DE19830343C1 - Artificial antiferromagnetic layer manufacturing method for MR sensor, involves affecting symmetry of antiferromagnetic layer partially by mask to adjust orientation of magnetization of bias layer - Google Patents

Artificial antiferromagnetic layer manufacturing method for MR sensor, involves affecting symmetry of antiferromagnetic layer partially by mask to adjust orientation of magnetization of bias layer

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Abstract

A flux induction layer (7) and a bias layer (5) are interconnected by a binding layer (6) which also interconnects magnetic layers. Symmetry of artificial antiferromagnetic layer is affected partially by the mask to adjust magnetization orientation of the bias layer. The movement from which range and non influence range of antiferromagnetic layer are different in homogeneous magnetic field is indicated.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtaufbaus umfassend ein AAF-System (artificial- antiferromagnetic-system) bestehend aus mindestens einer Bi­ asschicht, mindestens einer Flußführungsschicht und einer zwischen diesen angeordneten, zwei benachbarte Magnetschich­ ten antiferromagnetisch koppelnden Kopplungsschicht, wobei mittels dieses Schichtaufbaus ein magnetoresistives Sensorsy­ stem mit mindestens zwei Sensorelementen bildbar ist. Ein entsprechender Schichtaufbau mit einem AAF-System ist z. B. der WO 94/15223 A1 zu entnehmen.The invention relates to a method for producing a Layer structure comprising an AAF system (artificial antiferromagnetic system) consisting of at least one bi as layer, at least one flux guide layer and one two adjacent magnetic layers arranged between them th antiferromagnetic coupling layer, wherein a magnetoresistive sensor system by means of this layer structure stem can be formed with at least two sensor elements. On corresponding layer structure with an AAF system is such. B. WO 94/15223 A1.

Aus dem DE-Buch "Sensors - A Comprehensive Survey (Hrsg.: W. Göpel u. a.), VCH Verlagsgesellschaft Weinheim, Vol. 5: Ma­ gnetic Sensors (Hrsg.: R. Boll u. a.), 1989, Kapitel 9: Magne­ toresistive Sensors, Seiten 341 bis 378 sind allgemein der Aufbau von magnetoresistiven Sensoren, deren Funktionsweise und deren Anwendungen zu entnehmen. Die dargestellten Senso­ ren zeigen einen anisotropen magnetoresistiven Effekt. Aus der Literaturstelle geht auch die Bildung von Sensorbrücken hervor, die beispielsweise zur Herstellung von 360°-Winkel­ detektoren verwendet werden können. Entsprechende Brücken können auch mit Sensoren aufgebaut werden, die den eingangs genannten Schichtaufbau mit einem AAF-System aufweisen. Auch hierbei ist es erforderlich, von den die Brücke bildenden vier Sensoren zwei Sensoren hinsichtlich ihrer Biasschicht- Magnetisierung entgegengesetzt zu den anderen auszurichten, um entsprechende Signale über den gesamten Winkelbereich zu erhalten. Dies ist auch bei Sensoren erforderlich, die auf Basis eines magnetischen Tunneleffekts oder mit Spin Valve Transistoren arbeiten. Dies erfolgt mittels eines magneti­ schen Einstellfeldes. Nachteilig dabei ist jedoch, daß bei benachbarten, eine Brücke bildenden Sensorelementen von Sen­ sorelement zu Sensorelement das Einstellfeld unterschiedlich gerichtet sein muß, um durch Einprägen die Magnetisierungs­ richtungen entsprechend einzustellen. Dies liegt darin be­ gründet, daß der Aufbau jedes Sensorelements innerhalb der Sensorbrücke bzw. auf einem vollständigen, eine Vielzahl von Sensorbrücken umfassenden Sensorsubstrat jeweils identisch ist.From the DE book "Sensors - A Comprehensive Survey (Ed .: W. Göpel u. a.), VCH Verlagsgesellschaft Weinheim, Vol. 5: Ma gnetic Sensors (Ed .: R. Boll et al.), 1989, Chapter 9: Magne toresistive sensors, pages 341 to 378 are generally the Structure of magnetoresistive sensors, their mode of operation and their applications. The Senso shown Ren show an anisotropic magnetoresistive effect. Out the literature reference also goes to the formation of sensor bridges out, for example, for the production of 360 ° angles detectors can be used. Corresponding bridges can also be set up with sensors that detect the input have mentioned layer structure with an AAF system. Also here it is necessary to build the bridge four sensors two sensors with regard to their bias layer Align magnetization opposite to the others for appropriate signals over the entire angular range receive. This is also necessary for sensors that are based on  Based on a magnetic tunnel effect or with spin valve Transistors work. This is done using a magneti setting field. The disadvantage of this, however, is that neighboring sensor elements from Sen sensor element to sensor element, the setting field is different must be directed in order to impress the magnetization set directions accordingly. This is it establishes that the construction of each sensor element within the Sensor bridge or on a full, a variety of Sensor substrate comprising sensor bridges are identical in each case is.

Die Aufgabe der Erfindung ist, eine Möglichkeit anzugeben, wie ein Schichtaufbau bzw. ein entsprechendes Sen­ sorelement erhalten werden kann bzw. ausgestaltet sein soll­ te, um auf einfache Weise in einem homogenen Einstellfeld hinsichtlich der Biasschicht-Magnetisierungen unterschiedlich ausgerichtet zu werden.The object of the invention is one possibility specify how a layer structure or a corresponding Sen  sensor element can be obtained or should be designed te to easily in a homogeneous setting field different with regard to the bias layer magnetizations to be aligned.

Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einem Verfahren der ein­ gangs genannten Art erfindungsgemäß vorgesehen, daß zur Er­ möglichung einer lokal antiparallelen Ausrichtung der Magne­ tisierung der Biasschichten nach der Herstellung des AAF- Systems lokal die Symmetrie des AAF-Systems derart beeinflußt wird, daß die beeinflußten und die nicht beeinflußten Berei­ che des Schichtaufbaus ein unterschiedliches Verhalten in ei­ nem homogenen Magnetfeld zeigen.To solve this problem, one of the methods gangs mentioned type provided according to the invention that for Er possibility of a locally antiparallel orientation of the magne of the bias layers after the production of the AAF System locally affects the symmetry of the AAF system in this way is that the affected and the unaffected areas of the layer structure a different behavior in egg show a homogeneous magnetic field.

Die Erfindung geht also ab von einem identischen Schichtauf­ bau für sämtliche Sensorelemente bzw. für sämtliche Bereiche, die die Sensorelemente bilden sollen. Erfindungsgemäß wird die lokale Symmetrie des Systems beeinflußt, so daß sich un­ terschiedliche Bereiche bilden, die ein unterschiedliches Verhalten zeigen. Zur lokalen Beeinflussung des Schichtauf­ baus kann erfindungsgemäß eine Maske verwendet werden.The invention therefore starts from an identical layer construction for all sensor elements or for all areas, which should form the sensor elements. According to the invention affects the local symmetry of the system, so that un form different areas that are different Show behavior. For local influencing of the layer According to the invention, a mask can be used in construction.

