb, wobei sie immer noch Elektromigration oder anderen Zuverlässigkeitsproblemen widerstehen sollen. Kupfer wird untersucht als mögliche Alternative für die momentane Aluminium oder Aluminium-Kupfer-Metallisierung. Eines der erfolgversprechendsten Verfahren zum Abscheiden von Kupfer auf einem Substrat besteht in der Verwendung von Plattierungsverfahren, wie z. B. die Elektroplattierung.
-
1 enthält eine Illustration einer Querschnittsansicht eines Elektroplattierungssystems10 nach dem Stand der Technik. Das System10 enthält eine Kammer11 mit einem Auslaßport102 . Das System enthält weiterhin einen Becher12 (Behälter), welcher einen Einlaßport112 zum Aufnehmen eines Plattierungsfluids aufweist, sowie einen Diffuser13 innerhalb des Bechers12 . Eine Anode14 liegt zwischen dem Becher12 und dem Diffuser13 . Das System10 enthält weiterhin einen Kopf15 , welcher einen Drehtisch151 aufweist, und Klemmfinger152 sind die Kathode für das System10 und sind typischerweise aus platiniertem Titan hergestellt. Im Betrieb des Systems10 läuft die Plattierungslösung19 in den Becher12 durch den Einlaßport112 und an der Anode14 vorbei. Die Plattierungslösung19 fließt weiter nach oben durch den Diffuser13 , um das Substrat20 zu erreichen. Die Plattierungslosung19 fließt dabei über die Seiten des Bechers12 , nach unten zwischen den Wänden des Bechers12 und der Kammer11 und durch den Auslaßport102 . Die Anode14 und die Klemmfinger152 sind zur Plattierung des Substrats20 vorgespannt. - Während des Betriebs dieses Systems
10 nach dem Stand der Technik tritt typischerweise eine nicht gleichmäßige Abscheidung auf, wie in2 illustriert. Wie in2 gezeigt, hat das Halbleitervorrichtungssubstrat20 ein Basismaterial22 , welches ein Isolator, ein, Leiter, oder eine Kombination von Isolatoren und Leitern sein kann, wobei eine leitende Keimschicht24 über dem Basismaterial22 liegt. Das Plattierungsmaterial26 wird auf die Keimschicht24 plattiert. Es sei bemerkt, daß das Substrat20 in das System10 mit der Oberseite nach unten weisend geladen wird. In2 ist das Substrat nach oben gewendet, so daß die Schicht26 nach oben in2 weist. Wie in2 gezeigt, ist die Abscheidung des Plattierungsmaterials26 typischerweise nahe dem Rand des Substrats20 dicker und nahe seinem Zentrum dünner. Diese nicht gleichmäßige Abscheidung bewirkt Probleme, insbesondere wenn das Plattierungsmaterial26 chemisch-mechanisch zu polieren ist. Das Polieren entfernt üblicherweise Material nahe dem Zentrum des Substrats schneller und Material nahe den Rändern des Substrats langsamer. Die Kombination des dickeren Bereichs des Plattierungsmaterials26 nahe dem Rand des Substrats20 und die geringere Polierrate nahe dem Rand betont die nicht Gleichförmigkeit des Plattierungsmaterials26 nach dem Polieren. Während des Polierens wird zu viel vom darunterliegenden Basismaterial22 aufgrund der nicht idealen Polierselektivität entfernt, oder ein Ring von Restmaterial wird um den Rand des Substrats20 zurückgelassen, was beides unerwünscht ist. - Elektrische Abnahmeplatten bzw. Robberplatten werden beim Plattieren von gedruckten Leiterplattensubstraten verwendet. Die Abnahmeplatte wird an der Leiterplatte angebracht und destruktiv entfernt, indem das die Abnahmeplatte aufweisende Stück der Leiterplatte geschnitten wird.
- Die
US 5,084,153 A beschreibt ein Beschichtungsverfahren, beim dem Abschirmungen zwischen den Elektroden angeordnet sind. - Eine Notwendigkeit liegt im Schaffen eines Systems, welches entweder gleichmäßiger hinsichtlich der Abscheidung ist oder welches in der Lage ist, etwas mehr Material nahe dem Zentrum des Substrats im Vergleich zu seinen Rändern zu plattieren, um das erhöhte Polieren zu kompensieren, welches man typischerweise nahe dem Zentrum eines Substrats findet.
- Die Erfindung schafft das in Anspruch 1 angegebene Verfahren zum Abscheiden einer Materialschicht. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
- Im folgenden wird die vorliegende Erfindung beispielshalber und ohne Beschränkung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen näher erläutert, in denen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Elemente bezeichnen.
- Es zeigen:
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1 eine Illustration einer Querschnittsansicht eines Plattierungssystems nach dem Stand der Technik; -
2 eine Illustration einer Querschnittsansicht eines Bereichs eines Halbleitersubstrats, nachdem ein Material auf das Substrat unter Verwendung eines Verfahrens nach dem Stand der Technik plattiert worden ist; -
3 eine Illustration einer Querschnittsansicht eines Elektroplattierungssystems in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
4 eine Illustration einer Oberansicht des Plattierungskopfes zum Illustrieren der Beziehung zwischen dem Substrat und den Klemmstrukturen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
5 eine Illustration einer Querschnittsansicht eines Bereichs eines Halbleitervorrichtungssubstrats nach der Plattierung eines Materials unter Verwendung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und -
6 eine Illustration einer Querschnittsansicht eines Plattierungssystems mit einem Anodendesign in Übereinstimmung mit einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Die Fachleute werden verstehen, daß die Elemente in den Figuren vereinfacht und veranschaulichend illustriert sind und nicht notwendigerweise skaliert sind. Beispielsweise sind die Dimensionen von einigen der Elemente in den Figuren im Vergleich zu übrigen Elementen übertrieben, um zur Verbesserung des Verständnisses der Ausführungsform(en) der vorliegenden Erfindung beizutragen.
