DE19859429A1 - Verfahren zur Herstellung epitaktischer Silizium-Germaniumschichten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung epitaktischer Silizium-GermaniumschichtenInfo
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Abstract
Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von relaxierten Epitaxieschichten auf einem Halbleitersubstrat mittels Molekularstrahlepitaxie mit einer Wasserstoffquelle, indem in einer in situ Prozeßfolge DOLLAR A - an oder nahe der Substratoberfläche eine wasserstoffhaltige Zwischenschicht deponiert oder eingebracht wird, DOLLAR A - darauf eine verspannte Epitaxieschicht aufgewachsen wird und DOLLAR A - die Epitaxieschicht mittels einer Temperaturbehandlung relaxiert wird.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von
gitterangepaßten Silizium-Germaniumschichten nach dem Oberbegriff des
Patentanspruchs 1 und auf eine Schichtenfolge nach Patentanspruch 14.
Viele Hochfrequenzbauelemente auf der Basis des Materialsystems SiGe/Si
erfordern ein Substrat, dessen Gitterkonstante zwischen der des reinen Siliziums
und der des reinen Germaniums angepaßt werden kann. Die Gitterfehlpassung in
diesem Materialsystem beträgt, bezogen auf Si, für reines Germanium 4,2%.
Wird eine Mischkristallschicht der Zusammensetzung Si1-xGex - wobei x den
Anteil von Germanium angibt - auf einem Siliziumsubstrat epitaktisch
einkristallin abgeschieden, kommt es zunächst zur elastischen Verspannung in
der wachsenden Si1-xGex-Schicht (Fig. 1a), welche nach Überschreiten der sog.
kritischen Schichtdicke durch Bildung von Fehlpassungsversetzungen bevorzugt
in der Nähe der Grenzfläche abgebaut wird (Fig. 1b). Die kritische Schichtdicke
ist abhängig von der Germaniumkonzentration x und der Wachstumstemperatur.
Die parallel zur Grenzschicht verlaufenden Fehlpassungsversetzungen werden
begleitet von einer hohen Anzahl von Versetzungen, die die Si1-xGex-
Pufferschicht von der Grenzfläche SiGe/Si bis zur Oberfläche der epitaktischen
Schicht durchsetzen (Fig. 2). Die in der Figur bis an die Oberfläche reichenden
fadenförmigen Versetzungen - im wissenschaftlichen Sprachgebrauch werden
diese Versetzungen als "Threading"-Versetzungen bezeichnet - beeinträchtigen
die Funktion der aktiven Bauelementschichten und sind daher möglichst zu
unterdrücken.
Derart qualitativ hochwertige einkristalline, gitterangepaßte SiGe-Schichten
werden auf gebräuchlichem Siliziumsubstrat als künstliche Substrate mittels
Molekularstrahlepitaxie oder mittels Abscheidung aus einer reaktiven Gasphase
(CVD-Verfahren) je nach Schichtdicke auf folgende Weise realisiert:
a) Für dicke Puffer im Bereich einer Schichtdicke von mehr als 1 µm wird der Germaniumgehalt während des Wachstums kontinuierlich oder in Stufen erhöht; wobei eine Zunahme des Germaniumgehaltes von beispielsweise 10% pro µm SiGe-Schichtdicke zugrunde gelegt wird. In der Regel wird die Wachstumstemperatur zur Unterdrückung dreidimensionalen Wachstums mit steigendem Germaniumgehalt reduziert.
a) Für dicke Puffer im Bereich einer Schichtdicke von mehr als 1 µm wird der Germaniumgehalt während des Wachstums kontinuierlich oder in Stufen erhöht; wobei eine Zunahme des Germaniumgehaltes von beispielsweise 10% pro µm SiGe-Schichtdicke zugrunde gelegt wird. In der Regel wird die Wachstumstemperatur zur Unterdrückung dreidimensionalen Wachstums mit steigendem Germaniumgehalt reduziert.
Bei dieser Lösung erfolgt die Gitteranpassung zwischen dem Siliziumsubstrat
und der wachsenden SiGe-Schicht durch spannungsgetriebene Anpassungs
versetzungen in der wachsenden SiGe-Schicht während des Wachstums
(F. Schäffler, Semicond. Sci. Technol., 12, 1515 (1997) und T. Hackbarth,
H. Kibbel, M Glueck, G. Hoeck, H. -J. Herzog, Thin Solid Films, 321 (1998),
136-140).
