DE19914905A1 - Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers - Google Patents
Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines ÄtzkörpersInfo
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Abstract
Es wird eine elektrochemische Ätzzelle (1) zur Ätzung eines Ätzkörpers (15) vorgeschlagen, der zumindest oberflächlich aus einem Ätzmaterial besteht. Die Ätzzelle (1) weist mindestens eine mit einem Elektrolyten befüllte Kammer auf und ist mit einer ersten Elektrode (13), die zumindest oberflächlich ein erstes Elektrodenmaterial aufweist, und einer zweiten Elektrode (13'), die mindestens oberflächlich ein zweites Elektrodenmaterial aufweist, versehen. Der Ätzkörper (15) steht weiter zumindest bereichsweise mit dem Elektrolyten in Kontakt. Das erste Elektrodenmaterial und das zweite Elektrodenmaterial ist dabei derart gewählt, daß der Ätzkörper (15) nach der Ätzung durch die Elektrodenmaterialien nicht kontaminiert und/oder in seinen Eigenschaften nicht beeinträchtigt ist. Insbesondere sind die Elektrodenmaterialien die gleichen Materialien wie das Ätzmaterial. Weiterhin wird ein Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers (15) mit dieser Ätzzelle (1) vorgeschlagen, wobei die erste und/oder die zweite Elektrode (13, 13') als Opferelektrode eingesetzt werden. Die vorgeschlagene Ätzzelle eignet sich besonders zur Ätzung von Siliziumwafern in einer CMOS-kompatiblen Fertigungslinie.
Description
Die Erfindung betrifft eine elektrochemische Ätzanlage,
insbesondere eine CMOS-kompatible Ätzanlage zur Ätzung von
Siliziumwafern, sowie ein Verfahren zur Ätzung eines
Ätzkörpers nach der Gattung der unabhängigen Ansprüche.
Elektrochemische Ätzanlagen, beispielsweise zur Herstellung
von porösem Silizium oder zur oberflächlichen
Porösifizierung von Silizium, bestehen üblicherweise aus
einem 2-Kammersystem, zwischen denen ein zu ätzender
Siliziumwafer als Trennwand eingespannt wird und wobei die
beiden Kammern elektrisch nur durch den Wafer miteinander
gekoppelt bzw. verbunden sind. Weiterhin sind in beiden
Kammern üblicherweise Elektroden zur Stromzuführung
angebracht, die in der Regel aus Platin bestehen. Eine
derartige Ätzanlage ist beispielsweise ausführlich und in
ihren wesentlichen Details bereits von Fujiyama et al. in US
5,458,755 beschrieben.
Bei bekannten Ätzanlagen tritt jedoch stets das Problem auf,
daß zumindest die anodisch geschaltete Elektrode beim
Betrieb zumindest geringfügig angegriffen und aufgelöst
wird, so daß durch das aufgelöste Elektrodenmaterial
zunächst der Elektrolyt und darüber der zu ätzende Wafer im
Laufe des Ätzverfahrens kontaminiert wird. Eine derartige
Kontamination, beispielsweise von Platin in einer
Siliziumfertigung, ist vielfach jedoch nicht akzeptabel und
beeinträchtigt den geätzten Wafer oder den Ätzkörper in
seinen elektrischen oder katalytischen Eigenschaften
erheblich.
So ist insbesondere ein Siliziumwafer, auf bzw. in dem über
ein elektrochemisches Ätzverfahren eine Schicht aus porösem
Silizium erzeugt wurde und der dabei mit Platin kontaminiert
wurde, für eine Verwendung in einer CMOS-Fertigung (CMOS =
Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) ungeeignet.
Lösungsvorschläge für dieses Problem, die auf einer
einseitigen Metallisierung der Waferrückseite und der
Verwendung einer lediglich einseitigen Ätzvorrichtung
beruhen, wobei die Rückseite des zu ätzenden Wafers den
Metallkontakt bildet und lediglich die Vorderseite mit dem
Ätzmedium bzw. dem Elektrolyten und darüber mit einer
Platinelektrode in Verbindung steht, sind infolge der dabei
aufzubringenden und erforderlichen Rückseitenmetallisierung
und der notwendigen Folgeschritte bei der Bearbeitung des
Wafers (Oxidation, Schichtabscheidungen usw.), denen diese
Metallisierung dann im Wege steht, ungeeignet.