- Ein neuartiges Elektroplattierungssystem und ein neuartiges Elektroplattierungsverfahren machen die elektrische Stromdichte über der Halbleitervorrichtung-Substratoberfläche gleichmäßiger während der Plattierung, um eine gleichmäßigere oder angepasste Abscheidung eines leitfähigen Materials zu ermöglichen. Die Modifizierer der elektrischen Stromdichte reduzieren die elektrische Stromdichte nahe dem Rand des Substrats, wo die Plattierungsrate sonst am höchsten wäre. Durch die Reduzierung der Stromdichte nahe dem Rand des Substrats wird die Plattierung gleichmäßiger oder kann so angepasst werden, dass leicht mehr Material nahe dem Zentrum des Substrats plattiert wird. Das System kann ebenfalls derart modifiziert werden, dass das Material der Bereiche mit dem Stromdichtemodifizierer auf den Klemmstrukturen entfernt werden kann, ohne irgendeinen Bereich des Kopfs zu entfernen oder sonst den bogenförmigen Modifizierer der elektrischen Stromdichte von dem System zu entfernen. Diese Reinigung in-situ reduziert die Länge der Stillstandszeit der Gerätschaft, erhöht die Lebensdauer der Gerätschaft und reduziert Partikelzahlen.
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3 enthält eine Illustration einer Querschnittsansicht eines Elektroplattierungssystems30 in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das System30 ist ähnlich wie das System10 , jedoch das System30 enthält Klemmstrukturen36 mit Klemmabschnitten362 (Kathode oder zweite Elektrode) und bogenförmigen Modifiziererbereichen364 (erstes Merkmal bzw. erste Einrichtung) sowie einen ringförmigen Modifizierer37 für die elektrische Stromdichte (erstes Merkmal oder zweites Merkmal, abhängig von der Ausführungsform). Die Klemmstrukturen36 sind leitfähig. Das System30 enthält eine Kammer31 mit einem Auslaßport302 , sowie einen Becher32 mit einem Einlaßport312 zum Aufnehmen eines Plattierungsfluid. Innerhalb des Bechers32 erzeugt ein Diffuser33 eine laminarere Strömung der Plattierungslösung (Ionenflüssigkeit)39 durch den Becher32 . Eine Anode34 (erste Elektrode) liegt zwischen dem Becher32 und dem Diffuser33 . Die Anode34 enthält typischer weise Material, welches auf ein Halbleitervorrichtungssubstrat20 plattiert wird. - Das System
30 enthält weiterhin einen Kopf35 , welcher einen Drehtisch351 aufweist, sowie Klemmstrukturen36 und einen ringförmigen Modifizierer37 . Der Drehtisch351 , Diffuser33 , Becher32 und die Kammer31 enthalten ein nicht leitfähiges Material, wie z. B. Polyethylen, Fluorkohlenstoffe (i. e. TeflonTM) oder dergleichen. Diese Materialien reduzieren die Wahrscheinlichkeit von jeglicher Stromleitung oder jeglichen störenden Reaktionen mit der Plattierungslösung. Die Anode34 , die Klemmstrukturen36 und die ringförmigen Modifizierer37 , jegliche leitenden Schichten, welche auf dem Substrat20 liegen, wie z. B. die leitende Keimschicht24 , sollten die einzigen leitenden Materialien in Kontakt mit der Plattierungslösung39 sein. -
4 enthält eine Illustration einer Oberansicht eines Halbleitervorrichtungssubstrats20 , welches auf dem Drehtisch351 mit den Klemmstrukturen36 gehalten wird. Jede der Strukturen36 enthält einen Klemmbereich362 und einen Modifiziererbereich364 für die elektrische Stromdichte. Der Klemmbereich362 und der Modifiziererbereich364 für die elektrische Stromdichte sind leitend. Der Bereich364 ist zumindest einen Millimeter breiter und erstreckt sich zumindest einen Millimeter weiter zur Anode34 hin als der Teil des Bereichs362 , welcher zwischen dem Substrat20 und der Anode34 liegt. Bei dieser besonderen Ausführungsform liegt die Bogenlänge von jedem der Bereiche364 in einem Bereich von etwa 5–50 mm und beträgt nominell 25 mm. Die Höhe von jedem der bogenförmigen Modifiziererbereiche364 liegt in einem Bereich von etwa 5–15 mm und beträgt nominell 10 mm. Die Dicke von jedem der Bereiche364 liegt im Bereich von etwa 2–6 mm Dicke. Der ringförmige Modifizierer36 ist leitend und derart positioniert, daß es einem Zwischenraum in einem Bereich von etwa 5–15 mm zwischen der Struktur36 und dem ringförmigen Modifizierer37 gibt. Ähnlich wie die Bereiche364 verläuft der Modifizierer37 weiter zur Anode34 hin. Der Modifizierer37 hat einen Umfang, welcher größer ist als die Summe der Breiten der Bereiche362 . Mit anderen Worten ist der Modifizierer37 ”breiter” als die Bereiche362 . - Der ringförmige Modifizierer
37 weist im allgemeinen eine Höhe im Bereich von etwa 5–25 mm sowie eine Dicke in einem Bereich von 10 bis 15 Mikrometern (Mikron) auf. Bei einer Ausführungsform ist der ringförmige Modifizierer37 nahe der Oberseite des Bechers32 positioniert. Der ringförmige Modifizierer37 liegt irgendwo entlang des Bechers32 zwischen dem Diffuser39 und der Oberseite des Bechers32 . Typischerweise ist der ringförmige Modifizierer37 an dem Becher12 angebracht. Der ringförmige Modifizierer37 kann ein kontinuierlicher Ring sein oder kann entlang der Wände des Bechers32 segmentiert sein. Bei einer bestimmten Ausführungsform sind sowohl die Strukturen36 als auch der ringförmige Modifizierer37 aus demselben Material hergestellt wie demjenigen, welches auf das Substrat20 plaziert wird, um die Wahrscheinlichkeit einer Kontaminierung der Plattierungslösung39 zu reduzieren. Falls ein Kupfermaterial plattiert wird, sind die Strukturen36 , der ringförmige Modifizierer37 und die Anode34 aus Kupfer hergestellt. Bei alternativen Ausführungsformen jedoch könnten unterschiedliche Materialien verwendet werden. Die Kathode (zweite Elektrode) für das System30 enthält die Klemmbereiche362 . Die Bereiche364 und der ringförmige Modifizierer37 sind zwei Typen von Modifizierern für die elektrische Stromdichte für das System30 und sind von dem Substrat20 beabstandet. - Ein spezielles Beispiel der Plattierung von Kupfer wird nachstehend erörtert. Obwohl viele Details angegeben werden, soll die Information rein illustrativ sein, und den Schutzumfang der Erfindung nicht beschränken. Im Betrieb des Systems