Der Nachteil bei dieser Methode besteht darin, daß erst bei besonders großen
Schichtdicken der benötigte Germaniumgehalt als Endkonzentration der als
Pufferschicht wirkende SiGe-Schicht für elektronische Bauelemente erzielbar ist.
Aufgrund der Schichtdicke ergeben sich auf einem gemeinsamen Wafer
beispielsweise mit Siliziumbauelementen Höhendifferenzen, die mit der
modernen Integrationstechnik unvereinbar sind oder zumindest Schwierigkeiten
bei der Hochintegration bereiten.
Ferner ist die Oberflächentopographie dieser dicken, bei hohen Temperaturen
gewachsenen SiGe-Pufferschichten für nachfolgende Strukturen mit dünnen
Einzelschichten bereits nachteilig, da die Verwerfungen der Oberflächenstruktur
in vertikal vergleichbarer Dimension der aktiven Bauelementschichten sein
können.
b) Für dünne Pufferschichten im Bereich einer Schichtdicke von weniger als 1 µm wird eine verspannte, nicht gitterangepaßte SiGe-Pufferschicht mit konstantem oder auch gradiertem Germaniumgehalt epitaktisch abgeschieden, welche nachträglich mit Wasserstoffatomen implantiert und durch einen anschließenden Temperprozeß unter Schutzgas relaxiert wird. Dosis und Energie des Wasserstoffs werden so gewählt, daß das Maximum der Wasserstoffkonzen tration noch innerhalb des Siliziumsubstrats, jedoch relativ nahe der Grenzschicht zur SiGe-Pufferschicht liegt. Der anschließende Temperprozeß, der bei Temperaturen im Bereich von 800°C erfolgt, führt dann zu einer Gitteranpassung infolge der Ausbildung von Anpassungsversetzungen, die überwiegend in der dünnen Siliziumschicht zwischen der Grenzschicht und dem Maximum der Wasserstoffkonzentration verlaufen (S. Mantl, B. Holländer, R. Liedke, S. Mesters, H.- J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth, Thin Solid Films, im Druck befindlich, publiziert auf EMRS, Straßburg 1998).
b) Für dünne Pufferschichten im Bereich einer Schichtdicke von weniger als 1 µm wird eine verspannte, nicht gitterangepaßte SiGe-Pufferschicht mit konstantem oder auch gradiertem Germaniumgehalt epitaktisch abgeschieden, welche nachträglich mit Wasserstoffatomen implantiert und durch einen anschließenden Temperprozeß unter Schutzgas relaxiert wird. Dosis und Energie des Wasserstoffs werden so gewählt, daß das Maximum der Wasserstoffkonzen tration noch innerhalb des Siliziumsubstrats, jedoch relativ nahe der Grenzschicht zur SiGe-Pufferschicht liegt. Der anschließende Temperprozeß, der bei Temperaturen im Bereich von 800°C erfolgt, führt dann zu einer Gitteranpassung infolge der Ausbildung von Anpassungsversetzungen, die überwiegend in der dünnen Siliziumschicht zwischen der Grenzschicht und dem Maximum der Wasserstoffkonzentration verlaufen (S. Mantl, B. Holländer, R. Liedke, S. Mesters, H.- J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth, Thin Solid Films, im Druck befindlich, publiziert auf EMRS, Straßburg 1998).
Diese Lösung besitzt Nachteile, indem eine üblicherweise außerhalb der
Epitaxieanlage - ex situ - erfolgende Implantation mit relativ hohen Energien in
Verbindung mit einem nachfolgenden Temperprozeß zur Relaxation erforderlich
ist. Erst danach kann auf der relaxierten SiGe-Schicht die eigentliche
Bauelementstruktur gewachsen werden. Der Transfer des Wafers nach der 1.
Stufe der Epitaxie außerhalb der Anlage, um die Implantation und Temperung
durchzuführen, erschwert die Fortführung der nachfolgenden Epitaxie durch eine
erneut erforderliche Vorpräparation des Wafers. Die Implantation von
Wasserstoff birgt ferner die Gefahr von Kristallschäden an der Oberfläche bzw.
im Volumen, die nicht vor der Relaxation des SiGe-Puffers durch eine
thermische Behandlung ausgeheilt werden können, weil dadurch auch der
implantierte Wasserstoff durch Diffusion ins Volumen verdünnt wird und seine
relaxationsunterstützende Eigenschaft verliert.