Die erfindungsgemäße elektrochemische Ätzanlage zur Ätzung
eines Ätzkörpers und das damit durchgeführte
erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen
der unabhängigen Ansprüche hat gegenüber dem Stand der
Technik den Vorteil, daß damit eine kontaminationsfreie
elektrochemische Ätzung eines Ätzkörpers ermöglicht wird,
wobei dieser zumindest oberflächlich ein zu ätzendes
Ätzmaterial aufweist oder aus diesem besteht. Dies gilt
insbesondere bei der Herstellung von porösem Silizium aus
einem Siliziumwafer. Damit wird durch diese Ätzung der
Ätzkörper insbesondere in seinen elektrischen bzw.
elektronischen oder katalytischen Eigenschaften nicht
beeinträchtigt.
Eine Vermeidung einer Kontamination und/oder eine zumindest
zum Teil damit verbundene Beeinträchtigung der elektrischen
oder katalytischen Eigenschaften des nach der Ätzung
erhaltenen Ätzkörpers wird dabei sehr vorteilhaft dadurch
erreicht, daß das Material der in der Ätzanlage über
Elektrolyten mit dem Ätzkörper unmittelbar in Verbindung
stehenden Elektroden jeweils entsprechend dem Material des
Ätzkörpers ausgewählt ist. Bei dem erfindungsgemäßen
Ätzverfahren mit einer derartigen Ätzzelle wird dabei sehr
vorteilhaft mindestens eine dieser Elektroden zumindest mit
ihrer dem Ätzkörper zugewandten Seite als Opferelektrode
eingesetzt.
Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben
sich aus den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
So ist es besonders vorteilhaft, wenn das Material einer
ersten Elektrode und/oder das Material einer zweiten
Elektrode, die als Kathode bzw. Anode geschaltet sind und
mit dem Ätzkörper über einen geeigneten Elektrolyten
elektrisch in Verbindung stehen, das gleiche Material wie
das Ätzmaterial des zu ätzenden Ätzkörpers ist. Dabei genügt
es, wenn der Ätzkörper zumindest oberflächlich das zu
ätzende Ätzmaterial aufweist oder oberflächlich aus diesem
besteht und wenn die erste und/oder zweite Elektrode
zumindest oberflächlich ein entsprechendes
Elektrodenmaterial aufweist oder oberflächlich aus diesem
besteht.
Weiterhin ist es sehr vorteilhaft, wenn das Ätzmaterial des
Ätzkörpers elektrisch zumindest schwach leitend ist, wobei
als Ätzmaterial bevorzugt Silizium oder als Ätzkörper ein
Siliziumwafer eingesetzt wird. Vorteilhaft ist überdies,
wenn das erste Elektrodenmaterial und das zweite
Elektrodenmaterial der ersten bzw. zweiten Elektrode ein
CMOS-kompatibles Material und insbesondere kein Element,
ausgewählt aus der Gruppe Platin, Gold, Iridium, Rhodium,
Palladium, Silber oder Kupfer ist. Damit ist die
erfindungsgemäße Ätzanlage besonders zur Herstellung von
porösem Silizium auf einem Siliziumwafer geeignet, wobei
beispielsweise durch die Verwendung von Siliziumelektroden
eine Kontamination des Wafers mit siliziumfremden Substanzen
wie beispielsweise Platin oder Palladium verhindert wird.
Unter einem CMOS-kompatiblen Material wird dabei
entsprechend dem allgemeinen Sprachgebrauch in der
Halbleitertechnik ein Material verstanden, das die
elektrischen Eigenschaften einer damit erzeugten Schaltung
nicht negativ beeinträchtigt.
Entsprechend ist unter einem den Ätzkörper kontaminierenden
Material insbesondere ein CMOS-Gift zu verstehen oder ein
Material, das bei seiner Einlagerung tiefe Störstellen in
dem Ätzkörper bildet d. h. Störstellen, deren Energieniveaus
die in der Mitte des Gaps zwischen Leitungsband und
Valenzband des zu ätzenden Materials liegen und die damit
ein hohes Übergangsmatrixelement für die Rekombination von
Elektronen und Löchern in dem Ätzkörper hervorrufen
("Rekombinationskeim").
Als Elektrodenmaterialien für die erste bzw. zweite
Elektrode kommen vorteilhaft besonders Verbindungen aus der
Gruppe der zumindest schwach leitfähigen Verbindungen der
Elemente Silizium, Kohlenstoff, Stickstoff, Sauerstoff,
Titan, Aluminium, Bor, Antimon, Wolfram, Cobalt, Tellur,
Germanium, Molybdän, Gallium, Arsen und Selen, insbesondere
SiC, SiN, TiN, TiC, MoSi2 und GaAs, in Frage, sowie reine
Elektrodenmaterialien aus den Elementen Silizium, Titan,
Wolfram, Molybdän und Kohlenstoff, insbesondere Graphit.