30 läuft die Plattierungslösung39 in den Becher32 durch den Einlaßport312 . Die Plattierungslösung enthält Kupfer (Cu), Kupfersulfat (CU2SO4) Schwefelsaure (H2SO4), Chloridionen, wie z. B. diejenigen von HCl. Die Plattierungslösung39 fließt an der Anode34 vorbei. Die Plattierungslösung39 strömt weiter nach oben durch den Diffuser33 , um das Substrat20 zu erreichen. Die Plattierungslösung39 strömt dabei über die Seiten des Bechers32 , hinab zwischen den Wänden des Bechers32 und der Kammer31 und durch den Auslaßport302 . - Während des ersten Teils des Prozesses wird die Anode
34 durch Bilden eins Kupferoxid-Filmes auf zumindest einen Teil der Anode34 konditioniert, und zwar insbesondere aber nicht beschränkt auf den Teil der Anode34 , welcher direkt den Strukturen36 gegenüberliegt. Nach der Konditionierung werden Zusatzmittel zur Lösung39 hinzugegeben, bevor ein Halbleitersubstrat die Plattierungslösung39 kontaktiert. - Eine leitende Keimschicht wird über der primären Oberfläche (Vorrichtungsseite) des Substrats
20 gebildet. In diesem Beispiel ist das Substrat20 ein kreisförmiger Wafer. Die leitende Keimschicht24 fördert die Plattierung auf dem Substrat20 . Die leitende Keimschicht24 enthält typischerweise ein Refraktärmetall mit Material, wie z. B. Titan, Tantal, Titannitrid, Tantalnitrid und dergleichen. Das Substrat20 mit der leitenden Keimschicht24 wird dann auf dem Drehtisch351 montiert und wird durch die Klemmbereiche362 der Strukturen36 an seinem Platz gehalten. Der Kopf35 wird dann derart abgesenkt, daß ein Bereich der Strukturen36 und der Keimschicht24 in Kontakt mit der Plattierungslösung39 ist. Vorsicht sollte angewandt werden, um die rückseitige (nicht ausgesetzte) Oberfläche des Substrats20 vor einer Kontaktierung der Lösung39 zu bewahren. - Während der Plattierung werden die Anode
34 , die Strukturen36 und der ringförmige Modifizierer37 vorgespannt, um eine Schicht56 aus Plattierungsmaterial abzuscheiden. Obwohl die Anode34 , die Strukturen36 und der ringförmige Modifizierer37 eine positive oder eine negative Vorspannungspolarität aufweisen können oder elektrisch auf Masse liegen können, liegt die Anode34 auf einem positiveren Potential als die Strukturen36 und der ringförmige Modifizierer37 . Bei einer bestimmten Ausführungsform sind sowohl der ringförmige Modifizierer37 als auch die Strukturen36 auf etwa demselben Potential. Bei einer weiteren Ausführungsform ist der ringförmige Modifizierer37 derart vorgespannt, daß das Potential auf den Sturkturen36 zwischen dem Potential der Anode34 und des ringförmigen Modifizierers37 liegt. Die Vorspannungsbedingungen können während des Plattierens im wesentlichen konstant gehalten werden, oder können zeitlich variiert werden, (d. h. gepulst (Rechteckwelle), sägezahnförmig, sinusoidal oder dergleichen) Wie in dieser Beschreibung verwendet enthält das Vorspannen nicht das elektrische Schweben der Komponente, kann aber das Setzen von einer der Systemkomponenten auf Massepotential enthalten. - Für jede Ausführungsform hilft das Vorspannen der Strukturen
36 und des ringförmigen Modifizierers37 bei der Reduzierung der Stromdichte an dem Rand, was wiederum die Plattierungsrate nahe dem Rand des Substrats20 im Vergleich zu dem Zustand reduziert, bei dem keine Modifizierer für die elektrische Stromdichte verwendet werden. Das Plattieren fährt fort, bis eine gewünschte Dicke an Plattierungsmaterial56 gebildet ist. Bei einer Ausführungsform liegt diese typischerweise in einem Bereich von etwa 600 bis 1500 nm. Anders als beim Stand der Technik ist die Dicke des Plattierungsmaterials gleichförmiger oder kann leicht dicker in der Mitte des Substrats20 , wie in5 illustriert, sein. Es sei bemerkt, daß in5 das Substrat20 umgekehrt ist, so daß das plattierte Material56 nach oben in5 weist. Das Potential auf den Modifizierern für die elektrische Stromdichte wird derart eingestellt, daß die erwünschten Gleichmäßigkeitsresultate erzielt werden. Die Schicht56 kann derart abgeschieden werden, daß die Dickendifferenz der Schicht56 über den Mittelpunkt und einem Punkt innerhalb von 10 mm von dem Rand des Substrats nicht mehr als 5% der Dicke der Schicht56 über dem Zentrum beträgt. Wahrend des Plattierens sind die Betriebsparameter mit Ausnahmen der ausdrücklich erwähnten dieselben, welche üblicherweise beim Stand der Technik verwendet werden. - Die Modifizierer für die elektrische Stromdichte können nicht destruktiv von dem Substrat
20 entfernt werden, wie es mit den Abnehmern nach dem Stand der Technik entfernt wird, welche in Kontakt mit dem gedruckten Leiterplatten wahrend der Plattierung sind. Die folgende Verarbeitung muß noch durchgeführt werden, wahrend das Substrat20 in Waferform ist. Falls die Modifizierer für die elektrische Stromdichte in Kontakt mit dem Substrat20 wären und destruktiv entfernt würden, wären folgende Verarbeitungsschritte nahezu unmöglich durchzuführen, da das Substrat20 keine im wesentlichen kreisförmige Gestalt hätte. Das zerbrochene Substrat würde Partikel erzeugen, würde scharfe Kanten bzw. Ränder aufweisen und würde wahrscheinlichermaßen während der folgenden Prozessschritte zerbrechen, was die Ausbeute erniedrigt. - Nach der Plattierung wird eine Verarbeitung durchgeführt, um eine im wesentlichen vervollständigte Vorrichtung zu bilden. Die Schritte können das chemisch-mechanische Polieren der Schicht