Sollte zudem die erforderliche Germanium-Endkonzentration nicht in einer
Abfolge der Schritte Epitaxie, H-Implantation und Temperung erreicht werden
können, müßte die vorgenannte Prozedur mehrstufig durchgeführt werden. Dies
ginge dann durch die erforderliche mehrfache Vorpräparation auf Kosten der
Kristallqualität.
Ferner ist ein wesentlich höheres Temperaturbudget zur Relaxation erforderlich,
das in Kombination mit dem vorhandenen Wasserstoff zu einer höheren
Diffusion in bereits vorhandenen Bauelementstrukturen führen kann. Außerdem
verursacht die erforderliche Implantationsanlage zusätzliche und durch die
Komplexität derartiger Anlagen bedingte hohe Kosten.
Neben der Molekularstrahlepitaxie ist auch eine Abscheidung epitaktischer
Schichten aus einer chemisch reaktiven Gasphase (CVD-Verfahren) gebräuchlich
und aufgrund wirtschaftlicher Vorteile weit verbreitet. Allerdings stellt die
Schichtabscheidung mittels CVD im Regelfall nicht die Variabilität der
Prozeßführung zur Verfügung, die in Grenzbereichen kinetisch gesteuerter
Oberflächenreaktionen erforderlich wäre, um eine besonders gute Schichtqualität
zu erzielen. Meist muß bei dieser Methode unerwünscht in einem erheblich
höheren Temperaturbereich gearbeitet werden.
So ist beispielsweise aus den Schriften EP 0 746 011 A2 und EP 0 493 278 A1
eine Oberflächenreinigung eines Halbleitermaterials unter Verwendung von
wasserstoffhaltigem Plasma bekannt, mit der eine auf einem Siliziumsubstrat
befindliche natürliche Oxidschicht vor einem Depositionsprozeß abgetragen
wird. Die derart gereinigte Siliziumoberfläche wird dann aus einer im
wesentlichen monoatomaren Wasserstoffbelegung bedeckt. Üblicherweise liegen
sowohl beim Reinigungsprozeß wie auch bei der nachfolgenden Schichtab
scheidung die Temperaturen bei ca. 800°C, gelegentlich sogar im Bereich von
1000°C und darüber. Derart hohe Temperaturen und die kinetische Reaktion der
Gasphase mit der Substratoberfläche führt immer dazu, daß im Stadium der
Schichtabscheidung eine mehr oder weniger geschlossene Wasserstoffoberfläche
durch eine chemische Reaktion mit der schichtbildenden Spezies ersetzt wird und
die dann mit der sich neu bildenden Schichtoberfläche im Wachstum
fortschreitet.
Bei derartigen Wachstumsbedingungen erscheint jedoch ein gezieltes Einbringen
von Wasserstoff in einen eng begrenzten Bereich einer Schichtfläche
prozeßtechnisch geradezu unmöglich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung und
eine Schichtenfolge anzugeben, mit der dünne, gitterangepaßte
Halbleiterschichten mit geringer Versetzungsdichte an der Oberfläche hergestellt
werden können.
Die Erfindung wird in Bezug auf das Verfahren durch die Merkmale des
Patentanspruchs 1 und in Bezug auf die Schichtenfolge durch die Merkmale des
Patentanspruchs 14 wiedergegeben. Die weiteren Ansprüche enthalten
vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung.
Die Erfindung beinhaltet ein Verfahren zur Herstellung von relaxierten
Epitaxieschichten auf einem Halbleitersubstrat mittels Molekularstrahlepitaxie in
Verbindung mit einer Wasserstoffquelle in einer in situ Prozeßfolge. Hierzu wird
auf dem Substrat eine wasserstoffhaltige Zwischenschicht deponiert oder in ein
Substrat eine Diffusionsschicht eingebracht, die an oder nahe der Oberfläche
liegt. Auf die Zwischenschicht wird eine verspannte Epitaxieschicht
aufgewachsen, die anschließend mittels einer Temperaturbehandlung bei
vergleichsweise niedriger Temperatur relaxiert wird.