Generell eignen sich als Elektrodenmaterialien auch die in
der Halbleitertechnik allgemein als Kontaktmaterialien
verwendeten Materialien, da diese bei einem Auftreffen auf
den Ätzkörper und damit während der Ätzung nicht tief in den
Ätzkörper eindiffundieren, sondern oberflächlich,
beispielsweise unter Bildung von Siliziden, mit dem
Ätzkörper reagieren bzw. örtlich gebunden werden und somit
auf die Oberfläche des Ätzkörpers beschränkt bleiben. In
diesem Sinne kontaminieren sie den Ätzkörper somit nicht und
beeinträchtigen ihn auch in seinen elektronischen
Eigenschaften, insbesondere hinsichtlich des Einsatzes in
einer oder der Verträglichkeit mit einer CMOS-kompatiblen
Fertigungslinie, nicht.
Die konkrete Auswahl des jeweiligen Elektrodenmaterials
erfolgt vorteilhaft jeweils unter Berücksichtigung des
Materials des Ätzkörpers und der verwendeten Elektrolyten.
Die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode und/oder
der Ätzkörper sind daneben vorteilhaft flächig, insbesondere
in Form von Wafern, ausgebildet, wobei die Elektroden zur
Verwendung als Opferelektroden sehr vorteilhaft überdies
wesentlich dicker als der eigentliche Ätzkörper sind, so daß
sie gegebenenfalls aufbereitet, von Kontaminationen befreit
und wiederverwendet werden können. Damit wird vorteilhaft
eine Verlängerung der Austauschzyklen der Elektroden
erreicht.
Die elektrochemische Ätzzelle ist vorteilhaft derart
aufgebaut, daß eine erste Kammer und eine zweite Kammer
vorgesehen sind, die jeweils zumindest teilweise mit einem
Elektrolyten befüllt und die über eine Trennvorrichtung
räumlich voneinander getrennt sind. Dabei steht jede der
beiden Kammern mit jeweils einer Elektrode elektrisch
leitend über einen Elektrolyten in Verbindung, wobei der
Ätzkörper zumindest bereichsweise die Trennvorrichtung und
sehr vorteilhaft gleichzeitig auch die einzige, zumindest
schwach leitende elektrische Verbindung zwischen den beiden
Kammern und den als Kathode bzw. Anode geschalteten
Elektroden ist.
Eine weitere sehr vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung
sieht vor, daß die elektrochemische Ätzzelle neben den
bereits erwähnten beiden Kammern über eine weitere dritte
Kammer oder eine weitere dritte Kammer und eine weitere
vierte Kammer verfügt, die jeweils zumindest teilweise mit
einem Elektrolyten befüllt und jeweils über eine weitere
Trennvorrichtung von der ersten Kammer bzw. zweiten Kammer
räumlich getrennt sind. Dabei steht der Elektrolyt in der
dritten bzw. vierten Kammer sehr vorteilhaft lediglich mit
der zweiten bzw. ersten Elektrode elektrisch leitend in
Verbindung, die wiederum gleichzeitig zumindest
bereichsweise als Trennvorrichtung zwischen der dritten bzw.
vierten Kammer und jeweils der ersten bzw. zweiten Kammer
dient.
In diesem Zusammenhang ist es besonders vorteilhaft, wenn
die insbesondere flächig ausgebildete erste und/oder die
zweite Elektrode jeweils nur mit ihrer dem Ätzkörper
zugewandten Oberfläche mit dem mit dem Ätzkörper in Kontakt
stehenden Elektrolyten in Kontakt sind, so daß eine
Vermischung des Elektrolyten in der dritten bzw. vierten
Kammer mit dem Elektrolyten in der ersten bzw. zweiten
Kammer vermieden wird. Somit kann die dem Elektrolyten der
ersten oder zweiten Kammer abgewandte Seite der ersten
und/oder zweiten Elektrode zur einfacheren elektrischen
Kontaktierung der Elektroden zumindest bereichsweise
oberflächlich mit einer Metallisierung oder einer Dotierung
versehen sein oder, beispielsweise im Fall des Aufbaus der
Elektrode aus mehreren Schichten, aus einem Metall bestehen,
was den Vorteil eines einfachen konstruktiven Aufbaus der
Ätzzelle mit der gezielten Anpassung des Elektrodenmaterials
an das jeweilige Ätzmaterial verbindet, ohne daß
Kontaktierungs- oder Kontaminationsprobleme auftreten.
Weiterhin kann in der dritten bzw. vierten Kammer jeweils
eine zusätzliche, in einen dort befindlichen Elektrolyten
eintauchende Badelektrode, insbesondere eine Platin- oder
Palladiumelektrode, zur einfachen elektrischen Kontaktierung
der ersten bzw. zweiten Elektrode über den jeweiligen
Elektrolyten vorgesehen sein.