56 , das Bilden von zusätzlichen Isolier- und Verbindungsschichten, falls erforderlich, sowie das Bilden einer Passivierungsschicht über der obersten Verbindungsschicht beinhalten. Falls die Schicht56 für Lotflügel verwendet wird, hat die Schicht56 eine Dicke über dem Zentrum des Substrats, welche in einem Bereich von etwa 40–160 Mikrometern liegt, und wird durch Ätzen strukturiert. - Nachdem das Plattieren vervollständigt ist kann ein anderes Substrat plattiert werden, oder die Strukturen
36 können durch Entfernen von zumindest einem Teil des Plattierungsmaterials gereinigt werden, welches auf den Strukturen36 abgeschieden wird, wenn die Plattierungsschicht56 auf das Substrat20 abgeschieden wird. Das Reinigen kann auf verschiedene Arten und Weisen erzielt werden. Bei einer Ausführungsform kann das Reinigen durch Vorspannen der Strukturen36 auf einem positiveren Potential im Vergleich zur Anode34 durchgeführt werden. Bei noch einer weiteren Ausführungsform werden die Strukturen36 auf einem positiveren Potential im Vergleich zum ringförmigen Modifizierer37 vorgespannt. Bei dieser besonderen Ausführungsform ist die Anode34 elektrisch schwebend. Falls die Anode34 elektrisch schwebt, wird der Film, welcher auf der Anode34 während der Konditionierung erzeugt wird, während des Reinigungsprozesses im wesentlichen ungestört bleiben. Falls die Anode34 nicht schweben gelassen wird, würde der Film beeinflußt werden und müßte konditioniert werden. Nach dem Reinigungsschritt können weitere Substrate bearbeitet werden. - Das System
30 kann ebenfalls verwendet werden, um weitere Materialien einschließlich Gold und Nickel zu plattieren. Zusätzlicherweise kann das System zur Abscheidung von Legierungen verwendet werden. Beispielsweise zählen dazu leitende Hügel, welche in Halbleitervorrichtungen für Ballgitteranordnungen (ball grid arrays) verwendet werden. Die leitenden Hügel enthalten typischerweise eine Blei-Zinn-Legierung. Blei hat ein Oxidationspotential von +0,126 V, und Zinn hat ein Oxidationspotential von +0,136 V. Deshalb wird Zinn im Vergleich zu Blei leichter oxidiert. Die Anode34 sollte ein metallisches Element aufweisen, welches leichter oxidiert wird, und nicht das andere metallische Element. Andererseits kann die Anode34 nachdem Plattieren von Substraten Grübchen aufweisen. In diesem speziellen Fall sollte die Anode34 Zinn aber nicht Blei aufweisen. Die Plattierungslösung39 enthält Blei und Zinn sowohl im elementaren (reduzierten) als auch im ionischen (oxidierten) Zuständen. Die Abscheidungsparameter, insbesondere die Konzentrationen von Blei und Zinn in der Plattierungslösung und die Vorspannungsbedingungen für die Anode34 , die Strukturen36 und die ringförmigen Modifizierer37 können verändert werden, um die Zusammensetzung der Legierung zu modifizieren. Die Legierung kann im wesentlichen eine gleichmäßige oder eine abgestufte (diskrete oder kontinuierlich) Zusammensetzung aufweisen. - Bei noch einer weiteren Ausführungsform wird das System
30 verwendet, um weitere elektroaktive Materialien auf das Substrat20 abzuscheiden. Bei dieser Anwendung würde das Material negativ geladen werden, und deshalb werden das Substrat20 und die Strukturen36 jetzt die Anode, und was als die Anode34 verwendet wird, wird die Kathode. Auf diese Art und Weise wird die Stromrichtung innerhalb der Plattierungslösung39 im wesentlichen umgekehrt. Die vorliegende Erfindung enthält weitere Ausführungsformen. Bei einer Ausführungsform werden die Strukturen36 derart modifiziert, daß die Klemmbereiche362 und die Bereiche364 separate Teile sind. In diesem Fall werden die Bereiche364 und die Klemmbereiche362 an den Drehtisch als individuelle Komponenten angebracht. Bei weiteren Ausführungsformen sind die Bereiche364 permanent an den Klemmbereichen362 angebracht oder sind ein entfernbarer Bereich, welcher von Zeit zu Zeit von den Klemmbereichen abgenommen werden kann. - Während der Plattierung können die Strukturen
36 vollständig oder teilweise in die Plattierungslösung39 eingetaucht werden. Die Gestalt von einem oder beiden der Modifizierer für die elektrische Stromdichte sollte an die Gestalt des Randes des Substrats20 angepaßt sein. Beispielsweise sind die Bereiche364 bogenförmige Bereiche, und alle Punkte entlang des Innenrandes dieser bogenförmigen Bereiche364 sind im wesentlichen gleich beabstandet von dem Substrat20 . Falls das Substrat20 rechteckig mit graden Rändern ist, wären die bogenförmigen Modifiziererbereiche mit Innenrändern versehen, welche dem Substrat20 gegenüberliegen, und im wesentlichen parallel zum entsprechenden Rand des Substrats20 verlaufen würden. - Alternative Designs für den ringförmigen Modifizierer
37 sind ebenfalls möglich. Bei weiteren Ausführungsformen verläuft der ringförmige Modifizierer37 über die Oberseite des Bechers32 . Beispielsweise könnte der ringförmige Modifizierer37 zinnenartige Ränder aufweisen, welche ermöglichen, daß die Plattierungslösung39 zwischen den zinnenartigen Rändern und aus dem Becher32 fließt. In dieser Art und Weise ist die Plattierungslösung39 nicht in Kontakt mit dem oberen Bereich des ringförmigen Modifizierers37 . Dies würde am wahrscheinlichsten verwendet werden, falls ein segmentierter ringförmiger Modifizierer zur Plattierung verwendet würde. Ähnlich wie bei einer vorherigen Ausführungsform sollte die Gestalt des ringförmigen Modifizierers37 im wesentlichen dieselbe sein, wie diejenige des Bechers32 , welcher im allgemeinen an die Gestalt des Substrats20 angepaßt ist. Im Fall eines kreisförmigen Substrats20 haben der ringförmige Modifizierer27 und der Becher32 kreisförmige Strukturen. Falls das Substrat20 rechteckig ist, haben der ringförmige Modifizierer37 und der Becher32 ebenfalls rechteckige Gestalt. - Bei noch weiteren Ausführungsformen sind nur Bereiche des ringförmigen Modifizierers