Die Herstellung der Zwischenschicht kann auf drei unterschiedliche Weisen
erfolgen (Fig. 3 a-c).
- 1. Die Diffusionsschicht wird durch thermische und/oder plasmaunterstützte Eindiffusion von Wasserstoff in die Substratoberfläche eingebracht, wobei die Konzentration des eindiffundierten Wasserstoffs an der Substratoberfläche eine maximale Konzentration der Größenordnung 1019 bis 1021 cm-3 erreicht.
- 2. Die Zwischenschicht wird durch reaktive Epitaxie bei einer Temperatur von max. 500°C unter Wasserstoffbeimischung mit hoher Konzentration in einer Dicke zwischen einigen Atomlagen bis 10 nm abgeschieden. Dabei erreicht die Konzentration des Wasserstoffs in der Schicht die Größenordnung von 1013 bis 1014 cm-2 (bzw. 1019 bis 1021 cm-3).
- 3. Die Zwischenschicht wird aus einer monoatomaren Belegung der Substrat oberfläche mit einer Konzentration der Größenordnung 1014 bis 1015 cm-2 unter Bildung von Si-H-Bindungen hergestellt.
Bei allen drei Varianten findet die Temperaturbehandlung im Bereich von 450 bis
650°C statt.
Als Wasserstoffquelle werden in einer Molekularstrahlepitaxieanlage
vorzugsweise Niederenergieplasma oder H/H2 Molekularstrahlquellen
verwendet.
Das Halbleitersubstrat besteht entweder aus Silizium oder aus einer beliebigen
SiGe-Legierung. Die Legierung kann auch auf einem ursprünglichen
Siliziumsubstrat aufgewachsen werden und im weiteren Verlauf der Prozeßfolge
die Funktion eines neuen Substrates für die darauffolgenden Schichten
übernehmen. Auf diese Weise können bei der in situ Prozeßfolge auch mehrere
relaxierte Epitaxieschichten - sogar bis zu einem Germaniumgehalt von x = 1 -
aufeinanderfolgend abgeschieden werden. Als oberste Epitaxieschicht folgt dann
eine weitere Pufferschicht oder eine zur Bauteilherstellung benötigte Schicht.
Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß der erfindungsgemäße
Herstellungsprozeß die Möglichkeit bietet, die komplette vertikale
Schichtstruktur ohne Unterbrechung des Vakuums in situ zu realisieren, die eine
weitgehende Unterdrückung von an die Oberfläche laufenden Threading-
Versetzungen gewährleisten; sogar eine mehrstufige Abfolge relaxierter
Schichten ist problemlos ohne Transport an Atmosphäre möglich.
Ein weiterer besonderer Vorteil besteht im geringen thermischen Budget der
Temperung. Gegebenenfalls können dadurch sogar eine partielle Positionierung
der gitterangepaßten SiGe-Pufferschichten bei der Prozessierung von bereits auf
einem Substrat vorhandenen Bauelementstrukturen in Silizium-Technologie
durchgeführt werden. Derart verträglichen Prozeßbedingungen bleiben, vor allem
durch das niedrige Temperaturbudget bedingt, ohne negative Folgen für die
bereits auf einem Substrat vorhandenen Strukturen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von vorteilhaften Ausführungs
beispielen unter Bezugnahme auf schematische Zeichnungen in den Figuren
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a Atomgitter einer epitaktisch abgeschieden Si1-xGex-Schicht auf
einkristallinem Silizium - elastische Verspannung -
(Stand der Technik),
Fig. 1b Atomgitter einer epitaktisch abgeschieden Si1-xGex-Schicht auf
einkristallinem Silizium unter Bildung von Fehlpassungsversetzungen
in der Nähe der Grenzfläche - Spannungsrelaxation -
(Stand der Technik),
Fig. 2 Schematische Darstellung der Ausbildung und Verlauf von faden
förmigen Threading-Versetzungen und Fehlpassungsversetzungen
im Kristallvolumen (Stand der Technik),
Fig. 3 a) Oberflächennahe Wasserstoffdeposition im Substrat,
b) Wasserstoffdeposition durch reaktive, epitaktische Schichtabscheidung auf dem Substrat,
c) Oberflächliche Wasserstoffdeposition auf der Substratoberfläche,
b) Wasserstoffdeposition durch reaktive, epitaktische Schichtabscheidung auf dem Substrat,
c) Oberflächliche Wasserstoffdeposition auf der Substratoberfläche,
Fig. 4 Schichtenfolge mehrerer aufeinanderfolgend abgeschiedener
relaxierter Epitaxieschichten mit weiterer Deckschicht,
Fig. 5 Konzentrationsverlauf von eindiffundiertem Wasserstoff mit
Maximalwert an der Substratoberfläche,
Fig. 6 Rocking-Kurve von Schichtenfolgen, die bei unterschiedlichen
Temperaturen prozessiert wurden; Messung des Spannungsabbaus
durch Gitterkonstantenänderung der Epitaxieschicht.