Im übrigen können die Elektrolyte in den einzelnen Kammern
der erfindungsgemäßen Ätzanlage vorteilhaft auch voneinander
verschieden sein, wobei die erste und zweite Kammer, in
denen die eigentlich Ätzung des Ätzkörpers stattfindet,
vorteilhaft mit Flußsäure oder einem Gemisch aus Flußsäure
und Ethanol, und die dritte und vierte Kammer beispielsweise
mit verdünnter Schwefelsäure als Kontaktelektrolyt befüllt
sind.
Die einzelnen Kammern sind weiterhin sehr vorteilhaft
separat mit Elektrolyt befüllbar und separat entleerbar, so
daß jederzeit ein problemloser Austausch beispielsweise
eines kontaminierten Elektrolyten in jeder Kammer möglich
ist. Damit wird zudem jederzeit ein einfacher Austausch
einer als Opferelektrode dienenden verbrauchten oder
kontaminierten ersten bzw. zweiten Elektrode problemlos und
schnell ermöglicht.
Die erste und/oder zweite Elektrode wird im übrigen
vorteilhaft elektrisch über den in der dritten bzw. vierten
Kammer eingefüllten Elektrolyten mit einer dort befindlichen
Badelektrode kontaktiert und somit mit einer externen
Spannungsversorgung verbunden, die der Ätzanlage bei Betrieb
einen Strom einprägt.
Die problemlose Austauschbarkeit der Opferelektroden d. h.
der ersten und/oder der zweiten Elektrode erlaubt es daneben
sehr vorteilhaft, in einfacher Weise die Eignung
unterschiedlicher Elektrodenmaterialien, wie beispielsweise
Graphit, bei der Ätzung eines Ätzkörpers zu untersuchen und
die Elektrodenmaterialien dabei auf das jeweilige Material
des Ätzkörpers hin zu optimieren.
Zur Homogenisierung der Ätzung des Ätzkörpers in der
erfindungsgemäßen Ätzanlage kann weiter vorteilhaft in an
sich bekannter Weise ein Tunnel aus nichtleitendem Material,
insbesondere Polypropylen, vorgesehen sein.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen und in der
nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Fig. 1 zeigt
eine erste elektrochemische Ätzanlage,
Fig. 2 eine
alternative Ausführungsform der Ätzanlage und
Fig. 3 eine
dritte Ausführungsform der Ätzanlage.
Die Fig. 1 zeigt als erstes Ausführungsbeispiel eine
erfindungsgemäße elektrochemische Ätzzelle 1 mit vier
Kammern, einer ersten Kammer 19, einer zweiten Kammer 19',
einer dritten Kammer 17 und einer vierten Kammer 18, die
jeweils zumindest teilweise mit einem Elektrolyten befüllt
sind. Die erste und zweite Kammer 19, 19' ist dabei für die
eigentliche Ätzung eines Ätzkörpers 15 beispielsweise mit
einem Gemisch aus Flußsäure und Ethanol befüllt, während die
dritte und vierte Kammer 17, 18 beispielsweise mit
verdünnter Schwefelsäure als Kontaktelektrolyt befüllt sind.
Die vier Kammern 17, 18, 19, 19' definieren somit vier den
Kammern 17, 18, 19, 19' zugeordnete Elektrolytbereiche, einen
ersten Elektrolytbereich 29, einen zweiten Elektrolytbereich
29', einen dritten Elektrolytbereich 27 und einen vierten
Elektrolytbereich 28, die voneinander räumlich über
Trennvorrichtungen getrennt sind, die jedoch gleichzeitig
eine elektrische Verbindung der Kammern 17, 18, 19, 19'
ermöglichen.
Im einzelnen wird die erste Kammer 19 von der zweiten Kammer
19' über eine erste Trennvorrichtung 31 räumlich getrennt,
die erste Kammer 19 von der dritten Kammer 17 über eine
zweite Trennvorrichtung 32 und die zweite Kammer 19' von der
vierten Kammer 18 über eine dritte Trennvorrichtung 33
räumlich getrennt, so daß kein Austausch von Elektrolyt
zwischen den Kammern 17, 18, 19, 19' auftritt.