Gemäß einer ersten erfindungsgemäßen Ausführungsform kann vorgesehen sein, daß lokal an einem oder mehreren Bereichen eine magnetisch gekoppelte Zusatzschicht erzeugt wird, die einen zu einem lokal asymmetrischen Verhalten der Bereiche in einem homogenen Magnetfeld führenden Beitrag liefert. Es wird also eine weitere Schicht hinzugefügt, jedoch lediglich an den Bereichen, die in ihrer Magnetisierung entgegengesetzt zu der der nicht mit der Zusatzschicht versehenen Bereiche ein­ gestellt werden soll. Dabei kann erfindungsgemäß die lokale Zusatzschicht durch die Maske abgeschieden werden. Alternativ dazu kann zunächst eine geschlosse Zusatzschicht aufgebracht werden, von welcher mittels der Maske entsprechende Bereiche entfernt werden, die den nicht zu beeinflussenden Bereichen entsprechen.According to a first embodiment of the invention be provided locally at one or more areas a magnetically coupled additional layer is generated, the one to a locally asymmetrical behavior of the areas in contributes to a homogeneous magnetic field. It will So added another layer, but only on the areas opposed to in their magnetization that of the areas not provided with the additional layer to be asked. According to the invention, the local Additional layer can be deposited through the mask. Alternatively For this purpose, a closed additional layer can first be applied of which corresponding areas by means of the mask  the areas that cannot be influenced are removed correspond.

Wie beschrieben wird die Zusatzschicht auf das bestehende AAF-System abgeschieden. Um das AAF-System vor etwaiger Be­ schädigung oder einer während des Abscheidungsprozesses mög­ licherweise auftretenden Änderung der Schichtzusammensetzung zu schützen, sollte zweckmäßigerweise vor der Erzeugung der Zusatzschicht eine Deckschicht auf die Biasschicht oder die Flußführungsschicht aufgebracht werden.As described, the additional layer is applied to the existing one AAF system deposited. To the AAF system before any Be damage or possible during the deposition process Licher change in layer composition to protect, should expediently before generating the Additional layer a top layer on the bias layer or the Flow guide layer are applied.

Nach Fertigstellung dieses Schichtaufbaus kann die Einstel­ lung mittels eines homogenen Magnetfeldes erfolgen, wonach zweckmäßigerweise die Zusatzschicht entfernt werden kann, da sie zur letztendlichen Bildung der Sensorsysteme und deren Betrieb nicht mehr benötigt wird. Zur Entfernung kann eine zweite Maske verwendet werden in dem Fall, daß die Zusatz­ schicht vorher als geschlossene Schicht über das gesamte Substrat aufgebracht wurde und lediglich in vorgegebenen Be­ reichen entfernt wurde. Um nun auch die Zusatzschicht in den anderen Bereichen entfernen zu können, muß mit einer zweiten Maske gearbeitet werden.After completing this layer structure, the setting by means of a homogeneous magnetic field, after which the additional layer can expediently be removed since the final formation of the sensor systems and their Operation is no longer needed. To remove one second mask can be used in the event that the addition layer beforehand as a closed layer over the whole Substrate was applied and only in predetermined Be range was removed. To add the additional layer in the other areas must be removed with a second Mask to be worked.

Eine Alternative zur Erzeugung einer lokalen Zusatzschicht sieht demgegenüber vor, daß zur Beeinflussung lokal die Zu­ sammensetzung und/oder die Dicke einer Schicht des AAF- Systems geändert wird. Diese Änderung der Zusammensetzung bzw. der Dicke hat wiederum Einfluß auf das Verhalten des je­ weiligen Bereiches in einem homogenen Magnetfeld, so daß auch hierdurch eine antiparallele Ausrichtung erreicht werden kann. Erfindungsgemäß kann die Änderung mittels lokaler Oxi­ dation, lokaler Implantation und/oder in einem lokalen Ätz­ schritt erfolgen. Um auch hier das AAF zumindest in den Be­ reichen, die nicht beeinflußt werden sollen, zu schützen, kann erfindungsgemäß vor der Beeinflussung eine Deckschicht auf die Bias- oder die Flußführungsschicht aufgebracht wer­ den, die in den zu ändernden Bereichen, gegebenenfalls unter Verwendung der Maske, entfernt wird. Die vorbeschriebenen Masken werden zweckmäßigerweise lithographisch, insbesondere photolithographisch erzeugt.An alternative to creating a local additional layer on the other hand, provides for the local to influence composition and / or the thickness of a layer of the AAF System is changed. This change in composition or the thickness in turn influences the behavior of each area in a homogeneous magnetic field, so that too in this way an anti-parallel alignment can be achieved can. According to the invention, the change can be made using local oxi dation, local implantation and / or in a local etching step. To get the AAF here, at least in the Be to protect those who should not be influenced, According to the invention, a cover layer can be used before influencing  who applied to the bias or the flux guide layer those in the areas to be changed, if necessary under Using the mask, is removed. The above Masks are expediently lithographically, in particular generated photolithographically.

Wie beschrieben, kann es sich bei dem Schichtaufbau um einen geschlossenen, nicht in separate Sensorelemente unterteilten Aufbau handeln. Um einzelne separate Sensorelemente heraus­ zustrukturieren, die letztlich den beeinflußten und nicht be­ einflußten Bereichen entsprechen, können diese auf einem ge­ meinsamen Substrat angeordneten Bereich zweckmäßigerweise vor der Einstellung der Magnetisierung voneinander entkoppelt oder getrennt werden, was in einfacher Weise mittels eines lokalen Ätzschrittes, insbesondere vor einer etwaigen Entfer­ nung der Maske erfolgt.As described, the layer structure can be one closed, not divided into separate sensor elements Act setup. To separate individual sensor elements to structure that ultimately influenced and not be affected areas, these can be on a ge expediently arranged common substrate the setting of the magnetization decoupled from each other or be separated, which is easily done by means of a local etching step, especially before any removal mask is done.

Ferner betrifft die Erfindung einen Schichtaufbau zur Bildung eines magnetoresistiven Sensorelements bzw. magnetoresistiver Sensorsysteme, welcher nach dem beschriebenen Verfahren her­ gestellt ist.The invention further relates to a layer structure for formation of a magnetoresistive sensor element or magnetoresistive Sensor systems, which according to the method described is posed.