In einem ersten Ausführungsbeispiel wird nach Fig. 4 erfindungsgemäß die
weitgehende Unterdrückung der an die Schichtoberfläche laufenden Threading-
Versetzungen bei dünnen Puffern mit einer Schichtdicke unter 1 µm durch eine
2-stufigen Vorbehandlung, Wachstum und Zwischenbehandlung der von
Siliziumsubstrat und als Epitaxieschicht ausgebildete SiGe-Pufferschicht erreicht.
Dabei wird in einem ersten Prozeßschritt die später zu bewachsende Fläche des
Substrats 1 einer Wasserstoffquelle dergestalt ausgesetzt, daß der Wasserstoff
oberflächennah in das Kristallvolumen eindiffundiert wird. Das zugehörige erste
Diffusionsprofil 11 ist in Fig. 5 im Konzentrationsverlauf beispielhaft für eine
plasmaunterstützte Eindiffusion dargestellt, bei dem der Maximalwert an der
Substratoberfläche liegt. Oberflächennah können Wasserstofflconzentrationen im
Bereich von 1020 cm-3 erreicht werden.
In einem folgenden Prozeßschritt wird eine erste Si1-xGex-Pufferschicht 2 mit
z. B. x = 0,2 und 150 nm Dicke aufgewachsen. Dies erfolgt bei einer
Wachstumstemperatur von beispielsweise 550°C mit Wachstumsraten von ca.
0,3 nm/s.
Danach wird in situ das Siliziumsubstrat 1 mit der ersten Si1-xGex-Pufferschicht
2 auf 590°C erhitzt, wodurch die Si1-xGex-Pufferschicht 2 durch Bildung von
vorwiegend Misfit-Versetzungen relaxiert. Die Ausbildung der Versetzungen
verläuft entlang einer ersten wasserstoffhaltigen Grenzfläche 111 von Substrat
und Epitaxieschicht. Einen Überblick des Relaxationsprozesses in Abhängigkeit
von der Temperatur im Bereich von 530 bis 590°C ist aus Fig. 6 in Form einer
Rocking-Kurve zu entnehmen. Bei den in der Figur dargestellten Meßkurven
wird der Spannungsabbau durch Gitterkonstantenänderung der Epitaxieschicht
erfaßt. Damit ist die erste Si1-xGex-Pufferschicht 2 nun thermisch stabil, der
deponierte Wasserstoff ist nach der Temperung durch Diffusion an die
Oberfläche und das Volumen durch Verdünnung wirkungslos.
Bei einem weiterer Prozeßschritt wird der bisherige Schichtstapel erneut der
Wasserstoffdiffusion ausgesetzt, um wiederum ein in Fig. 4 dargestelltes zweites
Diffusionsprofil 21 zu erzeugen.
Danach wird eine zweite Si1-xGex-Pufferschicht 3 mit z. B. x = 0,4 und 150 nm
Dicke aufgewachsen. Die relative Erhöhung der Germaniumkonzentration
bezüglich der ersten Pufferschicht 2 beträgt wiederum 0,2. Dieses erfolgt wieder
bei einer Wachstumstemperatur von beispielsweise 550°C mit Wachstumsraten
von ca. 0,3 nm/s.
Beim darauffolgenden Prozeßschritt wird der Schichtstapel erneut bei 590°C in
situ unter Bildung einer erneuten thermisch stabilen zweiten Pufferschicht 3
getempert. Wiederum ist der deponierte Wasserstoff unter Ausbildung der
zweiten wasserstoffhaltigen Grenzfläche 211 nach der Temperung durch
Diffusion an die Oberfläche und das Volumen durch Verdünnung wirkungslos.