Die erste Trennvorrichtung 31 wird dabei in an sich
bekannter Weise durch eine Ätzkörperhalterung 11 aus Teflon
oder Polypropylen gebildet, in der bereichsweise der
Ätzkörper 15 eingepaßt oder eingesetzt ist, so daß dieser
oberflächlich einerseits mit dem Elektrolyten in der ersten
Kammer 19 und andererseits mit dem Elektrolyten in der
zweiten Kammer 19' in Kontakt ist. Der Ätzkörper 15 ist im
erläuterten Beispiel ein an sich bekannter, flächiger
Siliziumwafer. Die zweite Trennvorrichtung 32 und die dritte
Trennvorrichtung 33 wird jeweils von einer
Elektrodenhalterung 10 aus Teflon gebildet, in die
bereichsweise jeweils eine zweite Elektrode 13' bzw. eine
erste Elektrode 13 eingesetzt ist, so daß diese
oberflächlich zumindest bereichsweise einerseits mit dem
Elektrolyten der dritten bzw. ersten Kammer 17, 19' und
andererseits mit dem Elektrolyten der zweiten bzw. vierten
Kammer 19', 18 in Kontakt sind.
Als metallische Kontaktelektrode zur Kontaktierung der
ersten bzw. zweiten Elektrode 13, 13' ist in der dritten
bzw. vierten Kammer 17, 18 jeweils eine Platinelektrode oder
eine Palladiumelektrode als Badelektrode 34, 34' vorgesehen,
die jeweils in den dort befindlichen Elektrolyten eintaucht.
Die Badelektroden 34, 34' sind weiter mit einer nicht
dargestellten Spannungsquelle verbunden, die in an sich
bekannter Weise der Ätzzelle 1 einen elektrischen Strom
einprägt. Dabei ist im erläuterten Beispiel bezüglich des
Ätzkörpers 15 die erste Elektrode 13 bzw. deren dem
Ätzkörper 15 zugewandte Seite als Anode und die zweite
Elektrode 13' bzw. deren dem Ätzkörper 15 zugewandte Seite
als Kathode geschaltet.
Die erste Elektrode 13 und die zweite Elektrode 13' bestehen
im erläuterten Beispiel aus einem flächigen Siliziumwafer
oder einer Siliziumscheibe, der bevorzugt wesentlich dicker
als der als Ätzkörper 15 eingesetzt Siliziumwafer ist.
Allgemein werden die Elektroden 13, 13' hinsichtlich des
jeweils verwendeten Elektrodenmaterials bevorzugt derart
ausgewählt, daß sie zumindest oberflächlich aus dem gleichen
Material bestehen, wie die jeweiligen Oberflächen des
Ätzkörpers 15. Damit wird gewährleistet, daß das Material
der ersten Elektrode 13 und das Material der zweiten
Elektrode 13' den Ätzkörper 15 beim Betrieb der Ätzzelle 1
nicht kontaminiert und damit diesen nach der Ätzung in
seinen elektrischen oder katalytischen Eigenschaften
beeinträchtigt.
Bei Betrieb der Ätzzelle 1 fließt nun ein äußerer
eingeprägter Strom über die Badelektroden 34, 34', die
Elektrolyten, die erste und zweite Elektrode 13, 13' und den
Ätzkörper 15, wobei dieser zumindest oberflächlich in einem
Körperätzbereich 14' geätzt wird. Gleichzeitig werden
jedoch, je nach Wahl des Elektrodenmaterials der Elektroden
13, 13', auch die erste und zweite Elektrode 13, 13'
zumindest oberflächlich in einem Ätzbereich 14 geätzt d. h.
sie dienen als Opferelektroden beim Ätzprozeß des Ätzkörpers
15. Aufgrund ihrer deutlich größeren Dicke gegenüber dem
Ätzkörper 15 werden sie dabei jedoch nicht durchgeätzt,
sondern lediglich oberflächlich angegriffen, abgeätzt bzw.
abgetragen oder beispielsweise porösifiziert. Im Falle einer
Abnutzung, beispielsweise nach der Ätzung mehrerer Ätzkörper
15, können sie daher ausgetauscht, wieder aufbereitet oder
bei Bedarf regelmäßig von anhaftenden Kontaminationen
gereinigt werden.
Im Detail entsteht im erläuterten Beispiel bei der Ätzung
eines Siliziumwafers an dessen anodischer Seite, d. h. im
Fall der angegebenen Polung im Körperätzbereich 14', poröses
Silizium, während gleichzeitig auf der anodischen, dem
Ätzkörper zugewandten Seite der ersten Elektrode 13
ebenfalls eine zumindest geringfügige Ätzung in einem
entsprechenden Elektrodenätzbereich 14 auftritt, d. h. im
konkreten Beispiel eine oberflächliche Ausbildung von
porösem Silizium. Dies gilt im übrigen auch für die dem
Ätzkörper 15 abgewandte Seite der zweiten Elektrode 13', die
in der dritten Kammer 17 die Rolle der Anode übernimmt.