Daneben betrifft die Erfindung ein magnetoresistives Sensor­ system bestehend aus mindestens zwei Sensorelementen, von de­ nen jedes ein AAF-System (artificial-antiferromagnetic- system) aufweist bestehend aus mindestens einer Biasschicht, mindestens einer Flußführungsschicht und einer zwischen die­ sen angeordneten, beide Schichten antiferromagnetisch kop­ pelnden Kopplungsschicht. Dieses zeichnet sich dadurch aus, daß zur Ermöglichung einer antiparallelen Ausrichtung der Ma­ gnetisierung der Biasschichten ein Sensorelement oder ein Teil der Sensorelemente mit mindestens einer magnetisch ge­ koppelten Zusatzschicht versehen ist, die einen zu einem asymmetrischen Verhalten der Sensorelemente in einem homoge­ nen Magnetfeld führenden Beitrag liefert. In addition, the invention relates to a magnetoresistive sensor system consisting of at least two sensor elements, de each have an AAF system (artificial antiferromagnetic system) comprising at least one bias layer, at least one flow guide layer and one between the sen, both layers antiferromagnetically cop peeling coupling layer. This is characterized by that to allow an anti-parallel alignment of the Ma gnetization of the bias layers a sensor element or Part of the sensor elements with at least one magnetically ge coupled additional layer is provided, one to one asymmetrical behavior of the sensor elements in a homogeneous makes a leading contribution.  

Dabei kann erfindungsgemäß die Zusatzschicht einen Momenten­ beitrag liefern, daß heißt, das magnetische Moment der Schicht, an die die Zusatzschicht angekoppelt ist, wird hier­ durch erhöht. Zusätzlich oder alternativ kann die Zusatz­ schicht einen Koerzivitätsbeitrag liefern, das heißt, das Ge­ samtreibungsmoment der Verbindung Zusatzschicht-angekoppelte Schicht wird geändert. Gleichermaßen kann die Zusatzschicht auch einen Anisotropiebeitrag liefern, welcher zur lokalen Asymmetrie führt. Die Zusatzschicht kann eine ferromagneti­ sche, eine antiferromagnetische oder eine ferrimagnetische Schicht sein. Die Phasenübergangstemperatur der Zusatz­ schicht, gegebenenfalls die Curie-Temperatur oder die Néel- Temperatur kann unterhalb des Betriebstemperaturbereichs des Sensorsystems liegen. Liegt dieser beispielsweise bei Raum­ temperatur so wird das Sensorsystem zum Einstellen entspre­ chend auf eine Temperatur unterhalb der Phasenübergangstempe­ ratur abgekühlt, das heißt, das Sensorsystem wird in einen Temperaturbereich gebracht, in dem die Zusatzschicht ihren Beitrag liefern kann. Bei Betriebstemperatur hingegen verhält sich die Zusatzschicht paramagnetisch.According to the invention, the additional layer can have a moment Contribute, that is, the magnetic moment of the Layer to which the additional layer is coupled is here through increased. Additionally or alternatively, the addition shift to provide a coercivity contribution, that is, the Ge total frictional moment of the connection additional layer-coupled Shift is changed. Similarly, the additional layer also provide an anisotropy contribution to the local Asymmetry leads. The additional layer can be ferromagnetic cal, an antiferromagnetic or a ferrimagnetic Be shift. The phase transition temperature of the additive layer, possibly the Curie temperature or the Néel- Temperature can be below the operating temperature range of the Sensor system lie. For example, if this is in the room temperature, the sensor system will correspond to the setting to a temperature below the phase transition temperature rature cooled, that is, the sensor system is in one Brought temperature range in which the additional layer their Can make a contribution. At operating temperature, however, behaves the additional layer becomes paramagnetic.

Die Zusatzschicht kann unmittelbar auf die Biasschicht oder die Flußführungsschicht aufgebracht sein, alternativ hierzu kann die Biasschicht oder die Flußführungsschicht auch mit einer Deckschicht versehen sein, auf die die Zusatzschicht aufgebracht ist und die die beiden Schichten magnetisch kop­ pelt. Vorteilhaft ist ferner, wenn die Zusatzschicht entfern­ bar, insbesondere ätzbar ist. Da bei Sensorsystemen aufgrund möglicher Unterschiede innerhalb der Sensorselemente, insbe­ sondere sofern diese nicht auf einem gemeinsamen Substrat er­ zeugt sind, Temperaturschwankungen entstehen können, die das Meßsignal beeinflussen können, sind zweckmäßigerweise jeweils vier Sensorelemente des Sensorsystems nach Art einer Wheatstone'schen Brücke verschaltet. Hiermit läßt sich eine hinreichende Temperaturkompensation erzielen.The additional layer can directly on the bias layer or the flow guide layer may be applied, alternatively can the bias layer or the flux guide layer with be provided with a cover layer on which the additional layer is applied and the two layers magnetically cop pelt. It is also advantageous if the additional layer is removed bar, in particular is etchable. Because with sensor systems possible differences within the sensor elements, esp especially if this is not on a common substrate are witnessed, temperature fluctuations can arise that the Can influence the measurement signal are expedient four sensor elements of the sensor system like one  Wheatstone bridge interconnected. With this one can achieve sufficient temperature compensation.

Die Erfindung betrifft ferner ein weiteres magnetoresistives Sensorsystem entsprechend der vorbeschriebenen Art. Dieses zeichnet sich dadurch aus, daß zur Ermöglichung einer anti­ parallelen Ausrichtung der Magnetisierung der Biasschichten eine Schicht eines Sensorelements oder eines Teils der Senso­ relemente und damit die Symmetrie des jeweiligen AAF-Systems derart beeinflußt ist, daß beeinflußte und nicht beeinflußte Sensorelemente in einem homogenen Magnetfeld ein unterschied­ liches Verhalten zeigen. Dabei kann erfindungsgemäß die Schicht infolge der Beeinflussung eine geänderte Zusammenset­ zung und/oder Dicke aufweisen, wobei dies durch lokale Oxida­ tion, lokale Implantation und/oder lokale Ätzung erreicht werden kann. Auch hier sind zweckmäßigerweise jeweils vier Sensorelemente im Hinblick auf eine mögliche Temperaturkom­ pensation nach Art einer Wheatstone'schen Brücke verschaltet.The invention further relates to a further magnetoresistive Sensor system according to the type described above is characterized in that to enable an anti parallel alignment of the magnetization of the bias layers a layer of a sensor element or part of the Senso relemente and thus the symmetry of the respective AAF system is so influenced that it is influenced and not influenced A difference in sensor elements in a homogeneous magnetic field show behavior. According to the invention, the Layer changed as a result of the influence tongue and / or thickness, this being due to local oxides tion, local implantation and / or local etching achieved can be. Here, too, there are expediently four Sensor elements with regard to a possible Temperaturkom compensation connected in the manner of a Wheatstone bridge.