37 leitend. Bei einer bestimmten Ausführungsform hat ein Segment des ringförmigen Modifizierers37 seine obere Hälfte leitend, und ein benachbarter Bereich des ringförmigen Modifizierers37 hat seine untere Hälfte leitend. Bei noch einer weiteren Ausführungsform ist der gesamte obere Bereich oder der gesamte untere Bereich oder jegliche Kombination davon leitend. Ebenfalls sollte die Positionierung des ringförmigen Modifizierers37 derart getroffen werden, daß die Gleichmäßigkeit der Plattierung optimal ist. - Das System
30 kann lediglich mit den Strukturen36 oder den ringförmigen Modifizierern37 als den Modifizierern für die elektrische Stromdichte betrieben werden. Die Verwendung von beiden Modifizierern für die elektrische Stromdichte erhöht die Möglichkeit einer besseren Steuerung der elektrischen Stromdichte während der Plattierung und deshalb eine erhöhte Steuerung der Dickenvariation des Plattierungsmaterials56 über dem Substrat20 . - Bei noch einer weiteren Ausführungsform kann die Anodengestalt modifiziert werden, um die Stromdichte zu optimieren, so daß sie über der Oberfläche des Wafers gleichmäßiger ist. Wie in
6 illustriert hat eine konisch gestaltete Anode64 einen abgeschrägten Rand. Dies ändert die Stromdichte nahe dem Substrat20 . Natürlich sind weitere Formen möglich.
Claims (3)
- Verfahren zum Abscheiden einer Materialschicht (
56 ) über einem Substrat (20 ), umfassend: Anordnen des Substrats (20 ) in ein Plattierungssystem (30 ,60 ) mit: einer ersten Elektrode (34 ,64 ); einer zweiten Elektrode (36 ), welche elektrisch mit dem Substrat (20 ) verbunden ist, wobei die zweite Elektrode (36 ) Klemmbereiche (362 ) und Modifizierbereiche (364 ) für die elektrische Stromdichte aufweist; jeder der Modifizierbereiche (364 ) für die elektrische Stromdichte im Vergleich zu seinem entsprechenden Klemmbereich (362 ) näher an der ersten Elektrode (34 ,64 ) liegt; und einer ionischen Flüssigkeit (39 ), wobei die ionische Flüssigkeit (39 ) die erste Elektrode (34 ,64 ), die zweite Elektrode (36 ) und das Substrat (20 ) kontaktiert; Anlegen eines ersten Potentials an die erste Elektrode (34 ,64 ) und eines zweiten Potentials an die zweite Elektrode (36 ), um die Materialschicht (56 ) auf dem Substrat (20 ) abzuscheiden, wobei sich das erste Potential von dem zweiten Potential unterscheidet; und Entfernen des Substrats (20 ) von dem Plattierungssystem (30 ,60 ). - Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat kreisförmig ist und alle Modifizierbereiche (
364 ) für die elektrische Stromdichte bogenförmig sind. - Verfahren nach Anspruch 1, wobei während des Anlegens von Potentialen die Schicht (
56 ) über einem ersten Punkt näher einem Zentrum des Substrats (20 ) mit einer ersten Dicke und über einem zweiten Punkt näher einem Rand des Substrats (20 ) mit einer zweiten Dicke abgeschieden wird, die nicht größer ist als die erste Dicke.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US856459 | 1986-04-25 | ||
US08/856,459 US6174425B1 (en) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | Process for depositing a layer of material over a substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19820878A1 DE19820878A1 (de) | 1998-11-19 |
DE19820878B4 true DE19820878B4 (de) | 2011-03-03 |
Family
ID=25323684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19820878A Expired - Lifetime DE19820878B4 (de) | 1997-05-14 | 1998-05-09 | Verfahren zum Abscheiden einer Materialschicht auf einem Substrat |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6174425B1 (de) |
JP (1) | JP3326112B2 (de) |
KR (1) | KR100329454B1 (de) |
CN (1) | CN1143906C (de) |
BR (1) | BR9801617A (de) |
DE (1) | DE19820878B4 (de) |
FR (1) | FR2763343B1 (de) |
GB (2) | GB2325242A (de) |
IT (1) | IT1299444B1 (de) |
MY (1) | MY126502A (de) |
NL (1) | NL1009157C2 (de) |
SG (1) | SG71111A1 (de) |
TW (1) | TW372330B (de) |
Families Citing this family (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6599412B1 (en) * | 1997-09-30 | 2003-07-29 | Semitool, Inc. | In-situ cleaning processes for semiconductor electroplating electrodes |
US6174425B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-01-16 | Motorola, Inc. | Process for depositing a layer of material over a substrate |
EP1027481A1 (de) * | 1997-09-30 | 2000-08-16 | Semitool, Inc. | Elektrobeschichtungssystem mit elektrode ausserhalb der hauptreaktionskammer zum reinigen von kontakten |
US6921468B2 (en) * | 1997-09-30 | 2005-07-26 | Semitool, Inc. | Electroplating system having auxiliary electrode exterior to main reactor chamber for contact cleaning operations |
US6936153B1 (en) * | 1997-09-30 | 2005-08-30 | Semitool, Inc. | Semiconductor plating system workpiece support having workpiece-engaging electrode with pre-conditioned contact face |
US6126798A (en) * | 1997-11-13 | 2000-10-03 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating anode including membrane partition system and method of preventing passivation of same |
TW593731B (en) * | 1998-03-20 | 2004-06-21 | Semitool Inc | Apparatus for applying a metal structure to a workpiece |
US6565729B2 (en) * | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
DE69929967T2 (de) | 1998-04-21 | 2007-05-24 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Elektroplattierungssystem und verfahren zur elektroplattierung auf substraten |
US6497801B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-12-24 | Semitool Inc | Electroplating apparatus with segmented anode array |
US7427337B2 (en) | 1998-12-01 | 2008-09-23 | Novellus Systems, Inc. | System for electropolishing and electrochemical mechanical polishing |
US6251235B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-06-26 | Nutool, Inc. | Apparatus for forming an electrical contact with a semiconductor substrate |