Gleichzeitig löst sich beim Betrieb der Ätzzelle 1 auch die
in der vierten Kammer 18 anodisch geschaltete, metallische
Badelektrode 34 geringfügig auf, wobei jedoch lediglich die
dem Ätzkörper 15 abgewandte Seite der ersten Elektrode 13
beispielsweise mit Platin kontaminiert wird. Aufgrund der
räumlichen Trennung der einzelnen Kammern 17, 18, 19, 19',
zwischen denen lediglich eine elektrische Verbindung über
die Elektroden 13, 13' und den Ätzkörper 15 besteht,
zwischen denen aber kein Elektrolytaustauch möglich ist,
bleibt diese Kontamination jedoch von dem Ätzkörper 15 fern.
Sie kann damit bei einer Aufbereitung der Elektroden 13, 13'
von der entsprechenden Seite wieder entfernt werden.
Ein beispielsweise während der Ätzung auftretendes Lösen von
Silizium von einer der Elektroden 13, 13' in dem
Elektrolyten in der ersten oder zweiten Kammer 19, 19' ist
für den Ätzkörper 15 unkritisch, da dieser aus dem gleichen
Material besteht und somit nicht kontaminiert wird.
Zum leichten Austausch der Elektroden 13, 13' werden diese
im übrigen bevorzugt über Dichtungen mit den
Elektrodenhalterungen 10 verbunden und über verschließbare
Fenster 16 in Seitenwänden der Ätzanlage 1 mit dieser
verschraubt. Für einen einfachen Austausch des Ätzkörpers 15
ist weiter ein an sich bekannter Schnellverschluß
vorgesehen.
Zum leichten Austausch der verwendeten Elektrolyte und der
Elektroden 13, 13' sind zudem die Kammern 17, 18, 19, 19'
bzw. die zugehörigen Elektrolytbereiche 27, 28, 29, 29' über
entsprechende, an sich bekannte Vorrichtungen jeweils
separat befüllbar und entleerbar.
Die Fig. 2 erläutert ein zweites Ausführungsbeispiel einer
erfindungsgemäßen Ätzzelle. Diese Ätzzelle ist in
wesentlichen Punkten völlig analog zu der Ätzzelle 1 gemäß
Fig. 1, weist jedoch eine andere Ausführungsform der
Kontaktierung der Elektroden 13, 13' auf. In diesem Beispiel
kann auf die dritte Kammer 17 und die vierte Kammer 18, die
Badelektroden 34, 34' und die in diesen Kammern 17, 18
befindlichen Elektrolyten verzichtet werden. Stattdessen
werden die erste Elektrode 13 und die zweite Elektrode 13'
jeweils auf der dem Ätzkörper 15 abgewandten Seite mit einer
an sich bekannten Metallisierung 20 versehen.
Alternativ können die Elektroden 13, 13' jedoch auch auf
dieser Seite mit einer sehr hohen Dotierung versehen sein,
so daß eine gute elektrische Leitfähigkeit gewährleistet
ist. Schließlich können die Elektroden 13, 13' auch aus
einem Schichtkörper bestehen, der auf seiner dem Ätzkörper
15 abgewandten Seite eine Metallschicht aufweist oder aus
einem Metall besteht. Weitere Ausführungsformen der
elektrischen Kontaktierung der Elektroden 13, 13' sehen vor,
daß diese in an sich bekannter Weise auf der dem Ätzkörper
15 abgewandten Seite mit Stift-, Netz- oder Flächenkontakten
versehen sind oder, je nach Elektrodenmaterial, besonders
einfach, daß die Elektroden 13, 13' in der ersten bzw.
zweiten Kammer 19, 19' teilweise direkt in den Elektrolyten
eingetaucht und an einer nicht eingetauchten Stelle
elektrisch direkt kontaktiert werden. Sie dienen damit als
Opferelektroden anstelle der aus dem Stand der Technik
bekannten Platinelektroden.
Im Fall von Graphit als Elektrodenmaterial für die erste und
zweite Elektrode 13, 13' ist jedoch eine Kontaktierung über
einen Elektrolyten in der dritten bzw. vierten Kammer 17, 18
gemäß Fig. 1 vorteilhaft.
Abschließend sei noch auf ein mit Hilfe der Fig. 3
erläutertes drittes Ausführungsbeispiel der
erfindungsgemäßen Ätzanlage verwiesen, bei der im
Unterschied zu Fig. 1 zusätzlich lediglich ein an sich
bekannter Tunnel 30 aus nichtleitendem Material, wie
Polypropylen, vorgesehen ist. Dieser Tunnel 30 ist
beidseitig mit der Ätzkörperhalterung 11 verbunden und
umgibt einen beispielsweise kreisförmigen Wafer als
Ätzkörper 15 konzentrisch. Der Tunnel 30 bewirkt eine
Homogenisierung der Stromlinien in der Ätzanlage 1 und damit
eine ausgezeichnete Dickenhomogenität der Ätzung des
Ätzkörpers 15, insbesondere bei der Ätzung von Silizium zu
porösem Silizium.