Schließlich sieht die Erfindung ein weiteres Sensorsystem vor, bestehend aus mindestens einer Biasschicht und mehreren Flußführungsschichten, wobei hier zur Ermöglichung einer an­ tiparallelen Ausrichtung der Magnetisierung der Biasschichten eine Flußführungsschicht eines Sensorelements oder eines Teils der Sensorelemente entfernt ist, wodurch sich ebenfalls ein unterschiedliches Schichtverhalten in einem homogenen Ma­ gnetfeld erzielen läßt.Finally, the invention sees another sensor system before, consisting of at least one bias layer and several River guiding layers, here to enable one parallel alignment of the magnetization of the bias layers a flow guide layer of a sensor element or Part of the sensor elements is removed, which also causes a different layer behavior in a homogeneous measure gnetfeld can be achieved.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:Exemplary embodiments of the invention are described below with reference to the drawings explained in more detail. Show it:

Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines Schichtaufbaus ohne Maske, Fig. 1 is a cross-sectional view of a layered structure without a mask,

Fig. 2 eine Querschnittsansicht des Schichtaufbaus aus Fig. 1 mit Maske, Fig. 2 is a cross-sectional view of the layer structure of Fig. 1 with mask,

Fig. 3 eine Schnittansicht des Schichtaufbaus bestehend aus einem mehrschichtigen AAF-System, und Fig. 3 is a sectional view of the layer structure consisting of a multi-layer AAF system, and

Fig. 4 den Schichtaufbau aus Fig. 3, wobei eine magnetisch relevante Schicht des AAF-Systems entfernt ist. FIG. 4 shows the layer structure from FIG. 3, with a magnetically relevant layer of the AAF system being removed.

Fig. 1 zeigt eine Schnittansicht eines Schichtaufbaus. Dieser besteht aus einer Substratschicht 1, einer Pufferschicht 2, einer Meßschicht 3, einer Entkopplungsschicht 4, einer Bias­ schicht 5, einer antiferromagnetischen Kopplungsschicht 6, sowie einer Flußführungsschicht 7. Die Schichten 5, 6 und 7 bilden das AAF-System. Auf diesen Schichtaufbau, der nur aus­ schnittsweise dargestellt ist und sich insoweit homogen über das gesamte Sensorsubstrat erstreckt, ist eine Deckschicht 8 aufgebracht, die zum Schutz des darunterliegenden AAF-Systems dient. Um lokal das Verhalten des AAF-Systems in einem homo­ genen Magnetfeld derart beeinflussen zu können, daß ein be­ reichsweise unterschiedliches Verhalten gegeben ist, wird lo­ kal auf die Deckschicht eine einen magnetisch relevanten Bei­ trag liefernde Zusatzschicht gebracht. Die Deckschicht 8 kop­ pelt die aufzubringende Zusatzschicht an die darunterliegende Schicht des AAF-Systems, im gezeigten Beispiel an die Fluß­ führungsschicht 7. Um die Zusatzschicht in lokal ausgewählten Bereichen, die jeweils einem Sensorelement einer ersten Art entsprechen (die nicht mit der Zusatzschicht versehenen Be­ reiche bilden die Sensorelemente der zweiten Art, wobei sich die Sensorelemente hinsichtlich der Magnetisierungsschicht und der Biasschichten unterscheiden), wird eine lithographi­ sche Maske 9 auf die Deckschicht aufgebracht, die entspre­ chende Fenster 10 aufweist. Durch diese Fenster hindurch wird die Zusatzschicht 11, die hier nur gestrichelt dargestellt ist, abgeschieden. Infolge der Ankopplung der Zusatzschicht 11 an die darunterliegende Flußführungsschicht 7 ändert sich lokal das Verhalten dieses AAF-Systembereichs im Magnetfeld, so daß eine entgegengesetzte Bias-Ausrichtung dieser Sensore­ lemente erreicht werden kann. Vor der Einstellung der Magne­ tisierung mittels des homogenen Magnetfelds werden mittels eines lokalen selektiven Ätzvorgangs, der im wesentlichen entlang der Maskenkanten vertikal selektiv erfolgt, die ein­ zelnen Bereiche voneinander getrennt, um so die Sensorelemen­ te "herauszustrukturieren". Nach erfolgter Einstellung kann die Zusatzschicht sowie die Maske, gegebenenfalls auch die Deckschicht entfernt werden. Fig. 1 shows a sectional view of a layer structure. This consists of a substrate layer 1 , a buffer layer 2 , a measuring layer 3 , a decoupling layer 4 , a bias layer 5 , an antiferromagnetic coupling layer 6 , and a flux guide layer 7 . Layers 5 , 6 and 7 form the AAF system. A cover layer 8 is applied to this layer structure, which is only shown in sections and extends homogeneously over the entire sensor substrate, to protect the underlying AAF system. In order to be able to influence the behavior of the AAF system locally in a homogeneous magnetic field in such a way that behavior is varied in some areas, a magnetically relevant additional layer is added locally to the cover layer. The cover layer 8 couples the additional layer to be applied to the underlying layer of the AAF system, in the example shown to the river guide layer 7 . A lithographic mask is placed around the additional layer in locally selected areas, each of which corresponds to a sensor element of a first type (the areas not provided with the additional layer form the sensor elements of the second type, the sensor elements differing in terms of the magnetization layer and the bias layers) 9 applied to the cover layer, the corre sponding window 10 . The additional layer 11 , which is only shown in broken lines here, is deposited through these windows. As a result of the coupling of the additional layer 11 to the underlying flux guide layer 7 , the behavior of this AAF system region changes locally in the magnetic field, so that an opposite bias alignment of these sensor elements can be achieved. Before the magnetization is set by means of the homogeneous magnetic field, the individual regions are separated from one another by means of a local selective etching process, which takes place essentially vertically along the mask edges, so as to "structure" the sensor elements. After the setting has been made, the additional layer and the mask, and if appropriate also the cover layer, can be removed.

Die Zusatzschicht ist zweckmäßigerweise ein Ferromagnet mit niedriger Curie-Temperatur oder ein Antiferromagnet mit nied­ riger Néel-Temperatur. Die Phasenübergangstemperatur der Zu­ satzschicht liegt unterhalb des Einsatzbereichs des Sensorsy­ stems, so daß die Zusatzschicht im Operationstemperaturbe­ reich paramagnetisch ist, das magnetische Verhalten also nicht beeinflußt. Zur Einstellung der Biasschicht- Magnetisierungen wird das Sensorsystem - dessen Betriebstem­ peratur beispielsweise bei Raumtemperatur liegt - auf eine Temperatur unterhalb der Phasenübergangstemperatur abgekühlt, so daß die Zusatzschicht ihren jeweiligen Beitrag liefern kann.The additional layer is advantageously a ferromagnet with low Curie temperature or an antiferromagnet with low high Néel temperature. The phase transition temperature of the Zu sentence layer is below the area of application of the Sensory stems, so that the additional layer in the operating temperature is richly paramagnetic, i.e. the magnetic behavior unaffected. To adjust the bias layer The sensor system - its operating system - becomes magnetized temperature, for example, at room temperature - to a Temperature cooled below the phase transition temperature, so that the additional layer make their respective contribution can.