US6585876B2 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-01 | Applied Materials Inc. | Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method |
US6551484B2 (en) * | 1999-04-08 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Reverse voltage bias for electro-chemical plating system and method |
US20030038035A1 (en) * | 2001-05-30 | 2003-02-27 | Wilson Gregory J. | Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7189318B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-03-13 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7585398B2 (en) * | 1999-04-13 | 2009-09-08 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US6368475B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-04-09 | Semitool, Inc. | Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7020537B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
JP4288010B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2009-07-01 | セミトゥール・インコーポレイテッド | 処理流体の流れ具合を向上させる処理チャンバを備えた加工物処理装置 |
US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
US7438788B2 (en) * | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US6297155B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-10-02 | Motorola Inc. | Method for forming a copper layer over a semiconductor wafer |
US6413858B1 (en) * | 1999-08-27 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Barrier and electroplating seed layer |
US6217727B1 (en) * | 1999-08-30 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Electroplating apparatus and method |
US20020000380A1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-01-03 | Lyndon W. Graham | Method, chemistry, and apparatus for noble metal electroplating on a microelectronic workpiece |
US6231743B1 (en) | 2000-01-03 | 2001-05-15 | Motorola, Inc. | Method for forming a semiconductor device |
US6547937B1 (en) * | 2000-01-03 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece |
US6454916B1 (en) * | 2000-01-05 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective electroplating with direct contact chemical polishing |
US8308931B2 (en) * | 2006-08-16 | 2012-11-13 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for electroplating |
US8475636B2 (en) * | 2008-11-07 | 2013-07-02 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for electroplating |
US20050183959A1 (en) * | 2000-04-13 | 2005-08-25 | Wilson Gregory J. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece |
US6913680B1 (en) * | 2000-05-02 | 2005-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method of application of electrical biasing to enhance metal deposition |
JP2001316887A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | メッキ処理装置 |
WO2001090446A2 (en) | 2000-05-23 | 2001-11-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to overcome anomalies in copper seed layers and to tune for feature size and aspect ratio |
WO2001090434A2 (en) * | 2000-05-24 | 2001-11-29 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
JP3379755B2 (ja) | 2000-05-24 | 2003-02-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 金属めっき装置 |
US6436267B1 (en) * | 2000-08-29 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method for achieving copper fill of high aspect ratio interconnect features |
US7078308B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for removing adjacent conductive and nonconductive materials of a microelectronic substrate |
US7134934B2 (en) | 2000-08-30 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrically detecting characteristics of a microelectronic substrate and/or polishing medium |
US7160176B2 (en) | 2000-08-30 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrically and/or chemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate |
US7220166B2 (en) * | 2000-08-30 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate |
US7094131B2 (en) | 2000-08-30 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic substrate having conductive material with blunt cornered apertures, and associated methods for removing conductive material |
US7153195B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for selectively removing conductive material from a microelectronic substrate |
US7112121B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrical, mechanical and/or chemical removal of conductive material from a microelectronic substrate |
US7074113B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-07-11 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate |
US7192335B2 (en) | 2002-08-29 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemically, mechanically, and/or electrolytically removing material from microelectronic substrates |
US7153410B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrochemical-mechanical processing of microelectronic workpieces |
US7129160B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Method for simultaneously removing multiple conductive materials from microelectronic substrates |
CN100469948C (zh) * | 2000-10-03 | 2009-03-18 | 应用材料有限公司 | 一旦进入金属沉积用来倾斜基片的方法和相关设备 |
JP2002173794A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Electroplating Eng Of Japan Co | カップ式めっき装置 |
US20040020780A1 (en) * | 2001-01-18 | 2004-02-05 | Hey H. Peter W. | Immersion bias for use in electro-chemical plating system |
US6932896B2 (en) * | 2001-03-30 | 2005-08-23 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for avoiding particle accumulation in electrodeposition |
DE10134680A1 (de) * | 2001-07-20 | 2003-02-06 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Schaltungsanrdnung für einen kapazitiven Sensor |
US6751391B2 (en) * | 2001-07-24 | 2004-06-15 | Agilent Technologies, Inc. | Optical systems incorporating waveguides and methods of manufacture |