Auf weitere, an sich dem Fachmann bekannte Details der
vorstehenden Ausführungsbeispiele, die ausführlich
beispielsweise bereits in US 5,458,755 beschrieben sind,
wird verzichtet.
1
Ätzzelle
10
Elektrodenhalterung
11
Ätzkörperhalterung
12
Metallelektrode
13
erste Elektrode
13
' zweite Elektrode
14
Elektrodenätzbereich
14
' Körperätzbereich
15
Ätzkörper
16
Fenster
17
dritte Kammer
18
vierte Kammer
19
erste Kammer
19
' zweite Kammer
20
Metallisierung
27
dritter Elektrolytbereich
28
vierter Elektrolytbereich
29
erster Elektrolytbereich
29
' zweiter Elektrolytbereich
30
Tunnel
31
erste Trennvorrichtung
32
zweite Trennvorrichtung
33
dritte Trennvorrichtung
34
Badelektrode
34
' Badelektrode
Claims (23)
1. Elektrochemische Ätzzelle zur Ätzung eines Ätzkörpers
(15), der zumindest oberflächlich ein Ätzmaterial aufweist,
mit mindestens einer Kammer, die zumindest teilweise mit
einem Elektrolyten befüllt ist und die mit einer ersten
Elektrode (13), die zumindest oberflächlich ein erstes
Elektrodenmaterial aufweist, und mit einer zweiten Elektrode
(13'), die zumindest oberflächlich ein zweites
Elektrodenmaterial aufweist, versehen ist, wobei eine der
Elektroden (13, 13') als Kathode und eine der Elektroden
(13, 13') als Anode geschaltet ist, und wobei der Ätzkörper
(15) zumindest bereichsweise mit dem Elektrolyten in Kontakt
ist, dadurch gekennzeichnet, daß das erste
Elektrodenmaterial und das zweite Elektrodenmaterial derart
gewählt ist, daß der Ätzkörper (15) nach der Ätzung durch
die Elektrodenmaterialien nicht kontaminiert und/oder in
seinen Eigenschaften nicht beeinträchtigt ist.
2. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das erste Elektrodenmaterial und/oder
das zweite Elektrodenmaterial das gleiche Material wie das
Ätzmaterial ist.
3. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzmaterial elektrisch
zumindest schwach leitend ist, wobei das Ätzmaterial
insbesondere Silizium oder der Ätzkörper (15) insbesondere
ein Siliziumwafer ist.
4. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das erste Elektrodenmaterial und das
zweite Elektrodenmaterial ein CMOS-kompatibles Material und
insbesondere kein Element, ausgewählt aus der Gruppe Platin,
Gold, Iridium, Rhodium, Palladium, Silber oder Kupfer ist.
5. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das erste und/oder das zweite
Elektrodenmaterial aus der Gruppe der zumindest schwach
leitfähigen Verbindungen der Elemente Silizium, Kohlenstoff,
Stickstoff, Sauerstoff, Titan, Aluminium, Bor, Antimon,
Wolfram, Cobalt, Tellur, Germanium, Molybdän, Gallium, Arsen
und Selen, insbesondere SiC, SiN, TiN, TiC, MoSi2 und GaAs,
oder aus den Elementen Silizium, Titan, Wolfram, Molybdän
und Kohlenstoff, insbesondere Graphit, ausgewählt ist.
6. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (13) und/oder die
zweite Elektrode (13') und/oder der Ätzkörper (15) flächig
ausgebildet ist.
7. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 1 oder 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (13)
und/oder die zweite Elektrode (13') jeweils lediglich mit
ihrer dem Ätzkörper (15) zugewandten Oberfläche zumindest
bereichsweise mit dem mit dem Ätzkörper in Kontakt stehenden
Elektrolyten in Kontakt sind.
8. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der
vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine
erste Kammer (19) und eine zweite Kammer (19') vorgesehen
ist, die jeweils zumindest teilweise mit einem Elektrolyten
befüllt und die über eine erste Trennvorrichtung (31)
räumlich voneinander getrennt sind, wobei die erste Kammer
(19) mit der zweiten Elektrode (13') und die zweite Kammer
(19') mit der ersten Elektrode (13) elektrisch leitend in
Verbindung steht und der Ätzkörper (15) zumindest
bereichsweise die erste Trennvorrichtung (31) bildet.
9. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß eine dritte Kammer (17) vorgesehen ist,
die zumindest teilweise mit einem Elektrolyten befüllt ist
und die über eine zweite Trennvorrichtung (32) von der
ersten Kammer (19) räumlich getrennt ist, wobei die dritte
Kammer (17) mit der zweiten Elektrode (13') elektrisch
leitend in Verbindung steht und die zweite Elektrode (13')
zumindest bereichsweise die zweite Trennvorrichtung (32)
bildet.
10. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 8 oder 9,
dadurch gekennzeichnet, daß eine vierte Kammer (18)
vorgesehen ist, die zumindest teilweise mit einem
Elektrolyten befüllt ist und die über eine dritte
Trennvorrichtung (33) von der zweiten Kammer (19') räumlich
getrennt ist, wobei die vierte Kammer (18) mit der ersten
Elektrode (13) elektrisch leitend in Verbindung steht und
die erste Elektrode (13) zumindest bereichsweise die dritte
Trennvorrichtung (33) bildet.
11. Elektrochemische Ätzzellen nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Kammer (19) und die zweite
Kammer (19') lediglich über den Ätzkörper (15) elektrisch
leitend miteinander verbunden sind.
12. Elektrochemische Ätzzellen nach Anspruch 9 oder 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kammer (19) und die
dritte Kammer (17) lediglich über die zweite Elektrode (13')
und/oder die zweite Kammer (19') und die vierte Kammer (18)
lediglich über die erste Elektrode (13) elektrisch leitend
miteinander verbunden sind.
13. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (13) flächig
ausgebildet ist und lediglich einseitig mit dem Elektrolyten
der zweiten Kammer (19') elektrisch leitend in Verbindung
steht und/oder daß die zweite Elektrode (13') flächig
ausgebildet ist und lediglich einseitig mit dem Elektrolyten
der ersten Kammer (19) elektrisch leitend in Verbindung
steht.
14. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (13) flächig
ausgebildet ist und mit einer Seite mit dem Elektrolyten der
zweiten Kammer (19') sowie mit der anderen Seite mit dem
Elektrolyten der vierten Kammer (18) elektrisch leitend in
Verbindung steht und/oder daß die zweite Elektrode (13')
flächig ausgebildet ist und mit einer Seite mit dem
Elektrolyten der ersten Kammer (19) sowie mit der anderen
Seite mit dem Elektrolyten der dritten Kammer (17)
elektrisch leitend in Verbindung steht.
15. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß die dem Elektrolyten der ersten oder
zweiten Kammer (19, 19') abgewandte Seite der ersten
Elektrode (13) und/oder der zweiten Elektrode (13')
zumindest bereichsweise oberflächlich mit einer
Metallisierung (20) oder einer hohen Dotierung versehen ist
oder aus einem Metall besteht.
16. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der
vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
erste Elektrode (13) über den Elektrolyten in der dritten
Kammer (17) mit einer Badelektrode (34), insbesondere einer
Platinelektrode, und /oder die zweite Elektrode (13') über
den Elektrolyten in der vierten Kammer (18) mit einer
Badelektrode (34'), insbesondere einer Platinelektrode,
verbunden ist.
17. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der
vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden (13, 13') erheblich dicker als der Ätzkörper (15)
sind.
18. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der
vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kammern (17, 18, 19, 19') mit unterschiedlichen Elektrolyten
befüllt sind, wobei die erste und zweite Kammer (19, 19')
insbesondere mit Flußsäure oder einem Gemisch aus Flußsäure
und Ethanol befüllt ist, und die dritte und vierte Kammer
(17, 18) insbesondere mit verdünnter Schwefelsäure befüllt
ist.
19. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der
vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur
Homogenisierung der Ätzung des Ätzkörpers (15) ein Tunnel
(30) aus nichtleitendem Material, insbesondere Polypropylen,
vorgesehen ist.
20. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der
vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kammern (17, 18, 19, 19') separat befüllbar und entleerbar
sind.
21. Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers (15) mit einer
Ätzzelle (1) nach mindestens einem der vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und/oder
die zweite Elektrode (13, 13') als Opferelektrode eingesetzt
werden.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste und/oder die zweite Elektrode (13, 13')
während der Ätzung zumindest bereichsweise oberflächlich
porösifiziert und insbesondere oberflächlich von Silizium in
poröses Silizium überführt werden.
23. Verwendung der Ätzzelle und des Verfahrens nach
mindestens einem der vorangehenden Ansprüche zur Ätzung von
Siliziumwafern in einer CMOS-kompatiblen Fertigungslinie.
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