Alternativ zu der vorbeschriebenen Aufbringungsform der Zu­ satzschicht kann diese auch zunächst großflächig aufgebracht werden und anschließend lokal mittels einer Maske entfernt werden. Für die nachfolgende Entfernung ist eine zweite Maske erforderlich.As an alternative to the above-described application form of the Zu The first layer can also be applied over a large area are then removed locally using a mask become. For the subsequent removal there is a second mask required.

Der Beitrag der Zusatzschicht kann ein Momentenbeitrag sein, zusätzlich oder alternativ kann es sich auch um einen Koerzi­ vitäts- und/oder Anisotropiebeitrag handeln. The contribution of the additional shift can be a moment contribution, additionally or alternatively it can also be a Koerzi act vity and / or anisotropy contribution.  

Im Falle eines Momentenbeitrags liefert die Zusatzschicht ein magnetisches Moment bei der Einstelltemperatur. Dieses Moment kann sowohl parallel wie entgegengesetzt, je nach Wahl der Zusatzschicht und gegebenenfalls der Deckschicht, zur Magne­ tisierung der Biasschicht 5 sein. Die Richtung der Magneti­ sierung M2 der Flußführungsschicht 7 ist gegeben durch
In the case of a moment contribution, the additional layer provides a magnetic moment at the set temperature. This moment can be both parallel and opposite, depending on the choice of the additional layer and optionally the cover layer, for magnetizing the bias layer 5 . The direction of magnetization M 2 of the flux guide layer 7 is given by

mit
M1 = Sättigungsmagnetisierung der Biasschicht
M2 = Sättigungsmagnetisierung der Flußführungsschicht
d1 = Dicke der Biasschicht
d2 = Dicke der Flußführungsschicht
Hein = magnetisches Einstellfeld.With
M 1 = saturation magnetization of the bias layer
M 2 = saturation magnetization of the flux guiding layer
d 1 = thickness of the bias layer
d 2 = thickness of the flux guiding layer
H = a magnetic setting field.

Die Magnetisierung M2 liegt parallel zum Einstellfeld, wenn M2d2 < M1d1 ist. Die Zusatzschicht liefert bei der Einstell­ temperatur ein Zusatzmoment mz. Die Richtung der Magnetisie­ rung M2 ergibt sich dann zu:
The magnetization M 2 is parallel to the setting field if M 2 d 2 <M 1 d 1 . The additional layer provides an additional moment m z at the setting temperature. The direction of the magnetization M 2 then results in:

wobei das Pluszeichen für eine parallele Ankopplung von mz an M2 und das Minuszeichen für eine antiparallele Ankopplung gilt. Die Richtung von M2 kann umgedreht werden, wenn
the plus sign for a parallel coupling of m z to M 2 and the minus sign for an anti-parallel coupling. The direction of M 2 can be reversed if

(M2d2 ± mz - M1d1)(M2d2 - M1d1) < 0 (3)
(M 2 d 2 ± m z - M 1 d 1 ) (M 2 d 2 - M 1 d 1 ) <0 (3)

erfüllt ist.is satisfied.

Als Materialen für die Zusatzschicht können seltene Erd­ reiche seltene Erd/Übergangsmaterial-Legierungen wie
Tbx(FeyCo1-y)1-x, Smx(FeyCo1-y)1-x, Hox(FeyCo1-y)1-x, Dyx(FeyCo1-y)1-x, Ndx(FeyCo1-y)1-x
sowie verdünnte ferromagnetische Materialien verwendet wer­ den.Rare earth rich rare earth / transition material alloys such as can be used as materials for the additional layer
Tb x (Fe y Co 1-y ) 1-x , Sm x (Fe y Co 1-y ) 1-x , Ho x (Fe y Co 1-y ) 1-x , Dy x (Fe y Co 1- y ) 1-x , Nd x (Fe y Co 1-y ) 1-x
and diluted ferromagnetic materials who used the.

Wie beschrieben kann die Steuerung der Ausrichtung der Magne­ tisierung auch über die Koerzivität oder Anisotropie erfol­ gen. In diesem Fall wird vorausgesetzt, daß M2d2 = M1d1 ist. Nachfolgend wird eine Zusatzschicht betrachtet, die antifer­ romagnetisch oder bei der Einstelltemperatur näherungsweise antiferromagnetisch ist. Die Zusatzschicht ist wiederum di­ rekt oder indirekt über die Deckschicht mit der Flußführungs­ schicht 7 des AAF-Systems gekoppelt. Bei Abkühlung unterhalb der Néel-Temperatur richten sich die magnetischen Spins nach dem von einem Feld gesättigten AAF-System aus. Die antiferro­ magnetische Zusatzschicht trägt jedoch kein magnetisches Net­ to-Moment, so daß die Richtung der Magnetisierung M2 gemäß der vorbeschriebenen Formel (1) undefiniert ist. In diesem Fall sind die Koerzivitäten und Anisotropien entscheidend für die Ausrichtung. Im Falle einer Koerzivitätssteuerung, das heißt einer durch Drehreibung hervorgerufene Richtungsbeein­ flussung wird Formel (1) ersetzt durch:
As described, the control of the orientation of the magnetization can also take place via the coercivity or anisotropy. In this case, it is assumed that M 2 d 2 = M 1 d 1 . An additional layer is considered below, which is antiferromagnetic or approximately antiferromagnetic at the set temperature. The additional layer is in turn coupled directly or indirectly via the cover layer to the flow guide layer 7 of the AAF system. When cooling below the Néel temperature, the magnetic spins align themselves with the AAF system saturated by a field. However, the additional antiferro magnetic layer does not carry a magnetic net to moment, so that the direction of the magnetization M 2 is undefined in accordance with the formula (1) described above. In this case, the coercivities and anisotropies are crucial for the alignment. In the case of a coercivity control, i.e. a directional influence caused by rotary friction, formula (1) is replaced by:

mit:
T1 = Volumendichte der Drehreibung der Biasschicht
T2 = Volumendichte der Drehreibung der Flußführungsschicht.With:
T 1 = volume density of the rotational friction of the bias layer
T 2 = volume density of the rotational friction of the flux guiding layer.