US6630360B2 (en) * | 2002-01-10 | 2003-10-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Advanced process control (APC) of copper thickness for chemical mechanical planarization (CMP) optimization |
US7854828B2 (en) * | 2006-08-16 | 2010-12-21 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for electroplating including remotely positioned second cathode |
US6911136B2 (en) * | 2002-04-29 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method for regulating the electrical power applied to a substrate during an immersion process |
US7247223B2 (en) * | 2002-05-29 | 2007-07-24 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for controlling vessel characteristics, including shape and thieving current for processing microfeature workpieces |
US20040108212A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-10 | Lyndon Graham | Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces |
US20040192066A1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method for immersing a substrate |
US20040206628A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-10-21 | Applied Materials, Inc. | Electrical bias during wafer exit from electrolyte bath |
US20040222101A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Contact ring spin during idle time and deplate for defect reduction |
US20050026416A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | International Business Machines Corporation | Encapsulated pin structure for improved reliability of wafer |
US7112122B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate |
US7150820B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-12-19 | Semitool, Inc. | Thiourea- and cyanide-free bath and process for electrolytic etching of gold |
US20050067274A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Shao-Yu Ting | [electroplating apparatus] |
US7135357B2 (en) * | 2003-10-06 | 2006-11-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making an organic electronic device having a roughened surface heat sink |
US7153777B2 (en) | 2004-02-20 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for electrochemical-mechanical polishing |
US20060043534A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Kirby Kyle K | Microfeature dies with porous regions, and associated methods and systems |
US7566391B2 (en) | 2004-09-01 | 2009-07-28 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for removing materials from microfeature workpieces with organic and/or non-aqueous electrolytic media |
US20060175201A1 (en) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Hooman Hafezi | Immersion process for electroplating applications |
TW200641189A (en) * | 2005-02-25 | 2006-12-01 | Applied Materials Inc | Counter electrode encased in cation exchange membrane tube for electroplating cell |
FR2883889B1 (fr) * | 2005-04-04 | 2007-06-08 | Commissariat Energie Atomique | Electrode de reduction pour depot de metal par oxydoreduction. |
US8563331B2 (en) * | 2005-06-03 | 2013-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for fabricating and repairing an electronic device |
US9822461B2 (en) | 2006-08-16 | 2017-11-21 | Novellus Systems, Inc. | Dynamic current distribution control apparatus and method for wafer electroplating |
US20090114542A1 (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-07 | Spansion Llc | Process of forming an electronic device including depositing a conductive layer over a seed layer |
CN101457379B (zh) * | 2007-12-14 | 2012-05-30 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 在半导体工件上电镀金属的电镀装置 |
US7749884B2 (en) * | 2008-05-06 | 2010-07-06 | Astrowatt, Inc. | Method of forming an electronic device using a separation-enhancing species |
EP2294607A2 (de) * | 2008-05-17 | 2011-03-16 | Astrowatt, Inc. | Verfahren zur bildung einer elektronischen anordnung unter verwendung einer trennungstechnik |
DE102009023768A1 (de) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Hübel, Egon, Dipl.-Ing. (FH) | Verfahren und Vorrichtung zum Steuern von elektrochemischen Oberflächenprozessen |
CN101724869B (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 北京有色金属研究总院 | 一种离子液体添加剂在瓦特电镀镍溶液中的应用 |
EP2434590A1 (de) * | 2010-09-28 | 2012-03-28 | Tyco Electronics France SAS | Korrosionsschutz für AV-Buchse |
TWI404833B (zh) * | 2011-01-26 | 2013-08-11 | Zhen Ding Technology Co Ltd | 電鍍系統及電鍍方法 |
TWI550139B (zh) | 2011-04-04 | 2016-09-21 | 諾菲勒斯系統公司 | 用於裁整均勻輪廓之電鍍裝置 |
US8575025B2 (en) | 2011-07-28 | 2013-11-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Templated circuitry fabrication |
US9909228B2 (en) | 2012-11-27 | 2018-03-06 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for dynamic current distribution control during electroplating |
US9752248B2 (en) | 2014-12-19 | 2017-09-05 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for dynamically tunable wafer-edge electroplating |
US9567685B2 (en) | 2015-01-22 | 2017-02-14 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for dynamic control of plated uniformity with the use of remote electric current |
US9689082B2 (en) | 2015-04-14 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Electroplating wafers having a notch |
US9988733B2 (en) | 2015-06-09 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for modulating azimuthal uniformity in electroplating |
US20180256136A1 (en) * | 2015-09-03 | 2018-09-13 | Brian James MCCORMACK | Stool collection device and stool sampling device |
CN110168145B (zh) | 2016-07-13 | 2021-08-06 | 英奥创公司 | 电化学方法、组件和组成 |
CN106531626A (zh) * | 2016-11-08 | 2017-03-22 | 湖南文理学院 | 一种改善多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4304641A (en) * | 1980-11-24 | 1981-12-08 | International Business Machines Corporation | Rotary electroplating cell with controlled current distribution |