Damit sind die Voraussetzungen für eine nachfolgende Abscheidung einer
vertikalen Bauelementstruktur 4 geschaffen, die unmittelbar danach abgeschieden
wird.
Der Wasserstoffdiffusionsprozeß findet bei allen Prozeßschritten vorzugsweise in
der Wachstumskammer selbst oder in einer unmittelbar mit dieser verbundenen
Präparationskammer statt.
Claims (15)
1. Verfahren zur Herstellung von relaxierten Epitaxieschichten auf einem
Halbleitersubstrat mittels Molekularstrahlepitaxie mit einer Wasserstoffquelle,
dadurch gekennzeichnet,
daß in einer in situ Prozeßfolge
- 1. an oder nahe der Substratoberfläche eine wasserstoffhaltige Zwischenschicht (11, 12, 13) deponiert oder eingebracht wird,
- 2. darauf eine verspannte Epitaxieschicht aufgewachsen wird und
- 3. die Epitaxieschicht mittels einer Temperaturbehandlung relaxiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Diffusionsschicht (11) durch thermische und/oder plasmaunterstützte
Eindiffusion von Wasserstoff in die Substratoberfläche (1) eingebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration
des eindiffundierten Wasserstoffs an der Substratoberfläche eine maximale
Konzentration der Größenordnung 1019 bis 1021 cm-3 erreicht.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch reaktive
Epitaxie unter Wasserstoffbeimischung eine dünne Zwischenschicht (12) mit
hoher Wasserstoffkonzentration deponiert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Zwischenschicht (12) mit einer Dicke zwischen einigen Atomlagen bis 10 nm
abgeschieden wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration
des Wasserstoffs in der Schicht die Größenordnung 1013 bis 1014 cm-2 (bzw.
1019 bis 1021 cm-3) erreicht.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Zwischenschicht (13) aus einer monoatomaren Belegung der Substratoberfläche
hergestellt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die monoatomare
Belegung eine Konzentration der Größenordnung 1014 bis 1015 cm-2 erreicht.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur
behandlung im Bereich von 450 bis 650°C stattfindet.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei der
Abscheidung der wasserstoffhaltigen Zwischenschicht als Wasserstoffquelle
vorzugsweise Niederenergieplasma oder H/H2 Molekularstrahlquellen verwendet
werden.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (1) aus Silizium oder aus einer
beliebigen SiGe-Legierung besteht.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß bei der in situ Prozeßfolge mehrere relaxierte
Epitaxieschichten aufeinanderfolgend abgeschieden werden.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß auf die oberste Epitaxieschicht eine Bauelementstruktur (4)
epitaktisch aufgewachsen wird.
14. Schichtenfolge, hergestellt nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bestehend
aus:
- 1. einem Substrat (1) aus Silizium mit auf oder eingebrachter wasserstoff haltigen Zwischenschicht (111) und aufeinanderfolgend,
- 2. einer relaxierten Si1-xGex-Epitaxieschicht der Konzentration x = 0,1 bis 0,3 als erste Pufferschicht mit auf oder eingebrachter wasserstoffhaltiger Zwischenschicht (211),
- 3. eine Si1-xGex-relaxierte Epitaxieschicht der Konzentration x = 0,3 bis 0,5 als zweite Pufferschicht (3) und
- 4. einer Si1-xGex-Bauelementstruktur (4).
15. Schichtenfolge nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß nach der
zweiten Pufferschicht (3) weitere relaxierte SixGe1-x-Epitaxieschicht mit
ansteigender Germaniumkonzentration bis zu maximal x = 1 abgeschieden sind
und zuletzt die Bauelementstruktur (4) folgt.
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DE19859429A DE19859429A1 (de) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | Verfahren zur Herstellung epitaktischer Silizium-Germaniumschichten |
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ID=7892240
Family Applications (1)
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DE19859429A Withdrawn DE19859429A1 (de) | 1998-12-22 | 1998-12-22 | Verfahren zur Herstellung epitaktischer Silizium-Germaniumschichten |
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DE (1) | DE19859429A1 (de) |
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