Für eine uniaxiale Anisotropie mit leichten Achsen parallel zum Einstellfeld und Anisotropiekonstanten K1, K2 und Kz für die jeweiligen Schichten gilt:
For uniaxial anisotropy with easy axes parallel to the setting field and anisotropy constants K 1 , K 2 and K z for the respective layers:

Bei Temperaturen unterhalb der Néel-Temperatur wird die Zu­ satzschicht zwar kein Moment aufweisen, aber in den meisten Fällen ist die Drehreibung Tzdz oder die Anisotropieenergie Kzdz beachtlich groß. Die Richtung der Magnetisierung erfolgt demgemäß bei Koerzivitätssteuerung aus:
At temperatures below the Néel temperature, the additive layer will not have any moment, but in most cases the rotational friction T z d z or the anisotropy energy K z d z is remarkably large. Accordingly, the direction of the magnetization occurs with coercivity control:

bzw. bei Anisotropiesteuerung
or with anisotropy control

Ersichtlich ist Tzdz immer positiv, so daß eine Umkehrung der Magnetisierung M2 nur dann möglich ist, wenn T2d2 - T1d1 kleiner Null ist, das heißt, wenn die Biasschicht die größte Gesam­ treibung aufweist. Nachdem das Feld bei der tiefen Temperatur auf Null reduziert ist, steht M2 in den maskierten Bereichen zum magnetischen Einstellfeld entgegengesetzt gerichtet, in den unmaskierten Bereichen steht sie parallel.As can be seen, T z d z is always positive, so that a reversal of the magnetization M 2 is only possible if T 2 d 2 - T 1 d 1 is less than zero, that is to say if the bias layer has the greatest overall drift. After the field is reduced to zero at the low temperature, M 2 in the masked areas is opposite to the magnetic setting field, in the unmasked areas it is parallel.

Kz hingegen kann sowohl ein positives wie ein negatives Vor­ zeichen besitzen, so daß bei tiefer Temperatur M2 auch paral­ lel zum Einstellfeld stehen kann.K z, on the other hand, can have both a positive and a negative sign, so that M 2 can also stand parallel to the setting field at low temperatures.

Als Materialien können hier seltene Erdreiche seltene Erd/Übergangsmaterial-Legierungen wie
Tbx(FeyCo1-y)1-x, Hox(FeyCo1-y)1-x, Dyb(FeyCo1-y)1-x
mit Kompensationstemperaturen nahe der Einstelltemperatur und niedrigen Curie-Temperatur verwendet werden. Gleichermaßen können reine Antiferromagneten wie MnO, FeO, V2O3 oder MnS verwendet werden.Rare soils can be used as materials here, rare earth / transition material alloys such as
Tb x (Fe y Co 1-y ) 1-x , Ho x (Fe y Co 1-y ) 1-x , Dy b (Fe y Co 1-y ) 1-x
with compensation temperatures close to the set temperature and low Curie temperature. Pure antiferromagnets such as MnO, FeO, V 2 O 3 or MnS can also be used.

Die Fig. 3 und 4 zeigen eine weitere Möglichkeit der anti­ parallelen Einstellung der Magnetisierung. Ausgehend vom Schichtaufbau gemäß Fig. 3, bei dem das AAF-System aus insge­ samt vier magnetisch wirksamen Schichten 12, 13, 14, 15 be­ steht, wird mittels eines physikalischen oder chemischen Ätz­ schrittes eine Strukturierung dergestalt vorgenommen, daß in bestimmten Bereichen, in denen Sensorelemente einer ersten Art erzeugt werden sollen, die Schicht 15 und die darunter­ liegende Kopplungsschicht 16 entfernt werden, wie dies bei­ spielsweise in Fig. 4 ausschnittsweise gezeigt ist. Mit der Bedingung
 FIGS. 3 and 4 show a further possibility of adjustment of the anti-parallel magnetization. Based on the layer structure according to FIG. 3, in which the AAF system consists of a total of four magnetically active layers 12 , 13 , 14 , 15 be, structuring is carried out by means of a physical or chemical etching step such that in certain areas, in where sensor elements of a first type are to be generated, the layer 15 and the coupling layer 16 lying underneath are removed, as is shown in detail in example in FIG. 4. Under the condition

[M15d15 - M14d14 + M13d13 ± M12d12] . [M15d15 - M14d14 + M13d13] < 0 (6)
[M 15 d 15 - M 14 d 14 + M 13 d 13 ± M 12 d 12 ]. [M 15 d 15 - M 14 d 14 + M 13 d 13 ] <0 (6)

erhält man bei Einwirken eines Einstellfeldes eine antiparal­ lele Stellung der Biasschicht 12 der strukturierten zu den nicht strukturierten Bereichen. Das "+"-Zeichen beim M12d12- Glied trifft bei ferromagnetischer, das "-"-Zeichen bei anti­ ferromagnetischer Ankopplung von Schicht 12 an Schicht 13 zu. Zur Verbesserung der Homogenität des Systems (Offset-Spannung unabhängig von der Temperatur) kann man nach der Einstellung auch im bisher nicht strukturierten Sensorbrückenteil die Schicht 15 und die Kopplungsschicht 16 entfernen.If an adjustment field acts, an antiparallel position of the bias layer 12 of the structured to the non-structured areas is obtained. The "+" sign for the M 12 d 12 element applies to ferromagnetic, the "-" sign for anti-ferromagnetic coupling from layer 12 to layer 13 . In order to improve the homogeneity of the system (offset voltage regardless of the temperature), the layer 15 and the coupling layer 16 can also be removed in the previously unstructured part of the sensor bridge after the setting.

Claims (34)