US4678545A (en) * | 1986-06-12 | 1987-07-07 | Galik George M | Printed circuit board fine line plating |
US5084153A (en) * | 1988-04-25 | 1992-01-28 | Beckswift Limited | Electrical apparatus |
US5332487A (en) * | 1993-04-22 | 1994-07-26 | Digital Equipment Corporation | Method and plating apparatus |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2751340A (en) | 1952-10-17 | 1956-06-19 | Clevite Corp | Method of plating |
US2859166A (en) | 1955-09-15 | 1958-11-04 | Pennsalt Chemicals Corp | Shielding means for effecting uniform plating of lead dioxide in the formation of lead dioxide electrodes |
US3880725A (en) * | 1974-04-10 | 1975-04-29 | Rca Corp | Predetermined thickness profiles through electroplating |
JPS5412845A (en) | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Ricoh Co Ltd | Multicolor copier |
US4148707A (en) | 1977-07-08 | 1979-04-10 | Heritage Silversmiths Limited | Electrochemical finishing of stainless steel |
JPS54128945A (en) | 1978-03-30 | 1979-10-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Electroplating method |
US4420382A (en) | 1980-01-18 | 1983-12-13 | Alcan International Limited | Method for controlling end effect on anodes used for cathodic protection and other applications |
GB2089838A (en) | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Alcan Int Ltd | Jigs for electrochemical treatment of elongated workpieces |
US4421627A (en) | 1982-05-24 | 1983-12-20 | Lincoln Plating Company | Article holder for electroplating process |
US4466864A (en) * | 1983-12-16 | 1984-08-21 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for electroplating preselected surface regions of electrical articles |
US4720329A (en) | 1984-09-17 | 1988-01-19 | Microsurface Technology Corp. | Apparatus and method for the electrolytic plating of layers onto computer memory hard discs |
US5230743A (en) | 1988-05-25 | 1993-07-27 | Semitool, Inc. | Method for single wafer processing in which a semiconductor wafer is contacted with a fluid |
US4879007B1 (en) | 1988-12-12 | 1999-05-25 | Process Automation Int L Ltd | Shield for plating bath |
US5368711A (en) * | 1990-08-01 | 1994-11-29 | Poris; Jaime | Selective metal electrodeposition process and apparatus |
US5135636A (en) * | 1990-10-12 | 1992-08-04 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Electroplating method |
SE467976B (sv) | 1991-02-20 | 1992-10-12 | Dcm Innovation Ab | Anordning foer elektroplaetering, vid framstaellning av matriser foer tillverkning av t ex cd-skivor samt foerfarande foer tillverkning av matriser medelst anordningen |
US5149419A (en) | 1991-07-18 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Method for fabricating long array orifice plates |
US5312532A (en) | 1993-01-15 | 1994-05-17 | International Business Machines Corporation | Multi-compartment eletroplating system |
GB9325297D0 (en) | 1993-12-10 | 1994-02-16 | Process Automation Internation | Improvements in or relating to clamps and the use thereof |
FR2725215B1 (fr) | 1994-09-29 | 1996-11-22 | Lorraine Laminage | Cellule d'electrodeposition en continu d'alliages metalliques |
US5620581A (en) * | 1995-11-29 | 1997-04-15 | Aiwa Research And Development, Inc. | Apparatus for electroplating metal films including a cathode ring, insulator ring and thief ring |
DE19547948C1 (de) | 1995-12-21 | 1996-11-21 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Strompulsen zur elektrolytischen Metallabscheidung |
US5662788A (en) * | 1996-06-03 | 1997-09-02 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a metallization layer |
US5980706A (en) * | 1996-07-15 | 1999-11-09 | Semitool, Inc. | Electrode semiconductor workpiece holder |
US6174425B1 (en) | 1997-05-14 | 2001-01-16 | Motorola, Inc. | Process for depositing a layer of material over a substrate |
-
1997
- 1997-05-14 US US08/856,459 patent/US6174425B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
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2000
- 2000-05-01 US US09/561,776 patent/US6500324B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-05-09 GB GBGB0111315.8A patent/GB0111315D0/en not_active Ceased
-
2002
- 2002-08-14 US US10/218,810 patent/US7323094B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4304641A (en) * | 1980-11-24 | 1981-12-08 | International Business Machines Corporation | Rotary electroplating cell with controlled current distribution |
US4678545A (en) * | 1986-06-12 | 1987-07-07 | Galik George M | Printed circuit board fine line plating |
US5084153A (en) * | 1988-04-25 | 1992-01-28 | Beckswift Limited | Electrical apparatus |
US5332487A (en) * | 1993-04-22 | 1994-07-26 | Digital Equipment Corporation | Method and plating apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2763343A1 (fr) | 1998-11-20 |
US6500324B1 (en) | 2002-12-31 |
US20020195347A1 (en) | 2002-12-26 |
CN1204702A (zh) | 1999-01-13 |
DE19820878A1 (de) | 1998-11-19 |
MX9803339A (es) | 1998-12-31 |
BR9801617A (pt) | 1999-06-08 |
GB2325242A (en) | 1998-11-18 |
TW372330B (en) | 1999-10-21 |
ITRM980277A1 (it) | 1999-10-29 |
CN1143906C (zh) | 2004-03-31 |
MY126502A (en) | 2006-10-31 |
NL1009157A1 (nl) | 1998-11-17 |
KR100329454B1 (ko) | 2002-08-28 |
JP3326112B2 (ja) | 2002-09-17 |
GB9809856D0 (en) | 1998-07-08 |
IT1299444B1 (it) | 2000-03-16 |
JPH10330991A (ja) | 1998-12-15 |
ITRM980277A0 (it) | 1998-04-29 |
SG71111A1 (en) | 2000-03-21 |
US6174425B1 (en) | 2001-01-16 |
FR2763343B1 (fr) | 2000-11-24 |
US7323094B2 (en) | 2008-01-29 |
NL1009157C2 (nl) | 2000-01-10 |
KR19980087024A (ko) | 1998-12-05 |
GB0111315D0 (en) | 2001-07-04 |
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