1. Verfahren zur Herstellung eines Schichtaufbaus umfassend ein AAF-System (artificial-antiferromagnetic-system) beste­ hend aus mindestens einer Biasschicht, mindestens einer Fluß­ führungsschicht und mindestens einer zwischen diesen angeord­ neten, beide benachbarte Magnetschichten antiferromagnetisch koppelnden Kopplungsschicht, wobei mittels dieses Schichtauf­ baus ein magnetoresistives Sensorsystem mit mindestens zwei Sensorelemente bildbar ist, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zur Ermöglichung einer lokal anti­ parallelen Ausrichtung der Magnetisierungen der Biasschichten nach der Herstellung des AAF-Systems lokal die Symmetrie des AAF-Systems derart beeinflußt wird, daß die beeinflußten und die nicht beeinflußten Bereiche des Schichtaufbaus ein unter­ schiedliches Verhalten in einem homogenen Magnetfeld zeigen.1. A method for producing a layer structure comprising an AAF system (artificial antiferromagnetic system) consisting of at least one bias layer, at least one flux guiding layer and at least one coupling layer arranged between them, the two adjacent magnetic layers antiferromagnetically coupling coupling layer, by means of this layer structure a magnetoresistive sensor system can be formed with at least two sensor elements, characterized in that, to enable a locally anti-parallel alignment of the magnetizations of the bias layers after the manufacture of the AAF system, the symmetry of the AAF system is influenced locally in such a way that the affected and the not affected areas of the layer structure show a different behavior in a homogeneous magnetic field. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zur lokalen Beeinflussung des Schicht­ aufbaus eine Maske verwendet wird.2. The method according to claim 1, characterized records that for local influencing of the layer a mask is used. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß lokal an einem oder mehreren Bereichen eine magnetisch gekoppelte Zusatzschicht erzeugt wird, die einen zu einem lokal asymmetrischen Verhalten der Bereiche in einem homogenen Magnetfeld führenden Beitrag lie­ fert.3. The method according to claim 1 or 2, characterized ge indicates that locally on one or more Areas generated a magnetically coupled additional layer which leads to a locally asymmetrical behavior of the Areas in a homogeneous magnetic field leading contribution lie finished. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die lokale Zusatzschicht durch die Maske hindurch abgeschieden wird.4. The method according to claim 3, characterized records that the local additional layer by the Is deposited through the mask. 5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zunächst eine geschlossens Zusatz­ schicht aufgebracht wird, von welcher mittels der Maske ent­ sprechende Bereiche entfernt werden.5. The method according to claim 2, characterized records that initially a closed addition  layer is applied, of which ent by means of the mask speaking areas are removed. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß vor der Erzeu­ gung der Zusatzschicht eine Deckschicht auf die Biasschicht oder die Flußführungsschicht aufgebracht wird.6. The method according to any one of claims 2 to 5, there characterized in that before the Erzeu an additional layer on top of the bias layer or the flow guide layer is applied. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß nach der Ein­ stellung der Magnetisierung mittels eines homogenen Magnet­ felds die Zusatzschicht entfernt wird.7. The method according to any one of claims 2 to 6, there characterized in that after the one position of the magnetization by means of a homogeneous magnet the additional layer is removed. 8. Verfahren nach Anspruch 6 und 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß zur Entfernung eine zweite Maske oder die erste Maske verwendet wird.8. The method according to claim 6 and 7, characterized ge indicates that a second for removal Mask or the first mask is used. 9. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß zur Beeinflussung lokal die Zusammensetzung und/oder die Dicke einer Schicht des AAF- Systems geändert wird.9. The method according to claim 1 or 2, characterized ge indicates that the local influence Composition and / or thickness of a layer of AAF System is changed. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Änderung mittels lokaler Oxidation, lokaler Implantation und/oder in einem lokalen Ätzschritt erfolgt.10. The method according to claim 9, characterized ge indicates that the change is made using local Oxidation, local implantation and / or in a local Etching step takes place. 11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Beeinflussung eine Deckschicht auf die Bias- oder die Flußführungsschicht aufge­ bracht wird, die in den zu ändernden Bereichen, gegebenen­ falls unter Verwendung der Maske, entfernt wird.11. The method according to claim 9 or 10, characterized characterized in that before influencing a Cover layer on the bias or the flux guide layer applied is brought, given in the areas to be changed if removed using the mask. 12. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß zur Beeinflussung lokal eine für das magnetische Verhalten relevante Schicht des mehrere Schichten umfassenden AAF-Systems entfernt wird.12. The method according to claim 1 or 2, characterized ge indicates that a local influence  layer of several relevant for the magnetic behavior Layers of comprehensive AAF system is removed. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Schicht durch Ätzen unter Verwendung der Maske entfernt wird.13. The method according to claim 12, characterized ge indicates that the layer is etched under Using the mask is removed. 14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß nach erfolgter Einstellung mittels des homogenen Magnetfelds die teilweise entfernte Schicht auch in den übrigen Bereichen entfernt wird.14. The method according to claim 12 or 13, characterized characterized that after hiring the partially removed by means of the homogeneous magnetic field Layer is also removed in the other areas. 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 14, da­ durch gekennzeichnet, daß die jeweilige Maske lithographisch, insbesondere photolithographisch er­ zeugt wird.15. The method according to any one of claims 2 to 14, there characterized in that the respective Mask lithographically, especially photolithographically is fathered. 16. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung einzelner separater Sensorelemente die beeinflußten und die nicht beeinflußten Bereiche des auf einem Substrat angeordne­ ten Schichtaufbaus voneinander entkoppelt oder getrennt wer­ den.16. The method according to any one of the preceding claims, since characterized by that for generation individual separate sensor elements that affected and unaffected areas of the arranged on a substrate decoupled or separated from each other the. 17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Bereiche in einem lokalen Ätzschritt, insbesondere vor einer etwaigen Entfernung der Maske entkoppelt oder getrennt werden.17. The method according to claim 16, characterized ge identifies the areas in a local Etching step, especially before any removal of the Mask decoupled or separated. 18. Schichtaufbau zur Bildung eines magnetoresistiven Sensor­ elements bzw. magnetoresistiver Sensorsysteme, hergestellt nach dem Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 17.18. Layer structure to form a magnetoresistive sensor elements or magnetoresistive sensor systems by the method according to claims 1 to 17. 19. Magnetoresistives Sensorsystem bestehend aus mindestens zwei Sensorelementen, von denen jedes ein AAF-System (artificial-antiferromagnetic-system) aufweist bestehend aus mindestens einer Biasschicht, mindestens einer Flußführungs­ schicht und mindestens einer zwischen diesen angeordneten, beide benachbarten Magnetschichten antiferromagnetisch kop­ pelnden Kopplungsschicht, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zur Ermöglichung einer antiparallelen Ausrichtung der Magnetisierungen der Biasschichten (5) ein Sensorelement oder ein Teil der Sensorelemente mit mindestens einer magnetisch gekoppelten Zusatzschicht (11) versehen ist, die einen zu einem asymmetrischen Verhalten der Sensorelemen­ te in einem homogenen Magnetfeld führenden Beitrag liefert.19. Magnetoresistive sensor system consisting of at least two sensor elements, each of which has an AAF system (artificial antiferromagnetic system) consisting of at least one bias layer, at least one flux guiding layer and at least one coupling layer arranged between them, both adjacent magnetic layers coupling antiferromagnetically, characterized in that to enable an anti-parallel alignment of the magnetizations of the bias layers ( 5 ), a sensor element or part of the sensor elements is provided with at least one magnetically coupled additional layer ( 11 ), which leads to an asymmetrical behavior of the sensor elements in a homogeneous magnetic field Contribution delivers. 20. Sensorsystem nach Anspruch 19, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Zusatzschicht (11) einen Momentenbeitrag liefert.20. Sensor system according to claim 19, characterized in that the additional layer ( 11 ) provides a moment contribution. 21. Sensorsystem nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusatzschicht (11) einen, gegebenenfalls zusätzlichen Koerzivitätsbeitrag lie­ fert.21. Sensor system according to claim 18 or 19, characterized in that the additional layer ( 11 ), optionally an additional coercivity contribution lies. 22. Sensorsystem nach einem der Ansprüche 19 bis 21, da­ durch gekennzeichnet, daß die Zusatz­ schicht (11) einen, gegebenfalls zusätzlichen Anisotropiebei­ trag liefert.22. Sensor system according to one of claims 19 to 21, characterized in that the additional layer ( 11 ) provides an optionally additional anisotropy contribution. 23. Sensorsystem nach einem der Ansprüche 19 bis 22, da­ durch gekennzeichnet, daß die Zusatz­ schicht (11) ein ferromagnetische, eine antiferromagnetische oder eine ferrimagnetische Schicht ist.23. Sensor system according to one of claims 19 to 22, characterized in that the additional layer ( 11 ) is a ferromagnetic, an antiferromagnetic or a ferrimagnetic layer. 24. Sensorsystem nach einem der Ansprüche 19 bis 23, da­ durch gekennzeichnet, daß die Phasen­ übergangstemperatur der Zusatzschicht (11), gegebenenfalls die Curie-Temperatur oder die Néel-Temperatur unterhalb des Betriebstemperaturbereichs des Sensorsystems liegt.24. Sensor system according to one of claims 19 to 23, characterized in that the phase transition temperature of the additional layer ( 11 ), optionally the Curie temperature or the Néel temperature is below the operating temperature range of the sensor system. 25. Sensorsystem nach einem der Ansprüche 19 bis 24, da­ durch gekennzeichnet, daß die Zusatz­ schicht (11) unmittelbar auf die Biasschicht (5) oder die Flußführungsschicht (7) aufgebracht ist.25. Sensor system according to one of claims 19 to 24, characterized in that the additional layer ( 11 ) is applied directly to the bias layer ( 5 ) or the flux guide layer ( 7 ). 26. Sensorsystem nach einem der Ansprüche 19 bis 24, da­ durch gekennzeichnet, daß auf die Bias­ schicht (5) oder die Flußführungsschicht (7) eine Deckschicht (8) aufgebracht ist, die die darauf aufgebrachte Zusatz­ schicht (11) magnetisch koppelt.26. Sensor system according to one of claims 19 to 24, characterized in that on the bias layer ( 5 ) or the flux guide layer ( 7 ) a cover layer ( 8 ) is applied, which magnetically couples the additional layer applied thereon ( 11 ). 27. Sensorsystem nach einem der Ansprüche 19 bis 26, da­ durch gekennzeichnet, daß die Zusatz­ schicht (11) entfernbar, insbesondere ätzbar ist.27. Sensor system according to one of claims 19 to 26, characterized in that the additional layer ( 11 ) is removable, in particular etched. 28. Sensorsystem nach einem der Ansprüche 19 bis 27, da­ durch gekennzeichnet, daß es vier Sen­ sorelemente oder ein Vielfaches davon umfaßt, wobei jeweils vier Sensorelemente eine Wheatstone'sch Brücke bilden.28. Sensor system according to one of claims 19 to 27, there characterized by that there are four sen sorelemente or a multiple thereof, each four sensor elements form a Wheatstone bridge. 29. Magnetoresistives Sensorsystem bestehend aus mindestens zwei Sensorelementen, von denen jedes ein AAF-System (artificial-antiferromagnetic-system) aufweist bestehend aus mindestens einer Biasschicht, mindestens einer Flußführungs­ schicht und mindestens einer zwischen diesen angeordneten, benachbarte Magnetschichten antiferromagnetisch koppelnden Kopplungsschicht, dadurch gekennzeich­ net, daß zur Ermöglichung einer antiparallelen Ausrich­ tung der Magnetisierungen der Biasschichten eine Schicht ei­ nes Sensorelements oder eines Teils der Sensorelemente und damit die Symmetrie des jeweiligen AAF-Systems derart beein­ flußt ist, daß beeinflußte und nicht beeinflußte Sensorele­ mente in einem homogenen Magnetfeld ein unterschiedliches Verhalten zeigen.29. Magnetoresistive sensor system consisting of at least two sensor elements, each of which is an AAF system (artificial antiferromagnetic system) consists of at least one bias layer, at least one river guide layer and at least one arranged between them, neighboring magnetic layers are antiferromagnetically coupling Coupling layer, characterized net that to enable an anti-parallel alignment a layer of magnetization of the bias layers nes sensor element or a part of the sensor elements and thus affecting the symmetry of the respective AAF system in this way is that influenced and unaffected sensor elements  elements in a homogeneous magnetic field Show behavior. 30. Sensorsystem nach Anspruch 29, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Schicht infolge der Beein­ flussung eine geänderte Zusammensetzung und/oder Dicke auf­ weist.30. Sensor system according to claim 29, characterized ge indicates that the layer due to the legs a changed composition and / or thickness points. 31. Sensorsystem nach Anspruch 30, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Schicht durch lokale Oxi­ dation, lokale Implantation und/oder lokalen Ätzung beein­ flußt ist.31. Sensor system according to claim 30, characterized ge indicates that the layer by local oxi dation, local implantation and / or local etching is flowing. 32. Sensorsystem nach einem der Ansprüche 29 bis 31, da­ durch gekennzeichnet, daß es vier Senso­ relemente oder ein Vielfaches davon umfaßt, wobei jeweils vier Sensorelemente eine Wheatstone'sch Brücke bilden.32. Sensor system according to one of claims 29 to 31, there characterized by that there are four Senso relemente or a multiple thereof, wherein each four sensor elements form a Wheatstone bridge. 33. Magnetoresistives Sensorsystem bestehend aus mindestens zwei Sensorelementen, von denen jedes ein AAF-System (artificial-antiferromagnetic-system) aufweist bestehend aus mindestens einer Biasschicht, mehreren Flußführungsschichten, und mindestens einer die Biasschicht und eine Flußführungs­ schicht antiferromagnetisch koppelnden Kopplungsschicht, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ermög­ lichung einer antiparallelen Ausrichtung der Magnetisierungen der Biasschichten eine Flußführungsschicht (15) eines Senso­ relements oder eines Teils der Sensorelemente entfernt ist.33. Magnetoresistive sensor system consisting of at least two sensor elements, each of which has an AAF system (artificial antiferromagnetic system) consisting of at least one bias layer, several flux guide layers, and at least one coupling layer coupling the bias layer and a flux guide layer, characterized in that that to enable an anti-parallel alignment of the magnetizations of the bias layers, a flux guide layer ( 15 ) of a sensor element or part of the sensor elements is removed. 34. Sensorsystem nach Anspruch 33, dadurch ge­ kennzeichnet, daß es vier Sensorelemente oder ein Vielfaches davon umfaßt, wobei jeweils vier Sensorelemen­ te eine Wheatstone'sch Brücke bilden.34. Sensor system according to claim 33, characterized ge indicates that there are four sensor elements or a multiple thereof, four sensor elements each would form a Wheatstone bridge.
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